DE1172324B - Transistor mixer circuit - Google Patents

Transistor mixer circuit

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DE1172324B
DE1172324B DEN19368A DEN0019368A DE1172324B DE 1172324 B DE1172324 B DE 1172324B DE N19368 A DEN19368 A DE N19368A DE N0019368 A DEN0019368 A DE N0019368A DE 1172324 B DE1172324 B DE 1172324B
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DE
Germany
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circuit
frequency
transistor
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Pending
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DEN19368A
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German (de)
Inventor
Pieter Bikker
Hermanus Jacobus Ni Adalbertus
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
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Publication of DE1172324B publication Critical patent/DE1172324B/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/12Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
  • Circuits Of Receivers In General (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

DEUTSCHESGERMAN

PATENTAMTPATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Internat. Kl.: H03dBoarding school Class: H03d

Deutsche Kl.: 21 a4-24/01 German class: 21 a4- 24/01

Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Number:
File number:
Registration date:
Display day:

N19368 IXd/21 a4
27. Dezember 1960
18. Juni 1964
N19368 IXd / 21 a4
December 27, 1960
June 18, 1964

Die Erfindung bezieht sich auf eine Transistor-Mischschaltung für zwei verhältnismäßig weit voneinander entfernte Frequenzbereiche, z. B. 41 bis 68 MHz und 174 bis 216 MHz, bei der die Zwischenfrequenz nur wenig niedriger als die niedrigste Empfangsfrequenz ist, zwischen zwei Elektroden des Transistors ein Hochfrequenzkreis eingeschaltet ist und die Hochfrequenzsignale und die Oszillatorschwingungen der gleichen Elektrode (z. B. der Basis) des Transistors zugeführt werden. Solche Verhältnisse liegen insbesondere vor beim Empfang von mehr als eine Oktave voneinander entfernten Frequenzbereichen in Fernsehempfängern, die sowohl für Band I (41 bis 68 MHz) als auch für Band III (174 bis 216 MHz) eingerichtet sind.The invention relates to a transistor mixer circuit for two relatively far apart frequency ranges, e.g. B. 41 to 68 MHz and 174 to 216 MHz, at which the intermediate frequency is only slightly lower than the lowest receiving frequency is, a high-frequency circuit is connected between two electrodes of the transistor and the high frequency signals and the oscillator vibrations of the same electrode (e.g. the base) of the transistor are supplied. Such conditions exist especially when receiving frequency ranges more than an octave apart in television receivers that use both for band I (41 to 68 MHz) as well as for band III (174 to 216 MHz).

Bei Mischschaltungen ist es bekannt, parallel zum Eingangskreis des Mischtransistors und somit parallel zum Kreis, der auf die zu empfangenden Hochfrequenzsignale abgestimmt ist und dem die Ortsoszillatorsignale zugeführt werden, einen sogenannten Saug-■kreis zu schalten, der so bemessen ist, daß sich für die Zwischenfrequenzsignale Reihenresonanz ergibt. Bei der Vorrichtung nach der Erfindung hat dieser Saugkreis, eine Reihenschaltung einer Spule und eines Kondensators, einen zweifachen Zweck. Zunächst ist er erforderlich, um die Mischsteilheit des Transistors zu steigern. Der Koppelkondensator, der in den Eingangskreis zwischen einem aus einer Spule und einem Kondensator aufgebauten Parallelkreis und dem Mischtransistor eingeschaltet ist, hat für die Frequenz, auf die der Zwischenfrequenzkreis abgestimmt ist, eine verhältnismäßig große Impedanz. Ohne Saugkreis würde die Zwischenfrequenzkomponente des den Eingangskreis durchfließenden Stromes, der sich durch Überlagerung des Ortsoszillatorstromes und des Hochfrequenzsignalstromes ergibt, in diesem Eingangskreis einen verhältnismäßig großen Widerstand erfahren, wodurch die Zwischenfrequenzsignalspannung zwischen den Eingangselektroden des Mischtransistors und infolgedessen die Mischsteilheit verhältnismäßig klein sein würden.In the case of mixer circuits, it is known to be parallel to the input circuit of the mixer transistor and thus in parallel to the circuit that is tuned to the high-frequency signals to be received and to which the local oscillator signals are supplied to switch a so-called suction circuit ■ which is dimensioned so that for the intermediate frequency signals result in series resonance. In the device according to the invention this has Suction circuit, a series connection of a coil and a capacitor, serve a dual purpose. First it is necessary to increase the mixing slope of the transistor. The coupling capacitor that into the input circuit between a parallel circuit made up of a coil and a capacitor and the mixer transistor is switched on, has tuned for the frequency to which the intermediate frequency circuit is a relatively large impedance. Without a suction circuit, the intermediate frequency component would of the current flowing through the input circuit, which is created by superimposing the local oscillator current and the high frequency signal current results in a relatively large resistance in this input circuit learn the intermediate frequency signal voltage between the input electrodes of the Mixing transistor and, as a result, the mixing steepness would be relatively small.

