DE1188729B - Cooling device for semiconductor rectifier - Google Patents

Cooling device for semiconductor rectifier

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DE1188729B
DE1188729B DEC13317A DEC0013317A DE1188729B DE 1188729 B DE1188729 B DE 1188729B DE C13317 A DEC13317 A DE C13317A DE C0013317 A DEC0013317 A DE C0013317A DE 1188729 B DE1188729 B DE 1188729B
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Charles Beurtheret
Ernest Rostas
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND DEUTSCHES ^PIW PATENTAMTFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY GERMAN ^ PIW PATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Int. Cl.:Int. Cl .:

HOIlHOIl

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Aktenzeichen:
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Deutsche Kl.: 21 g -11/02German class: 21 g -11/02

C13317 VIII c/21gC13317 VIII c / 21g

5. Juli 19565th July 1956

11. März 1965March 11, 1965

Die Erfindung betrifft eine Kühlvorrichtung für Halbleitergleichrichter mit mindestens einem mit zwei massiven Elektroden ausgerüsteten Halbleiterelement, bei der die entwickelte Wärme an metallische, durch Sieden einer Flüssigkeit gekühlte Flächen abgegeben und der hierdurch entstehende Dampf an einem von außen durch das umgebende Medium gekühlten Wandteil des Siederaumes kondensiert wird.The invention relates to a cooling device for semiconductor rectifiers having at least one with two solid electrodes equipped semiconductor element, in which the developed heat is transferred to metallic, surfaces cooled by boiling a liquid and the resulting Steam condenses on a wall part of the boiler room that is cooled from the outside by the surrounding medium will.

Die bis noch in die neuere Zeit im Gebrauch befindlichen, aus Kupferoxyd, Selen oder ähnlichen Materialien bestehenden Halbleitergleichrichter hatten in Durchlaßrichtung einen verhältnismäßig hohen Widerstand und arbeiteten daher mit sehr niedrigen Stromdichten. Infolgedessen war die Oberfläche der zur Erzielung eines freien Luftumlaufs durch Zwischenstücke getrennten Gleichrichterplatten häufig ausreichend, um die entwickelte Wärme abzuführen, und man war höchstens veranlaßt, die Platten durch mehrere, die Wärmeabstrahlungsfläche fünf- bis sechsmal vergrößernde Kühlrippen zu ergänzen.Those made of copper oxide, selenium or the like, which are still in use until recently Materials existing semiconductor rectifiers had a relatively high in the forward direction Resistance and therefore worked with very low current densities. As a result, the surface was the Often rectifier plates separated by spacers to achieve free air circulation sufficient to dissipate the heat generated, and at most one was forced to push the plates through to supplement several cooling fins that enlarge the heat radiation surface five to six times.

Die neuzeitlichen Halbleitergleichrichter, ζ. Β. aus Germanium oder Silizium, besitzen hinwiederum einen sehr niedrigen Widerstand in Durchlaßrichtung, und die bei einem Element zulässige Stromdichte ist durch die Notwendigkeit der Ableitung der erzeugten Wärme in einem sehr kleinen Volumen begrenzt. Die Verwendung von großflächigen Rippen ergibt bei diesen Halbleitergleichrichtern keine vollkommene Lösung des Abkühlungsproblems, da der Hauptteil des Temperaturunterschiedes zwischen dem Halbleiterelement und dem umgebenden Mittel auf den Rippenteil örtlich beschränkt ist, der dem wirksamen Element unmittelbar benachbart ist.The modern semiconductor rectifier, ζ. Β. made of germanium or silicon, on the other hand, have has a very low forward resistance, and is the current density allowed for an element limited by the need to dissipate the generated heat in a very small volume. the The use of large-area ribs in these semiconductor rectifiers does not result in a perfect one Solving the cooling problem as the main part of the temperature difference between the semiconductor element and the surrounding agent is localized to the rib portion that is the effective Element is immediately adjacent.

