DE1061370B

DE1061370B - Reading process for magnetic memory cores

Info

Publication number: DE1061370B
Application number: DES56438A
Authority: DE
Inventors: Dipl-Ing Hans Bretschneider
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1957-12-30
Filing date: 1957-12-30
Publication date: 1959-07-16

Description

DEUTSCHESGERMAN

Die Erfindung bezieht sich auf ein Leseverfahren für magnetische Speicherkerne. Ihr liegt die Aufgabe zugrunde, den Informationsinhalt eines magnetischen Speicherkerns quantitativ festzustellen, ohne daß dabei der Informationsinhalt des Speicherkerns verlorengeht. Der Informationsinhalt wird dabei durch den magnetischen Zustand des Speicherkerns dargestellt.The invention relates to a reading method for magnetic memory cores. The task is yours based on quantitatively determining the information content of a magnetic storage core without doing so the information content of the memory core is lost. The information content is thereby represented by the magnetic state of the memory core shown.

Es sind bereits vergleichbare Leseverfahren bekannt. Diese erfüllen jedoch nicht alle hier geforderten Bedingungen.Comparable reading methods are already known. However, these do not meet all of the requirements here Conditions.

Einige dieser Verfahren (z. B. USA.-Patent 2 681 181) erfüllen nur die Bedingung, daß nach der Beendigung des Lesevorgangs der magnetische Speicherkern denselben magnetischen Zustand hat wie vorher. Hierbei besteht der Lesevorgang aus zwei Teilen, wobei während des ersten Teiles eine Umspeicherung der Information in einen besonderen magnetischen Hilfskern vorgenommen wird. Während des zweiten Teiles erfolgt eine Rückspeicherung der inzwischen aufbewahrten Information in den Ursprungliehen, dafür vorgesehenen Speicherkern, der daher am Ende des gesamten Lesevorgangs wieder denselben Informationsinhalt wie vorher besitzt. Bei diesem Verfahren ist jedoch nur vorgesehen, beim Lesen zwischen den beiden verschiedenen magnetischen Sättigungszuständen des betreffenden Kerns zu unterscheiden, so daß ein Kern nur zwei verschiedene Informationen aufnehmen kann. Es ist daher auch nicht ein zwischen den beiden Sättigungszuständen liegender magnetischer Zwischenzustand genau festzustellen.Some of these processes (e.g. US Pat. No. 2,681,181) only meet the condition that after the Completion of the reading process, the magnetic memory core has the same magnetic state as before. The reading process here consists of two parts, with a re-storage during the first part the information is made in a special magnetic auxiliary core. While In the second part, the information stored in the meantime is restored in the original loan, dedicated memory core, which is therefore the same again at the end of the entire read process Has information content as before. However, this method only provides for reading between the two different magnetic saturation states of the kernel in question, so that a kernel only has two different pieces of information can accommodate. It is therefore not a magnetic one that lies between the two states of saturation Precise determination of the intermediate state.

Es sind nun auch Leseverfahren bekannt (z. B. deutsche Patentanmeldung S 37853 VIIIa/21a³), bei denen mehrere derartige Zwischenzustände festgestellt werden können. Bei diesen Verfahren wird das Einspeichern von Informationen mit Hilfe von Impulsen mit vorher festgelegter Stärke und Dauer vorgenommen, wobei eine schrittweise Ummagnetisierung des betreffenden Magnetkerns eintritt, der sich bei Beginn des Vorgangs in einem magnetischen Sättigungszustand befand. Der zuletzt erreichte Magnetisierungszustand ist dann abhängig von der Zahl der zugeführten Impulse. Zum Zweck des Lesens werden dann ebenfalls gleichartige Impulse zugeführt, und zwar so viele, bis wieder ein magnetischer Sättigungszustand erreicht ist. Die Zahl der dazu notwendigen Leseimpulse ist dann abhängig von dem magnetischen Zustand des betreffenden Kerns bei Beginn des Lesevorgangs und ist daher ein Maß für diesen Zustand. Nach diesem Verfahren können beim Lesen auch magnetische Zwischenzustände festgestellt werden, welche daher hier auch für Speicherzwecke ausgenutzt werden können. Es handelt sich aber hier um solche Zwischenzustände, welche bestimmten Magnetisierungs stufen entsprechen, die von der Beschaffenheit der Leseverfahren
für magnetische SpeicherkerneReading methods are now also known (e.g. German patent application S 37853 VIIIa / 21a ³ ) in which several such intermediate states can be determined. In this method, information is stored with the aid of pulses of predetermined strength and duration, with a gradual reversal of magnetization of the relevant magnetic core, which was in a magnetic saturation state at the beginning of the process. The last magnetization state reached is then dependent on the number of pulses supplied. For the purpose of reading, similar impulses are then also supplied, namely as many as necessary until a magnetic saturation state is reached again. The number of read pulses required for this is then dependent on the magnetic state of the relevant core at the start of the reading process and is therefore a measure of this state. According to this method, intermediate magnetic states can also be determined during reading, which can therefore also be used here for storage purposes. However, these are intermediate states that correspond to certain magnetization levels that depend on the nature of the reading process
for magnetic memory cores

Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,Applicant:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,

Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2Berlin and Munich,
Munich 2, Wittelsbacherplatz 2

Dipl.^:ing. Hans Bretschneider, Starnberg (Obb.),
ist als Erfinder genannt wordenDipl ^.: Ing. Hans Bretschneider, Starnberg (Obb.),
has been named as the inventor

Speicher- und Leseimpulse bestimmt werden. Beliebige Zwischenzustände können dagegen nicht eingespeichert oder abgelesen werden. Außerdem sind bei diesen Verfahren im allgemeinen für das Speichern und Lesen mehrere Teilvorgänge erforderlich, so müssen nämlich jeweils mehrere Impulse zugeführt werden, was eine entsprechend lange Zeit in Anspruch nimmt. Dies ist aber oft nachteilig, insbesondere dann, wenn bei Anwendung dieser Verfahren zugleich gewünscht wird, daß nach dem Lesen sich der magnetische Speicherkern wieder in dem ursprünglich vorhandenen Zustand befindet, was nur mit Hilfe des eingangs erwähnten Umspeicherverfahrens erreicht werden kann.Storage and read pulses are determined. Any intermediate states, on the other hand, cannot be saved or read. In addition, these methods are generally used for storing and reading several sub-processes are required, namely several pulses must be supplied in each case which takes a correspondingly long time. However, this is often disadvantageous, especially when if, when using this method, it is also desired that after reading the magnetic Memory core is back in its original state, which can only be achieved with the help of the Initially mentioned transferring process can be achieved.

Nach diesen Verfahren kann daher bei magnetischen Speicherkernen ein zerstörungsfreies, quantitatives Lesen von Informationsinhalten, die beliebigen magnetischen Zwischenwerten zwischen den magnetischen Sättigungszuständen derselben entsprechen, nicht vorgenommen werden. Die Erfindung zeigt nun einen Weg, wie diese Aufgabe vorteilhaft gelöst werden kann. Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich damit auch besonders zur Überwachung der Arbeitsweise von Speicher- und Magnetkernen, da der Speicherzustand der verwendeten Kerne genau ermittelt werden kann, und zwar ohne daß dabei ihr ursprünglicher magnetischer Zustand verlorengeht.According to this method, a non-destructive, quantitative Reading of information content, the arbitrary magnetic intermediate values between the magnetic ones Saturation states of the same correspond, are not made. The invention now shows one Way how this task can be solved advantageously. The method according to the invention is suitable thus also especially for monitoring the operation of memory and magnetic cores, since the Memory status of the cores used can be determined exactly, without your original magnetic state is lost.

Das erfindungsgemäße Verfahren zum zerstörungsfreien, quantitativen Lesen des Informationsinhaltes eines magnetischen Speicherkerns ist dadurch gekennzeichnet, daß zur Feststellung des magnetischen Zustandes des Speicherkerns, der beliebig zwischen seinen Sättigungszuständen liegen kann, an diesen eine konstante Spannung angelegt wird, die so groß ist, daß sie den Speicherkern sicher in einen magne-The method according to the invention for non-destructive, quantitative reading of the information content a magnetic memory core is characterized in that to determine the magnetic state of the memory core, which can be anywhere between its saturation states, to these a constant voltage is applied, which is so high that it secures the memory core in a magnetic

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tischen Sättigungszustand bringt, wobei als Maß für den abzulesenden magnetischen Anfangszustand des Speicherkerns die benötigte Zeitspanne bis zur Erreichung dieses magnetischen Sättigungszustandes verwendet wird, und daß zugleich während dieser Zeitspanne mit derselben Spannung in einen gleichartigen Hilfskern eine von einem Sättigungszustand ausgehende Ummagnetisierung vorgenommen wird und daß danach in einem gleichen Meßvorgang unter Vertauschung von Speicherkern und Hilfskern im Speicherkern der magnetische Anfangszustand wieder hergestellt wird.table brings saturation, with as a measure of the magnetic initial state of the read Storage core the time required to reach this magnetic saturation state is used, and that at the same time during this period of time with the same tension in a similar Auxiliary core, a magnetization reversal starting from a saturation state is carried out and that afterwards in the same measuring process with the exchange of memory core and auxiliary core in the Storage core the initial magnetic state is restored.

Es wird ferner angegeben, wie man besonders vorteilhaft bestimmte, besonders wichtige Teile einer nach dem erfindungsgemäßen Verfahren arbeitenden Schaltungsanordnung aufbauen kann.It is also indicated how to particularly advantageous certain, particularly important parts of a can build circuit arrangement operating according to the method according to the invention.

