DE1205196B - Semiconductor arrangement with at least one semiconductor component - Google Patents

Semiconductor arrangement with at least one semiconductor component

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DE1205196B
DE1205196B DEST15616A DEST015616A DE1205196B DE 1205196 B DE1205196 B DE 1205196B DE ST15616 A DEST15616 A DE ST15616A DE ST015616 A DEST015616 A DE ST015616A DE 1205196 B DE1205196 B DE 1205196B
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John Jarrett Davis
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Stone J and Co Ltd
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

DEUTSCHESGERMAN

PATENTAMTPATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Int. α.:Int. α .:

HOIlHOIl

Deutsche Kl.: 21g-11/02 German class: 21g-11/02

Nummer: 1205196Number: 1205196

Aktenzeichen: St:File number: St:

Anmeldetag: 25. September 1959Filing date: September 25, 1959

Auslegetag: 18. November 1965Opening day: November 18, 1965

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit mindestens einem Halbleiterbauelement, das ein in einem Gehäuse untergebrachtes Halbleiterelement aufweist, wobei das Gehäuse auf einer tragenden Metallwand, insbesondere der Wand eines die Halbleiteranordnung enthaltenen Gerätes, unter Zwischenschaltung einer dünnen Scheibe oder Schicht aus Isolierstoff, vorzugsweise aus Glimmer oder Mikanit, befestigt ist. Eine derartige Anordnung dient zur Kühlung von Gleichrichtern, Transistoren und ähnlichen Halbleiterbauelementen, insbesondere aber von Germanium- und Silizium-Gleichrichtern.The invention relates to a semiconductor arrangement with at least one semiconductor component which is a having housed in a housing semiconductor element, wherein the housing on a supporting Metal wall, in particular the wall of a device containing the semiconductor arrangement, with the interposition a thin disk or layer of insulating material, preferably made of mica or Micanite, is attached. Such an arrangement is used to cool rectifiers and transistors and similar semiconductor components, but especially of germanium and silicon rectifiers.

Es ist bereits ein Leistungstransistor bekannt, bei dem zur Kühlung das Chassis als Kühlfläche dient und der Transistor selbst elektrisch vom Chassis durch eine innere Isolationsschicht getrennt ist. Zwischen der Kupferträgerplatte und dem Kollektor ist eine SpezialZwischenschicht angeordnet. Bei diesem bekannten Halbleiterelement wird die Kühlung des Halbleiterelementes innerhalb des Halbleiterbauelementes durchgeführt. Es handelt sich somit um eine spezielle Konstruktion eines Transistor-Halbleiterbauelementes. A power transistor is already known in which the chassis is used as a cooling surface for cooling and the transistor itself is electrically isolated from the chassis by an inner layer of insulation. A special intermediate layer is arranged between the copper carrier plate and the collector. at this known semiconductor element is the cooling of the semiconductor element within the semiconductor component carried out. It is therefore a special construction of a transistor semiconductor component.

Bei einer bekannten Trockengleichrichteranordnung sind mehrere nebeneinander angeordnete Stapel von Gleichrichterelementen gebildet, wobei jeder Stapel mehrere in ein Gehäuse eingeschlossene Gledchrichterelemente enthält. Die Gleichrichterelemente sind bereits innerhalb der einzelnen Gehäuse isoliert angebracht. Diese, die Gleichrichterelemente umhüllenden und · isolierenden. Gehäuse sind auf einer tragenden Wand befestigt. Die Gleichrichterelemente selbst sind jedoch nicht mit dem Gehäuse verbunden. Zwischen dem Gleichrichtergehäuse und der Wand ist eine Metallplatte vorgesehen, die nur geringfügig größer ist als die Gehäusemantelfläche. Zwischen Gleichrichtergehäuse und Metallplatte ist keine Isolierschicht vorgesehen, auch nicht zwischen Metallplatte und Wand.In a known dry rectifier arrangement, several are arranged side by side Stacks of rectifier elements formed, with each stack encased several in a housing Contains clerk elements. The rectifier elements are already insulated inside the individual housing. These, the rectifier elements enveloping and · insulating. Housings are attached to a load-bearing wall. the However, rectifier elements themselves are not connected to the housing. Between the rectifier housing and the wall is provided with a metal plate which is only slightly larger than that Casing surface. No insulating layer is provided between the rectifier housing and the metal plate, not even between the metal plate and the wall.