Man hat daher schon vorgeschlagen, diese Rippen durch Verdampfung einer Flüssigkeit zu kühlen, was z. B. nach der französischen Patentschrift 1 086 791 dadurch verwirklicht werden kann, daß die Elektroden des Gleichrichters durch sehr dicke, mit massiven und v/enig zahlreichen rippen- oder höckerartigen Ansätzen versehene Metallkörper ergänzt und über diese zur Berührung mit einer niedrigsiedenden Flüssigkeit durch Anordnung der Gesamtheit der so ausgebildeten Gleichrichterelemente in dem Flüssigkeitsbehälter gebracht sind. Ebenso ist zur thermischen Stabilisierung eines Halbleiterelements eines Gleichrichters bereits vorgeschlagen worden, das Halbleiterelement mit metallischen Kontakten zu versehen, die durch eine verdampfende Flüssigkeit gekühlt werden und deren durch die Flüssigkeit gekühlte Oberflächen sehr große Abmessung gegenüber derjenigen des Halbleiterelements haben.It has therefore already been proposed to cool these ribs by evaporation of a liquid, what z. B. can be realized according to French patent specification 1 086 791 in that the electrodes of the rectifier by very thick, with massive and very numerous rib-like or hump-like Approaches provided metal body supplemented and over this for contact with a low-boiling point Liquid by arranging the entirety of the rectifier elements thus formed in the liquid container are brought. A semiconductor element is also used for thermal stabilization Rectifier has already been proposed to the semiconductor element with metallic contacts which are cooled by an evaporating liquid and those cooled by the liquid Surfaces have very large dimensions compared to that of the semiconductor element.

Kühlvorrichtung für HalbleitergleichrichterCooling device for semiconductor rectifiers

Anmelder:Applicant:

Compagnie Frangaise Thomson-Houston, ParisCompagnie Frangaise Thomson-Houston, Paris

Vertreter:Representative:

Dipl.-Ing. Dipl. oec. publ. D. Lewinsky,Dipl.-Ing. Dipl. Oec. publ. D. Lewinsky,

Patentanwalt,Patent attorney,

München-Pasing, Agnes-Bernauer-Str. 202Munich-Pasing, Agnes-Bernauer-Str. 202

Als Erfinder benannt:Named as inventor:

Charles Beurtheret, Saint-Germain en Laye;Charles Beurtheret, Saint-Germain en Laye;

Ernest Rostas, Paris (Frankreich)Ernest Rostas, Paris (France)

Beanspruchte Priorität:Claimed priority:

Frankreich vom 6. Juli 1955 (695 220)France 6 July 1955 (695 220)

Von der schon früher bekannten Art der Siedekühlung ausgehend, gelingt es nach der Erfindung für Halbleitergleichrichter, eine wirksame Kühlvorrichtung der eingangs genannten Gattung dadurch zu schaffen, daß erfindungsgemäß mit den massiven Elektroden verbundene dicke massive Fortsätze in allseitig geschlossene, mit der Kühlflüssigkeit teilweise gefüllte, als flache Dosen gestaltete und in zu den Elektroden parallelen Ebenen angeordnete Siede- und Kondensationsgefäße durch deren Breitseite hindurch ragen, wobei der Füllungsgrad der Siede- und Kondensationsgefäße so bestimmt ist, daß bei mindestens einer ihrer in einer lotrechten Ebene gewählten Lagen die dicken massiven Fortsätze sich unterhalb des Flüssigkeitsspiegels befinden. Auf Grund dieser Anordnung und Ausbildung wird eine außerordentlich rasche Wärmeabführung und damit ein Höchstmaß an Kühlwirkung erzielt. Die Fortsätze, deren Flanken dem Flüssigkeitsstrom frei ausgesetzt sind, bewirken sowohl bei gleicher Oberfläche als auch bei gleichem Gewicht wie bei den früher bekannten derartigen Vorrichtungen einen Wärmetransport, der ihnen gegenüber wesentlich größer ist. Ferner benötigt die hier in Vorschlag gebrachte Kühlvorrichtung keinerlei äußeres Organ, um die Wiederspeisung zu bewirken. Auch kann die vorliegende Kühlvorrichtung in stark geneigter Lage arbeiten, während bei der letztgenannten, früher vorgeschlagenen Vorrichtung eine Neigung auf ganz gefährlicheStarting from the type of evaporative cooling known earlier, the invention succeeds for semiconductor rectifiers, an effective cooling device of the type mentioned thereby to create that according to the invention connected to the solid electrodes thick massive extensions in Closed on all sides, partially filled with the cooling liquid, designed as flat cans and closed Boiling and condensation vessels arranged on planes parallel to the electrodes through their broad side protrude, the degree of filling of the boiling and condensation vessels is determined so that at least one of its layers chosen in a perpendicular plane, the thick massive appendages below the liquid level. Due to this arrangement and training is a extremely rapid heat dissipation and thus a maximum of cooling effect achieved. The appendages the flanks of which are freely exposed to the flow of liquid cause both the same surface area as well as a heat transport with the same weight as with the previously known devices of this type, which is much larger compared to them. Furthermore, the proposed here requires cooling device no external organ to effect the refeeding. The present Cooling device work in a steeply inclined position, while in the latter, previously proposed Device has a tendency to be quite dangerous

