DE1076179B - Method and circuit arrangement for storing and retrieving information content in or from memory matrix arrangements - Google Patents

Method and circuit arrangement for storing and retrieving information content in or from memory matrix arrangements

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DE1076179B
DE1076179B DEST13098A DEST013098A DE1076179B DE 1076179 B DE1076179 B DE 1076179B DE ST13098 A DEST13098 A DE ST13098A DE ST013098 A DEST013098 A DE ST013098A DE 1076179 B DE1076179 B DE 1076179B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
circuit arrangement
memories
information content
pulses
abscissa
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEST13098A
Other languages
German (de)
Inventor
Dipl-Ing Werner Lange
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alcatel Lucent Deutschland AG
Original Assignee
Standard Elektrik Lorenz AG
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Publication date
Application filed by Standard Elektrik Lorenz AG filed Critical Standard Elektrik Lorenz AG
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Publication of DE1076179B publication Critical patent/DE1076179B/en
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/06Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
    • G11C11/06007Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
    • G11C11/06014Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Description

DEUTSCHESGERMAN

KL.21aiKL.21ai

INTERNAT. KX. H 03 kINTERNAT. KX. H 03 k

PATENTAMTPATENT OFFICE

St 13098St 13098

ANMELDETAG: 26. OKTOBER 1957REGISTRATION DATE: OCTOBER 26, 1957

BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UND AUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT: 25. FEBRUAR 1960
NOTICE
THE REGISTRATION
AND ISSUE OF THE
EDITORIAL: FEBRUARY 25, 1960

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Ein- und Ausspeicherung von Informationsinhalten in bzw. aus Speichermatrizenanordnungen. Sie bezieht sich auf Speichermatrizen, die aus solchen Speichern aufgebaut sind, welche zwei stabile Schaltzustände annehmen können und die durch Impulse eines bestimmten Amplitudenwertes kippbar, durch solche von einem Amplitudenwert, der auf die Speicher nur die halbe Wirkungsintensität ausübt, jedoch nicht kippbar ;· ' sind. Derartige Speicher sind beispielsweise Ferritkernspeicher, elektromagnetische Relais geeigneter Konstruktion, welche auf den halben Ansprechstromstärkewert sicher nicht ansprachen, oder bistabile Anordnungen elektronischer oder anderer S chaltrmttei, °-' welche befähigt sind, zwei definierte Zustände alternativ anzunehmen und bis zu ihrer Umsteuerung beizubehalten. The invention relates to a method for storing and removing information content in or from memory matrix arrangements. It relates to memory matrices which are made up of memories which can assume two stable switching states and which can be tilted by pulses of a certain amplitude value, but not tiltable by pulses of an amplitude value which only has half the intensity of the effect on the memory ; · ' are. Such memories are, for example, ferrite core memories, electromagnetic relays of suitable construction, which certainly did not respond to half the response current value, or bistable arrangements of electronic or other power supply units, ° - 'which are capable of alternately assuming two defined states and maintaining them until they are reversed.

Ein bestimmtes Speicherelement wird in bekannten derartigen Anordnungen durch gleichzeitige Kennzeichnung der zugeordneten Abszissen- und Ordinatenleitung zu dem Speicherelement in der Matrix durch je einen Impuls markiert. Hierbei trjtt die Schwierigkeit auf, Impulse von sehr kurzer Dauer bis herab zu etwa 5 \x.s bei Verwendung von Ferritkernspeichern gleichzeitig zwei Leitungen aufzudrükken. Insbesondere bei Anordnungen, bei denen neben elektronischen auch herkömmliche elektromagnetische und/oder mechanische Schaltmittel verwendet sind, macht es Schwierigkeiten, die Gleichzeitigkeit der Impulse mit der erforderlichen hohen Genauigkeit einzuhalten. In known arrangements of this type, a specific memory element is marked by simultaneous identification of the assigned abscissa and ordinate line to the memory element in the matrix by one pulse each. Here the difficulty arises of applying pulses of a very short duration down to about 5 \ xs when using ferrite core memories on two lines at the same time. Particularly in the case of arrangements in which conventional electromagnetic and / or mechanical switching means are used in addition to electronic ones, it is difficult to maintain the simultaneity of the pulses with the required high accuracy.

