DE1077896B - Transistor arrangement for the switching of signals - Google Patents
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Description
DEUTSCHESGERMAN
Die Erfindung bezieht sich auf einen steuerbaren Schalter mit einem Transistor mit der Stromverstärkung a> 1 für die Durchschaltung einzelner Impulse in datenverarbeitenden Anlagen, insbesondere Rechenanlagen. The invention relates to a controllable switch with a transistor with the current gain a> 1 for switching through individual impulses in data processing systems, especially computer systems.
Für die Durchschaltung von Impulsen sind verschiedenartige Transisstoranordnungen bekannt. Vorzugsweise werden Schaltungen verwendet, in denen der Schaltzustand des Transistors — gesperrt bzw. entsperrt — jeweils durch entsprechende, an die Basis angelegte Steuerpotentiale erzwungen wird. Dabei ist es notwendig, diese Steuerpotentiale für die gesamte Dauer eines über die Emitter-Kollektor-Strecke durchzuschaltenden Nutzsignals aufrechtzuerhalten.Various types of transistor gate arrangements are known for switching through pulses. Preferably circuits are used in which the switching status of the transistor - blocked or unlocked - is enforced in each case by corresponding tax potentials applied to the base. It is it is necessary to use these control potentials for the entire duration of one via the emitter-collector path To maintain the useful signal to be switched through.
Diese Schaltungen haben den Nachteil, daß im Ruhezustand entweder ein größerer Ruhestrom oder ein Potentialunterschied zwischen Ein- und Ausgang des Durchschalters aufrechterhalten werden muß, so daß Emitter und Kollektor des Transistors auf verschiedenen Potentialen liegen.These circuits have the disadvantage that in the idle state either a larger quiescent current or a potential difference between the input and output of the switch must be maintained, so that the emitter and collector of the transistor are at different potentials.
In anderen bekannten Schaltungen, beispielsweise in Wechselstromkreisen, wird von der Möglichkeit Gebrauch gemacht, das Steuersignal für die Aussteuerung der Basis aus dem z. B. am Emitter anliegenden Nutzsignal selbst abzuleiten. Solche Schaltungen können beispielsweise zur Bestimmung von Phasenverschiebungen in frequenzmodulierten Eingangssignalen dienen. In datenverarbeitenden Anlagen soll jedoch das den Übertragungsweg entsperrende Steuersignal unabhängig von dem durchzuschaltenden Nutzsignal sein.In other known circuits, for example in alternating current circuits, the possibility Made use of the control signal for modulating the base from the z. B. adjacent to the emitter Derive useful signal itself. Such circuits can be used, for example, to determine Phase shifts in frequency-modulated input signals are used. In data processing systems however, the control signal unblocking the transmission path should be independent of the one to be switched through Be useful signal.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, für den Aufbau von logischen Netzwerken, insbesondere für Netze mit bistabilen Kippschaltungen, einen steuerbaren Schalter für die Durchschaltung einzelner Impulse zu schaffen, bei dem der Beginn der Durchschaltung durch ein Steuersignal und die Dauer der Durchschaltung durch das Nutzsignal selbst bestimmt wird. Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die einen Übertragungsweg schließende bzw. unterbrechende Emitter-Kollektor-Strecke einer-'seits über einen Eingangswiderstand und andererseits über einen Lastwiderstand mit einem Punkte festen Potentials, vorzugsweise Masse, verbunden ist und daß die über einen Widerstand gegenüber diesem Potential im Sperrzustand positiv vorgespannte Basiselektrode mit einer Zuführung für negative Steuerzeichen verbunden ist, so daß ein dem Eingangswiderstand zugeführter Impuls selbst dann als Ganzes auf den Lastwiderstand übertragen wird, wenn der Steuerimpuls nur noch einen Teil des Nutzimpulses überdauert. The invention is based on the object for the construction of logical networks, in particular for Networks with bistable multivibrators, a controllable switch for switching through individual pulses to create at which the beginning of the connection by a control signal and the duration of the connection is determined by the useful signal itself. According to the invention this object is achieved solved that the one transmission path closing or interrupting emitter-collector path on one side via an input resistor and on the other hand via a load resistor with a point fixed Potential, preferably ground, is connected and that the via a resistor to this Potential in the blocking state, positively biased base electrode with a feed for negative control characters is connected so that a pulse applied to the input resistor even then occurs as a whole the load resistance is transferred when the control pulse only lasts part of the useful pulse.
Besonders für die Anwendung in Rechenanlagen und anderen digital arbeitenden Geräten hat derThe
Transistoranordnung
für die Durchschaltung von SignalenTransistor arrangement
for the switching of signals
Anmelder:
International Standard ElectricApplicant:
International Standard Electric
Corporation,
New York, N. Y. (V. St. A.)Corporation,
New York, NY (V. St. A.)
Vertreter: Dipl.-Ing. H. Ciaessen, Patentanwalt,
Stuttgart-Zuffenhausen, Hellnmth-Hirth-Str. 42Representative: Dipl.-Ing. H. Ciaessen, patent attorney,
Stuttgart-Zuffenhausen, Hellnmth-Hirth-Str. 42
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien, vom 28. Oktober 1953Claimed priority:
Great Britain, 28 October 1953
Alexander D. Odell und John D. Reynolds, London,
sind als Erfinder genannt wordenAlexander D. Odell and John D. Reynolds, London,
have been named as inventors
steuerbare Schalter nach der Erfindung den Vorteil, daß seine beiden Pole (Emitter und Kollektor) im Ruhezustand an Erdpotential liegen können. Bei komplizierten oder räumlich weit voneinander getrennten Schaltungen bzw. Schaltungsteilen werden dadurch unerwünschte Isolationsverluste sowie insbesondere der Einfluß von Störspannungen vermieden.Controllable switch according to the invention has the advantage that its two poles (emitter and collector) in the Quiescent state can be at ground potential. In the case of complicated or spatially separated Circuits or circuit parts thereby become undesirable insulation losses and in particular the influence of interference voltages avoided.
Durch die Schaltung nach der Erfindung werden also zwei wesentliche Vorteile gleichzeitig erzielt: Das Durchschalten von Impulsen mittels gegebenenfalls nur kurzzeitig angelegter Steuerimpulse und das Durchschalten über einen Verbindungsweg, an dem im Ruhezustand keine treibende Spannung anliegt. Die letztgenannte Eigenschaft kann auch bei Verwendung von Transistoren mit einer Stromver-Stärkung α <C1 erreicht werden, wenn an Stelle kurzzeitiger Steuerimpulse die Steuerimpulse für die gesamte Dauer der Durchschaltung aufrechterhalten werden.The circuit according to the invention thus achieves two essential advantages at the same time: The switching through of impulses by means of, if necessary, only briefly applied control impulses and switching through a connection path to which no driving voltage is applied in the idle state. The latter property can also be achieved when using transistors with a current gain α <C1 can be achieved if instead of short-term Control pulses maintain the control pulses for the entire duration of the connection will.
Im allgemeinen ist bei sogenannten Spitzentransistören a^>l, bei Flächentransistoren α <C1. Selbstverständlich können die Schaltungen nach der Erfindung auch mit anderen Kristilltrioden aufgebaut werden, soweit deren Eigenschaften den angegebenen Forderungen über die Stromverstärkung α entsprechen. Es soll daher in der weiteren Beschreibung von Kristalltrioden gesprochen werden.In general, in the case of so-called tip transistors, a ^> l, in the case of junction transistors, α <C1. Of course, the circuits according to the invention can also be constructed with other crystal triodes, as long as their properties correspond to the specified requirements for the current gain α. Crystal triodes will therefore be used in the further description.