Es ist ferner eine Halbleiteranordnung bekannt, bei der die Halbleiterbauelemente auf einer gemeinsamen Metallplatte befestigt sind, die wiederum unter Zwischenlage einer Isolierschicht mit einer Kühlvorrichtung, beispielsweise Kühlschlangen, Kühlrohren od. dgl. verbunden ist. Die tragende Metallplatte ist dabei als Stromsammeischiene ausgebildet und dient zur Stromzufuhr zu den Halbleiterbauelementen. Diese Sammelschienen haben nicht die Aufgabe, die Wärme zu verteilen, sondern nur den Übergang vom Halbleiterbauelement zur Kühlflüssigkeit zu erleichtern.Furthermore, a semiconductor arrangement is known in which the semiconductor components are on a common Metal plate are attached, which in turn with the interposition of an insulating layer with a Cooling device, for example cooling coils, cooling pipes or the like. Is connected. The main one The metal plate is designed as a busbar and is used to supply power to the semiconductor components. These busbars do not have the task of distributing the heat, but only the transition from the semiconductor component to the To facilitate coolant.

Der Erfindung liegt hingegen die Aufgabe zu-Halbleiteranordnung mit mindestens einem
HalbleiterbauelementThe invention, on the other hand, has the object of having at least one semiconductor arrangement
Semiconductor component

Anmelder:Applicant:

J. Stone & Company (Deptford) Limited, London Vertreter:J. Stone & Company (Deptford) Limited, London Representative:

Dipl.-Ing. H. Stehmann, Patentanwalt,
Nürnberg 2, Essenweinstr. 4-6Dipl.-Ing. H. Stehmann, patent attorney,
Nuremberg 2, Essenweinstr. 4-6

Als Erfinder benannt:
John Jarrett Davis, LondonNamed as inventor:
John Jarrett Davis, London

1S Beanspruchte Priorität: 1 S Claimed priority:

Großbritannien vom 25. September 1958 (30 742)Great Britain September 25, 1958 (30 742)

ao gründe, eine Erniedrigung des Wärmeübergangswiderstandes der Isolierschicht durch Vergrößerung der Kontaktfläche zu erreichen. Demzufolge besteht die Erfindung bei einer Halbleiteranordnung der eingangs erwähnten Art darin, daß die Halbleiter-ao reasons, a lowering of the heat transfer resistance to achieve the insulating layer by increasing the contact area. As a result, there is the invention in a semiconductor arrangement of the type mentioned in that the semiconductor

s5 bauelemente auf einem den Halbleiterbauelementen bzw. deren Gehäuse zugewandten verstärkten Wandteil der Wand in an sich bekannter Weise mittels einer getrennten wärmeaufnehmenden und wärmeverteilenden Metallscheibe oder Metallplatte, ζ. Β.s5 components on one of the semiconductor components or their housing facing reinforced wall part of the wall in a manner known per se by means a separate heat-absorbing and heat-distributing metal disc or metal plate, ζ. Β.

aus Kupfer, befestigt sind, wobei die dünne Isolierscheibe oder Isolierschicht zwischen der Metallscheibe oder Metallplatte und der Wandverstärkung angeordnet ist und daß die Fläche der Metallscheibe ungefähr zwölfmal größer als die Grundfläche der Halbleitergehäuse ist.made of copper, with the thin insulating washer or layer of insulation between the metal washer or metal plate and the wall reinforcement is arranged and that the surface of the metal disc is approximately twelve times larger than the footprint of the semiconductor package.

Bei einer besonders vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist jedes Halbleiterbauelement mittels eines isoliert durch die Wand geführten Bolzens an der Außenseite des Gerätes befestigt und der Bolzen vollständig in einer Ausnehmung der Außenseite der verstärkten Wand befestigt und isoliert.In a particularly advantageous embodiment of the invention, each semiconductor component is attached to the outside of the device by means of a bolt guided through the wall in an insulated manner and the bolt is fully secured in a recess on the outside of the reinforced wall and isolated.

Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung ist jedes Halbleiterbauelement mittels eines an der Metallscheibe oder Metallplatte befestigten Bolzens montiert, während die Metallscheibe oder Metallplatte ihrerseits mittels die Isolierschicht durchdringender Befestigungsmittel an der Metallwand montiert ist.According to another embodiment of the invention, each semiconductor component is means a bolt attached to the metal disc or metal plate is mounted, while the metal disc or metal plate in turn by means of fastening means penetrating the insulating layer the metal wall is mounted.

Durch die vorliegende Ausbildung der Wand an der Befestigungsstelle der Halbleiterbauelemente wird unter anderem erreicht, daß die Kühlung wesentlichThe present formation of the wall at the point of attachment of the semiconductor components is among other things achieved that the cooling is essential

509 738/300509 738/300

3 43 4

verbessert ist und daß Halbleiterbauelemente, bei- wie die Grundfläche des Gleichrichtergehäuses 6 spielsweise Leistungstransistoren od. dgl., mit hoher sein kann, wobei jede weitere Vergrößerung der Leistung wesentlich raumsparender angeordnet wer- Fläche nur eine geringe Verbesserung ergibt, die in den können, ohne daß komplizierte Wasserküh- keinem richtigen Verhältnis zu den Kosten steht, lungenoder andere spezielle Kühlmittel vorgesehen 5 Versuche haben gezeigt, daß z. B. mit einer 0,15 mm werden müssen. Durch die vorteilhafte Ableitung dicken Glimmerscheibe von 9 cm Durchmesser der auftretenden Wärmeverluste bleibt die maxi- (7,5 cm nutzbarer Durchmesser) das Temperaturmale Temperatur der Halbleiterbauelemente sicher gefälle 3 bis 4° C beträgt, wenn 25 W abgeführt unterschritten. werden sollen, während der Isolationswiderstandis improved and that semiconductor components, as well as the base area of the rectifier housing 6 For example, power transistors or the like. Can be higher, with any further increase in the Performance are arranged in a much more space-saving manner, which results in only a slight improvement in the area can do this without complicated watercooling, there is no real relationship to the costs, lungs or other special coolant provided 5 tests have shown that z. B. with a 0.15 mm Need to become. Due to the advantageous derivation of a thick mica disc with a diameter of 9 cm of the occurring heat losses, the maximum (7.5 cm usable diameter) remains the temperature mark The temperature of the semiconductor components is 3 to 4 ° C when 25 W is dissipated fallen below. should be while the insulation resistance

Weitere Vorteile der Erfindung werden an Hand io bei 500 V ungefähr 100 Megohm ist. Diese WerteFurther advantages of the invention will be based on io at 500 volts which is approximately 100 megohms. These values

der Zeichnung, die schematisch zwei Ausführungs- befriedigen alle normalen Anforderungen,the drawing, the schematic two execution - meet all normal requirements,

beispiele der Erfindung darstellt, näher erläutert. In Ein Gehäuse, wie in F i g. 2 gezeigt, kann eineIllustrates examples of the invention, explained in more detail. In a housing as shown in FIG. 2 shown, a

der Zeichnung ist Anzahl von Gleichrichtern, z. B. vier, sechs oderthe drawing is number of rectifiers, e.g. B. four, six or

F i g. 1 ein senkrechter Schnitt durch eine Gleich- zwölf, enthalten die auf gegenüberliegende Seiten-F i g. 1 a vertical section through an equal twelve, containing the opposite side

richteranordnung, 15 wände des Gehäuses aufgeteilt und darin in einer,judge arrangement, 15 walls of the housing divided and in one,

F i g. 2 ein schematischer Schnitt durch ein Gerät zwei (wie dargestellt) oder mehreren Reihen ange-F i g. 2 a schematic section through a device with two (as shown) or more rows arranged

mit einer Anzahl solcher Gleichrichter und ordnet sind. Das Gehäuse kann im wesentlichen auswith a number of such rectifiers and are arranged. The housing can essentially consist of