Zweitens ist der Saugkreis erforderlich, um die Zwischenfrequenzdurchlaßkurve unabhängig von der Rückwirkung zu machen, denn die Signale im Zwischenfrequenzausgangskreis des Mischtransistors erzeugen durch Rückwirkung über eine parasitäre Transistorkapazität beim Fehlen eines Saugkreises eine Zwischenfrequenzspannung zwischen den Eingangselektroden des Mischtransistors, die ihrerseits ein zusätzliches Signal im Ausgangskreis erzeugt, was die Form der Zwischenfrequenzdurchlaßkurve beeinflußt. Second, the suction circuit is required to make the intermediate frequency transmission curve independent of the To make retroactive effect, because the signals in the intermediate frequency output circuit of the mixer transistor generate by reaction via a parasitic transistor capacitance in the absence of a suction circuit an intermediate frequency voltage between the input electrodes of the mixer transistor, which in turn generates an additional signal in the output circuit, which affects the shape of the intermediate frequency transmission curve.

Transistor-MischschaltungTransistor mixer circuit

Anmelder:Applicant:

N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, EindhovenN.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven

(Niederlande)(Netherlands)

Vertreter:Representative:

Dipl.-Ing. E. E. Walther, Patentanwalt,Dipl.-Ing. E. E. Walther, patent attorney,

Hamburg 1, Mönckebergstr. 7Hamburg 1, Mönckebergstr. 7th

Als Erfinder benannt:Named as inventor:

Pieter Bikker,Pieter Bikker,

Adalbertus Hermanus JacobusAdalbertus Hermanus Jacobus

Nieveen van Dijkum, Nijmegen (Niederlande) - -Nieveen van Dijkum, Nijmegen (Netherlands) - -

Die Anbringung eines Saugkreises ist jedoch mit einigen Nachteilen verbunden. Ein Saugkreis hat nämlich eine enge Bandbreite, wodurch die vorstehend erwähnte Rückwirkung nur in einem verhältnismäßig engen Frequenzbereich keinen Einfluß auf die Form der Zwischenfrequenzdurchlaßkurve ausübt. Außerdem bildet der Saugkreis zusammen mit der Eingangskapazität des Mischtransistors einen Parallelkreis, der Signalen mit Frequenzen, die zu den niedrigsten Kanälen im Band I gehören, dennoch eine erhebliche Aufschaukelung erteilen kann, wodurch sich die Hochfrequenzdurchlaßkurve in unerwünschter Weise ändert.However, the attachment of a suction circuit is associated with some disadvantages. Has a suction circuit namely a narrow bandwidth, whereby the above-mentioned retroactive effect only in a proportionate way narrow frequency range does not affect the shape of the intermediate frequency transmission curve exercises. In addition, the suction circuit forms one together with the input capacitance of the mixer transistor Parallel circuit, the signals with frequencies that belong to the lowest channels in band I, nevertheless can give a significant boost, whereby the high frequency transmission curve changes undesirably.

Bei einer Transistor-Mischschaltung der eingangs erwähnten Art werden diese Nachteile vermieden, wenn gemäß der Erfindung ein Widerstand verhältnismäßigen niedrigen Wertes der Spule eines in an sich bekannter Weise an die Elektrode (z. B. die Basis) des Mischtransistors geschalteten Zwischenfrequenzsaugkreises parallel geschaltet ist.In a transistor mixer circuit of the type mentioned at the outset, these disadvantages are avoided, if according to the invention a resistance of relatively low value of the coil one in on in a known manner to the electrode (z. B. the base) of the mixer transistor connected intermediate frequency suction circuit is connected in parallel.

Diese Ergebnisse werden nicht erreicht, wenn der Widerstand parallel zum Kondensator des Saugkreises geschaltet wird, weil die Impedanz des so gedämpften Saugkreises zwar für die mittlere Frequenz, auf die der Zwischenfrequenzausgangskreis abgestimmt ist, den gleichen Wert hat, wie wenn dieser Widerstand parallel zur Spule geschaltet wäre. Diese Impedanz nimmt jedoch bei höheren Frequenzen erheblich zu, so daß der Saugkreis für die niedrigsten Kanäle in Band I kaum eine Dämpfung bedeutet.These results are not achieved if the resistor is in parallel with the capacitor of the suction circuit is switched because the impedance of the damped suction circuit for the middle frequency, to which the intermediate frequency output circuit is tuned has the same value as when this one Resistor would be connected in parallel to the coil. However, this impedance increases significantly at higher frequencies to, so that the suction circuit for the lowest channels in band I means hardly any attenuation.

