DE1117159B

DE1117159B - Circuit arrangement for generating pulses with a delayed pulse start

Info

Publication number: DE1117159B
Application number: DEE19773A
Authority: DE
Inventors: William John Pool
Original assignee: EMI Ltd
Current assignee: EMI Ltd
Priority date: 1959-08-25
Filing date: 1960-08-13
Publication date: 1961-11-16

Description

Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Impulsen mit verzögertem Impulseinsatz Die Erfindung betrifft eine monostabile Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Impulsen mit verzögertem Impulseinsatz.Circuit arrangement for generating pulses with delayed pulse start The invention relates to a monostable circuit arrangement for generating pulses with delayed impulse start.

Es sind Transistor-Schaltungsanordnungen bekannt, bei denen ein Paar Transistoren über ein Widerstands-Kapazitäts-Netzwerk gekoppelt sind, das dazu dient, die Zeit festzulegen, zu der ein Impuls von einem Transistor erzeugt wird, wenn dem anderen Transistor ein Triggerimpuls zugeführt wird. Hierbei beeinflussen jedoch Fehlströme, insbesondere Sperrströme im Transistor, die Zeit der erzeugten Impulse erheblich, und es ist Zweck vorliegender Erfindung, eine verbesserte Schaltungsanordnung anzugeben, bei der die Zeit der erzeugten Impulse weniger durch Fehlströme beeinflußt wird.There are known transistor circuit arrangements in which a pair Transistors are coupled via a resistor-capacitance network, which serves to set the time at which a pulse is generated by a transistor when a trigger pulse is supplied to the other transistor. Here, however, affect Fault currents, especially reverse currents in the transistor, the time of the generated pulses and it is the purpose of the present invention to provide improved circuitry specify where the time of the generated pulses is less influenced by fault currents will.

Erfindungsgemäß wird hierzu eine monostabile Schaltungsanordnung vorgeschlagen, die dadurch gekennzeichnet ist, daß ein Schwingkreis vorgesehen ist, der über einen ersten Transistor durch einen Eingangsimpuls zur Schwingung angestoßen wird, und daß ein zweiter Transistor an den Schwingkreis derart angeschlossen ist, daß der zweite Transistor einen Ausgangsimpuls abgibt, wenn die Spannung über dem Schwingkreis einen vorbestimmten Wert überschreitet.According to the invention, a monostable circuit arrangement is proposed for this purpose, which is characterized in that a resonant circuit is provided, which has a first transistor is triggered to oscillate by an input pulse, and that a second transistor is connected to the resonant circuit in such a way that the second transistor emits an output pulse when the voltage across the resonant circuit exceeds a predetermined value.

An Hand der Figuren seien im folgenden bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung Einzelheiten zur Erläuterung derselben näher beschrieben. Hierbei zeigt Fig. 1 schematisch eine Schaltungsanordnung nach der Erfindung und Fig. 2 verschiedene Wellenformen zur Erläuterung der Schaltungsanordnung nach Fig. 1.On the basis of the figures are in the following in an embodiment the invention details to explain the same described in more detail. Here FIG. 1 shows schematically a circuit arrangement according to the invention and FIG. 2 various waveforms for explaining the circuit arrangement according to FIG. 1.

