DE1061890B - Transistor circuit for symmetrical control of alternating current - Google Patents
Transistor circuit for symmetrical control of alternating currentInfo
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Description
DEUTSCHESGERMAN
KL.21d2 42/02KL.21d 2 42/02
INTERNAT. KL. H 02 jINTERNAT. KL. H 02 j
PATENTAMTPATENT OFFICE
S 49163 VIIIb/21d2 S 49163 VIIIb / 21d 2
B EKANNTMACHUNG DERANMELDUNG UND AUSGABE DER AUSLEGESCHRIFT: 23. JULI 1959NOTICE LOGIN AND ISSUE OF THE EDITORIAL: JULY 23, 1959
Gegenstand der Erfindung ist eine Transistorschaltung zur symmetrischen Steuerung von Wechselstrom. Es ist an sich bekannt, Transistoren zwecks Steuerung von Wechselströmen symmetrische Eigenschaften in bezug auf die Sperrspannung bzw. die Stromverstärkung zu geben, jedoch weisen die bekannten Transistoren, die hinsichtlich ihrer Sperrspannung wenigstens ungefähr symmetrische Eigenschaften haben, d. h. bei denen die Sperrspannung zwischen Emmitter—Basis und Kollektor—Basis gleich groß ist, eine in beiden Richtungen stark unterschiedliche Stromverstärkung auf. Dies rührt daher, daß die Sperrschichten des Kollektors und Emitters zwar hinsichtlich der Legierung gleichartig sind, daß aber die Fläche des Emitters zur Erlangung einer besonders günstigen Stromverstärkung wesentlich kleiner , gemacht wird als die des Kollektors. Andererseits beträgt bei Transistoren mit gleich ausgebildeten Sperrschichten der in beiden Richtungen gleich große Stromverstärkungsfaktor nur einen Bruchteil des Beträges der vorgenannten Ausführung.The invention relates to a transistor circuit for the symmetrical control of alternating current. It is known per se, for the purpose of controlling alternating currents, transistors have symmetrical properties to give in relation to the reverse voltage or the current gain, however, have the known Transistors that have at least approximately symmetrical properties with regard to their reverse voltage have, d. H. where the reverse voltage between the emitter base and collector base is the same is, a very different current gain in both directions. This is because the Barrier layers of the collector and emitter are of the same type with regard to the alloy, but that the area of the emitter to achieve a particularly favorable current gain is much smaller , is made as that of the collector. On the other hand, in the case of transistors with the same barrier layers the current amplification factor, which is the same in both directions, is only a fraction of the amount the aforementioned version.
Es sind deshalb bereits Schaltungen mit zwei unsymmetrischen Transistoren vorgeschlagen worden, bei denen die beiden Transistoren hintereinandergeschaltet sind und jeder Transistor einen eigenen Steuertransformator besitzt bzw. ein einziger.Steuertransformator mit Mittelanzapfung vorgesehen ist. Es sind ferner Schaltungen mit zwei gegenparallel geschalteten Transistoren vorgeschlagen worden, bei denen jedem Transistor ein Gleichrichter vorgeschaltet sowie jedem Transistor ein eigener Steuertransformator zugeordnet ist. Bei beiden Schaltungen addieren sich die Schwellenwerte der Sperrschichten, so daß eine Verringerung des Wirkungsgrades die Folge ist.Circuits with two asymmetrical transistors have therefore already been proposed, in which the two transistors are connected in series and each transistor has its own Control transformer has or a single control transformer with center tap is provided. There have also been proposed circuits with two transistors connected in opposition in parallel each transistor is preceded by a rectifier and each transistor has its own control transformer assigned. In both circuits, the threshold values of the barrier layers add up, so that a reduction in efficiency is the result.
Eine Vermeidung dieses Nachteils bei gleichzeitiger Verringerung des notwendigen technischen Aufwandes ist Aufgabe der Erfindung. Die Lösung bei der Transistorschaltung zur symmetrischen Steuerung von Wechselstrom unter Verwendung zweier, insbesondere unsymmetrischer, Transistoren besteht nach der Erfindung darin, daß jeweils die Basis des einen Transistors wechselseitig mit der nicht an den zu steuernden Wechselstromkreis angeschlossenen gleichartigen Außenelektrode des anderen Transistors verbunden und zwischen den Basen der beiden Transistoren ein gemeinsamer Steuertransformator angeordnet ist. Vorteilhaft können bei Transistoren sowohl vom Typ p-n-p als auch vom Typ n-p-n jeweils die Basis des einen mit dem Emitter des anderen Transistors verbunden sein. Zur Steuerung des Wechselstromkreises wird dem Primärkreis des Steuertransformators 'vorzugsweise eine rechteckförmige Steuerwechselspannung zugeführt, die eine Transistorschaltung zur symmetrischen Steuerung von WechselstromAvoiding this disadvantage while at the same time reducing the necessary technical effort is the object of the invention. The solution for the transistor circuit for symmetrical control of alternating current using two, in particular asymmetrical, transistors according to the invention is that in each case the base of a transistor alternately with the not to the controlling AC circuit connected to the same type of external electrode of the other transistor and a common control transformer is arranged between the bases of the two transistors is. In the case of transistors, both of the p-n-p type and of the n-p-n type can be advantageous the base of one transistor must be connected to the emitter of the other transistor. To control the AC circuit is the primary circuit of the control transformer 'preferably a rectangular AC control voltage supplied to a transistor circuit for the symmetrical control of alternating current
Anmelder:Applicant:
Siemens-SchuckertwerkeSiemens-Schuckertwerke
Aktiengesellschaft,Corporation,
Berlin und Erlangen,Berlin and Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Dr.-Ing. Georg Sichling, Erlangen, ist als Erfinder genannt wordenDr.-Ing. Georg Sichling, Erlangen, has been named as the inventor
besonders wirksame Steuerung des Wechselstromkreises erlaubt.particularly effective control of the alternating current circuit allows.