50a 518/32950a 518/329

3 43 4

Weise die genaue Füllung der Verdampfungskanäle sind. Das dadurch gebildete Gefäß 7, von dem einWay are the exact filling of the evaporation channels. The thereby formed vessel 7, one of which

gefährden würde. Schließlich ist die vorliegende Kühl- Anschlußlappen 9 ausgeht, wird an zwei Elektroden 2would endanger. Finally, the present cooling connection tab 9 runs out, is attached to two electrodes 2

vorrichtung leicht zu montieren und auseinander- angeschweißt, deren Fortsätze 5 in seinem HohlraumDevice easy to assemble and welded apart, the extensions 5 in its cavity

zunehmen und besitzt in der zu den Elektroden senk- unmittelbar einander gegenüberstehen und von derincrease and has in the perpendicular to the electrodes directly opposite each other and from the

rechten Richtung eine äußerst geringe Länge, was 5 hierauf eingefüllten Flüssigkeit 6 umgeben sind. Dasright direction an extremely short length, what 5 thereupon filled liquid 6 are surrounded. That

außerordentlich wichtig im Falle gestapelter Gleich- Gefäß 7 kann dann auf einen geeigneten Unterdruckextremely important in the case of stacked equal vessel 7 can then be on a suitable negative pressure

lichter ist. gegenüber der Atmosphäre entlüftet werden, und dieis lighter. to be vented to the atmosphere, and the

Weitere zweckmäßige Ausgestaltungen der hier Starrheit des ganzen, aus dem Gefäß 7 und den Elekvorgeschlagenen Kühlvorrichtung und durch sie er- troden 2 bestehenden hohlen Gebildes ist durch die zielte Vorteile gehen aus der nachstehenden Be- io einander mit den Stirnflächen berührenden Fortschreibung der Zeichnung hervor, die Kühlvorrich- sätze5 und notfalls durch zwischen die parallelen tungen für Halbleitergleichrichter der erfindungs- Gefäßwandungen eingesetzte Abstandstücke gewährgemäß vorgeschlagenen Art in mehreren Aus- leistet,
führungsbeispielen schematisch veranschaulicht. Im Kurvenbild nach F i g. 3 sind als Ordinaten
Further useful refinements of the rigidity of the whole of the vessel 7 and the electrolytic cooling device and the hollow structure that is buried through it 2 is evident from the following update of the drawing, which touches the end faces Cooling device sets5 and, if necessary, by means of spacers inserted between the parallel lines for semiconductor rectifiers of the vessel walls according to the proposed type,
examples of management illustrated schematically. In the graph according to FIG. 3 are as ordinates

