DE1146539B - Magnetische Speicher-Matrix unter Verwendung von duennem magnetischem Film - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine magnetische Speicher-Matrix unter Verwendung von dünnem magnetischem Film und von Trägern, auf denen eine Mehrzahl dünner Film-Magnetkörper aufgebracht ist, wobei gegebenenfalls Nuten zum Einlegen von X-Leitern und Γ-Leitern entlang der Reihe und Spalte der Speicher-Matrix vorgesehen sind und wobei jeder der X-Leiter und F-Leiter als Mittel zum Zuführen des Informationssignals oder des Auslesesignals zu der Speicher-Matrix und für die Entnahme des Ausgangssignals aus der Speicher-Matrix verwendet wird.

Die bisher bekannten Matrizen-Speichergeräte bestehen aus wulstförmigen Magnetkernen M geringer Größe mit rechteckiger Hysteresischarakteristik, z. B. aus Ferritkernen, die beispielsweise gemäß Fig. 1 angeordnet sind, wobei durch entsprechende Z-Leiter oder Reihenleiter und Γ-Leiter oder Spaltenleiter Impulsströme etwas geringerer Größe als die Koerzitivkraft Hc zum Fließen gebracht werden. Dabei wurde der Speicherinhalt ausgelesen durch Feststellung der Änderungen in den Zuständen der Magnetkerne an den Kreuzungsstellen. Diese Feststellung erfolgte in der Weise, daß das Auftreten oder nicht Auftreten eines Ausgangssignals in dem Ausgangsleiter Z festgestellt wurde. Die Verwendung eines Ferritkernes als Magnetkern geringer Größe hat jedoch den Nachteil, daß jeder der Auswahlleiter und Ausleseleiter X, Y, Z durch den Kern geführt werden muß, wofür bei der Herstellung der Teile einer Matrize erheblicher Aufwand erforderlich ist. Auch Geräte mit dünnen Schichten aus Magnetmetall, wie z. B. Permalloy, mit Schnellschaltcharakteristik für die Beschleunigung der Zugriffzeit des Speichergerätes haben Nachteile. So ist zu deren Herstellung eine besondere Maschine und eine besondere Technik erforderlich. Außerdem muß die Schicht unterhalb einer gewissen Mindestdicke hergestellt werden. Es sind Speichergeräte entwickelt, bei denen Permalloy verwendet ist. Diese Geräte weisen jedoch in den meisten Fällen Nachteile auf, wie geringe Ausgangsspannung, Schwierigkeit in der Anordnung der Leiter zur Bildung der Matrizen und Schwierigkeiten bezüglich der Erzielung gleichmäßiger Charakteristiken.

Es ist auch bereits ein bistabiles magnetisches Speicherelement mit Vorzugsrichtung aus einem anisotropen Werkstoff mit nahezu rechteckiger Hysteresisschleife vorgeschlagen worden, welches aus einem dünnen Film besteht, der auf einem ebenen Träger aufgebracht ist. Nachteilig ist dabei, daß jedes der Speicherelemente einen offenen Magnetkreis bildet, so daß Information-Einschreibesignale nur durch verhältnismäßig starke Eingangssignale erreichbar sind Magnetische Speicher-Matrix

unter Verwendung von dünnem magnetischem

Film

Anmelder:

Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha, Tokio

Vertreter: Dr.-Ing. E. Maier, Patentanwalt,
München 22, Widenmayerstr. 4

Beanspruchte Priorität:

Japan vom 26. Oktober 1959 und 29. August 1960
(Nr. 33 496 und Nr. 36 075)

Shintaro Oshima, Musashino-Shi,
Hajime Enomoto, Ichikawa-Shi,
Kakuo Futami, Toshihiko Kobayashi, Mitaka-Shi, und Tetsusaburo Kamibayashi,

