DE1146110B

DE1146110B - Transistor switch for the optional connection of an output terminal with one of two potentials with two complementary transistors in series

Info

Publication number: DE1146110B
Application number: DET19909A
Authority: DE
Inventors: Gerhard Goldkuhle; Erwin Jauch
Original assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Current assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date: 1961-04-01
Filing date: 1961-04-01
Publication date: 1963-03-28

Description

Transistorschalter zur wahlweisen Verbindung einer Ausgangsklemme mit einem von zwei Potentialen mit zwei in Reihe liegenden komplementären Transistoren Die Erfindung betrifft einen elektronischen Schalter zur wahlweisen Verbindung einer Ausgangsklemme mit einem von zwei Potentialen in Abhängigkeit vom Wert eines dem Schaltereingang zugeführten Steuersignals. Derartige elektronische Schalter werden bekanntlich unter anderem in der digitalen Schaltkreistechnik benötigt.Transistor switch for optional connection of an output terminal with one of two potentials with two complementary transistors in series The invention relates to an electronic switch for the optional connection of a Output terminal with one of two potentials depending on the value of one of the Control signal supplied to the switch input. Such electronic switches are is known to be required in digital circuit technology, among other things.

Die Erfindung verfolgt im besonderen das Ziel, einen elektronischen Schalter mit zwei in Reihe hegenden komplementären Transistoren zu schaffen, welcher einerseits in jedem der beiden Schaltzustände eine möglichst niederohmige Verbindung zwischen der Ausgangsklemme und dem betreffenden Potential herstellt und anderseits so ausgebildet ist, daß niemals beide Transistoren zu gleicher Zeit leitend sein können.The invention pursues in particular the goal of an electronic Switch with two complementary transistors in series to create which one on the one hand, a connection with the lowest possible resistance in each of the two switching states between the output terminal and the relevant potential and on the other hand is designed so that both transistors are never conductive at the same time can.

Diese Eigenschaften werden im Sinne der Erfindung dadurch erreicht, daß die Kollektorelektroden mit der Ausgangsklemme und die Emitterelektroden niederohmig mit je einem der beiden Potentiale Ui bzw. UZ verbunden sind und daß zur Verbindung der Steuerklemme mit den Basiselektroden in zumindest einem der Verbindungszweige eine Zenerdiode angeordnet ist, deren Zenerspannung Uz bzw. Zenerspannungen Uz, und Uze im wesentlichen der Bedingung I U71 > U, - UZ beziehungsweise IUziI+IUz2I>Ui-U2 genügen (U, > UZ). An Hand der Zeichnung seien die Wirkungsweise dieses Transistorschalters sowie weitere Ausbildungsmöglichkeiten näher erläutert.These properties are achieved in the sense of the invention in that the collector electrodes are connected to the output terminal and the emitter electrodes are connected with low resistance to one of the two potentials Ui or UZ and that a Zener diode is arranged in at least one of the connecting branches to connect the control terminal to the base electrodes whose Zener voltage Uz or Zener voltages Uz, and Uze essentially satisfy the condition I U71 > U, - UZ or IUziI + IUz2I> Ui-U2 (U,> UZ). The mode of operation of this transistor switch and other training options are explained in more detail using the drawing.

Fig. 1 a zeigt die Grundschaltung des erfindungsgemäßen Transistorschalters; Fig. 2a ist eine weitere Ausbildung dieser Schaltung; in Fig. 3 a ist eine Variante der Grundschaltung unter Verwendung nur einer Zenerdiode gezeigt, von der eine weitere Ausbildung in Fig. 4a dargestellt ist.Fig. 1 a shows the basic circuit of the transistor switch according to the invention; Fig. 2a is another embodiment of this circuit; in Fig. 3a is a variant of the basic circuit using only one Zener diode, of which another Training is shown in Fig. 4a.

Die Fig. 1 b bis 4b sind unmaßstäbliche Diagramme, welche jeweils zur Erläuterung des Steuerverhaltens der mit gleicher Ziffer versehenen Schaltung dienen.Figures 1b through 4b are non-to-scale diagrams showing, respectively to explain the control behavior of the circuit with the same number to serve.