F i g. 1 zeigt in teilweise geschnittener Seitenansicht 15 die an den verschiedenen Stellen χ der Kühlvorrich-F i g. 1 shows in a partially sectioned side view 15 the at the various points χ of the cooling device

einen mit großflächigen Kühlrippen versehenen Lei- tungen nach F i g. 1 und 2, 2 a auftretenden Tem-a line provided with large-area cooling fins according to FIG. 1 and 2, 2 a occurring tem-

stungsgleichrichter der bisher gebräuchlichen Halb- peraturen Θ aufgetragen. Die Punkte 11,12 und 13Power rectifiers of the previously used half-temperatures Θ are applied. Points 11, 12 and 13

leiterbauart; geben in F i g. 3 die an den entsprechend bezeichne-ladder type; give in Fig. 3 the correspondingly labeled

F i g. 2 und 2 a lassen teils im Schnitt und teils in ten Stellen der bisher gebräuchlichen Kühlvorrich-F i g. 2 and 2 a partly in the section and partly in th places of the previously used cooling device

Seiten- bzw. Stirnansicht einen mit einer Kühl- 20 tung gemäß F i g. 1, d. h. am Halbleiter 1 und an derSide or front view of one with a cooling system according to FIG. 1, d. H. on semiconductor 1 and on the

vorrichtung nach der Erfindung ausgestatteten Halb- Schweißnaht von Elektrode 2 und Kühlrippe 4 sowieDevice according to the invention equipped half-weld seam of electrode 2 and cooling fin 4 as well

leitergleichrichter erkennen; am oberen Kühlrippenende herrschenden Tempera-recognize ladder rectifier; the temperature prevailing at the upper end of the cooling fin

F i g. 3 erläutert durch ein Kurvenbild die Wir- türen an, und die durch diese Punkte bestimmteF i g. 3 explains the doors and the ones determined by these points by means of a graph

kungsweise der aus F i g. 1 bzw. 2 und 2 a er- Kurve 10 läßt die Abnahme der Kühlwirkung vonk manner of FIG. 1 or 2 and 2 a he curve 10 lets the decrease in the cooling effect of

sichtlichen Kühlvorrichtungen hinsichtlich der Tem- 25 der Mitte des Halbleiters 1 nach dem Ende der Kühl-visible cooling devices with regard to the temperature of the middle of the semiconductor 1 after the end of the cooling

peraturverteilung an den wärmestrahlenden Flächen; rippe 4 hin und das starke Temperaturgefälle vontemperature distribution on the heat radiating surfaces; rib 4 and the strong temperature gradient of

F i g. 4 a und 4 b geben zwei weitere Ausführun- der den höchsten Wärmefluß und den kleinsten gen einer erfindungsgemäß ausgebildeten Gleich- Metallquerschnitt aufweisenden Mitte 12 der Kühlrichterkühlvorrichtung in Seitenansicht wieder. rippe 4 ab erkennen.F i g. 4 a and 4 b give two other versions, the highest heat flow and the smallest In accordance with a center 12 of the cooling device cooling device which is designed according to the invention and has a metal cross-section in side view again. recognize rib 4 from.

In allen Figuren sind für die gleichen Teile die 30 Die demgegenüber erreichbare Steigerung derIn all figures, for the same parts the 30 The increase in the

nämlichen Bezugszeichen gewählt. Kühlwirkung der vorliegenden Anordnung ist auschosen the same reference number. The cooling effect of the present arrangement is off

Bei dem in F i g. 1 veranschaulichten Gleichrichter der Kurve 20 in F i g. 3 ersichtlich, welche für die sind in bekannter Bauart die mit zwei Elektroden 2 Vorrichtung nach F i g. 2 und 2 a bei gleicher abversehenen scheibenförmigen Halbleiterkörper 1 in zuführender Wärmemenge wie bei der Vorrichtung Schutzgehäusen 3 aus Isolierstoff eingeschlossen, und 35 nach F i g. 1 gilt. Die Punkte 21,22,23 und 24 der die länglichen großflächigen, mit den Elektroden 2 Kurve 20 deuten die Temperaturen der gleich beverschweißten Kühlrippen 4 dienen zur Abführung zifferten Stellen der Vorrichtung nach F i g. 2 und 2 a, der beim Betrieb des Gleichrichters erzeugten Wärme. d. h. am Halbleiter 1 und an der Oberfläche desIn the case of the one shown in FIG. 1 illustrated rectifier of curve 20 in FIG. 3 shows which for the are in a known design with two electrodes 2 device according to F i g. 2 and 2 a with the same oversight disk-shaped semiconductor body 1 in the supplying amount of heat as in the device Enclosed protective housings 3 made of insulating material, and 35 according to FIG. 1 applies. Points 21, 22, 23 and 24 of the the elongated large areas with the electrodes 2 curve 20 indicate the temperatures of the same welded Cooling fins 4 are used to remove digitized points of the device according to FIG. 2 and 2 a, the heat generated during operation of the rectifier. d. H. on the semiconductor 1 and on the surface of the

