DE1200383B - Circuit for frequency modulation of the high-frequency oscillations generated by a transistor oscillation circuit - Google Patents
Circuit for frequency modulation of the high-frequency oscillations generated by a transistor oscillation circuitInfo
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
DEUTSCHESGERMAN
PATENTAMTPATENT OFFICE
AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL
Int. CL: Int. CL:
H03cH03c
Deutsche KL: 21 a4-14/01 German KL: 21 a4- 14/01
Nummer: 1200 383Number: 1200 383
Aktenzeichen: C18422IX d/21 a4File number: C18422IX d / 21 a4
Anmeldetag: 16. Februar 1959Filing date: February 16, 1959
Auslegetag: 9. September 1965Opening day: September 9, 1965
Die Erfindung betrifft eine Schaltung zur Frequenzmodulation der von einer Transistor-Schwingungsschaltung erzeugten hochfrequenten Schwingungen. Es sind Transistorschaltungen zur Erzeugung von Niederfrequenzschwingungen bekannt, bei denen die Kollektorelektrode über eine Induktivität und einen kapazitiv überbrückten Widerstand an die eine Klemme einer Spannungsquelle angeschaltet ist und die Basiselektrode über eine weitere Induktivität und einen ebenfalls kapazitiv überbrückten Widerstand an die andere Klemme der Spannungsquelle angeschlossen ist, während der Abstimmkondensator parallel zu der Basiselektroden-Kollektorelektroden-Strecke des Transistors liegt. Die Emitterelektrode ist ebenfalls über einen kapazitiv überbrückten Widerstand an die letztgenannte Klemme der Spannungsquelle angeschlossen. The invention relates to a circuit for the frequency modulation of a transistor oscillation circuit generated high-frequency vibrations. There are transistor circuits for generating Low-frequency oscillations known in which the collector electrode has an inductance and a capacitively bridged resistor to which one terminal of a voltage source is connected and the base electrode via a further inductance and a resistor that is also capacitively bridged connected to the other terminal of the voltage source, while the tuning capacitor is in parallel to the base electrode-collector electrode path of the transistor. The emitter electrode is also connected to the last-mentioned terminal of the voltage source via a capacitively bridged resistor.
Die Erfindung betrifft eine Frequenzmodulationsschaltung, bei der in einem überraschend hohen Maß eine lineare Frequenzmodulationscharakteristik bei hohen Frequenzen erreicht werden kann und dieses Verhalten auch bei hohen Trägerfrequenzen in der Größenordnung von 100 MHz behält.The invention relates to a frequency modulation circuit in which in a surprisingly high Degree a linear frequency modulation characteristic can be achieved at high frequencies and retains this behavior even at high carrier frequencies of the order of 100 MHz.
Eine erfindungsgemäße Schaltung zur Frequenzmodulation der von einer Transistor-Schwingungsschaltung erzeugten hochfrequenten Schwingungen, bei der die Kollektorelektrode über eine Induktivität mit der einen Klemme der Spannungsquelle verbunden ist und über eine Kapazität mit der Basiselektrode verbunden ist und die Basiselektrode über eine weitere Induktivität mit der anderen Klemme der Spannungsquelle verbunden ist, kennzeichnet sich dadurch, daß die hochfrequenten Schwingungen eine in der Verbindungsleitung der Emitterelektrode mit der zweitgenannten Klemme der Spannungsquelle vorgesehene, von den Modulationsschwingungen gesteuerte veränderbare Widerstandsvorrichtung durchr fließen.A circuit according to the invention for the frequency modulation of a transistor oscillation circuit generated high-frequency oscillations in which the collector electrode has an inductance is connected to one terminal of the voltage source and via a capacitance to the base electrode is connected and the base electrode is connected to the other terminal via a further inductance the voltage source is connected, is characterized by the fact that the high-frequency oscillations one in the connection line of the emitter electrode with the second-mentioned terminal of the voltage source provided, controlled by the modulation oscillations variable resistance device durchr flow.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den nachfolgend zur Erörterung gelangenden Figuren dargestellt. Von den Figuren zeigtExemplary embodiments of the invention are shown in the figures discussed below shown. From the figures shows
Fig. 1 ein Prinzipschaltbild der erfindungsgemäßen Schaltung,Fig. 1 is a basic circuit diagram of the invention Circuit,
Fig. 2 ein Prinzipschaltbild, bei dem in an sich bekannter Weise als veränderbarer Modulationswiderstand eine weitere Transistorstufe Anwendung findet,Fig. 2 is a basic circuit diagram in which in per se Another transistor stage is known to be used as a variable modulation resistor finds
F i g. 3 ein weiteres Prinzipschaltbild zur Erläuterung der Erfindung.F i g. 3 shows another basic circuit diagram to explain the invention.
