CH389692A - Oscillator - Google Patents

Oscillator

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CH389692A
CH389692A CH6963659A CH6963659A CH389692A CH 389692 A CH389692 A CH 389692A CH 6963659 A CH6963659 A CH 6963659A CH 6963659 A CH6963659 A CH 6963659A CH 389692 A CH389692 A CH 389692A
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CH
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transistor
electrode
frequency
base electrode
oscillator
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CH6963659A
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French (fr)
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L Coombs Frederick
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L Coombs Frederick
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    • H03C3/24Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable resistive element, e.g. tube
    • H03C3/245Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable resistive element, e.g. tube by using semiconductor elements

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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Description

  

      Oscillateur       La présente invention a pour objet un oscillateur       électrique    à fréquence variable. Un des buts de l'in  vention est de fournir un élément de réactance va  riable qui n'existait pas auparavant.  



  L'oscillateur selon la présente invention est carac  térisée en ce qu'il présente un circuit de réaction  déterminant la fréquence des     oscillations    et com  prenant l'impédance existant entre l'électrode de base  et l'électrode émettrice d'un transistor et, pour per  mettre de varier     l'impédance    d'entrée du     transistor     et par conséquent la fréquence des oscillations pro  duites, un     dispositif    à résistance variable branché  à l'électrode émettrice du     transistor.     



       Les    dessins ci-annexés représentent, à titre  d'exemple, diverses formes d'exécution de l'objet  de l'invention.  



  La     fig.    1 est un schéma d'un oscillateur, et  la     fig.    2 est un schéma de ce même oscillateur       modifié        pour    obtenir une modulation de fréquence  des oscillations engendrées.  



  Dans les     fig.    1 et 2, les éléments     similaires    et cor  respondants ont reçu les mêmes     références.     



  Dans la     fig.    1, l'oscillateur à transistor repré  senté comprend un transistor 10 ayant une élec  trode de     base    11, une électrode émettrice 12 et une  électrode     collectrice    13.  



  L'électrode     collectrice    13 est branchée par une  self 14 à une     borne    15 d'une source de tension (non  montrée sur le dessin) et par une capacité 16 direc  tement à l'électrode de base 11. L'électrode émettrice  12 est branchée par une résistance variable 17 à l'au  tre borne (18) de la source de     tension.     



  Les transistors peuvent être de n'importe quel type,       par    exemple     p-n-p    ou     n-p-n,    la polarité des tensions  appliquées et les     connexions    aux électrodes     étant     choisies en accord avec le type de transistor utilisé.

      Entre les bornes 15 et 18 de la source de tension,  il y a un diviseur de tension     comprenant    une pre  mière     résistance    19, une inductance 20 et une ré  sistance 21 connectés dans l'ordre donné     ci-dessus.     La jonction entre la résistance 19 et l'inductance 20  est connectée à l'électrode de base 11, et l'autre côté  de la résistance 19 est     connecté    à la même borne 15  de la source de     tension    que l'inductance 14.  



  La     résistance    21 peut être shuntée en partie ou  complètement au moyen d'un condensateur si on le  désire. En variant, cette résistance peut être remplacée  par la résistance     ohmique    de l'inductance 20. L'ar  rangement est tel que lors du     fonctionnement,    la  réaction     agissant    depuis l'électrode     collectrice    par  l'intermédiaire du condensateur 16 sur l'électrode  de base soit     suffisante    et dans la     direction    appro  priée pour     maintenir    les oscillations dans le circuit.  



       Approximativement,    la fréquence maximum des  oscillations avec un circuit tel que celui de la     fig.    1  est égale à  
EMI0001.0042     
         environ,    où     Ll    et L2 sont les inductances des bo  bines 14 et 20 et Cl est la capacité du     condensateur     16 (Cl étant grande par rapport à la capacité     collec-          teur-base    de 10).  



  La     résistance    variable 17, qui est     connectée    à  l'électrode émettrice 12 du     transistor,    peut être variée  pour changer la fréquence en dessous de la fréquence  maximum ceci     changeant    la capacité d'entrée de 10  et, dans un circuit réalisé, la variation de fréquence  atteinte allait de la fréquence maximum (pour R  très     grand)    à une     fréquence    approximativement égale  à la moitié de cette     fréquence    maximum.  



  La fréquence des oscillations engendrées peut  aussi être variée (mais dans un moindre degré), en      variant les valeurs des résistances du diviseur de ten  sion qui est branché à l'électrode de base et qui con  tient l'inductance 20.  



  La tension de sortie de l'oscillateur peut être pré  levée sur un point tel que l'électrode     émettrice    12 du  transistor 10 ou sur d'autres points convenables qui  seront apparents au spécialiste.  



  Pour     obtenir    une modulation de fréquence des  oscillations engendrées et ceci au moyen de tensions  de modulation à basse fréquence, par exemple, la ré  sistance variable 17 peut être remplacée par un élé  ment tel que le transistor 17' montré dans la fi-. 2.  



