DE1222534B - Circuit arrangement for generating the line deflection voltage of a television receiver - Google Patents
Circuit arrangement for generating the line deflection voltage of a television receiverInfo
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY
DEUTSCHESGERMAN
PATENTAMTPATENT OFFICE
AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL
Int. CL:Int. CL:
H04nH04n
Deutsche Kl.: 21 al-35/20 German class: 21 al -35/20
Nummer: 1222 534Number: 1222 534
Aktenzeichen: B 75449 VIII a/21 alFile number: B 75449 VIII a / 21 al
Anmeldetag: 15. Februar 1964Filing date: February 15, 1964
Auslegetag· 11. August 1966Display day August 11, 1966
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung der Zeilenablenkspannung eines Fernsehempfängers mit einer transistorbestückten, als Sinusoszillator geschalteten Zeilenoszillatorstufe, deren Frequenz durch eine Regelgleichspannung aus einer Phasenvergleichsstufe mit hohem Innenwiderstand geregelt wird.The invention relates to a circuit arrangement for generating the line deflection voltage of a Television receiver with a transistor-equipped line oscillator stage connected as a sine wave oscillator, the frequency of which is determined by a DC control voltage from a phase comparison stage with a high internal resistance is regulated.
Um bei derartigen Schaltungsanordnungen einen großen Fangbereich zu ermöglichen, ist es bekannt, in Fernsehempfängern Phasenvergleichsstufen zu verwenden, die eine Regelgleichspannung zur Nachregelung des Zeilenoszillators liefern. Da diese Regelspannungsquelle verhältnismäßig hochohmig ist, eignet sie sich nur schlecht zur direkten Ansteuerung eines Transistors, der im allgemeinen einen niederohmigen Eingang aufweist. Bekannte Schaltungen dieser Art weisen daher entweder zusätzliche Impedanzwandlerstufen auf oder erfordern eine zusätzliche Blindstufe zur Vergrößerung der Nachstimmwirkung. Weiterhin eignet sich die Regelspannung nicht zur direkten Ansteuerung eines Sinusoszillators, so daß im allgemeinen andere Oszillatorschaltungen, wie z. B. ein Sperrschwinger, verwendet werden. Diese Art Oszillatoren weisen jedoch gegenüber einem Sinusoszillator schwerwiegende Nachteile, wie z. B. schlechtere Konstanz bei fehlenden Synchronimpulsen, größere Störempfindlichkeit sowie Spannungs- und Temperaturabhängigkeit, auf.In order to enable a large capture range in such circuit arrangements, it is known To use phase comparison stages in television receivers, which use a control DC voltage for readjustment of the line oscillator. Since this control voltage source has a relatively high resistance, it is suitable they are poor for direct control of a transistor, which is generally a low-resistance Has input. Known circuits of this type therefore either have additional impedance converter stages or require an additional blind stage to increase the retuning effect. Furthermore, the control voltage is not suitable for direct control of a sinusoidal oscillator, so that in general other oscillator circuits, such as. B. a blocking oscillator can be used. However, this type of oscillator has serious disadvantages compared to a sine wave oscillator, such as z. B. poorer constancy in the absence of sync pulses, greater sensitivity to interference and voltage and temperature dependence.
Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung ermöglicht hiergegen die Verwendung eines Sinusoszillators ohne größeren Mehraufwand, wobei die am Ausgang dieses Oszillators anfallenden Impulse geeignet sind, eine Treiberstufe über einfache RC-GHeder ansteuern zu können und die Betriebsspannungsschwankungen weitgehend ausgeglichen werden. Dies läßt sich ermöglichen, wenn gemäß der Erfindung die Regelgleichspannung in an sich bekannter Weise einer spannungsabhängigen Kapazität, insbesondere einer Kapazitätsvariationsdiode zugeführt ist, die parallel zum frequenzbestimmenden Kreis im Eingang des Sinusoszillators liegt, und wenn die an diesem Kreis anliegende Oszillatorspannung durch eine Diode begrenzt ist, welche die auf die spannungsabhängige Kapazität gelangende Wechselspannung begrenzt und am Ausgang des Sinusoszillators einen Rechteckimpuls mit annähernd konstanter Amplitude erzeugt. The circuit arrangement according to the invention enables the use of a sinusoidal oscillator without major additional effort, the pulses occurring at the output of this oscillator being suitable for being able to control a driver stage via simple RC-GHe and largely compensating for the operating voltage fluctuations. This can be made possible if, according to the invention, the control DC voltage is fed in a manner known per se to a voltage-dependent capacitance, in particular a capacitance-varying diode, which is parallel to the frequency-determining circuit in the input of the sine oscillator, and if the oscillator voltage applied to this circuit is limited by a diode , which limits the alternating voltage reaching the voltage-dependent capacitance and generates a square-wave pulse with an approximately constant amplitude at the output of the sinusoidal oscillator.
Die Erfindung wird an Hand zweier in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert. The invention is explained in more detail using two exemplary embodiments shown in the drawing.
F i g. 1 zeigt den Verlauf der Kapazitätsänderung mit der Spannung bei einer Kapazitätsvariationsdiode,
Schaltungsanordnung zur Erzeugung der
Zeilenablenkspannung eines FernsehempfängersF i g. 1 shows the course of the change in capacitance with voltage in a capacitance-varying diode, circuit arrangement for generating the
Line deflection voltage of a television receiver
Anmelder:Applicant:
Blaupunkt Werke G. m. b. H.,Blaupunkt works G. m. B. H.,
Hildesheim, Robert-Bosch-Str. 200Hildesheim, Robert-Bosch-Str. 200
Als Erfinder benannt:Named as inventor:
Franz Mühlmeyer, Hildesheim-DrispenstedtFranz Mühlmeyer, Hildesheim-Drispenstedt
F i g. 2 die Stromspannungskennlinie eines Selengleichrichters als Begrenzer,F i g. 2 the current-voltage characteristic of a selenium rectifier as a limiter,
F i g. 3 eine Schaltungsanordnung einer Zeilenoszillatorstufe undF i g. 3 shows a circuit arrangement of a line oscillator stage and
F i g. 4 ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Zeilenoszillators mit anschließender Treiberstufe in seinem Schaltbild.F i g. 4 shows a further exemplary embodiment of a line oscillator with a subsequent driver stage in FIG its schematic.
In einer in F i g. 3 schematisch angedeuteten Phasenvergleichsstufe 1 wird aus dem Vergleich der Zeilensynchronimpulse mit einer im Gerät erzeugten Impulsspannung eine Regelspannung erzeugt, wobei die Regelspannungsquelle, die sehr hochohmig sein kann, über eine Vorspannungsquelle 2 an Masse liegt. Diese Regelspannung wird zusammen mit der Vorspannung 102 über einen Widerstand 3 einer der beiden Elektroden einer Kapazitätsvariationsdiode 4 zugeführt, während die andere Elektrode an Masse liegt. Durch die Vorspannung 102 wird der Arbeitspunkt 5 festgelegt, der im Sperrbereich der Kapazitätsvariationsdiode 4 liegt.Wie aus der Kennlinie6 (Fig. 1) der Diode 4 zu erkennen ist, tritt im Bereich kleiner Vorspannungen eine große Kapazitätsvariation schon bei kleinen Spannungsänderungen auf. Da jedoch die Kapazitätsvariationsdiode 4 über einen Kopplungskondensator 7 mit dem frequenzbestimmenden Schwingkreis 8 der Zeilenoszillatorstufe verbunden ist, der über einen Kopplungskondensator 9 an der Basis eines in Dreipunktschaltung geschalteten, als Sinusoszillator dienenden npn-Transistors 