Shinza-Machi, Kitaadachi-Gun, Saitama-Ken (Japan), sind als Erfinder genannt worden

und die erhaltenen Ausgansgsignale so gering sind, daß sie nicht ohne weiteres als Signal für ein anderes Schaltelement verwendbar sind. Aus diesem Grunde sind diese Geräte auch leicht durch äußere Magnetfelder beeinflußbar. Um mit diesen Geräten eine stabile Arbeitsweise zu erreichen, ist die Verwendung von Magnetkernen mit extrem gleichmäßiger Charakteristik und möglichst leicht magnetisierbarer Achse erforderlich.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Speicher-Matrix der obengenannten Art zu schaffen, bei welcher ein hoher Wirkungsgrad erreichbar ist und bei welcher die Ausgangssignale groß sind, so daß sie als Arbeitssignal für andere Schaltelemente verwendet werden können und durch äußere Magnetfelder nur wenig beeinflußt werden. Weiterhin ergibt sich bei der erfindungsgemäßen Speicher-Matrix ein hohes Verhältnis von Nutzspannung zu Störspannung. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß zwei mit Speicher-Matrizen gleicher konstruktiver Ausbildung und gleicher Lage versehene Trägerschichten derart angeordnet sind, daß die eine Speicher-Matrix ent-

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haltende Ebene einer Trägerschichi'derjenigen einer ,· "Eine ebene'polierte Unterlage 1, welche in ihrer anderen Trägerschicht entgegengerichtet ist, und zwar Oberfläche wechselweise senkrechte Reihen von Nuten jede der aufgebrachten Speicherflächen abwechselnd 2 a und 2 b aufweist,. welche für die Aufnahme von so, als ob sie Spiegelbilder sind, daß gleichzeitig ent- _v, Reihenleitern und Spaltenleitern und dünnschichtiger lang der Reihe der Speicher-Matrix X-Leiter derart 5 Magnetkörper 3 vorgesehen sind, welche quer durch angeordnet sind, daß'jeder "einzelne X-Leiter durch ein die Nuten 2a und 2b mit der notwendigen Reinheit ihn bedeckendes Isojiajfonsmaterial isoliert und durch durch irgendein Verfahren, wie z. B. Zerstäubung oder entsprechende gegenüberliegende Speicherelemente ein- elektrolytische Ablagerung, niedergeschlagen worden geschlossen-wird, und daß.F-Leiter 'derart angeordnet sind.

sind, daß jeder einzelne F-Leiter.durch ein ihn bedek- io Es werden zwei solcher Unterlagen hergestellt, auf kendes Isolationsmateriai isoliert.. und durch ent- denen die Magnetschichtstücke 3 so abgelagert sind, sprechende an der Berührungsstelle mit jedem X-Leiter daß sich wechselweise Spiegelbilder ergeben. Darauf gegenüberhegende ^ Speicherelemente eingeschlossen werden, wenn die beiden genannten Unterlagen wechwird, wodurch jedes .zusammengehörige Paar der seiweise mit. ihren. Stirnflächen in Kontakt gebracht magnetischen Filme einen nahezu vollständig geschlos- 15 werden, durch die sich gegenüberliegenden Magnete senen Magnetkreis ^-taldet. Die erfindungsgemäße schichtkörper 3 an den Schnittpunkten der Nuten 2a Speicher-Matrix ist im übrigen verhältnismäßig leicht und 2b geschlossene Magnetkreise gebildet, wodurch herzustellen und weifet hur verhältnismäßig geringe eine Matrizenanordnung erhalten wird, wie sie in den Größen auf. :ΎτΓ."^:" Abb. 3A und 3B dargestellt ist. Auf diese Weise kann

Die Erfindung ist im folgenden an Hand der Zeich- 20 lediglich durch das Einsetzen von Reihenleitern X₁, nung an mehreren Ausführungsbeispielen näher er- X₂ ... in die Nuten 2a, wie in Abb. 3B dargestellt, und läutert. In der Zeichnung sind gleiche oder ähnliche durch Gruppenleiter F₁, F₃, ... in die Nuten 2b ein Teile mit gleichen Bejz^gszeichen versehen. Es zeigt einfaches Speichergerät zusammengesetzt werden.