  Dans l'exemple montré dans la     fig.    2, le transistor  17' est du même genre que le transistor 10. L'élec  trode     collectrice    22 du second     transistor    17' est bran  chée à     l'électrode    émettrice 12 du premier trans  istor et l'électrode émettrice 23 du transistor 17'  est branchée à la borne 18 de la source de tension.

    Un autre     diviseur    de tension, comprenant deux ré  sistances 24 et 25 est     branché    aux     bornes    de la  source de     tension    et un point     intermédiaire    26 de  ce diviseur est branché par une     résistance    27 à  l'électrode de base 28 du     second    transistor 17'. De  cette manière l'électrode de base 28 du second trans  istor (17') est polarisée correctement et la résistance  du transistor 17' mesurée entre :ses électrodes émet  trice et collectrice est alors déterminée.

   En appliquant  un potentiel variable aux     bornes    de la résistance 27  qui est     disposée    en série avec le     circuit    de l'électrode  de base du     second    transistor (17'),

   la polarisation  de l'électrode de base et la résistance du transistor  17'     peuvent    être variées en     fonction        @de    la tension va  riable appliquée aux bornes de la résistance 27 et  par     conséquent    la fréquence des oscillations produites  peut être variée pour     réaliser    ainsi la modulation de  fréquence     désirée.    Cette tension variable peut être  appliquée à partir de deux bornes 29 et 30. D'autres  manières de varier le potentiel de l'électrode de base  du second transistor 17' seront apparentes au spé  cialiste.

   Par exemple, la résistance en série 27 pourrait  être remplacée par l'enroulement     secondaire    d'un  transformateur à basse fréquence (non montré sur le    dessin) la tension de modulation étant appliquée à  l'enroulement primaire de ce transformateur ; en va  riante     encore,    l'enroulement secondaire d'un tel trans  formateur pourrait être connecté aux bornes de la  résistance 27.  



  Il est entendu que d'autres éléments que des       transistors    peuvent être employés à la     place    de résis  tances variables ; ainsi un redresseur ou un élément       comme    une lampe électrique pourront produire des  résultats satisfaisants.



      Oscillator The present invention relates to an electric oscillator with variable frequency. One of the aims of the invention is to provide a variable reactance element which did not exist before.



  The oscillator according to the present invention is characterized in that it has a feedback circuit determining the frequency of the oscillations and comprising the impedance existing between the base electrode and the emitting electrode of a transistor and, for make it possible to vary the input impedance of the transistor and consequently the frequency of the oscillations produced, a device with variable resistance connected to the emitting electrode of the transistor.



       The accompanying drawings show, by way of example, various embodiments of the object of the invention.



  Fig. 1 is a diagram of an oscillator, and FIG. 2 is a diagram of this same oscillator modified to obtain frequency modulation of the oscillations generated.



  In fig. 1 and 2, similar and corresponding elements received the same references.



  In fig. 1, the transistor oscillator shown comprises a transistor 10 having a base electrode 11, an emitter electrode 12 and a collector electrode 13.



  The collecting electrode 13 is connected by a choke 14 to a terminal 15 of a voltage source (not shown in the drawing) and by a capacitor 16 directly to the base electrode 11. The emitting electrode 12 is connected by a variable resistor 17 at the other terminal (18) of the voltage source.



  The transistors can be of any type, for example p-n-p or n-p-n, the polarity of the voltages applied and the connections to the electrodes being chosen in accordance with the type of transistor used.

      Between the terminals 15 and 18 of the voltage source there is a voltage divider comprising a first resistor 19, an inductor 20 and a resistor 21 connected in the order given above. The junction between resistor 19 and inductor 20 is connected to base electrode 11, and the other side of resistor 19 is connected to the same terminal 15 of the voltage source as inductor 14.



  Resistor 21 can be partially or completely shunted by means of a capacitor if desired. By varying, this resistance can be replaced by the ohmic resistance of the inductor 20. The arrangement is such that during operation, the reaction acting from the collecting electrode via the capacitor 16 on the base electrode is sufficient and in the appropriate direction to maintain the oscillations in the circuit.



       Approximately, the maximum frequency of oscillations with a circuit such as that of fig. 1 is equal to
EMI0001.0042
         approximately, where L1 and L2 are the inductances of coils 14 and 20 and C1 is the capacitance of capacitor 16 (Cl being large with respect to the collector-base capacitance of 10).



  The variable resistor 17, which is connected to the emitting electrode 12 of the transistor, can be varied to change the frequency below the maximum frequency this changing the input capacitance by 10 and, in a realized circuit, the frequency variation. reached ranged from the maximum frequency (for very large R) to a frequency approximately equal to half of this maximum frequency.



  The frequency of the oscillations generated can also be varied (but to a lesser degree), by varying the values of the resistances of the voltage divider which is connected to the base electrode and which contains inductance 20.