In Fig. 1 ist die neue Schaltung in Verbindung mit einem zu steuernden Wechselstromkreis an Hand eines Ausführungsbeispiels dargestellt.In Fig. 1, the new circuit is in connection with an AC circuit to be controlled on hand an embodiment shown.
Mit 1 ist hierbei ein Wechselstromerzeuger, mit 2 ein Steuertransformator und mit 3 und 4 die beiden, insbesondere unsymmetrischen Transistoren bezeichnet. Beim Ausführungsbeispiel sind hierbei Transistoren vom p-n-p-Typ vorgesehen, bei denen die mit einem Pfeil gekennzeichneten Emitter wechselweise mit den Basen in der gezeigten Weise verbunden sind. 5 stellt einen im Wechselstromkreis liegenden Verbraucher dar, der gesteuert werden soll. Die beiden Transistoren 3 und 4 können in einem gemeinsamen gestrichelt dargestellten vakuumdichten Gehäuse 6 so untergebracht sein, daß nur die Anschlüsse für die Basis- und die Außenelektroden der Transistoren (im dargestellten Falle die Kollektoren) aus diesem herausgeführt sind.With 1 there is an alternator, with 2 a control transformer and with 3 and 4 the two, in particular denotes asymmetrical transistors. In the exemplary embodiment here are transistors provided by the p-n-p type, in which the emitters marked with an arrow alternate are connected to the bases in the manner shown. 5 represents one in the AC circuit Consumer that is to be controlled. The two transistors 3 and 4 can be in a common vacuum-tight housing 6 shown in dashed lines so that only the connections for the base and outer electrodes of the transistors (in the case shown, the collectors) this are brought out.
Die Steuerung des Wechselstromes erfolgt in Abhängigkeit von der gegenseitigen Polarität der an dem Kollektor beider Transistoren liegenden Netzwechselspannung und der Steuerwechselspannung, da wegen der bekannten Wirkungsweise der Transistoren ein Stromfluß durch beide Transistoren, und zwar über Kollektor—Basis des einen und Emitter—Kollektor des anderen Transistors, nur dann möglich ist, wenn gleichzeitig an Kollektor—Basis des einen Transistors und an Basis—Kollektor, des anderen Transistors ein Potential ein und derselben Polarität liegt.The control of the alternating current takes place depending on the mutual polarity of the Collector of both transistors lying mains AC voltage and the control AC voltage, because of the known mode of operation of the transistors, a current flow through both transistors, namely over Collector — base of one, and emitter — collector of the other transistor, is only possible if at the same time at the collector-base of one transistor and at the base-collector of the other transistor there is a potential of one and the same polarity.
Die dabei möglichen Stromverläufe sind in den Fig. 2 a bis 2 d für alle möglichen Polaritätsverhält-The possible current profiles are shown in FIGS. 2 a to 2 d for all possible polarity ratios.
909 578/176909 578/176
nisse von der Steuerspannung zur Netzwechselspannung dargestellt. Hieraus ergibt sich, daß nur bei den Polaritätsverhältnissen gemäß Fig. 2 a und 2d ein Stromfluß . durch die beiden Transistoren in der gestrichelt eingezeichneten Richtung erfolgen kann, in allen anderen Fällen der Wechselstromkreis dagegen gesperrt ist. ■from the control voltage to the mains AC voltage shown. From this it follows that only in the case of the polarity relationships according to FIGS. 2 a and 2 d Current flow. by the two transistors in the dashed line in the direction shown in the drawing, in all other cases the alternating current circuit, on the other hand Is blocked. ■
Bei ..Verwendung von ,Transistoren des n-p-n-Typs gilt das Vorgesägte in entsprechend abgewandelter Weise. : : 'When using transistors of the npn type, what has been said above applies in a correspondingly modified manner. :: '
Claims (3)
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DE1061890B true DE1061890B (en) | 1959-07-23 |
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Family Applications (1)
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GB (1) | GB823466A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1297146B (en) * | 1967-04-11 | 1969-06-12 | Siemens Ag | Electronic switch with high-potential input and output, especially as a series switch in parallel paths of an N-path filter |
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1956
- 1956-06-22 DE DES49163A patent/DE1061890B/en active Pending
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1957
- 1957-05-09 FR FR1174872D patent/FR1174872A/en not_active Expired
- 1957-06-12 CH CH354161D patent/CH354161A/en unknown
- 1957-06-21 GB GB1962257A patent/GB823466A/en not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1297146B (en) * | 1967-04-11 | 1969-06-12 | Siemens Ag | Electronic switch with high-potential input and output, especially as a series switch in parallel paths of an N-path filter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH354161A (en) | 1961-05-15 |
FR1174872A (en) | 1959-03-17 |
GB823466A (en) | 1959-11-11 |
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