Abb. 1 eine vereinfachte schematische Darstellung Wenn Abtastleiter, wie z. B. Leiter Z, für Funktionen, eines üblichen Matrizgn-Speichergerätes, ν as wie das Auslesen, notwendig sind, kann die Zahl der

Abb. 2A und 2B eine Draufsicht und eine Seiten- Nuten vergrößert werden, wie bei 2c in Abb. 4 und 5 ansieht einer bevorzugten Ausführung des Trägers, auf gezeigt. ■ 1

dem die Speicher-Matrix und die Nuten gemäß der In dem oben beschriebenen und dargestellten Äjtfs-

Erfindung angeordnet'sind, ' führungsbeispiel sind die Nuten 2a, 2b, 2c usw. für

Abb. 3 A und 3B^: eine Draufsicht und eine Seiten- 30 das Einsetzen der Leiter in zwei Unterlagen vorgesehen, ansieht eines bevorzugten Ausführungsbeispiels der die sich symmetrisch gegenüberliegen. In einer AbErfindung, ' Wandlung kann aber eine der Unterlagen nur mjt

Abb. 4, 5· und 6 Draufsichten^;auf mehrere Ausfüh- Nuten 2a für die Durchführung der Reihehleiter JT₁, rungsbeispiele des Trägers gemäß der Erfindung, X₂, ... versehen sein, während die andere Unterlage

Abb. 7 eine Darstellung für die Erläuterung der 35 mit Nuten für die Durchführung der Spaltenleiter F₁^ Zusammensetzung eines üblichen Speichergerätes mit F₂, ... und anderer Leiter vorgesehen ist und wobei einem Doppelmagnefkern zur Speicherung eines ein- die Unterlagen in Flächenkontakt angeordnet sind, wie zelnen Binärsignals, *- ^; in Abb. 6 dargestellt ist. Bei einer weiteren Abwand^

Abb. 8 und 9 grafische Darstellungen der Wellen- lung können die Magnetschichtkörper auf jeder Unterform der ImpulsströHieund die Hysteresisschleife zur 4° lage in Form eines Buchstabens X abgelagert sein, wie Erklärung der grundlegenden Wirkung eines Speicher- es in Abb. 6 dargestellt ist,, so daß, wenn die beiden gerätes mit einem D.Qppelmagnetkern zur Speicherung Unterlagen miteinander in Berührung gebracht wereines einzelnen Binärsighals, den, eine Matrizenanordnung mit geschlossenen

Abb. 10 eine perspektivische Ansicht eines weiteren Magnetkreisen erhalten wird, wobei die Magnetkreise vorzugsweisen Ausführungsbeispiels einer Speicher- 45 wechselweise sich rechtwinkelig an jedem Schnittpunkt einheit der Speicher-Matrix gemäß der Erfindung, der Nuten kreuzen.

Abb. 11 ein Ersatzschaltbild zur Erläuterung der Das oben beschriebene Ausführungsbeispiel und die

grundlegenden Wirkungsweise des_: Ausführungs- Änderung dieses Ausführungsbeispieles bauen auf beispieles nach Abb, 10, einem System mit einem Einzehaagnetkern zur Speiche-

Abb. 12 A und 12B eine Draufsicht und eine Schnitt- 50 rung eines einzelnen Binärsignals auf. ansieht auf einen Teil eines geänderten Ausführungs- Wenn ein System mit einem Doppelmagnetkern

beispieles, . zur Speicherung eines einzelnen Binärsignals verwendet

Abb. 13 eine Konstruktionsdarstellung für die wird, so wird die sich aus der geringen Ausgangs-Erläuterung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels, spannung ergebende geringe Betriebssicherheit, welche wie es beispielsweise in Abb. 10 gezeigt ist, 55 ein Nachteil dünner Schichten ist, ausgeschaltet, und es

Abb. 14 eine Konstruktionsdarstellung zur Erläute- , wird weiterhin eine einfache Matrizenzusammensetrung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels gemäß zung, welche immer die gleiche ist, wie oben beschrieder Erfindung, wie es teilweise in Abb. 12 gezeigt ist, ben, erhalten.

