DE1081505B - Transistor switch for quick demagnetization of inductive power consumers - Google Patents
Transistor switch for quick demagnetization of inductive power consumersInfo
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Description
Die Anwendung von Transistoren als elektronische Schalter im Stromkreis wird durch die maximal zulässige Sperrspannung begrenzt. Bei Überschreiten dieser Spitzensperrspannung wird der Transistor zerstört.The use of transistors as electronic switches in the circuit is permitted by the maximum Reverse voltage limited. When this peak reverse voltage is exceeded, the transistor destroyed.
Beispielsweise zur raschen Entmagnetisierung einer Induktivität muß an dem den Stromfluß unterbrechenden Schaltelement eine möglichst hohe Spannung zugelassen werden, da der Ausgleichvorgang um so rascher vor sich geht, je höher die Abschaltspannungsspitze ist. Dies gilt auch, wenn der Ausgleichvorgang nicht über lineare, sondern über spannungsabhängige Widerstände durchgeführt wird.For example, for rapid demagnetization of an inductance, the current flow must be interrupted Switching element as high a voltage as possible are permitted, since the compensation process is so the faster the higher the cut-off voltage peak. This also applies when the balancing process is not carried out via linear, but via voltage-dependent resistors.
Da die zulässige Sperrspannung der Transistoren in Schaltanordnungen zum Sperren der angelegten Netzspannung weitgehend ausgenutzt ist, kann eine zusätzliche Spannungsbeaufschlagung nicht mehr zugelassen werden.Since the permissible reverse voltage of the transistors in switching arrangements for blocking the applied If the mains voltage is largely used up, an additional voltage application can no longer be permitted will.
Die Erfindung betrifft einen Transistorschalter zum schnellen Entmagnetisieren induktiver Stromverbraucher mit einer willkürlich steuerbaren, zum Schalten der Speisespannung dienenden Schalteinrichtung, die aus einem oder mehreren Transistoren besteht und in Reihe mit einem oder mehreren Transistoren geschaltet ist und besteht darin, daß die zusätzlich in Reihe geschalteten Transistoren nur dann in Sperrichtung beansprucht werden, wenn über den Gleichrichter 5., die Widerstände 7 und 8 usw. ein Ausgleichstrom fließt, und daß die zusätzlichen Transistoren nur durch einen Teil der Induktionsspannung während des Ausschaltvorganges beaufschlagt sind und zur Begrenzung der Spannung jedem dieser Transistoren ein Widerstand parallel geschaltet ist.The invention relates to a transistor switch for rapidly demagnetizing inductive power consumers with an arbitrarily controllable switching device serving to switch the supply voltage, which consists of one or more transistors and in series with one or more transistors is connected and consists in that the additional transistors connected in series only then are claimed in the reverse direction if the rectifier 5, the resistors 7 and 8, etc. a Equalizing current flows, and that the additional transistors only through part of the induction voltage are acted upon during the switch-off process and to limit the voltage of each of these transistors a resistor is connected in parallel.
Ein erfindungsgemäßes Schaltungsbeispiel zeigt die Figur, an Hand derselben auch die Wirkungsweise erläutert wird. Die drei Leistungstransistoren 1, 2 und 3 sind in Reihe geschaltet. Der Transistor 1 wird über eine Kippstufe 14, die durch das an 15 ankommende Signal gesteuert wird, geschaltet. Der Transistor 1 stellt den eigentlichen Schalttransistor dar, dessen zulässige Sperrspannung größer sein muß als die angelegte Gleichspannung U. A circuit example according to the invention is shown in the figure, with the aid of which the mode of operation is also explained. The three power transistors 1, 2 and 3 are connected in series. The transistor 1 is switched via a flip-flop 14, which is controlled by the signal arriving at 15. The transistor 1 represents the actual switching transistor, the permissible reverse voltage of which must be greater than the applied direct voltage U.
Durch die Transistoren 2 und 3 wird beim Ausgleichvorgang eine Ausschaltspannungsspitze zugelassen, die einen einzelnen Transistor zerstören würde. Wird der Transistor 1 leitend, so wird das Emitterpotential des Transistors 2 positiv, und es fließt ein Steuerstrom über die Basis und den Widerstand 12, damit wird der Transistor 2 ausgesteuert und leitend, so daß auch der Emitter des Transistors 3 positiv wird. Am Transistor 3 fließt ein Basisstrom über den Widerstand 11 und den Gleichrichter 6, so daß auch der Transistor 3 leitend wird und der Betriebsstrom über den Widerstand 16 und die Spule 4 fließt.Transistors 2 and 3 allow a switch-off voltage peak during the equalization process, which would destroy a single transistor. If the transistor 1 becomes conductive, the emitter potential of the transistor 2 becomes positive and it flows in Control current via the base and the resistor 12, so that the transistor 2 is controlled and conductive, so that the emitter of transistor 3 also becomes positive. A base current flows through the transistor 3 via the Resistor 11 and the rectifier 6, so that the transistor 3 is also conductive and the operating current via the resistor 16 and the coil 4 flows.
zum schnellen Entmagnetisierenfor quick demagnetization
induktiver Stromverbraucherinductive power consumer
Anmelder:Applicant:
LICENTIA Patent -Verwaltungs -G.m.b.H., Frankfurt/M., Theodor-Stern-Kai 1LICENTIA Patent -Verwaltungs -G.m.b.H., Frankfurt / M., Theodor-Stern-Kai 1
Walter Stübchen, Frankfurt/M.,
ist als Erfinder genannt wordenWalter Stübchen, Frankfurt / M.,
has been named as the inventor
Wird der Transistor 1 gesperrt, so fließt der Betriebsstrom zunächst durch die Induktivität 4 weiter über den Gleichrichter 5. Durch den Spannungsabfall am Gleichrichter 5 wird das Basispotential des Transistors 2 positiv gegenüber dem Emitterpotential, so daß der Transistor 2 gesperrt ist. Am Transistor 1 liegt in diesem Augenblick die Spannung U vermehrt um den Spannungsabfall über dem Gleichrichter 5.If the transistor 1 is blocked, the operating current initially flows through the inductance 4 via the rectifier 5. Due to the voltage drop across the rectifier 5, the base potential of the transistor 2 becomes positive compared to the emitter potential, so that the transistor 2 is blocked. At this moment, the voltage U is present at the transistor 1, increased by the voltage drop across the rectifier 5.