Die Grundschaltung nach Fig. 1 a enthält eine Steuerklemme 10, zwei Klemmen 11 und 12, die an einem Potential U, bzw. UZ liegen, und eine Ausgangsklemme 13. Letztere ist an die Kollektorelektrode je eines pnp-Transistors T1 und eines npn-Transistors T2 angeschlossen. Die Emitterelektroden dieser Transistoren sind niederohmig - hier unmittelbar galvanisch - mit den genannten Potentialen U, bzw. UZ verbunden. Das Potential Ui ist positiver als das Potential U2, also U, > U2. Es sei beispielsweise U, = 0 V und UZ = -12 V. Zur Verbindung der Basiselektroden mit der Steuerklemme 10 ist in jedem Verbindungszweig, außer einem unter Umständen entbehrlichen Begrenzungswiderstand 14 bzw. 15, eine Zenerdiode Z1 bzw. Z2 angeordnet. Im Sinne der Erfindung sind deren Zenerspannungen Uz, und Uze so gewählt, daß sie der Bedingung I Uz1I + I U-21 > U1 - UZ genügen. Sie seien beispielsweise beide gleich 10 V. In Fig. 1 b sind auf der Abszisse die in Fig. 1 a auftretenden Potentiale und Spannungen aufgetragen. Die Ordinate gibt unmaßstäblich die Abhängigkeit der Diodenströme von der jeweiligen Steuerspannung U, an der Steuerklemme 10 der Schaltung an. Hierbei ist der Spannungspunkt der zur Zenerdiode Z1 gehörenden Kurve mit dem Potential U, und jener der Zenerdiode Z2 mit dem Potential UZ zusammengelegt. Die geringen Spannungsdifferenzen zwischen den Emitter- und den Basiselektroden der Transistoren sind also der Übersichtlichkeit halber nicht berücksichtigt. Entsprechend der aus Fig. 1 a ersichtlichen verschiedenen Polung der Zenerdioden verlaufen ihre Durchlaßkurven in Fig. 1 b etwa spiegelbildlich zueinander.The basic circuit according to Fig. 1a contains a control terminal 10, two terminals 11 and 12, which are at a potential U or UZ, and an output terminal 13. The latter is connected to the collector electrode of a PNP transistor T1 and an NPN transistor T2 connected. The emitter electrodes of these transistors are low-resistance - here directly galvanically - connected to the mentioned potentials U or UZ. The potential Ui is more positive than the potential U2, i.e. U, > U2. For example, let U, = 0 V and UZ = -12 V. To connect the base electrodes to the control terminal 10, a Zener diode Z1 or Z2 is arranged in each connection branch, apart from a limiting resistor 14 or 15, which may be unnecessary. For the purposes of the invention, their Zener voltages Uz and Uze are chosen so that they satisfy the condition I Uz1I + I U-21> U1 -UZ. For example, they are both equal to 10 V. In FIG. 1 b, the potentials and voltages occurring in FIG. 1 a are plotted on the abscissa. The ordinate shows, not to scale, the dependence of the diode currents on the respective control voltage U, at the control terminal 10 of the circuit. Here, the voltage point of the curve belonging to the Zener diode Z1 is combined with the potential U, and that of the Zener diode Z2 with the potential UZ. The small voltage differences between the emitter and base electrodes of the transistors are therefore not taken into account for the sake of clarity. Corresponding to the different polarity of the Zener diodes shown in FIG. 1 a, their transmission curves in FIG. 1 b are approximately mirror images of one another.

Für die Schaltung nach Fig. 1 a hat das Steuersignal Ue wahlweise die Werte Ue, < UZ oder Ue2> Ui, wobei der Wert U" bewirkt, daß die Ausgangsklemme 13 über den Transistor T1 mit dem Potential U1, der Wert Ue2, daß die Klemme 13 über den Transistor T2 mit dem Potential U2 verbunden wird. Mit den angenommenen Potentialwerten von 0 und -12 V möge das Steuersignal die Werte U" = -13 V und U62 _ +1 V haben.For the circuit according to Fig. 1 a, the control signal Ue has either the values Ue, < UZ or Ue2> Ui, the value U "causing the output terminal 13 via the transistor T1 with the potential U1, the value Ue2 that the Terminal 13 is connected to the potential U2 via the transistor T2 . With the assumed potential values of 0 and -12 V, the control signal may have the values U " = -13 V and U62 _ +1 V.