F i g. 3 ein senkrechter Schnitt durch eine für zwei Teilen bestehen, einem Behälter 20 und einemF i g. 3 is a vertical section through one for two parts, one container 20 and one

mehrere Gleichrichter gemeinsame Montage. Deckel 21, die beide aus Aluminiumguß hergestelltseveral rectifiers common assembly. Lid 21, both made of cast aluminum

Gemäß F i g. 1 und 2 ist die Wand 1 des Gleich- 20 sind. Die aneinanderpassenden Flächen des Behälters richtergerätes für jeden Gleichrichter mit einer und Deckels können glatt bearbeitet sein, um gute erhabenen Unterlage 2 an der Innenfläche und mit Berührung zu ergeben und das Eindringen von Waseinem konzentrischen hohlen Butzen 3 an der Außen- ser zu verhindern, ohne daß eine Dichtung benutzt fläche ausgebildet. Die Unterlage 2 ist glatt bearbeitet wird. In der Höhe eine innerhalb des Gehäuses und trägt eine dünne Scheibe 4 aus Glimmer oder 25 liegenden Klemmenbretts können Kabeleinführungen glimmerartigem Isoliermaterial und ist mit einer zen- angeordnet sein, die durch in den Oberteil des Betralen Gegenbohrung versehen, während der Butzen 3 hälters unter Zwischenfügung von Dichtungen einausgebohrt ist, um eine tiefe Ausnehmung 5 zu geschraubte Einführungsteile gebildet werden. Der schaffen. Ein Germaniumgleichrichter 6 hat eine Behälter und der Deckel können nach der Bearbei-(nicht sichtbare) Kupfergrundplatte mit einem Ge- 30 tung galvanisch oxydiert werden,
windebolzen 7, der durch eine kupferne Kontakt- Bei einer solchen Anordnung von kontaktgekühlscheibe hindurchgeht; diese ist mit einer Anschluß- ten Gleichrichtern in einem Gehäuse ist das klemme 9, mit der Glimmerscheibe 4 und einer Temperaturgefälle zwischen einem Gleichrichter Isolierbuchse 10 versehen, die durch ein Loch 11 in und dem Gehäuse kleiner als bei einem ein flüssiges der Wand in die Ausnehmung 5 des Butzens 3 ragt. 35 Kühlmittel enthaltenden Gehäuse. Es ist auch die Wie erkennbar, wird im Gleichrichter 6 entwickelte Gefahr eines Versagens aller Gleichrichter infolge Wärme durch die als Wärmesenke dienende Kupfer- Flüssigkeitsverlusten vermieden. Da die ganze Gescheibe 8 und die dünne Glimmerschicht 4 zur häuseoberfläche zur Wärmezerstreuung ausgenutzt Wandl abgeleitet; diese kann aus gut leitendem ist, kann sie verhältnismäßig klein ausgeführt sein. Material, wie Aluminium, bestehen, so daß die 40 Die Gleichrichterbauelemente 6 sind vollkommen Wärme auf die ganze Oberfläche der Wand oder eingeschlossen und geschützt und es ist keine Reinieines Gehäuses (F i g. 2), wovon sie einen Teil bildet, gung innerhalb des Gehäuses erforderlich. Es liegen zerstreut wird und von dort durch Konvektion und keine spannungsführenden Teile außerhalb des Ge-Strahlung entschwindet. Vorteilhaft werden die sich häuses frei, das sich normal auf Erdpotential befinberührenden Oberflächen des Glimmers 4 und des 45 det. Da das Gehäuse außerdem kräftig ausgeführt Kupfers 8 mit Siliconfett überzogen. Dies verbessert werden kann, kann seine Außenseite ungefährlich sowohl die Wärmeleitung als auch die elektrische durch einen Wasser-, oder Dampfstrahl gereinigt Isolierung. Die Gegenbohrung 12 in der Unterlage 2 werden.According to FIG. 1 and 2 is the wall 1 of the same 20 are. The mating surfaces of the container judge device for each rectifier with a lid and can be machined smooth to give good raised support 2 on the inner surface and with contact and to prevent the ingress of water without a concentric hollow slug 3 on the outside a seal used surface formed. The base 2 is processed smoothly. In the height one inside the housing and carries a thin disc 4 made of mica or 25 lying terminal board, cable entries can be made of mica-like insulating material and are arranged with a zen, which is provided through counterbore in the upper part of the Betralen, while the slug 3 holder with the interposition of Seals is drilled in to form a deep recess 5 for screwed insertion parts. The create. A germanium rectifier 6 has a container and the cover can be galvanically oxidized after the processing (not visible) copper base plate with a device,
threaded bolt 7, which passes through a copper contact In such an arrangement of contact cooling disk; This is provided with a terminal rectifier in a housing is the terminal 9, with the mica washer 4 and a temperature gradient between a rectifier insulating bushing 10, which is smaller through a hole 11 in and the housing than a liquid wall in the recess 5 of the slug 3 protrudes. 35 housing containing coolant. As can also be seen, the risk of failure of all rectifiers as a result of heat from the copper liquid losses, which is used as a heat sink, is avoided in the rectifier 6. Since the whole disk 8 and the thin mica layer 4 to the housing surface for heat dissipation used Wandl derived; this can be made of highly conductive material, it can be made relatively small. Material such as aluminum, so that the 40 The rectifier components 6 are completely heat to the whole surface of the wall or enclosed and protected and there is no purity of a housing (Fig. 2), of which it forms a part, supply within the Housing required. It lies is scattered and from there disappears by convection and no live parts outside of the Ge radiation. Advantageously, the houses are free, the surfaces of the mica 4 and 45 det that are normally on earth potential. Since the housing is also made of strong copper 8 coated with silicone grease. This can be improved, its outside can harmlessly both the heat conduction and the electrical insulation cleaned by a jet of water or steam. The counterbore 12 in the base 2 will be.