Gemäß F i g. 2 und 2 a ist der Gleichrichter nach metallischen Fortsatzes 5 sowie in dem nahe bei die-According to FIG. 2 and 2 a is the rectifier after the metallic extension 5 as well as in the close to this-

F i g. 1 dadurch vervollkommnet, daß die mit dem 40 sem befindlichen Teil der zu verdampfenden Flüssig-F i g. 1 is perfected by the fact that the part of the liquid to be evaporated that is located with the 40 sem

Halbleiterkörper 1 verbundenen Elektroden 2 mit keit6 und am oberen Ende der flachen Dose 7 an.Semiconductor body 1 connected electrodes 2 with keit6 and at the upper end of the flat can 7.

massiven stumpfkegeligen Fortsätzen 5 aus gut Wie ersichtlich, ist das Temperaturgefälle in dermassive frustoconical projections 5 from well As can be seen, the temperature gradient is in the

wärmeleitendem Metall versehen sowie die Rippen 4 Elektrode bei der Vorrichtung nach Fig. 2 und 2athermally conductive metal and the ribs 4 electrode in the device according to FIGS. 2 and 2a

durch je ein längliches, entlüftetes Siede- und Kon- und der Vorrichtung nach F i g. 1 gleich, da dieby an elongated, vented boiling and coning and the device according to F i g. 1 the same as the

densationsgefäß 7 mit großer Oberfläche ersetzt sind 45 Kurvenstücke 21, 22 und 11,12 in den Kurven 2045 curve pieces 21, 22 and 11, 12 in curves 20 have been replaced with a large surface area

und in das Innere des Gefäßes 7 die Fortsätze 5 der und 10 parallel zueinander sind. Die Temperatur imand in the interior of the vessel 7, the extensions 5 and 10 are parallel to one another. The temperature in

Elektroden hineinragen und eine verdampfbare, die Punkt 22, d. h. an der Oberfläche des Fortsatzes 5Electrodes protrude and a vaporizable one, the point 22, i. H. on the surface of the appendix 5

Fortsätze bespülende Flüssigkeit 6 eingefüllt ist. ist anderseits um einige Grad höher als die im PunktExtensions flushing liquid 6 is filled. is on the other hand a few degrees higher than that in the point