Wie aus Fig. 1 b zu erkennen ist, befindet sich bei einem Steuersignal an Klemme 10 von Ue, = -13 V die Zenerdiode Z2 im -normalen Durchlaßbereich, so daß der npn-Transistor T2 im Hinblick auf sein Emitterpotential von U2 = -12 V mit U", - U2 = -1 V Basisspannung gesperrt ist. Der Steuerwert U" ist jedoch negativer als die Lage der Durchbruchsspannung U,- j Uz, 1 der Zenerdiode Z1, so daß diese Diode im Zenerbereich arbeitet und der pnp-Transistor T1 mit einer Basisspannung von Ue,-Ul-1 Uz,I -3 V leitend ist und die Ausgangsklemme 13 niederohmig mit dem Potential U, verbindet. Bei einem Steuersignal von Ue2 = -f-1 V hingegen befindet sich die Zenerdiode Z1 im normalen Durchlaß-Bereich, so daß der pnp-Transistor T1 wegen seines Emitterpotentials von U, = 0 V mit einer Basisspannung von U"2 - U, = +1 V gesperrt ist. Der Steuerwert Ue2 liegt jedoch.jenseits der auf das Potential U2 bezogenen Durchbruchspannung U2+ 1 Uze 1 der Zenerdiode Z2, so daß nun diese Zenerdiode im Zenerbereich arbeitet und der npn-Transistor T2 mit einer Basisspannung von U"2 - U2 - 1 U;121 = -I-3 V leitend ist. Dadurch ist die Ausgangsklemme 13 niederohmig mit dem Potential U2 verbunden.As can be seen from Fig. 1b, with a control signal at terminal 10 of Ue, = -13 V, the Zener diode Z2 is in the normal pass band, so that the npn transistor T2 with regard to its emitter potential of U2 = -12 V is blocked with U ", - U2 = -1 V base voltage. The control value U" is, however, more negative than the position of the breakdown voltage U, - j Uz, 1 of the zener diode Z1, so that this diode works in the zener range and the pnp transistor T1 with a base voltage of Ue, -Ul-1 Uz, I -3 V is conductive and the output terminal 13 connects to the potential U i with low resistance. With a control signal of Ue2 = -f-1 V, however, the Zener diode Z1 is in the normal forward range, so that the pnp transistor T1 because of its emitter potential of U, = 0 V with a base voltage of U "2 - U, = +1 V. The control value Ue2 is, however, beyond the breakdown voltage U2 + 1 Uze 1 of the zener diode Z2, which is related to the potential U2, so that this zener diode now works in the zener range and the npn transistor T2 with a base voltage of U "2 - U2 - 1 U; 121 = -I-3 V is conductive. As a result, the output terminal 13 is connected to the potential U2 with low resistance.

Aus Fig. 1 b ist ferner zu ersehen, daß auch während des Überganges des Steuersignals Ue vom Wert Uel auf den Wert U82 niemals beide Transistoren T1 und T2 zur gleichen Zeit leitend sein können, so daß die Schaltung bei jeder Betriebsweise überlastungssicher und störungsfrei arbeitet.From Fig. 1 b it can also be seen that also during the transition of the control signal Ue from the value Uel to the value U82, never both transistors T1 and T2 can be conductive at the same time, so that the circuit in any mode of operation works overload-proof and trouble-free.

Bei der in Fig. 2a dargestellten erweiterten Schaltung sind zwischen der Basis und der Emitterelektrode der Transistoren T1 und T2 Schaltungsmittel zur Erzeugung einer Vorspannung vorgesehen, die den betreffenden Transistor beim Fehlen eines Eingangssignals sperren. Hierzu könnten besondere Spannungsquellen verwendet werden. Beim dargestellten Ausführungsbeispiel werden aber diese Vorspannungen ohne zusätzliche Spannungsquellen von den bereits vorhandenen Potentialen U, und U2 abgeleitet, und zwar mit Hilfe je eines an diese Potentiale angeschlossenen Spannungsteilers, bestehend aus einem Widerstand 16 bzw. 17 und einer gewöhnlichen Diode D1 bzw. D2. Die Emitterelektroden der beiden Transistoren T1 und T2 sind mit den Abgriffen dieser Spannungsteiler verbunden, während die Basiselektroden über je einen relativ hochohmigen Widerstand 18 bzw: 19 an die betreffenden Durchschaltpotentiale U1 bzw. U2 angeschlossen sind. Diese Potentiale mögen beispielsweise -12 bzw. -I-6 V, die. Zenerspannungen der Zenerdioden Z1 und Z2 wieder je 10 V betragen. Infolge des durch den Querstrom bedingten Spannungsabfalles der Dioden Dl und D2 ist beim Fehlen eines wirksamen Eingangssignals die Basis des Transistors T1 stets positiver und die Basis des Transistors T2 stets negativer als der betreffende Emitter, so daß die Transistoren gesperrt sind.In the extended circuit shown in Fig. 2a are between the base and the emitter electrode of the transistors T1 and T2 circuit means for Generation of a bias voltage is provided, which the transistor in question in the absence block an input signal. Special voltage sources could be used for this will. In the illustrated embodiment, however, these biases are without additional voltage sources derived from the existing potentials U, and U2, with the help of a voltage divider connected to each of these potentials, consisting of a resistor 16 or 17 and an ordinary diode D1 or D2. The emitter electrodes of the two transistors T1 and T2 are connected to the taps of these Voltage divider connected, while the base electrodes each have a relatively high resistance Resistor 18 or 19 connected to the relevant switching potentials U1 or U2 are. These potentials like -12 or -I-6 V, for example, which. Zener stresses of the Zener diodes Z1 and Z2 are again 10 V each. As a result of the cross flow caused voltage drop of the diodes Dl and D2 is in the absence of an effective Input signal the base of the transistor T1 is always positive and the base of the transistor T2 is always more negative than the emitter in question, so that the transistors are blocked are.