Nachstehend werden Einzelheiten der Erfindung und vorteilhafte Ausführungsformen an Hand der Fig. 1 bis 13 beschrieben. Es zeigtDetails of the invention and advantageous embodiments are given below with reference to the Figs. 1 to 13 described. It shows
909 760/195909 760/195
3 43 4
Fig. 1 eine Kristalltriodentorschaltung, spricht der der Fig. 1 fast vollständig, nur mit demFig. 1 shows a crystal triode gate circuit, that of Fig. 1 speaks almost completely, only with the
Fig. 2 eine andere Ausführungsform der Anordnung Unterschied, daß die durchzuschaltenden Signale imFig. 2 shows another embodiment of the arrangement difference that the signals to be switched through in the
nach. Fig. 1, Emitterkreis eingespeist werden, während der Last-after. Fig. 1, emitter circuit are fed, while the load
Fig. 3 eine Kristalltriodentorschaltung, die durch widerstand im Kollektorkreis liegt. In diesem FallFig. 3 shows a crystal triode gate circuit, which is due to resistance in the collector circuit. In this case
eine bistabile Kippstufe gesteuert wird, 5 kann dieKristalltriode Ti?x eineStromverstärkung>la bistable multivibrator is controlled, 5 the crystal triode Ti? x a current gain> l
Fig. 4 zwei Torschaltungen, die durch eine bistabile haben, das ist jedoch nicht notwendig. Wenn dieFig. 4 shows two gate circuits that have a bistable through, but this is not necessary. If the
Kippschaltung gesteuert werden, Kristalltriode TR1 in Fig. 2 eine Stromverstär-Flip-flop are controlled, crystal triode TR 1 in Fig. 2 a current amplifier
Fig. 5 eine Serien- oder Parallelanordnung von kung>l aufweist, dann lassen sich bei der Torschal-Fig. 5 has a series or parallel arrangement of kung> l, then in the gate switch
Kristalltriodentorschaltungen gemäß der Erfindung, tung durch geeignete Wahl des Widerstandswertes desCrystal triode gate circuits according to the invention, device by suitable choice of the resistance value of the
Fig. 6 eine Koinzidenztorschaltung, io Widerstandes R1, wie bereits bei Fig. 1 beschrieben,Fig. 6 shows a coincidence gate circuit, io resistor R 1 , as already described in Fig. 1,
Fig. 7 eine Mischtorschaltung, zwei stabile Zustände erreichen. In der SchaltungFigure 7 shows a mixer gate to achieve two stable states. In the circuit
Fig. 8 die Verwendung von Kristalltriodentorschal- nach Fig. 2 ist es jedoch erforderlich, daß die Signaltungen in einer Recheneinrichtung, impulse aus der Quelle P1 bezüglich ErdpotentialFig. 8 the use of Kristalltriodentorschal- according to Fig. 2, it is necessary, however, that the signal circuits in a computing device, pulses from the source P 1 with respect to ground potential
Fig. 9 die Steuerung von Kristalltriodentorschal- positiv sind, wenn eine Kristalltriode vom N-Typ ver-Fig. 9 the control of crystal triode gate switching are positive when an N-type crystal triode is
tungen von Stromquellen geringen Innenwiderstandes, 15 wendet wird. Gleichzeitig muß das Schaltpotential inlines of power sources of low internal resistance, 15 is applied. At the same time, the switching potential in
Fig. 10 eine Weiterbildung einer Kristalltrioden- der Stellung »auf« den positiven Spitzenwert der10 shows a further development of a crystal triode position "on" the positive peak value of the
torschaltung, die bei Signaldurchgang »offen« bleibt, durchzuschaltenden Signale übertreffen. Ebenso läßtgate circuit, which remains »open« when the signal passes, exceed the signals to be switched through. Likewise lets
unabhängig von der augenblicklich an der Basis sich eine Kristalltriode der P-Type verwenden. DannRegardless of the moment at the base, use a P-Type crystal triode. then
liegenden Spannung; müssen alle Potentiale in ihrer Polarität umgekehrtlying tension; all potentials have to be reversed in their polarity
Fig. 11 zeigt die Impulsformen an verschiedenen 20 werden, und die Signale müssen bezüglich Erd-Fig. 11 shows the pulse shapes at different 20, and the signals must be related to earth
Punkten der Anordnung nach Fig. 10; potential negativ gerichtet sein. Würde an Stelle derPoints of the arrangement according to FIG. 10; potential be directed negatively. Would in place of the
Fig. 12 zeigt die Verwendung einer Kristalltrioden- Kristalltriode TR1 eine N-Type oder PNP-Type mitFig. 12 shows the use of a crystal triode crystal triode TR 1 with an N-type or PNP-type
torschaltung gemäß der Erfindung als Sperrtorschal- einer Strom verstärkung <C1 verwendet, dann ließegate circuit according to the invention as a lock gate switch a current gain <C1 used then leave
tung, und sich die Torschaltung nicht bistabil machen.tion, and not make the gate circuit bistable.
Fig. 13 zeigt eine weitere Ausführungsform der 25 In der Stellung »zu« wird das Schaltpotential der-FIG. 13 shows a further embodiment of FIG. 25. In the "closed" position, the switching potential is
Fig. 12. art gewählt, daß der Emitter ausreichend negativFig. 12. Art chosen so that the emitter is sufficiently negative
In Fig. 1 ist eine Kristalltriodentorschaltung darge- wird, so daß die Kristalltriode bis in ihren Sperrstellt. Die dort verwendete Kristalltriode TA1 soll da- bereich vorgespannt wird. Damit können die durchbei eine Stromverstärkung haben. In der Basis der zuschaltenden Signale nicht zur Last L im Kollektor-Kristalltriode TR1 ist ein Widerstand R1 angeordnet, 30 kreis gelangen. Das Schaltpotential zum Öffnen der der die positive Rückkopplung für die Torschaltung Torschaltung wird entsprechend den durchzuschaltenliefert. Der Wert des Widerstandes R1 wird derart den Signalen gewählt. Sollen z. B. nur positiv gegewählt, daß die Rückkopplung groß genug ist, der richtete Signale durchgeschaltet werden, dann muß Torschaltung zwei stabile Lagen zu geben, nämlich das Schaltpotential (Emittervorspannung) nur bis eine Stellung »auf«, bei der der Widerstand zwischen 35 zum unteren Knick der Triodenkennlinie angehoben Emitter und Kollektor klein ist, und eine Stellung werden. Dadurch liegen die positiven Impulse auf dem »zu«, bei der der Widerstand Emitter—-Kollektor Teil der Kennlinie, der dem Zustand »offen« entgroß ist. Die Steuerimpulse für die Stellungen »auf« spricht. Für den Fall, daß sowohl positiv gerichtete und »zu« werden an der Basis bzw. Basisleitung der als auch negativ gerichtete Signale durchgelassen Kristalldiode TR1, und zwar entweder am Punkt A 40 werden sollen, wird der Emitter in der Mitte der oder am Punkt B angelegt. Zur Öffnung der Torschal- Durchlaßkennlinie vorgespannt. In gleicher Weise, tung muß der Steuerimpuls so gewählt sein, daß wenn nur negative Impulse durchgelassen werden das Basispotential gegenüber dem Emitterpotential sollen, kann die Kristalltriode im oberen Knick der während der Dauer des Steuerimpulses negativ ist. Kennlinie, also bis in den Sättigungsbereich, vorge-Dementsprechend muß zur Sperrung der Torschaltung 45 spannt werden. Als Kristalltrioden lassen sich hier das Basispotential gegenüber dem Emitterpotential auch solche vom P-Typ bzw. vom NPN-Typ verwendurch den Steuerimpuls kurzzeitig positiv gemacht den, vorausgesetzt, daß die geeigneten Ruhepotentiale werden. verwendet werden.A crystal triode gate circuit is shown in FIG. 1, so that the crystal triode turns off until it is blocked. The crystal triode TA 1 used there should be biased there. This means that they can have a current boost. In the base of the switching signals not to the load L in the collector crystal triode TR 1 , a resistor R 1 is arranged, 30 reach a circle. The switching potential for opening the the positive feedback for the gate circuit is supplied according to the gate circuit to be switched through. The value of the resistor R 1 is chosen according to the signals. Should z. B. only positively selected, that the feedback is large enough, the directional signals are switched through, then the gate circuit must give two stable positions, namely the switching potential (emitter bias) only up to a position "on" where the resistance between 35 to the lower Kink of the triode characteristic is raised emitter and collector is small, and one position will be. As a result, the positive impulses are on the "close" side, in which the emitter-collector resistance is part of the characteristic curve that is no longer in the "open" state. The control impulses for the positions "open" speaks. In the event that both positively directed and "closed" signals are allowed to pass through the base or base line of the as well as negatively directed signals crystal diode TR 1 , either at point A 40, the emitter is in the middle of or at the point B created. Pre-tensioned to open the gate scarf passage characteristic. In the same way, the control pulse must be chosen so that if only negative pulses are allowed to pass through the base potential compared to the emitter potential, the crystal triode in the upper bend can be negative during the duration of the control pulse. Characteristic curve, that is to say up to the saturation range, must accordingly be tensioned to block the gate circuit 45. As crystal triodes, the base potential compared to the emitter potential, including those of the P-type or of the NPN-type, can be made positive for a short time by the control pulse, provided that the suitable resting potentials are used. be used.