Die Flüssigkeit 6, die nur den unteren Teil des 23 herrschende Siedetemperatur der Flüssigkeit 6, Gefäßes einnimmt, wird durch den dort ebenfalls 50 und das Gefäß 7 weist über die volle Ausdehnung angeordneten beim Betrieb des Gleichrichters er- seiner Wandung diese gleiche Siede- und Konhitzten metallischen Fortsatz 5 zum Sieden gebracht densiertemperatur auf. Das auf seiner ganzen Ober- und durch die große Masse und Umfläche des Fort- fläche auf die nämliche Temperatur gebrachte Gesatzes 5 wird beim Sieden der Flüssigkeit die Gefahr faß 7 der Vorrichtung nach Fig. 2 und 2a ist daher einer durch ein Auftreten des Leidenfrostschen Phä- 55 besser als die großflächige Kühlrippe 4 der Vornomens hervorgerufenen thermischen Isolierung der richtung nach F i g. 1 für die Wärmeabführung ausOberfläche des Fortsatzes vermieden. Der ent- genutzt, und die Temperatur des Halbleiterkörpers 1 stehende Dampf kondensiert sich im oberen Teil 8 ist demgemäß bei der Vorrichtung nach F i g. 2 des Gefäßes 7, da dort die Gefäßwandung durch das und 2 a wesentlich niedriger als bei der Kühlumgebende Medium, z. B. die in natürlicher Strö- 60 vorrichtung nach F i g. 1. Infolgedessen ergibt sich mung bewegte Außenluft oder einen Blasluftstrom, auch eine bedeutend stärkere und raschere Kühlung gekühlt wird. und damit eine bessere Wirkung des Gleichrichter-The liquid 6, which only has the lower part of the 23 prevailing boiling point of the liquid 6, The vessel occupies is through the there also 50 and the vessel 7 points over the full extent arranged during operation of the rectifier, its wall has the same boiling point and conheating rate metallic extension 5 brought to boiling condensing temperature. The whole of its upper and the law brought to the same temperature by the great mass and circumference of the surface 5 when the liquid is boiling, the danger barrel 7 of the device according to FIGS. 2 and 2a is therefore one due to the occurrence of Leidenfrost's phenomenon 55 better than the large-area cooling rib 4 of the forenomen induced thermal insulation in the direction of FIG. 1 for heat dissipation from the surface of the appendix avoided. The consumed and the temperature of the semiconductor body 1 standing steam condenses in the upper part 8 is accordingly in the device according to FIG. 2 of the vessel 7, because there the vessel wall through the and 2 a is significantly lower than in the case of the surrounding area Medium, e.g. B. the natural flow device according to FIG. 1. As a result, it results outside air movement or a blown air flow, also a significantly stronger and faster cooling is cooled. and thus a better effect of the rectifier

Das eine Art von hohler großflächiger Kühlrippe elements.The one kind of hollow large-area cooling fin elements.

darstellende Gefäß 7 kann aus zwei gleichen Schalen F i g. 4 a und 4 b zeigen zwei geänderte Aus-Representative vessel 7 can consist of two identical shells F i g. 4 a and 4 b show two modified

von z. B. abgerundetem quadratischem Umriß be- 65 führungsformen der die Elektroden 2 ergänzendenfrom Z. B. rounded square outline forms of execution of the electrodes 2 complementary

stehen, die längs ihres ganzen Randes, z. B. durch und von diesen die Wärme auf die Flüssigkeit 6stand along their entire edge, e.g. B. through and from these the heat on the liquid 6

Verschweißung oder Zusammenpressen, vollkommen übertragenden, dicken, massiven Metallfortsätze 5.Welding or pressing together, completely transferring, thick, solid metal extensions 5.

gas- und flüssigkeitsdicht miteinander verbunden Gemäß F i g. 4 a ist jede Elektrode 2 mit mehrerengas- and liquid-tight connected to one another According to FIG. 4 a is each electrode 2 with several

Fortsätzen 5 ausgebildet, die durch Ausfräsen aus einer entsprechend dicken Metallplatte mit Kreuzung erzeugt sein können. Nach Fig.4b sind die beiden einander gegenüberliegenden Elektroden 2 durch zwei doppelt so dicke Platten 5 verbunden und überbrückt, die mit einer Reihe zylindrischer senkrechter Löcher oder mit zwei Reihen von sich kreuzenden Löchern versehen sind. Die Ausgestaltungen der Elektroden 2 und der Metallkörper 5 nach F i g. 4 a und 4 b sind dann vorteilhaft, wenn die Halbleiterkristalle eine große Oberfläche aufweisen oder wenn die Bauart des Gleichrichters die Parallelschaltung mehrerer Kristalle erfordert.Projections 5 formed by milling from a correspondingly thick metal plate with an intersection can be generated. According to Figure 4b, the two opposing electrodes 2 are through two twice as thick plates 5 connected and bridged, with a series of cylindrical perpendicular Holes or with two rows of intersecting holes. The refinements of the Electrodes 2 and the metal body 5 according to FIG. 4 a and 4 b are advantageous when the semiconductor crystals have a large surface area or if the type of rectifier is parallel connection requires multiple crystals.