An Hand des Diagramms der Fig. 2b ist der Vorteil zu erkennen, den diese Schaltung gegenüber der Schaltung in Fig. 1 a bietet. Infolge der Emittervorspannung ist es nämlich möglich, die Schaltung mit Steuerspannungen U81 und U" zu betreiben, welche innerhalb der Potentiale U, und U2 liegen, also beispielsweise durch Spannungsteilung aus diesen Potentialen gewonnen werden könnten. Es ist lediglich nötig, daß die Werte des Steuersignals U, den Bedingungen Ni < U1 - I Uzl l und U62 > U2 'i' 1 U-11 genügen. Hierbei ist der Übersicht halber die geringe Emittervorspannung vernachlässigt. Durch entsprechende Wahl der Zenerspannungen und der Werte des Steuersignals kann hinsichtlich der erzielten Schalteigenschaften der gegebenen Flankensteilheit des Steuersignals Rechnung getragen werden. Es mögen beispielsweise die Steuerwerte U" = -6 V und Ue2 = 0 V verwendet werden.The advantage that this circuit offers over the circuit in FIG. 1a can be seen from the diagram in FIG. 2b. As a result of the emitter bias it is possible to operate the circuit with control voltages U81 and U "which are within the potentials U1 and U2, that is to say could be obtained from these potentials by voltage division, for example. It is only necessary that the values of the control signal U, satisfy the conditions Ni <U1 - I Uzl l and U62 > U2 'i' 1 U-11. For the sake of clarity, the low emitter bias voltage is neglected here given edge steepness of the control signal. For example, the control values U "= -6 V and Ue2 = 0 V may be used.

Der Steuerwert U,, = -6 V ist zwar positiver als das Bezugspotential U2 der Zenerdiode Z2 und negativer als die Lage der Durchbruchsspannung U2 + j U02,1, so daß er auf den Betriebszustand des Transistors T2 keinen Einfluß hat. Unter dieser Voraussetzung ist aber; wie oben erläutert, der Transistor T2 infolge seiner durch die Schaltmittel D2, 17 und 19 bewirkten Emittervorspannung gesperrt. Anderseits liegt der Steuerwert Uel jenseits der Lage der Durchbruchsspannung U, - 1 Uz, 1 der Zenerdiode Z1, so daß an der Basis des Transistors T1 gegenüber dem Potential U, die Spannung U,1 - J U" 1 wirksam ist. Diese ist negativer als die geringe obenerwähnte, vom Abgriff' der Diode Dl abgenommene Vorspannung des Emitters, so daß der Transistor T1 leitend ist und die Ausgangsklemme 13 über die Diode D1 mit dem Potential U, verbindet. Der in Durchlaßrichtung geringe Spannungsabfall an der Diode D1 hat keine nachteilige Auswirkung.The control value U ,, = -6 V is more positive than the reference potential U2 of the Zener diode Z2 and more negative than the position of the breakdown voltage U2 + j U02,1, so that it has no influence on the operating state of the transistor T2. But under this condition; As explained above, the transistor T2 is blocked as a result of its emitter bias caused by the switching means D2, 17 and 19. On the other hand, the control value is Uel beyond the position of the breakdown voltage U, - 1 Uz, 1 of the Zener diode Z1, so that at the base of the transistor T1 relative to the potential U, the voltage U 1 - is effective JU "1 This is more negative than. the low above-mentioned bias voltage of the emitter, taken from the tap of the diode Dl, so that the transistor T1 is conductive and connects the output terminal 13 via the diode D1 to the potential U. The low voltage drop in the forward direction at the diode D1 has no adverse effect .