Der Kollektor der Kristalltriode TR1 ist über eine In Fig. 1 und 2 war P1 zwar als Impulsquelle bewicklung
eines Impulstransformators T2 geerdet, 5° zeichnet. Das dort erzeugte Signal kann jedoch eine
während der Emitter über den Lastkreis L ebenfalls beliebige Wellenform aufweisen. Ebenso war das Angeerdet
ist. Die durchzuschaltenden Signale, die in legen der Impulse von P1 über einen Transformator
Form von gegen Erde negativen Impulsen ankommen, angegeben worden. Es ist jedoch klar, daß auch andere
werden von einer Impulsquelle P1 der Sekundärwick- Möglichkeiten derSignaleinspeisunginFragekommen.
lung des Übertragers T0 dann zugeführt, wenn ein 55 Die Last L kann irgendeine Anordnung sein, die auf
Schalter S2 geschlossen ist. Das heißt, in der Stellung Stromänderungen anspricht, z. B. eine elektromecha-
»offen« passieren die Signale über den kleinen nische, elektronische oder eine magnetische Anord-Emitter-Kollektor-Widerstand
von der Signalquelle nung. Ist die Amplitude der negativ gerichteten Imüber
die Kristalltriode TR% zur Last L, während in pulse P1 groß genug, so ist es möglich, mit einer Torder
Sperrstellung der hohe Emitter-Kollektor-Wider- 60 schaltung mit nur zwei stabilen Lagen die Kristallstand
die Signale von der Last L abtrennt. triode TR1 für den Durchgang eines Impulses P1 offen
In der Beschreibung der Schaltung nach Fig. 1 ist zu halten, unabhängig von einem positiven Schaltzwar
angegeben, daß Emitter und Kollektor auf Erd- impuls, der zum Schließen der Torschaltung angelegt
potential liegen sollen, d.h. daß das Ruhepotential wird. Dies wird in bezug auf die Fig. 10 und 11 näher
beider .Elektroden ISTuIl ist. Es kann jedoch in man- 65 beschrieben werden. Ebenso kann die gerade offene
chen Ausführungsformen derartiger Schaltungen Transistortorschaltung durch das Anlegen eines
wünschenswert sein, das beiden Elektroden gemein- großen positiven Signalimpulses gesperrt werden,
same Potential nicht zu Null zu wählen. Um die Beschreibung der übrigen Figuren zu ver-Eine
weitere Ausführungsform der Torschaltung einfachen, soll angenommen werden, daß die in der
nach Fig. 1 ist in Fig. 2 gezeigt. Diese Schaltung ent- 70 Torschaltung zu verwendende Kristalltriode eineThe collector of the crystal triode TR 1 is grounded via a In Fig. 1 and 2, although P 1 was a pulse source winding a pulse transformer T 2 , 5 ° records. The signal generated there can, however, also have any waveform during the emitter via the load circuit L. Likewise that was grounded. The signals to be switched through, which arrive in the form of impulses from P 1 via a transformer in the form of impulses negative to earth, have been specified. It is clear, however, that others will also come into question from a pulse source P 1 of the secondary winding possibilities of signal feed. tion of the transformer T 0 is then supplied when a 55 The load L can be any arrangement that is closed to switch S 2. That is, responds in the position current changes, z. B. an electromechanical "open" pass the signals over the small niche, electronic or a magnetic array-emitter-collector resistor from the signal source voltage. If the amplitude of the negatively directed Im over the crystal triode TR % to the load L, while in the pulse P 1 is large enough, it is possible, with a gate blocking position of the high emitter-collector circuit with only two stable positions, to raise the crystal Signals from the load L separates. triode TR 1 open for the passage of a pulse P 1. In the description of the circuit according to FIG. ie that the rest potential becomes. This is closer to the two electrodes ISTuIl with reference to FIGS. 10 and 11. However, it can be described in man-65. Likewise, the currently open embodiment of such circuits, transistor gate circuit, can be desirable by applying a positive signal pulse that is large in common to both electrodes,
same potential not to choose zero. In order to simplify the description of the other figures, it should be assumed that the one in FIG. 1 is shown in FIG. This circuit includes a crystal triode to be used
5 65 6
S tromver Stärkung >1 hat und daß das durchzuschal- triode TR1 in ihrer Stellung mit hohem Querwidertende Signal dem Kollektor der Kristalltriode TR1, stand ist. Dadurch ist die Kristalltriode TR1 offen, wie in Fig. 1 gezeigt, zugeführt werden soll. Es ist Geht nun die Kippschaltung in ihre entsperrte Steljedoch aus dem bereits Gesagten klar, daß auch eine lung über, dann wird die Basis von TR1 positiv gegen Kristalltriodenanordnung gemäß Fig. 2 verwendet 5 den Emitter (Erde), da der Emitter von TR2 an +4V werden kann. liegt, und zwar über den geringen Emitter-Kollektor-Ob nun der Emitterkreis leitend ist oder nicht, Widerstand von TR2. Daher wird die Kristalltriode hängt, wie bereits gesagt, davon ab, ob die Basis, be- TR1 gesperrt.S tromver strengthening> 1 and being that the durchzuschal- triode TR 1 in their position with a high cross-Resist Tendering signal was the collector of Kristalltriode TR 1. As a result, the crystal triode TR 1 is open, as shown in FIG. 1, is to be supplied. It Is now the flip-flop clear in their unlocked Stel However, from what has been said that even an averaging over, then the base of TR 1 is positive with respect crystal triode order shown in FIG. 2 5 uses the emitter (ground), since the emitter of TR 2 at + 4V. is via the low emitter-collector-whether the emitter circuit is conductive or not, resistance of TR 2 . Therefore the crystal triode depends, as already said, on whether the base is TR 1 blocked.
zogen auf den Emitter, positiv oder negativ ist. Diese In Fig. 4 ist eine Kippschaltung der in Fig. 3 dar-Steuerpotentiale
können z. B. von einer bistabilen i0 gestellten Art gezeigt, die zwei Kristalltriodentor-Kippschaltung
mit Kristalltriode geliefert werden, schaltungen entsprechend der Fig. 1 steuert. Die Basis
wie sie bei C in der Fig. 3 dargestellt ist. Man sieht, jedes Transistors TR1 ist mit der Kathode eines
daß der Widerstand R1 (der Basiswiderstand der Gleichrichters MR1 bzw. MR2 verbunden, während
Kristalltriodentorschaltung der Fig. 1 und 2) den die Anoden der beiden Gleichrichter miteinander ver-Kollektorwiderstand
der bistabilen Kippschaltung 15 bunden am Kollektor der Kristalltriode TR2 liegen,
darstellt. Die Kippschaltung enthält eine stromver- Ist die Kippschaltung entsperrt, dann sind beide Torstärkende
Kristalltriode TR2, deren Emitter an einer schaltungen offen, so daß ein am Kollektor einer der
positiven Spannung von+4V liegt, während der KoI- Kristalltrioden TR1 liegender Impuls im Ausgangslektor
über den Widerstand R1 mit einer negativen kreis L der betreffenden Triode erscheint. Dieser Im-Spannung
von 15 V verbunden ist. Die Basiselektrode 20 puls bewirkt weiterhin, daß die Basis dieser Kristallist
mit der Anode eines Gleichrichters MR1 und außer- triode für die Impulsdauer noch negativer wird. Dieser
dem über einen Widerstand R2 mit einer positiven negativ gerichtete Impuls an der Basis würde an sich
Spannungsquelle von 5QV und weiterhin über einen auch auf die Basis der anderen geöffneten Triode einKondensator
C1 und die Sekundärwicklung eines wirken, wenn nicht die Gleichrichter MR1 und MR2
Impulstransformators T1 mit Erde verbunden. Die 25 dazwischengeschaltet wären, die verhindern, daß ein
Kathode des Gleichrichters MR1 ist mit einer posi- Impuls am Kollektor der einen Triode im Ausgang
tiven Spannung von 6 V verbunden. An der Primär- der anderen Triode erscheint, und zwar dadurch, daß
wicklung des Transformators T1 liegt eine Impuls- mit Hilfe dieser Gleichrichter zwischen die Basen der
quelle für negativ gerichtete Impulse, die durch eine beiden Trioden eine hohe Impedanz eingeschaltet ist.
