DE1184399B

DE1184399B - Arrangement for the time-dependent control of a current or a voltage by means of a transistor, in the emitter-base circuit of which there is an RC element

Info

Publication number: DE1184399B
Application number: DES51460A
Authority: DE
Inventors: Dipl-Ing Hans Adler; Rudolph Lameyer; Dipl-Ing Lothar Schumacher
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1956-12-01
Filing date: 1956-12-01
Publication date: 1964-12-31

Description

Anordnung zur zeitabhängigen Steuerung eines Stromes oder einer Spannung mittels eines Transistors, in dessen Emitter-Basis-Kreis ein RC-Glied liegt Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung zur Erzeugung von Steuerbefehlen bestimmter einstellbarer Dauer. Solche Steuerspannungen oder -ströme werden beispielsweise zur Steuerung von Schweißtaktern für Widerstandsschweißmaschinen benötigt.Arrangement for time-dependent control of a current or a voltage by means of a transistor in whose emitter-base circuit there is an RC element The invention relates to an arrangement for generating certain control commands adjustable duration. Such control voltages or currents are for example required to control welding clocks for resistance welding machines.

Bei den bekannten Einrichtungen dieser Art wird die Dauer des Steuerbefehles durch ein RC-Glied bestimmt, dessen Wert vorzugsweise durch Einstellen des Widerstandes verändert werden kann. Im allgemeinen liegen diese RC-Glieder in dem Gitter-Kathoden-Kreis von Elektronenröhren. Solche Röhren benötigen jedoch verhältnismäßig viel Platz, erzeugen viel Verlustwärme und sind nach dem Einschalten nicht sofort betriebsbereit. Man ist deshalb bemüht, auch in den oben angegebenen Anwendungsfällen die Röhren durch Transistoren zu ersetzen.In the known devices of this type, the duration of the control command determined by an RC element, the value of which is preferably determined by setting the resistance can be changed. In general, these RC elements are located in the grid-cathode circuit of electron tubes. However, such tubes require a relatively large amount of space, generate a lot of heat loss and are not ready for operation immediately after being switched on. Efforts are therefore made to also use the tubes in the above-mentioned applications to replace with transistors.

Diese Aufgabe liegt auch der Erfindung zugrunde. Sie ist jedoch nicht ohne weiteres durch einen einfachen Ersatz der Röhre durch einen Transistor zu lösen. Bei einer mit Transistoren arbeitenden äquivalenten Schaltung liegt nämlich stets die Emitter-Basis-Strecke des Transistors dem Widerstand des RC-Gliedes elektrisch parallel. Der Innenwiderstand dieser Strecke ist verhältnismäßig niedrig im Gegensatz zu dem praktisch unendlich großen Eingangswiderstand einer Röhre in Kathoden-Basis-Schaltung. Das bedeutet, daß bei derartigen Schaltungen mit Transistoren der Widerstand des RC-Gliedes nicht beliebig hoch gewählt werden kann. Während bei Schaltungen mit Röhren Widerstandswerte von etwa 2 MOhrn durchaus geläufig sind, kann bei Schaltungen mit Transistoren der Widerstand praktisch nicht größer als 50 kOhm gewählt werden. Das bedeutet aber, daß bei Anwendung von Transistoren der Kondensator sowohl elektrisch wie auch zwangläufig mechanisch wesentlich größer sein muß als bei entsprechenden Schaltungen mit Röhren, gleiche Dauer der Steuersignale voraussetzt.This object is also the basis of the invention. However, it is not easily solved by simply replacing the tube with a transistor. In the case of an equivalent circuit operating with transistors, there is always the emitter-base path of the transistor to the resistance of the RC element electrically parallel. The internal resistance of this route is relatively low in contrast to the practically infinite input resistance of a tube in a cathode-base circuit. This means that in such circuits with transistors, the resistance of the RC element cannot be chosen arbitrarily high. While with circuits with Tube resistance values of around 2 MOhrn are quite common, can be used in circuits with transistors, the resistance can practically not be chosen to be greater than 50 kOhm. However, this means that when using transistors, the capacitor is both electrical as must also inevitably be mechanically much larger than with corresponding ones Circuits with tubes, assuming the same duration of the control signals.

Ein weiterer Nachteil der Transistoren ist die sehr niedrige maximal zulässige Sperrspannung der Emitter-Basis-Strecke von Transistoren, die bei etwa 10 Volt liegt. Durch die Spannungsfestigkeit der Emitter-Basis-Strecke wird praktisch auch die maximale Betriebsspannung des RC-Gliedes festgelegt. Nun bestimmt aber bei derartigen Schaltungen der Verlauf der Kondensatorspannung das Ende der Stromflußzeit des Steuersignals. Meist wird dieses beendet, wenn die Kondensatorspannung einen in der Nähe von Null liegenden Grenzwert erreicht. Bei großen Zeitkonstanten und niedrigen Betriebsspannungen ist aber der Verlauf der Kondensatorspannung in der Nähe dieses kritischen Wertes sehr flach, d. h., der Schnittpunkt und damit das Ende des Steuersignals ist verhältnismäßig unbestimmt. Solche Ungenauigkeiten sind aber gerade bei Schweißtaktern nicht tragbar.Another disadvantage of the transistors is the very low maximum permissible reverse voltage of the emitter-base path of transistors, which is at approx 10 volts. The dielectric strength of the emitter-base route becomes practical also defines the maximum operating voltage of the RC element. Well, definitely in such circuits the course of the capacitor voltage marks the end of the current flow time of the control signal. This is usually ended when the capacitor voltage drops limit value lying close to zero is reached. With large time constants and low operating voltages is the course of the capacitor voltage in the Near this critical value very shallow, i.e. i.e., the intersection and thus that The end of the control signal is relatively indefinite. Such inaccuracies are but not portable, especially with welding clocks.

Die Genauigkeit von Schaltungen der definierten Art wird weiter noch durch .den sehr temperaturabhängigen Kollektor-Reststrom beeinträchtigt. Dieser fließt nämlich über den Kondensator des RC-Gliedes, der sich so in völlig unkontrollierbarer Weise entladen kann.The accuracy of circuits of the type defined is still further impaired by the very temperature-dependent residual collector current. This namely flows through the capacitor of the RC element, which is completely uncontrollable Way can discharge.

