DE1160773B

DE1160773B - Process for the production of ferrites for storage and switching purposes

Info

Publication number: DE1160773B
Application number: DET19627A
Authority: DE
Inventors: Dipl-Ing Siegfried Schaefer; Dr-Ing Sigfrid Schweizerhof
Original assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Current assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date: 1961-02-07
Filing date: 1961-02-07
Publication date: 1964-01-02
Also published as: FR1315347A

Description

Verfahren zur Herstellung von Ferriten für Speicher- und Schaltzwecke Die Erfindung hat eine Verbesserung von Ferriten zum Ziel, die für die Speicherung oder Durchschaltung von digitalen Informationen Verwendung finden. Von solchen Werkstoffen verlangt man bekanntlich eine möglichst rechteckförmige Magentisierungsschleife mit verhältnismäßig kleiner Koerzitivkraft und einen möglichst raschen Ablauf des Ummagnetisierungsprozesses.Process for the production of ferrites for storage and switching purposes The invention aims to improve ferrites that are useful for storage or switching through digital information can be used. From such materials As is well known, what is required is a magentizing loop that is as rectangular as possible with a relatively small coercive force and the fastest possible expiry of the Magnetization reversal process.

Beim digitalen Speicher benutzt man den einen der beiden Remanenzzustände eines Ferritkerns zur Markierung der binären »Eins«, den anderen zur Markierung der »Null«. Das Einschreiben und Auslesen der Eins erfolgt durch Ummagnetisierung des Ferritkerns von der Remanenz zur entgegengesetzten Sättigung mit Hilfe eines Feldimpulses der Größe H (mit festgelegter kurzer Anstiegszeit und ausreichender Länge). Die dabei induzierte Lesespannung V, (t) zeigt das Vorhandensein einer Eins an und wird daher schlechthin auch als »Eins« bezeichnet (im Falle eines Schalters dient V1 zur Durchgabe einer Eins). Ein von der Remanenz zur Sättigung derselben Polarität zurückführender Feldimpuls H induziert die wesentlich kleinere Lesespannung Vz(t). Sie zeigt die binäre Null an und wird daher selbst auch als »Null« bezeichnet. Bei einem idealen Werkstoff soll sie natürlich überhaupt nicht auftreten. Lesespannungen, die von partiellen, abmagnetisierenden Feldimpulsen Hd < H induziert werden, werden als Störspannungen Vd bezeichnet. Da sie bei der Speicherung oder Schaltung im Koinzidenzverfahren eine schädliche Rolle spielen, sollen sie möglichst klein sein.In digital storage, one of the two remanence states of a ferrite core is used to mark the binary "one", the other to mark the "zero". The one is written and read out by reversing the magnetization of the ferrite core from remanence to opposite saturation with the aid of a field pulse of size H (with a fixed short rise time and sufficient length). The reading voltage V, (t) induced in the process indicates the presence of a one and is therefore simply referred to as "one" (in the case of a switch, V1 is used to transmit a one). A field pulse H leading back from remanence to saturation of the same polarity induces the much smaller read voltage Vz (t). It shows the binary zero and is therefore also referred to as "zero" itself. In the case of an ideal material, it should of course not occur at all. Read voltages induced by partial, demagnetizing field pulses Hd < H are referred to as interference voltages Vd. Since they play a detrimental role in storage or switching in the coincidence method, they should be as small as possible.