In Fig. 1 bedeutet 1 einen ersten Transistor, beispielsweise ein Flächentransistor, dessen Basis- ; anschluß 2 über die Sekundärwindung des Transformators 3 an den positiven Pol einer Spannungsquelle V., angeschlossen ist, während an die Primärwindung des Transformators 3 Triggereingangsimpulse negativer Polarität, wie in Fig.2 unter 4 angedeutet, gelegt werden. Die Emitterelektrode 5 des Transistors 1 ist an den positiven Pol der Spannungsquelle V" angeschlossen, während die Kollektorelektrode an einem Parallel-Schwingkreis aus der Induktivität 7 und der Parallelkapazität 8 liegt und gleichzeitig an die Basiselektrode 9 eines zweiten Transistors 10, der ein Flächentransistor sein kann, angeschlossen ist. Die Emitterelektrode 11 des Transistors 10 ist mit Masse verbunden, an der gleichfalls die zweiten Anschlüsse der Induktivität 7 und der Kapazität 8, die nicht mit dem Kollektoranschluß des Transistors 1 verbunden sind, angeschlossen sind. Die Kollektorelektrode 12 des Transistors 10 ist über einen Arbeitswiderstand 13 an den negativen Pol der Spannungsquelle V1 angeschlossen. Zwischen der Kollektorelektrode 12 und dem Arbeitswiderstand 13 ist eine Ausgangsklemme 14 vorgesehen.In Fig. 1, 1 denotes a first transistor, for example a junction transistor, whose base; Terminal 2 is connected via the secondary winding of the transformer 3 to the positive pole of a voltage source V. While 3 trigger input pulses of negative polarity, as indicated in FIG. 2 under 4 , are applied to the primary winding of the transformer. The emitter electrode 5 of the transistor 1 is connected to the positive pole of the voltage source V ", while the collector electrode is connected to a parallel resonant circuit made up of the inductance 7 and the parallel capacitance 8 and at the same time to the base electrode 9 of a second transistor 10, which can be a flat transistor , is connected. the emitter electrode 11 of the transistor 10 is connected to ground, are connected to the likewise the second terminals of the inductor 7 and the capacitor 8, which are not connected to the collector terminal of the transistor 1. the collector electrode 12 of transistor 10 is connected to the negative pole of the voltage source V1 via a working resistor 13. An output terminal 14 is provided between the collector electrode 12 and the working resistor 13.

Der Transistor 1 ist normalerweise nichtleitend. Bei Zuführung eines negativen Triggerimpulses 4 an die Primärwindung des Transformators 3 differenziert der Transformator die Impulse und bewirkt, daß der Basiselektrode 2 des Transistors 1 ein Impuls 15 nach Fig. 2 zugeführt wird. Der Transistor 1 wird dadurch leitend und lädt schnell den Kondensator 8 auf. Der Transistor 1 wird nach einer Zeit, die der Dauer des differenzierten Impulses 15, der von der Vorderflanke des Impulses 4 abgeleitet ist, unter Berücksichtigung der gespeicherten Löcherladung infolge noch nicht abgewanderter Ladungsträger im Transistor 1 gleich ist, wieder nichtleitend. Wenn der Transistor 1 nichtleitend wird, schwingt der abgestimmte Schwingkreis auf seiner Resonanzfrequenz. Nach einer Viertelperiode der Schwingungen kehrt die Spannung über dem abgestimmten Schwingkreis und an der Koltektorelektrode 6 ihre Polarität, wie unter 16 in Fig.2 angedeutet, um und steuert die Basiselektrode 9 des Transistors 10 negativ, wodurch der Transistor 10 in den Sättigungsbereich kommt, so daß ein positiver Ausgangsimpuls an der Kollektorelektrode, wie unter 17 in Fig. 2 angedeutet ist, auftritt. Es ist ersichtlich, daß die Frequenz, auf die der Kreis mit den Elementen 7 und 8 abgestimmt ist, diejenige Zeit bestimmt, zu der der Impuls 17 beginnt, nachdem der Triggerimpuls 4 zugeführt worden ist.The transistor 1 is normally non-conductive. When a negative trigger pulse 4 is supplied to the primary winding of the transformer 3, the transformer differentiates the pulses and causes the base electrode 2 of the transistor 1 to be supplied with a pulse 15 as shown in FIG. The transistor 1 becomes conductive and quickly charges the capacitor 8. The transistor 1 becomes non-conductive again after a time which is the same as the duration of the differentiated pulse 15, which is derived from the leading edge of the pulse 4, taking into account the stored hole charge due to charge carriers that have not yet migrated in the transistor 1. When the transistor 1 becomes non-conductive, the tuned resonant circuit oscillates at its resonance frequency. After a quarter period of the oscillations, the voltage across the tuned circuit and the Koltektorelektrode 6 reverses its polarity, as indicated at 16 in Figure 2, and controls the base electrode 9 of the transistor 10 is negative, whereby the transistor 10 is in the saturation region, so that a positive output pulse at the collector electrode, as indicated under 17 in Fig. 2, occurs. It can be seen that the frequency to which the circuit with the elements 7 and 8 is tuned determines the time at which the pulse 17 begins after the trigger pulse 4 has been supplied.

