DE112017004788T5 - ANTENNA DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT - Google Patents

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Kentaro Mikawa
Kenichi Ishizuka
Takafumi Nasu
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

Eine Antennenvorrichtung (101) umfasst: ein Strahlungselement (10); eine Kopplungsschaltung (30) und einen nichtstrahlenden Resonanzkreis (20). Die Kopplungsschaltung (30) umfasst ein erstes Kopplungselement (31) und ein zweites Kopplungselement (32), wobei das erste Kopplungselement (31) zwischen einen Speisekreis (1) und das Strahlungselement (10) geschaltet ist, wobei das zweite Kopplungselement (32) an das erste Kopplungselement (31) gekoppelt ist. Ein Ende des zweiten Kopplungselements (32) ist geerdet, und das andere Ende desselben ist mit dem nichtstrahlenden Resonanzkreis (20) verbunden. Eine Frequenzcharakteristik einer Rückflussdämpfung des Strahlungselements (10), von dem Speisekreis (1) gesehen, ist durch eine Resonanzfrequenzcharakteristik des nichtstrahlenden Resonanzkreises (20) eingestellt. Mit dieser Ausbildung wird ein Interferenzproblem bezüglich der Strahlung von zwei Strahlungselementen gelöst.An antenna device (101) comprises: a radiating element (10); a coupling circuit (30) and a nonradiative resonant circuit (20). The coupling circuit (30) comprises a first coupling element (31) and a second coupling element (32), wherein the first coupling element (31) between a supply circuit (1) and the radiation element (10) is connected, wherein the second coupling element (32) the first coupling element (31) is coupled. One end of the second coupling element (32) is grounded and the other end thereof is connected to the nonradiative resonant circuit (20). A frequency characteristic of a return loss of the radiating element (10) seen from the feeding circuit (1) is set by a resonance frequency characteristic of the non-radiating resonant circuit (20). With this design, an interference problem with respect to the radiation of two radiation elements is achieved.

Description

Technisches GebietTechnical area

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Antennenvorrichtung, die einem breiten Frequenzband entspricht, und auf elektronische Ausrüstung, die die Antennenvorrichtung umfasst.The present invention relates to an antenna device corresponding to a wide frequency band and to electronic equipment comprising the antenna device.

HintergrundtechnikBackground Art

Um ein Frequenzband zu verbreitern oder um mehreren Frequenzbändern zu entsprechen, wird eine Antennenvorrichtung mit zwei Strahlungselementen verwendet, die direkt oder indirekt aneinandergekoppelt sind. Außerdem stellt das Patentdokument 1 eine Antennenvorrichtung mit zwei Strahlungselementen und einer Kopplungsgrad-Einstellschaltung dar, die die Stromspeisung zu den zwei Strahlungselementen steuert.To widen a frequency band or to correspond to multiple frequency bands, an antenna device is used with two radiating elements which are directly or indirectly coupled to one another. In addition, Patent Document 1 represents an antenna device having two radiating elements and a coupling degree adjusting circuit that controls the power supply to the two radiating elements.

Liste zitierter DruckschriftenList of quoted publications

PatentdokumentPatent document

Patentdokument 1: Internationale Veröffentlichung Nr. 2012/153690Patent Document 1: International Publication No. 2012/153690

Kurzdarstellung der ErfindungBrief description of the invention

Technisches ProblemTechnical problem

Bei der Antennenvorrichtung, die in Patentdokument 1 dargestellt ist, sind das erste Strahlungselement und das zweite Strahlungselement über den Transformator aneinandergekoppelt, und ein Speisekreis und die Antennenvorrichtung sind durch eine Einstellung der Kopplung angepasst. Da das erste Strahlungselement und das zweite Strahlungselement bei der in Patentdokument 1 dargestellten Antennenvorrichtung nicht parallel angeordnet zu sein brauchen, besteht bei der Gestaltung von Mustern für dieselben ein großes Maß an Freiheit. Außerdem kann auch dann, wenn das erste Strahlungselement und das zweite Strahlungselement näher aneinander vorgesehen werden, ein vorbestimmter Kopplungsgrad gewählt sein. Dies erlaubt eine einfache Anpassung des Speisekreises und einer Antenne mit mehreren Resonanzen.In the antenna device shown in Patent Document 1, the first radiating element and the second radiating element are coupled to each other via the transformer, and a feeding circuit and the antenna device are adjusted by adjusting the coupling. Since the first radiating element and the second radiating element need not be arranged in parallel in the antenna device shown in Patent Document 1, there is a great deal of freedom in designing patterns for them. In addition, even if the first radiation element and the second radiation element are provided closer to each other, a predetermined degree of coupling may be selected. This allows easy adaptation of the supply circuit and a multi-resonant antenna.

Jedoch wird in einem Frequenzband, in dem eines der Strahlungselemente wesentlich zur Strahlung beiträgt, bei einer Beeinflussung von Strahlung des einen Strahlungselementes durch Strahlung aus dem anderen Strahlungselement eine gewünschte Abstrahlcharakteristik möglicherweise nicht erzielt, was eine Abstrahlcharakteristik einer Antenne verschlechtert.However, in a frequency band in which one of the radiating elements substantially contributes to the radiation, a radiation characteristic of radiation from the other radiating element may not achieve a desired radiation characteristic of radiation of the one radiating element, which deteriorates a radiation characteristic of an antenna.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer Antennenvorrichtung, mit der ein Interferenzproblem bezüglich der Strahlung von zwei Strahlungselementen vermieden wird, um das Band zu verbreitern, sowie von elektronischer Ausrüstung, die die Antennenvorrichtung umfasst.An object of the present invention is to provide an antenna device which avoids an interference problem with respect to the radiation of two radiating elements to widen the tape and electronic equipment comprising the antenna device.

Lösung des Problemsthe solution of the problem

(1) Eine Antennenvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst:

  • ein Strahlungselement;
  • eine Kopplungsschaltung, die ein erstes Kopplungselement und ein zweites Kopplungselement umfasst, wobei das erste Kopplungselement zwischen das Strahlungselement und einen Speisekreis geschaltet ist, wobei das zweite Kopplungselement an das erste Kopplungselement gekoppelt ist; und
  • einen nichtstrahlenden Resonanzkreis, der mit dem zweiten Kopplungselement verbunden ist,
  • wobei eine Frequenzcharakteristik einer Rückflussdämpfung des Strahlungselements durch eine Resonanzfrequenzcharakteristik des nichtstrahlenden Resonanzkreises eingestellt ist.
(1) An antenna device according to the present invention comprises:
  • a radiating element;
  • a coupling circuit comprising a first coupling element and a second coupling element, the first coupling element being connected between the radiating element and a feeding circuit, the second coupling element being coupled to the first coupling element; and
  • a nonradiative resonant circuit connected to the second coupling element,
  • wherein a frequency characteristic of a return loss of the radiating element is set by a resonance frequency characteristic of the non-radiating resonant circuit.

Bei der obigen Ausbildung stören das Strahlungselement und der nichtstrahlende Resonanzkreis einander bezüglich der Strahlung nicht, wobei das Strahlungselement mit dem ersten Kopplungselement der Kopplungsschaltung verbunden ist, der nichtstrahlende Resonanzkreis mit dem zweiten Kopplungselement der Kopplungsschaltung verbunden ist und eine Abstrahlcharakteristik des Strahlungselements nicht ungünstig beeinflusst wird. Außerdem wird die Frequenzcharakteristik einer Rückflussdämpfung des Strahlungselements, von dem Speisekreis gesehen, durch eine Resonanzcharakteristik des nichtstrahlenden Resonanzkreises eingestellt, und es wird eine Polstelle in einem gewünschten Frequenzband erzeugt, um das Band der Frequenzcharakteristik der Antenne zu verbreitern.In the above embodiment, the radiating element and the nonradiative resonant circuit do not interfere with each other with respect to the radiation, the radiating element being connected to the first coupling element of the coupling circuit, the nonradiative resonant circuit being connected to the second coupling element of the coupling circuit, and a radiation characteristic of the radiating element being not adversely affected. In addition, the frequency characteristic of a return loss of the radiating element seen from the feeding circuit is adjusted by a resonance characteristic of the non-radiating resonant circuit, and a pole position is generated in a desired frequency band to widen the band of the frequency characteristic of the antenna.

(2) Bevorzugt ist eine Richtung eines Magnetfelds, das erzeugt ist, wenn Strom in dem ersten Kopplungselement in einer Richtung von einem mit dem Speisekreis verbundenen Anschluss zu einem mit dem Strahlungselement verbundenen Anschluss fließt, zu einer Richtung eines Magnetfelds entgegengesetzt ist, das erzeugt ist, wenn Strom in dem zweiten Kopplungselement in eine Richtung von einem mit dem nichtstrahlenden Resonanzkreis verbundenen Anschluss zu einem mit Masse verbundenen Anschluss fließt. Somit verringert eine wechselseitige Induktivität aufgrund der Kopplung zwischen dem ersten Kopplungselement und dem zweiten Kopplungselement die Induktivitäten des ersten Kopplungselements und des zweiten Kopplungselements, mit einem geringen Einfluss auf eine Schaltungscharakteristik und die Abstrahlcharakteristik des Strahlungselements 10.(2) Preferably, a direction of a magnetic field generated when current in the first coupling element flows in a direction from a terminal connected to the feeding circuit to a terminal connected to the radiating element is opposite to a direction of a magnetic field that is generated when current in the second coupling element flows in a direction from a terminal connected to the nonradiative resonant circuit to a grounded terminal. Thus, due to the coupling between the first coupling element and the second coupling element, a mutual inductance reduces the inductances of the first coupling element and the second coupling element, with a small influence on a circuit characteristic and the radiation characteristic of the radiation element 10 ,

(3) Bevorzugt sind das erste Kopplungselement und das zweite Kopplungselement mehrschichtige Spulen-Leitermuster, und die Kopplungsschaltung bildet einen Transformator, in dem das erste Kopplungselement und das zweite Kopplungselement elektromagnetisch aneinandergekoppelt sind. Somit wird eine Kopplungsschaltung mit einem hohen Kopplungskoeffizienten zwischen dem ersten Kopplungselement und dem zweiten Kopplungselement gebildet, und die Resonanzcharakteristik des nichtstrahlenden Resonanzkreises, von dem Speisekreis gesehen, zeigt sich mit einiger Wahrscheinlichkeit.(3) Preferably, the first coupling element and the second coupling element are multilayered coil conductor patterns, and the coupling circuit forms a transformer in which the first coupling element and the second coupling element are electromagnetically coupled to each other. Thus, a coupling circuit having a high coupling coefficient is formed between the first coupling element and the second coupling element, and the resonance characteristic of the nonradiative resonant circuit seen from the sense circuit is likely to be exhibited.

(4) Bevorzugt sind in Planansicht des Strahlungselements eine Hälfte oder mehr des nichtstrahlenden Resonanzkreises in einer Formationsregion des Strahlungselements enthalten. Somit ist der nichtstrahlende Resonanzkreis durch das Strahlungselement abgeschirmt. Dies erhöht eine nichtstrahlende Eigenschaft des nichtstrahlenden Resonanzkreises, aus einer Entfernung gesehen.(4) Preferably, in plan view of the radiating element, one half or more of the nonradiative resonant circuit is contained in a formation region of the radiating element. Thus, the nonradiative resonant circuit is shielded by the radiating element. This increases a nonradiative property of the nonradiative resonant circuit seen from a distance.

(5) Bevorzugt ist das Strahlungselement durch ein leitfähiges Bauteil gebildet, das in Planansicht drei Seiten bildet, und der nichtstrahlende Resonanzkreis ist in Planansicht von den drei Seiten umgeben. Somit ist der nichtstrahlende Resonanzkreis durch das Strahlungselement abgeschirmt. Dies erhöht die nichtstrahlende Eigenschaft des nichtstrahlenden Resonanzkreises, aus einer Entfernung gesehen.(5) Preferably, the radiating element is constituted by a conductive member forming three sides in plan view, and the nonradiative resonant circuit is surrounded in plan view from the three sides. Thus, the nonradiative resonant circuit is shielded by the radiating element. This increases the nonradiative property of the nonradiative resonant circuit seen from a distance.

(6) Bevorzugt ist der nichtstrahlende Resonanzkreis durch ein lineares Leitermuster gebildet, das in einer Mitte ein Rückführteil aufweist. Somit wird die Schärfe der Resonanz des nichtstrahlenden Resonanzkreises verringert, und der nichtstrahlende Resonanzkreis kann einen Reflexionskoeffizienten in einem relativ breiten Band dämpfen, einschließlich des Bandes, in dem die Polstelle in der Frequenzcharakteristik der Antenne erzeugt ist, und seiner Peripherie. Außerdem kann der nichtstrahlende Resonanzkreis in einem kleinen Bereich vorgesehen sein.(6) Preferably, the non-radiative resonance circuit is formed by a linear conductor pattern having a feedback part at a center. Thus, the sharpness of the resonance of the nonradiative resonant circuit is reduced, and the nonradiative resonant circuit can attenuate a reflection coefficient in a relatively wide band including the band in which the pole location is generated in the frequency characteristic of the antenna and its periphery. In addition, the nonradiative resonant circuit may be provided in a small area.

(7) Bevorzugt umfasst das Leitermuster ein erstes lineares Leitermusterteil, das sich von der Kopplungsschaltung erstreckt, und ein zweites Leitermusterteil, das an dem Rückführteil zurückführt, um von dem Strahlungselement entfernt zu sein. Dies unterdrückt eine unnötige Kopplung zwischen dem nichtstrahlenden Resonanzkreis und dem Strahlungselement.(7) Preferably, the conductor pattern includes a first linear conductor pattern part extending from the coupling circuit, and a second conductor pattern part returning at the return part to be away from the radiating element. This suppresses unnecessary coupling between the nonradiative resonant circuit and the radiating element.

(8) Bevorzugt wird ferner ein Phasenschieber aufgenommen, der zwischen den Speisekreis und das erste Kopplungselement geschaltet ist und der eine Frequenzabhängigkeit hat. Die ermöglicht die Bildung einer Antennenvorrichtung, die Impedanzanpassung in einem breiten Band durchführt.(8) It is also preferable to include a phase shifter connected between the feed circuit and the first coupling element and having a frequency dependency. This enables the formation of an antenna device that performs impedance matching in a wide band.

(9) Bevorzugt ist ein zweiter Anschluss des zweiten Kopplungselements mit Masse verbunden, wobei der zweite Anschluss zu einem ersten Anschluss entgegengesetzt ist, mit dem der nichtstrahlende Resonanzkreis verbunden ist, und eine Länge einer Leitung zwischen dem ersten Kopplungselement und dem Speisekreis sowie eine Länge einer Leitung zwischen dem zweiten Anschluss des zweiten Kopplungselements und Masse sind jeweils kleiner als 1/8 Wellenlänge einer Resonanzfrequenz.(9) Preferably, a second terminal of the second coupling element is grounded, the second terminal being opposite to a first terminal to which the nonradiative resonant circuit is connected, and a length of a lead between the first coupling element and the feeding circuit and a length of one Line between the second terminal of the second coupling element and ground are each less than 1/8 wavelength of a resonant frequency.

Da die Kopplungsschaltung hauptsächlich Magnetfeldkopplung verwendet, wird die Stärke der Kopplung erhöht, wenn die Kopplungsschaltung in einen Abschnitt eingefügt ist, wo ein starker Strom fließt. Die starke Kopplung kann den Einfluss von Resonanz erhöhen, die durch das Hinzufügen der Kopplungsschaltung und des parasitären Elements erzielt ist, und da eine Resonanzbandbreite verbreitert wird, wird ein Frequenzband verbreitert, in dem Kommunikation möglich ist. Außerdem wird eine Signalstärke erhöht und eine Kommunikationscharakteristik verbessert.Since the coupling circuit mainly uses magnetic field coupling, the strength of the coupling is increased when the coupling circuit is inserted in a portion where a large current flows. The strong coupling can increase the influence of resonance obtained by adding the coupling circuit and the parasitic element, and since a resonance bandwidth is widened, a frequency band in which communication is possible is widened. In addition, a signal strength is increased and a communication characteristic is improved.

(10) Die Antennenvorrichtung kann einen Induktor umfassen, der zwischen das zweite Kopplungselement und den nichtstrahlenden Resonanzkreis geschaltet ist. Da der Induktor in einen Abschnitt eingefügt ist, wo der Strom niedrig ist, während eine Veränderung der Kopplung unterdrückt wird (eine Veränderung der Impedanzanpassung unterdrückt wird), kann die Resonanzfrequenz auf der Seite des nichtstrahlenden Resonanzkreises verringert werden und ein gewünschtes Kommunikationsband erzielt werden. Alternativ kann bei Aufrechterhaltung der Resonanzfrequenz die Länge des nichtstrahlenden Resonanzkreises reduziert werden und dadurch der verwendete Bereich reduziert werden.(10) The antenna device may include an inductor connected between the second coupling element and the nonradiative resonance circuit. Since the inductor is inserted in a portion where the current is low while suppressing a change in the coupling (a change in the impedance matching is suppressed), the resonant frequency on the side of the nonradiative resonant circuit can be reduced and a desired communication band can be achieved. Alternatively, while maintaining the resonant frequency, the length of the nonradiative resonant circuit can be reduced, thereby reducing the area used.

(11) Die Antennenvorrichtung kann einen Induktor umfassen, der zwischen den ersten Anschluss des zweiten Kopplungselements und Masse geschaltet ist. Somit kann Reaktanz unterdrückt werden, die durch eine parasitäre Kapazität zwischen Masse und der Kopplungsschaltung durch das Einfügen der Kopplungsschaltung erzeugt ist, und eine Veränderung gegenüber einem Anpassungszustand, in dem die Kopplungsschaltung nicht montiert ist, kann unterdrückt werden. Außerdem kann die Resonanzfrequenz des nichtstrahlenden Resonanzkreises verringert werden und ein gewünschtes Kommunikationsband oder eine gewünschte Kommunikationscharakteristik erzielt werden. Alternativ kann bei Aufrechterhaltung der Resonanzfrequenz die Länge der Antenne reduziert werden und dadurch der verwendete Bereich reduziert werden.(11) The antenna device may include an inductor connected between the first terminal of the second coupling element and ground. Thus, reactance caused by a parasitic capacitance between ground and the coupling circuit by the insertion of the coupling circuit can be suppressed, and a change from a matching state in which the coupling circuit is not mounted can be suppressed. In addition, the resonance frequency of the nonradiative resonant circuit can be reduced and a desired communication band or a desired communication characteristic can be obtained. Alternatively, while maintaining the resonant frequency, the length of the Antenna can be reduced, thereby reducing the area used.

(12) Die Antennenvorrichtung kann ferner einen Kondensator umfassen, der zwischen das zweite Kopplungselement und den nichtstrahlenden Resonanzkreis geschaltet ist. Somit kann die Resonanzfrequenz auf der Seite des nichtstrahlenden Resonanzkreises erhöht werden und ein gewünschtes Kommunikationsband erzielt werden.(12) The antenna device may further include a capacitor connected between the second coupling element and the nonradiative resonance circuit. Thus, the resonant frequency on the side of the nonradiative resonant circuit can be increased and a desired communication band can be achieved.

(13) Die Antennenvorrichtung kann ferner einen Kondensator umfassen, der zwischen den ersten Anschluss des zweiten Kopplungselements und Masse geschaltet ist. Somit kann eine parasitäre Kapazität reduziert werden, die zwischen Masse und der Kopplungsschaltung durch das Einfügen der Kopplungsschaltung erzeugt ist, und eine Veränderung gegenüber einem Anpassungszustand, in dem die Kopplungsschaltung nicht montiert ist, kann unterdrückt werden. Außerdem kann die Resonanzfrequenz auf der Seite des nichtstrahlenden Resonanzkreises erhöht werden und ein gewünschtes Kommunikationsband oder eine gewünschte Kommunikationscharakteristik erzielt werden.(13) The antenna device may further include a capacitor connected between the first terminal of the second coupling element and ground. Thus, a parasitic capacitance generated between ground and the coupling circuit by the insertion of the coupling circuit can be reduced, and a change from a matching state in which the coupling circuit is not mounted can be suppressed. In addition, the resonance frequency on the side of the non-radiative resonance circuit can be increased, and a desired communication band or a desired communication characteristic can be obtained.

(14) Die Antennenvorrichtung kann so ausgebildet sein, dass dieselbe ferner umfasst: eine zweite Kopplungsschaltung, die ein drittes Kopplungselement und ein viertes Kopplungselement umfasst, wobei das dritte Kopplungselement zwischen das erste Kopplungselement und den Speisekreis geschaltet ist, wobei das vierte Kopplungselement an das dritte Kopplungselement gekoppelt ist; und einen zweiten nichtstrahlenden Resonanzkreis, der mit dem vierten Kopplungselement verbunden ist. Somit kann die Zahl der hinzufügbaren Resonanzen erhöht werden, und eine Bandbreite wird verbreitert, und dementsprechend wird eine Domäne verbreitert, in der Kommunikation möglich ist. Bei gleicher Resonanzfrequenz wird die Impedanzanpassung verbessert.(14) The antenna device may be configured to further include: a second coupling circuit including a third coupling element and a fourth coupling element, the third coupling element being connected between the first coupling element and the feeding circuit, the fourth coupling element being connected to the third coupling element Coupling element is coupled; and a second nonradiative resonant circuit connected to the fourth coupling element. Thus, the number of the resonances to be added can be increased, and a bandwidth is widened, and accordingly, a domain in which communication is possible is broadened. At the same resonant frequency, the impedance matching is improved.

(15) Die Antennenvorrichtung kann ferner umfassen: eine zweite Kopplungsschaltung, die ein drittes Kopplungselement und ein viertes Kopplungselement umfasst, wobei das dritte Kopplungselement zwischen das zweite Kopplungselement und den nichtstrahlenden Resonanzkreis geschaltet ist, wobei das vierte Kopplungselement an das dritte Kopplungselement gekoppelt ist; und einen zweiten nichtstrahlenden Resonanzkreis, der mit dem vierten Kopplungselement verbunden ist. Mit dieser Struktur können mehrere nichtstrahlende Resonanzkreise verwendet werden, und eine Kommunikationscharakteristik wird verbessert.(15) The antenna device may further include: a second coupling circuit including a third coupling element and a fourth coupling element, the third coupling element being connected between the second coupling element and the nonradiative resonant circuit, the fourth coupling element being coupled to the third coupling element; and a second nonradiative resonant circuit connected to the fourth coupling element. With this structure, a plurality of nonradiative resonant circuits can be used, and a communication characteristic is improved.

(16) Die Antennenvorrichtung kann ferner einen Schalter umfassen, der zwischen den nichtstrahlenden Resonanzkreis und Masse geschaltet ist. Dies kann eine Resonanzfrequenz verändern, die durch das Vorsehen der Kopplungsschaltung und des nichtstrahlenden Resonanzkreises hinzugefügt wird, und kann die Anpassung verändern, um die Impedanzanpassung zu verbessern. Außerdem kann die Resonanzfrequenz oder die Anpassung in der Weise verändert werden, dass die Kopplungsschaltung und der nichtstrahlende Resonanzkreis leicht aneinander koppelbar sind, wodurch die Impedanzanpassung verbessert wird.(16) The antenna device may further include a switch connected between the nonradiative resonant circuit and ground. This may change a resonant frequency added by the provision of the coupling circuit and the nonradiative resonant circuit and may alter the matching to improve the impedance matching. In addition, the resonance frequency or the matching can be changed in such a manner that the coupling circuit and the nonradiative resonant circuit are easily coupled to each other, thereby improving the impedance matching.

(17) In dem Fall, dass die Kopplungsschaltung eine parasitäre Kapazität umfasst, umfasst die Antennenvorrichtung bevorzugt ferner einen Induktor, der mit der Kopplungsschaltung verbunden ist und der eine in der Kopplungsschaltung erzeugte Reaktanzkomponente durch parallele Resonanz mit der parasitären Kapazität unterdrückt. Somit wird eine Reaktanzkomponente aufgehoben, die durch das Einfügen der Kopplungsschaltung hinzugefügt ist, und eine Veränderung gegenüber einem Anpassungszustand, in dem die Kopplungsschaltung nicht montiert ist, kann unterdrückt werden.(17) In the case that the coupling circuit includes a parasitic capacitance, the antenna device preferably further includes an inductor connected to the coupling circuit and suppressing a reactance component generated in the coupling circuit by parallel resonance with the parasitic capacitance. Thus, a reactance component added by the insertion of the coupling circuit is canceled, and a change from a matching state in which the coupling circuit is not mounted can be suppressed.

(18) Eine Antennenvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst:

  • ein Strahlungselement, mit dem ein Speisekreis verbunden ist;
  • eine Kopplungsschaltung, die ein erstes Kopplungselement und ein zweites Kopplungselement umfasst, wobei das erste Kopplungselement zwischen das Strahlungselement und Masse geschaltet ist, wobei das zweite Kopplungselement an das erste Kopplungselement gekoppelt ist; und
  • einen nichtstrahlenden Resonanzkreis, der mit dem zweiten Kopplungselement verbunden ist,
  • wobei eine Frequenzcharakteristik einer Rückflussdämpfung des Strahlungselements durch eine Resonanzfrequenzcharakteristik des nichtstrahlenden Resonanzkreises eingestellt ist.
(18) An antenna device according to the present invention comprises:
  • a radiating element to which a feeding circuit is connected;
  • a coupling circuit comprising a first coupling element and a second coupling element, the first coupling element being connected between the radiating element and ground, the second coupling element being coupled to the first coupling element; and
  • a nonradiative resonant circuit connected to the second coupling element,
  • wherein a frequency characteristic of a return loss of the radiating element is set by a resonance frequency characteristic of the non-radiating resonant circuit.

Bei der obigen Ausbildung stören das Strahlungselement und der nichtstrahlende Resonanzkreis einander bezüglich der Strahlung nicht, wobei das Strahlungselement mit dem ersten Kopplungselement der Kopplungsschaltung verbunden ist, wobei der nichtstrahlende Resonanzkreis mit dem zweiten Kopplungselement der Kopplungsschaltung verbunden ist und die Abstrahlcharakteristik des Strahlungselements nicht ungünstig beeinflusst wird. Außerdem wird die Frequenzcharakteristik einer Rückflussdämpfung des Strahlungselements, von dem Speisekreis gesehen, durch die Resonanzcharakteristik des nichtstrahlenden Resonanzkreises eingestellt, und in einem gewünschten Frequenzband wird eine Polstelle erzeugt, um das Band der Frequenzcharakteristik der Antenne zu verbreitern. Da eine Stromstärke in einem Abschnitt, der mit Masse verbunden ist, besonders hoch ist, können das Strahlungselement und der nichtstrahlende Resonanzkreis über die Kopplungsschaltung aneinandergekoppelt sein. Außerdem besteht größere Freiheit bei der Anordnung der Kopplungsschaltung und des nichtstrahlenden Resonanzkreises.In the above embodiment, the radiation element and the nonradiative resonance circuit do not interfere with each other with the radiation element connected to the first coupling element of the coupling circuit, the nonradiative resonance circuit being connected to the second coupling element of the coupling circuit and the radiation characteristic of the radiation element not adversely affected , In addition, the frequency characteristic of a return loss of the radiating element seen from the feeding circuit is adjusted by the resonance characteristic of the non-radiating resonant circuit, and a pole point is generated in a desired frequency band to widen the band of the frequency characteristic of the antenna. Since a current in a section connected to ground, is particularly high, the radiating element and the non-radiative resonance circuit can be coupled to each other via the coupling circuit. In addition, there is greater freedom in the arrangement of the coupling circuit and the non-radiative resonance circuit.