Sämtliche genannten Lesespannungen hängen von der Größe des angewandten Feldimpulses H ab, und diese hat bezüglich des Auflösungsvermögens, d. h. bezüglich des Verhältnisses V,/ V, (bzw. V,1 V,1), ein Optimum. Die Lesespannungen hängen ferner von der Größe und der Anzahl der störenden Feldimpulse Ha ab. Bei Koinzidenzbetrieb (Zweifachkoinzidenz) ist Hd = 1i/2; unter ungünstigen Betriebsbedingungen kann der Störimpuls jedoch diesen Wert überschreiten. In diesen Fällen führt der Störimpuls bereits in das irreversible Knie der Entmagnetisierungskurve hinein, wobei die remanente Induktion absinkt und als Folge davon die »ungestörte« Eins uVl auf den »gestörten« Wert dVi abnimmt und die »ungestörte «Null uVz auf den »gestörten« Wert dVz ansteigt. Ferner kann im praktischen Gebrauch ein Speicher- oder Schaltkern vor seiner Ummagnetisierung sehr oft in der geschilderten Weise gestört werden. Hierbei summiert sich die Wirkung mehrerer aufeinanderfolgender Störungen in asymptotischer Weise auf, so daß nach einer gewissen Anzahl von Störungen, die vom Werkstoff und der Größe der Störung abhängt, ein Endzustand erreicht wird.All of the reading voltages mentioned depend on the size of the applied field pulse H, and this has an optimum in terms of resolution, ie in terms of the ratio V, / V, (or V, 1 V, 1). The read voltages also depend on the size and number of the interfering field pulses Ha . With coincidence operation (double coincidence), Hd = 1i / 2; However, under unfavorable operating conditions, the interference pulse can exceed this value. In these cases the interference pulse already leads into the irreversible knee of the demagnetization curve, whereby the remanent induction drops and as a result the "undisturbed" one uVl decreases to the "disturbed" value dVi and the "undisturbed" zero uVz to the "disturbed" Value dVz increases. Furthermore, in practical use, a memory or switching core can very often be disturbed in the manner described before it is remagnetized. Here the effect of several successive disturbances adds up in an asymptotic manner, so that after a certain number of disturbances, which depends on the material and the size of the disturbance, a final state is reached.

Eine weitere wichtige dynamische Kenngröße eines Speicher- oder Schaltkerns ist seine »Schaltzeit« z. Hierunter wird die Zeitdauer der Lesespannung V, (t) verstanden, wenn diese durch einen Feldimpuls genügend großer »Dachlänge« tD und genügend kleiner Anstiegszeit tA induziert wird (tD > -c > tA). Genauer wird a definiert durch die Differenz zwischen den Zeitpunkten, in denen die Lesespannung beim Anstieg und beim Abfall 10 °/o ihres Spitzenwertes durchläuft. Je kleiner z ist, desto rascher kann ein Speicher eingeschrieben und ausgelesen werden bzw. ein Schaltkern eine Information weiterleiten. Von Wichtigkeit ist neben a jedoch auch der sonstige zeitliche Ablauf der Spannungen V1, Vz und Va. Im Interesse der praktischen Auslesbarkeit der Information ist es wünschenswert, daß die Signale Vz und Vd bereits weitgehend abgeklungen sind, wenn V1 (t) zur Zeit tp das Maximum erreicht; es ist daher auch günstig, wenn das Maximum von V, (t) innerhalb der Schaltzeit i verhältnismäßig spät durchlaufen wird. Die F i g. 1 und 2 zeigen schematisch den zeitlichen Ablauf der besprochenen Feldimpulse und Lesespannungen.Another important dynamic parameter of a memory or switching core is its "switching time" z. This is understood to mean the duration of the reading voltage V, (t) when it is induced by a field pulse of sufficiently large "roof length" tD and a sufficiently small rise time tA (tD > -c > tA). More precisely, a is defined by the difference between the times at which the read voltage passes 10% of its peak value as it rises and falls. The smaller z, the faster a memory can be written in and read out or a switching core can forward information. In addition to a, however, the other time sequence of the voltages V1, Vz and Va is also important. In the interests of the practical readability of the information, it is desirable that the signals Vz and Vd have largely subsided when V1 (t) at time tp das Maximum reached; it is therefore also favorable if the maximum of V, (t) is passed through relatively late within the switching time i. The F i g. 1 and 2 show schematically the timing of the field pulses and read voltages discussed.