Erfindungsgemäß wird hierzu vorgeschlagen, als Impulsquelle für beide Impulse, für den der Abszissenleitung aufzudrückenden wie auch ebenso für den der Ordinatenleitung aufzudrückenden Impuls dieselbe Impulsquelle zu verwenden, und es wird hierzu eine geeignete Schaltungsanordnung als Ausführungsbeispiel angegeben. Es ist zwar bekannt, jeweils eine Koordinatenleitung von mehreren dieser Koordinatenleitung zugeordneten Ferritkernspeichern durch einen aufgedrückten Impuls zu markieren, jedoch ist bei der bekannten Anordnung für eine jede Koordinatenleitung eine besondere Impulsquelle vorgesehen. Das Verfahren nach der Erfindung ist demnach dadurch gekennzeichnet, daß den zur Kennzeichnung bestimmter Speicher vorgesehenen entsprechenden Abszissen- und Ordinatenleitungen zwecks Umschaltung der Speicher jeweils gleichzeitig ein in einem gemeinsamen Impulsgenerator erzeugter Markierimpuls zugeführt wird. Die Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß Schaltmittel vorgesehen sind, welche die Kennzeichnung eines oder mehrer.er Speicher der Matrix ermöglichen und in den aus-Verfahren und Schaltungsanordnung
zur Ein- und Ausspeicherung
According to the invention it is proposed to use the same pulse source as the pulse source for both pulses, for the pulse to be applied to the abscissa line as well as for the pulse to be applied to the ordinate line, and a suitable circuit arrangement is given as an exemplary embodiment. Although it is known to mark one coordinate line of several ferrite core stores assigned to this coordinate line by means of an impressed pulse, in the known arrangement a special pulse source is provided for each coordinate line. The method according to the invention is accordingly characterized in that the corresponding abscissa and ordinate lines provided for identifying certain memories are each simultaneously supplied with a marking pulse generated in a common pulse generator for the purpose of switching the memories. The circuit arrangement for carrying out the method according to the invention is characterized in that switching means are provided which enable one or more memories of the matrix to be identified and in the method and circuit arrangement
for injection and withdrawal

von Informationsinhalten
in bzw. aus Speichermatrizenanordnungen
of information content
in or out of memory array arrays

Anmelder:Applicant:

Standard Elektrik LorenzStandard electrical system Lorenz

Aktiengesellschaft,Corporation,

Stuttgart-Zuffenhausen,Stuttgart-Zuffenhausen,

Hellmuth-Hirth-Str. 42Hellmuth-Hirth-Str. 42

Dipl.-Ing. Werner Lange, Gerlingen über Stuttgart,
ist als Erfinder genannt worden
Dipl.-Ing. Werner Lange, Gerlingen via Stuttgart,
has been named as the inventor

gewählten Abszissen- und Ordinatenleitungen Ströme gleicher auf die zu kennzeichnenden Speicher ausgeübter Wirkungsintensität hervorrufen.Selected abscissa and ordinate lines of the same currents exerted on the memory to be identified Produce intensity of effect.

Der Vorteil des Verfahrens nach der Erfindung ist nicht nur die absolut sichere Gewähr dafür, daß die Markierimpulse gleichzeitig an dem markierten Speicherelement anliegen, es ergibt sich außerdem noch eine Ersparnis an Impulsquellen.The advantage of the method according to the invention is not only the absolutely reliable guarantee that the Marking pulses are present at the same time on the marked memory element; it also results still a saving in pulse sources.

Die Zeichnung zeigt eine beispielsweise Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung, in welcher die Speicher, als Ferritkerne in Ringform bekannter Ausführungsarjt angedeutet und in Matrizenform angeordnet sind. Zur Kennzeichnung bestimmter Speicherelemente sind Abszissenleitungen al... an und Ordinatenleitungen öl ... on vorgesehen, welche z.B. durch Kontakte zl ... zn, si . . . sη an einen Impulsgenerator angeschaltet werden können. Die mechanischen Kontakte zl... zn, si... s η können auch durch elektronische Schaltmittel, wie z. B. Schalttransistoren, ersetzt sein, ohne daß dadurch der Rahmen der Erfindung überschritten ist.The drawing shows an example of a circuit arrangement for carrying out the method according to the invention, in which the memories are indicated as ferrite cores in the form of a ring of known embodiment and are arranged in the form of a matrix. To identify certain storage elements abscissa lines al ... an and ordinate lines oil ... on are provided, which, for example, through contacts zl ... zn, si. . . sη can be connected to a pulse generator. The mechanical contacts zl ... zn, si ... s η can also be controlled by electronic switching means, such as B. switching transistors, be replaced without thereby exceeding the scope of the invention.

Der Impulsgenerator ist in dem Ausführungsbeispiel nach der Zeichnung als ein durch eine Spannungsquelle U über einen Vorwiderstand R aufgeladener Kondensator C dargestellt, der durch einen Impulskontakt i an die zu den Abszissen- und Ordinatenleitungen führenden Kontakteil . . . sn, zl .. . zn angelegt werden kann.In the exemplary embodiment according to the drawing, the pulse generator is shown as a capacitor C charged by a voltage source U via a series resistor R , which is connected to the contact part leading to the abscissa and ordinate lines through a pulse contact i. . . sn, zl ... zn can be created.