(19) Elektronische Ausrüstung gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst die obige Antennenvorrichtung gemäß einem der Punkte (1) bis (18); den Speisekreis, der mit der Kopplungsschaltung verbunden ist; und ein Gehäuse, in dem der Speisekreis aufgenommen ist, wobei ein Teil des Strahlungselements oder das gesamte Strahlungselement ein Teil des Gehäuses ist.(19) Electronic equipment according to the present invention comprises the above antenna device according to any one of (1) to (18); the supply circuit connected to the coupling circuit; and a housing in which the feeding circuit is received, wherein a part of the radiation element or the entire radiation element is a part of the housing.

Bei der obigen Ausbildung ist es nicht notwendig, ein leitfähiges Bauteil oder ein Leitermuster eigens für das Strahlungselement vorzusehen, und es kann eine Größenverringerung erreicht werden. Zudem werden bei elektronischer Ausrüstung mit einem Metallgehäuse elektromagnetische Wellen nicht von dem Metallgehäuse blockiert.In the above embodiment, it is not necessary to provide a conductive member or pattern specifically for the radiating element, and size reduction can be achieved. In addition, in electronic equipment with a metal housing, electromagnetic waves are not blocked by the metal housing.

Vorteilhafte Wirkungen der ErfindungAdvantageous Effects of the Invention

Gemäß der vorliegenden Erfindung können die Antennenvorrichtung, die das Interferenzproblem bezüglich der Strahlung von zwei Strahlungselementen vermeidet, um das Band zu verbreitern, sowie die elektronische Ausrüstung erzielt werden, die die Antennenvorrichtung umfasst.According to the present invention, the antenna device which avoids the interference problem with respect to the radiation of two radiating elements to widen the band and the electronic equipment comprising the antenna device can be achieved.

Figurenlistelist of figures

  • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine hauptsächliche Ausbildung einer Antennenvorrichtung 101 gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel sowie elektronische Ausrüstung darstellt, die die Antennenvorrichtung 101 umfasst. 1 FIG. 15 is a perspective view showing a principal configuration of an antenna device. FIG 101 according to a first embodiment as well as electronic equipment representing the antenna device 101 includes.
  • 2 ist eine Planansicht eines Hauptteils der Antennenvorrichtung 101. 2 Fig. 10 is a plan view of a main part of the antenna device 101 ,
  • 3 ist eine Planansicht einer Stelle, an der ein nichtstrahlender Resonanzkreis 20 gebildet ist. 3 is a plan view of a location where a non-radiative resonant circuit 20 is formed.
  • 4 stellt eine Ausbildung einer Kopplungsschaltung 30 und einer damit verbundenen Schaltung dar. 4 represents an embodiment of a coupling circuit 30 and an associated circuit.
  • 5(A) ist ein Äquivalenzschaltungsdiagramm der Antennenvorrichtung 101 in einem hohen Band. 5(B) ist ein Äquivalenzschaltungsdiagramm der Antennenvorrichtung 101 in einem niedrigen Band. 5 (A) Fig. 10 is an equivalent circuit diagram of the antenna device 101 in a high band. 5 (B) Fig. 10 is an equivalent circuit diagram of the antenna device 101 in a low band.
  • 6 stellt eine Frequenzcharakteristik einer Rückflussdämpfung der Antennenvorrichtung 101 und einer Antennenvorrichtung aus einem Vergleichsbeispiel dar. 6 represents a frequency characteristic of a return loss of the antenna device 101 and an antenna device of a comparative example.
  • 7 ist ein Konzeptdiagramm, das einen Unterschied der Impedanzanpassung abhängig von der Stärke der Kopplung der Kopplungsschaltung darstellt. 7 FIG. 4 is a conceptual diagram illustrating a difference in impedance matching depending on the coupling strength of the coupling circuit. FIG.
  • 8 ist eine perspektivische Ansicht der Kopplungsschaltung 30. 8th is a perspective view of the coupling circuit 30 ,
  • 9 sind auseinandergezogene Planansichten, die einige auf Schichten der Kopplungsschaltung gebildete Leitermuster darstellen. 9 10 are exploded plan views illustrating some conductor patterns formed on layers of the coupling circuit.
  • 10 ist ein Schaltungsdiagramm der Kopplungsschaltung 30 mit vier Spulenleitermustern. 10 is a circuit diagram of the coupling circuit 30 with four coil conductor patterns.
  • 11 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 102 gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel dar. 11 illustrates a circuit design of an antenna device 102 according to a second embodiment.
  • 12 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 103 gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel dar. 12 illustrates a circuit design of an antenna device 103 according to a third embodiment.
  • 13 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 104 gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel dar. 13 illustrates a circuit design of an antenna device 104 according to a fourth embodiment.
  • 14 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 105 gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel dar. 14 illustrates a circuit design of an antenna device 105 according to a fifth embodiment.
  • 15 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 106A gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel dar. 15 illustrates a circuit design of an antenna device 106A according to a sixth embodiment.
  • 16 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 106B gemäß dem sechsten Ausführungsbeispiel dar. 16 illustrates a circuit design of an antenna device 106B according to the sixth embodiment.
  • 17 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 106C gemäß dem sechsten Ausführungsbeispiel dar. 17 illustrates a circuit design of an antenna device 106C according to the sixth embodiment.
  • 18 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 106D gemäß dem sechsten Ausführungsbeispiel dar. 18 illustrates a circuit design of an antenna device 106D according to the sixth embodiment.
  • 19(A) stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 107A gemäß einem siebten Ausführungsbeispiel dar. 19(B) stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 107B gemäß dem siebten Ausführungsbeispiel dar. 19 (A) illustrates a circuit design of an antenna device 107A according to a seventh embodiment. 19 (B) illustrates a circuit design of an antenna device 107B according to the seventh embodiment.
  • 20 ist eine auseinandergezogene Planansicht, die Leitermuster darstellt, welche auf Schichten der Kopplungsschaltung 30 gemäß dem siebten Ausführungsbeispiel gebildet sind. 20 Figure 11 is an exploded plan view illustrating conductor patterns formed on layers of the coupling circuit 30 are formed according to the seventh embodiment.
  • 21 ist eine Schnittansicht der Kopplungsschaltung 30 gemäß dem siebten Ausführungsbeispiel. 21 is a sectional view of the coupling circuit 30 according to the seventh embodiment.
  • 22 ist eine Planansicht, die eine Überlappung zwischen einem Leitermuster L12 und einem Leitermuster L21 insbesondere in der Kopplungsschaltung 30 gemäß dem siebten Ausführungsbeispiel darstellt. 22 is a plan view, which is an overlap between a ladder pattern L12 and a ladder pattern L21 in particular in the coupling circuit 30 represents according to the seventh embodiment.
  • 23 ist eine auseinandergezogene Planansicht, die Leitermuster darstellt, welche auf Schichten einer weiteren Kopplungsschaltung 30 gemäß dem siebten Ausführungsbeispiel gebildet sind. 23 Figure 11 is an exploded plan view illustrating conductor patterns formed on layers of another coupling circuit 30 are formed according to the seventh embodiment.
  • 24 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 108 gemäß einem achten Ausführungsbeispiel dar. 24 illustrates a circuit design of an antenna device 108 according to an eighth embodiment.
  • 25 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 109 gemäß einem neunten Ausführungsbeispiel dar. 25 illustrates a circuit design of an antenna device 109 according to a ninth embodiment.
  • 26 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 110 gemäß einem zehnten Ausführungsbeispiel dar. 26 illustrates a circuit design of an antenna device 110 according to a tenth embodiment.
  • 27(A) und 27(B) stellen Schaltungsausbildungen von Antennenvorrichtungen 111A und 111B gemäß einem elften Ausführungsbeispiel dar. 27 (A) and 27 (B) provide circuit designs of antenna devices 111A and 111B according to an eleventh embodiment.
  • 28 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 112 gemäß einem zwölften Ausführungsbeispiel dar. 28 illustrates a circuit design of an antenna device 112 according to a twelfth embodiment.
  • 29 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 113 gemäß einem dreizehnten Ausführungsbeispiel dar. 29 illustrates a circuit design of an antenna device 113 according to a thirteenth embodiment.
  • 30 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 114 gemäß einem vierzehnten Ausführungsbeispiel dar. 30 illustrates a circuit design of an antenna device 114 according to a fourteenth embodiment.
  • 31 (A) stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 115 gemäß einem fünfzehnten Ausführungsbeispiel dar. 31(B) stellt eine Frequenzcharakteristik einer Rückflussdämpfung der in 31(A) dargestellten Antennenvorrichtung 115 und einer Antennenvorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel dar. 31 (A) illustrates a circuit design of an antenna device 115 according to a fifteenth embodiment. 31 (B) represents a frequency characteristic of a return loss of in 31 (A) illustrated antenna device 115 and an antenna device according to a comparative example.
  • 32 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 116 gemäß einem sechzehnten Ausführungsbeispiel dar. 32 illustrates a circuit design of an antenna device 116 according to a sixteenth embodiment.
  • 33 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 117 gemäß einem siebzehnten Ausführungsbeispiel dar. 33 illustrates a circuit design of an antenna device 117 according to a seventeenth embodiment.
  • 34 stellt eine Frequenzcharakteristik einer Rückflussdämpfung der Antennenvorrichtung 117 dar. 34 represents a frequency characteristic of a return loss of the antenna device 117 represents.
  • 35 ist ein Schaltungsdiagramm einer Antennenvorrichtung 118A gemäß einem achtzehnten Ausführungsbeispiel. 35 Fig. 10 is a circuit diagram of an antenna device 118A according to an eighteenth embodiment.
  • 36 ist ein Schaltungsdiagramm einer weiteren Antennenvorrichtung 118B gemäß dem achtzehnten Ausführungsbeispiel. 36 is a circuit diagram of another antenna device 118B according to the eighteenth embodiment.
  • 37 ist ein Schaltungsdiagramm wiederum einer weiteren Antennenvorrichtung 118C gemäß dem achtzehnten Ausführungsbeispiel. 37 is a circuit diagram turn another antenna device 118C according to the eighteenth embodiment.
  • 38 ist eine Planansicht eines Hauptteils einer Antennenvorrichtung 119 gemäß einem neunzehnten Ausführungsbeispiel. 38 is a plan view of a main part of an antenna device 119 according to a nineteenth embodiment.
  • 39 ist eine perspektivische Ansicht der Kopplungsschaltung 30 gemäß dem neunzehnten Ausführungsbeispiel. 39 is a perspective view of the coupling circuit 30 according to the nineteenth embodiment.
  • 40 stellt eine Ausbildung einer weiteren Kopplungsschaltung 30 gemäß dem neunzehnten Ausführungsbeispiel dar und ist eine auseinandergezogene Planansicht, die auf Schichten der Kopplungsschaltung 30 gebildete Leitermuster darstellt. 40 represents an embodiment of another coupling circuit 30 according to the nineteenth embodiment, and is an exploded plan view, which is based on layers of the coupling circuit 30 represents formed conductor patterns.
  • 41 ist ein Schaltungsdiagramm einer Antennenvorrichtung 120 gemäß einem zwanzigsten Ausführungsbeispiel, bei dem ein Speisekreis 1 verbunden ist. 41 Fig. 10 is a circuit diagram of an antenna device 120 according to a twentieth embodiment, in which a feeding circuit 1 connected is.
  • 42 ist ein Äquivalenzschaltungsdiagramm, das einen Phasenschieber 50 gemäß dem zwanzigsten Ausführungsbeispiel darstellt, bei dem ein idealer Transformator IT und parasitäre Induktivitätskomponenten getrennt dargestellt sind. 42 is an equivalence circuit diagram showing a phase shifter 50 according to the twentieth embodiment, in which an ideal transformer IT and parasitic inductance components are shown separately.
  • 43 stellt eine Frequenzcharakteristik eines Phasenverschiebungsbetrags des Phasenschiebers 50 dar. 43 represents a frequency characteristic of a phase shift amount of the phase shifter 50 represents.
  • 44(A) ist ein Schaltungsdiagramm der bei dem ersten Ausführungsbeispiel dargestellten Antennenvorrichtung, die nicht den Phasenschieber 50 umfasst, und 44(B) stellt Impedanz-Orte dar, die auf einem Smith-Diagramm Impedanzen bei von dem Speisekreis 1 gesehener Antennenvorrichtung repräsentieren. 44 (A) FIG. 12 is a circuit diagram of the antenna device shown in the first embodiment which is not the phase shifter 50 includes, and 44 (B) represents impedance locations on a Smith chart with impedances from the supply circuit 1 represented antenna device.
  • 45(A) ist ein Schaltungsdiagramm einer Antennenvorrichtung mit hinzugefügtem Phasenschieber 50. 45(B) stellt Impedanz-Orte dar, die auf einem Smith-Diagramm Impedanzen bei von dem Speisekreis 1 gesehener Antennenvorrichtung repräsentieren. 45 (A) Fig. 10 is a circuit diagram of an antenna device with added phase shifter 50 , 45 (B) represents impedance locations on a Smith chart with impedances from the supply circuit 1 represented antenna device.
  • 46(A) ist ein Schaltungsdiagramm einer Antennenvorrichtung, die einen Impedanzanpassungs-Kondensator C5 umfasst. 46(B) stellt einen Impedanz-Ort dar, der auf einem Smith-Diagramm eine Impedanz bei von dem Speisekreis 1 gesehener Antennenvorrichtung darstellt. 46 (A) FIG. 12 is a circuit diagram of an antenna device including an impedance matching capacitor. FIG C5 includes. 46 (B) represents an impedance location which, on a Smith chart, imparts impedance from the sense circuit 1 represents viewed antenna device.
  • 47 stellt eine Frequenzcharakteristik einer Rückflussdämpfung der in 44(A) und 46(A) dargestellten Antennenvorrichtungen und einer Antennenvorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel dar. 47 represents a frequency characteristic of a return loss of in 44 (A) and 46 (A) shown antenna devices and an antenna device according to a comparative example.
  • 48 ist eine perspektivische Außenansicht des Phasenschiebers 50. 48 is an external perspective view of the phase shifter 50 ,
  • 49 ist eine Planansicht von Schichten in dem Phasenschieber 50. 49 is a plan view of layers in the phase shifter 50 ,
  • 50 ist eine Schnittansicht des Phasenschiebers 50. 50 is a sectional view of the phase shifter 50 ,
  • 51 ist eine Planansicht, die einen Teil eines Metallgehäuses von elektronischer Ausrüstung gemäß einem einundzwanzigsten Ausführungsbeispiel darstellt. 51 FIG. 10 is a plan view illustrating a part of a metal case of electronic equipment according to a twenty-first embodiment. FIG.
  • 52(A) und 52(B) sind perspektivische Ansichten, die Teile von Metallgehäusen unterschiedlicher elektronischer Ausrüstungsteile gemäß dem einundzwanzigsten Ausführungsbeispiel darstellen. 52 (A) and 52 (B) FIG. 15 is perspective views illustrating parts of metal cases of different electronic equipment according to the twenty-first embodiment.

Beschreibung der AusführungsbeispieleDescription of the embodiments

Im Folgenden werden nun mehrere Ausführungsbeispiele für die Umsetzung der vorliegenden Erfindung anhand spezifischer Beispiele unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen in den Zeichnungen gleiche Teile. Im Hinblick auf die Erläuterung hauptsächlicher Punkte und die Verständlichkeit sind die Ausführungsbeispiele der Einfachheit halber getrennt dargestellt. Die in den unterschiedlichen Ausführungsbeispielen dargestellten Teile können jedoch ersetzt oder kombiniert werden. Bei einem zweiten Ausführungsbeispiel und weiteren Ausführungsbeispielen wird auf eine Beschreibung des mit einem ersten Ausführungsbeispiel Gemeinsamen verzichtet, und es werden nur abweichende Punkte beschrieben. Insbesondere werden gleiche oder im Wesentlichen gleiche Wirkungen, die durch die gleiche oder im Wesentlichen gleiche Ausbildung erzielt werden, in den Ausführungsbeispielen nicht wiederholt.In the following, several embodiments for the implementation of the present invention will now be described by way of specific examples with reference to the drawings. Like reference numerals designate like parts throughout the drawings. In view of the explanation of the main points and the intelligibility, the embodiments are shown separately for the sake of simplicity. However, the parts shown in the different embodiments may be replaced or combined. In a second embodiment and further embodiments, a description of the common with a first embodiment will be omitted, and only different points will be described. In particular, the same or substantially the same effects achieved by the same or substantially the same education, not repeated in the embodiments.

Die in den Ausführungsbeispielen dargestellte „Antennenvorrichtung“ ist auf eine solche anwendbar, die Signale sendet, oder auf eine solche, die Signale empfängt. Auch in dem Fall, dass die „Antennenvorrichtung“ als eine Antenne beschrieben ist, die elektromagnetische Wellen abstrahlt, ist die Antennenvorrichtung nicht auf eine Quelle eingeschränkt, die die elektromagnetischen Wellen erzeugt. Auch im Fall des Empfangs einer elektromagnetischen Welle, die von einer Kommunikationspartner-Antennenvorrichtung erzeugt ist, das heißt, auch wenn Senden und Empfang umgekehrt sind, werden die gleichen oder im Wesentlichen die gleichen Wirkungen hervorgebracht.The "antenna device" shown in the embodiments is applicable to one that transmits signals, or one that receives signals. Also, in the case that the "antenna device" is described as an antenna that radiates electromagnetic waves, the antenna device is not limited to a source that generates the electromagnetic waves. Also, in the case of receiving an electromagnetic wave generated by a communication partner antenna apparatus, that is, even if transmission and reception are reversed, the same or substantially the same effects are produced.

Erstes AusführungsbeispielFirst embodiment

1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine hauptsächliche Ausbildung einer Antennenvorrichtung 101 gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel und von elektronischer Ausrüstung darstellt, die die Antennenvorrichtung 101 umfasst. 2 ist eine Planansicht eines Hauptteils der Antennenvorrichtung 101. 1 FIG. 15 is a perspective view showing a principal configuration of an antenna device. FIG 101 according to the first embodiment and of electronic equipment comprising the antenna device 101 includes. 2 Fig. 10 is a plan view of a main part of the antenna device 101 ,

Ein Metallgehäuse der elektronischen Ausrüstung umfasst ein Strahlungselement 10, das ein Endabschnitt des Metallgehäuses ist, und einen Metallgehäuse-Hauptteil 40. Der Metallgehäuse-Hauptteil 40 setzt sich aus einem planen Teil 41 und Seitenflächenteilen 42 und 43 zusammen.A metal housing of the electronic equipment comprises a radiating element 10 which is an end portion of the metal shell, and a metal shell main body 40 , The metal housing body 40 is made up of a planned part 41 and side panel parts 42 and 43 together.

Die Antennenvorrichtung 101 umfasst das Strahlungselement 10, einen nichtstrahlenden Resonanzkreis 20 und die Kopplungsschaltung 30.The antenna device 101 includes the radiating element 10 , a non-radiative resonant circuit 20 and the coupling circuit 30 ,

Das Strahlungselement 10 ist der Endabschnitt des Metallgehäuses und setzt sich aus einem Endflächenteil 11 und Seitenflächenteilen 12 und 13 zusammen. Ein Endabschnitt des Seitenflächenteils 12 ist über einen Induktor 8 mit einer Masse eines Schaltungssubstrats 6 verbunden (ist geerdet). Obwohl ein Endabschnitt des Seitenflächenteils 13 offen ist, ist zwischen diesem offenen Ende und Masse eine parasitäre Kapazität C erzeugt. Es wird angemerkt, dass auf das Schaltungssubstrat 6 ein Verbinder 7 wie etwa ein USB montiert ist und in dem Endflächenteil 11 eine Öffnung für den Verbinder 7 gebildet ist. Jedoch ist der Verbinder 7 keine Komponente der Antennenvorrichtung 101.The radiation element 10 is the end portion of the metal housing and is made up of an end surface part 11 and side panel parts 12 and 13 together. An end portion of the side surface part 12 is about an inductor 8th with a ground of a circuit substrate 6 connected (is grounded). Although an end portion of the side surface part 13 is open, between this open end and ground is a parasitic capacitance C generated. It is noted that on the circuit substrate 6 a connector 7 such as a USB is mounted and in the Endflächenteil 11 an opening for the connector 7 is formed. However, the connector is 7 no component of the antenna device 101 ,

Das Schaltungssubstrat 6 umfasst eine Masseregion GZ, in der eine Masseelektrode GND gebildet ist, und eine Nicht-Masseregion NGZ, in der keine Masseelektrode gebildet ist. Der Endabschnitt des Metallgehäuses, der das Strahlungselement 10 ist, ist auf der Seite der Nicht-Masseregion angeordnet. In der Nicht-Masseregion NGZ des Schaltungssubstrats 6 ist mithilfe eines Leitermusters der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 gebildet. Ebenfalls in der Nicht-Masseregion NGZ des Schaltungssubstrats 6 ist eine Speiseleitung 9 gebildet, die die Kopplungsschaltung 30 und das Strahlungselement 10 miteinander verbindet.The circuit substrate 6 includes a mass region GZ in which a ground electrode GND is formed, and a non-mass region NGE in which no ground electrode is formed. The end portion of the metal housing, which is the radiating element 10 is located on the side of the non-mass region. In the non-mass region NGE of the circuit substrate 6 is by means of a conductor pattern of the nonradiative resonant circuit 20 educated. Also in the non-mass region NGE of the circuit substrate 6 is a feed line 9 formed, which is the coupling circuit 30 and the radiating element 10 connects with each other.

Wie in 2 dargestellt, ist der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 mithilfe eines linearen Leitermusters gebildet, das in der Mitte ein Rückführteil 20FB aufweist. Da das lineare Leitermuster mit einem Rückführteil in der Mitte verwendet wird, ist auf diese Weise der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 in einem kleinen Bereich vorgesehen, und eine elektrische Länge, die für die Resonanz notwendig ist, kann erzielt werden. Außerdem sind in diesem Ausführungsbeispiel ein erstes lineares Leitermusterteil 21, das sich von der Kopplungsschaltung 30 erstreckt, und ein zweites lineares Leitermusterteil 22 enthalten, das zu einer von dem Strahlungselement 10 entfernten Seite zurückführt. Da ein Teil in der Nähe des Strahlungselements 10 (insbesondere des Endflächenteils 11) kurz ist und die Erstreckungsrichtungen zueinander entgegengesetzt sind, ist bei dieser Struktur eine wesentliche Kopplung mit dem Strahlungselement 10 (insbesondere dem Endflächenteil 11) schwach. Dies unterdrückt eine unnötige Kopplung zwischen dem nichtstrahlenden Resonanzkreis 20 und dem Strahlungselement 10.As in 2 is shown, the non-radiative resonant circuit 20 formed by a linear conductor pattern, which in the middle of a return part 20FB having. In this way, since the linear conductor pattern is used with a return part in the middle, the nonradiative resonant circuit is used 20 is provided in a small area, and an electrical length necessary for resonance can be obtained. In addition, in this embodiment, a first linear conductor pattern part 21 that is different from the coupling circuit 30 extends, and a second linear conductor pattern part 22 included, that to one of the radiating element 10 the remote side. As a part near the radiating element 10 (in particular the end surface part 11 ) is short and the directions of extension are opposite to each other, in this structure is a substantial coupling with the radiating element 10 (especially the end face part 11 ) weak. This suppresses an unnecessary Coupling between the non-radiating resonant circuit 20 and the radiating element 10 ,

Es wird angemerkt, dass das zweite lineare Leitermusterteil 22 breiter als das erste lineare Leitermusterteil 21 ist. Somit kann eine Resonanzbandbreite verbreitert werden.It is noted that the second linear conductor pattern part 22 wider than the first linear conductor pattern part 21 is. Thus, a resonance bandwidth can be widened.

3 ist eine Planansicht, die eine Stelle darstellt, an der der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 gebildet ist. Das Strahlungselement 10 ist durch ein leitfähiges Bauteil gebildet (den Endflächenteil 11 und die Seitenflächenteile 12 und 13), das in Planansicht drei Seiten bildet, und der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 ist von einer Strahlungselement-Formationsregion 10Z umgeben, die in Planansicht von den drei Seiten des Strahlungselements 10 umgeben ist. Es braucht nicht der gesamte nichtstrahlende Resonanzkreis 20 innerhalb der Strahlungselement-Formationsregion 10Z vorgesehen zu sein, und bevorzugt ist eine Hälfte oder mehr des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20 in der Strahlungselement-Formationsregion 10Z enthalten. Da der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 nicht als Strahlungselement verwendet wird, ist der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 bevorzugt „nichtstrahlend“. In dem Fall, dass der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 in Planansicht von den drei Seiten des leitfähigen Bauteils umgeben ist und eine Hälfte oder mehr des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20 in der Strahlungselement-Formationsregion 10Z enthalten ist, ist somit der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 durch das Strahlungselement 10 abgeschirmt. Dies erhöht eine nichtstrahlende Eigenschaft des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20, aus einer Entfernung gesehen. 3 is a plan view illustrating a location at which the nonradiative resonant circuit 20 is formed. The radiation element 10 is formed by a conductive member (the end face part 11 and the side panel parts 12 and 13 ), which in plan view forms three sides, and the nonradiative resonant circuit 20 is of a radiating element formation region 10Z surrounded in plan view by the three sides of the radiating element 10 is surrounded. It does not need the entire non-radiative resonant circuit 20 within the radiating element formation region 10Z and preferably one half or more of the nonradiative resonant circuit is provided 20 in the radiating element formation region 10Z contain. Since the non-radiating resonant circuit 20 is not used as a radiating element is the non-radiative resonant circuit 20 preferably "non-radiative". In the case that the nonradiative resonant circuit 20 is surrounded in plan view from the three sides of the conductive member and one half or more of the nonradiative resonant circuit 20 in the radiating element formation region 10Z is included, is thus the non-radiative resonant circuit 20 through the radiating element 10 shielded. This increases a non-radiative property of the nonradiative resonant circuit 20 , seen from a distance.