Die mit der vorliegenden Kühlvorrichtung ausgerüsteten Gleichrichterelemente können, wie F i g. 2 erkennen läßt, miteinander in beliebiger Zahl vereinigt und zu einem starren, an jedem geeigneten Träger anbringbaren Mehrzellengleichrichter verschweißt werden.The rectifier elements equipped with the present cooling device can, as shown in FIG. 2 can be recognized, united with one another in any number and into one rigid, suitable for every one Carrier-attachable multi-cell rectifier are welded.

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Claims (4)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Kühlvorrichtung für Halbleitergleichrichter mit mindestens einem mit zwei massiven Elektroden ausgerüsteten Halbleiterelement, bei der die entwickelte Wärme an metallische, durch Sieden einer Flüssigkeit gekühlte Flächen abgegeben und der hierdurch entstehende Dampf an einem von außen durch das umgebende Medium gekühlten Wandteil des Siederaumes kondensiert wird, dadurch gekennzeichnet, daß mit den massiven Elektroden (2) verbundene dicke massive Fortsätze (5) in allseitig geschlossene, mit der Kühlflüssigkeit (6) teilweise gefüllte, als flache Dosen gestaltete und in zu den Elektroden parallelen Ebenen angeordnete Siede- und Kondensationsgefäße (7) durch deren Breitseite hindurch ragen, wobei der Füllungsgrad der Siede- und Kondensationsgefäße so bestimmt ist, daß bei mindestens einer ihrer in einer lotrechten Ebene gewählten Lagen die dicken massiven Fortsätze sich unterhalb des Flüssigkeitsspiegels befinden (F i g. 2, 2 a).1. Cooling device for semiconductor rectifiers with at least one with two solid electrodes equipped semiconductor element, in which the developed heat to metallic, through Boiling a liquid released cooled surfaces and the resulting vapor on a wall part of the boiler room that is cooled from the outside by the surrounding medium is condensed, characterized in that connected to the solid electrodes (2) thick massive projections (5) closed on all sides, partially with the cooling liquid (6) filled, designed as flat cans and arranged in planes parallel to the electrodes Boiling and condensation vessels (7) protrude through their broad side, the degree of filling of the boiling and condensation vessels being determined in this way is that in at least one of their chosen layers in a perpendicular plane, the thick massive extensions are located below the liquid level (Fig. 2, 2 a). 2. Kühlvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Siede- und Kondensationsgefäße (7) luftleer sind (Fig. 2, 2a).2. Cooling device according to claim 1, characterized in that the boiling and condensation vessels (7) evacuated (Fig. 2, 2a). 3. Kühlvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, für mehrere hintereinanderliegende Gleichrichter, dadurch gekennzeichnet, daß die dicken massiven Fortsätze (5) zweier einander zugekehrter Elektroden aufeinanderfolgender Gleichrichterelemente in ein gemeinsames Siede- und Kondensationsgefäß eintreten und sich in diesem stirnseitig gegenüberliegen (F i g. 2).3. Cooling device according to claim 1 or 2, for several rectifiers lying one behind the other, characterized in that the thick massive extensions (5) of two facing each other Electrodes of successive rectifier elements in a common boiling and condensation vessel enter and face each other in this face (Fig. 2). 4. Kühlvorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die in das gemeinsame Siede- und Kondensationsgefäß (7) eintretenden dicken massiven Fortsätze (5) zweier Elektroden (2) zu einem einzigen Block vereinigt sind (Fig. 4b). 4. Cooling device according to claim 3, characterized in that the in the common Boiling and condensation vessel (7) entering thick massive extensions (5) of two electrodes (2) are combined into a single block (Fig. 4b). In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 891425;
USA.- Patentschrift Nr. 2 703 855.
Considered publications:
German Patent No. 891425;
U.S. Patent No. 2,703,855.
In Betracht gezogene ältere Patente:
Deutsches Patent Nr. 1026 434.
Legacy Patents Considered:
German Patent No. 1026 434.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings 509 518/329 3.65 © Bundesdruckerei Berlin509 518/329 3.65 © Bundesdruckerei Berlin
DEC13317A 1955-07-06 1956-07-05 Cooling device for semiconductor rectifier Pending DE1188729B (en)

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FR1188729X 1955-07-06

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