In Fig. 1 besteht der Oszillator aus einem Transistor 10 mit der Basiselektrode 11, der Emitterelektrode 12 und der Kollektorelektrode 13.In FIG. 1, the oscillator consists of a transistor 10 with the base electrode 11, the emitter electrode 12 and the collector electrode 13.
Schaltung zur Frequenzmodulation der von einer Transistor-Schwingungsschaltung erzeugten
hochfrequenten SchwingungenCircuit for frequency modulation of the generated by a transistor oscillation circuit
high frequency vibrations
Anmelder:Applicant:
Frederick Leslie Coombs, Byfleet, SurreyFrederick Leslie Coombs, Byfleet, Surrey
(Großbritannien)(Great Britain)
Vertreter:Representative:
Dr. phil. G. B. Hagen, Patentanwalt,Dr. phil. G. B. Hagen, patent attorney,
München-Solln, Franz-Hals-Str. 21Munich-Solln, Franz-Hals-Str. 21
Als Erfinder benannt:Named as inventor:
Frederick Leslie Coombs, Byfleet, SurreyFrederick Leslie Coombs, Byfleet, Surrey
(Großbritannien)(Great Britain)
Beanspruchte Priorität:Claimed priority:
Großbritannien vom 19. Februar 1958 (5455) - -Great Britain 19 February 1958 (5455) - -
Die Kollektorelektrode 13 ist durch eine Induktivität 14 mit der einen Klemme 15 einer Spannungsquelle und durch den Kondensator 16 mit der Basiselektrode 11 verbunden. Die Emitterelektrode 12 ist durch eine veränderbare Widerstandsvorrichtung 17 mit der anderen Klemme 18 der Spannungsquelle verbunden.The collector electrode 13 is connected to one terminal 15 of a voltage source through an inductance 14 and to the base electrode 11 through the capacitor 16. The emitter electrode 12 is connected to the other terminal 18 of the voltage source by a variable resistance device 17.
Die Transistoren können beliebiger Art sein, wobei ihrem Transistortyp entsprechend die Polarität der zugeführten Spannungen zu wählen ist.The transistors can be of any type, with the polarity corresponding to their transistor type of the supplied voltages is to be selected.
Zwischen den Klemmen 15 und 18 der Spannungsquelle befindet sich ein Spannungsteiler, bestehend aus dem Widerstand 19, einer weiteren Induktivität 20 und einem weiteren Widerstand 21. Der Verbindungspunkt des Widerstandes 19 mit der Induktivität 20 ist mit der Basiselektrode 11 verbunden. Die andere Klemme des Widerstandes 19 ist ebenfalls mit der Klemme 15 der Spannungsquelle verbunden.Between the terminals 15 and 18 of the voltage source there is a voltage divider consisting of the resistor 19, a further inductance 20 and a further resistor 21. The connection point of the resistor 19 with the inductance 20 is connected to the base electrode 11 . The other terminal of the resistor 19 is also connected to the terminal 15 of the voltage source.
Der Widerstand 21 kann durch einen Kondensator überbrückt sein; er kann auch in Fortfall kommen und durch den Ohmschen Widerstand der Induktivität 20 gebildet werden.The resistor 21 can be bridged by a capacitor; it can also come in failure and are formed by the ohmic resistance of the inductance 20.
Die Maximalfrequenz der erzeugten Schwingungen ist näherungsweise gegeben durch die nachfolgende Gleichung:The maximum frequency of the generated vibrations is approximately given by the following Equation:
2π·2π
509 660/176509 660/176
In der vorstehenden Gleichung bedeuten L1 und L2 die Induktivitäten 14 und 20 und C die Kapazität 16.In the above equation, L 1 and L 2 denote inductances 14 and 20, and C denotes capacitance 16.
Der veränderbare Widerstand 17 in der Zuleitung zur Emitterelektrode 12 des Transistors dient zur Frequenzmodulation der erzeugten Schwingungen. Dabei zeigte sich in einer praktisch ausgeführten Schaltung, daß die Frequenzvariation von der Maximalfrequenz bis ungefähr zur Hälfte der Maximalfrequenz möglich war. Linearität war innerhalb eines Frequenzvariationsbereiches von 10°/a gegeben.The variable resistor 17 in the lead to the emitter electrode 12 of the transistor is used for Frequency modulation of the generated vibrations. It was shown in a practically executed Circuit that the frequency variation from the maximum frequency to approximately half of the maximum frequency was possible. Linearity was given within a frequency variation range of 10 ° / a.
Die erzeugten Schwingungen können an den verschiedensten Stellen entnommen werden, beispielsweise an der Emitterelektrode 12.The vibrations generated can be taken from a wide variety of locations, for example at the emitter electrode 12.