Üblicherweise betreibt man Speicher- und Schaltelemente mit Feldimpulsen, deren Dach länger ist als die oben definierte »natürliche« Schaltzeit a des betreffenden Kerns. Dies hat seinen Grund darin, daß bei Impuls-Dachlängen tD, die etwa gleich z oder kleiner sind, der Kern nicht mehr voll umklappt, und daß daher das Signal dVi kleiner wird und zugleich die Signale dVz und Vd in ihrem irreversiblen Teil größer werden.Usually storage and switching elements are operated with field pulses, whose roof is longer than the "natural" switching time a defined above for the relevant one Kerns. The reason for this is that with impulse roof lengths tD, which are approximately the same z or smaller, the nucleus is no longer fully folded, and therefore the signal dVi becomes smaller and at the same time the signals dVz and Vd in their irreversible part grow.

Das erfindungsgemäße Verfahren hat eine wesentliche Verbesserung des dynamischen Verhaltens von Speicher- und Schaltkernen auf der Basis der zur Zeit hauptsächlich verwendeten Mangan-Magnesium-Ferrite zum Ziel. Es ist dadurch gekennzeichnet, daß dem Grundferrit an sich bekannter Zusammensetzung ein Zusatz von 0,1 bis 1,0 Gewichtsprozent Wolframoxyd oder ein entsprechender Zusatz einer bei höherer Temperatur in Wolframoxyd übergehenden anderen Wolframverbindung hinzugefügt wird. Besonders günstige Verhältnisse werden durch Zusätze zwischen 0,1 und 0,5 Gewichtsprozent Wolframoxyd erzielt.The inventive method has a significant improvement in dynamic behavior of Storage and switching cores on the base the currently mainly used manganese-magnesium ferrites is the target. It is characterized in that the base ferrite has a composition known per se Addition of 0.1 to 1.0 percent by weight of tungsten oxide or a corresponding additive another tungsten compound which turns into tungsten oxide at a higher temperature will be added. Particularly favorable ratios are achieved by adding between 0.1 and 0.5 percent by weight tungsten oxide achieved.

Es ist zwar bekannt, daß durch einen Zusatz von Wolframoxyd zu Ferriten, z. B. Mangan-Zink-Ferriten, Einfluß auf den Fe304-Gehalt des Ferrits genommen werden kann. Der Fachmann kann hieraus allenfalls den Schluß ziehen, daß sich auf diese Weise vielleicht eine Erhöhung der Anfangspermeabilität erreichen läßt. Er kann jedoch keinen Schluß auf die von den Erfindern entdeckte günstige Wirkung von kleinen Wolframoxydzusätzen hinsichtlich einer Verkürzung der Schaltzeit und einer Verbesserung der Rechteckform der Hystereseschleife bei speicherfähigen Mangan-Magnesium-Ferriten ziehen.It is known that by adding tungsten oxide to ferrites, z. B. Manganese-zinc ferrites, influence on the Fe304 content of the ferrite can. The skilled person can at most draw the conclusion that on this Way, perhaps an increase in the initial permeability can be achieved. He can however, no conclusion as to the beneficial effect of small ones discovered by the inventors Tungsten oxide additives with a view to reducing the switching time and improving it the rectangular shape of the hysteresis loop for storable manganese-magnesium ferrites draw.

Selbst wenn man nun eine Erhöhung der Anfangspermeabilität auf Grund der obengenannten bekannten Anschauung annimmt, hängt nach neueren Untersuchungen die Schaltgeschwindigkeit nur unwesentlich von der mit der Anfangspermeabilität in Zusammenhang stehenden Zahl und Beweglichkeit der Blockwände ab. Ferner ist es bekannt, daß der Schaltkoeffizient von Ferriten, dem die Schaltzeit proportional ist, im allgemeinen mit steigender Koerzitivkraft des Ferrites etwas abnimmt. Da aber andererseits die Koerzitivkraft mit steigender Permeabilität bekanntlich abnimmt, kann der Fachmann von einer Steigerung der Permeabilität durch geeignete Zusätze allenfalls eine Vergrößerung, nicht aber eine Verkleinerung der Schaltzeit erwarten.Even if one is now due to an increase in the initial permeability assuming the above known notion depends on recent research the switching speed is only insignificantly different from that with the initial permeability related number and mobility of the log walls. Furthermore it is known that the switching coefficient of ferrites, to which the switching time is proportional is, generally decreases somewhat with increasing coercive force of the ferrite. There but on the other hand the coercive force is known to decrease with increasing permeability, those skilled in the art can expect an increase in permeability through suitable additives at best expect an increase, but not a reduction in the switching time.