Abb. 15 A und 15 B jeweils eine Draufsicht und eine In der Darstellung der Abb. 7, welche die Zusammen-

Schnittansicht, welche eine verbesserte Abänderung 60 setzung eines üblichen Systems mit einem Doppeides Ausführungsbeispieles nach Abb. 10 zeigen, magnetkern zur Speicherung eines einzelnen Binär-

Abb. 16A und 16Bjeweils eine Drauf sieht und eine signals zeigt, sind zwei Speicher-Magnetkerne Af₁, Af₂ Schnittansicht, welche eine verbesserte Abänderung vorgesehen mit einer Auslese-und Rückstellwicklungi?, des Ausführungsbeispieles nach Abb. 12 zeigen und einer Informationswicklung W und einer Ausgangs-

Abb. 17 eine Draufsicht und eine Abänderung des 65 wicklung P. Impulsströme I_r und I₈ werden der Wick-Ausführungsbeispieles nach Abb. 16A und 16B. lung R zugeführt, und es wird ein Impulsstrom Iw der

In dem Ausführufgsbeispiel der Abb. 2 A und 2 B Wicklung W zugeführt, wodurch Impulsströme I₁ und sind die wesentlichen Teile: I₀, wie in Abb. 8 gezeigt, von der WicklungP erhalten

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werden in Übereinstimmung mit den Informations- kontakt angeordnet, so daß sie zwei hauptsächlich strömen I_Wi> Iw o- Wenn also angenommen wird, daß geschlossene Mägnetkreise bilden und die Leiter an die Magnetkerne Af₁ und Af₂ sich in dem Zustand be- jeder Kreuzungsstelle der Leiter umfassen. Das Gerät finden, wie er durch— B in der in Abb. 9 gezeigten ist so ausgebildet, daß auf einem der hauptsächlich rechteckigen Hysteresisschleife bezeichnet ist, wird 5 geschlossenen Magnetkerne die durch denlnformationsder magnetische Zustand des Kernes Ai₁ mit der Wick- Einschreibestrom und den Rückstellstrom geschaffenen lung R, welche auf ihn in regelmäßiger Richtung auf- Magnetflüsse einander überlagert werden und in dem gewickelt ist, nach + B verschoben, und.es wird der- anderen hauptsächlich geschlossenen Magnetkreis die jenige des Magnetkerns Af₂ mit der Wicklung R, die durch die vorher genannten zwei Ströme erzeugten auf ihn in entgegengesetzter Richtung bewickelt ist, in iq Magnetflüsse sich gegenseitig auslöschen, dem —iJj-Zustand erhalten, wenn ein Ausleseimpuls- Die Einzelheiten der Erfindung werden durch die

strom Ir zugeführt wird, welcher ausreichend größer folgende Beschreibung der vorzugsweisen Ausführungsais es ihre Koerzitivkraft H_c ist. Darauf wird ein beispiele im einzelnen erläutert. Rückstellimpulsstrom i_s gleichzeitig mit einem In- In dem Ausführungsbeispiel nach Abb. 10 sind zwei

formationsimpulsstrom I_w weitergegeben. Wenn zu 15 Unterlagen !gezeigt, von denen jede eine Nut 3 und dieser Zeit die Information »1« ist, werden die Ströme einen aus dünnem Film bestehenden Magnetkörper 2 Is und Iw₁ einander überlagert dem Kern Af₁ zugeführt, aufweist, welcher an der Unterlage mit einer verhältnis- und es wird ein Magnetfeld erzeugt," welches, größer mäßig großen Fläche anhaftet, beispielsweise mit einer als die Koerzitivkraft H_c ist, wodurch der Zustand scheibenförmigen Fläche. R und W sind die in die Nut des Magnetkernes Af₁ von + B_r nach — B_r umgeschal- 20 eingelegten Leiter. Wenn die beiden Unterlagen 1 in tet wird, während in dem Falle von M₂, wenn sich die Oberflächenkontakt gebracht werden, so daß die Nut 3 genannten Impulsströme einander auslöschen,, das auf der einen Unterlage senkrecht auf der Nut 3 der Magnetfeld kleiner als H₀ wird und der Kern Af₂ anderen Unterlage steht und die Leiter J? und W, welche in den Zustand von — B_T gehalten wird. Wenn diese in die Nuten 3 eingelegt sind, somit einander an einem Bedingung mittels des nächsten Impulsstromes I_r 25 Punkt überkreuzen, welcher von Magnetkörpern umausgelesen wird, wird nur der magnetische Zustand des geben ist, bilden die genannten Magnetkörper einen Kernes Af₁ von — B_r nach + B_r verschoben, während geschlossenen Magnetkreis. Dieser Magnetkreis kann ein positiver (+) Impulsstrom Z₁ in der Ausgangs- als genau äquivalent zu einer Anordnung angesehen wicklung P induziert wird. . ■ . werden, bei welcher zwei ringförmige Kerne, wie z. B.