Wie bereits erwähnt, werden derartige Zeitkreise vorzugsweise zur Bestimmung von Schweißzeitintervallen verwendet. Diese werden im allgemeinen in vielfachen der Periodendauer des Speisenetzes angegeben. Bei den üblichen mit Röhren bestückten Schweißzeitgebern konnte eine- derartige stufenweise Veränderung der Schweißzeit dadurch erreicht werden, daß der Widerstand des RC-Gliedes um gleich große Einheiten verstellt wurde. Es konnten also Normwiderstände einer bestimmten Größe verwendet werden. Dies ist bei Schweißtaktgebern mit Transistoren ebenfalls nicht mehr möglich, da dem Widerstand ja die Emitter-Basis- bzw. Kollektor-Basis-Strecke des Transistors parallel liegt. Wegen dieser nichtlinearen Innenwiderstände- ergeben sich auch für die verschiedenen Schweißzeiten für den Widerstand des RC-Gliedes Werte, die nicht mehr linear von der gewünschten Schweißzeit abhängen.As already mentioned, such time circles are preferably used for Determination of welding time intervals used. These are generally used in given as a multiple of the period of the supply network. With the usual with tubes equipped welding timers could such a gradual change of the Welding time can be achieved by keeping the resistance of the RC element by the same large units were adjusted. So there could be standard resistances of a certain Size to be used. This is also the case with welding clock generators with transistors no longer possible because the resistor is the emitter-base or collector-base path of the transistor is parallel. Because of this non-linear internal resistance also look for the different welding times for the resistance of RC element values that no longer depend linearly on the desired welding time.

Die genannten Nachteile lassen sich nun erfindungsgemäß bei Anwendung eines Transistors dadurch vermeiden, daß zwischen die Basis des Transistors und den Kondensator des RC-Gliedes ein Ventil geschaltet ist, dessen Durchlaßrichtung mit der der Emitter-Basis-Strecke übereinstimmt.According to the invention, the disadvantages mentioned can now be avoided when used of a transistor by placing between the base of the transistor and the capacitor of the RC element is connected to a valve whose direction of flow with that of the emitter-base line.

Auf diese Weise werden die verschiedenen Einflüsse, wie Nichtlinearität, Niederohmigkeit, Temperaturabhängigkeit der Emitter-Basis- bzw. Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors, auf die Entladezeit des RC-Gliedes beseitigt. Außerdem ist es dann möglich, den RC-Kreis mit hohen Spannungen zu betreiben und dadurch die Genauigkeit der Zeitbestimmung zu heben.In this way, the various influences, such as non-linearity, Low resistance, temperature dependence of the emitter-base or emitter-collector path of the transistor, eliminated on the discharge time of the RC element. Besides, it is then possible to operate the RC circuit with high voltages and thereby the accuracy to raise the timing.

Die Anwendung des Erfindungsgedankens ist bei verschiedenen Schaltungsanordnungen möglich, von denen jede für sich technische Vorzüge gewährleistet.The idea of the invention can be used in various circuit arrangements possible, each of which guarantees technical advantages.

So kann die Sperrspannung im Basis-Emitter-Kreis des Transistors durch eine besondere Spannungsquelle geliefert werden. Nach einer anderen Ausführung kann jedoch der Kondensator durch seinen Aufladungszustand zunächst unmittelbar die Sperrspannung im Emitter-Basis-Kreis des Transistors liefern, und mit der Umladung des Kondensators kommt dann diese Sperrspannung selbsttätig in Fortfall.So the reverse voltage in the base-emitter circuit of the transistor can through a special voltage source can be supplied. After another execution can However, the capacitor initially immediately applies the reverse voltage due to its state of charge in the emitter-base circuit of the transistor, and with the charge reversal of the capacitor then this reverse voltage is automatically eliminated.

Die erfindungsgemäße Anordnung kann auch weitergehend ausgenutzt werden, insbesondere für die Zwecke der Synchronisierung, wie z. B. die Lieferung von Spannungsimpulsen bzw. Stromimpulsen an das Steuergitter bzw. an den Zündstift für Initialzündung eines Stromrichtergefäßes in vorbestimmter zeitlicher Beziehung zur Periode des Wechselstromes, mit welchem der Anodenkreis des Stromrichtergefäßes gespeist wird, indem in dem Emitter-Basis-Kreis des Transistors zusätzlich noch eine Spannungsquelle vorgesehen ist, welche die entsprechenden Impulse bestimmter Frequenz liefert.The arrangement according to the invention can also be used to a greater extent, especially for the purposes of synchronization, such as B. the delivery of voltage pulses or current pulses to the control grid or to the ignition pin for initial ignition a converter vessel in a predetermined time relationship to the period of the Alternating current with which the anode circuit of the converter vessel is fed, by adding a voltage source in the emitter-base circuit of the transistor is provided, which delivers the corresponding pulses of a certain frequency.

Die Anordnung kann weiterhin als Bestandteil einer elektrisch bistabilen Anordnung benutzt werden, wobei der den Arbeitsstrom steuernde Transistor und der mit diesem Strom gespeiste Arbeitswiderstand als Elemente an der Bildung dieser elektrisch bistabilen Anordnung beteiligt sind.The arrangement can also be used as part of an electrically bistable Arrangement are used, with the transistor controlling the operating current and the Working resistance fed with this current as elements in the formation of this electrically bistable arrangement are involved.

Es kann sich eventuell ergeben, daß die von der Anordnung unmittelbar gelieferte Spannung bzw. der von ihr gelieferte Strom für die beabsichtigten Nutzzwecke nicht ausreichend sind. Der von einer bisher beschriebenen Anordnung gelieferte Strom kann dann gegebenenfalls benutzt werden für die Steuerung eines Transistors, der eine nachfolgende Verstärkerstufe in der Anordnung bildet und somit seinerseits über seine Emitter-Kollektor-Strecke erst den eigentlichen Nutzstrom bzw. die Nutzspannung liefert, die in Abhängigkeit von einer Zeitsteuerung geliefert werden. Eine solche Anordnung mit für die Zwecke der Verstärkung nachgeschaltetem Transistor kann auch wieder als Teil einer bistabilen Anordnung benutzt werden. In diesem Falle bildet dann der zweite gesteuerte Transistor das eine Arbeitsglied der bistabilen Schaltung, welches über den ersten Transistor zeitabhängig gesteuert wird. Das zweite Arbeitsglied der bistabilen Schaltung kann dann entweder uriverzögert, z. B. durch eine Handbedienung, oder ebenfalls mittels eines Zeitkreises gesteuert werden. Beispielsweise Anordnungen für die Anwendung der Erfindung veranschaulichen die Figuren der Zeichnung.It may turn out that the arrangement directly supplied voltage or the current supplied by it for the intended use are not sufficient. The one supplied by an arrangement previously described Current can then optionally be used to control a transistor, which forms a subsequent amplifier stage in the arrangement and thus in turn only the actual useful current or the useful voltage via its emitter-collector path supplies which are supplied as a function of a time control. Such An arrangement with a transistor connected downstream for the purpose of amplification can also be used can be used again as part of a bistable arrangement. In this case it forms Then the second controlled transistor is the one working element of the bistable circuit, which is controlled in a time-dependent manner via the first transistor. The second working link the bistable circuit can then either be delayed, e.g. B. by a hand control, or can also be controlled by means of a time circuit. For example, arrangements the figures of the drawing illustrate the application of the invention.