Der zum Zweck der Änderung der Frequenz der erzeugten Schwingungen vorgesehene Widerstand 17 kann zweckmäßigerweise gemäß Fig. 2 aus einer Transistoranordnung 17' bestehen. Die Kollektorelektrode 22 dieses Transistors 17' ist mit der Emitterelektrode 12 des Transistors 10 verbunden und die Emitterelektrode 23 des Transistors 17' mit der Klemme 18 der Spannungsquelle. Ein weiterer Spannungsteiler wird durch die beiden Widerstände 24 und 25 gebildet und liegt parallel zu den Klemmen der Spannungsquelle. Ein Zwischenpunkt 26 des Spannungsteilers ist über den Widerstand 27 mit der Basiselektrode 28 des Transistors 17' verbunden. Auf diese Weise ist das Potential der Basiselektrode 28 bestimmt. Wenn man an den Widerstand 27 eine Modulationsspannung anlegt, wird die Spannung der Basiselektrode und daher der Widerstand des Transistorsl7' verändert, und dadurch ergibt sich eine Modulation der von dem Transistor 10 erzeugten Schwingungen. Die Modulationsspannungen können an den Klemmen 29 und 30 zugeführt werden. Es könnte statt dessen auch der Serienwiderstand 27 durch die Sekundärspule eines Niederfrequenztransformators ersetzt werden.The resistor 17 provided for the purpose of changing the frequency of the generated oscillations can expediently according to FIG. 2 from a Transistor arrangement 17 'exist. The collector electrode 22 of this transistor 17 'is connected to the emitter electrode 12 of the transistor 10 connected and the emitter electrode 23 of the transistor 17 'with the Terminal 18 of the voltage source. Another voltage divider is provided by the two resistors 24 and 25 and is parallel to the terminals of the voltage source. An intermediate point 26 of the The voltage divider is connected to the base electrode 28 of the transistor 17 'via the resistor 27. on in this way the potential of the base electrode 28 is determined. If you put a Modulation voltage is applied, the voltage of the base electrode and therefore the resistance of the transistor l7 ' changes, and this results in a modulation of the generated by the transistor 10 Vibrations. The modulation voltages can be applied to terminals 29 and 30. It could instead also use the series resistor 27 through the secondary coil of a low-frequency transformer be replaced.
Es ist auch möglich, an Stelle des den veränderbaren Widerstand 17 bildenden Transistors 17' eine Elektronenröhre oder eine andere Vorrichtung zu verwenden.It is also possible, instead of the transistor 17 'forming the variable resistor 17, a Use an electron tube or other device.
Die Wirkungsweise der Schaltung ergibt sich gemäß Fig. 3 dadurch, daß die in Fig. 2 dargestellte Anordnung zwischen den Klemmen 11 und 18 eine veränderliche Reaktanz bildet. Diese nach Maßgabe der Modulationsspannungen sich bildende Reaktanz ergibt sich im wesentlichen als eine Kapazität gemäß nachfolgender Gleichung:The mode of operation of the circuit results according to FIG. 3 in that that shown in FIG Arrangement between the terminals 11 and 18 forms a variable reactance. This in accordance with the reactance formed by the modulation voltages results essentially as a capacitance according to FIG following equation:
In der vorstehenden. Gleichung bedeutet Cbe die Basis-Emitter-Kapazität des Transistors 10 und gm die Steilheit des Transistors 10, ferner R17 den Wert des mit 17 bezeichneten Widerstandes bzw. den Widerstand des hierfür gesetzten Transistors 17'. Da Cbe sich umgekehrt proportional mit dem Wert von R17 ändert, ist C im wesentlichen umgekehrt proportional dem Quadrat von R17, woraus sich das lineare Verhalten der durch Gleichung 1 bestimmten Schwingungsfrequenz von Widerstand R17 ergibt.In the above. Equation means C be the base-emitter capacitance of the transistor 10 and g m the steepness of the transistor 10, furthermore R 17 the value of the resistance marked 17 or the resistance of the transistor 17 'set for this purpose. Since C be changes inversely proportional to the value of R 17 , C is essentially inversely proportional to the square of R 17 , from which the linear behavior of the oscillation frequency of resistor R 17 determined by equation 1 results.
Claims (3)
Deutsche Patentanmeldung S 37563 IX/21a4 (bekanntgemacht am 14. 4. 1955);
britische Patentschrift Nr. 754156;
»Radiotechnik« (Wien), Heft 12/1955, S. 387;
»Valvo-Berichte«, Oktober 1957, S. 119.Considered publications:
German patent application S 37563 IX / 21a 4 (published April 14, 1955);
British Patent No. 754156;
"Radiotechnik" (Vienna), issue 12/1955, p. 387;
"Valvo Reports", October 1957, p. 119.
Applications Claiming Priority (1)
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