hindert eine mögliche Elektrizitätsableitung von der Diese Merkmale machen ein solches Gleichrichter-Kupferscheibe 8 zur Wand 1, da zwischen der 50 gerät sehr geeignet für die Montage am Unterrah-Buchse 10 und der Scheibe 4 ein Spalt bestehen men eines Eisenbahn- oder sonstigen Fahrzeuges könnte. Aus demselben Grund läßt man die Kante als Teil einer Fahrzeugbeleuchtungs- oder anderen 13 der Glimmerscheibe 4 über die Unterlage 2 vor- Stromversorgungsanlage. In diesem Fall kann das stehen. Gehäuse Stromlinienform erhalten, wobei dieprevents possible electricity leakage from the These features make such a rectifier copper washer 8 to wall 1, as between the 50 device is very suitable for mounting on the Unterrah socket 10 and the disc 4 a gap exist men of a railway or other vehicle could. For the same reason, the edge is left as part of a vehicle lighting or other 13 of the mica disk 4 on the base 2 before power supply system. In this case it can stand. Housing streamlined, with the

Zur Befestigung des Gleichrichters 6 trägt sein 55 Kühlung durch Konvektion unterstützt wird, wenn Gewindebolzen 7 innerhalb der Ausnehmung 5 eine das Fahrzeug entweder steht oder fährt; das Geisolierende Unterlagscheibe 14, eine flache Unter- häuse kann hierbei mit vier Füßen versehen sein, lagscheibe 15, eine erschütterungssichere Unterlag- mit denen es am Unterrahmen befestigt wird,
scheibe 16 und eine Mutter 17. Der verbleibende Die in F i g. 3 dargestellte Anordnung, die ins-Raum in der Ausnehmung 5 wird mit Pech oder 60 besondere für Siliziumgleichrichter bestimmt ist, einer erhärtenden Isoliermasse 18 gefüllt, so daß unterscheidet sich von derjenigen nach F i g. 1 darin, keine unter Spannung stehenden Teile an der daß eine Mehrzahl von Siliziumgleichrichtern 6' Außenseite der Wandl freiliegen. Das Pech wird mittels Gewindebolzen7' und Haltestreifen7" auf mit einer in die abgesetzte Mündung der Ausneh- einem gemeinsamen Wärmeableitkörper 8' aus mung5 einzementierten Aluminiumscheibe 19 be- 55 Kupfer oder einer Aluminiumlegierung gelagert ist, deckt. der von einer Unterlage 2' durch ein gemeinsamesTo fasten the rectifier 6, its cooling is supported by convection when the threaded bolt 7 is either stationary or driving within the recess 5; The geisolating washer 14, a flat lower housing can be provided with four feet, washer 15, a vibration-proof washer with which it is attached to the lower frame,
washer 16 and a nut 17. The remaining die shown in FIG. 3, the arrangement shown in the space in the recess 5 is filled with pitch or 60 special for silicon rectifiers, a hardening insulating compound 18, so that it differs from that according to FIG. 1 therein, no live parts on the that a plurality of silicon rectifiers 6 'are exposed outside of the Wandl. The pitch is supported by means of threaded bolts 7 'and retaining strips 7 "on an aluminum disc 19, copper or an aluminum alloy cemented into the recessed opening of the recess, a common heat dissipation body 8', which is covered by a base 2 'by a common