In F i g. 1 ist eine Anordnung gezeigt, bei welcher der Kondensator des Zeitkreises zunächst die Sperr-Spannung im Emitterkreis des Transistors bildet und die Speisung des Emitter-Basis-Kreises stattfindet, sobald bei der Umladung des Kondensators diese Sperrspannung auf den Wert Null abgesunken und anschließend auf einen entsprechenden niedrigen Wert entgegengesetzter Polarität angestiegen ist, so daß in dem Emitter-Basis-Kreis dann ein entsprechender Strom fließt, der zur Öffnung des Transistors in seiner Durchlaßrichtung führt. In dieser Figur bezeichnet 1 den Transistor, für welchen der p-n-p-Typ angenommen ist, 2 den mit dessen Emitter-Kollektor-Strecke in Reihe liegenden Arbeitswiderstand. 3 bezeichnet einen einstellbaren Widerstand und 4 den Kondensator des Zeitkreises. 5 bezeichnet einen Schalter, 6 eine Diode, z. B. einen Trockengleichrichter oder eine Halbleiteranordnung mit p-n-Übergang, beispielsweise auf der Basis des Siliciums als Halbleiter. An den Anschlußpunkten 7 bis 10 der Schaltung liegen Gleichspannungen, beispielsweise mit den angegebenen Werten. Wie aus der Schaltung zu entnehmen ist, liegt im Emitter-Basis-Kreis des Transistors 1 in Reihe mit dem Kondensator 4 des Zeitkreises die Diode 6 derart; daß ihre Durchlaßrichturig mit der der Emitter-Basis-Strecke übereinstimmt.In Fig. 1 shows an arrangement in which the capacitor of the timing circuit initially forms the blocking voltage in the emitter circuit of the transistor and the emitter-base circuit is fed as soon as this blocking voltage has dropped to zero during the charge reversal of the capacitor and then to one corresponding low value of opposite polarity has risen, so that a corresponding current then flows in the emitter-base circuit, which leads to the opening of the transistor in its forward direction. In this figure, 1 denotes the transistor for which the pnp type is assumed, 2 denotes the working resistance lying in series with its emitter-collector path. 3 denotes an adjustable resistor and 4 the capacitor of the timing circuit. 5 denotes a switch, 6 a diode, e.g. B. a dry rectifier or a semiconductor device with pn junction, for example based on silicon as a semiconductor. At the connection points 7 to 10 of the circuit there are direct voltages, for example with the specified values. As can be seen from the circuit, the diode 6 is in the emitter-base circuit of the transistor 1 in series with the capacitor 4 of the timing circuit; that their pass-through corresponds to that of the emitter-base path.

Die Wirkungsweise der Schaltung ist die folgende: Bei geschlossenem Schalter 5 wird der Kondensator 4 so aufgeladen, daß seine obere Belegung positives Potential gegenüber seiner unteren Belegung besitzt. Es fließt zwar gleichzeitig auch ein Strom über den Widerstand 3, der aber von untergeordneter Bedeütung und nur klein ist, wenn der Widerstand 3 entsprechend hochohmig bemessen ist. Jedenfalls ist zunächst die Emitter-Basis-Strecke des Transistors 1 gesperrt, denn es kann wegen des Vorhandenseins des Sperrventils 6 kein Strom über die Strecke fließen, wobei die an dem Kondensator 4 bestehende Spannung so hoch gewählt werden kann, wie es der betriebssicheren Sperrfähigkeit des Ventils 6 entspricht. Wird jetzt der Schalter 5 geöffnet, so kann sich der Kondensator 4 über den Widerstand und die Spannungsquelle, weiche an den Klemmen 10 und 8 der Anordnung liegt; entladen und anschließend mit anderer Polarität aufladen. Hierbei sinkt also die Spannung an dem oberen Belag des Kondensators 4 ab. Sobald die Umladung des Konden-Bators so weit fortgeschritten ist, daß an der unteren Belegung des Kondensators positives Potential entsteht, welches ausreicht; um die Schwellwertspanuung des Ventils 6 und diejenige der mit ihm in Reihe lieg genden Emitter-Basis-Strecke des Transistors l zu überwinden, fließt ein Strom über die Emitter-Basis-Strecke des Transistors 1. Hierdurch wird der Transistor 1 geöffnet; so daß dieser in Richtung seiner Emitter-Kollektor-Strecke durchlässig ist und Strom über den Arbeitswiderstand 2 fließt. Dieser Arbeitswiderstand kann beispielsweise ein Relais sein, welches gesteuert werden soll. Die Zeit, die verstreicht, bis der Kondensator 4 sich auf den Wert umgeladen hat von seinem früheren Sperrspannungswert bis zur Einleitung des Stromes über die Emitter-Basis-Strecke des Transistors 1; ist bestimmt durch die relative Bemessurig des Kondensators 4 und des Widerstandes 3 d. h., sie kann auch durch eine entsprechende Veränderung des Widerstandes 3 eingestellt werden. Ein weiterer Zeittakt der Anordnung bedingt ein Schließen und Öffnen des Schalters 5.The mode of operation of the circuit is as follows: When the switch 5 is closed, the capacitor 4 is charged in such a way that its upper occupancy has a positive potential compared to its lower occupancy. It is true that a current also flows at the same time through the resistor 3, but this is of minor importance and only small if the resistor 3 is dimensioned to have a correspondingly high resistance. In any case, the emitter-base path of the transistor 1 is initially blocked, because no current can flow over the path due to the presence of the shut-off valve 6, whereby the voltage on the capacitor 4 can be selected as high as the reliable blocking capability of the Valve 6 corresponds. If the switch 5 is now opened, the capacitor 4 can be connected via the resistor and the voltage source, which is connected to the terminals 10 and 8 of the arrangement; discharge and then charge with a different polarity. In this case, the voltage on the upper layer of the capacitor 4 drops. As soon as the charge reversal of the capacitor has progressed so far that a positive potential arises at the lower occupancy of the capacitor, which is sufficient; in order to overcome the threshold voltage of the valve 6 and that of the emitter-base path of the transistor l lying in series with it, a current flows through the emitter-base path of the transistor 1. This opens the transistor 1; so that this is permeable in the direction of its emitter-collector path and current flows through the load resistor 2. This working resistance can, for example, be a relay that is to be controlled. The time that elapses until the capacitor 4 has recharged itself to the value of its previous reverse voltage value until the current is introduced via the emitter-base path of transistor 1; is determined by the relative dimensions of the capacitor 4 and the resistor 3, ie it can also be set by changing the resistor 3 accordingly. A further time cycle of the arrangement requires the switch 5 to be closed and opened.