4 stellt eine Ausbildung der Kopplungsschaltung 30 und einer damit verbundenen Schaltung dar. Die Kopplungsschaltung 30 umfasst ein erstes Kopplungselement 31 und ein zweites Kopplungselement 32, das an das erste Kopplungselement 31 gekoppelt ist, und durch das erste Kopplungselement 31 und das zweite Kopplungselement 32 ist ein Transformator gebildet. Das erste Kopplungselement 31 und das zweite Kopplungselement 32 haben kleine Induktivitäten von jeweils 10 nH oder weniger. Das Strahlungselement 10 und der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 sind über die Kopplungsschaltung 30 mit einem Kopplungskoeffizienten von 0,5 oder mehr aneinandergekoppelt, bevorzugt mit einem Kopplungskoeffizienten von 0,8 oder mehr. Mit einer kleineren Induktivität eines Kopplungselements können der Einfluss auf eine Schaltungscharakteristik und eine Abstrahlcharakteristik des Strahlungselements 10 in höherem Grade unterdrückt werden. Mit höherem Kopplungskoeffizienten sind das Strahlungselement 10 und der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 in höherem Grade elektrisch miteinander verbindbar, und ein Resonanzpunkt kann nur zu einer Frequenz hinzugefügt werden, bei der der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 in größerem Ausmaß zur Resonanz beiträgt. Durch die Ausbildung eines Transformators, bei dem eine elektrische Magnetfeldkopplung zwischen dem ersten Kopplungselement 31 und dem zweiten Kopplungselement 32 gebildet ist, wird auf diese Weise eine Kopplungsschaltung mit einem hohen Kopplungskoeffizienten zwischen dem ersten Kopplungselement 31 und dem zweiten Kopplungselement 32 gebildet, und es zeigt sich mit einiger Wahrscheinlichkeit eine Resonanzcharakteristik des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20 bei Sicht des Strahlungselementes 10 von einem Speisekreis 1. 4 represents an embodiment of the coupling circuit 30 and an associated circuit. The coupling circuit 30 comprises a first coupling element 31 and a second coupling element 32 connected to the first coupling element 31 is coupled, and by the first coupling element 31 and the second coupling element 32 is a transformer formed. The first coupling element 31 and the second coupling element 32 have small inductances of 10 nH each or less. The radiation element 10 and the nonradiative resonant circuit 20 are via the coupling circuit 30 with a coupling coefficient of 0.5 or more, preferably with a coupling coefficient of 0.8 or more. With a smaller inductance of a coupling element, the influence on a circuit characteristic and a radiation characteristic of the radiation element 10 be suppressed to a greater degree. With higher coupling coefficients are the radiating element 10 and the nonradiative resonant circuit 20 more electrically connectable to each other, and a resonance point can only be added to a frequency at which the nonradiative resonant circuit 20 contributes to a greater extent to the resonance. By forming a transformer in which an electrical magnetic field coupling between the first coupling element 31 and the second coupling element 32 is formed, in this way, a coupling circuit with a high coupling coefficient between the first coupling element 31 and the second coupling element 32 formed, and it shows with some probability a resonance characteristic of the non-radiative resonant circuit 20 at view of the radiation element 10 from a feeding circuit 1 ,

Das erste Kopplungselement 31 ist zwischen das Strahlungselement 10 und den Speisekreis 1 geschaltet. Ein erstes Ende des zweiten Kopplungselements 32 ist mit dem nichtstrahlenden Resonanzkreis 20 verbunden, und ein zweites Ende desselben ist mit Masse des Schaltungssubstrats 6 verbunden (ist geerdet).The first coupling element 31 is between the radiating element 10 and the food circle 1 connected. A first end of the second coupling element 32 is with the nonradiative resonant circuit 20 and a second end thereof is connected to ground of the circuit substrate 6 connected (is grounded).

Bei der elektronischen Ausrüstung gemäß diesem Ausführungsbeispiel wird der Metallteil des Gehäuses, das den Speisekreis aufnimmt, als das Strahlungselement verwendet, und somit ist es unnötig, ein leitfähiges Bauteil oder ein Leitermuster eigens für das Strahlungselement vorzusehen, wodurch eine Größenverringerung erreicht wird. Außerdem werden auch bei elektronischer Ausrüstung mit einem Metallgehäuse elektromagnetische Wellen nicht von dem Metallgehäuse blockiert.In the electronic equipment according to this embodiment, the metal part of the housing that receives the feeding circuit is used as the radiating element, and thus it is unnecessary to provide a conductive member or a conductor pattern specifically for the radiating element, thereby achieving size reduction. In addition, even with electronic equipment with a metal housing, electromagnetic waves are not blocked by the metal housing.

5(A) ist ein Äquivalenzschaltungsdiagramm der Antennenvorrichtung 101 in einem hohen Band. In einem hohen Band (z.B. 1,6 GHz bis 2,3 GHz) hat der Induktor 8 (siehe 2 und 4) eine vorbestimmte hohe Impedanz, und eine Spitze des Strahlungselements 10 ist äquivalent offen. In diesem Zustand dient das Strahlungselement 10 als Antenne vom Monopoltyp, die bei 3/4 Wellenlängen oder (2n+1)/4 Wellenlängen in Resonanz ist (n ist eine natürliche Zahl). 5 (A) Fig. 10 is an equivalent circuit diagram of the antenna device 101 in a high band. In a high band (eg 1.6 GHz to 2.3 GHz) has the inductor 8th (please refer 2 and 4 ) a predetermined high impedance, and a tip of the radiating element 10 is equivalent open. In this state, the radiating element serves 10 as a monopole type antenna resonating at 3/4 wavelengths or (2n + 1) / 4 wavelengths (n is a natural number).

5(B) ist ein Äquivalenzschaltungsdiagramm der Antennenvorrichtung 101 in einem niedrigen Band. In einem niedrigen Band (z.B. 700 MHz bis 900 MHz) hat der Induktor 8 eine vorbestimmte Induktivität, und die Spitze des Strahlungselements 10 ist über den Induktor 8 geerdet. In diesem Zustand dient das Strahlungselement 10 als Schleifenantenne mit einer Wellenlänge oder deren ganzzahligem Vielfachen. 5 (B) Fig. 10 is an equivalent circuit diagram of the antenna device 101 in a low band. In a low band (eg 700 MHz to 900 MHz) has the inductor 8th a predetermined inductance, and the tip of the radiating element 10 is about the inductor 8th grounded. In this state, the radiating element serves 10 as a loop antenna with a wavelength or its integer multiple.

Eine Reihenschaltung, die einen Induktor L20 und einen Kondensator C20 umfasst, welche in 5(A) und 5(B) dargestellt sind, ist ein Element zur Darstellung einer Äquivalenzschaltung, wobei der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 einfach als Schaltung mit konzentrierter Konstante dargestellt ist. Der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 dient als offene Stichleitung, die bei einer vorbestimmten Frequenz bei 3/4 Wellenlängen oder (2n+1)/4 Wellenlängen in Resonanz ist (n ist eine natürliche Zahl). Somit werden zur Darstellung in 5(A) und 5(B) der Induktor L20 und der Kondensator C20 verwendet. Der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 ist beispielsweise in einem Frequenzband in Resonanz, dessen Mitte 2,1 GHz sind. Es wird angemerkt, dass bei diesem Ausführungsbeispiel, da der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 eine Form hat, bei der das lineare Leitermuster in der Mitte zurückgeführt ist, verglichen mit einem einfachen geradlinigen Leitermuster keine deutliche stehende Welle in dem linearen Leitermuster gebildet wird und ein Q-Wert der Resonanz als Resonanzkreis klein ist.A series connection, which is an inductor L20 and a capacitor C20 includes, which in 5 (A) and 5 (B) is an element for representing an equivalent circuit, wherein the nonradiative resonant circuit 20 simply represented as a concentrated constant circuit. The non-radiating resonant circuit 20 serves as open stub which resonates at a predetermined frequency at 3/4 wavelengths or (2n + 1) / 4 wavelengths (n is a natural number). Thus, for illustration in 5 (A) and 5 (B) the inductor L20 and the capacitor C20 used. The non-radiating resonant circuit 20 For example, it resonates in a frequency band whose center is 2.1 GHz. It is noted that in this embodiment, since the nonradiative resonant circuit 20 has a shape in which the linear conductor pattern is returned in the middle, compared with a simple linear conductor pattern no clear standing wave is formed in the linear conductor pattern and a Q value of the resonance as a resonance circuit is small.

6 stellt eine Frequenzcharakteristik einer Rückflussdämpfung der Antennenvorrichtung 101 und einer Antennenvorrichtung aus einem Vergleichsbeispiel dar. In 6 ist eine Rückflussdämpfungs-Charakteristik RL1 eine Rückflussdämpfung der Antennenvorrichtung 101 gemäß diesem Ausführungsbeispiel, und eine Rückflussdämpfungs-Charakteristik RL2 ist eine Rückflussdämpfung der Antennenvorrichtung gemäß dem Vergleichsbeispiel. Die Antennenvorrichtung gemäß dem Vergleichsbeispiel ist eine Antennenvorrichtung, in der die Kopplungsschaltung 30 und der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 nicht enthalten sind. In beiden Antennenvorrichtungen ist bei einer Zentralfrequenz F1 eines niedrigen Bandes erzeugt (700 MHz bis 900 MHz) eine Polstelle erzeugt. Der Grund hierfür ist die Resonanzcharakteristik der in 5(B) dargestellten Schleifenantenne. Eine weitere Polstelle ist bei einer Frequenz F2 erzeugt (um 1,75 GHz). Der Grund hierfür sind die 3/4 Wellenlängen Resonanz der in 5(A) dargestellten Monopolantenne. Wiederum eine weitere Polstelle ist bei einer Frequenz F3 erzeugt (um 2,3 GHz). Der Grund hierfür sind die 5/4 Wellenlängen Resonanz der in 5(A) dargestellten Monopolantenne. 6 represents a frequency characteristic of a return loss of the antenna device 101 and an antenna device of a comparative example. In 6 For example, a return loss characteristic RL1 is a return loss of the antenna device 101 According to this embodiment, and a return loss characteristic RL2 is a return loss of the antenna device according to the comparative example. The antenna device according to the comparative example is an antenna device in which the coupling circuit 30 and the nonradiative resonant circuit 20 not included. In both antenna devices is at a central frequency F1 of a low band (700 MHz to 900 MHz) produces a pole. The reason for this is the resonance characteristic of in 5 (B) illustrated loop antenna. Another pole is at one frequency F2 generated (at 1.75 GHz). The reason for this is the 3/4 wavelength resonance of the in 5 (A) shown monopole antenna. Again, another pole is at one frequency F3 generated (by 2.3 GHz). The reason for this is the 5/4 wavelength resonance of the in 5 (A) shown monopole antenna.

Es wird angemerkt, dass bevorzugt eine Länge „r1“ einer Leitung zwischen dem ersten Kopplungselement 31 und dem Speisekreis 1, wie in 4 dargestellt, und eine Länge „r2“ einer Leitung zwischen einem Endabschnitt des zweiten Kopplungselements 32 und Masse weniger als 1/8 Wellenlänge der Resonanzfrequenz betragen. Die Wellenlänge kann hier eine effektive Wellenlänge unter Berücksichtigung einer wellenlängenverkürzenden Wirkung eines Magnetkörpers oder eines Dielektrikums bedeuten. Der Schwellenwert ist auf „1/8 Wellenlänge“ gesetzt, weil dies praktikabel ist, bis eine Bedingung erfüllt ist, bei der ein Strom mit 1/8 Wellenlänge 1/√2 beträgt, mit anderen Worten, bis eine Leistung, die übertragen werden kann, halbiert ist.It is noted that preferably one length " r1 "A line between the first coupling element 31 and the food circle 1 , as in 4 represented, and a length " r2 A line between an end portion of the second coupling element 32 and mass less than 1/8 wavelength of the resonant frequency. The wavelength here may mean an effective wavelength taking into account a wavelength-shortening effect of a magnetic body or a dielectric. The threshold is set to " 1 / 8th Wavelength "set, because this is practical until a condition is met, in which a current of 1/8 wavelength 1 / √2, in other words, until a power that can be transmitted is halved.

7 stellt hier ein Konzeptdiagramm eines Unterschieds der Impedanzanpassung abhängig von der Stärke der Kopplung dar. In 7 sind die Orte T1, T2 und T3 Impedanz-Orte, die auf einem Smith-Diagramm Impedanzen bei Sicht der Antennenvorrichtung 101 von dem Speisekreis 1 repräsentieren. Der Ort T1 ist eine Charakteristik in einem Zustand, in dem die Kopplungsschaltung 30 und der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 nicht vorgesehen sind, der Ort T2 ist eine Charakteristik in einem Zustand, in dem das erste Kopplungselement 31 und das zweite Kopplungselement 32 der Kopplungsschaltung 30 in geeigneter Weise aneinandergekoppelt sind, und der Ort T3 ist eine Charakteristik in einem Zustand, in dem die Kopplung zwischen dem ersten Kopplungselement 31 und dem zweiten Kopplungselement 32 der Kopplungsschaltung 30 zu stark ist. 7 Here is a conceptual diagram of a difference in impedance matching depending on the strength of the coupling 7 are the places T1 . T2 and T3 Impedance Places on a Smith Chart Impedances on View of the Antenna Device 101 from the feeding circle 1 represent. The place T1 is a characteristic in a state where the coupling circuit 30 and the nonradiative resonant circuit 20 not provided, the place T2 is a characteristic in a state where the first coupling element 31 and the second coupling element 32 the coupling circuit 30 suitably coupled together, and the location T3 is a characteristic in a state where the coupling between the first coupling element 31 and the second coupling element 32 the coupling circuit 30 too strong.

Wenn die Kopplung zwischen dem ersten Kopplungselement 31 und dem zweiten Kopplungselement 32 der Kopplungsschaltung 30 zu stark ist, weicht auf diese Weise die Eingangsimpedanz, von dem Speisekreis gesehen, von der Impedanz (z.B. 50 Ω) auf der Seite des Speisekreises (und der Übertragungsleitung) ab. Daher ist es wichtig, dass das erste Kopplungselement 31 und das zweite Kopplungselement 32 der Kopplungsschaltung 30 angemessen aneinandergekoppelt sind. Die Länge „r1“ der Leitung zwischen dem ersten Kopplungselement 31 und dem Speisekreis 1 sowie die Länge „r2“ der Leitung zwischen dem Endabschnitt des zweiten Kopplungselements 32 und Masse sind auf einen Bereich von weniger als 1/8 Wellenlänge der Resonanzfrequenz gesetzt, und dadurch kann die Kopplung durch die Kopplungsschaltung 30 angemessen eingestellt sein.When the coupling between the first coupling element 31 and the second coupling element 32 the coupling circuit 30 In this way, the input impedance, as seen from the supply circuit, deviates from the impedance (eg 50 Ω) on the side of the supply circuit (and the transmission line). Therefore, it is important that the first coupling element 31 and the second coupling element 32 the coupling circuit 30 are appropriately connected. The length " r1 "The line between the first coupling element 31 and the food circle 1 as well as the length " r2 "The line between the end portion of the second coupling element 32 and ground are set to a range of less than 1/8 wavelength of the resonant frequency, and thereby the coupling through the coupling circuit 30 be set appropriately.

In der Antennenvorrichtung 101 gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist eine weitere Polstelle bei einer Frequenz F0 erzeugt (um 2,1 GHz). Der Grund hierfür ist die Resonanzcharakteristik des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20. Das bedeutet, da der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 in einem Frequenzband in Resonanz ist, dessen Zentralfrequenz 2,1 GHz sind, ist die Polstelle bei 2,1 GHz in der Frequenzcharakteristik einer Rückflussdämpfung der Antennenvorrichtung 101, von dem Speisekreis 1 gesehen, erzeugt. Mit der Antennenvorrichtung 101 gemäß diesem Ausführungsbeispiel wird ein Hochband-Anwendungsfrequenzband von 1,6 GHz auf 2,3 GHz verbreitert.In the antenna device 101 According to this embodiment, another pole is at one frequency F0 generated (by 2.1 GHz). The reason for this is the resonance characteristic of the nonradiative resonance circuit 20 , This means that the nonradiative resonant circuit 20 is resonant in a frequency band whose center frequency is 2.1 GHz, the pole at 2.1 GHz is in the frequency characteristic of a return loss of the antenna device 101 , from the food circle 1 seen, generated. With the antenna device 101 According to this embodiment, a high band application frequency band is broadened from 1.6 GHz to 2.3 GHz.

Im niedrigen Band ist der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 nicht in Resonanz, und die Rückflussdämpfungs-Charakteristik im niedrigen Band wird nicht beeinflusst. Das bedeutet, der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 beeinflusst die Rückflussdämpfungs-Charakteristik, von dem Speisekreis 1 gesehen, beispielsweise in einem Frequenzband von 1,6 GHz oder darüber, und der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 hat in einem niedrigeren Frequenzband im Wesentlichen keinen Einfluss.In the low band is the nonradiative resonant circuit 20 not in resonance, and the return loss characteristic in the low band is not affected. This means the non-radiative resonance circuit 20 affects the return loss characteristic of the supply circuit 1 seen, for example, in a frequency band of 1.6 GHz or above, and the nonradiative resonant circuit 20 has essentially no influence in a lower frequency band.

Die Rückflussdämpfungs-Charakteristik um die Frequenz F0 ist durch die Resonanzcharakteristik des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20 bestimmt, und dementsprechend kann die Rückflussdämpfungs-Charakteristik bei ungefähr der Frequenz F0 in geeigneter Weise durch die Form des Leitermusters beeinflusst sein, das den nichtstrahlenden Resonanzkreis bildet. Da der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 durch das lineare Leitermuster gebildet ist, das in der Mitte ein Rückführteil aufweist, wird bei diesem Ausführungsbeispiel die Schärfe der Resonanz des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20 verringert, und der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 kann einen Reflexionskoeffizienten in einem breiten Band dämpfen, einschließlich des Bandes, in dem die Polstelle bei der Frequenz F0 erzeugt ist, und seiner Peripherie. The return loss characteristic around the frequency F0 is due to the resonance characteristic of the nonradiative resonance circuit 20 determined, and accordingly, the return loss characteristic at about the frequency F0 be suitably influenced by the shape of the conductor pattern forming the non-radiative resonant circuit. Since the non-radiating resonant circuit 20 is formed by the linear conductor pattern having a feedback part in the middle, in this embodiment, the sharpness of the resonance of the nonradiative resonance circuit 20 reduced, and the non-radiative resonance circuit 20 can attenuate a reflection coefficient in a wide band, including the band in which the pole at the frequency F0 is generated, and its periphery.

Es wird angemerkt, dass der nichtstrahlende Resonanzkreis 20, der als offene Stichleitung dient, im Wesentlichen unabhängig von dem Strahlungselement 10 vorgesehen ist. Somit besteht kein Einfluss auf ein niedriges Band, anders als beispielsweise in dem Fall, dass eine Stichleitung in dem Strahlungselement gebildet ist.It is noted that the nonradiative resonant circuit 20 acting as an open stub, substantially independent of the radiating element 10 is provided. Thus, there is no influence on a low band, unlike, for example, the case where a stub is formed in the radiating element.

Als Nächstes wird eine Ausbildung der Kopplungsschaltung 30 beschrieben. 8 ist eine perspektivische Ansicht der Kopplungsschaltung 30, und 9 ist eine auseinandergezogene Planansicht, die auf Schichten der Kopplungsschaltung gebildete Leitermuster darstellt.Next, an embodiment of the coupling circuit will be described 30 described. 8th is a perspective view of the coupling circuit 30 , and 9 Figure 11 is an exploded plan view illustrating conductor patterns formed on layers of the coupling circuit.

Die in der Antennenvorrichtung gemäß diesem Ausführungsbeispiel enthaltene Kopplungsschaltung 30 ist eine rechtwinklige paralielepipedförmige Chipkomponente, die auf das Schaltungssubstrat 6 zu montieren ist. In 8 sind eine äußere Form der Kopplungsschaltung 30 und eine innere Struktur derselben getrennt dargestellt. Die äußere Form der Kopplungsschaltung 30 ist durch eine Zweipunkt-Strichlinie repräsentiert. Auf einer Außenfläche der Kopplungsschaltung 30 sind ein Speisekreis-Verbindungsanschluss PF, ein Strahlungselement-Verbindungsanschluss PA, ein Masseanschluss PG und ein Nichtstrahlender-Resonanzkreis-Verbindungsanschluss PS gebildet. Außerdem umfasst die Kopplungsschaltung 30 eine erste Fläche MS1 und eine zweite Fläche MS2, die eine zu der ersten Fläche entgegengesetzte Fläche ist. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die erste Fläche MS1 eine Montagefläche, und diese Fläche liegt einem Schaltungssubstrat gegenüber. Auf einer oberen Fläche (zweiten Fläche), die eine zu der Montagefläche (ersten Fläche) MS1 entgegengesetzte Fläche ist, ist eine Richtungsunterscheidungsmarkierung DDM vorgesehen. Diese Richtungsunterscheidungsmarkierung DDM wird zum Detektieren einer Richtung einer Chipkomponente verwendet, wenn beispielsweise die Kopplungsschaltung 30 als Chipkomponente in einer Montagevorrichtung auf ein Schaltungssubstrat montiert wird.The coupling circuit included in the antenna device according to this embodiment 30 is a rectangular paralleielipiped-shaped chip component applied to the circuit substrate 6 to assemble. In 8th are an external form of the coupling circuit 30 and an inner structure thereof is shown separately. The outer shape of the coupling circuit 30 is represented by a two-dot chain line. On an outer surface of the coupling circuit 30 are a supply circuit connection terminal PF , a radiating element connecting terminal PA , a ground connection PG and a non-radiating resonant circuit connecting terminal PS educated. In addition, the coupling circuit includes 30 a first surface MS1 and a second area MS2 which is a surface opposite to the first surface. In this embodiment, the first surface is MS1 a mounting surface, and this surface faces a circuit substrate. On an upper surface (second surface), one towards the mounting surface (first surface) MS1 is opposite surface, a direction discrimination mark DDM is provided. This direction discrimination mark DDM is used for detecting a direction of a chip component when, for example, the coupling circuit 30 is mounted as a chip component in a mounting device on a circuit substrate.

Innerhalb der Kopplungsschaltung 30 sind ein erstes Leitermuster L11, ein zweites Leitermuster L12, ein drittes Leitermuster L21 und ein viertes Leitermuster L22 gebildet. Das erste Leitermuster L11 und das zweite Leitermuster L12 sind über einen Schichtenverbindungsleiter V1 miteinander verbunden. Das dritte Leitermuster L21 und das vierte Leitermuster L22 sind über einen Schichtenverbindungsleiter V2 miteinander verbunden. Es wird angemerkt, dass 8 isolierende Materialien S11, S12, S21 und S22, auf denen die jeweiligen Leitermuster gebildet sind, in einer Stapelrichtung getrennt dargestellt. Diese isolierenden Materialien S11, S12, S21 und S22 können ein nichtmagnetischer Keramik-Mehrschichtkörper sein, der aus LTCC (Niedertemperatur-Einbrandkeramik) oder dergleichen gebildet ist, oder können ein Kunstharz-Mehrschichtkörper sein, der aus einem Kunstharzmaterial wie etwa Polyimid oder Flüssigkristallpolymer gebildet ist. Da die Materialschichten nichtmagnetisch (kein magnetischer Ferrit) sind, ist es auf diese Weise möglich, die Materialschichten für eine Kopplungsschaltung auch in einem hohen Frequenzband zu verwenden, das über einige hundert MHz hinausgeht.Within the coupling circuit 30 are a first ladder pattern L11 , a second ladder pattern L12 , a third ladder pattern L21 and a fourth conductor pattern L22 educated. The first ladder pattern L11 and the second conductor pattern L12 are over a layer connection conductor V1 connected with each other. The third conductor pattern L21 and the fourth conductor pattern L22 are over a layer connection conductor V2 connected with each other. It is noted that 8th insulating materials S11 . S12 . S21 and S22 on which the respective conductor patterns are formed, shown separately in a stacking direction. These insulating materials S11 . S12 . S21 and S22 may be a non-magnetic ceramic multilayer body formed of LTCC (low-temperature buried ceramic) or the like, or may be a synthetic resin multi-layer body formed of a synthetic resin material such as polyimide or liquid crystal polymer. In this way, since the material layers are nonmagnetic (no magnetic ferrite), it is possible to use the material layers for a coupling circuit also in a high frequency band exceeding hundreds of MHz.

Die obigen Leitermuster und die Schichtenverbindungsleiter sind jeweils aus einem Leitermaterial gebildet, das als Hauptkomponente Ag oder Cu enthält und einen geringen spezifischen Widerstand hat. In dem Fall, dass die Materialschichten beispielsweise keramisch sind, sind die Leitermuster und die Schichtenverbindungsleiter durch Siebdrucken und Brennen einer leitfähigen Paste gebildet, die als Hauptkomponente Ag oder Cu enthält. In dem Fall, dass die Materialschichten beispielsweise aus Kunstharz bestehen, sind die Leitermuster und die Schichtenverbindungsleiter durch Ätzen oder dergleichen einer Metallfolie wie etwa einer AI-Folie oder einer Cu-Folie strukturiert.The above conductor patterns and the layer connection conductors are each formed of a conductor material containing Ag or Cu as a main component and having a low resistivity. For example, in the case that the material layers are ceramic, the conductor patterns and the layer connection conductors are formed by screen printing and firing a conductive paste containing Ag or Cu as a main component. For example, in the case where the material layers are made of synthetic resin, the conductor patterns and the layer connection conductors are patterned by etching or the like a metal foil such as an Al foil or a Cu foil.

Wie in 9 dargestellt, sind das erste Leitermuster L11, das zweite Leitermuster L12, das dritte Leitermuster L21 und das vierte Leitermuster L22 von einer Schicht nahe der Montagefläche aus in dieser Reihenfolge gebildet. Ein erstes Ende des ersten Leitermusters L11 ist mit dem Strahlungselement-Verbindungsanschluss PA verbunden, und ein zweites Ende desselben ist über den Schichtenverbindungsleiter V1 mit einem ersten Ende des zweiten Leitermusters L12 verbunden. Ein zweites Ende des zweiten Leitermusters L12 ist mit dem Speisekreis-Verbindungsanschluss PF verbunden. Außerdem ist ein erstes Ende des dritten Leitermusters L21 mit einem Nichtstrahlender-Resonanzkreis-Verbindungsanschluss PS verbunden, und ein zweites Ende des dritten Leitermusters L21 ist über den Schichtenverbindungsleiter V2 mit einem ersten Ende des vierten Leitermusters L22 verbunden. Ein zweites Ende des vierten Leitermusters L22 ist mit dem Masseanschluss PG verbunden.As in 9 shown are the first conductor pattern L11 , the second ladder pattern L12 , the third ladder pattern L21 and the fourth conductor pattern L22 from a layer near the mounting surface formed in this order. A first end of the first conductor pattern L11 is with the radiating element connecting terminal PA and a second end thereof is over the layer connection conductor V1 with a first end of the second conductor pattern L12 connected. A second end of the second conductor pattern L12 is with the supply circuit connection terminal PF connected. In addition, a first end of the third conductor pattern L21 with a non-radiating resonant circuit connection terminal PS connected, and a second end of the third conductor pattern L21 is over the layer connection conductor V2 with a first End of the fourth conductor pattern L22 connected. A second end of the fourth conductor pattern L22 is with the ground connection PG connected.