Auch eine Verschärfung des Rechteckschleifencharakters von Mangan-Magnesium-Ferriten durch Wolframoxydzusätze ist aus dem vorbekannten Einfiuß auf den Fe304-Gehalt nach dem derzeitigen Erkenntnisstand nicht abzuleiten.Also a tightening of the rectangular loop character of manganese-magnesium ferrites by the addition of tungsten oxide, the previously known in ﬂ uence on the Fe304 content can be seen cannot be derived from the current state of knowledge.

Das erfindungsgemäße Verfahren bewirkt vor allem eine Stabilisierung des Speicherinhaltes bzw. der Signalspannung dV, gegenüber einem störenden, abmagnetisierenden Feld Hd, verbunden mit einer entsprechenden Verkleinerung der unerwünschten Signalspannungen dV, und Vd in ihrem spät ablaufenden, irreversiblen Teil. Dies bedeutet eine entsprechend bessere Aufrechterhaltung des Auflösungsvermögens des Speicher- oder Schaltelements bei verschlechterten Betriebsbedingungen, z. B. bei einer relativ starken, ungewollten Verschiedenheit der beiden koinzidierenden Schalt-Teilströme. Das erfindungsgemäße Verfahren bewirkt ferner eine Verkleinerung der Schaltzeit »r. Darüber hinaus hat sich gezeigt, daß die eingeschriebene Information selbst dann noch verhältnismäßig stabil gegen Störimpulse ist, wenn die Dauer des schaltenden Feldimpulses nur von der Schaltzeit z oder noch kürzer ist. Dies erklärt sich daraus, daß das erfindungsgemäß hergestellte Ferrit selbst bei einer infolge Zeitmangels unvollständigen magnetischen Umklappung ein noch verhältnismäßig scharfes Entmagnetisierungsknie hat. Das Verfahren bringt schließlich auch noch Vorteile für die Technologie des Sinterprozesses : Die erforderliche Sintertemperatur kann herabgesetzt werden. Dies ist nicht nur ganz allgemein erwünscht, sondern gestattet auch den Übergang auf drahtge«vickelte Ofentypen, die wirtschaftlicher und gasdichter sind als solche mit Halbleiter-Heizelementen. Außerdem zeigen die erfindungsgemäßen Ferrite eine geringere Abhängigkeit ihrer Eigenschaften von der Sintertemperatur, so daß der Sinterprozeß entsprechend weniger kritisch wird als der des Grundferrits.The method according to the invention primarily brings about stabilization of the memory content or the signal voltage dV, compared to a disruptive, demagnetizing Field Hd, associated with a corresponding reduction in the undesired signal voltages dV, and Vd in their late-running, irreversible part. This means one accordingly better maintenance of the resolving power of the memory or switching element with deteriorated operating conditions, e.g. B. with a relatively strong, unwanted Difference between the two coinciding switching partial currents. The inventive The method also brings about a reduction in the switching time »r. In addition, has it has been shown that the written information is still proportionate even then is stable against interference pulses if the duration of the switching field pulse is only the switching time z or even shorter. This is explained by the fact that the invention produced ferrite even with an incomplete magnetic one due to lack of time Umklappung has a relatively sharp demagnetization knee. The procedure finally also brings advantages for the technology of the sintering process: The required sintering temperature can be reduced. This is not just generally desirable, but also allows the transition to wire-wound Furnace types that are more economical and more gas-tight than those with semiconductor heating elements. In addition, the ferrites according to the invention show less dependence on them Properties of the sintering temperature, so that the sintering process is correspondingly less becomes more critical than that of the basic ferrite.