  The output voltage of the oscillator may be taken from a point such as the emitting electrode 12 of transistor 10 or from other suitable points which will be apparent to the specialist.



  To obtain frequency modulation of the oscillations generated by means of low frequency modulation voltages, for example, the variable resistor 17 can be replaced by an element such as the transistor 17 'shown in fig. 2.



  In the example shown in fig. 2, transistor 17 'is of the same type as transistor 10. The collector electrode 22 of the second transistor 17' is connected to the emitter electrode 12 of the first transistor and the emitter electrode 23 of the transistor 17 'is connected. connected to terminal 18 of the voltage source.

    Another voltage divider, comprising two resistors 24 and 25 is connected to the terminals of the voltage source and an intermediate point 26 of this divider is connected by a resistor 27 to the base electrode 28 of the second transistor 17 '. In this way the base electrode 28 of the second transistor (17 ') is polarized correctly and the resistance of the transistor 17' measured between: its emitting and collecting electrodes is then determined.

   By applying a variable potential to the terminals of resistor 27 which is arranged in series with the circuit of the base electrode of the second transistor (17 '),

   the polarization of the base electrode and the resistance of the transistor 17 'can be varied according to the varying voltage applied across the resistor 27 and therefore the frequency of the oscillations produced can be varied to thereby achieve the modulation of desired frequency. This variable voltage can be applied from two terminals 29 and 30. Other ways of varying the potential of the base electrode of the second transistor 17 'will be apparent to the specialist.

   For example, the series resistor 27 could be replaced by the secondary winding of a low frequency transformer (not shown in the drawing) the modulating voltage being applied to the primary winding of this transformer; alternatively, the secondary winding of such a transformer could be connected to the terminals of resistor 27.



  It is understood that elements other than transistors can be used in place of variable resistors; thus a rectifier or an element such as an electric lamp can produce satisfactory results.

 

Claims (1)

REVENDICATION Oscillateur électrique à fréquence variable, carac térisé en ce qu'il présente un circuit de réaction dé terminant la fréquence des oscillations et compre nant l'impédance existant entre l'électrode de base et l'électrode émettrice d'un transistor et, pour permet tre de varier l'impédance d'entrée du transistor et par conséquent la fréquence des oscillations produites, un dispositif à résistance variable branché à l'électrode émettrice du transistor. SOUS-REVENDICATIONS 1. CLAIM Variable frequency electric oscillator, characterized in that it has a feedback circuit determining the frequency of the oscillations and including the impedance existing between the base electrode and the emitting electrode of a transistor and, for allows to vary the input impedance of the transistor and consequently the frequency of the oscillations produced, a variable resistance device connected to the emitting electrode of the transistor. SUB-CLAIMS 1. Oscillateur selon la revendication, caractérisé par une self connectée à l'électrode collectrice du transistor et par une autre self connectée à l'électrode de base du transistor. 2. Oscillateur selon la revendication, caractérisé en ce que le dispositif à résistance variable com prend un transistor et un circuit pour appliquer à ce transistor une tension de modulation afin de varier la conductance du transistor. 3. Oscillator according to claim, characterized by an inductor connected to the collector electrode of the transistor and by another inductor connected to the base electrode of the transistor. 2. Oscillator according to claim, characterized in that the variable resistance device com takes a transistor and a circuit for applying to this transistor a modulation voltage in order to vary the conductance of the transistor. 3. Oscillateur selon la revendication, caractérisé en ce que le dispositif à résistance variable comprend un tube électronique et un circuit pour appliquer à celui-ci une tension de modulation afin de varier la conductance de ce tube. 4. Oscillateur selon la revendication, caractérisé par un condensateur connecté entre l'électrode col lectrice et l'électrode de base, pour augmenter la capacité interne existant entre l'électrode collectrice et l'électrode de base. Oscillator according to claim, characterized in that the variable resistance device comprises an electron tube and a circuit for applying thereto a modulating voltage in order to vary the conductance of this tube. 4. Oscillator according to claim, characterized by a capacitor connected between the collector electrode and the base electrode, to increase the internal capacity existing between the collector electrode and the base electrode.
CH6963659A 1958-02-19 1959-02-17 Oscillator CH389692A (en)

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GB5455/58A GB880728A (en) 1958-02-19 1958-02-19 Improvements in and relating to circuits embodying reactive devices

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CH389692A true CH389692A (en) 1965-03-31

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DE (1) DE1200383B (en)
ES (1) ES247397A1 (en)
GB (1) GB880728A (en)
NL (1) NL236310A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0132749A2 (en) * 1983-07-22 1985-02-13 Siemens Aktiengesellschaft Tunable LC oscillator comprising a voltage-controlled reactance

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Publication number Publication date
ES247397A1 (en) 1960-06-01
GB880728A (en) 1961-10-25
NL236310A (en)
DE1200383B (en) 1965-09-09

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