Außerdem sind eine Wicklungsrichtung des ersten Kopplungselements 31 von dem Speisekreis-Verbindungsanschluss PF zu dem Strahlungselement-Verbindungsanschluss PA und eine Wicklungsrichtung des zweiten Kopplungselements 32 von dem Nichtstrahlender-Resonanzkreis-Verbindungsanschluss PS zu dem Masseanschluss PG zueinander entgegengesetzt. Das bedeutet, ein Magnetfeld (Magnetfluss), das erzeugt ist, wenn in dem ersten Kopplungselement 31 von dem Speisekreis-Verbindungsanschluss PF zu dem Strahlungselement-Verbindungsanschluss PA Strom fließt, und ein Magnetfeld (Magnetfluss), das erzeugt ist, wenn in dem zweiten Kopplungselement 32 von dem Nichtstrahlender-Resonanzkreis-Verbindungsanschluss PS zu dem Masseanschluss PG Strom fließt, schwächen einander ab. Wenn der Strahlungselement-Verbindungsanschluss PA als Monopolantenne in Resonanz ist, haben hier das erste Kopplungselement 31 und das zweite Kopplungselement 32 in der Kopplungsschaltung 30, die über den Speisekreis 1 und die Masseelektrode GND verbunden ist, entgegengesetzte Polaritäten. In dem ersten Kopplungselement 31 fließt Strom von dem Speisekreis-Verbindungsanschluss PF zu dem Strahlungselement-Verbindungsanschluss PA, und in dem zweiten Kopplungselement 32 fließt Strom von dem Nichtstrahlender-Resonanzkreis-Verbindungsanschluss PS zu dem Masseanschluss PG. Magnetfelder (Magnetflüsse), die erzeugt werden, schwächen einander ab. Somit verringert eine wechselseitige Induktivität aufgrund der Kopplung zwischen dem ersten Kopplungselement 31 und dem zweiten Kopplungselement 32 die Induktivitäten des ersten Kopplungselements 31 und des zweiten Kopplungselements 32, mit einem geringen Einfluss auf die Schaltungscharakteristik und die Abstrahlcharakteristik des Strahlungselements 10.In addition, a winding direction of the first coupling element 31 from the supply circuit connection terminal PF to the radiating element connecting terminal PA and a winding direction of the second coupling element 32 from the non-radiating resonant circuit connecting terminal PS to the ground connection PG opposite to each other. That is, a magnetic field (magnetic flux) generated when in the first coupling element 31 from the supply circuit connection terminal PF to the radiating element connecting terminal PA Current flows, and a magnetic field (magnetic flux), which is generated when in the second coupling element 32 from the non-radiating resonant circuit connecting terminal PS to the ground connection PG Electricity flows, weaken each other. When the radiating element connecting terminal PA As a monopole antenna is in resonance, here have the first coupling element 31 and the second coupling element 32 in the coupling circuit 30 that go beyond the food circle 1 and the ground electrode GND is connected, opposite polarities. In the first coupling element 31 Current flows from the supply circuit connection terminal PF to the radiating element connecting terminal PA , and in the second coupling element 32 Current flows from the non-radiating resonant circuit connection terminal PS to the ground connection PG , Magnetic fields (magnetic fluxes) that are generated weaken each other. Thus, mutual inductance decreases due to the coupling between the first coupling element 31 and the second coupling element 32 the inductances of the first coupling element 31 and the second coupling element 32 with a small influence on the circuit characteristic and the radiation characteristic of the radiating element 10 ,

10 ist ein Schaltungsdiagramm der Kopplungsschaltung 30 mit den vier obigen Spulenleitermustern. Das zweite Leitermuster L12 und das erste Leitermuster L11 sind in Reihe geschaltet, um das erste Kopplungselement 31 zu bilden. Ebenso sind das vierte Leitermuster L22 und das dritte Leitermuster L21 in Reihe geschaltet, um das zweite Kopplungselement 32 zu bilden. Das zweite Leitermuster L12 und das dritte Leitermuster L21 sind in der Dickenrichtung zueinander benachbart, und die Magnetfeldkopplung zwischen dem zweiten Leitermuster L12 und dem dritten Leitermuster L21 ist besonders stark. Somit sind das zweite Leitermuster L12 und das dritte Leitermuster L21 in 10 zueinander benachbart. Wie ersichtlich, ist Magnetfeldkopplung zwischen dem zweiten Leitermuster L12 und dem vierten Leitermuster L22 sowie zwischen dem ersten Leitermuster L11 und dem dritten Leitermuster L21 hergestellt. 10 is a circuit diagram of the coupling circuit 30 with the four above coil conductor patterns. The second conductor pattern L12 and the first ladder pattern L11 are connected in series to the first coupling element 31 to build. Likewise, the fourth ladder pattern L22 and the third conductor pattern L21 connected in series to the second coupling element 32 to build. The second conductor pattern L12 and the third conductor pattern L21 are adjacent to each other in the thickness direction, and the magnetic field coupling between the second conductor pattern L12 and the third conductor pattern L21 is especially strong. Thus, the second conductor pattern L12 and the third conductor pattern L21 in 10 adjacent to each other. As can be seen, magnetic field coupling is between the second conductor pattern L12 and the fourth conductor pattern L22 as well as between the first conductor pattern L11 and the third conductor pattern L21 manufactured.

Bei dem in 9 dargestellten Beispiel ist ein Kondensatorformations-Leitermuster C11 in einem Teil des zweiten Leitermusters L12 gebildet, und ein Kondensatorformations-Leitermuster C12 ist in einem Teil des dritten Leitermusters L21 gebildet. Wie in 10 dargestellt, ist dementsprechend zwischen einer Mitte des zweiten Leitermusters L12 und dem Nichtstrahlender-Resonanzkreis-Verbindungsanschluss PS ein Kondensator C1 gebildet. Der Kondensator C1 dient als Impedanzanpassungsschaltung zwischen dem Speisekreis 1 und dem nichtstrahlenden Resonanzkreis 20.At the in 9 The example shown is a capacitor formation conductor pattern C11 in a part of the second conductor pattern L12 formed, and a capacitor formation conductor pattern C12 is in a part of the third ladder pattern L21 educated. As in 10 is accordingly between a center of the second conductor pattern L12 and the nonradiative resonant circuit connection terminal PS a capacitor C1 educated. The capacitor C1 serves as an impedance matching circuit between the supply circuit 1 and the nonradiative resonant circuit 20 ,

Zweites AusführungsbeispielSecond embodiment

11 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 102 gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel dar. In der Antennenvorrichtung 102 ist ein Induktor 35 zwischen das zweite Kopplungselement 32 der Kopplungsschaltung 30 und den nichtstrahlenden Resonanzkreis 20 geschaltet (eingefügt). Die weitere Ausbildung ist die gleiche wie bei der in 4 dargestellten Schaltung in dem ersten Ausführungsbeispiel. 11 illustrates a circuit design of an antenna device 102 according to the second embodiment. In the antenna device 102 is an inductor 35 between the second coupling element 32 the coupling circuit 30 and the nonradiative resonant circuit 20 switched (inserted). The further training is the same as in the 4 shown circuit in the first embodiment.

Da der Induktor 35 in einen Abschnitt eingefügt ist, in dem der Strom niedrig ist, während eine Veränderung der Kopplung der Kopplungsschaltung 30 unterdrückt wird, kann gemäß diesem Ausführungsbeispiel die Resonanzfrequenz des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20 verringert werden und ein gewünschtes Kommunikationsband erzielt werden. Alternativ kann bei Aufrechterhaltung der Resonanzfrequenz die Länge des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20 reduziert werden und dadurch der verwendete Bereich reduziert werden.Because the inductor 35 is inserted in a section where the current is low while changing the coupling of the coupling circuit 30 is suppressed, according to this embodiment, the resonance frequency of the nonradiative resonance circuit 20 can be reduced and a desired communication band can be achieved. Alternatively, while maintaining the resonant frequency, the length of the nonradiative resonant circuit 20 be reduced and thereby reduce the area used.

Es wird angemerkt, dass der obige Induktor 35 auch mit der Kopplungsschaltung 30 integriert sein kann. Bevorzugt ist der Induktor 35 jedoch so ausgebildet, dass derselbe nicht an das erste Kopplungselement 31 gekoppelt ist.It is noted that the above inductor 35 also with the coupling circuit 30 can be integrated. The inductor is preferred 35 however, designed so that it does not contact the first coupling element 31 is coupled.

Drittes AusführungsbeispielThird embodiment

12 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 103 gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel dar. In der Antennenvorrichtung 103 ist der Induktor 35 zwischen den zweiten Kopplungselement 32 der Kopplungsschaltung 30 und Masse geschaltet (eingefügt). Die weitere Ausbildung ist die gleiche wie bei der in 4 dargestellten Schaltung in dem ersten Ausführungsbeispiel. 12 illustrates a circuit design of an antenna device 103 according to a third embodiment. In the antenna device 103 is the inductor 35 between the second coupling element 32 the coupling circuit 30 and ground switched (inserted). The further training is the same as in the 4 shown circuit in the first embodiment.

Wenn die Kopplungsschaltung 30 zu der Antennenvorrichtung hinzugefügt ist, ist zwischen Masse und der Kopplungsschaltung 30 eine parasitäre Kapazität erzeugt. Gemäß diesem Ausführungsbeispiel kann Resonanz zwischen dem obigen Induktor 35 und der parasitären Kapazität eine Reaktanzkomponente unterdrücken. In einem Frequenzband, in dem eine Antennencharakteristik durch Hinzufügung der Kopplungsschaltung 30 zu der Antennenvorrichtung nicht verändert werden soll, kann daher durch die Einfügung des Induktors 35 mit einer solchen Induktivität, dass derselbe mit der parasitären Kapazität in Resonanz ist, eine Veränderung gegenüber einem Anpassungszustand unterdrückt werden, in dem die Kopplungsschaltung 30 nicht montiert ist.When the coupling circuit 30 is added to the antenna device is between ground and the coupling circuit 30 a parasitic Capacity generated. According to this embodiment, resonance between the above inductor 35 and the parasitic capacitance suppress a reactance component. In a frequency band in which an antenna characteristic is added by adding the coupling circuit 30 to the antenna device should not be changed, therefore, by the insertion of the inductor 35 with such an inductance that it resonates with the parasitic capacitance, a change from a matching state is suppressed, in which the coupling circuit 30 not mounted.

Außerdem kann die Einfügung des Induktors 35 die Resonanzfrequenz des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20 verringern, und ein gewünschtes Kommunikationsband oder eine gewünschte Kommunikationscharakteristik kann erzielt werden. Alternativ können bei Aufrechterhaltung der Resonanzfrequenz die Länge der Antenne reduziert werden und der verwendete Bereich reduziert werden.In addition, the insertion of the inductor 35 the resonant frequency of the nonradiative resonant circuit 20 can be reduced, and a desired communication band or a desired communication characteristic can be achieved. Alternatively, while maintaining the resonant frequency, the length of the antenna can be reduced and the range used reduced.

Es wird angemerkt, dass der obige Induktor 35 auch mit der Kopplungsschaltung 30 integriert sein kann Bevorzugt ist der Induktor 35 jedoch so ausgebildet dass derselbe nicht an das erste Kopplungselement 31 gekoppelt ist.It is noted that the above inductor 35 also with the coupling circuit 30 It may be integrated. The inductor is preferred 35 however, formed so as not to be the same to the first coupling element 31 is coupled.

Viertes AusführungsbeispielFourth embodiment

13 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 104 gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel dar. In der Antennenvorrichtung 104 ist ein Kondensator 36 zwischen das zweite Kopplungselement 32 der Kopplungsschaltung 30 und den nichtstrahlenden Resonanzkreis 20 geschaltet (eingefügt). Die weitere Ausbildung ist die gleiche wie bei der in 4 dargestellten Schaltung in dem ersten Ausführungsbeispiel. 13 illustrates a circuit design of an antenna device 104 according to a fourth embodiment. In the antenna device 104 is a capacitor 36 between the second coupling element 32 the coupling circuit 30 and the nonradiative resonant circuit 20 switched (inserted). The further training is the same as in the 4 shown circuit in the first embodiment.

Gemäß diesem Ausführungsbeispiel kann die Resonanzfrequenz auf der Seite des nichtstrahlenden Resonanzkreises erhöht werden und ein gewünschtes Kommunikationsband erzielt werden.According to this embodiment, the resonant frequency on the side of the nonradiative resonant circuit can be increased and a desired communication band can be achieved.

Es wird angemerkt, dass der obige Kondensator 36 mit der Kopplungsschaltung 30 integriert sein kann.It is noted that the above capacitor 36 with the coupling circuit 30 can be integrated.

Fünftes AusführungsbeispielFifth embodiment

14 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 105 gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel dar. In der Antennenvorrichtung 105 ist der Kondensator 36 zwischen das zweite Kopplungselement 32 der Kopplungsschaltung 30 und Masse geschaltet (eingefügt). Die weitere Ausbildung ist die gleiche wie bei der in 4 dargestellten Schaltung in dem ersten Ausführungsbeispiel. 14 illustrates a circuit design of an antenna device 105 according to a fifth embodiment. In the antenna device 105 is the capacitor 36 between the second coupling element 32 the coupling circuit 30 and ground switched (inserted). The further training is the same as in the 4 shown circuit in the first embodiment.

Gemäß diesem Ausführungsbeispiel kann eine parasitäre Kapazität, die zwischen Masse und der Kopplungsschaltung 30 durch das Einfügen der Kopplungsschaltung 30 erzeugt ist, reduziert werden (die kombinierte Kapazität kann reduziert werden), und eine Veränderung gegenüber einem Anpassungszustand, in dem die Kopplungsschaltung 30 nicht montiert ist, kann unterdrückt werden. Außerdem kann die Resonanzfrequenz des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20 erhöht werden und ein gewünschtes Kommunikationsband oder eine gewünschte Kommunikationscharakteristik erzielt werden.According to this embodiment, a parasitic capacitance between the ground and the coupling circuit 30 by inserting the coupling circuit 30 is generated, can be reduced (the combined capacitance can be reduced), and a change from a matching state in which the coupling circuit 30 is not mounted, can be suppressed. In addition, the resonant frequency of the nonradiative resonant circuit 20 can be increased and a desired communication band or a desired communication characteristic can be achieved.

Es wird angemerkt, dass der Kondensator 36 mit der Kopplungsschaltung 30 integriert sein kann.It is noted that the capacitor 36 with the coupling circuit 30 can be integrated.

Sechstes AusführungsbeispielSixth embodiment

15 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 106A gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel dar. In der Antennenvorrichtung 106A ist der Induktor 35 zwischen das erste Kopplungselement 31 der Kopplungsschaltung 30 und das Strahlungselement 10 geschaltet (eingefügt). Die weitere Ausbildung ist die gleiche wie bei der in 4 dargestellten Schaltung in dem ersten Ausführungsbeispiel. 15 illustrates a circuit design of an antenna device 106A according to a sixth embodiment. In the antenna device 106A is the inductor 35 between the first coupling element 31 the coupling circuit 30 and the radiating element 10 switched (inserted). The further training is the same as in the 4 shown circuit in the first embodiment.

Bei der Ausbildung der Antennenvorrichtung 106A befindet sich das erste Kopplungselement 31 näher an dem Speisekreis 1, wo der Strom stark ist, als der eingefügte Induktor 35. Somit kann bei Aufrechterhaltung eines Leistungsanteils zur Zuführung zu dem nichtstrahlenden Resonanzkreis 20 die Resonanzfrequenz des Strahlungselements 10 verändert werden und ein Niveau der Impedanzanpassung eingestellt werden. Außerdem ist die Verringerung einer Eigenresonanzfrequenz unwahrscheinlich, die durch die Induktivitäten des ersten Kopplungselements 31 und des zweiten Kopplungselements 32 und die parasitäre Kapazität bestimmt ist, die zwischen dem ersten Kopplungselement 31 und dem zweiten Kopplungselement 32 erzeugt wird, und somit wirkt sich die Eigenresonanzfrequenz nicht ungünstig auf die Verwendung in einem Kommunikationsfrequenzband aus. Das bedeutet, in einem Zustand der Eigenresonanz gelangt die Energie in dem Frequenzband zur Masse und wird nicht abgestrahlt. In einem Zustand, in dem die Eigenresonanzfrequenz höher als das Kommunikationsfrequenzband ist, entsteht ein solches Problem dagegen nicht.In the formation of the antenna device 106A is the first coupling element 31 closer to the feeding circuit 1 where the current is strong, as the inserted inductor 35 , Thus, while maintaining a portion of power for delivery to the nonradiative resonant circuit 20 the resonant frequency of the radiating element 10 be changed and set a level of impedance matching. In addition, the reduction of a self-resonant frequency unlikely due to the inductances of the first coupling element 31 and the second coupling element 32 and the parasitic capacitance is determined between the first coupling element 31 and the second coupling element 32 is generated, and thus the self-resonant frequency does not adversely affect the use in a communication frequency band. That is, in a state of self-resonance, the energy in the frequency band comes to ground and is not radiated. In a state where the natural resonance frequency is higher than the communication frequency band, however, such a problem does not arise.

16 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 106B gemäß dem sechsten Ausführungsbeispiel dar. In der Antennenvorrichtung 106B ist der Induktor 35 zwischen das erste Kopplungselement 31 der Kopplungsschaltung 30 und den Speisekreis 1 geschaltet (eingefügt). Die weitere Ausbildung ist die gleiche wie bei der in 4 dargestellten Schaltung in dem ersten Ausführungsbeispiel. 16 illustrates a circuit design of an antenna device 106B according to the sixth embodiment. In the antenna device 106B is the inductor 35 between the first coupling element 31 the coupling circuit 30 and the food circle 1 switched (inserted). The further training is the same as in the 4 shown circuit in the first embodiment.

Da das erste Kopplungselement 31 der Kopplungsschaltung 30 auf einer Seite eingefügt ist, auf der der Strom schwächer ist als an der Stelle des Induktors 35, ist verglichen mit einem Fall, in dem der Induktor zwischen dem Strahlungselement 10 und dem ersten Kopplungselement 31 eingefügt ist, bei der Ausbildung der Antennenvorrichtung 106B eine geeignete Einstellung des Niveaus der Impedanzanpassung bei einer Resonanz (Resonanzfrequenz) möglich, die durch die Kopplungsschaltung 30 und den nichtstrahlenden Resonanzkreis 20 hinzugefügt ist. Spezifisch ist es möglich, eine Situation zu vermeiden, in der eine Eingangsimpedanz sich übermäßig verändert und die Impedanz nicht mehr angepasst ist.Because the first coupling element 31 the coupling circuit 30 is inserted on a side where the current is weaker than at the location of the inductor 35 is compared with a case where the inductor is between the radiating element 10 and the first coupling element 31 is inserted in the formation of the antenna device 106B a suitable adjustment of the level of impedance matching at a resonance (resonant frequency) possible by the coupling circuit 30 and the nonradiative resonant circuit 20 is added. Specifically, it is possible to avoid a situation where an input impedance excessively changes and the impedance is no longer matched.

Außerdem kann die Einfügung des Induktors 35 die Eigenresonanzfrequenz der Kopplungsschaltung 30 verringern, und somit kann durch Einstellen der Eigenresonanzfrequenz auf ein Frequenzband, das nicht abgestrahlt werden soll, unnötige Strahlung unterdrückt werden.In addition, the insertion of the inductor 35 the self-resonant frequency of the coupling circuit 30 Thus, by setting the self-resonant frequency to a frequency band which is not to be radiated, unnecessary radiation can be suppressed.

17 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 106C gemäß dem sechsten Ausführungsbeispiel dar. In der Antennenvorrichtung 106C ist der Kondensator 36 zwischen das erste Kopplungselement 31 der Kopplungsschaltung 30 und das Strahlungselement 10 geschaltet (eingefügt). Die weitere Ausbildung ist die gleiche wie bei der in 4 dargestellten Schaltung in dem ersten Ausführungsbeispiel. 17 illustrates a circuit design of an antenna device 106C according to the sixth embodiment. In the antenna device 106C is the capacitor 36 between the first coupling element 31 the coupling circuit 30 and the radiating element 10 switched (inserted). The further training is the same as in the 4 shown circuit in the first embodiment.

Bei der Ausbildung der Antennenvorrichtung 106C kann durch die Kapazität des eingefügten Kondensators 36 die Resonanzfrequenz des Strahlungselements 10 eingestellt werden und das Niveau der Impedanzanpassung eingestellt werden.In the formation of the antenna device 106C can by the capacity of the inserted capacitor 36 the resonant frequency of the radiating element 10 can be adjusted and the level of impedance matching can be set.

18 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 106D gemäß dem sechsten Ausführungsbeispiel dar. In der Antennenvorrichtung 106D ist der Kondensator 36 zwischen das erste Kopplungselement 31 der Kopplungsschaltung 30 und den Speisekreis 1 geschaltet (eingefügt). Die weitere Ausbildung ist die gleiche wie bei der in 4 dargestellten Schaltung in dem ersten Ausführungsbeispiel. 18 illustrates a circuit design of an antenna device 106D according to the sixth embodiment. In the antenna device 106D is the capacitor 36 between the first coupling element 31 the coupling circuit 30 and the food circle 1 switched (inserted). The further training is the same as in the 4 shown circuit in the first embodiment.

Bei der Ausbildung der Antennenvorrichtung 106D kann durch die Kapazität des eingefügten Kondensators 36 die Resonanzfrequenz des Strahlungselements 10 eingestellt werden und das Niveau der Impedanzanpassung eingestellt werden. Da der Kondensator 36 zwischen dem Speisekreis 1 und dem ersten Kopplungselement 31 eingefügt ist, sind außerdem eine parasitäre Kapazität, die zwischen dem ersten Kopplungselement 31 und dem zweiten Kopplungselement 32 erzeugt ist, und der Kondensator 36 in der Struktur in Reihe geschaltet. Dementsprechend wird eine kombinierte Kapazität verringert, die in einem eigenresonanten Schaltungssystem enthalten ist, und die Eigenresonanzfrequenz wird erhöht. Somit kann die Eigenresonanzfrequenz aus dem zu verwendenden Kommunikationsband ausgeschlossen werden.In the formation of the antenna device 106D can by the capacity of the inserted capacitor 36 the resonant frequency of the radiating element 10 can be adjusted and the level of impedance matching can be set. Because the capacitor 36 between the feeding circuit 1 and the first coupling element 31 In addition, there is a parasitic capacitance between the first coupling element 31 and the second coupling element 32 is generated, and the capacitor 36 connected in series in the structure. Accordingly, a combined capacitance included in a self-resonant circuit system is reduced, and the natural resonance frequency is increased. Thus, the self-resonance frequency can be excluded from the communication band to be used.

Siebtes AusführungsbeispielSeventh embodiment

19(A) stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 107A gemäß einem siebten Ausführungsbeispiel dar, und 19(B) stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 107B gemäß dem siebten Ausführungsbeispiel dar. Die Ausbildung dieser Antennenvorrichtungen 107A und 107B ist die gleiche wie bei der in 4 dargestellten Schaltung in dem ersten Ausführungsbeispiel. Wenn eine Eigeninduktivität des ersten Kopplungselements 31 der Kopplungsschaltung 30 als L1 repräsentiert ist und eine Eigeninduktivität des zweiten Kopplungselements 32 als L2 repräsentiert ist, haben das erste Kopplungselement 31 und das zweite Kopplungselement 32 der Kopplungsschaltung 30 in der Antennenvorrichtung 107A ein Verhältnis von L2 > L1 und haben in der Antennenvorrichtung 107B ein Verhältnis von L2 < L1. Verglichen mit einem Fall, in dem L1 = L2, kann mit dem Verhältnis von L2 > L1 die Resonanzfrequenz des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20 verringert werden. Bei einem Vergleich bei gleicher Resonanzfrequenz kann alternativ der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 verkürzt werden. 19 (A) illustrates a circuit design of an antenna device 107A according to a seventh embodiment, and 19 (B) illustrates a circuit design of an antenna device 107B according to the seventh embodiment. The formation of these antenna devices 107A and 107B is the same as the one in 4 shown circuit in the first embodiment. If a self-inductance of the first coupling element 31 the coupling circuit 30 when L1 is represented and a self-inductance of the second coupling element 32 when L2 is represented have the first coupling element 31 and the second coupling element 32 the coupling circuit 30 in the antenna device 107A a ratio of L2 > L1 and have in the antenna device 107B a ratio of L2 <L1. Compared with a case in which L1 = L2, with the ratio of L2> L1, the resonant frequency of the nonradiative resonant circuit 20 be reduced. In a comparison with the same resonant frequency, alternatively, the non-radiative resonant circuit 20 be shortened.

Wenn L2 > L1 ist, trägt außerdem verglichen mit einer Ausbildung, bei der der Induktor mit dem zweiten Kopplungselement 32 außerhalb der Kopplungsschaltung 30 verbunden (hinzugefügt) ist, das gesamte zweite Kopplungselement 32 mit einer relativ großen Eigeninduktivität zu der Kopplung mit dem ersten Kopplungselement 31 bei. Somit kann ein dem nichtstrahlenden Resonanzkreis 20 zuzuführender Leistungsanteil erhöht werden.If L2 > L1 also contributes compared to a design in which the inductor with the second coupling element 32 outside the coupling circuit 30 connected (added) is the entire second coupling element 32 with a relatively large self-inductance to the coupling with the first coupling element 31 at. Thus, a non-radiative resonant circuit 20 be increased to be supplied power component.

Wenn L2 < L1 ist, trägt verglichen mit einer Ausbildung, bei der der Induktor mit dem ersten Kopplungselement 31 außerhalb der Kopplungsschaltung 30 verbunden (hinzugefügt) ist, außerdem das gesamte erste Kopplungselement 31 mit einer relativ großen Eigeninduktivität zu der Kopplung mit dem zweiten Kopplungselement 32 bei. Somit kann ein dem nichtstrahlenden Resonanzkreis 20 zuzuführender Leistungsanteil erhöht werden.If L2 <L1, compared to a design in which the inductor bears with the first coupling element 31 outside the coupling circuit 30 connected (added) is also the entire first coupling element 31 with a relatively large self-inductance to the coupling with the second coupling element 32 at. Thus, a non-radiative resonant circuit 20 be increased to be supplied power component.

20 ist eine auseinandergezogene Planansicht, die Leitermuster darstellt, welche auf Schichten der Kopplungsschaltung 30 gemäß diesem Ausführungsbeispiel gebildet sind. Die Kopplungsschaltung 30, die in einer Antennenvorrichtung gemäß diesem Ausführungsbeispiel enthalten ist, ist eine rechtwinklige parallelepipedförmige Chipkomponente, die auf ein Schaltungssubstrat zu montieren ist. 20 Figure 11 is an exploded plan view illustrating conductor patterns formed on layers of the coupling circuit 30 are formed according to this embodiment. The coupling circuit 30 included in an antenna device according to this embodiment is a rectangular parallelepiped-shaped chip component to be mounted on a circuit substrate.

Auf isolierenden Materialien S11, S12, S21, S22 und S23 sind jeweils Leitermuster L11, L12, L21, L22 und L23 gebildet. Ein erstes Ende des Leitermusters L11 ist mit dem Strahlungselement-Verbindungsanschluss PA verbunden, und ein zweites Ende desselben ist über den Schichtenverbindungsleiter V1 mit einem ersten Ende des Leitermusters L12 verbunden. Ein zweites Ende des Leitermusters L12 ist mit dem Speisekreis-Verbindungsanschluss PF verbunden. Ein erstes Ende des Leitermusters L21 ist mit dem Nichtstrahlender-Resonanzkreis-Verbindungsanschluss PS verbunden, und ein zweites Ende desselben ist über einen Schichtenverbindungsleiter V21 mit einem ersten Ende des Leitermusters L22 verbunden. Ein zweites Ende des Leitermusters L22 ist über einen Schichtenverbindungsleiter V22 mit einem ersten Ende des Leitermusters L23 verbunden. Ein zweites Ende des Leitermusters L23 ist mit dem Masseanschluss PG verbunden.On insulating materials S11 . S12 . S21 . S22 and S23 each are ladder patterns L11 . L12 . L21 . L22 and L23 educated. A first end of the ladder pattern L11 is with the radiating element connecting terminal PA and a second end thereof is over the layer connection conductor V1 with a first end of the conductor pattern L12 connected. A second end of the conductor pattern L12 is with the supply circuit connection terminal PF connected. A first end of the ladder pattern L21 is with the non-radiating resonant circuit connection terminal PS and a second end thereof is via a layer connection conductor V21 with a first end of the conductor pattern L22 connected. A second end of the conductor pattern L22 is via a layer connection conductor V22 with a first end of the conductor pattern L23 connected. A second end of the conductor pattern L23 is with the ground connection PG connected.

21 ist eine Schnittansicht der Kopplungsschaltung 30. 22 ist eine Planansicht, die insbesondere eine Überlappung zwischen dem Leitermuster L12 und dem Leitermuster L21 darstellt. Eine Spulenöffnung oder ein Spulendurchmesser der Leitermuster L11 und L12, die das erste Kopplungselement 31 bilden, ist kleiner als eine Spulenöffnung oder ein Spulendurchmesser der Leitermuster L21, L22 und L23, die das zweite Kopplungselement 32 bilden. Außerdem überlappen einander Teile der Leitungsbreite der Leitermuster L11 und L12 sowie der Leitermuster L21, L22 und L23. Bei dem in 21 und 22 dargestellten Beispiel ist circa 1/2 Breite entlang des gesamten Umfangs überlappt. 21 is a sectional view of the coupling circuit 30 , 22 is a plan view, in particular an overlap between the conductor pattern L12 and the conductor pattern L21 represents. A coil opening or a coil diameter of the conductor patterns L11 and L12 that is the first coupling element 31 is smaller than a coil opening or a coil diameter of the conductor patterns L21 . L22 and L23 that the second coupling element 32 form. In addition, parts of the line width of the conductor patterns overlap each other L11 and L12 as well as the conductor pattern L21 . L22 and L23 , At the in 21 and 22 example shown is overlapped approximately 1/2 width along the entire circumference.