Die Widerstände des Transformators 3 und der Induktivität 7 werden vorzugsweise niedrig gehalten, so daß beide Transistoren 1 und 10 praktisch als Transistoren in Blockbasisschaltung arbeiten, wodurch die Schaltung zur Verwendung bei hohen Umgebungstemperaturen geeignet wird.The resistances of the transformer 3 and the inductance 7 are preferably kept low so that both transistors 1 and 10 are practically as Transistors work in block-base circuit, which makes the circuit ready for use becomes suitable at high ambient temperatures.

In einem weiteren, nicht gezeigten Ausführungsbeispiel der Erfindung kann die Kollektorelektrode des ersten Transistors an einen Punkt negativen Potentials und gleichzeitig über einen Serien-Schwingkreis aus einer Serien-Kapazität und einer Shunt-Induktivität an die Basis eines zweiten Transistors angeschlossen werden, dessen Kollektorelektrode auch über einen Arbeitswiderstand an das negative Potential angeschlossen ist. Diese Schaltung arbeitet im wesentlichen in der gleichen Art wie die oben beschriebene Schaltung, aber diese Schaltung muß ein Impuls negativer Polarität an der Basis des ersten Transistors zugeführt werden, so daß Stromsättigung auftritt, wobei der Impuls länger dauern muß als die Verzögerung, die zwischen der Zuführung des Impulses und der Erzeugung eines Impulses durch den zweiten Transistor benötigt wird.In a further, not shown embodiment of the invention the collector electrode of the first transistor can be at a point of negative potential and at the same time via a series resonant circuit made up of a series capacitance and one Shunt inductance can be connected to the base of a second transistor, its collector electrode is also connected to the negative potential via a working resistor connected. This circuit operates in essentially the same way like the circuit described above, but this circuit must have a negative pulse Polarity can be fed to the base of the first transistor, so that current saturation occurs, the pulse must last longer than the delay between the Supply of the pulse and generation of a pulse by the second transistor is needed.

Claims

PATENT CLAIMS: 1. Monostable circuit arrangement for generating pulses with delayed pulse onset, characterized in that an oscillating circuit (7, 8) is provided which is triggered via a first transistor (1) by an input pulse (4) for oscillation (16), and that a second transistor (10) is connected to the resonant circuit in such a way that the second transistor emits an output pulse (17) when the voltage across the resonant circuit exceeds a predetermined value.

2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized characterized in that the collector electrode (6) of the first transistor (1) to the Base electrode (9) of the second transistor (10) and the tuned resonant circuit (7, 8) is connected.

3. Circuit arrangement according to claim 1 or 2, characterized characterized in that the base electrode (2) of the first transistor (1) to the secondary winding an input transformer (3) is connected, which is used for differentiation (15) the input pulses (4) is used in such a way that the first transistor essentially is conductive for the duration of the differentiated impulses.

4. Circuit arrangement according to one of claims 1 to 3, characterized in that the tuned oscillating circuit is a parallel resonant circuit (7, 8).

5. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the collector electrode (6) of the first transistor (1) is connected to the base electrode (9) of the second transistor (10) via a tuned resonant circuit which is connected as a series resonant circuit.

6. Circuit arrangement according to one of claims 1 to 5, characterized in that the resistance of the Input circuit of the first transistor and the resistance of the inductance (7) of the tuned resonant circuit (7, 8) are so low that the transistors (1, 10) work practically in basic block circuit.