Schaltanordnung .S1 eingeschaltet werden kann. Es 30 In Fig. 5 sind Kristalltriodentorschaltungselemente
muß indessen darauf hingewiesen werden, daß die in einer Serien- und Parallelschaltung dargestellt. Dahier
genannten Spannungswerte nur beispielshalber bei liegt die Kristalltriode TRZ in Serie mit der Kriangegeben
sind, um das Verständnis für die Arbeits- stalltriodentorschaltung TR1, der die Kristalltriodenweise der Anordnung zu erleichtern, und daß auch torschaltung TR5 parallel geschaltet ist.
andere Werte verwendet werden können. 35 In Fig. 6 ist eine Koinzidenztorschaltung dargestellt.drew on the emitter, positive or negative. This in Fig. 4 is a flip-flop circuit of the control potentials shown in Fig. 3 can, for. B. shown by a bistable i0 set type, the two Kristalltriodentor flip-flop are supplied with crystal triode, circuits according to FIG. 1 controls. The base as shown at C in FIG. 3. It can be seen that each transistor TR 1 is connected to the cathode of a resistor R 1 (the base resistance of the rectifier MR 1 or MR 2 , while the crystal triode gate circuit of FIGS. 1 and 2) connects the anodes of the two rectifiers to one another bistable flip-flop 15 tied to the collector of the crystal triode TR 2 , represents. The flip-flop contains a current- If the flip-flop is unlocked, then both gate-strength crystal triode TR 2 , the emitter of which is open at one circuit, so that one of the positive voltages of + 4V is on the collector, while the pulse in the KoI crystal triodes TR 1 is Output lector appears through the resistor R 1 with a negative circle L of the relevant triode. This Im voltage of 15V is connected. The base electrode 20 pulse also has the effect that the base of this crystal with the anode of a rectifier MR 1 and an extra triode becomes even more negative for the pulse duration. This to the via a resistor R 2 with a positive negative-going pulse at the base would act as a voltage source of 5QV and also a capacitor C 1 and the secondary winding of a capacitor C 1 and the secondary winding on the base of the other open triode, if not the rectifiers MR 1 and MR 2 pulse transformer T 1 connected to earth. The 25 would be interposed, which prevent a cathode of the rectifier MR 1 is connected to a positive pulse at the collector of a triode in the output tiven voltage of 6 volts. At the primary of the other triode appears, namely by the fact that winding of the transformer T 1 is a pulse with the help of this rectifier between the bases of the source for negatively directed pulses, which is switched on by two triodes a high impedance. Switching arrangement .S 1 can be switched on. In FIG. 5, however, it must be pointed out that crystal triode gate circuit elements are shown in a series and parallel connection. The voltage values mentioned here are only given by way of example with the crystal triode TR Z in series with the Kriang given in order to facilitate understanding of the work stall triode gate circuit TR 1 , which facilitates the crystal triode arrangement of the arrangement, and that gate circuit TR 5 is also connected in parallel.
other values can be used. A coincidence gate circuit is shown in FIG.
Ist die Kippschaltung in ihrer Sperrstellung, d. h., Zwei bistabile Kippschaltungen steuern eine Kristallist der Emitterkreis nicht leitend, dann ist der Wider- triodentorschaltung. In dieser Anordnung liegt jede stand zwischen Emitter, Basis und Kollektor der Kristalltriodenkippstufe mit der Triode TR2 mit ihrem Kristalltriode TR2 hoch, und der Gleichrichter MR ist Kollektor an der Anode eines Gleichrichters MR3 bzw. in seiner Durchlaßrichtung vorgespannt, und zwar 4° MR4,. Die Kathoden dieser beiden Gleichrichter sind über den Strom, der von der positiven Spannungs- miteinander und mit der Basis der Triode TR1 verquelle mit 50 V über den Widerstand R2 fließt. Die bunden. Sind beide ■ Kippstufen eingeschaltet, dann Basis der Kristalltriode TR2 bleibt daher auf an- sind die Gleichrichter MR3 und MR4 in ihrer Durchnähernd + 6 V gegen den Emitter, und die Kippschal- laßrichtung vorgespannt, und zwar durch den Rücktung bleibt gesperrt. Die Kippschaltung wird in ihre 45 strom, der im Kollektorkreis der Kristalltriodentorstromführende Lage durch Betätigung des Schal- schaltung fließt (dieser Kollektorkreis enthält die ters S1 gekippt, wodurch ein negativer Impuls über Gleichrichter MR3 und MR4). Die Basis der Kristallden Impulstransformator T1 und den Kondensator C1 triodentorschaltung TR1 liegt dadurch auf ungefähr an die Basis der Kristalltriode TR2 angelegt wird. Die +4 V gegen Emitter. Ist nur eine Kippschaltung in Amplitude dieses negativ gerichteten Impulses muß 5<> ihre Sperrstellung gekippt und ist dadurch der eine ausreichend groß sein, um die positive Spannung von Gleichrichter, z. B. MR3, in seiner Sperriditung vor-6 V an der Basis der Kristalltriode TR2 zu überwinden gespannt, so ist doch die Basis der Kristalltriodentor- und um damit die Basis, bezogen auf den Emitter, schaltung TR1 immer noch positiv gegen den Emitter, negativ zu machen. Dadurch wird der Emitterkreis da ein Weg für den Rückstrom über die andere Kippleitend, und der Widerstand zwischen allen drei Elek- 55 stufe und den zugehörigen Gleichrichter MRi nach wie troden der Kristalltriode TR2 wird gering. Das ergibt vor offen ist. Sind beide Kippstufen gesperrt, dann einen Stromfluß zwischen Erde, Emitter und Kollek- wird die Basis der Kristalltriodentorschaltung TR1 tor von TR2, R1 und —15 V. Dadurch wird die Basis negativ gegen den Emitter, und die Torschaltung wird gegen den Emitter negativ gehalten, so daß sich die geöffnet.If the flip-flop is in its blocking position, ie two bistable flip-flops control a crystal, if the emitter circuit is not conductive, then the counter-triode gate circuit is. In this arrangement, each stand is located between the emitter, base and collector of the Kristalltriodenkippstufe with the triode TR 2 with its Kristalltriode TR 2 high, and the rectifier MR is biased collector connected to the anode of a rectifier MR 3 and in its forward direction, namely 4 ° MR 4,. The cathodes of these two rectifiers are connected to the current that flows from the positive voltage to each other and to the base of the triode TR 1 with 50 V via the resistor R 2 . The bound. If both flip-flops are switched on, then the base of the crystal triode TR 2 remains on - the rectifiers MR 3 and MR 4 are approximately + 6 V against the emitter, and the flip-flop direction is biased, namely by the backing remains blocked. The flip-flop circuit is flipped into its 45 current, which flows in the collector circuit of the crystal triode gate current-carrying layer by actuating the switching circuit (this collector circuit contains the ters S 1 , causing a negative pulse via rectifiers MR 3 and MR 4 ). The base of the crystal pulse transformer T 1 and the capacitor C 1 triode gate circuit TR 1 is thereby applied approximately to the base of the crystal triode TR 2 . The +4 V against emitter. If there is only one flip-flop in the amplitude of this negative-going pulse, its blocking position must be flipped 5 <> and the one must be sufficiently large to absorb the positive voltage from the rectifier, e.g. B. MR 3 , tensioned in its blocking line before -6 V at the base of the crystal triode TR 2, the base of the crystal triode gate and thus the base, based on the emitter, circuit TR 1 is still positive against the Emitter to make negative. As a result, the emitter circuit becomes a path for the reverse current via the other Kippleitend, and the resistance between all three electrodes and the associated rectifier MR i continues to trode the crystal triode TR 2 is low. That gives before is open. If both flip-flops are blocked, then a current flow between earth, emitter and collector - the base of the crystal triode gate circuit TR 1 is tor of TR 2 , R 1 and -15 V. This makes the base negative against the emitter, and the gate circuit is against the emitter kept negative so that the opened.