23 ist eine auseinandergezogene Planansicht, die Leitermuster darstellt, welche auf Schichten einer weiteren Kopplungsschaltung 30 gemäß dem siebten Ausführungsbeispiel gebildet sind. Form und Größe der Leitermuster unterscheiden sich von denjenigen in dem in 20 dargestellten Beispiel. Unter den Leitungsmustern der Kopplungsschaltung, die in 23 dargestellt ist, ist ein Spulen-Außendurchmesser der Leitermuster L11 und L12, die das erste Kopplungselement 31 bilden, kleiner als ein Spulen-Innendurchmesser der Leitermuster L21, L22 und L23, die das zweite Kopplungselement 32 bilden. 23 Figure 11 is an exploded plan view illustrating conductor patterns formed on layers of another coupling circuit 30 are formed according to the seventh embodiment. The shape and size of the conductor patterns are different from those in the 20 illustrated example. Among the line patterns of the coupling circuit, which in 23 is shown, a coil outer diameter of the conductor pattern L11 and L12 that is the first coupling element 31 smaller than a coil inner diameter of the conductor patterns L21 . L22 and L23 that the second coupling element 32 form.

Bei der in 20 bis 23 dargestellten Ausbildung wird eine parasitäre Kapazität unterdrückt, die zwischen den Leitermustern (L11 und L12), die das erste Kopplungselement 31 bilden, und den Leitermustern (L21, L22 und L23), die das zweite Kopplungselement 32 bilden, erzeugt ist. Dementsprechend wird die Eigenresonanzfrequenz erhöht, die durch die Induktivitäten des ersten Kopplungselements 31 und des zweiten Kopplungselement 32 und die obige parasitäre Kapazität bestimmt ist, und die Eigenresonanzfrequenz kann aus dem zu verwendenden Kommunikationsband ausgeschlossen werden. Auch wenn die Leitermuster (L11 und L12), die das erste Kopplungselement 31 bilden, und die Leitermuster (L21, L22 und L23), die das zweite Kopplungselement 32 bilden, in einer Ebenenrichtung fehlausgerichtet sind (der Richtung der X-Y-Ebene, wie in 22 dargestellt), wird außerdem beständig der Abschnitt aufrechterhalten, an dem die Spulenöffnung des ersten Kopplungselements 31 und die Spulenöffnung des zweiten Kopplungselements 32 einander überlappen. Dementsprechend ist eine Veränderung des Kopplungsgrads der Magnetfeldkopplung zwischen dem ersten Kopplungselement 31 und dem zweiten Kopplungselement 32 klein, wobei die Veränderung verursacht ist durch eine Fehlausrichtung der Leitermuster (L11 und L12), die das erste Kopplungselement 31 bilden, und der Leitermuster (L21, L22 und L23), die das zweite Kopplungselement 32 bilden, in der Ebenenrichtung.At the in 20 to 23 As shown, a parasitic capacitance is suppressed between the conductor patterns (FIG. L11 and L12 ), which is the first coupling element 31 form and conductor patterns ( L21 . L22 and L23 ), which is the second coupling element 32 form, is generated. Accordingly, the self-resonant frequency is increased by the inductances of the first coupling element 31 and the second coupling element 32 and the above parasitic capacitance is determined, and the natural resonance frequency can be excluded from the communication band to be used. Even if the conductor patterns ( L11 and L12 ), which is the first coupling element 31 form, and the conductor patterns ( L21 . L22 and L23 ), which is the second coupling element 32 form, are misaligned in a plane direction (the direction of the XY Level, as in 22 In addition, the portion where the coil opening of the first coupling member is continuously maintained is constantly maintained 31 and the coil opening of the second coupling element 32 overlap each other. Accordingly, a change in the coupling degree of the magnetic field coupling between the first coupling element 31 and the second coupling element 32 small, the change being caused by a misalignment of the conductor patterns ( L11 and L12 ), which is the first coupling element 31 form, and the conductor pattern ( L21 . L22 and L23 ), which is the second coupling element 32 form, in the plane direction.

Beide Beispiele in 20 und 23 sind Beispiele für eine Kopplungsschaltung, bei der das oben beschriebene Verhältnis L1 < L2 erfüllt ist. Wenn L1 > L2 ist, kann das erste Kopplungselement 31 durch Leitermuster gebildet sein, deren Spulenöffnung relativ groß ist.Both examples in 20 and 23 are examples of a coupling circuit in which the ratio L1 <L2 described above is satisfied. If L1> L2, the first coupling element 31 be formed by conductor pattern whose coil opening is relatively large.

Es wird angemerkt, dass 20 und 23 Beispiele darstellen, bei denen der Einfluss bei einer Fehlausrichtung der Leitermuster (L11 und L12), die das erste Kopplungselement 31 bilden, und der Leitermuster (L21, L22 und L23), die das zweite Kopplungselement 32 bilden, reduziert ist. Ebenso kann der Einfluss bei einer Fehlausrichtung der Leitermuster, die das erste Kopplungselement 31 bilden, in der Ebenenrichtung und der Einfluss bei einer Fehlausrichtung der Leitermuster, die das zweite Kopplungselement 32 bilden, in der Ebenenrichtung reduziert werden. Beispielsweise können Spulenöffnungen oder Spulendurchmesser der Leitermuster L11 und L12. die in der Stapelrichtung zueinander benachbart sind, sich voneinander unterscheiden, und Teile ihrer Leitungsbreite können einander in der Struktur überlappen. Ebenso können beispielsweise Spulenöffnungen oder Spulendurchmesser der Leitermuster L21, L22 und L23, die in der Stapelrichtung zueinander benachbart sind, sich voneinander unterscheiden, und Teile der Leitungsbreite derselben können einander in der Struktur überlappen.It is noted that 20 and 23 Illustrate examples in which the influence of a misalignment of the conductor patterns ( L11 and L12 ), which is the first coupling element 31 form, and the conductor pattern ( L21 . L22 and L23 ), which is the second coupling element 32 form, is reduced. Likewise, the influence on a misalignment of the conductor patterns, which may be the first coupling element 31 form, in the plane direction and the influence of misalignment of the conductor patterns, the second coupling element 32 to be reduced in the plane direction. For example, coil openings or coil diameter of the conductor pattern L11 and L12 , which are adjacent to each other in the stacking direction, are different from each other, and parts of their line width may overlap one another in the structure. Likewise, for example, coil openings or coil diameter of the conductor pattern L21 . L22 and L23 that are adjacent to each other in the stacking direction, are different from each other, and parts of the line width thereof may overlap each other in the structure.

Achtes AusführungsbeispielEighth embodiment

24 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 108 gemäß einem achten Ausführungsbeispiel dar. Die Antennenvorrichtung 108 umfasst eine erste Kopplungsschaltung 30A, eine zweite Kopplungsschaltung 30B, einen ersten nichtstrahlenden Resonanzkreis 20A und einen zweiten nichtstrahlenden Resonanzkreis 20B. Die zweite Kopplungsschaltung 30B umfasst ein drittes Kopplungselement 33 und ein viertes Kopplungselement 34, die aneinandergekoppelt sind. Das dritte Kopplungselement 33 der zweiten Kopplungsschaltung 30B ist zwischen das erste Kopplungselement 31 und den Speisekreis 1 geschaltet. Der erste nichtstrahlende Resonanzkreis 20A ist mit dem zweiten Kopplungselement 32 verbunden, und der zweite nichtstrahlende Resonanzkreis 20B ist mit dem vierten Kopplungselement 34 verbunden. Die weitere Ausbildung ist die gleiche wie bei der in 4 dargestellten Schaltung in dem ersten Ausführungsbeispiel. 24 illustrates a circuit design of an antenna device 108 according to an eighth embodiment. The antenna device 108 comprises a first coupling circuit 30A . a second coupling circuit 30B , a first nonradiative resonant circuit 20A and a second nonradiative resonant circuit 20B , The second coupling circuit 30B comprises a third coupling element 33 and a fourth coupling element 34 which are connected to each other. The third coupling element 33 the second coupling circuit 30B is between the first coupling element 31 and the food circle 1 connected. The first non-radiative resonance circuit 20A is with the second coupling element 32 connected, and the second non-radiative resonant circuit 20B is with the fourth coupling element 34 connected. The further training is the same as in the 4 shown circuit in the first embodiment.

Eine Resonanzfrequenz des ersten nichtstrahlenden Resonanzkreises 20A und eine Resonanzfrequenz des zweiten nichtstrahlenden Resonanzkreises 20B unterscheiden sich voneinander, und somit werden mehrere Polstellen entsprechend diesen Resonanzfrequenzen erzeugt, und eine Kommunikationsbandbreite wird verbreitert. Wenn die Resonanzfrequenz des ersten nichtstrahlenden Resonanzkreises 20A und die Resonanzfrequenz des zweiten nichtstrahlenden Resonanzkreises 20B im Wesentlichen gleich sind, werden außerdem die in den zwei nichtstrahlenden Resonanzkreisen erzeugten Polstellen tiefer, und die Impedanzanpassung in diesem Frequenzband wird verbessert.A resonant frequency of the first nonradiative resonant circuit 20A and a resonance frequency of the second nonradiative resonance circuit 20B are different from each other, and thus multiple poles are generated corresponding to these resonance frequencies, and a communication bandwidth is widened. When the resonant frequency of the first nonradiative resonant circuit 20A and the resonant frequency of the second nonradiative resonant circuit 20B In addition, the poles produced in the two nonradiative resonant circuits become deeper, and the impedance matching in this frequency band is improved.

Neuntes AusführungsbeispielNinth embodiment

25 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 109 gemäß einem neunten Ausführungsbeispiel dar. Die Antennenvorrichtung 109 umfasst die erste Kopplungsschaltung 30A, die zweite Kopplungsschaltung 30B, den ersten nichtstrahlenden Resonanzkreis 20A und den zweiten nichtstrahlenden Resonanzkreis 20B. Die zweite Kopplungsschaltung 30B umfasst das dritte Kopplungselement 33 und das vierte Kopplungselement 34, die aneinandergekoppelt sind. 25 illustrates a circuit design of an antenna device 109 according to a ninth embodiment. The antenna device 109 includes the first coupling circuit 30A , the second coupling circuit 30B , the first nonradiative resonant circuit 20A and the second nonradiative resonant circuit 20B , The second coupling circuit 30B includes the third coupling element 33 and the fourth coupling element 34 which are connected to each other.

Das dritte Kopplungselement 33 ist zwischen das zweite Kopplungselement 32 und den ersten nichtstrahlenden Resonanzkreis 20A geschaltet. Der erste nichtstrahlende Resonanzkreis 20A ist mit dem zweiten Kopplungselement 32 verbunden, und der zweite nichtstrahlende Resonanzkreis 20B ist mit dem vierten Kopplungselement 34 verbunden. Die weitere Ausbildung ist die gleiche wie bei der in 4 dargestellten Schaltung in dem ersten Ausführungsbeispiel.The third coupling element 33 is between the second coupling element 32 and the first nonradiative resonant circuit 20A connected. The first non-radiative resonance circuit 20A is with the second coupling element 32 connected, and the second non-radiative resonant circuit 20B is with the fourth coupling element 34 connected. The further training is the same as in the 4 shown circuit in the first embodiment.

Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die Resonanzfrequenz des ersten nichtstrahlenden Resonanzkreises 20A und die Resonanzfrequenz des zweiten nichtstrahlenden Resonanzkreises 20B im Wesentlichen gleich, und somit werden die in den zwei nichtstrahlenden Resonanzkreisen erzeugten Polstellen tiefer, und die Impedanzanpassung in diesem Frequenzband wird verbessert.In this embodiment, the resonant frequency of the first nonradiative resonant circuit 20A and the resonant frequency of the second nonradiative resonant circuit 20B substantially equal, and thus the poles generated in the two nonradiative resonant circuits become deeper, and the impedance matching in this frequency band is improved.

Zehntes AusführungsbeispielTenth embodiment

26 ist ein Schaltungsdiagramm einer Antennenvorrichtung 110 gemäß einem zehnten Ausführungsbeispiel. Die Antennenvorrichtung 110 umfasst einen Schalter 37, der zwischen den nichtstrahlenden Resonanzkreis 20 und Masse geschaltet ist. Die Antennenvorrichtung 110 umfasst auch einen Schalter 38 zwischen dem Strahlungselement 10 und Masse. Die weitere Ausbildung ist die gleiche wie bei der in 4 dargestellten Schaltung in dem ersten Ausführungsbeispiel. 26 Fig. 10 is a circuit diagram of an antenna device 110 according to a tenth embodiment. The antenna device 110 includes a switch 37 that is between the nonradiative resonant circuit 20 and ground is switched. The antenna device 110 also includes a switch 38 between the radiating element 10 and mass. The further training is the same as in the 4 shown circuit in the first embodiment.

Die Schalter 37 und 38 werden unabhängig oder in Verbindung miteinander geschaltet. Durch Veränderung der Frequenz einer Polstelle, die durch das Vorsehen der Kopplungsschaltung 30 und des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20 erzeugt ist, entsprechend dem Zustand des Schalters 37, oder durch Veränderung eines Anpassungszustands, kann die Impedanzanpassung verbessert werden. Durch Veränderung der Resonanzfrequenz des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20 oder durch Veränderung des Impedanzanpassungszustands zwischen der Kopplungsschaltung 30 und dem nichtstrahlenden Resonanzkreis 20, um eine einfache Kopplung des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20 an den Speisekreis 1 über die Kopplungsschaltung 30 zu ermöglichen, kann außerdem die Impedanzanpassung verbessert werden.The switches 37 and 38 are switched independently or in conjunction with each other. By changing the frequency of a pole by the provision of the coupling circuit 30 and the nonradiative resonant circuit 20 is generated, according to the state of the switch 37 , or by changing an adaptation state, the impedance matching can be improved. By changing the resonant frequency of the non-radiating resonant circuit 20 or by changing the impedance matching state between the coupling circuit 30 and the nonradiative resonant circuit 20 to a simple coupling of the non-radiating resonant circuit 20 to the feeding circuit 1 via the coupling circuit 30 In addition, the impedance matching can be improved.

Außerdem kann entsprechend dem Zustand des Schalters 38 die Frequenz einer durch Resonanz des Strahlungselements 10 erzeugten Polstelle verändert werden.In addition, according to the state of the switch 38 the frequency of a by resonance of the radiating element 10 generated pole are changed.

Elftes AusführungsbeispielEleventh embodiment

27(A) und 27(B) stellen Schaltungsausbildungen von Antennenvorrichtungen 111A und 111B gemäß einem elften Ausführungsbeispiel dar. Bei den Beispielen in sowohl 27(A) als auch 27(B) sind parasitäre Kapazitäten, die durch Kondensatoren Cs1 und Cs2 und dergleichen repräsentiert sind, zwischen dem ersten Kopplungselement 31 und dem zweiten Kopplungselement 32 der Kopplungsschaltung 30 enthalten. Außerdem umfasst die Kopplungsschaltung 30 einen Induktor L3, der zwischen das erste Kopplungselement 31 und das zweite Kopplungselement 32 geschaltet ist. 27 (A) and 27 (B) provide circuit designs of antenna devices 111A and 111B according to an eleventh embodiment. In the examples in both 27 (A) as well as 27 (B) are parasitic capacitances caused by capacitors cs1 and cs2 and the like are represented between the first coupling element 31 and the second coupling element 32 the coupling circuit 30 contain. In addition, the coupling circuit includes 30 an inductor L3 which is between the first coupling element 31 and the second coupling element 32 is switched.

Der Induktor L3 und die Kondensatoren Cs1 und Cs2 von parasitären Kapazitäten sind parallel in Resonanz. Dementsprechend wird eine in der Kopplungsschaltung 30 erzeugte Reaktanzkomponente in diesem parallelen Resonanzfrequenzband unterdrückt. Somit wird eine Reaktanzkomponente, die durch das Einfügen der Kopplungsschaltung 30 hinzugefügt ist, aufgehoben, und eine Veränderung gegenüber einem Anpassungszustand, in dem die Kopplungsschaltung 30 nicht montiert ist, kann unterdrückt werden.The inductor L3 and the capacitors cs1 and cs2 parasitic capacitances are in parallel resonance. Accordingly, one in the coupling circuit 30 generated reactance component in this parallel resonant frequency band suppressed. Thus, a reactance component is formed by inserting the coupling circuit 30 is added, and a change from an adaptation state in which the coupling circuit 30 is not mounted, can be suppressed.

Zwölftes AusführungsbeispielTwelfth embodiment

28 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 112 gemäß einem zwölften Ausführungsbeispiel dar. 28 illustrates a circuit design of an antenna device 112 according to a twelfth embodiment.

Die Antennenvorrichtung 112 gemäß diesem Ausführungsbeispiel umfasst das Strahlungselement 10, die Kopplungsschaltung 30 und den nichtstrahlenden Resonanzkreis 20. Der Speisekreis 1 ist mit dem Strahlungselement 10 verbunden. Die Kopplungsschaltung 30 umfasst das erste Kopplungselement 31, das zwischen das Strahlungselement 10 und Masse geschaltet ist, und das zweite Kopplungselement 32, das an das erste Kopplungselement 31 gekoppelt ist. Der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 ist mit dem zweiten Kopplungselement 32 verbunden. Zudem ist der Induktor 35 in diesem Beispiel zwischen dem ersten Kopplungselement 31 und Masse eingefügt.The antenna device 112 According to this embodiment, the radiating element comprises 10 , the coupling circuit 30 and the nonradiative resonant circuit 20 , The feeding circle 1 is with the radiating element 10 connected. The coupling circuit 30 includes the first coupling element 31 that is between the radiating element 10 and ground, and the second coupling element 32 connected to the first coupling element 31 is coupled. The non-radiating resonant circuit 20 is with the second coupling element 32 connected. In addition, the inductor 35 in this example between the first coupling element 31 and mass inserted.

Bei der obigen Ausbildung stören das Strahlungselement 10 und der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 einander bezüglich der Strahlung nicht, und eine Abstrahlcharakteristik des Strahlungselements 10 wird nicht ungünstig beeinflusst. Außerdem wird eine Frequenzcharakteristik einer Rückflussdämpfung des Strahlungselements 10, von dem Speisekreis 1 gesehen, durch eine Resonanzcharakteristik des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20 eingestellt, und in einem gewünschten Frequenzband wird eine Polstelle erzeugt, um das Band der Frequenzcharakteristik der Antenne zu verbreitern. Da eine Stromstärke in einem mit Masse verbundenen Abschnitt besonders hoch ist, können das Strahlungselement 10 und der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 über die Kopplungsschaltung 30 aneinandergekoppelt sein. Außerdem besteht größere Freiheit bei der Anordnung der Kopplungsschaltung 30 und des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20.In the above embodiment, the radiating element interfere 10 and the nonradiative resonant circuit 20 not with respect to the radiation, and a radiation characteristic of the radiating element 10 is not influenced unfavorably. In addition, a frequency characteristic of a return loss of the radiating element becomes 10 , from the food circle 1 seen by a resonance characteristic of the nonradiative resonance circuit 20 is set, and in a desired frequency band, a pole is generated to broaden the band of the frequency characteristic of the antenna. Since a current is particularly high in a ground connected portion, the radiating element 10 and the nonradiative resonant circuit 20 via the coupling circuit 30 be coupled to each other. In addition, there is greater freedom in the arrangement of the coupling circuit 30 and the nonradiative resonant circuit 20 ,

Dreizehntes AusführungsbeispielThirteenth embodiment

29 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 113 gemäß einem dreizehnten Ausführungsbeispiel dar. 29 illustrates a circuit design of an antenna device 113 according to a thirteenth embodiment.

Die Antennenvorrichtung 113 gemäß diesem Ausführungsbeispiel umfasst ein Substrat 5, auf dem die Kopplungsschaltung 30 und der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 jeweils mithilfe von Leitermustern gebildet sind. Die weitere Ausbildung ist die gleiche wie bei der in 4 dargestellten Schaltung in dem ersten Ausführungsbeispiel.The antenna device 113 According to this embodiment, a substrate comprises 5 on which the coupling circuit 30 and the nonradiative resonant circuit 20 are each formed using conductor patterns. The further training is the same as in the 4 shown circuit in the first embodiment.

Das Substrat 5 ist aus einem Kunstharz-Mehrschichtsubstrat oder einem Keramik-Mehrschichtsubstrat gebildet. Im Fall eines Kunstharz-Mehrschichtsubstrats sind beispielsweise mehrere thermoplastische Kunstharzmaterialien auf Oberflächen gestapelt, aus denen Kupferfolienmuster gebildet sind, und mit Wärme gepresst. Im Fall eines Keramik-Mehrschichtsubstrats sind mehrere Keramikgrünschichten auf Oberflächen, aus denen Leiterpastemuster gebildet sind, gestapelt und gebrannt.The substrate 5 is formed of a resin multi-layer substrate or a ceramic multi-layer substrate. For example, in the case of a resin multilayer substrate, a plurality of thermoplastic synthetic resin materials are stacked on surfaces of which copper foil patterns are formed, and pressed with heat. In the case of a ceramic multilayer substrate, a plurality of ceramic green sheets are stacked and fired on surfaces of which conductive pattern patterns are formed.

Es wird angemerkt, dass in dem Fall, dass die Kopplungsschaltung 30 und der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 auf unterschiedlichen Substraten gebildet sind, der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 mithilfe des Kunstharz-Mehrschichtsubstrats oder des Keramik-Mehrschichtsubstrats gebildet sein kann.It is noted that in the case that the coupling circuit 30 and the nonradiative resonant circuit 20 are formed on different substrates, the non-radiative resonant circuit 20 may be formed by the resin multi-layer substrate or the ceramic multi-layer substrate.

Da die Kopplungsschaltung 30 und der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 miteinander integriert sind, wird gemäß diesem Ausführungsbeispiel der verwendete Bereich reduziert.Because the coupling circuit 30 and the nonradiative resonant circuit 20 are integrated with each other, the area used is reduced according to this embodiment.

Vierzehntes AusführungsbeispielFourteenth embodiment

Ein zwölftes Ausführungsbeispiel stellt eine Antennenvorrichtung dar, die eine PIFA (planare umgekehrt F-förmige Antenne) und ein parasitäres Strahlungselement umfasst.A twelfth embodiment is an antenna device comprising a PIFA (planar inverted F-shaped antenna) and a parasitic radiating element.

30 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 114 gemäß dem vierzehnten Ausführungsbeispiel dar. Die Antennenvorrichtung 114 gemäß diesem Ausführungsbeispiel umfasst ein Speisungs-Strahlungselement 10A, eine Speiseleitung 10AF, ein parasitäres Strahlungselement 10B und die Kopplungsschaltung 30. Der Speisekreis 1 ist zwischen die Speiseleitung 10AF und Masse geschaltet. Ausbildung und Wirkung der Kopplungsschaltung 30 sind die in den obigen Ausführungsbeispielen beschriebenen. 30 illustrates a circuit design of an antenna device 114 according to the fourteenth embodiment. The antenna device 114 According to this embodiment comprises a feeding radiation element 10A , a feed line 10AF , a parasitic radiation element 10B and the coupling circuit 30 , The feeding circle 1 is between the feeders 10AF and ground switched. Training and effect of the coupling circuit 30 are those described in the above embodiments.

Das erste Kopplungselement 31 der Kopplungsschaltung 30 ist zwischen einem Verbindungspunkt Ps zwischen dem Speisungs-Strahlungselement 10A und der Speiseleitung AF und Masse geschaltet. Das Speisungs-Strahlungselement 10A, die Speiseleitung 10AF und das erste Kopplungselement 31 bilden eine PIFA. Das bedeutet, das erste Kopplungselement 31 der Kopplungsschaltung 30 ist an einem Abschnitt eines kurzen Stifts der PIFA vorgesehen. Der kurze Stift verbindet hier den Verbindungspunkt Ps und Masse miteinander. In diesem Abschnitt kann ein Kondensator oder ein Induktor vorgesehen sein.The first coupling element 31 the coupling circuit 30 is between a connection point ps between the feed radiating element 10A and the feed line AF and ground switched. The power radiating element 10A , the feeders 10AF and the first coupling element 31 form a PIFA. This means the first coupling element 31 the coupling circuit 30 is provided on a section of a short pen of the PIFA. The short pen here connects the connection point ps and mass with each other. In this section, a capacitor or an inductor may be provided.

Das parasitäre Strahlungselement 10B ist ein parasitäres Strahlungselement vom Monopoltyp. Das zweite Kopplungselement 32 der Kopplungsschaltung 30 ist in der Nähe eines Masseendes des parasitären Strahlungselements 10B eingefügt. The parasitic radiation element 10B is a parasitic radiating element of the monopole type. The second coupling element 32 the coupling circuit 30 is near a ground end of the parasitic radiating element 10B inserted.

Ein Resonanzstrom iA des Speisungs-Strahlungselements fließt zwischen einem offenen Ende des Speisungs-Strahlungselements 10A und einem Masseende des ersten Kopplungselements 31. Außerdem fließt ein Resonanzstrom iB zwischen einem offenen Ende des parasitären Strahlungselements 10B und einem Masseende des zweiten Kopplungselements 32. Eine Phase des in dem Speisungs-Strahlungselement 10A fließenden Stroms iA und eine Phase des in dem parasitären Strahlungselement 10B fließenden Stroms iB unterscheiden sich voneinander.A resonant current iA of the feeding radiating element flows between an open end of the feeding radiating element 10A and a ground end of the first coupling element 31 , In addition, a resonance current flows iB between an open end of the parasitic radiating element 10B and a ground end of the second coupling element 32 , A phase of the in the feed radiating element 10A flowing electricity iA and a phase of in the parasitic radiating element 10B flowing electricity iB differ from each other.

Wenn die Phase der Resonanz des Speisungs-Strahlungselements und die Phase der Resonanz des parasitären Strahlungselements gleich sind, befindet sich allgemein eine Kerbe zwischen den zwei Resonanzfrequenzen in einer Frequenzcharakteristik der Antennenvorrichtung. Daher kann das Band auch dann nicht verbreitert werden, wenn das parasitäre Strahlungselement vorgesehen ist. Das bedeutet, das parasitäre Strahlungselement kann nicht benachbart zu dem Speisungs-Strahlungselement vorgesehen sein, um das Band zu verbreitern.When the phase of resonance of the feeding radiating element and the phase of resonance of the parasitic radiating element are the same, generally, a notch between the two resonance frequencies is in a frequency characteristic of the antenna device. Therefore, the band can not be widened even if the parasitic radiating element is provided. That is, the parasitic radiating element may not be provided adjacent to the feeding radiating element to widen the band.