Das folgende Beispiel zeigt die günstige Wirkung des erfindungsgemäßen Verfahrens.The following example shows the beneficial effect of the invention Procedure.

Ein Grundferrit mit 42,9 Molprozent Fe203, 21,9 Molprozent MnO und 35,2 Molprozent MgO wird in der üblichen Weise aufbereitet: Nach einer ersten Naßmahlung der gemischten Ausgangsstoffe (Magnesium-Ferrit, Mangan-Karbonat und Eisenoxyd) in einer Kugelmühle und nach einer Vorreaktion des getrockneten Gemisches bei 940=C an Luft folgt ein zweiter Mahlprozeß, wonach das Pulver mit etwa 1 Gewichtsprozent eines organischen Bindemittels versetzt und dann granuliert wird. Die hieraus mit einem Druck von etwa 2 t/cm2 gepreßten Kerne werden schließlich 2 Stunden 1350 C an Luft gesintert und anschließend in einer Stickstoffatmosphäre mit weniger als 0,1 Volumprozent Sauerstoff abgekühlt. Die Kerne können auch zunächst an Luft abgekühlt werden, und die erforderliche Abkühlung in Stickstoff kann in einem anderen Ofen nach einer nochmaligen Erhitzung auf weniger hohe Temperaturen nachgeholt werden.A base ferrite with 42.9 mole percent Fe 2 O 3, 21.9 mole percent MnO and 35.2 mole percent MgO is prepared in the usual way: After a first wet grinding the mixed raw materials (magnesium ferrite, manganese carbonate and iron oxide) in a ball mill and after a pre-reaction of the dried mixture at 940 ° C A second grinding process follows in air, after which the powder is about 1 percent by weight an organic binder is added and then granulated. The one from here Cores pressed at a pressure of about 2 t / cm2 finally reach 1350 ° C. for 2 hours sintered in air and then in a nitrogen atmosphere with less than 0.1 volume percent oxygen cooled. The cores can also first be cooled in air and the required cooling in nitrogen can be done in another furnace be made up after a renewed heating to less high temperatures.

Die Herstellung des zu vergleichenden erfindungsgemäßen Ferritkerns unterscheidet sich in diesem Beispiel dadurch, daß dem Grundferrit vor der zweiten Mahlung ein Zusatz von 0,25 Gewichtsprozent W03 zugeführt und dann sehr gründlich mit eingemahlen wird.The manufacture of the ferrite core according to the invention to be compared differs in this example in that the base ferrite is before the second Grinding an addition of 0.25 percent by weight W03 added and then very thoroughly is ground in.

Die Meßkurven der F i g. 3 und 4 gestatten einen Qualitätsvergleich zwischen dem Grundferrit üblicher Zusammensetzung und Herstellungsweise (gestrichelte Kurven) und dem erfindungsgemäß angewandelten Ferrit (ausgezogene Kurven). Die Messungen sind an Löchern von 0,6 mm Durchmesser in Ferritplatten von 0,8 mm Dicke durchgeführt, die von je einem Magnetisierungs- und einem Lesedraht durchfädelt sind. Es sei bemerkt, daß im Fall von etwa vergleichbaren dünnwandigen Ringkernen die Signalspannungen aus physikalischen Gründen ein etwas günstigeres Auflösungsvermögen und einen etwas schnelleren Ablauf zeigen würden, daß jedoch die Unterschiede zwischen den beiden verglichenen Ferritsorten in ähnlichem Maße in Erscheinung treten würden.The measurement curves of FIG. 3 and 4 allow a quality comparison between the base ferrite of the usual composition and production method (dashed Curves) and the ferrite applied according to the invention (solid curves). The measurements are carried out on holes 0.6 mm in diameter in ferrite plates 0.8 mm thick, each threaded through by a magnetizing wire and a reading wire. It should be noted that in the case of approximately comparable thin-walled toroidal cores the signal voltages for physical reasons a somewhat better resolution and a somewhat faster expiration would show that, however, the differences between the two compared ferrite types would appear to a similar extent.