Kippschaltung selbst in ihrer entsperrten Lage hält. 6o In Fig. 7 ist eine Mischtorschaltung dargestellt, beiToggle switch holds itself in its unlocked position. 6o In Fig. 7, a mixer gate is shown at
Um die Kippschaltung in ihre Sperrstellung zurück- der wiederum zwei Kippstufen eine Kristalltrioden-To return the toggle switch to its blocking position, two toggle stages, in turn, have a crystal triode
zukippen, ist ein positiver Impuls aus dem Impuls- torschaltung steuern. In diesem Fall aber wird dieto tip is a positive pulse from the pulse gate control. In this case, however, the
generator P2 über den Transformator T1 mit ausrei- Kristalltriodentorschaltung geöffnet, wenn jeweils nurgenerator P 2 via the transformer T 1 with sufficient crystal triode gate circuit opened, if only
chender Amplitude notwendig, um die negative Vor- eine der beiden Kippstufen in der Sperrstellung ist.The same amplitude is necessary to ensure that one of the two flip-flops is in the locked position.
spannung an der Basis von TR2 zu überwinden. 65 Der Kollektor jeder Kippstufe mit der Kristalltriodeto overcome tension at the base of TR 2. 6 5 The collector of each trigger stage with the crystal triode
Die Basis der Kristalltriode TR1 ist nun aber mit TR„ ist jeweils mit der Anode eines GleichrichtersThe base of the crystal triode TR 1 is now, however, with TR “ is in each case with the anode of a rectifier
dem Kollektor des Transistors TR2 verbunden. Ist MRr, bzw. MR6 verbunden. Deren Kathoden sind mit-connected to the collector of transistor TR 2 . Is MRr or MR 6 connected. Their cathodes are
nun die Kippschaltung in ihrer gesperrten Stellung, einander und mit der Basis der Kristalltriode TR1 now the toggle switch in its locked position, each other and with the base of the crystal triode TR 1
so ist die Basis der Kristalltriode TR1 mit —15 V verbunden. Über einen Widerstand^ liegt eine posi-so the base of the crystal triode TR 1 is connected to -15 volts. Over a resistor ^ there is a positive
über den Widerstand R1 verbunden, da die Kristall- 7° tive Vorspannung von +50V an der Basis der Kri-connected via the resistor R 1 , since the crystal 7 ° tive bias of + 50V at the base of the
Stalltriode TR1. Sind beide Kippstufen leitend, dann ist die Basis der Kristalltriodentorschaltung TR1 positiv gegen den Emitter (Erde), und zwar dadurch, daß die Gleichrichter MR5 und MR6 in ihrer Durchlaßrichtung durch den von der Spannungsquelle +50V über den Widerstand R3 fließenden Strom vorgespannt sind. Wird nun eine der Kippstufen gesperrt, so stellt die zugehörige Kristalltriode einen hohen Widerstand dar. Dadurch wird der zugeordnete Gleichrichter, beispielsweise MR5, der bis jetzt über die Kristalltriode an +4 V lag, über den Widerstand .R1 mit —15 V verbunden. Dadurch fließt ein größerer Strom von +50 V über Widerstand R3, Gleichrichter MR5, Widerstand R1 nach —15 V. Die Werte der Widerstände R1 und R3 werden derart gewählt, daß die Basis der Kristalltriode TR1 dann gegen Emitter (Erde) negativ wird, wenn dieser größere Strom fließt, so daß die Torschaltung geöffnet wird. Wird die Basis der Kristalltriodentorschaltung TR1 negativ, dann wird der Gleichrichter MR6, der am Kollektor der Kristalltriode, die gerade leitend ist, liegt, in seine Sperrichtung vorgespannt, so daß die positive Spannung von 4 V bzw. der Emitter der gerade eingeschalteten Kristalltriode TR2 von der Basis der Kristalltriodentorschaltung TR1 abgetrennt ist.Barn triode TR 1 . If both flip-flops are conductive, then the base of the crystal triode gate circuit TR 1 is positive to the emitter (earth), namely that the rectifiers MR 5 and MR 6 in their forward direction by the current flowing from the voltage source + 50V through the resistor R 3 are biased. If one of the flip-flops is now blocked, the associated crystal triode represents a high resistance. As a result, the associated rectifier, for example MR 5 , which was previously at +4 V via the crystal triode, is connected to -15 V via the resistor .R 1 . As a result, a larger current of +50 V flows through resistor R 3 , rectifier MR 5 , resistor R 1 to -15 V. The values of resistors R 1 and R 3 are selected in such a way that the base of the crystal triode TR 1 then against the emitter ( Earth) becomes negative when this larger current flows, so that the gate circuit is opened. If the base of the crystal triode gate circuit TR 1 becomes negative, the rectifier MR 6 , which is connected to the collector of the crystal triode, which is currently conducting, is biased in its reverse direction, so that the positive voltage of 4 V or the emitter of the crystal triode that has just been switched on TR 2 is separated from the base of the crystal triode gate circuit TR 1 .
In Fig. 8 ist eine Anzahl von Kristalltriodentorschaltungen gemäß der Erfindung, A1 B, C1 D1 E und F, derart untereinander verbunden dargestellt, daß sie eine Rechenanordnung zur Addition von Zahlen bilden. In dieser Schaltung wird ein Augend in Form eines binären Codes einer bistabilen Kipp schaltung Ct1 mit zwei Eingängen und zwei Ausgängen zugeführt. Die »0«-Impulse liegen dabei über einen Impulstransformator T3 an einem Eingang, während die »!«-Impulse über einen Impulstransformator T4 am anderen Eingang liegen. Liegt ein »O«-Impuls am richtigen Eingang der bistabilen Kippschaltung av dann wird diese derart gekippt, daß sie ein negatives Potential an die Basis der Kristalltriodentorschaltung A und ein positives Potential an die Kristalltriodentorschaltung B liefert. Liegt, in gleicher Weise, ein »1 «-Impuls am richtigen Eingang der bistabilen Kippschaltung O1 und kippt sie, so liegt ein negatives Potential an der Basis der Kristalltriodentorschaltung B und ein positives Potential an der Basis der Torschaltung A. Das heißt aber, daß immer eine der beiden Kristalltriodentorschaltungen A bzw. B offen und die andere geschlossen ist, je nachdem, ob der betreffende Impuls des Augenden eine »0« oder eine »1« ist. Über eine gleiche bistabile Kippschaltung a2 mit ebenfalls zwei Ausgängen und zwei Eingängen wird der Addend den Torschaltungen C, D, E und F zugeführt. Hierbei liegen die »0«-Impulse über einen Impulstransformator T- an der bistabilen Schaltung a9, öffnen die Torschaltungen C und E und schließen die Torschaltungen D und F, während »1 «-Impulse über den Im- _ pulstransformator Tfi an die bistabile Kippanordnung a-a gelangen, die Tore D und F öffnen und die Tore C und E schließen. Die Kristalltriodentorschaltungen C und E, D und F enthalten in ihrer Basis Gleichrichter, die gemäß der Schaltung nach Fig. 4 angeordnet sind.8 shows a number of crystal triode gate circuits according to the invention, A 1 B, C 1 D 1 E and F, connected to one another in such a way that they form a computing arrangement for adding numbers. In this circuit, an Augend is supplied in the form of a binary code to a bistable trigger circuit Ct 1 with two inputs and two outputs. The “0” pulses are applied to one input via a pulse transformer T 3 , while the “!” Pulses are applied to the other input via a pulse transformer T 4. If there is an "O" pulse at the correct input of the bistable flip-flop a v, it is flipped in such a way that it supplies a negative potential to the base of the crystal triode gate circuit A and a positive potential to the crystal triode gate circuit B. If, in the same way, a "1" pulse is at the correct input of the bistable flip-flop circuit O 1 and flips it, there is a negative potential at the base of the crystal triode gate circuit B and a positive potential at the base of the gate circuit A. This means, however, that one of the two crystal triode gate circuits A or B is always open and the other closed, depending on whether the respective pulse of the eye end is a "0" or a "1". The addend is fed to the gate circuits C, D, E and F via an identical bistable multivibrator a 2 also with two outputs and two inputs. Here, the "0" pulses are applied to the bistable circuit a 9 via a pulse transformer T-, open the gate circuits C and E and close the gate circuits D and F, while "1" pulses via the pulse transformer T fi to the Get bistable tilting arrangement aa , open gates D and F and close gates C and E. The crystal triode gate circuits C and E, D and F contain rectifiers in their base, which are arranged according to the circuit of FIG.