10 liegt, gelangt auch die am Schwingkreis 8 liegende Wechselspannung 11 auf die Kapazitätsvariationsdiode 4. Ist die Amplitude dieser Wechselspannung 11 sehr groß, so erfolgt an der Stromsparinungskennlinie 12 der Kapazitätsvariationsdiode 4 eine Gleichrichtung, deren Richtstrom die Regelspannung stark beeinflußt, wobei der Richtstrom größer wird, wenn die Phasenvergleichsstufe eine Regelspannung liefert, die der Vorspannung 102 entgegenwirkt.In one shown in FIG. 3 schematically indicated phase comparison stage 1, a control voltage is generated from the comparison of the line sync pulses with a pulse voltage generated in the device, the control voltage source, which can be very high-resistance, is connected to ground via a bias voltage source 2. This control voltage is fed together with the bias voltage 102 via a resistor 3 to one of the two electrodes of a capacitance-varying diode 4, while the other electrode is connected to ground. The bias voltage 102 defines the operating point 5, which is in the blocking range of the capacitance variation diode 4. As can be seen from the characteristic curve 6 (Fig. 1) of the diode 4, in the area of small bias voltages, a large capacitance variation occurs even with small voltage changes. However, since the capacitance variation diode 4 is connected via a coupling capacitor 7 to the frequency-determining resonant circuit 8 of the line oscillator stage, which is connected via a coupling capacitor 9 to the base of an npn transistor 10 connected in a three-point circuit and serving as a sinusoidal oscillator, the alternating voltage 11 on the resonant circuit 8 also arrives on the capacitance variation diode 4.If the amplitude of this alternating voltage 11 is very large, rectification takes place on the current saving characteristic curve 12 of the capacitance variation diode 4, the directional current of which has a strong influence on the control voltage, the directional current being greater when the phase comparison stage supplies a control voltage that corresponds to the bias voltage 102 counteracts.
609 609/259609 609/259
Die Vorspannung 102 muß daher so groß gewählt werden, daß kein störender Richtstrom fließen kann. Damit gelangt man jedoch auf der Kurve 6 zu einem Arbeitspunkt, der nur eine geringe Kapazitätsvariation ermöglicht. Da die Kapazitätsvariation je- doch durch die Parallelschaltung der Kapazitätsvariationsdiode 4 mit der Reihenschaltung des Schwingkreises 8 und der Rückkopplungsspule 13 die Frequenz des Zeilenoszillators möglichst stark beeinflussen soll, wird eine möglichst geringe Vorspannung 102 erforderlich.The bias voltage 102 must therefore be selected to be so large that no disturbing directional current can flow. However, this leads to an operating point on curve 6 which allows only a small variation in capacity. Since the capacity variation but by the parallel connection of the capacitance variation diode 4 with the series connection of the resonant circuit 8 and the feedback coil 13 influence the frequency of the line oscillator as much as possible should, the lowest possible bias 102 is required.
Um dies zu ermöglichen, ist gleichfalls parallel zum Schwingkreis 8 und der Rückkopplungsspule 13 eine Selenzelle 14 geschaltet, wobei die Kathodenseite an Masse liegt, während die Anodenseite an dem mit den Kopplungskondensatoren 7 und 9 verbundenen Ende des Schwingkreises 8 liegt. Der Kopplungskondensator 7 soll ein Kurzschließen der Regelspannung und der Kopplungskondensator 9 ein Kurzschließen der durch einen Widerstand 15 gegebenen Basisvorspannung des Transistors 10 durch die Schwingkreisspule 8 und der mit Masse ,verbundenen Rückkopplungsspule 13 verhindern.In order to make this possible, it is also parallel to the resonant circuit 8 and the feedback coil 13 a selenium cell 14 connected, the cathode side being connected to ground, while the anode side is connected to the the coupling capacitors 7 and 9 connected end of the resonant circuit 8 is located. The coupling capacitor 7 is intended to short-circuit the control voltage and the coupling capacitor 9 short-circuiting the given by a resistor 15 Base bias of the transistor 10 through the resonant circuit coil 8 and connected to ground Prevent feedback coil 13.