F i g. 3 zeigt die Lesespannungen uVl, dVl(tp) und dVZ(tp) der beiden Ferrite in Abhängikeit von der Amplitude i des Schaltstromes. Dieser hat eine Anstiegszeit von 0,2 #ts und eine Dachlänge von 6 #ts. Der Störstrom I,i beträgt 60"/, des Schaltstromes, stellt also eine verhältnismäßig starke Störung dar. dV, ist nach sechsmaliger, dV, nach dreimaliger Störung gemessen, und zwar im Zeitpunkt tp, in dem die ungestörte Eins icVl ihr Maximum durchläuft. Diese auch in der Praxis näherungsweise angewendete Art des Auslesens ergibt ein optimales Auflösungsvermögen dVl/dVz für die Unterscheidung zwischen Eins und Null. Die gestörte Eins cl V1 zeigt beim Erreichen eines gewissen Stromwertes (i"@u@) das bekannte Abfallen von der schwach gekrümmten Kurve der ungestörten Eins uVi, wobei gleichzeitig die gestörte Null dbz(tp) stark anzusteigen beginnt. Die Überschreitung von i"," führt also zu einem raschen Abfall des Auflösungsvermögens, das bei dieser Stromstärke seinen größten nutzbaren Wert durchläuft. Der Vergleich der Meßkurven von F i g. 3 zeigt deutlich, daß das erfindungsgemäße Ferrit eine größere maximale Auflösung ermöglicht als das Grundferrit (nämlich 70: 2 gegen 38: 1,5), wobei der erforderliche Schaltstrom nur wenig gesteigert werden muß (nämlich von 290 auf 330 mA).F i g. 3 shows the read voltages uVl, dVl (tp) and dVZ (tp) of the two ferrites as a function of the amplitude i of the switching current. This has a rise time of 0.2 #ts and a roof length of 6 #ts. The interference current I, i is 60 "/, of the switching current, so it represents a relatively strong interference. DV, is measured after six times, dV, after three times, namely at the point in time tp at which the undisturbed one icVl passes its maximum. This type of reading, which is also used approximately in practice, results in an optimal resolution dVl / dVz for the distinction between one and zero. When a certain current value (i "@ u @) is reached, the disturbed one cl V1 shows the well-known decrease from the slightly curved one Curve of the undisturbed one uVi, with the disturbed zero dbz (tp) beginning to rise sharply at the same time. Exceeding i "," leads to a rapid decrease in the resolution, which passes through its greatest useful value at this current strength. The comparison of the measurement curves from FIG. 3 clearly shows that the ferrite according to the invention enables a greater maximum resolution than the basic ferrite (namely 70: 2 versus 38: 1.5), the required switching current only having to be increased slightly (namely from 290 to 330 mA).

F i g. 4 zeigt die Schaltzeit i und die Spitzenzeit tp der beiden Ferrite in Abhängigkeit vom Schaltstrom 1. Man erkennt, daß durch das erfindungsgemäße Verfahren die kleinste nutzbare Schaltzeit des Grundferrits von 2,30 t.s auf 1,75 &.s herabgesetzt wird. Gleichzeitig bleibt die Spitzenzeit tp, zu der die Eins ihr Maximum durchläuft und die Auslesung erfolgt, fast unverändert. Dieses Verhalten ist für das Auflösungsvermögen günstig, da die relativ größeren reversiblen Anfangsspannungen der unerwünschten Lesesignale dYZ(t) und Vd(t) vor der Auslesung schon weitgehend abgeklungen sind. Wird der erfindungsgemäße Ferrit des Beispiels mit Stromimpulsen einer Dachlänge tD = 1,2 #ts geschaltet, also mit tD < z, so zeigt sich noch keine merkliche Verringerung des Auflösungsvermögens. Die praktisch nutzbare Schaltzeit ist also noch kleiner als die natürliche Schaltzeit -c des Ferrits.F i g. 4 shows the switching time i and the peak time tp of the two ferrites as a function of the switching current 1. It can be seen that the method according to the invention reduces the smallest useful switching time of the basic ferrite from 2.30 ts to 1.75 s. At the same time, the peak time tp, at which the one passes its maximum and the reading takes place, remains almost unchanged. This behavior is favorable for the resolution, since the relatively higher reversible initial voltages of the undesired read signals dYZ (t) and Vd (t) have largely subsided before the readout. If the ferrite according to the invention of the example is switched with current pulses with a roof length tD = 1.2 #ts, that is to say with tD < z, there is still no noticeable reduction in the resolving power. The switching time that can be used in practice is therefore even shorter than the natural switching time -c of the ferrite.