Die Arbeitsweise der Anordnung nach Fig. 8 wird nun in der Weise beschrieben, daß einer in binärer Form vorliegenden Zahl eine weitere Zahl hinzugefügt wird. Die Zahl »5« sei der Augend. Dieser wird im binären Code durch 00101 dargestellt. Damit ist der erste am bistabilen Kreis Oi1 anliegende Impuls des Augenden eine 1, so daß die Kristalltriodentorschaltung B geöffnet wird. Der Addend sei eine 1. Dann 7" liegt an der bistabilen Kippschaltung a2 ein Einerimpuls, so daß die Torschaltungen D und F geöffnet werden. Wird nun der Schalter ^3 geschlossen, dann liegt ein negativer Steuerimpuls an den Kollektorelektroden der Torschaltungen A und B, und zwar über einen Impulstransformator T7. Dadurch hervorgerufen, fließt ein impulsförmiger Strom über die Torschaltung B, Torschaltung F, Gleichrichter MR1 und die obere Hälfte des Transformators T8 zur Aufzeichnung eines »0« - Impulses, z.. B. auf einer magnetischen Trommel MD. Ein Teil dieses Stromimpulses gelangt auch über einen Gleichrichter MR8 und eine Verzögerungsleitung D1 nach dem »Einer«-Eingang des bistabilen Kreises A2, und zwar über einen Impulstransformator T9. Da aber die bistabile Schaltung a2 bereits in ihrer Stellung »1« ist, hat dies keine Wirkung.The operation of the arrangement of FIG. 8 will now be described in such a way that a number is added to a number in binary form. The number "5" is the Augend. This is represented in the binary code by 00101. The first pulse of the eye end applied to the bistable circuit Oi 1 is thus a 1, so that the crystal triode gate circuit B is opened. The addend is a 1. Then a 7 " is applied to the bistable multivibrator a 2 , so that the gate circuits D and F are opened. If the switch ^ 3 is now closed, a negative control pulse is applied to the collector electrodes of the gate circuits A and B. ., specifically caused by a pulse transformer T 7 Thereby, a pulsed current through the gate B, the gate circuit F, rectifier MR 1 and the upper half flows of the transformer T 8 for recording a "0" - pulse, z .. B. in a magnetic drum MD. a portion of this current pulse also passes through a rectifier MR 8 and a delay line D 1 to the "a" input of the bistable circuit a 2, via a pulse transformer T. 9 however, since the bistable circuit a 2 already is in its "1" position, this has no effect.
Der zweite Impuls des Augenden an der bistabilen Schaltung ax ist eine »0«. Dadurch wird die bistabile Schaltung^ von der Stellung »1« in die Stellung »0« umgeschaltet. Dadurch öffnet die Triode A, und die Triode B schließt. Der zweite Steuerimpuls verursacht nun einen Strom über die Triode A, Triode D1 Gleichrichter MRS und die untere Hälfte des Transformators T8 zur Aufzeichnung einer »1« auf der magnetischen Trommel MD. Ein Teil dieses Stromimpulses gelangt ebenfalls über einen Gleichrichter MR10, eine Verzögerungsleitung d2 und einen Impulstransformator T10 zum »0«-Eingang der bistabilen Schaltung a2 und schaltet diese in ihre Stellung »0« zurück. Dadurch öffnen die Torschaltungen C und E1 während die Torschaltungen D und F in Vorbereitung für den dritten Impuls schließen. Der dritte Impuls des Augenden ist eine »1«. Die bistabile Schaltung^ kippt, öffnet die Triode B und schließt die Triode A. Der dritte Steuerimpuls verursacht einen Strom über die Triode B1 Triode E, Gleichrichter MR9 und die untere Hälfte des Transformators T8 zur Aufzeichnung einer »1« auf der magnetischen Trommel MD. Ein Teil dieses Stromimpulses fließt auch über einen Gleichrichter MR10, Verzögerungsleitung d2 und Impulstransformator D10 zum Eingang »0« der bistabilen Anordnung a2, die aber schon in ihrer Stellung »0« ist und somit unbeeinflußt bleibt. Das vierte und fünfte Codeelement des Augenden ist jeweils »0«, so daß beim vierten und fünften Steuerimpuls Strom über die Triode A, Triode C, Gleichrichter MR1 und die obere Hälfte des Impulstransformators T8 fließt, und zwar zur Aufzeichnung einer »0«. auf der magnetischen Trommel. Die von der bistabilen Anordnung a2 über einen Gleichrichter MR12 und Verzögerungsleitung d2 ankommenden Impulse beeinflussen die bistabile Schaltung a2 nicht. Aus dem eben Gesagten geht hervor, daß der auf der magnetischen Trommel eingespeicherte Code der binären Zahl 00110 entspricht. Dies ist die Binärzahl für 6, d. h. Augend 5 plus Addend I.The second pulse of the eye end on the bistable circuit a x is a "0". This switches the bistable circuit ^ from position "1" to position "0". This opens triode A and triode B closes. The second control pulse now causes a current through the triode A, triode D 1, rectifier MR S and the lower half of the transformer T 8 to record a "1" on the magnetic drum MD. A part of this current pulse also reaches the "0" input of the bistable circuit a 2 via a rectifier MR 10 , a delay line d 2 and a pulse transformer T 10 and switches it back to its "0" position. This opens the gates C and E 1 while the gates D and F close in preparation for the third pulse. The third impulse of the eye end is a "1". The bistable circuit ^ flips, opens the triode B and closes the triode A. The third control pulse causes a current through the triode B 1, triode E, rectifier MR 9 and the lower half of the transformer T 8 to record a "1" on the magnetic Drum MD. Part of this current pulse also flows via a rectifier MR 10 , delay line d 2 and pulse transformer D 10 to input "0" of the bistable arrangement a 2 , which, however, is already in its "0" position and thus remains unaffected. The fourth and fifth code element of the Augenden is "0" each, so that with the fourth and fifth control pulse, current flows through the triode A, triode C, rectifier MR 1 and the upper half of the pulse transformer T 8 , to record a "0" . on the magnetic drum. The d of the bistable arrangement a 2 via a rectifier MR 12 and delay line 2 incoming pulses do not affect the bistable circuit a 2. From what has just been said, it follows that the code stored on the magnetic drum corresponds to the binary number 00110. This is the binary number for 6, i.e. Augend 5 plus Addend I.