In ähnlicher Weise kann man an Hand der Fig: 2b die Arbeitsweise der Schaltung beim Auftreten des Steuerwertes Ues = 0 V erkennen, wobei infolge der Emittervorspannung durch die Schaltmittel D 1, 16 und 18 der Transistor T1 gesperrt und durch das Überschreiten der Lage der Durchbruchsspannung U2 1 Uze 1 der Transistor T2 leitend ist.In a similar way, the operation of the Recognize circuit when the control value Ues = 0 V occurs, whereby as a result of the Emitter bias is blocked by switching means D 1, 16 and 18 of transistor T1 and by exceeding the position of the breakdown voltage U2 1 Uze 1 the transistor T2 is conductive.

Die Schaltung in Fig. 3 a ist insofern gegenüber der Schaltung der Fig. 1 a vereinfacht, als nur indem Verbindungszweig zwischen der Basiselektrode des Transistors T2 und der Steuerklemme 10 eine in Reihe mit dem Begrenzungswiderstand 15 liegende Zenerdiode Z verwendet ist, während die Basiselektrode des Transistors T1 lediglich über den Begrenzungswiderstand 14 an die Steuerklemme angeschlossen ist. Hier lautet die Bedingung für die beiden Werte des Steuersignals Uel < U2 und U82 > U2 -i- 1 Uz J wobei die Zenerspannung der Diode Z im Sinne der Erfindung nach der Bedingung 1Uz1>U,-U2 gewählt ist.The circuit in Fig. 3a is simplified compared to the circuit of Fig. 1a, as only in the connection branch between the base electrode of the transistor T2 and the control terminal 10 is a Zener diode Z lying in series with the limiting resistor 15, while the base electrode of the Transistor T1 is only connected to the control terminal via the limiting resistor 14. Here the condition for the two values of the control signal Uel <U2 and U82 > U2 -i- 1 Uz J is the Zener voltage of the diode Z according to the invention according to the condition 1Uz1> U, -U2.

Mit den der Erläuterung dienenden Werten U, _ +6 V, U2 = -6 V, Uz = 14 V, Uel = -7 V und U82 = -I-9 V ergibt sich gemäß Fig. 3b folgende Arbeitsweise Bei einem Steuerwert von U,, = -7 V befindet sich die Zenerdiode Z im normalen Durchlaßbereich, so daß die Spannung an der Basis des npn-Transistors T2 gegenüber seinem Emitter - wie bisher unter Vernachlässigung des Dioden-Anlaufwertes -etwa Uel - U2 = -1 V beträgt. Transistor T2 ist dadurch gesperrt. Die Basis des pnp-Transistors T1 hingegen ist um den Wert Uel - U1 = -13 V negativer als sein Emitter, so daß dieser Transistor über den Begrenzungswiderstand 14 im leitenden Zustand gehalten wird und die Ausgangsklemme 13 mit dem Potential U1 verbindet.With the explanatory values U, _ +6 V, U2 = -6 V, Uz = 14 V, Uel = -7 V and U82 = -I-9 V, the following mode of operation results according to FIG ,, = -7 V the Zener diode Z is in the normal pass band, so that the voltage at the base of the npn transistor T2 compared to its emitter - as before, neglecting the diode start-up value - is about Uel - U2 = -1 V. As a result, transistor T2 is blocked. The base of the pnp transistor T1, on the other hand, is more negative than its emitter by the value Uel- U1 = -13 V, so that this transistor is kept in the conductive state via the limiting resistor 14 and connects the output terminal 13 to the potential U1.

Der andere Steuerwert U,12 = +9 V macht die Basis des pnp-Transistors T1 um den Wert Ue2 - U1 = +3 V positiver als den Emitter, so daß dieser Transistor gesperrt ist. Dieser Steuerwert ist anderseits positiver als die Lage der Durchbruchsspannung U2 + 1 Uz 1 = +8 V. Der npn-Transistor T2 ist dadurch leitend und verbindet Klemme 13 mit dem Potential U2.The other control value U, 12 = +9 V makes the base of the pnp transistor T1 by the value Ue2 - U1 = +3 V more positive than the emitter, so that this transistor is blocked. On the other hand, this control value is more positive than the position of the breakdown voltage U2 + 1 Uz 1 = +8 V. As a result, the npn transistor T2 is conductive and connects terminal 13 to the potential U2.