Die F i.g. 2 zeigt ein weiteres Anwendungsbeispiel, wobei im Emitter-Basis-Kreis des Transistors 1 eine besondere Sperrspannungsquelle benutzt ist, die Steuerung des Transistors während des Aufiadevorganges des Kondensators des Zeitkreisgliedes stattfindet und in dem Emitter-Basis-Kreis dessen Kondensator liegt. Es liegt nunmehr in Reihe mit dem Kodensator 4 und der Diode 6 die Sperrspannungsquelle 12. An Stelle eines einfachen Schalters 5 nach F i g. 1 ist ein Umschalter 11 benutzt. Wegen der besonderen Sperrspannungsquelle 12 ist eine andere Bemessung des Spannungswertes an der Klemme 10 der Anordnung notwendig.F ig 2 shows a further application example, wherein a special reverse voltage source is used in the emitter-base circuit of the transistor 1, the control of the transistor takes place during the charging of the capacitor of the timing circuit member and the emitter-base circuit whose capacitor is located. The reverse voltage source 12 is now in series with the capacitor 4 and the diode 6. Instead of a simple switch 5 according to FIG. 1 a changeover switch 11 is used. Because of the special reverse voltage source 12, a different measurement of the voltage value at terminal 10 of the arrangement is necessary.

Die Wirkungsweise dieser Anordnung ist die folgende: Sobald der Schalter 11 sich in der dargestellten Lage befindet, ist der Kondensator 4 kurzgeschlossen. In dem Emitter-Basis-Kreis des Transistors 1 ist jetzt die Sperrspannungsquelle 12 mit der angegebenen Polarität wirksam. Es kann also kein Strom in diesem Kreis fließen, denn die Diode 6 wirkt als Sperrglied. Sobald der Schalter 11 umgeschaltet wird, fließt ein Strom von der Klemme 8 über den Kondensator 4 und den Widerstand 3 zur Klemme 10. Hierdurch erfolgt eine solche Rufladung des Kondensators 4, daß seine untere Belegung positive Polarität und seine obere Belegung entsprechende negative Polarität annimmt. Sobald die an dem Kondensator 4 an der unteren Belegung entstehende positve Spannung den Wert von 70 Volt zuzüglich der Schwellwertspannungen der Emitter-Basis-Strecke des Transistors 1 und der Diode 6 überschreitet, entsteht ein Strom im Emitter-Basis-Kreis des Transistors 1. Hierdurch wird der Transistor geöffnet, und es fließt ein Arbeitsstrom über den Arbeitswiderstand 2. Die Zeitdauer bis zum öffnen des Transistorkreises ist wieder bestimmt durch die Bemessung des vorzugsweise einstellbaren Widerstandes 3 und des Kondensators 4. Ein neues Zeitspiel der Anordnung bedingt ein Umlegen des Schalters 11 zunächst in die untere und dann in die obere Schaltstellung.The mode of operation of this arrangement is as follows: Once the switch 11 is in the position shown, the capacitor 4 is short-circuited. The reverse voltage source is now in the emitter-base circuit of transistor 1 12 effective with the specified polarity. So there can be no electricity in this circle flow because the diode 6 acts as a blocking element. As soon as the switch 11 is switched a current flows from the terminal 8 via the capacitor 4 and the resistor 3 to terminal 10. This causes such a call charge of the capacitor 4 that its lower assignment positive polarity and its upper assignment corresponding adopts negative polarity. As soon as the on the capacitor 4 at the lower occupancy resulting positive voltage has a value of 70 volts plus the threshold voltages the emitter-base path of the transistor 1 and the diode 6 exceeds, arises a current in the emitter-base circuit of transistor 1. This causes the transistor open, and a working current flows through the working resistor 2. The duration until the transistor circuit opens is again determined by the dimensioning of the preferably adjustable resistor 3 and the capacitor 4. A new time game the arrangement requires a flip of the switch 11 first in the lower and then in the upper switch position.

Ein weiteres Anwendungsbeispiel der Erfindung, bei welcher durch eine oder mehrere Spannungsquellen die Sperrspannung im Emitter-Basis-Kreis gebildet wird und nunmehr der Widerstand des Zeitkreisgliedes im Emitter-Basis-Kreis liegt, veranschaulicht die F i g. 3. Der Widerstand 3, welcher dem Zeitkreis 3, 4 angehört, liegt in Reihe mit der Diode 6 im Emitter-Basis-Kreis des Transistors 1. In Reihe mit diesen beiden Gliedern 6 und 3 liegt eine Spannungsquelle 13, die im Sinne der Durchlaßrichtung von 6 und der Emitter-B asis-Strecke des Transistors 1 gepolt ist. Außerdem ist noch eine zweite Spannungsquelle 14 vorhanden. Diese Spannungsquelle 14 hat eine höhere Spannung (z. B. 100 Volt) als die Spannungsquelle 13 (z. B. 30 Volt). In Reihe mit dem Schalter 15 ist ein Widerstand 16 vorgesehen, der bei Betätigung des Schalters 15 an dessen Kontakten eine starke Funkenbildung verhindert.Another application example of the invention, in which by a or several voltage sources form the reverse voltage in the emitter-base circuit and now the resistance of the timing circuit element is in the emitter-base circle, FIG. 3 illustrates. 3. The resistor 3, which belongs to the time circuit 3, 4, is in series with the diode 6 in the emitter-base circuit of the transistor 1. In series with these two members 6 and 3 is a voltage source 13, which in the sense of Forward direction of 6 and the emitter-base path of the transistor 1 is polarized. A second voltage source 14 is also present. This voltage source 14 has a higher voltage (e.g. 100 volts) than the voltage source 13 (e.g. 30 Volt). In series with the switch 15, a resistor 16 is provided, which when actuated the switch 15 prevents strong sparking at its contacts.