Wenn die Information »0« eingeschrieben wird, 30 Af₁ und Af₂, an dem Kreuzungspunkt, wie in Abb. 11 werden die magnetischen Zustände der Kerne Af₁ dargestellt, angeordnet sind. Infolgedessen ist die und M₂ jeweils nach +B_r und +Br rückgestellt. Anordnung in der Wirkung gleichartig mit der nach Wenn dann die Auslesung mittels des Stromes I_r aus- Abb. 7 von welcher die Ausgangswicklung entfernt geführt wird, wird nur der Kern. Af₂ von + B_r nach worden ist Bei dem in Abb. 11 angenommenen Fall —Br umgeschaltet, und.es wird ein negativer (—) 35 fließen die Ströme I_w und I_r in die durch die Pfeile Impulsstrom i₀ erzeugt, welcher demjenigen in dem ' bezeichneten Richtungen. Die durch den in dem Leiter vorhergehenden Fall entgegengesetzt ist. Wenn in W fließenden Informations-Einschreibestrom I_w und einem System mit einem Doppelmagnetkern zur den im Leiter R fließenden Rückstellstrom I₈ erzeugten Speicherung eines einzelnen Binärsignals Informationen Magnetflüsse werden einander in den Bereichen A, Aa von »1« und »0« mittels der (+) und (—)-Impulse,.wie 40 überlagert, da die Magnetflüsse die gleiche Richtung oben beschrieben, ausgelesen werden, ist das Verhält- haben, während sie sich in den Bereichen B, Ba gegennis von Nutzspannung zu Störspannung hoch, und seitig auslöschen, da sie entgegengesetzte Richtungen es werden Einrichtungen wie ein Eingangsumformer haben. Wenn infolgedessen das Ausgangssignal aus unnötig. Wenn zusätzlich die Amplituden der Ströme der Wicklung W herausgenommen und verstärkt wird, I₈ und I_w jeweils so groß wie die Größen der Koerzitiv- 45 ist es möglich, genau die gleiche Wirkung wie diejenige kräfte H₀ und V₂ Hc gemacht werden, wird; das eines Systems, mit einem Doppelmagnetkern zur Spei-Selektivverhältnis leicht 1:3, und es wird möglich, cherung eines einzelnen Binärsignals zu erhalten und eine Matrize mit hohem Wirkungsgrad herzustellen. dabei ein Speichergerät zu schaffen, welches von Wenn jedoch ein wulstförmjger Magnetkern, beispiels- äußerst einfacher Konstruktion ist und eine stabile weise aus Ferrit, in diesem System in üblicher Weise 5° Arbeitsweise bei hoher Geschwindigkeit aufweist, verwendet wird, wird die Zusammensetzung der Wick- In dem Ausführungsbeispiel der Abb. 12A und 12 B

lungen sehr unübersichtlich im Vergleich mit der- haften dünnschichtige Magnetkörper 2 in Streifen-oder jenigen eines Systems mit einem Einzelmagnetkern, zur Bandform an der Unterlage 1, in welcher Nuten 3 und Speicherung eines einzelnen Binärsignals, und es wird Leiter R und W angeordnet sind, wobei die genannten notwendig, zwei Magnetkerne pro Binärsignal zu ver- 55 Nuten zueinander parallel und rechtwinklig zur Längswenden. Infolgedessen wird natürlich die Zugriffzeit richtung der Magnetkörper 2 verlaufen. In der Drauflang, und es ergeben sich Schwierigkeiten bezüglich der sieht verläuft der Leiter KT nacheinander durch benach-Herstellungskosten und bezüglich einer Verkleinerung. barte Nuten in entgegengesetzte Richtungen, während