Es ist klar, daß die Codeimpulse nicht unbedingt auf einer magnetischen Trommel aufgezeichnet werden müssen, sondern daß beliebige andere Aufzeichnungsmittel, wie Band oder andere elektronische oder magnetische Anordnungen, dafür geeignet sind. Der dort auftretende Code kann auch in irgendeiner anderen Art und Weise weiterverwendet werden.It is clear that the code pulses are not necessarily recorded on a magnetic drum must, but that any other recording medium, such as tape or other electronic or magnetic arrangements, are suitable for this. The code appearing there can also be used in any other Way to be reused.
In Fig. 9 ist eine Abwandlung der Schaltung nach Fig. 1 gezeigt, die geöffnet und gesperrt werden kann, und zwar von einer niederohmigen Quelle aus. Diese Quelle ist im Diagramm als einfacher Schalter S11 dargestellt, der entweder geerdet oder mit dem negativen Pol einer geerdeten Batterie verbunden werden kann. In der Praxis kann diese niederohmige Quelle eine Kippschaltung sein. Ist der Schalter S1 mit Erde ver-In Fig. 9 a modification of the circuit of Fig. 1 is shown, which can be opened and blocked, from a low-resistance source. This source is shown in the diagram as a simple switch S 11 , which can either be grounded or connected to the negative pole of a grounded battery. In practice, this low-resistance source can be a trigger circuit. If switch S 1 is connected to earth
bunden, dann fließt ein Strom von +50 V über die Widerstände R1 und i?4 und einen Gleichrichter MR1S nach Erde. Der Gleichrichter MR13 ist in seiner Durchlaßrichtung vorgespannt, und so entsteht ein Spannungsabfall über dem Widerstand R1, der die Basis der Triode TR1 positiv gegen den Emitter (Erde) vorspannt und so die Torschaltung geschlossen hält. Wird nun der Schalter Si mit dem negativen Pol der Batterie verbunden, wird die Torschaltung geöffnet. Dabei müssen jedoch die Werte der Widerstände R1 und Ri derart gewählt werden, daß dabei die Basis der Torschaltung TR1 negativ gegen den Emitter wird. Liegt nun ein negativer Impuls bei geöffneter Torschaltung am Kollektor TR1, und zwar über den Impulstransformator T2, dann wird die Basis von TR1 noch negativer, und der Gleichrichter MR13 wird in seiner Sperrichtung vorgespannt, so daß die Transistorschaltung von dem niederohmigen Schalter S1 abgetrennt wird.bound, then a current of +50 V flows through the resistors R 1 and i? 4 and a rectifier MR 1S to earth. The rectifier MR 13 is forward biased, and this creates a voltage drop across the resistor R 1 , which biases the base of the triode TR 1 positively against the emitter (earth) and thus keeps the gate closed. If the switch S i is now connected to the negative pole of the battery, the gate circuit is opened. However, the values of the resistors R 1 and R i must be selected in such a way that the base of the gate circuit TR 1 becomes negative with respect to the emitter. If a negative pulse is now present at the collector TR 1 with the gate circuit open, via the pulse transformer T 2 , the base of TR 1 becomes even more negative, and the rectifier MR 13 is biased in its reverse direction, so that the transistor circuit of the low-resistance switch S 1 is separated.
In Fig. 10· ist eine Torschaltung dargestellt, die während des Durchganges eines Signals durch die Kristalltriode offen bleibt, und zwar auch, nachdem die Kippschaltung in ihre Stellung »ein« gekippt ist. Die Torschaltung schließt erst beim Ende des Signals. Die Schaltung ist der in Fig. 7 ähnlich mit der Ausnähme, daß nur eine Kippschaltung verwendet wird, um die Torschaltung zu steuern, und daß die negativen Impulse P1 direkt am Kollektor und nicht über einen Transformator T2 angelegt werden. Die Schaltanordnung S2 liegt ebenfalls in Reihe mit der Impulsquelle S1. In dieser Schaltung muß TR1 eine Stromverstärkung > 1 haben, und der Widerstand R1 muß groß genug sein, um eine ausreichende positive Rückkopplung zu liefern, so daß die Torschaltung nur zwei stabile Lagen aufweist, wie in Fig. 1.A gate circuit is shown in FIG. 10 which remains open during the passage of a signal through the crystal triode, namely also after the toggle circuit has been toggled into its "on" position. The gate circuit only closes at the end of the signal. The circuit is similar to that of Fig. 7 except that only one flip-flop is used to control the gate and that the negative pulses P 1 are applied directly to the collector rather than through a transformer T 2 . The switching arrangement S 2 is also in series with the pulse source S 1 . In this circuit, TR 1 must have a current gain> 1, and the resistor R 1 must be large enough to provide sufficient positive feedback so that the gate circuit has only two stable positions, as in FIG. 1.
In Fig. 11 sind die Impulsformen an verschiedenen Punkten der Schaltung nach Fig. 10 dargestellt. P2 sind die Schaltimpulse der Impulsquelle P2, die an der Basis der Kristalltriode TR2 auftreten. Ein positiver Impuls kippt die Kristalltriode in ihre Sperrstellung. Dadurch wird das Potential am Punkt D auf —45 V herabgesetzt. Liegt die Basis des Transistors TR1 auf —15 V, dann wird die Torschaltung geöffnet, und die negativen Impulse von P1 gelangen an die Last L. P1 stellt das Signal in der Last L dar.FIG. 11 shows the waveforms at various points in the circuit of FIG. P 2 are the switching pulses of the pulse source P 2 that occur at the base of the crystal triode TR 2 . A positive pulse tilts the crystal triode into its blocking position. This reduces the potential at point D to -45 V. If the base of the transistor TR 1 is at -15 V, the gate circuit is opened and the negative pulses from P 1 reach the load L. P 1 represents the signal in the load L.
Der negative Impuls P2 kippt die Kristalltriode TR2 in ihre leitende Stellung. Dadurch erhält der Punkt D die Spannung+4V. Normalerweise würde dadurch die Kristalltriode TR1 sofort gesperrt werden. Gleichzeitig geht aber mit den +4V an der Basis ein negativer Signalimpuls durch die Kristalltriode TR1. Auf Grund der Rückkopplungswirkung wird dieser Impuls die Basis der Kristalltriode TR, negativ gegen den Emitter machen und somit den Gleichrichter MR5 sperren. Damit bleibt die Triode TR1 so lange offen, bis der Impuls P1 beendet ist. Die negative Spannung an der Basis der Triode TR1 hört auf, und der Gleichrichter MR5 leitet. Dadurch erreicht die Basis der Kristalltriode TRi die Spannung +4 V, und die Kristalltriode TR1 wird gesperrt. 6B The negative pulse P 2 tilts the crystal triode TR 2 into its conducting position. This gives point D the voltage + 4V. Normally this would block the crystal triode TR 1 immediately. At the same time, however, a negative signal pulse goes through the crystal triode TR 1 with the + 4V at the base. Due to the feedback effect, this pulse will make the base of the crystal triode TR, negative with respect to the emitter and thus block the rectifier MR 5. The triode TR 1 thus remains open until the pulse P 1 has ended. The negative voltage at the base of the triode TR 1 stops and the rectifier MR 5 conducts. As a result, the base of the crystal triode TR i reaches the voltage +4 V, and the crystal triode TR 1 is blocked. 6 B
In Fig. 12 ist eine Kristalltriodentorschaltung ähnlich der in Fig. 9 dargestellten gezeigt, die als Sperrschaltung verwendet werden kann. Der Kollektor der Kristalltriode TR1 ist mit einer Gleichrichterkoinzidenzschaltung mit den Gleichrichtern MR15 und MR16 verbunden, deren Kathoden über den Widerstand i?3 an —50V liegen. Der Wert des Widerstandes i?3 ist dabei größer als der Durchlaßwiderstand der Gleichrichter. Die Anoden der beiden Gleichrichter MR15 und MRie sind mit zwei Steuerkreisen B bzw. C verbunden. Diese Steuerkreise sind bistabil und liefern entweder negatives oder Erdpotential an die Gleichrichter, so daß (unter der Annahme, daß die Kristalltriode zuerst einmal von der Torschaltung getrennt sei), mit B und C auf Erdpotential, die Gleichrichter MR15 und MR16 leiten und die Ausgangs spannung ungefähr auf Erdpotential liegt. Ist B oder C negativ, d. h., ist einer der beiden Gleichrichter in seiner Sperrrichtung vorgespannt, dann bleibt die Ausgangsspannung immer noch auf Erdpotential, da der andere Gleichrichter noch leitend ist. Sind nun aber B und C negativ, dann werden beide Gleichrichter gesperrt, und die Ausgangsspannung wird negativ.In Fig. 12 there is shown a crystal triode gate circuit similar to that shown in Fig. 9 which can be used as a blocking circuit. The collector of the crystal triode TR 1 is connected to a rectifier coincidence circuit with the rectifiers MR 15 and MR 16 , the cathodes of which are connected via the resistor i? 3 are at -50V. The value of the resistance i? 3 is greater than the forward resistance of the rectifier. The anodes of the two rectifiers MR 15 and MR ie are connected to two control circuits B and C , respectively. These control circuits are bistable and supply either negative or ground potential to the rectifiers, so that (assuming that the crystal triode is first separated from the gate circuit), with B and C at ground potential, the rectifiers MR 15 and MR 16 conduct and the Output voltage is approximately at ground potential. If B or C is negative, that is, if one of the two rectifiers is reverse biased, then the output voltage still remains at ground potential because the other rectifier is still conducting. But if B and C are negative, then both rectifiers are blocked and the output voltage becomes negative.