Die Wirkungsweise der Schaltung ist die folgende: Solange der Schalter 15 geschlossen ist, sind in dem Emitter-Basis-Kreis die beiden Spannungsquellen 14 und 13 derart wirksam, daß sie gemeinsam eine negative Sperrspannung bilden, denn, wie angegeben, hat die Spannungsquelle 14 eine höhere Spannung als die Spannungsquelle 13, so daß bei der angegebenen Polung der beiden Spannungsquellen eine Sperrspannung an der Diode 6 liegt, also kein Strom im Emitter-Basis-Kreis des Emitters 1 fließt. Sobald der Schaltkontakt 15 geöffnet wird, beginnt die Rufladung des Kondensators 4 von der Spannungsquelle 14 her über den Widerstand 3. Durch den Ladestrom entsteht ein Spannungsabfall an dem Widerstand 3, der der Spannungsquelle 13 entgegenwirkt. Sobald bei der Rufladung des Kondensators 4 der Ladestrom auf einen solchen Wert absinkt, daß der an dem Widerstand 3 entstehende Spannungsabfall den Spannungswert unterschreitet, der bestimmt ist durch die Summe aus dem Spannungswert an der Spannungsquelle 13 und aus den beiden Schwellwertspannungen der Diode 6 und der Emitter-Basis-Strecke des Transistors 1, entsteht ein Steuerstrom im Emitter-Basis-Kreis des Transistors 1, so daß der Transistor 1 an seiner Emitter-Kollektor-Strecke durchlässig wird und ein entsprechender Strom über den Arbeitswiderstand 2 der Anordnung entsteht.The mode of operation of the circuit is as follows: As long as the switch 15 is closed, the two voltage sources 14 and 13 are so effective in the emitter-base circuit that they together form a negative reverse voltage, because, as indicated, the voltage source 14 has one higher voltage than the voltage source 13, so that with the specified polarity of the two voltage sources, a reverse voltage is applied to the diode 6, so no current flows in the emitter-base circuit of the emitter 1. As soon as the switching contact 15 is opened, the charging of the capacitor 4 begins from the voltage source 14 via the resistor 3. The charging current creates a voltage drop across the resistor 3, which counteracts the voltage source 13. As soon as the charging current drops to such a value during the charging of the capacitor 4 that the voltage drop occurring at the resistor 3 falls below the voltage value which is determined by the sum of the voltage value at the voltage source 13 and the two threshold voltages of the diode 6 and the Emitter-base path of the transistor 1, a control current arises in the emitter-base circuit of the transistor 1, so that the transistor 1 is permeable at its emitter-collector path and a corresponding current arises through the working resistor 2 of the arrangement.

Das Beispiel nach F i g. 4 veranschaulicht eine Anordnung, bei welcher die Sperrspannung, weiche der Kondensator zunächst im Emitter-Basis-Kreis bildet, nicht mit der Umladung des Kondensators, sondern mit seiner Entladung in Fortfall kommt. Bei dieser Ausführung sind wieder eine Spannungsquelle 13, eine Spannungsquelle 14 sowie ein Schalter 15 vorhanden.The example according to FIG. 4 illustrates an arrangement in which the reverse voltage, which the capacitor initially forms in the emitter-base circuit, does not cease to exist when the capacitor is recharged, but rather when it is discharged. In this embodiment, a voltage source 13, a voltage source 14 and a switch 15 are again present.

Die Anordnung wirkt in der folgenden Weise: Bei geschlossenem Schalter 15 wird der Kondensator 4 von der Spannungsquelle 14, welche größer bemessen ist als die Spannungsquelle 13, derart aufgeladen, daß seine obere Belegung positive Polarität und seine untere Belegung negative Polarität annimmt. Es sei beispielsweise angenommen, daß die Batterie 14 einen Spannungswert von 100 Volt und die Batterie 13 einen solchen von 30 Volt haben möge. Sobald der Kondensator 4 aufgeladen ist, liefert er im Emitter-Basis-Kreis des Transistors 1 eine Sperrspannung, der die Spannung an der Batterie 13 von kleinerem Wert entgegensteht. Sobald der Schalter 14 geöffnet wird, entlädt sich der Kondensator über den Widerstand 3. Sobald dabei die Spannung an dem Kondensator auf einen solchen Wert abgesunken ist, daß sie unterhalb des Wertes der Spannung der Spannungsquelle 13 zuzüglich den Werten der Schwellwertspannungen an der Emitter-Basis-Strecke des Transistors 1 und der Diode 6 liegt, entsteht ein Strom über die Emitter-B asis-Strecke am Transistor 1. Hierdurch wird der Transistor geöffnet, und es fließt ein Strom über den Widerstand Z. Das Schließen und öffnen des Schalters 15 leitet ein weiteres Zeitspiel der Anordnung ein.The arrangement works in the following way: When the switch 15 is closed, the capacitor 4 is charged by the voltage source 14, which is larger than the voltage source 13, in such a way that its upper assignment assumes positive polarity and its lower assignment negative polarity. It is assumed, for example, that the battery 14 has a voltage value of 100 volts and the battery 13 has a voltage value of 30 volts. As soon as the capacitor 4 is charged, it supplies a reverse voltage in the emitter-base circuit of the transistor 1 , which is opposed by the voltage on the battery 13 of a lower value. As soon as the switch 14 is opened, the capacitor discharges through the resistor 3. As soon as the voltage on the capacitor has dropped to such a value that it is below the value of the voltage of the voltage source 13 plus the values of the threshold voltages at the emitter base -Way of the transistor 1 and the diode 6, a current arises through the emitter-base path at the transistor 1. This opens the transistor, and a current flows through the resistor Z. The closing and opening of the switch 15 conducts another time game of the arrangement.

Die F i g. 5 veranschaulicht ein Beispiel, bei dem eine Anordnung, wie sie in den vorausgehenden Beispielen geschildert worden ist, als Vorstufe benutzt wird für die Speisung einer Endstufe, welche den eigentlichen Arbeitsstrom bzw. die entsprechende Spannung liefert. Die Zeitkreissteuerung entspricht dabei dem Beispiel nach F i g. 1. An, Stelle des Schalters 5 ist in diesem Fall ein Relaikontakt 22 b des Relais 22 getreten. Dieses wird betätigt, sofern der Druckknopfschalter 19 geschlossen wird. Vor dem Betätigen des Schalters 19 befindet sich der Relaiskontakt 22 c, welcher einem Arbeitskreis angehört, der an die Klemmen 20 und 21 angeschlossen ist, in der geöffneten Stellung, während sich der Kontakt 22b in der Schließstellung befindet. Nach dem Geben dieses Kommandos und dem Ansprechen des Relais 22 öffnet dieses Relais den Kontakt 22b, der für die Aufladung des Kondensators 4 geschlossen war, und schließt gleichzeitig seinen Schaltkontakt 22c, so daß der Arbeitskreis über die Klemmen 20 und 21 eingeschaltet wird. Mit der Bedienung des Druckknopfes 19 wurde gleichzeitig durch das Ansprechen des Relais 22 dessen Schaltkontakt 22 a geschlossen.The F i g. 5 illustrates an example in which an arrangement as described in the preceding examples is used as a preliminary stage for feeding an output stage which supplies the actual working current or the corresponding voltage. The time circuit control corresponds to the example according to FIG. 1. Instead of the switch 5, a relay contact 22 b of the relay 22 has occurred in this case. This is actuated if the push button switch 19 is closed. Before the switch 19 is operated, the relay contact 22c, which belongs to a working circuit connected to the terminals 20 and 21 , is in the open position, while the contact 22b is in the closed position. After giving this command and the response of the relay 22, this relay opens the contact 22b, which was closed for charging the capacitor 4 , and at the same time closes its switching contact 22c, so that the working circuit via the terminals 20 and 21 is switched on. With the operation of the push button 19, the switching contact 22 a was closed at the same time by the response of the relay 22.