Es wurde gefunden, daß eine wirksame Fläche gestanztes Blatt 4' aus Glimmer oder glimmerartigemIt has been found that an effective area is punched sheet 4 'of mica or mica-like

der Glimmerscheibe 4 ungefähr zwölfmal so groß Isoliermaterial getrennt ist. Der Körper 8' ist auf derthe mica disk 4 is separated about twelve times as large insulating material. The body 8 'is on the

Unterlage 2' durch von diesem Körper isolierte Bolzen 22 befestigt. Wenn nötig, können wärmeabgebende Kühlrippen 23 an der Außenseite der Wand 1 gegenüber dem Körper 8' vorgesehen sein.Base 2 'attached by bolts 22 isolated from this body. If necessary, exothermic Cooling fins 23 may be provided on the outside of the wall 1 opposite the body 8 '.

Da Siliziumgleichrichter mit entgegengesetzten Polaritäten verfügbar sind, können Gleichrichter von jeder Polarität (z. B. drei Gleichrichter für ein Dreiphasenverteilungssystem) auf je einem zugehörigen Wärmeableitkörper 8' montiert sein, und die beiden Körper können Seite an Seite an der Unterlage 2' unter Zwischenschaltung eines beiden gemeinsamen rechteckigen Isolierstoffblattes 4' befestigt werden. Die beiden Körper 8' dienen dann auch als positive und negative Sammelschienen. Wie im Falle der ersten Ausführungsform bildet die Wand 1 einen Teil eines Gehäuses, das auch andere Einrichtungen, z. B. einen mit den Gleichrichtern zusammenarbeitenden Spannungsregler, einschließen kann.Since silicon rectifiers with opposite polarities are available, rectifiers can of each polarity (e.g. three rectifiers for a three-phase distribution system) to one associated Heat sink 8 'can be mounted, and the two bodies can be mounted side by side on the base 2 'with the interposition of a two common rectangular sheet of insulating material 4' attached will. The two bodies 8 'then also serve as positive and negative busbars. As in the case In the first embodiment, the wall 1 forms part of a housing, which also includes other devices, z. B. may include a voltage regulator cooperating with the rectifiers.

Anordnungen der oben beschriebenen Art können auch für die Montage und Kühlung von Transistoren benutzt werden. Indessen kann es im Fall eines oder mehrerer Transistoren wegen der bequemen Herstellung der Schaltverbindungen vorgezogen werden, die Halbleitereinheit oder -einheiten am Steg eines T-förmigen Wärmeableitkörpers aus Kupfer oder einer Aluminiumlegierung anzuschrauben, wobei der Kopf des T-Profils unter Zwischenschaltung der Glimmerschicht an der Unterlage befestigt wird.Arrangements of the type described above can also be used for the assembly and cooling of transistors to be used. However, in the case of one or more transistors, it may be because of ease of manufacture the switching connections are preferred, the semiconductor unit or units on the web of a T-shaped heat sink made of copper or an aluminum alloy to screw on, the The head of the T-profile is attached to the base with the interposition of the mica layer.