Durch die vorliegende Erfindung ist es möglich, die der Leiter R durch die erste Nut in einer Richtung und oben beschriebenen Nachteile des Systems mit einem 60 dann durch die dritte Nut in entgegengesetzter Rich-Doppelmagnetkern zur Speicherung eines einzelnen tung geführt ist. Das heißt in dem Konstruktions-Binärsignals auszuschalten. In dem Gerät gemäß der beispiel, das in den Abb. 12A und 12B dargestellt ist, Erfindung werden an Stelle von Magnetkernen dünn- fließen die durch die beiden Leiter fließenden Ströme schichtige Magnetkörper verwendet. Der Informations- in einer bestimmten Nut (in der Zeichnung in der Einschreibeleiter W und der Ausleseleiter R werden als 65 linken Nut), in gleicher Richtung aber in der zweiten ein Paar angewendet an Stelle der Informationswick- Nut von der genannten linken Nut, fließen die beiden lung Wund der Auslese- und Rückstellwicklung R. Die Ströme in entgegengesetzte Richtungen. Durch die dünnschichtigen Magnetkörper sind in Stirnflächen- Schaffung eines solchen oben beschriebenen Systems

ist es möglich, in einem einzelnen Magnetkörper einen den Kernen M₁ und Af₂ (der in Abb. 7 gezeigten Anordnung) entsprechenden Anteil zu schaffen und die gleiche Wirkung eines Systems mit einem Doppelmagnetkern zur Speicherung eines einzelnen Binärsignals zu erreichen. Ein solches System ist insbesondere deshalb vorteilhaft, weil die Bitkapazität groß gemacht werden kann.

Die Abb. 13 und 14 sind Draufsichten, welche typische Beispiele von Matrizen zeigen, die aus den Einheiten nach den Abb. 10 und 12 zusammengesetzt sind. In der vorangehenden Beschreibung ist in bezug auf den Gegenstand der Erfindung dargelegt, daß die Nuten in den Unterlagen gebildet sind und der Ausleseleiter und der Einschreibeleiter in diese hineingelegt sind. Es sind jedoch andere Fabrikationsmöglichkeiten gegeben. Eine praktische Konstruktion, welche leicht hergestellt werden kann, ist z. B. eine solche, bei welcher ohne die Bildung besonderer Nuten in den Unterlagen dünnschichtige Magnetkörper an den Unterlagen zum Anhaften gebracht werden und als Auslese- und Einschreibeleiter verwendet werden, und wobei Leiter, welche durch Verarbeitung in Folienform oder durch Zerstäuben oder durch elektrolytischen Niederschlag, der dann abgelöst wird, in dünne Schichten gebracht sind, durch isolierende Schichten isoliert und in Streifenform angeordnet werden.

Die Abb. 15, 16 und 17 sind vergrößerte Ansichten, welche die anderen Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung zeigen, in solchen Fällen, in denen die Leiter in Folienform verwendet werden. Dabei sind die Abb. 15A und 15B jeweils eine Draufsicht und eine Schnittansicht einer verbesserten Ausführung des Beispieles nach Abb. 10 und Abb. 16A und 16B jeweils eine Draufsicht und eine Schnittansicht einer verbesserten Ausführung des Beispieles nach Abb. 12, Abb. 17 ist eine Abänderung des Ausführungsbeispieles der Abb. 16A und 16B. In den genannten Darstellungen sind als dünne Schicht ausgebildete Leiter 4 in Folienform durch Isolationslagen 5 abgedeckt und zwischen dünnschichtigen Magnetkörpern 2 angeordnet, welche an der Unterlage 1 aufhaften. In der Anordnung nach Abb. 17 wird der gleiche Effekt wie bei der Anordnung nach Abb. 16 durch Teilung des Weges des Leiters W in zwei parallele Zweige an Stelle der webförmigen oder S-förmigen Ausbildung des Weges wie in der Anordnung nach Abb. 16 erhalten.