Der Transistor 1 dieser Anordnung wird in praktisch der gleichen Weise gesteuert, wie es bereits an Hand der F i g. 1 erläutert worden ist. Sobald der Transistor 1 durchlässig wird, entsteht ein entsprechender Strom über den Widerstand 2. Hierdurch entsteht ein Steuerstrom über die Emitter-Basis-Strecke des Transistors 18, so daß dieser Transistor über seine Emitter-Kollektor-Strecke durchlässig wird, wodurch die Wicklung des Relais 17 gespeist wird. Beim Ansprechen des Relais 17 schließt dieses seinen Relaiskontakt 17a und öffnet seinen Relaiskontakt 17b. Durch das Öffnen des Relaiskontaktes 17b wird der Arbeitskreis geöffnet, der an die Klemmen 20 und 21 angeschlossen ist. Durch das Schließen des Relaiskontaktes 17a wird, da, wie bereits angegeben, inzwischen der Schaltkontakt 22a des Relais 22 geschlossen worden war, nunmehr der Transistor 18 an seiner Emitter-Kollektor-Strecke kurzgeschlossen, so daß er gegen irgendwelche äußere Spannungsbeanspruchungen an seiner Ernitter-Kollekor-Strecke geschützt ist. Das Ausführungsbeispiel nach F i g. 6 zeigt eine Schaltung, bei welcher eine erfindungsgemäße Anordnung als Teil einer sogenannten bistabilen Schaltungseinrichtung benutzt ist. Der Teil dieser Schaltungsanordnung, der in die strichpunktierte Umrahmung eingeschlossen ist, entspricht in seinem schaltungsmäßigen Aufbau praktisch demjenigen Teil, welcher in der früher beschriebenen F i g. 5 ebenfalls in eine durch strichpunktierte Linien gebildete Umrahmung eingeschlossen ist. In dieser Schaltung nach F i g. 6 ist also wieder der Transistor 1 vorhanden, in dessen Basis-Emitter-Kreis in Reihenschaltung die Diode 6 und der Kondensator 4 liegen. An die Stelle des einfachen Schalters entsprechend 22 b nach F i g. 5 ist in dieser Schaltung ein Umschalter 24 getreten. In der dargestellten Lage des Schalters, also in der unteren Stellung, verbindet er den Kondensator 4 mit der an den Klemmen 7 und 8 liegenden Spannungsquelle, so daß er derart aufgeladen wird, daß seine obere Belegung positive und seine untere Belegung negative Polarität hat. Wird der Schalter 24 in seine obere Schaltstellung umgelegt, so beginnt die Umladung des Kondensators 4, die schließlich zur Entstehung eines Stromes im Basis-Emitter-Kreis des Transistors 1 führt, so daß dieser geöffnet wird und ein entsprechender Strom von der Klemme 8 über den Widerstand 25, die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 1, den Widerstand 2 und den Widerstand 23 zur Klemme 9/10 entsteht. Diese Schilderung sollte dazu dienen, die praktische übereinstimmung der eingerahmten Teile nach den F i g. 5 und 6 übersehen zu lassen. Im übrigen bilden der Transistor 18 und der Arbeitswiderstand 23 die Glieder der bistabilen Schaltung, deren entsprechende weitere Teile ein Transistor 26 und ein Arbeitswiderstand 27, die Widerstände 28, 29, 30 und 31 sind. Die Widerstände 25 und 30 sowie 28 und 29 bilden jeweils je einen Spannungsteiler, an dessen Abgriff die Basis des Transistors 18 bzw. diejenige des Transistors 26 angeschlossen sind. Der Widerstand 27 entspricht dem Widerstand 23, denn er ist sinngemäß in Reihe geschaltet mit einem Transistor 26, der den Stromfluß über ihn steuert. 23 bzw. 27 können z. B. Wicklungen von Relais, Steuerwicklungen oder Widerstände sein, an denen eine Steuerspannung abgenommen wird. 32 bezeichnet einen Kommandoschalter und 33 einen Begrenzungswiderstand für den Strom; der im Emitter-Basis-Kreis des Transistors 26 über diesen Schalter zur Entstehung gelangt. Um die Wirkungsweise der Schaltung verständlich zu machen; sei davon ausgegangen, daß der Schalter 32 geschlossen wird. Hierdurch fließt ein Strom von der Klemme 8 über den Widerstand 31, die Emitter-Basis-Strecke des Transistors 26 und den Strombegrenzungswiderstand 33 zurück zur Klemme 9/10 der Spannungsquelle. Hierdurch wird der Transistor 26 durchlässig, und es kann ein Strom entstehen von der Klemme 8 über den Widerstand 31, die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 26 und den Arbeitswiderstand 27 zurück zur Klemme 9/10 der Spannungsquelle. In diesem Zustand von 26 kann der Schalter 32 wieder geöffnet werden, ohne daß der Zustand der Durchlässigkeit von 26 verändert wird. Mit der Entstehung eines Steuerstromes über die Basis-Emitter-Strecke des Transistors 26 entsteht gleichzeitig ein Stromlauf über den Widerstand 29 und den Arbeitswiderstand 23 zur Klemme 9/10. Dieser Stromlauf bleibt sinngemäß auch bestehen, wenn der Schalter 32 geöffnet wird bzw. geöffnet ist. Während der Transistor 26 durchlässig ist, ist gleichzeitig der Transistor 18 gesperrt. Das ergibt sich aus den nachfolgenden Verhältnissen: Die Basiselektrode des Transistors 18 liegt, wie bereits angeführt, an dem Spannungsteiler, der zwischen den Klemmen 8 und 9/10 der Spannungsquelle in Form der Widerstände 27, 30 und 25 gebildet wird. Der Punkt P1 der Schaltung, der praktisch der Kollektorelektrode des Transistors 26 entspricht, und der Punkt P2, dessen Potential praktisch demjenigen der Emitterelektrode des Transistors 26 entspricht, haben praktisch das gleiche Potential, sobald der Transistor 26 an seiner Emitter-Kollektor-Strecke durchlässig ist. Unter diesem Gesichtspunkt liegen die Widerstände 31 und die Reihenschaltung aus den Widerständen 30 und 25 praktisch parallel an der gleichen Spannung, wobei die Verbindungsleitung von 31 und 25 positives Potential hat. Es ist dann zu erkennen, daß an dem Punkt P, der Schaltung, also zwischen den Widerständen 25 und 30 bzw. an der Basiselektrode des Transistors 18 ein positiveres Potential herrscht als an der Emitterelektrode des Transistors 18. Das bedeutet aber, da ein p-n-p-Transistor angenommen ist, daß die Emitter-Basis-Strecke des Transistors 18 gesperrt ist. Das ist der eine stabile Zustand der Schaltungsanordnung.The transistor 1 of this arrangement is controlled in practically the same way as it is already based on FIG. 1 has been explained. As soon as the transistor 1 becomes permeable, a corresponding current is generated through the resistor 2. This creates a control current through the emitter-base path of the transistor 18, so that this transistor becomes permeable through its emitter-collector path, whereby the winding of the relay 17 is fed. When the relay 17 responds, it closes its relay contact 17a and opens its relay contact 17b. Opening the relay contact 17b opens the working circuit that is connected to terminals 20 and 21. By closing the relay contact 17a, since, as already stated, the switching contact 22a of the relay 22 had meanwhile been closed, the transistor 18 is now short-circuited at its emitter-collector path, so that it is protected against any external voltage stresses on its emitter-collector -Course is protected. The embodiment according to FIG. 6 shows a circuit in which an arrangement according to the invention is used as part of a so-called bistable circuit device. The part of this circuit arrangement which is enclosed in the dash-dotted frame corresponds in its circuit structure practically to that part which is shown in FIG. 5 is also enclosed in a frame formed by dash-dotted lines. In this circuit according to FIG. 6 there is again the transistor 1, in whose base-emitter circuit the diode 6 and the capacitor 4 are connected in series. Instead of the simple switch corresponding to 22 b according to FIG. 5 a changeover switch 24 has occurred in this circuit. In the illustrated position of the switch, i.e. in the lower position, it connects the capacitor 4 to the voltage source connected to the terminals 7 and 8 , so that it is charged in such a way that its upper assignment is positive and its lower assignment is negative. If the switch 24 is moved to its upper switch position, the charge reversal of the capacitor 4 begins, which ultimately leads to the creation of a current in the base-emitter circuit of the transistor 1, so that it is opened and a corresponding current from the terminal 8 via the Resistor 25, the emitter-collector path of transistor 1, resistor 2 and resistor 23 to terminal 9/10 is created. This description should serve to the practical correspondence of the framed parts according to the F i g. 5 and 6 to be overlooked. In addition, the transistor 18 and the working resistor 23 form the members of the bistable circuit, the corresponding further parts of which are a transistor 26 and a working resistor 27, the resistors 28, 29, 30 and 31. The resistors 25 and 30 as well as 28 and 29 each form a voltage divider, to whose tap the base of the transistor 18 and that of the transistor 26 are connected. The resistor 27 corresponds to the resistor 23 because it is connected in series with a transistor 26 which controls the flow of current through it. 23 and 27 can, for. B. be windings of relays, control windings or resistors at which a control voltage is taken. 32 denotes a command switch and 33 a limiting resistor for the current; which occurs in the emitter-base circuit of the transistor 26 via this switch. To make the operation of the circuit understandable; assume that switch 32 is closed. As a result, a current flows from terminal 8 via resistor 31, the emitter-base path of transistor 26 and current limiting resistor 33 back to terminal 9/10 of the voltage source. This makes the transistor 26 permeable, and a current can arise from the terminal 8 via the resistor 31, the emitter-collector path of the transistor 26 and the load resistor 27 back to the terminal 9/10 of the voltage source. In this state of FIG. 26, the switch 32 can be opened again without the state of permeability of FIG. 26 being changed. With the development of a control current through the base-emitter path of the transistor 26, a current flow through the resistor 29 and the working resistor 23 to the terminal 9/10 is created at the same time. This current flow remains in effect when the switch 32 is opened or is open. While the transistor 26 is permeable, the transistor 18 is blocked at the same time. This results from the following relationships: The base electrode of transistor 18 is, as already mentioned, on the voltage divider, which is formed between terminals 8 and 9/10 of the voltage source in the form of resistors 27, 30 and 25. The point P1 of the circuit, which practically corresponds to the collector electrode of the transistor 26, and the point P2, whose potential corresponds practically to that of the emitter electrode of the transistor 26, have practically the same potential as soon as the transistor 26 is permeable at its emitter-collector path . From this point of view, the resistors 31 and the series connection of the resistors 30 and 25 are practically in parallel at the same voltage, the connecting line of 31 and 25 having a positive potential. It can then be seen that at point P, of the circuit, i.e. between resistors 25 and 30 or at the base electrode of transistor 18, there is a more positive potential than at the emitter electrode of transistor 18. However, this means that a pnp- Transistor is assumed that the emitter-base path of the transistor 18 is blocked. This is the one stable state of the circuit arrangement.