Dagegen haben bei diesem Ausführungsbeispiel der in dem ersten Kopplungselement 31 der Kopplungsschaltung 30 fließende Strom und der in dem zweiten Kopplungselement 32 fließende Strom eine Phasendifferenz. Die Phase der Resonanz des Speisungs-Strahlungselements 10A und die Phase der Resonanz des parasitären Strahlungselements 10B sind daher nicht gleich, und somit befindet sich zwischen den zwei Resonanzfrequenzen keine Kerbe. Die Phasendifferenz zwischen dem ersten Kopplungselement 31 und dem zweiten Kopplungselement 32 beträgt höchstens 180°, und durch eine parasitäre Komponente ist eine Phasendifferenz von weniger als oder gleich 180° erzeugt. Das bedeutet, durch eine Wirkung der parasitären Kapazität zwischen dem ersten Kopplungselement 31 und dem zweiten Kopplungselement 32 ist die Phasendifferenz zwischen dem in dem ersten Kopplungselement 31 fließenden Strom und dem in dem zweiten Kopplungselement 32 fließenden Strom größer als 0° und kleiner als 180°.In contrast, in this embodiment, in the first coupling element 31 the coupling circuit 30 flowing current and that in the second coupling element 32 flowing current a phase difference. The phase of resonance of the feed radiating element 10A and the phase of resonance of the parasitic radiating element 10B are therefore not the same, and thus there is no notch between the two resonance frequencies. The phase difference between the first coupling element 31 and the second coupling element 32 is at most 180 °, and a parasitic component produces a phase difference of less than or equal to 180 °. This means, by an effect of the parasitic capacitance between the first coupling element 31 and the second coupling element 32 is the phase difference between that in the first coupling element 31 flowing current and that in the second coupling element 32 flowing current greater than 0 ° and less than 180 °.

Da, wie in 30 dargestellt, der Resonanzstrom iA zwischen dem offenen Ende und der kurzen Stelle in der PIFA fließt, unterscheiden sich die Phase von in dem Speisekreis 1 fließendem Strom und die Phase des Resonanzstroms iA voneinander. Wenn das erste Kopplungselement 31 der Kopplungsschaltung 30 in die Speiseleitung 10AF eingefügt ist und das parasitäre Strahlungselement 10B mit dem zweiten Kopplungselement 32 verbunden ist, können dementsprechend, da keine Korrelation zwischen der Phase des in dem parasitären Strahlungselement 10B fließenden Stroms iB und der Phase des in dem Speisungs-Strahlungselement 10A fließenden Stroms iA besteht, wie oben beschrieben, die Resonanz des Speisungs-Strahlungselements 10A und die Resonanz des parasitären Strahlungselements 10B die gleiche Phase haben, wobei dann die obige Kerbe vorhanden ist. Bei diesem Ausführungsbeispiel entsteht ein solches Problem nicht, und das parasitäre Strahlungselement 10B und das Speisungs-Strahlungselement 10A können zueinander benachbart vorgesehen sein.There, as in 30 represented, the resonance current iA between the open end and the short point in the PIFA flows, the phase of differ in the supply circuit 1 flowing current and the phase of the resonance current iA from each other. When the first coupling element 31 the coupling circuit 30 in the feed line 10AF is inserted and the parasitic radiation element 10B with the second coupling element 32 Accordingly, since there is no correlation between the phase of the parasitic radiation element 10B flowing electricity iB and the phase of in the feed radiating element 10A flowing electricity iA As described above, the resonance of the feeding radiating element 10A and the resonance of the parasitic radiating element 10B have the same phase, in which case the above notch is present. In this embodiment, such a problem does not arise and the parasitic radiating element 10B and the feeding radiating element 10A may be provided adjacent to each other.

Obwohl dieses Ausführungsbeispiel ein Beispiel für die Bildung des Speisungs-Strahlungselements als PIFA ist, ist das Speisungs-Strahlungselement nicht auf eine PIFA begrenzt und kann auch eine typische umgedreht F-förmige Antenne sein. Es kann die gleiche oder im Wesentlichen die gleiche Wirkung erzielt werden.Although this embodiment is an example of the formation of the feed radiating element as PIFA, the feed radiating element is not limited to a PIFA and may also be a typical inverted F-shaped antenna. The same or substantially the same effect can be achieved.

Fünfzehntes AusführungsbeispielFifteenth embodiment

Ein fünfzehntes Ausführungsbeispiel stellt ein Beispiel für eine Antennenvorrichtung dar, die mehrere parasitäre Strahlungselemente umfasst.A fifteenth embodiment illustrates an example of an antenna device comprising a plurality of parasitic radiating elements.

31(A) stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 115 gemäß dem fünfzehnten Ausführungsbeispiel dar. Die Antennenvorrichtung 115 gemäß diesem Ausführungsbeispiel umfasst das Speisungs-Strahlungselement 10A, die Speiseleitung 10AF, das parasitäre Strahlungselement 10B, ein parasitäres Strahlungselement 10C und die Kopplungsschaltung 30. Der Speisekreis 1 ist zwischen die Speiseleitung 10AF und Masse geschaltet. 31 (A) illustrates a circuit design of an antenna device 115 according to the fifteenth embodiment. The antenna device 115 According to this embodiment, the feed radiating element comprises 10A , the feeders 10AF , the parasitic radiation element 10B , a parasitic radiation element 10C and the coupling circuit 30 , The feeding circle 1 is between the feeders 10AF and ground switched.

Das parasitäre Strahlungselement 10C ist um ein Masseende desselben hauptsächlich an die Speiseleitung 10AF zu dem Speisungs-Strahlungselement 10A gekoppelt. Die weitere Ausbildung ist die gleiche wie bei der in 30 dargestellten Antennenvorrichtung 114. The parasitic radiation element 10C is to a ground end of the same mainly to the feed line 10AF to the feed radiating element 10A coupled. The further training is the same as in the 30 illustrated antenna device 114 ,

31 (B) stellt eine Frequenzcharakteristik einer Rückflussdämpfung der in 31(A) dargestellten Antennenvorrichtung 115 und einer Antennenvorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel dar. In 31(B) ist eine Rückflussdämpfungs-Charakteristik RL1 eine Rückflussdämpfung der Antennenvorrichtung 115 gemäß diesem Ausführungsbeispiel, und eine Rückflussdämpfungs-Charakteristik RL2 ist eine Rückflussdämpfung der Antennenvorrichtung gemäß dem Vergleichsbeispiel. Die Antennenvorrichtung gemäß dem Vergleichsbeispiel ist eine Antennenvorrichtung, in der die Kopplungsschaltung 30 und das parasitäre Strahlungselement 10B nicht enthalten sind und das erste Kopplungselement 31 lediglich als kurzer Stift einer PIFA dient. Bei beiden Antennenvorrichtungen ist eine Polstelle bei einer Zentralfrequenz F1 eines niedrigen Bandes erzeugt. Der Grund hierfür ist eine Resonanz des Speisungs-Strahlungselements 10A von 1/4 Wellenlänge. Eine weitere Polstelle ist bei einer Frequenz F2 erzeugt. Der Grund hierfür ist eine Resonanz des Speisungs-Strahlungselements 10A von 3/4 Wellenlängen. Wiederum eine weitere Polstelle ist bei einer Frequenz F3 erzeugt. Der Grund hierfür ist eine Resonanz des parasitären Strahlungselements vom Monopoltyp 10C von 1/4 Wellenlänge. 31 (B) represents a frequency characteristic of a return loss of in 31 (A) illustrated antenna device 115 and an antenna device according to a comparative example. In 31 (B) For example, a return loss characteristic RL1 is a return loss of the antenna device 115 According to this embodiment, and a return loss characteristic RL2 is a return loss of the antenna device according to the comparative example. The antenna device according to the comparative example is an antenna device in which the coupling circuit 30 and the parasitic radiating element 10B are not included and the first coupling element 31 only serves as a short pen of a PIFA. In both antenna devices, a pole is at a center frequency F1 a low band generated. The reason for this is a resonance of the feeding radiation element 10A of 1/4 wavelength. Another pole is at one frequency F2 generated. The reason for this is a resonance of the feeding radiation element 10A of 3/4 wavelengths. Again, another pole is at one frequency F3 generated. The reason for this is a resonance of the parasitic radiating element of the monopole type 10C of 1/4 wavelength.

In der Antennenvorrichtung 115 gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist auch bei einer Frequenz F0 eine Polstelle erzeugt. Der Grund hierfür ist eine Resonanzcharakteristik des parasitären Strahlungselements 10B. Auf diese Weise ist die Bildung einer Antennenvorrichtung möglich, die das parasitäre Strahlungselement 10B, das mit der Kopplungsschaltung 30 verbunden ist, und das parasitäre Strahlungselement 10C umfasst, das keine Kopplung der Kopplungsschaltung 30 zwischenschaltet.In the antenna device 115 according to this embodiment is also at a frequency F0 creates a pole. The reason for this is a resonance characteristic of the parasitic radiating element 10B , In this way it is possible to form an antenna device which is the parasitic radiating element 10B that with the coupling circuit 30 is connected, and the parasitic radiation element 10C includes, that no coupling of the coupling circuit 30 between switches.

Zudem ist bei diesem Ausführungsbeispiel das Speisungs-Strahlungselement nicht auf eine PIFA begrenzt und kann auch eine typische umgedreht F-förmige Antenne sein. Es wird die gleiche oder im Wesentlichen die gleiche Wirkung erzielt.In addition, in this embodiment, the feed radiating element is not limited to a PIFA and may also be a typical inverted F-shaped antenna. The same or substantially the same effect is achieved.

Sechzehntes AusführungsbeispielSixteenth embodiment

Ein sechzehntes Ausführungsbeispiel stellt ein Beispiel für eine Antennenvorrichtung dar, die mehrere parasitäre Strahlungselemente umfasst.A sixteenth embodiment illustrates an example of an antenna device comprising a plurality of parasitic radiating elements.

32 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 116 gemäß dem sechzehnten Ausführungsbeispiel dar. Die Antennenvorrichtung 116 gemäß diesem Ausführungsbeispiel umfasst das Speisungs-Strahlungselement 10A, die Speiseleitung 10AF, einen kurzen Stift 10AS, die parasitären Strahlungselemente 10B und 10C und die Kopplungsschaltung 30. Das Speisungs-Strahlungselement 10A ist ein Strahlungselement einer PIFA. 32 illustrates a circuit design of an antenna device 116 according to the sixteenth embodiment. The antenna device 116 According to this embodiment, the feed radiating element comprises 10A , the feeders 10AF , a short pen 10AS , the parasitic radiating elements 10B and 10C and the coupling circuit 30 , The power radiating element 10A is a radiating element of a PIFA.

Bei diesem Ausführungsbeispiel ist das erste Kopplungselement 31 der Kopplungsschaltung 30 um das Masseende des parasitären Strahlungselements 10B eingefügt, und das zweite Kopplungselement 32 der Kopplungsschaltung 30 ist um das Masseende des parasitären Strahlungselements 10C eingefügt. Das parasitäre Strahlungselement 10B ist um das Masseende desselben hauptsächlich an die Speiseleitung 10AF zu dem Speisungs-Strahlungselement 10A gekoppelt.In this embodiment, the first coupling element 31 the coupling circuit 30 around the ground end of the parasitic radiating element 10B inserted, and the second coupling element 32 the coupling circuit 30 is around the ground end of the parasitic radiating element 10C inserted. The parasitic radiation element 10B is at the ground end of the same mainly to the feed line 10AF to the feed radiating element 10A coupled.

Gemäß diesem Ausführungsbeispiel können die zwei parasitären Strahlungselemente 10B und 10C so ausgebildet sein, dass dieselben über die Kopplungsschaltung 30 aneinandergekoppelt sind.According to this embodiment, the two parasitic radiating elements 10B and 10C be formed so that the same via the coupling circuit 30 are coupled together.

Es wird angemerkt, dass bei diesem Ausführungsbeispiel das Speisungs-Strahlungselement nicht auf eine PIFA oder eine umgekehrt F-förmige Antenne begrenzt ist und beispielsweise ein Strahlungselement vom Monopoltyp sein. Das bedeutet, jedes Speisungs-Strahlungselement, das an das parasitäre Strahlungselement 10B oder dergleichen gekoppelt ist, kann verwendet werden, und es wird die gleiche oder im Wesentlichen die gleiche Wirkung erzielt.It is noted that in this embodiment, the feeding radiating element is not limited to a PIFA or an inverted F-shaped antenna and, for example, is a monopole-type radiating element. That is, each feed radiating element connected to the parasitic radiating element 10B or the like, may be used, and the same or substantially the same effect is achieved.

Siebzehntes AusführungsbeispielSeventeenth embodiment

33 stellt eine Schaltungsausbildung einer Antennenvorrichtung 117 gemäß einem siebzehnten Ausführungsbeispiel dar. Die Antennenvorrichtung 117 gemäß diesem Ausführungsbeispiel umfasst Speisungs-Strahlungselemente 10U und 10V, die Speiseleitung 10AF, das parasitäre Strahlungselement 10B, das parasitäre Strahlungselement 10C und die Kopplungsschaltung 30. Der Speisekreis 1 ist zwischen die Speiseleitung 10AF und Masse geschaltet. Ausbildung und Wirkung der Kopplungsschaltung 30 sind die in den obigen Ausführungsbeispielen beschriebenen. 33 illustrates a circuit design of an antenna device 117 according to a seventeenth embodiment. The antenna device 117 according to this embodiment comprises feed radiation elements 10U and 10V , the feeders 10AF , the parasitic radiation element 10B , the parasitic radiation element 10C and the coupling circuit 30 , The feeding circle 1 is between the feeders 10AF and ground switched. Training and effect of the coupling circuit 30 are those described in the above embodiments.

Die Speisungs-Strahlungselemente 10U und 10V und die Speiseleitung 10AF bilden eine Zweigspeisungs-Monopolantenne oder eine Zweigspeisungs-PIFA. Das parasitäre Strahlungselement 10C ist hauptsächlich mit der Speiseleitung 10AF gekoppelt, um als Antenne vom Monopoltyp oder Antenne vom umgekehrt L-förmigen Typ zu dienen.The power radiating elements 10U and 10V and the feeders 10AF Form a branch feed monopole antenna or a branch feed PIFA. The parasitic radiation element 10C is mainly with the feeders 10AF coupled to serve as a monopole type antenna or an inverted L-shaped type antenna.

34 stellt eine Frequenzcharakteristik einer Rückflussdämpfung der Antennenvorrichtung 117 dar. In 34 entsteht eine Polstelle, die durch eine Frequenz F1 angezeigt ist, hauptsächlich durch eine Grundwelle, die in dem Speisungs-Strahlungselement 10U und der Speiseleitung 10AF in einer Zweigantenne erzeugt ist, welche durch die Speisungs-Strahlungselemente 10U und 10V und die Speiseleitung 10AF gebildet ist. Eine Polstelle, die durch eine Frequenz F2 angezeigt ist, entsteht durch eine Grundwelle, die in dem parasitären Strahlungselement 10C erzeugt ist. Eine durch eine Frequenz F3 angezeigte Polstelle ist beispielsweise hauptsächlich durch eine 3/4-Wellenlängen-Harmonische verursacht, die in dem Speisungs-Strahlungselement 10U und der Speiseleitung 10AF erzeugt ist. Eine Polstelle, die durch eine Frequenz F4 angezeigt ist, entsteht durch eine in dem parasitären Strahlungselement 10B erzeugte Grundwelle. Eine Polstelle, die durch eine Frequenz F5 angezeigt ist, entsteht hauptsächlich durch Resonanz, die in dem Speisungs-Strahlungselement 10V in der durch die Speisungs-Strahlungselemente 10U und 10V und die Speiseleitung 10AF gebildeten Zweigantenne erzeugt ist. 34 represents a frequency characteristic of a return loss of the antenna device 117 in 34 creates a pole by a frequency F1 is indicated, mainly by a fundamental wave, in the feed radiating element 10U and the feedline 10AF is generated in a branch antenna, which by the feed radiation elements 10U and 10V and the feeders 10AF is formed. A pole by a frequency F2 is indicated by a fundamental wave generated in the parasitic radiating element 10C is generated. One by one frequency F3 For example, the indicated pole location is primarily caused by a 3/4 wavelength harmonic present in the feed radiating element 10U and the feedline 10AF is generated. A pole by a frequency F4 is indicated, is formed by a in the parasitic radiation element 10B generated fundamental wave. A pole by a frequency F5 indicated, is mainly due to resonance occurring in the feed radiating element 10V in through the feed radiating elements 10U and 10V and the feeders 10AF formed branch antenna is generated.

Es wird angemerkt, dass eine parasitäre Kapazität zwischen dem Speisungs-Strahlungselement 10V und dem parasitären Strahlungselement 10B aktiv so erzeugt wird, dass eine Phasendifferenz von Resonanzstrom zwischen dem Speisungs-Strahlungselement 10V und dem parasitären Strahlungselement 10B mit circa 90° gestaltet ist. Somit werden eine durch die Frequenz F4 angezeigte Polstelle des Speisungs-Strahlungselements 10V und eine durch die Frequenz F5 angezeigte Polstelle des parasitären Strahlungselements 10B erzeugt.It is noted that a parasitic capacitance between the feed radiating element 10V and the parasitic radiating element 10B is actively generated so that a phase difference of resonance current between the feeding radiation element 10V and the parasitic radiating element 10B designed with about 90 °. Thus, one by the frequency F4 indicated pole of the power radiating element 10V and one by the frequency F5 indicated pole of the parasitic radiation element 10B generated.

Durch die Aufnahme der Zweigantenne mit dem Speisungs-Strahlungselement 10V kann in der Antennenvorrichtung gemäß diesem Ausführungsbeispiel ein Kommunikationsband abgedeckt werden, das auf 2700 MHz verbreitert ist, und es kann eine Breitbandantenne gebildet werden, die ein niedriges Band von 700 MHz bis 900 MHz und ein hohes Band von 1700 MHz bis 2700 MHz abdeckt.By receiving the branch antenna with the feed radiating element 10V For example, in the antenna device according to this embodiment, a communication band widened to 2700 MHz can be covered, and a broadband antenna covering a low band of 700 MHz to 900 MHz and a high band of 1700 MHz to 2700 MHz can be formed.

Achtzehntes AusführungsbeispielEighteenth embodiment

35 ist ein Schaltungsdiagramm einer Antennenvorrichtung 118A gemäß einem achtzehnten Ausführungsbeispiel. In der Antennenvorrichtung 118A ist das parasitäre Strahlungselement 10B an einem Seitenflächenteil des Metallgehäuses gebildet. Das zweite Kopplungselement 32 der Kopplungsschaltung 30 ist mit dem parasitären Strahlungselement 10B verbunden. Die weitere Ausbildung ist die gleiche wie bei der in 4 dargestellten Schaltung in dem ersten Ausführungsbeispiel. 35 Fig. 10 is a circuit diagram of an antenna device 118A according to an eighteenth embodiment. In the antenna device 118A is the parasitic radiation element 10B formed on a side surface portion of the metal housing. The second coupling element 32 the coupling circuit 30 is with the parasitic radiating element 10B connected. The further training is the same as in the 4 shown circuit in the first embodiment.

Bei der Struktur der Antennenvorrichtung 118A kann das parasitäre Strahlungselement 10B von dem Strahlungselement 10 getrennt sein, und es kann eine gute Abstrahlcharakteristik bei einer Resonanzfrequenz erzielt werden, die durch die Kopplungsschaltung 30 und das parasitäre Strahlungselement 10B hinzugefügt ist. Des Weiteren wird die Abstrahlcharakteristik des Strahlungselements 10 bei anderen Frequenzen als der Resonanzfrequenz nicht verschlechtert.In the structure of the antenna device 118A can the parasitic radiation element 10B from the radiating element 10 be separated, and it can be achieved a good radiation characteristic at a resonant frequency by the coupling circuit 30 and the parasitic radiating element 10B is added. Furthermore, the radiation characteristic of the radiation element 10 not deteriorated at frequencies other than the resonant frequency.

36 ist ein Schaltungsdiagramm einer weiteren Antennenvorrichtung 118B gemäß dem achtzehnten Ausführungsbeispiel. In der Antennenvorrichtung 118B ist das parasitäre Strahlungselement 10B an einem Seitenflächenteil des Metallgehäuses gebildet. Ein Endabschnitt des parasitären Strahlungselements 10B ist über den Induktor 8 mit Masse eines Schaltungssubstrats oder dergleichen verbunden (geerdet). Das parasitäre Strahlungselement 10B dient als 1/2-Wellenlängen-Resonanz-Antenne. 36 is a circuit diagram of another antenna device 118B according to the eighteenth embodiment. In the antenna device 118B is the parasitic radiation element 10B formed on a side surface portion of the metal housing. An end portion of the parasitic radiating element 10B is about the inductor 8th connected to ground of a circuit substrate or the like (grounded). The parasitic radiation element 10B serves as a 1/2-wavelength resonant antenna.

Da die Spitze des Seitenflächenteils des Metallgehäuses geerdet ist, können bei der Struktur der Antennenvorrichtung 118B Schwankungen der Antennencharakteristik aufgrund einer Veränderung der Umgebung unterdrückt werden. Auch in dem Fall, dass sich vor der Spitze des Seitenflächenteils des Metallgehäuses ein Seitenflächenteil eines anderen Metallgehäuses befindet, das über einen Schlitz geerdet ist, bewegt sich ein Feld-Maximalpunkt, da die Spitze des Seitenflächenteils des Metallgehäuses geerdet ist, von der Spitze des parasitären Strahlungselements 10B zu einer Mitte, und es kann eine gute Abstrahlcharakteristik bei einer Resonanzfrequenz erzielt werden, die durch die Kopplungsschaltung 30 hinzugefügt ist. Des Weiteren kann die Resonanzfrequenz leicht durch die Induktivität des Induktors 8 eingestellt werden.Since the tip of the side surface portion of the metal shell is grounded, in the structure of the antenna device 118B Variations in the antenna characteristic due to a change in the environment are suppressed. Also, in the case where there is a side face part of another metal case grounded through a slot in front of the tip of the side face part of the metal case, since the tip of the side face part of the metal case is grounded, a field maximum point moves from the tip of the parasitic one radiating element 10B to a center, and a good radiation characteristic can be obtained at a resonance frequency generated by the coupling circuit 30 is added. Furthermore, the resonance frequency can be easily controlled by the inductance of the inductor 8th be set.

37 ist ein Schaltungsdiagramm wiederum einer weiteren Antennenvorrichtung 118C gemäß dem achtzehnten Ausführungsbeispiel. In der Antennenvorrichtung 118C ist das Speisungs-Strahlungselement 10A von einem Endflächenteil des Metallgehäuses zu einem Seitenflächenteil desselben gebildet. Ebenso ist das parasitäre Strahlungselement 10B von einem Endflächenteil des Metallgehäuses zu einem Seitenflächenteil desselben gebildet. Auf diese Weise kann der Hauptteil des parasitären Strahlungselements 10B sich an dem Endflächenteil des Metallgehäuses befinden. Außerdem kann das parasitäre Strahlungselement 10B nahe an einem Masseende des Speisungs-Strahlungselements 10A liegen. Da ein Feld-Maximalpunkt des Speisungs-Strahlungselements 10A sich von der Masseende zu einer Mitte bewegt, kann mit dieser Struktur unnötige Interferenz zwischen dem Speisungs-Strahlungselement 10A und dem parasitären Strahlungselement 10B unterdrückt werden. 37 is a circuit diagram turn another antenna device 118C according to the eighteenth embodiment. In the antenna device 118C is the feed radiating element 10A from an end face part of the metal shell to a side face part thereof. Likewise, the parasitic radiation element 10B from an end face part of the metal shell to a side face part thereof. In this way, the main part of the parasitic radiation element 10B are located on the end surface portion of the metal housing. In addition, the parasitic radiation element 10B near a ground end of the power radiating element 10A lie. As a field maximum point of the feeding radiation element 10A moving from the ground to a center, with this structure, unnecessary interference between the feed radiating element 10A and the parasitic radiating element 10B be suppressed.

Neunzehntes AusführungsbeispielNineteenth embodiment

38 ist eine Planansicht eines Hauptteils einer Antennenvorrichtung 119 gemäß einem neunzehnten Ausführungsbeispiel. 38 is a plan view of a main part of an antenna device 119 according to a nineteenth embodiment.

Ein Metallgehäuse elektronischer Ausrüstung umfasst das Strahlungselement 10, das ein Endabschnitt des Metallgehäuses ist. Eine Verbindungsposition der Speiseleitung 9 für das Strahlungselement 10 und eine Stelle des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20 unterscheiden sich von denjenigen bei der in 2 dargestellten Antennenvorrichtung 101 in dem ersten Ausführungsbeispiel.A metal housing of electronic equipment includes the radiating element 10 which is an end portion of the metal housing. A connection position of the feed line 9 for the radiating element 10 and a location of the nonradiative resonant circuit 20 differ from those at the in 2 illustrated antenna device 101 in the first embodiment.

Bei diesem Ausführungsbeispiel ist, in Planansicht des Schaltungssubstrats 6, die Speiseleitung 9 mit dem linken Seitenflächenteil 13 des Strahlungselements 10 verbunden. Dementsprechend ist der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 auf der rechten Seite der Kopplungsschaltung 30 angeordnet. Dieses Positionsverhältnis ist zu dem in 2 dargestellten Beispiel umgekehrt (symmetrisches Verhältnis). Die weitere Ausbildung ist die gleiche wie die im ersten Ausführungsbeispiel dargestellte.In this embodiment, in plan view of the circuit substrate 6 , the feeders 9 with the left side panel part 13 of the radiating element 10 connected. Accordingly, the nonradiative resonant circuit 20 on the right side of the coupling circuit 30 arranged. This Positional relationship is to that in 2 example shown in reverse (symmetric ratio). The further embodiment is the same as that shown in the first embodiment.

39 ist eine perspektivische Ansicht der Kopplungsschaltung 30 gemäß diesem Ausführungsbeispiel. Die äußere Form der Kopplungsschaltung 30 ist durch eine Zweipunkt-Strichlinie repräsentiert. Auf einer Außenfläche der Kopplungsschaltung 30 sind der Speisekreis-Verbindungsanschluss PF, der Strahlungselement-Verbindungsanschluss PA, der Masseanschluss PG und der Nichtstrahlender-Resonanzkreise-Verbindungsanschluss PS gebildet. Die Kopplungsschaltung 30 ist im Wesentlichen die gleiche wie die in 1 dargestellte Kopplungsschaltung 30 in dem ersten Ausführungsbeispiel. Jedoch ist die zweite Fläche MS2 die Montagefläche, und diese Fläche liegt dem Schaltungssubstrat gegenüber. Auf einer oberen Fläche (ersten Fläche), die eine zu der Montagefläche (zweiten Fläche) MS2 entgegengesetzte Fläche ist, ist die Richtungsunterscheidungsmarkierung DDM vorgesehen. Somit unterscheidet sich die Stelle der Anschlüsse von derjenigen in der in 1 dargestellten Kopplungsschaltung 30 in Planansicht. In der in 1 dargestellten Kopplungsschaltung 30 sind, in Planansicht, der Masseanschluss PG, der Speisekreis-Verbindungsanschluss PF und der Nichtstrahlender- Resonanzkreis-Verbindungsanschluss PS von dem Strahlungselement-Verbindungsanschluss PA aus in dieser Reihenfolge im Uhrzeigersinn gebildet. In dem neunzehnten Ausführungsbeispiel, wie in 39 dargestellt, sind der Masseanschluss PG, der Speisekreis-Verbindungsanschluss PF und der Nichtstrahlender- Resonanzkreis-Verbindungsanschluss PS von dem Strahlungselement-Verbindungsanschluss PA aus in dieser Reihenfolge gegen den Uhrzeigersinn gebildet. 39 is a perspective view of the coupling circuit 30 according to this embodiment. The outer shape of the coupling circuit 30 is represented by a two-dot chain line. On an outer surface of the coupling circuit 30 are the supply circuit connection terminal PF , the radiating element connecting terminal PA , the ground connection PG and the non-radiating resonant circuit connection terminal PS educated. The coupling circuit 30 is essentially the same as the one in 1 illustrated coupling circuit 30 in the first embodiment. However, the second surface is MS2 the mounting surface, and this surface faces the circuit substrate. On an upper surface (first surface), one towards the mounting surface (second surface) MS2 is opposite surface, the direction discrimination mark DDM is provided. Thus, the location of the terminals differs from that in FIG 1 illustrated coupling circuit 30 in plan view. In the in 1 illustrated coupling circuit 30 are, in plan view, the ground connection PG , the feed connection terminal PF and the nonradiative resonant circuit connection terminal PS from the radiating element connecting terminal PA made in this order in a clockwise direction. In the nineteenth embodiment, as in 39 shown are the ground connection PG , the feed connection terminal PF and the nonradiative resonant circuit connection terminal PS from the radiating element connecting terminal PA made out in this order counterclockwise.