409 600/273409 600/273

Claims (1)

3 43 4 Im Frequenzbereich von Band III wird der Saug- Nachteile weniger störend, weil nicht nur der Parkreis durch den Widerstand parallel zur Spule im allelkreis 6, 7, 12 eine vernachlässigbare ImpedanzIn the frequency range of band III, the suction disadvantages are less disturbing, because not only the parking price due to the resistance parallel to the coil in the allele circuit 6, 7, 12 a negligible impedance Saugkreis viel weniger gedämpft als im Frequenz- hat, sondern auch weil jetzt die EingangsimpedanzSuction circuit is attenuated much less than in frequency, but also because the input impedance is now bereich von Band I. Die Eingangsimpedanz des des Transistors 1 viel kleiner ist als für Frequenzenrange of band I. The input impedance of the transistor 1 is much smaller than for frequencies Mischtransistors ist in diesem Bereich jedoch so 5 im Band I. Umschaltung der Oszillatorfrequenz vonMixing transistor is in this area, however, so 5 in band I. Switching the oscillator frequency from niedrig, daß die Hochfrequenzdurchlaßkurve dennoch einem Band auf das andere und von einem Kanal auflow that the high-frequency transmission curve is still one band on top of the other and from one channel nicht beeinflußt wird. den anderen erfolgt durch Austausch der Spule 17.is not affected. the other is done by replacing the coil 17. Die Erfindung wird nachstehend an Hand des Für die Schaltelemente werden z. B. die folgendenThe invention is described below with reference to the For the switching elements z. B. the following Prinzipschaltbildes nach F i g. 1 und des eingehender Werte gewählt:Basic circuit diagram according to FIG. 1 and the incoming values chosen: ausgeführten Ausführungsbeispiels nach Fig. 2 io Kondensator 4 0,5 bis 2pFExecuted embodiment according to Fig. 2 io capacitor 4 0.5 to 2pF naher erläutert. v ' „ " explained in more detail. v '"" In F i g. 1 werden dem aus einer Spule 3 und Kondensator 5 4,7 pFIn Fig. 1 are made up of a coil 3 and capacitor 5 4.7 pF einem Kondensator 4 aufgebauten Hochfrequenz- Kondensator 7 47 pFa capacitor 4 built high frequency capacitor 7 47 pF parallelkreis 2, dessen nicht mit Erde verbundenes Kondensator 9 1 pFparallel circuit 2, whose capacitor is not connected to earth 9 1 pF Ende über einen Koppelkondensator 5 mit der Basis 15 Kondensator 18 0,5 bis 2 pFEnd via a coupling capacitor 5 to the base 15 capacitor 18 0.5 to 2 pF des Mischtransistors 1 verbunden ist, Hochfrequenz- Kondensator 21 18 pFof the mixing transistor 1 is connected, high-frequency capacitor 21 18 pF signale aus der Quelle 13 zugeführt. Umschaltung c 1U .. , ,.. , n.. TT signals from the source 13 supplied. Switchover c 1U ..,, .., n .. TT von einem Kanal auf den anderen und von einem Selbstinduktion 6 0,44 μΗfrom one channel to the other and from a self-induction 6 0.44 μ Η Band auf das andere erfolgt durch Austausch der Selbstmduküon 19 0,25 μΡTape to the other is done by exchanging the self-adhesive 19 0.25 μΡ Spule 3. Die von einem Ortsoszillator 10 herrühren- 20 Widerstand 8 470 OhmCoil 3. The result of a local oscillator 10 - 20 resistance 8 470 ohms den Signale werden über einen sehr kleinen Kondensator 9 mit den Eingangselektroden des Mischtran- Die Transistoren sind vom Typ, bei dem in gesistors 1 gekoppelt. Zwischen dem Emitter und der erdeter Emitterschaltung der Eingangswiderstand bei Basis des Transistors 1 ist ein aus einer Reihenschal- 60 MHz etwa 300 Ohm und bei 200 MHz etwa tung einer Spule 6 und eines Kondensators 7 be- 25 30 Ohm beträgt, während die Eingangskapazität bei stehender Saugkreis angebracht. Gemäß der Erfin- diesen Frequenzen etwa 30 bzw. etwa 10 pF ist.
dung wird die Spule 6 durch einen verhältnismäßig p ,
kleinen Widerstand 8 überbrückt. Der Widerstand ratentansprucn:
dämpft den Saugkreis 6, 7 in so hohem Maße, daß Transistor-Mischschaltung für zwei verhältnisdie Rückwirkung des Zwischenfrequenzkreises 11 30 mäßig weit voneinander entfernte Frequenzüber die Kollektor-Basis-Kapazität des Mischtran- bereiche, z. B. 41 bis 68 MHz und 174 bis sistors 1 zum Hochfrequenzkreis 2 ein vernachlässig- 216 MHz, bei der die Zwischenfrequenz nur bares Zwischenfrequenzsignal zwischen Emitter und wenig niedriger als die niedrigste Empfangsfre-Basis des Transistors 1 in einem verhältnismäßig quenz ist, zwischen zwei Elektroden des Tranbreiten Frequenzbereich erzeugt, wodurch die Durch- 35 sistors ein Hochfrequenzkreis eingeschaltet ist laßkurve des Zwischenfrequenzkreises 11 von Saug- und die Hochfrequenzsignale und die Oszillatorkreis 6, 7 nicht verformt wird. Außerdem sorgt der schwingungen der gleichen Elektrode (z. B. der Widerstand 8 dafür, daß der aus dem Saugkreis 6, 7 Basis) des Transistors zugeführt werden, da- und der Eingangsstreukapazität 12 des Transistors 1 durch gekennzeichnet, daß ein Widerbestehende Parallelkreis, der im Frequenzbereich des 40 stand verhältnismäßig niedrigen Wertes der Spule Bandes I (41 bis 68 MHz) noch eine verhältnismäßig eines in an sich bekannter Weise an diese Elekgroße Impedanz hat und die Durchlaßkurve des trode (Basis) des Mischtransistors geschalteten Hochfrequenzkreises 2, wenn dieser auf einen Kanal Zwischenfrequenzsaugkreises parallel geschal-
The signals are connected to the input electrodes of the mixer via a very small capacitor 9. The transistors are of the type in which the transistor 1 is coupled. Between the emitter and the grounded emitter circuit, the input resistance at the base of the transistor 1 is a series circuit 60 MHz about 300 ohms and at 200 MHz about a coil 6 and a capacitor 7 is 25 30 ohms, while the input capacitance when standing Suction circuit attached. According to the invention, these frequencies are approximately 30 and approximately 10 pF, respectively.
tion is the coil 6 by a relatively p ,
small resistor 8 bridged. The resistance claim:
attenuates the suction circuit 6, 7 to such an extent that transistor mixing circuit for two relatively B. 41 to 68 MHz and 174 to sistor 1 to the high frequency circuit 2 a negligible- 216 MHz, at which the intermediate frequency is only Bares intermediate frequency signal between the emitter and a little lower than the lowest frequency base of the transistor 1 in a relatively quenz, between two electrodes of the wide frequency range generated, whereby the transistor 35 sistor is turned on a high-frequency circuit laßkurve of the intermediate frequency circuit 11 of suction and the high-frequency signals and the oscillator circuit 6, 7 is not deformed. In addition, the vibrations of the same electrode (e.g. the resistor 8 ensure that the transistor from the suction circuit 6, 7 base) are fed, and the input stray capacitance 12 of the transistor 1 characterized in that a resisting parallel circuit, the In the frequency range of 40 there was a relatively low value of the coil band I (41 to 68 MHz) still a relatively one in a manner known per se to this electrode has an impedance and the transmission curve of the trode (base) of the mixer transistor switched high-frequency circuit 2, if this is on a Channel intermediate frequency suction circuit connected in parallel
im Band I abgestimmt ist, ungünstig beeinflußt, er- tet ist. is coordinated in Volume I, adversely affected, is ered. heblich gedämpft wird, wodurch die Durchlaßkurve 45is significantly attenuated, whereby the transmission curve 45 des Hochfrequenzkreises ihre erwünschte Form bei- In Betracht gezogene Druckschriften:the desired form of the high-frequency circuit. behält. Deutsche Patentschrift Nr. 712 805;retains. German Patent No. 712 805; Für die Kanäle im Band III ist diese Dämpfung USA.-Patentschriften Nr. 1703 079, 1724 915,For the channels in band III, this attenuation is USA patents No. 1703 079, 1724 915, zwar viel geringer, aber hier sind die erwähnten 2166274.much less, but here are the 2166274 mentioned. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings 409 600/273 6.64 © Bundesdruckerei Berlin409 600/273 6.64 © Bundesdruckerei Berlin
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