Die Schaltung läßt sich nun in den anderen stabilen Zustand überführen, indem das bewegliche Schaltorgan des Umschalters 24 in die obere Schaltstellung umgelegt wird. Es wird dann, wie bereits in der Eingangserläuterung der F i g. 6 geschildert wurde, der Kondensator 4 umgeladen und der Transistor 1 durchlässig, so daß von dem Punkt 8 der Spannungsquelle aus über den Widerstand 25; die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 1 und die Arbeitswiderstände 2 und 23 ein entsprechender Strom entsteht. Zusätzlich zu demjenigen Strom, der über 25 bereits fließt, weil 25 integrierender Bestandteil des Spannungsteilers 25 bis 30 ist, fließt nunmehr der weitere Strom über den Transistor 1, den Widerstand 2 und den Arbeitswiderstand 23. Der Spannungsabfall, der an 25 entsteht, wird daher nun wesentlich größer als vorher, und zwar auch größer als derjenige Spannungsabfall, der an dem Widerstand 31 der Schaltung entstand. Hierdurch nimmt der Punkt P., der Schaltung positives Potential gegenüber dem Punkt P3 der Schaltung an. Es entsteht daher ein Steuerstrom im Emitter-Basis-Kreis des Transistors 18, so daß der Transistor 18 an seiner Emitter-Kollektor-Strecke für den Stromdurchgang durchlässig wird. Es kann daher nun unmittelbar ein Strom von dem Anschlußpunkt 8 der Spannungsquelle über den Widerstand 31, den Transistor 18 und den Widerstand 33 zurück zur Anschlußklemme 9/10 der Spannungsquelle fließen. Sobald der Transistor 18 aber durchlässig wird, hat seine Kollektorelektrode und damit der Punkt P4 der Schaltung praktisch das Potential der Emitterelektrode und damit dasjenige des Punktes P2 der Schaltung. Zwischen den Punkten P5 und P4 liegen nunmehr der Widerstand 31 und der Spannungsteiler, bestehend aus den Widerständen 28 und 29, parallel. Hierdurch wird der Punkt P, der Schaltung positiv gegenüber dem Punkt P2 der Schaltung, wodurch die Emitter-Basis-Strecke des Transistors 26 gesperrt wird, da die Basis nunmehr positiv vorgespannt ist gegenüber der Emitterelektrode. Die Schaltung befindet sich also nunmehr in dem zweiten stabilen Zustand. Ein besonderes Merkmal der geschilderten Schaltung ist, daß mit dem Durchlässigwerden des Transistors 18 der Strom über die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 1 und den Widerstand 2 praktisch aufhört, so daß der Transistor 1 bei einem Schaltvorgang der bistabilen Anordnung nur ganz kurzzeitig in Betrieb ist, da nach dem Durchlässigwerden des Transistors 18 an der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 1 praktisch keine Spannung liegt. Die Schaltung hat weiter noch das Merkmal, da der Transistor 1 inzwischen für jedwede Funktion zunächst unwirksam geworden ist, daß der Umschalter 24 wieder aus seiner oberen Stellung in die untere Schaltstellung übergeführt wird, ohne daß an dem Zustand der bistabilen Schaltung irgendeine weitere Änderung vor sich geht, außer der vorteilhaften Wirkung, daß nach dem überführen des Umschalters in die neue Schaltstellung kein Strom mehr über den Widerstand 3 fließt, der als Element des Zeitkreises 3, 4 für die Einschaltung des Transistors 1 wirksam war.The circuit can now be transferred to the other stable state by moving the movable switching element of the changeover switch 24 to the upper switching position. As already explained in the introduction to FIG. 6 was described, the capacitor 4 reloaded and the transistor 1 permeable, so that from the point 8 of the voltage source via the resistor 25; the emitter-collector path of the transistor 1 and the load resistors 2 and 23 a corresponding current is generated. In addition to the current that already flows through 25 because 25 is an integral part of the voltage divider 25 to 30, the further current now flows through the transistor 1, the resistor 2 and the load resistor 23. The voltage drop that occurs at 25 is therefore now much greater than before, and indeed greater than the voltage drop that occurred across resistor 31 of the circuit. As a result, point P. of the circuit assumes a positive potential compared to point P3 of the circuit. There is therefore a control current in the emitter-base circuit of the transistor 18, so that the transistor 18 is permeable to the passage of current at its emitter-collector path. A current can therefore now flow directly from the connection point 8 of the voltage source via the resistor 31, the transistor 18 and the resistor 33 back to the connection terminal 9/10 of the voltage source. As soon as the transistor 18 becomes permeable, however, its collector electrode and thus the point P4 of the circuit practically has the potential of the emitter electrode and thus that of the point P2 of the circuit. Resistor 31 and the voltage divider, consisting of resistors 28 and 29, are now parallel between points P5 and P4. As a result, the point P, of the circuit becomes positive with respect to the point P2 of the circuit, whereby the emitter-base path of the transistor 26 is blocked, since the base is now positively biased with respect to the emitter electrode. The circuit is now in the second stable state. A special feature of the circuit described is that when the transistor 18 becomes conductive, the current through the emitter-collector path of the transistor 1 and the resistor 2 practically ceases, so that the transistor 1 is only in operation for a very short time when the bistable arrangement is switched is because after the transistor 18 has become conductive, there is practically no voltage at the collector-emitter path of the transistor 1. The circuit also has the feature, since the transistor 1 has meanwhile become ineffective for any function, that the changeover switch 24 is transferred again from its upper position to the lower switch position without any further change in the state of the bistable circuit goes, except for the advantageous effect that after moving the switch to the new switch position, no more current flows through the resistor 3, which was effective as an element of the timing circuit 3, 4 for switching on the transistor 1.