Da, wie oben beschrieben, das erste Ende und das zweite Ende des ersten Kopplungselements und das erste Ende und das zweite Ende des zweiten Kopplungselements auf sowohl der ersten Fläche MS1 als auch der zweiten Fläche MS2 gebildet sind, kann entweder die erste Fläche oder die zweite Fläche als Montagefläche dienen. Dementsprechend kann entweder die erste Fläche MS1 oder die zweite Fläche MS2 der Kopplungsschaltung 30 als Montagefläche zur Montage auf einem Schaltungssubstrat gewählt werden, so dass die Anschlüsse an Stellen angeordnet sind, die für die Stelle einer Schaltung oder eines Elements geeignet sind, mit dem die auf der Kopplungsschaltung 30 gebildete erste Spule und zweite Spule verbunden sind.As described above, since the first end and the second end of the first coupling element and the first end and the second end of the second coupling element are on both the first surface MS1 as well as the second surface MS2 are formed, either the first surface or the second surface can serve as a mounting surface. Accordingly, either the first surface MS1 or the second surface MS2 the coupling circuit 30 be selected as a mounting surface for mounting on a circuit substrate, so that the terminals are arranged at locations that are suitable for the location of a circuit or an element, with those on the coupling circuit 30 formed first coil and second coil are connected.

Die in 8 und 39 dargestellten Beispiele stellen Beispiele dar, bei denen Schichtenverbindungsleiter, die die vier auf der ersten Fläche MS1 gebildeten Anschlüsse und die vier auf der zweiten Fläche MS2 gebildeten Anschlüsse miteinander verbinden, auf Endflächen des Mehrschichtkörpers gebildet sind. Jedoch können innerhalb des Mehrschichtkörpers mehrere Durchgangsleiter gebildet sein, und die vier auf der ersten Fläche MS1 gebildeten Anschlüsse und die vier auf der zweiten Fläche MS2 gebildeten Anschlüsse können über diese Durchgangsleiter miteinander verbunden sein.In the 8th and 39 Examples shown represent examples in which layer connection conductors, which are the four on the first surface MS1 formed connections and the four on the second surface MS2 connect formed terminals together, are formed on end surfaces of the multi-layer body. However, multiple via conductors may be formed within the multilayer body, and the four on the first surface MS1 formed connections and the four on the second surface MS2 formed connections can be connected to each other via these via conductors.

Zusätzlich zu der Bildung der obigen Durchgangsleiter können auf der Montagefläche der Kopplungsschaltung 30 LGA-Anschlüsse (Land Grid Array bzw. Kontaktflächen-Gitter-Array) gebildet sein.In addition to the formation of the above via conductors, on the mounting surface of the coupling circuit 30 LGA connections (land grid array) may be formed.

40 stellt eine Ausbildung einer weiteren Kopplungsschaltung 30 gemäß diesem Ausführungsbeispiel dar und ist eine auseinandergezogene Planansicht, die auf Schichten der Kopplungsschaltung 30 gebildete Leitermuster darstellt. 40 represents an embodiment of another coupling circuit 30 according to this embodiment and is an exploded plan view, the on layers of the coupling circuit 30 represents formed conductor patterns.

Wie in 40 dargestellt, sind das erste Leitermuster L11, das zweite Leitermuster L12, das dritte Leitermuster L21 und das vierte Leitermuster L22 jeweils auf dem isolierenden Material S11, dem isolierenden Material S12, dem isolierenden Material S21 und dem isolierenden Material S22 gebildet. Die isolierenden Materialien S11, S12, S21 und S22 sind so gestapelt, dass diese Spulenleitermuster ausgehend von einer Schicht nahe der Montagefläche in folgender Reihenfolge angeordnet sind: erstes Leitermuster L11, zweites Leitermuster L12, drittes Leitermuster L21 und viertes Leitermuster L22.As in 40 shown are the first conductor pattern L11 , the second ladder pattern L12 , the third ladder pattern L21 and the fourth conductor pattern L22 each on the insulating material S11 , the insulating material S12 , the insulating material S21 and the insulating material S22 educated. The insulating materials S11 . S12 . S21 and S22 are stacked so that these coil conductor patterns are arranged from a layer near the mounting surface in the following order: first conductor pattern L11 , second ladder pattern L12 , third ladder pattern L21 and fourth conductor pattern L22 ,

Ein erstes Ende des ersten Leitermusters L11 ist mit dem Strahlungselement-Verbindungsanschluss PA verbunden, und ein zweites Ende desselben ist über den Schichtenverbindungsleiter V1 mit einem ersten Ende des zweiten Leitermusters L12 verbunden. Ein zweites Ende des zweiten Leitermusters L12 ist mit dem Speisekreis-Verbindungsanschluss PF verbunden. Ein erstes Ende des dritten Leitermusters L21 ist mit dem Nichtstrahlender-Resonanzkreis-Verbindungsanschluss PS verbunden, und ein zweites Ende des dritten Leitermusters L21 ist über den Schichtenverbindungsleiter V2 mit einem ersten Ende des vierten Leitermusters L22 verbunden. Ein zweites Ende des vierten Leitermusters L22 ist mit dem Masseanschluss PG verbunden.A first end of the first conductor pattern L11 is with the radiating element connecting terminal PA and a second end thereof is over the layer connection conductor V1 with a first end of the second conductor pattern L12 connected. A second end of the second conductor pattern L12 is with the supply circuit connection terminal PF connected. A first end of the third conductor pattern L21 is with the non-radiating resonant circuit connection terminal PS connected, and a second end of the third conductor pattern L21 is over the layer connection conductor V2 with a first end of the fourth conductor pattern L22 connected. A second end of the fourth conductor pattern L22 is with the ground connection PG connected.

Die Leitermuster auf den in 40 dargestellten Schichten stehen zu den in 9 dargestellten Leitermustern in einem symmetrischen Verhältnis. Somit sind in der Kopplungsschaltung, die diese Leitermuster umfasst, in Planansicht der Masseanschluss PG, der Speisekreis-Verbindungsanschluss PF und der Nichtstrahlender-Resonanzkreis-Verbindungsanschluss PS von dem Strahlungselement-Verbindungsanschluss PA aus in dieser Reihenfolge gegen den Uhrzeigersinn gebildet.The conductor patterns on the in 40 layers shown are in the 9 illustrated conductor patterns in a symmetrical relationship. Thus, in the coupling circuit comprising these conductor patterns, in plan view, the ground terminal PG , the feed connection terminal PF and the non-radiating resonant circuit connection terminal PS from the radiating element connecting terminal PA made out in this order counterclockwise.

Gemäß diesem Beispiel können die Anschlüsse an Stellen angeordnet sein, die für die Stelle einer Schaltung oder eines Elements geeignet sind, mit dem die in der Kopplungsschaltung 30 gebildete erste Spule und zweite Spule verbunden sind. According to this example, the terminals may be located at locations suitable for the location of a circuit or element with those in the coupling circuit 30 formed first coil and second coil are connected.

Zwanzigstes AusführungsbeispielTwentieth Embodiment

Ein zwanzigstes Ausführungsbeispiel stellt eine Antennenvorrichtung dar, die des Weiteren einen Phasenschieber umfasst.A twentieth embodiment is an antenna device further comprising a phase shifter.

41 ist ein Schaltungsdiagramm einer Antennenvorrichtung 120 gemäß dem zwanzigsten Ausführungsbeispiel, in dem der Speisekreis 1 verbunden ist. In der Antennenvorrichtung 120 ist zwischen den Speisekreis 1 und den ersten Kopplungselement 31 der Kopplungsschaltung 30 ein Phasenschieber 50 geschaltet. Der Phasenschieber 50 ist ein Phasenschieber, durch den ein Phasenverschiebungsbetrag sich abhängig von der Frequenz verändert (Frequenzabhängigkeit hat). Der Phasenschieber 50 umfasst eine erste Spule Lp, eine zweite Spule Ls und einen Kondensator C3, die aneinandergekoppelt sind. 41 Fig. 10 is a circuit diagram of an antenna device 120 according to the twentieth embodiment, in which the feeding circuit 1 connected is. In the antenna device 120 is between the food circle 1 and the first coupling element 31 the coupling circuit 30 a phase shifter 50 connected. The phase shifter 50 is a phase shifter by which a phase shift amount changes depending on the frequency (has frequency dependency). The phase shifter 50 includes a first coil Lp , a second coil ls and a capacitor C3 which are connected to each other.

Es wird angemerkt, dass in diesem Beispiel Kondensatoren C4 und C5 zur Impedanzanpassung zwischen den Speisekreis 1 und den Phasenschieber 50 geschaltet sind.It is noted that in this example capacitors C4 and C5 for impedance matching between the supply circuit 1 and the phase shifter 50 are switched.

Die Ausbildung der Kopplungsschaltung 30, des Strahlungselements 10 und des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20 ist die gleiche wie die im ersten Ausführungsbeispiel dargestellte.The formation of the coupling circuit 30 , of the radiating element 10 and the nonradiative resonant circuit 20 is the same as that shown in the first embodiment.

42 ist ein Äquivalenzschaltungsdiagramm, das den obigen Phasenschieber 50 darstellt, wobei ein idealer Transformator IT und parasitäre Induktivitätskomponenten (serielle parasitäre Induktivitätskomponenten La und Lc und parallele parasitäre Induktivitätskomponente Lb) getrennt dargestellt sind. 42 Fig. 12 is an equivalent circuit diagram showing the above phase shifter 50 represents, being an ideal transformer IT and parasitic inductance components (serial parasitic inductance components La and Lc and parallel parasitic inductance component lb ) are shown separately.

Der Kopplungskoeffizient zwischen der ersten Spule Lp und der zweiten Spule Ls, die in 41 dargestellt sind, ist niedriger als bei einem üblichen Hochfrequenzwandler, und dementsprechend ist die serielle parasitäre Induktivitätskomponente Lc groß. Da jedoch die Kapazität des Kondensators C3 ebenfalls groß ist, ist eine Impedanzanpassung gewährleistet. Da außerdem die Kapazität des Kondensators C3 groß ist, ist ein Anteil eines Hochbandsignals, das den Kondensator C3 umgeht, höher als bei demjenigen, das den durch die erste Spule Lp und die zweite Spule Ls gebildeten Transformator umgeht, und eine Phasenverschiebungswirkung des Transformators ist klein. Mit Bezug auf das niedrige Band ist dagegen die Menge, die den Kondensator C3 umgeht, relativ klein, und die Phasenverschiebungswirkung des Transformators ist groß. Somit wird der Kopplungskoeffizient so bestimmt, dass der Phasenverschiebungsbetrag in Bezug auf ein Niederbandsignal im Wesentlichen 180° beträgt und der Phasenverschiebungsbetrag in Bezug auf ein Hochbandsignal im Wesentlichen 90° beträgt.The coupling coefficient between the first coil Lp and the second coil ls , in the 41 is lower than in a conventional high-frequency converter, and accordingly, the serial parasitic inductance component Lc large. However, because the capacitance of the capacitor C3 is also large, an impedance matching is guaranteed. In addition, because the capacity of the capacitor C3 is large, is a proportion of a high-band signal that the capacitor C3 bypasses, higher than the one through the first coil Lp and the second coil ls formed transformer bypasses, and a phase shift effect of the transformer is small. With respect to the low band, on the other hand, the amount that is the capacitor C3 bypasses, relatively small, and the phase shift effect of the transformer is large. Thus, the coupling coefficient is determined so that the phase shift amount with respect to a low-band signal is substantially 180 degrees and the phase shift amount with respect to a high-band signal is substantially 90 degrees.

43 stellt eine Frequenzcharakteristik des Phasenverschiebungsbetrags des Phasenschiebers 50 dar. In diesem Beispiel ist der Phasenverschiebungsbetrag in einem niedrigen Band (700-MHz- bis 900-MHz-Band) im Wesentlichen 180°, und der Phasenverschiebungsbetrag in einem hohen Band (1,7-GHz- bis 2,7-GHz-Band) ist im Wesentlichen 90°. 43 represents a frequency characteristic of the phase shift amount of the phase shifter 50 In this example, the phase shift amount in a low band (700 MHz to 900 MHz band) is substantially 180 °, and the phase shift amount in a high band (1.7 GHz to 2.7 GHz band). Band) is essentially 90 °.

Als Nächstes werden Wirkungen beschrieben, die durch das Vorsehen des Phasenschiebers 50 zusammen mit der Kopplungsschaltung 30 erzielt werden. 44(A) ist ein Schaltungsdiagramm der in dem ersten Ausführungsbeispiel dargestellten Antennenvorrichtung, die nicht den Phasenschieber 50 umfasst, und 44(B) stellt Impedanz-Orte dar, die auf einem Smith-Diagramm Impedanzen bei von dem Speisekreis 1 gesehener Antennenvorrichtung repräsentieren.Next, effects caused by the provision of the phase shifter will be described 50 together with the coupling circuit 30 be achieved. 44 (A) Fig. 12 is a circuit diagram of the antenna device shown in the first embodiment which is not the phase shifter 50 includes, and 44 (B) represents impedance locations on a Smith chart with impedances from the supply circuit 1 represented antenna device.

45(A) ist ein Schaltungsdiagramm einer Antennenvorrichtung mit hinzugefügtem Phasenschieber 50, und 45(B) stellt Impedanz-Orte dar, die auf einem Smith-Diagramm Impedanzen bei von dem Speisekreis 1 gesehener Antennenvorrichtung repräsentieren. Diese Antennenvorrichtung ist eine Schaltung, die nicht den Kondensator C5 in der in 41 dargestellten Schaltung umfasst. 45 (A) Fig. 10 is a circuit diagram of an antenna device with added phase shifter 50 , and 45 (B) represents impedance locations on a Smith chart with impedances from the supply circuit 1 represented antenna device. This antenna device is a circuit that is not the capacitor C5 in the in 41 illustrated circuit comprises.

46(A) ist ein Schaltungsdiagramm einer Antennenvorrichtung, die den Impedanzanpassungs-Kondensator C5 umfasst (den gleichen wie in 41 dargestellt), und 46(B) stellt einen Impedanz-Ort dar, der auf einem Smith-Diagramm eine Impedanz bei von dem Speisekreis 1 gesehener Antennenvorrichtung repräsentiert. 46 (A) FIG. 12 is a circuit diagram of an antenna device including the impedance matching capacitor. FIG C5 includes (the same as in 41 shown), and 46 (B) represents an impedance location which, on a Smith chart, imparts impedance from the sense circuit 1 represented antenna device represents.

In 44(B) ist der Ort T0 ein Impedanz-Ort einer Antennenvorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel, bei dem die Kopplungsschaltung 30 und der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 nicht vorgesehen sind, und der Ort T1 ist ein Impedanz-Ort der Antennenvorrichtung, die in 44(A) dargestellt ist. Beides sind Ergebnisse aus einem Durchlauf von 1,7 GHz bis 2,7 GHz. Wie aus 44(B) hervorgeht, wird durch die Aufnahme der Kopplungsschaltung 30 und des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20, wie oben beschrieben, in der Frequenzcharakteristik der Antenne eine Polstelle erzeugt (kleine Schleife in dem Diagramm), und dementsprechend bewegt sich das Resonanzfrequenzband zu der Mitte des Diagramms. Es wird angemerkt, dass sich ein höheres Frequenzband noch in einem Randbereich des Diagramms befindet und eine Anpassung in dem hohen Frequenzband sich als schwierig erweist.In 44 (B) is the place T0 an impedance location of an antenna device according to a comparative example, wherein the coupling circuit 30 and the nonradiative resonant circuit 20 are not provided, and the place T1 is an impedance location of the antenna device used in 44 (A) is shown. Both are results from a run of 1.7 GHz to 2.7 GHz. How out 44 (B) is apparent by the inclusion of the coupling circuit 30 and the nonradiative resonant circuit 20 As described above, in the frequency characteristic of the antenna, a pole is generated (small loop in the diagram), and accordingly, the resonance frequency band moves to the center of the diagram. It is noted that a higher frequency band is still in a peripheral area of the Diagram is located and an adjustment in the high frequency band turns out to be difficult.

In 45(B) ist der Ort T2 ein Impedanz-Ort der Antennenvorrichtung, die den Phasenschieber 50, die Kopplungsschaltung 30 und den nichtstrahlenden Resonanzkreis 20 umfasst, und der Ort T1 ist der gleiche wie der in 44(A) dargestellte Ort T1. Beides sind Ergebnisse aus einem Durchlauf von 1,7 GHz bis 2,7 GHz. Wie aus 45(B) hervorgeht, bewegt sich durch die Aufnahme des Phasenschiebers 50 die Phase in einem niedrigen Band um im Wesentlichen 180° fort, und in einem hohen Band bewegt sich die Phase im Wesentlichen um 90° fort. Dementsprechend bewegt sich das Hochfrequenzband ebenfalls zu der Mitte des Diagramms.In 45 (B) is the place T2 an impedance location of the antenna device containing the phase shifter 50 , the coupling circuit 30 and the nonradiative resonant circuit 20 includes, and the place T1 is the same as the one in 44 (A) illustrated place T1 , Both are results from a run of 1.7 GHz to 2.7 GHz. How out 45 (B) shows, moves by the inclusion of the phase shifter 50 the phase continues in a low band by substantially 180 °, and in a high band, the phase advances substantially 90 °. Accordingly, the high frequency band also moves to the center of the diagram.

In 46(B) ist der Ort T3 ein Impedanz-Ort der Antennenvorrichtung, die in 46(A) dargestellt ist, und ist ein Ergebnis aus einem Durchlauf von 1,7 GHz bis 2,7 GHz. Wie aus einem Vergleich mit dem in 45(B) dargestellten Ort T2 hervorgeht, dreht sich das Hochfrequenzband durch eine Funktion des Kondensators C5, der nebengeschlossen ist, im Uhrzeigersinn. Somit wird die Anpassung in allen Frequenzbändern verbessert.In 46 (B) is the place T3 an impedance location of the antenna device used in 46 (A) is shown, and is a result of a run from 1.7 GHz to 2.7 GHz. As from a comparison with the in 45 (B) place shown T2 As can be seen, the high frequency band rotates through a function of the capacitor C5 which is shunted, clockwise. Thus, the adaptation is improved in all frequency bands.

47 stellt eine Frequenzcharakteristik einer Rückflussdämpfung der in 44(A) und 46(A) dargestellten Antennenvorrichtungen und der Antennenvorrichtung gemäß dem Vergleichsbeispiel dar. In 47 ist eine Rückflussdämpfungs-Charakteristik RL1 eine Rückflussdämpfungs-Charakteristik der Antennenvorrichtung gemäß dem Vergleichsbeispiel, in der die Kopplungsschaltung 30 und der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 nicht enthalten sind, eine Rückflussdämpfungs-Charakteristik RL2 ist eine Rückflussdämpfungs-Charakteristik der in 44(A) dargestellten Antennenvorrichtung, und eine Rückflussdämpfungs-Charakteristik RL3 ist eine Rückflussdämpfungs-Charakteristik der in 46(A) dargestellten Antennenvorrichtung. Die Rückflussdämpfungs-Charakteristiken RL1 und RL2 in 47 sind die gleichen wie die in 6 dargestellten. Bei einem Vergleich der Rückflussdämpfungs-Charakteristiken RL2 und RL3 erweist sich, dass die Rückflussdämpfung in allen Bändern klein ist und dass das hohe Band bei gleichem Strahlungselement zu einem breiten Band von beispielsweise 1,4 GHz bis 2,6 GHz verbreitert wird. 47 represents a frequency characteristic of a return loss of in 44 (A) and 46 (A) shown antenna devices and the antenna device according to the comparative example. In 47 is a return loss characteristic RL1 a return loss characteristic of the antenna device according to the comparative example, in which the coupling circuit 30 and the nonradiative resonant circuit 20 not included, a return loss characteristic RL2 is a return loss characteristic of in 44 (A) shown antenna device, and a return loss characteristic RL3 is a return loss characteristic of in 46 (A) illustrated antenna device. The return loss characteristics RL1 and RL2 in 47 are the same as the ones in 6 shown. In a comparison of the return loss characteristics RL2 and RL3 proves that the return loss in all bands is small and that the high band is widened with the same radiating element to a broad band of, for example, 1.4 GHz to 2.6 GHz.

48 ist eine perspektivische Außenansicht des Phasenschiebers 50, und 49 ist eine Planansicht von Schichten in dem Phasenschieber 50. Außerdem ist 50 eine Schnittansicht des Phasenschiebers 50. 48 is an external perspective view of the phase shifter 50 , and 49 is a plan view of layers in the phase shifter 50 , Besides that is 50 a sectional view of the phase shifter 50 ,

Eine obere Oberfläche aus einem Material S1 entspricht einer Montagefläche (unteren Fläche) eines Mehrschichtkörpers 100. Auf dem Material S1 sind ein Anschluss T1 als erstes Tor P1, ein Anschluss T2 als zweites Tor P2, ein Masseanschluss G und ein offener Anschluss NC gebildet.An upper surface made of a material S1 corresponds to a mounting surface (lower surface) of a multilayer body 100 , On the material S1 are a connection T1 as the first goal P1 , a connection T2 as a second goal P2 , a ground connection G and an open port NC formed.

Die Materialschichten des Mehrschichtkörpers 100 können ein nichtmagnetischer Keramik-Mehrschichtkörper sein, der aus LTCC oder dergleichen gebildet ist, oder können ein Kunstharz-Mehrschichtkörper sein, der aus einem Kunstharzmaterial wie etwa Polyimid oder Flüssigkristallpolymer gebildet ist. Da die Materialschichten nichtmagnetisch (kein magnetischer Ferrit) sind, ist es auf diese Weise möglich, auch in einem hohen Frequenzband, das über einige hundert MHz hinausgeht, die Materialschichten als Transformator und Phasenschieber mit einer vorbestimmten Induktivität und einem vorbestimmten Kopplungskoeffizienten zu verwenden.The material layers of the multilayer body 100 may be a nonmagnetic ceramic multilayer body formed of LTCC or the like, or may be a synthetic resin multilayer body formed of a synthetic resin material such as polyimide or liquid crystal polymer. In this way, since the material layers are nonmagnetic (no magnetic ferrite), it is possible to use the material layers as a transformer and phase shifter having a predetermined inductance and a predetermined coupling coefficient even in a high frequency band exceeding several hundreds MHz.

Die obigen Leitermuster und die Schichtenverbindungsleiter sind jeweils aus einem Leitermaterial gebildet, das als Hauptkomponente Ag oder Cu enthält und einen geringen spezifischen Widerstand hat. In dem Fall, dass die Materialschichten beispielsweise keramisch sind, sind die Leitermuster und die Schichtenverbindungsleiter durch Siebdrucken und Brennen einer leitfähigen Paste gebildet, die als Hauptkomponente Ag oder Cu enthält. In dem Fall, dass die Materialschichten beispielsweise aus Kunstharz bestehen, sind die Leitermuster und die Schichtenverbindungsleiter durch Ätzen oder dergleichen einer Metallfolie wie etwa einer AI-Folie oder einer Cu-Folie strukturiert.The above conductor patterns and the layer connection conductors are each formed of a conductor material containing Ag or Cu as a main component and having a low resistivity. For example, in the case that the material layers are ceramic, the conductor patterns and the layer connection conductors are formed by screen printing and firing a conductive paste containing Ag or Cu as a main component. For example, in the case where the material layers are made of synthetic resin, the conductor patterns and the layer connection conductors are patterned by etching or the like a metal foil such as an Al foil or a Cu foil.

Der Phasenschieber 50 umfasst mehrere isolierende Materialien S1 bis S9. Auf den Materialien S1 bis S9 sind verschiedene Leitermuster gebildet. Die „verschiedenen Leitermuster“ umfassen nicht nur Leitermuster, die auf Oberflächen der Materialien gebildet sind, sondern auch Schichtenverbindungsleiter. Die Schichtenverbindungsleiter umfassen nicht nur Durchgangsleiter, sondern auch Endflächenelektroden, die auf Endflächen des Mehrschichtkörpers gebildet sind.The phase shifter 50 includes several insulating materials S1 to S9 , On the materials S1 to S9 Different conductor patterns are formed. The "different conductor patterns" include not only conductor patterns formed on surfaces of the materials, but also layer connection conductors. The layer connection conductors include not only via conductors but also end surface electrodes formed on end surfaces of the multilayer body.

Die obere Oberfläche des Materials S1 entspricht der Montagefläche (unteren Fläche) des Mehrschichtkörpers. Auf dem Material S1 sind der Anschluss T1 als erstes Tor P1, der Anschluss T2 als zweites Tor P2, der Masseanschluss G und der offene Anschluss NC gebildet.The upper surface of the material S1 corresponds to the mounting surface (lower surface) of the multi-layer body. On the material S1 are the connection T1 as the first goal P1 , the connection T2 as a second goal P2 , the ground connection G and the open port NC formed.

Auf den Materialien S5 und S4 sind die Leiter L1A1 beziehungsweise L1A2 gebildet. Auf dem Material S3 sind die Leiter L1A3 und L1B1 gebildet. Auf dem Material S2 sind die Leiter L1B2 und L1C gebildet.On the materials S5 and S4 are the leaders L1A1 respectively L1A2 educated. On the material S3 are the leaders L1A3 and L1B1 educated. On the material S2 are the leaders L1B2 and L1C educated.

Ein erstes Ende des Leiters L1A1 ist mit dem Anschluss T1 als erstem Tor verbunden. Ein zweites Ende des Leiters L1A1 ist über einen Schichtenverbindungsleiter V11 mit einem ersten Ende des Leiters L1A2 verbunden. Ein zweites Ende des Leiters L1A2 ist über einen Schichtenverbindungsleiter V12 mit einem ersten Ende des Leiters L1A3 verbunden. Ein zweites Ende des Leiters L1A3 ist mit einem ersten Ende des Leiters L1B1 verbunden. Das zweite Ende des Leiters L1A3 und das erste Ende des Leiters L1B1 sind über einen Schichtenverbindungsleiter V13 mit einem ersten Ende des Leiters L1B2 verbunden. Ein zweites Ende des Leiters L1B1 ist über einen Schichtenverbindungsleiter V14 mit einem zweiten Ende des Leiters L1B2 verbunden. Das zweite Ende des Leiters L1B2 ist mit einem ersten Ende des Leiters L1C verbunden. Ein zweites Ende des Leiters L1C mit dem Masseanschluss G verbunden.A first end of the ladder L1A1 is with the connection T1 connected as the first gate. A second end of the ladder L1A1 is about one Layers connecting conductors V11 with a first end of the conductor L1A2 connected. A second end of the ladder L1A2 is via a layer connection conductor V12 with a first end of the conductor L1A3 connected. A second end of the ladder L1A3 is with a first end of the ladder L1B1 connected. The second end of the ladder L1A3 and the first end of the ladder L1B1 are over a layer connection conductor V13 with a first end of the conductor L1B2 connected. A second end of the ladder L1B1 is via a layer connection conductor V14 with a second end of the conductor L1B2 connected. The second end of the ladder L1B2 is with a first end of the ladder L1C connected. A second end of the ladder L1C with the ground connection G connected.