Die Höhe der Sintertemperatur des erfindungsgemäßen Ferrits ist unkritischer als die des Grundferrits. Sie kann daher auch unter diejenige des Grundferrits gesenkt werden, so daß die Sinterung noch im drahtgewickelten Öfen erfolgen kann.The level of the sintering temperature of the ferrite according to the invention is less critical than that of the basic ferrite. It can therefore also be reduced below that of the basic ferrite so that the sintering can still take place in the wire-wound furnace.

In dem oben besprochenen Beispiel wurde der Wolframoxydzusatz dem Grundferrit während des Aufbereitungsprozesses zugegeben. Es hat sich aber gezeigt, daß dieser Zusatz auch auf andere Weise erfolgen kann. So kann man das Wolframoxyd dem Grundferrit beispielsweise erst nach seiner Formgebung vor dem Sintern durch Imprägnieren des Kerns mit einer Ammonium-Wolframat-Lösung angepaßter Konzentration hinzufügen. Man kann den Wolframzusatz aber auch durch Aufdampfen oder Eindiffusion einer Wolframverbindung während der Sinterung in den Ferritkern einbringen.In the example discussed above, the tungsten oxide addition was the Base ferrite added during the preparation process. But it has been shown that this addition can also be made in other ways. So you can get the tungsten oxide the base ferrite, for example, only after it has been shaped before sintering Impregnation of the core with an ammonium tungstate solution of an appropriate concentration Add. But you can also add tungsten by vapor deposition or diffusion introduce a tungsten compound into the ferrite core during sintering.

Claims

Claims: 1. Method for improving the electrical properties and to lower the required reaction temperature of ferrites based on manganese-magnesium with rectangular magnetizing loop for storage or switching digital information, d a - characterized in that the base ferrite is known per se Composition an addition of 0.1 to 1.0 percent by weight of tungsten oxide or a Corresponding addition of another which turns into tungsten oxide at a higher temperature Tungsten compound is added.

2. The method according to claim 1, characterized in that that tungsten oxide is added to the base ferrite preferably before the last wet grinding process is added, ensuring a particularly even distribution.

3. Method according to Claim 1 or 2, characterized in that the tungsten additive the base ferrite only after it has been shaped by impregnation before sintering an ammonium tungstate solution of adapted concentration is added.

4. Procedure according to claim 1 or 2, characterized in that the tungsten oxide content by Vapor deposition and diffusion introduced into the ferrite part during sintering will.

5. Process according to claims 1 to 4, characterized in that the Sintering of the molded ferrite parts in air takes place and their cooling in one neutral protective gas with less than 0.1 volume percent oxygen content.

6. Procedure according to claims 1 to 5, characterized in that the molded ferrite parts sintered and cooled in a first fire in air and then a second fire at a lower temperature in air with subsequent cooling in a neutral one Protective gas with an oxygen content of less than 0.1 percent by volume. In Considered publications: P a 1 a t z k y, "Technische Keramik", 1954, p. 121 to 125; Annalen der Physik, 20, pp. 337ff, (1957); Brit. Proc. Inst. El. Closely, 104, Part B, soup. No.

7, pp. 422-427 (1957); Journal of Applied Physics, 12, p. 364 ff. (1960).