Die Schaltungsanordnung läßt sich nunmehr erneut in denjenigen stabilen Zustand überführen, in welchem der Transistor 26 durchlässig ist und der Transistor 18 gesperrt ist, wenn der Druckknopfschalter 32 kurzzeitig für sein Schließen betätigt wird. Wegen seiner kurzzeitigen Funktion hat der Druckknopfschalter in der üblichen Weise ein Kraftspeicherorgan, welches ihn selbsttätig in die Ausschaltstellung zurückführt. Das in F i g. 6 dargestellte AusehxungsbeispieI veranschaulicht auch im Sinne der grundsätzlichen allgemeinen Schilderung der Erfndutg eine Anordnung, bei welcher der eine stabile Zustand der Schaltungsanordnung in den anderen durch eine Handbedienung unmiitelbar stattfindet, während die Überführung aus diesem stabilen Zustand in den früheren stabilen Zustand in Abhängigkeit von dem Schließen eines ebenfalls handbedienten, oder selbsttätig in einer Einrichtung wirksam werdenden Ümsclalters stattfindet, jedoch abhängig von dem Ablauf eines durch diesen Schalter in Wirkung gesetzten Zeltkreisgliedes. Ein sinngemäßes Zeitkreisglied kann aber auch be nutzt werden, um den Arbeitsstrom über den Arbeitswiderstand 27 entsprechend zu steuern.The circuit arrangement can now be stable again Transfer state in which the transistor 26 is conductive and the transistor 18 is blocked when the push button switch 32 is briefly actuated to close it will. Because of its short-term function, the push-button switch has the usual Way, a force storage device, which automatically returns it to the switch-off position. The in Fig. 6 illustrated AusehxungsbeispieI also illustrates in the sense of basic general description of the Erfndutg an arrangement in which the one stable state of the circuit arrangement in the other through a manual operation takes place directly, while the transition from this stable state to the earlier stable state depending on the closing of one also manually operated, or automatically in a facility that becomes effective Ümsclalters takes place, however, depending on the expiration of a switch in effect set tent circle member. A corresponding time circuit member can also be used to control the working current via the working resistor 27 accordingly.

Claims

Claims: 1. Arrangement for time-dependent control of a current or a voltage by means of a transistor, its emitter-collector path is connected to a supply voltage source via a working resistor and at which the desired time interval. the loading, unloading or reloading of a Capacitor of an RC element in the emitter-base circuit is determined, characterized in that that a valve is connected between the base of the transistor and the RC timing element whose forward direction corresponds to that of the emitter-base path.

2. Arrangement according to Claim 1, characterized in that the capacitor of the RC element lies in the emitter-base circle.

3. Arrangement according to claim 1, characterized in that that the resistance of the RC element is in the emitter-base circuit of the transistor.

4. Arrangement according to claim 1, characterized in that capacitor and resistor of the RC element are connected in parallel and itn emitter-base circuit of the transistor lie.

5. Arrangement according to claim 2, 3 or 4, characterized in that between The valve and the RC element are connected to a DC voltage source through which the emitter-base path and the valve are biased in the forward direction.

6. Arrangement according to one of the Claims 1 to 5, characterized in that the transistor together with further active and passive components forms a bistable tilting element. Into consideration Extracted publications: German Patent No. 943 6 (i0; German Auslegeschrift S 43420 VIIIb / 21c (published on May 30, 1956); Belgian patent specification no. 524189; K r e t z m a n n, »Handbook of Industrial Electronics«, Berlin-Borsigwalde 1954; 5,146; "Der Elektromeister" magazine, 1956, issue 14, p. 522; magazine "Elektroanzeiger Essen", 1956, issue 9, pages 89/90.