Die Selenzelle 14 weist eine Kennlinie 16 gemäß Fig. 2 auf und begrenzt die Spannung 17 am Schwingkreis 8 bzw. bedämpft diesen Schwingkreis derart, daß nur eine kleine Wechselspannung auf die Kapazitätsvariationsdiode 4 gelangen kann. Hierdurch wird gleichzeitig auch bei Betriebsspannungsschwankungen eine rechteckförmige Amplitude am Ausgang des Transistors 10 erzeugt, die weitgehend konstant ist.The selenium cell 14 has a characteristic curve 16 according to FIG. 2 and limits the voltage 17 am Resonant circuit 8 or attenuates this resonant circuit in such a way that only a small alternating voltage is applied to the Capacitance variation diode 4 can arrive. This simultaneously also occurs in the event of fluctuations in the operating voltage a rectangular amplitude generated at the output of transistor 10, which largely is constant.
Durch eine entsprechende Wahl der Polung der beiden Dioden 4 und 14 sowie des Transistors 10 lassen sich die durch eine Temperaturänderung entstehenden Frequenzänderungen zumindest teilweise kompensieren bzw. eine Begrenzung der Wechselspannung 17 auf der positiven oder negativen Amplitudenseite durchführen, die der Vorspannung der Kapazitätsvariationsdiode 4 entgegenwirkt. Eine Belastung der hochohmigen Regelspannungsquelle : durch die Kapazitätsvariationsdiode 4 erfolgt hierbei nicht, da derartige Dioden wie z. B. die Siliziumdiode BA 101 im Sperrbereich sehr hochohmig ist (etwa 10 MOhm).By selecting the polarity of the two diodes 4 and 14 and of the transistor 10 accordingly the frequency changes resulting from a change in temperature can be at least partially reduced compensate or a limitation of the alternating voltage 17 on the positive or negative amplitude side perform, which counteracts the bias of the capacitance-varying diode 4. A burden the high-resistance control voltage source: by the capacitance variation diode 4 takes place here not, since such diodes such. B. the silicon diode BA 101 is very high resistance in the blocking range (about 10 MOhm).
In einem weiteren Ausführangsbeispiel gemäß F i g. 4 ist in der Schaltung gegenüber F i g. 3 die Kapazitätsvariationsdiode 4 mit dem Kopplungskondensator 7 vertauscht und die Diode 4 über eine als Transformationsglied wirkende Zusatzspule 18 angeschlossen, wodurch zwar eine entsprechend erhöhte Wechselspannung 11 auf die Kapazitätsvariationsdiode 4 gelangt, jedoch die Kapazität dieser Diode im quadratisch erhöhten Maße auf den Schwingkreis 8 einwirkt. Der Ausgang des Sinusoszillators 10 ist über einen Widerstand 19 und ein i?C-Glied20 mit der Basis eines Treibertransistors 21 verbunden, dessen Kollektor über die Primärwicklung eines Treibertransformateros 22 an Masse liegt, wobei die Sekundärwicklung dieses Transformators eine Zeilenendstufe (nicht dargestellt) steuert. Die Basisvorspannung erhält dieser pnp-Transistor 21 über das i?C-Glied 20 und einen Widerstand 23, der gleichzeitig als Arbeitswiderstand des Transistors 10 dient und zusammen mit dem Emitter am postiven Pol einer Betriebsspannungsquelle liegt.In a further exemplary embodiment according to FIG. 4 is in the circuit opposite F i g. 3 the Capacity variation diode 4 interchanged with the coupling capacitor 7 and the diode 4 via a as Transformation element acting additional coil 18 connected, whereby although a correspondingly increased AC voltage 11 reaches the capacitance variation diode 4, but the capacitance of this diode acts on the oscillating circuit 8 in an increased quadratic extent. The output of the sine wave oscillator 10 is via a resistor 19 and an i? C element 20 connected to the base of a driver transistor 21, the collector of which is connected to ground via the primary winding of a driver transformer 22, the Secondary winding of this transformer controls a line output stage (not shown). The basic bias receives this pnp transistor 21 via the i? C element 20 and a resistor 23, which at the same time serves as the working resistance of the transistor 10 and together with the emitter at the positive pole an operating voltage source.
Claims (7)
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1140 969.Considered publications:
German publication No. 1140 969.
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