In der Schaltung nach Fig. 4a, die gleichfalls nur in der Basisleitung des Transistors T2 eine Zenerdiode Z aufweist, sind ähnlich wie in Fig.2a zwischen der Basis- und der Emitterelektrode dieses Transistors Schaltungsmittel D, 17 und 19 zur Erzeugung einer Vorspannung vorgesehen, die diesen Transistor beim Fehlen eines wirksamen Eingangssignals sperrt. Dadurch werden ähnlich wie bei der Schaltung Fig. 2b günstigere Bedingungen für die beiden Werte des Steuersignals erreicht, die hier lauten: Ue, < U1 und U62 > U2 + 1 Uze 1 . Mit den Werten U1 = +6 V, U2 = -6 V und UZ = 14 V der Fig. 3 a und 3 b können also beispielsweise Werte des Steuersignals von Uel = +5 V und Ue2 = +9 V verwendet werden. Die Wirkungsweise dieser Schaltung dürfte nach dem bisher Gesagten aus der Fig. 4b ohne weitere Erläuterung verständlich sein.In the circuit according to FIG. 4a, which likewise only has a Zener diode Z in the base line of the transistor T2, switching means D, 17 and 19 for generating a bias voltage are provided between the base and emitter electrodes of this transistor, similar to FIG. which blocks this transistor in the absence of an effective input signal. As a result, similar to the circuit of FIG. 2b, more favorable conditions are achieved for the two values of the control signal, which are here: Ue, < U1 and U62 > U2 + 1 Uze 1. With the values U1 = +6 V, U2 = -6 V and UZ = 14 V of FIGS. 3a and 3b, values of the control signal of Uel = +5 V and Ue2 = +9 V can be used. The mode of operation of this circuit should be understandable from what has been said above from FIG. 4b without further explanation.

Es zeigt sich somit, daß bei den abgewandelten Schaltungen mit nur einer Zenerdiode stets zumindest einer der Werte des Steuersignals - in den Fig. 4a und 4b der Wert Ue2 - außerhalb des Bereiches der beiden Potentiale U1 und U2 liegen muß.It can thus be seen that in the modified circuits with only a Zener diode always at least one of the values of the control signal - in Figs. 4a and 4b the value Ue2 - outside the range of the two potentials U1 and U2 must lie.

Claims

PATENT CLAIMS: 1. Transistor switch for the optional low-resistance connection of an output terminal with one of two potentials depending on a control signal, with two complementary transistors in series, characterized in that the collector electrodes with the output terminal (13) and the emitter electrodes with low resistance each with one of the both potentials (U1 > U2) are connected and that a Zener diode (Z1, Z2 or Z) is arranged in at least one of the connecting branches to connect the control terminal (10) to the base electrodes, the Zener voltage (UZ) or Zener voltages (UZ, and U "2) satisfy the condition UZ 1> U1 - U2 or 1 U @ II + i U-21 > U1 - U2.

2. Transistor switch according to claim 1, characterized in that the base electrodes of the transistors (T1, T2) are exclusively connected to the control terminal (10) and, when using a Zener diode (Z1, Z2) in both connection branches, the control signal corresponding to the two switching states the values U.,. <U2 and U, 2 > U1 has.

3. Transistor switch according to claim 1, characterized in that a Zener diode (Z1, Z2) is arranged in the connecting branches between the control electrode and the base electrodes of the transistors (T1, T2) , that between the base and emitter electrodes, each of the transistors has switching means for generating a bias voltage are provided which blocks the transistor in the absence of an input signal, and that the control signal satisfies the conditions Uel < U, - 1 Uz, 1 and Ue2 > U2 - @ - 1 Uz21 according to the two switching states.

4. Transistor switch according to claim 1, characterized in that the base electrodes are connected exclusively to the control terminal (10) and, when a Zener diode (2) is used, the control signal in one of the connecting branches corresponds to the two switching states, the values Ue 1 <U2 and Ue 2 > U2 + 1 Uz 1 has.

5. Transistor switch according to claim 1, characterized in that in one of the connecting branches between the control electrode (10) and the base electrodes of the transistors (Z1, Z2) a Zener diode (Z) is inserted that between the base and emitter electrode of this transistor ( T2) circuit means for generating a bias voltage are provided which block the transistor in the absence of an input signal, and that the control signal satisfies the conditions Uel < U1 and U'2> U2 + 1Uz21 in accordance with the two switching states. Documents considered: German Auslegeschrift No. 1039 570.