In den oben beschriebenen Fällen, in denen statt der Bildung von Nuten in der Unterlage für die Aufnahme der Leiter Folienleiter verwendet werden, befinden sich, da die folienförmigen Leiter 4 und die Isolationsschichten 5 zwischen die gegenüberliegenden dünnschichtigen Magnetkörper 2 eingesetzt sind, die beiden Körper 2 nicht in Kontakt, sondern sie sind durch eine geringe Distanz voneinander getrennt, wie es in den Abb. 15B und 16B zu sehen ist.

Wenn jedoch die Leiter 4 und die Isolationsschichten 5 außerordentlich dünn sind, kann der trennende Abstand äußerst klein gehalten werden, wenn die Unterlagen 1 gegeneinandergepreßt werden, und es ist durch Vergrößerung der gegenüberliegenden Oberflächen der magnetischen Schichten möglich, praktisch eine Wirkung zu erhalten, welche der eines geschlossenen Magnetkreises, welcher durch gegenüberliegende dünnschichtige Magnetkörper 2, die sich in Flächenkontakt befinden, äquivalent ist.

In der Herstellung der Unterlagen sind die hauptsächlich verwendbaren Materialien glattes Isolationsmaterial, wie Glas, keramische Stoffe, Glimmer und synthetische Harze. Es kann jedoch auch ein Leiter, wie rostfreier Stahl, Kupfer, Silber oder Aluminium oder ein Halbleiter, wie z. B. Germanium oder Silizium, ebenfalls verwendet werden. Die Verwendung eines Halbleiters ist vorteilhaft in bezug auf den magnetischen Streufluß und Wirbelstromverlust und ist insbesondere geeignet für den Fall von elektrolytischer Ablagerung.

Beim Bilden der magnetischen Schichten auf der Unterlage kann die Unterlage durch eine Maske abgedeckt werden, und es kann Magnetmaterial beispielsweise durch Aufdampfen, durch Plattierung oder durch elektrische Zerstäubung aufgebracht werden. ·

Durch die Verwendung der oben beschriebenen Konstruktion einer Matrizenzusammensetzung ergeben sich für das Speichergerät der vorliegenden Er^ findung folgende Vorteile: eine hohe Arbeitsgeschwindigkeit, eine stabile Arbeitsweise, eine hohe Zuverlässigkeit, ein hoher Wirkungsgrad, eine geringe Größe, eine einfache und leicht herzustellende Konstruktion und geringe Herstellungskosten.

Claims (17)

PATENTANSPRÜCHE:

1. Magnetische Speicher-Matrix unter Verwendung von dünnem magnetischem Film und von Trägern, auf denen eine Mehrzahl dünner Film-Magnetkörper aufgebracht ist, wobei gegebenenfalls Nuten zum Einlegen von X-Leitern und F-Leitern entlang der Reihe und Spalte der Speicher-Matrix vorgesehen sind und wobei jeder der X-Leiter und F-Leiter als Mittel zum Zuführen des ΙηΙφί-mationssignals oder des Auslösesignals zu der Speicher-Matrix und für die Entnahme des Ausgangssignals aus der Speicher-Matrix verwendet wird, dadurch gekennzeichnet, daß zwei mit Speicher-Matrizen gleicher konstruktiver Ausbildung und gleicher Lage versehene Trägerschichten derart angeordnet sind, daß die eine Speicher-Matrix enthaltende Ebene einer Trägerschicht derjenigen einer anderen Trägerschicht entgegengerichtet ist, und zwar jede der aufgebrachten Speicherflächen abwechselnd so, als ob sie Spiegelbilder sind, daß gleichzeitig entlang der Reihe der Speicher-Matrix X-Leiter derart angeordnet sind, daß jeder einzelne X-Leiter durch ein ihn bedeckendes Isolationsmaterial isoliert und durch entsprechende gegenüberliegende Speicherelemente eingeschlossen wird und daß 7-Leiter derart angeordnet sind, daß jeder einzelne F-Leiter durch ein ihn bedeckendes Isolationsmaterial isoliert und durch entsprechende, an der Berührungsstelle mit jedem Z-Leiter gegenüberliegende Speicherelemente eingeschlossen wird, wodurch jedes zusammengehörige Paar der magnete sehen Filme einen nahezu vollständig geschlossenen Magnetkreis bildet.