Claims (3)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Halbleiteranordnung mit mindestens einem Halbleiterbauelement, das ein in einem Gehäuse untergebrachtes Halbleiterelement aufweist, wobei das Gehäuse auf einer tragenden Metallwand, insbesondere der Wand eines die Halbleiteranordnung enthaltenen Gerätes, unter Zwischenschaltung einer dünnen Scheibe oder Schicht aus Isolierstoff, vorzugsweise aus Glimmer oder Mikanit, befestigt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterbauelernente (6,6') auf einem den Halbleiterbauelementen bzw. deren Gehäuse zugewandten verstärkten Wandteil (2, 2') der Wand (1) in an sich bekannter Weise mittels einer getrennten wärmeaufnehmenden und wärmeverteilenden Metallscheibe oder Metallplatte (8, 8'), z. B. aus Kupfer, befestigt sind, wobei die dünne Isolierscheibe oder Isolierschicht (4, 4') zwischen der Metallscheibe oder Metallplatte (8, 8') und der Wandverstärkung (2, 2') angeordnet ist und daß die Hache der Metallscheibe ungefähr zwölfmal größer als die Grundfläche der Halbleitergehäuse ist.1. Semiconductor arrangement with at least one semiconductor component which has a semiconductor element accommodated in a housing, the housing on a supporting metal wall, in particular the wall of a device containing the semiconductor arrangement, with the interposition of a thin disk or layer of insulating material, preferably made of mica or micanite, is attached, characterized in that the semiconductor components (6,6 ') on a reinforced wall part (2, 2') of the wall (1) facing the semiconductor components or their housing, in a manner known per se, by means of a separate heat-absorbing and heat-distributing metal disk or Metal plate (8, 8 '), e.g. B. made of copper, the thin insulating washer or insulating layer (4, 4 ') between the metal disc or metal plate (8, 8') and the wall reinforcement (2, 2 ') is arranged and that the height of the metal disc is approximately twelve times is larger than the base area of the semiconductor package. 2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Halbleiterbauelement mittels eines isoliert durch die Wand geführten Bolzens an der Außenseite des Gerätes befestigt ist und daß der Bolzen vollständig in einer Ausnehmung (5) der Außenseite der verstärkten Wand (1) befestigt und isoliert ist.2. Semiconductor arrangement according to claim 1, characterized in that each semiconductor component by means of an insulated bolt on the outside of the device that is guided through the wall is attached and that the bolt is fully reinforced in a recess (5) on the outside of the Wall (1) is attached and insulated. 3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Halbleiterbauelement (6') mittels eines an der Metallscheibe oder Metallplatte (8') befestigten Bolzens (7') montiert ist, während die Metallscheibe oder Metallplatte (8') ihrerseits mittels die Isolierschicht (4') durchdringender Befestigungsmittel an der Metallwand (1, 2') montiert ist.3. Semiconductor arrangement according to claim 1, characterized in that each semiconductor component (6 ') by means of a bolt (7') fastened to the metal disc or metal plate (8 ') is mounted, while the metal disc or metal plate (8 ') in turn by means of the insulating layer (4 ') penetrating fastening means is mounted on the metal wall (1, 2'). In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Gebrauchsmuster Nr. 1751 741,
720;Considered publications:
German utility model No. 1751 741,
720; schweizerische Patentschrift Nr. 321299;
belgische Patentschrift Nr. 565 471;
»Electronics«, Bd. 28 (1955), April-Heft, S. 146 bis 149;Swiss Patent No. 321299;
Belgian Patent No. 565,471;
"Electronics", Vol. 28 (1955), April issue, pp. 146 to 149; »Nachrichtentechnische Fachberichte; Beihefte der NTZ«, Bd. 1 (1955), S. 33 bis 36;»Technical reports on communications; Supplements of the NTZ ", Vol. 1 (1955), pp. 33 to 36; »L'Onde Electrique«, Bd. 37 (1957), H. 360,
S. 231 bis 238;"L'Onde Electrique", Vol. 37 (1957), H. 360,
Pp. 231 to 238; »Radio and Television News« (1958), März-Heft, S. 70, 71, 142, 143."Radio and Television News" (1958), March issue, pp. 70, 71, 142, 143. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen For this purpose, 1 sheet of drawings 509 738/300 11.65 © Bundesdruckerei Berlin509 738/300 11.65 © Bundesdruckerei Berlin
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