Wie bereits in Verbindung mit der Fig. 9 beschrieben, wird beim Anlegen von Erdpotential mit Hilfe des Schalters S41 an die Basis der Kristalltriode diese nicht leitend, so daß der Ausgang vom Emitter und von Erde abgetrennt ist. Liegt nun über dem Schalter ^4 ein negatives Potential an der Basis der Kristalltriode, dann wird die Kristalltriode leitend, der Emitter-Kollektor-Widerstand wird gering, und die Ausgangsspannung der Torschaltung wird ungefähr auf Erdpotential gehalten, so daß ein Negativwerden der Ausgangsspannung verhindert wird, gleichgültig, welche Lage die Gleichrichter MR15 und MR16 augenblicklich einnehmen. Es ist klar, daß die Kristalltriodentorschaltung mit anderen Torschaltelementen als die Gleichrichter, wie in Fig. 10, zusammengeschaltet werden kann. Man kann also die Kristalltriode TR1 nicht nur öffnen und sperren, wie in Fig. 9 gezeigt, sondern auch entsprechend den anderen Figuren und Ausführungsbeispielen der Erfindung.As already described in connection with FIG. 9, when earth potential is applied to the base of the crystal triode with the aid of switch S 41 , the base of the crystal triode becomes non-conductive, so that the output is separated from the emitter and earth. If there is now a negative potential at the base of the crystal triode via switch ^ 4 , the crystal triode becomes conductive, the emitter-collector resistance is low, and the output voltage of the gate circuit is kept approximately at ground potential, so that the output voltage is prevented from becoming negative , regardless of which position the rectifiers MR 15 and MR 16 are currently in. It is clear that the crystal triode gate circuit can be interconnected with gate switching elements other than the rectifiers, as shown in FIG. The crystal triode TR 1 can therefore not only be opened and blocked, as shown in FIG. 9, but also in accordance with the other figures and exemplary embodiments of the invention.
Fig. 13 zeigt einen Teil einer Kristalltriodentorschaltung entsprechend den Fig. 9 und 12, jedoch in der Weise abgewandelt, daß die Kathode des Gleichrichters MR13 über den Widerstand R5 direkt mit Erde verbunden ist, wenn sich der Schalter JT4 in der entsprechenden Lage befindet. Außerdem ist ein Schalter S5 vorgesehen, um im Bedarfsfall ein negatives Potential an MR1S anzulegen. In dieser Anordnung ist dann noch ein zusätzlicher Gleichrichter MRU zwischen dem Verbindungspunkt des Widerstandes R2 mit dem Gleichrichter MR15 verbunden, der nach Erde führt, so daß in der Sperrstellung der größte Teil des Stromes von +50V über R1, R2 und MRU nach Erde fließt, so daß das Sperrpotential an der Basis der Kristalltriode erhalten bleibt. Wenn die Batterie durch den Schalter ^T5 eingeschaltet wird, wird der Gleichrichter MR1^ gesperrt, die Basis der Kristalltriode wird negativ, und die Torschaltung wird geöffnet.13 shows part of a crystal triode gate circuit corresponding to FIGS. 9 and 12, but modified in such a way that the cathode of the rectifier MR 13 is connected directly to earth via the resistor R 5 when the switch JT 4 is in the corresponding position is located. In addition, a switch S 5 is provided in order to apply a negative potential to MR 1S if necessary. In this arrangement, an additional rectifier MR U is connected between the connection point of the resistor R 2 with the rectifier MR 15 , which leads to earth, so that in the blocking position most of the current of + 50V through R 1 , R 2 and MR U flows to earth, so that the blocking potential is maintained at the base of the crystal triode. When the battery is switched on by the switch ^ T 5 , the rectifier MR 1 ^ is blocked, the base of the crystal triode becomes negative, and the gate circuit is opened.
Claims (12)
USA.-Patentschrift Nr. 2 594449;
Proc. I. R. E., Juni 1953, S. 717 bis 723.Considered publications:
U.S. Patent No. 2,594,449;
Proc. IRE, June 1953, pp. 717 to 723.
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB25326/52A GB730892A (en) | 1952-12-23 | 1952-10-09 | Improvements in or relating to electrical bistable circuits |
GB32603/52A GB730061A (en) | 1952-10-09 | 1952-12-23 | Improvements in or relating to electric trigger circuits |
GB3271252A GB730907A (en) | 1952-10-09 | 1952-12-24 | |
GB29848/53A GB794656A (en) | 1952-10-09 | 1953-10-28 | Improvements in or relating to electrical switching equipment employing crystal triodes |
GB3361853A GB763734A (en) | 1953-12-03 | 1953-12-03 | Improvements in or relating to electrical circuits employing transistors |
GB10034/54A GB740056A (en) | 1952-10-09 | 1954-04-06 | Improvements in or relating to electric trigger circuits employing crystal triodes |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1077896B true DE1077896B (en) | 1960-03-17 |
Family
ID=48792524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEI9303A Pending DE1077896B (en) | 1952-10-09 | 1954-10-28 | Transistor arrangement for the switching of signals |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1077896B (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1163390B (en) * | 1960-10-28 | 1964-02-20 | Seismos G M B H | Switching element for amplifier to regulate alternating voltages |
DE1205583B (en) * | 1953-12-04 | 1965-11-25 | Philips Nv | Circuit arrangement for generating an electrical resistance by means of a transistor for closing or interrupting an electrical alternating current circuit |
DE1235373B (en) * | 1961-06-16 | 1967-03-02 | Emi Ltd | Circuit for connecting an AC voltage source to a load by means of the emitter-collector path of a transistor |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2594449A (en) * | 1950-12-30 | 1952-04-29 | Bell Telephone Labor Inc | Transistor switching device |
-
1954
- 1954-10-28 DE DEI9303A patent/DE1077896B/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2594449A (en) * | 1950-12-30 | 1952-04-29 | Bell Telephone Labor Inc | Transistor switching device |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1205583B (en) * | 1953-12-04 | 1965-11-25 | Philips Nv | Circuit arrangement for generating an electrical resistance by means of a transistor for closing or interrupting an electrical alternating current circuit |
DE1163390B (en) * | 1960-10-28 | 1964-02-20 | Seismos G M B H | Switching element for amplifier to regulate alternating voltages |
DE1235373B (en) * | 1961-06-16 | 1967-03-02 | Emi Ltd | Circuit for connecting an AC voltage source to a load by means of the emitter-collector path of a transistor |
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