Wenn der Transistor 2 gesperrt ist, dann fließt der Ausgleichstrom über die Widerstände 7 und 8. Die Basis des Transistors 3 ist über den Widerstand 10 zwischen die Widerstände 7 und 8 geschaltet, so daß auch die Basis des Transistors 3 gegenüber dem Emitter positiv wird und der Transistor 3 gesperrt ist. Sind alle Transistoren gesperrt, so fließt der Ausgleichstrom über den Gleichrichter 5, über die parallel zu den zusätzlichen Transistoren gelegten Widerstände 7, 8, 9 und über den Widerstand 16 zur Induktivität zurück.When the transistor 2 is blocked, the equalizing current flows via the resistors 7 and 8. The base of the transistor 3 is connected via the resistor 10 between the resistors 7 and 8, so that the base of the transistor 3 is positive with respect to the emitter and the transistor 3 is blocked. If all the transistors are blocked, the equalizing current flows back to the inductance via the rectifier 5, via the resistors 7, 8, 9 placed parallel to the additional transistors and via the resistor 16.
Die über die Transistoren 2 und 3 abfallenden Spannungen werden durch die Parallelwiderstände begrenzt. Für den Transistor 2 wird die Basisspannung während des Ausgleichvorganges durch den Spannungsabfall über dem Gleichrichter 5 begrenzt, während die Begrenzung der Basisspannung am Transistor 3 durch die Spannungsteilerschaltung der Widerstände 7 und 8 vorgenommen wird. Der Gleichrichter 6, der beim Ausschaltvorgang in Sperrichtung beansprucht wird, verhindert, daß das Potential — U auf die Basis des Transistors 3 gelangt und damit das Potential des Transistors 3 gegenüber dem Emitter unzulässig positiv wird.The voltages dropped across transistors 2 and 3 are limited by the parallel resistors. For transistor 2, the base voltage is limited during the equalization process by the voltage drop across rectifier 5, while the base voltage at transistor 3 is limited by the voltage divider circuit of resistors 7 and 8. The rectifier 6, which is stressed in the reverse direction during the switch-off process, prevents the potential - U from reaching the base of the transistor 3 and thus the potential of the transistor 3 from becoming impermissibly positive with respect to the emitter.
Die Schaltung kann grundsätzlich durch weitere Transistoren, die in gleicher Weise wie Transistor 3 geschaltet sind, für beliebig hohe Abschaltspitzen-In principle, the circuit can be made up of further transistors, which work in the same way as transistor 3 are switched, for any high switch-off peak
O09 50972-78O09 50972-78
spannungen ausgelegt werden. Die Parallelwiderstände 7, 8 und 9, über die der Ausgleichstrom fließt, können durch nichtlineare Widerstände ersetzt werden.tensions are designed. The parallel resistors 7, 8 and 9, through which the equalizing current flows, can be replaced by non-linear resistors.
Das in der Figur beschriebene Schaltungsbeispiel ist für pnp-Transistoren ausgeführt. Durch entsprechende Umpolung kann dieselbe auch für npn-Transistoren bzw. für beide gemeinsam ausgeführt werden.The circuit example described in the figure is designed for pnp transistors. Through appropriate Polarity reversal can also be carried out for npn transistors or for both together will.
Claims (5)
Deutsche Auslegeschrift Nr. .1 020 673.Considered publications:
German interpretative document No. 1 020 673.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEL31306A DE1081505B (en) | 1958-09-18 | 1958-09-18 | Transistor switch for quick demagnetization of inductive power consumers |
FR791875A FR1220527A (en) | 1958-04-15 | 1959-04-13 | Device for quickly switching on and off an inductive consumer device supplied by transistors |
CH7210259A CH377421A (en) | 1958-04-15 | 1959-04-14 | Device for quickly switching on and off an inductive load fed via at least one transistor |
GB1278459A GB899090A (en) | 1958-04-15 | 1959-04-15 | A transistor arrangement for the rapid switching on and off of an inductive load |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEL31306A DE1081505B (en) | 1958-09-18 | 1958-09-18 | Transistor switch for quick demagnetization of inductive power consumers |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DE1081505B true DE1081505B (en) | 1960-05-12 |
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ID=7265532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DEL31306A Pending DE1081505B (en) | 1958-04-15 | 1958-09-18 | Transistor switch for quick demagnetization of inductive power consumers |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1081505B (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1128465B (en) * | 1959-07-08 | 1962-04-26 | Philips Nv | Electronic switching arrangement for switching induction voltages |
DE1138100B (en) * | 1960-09-09 | 1962-10-18 | Siemens Ag | Protection circuit for a P-N-P-N switching diode |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1020673B (en) * | 1955-10-06 | 1957-12-12 | Siemens Ag | Method and device for the joint control of several semiconductor switches in series |
-
1958
- 1958-09-18 DE DEL31306A patent/DE1081505B/en active Pending
Patent Citations (1)
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