2. Speicher-Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerschichten aus Isolationsmaterial, wie keramischen Stoffen, Glas, Glimmer oder synthetischem Harz, bestehen.

3. Speicher-Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerschichten aus nicht magnetischem Material, wie Silber, Kupfer, rostfreiem Stahl oder Aluminium, bestehen.

4. Speicher-Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerschichten aus einem Halbleiter, wie Germanium oder Silizium, bestehen.

5. Speicher-Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Magnetschichten durch Aufdampfen auf die durch eine Maske abgedeckten Trägerschichten aufgebracht sind.

6. Speicher-Matrix nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die Magnetschichten durch Plattierung aufgebracht sind.

7. Speicher-Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Magnetschichten durch elektrische Zerstäubung aufgebracht sind.

8. Speicher-Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die Leiter Drahtmaterial verwendet ist.

9. Speicher-Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die. Leiterfolien Bandmaterial verwendet ist.

10. Speicher-Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich zu den J^-Leitern oder Reihenleitern und y-Leitern oder SpaltenleiternZ-LeiteroderRichtungsleitervorgesehensind.

11. Speicher-Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in den Trägerschichten Nuten zum Einlegen der Leiter vorgesehen sind und daß Teile der Magnetschichten, die sich wechselseitig gegenüberliegen und an den beiden Unterlagen anhaften, wechselseitig in Kontakt gebracht sind, um einen geschlossenen Magnetkreis zu bilden.

12. Speicher-Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei Bildung eines Spaltes zwischen den wechselseitig gegenüberliegenden Magnetschichten infolge der Einbringung der Leiter die Oberflächenbereiche der beiden Magnetschichten groß gehalten sind, um eine der Bildung eines geschlossenen Magnetkreises äquivalente Wirkung hervorzurufen.

13. Speicher-Matrix nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß ein Jf-Leiter und 7-Leiter als Paar angeordnet sind, daß die aus dünnem Film bestehenden Magnetkörper in Lamellenform angeordnet sind, so daß zwei wesentlich geschlossene Magnetkreise gebildet werden, die jeden Leiter umschließen, wobei die Anordnung derart getroffen ist, daß in einem der wesentlich geschlossenen Magnetkreise die durch einen Informations-Einschreibestrom und einen Rückstellstrom erzeugten Magnetflüsse einander überlagert werden, während die in dem anderen wesentlich geschlossenen Magnetkreis durch die genannten Ströme erzeugten Magnetflüsse einander auslöschen.

14. Speicher-Matrix nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Trägerschichten dünnschichtige Magnetkörper mit etwa Kreisform gebildet sind und derart angeordnet sind, daß die Mittelpunkte der Magnetkörper mit den Schnittpunkten der X- Leiter und K-Leiter zusammenfallen.

15. Speicher-Matrix nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die auf der Trägerschicht anhaftenden folienförmigen Magnetkörper so angeordnet sind, daß für jedes einzelne Binärsignal ein Reihenleiter und ein Stellenleiter die Magnetkörper an wenigstens zwei Stellen überqueren.

16. Speicher-Matrix nach Anspruch 1, dadirch gekennzeichnet, daß auf der Trägerschicht aus dünnem Film bestehende Magnetkörper länglicher Form derart angeordnet sind, daß die Mittelpunkte der Magnetkörper mit den Kreuzungspunkten der X- und 7-Leiter zusammenfallen.

17. Speicher-Matrix nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Trägerschicht kreuzförmige, aus dünnem Film bestehende Magaetkörper derart angeordnet sind, daß die Mittelpunkte der Magnetkörper mit den Kreuzungspunktender X- und F-Leiter zusammenfallen.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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