Auf den Materialien S6 und S7 sind die Leiter L2A1 beziehungsweise L2A2 gebildet. Auf dem Material S8 sind die Leiter L2A3 und L2B1 gebildet. Auf dem Material S9 sind die Leiter L2B2 und L2C gebildet.On the materials S6 and S7 are the leaders L2A1 respectively L2A2 educated. On the material S8 are the leaders L2A3 and L2B1 educated. On the material S9 are the leaders L2B2 and L2C educated.

Ein erstes Ende des Leiters L2A1 ist mit dem Anschluss T2 als zweitem Tor verbunden. Ein zweites Ende des Leiters L2A1 ist über einen Schichtenverbindungsleiter V21 mit einem ersten Ende des Leiters L2A2 verbunden. Ein zweites Ende des Leiters L2A2 ist über einen Schichtenverbindungsleiter V22 mit einem ersten Ende des Leiters L2A3 verbunden. Ein zweites Ende des Leiters L2A3 ist mit einem ersten Ende des Leiters L2B1 verbunden. Das zweite Ende des Leiters L2A3 und das erste Ende des Leiters L2B1 sind über einen Schichtenverbindungsleiter V23 mit einem ersten Ende des Leiters L2B2 verbunden. Ein zweites Ende des Leiters L2B1 ist über einen Schichtenverbindungsleiter V24 mit einem zweiten Ende des Leiters L2B2 verbunden. Das zweite Ende des Leiters L2B2 ist mit einem ersten Ende des Leiters L2C verbunden. Ein zweites Ende des Leiters L2C ist mit dem Masseanschluss G verbunden.A first end of the ladder L2A1 is with the connection T2 connected as a second goal. A second end of the ladder L2A1 is via a layer connection conductor V21 with a first end of the conductor L2A2 connected. A second end of the ladder L2A2 is via a layer connection conductor V22 with a first end of the conductor L2A3 connected. A second end of the ladder L2A3 is with a first end of the ladder L2B1 connected. The second end of the ladder L2A3 and the first end of the ladder L2B1 are over a layer connection conductor V23 with a first end of the conductor L2B2 connected. A second end of the ladder L2B1 is via a layer connection conductor V24 with a second end of the conductor L2B2 connected. The second end of the ladder L2B2 is with a first end of the ladder L2C connected. A second end of the ladder L2C is with the ground connection G connected.

Die Leiter L1A1, L1A2, L1A3, L1B1, L1B2 und L1C sowie die Schichtenverbindungsleiter V11, V12, V13 und V14 bilden die erste Spule Lp. Außerdem bilden die Leiter L2A1, L2A2, L2A3, L2B1, L2B2 und L2C sowie die Schichtenverbindungsleiter V21, V22, V23 und V24 die zweite Spule Ls. Sowohl die erste Spule Lp als auch die zweite Spule Ls sind rechtwinklige helixförmige Spulen.The ladder L1A1 . L1A2 . L1A3 . L1B1 . L1B2 and L1C as well as the layer connection conductors V11 . V12 . V13 and V14 form the first coil Lp , In addition, the ladder form L2A1 . L2A2 . L2A3 . L2B1 . L2B2 and L2C as well as the layer connection conductors V21 . V22 . V23 and V24 the second coil ls , Both the first coil Lp as well as the second coil ls are right-angled helical coils.

Einundzwanzigstes AusführungsbeispielTwenty-first embodiment

Ein einundzwanzigstes Ausführungsbeispiel stellt ein Strahlungselement mit einer Struktur dar, die sich von derjenigen des Strahlungselements unterscheidet, das in dem ersten Ausführungsbeispiel dargestellt ist. A twenty-first embodiment represents a radiating element having a structure different from that of the radiating element shown in the first embodiment.

51 ist eine Planansicht eines Teils eines Metallgehäuses elektronischer Ausrüstung. Das Metallgehäuse elektronischer Ausrüstung umfasst das Strahlungselement 10, das ein Endabschnitt des Metallgehäuses ist, und den Metallgehäuse-Hauptteil 40. Obwohl im ersten Ausführungsbeispiel ein Beispiel dargestellt wurde, bei dem der Endabschnitt des Metallgehäuses mit drei Seiten in Planansicht als Strahlungselement 10 verwendet wird, wie in 51 dargestellt, kann das Strahlungselement 10 durch einen planen Endabschnitt des Metallgehäuses gebildet sein. 51 is a plan view of part of a metal housing of electronic equipment. The metal housing of electronic equipment includes the radiating element 10 which is an end portion of the metal shell and the metal shell body 40 , Although in the first embodiment, an example has been shown in which the end portion of the metal housing with three sides in plan view as a radiation element 10 is used as in 51 shown, the radiating element 10 be formed by a planar end portion of the metal housing.

52(A) und 52(B) sind perspektivische Ansichten von Teilen von Metallgehäusen unterschiedlicher elektronischer Ausrüstungsteile. Bei einem in 52(A) dargestellten Beispiel hat das Strahlungselement 10, das der Endabschnitt des Metallgehäuses ist, eine zu der X-Y-Ebene parallele Ebene und eine zu der Y-Z-Ebene parallele Ebene. Bei einem in 52(B) dargestellten Beispiel hat das Strahlungselement 10, das der Endabschnitt des Metallgehäuses ist, eine zu der X-Y-Ebene parallele Ebene, eine zu der Y-Z-Ebene parallele Ebene und zwei zu der X-Z-Ebene parallele Ebenen. 52 (A) and 52 (B) FIG. 15 are perspective views of parts of metal housings of various electronic equipment. FIG. At an in 52 (A) The example shown has the radiating element 10 which is the end portion of the metal housing, one to the XY Level parallel plane and one to the Y Z Plane parallel plane. At an in 52 (B) The example shown has the radiating element 10 which is the end portion of the metal housing, one to the XY Level parallel plane, one to the Y Z Plane parallel plane and two to the XZ Level parallel planes.

Wie in 52(A) und 52(B) dargestellt, kann der Endabschnitt des Metallgehäuses verschiedene Formen haben.As in 52 (A) and 52 (B) shown, the end portion of the metal housing may have different shapes.

Weitere AusführungsbeispieleFurther embodiments

In den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen wurden Beispiele dargestellt, bei denen der Endabschnitt des Metallgehäuses als Strahlungselement verwendet wird. Jedoch kann ein Teil des Strahlungselements oder das gesamte Strahlungselement ein Leitermuster sein, das auf einem Schaltungssubstrat oder dergleichen gebildet ist, oder kann ein anderes Bauteil als das Gehäuse sein.In the above-described embodiments, examples were shown in which the end portion of the metal shell is used as the radiating element. However, a part of the radiating element or the entire radiating element may be a conductor pattern formed on a circuit substrate or the like, or may be a component other than the housing.

Obwohl das in 4 dargestellte Beispiel einen Fall darstellt, in dem eine parasitäre Kapazität zwischen einem Ende des Strahlungselements 10 und Masse erzeugt ist, kann eine Kapazität mit niedriger Impedanz in einem hohen Band an dieser Stelle aktiv vorgesehen sein, um zu bewirken, dass das Strahlungselement 10 als PIFA dient. Außerdem kann die Stelle, an der die Kapazität erzeugt ist, mit Masse verbunden sein, um eine PIFA zu bilden.Although that in 4 illustrated example illustrates a case in which a parasitic capacitance between one end of the radiating element 10 and ground, a low impedance capacitance in a high band may be actively provided at that location to cause the radiating element 10 serves as PIFA. In addition, the location where the capacitance is generated may be grounded to form a PIFA.

Das lineare Leitermuster des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20 ist nicht auf eine Form begrenzt, die in der Mitte zurückführt, und kann sich auch nur in einer Richtung erstrecken. Alternativ kann der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 zu einer L-Form gebogen sein oder kann gekrümmt sein. Des Weiteren kann der nichtstrahlende Resonanzkreis 20 ein Leitermuster umfassen, das sich in mehrere Zweige teilt. Somit können mehrere Polstellen erzeugt sein.The linear conductor pattern of the nonradiative resonant circuit 20 is not limited to a shape that returns in the middle, and may extend only in one direction. Alternatively, the non-radiative resonant circuit 20 may be bent to an L-shape or may be curved. Furthermore, the non-radiative resonance circuit 20 include a ladder pattern that is divided into several Branches divides. Thus, multiple poles can be generated.

Außerdem kann an dem nichtstrahlenden Resonanzkreis 20 eine Spitze des linearen Leitermusters mit Masse verbunden sein, um eine Schaltung ähnlich einer kurzen Stichleitung zu bilden.In addition, at the non-radiative resonant circuit 20 a tip of the linear conductor pattern may be connected to ground to form a circuit similar to a short stub.

In den oben beschriebenen Beispielen wurden hauptsächlich Beispiele für die Verwendung einer Grundwellenresonanz des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20 beschrieben. Jedoch kann jede harmonische Resonanz des nichtstrahlenden Resonanzkreises 20 ebenfalls verwendet werden, wie etwa Doppelwellenresonanz (sekundäre Resonanz), Dreiwellenresonanz (tertiäre Resonanz) oder 3/2-Wellen-Resonanz. Außerdem können sowohl die Grundwellenresonanz als auch die harmonische Resonanz verwendet werden, oder es können mehrere harmonische Resonanzen verwendet werden.In the above-described examples, mainly examples of the use of a fundamental wave resonance of the non-radiative resonance circuit became 20 described. However, any harmonic resonance of the nonradiative resonant circuit 20 also be used, such as double-wave resonance (secondary resonance), three-wave resonance (tertiary resonance) or 3/2-wave resonance. In addition, both the fundamental resonance and the harmonic resonance can be used, or several harmonic resonances can be used.

Ebenso kann mit Bezug auf das Strahlungselement 10 ebenfalls jede harmonische Resonanz wie etwa Doppelwellenresonanz (sekundäre Resonanz), Dreiwellenresonanz (tertiäre Resonanz) oder 3/2-Wellen-Resonanz verwendet werden. Außerdem können sowohl die Grundwellenresonanz als auch die harmonische Resonanz verwendet werden, oder es können mehrere harmonische Resonanzen verwendet werden.Likewise, with respect to the radiating element 10 also any harmonic resonance such as double-wave resonance (secondary resonance), three-wave resonance (tertiary resonance) or 3/2-wave resonance can be used. In addition, both the fundamental resonance and the harmonic resonance can be used, or several harmonic resonances can be used.

Die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele haben ein sogenanntes Smartphone oder elektronische Ausrüstung mit der gleichen Form wie ein Smartphone beschrieben. Jedoch sind die Ausführungsbeispiele in ähnlicher Weise auf verschiedene elektronische Ausrüstungsstücke anwendbar wie etwa ein Mobiltelefon einschließlich eines Feature-Telefons, ein am Körper tragbares Endgerät einschließlich einer intelligenten Uhr und einer intelligenten Brille, ein Laptop-PC, ein Tabfet-Endgerät, eine Kamera, eine Spielkonsole, ein Spielzeug oder dergleichen.The embodiments described above have described a so-called smartphone or electronic equipment with the same shape as a smartphone. However, the embodiments are similarly applicable to various pieces of electronic equipment such as a mobile phone including a feature phone, a wearable terminal including a smart watch and smart glasses, a laptop PC, a tab-end terminal, a camera, and the like Game console, a toy or the like.

Schließlich sind die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele in jeder Hinsicht exemplarische Ausführungsbeispiele und nicht einschränkend. Jede Umbildung und Abwandlung kann von einem Fachmann in geeigneter Weise vorgenommen werden. Der Umfang der vorliegenden Erfindung ist durch die Ansprüche und nicht durch die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele definiert. Außerdem umfasst der Umfang der vorliegenden Erfindung ferner Abwandlungen der Ausführungsbeispiele innerhalb eines Umfangs, der zu den Ansprüchen äquivalent ist.Finally, the embodiments described above are in all respects exemplary embodiments and not restrictive. Any transformation and modification may be made by a person skilled in the art. The scope of the present invention is defined by the claims and not by the embodiments described above. In addition, the scope of the present invention further includes modifications of the embodiments within a scope equivalent to the claims.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

C, C1C, C1
Kapazitätcapacity
C3,C3,
C4 Kondensator C4 capacitor
C5C5
Impedanzanpassungs-KondensatorImpedance matching capacitor
C11, C12C11, C12
Kapazitätformations-LeitermusterCapacity Formations conductor pattern
C20C20
Kondensatorcapacitor
Cs1, Cs2Cs1, Cs2
Kondensator (parasitäre Kapazität)Capacitor (parasitic capacitance)
GG
Masseanschlussground connection
GNDGND
Masseelektrodeground electrode
GZGZ
Masseregionmass region
ITIT
idealer Transformatorideal transformer
L1A1, L1A2, L1A3, L1B1, L1B2, L1CL1A1, L1A2, L1A3, L1B1, L1B2, L1C
Leiterladder
L2A1, L2A2, L2A3, L2B1, L2B2, L2CL2A1, L2A2, L2A3, L2B1, L2B2, L2C
Leiterladder
La, LcLa, Lc
serielle parasitäre Induktivitätskomponenteserial parasitic inductance component
Lblb
parallele parasitäre Induktivitätskomponenteparallel parasitic inductance component
LpLp
erste Spulefirst coil
Lsls
zweite Spulesecond coil
L11L11
erstes Leitermusterfirst ladder pattern
L12L12
zweites Leitermustersecond conductor pattern
L20L20
Induktorinductor
L21L21
drittes Leitermusterthird conductor pattern
L22L22
viertes Leitermusterfourth conductor pattern
L21 bis L23L21 to L23
Leitermusterconductor pattern
L3L3
Induktorinductor
MS1MS1
erste Flächefirst surface
MS2MS2
zweite Flächesecond surface
NGZNGE
Nicht-MasseregionNon-mass region
PAPA
Strahlungselement-VerbindungsanschlussRadiating element connection port
PFPF
Speisekreis-VerbindungsanschlussFeed circuit connecting terminal
PGPG
Masseanschlussground connection
PSPS
Nichtstrahlender-Resonanzkreis-VerbindungsanschlussNot bright resonant circuit connecting terminal
Psps
Verbindungspunktjunction
P1P1
erstes Torfirst goal
P2P2
zweites Torsecond goal
S1 bis S9S1 to S9
Materialmaterial
S11, S12, S21, S22, S23S11, S12, S21, S22, S23
isolierendes Materialinsulating material
T1, T2T1, T2
Anschlussconnection
V1, V2V1, V2
SchichtenverbindungsleiterLayers connecting conductors
V11, V12, V13, V14, V21, V22, V23, V24V11, V12, V13, V14, V21, V22, V23, V24
SchichtenverbindungsleiterLayers connecting conductors
11
Speisekreissupply circuit
55
Substratsubstratum
66
Schaltungssubstratcircuit substrate
77
VerbinderInterconnects
88th
Induktorinductor
99
Speiseleitungfeeder
1010
Strahlungselementradiating element
10A10A
Speisungs-StrahlungselementFeeding radiation element
10AF10AF
Speiseleitungfeeder
10AS10AS
kurzer Stiftshort pen
10B, 10C10B, 10C
parasitäres Strahlungselementparasitic radiation element
10U, 10V10U, 10V
Speisungs-StrahlungselementFeeding radiation element
10Z10Z
Strahlungselement-FormationsregionRadiating element formation region
1111
Endflächenteilend surface portion
12, 1312, 13
SeitenflächenteilSide surface portion
2020
Nichtstrahlender-Resonanzkreis-VerbindungsanschlussNot bright resonant circuit connecting terminal
20A20A
erster nichtstrahlender Resonanzkreisfirst nonradiative resonant circuit
20B20B
zweiter nichtstrahlender Resonanzkreissecond nonradiative resonant circuit
20FB20FB
RückführteilReturn member
2121
erstes lineares Leitermusterteilfirst linear conductor pattern part
2222
zweites lineares Leitermusterteilsecond linear conductor pattern part
3030
Kopplungsschaltungcoupling circuit
30A30A
erste Kopplungsschaltungfirst coupling circuit
30B30B
zweite Kopplungsschaltungsecond coupling circuit
3131
erstes Kopplungselementfirst coupling element
3232
zweites Kopplungselementsecond coupling element
3333
drittes Kopplungselementthird coupling element
3434
viertes Kopplungselementfourth coupling element
3535
Induktorinductor
3636
Kondensatorcapacitor
37, 3837, 38
Schaltercounter
4040
Metallgehäuse-HauptteilMetal housing main part
4141
planer Teilplanner part
42, 4342, 43
SeitenflächenteilSide surface portion
5050
Phasenschieberphase shifter
100100
MehrschichtkörperMulti-layer body
101 bis 105101 to 105
Antennenvorrichtungantenna device
106A bis 106D106A to 106D
Antennenvorrichtungantenna device
107A, 107B107A, 107B
Antennenvorrichtungantenna device
108 bis 110108 to 110
Antennenvorrichtungantenna device
111A, 111B111A, 111B
Antennenvorrichtungantenna device
112 bis 117112 to 117
Antennenvorrichtungantenna device
118A bis 118C118A to 118C
Antennenvorrichtungantenna device
119, 120119, 120
Antennenvorrichtungantenna device

Claims (19)

Antennenvorrichtung, die folgende Merkmale aufweist: ein Strahlungselement; eine Kopplungsschaltung, die ein erstes Kopplungselement und ein zweites Kopplungselement umfasst, wobei das erste Kopplungselement zwischen das Strahlungselement und einen Speisekreis geschaltet ist, wobei das zweite Kopplungselement an das erste Kopplungselement gekoppelt ist; und einen nichtstrahlenden Resonanzkreis, der mit dem zweiten Kopplungselement verbunden ist, wobei eine Frequenzcharakteristik einer Rückflussdämpfung des Strahlungselements durch eine Resonanzfrequenzcharakteristik des nichtstrahlenden Resonanzkreises eingestellt ist.Antenna device having the following features: a radiating element; a coupling circuit comprising a first coupling element and a second coupling element, the first coupling element being connected between the radiating element and a feeding circuit, the second coupling element being coupled to the first coupling element; and a nonradiative resonant circuit connected to the second coupling element, wherein a frequency characteristic of a return loss of the radiating element is set by a resonance frequency characteristic of the non-radiating resonant circuit. Antennenvorrichtung gemäß Anspruch 1, die ferner eine Masse aufweist, wobei eine Richtung eines Magnetfelds, das erzeugt wird, wenn Strom in dem ersten Kopplungselement in einer Richtung von einem mit dem Speisekreis verbundenen Anschluss zu einem mit dem Strahlungselement verbundenen Anschluss fließt, zu einer Richtung eines Magnetfelds entgegengesetzt ist, das erzeugt wird, wenn Strom in dem zweiten Kopplungselement in einer Richtung von einem mit dem nichtstrahlenden Resonanzkreis verbundenen Anschluss zu einem mit Masse verbundenen Anschluss fließt. Antenna device according to Claim 1 further comprising a mass, wherein a direction of a magnetic field generated when current in the first coupling element flows in a direction from a terminal connected to the feeding circuit to a terminal connected to the radiating element is opposite to a direction of a magnetic field, generated when current in the second coupling element flows in a direction from a terminal connected to the nonradiative resonant circuit to a grounded terminal. Antennenvorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der das erste Kopplungselement und das zweite Kopplungselement mehrschichtige Spulen-Leitermuster sind und die Kopplungsschaltung einen Transformator bildet, in dem das erste Kopplungselement und das zweite Kopplungselement elektromagnetisch aneinandergekoppelt sind.Antenna device according to Claim 1 or 2 wherein the first coupling element and the second coupling element are multi-layered coil conductor patterns and the coupling circuit forms a transformer in which the first coupling element and the second coupling element are electromagnetically coupled to each other. Antennenvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der eine Hälfte oder mehr des nichtstrahlenden Resonanzkreises in Planansicht des Strahlungselements in einer Formationsregion des Strahlungselements enthalten ist.Antenna device according to one of Claims 1 to 3 in which one half or more of the nonradiative resonant circuit is included in plan view of the radiating element in a formation region of the radiating element. Antennenvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der das Strahlungselement durch ein leitfähiges Bauteil gebildet ist, das in Planansicht drei Seiten bildet, und der nichtstrahlende Resonanzkreis in Planansicht von den drei Seiten umgeben ist.Antenna device according to one of Claims 1 to 3 in which the radiating element is formed by a conductive component, which forms three sides in plan view, and the nonradiative resonant circuit is surrounded in plan view by the three sides. Antennenvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der der nichtstrahlende Resonanzkreis durch ein lineares Leitermuster gebildet ist, das in einer Mitte ein Rückführteil aufweist.Antenna device according to one of Claims 1 to 5 in which the nonradiative resonant circuit is formed by a linear conductor pattern having a return part at a center. Antennenvorrichtung gemäß Anspruch 6, bei der das Leitermuster ein erstes lineares Leitermusterteil, das sich von der Kopplungsschaltung erstreckt, und ein zweites Leitermusterteil, das an dem Rückführteil zurückführt, um von dem Strahlungselement entfernt zu sein, umfasst.Antenna device according to Claim 6 wherein the conductor pattern comprises a first linear conductor pattern portion extending from the coupling circuit and a second conductor pattern portion returning at the return portion to be distant from the radiating element. Antennenvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, die ferner einen Phasenschieber aufweist, der zwischen den Speisekreis und das erste Kopplungselement geschaltet ist und der eine Frequenzabhängigkeit hat.Antenna device according to one of Claims 1 to 7 further comprising a phase shifter connected between the feed circuit and the first coupling element and having a frequency dependency. Antennenvorrichtung gemäß Anspruch 1, die ferner eine Masse aufweist, wobei ein zweiter Anschluss des zweiten Kopplungselements mit Masse verbunden ist, wobei der zweite Anschluss einem ersten Anschluss gegenüberliegt, mit dem der nichtstrahlende Resonanzkreis verbunden ist, und wobei eine Länge einer Leitung zwischen dem ersten Kopplungselement und dem Speisekreis und eine Länge einer Leitung zwischen dem zweiten Anschluss des zweiten Kopplungselements und Masse jeweils weniger als 1/8 Wellenlänge einer Resonanzfrequenz betragen.Antenna device according to Claim 1 further comprising a ground, wherein a second terminal of the second coupling element is grounded, the second terminal facing a first terminal to which the nonradiative resonant circuit is connected, and a length of a lead between the first coupling element and the feeding circuit and a length of a line between the second terminal of the second coupling element and ground are each less than 1/8 wavelength of a resonance frequency. Antennenvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, die ferner einen Induktor aufweist, der zwischen das zweite Kopplungselement und den nichtstrahlenden Resonanzkreis geschaltet ist.Antenna device according to one of Claims 1 to 9 further comprising an inductor connected between the second coupling element and the nonradiative resonant circuit. Antennenvorrichtung gemäß Anspruch 9, die ferner einen Induktor aufweist, der zwischen den ersten Anschluss des zweiten Kopplungselements und Masse geschaltet ist.Antenna device according to Claim 9 further comprising an inductor connected between the first terminal of the second coupling element and ground. Antennenvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, die ferner einen Kondensator aufweist, der zwischen das zweite Kopplungselement und den nichtstrahlenden Resonanzkreis geschaltet ist.Antenna device according to one of Claims 1 to 11 further comprising a capacitor connected between the second coupling element and the nonradiative resonant circuit. Antennenvorrichtung gemäß Anspruch 9, die ferner einen Kondensator aufweist, der zwischen den ersten Anschluss des zweiten Kopplungselements und Masse geschaltet ist.Antenna device according to Claim 9 further comprising a capacitor connected between the first terminal of the second coupling element and ground. Antennenvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, die ferner folgende Merkmale aufweist: eine zweite Kopplungsschaltung, die ein drittes Kopplungselement und ein viertes Kopplungselement umfasst, wobei das dritte Kopplungselement zwischen das erste Kopplungselement und den Speisekreis geschaltet ist, wobei das vierte Kopplungselement an das dritte Kopplungselement gekoppelt ist; und einen zweiten nichtstrahlenden Resonanzkreis, der mit dem vierten Kopplungselement verbunden ist.Antenna device according to one of Claims 1 to 13 further comprising: a second coupling circuit comprising a third coupling element and a fourth coupling element, the third coupling element being connected between the first coupling element and the supply circuit, the fourth coupling element being coupled to the third coupling element; and a second nonradiative resonant circuit connected to the fourth coupling element. Antennenvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, die ferner aufweist: eine zweite Kopplungsschaltung, die ein drittes Kopplungselement und ein viertes Kopplungselement umfasst, wobei das dritte Kopplungselement zwischen das zweite Kopplungselement und den nichtstrahlenden Resonanzkreis geschaltet ist, wobei das vierte Kopplungselement an das dritte Kopplungselement gekoppelt ist; und einen zweiten nichtstrahlenden Resonanzkreis, der mit dem vierten Kopplungselement verbunden ist.Antenna device according to one of Claims 1 to 13 further comprising: a second coupling circuit comprising a third coupling element and a fourth coupling element, the third coupling element being connected between the second coupling element and the nonradiative resonant circuit, the fourth coupling element being coupled to the third coupling element; and a second nonradiative resonant circuit connected to the fourth coupling element. Antennenvorrichtung gemäß Anspruch 1, die ferner aufweist: eine Masse und einen Schalter, der zwischen den nichtstrahlenden Resonanzkreis und Masse geschaltet ist.Antenna device according to Claim 1 further comprising: a ground and a switch connected between the non-radiative resonant circuit and ground. Antennenvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 16, bei der die Kopplungsschaltung eine parasitäre Kapazität umfasst und wobei die Antennenvorrichtung ferner einen Induktor aufweist, der mit der Kopplungsschaltung verbunden ist und der eine in der Kopplungsschaltung erzeugte Reaktanzkomponente durch parallele Resonanz mit der parasitären Kapazität unterdrückt.Antenna device according to one of Claims 1 to 16 in which the coupling circuit comprises a parasitic capacitance and wherein the antenna device further comprises an inductor connected to the coupling circuit and which suppresses a reactance component generated in the coupling circuit by parallel resonance with the parasitic capacitance. Antennenvorrichtung, die aufweist: ein Strahlungselement, mit dem ein Speisekreis verbunden ist; eine Kopplungsschaltung, die ein erstes Kopplungselement und ein zweites Kopplungselement umfasst, wobei das erste Kopplungselement zwischen das Strahlungselement und Masse geschaltet ist, wobei das zweite Kopplungselement an das erste Kopplungselement gekoppelt ist; und einen nichtstrahlenden Resonanzkreis, der mit dem zweiten Kopplungselement verbunden ist, wobei eine Frequenzcharakteristik einer Rückflussdämpfung des Strahlungselements durch eine Resonanzfrequenzcharakteristik des nichtstrahlenden Resonanzkreises eingestellt ist.An antenna device comprising: a radiating element to which a feeding circuit is connected; a coupling circuit comprising a first coupling element and a second coupling element, the first coupling element being connected between the radiating element and ground, the second coupling element being coupled to the first coupling element; and a nonradiative resonant circuit connected to the second coupling element, wherein a frequency characteristic of a return loss of the radiating element is set by a resonance frequency characteristic of the non-radiating resonant circuit. Elektronische Ausrüstung, die die Antennenvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 18, den mit der Kopplungsschaltung verbundenen Speisekreis und ein Gehäuse, in dem der Speisekreis aufgenommen ist, aufweist, wobei ein Teil des Strahlungselements oder das gesamte Strahlungselement ein Teil des Gehäuses ist.Electronic equipment comprising the antenna device according to one of the Claims 1 to 18 , the supply circuit connected to the coupling circuit and a housing in which the supply circuit is accommodated, wherein a part of the radiation element or the entire radiation element is a part of the housing.
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