909 757/336909 757/336

In dem Beispiel nach der Zeichnung sind die Ferritkerne auf die Abszissen- und Ordinatenleitungen aufgezogen, so daß auf einen markierten Speicherkern ein Impulsstrom wirkt, dessen Intensität doppelt so groß ist wie die des auf alle anderen der gleichen Koordinatenleitung zugeordneten Speicherkerne wirkenden Impulsstromes. Zur Sicherstellung gleicher Stromstärken in den Koordinatenleitungen sind die Widerstände Wi innerhalb enger Toleranzen alle von gleichem Widerstandswert vorgesehen.In the example according to the drawing, the ferrite cores are drawn onto the abscissa and ordinate lines, so that a marked storage core is subjected to a pulse current whose intensity is twice as great as that of the pulse current acting on all other storage cores assigned to the same coordinate line. To ensure the same current strengths in the coordinate lines, the resistors Wi are all provided with the same resistance value within narrow tolerances.

Zur Sicherheit, daß der Kondensator C unabhängig von Batteriespannungsschwankungen auf eine immer gleichbleibende Spannung geladen wird, ist ihm eine Zenerdiode von einer Durchlässigkeitsspannung in der entsprechenden Größe parallel geschaltet.To ensure that the capacitor C is charged to an always constant voltage regardless of battery voltage fluctuations, a Zener diode is connected in parallel to it with a forward voltage of the appropriate size.

Das Ausführungsbeispiel nach der Erfindung zeigt eine Speicheranordnung, bei welcher mehrere Speicherelemente gleichzeitig markiert werfen können. Die Erfindung ist jedoch auch für Anordnungen anwendbar, bei denen immer nur ein Speicherelement markierbar ist.The exemplary embodiment according to the invention shows a memory arrangement in which a plurality of memory elements can throw marked at the same time. However, the invention can also be used for arrangements in which only one storage element can be marked.

Claims (3)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Verfahren zur. Ein- und Ausspeicherung von Inf ormationsinhalten in bzw. aus Speichermatrizenanordnungen, die aus Speichern aufgebaut sind, welche zwei stabile Schaltzustände annehmen können und durch Impulse eines bestimmten Amplitudenwertes kippbar, durch solche von einem Amplitudenwert, der auf die Speicher nur, die1. Procedure for. Storage and retrieval of information content in or from storage matrix arrangements, which are made up of memories which assume two stable switching states can and can be tilted by pulses of a certain amplitude value, by pulses of a Amplitude value that affects the memory only that halbe Wirkungsintensität ausübt, jedoch nicht kippbar sind, dadurch gekennzeichnet, daß den zur Kennzeichnung bestimmter Speicher vorgesehenen entsprechenden Abszissen- (al... an) und Ordinatenleitungen (öl... on) zur Speicherumschaltung jeweils gleichzeitig ein Markierimpuls aus einem gemeinsamen Impulsgenerator (U, C, i) zugeführt wird.exerts half the intensity of action, but cannot be tilted, characterized in that the corresponding abscissa (al ... an) and ordinate lines (oil ... on) provided for the identification of certain memories each simultaneously receive a marking pulse from a common pulse generator (U , C, i) is supplied. 2. Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Schaltmittel (Kontakte si... sn, zl... zn sowie Widerstände Wi) vorgesehen sind, welche die Kennzeichnung eines oder mehrerer Speicher der Matrix ermöglichen und in den ausgewählten Abszissen- (al.. .an) und Ordinatenleitungen (öl... on) Ströme gleicher auf die zu kennzeichnenden Speicher ausgeübter Wirkungsintensität hervorrufen. 2. Circuit arrangement for performing the method according to claim 1, characterized in that switching means (contacts si ... sn, zl ... zn and resistors Wi) are provided, which enable the identification of one or more memories of the matrix and in the selected ones abscissa (al .. .an) and Ordinatenleitungen (oil on ...) currents of the same cause on the pressure applied to characterizing memory effect intensity. 3. Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß dem im Impulsgenerator vorgesehenen Kondensator (C) eine Zenerdiode (Z) mit einem Durchlässigkeitsspannungswert parallel geschaltet ist, der gleich- jener Spannung ist, auf welche der Kondensator im Betrieb aufgeladen wird.3. Circuit arrangement for performing the method according to claim 1 or 2, characterized in that that the capacitor (C) provided in the pulse generator has a Zener diode (Z) with a forward voltage value in parallel is switched, which is the same voltage to which the capacitor is charged during operation will. In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift J 9062 VIII a/21a1
kanntgemacht am 5. 7. 1956).
Considered publications:
German interpretation document J 9062 VIII a / 21a 1
made known on July 5, 1956).
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings ©909 7577336 2.60© 909 7577336 2.60
DEST13098A 1957-10-26 1957-10-26 Method and circuit arrangement for storing and retrieving information content in or from memory matrix arrangements Pending DE1076179B (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1131734B (en) * 1960-10-26 1962-06-20 Standard Elektrik Lorenz Ag Pulse repeater with quick memory
DE1259386B (en) * 1962-03-28 1968-01-25 Licentia Gmbh Circuit arrangement for writing information into memory consisting of flip-flop stages

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DE1131734B (en) * 1960-10-26 1962-06-20 Standard Elektrik Lorenz Ag Pulse repeater with quick memory
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