Fig. 1 zeigt das Prinzipschaltbild einer derartigen Schaltungsanordnung;1 shows the basic circuit diagram of such a circuit arrangement;

Fig. 2 zeigt ein Realisierungsbeispiel für einen Teil dieser Schaltungsanordnung.Fig. 2 shows an implementation example for part of this circuit arrangement.

Die Schaltungsanordnung, wie sie in Fig. 1 dargestellt ist, enthält außer dem magnetischen Speicherkern P₁ dessen eingespeicherte Information abzulesen ist, noch einen magnetischen Hilfskern H₁ der zur vorübergehenden Aufnahme der Information dient. Beide Kerne tragen für den hier vorgesehenen Zweck je eine Wicklung. Zweckmäßigerweise werden gleiche Kerne verwendet. Es ist ferner eine Schalteinrichtung 6* vorgesehen, welche jeweils in den Stromkreis eines der beiden Kerne eingeschleift werden kann. Diese Schalteinrichtung spricht jeweils an, wenn beim Ummagnetisieren der magnetische Sättigungszustand des anschlossenen Kerns erreicht ist. Das Funktionsprinzip dieser Schalteinrichtung und das in Fig. 2 dargestellte Realisierungsbeispiel für eine derartige Schalteinrichtung werden später erläutert. Die Schalteinrichtung6" soll jedoch jedenfalls so beschaffen sein, daß ihr Einfluß auf den Magnetisierungsstrom für den betreffenden Kern vernachlässigbar ist. Die Schalteinrichtung ,S" betätigt beim Ansprechen ihre Ruhekontaktes I₁ s2 und s3. Die Ruhekontakteil und s2 unterbrechen die Ströme, welche über die Magnetkerne P und H fließen. Der Ruhekontakt j 3 unterbricht den Strom, der gegebenenfalls durch eine besondere Zeitmeßeinrichtung T fließt. Es ist ferner ein Schalter A vorgesehen, der zur Inbetriebsetzung der Schaltungsanordnung dient. Mit Hilfe des Kontaktes α 2 dieses Schalters A wird bei der Inbetriebsetzung der Stromkreis für die Zeitmeßeinrichtung T geschlossen. Der Schalter^ hat noch den Kontakt al., über welchen dabei die Stromkreise für die Magnetkerne P und H geschlossen werden. Über seinen Kontakt α 3 wird die Schalteinrichtung 6* in Betrieb genommen. In die Stromkreise für die Magnetkerne^ und H sind noch die Umschaltkontakte b 1 und b 2 des Umschalters B eingeschleift, mit deren Hilfe die Schalteinrichtung S wahlweise in den Stromkreis des Speicherkerns P oder Hilfskerns H gelegt werden kann. Die Stromimpulse, welche den magnetischen Zustand der Magnetkerne P und H verändern, werden mit Hilfe einer konstanten Spannung U erzeugt.The circuit arrangement as shown in FIG. 1 contains, in addition to the magnetic memory core P _1, whose stored information is to be read, also a magnetic auxiliary core H ₁ which is used to temporarily record the information. Both cores each have a winding for the purpose provided here. The same cores are expediently used. A switching device 6 * is also provided, which can be looped into the circuit of one of the two cores. This switching device responds when the magnetic saturation state of the connected core is reached during magnetization reversal. The functional principle of this switching device and the implementation example shown in FIG. 2 for such a switching device will be explained later. The switching device 6 "should in any case be such that its influence on the magnetizing current for the relevant core is negligible. The switching device" S "actuates its normally closed contacts s I ₁ s2 and s3 when responding. The normally closed contact part and s2 interrupt the currents which flow through the magnetic cores P and H. The normally closed contact j 3 interrupts the current which may flow through a special timing device T. A switch A is also provided, which is used to start up the circuit arrangement. With the help of the contact α 2 of this switch A , the circuit for the timing device T is closed when the system is started up. The switch ^ still has the contact al., Via which the circuits for the magnetic cores P and H are closed. The switching device 6 * is put into operation via its contact α 3. The switching contacts b 1 and b 2 of the switch B are looped into the circuits for the magnetic cores ^ and H , with the aid of which the switching device S can be placed either in the circuit of the memory core P or auxiliary core H. The current pulses, which change the magnetic state of the magnetic cores P and H , are generated with the help of a constant voltage U.

Es wird nun beschrieben, wie der magnetische Zustand des Speicherkerns P festgestellt wird und wie sein magnetischer Anfangszustand, den er bei Beginn des Lesevorgangs hatte, wieder hergestellt wird. Der magnetische Anfangszustand des Speicherkerns kann dabei beliebig zwischen seinen Sättigungszuständen liegen. Zunächst wird der Umschalter B in diejenige Stellung gebracht, bei der die Schalteinrichtung 5" in den Stromkreis des Speicherkerns P₁ bei dem eine Ablesung vorgenommen werden soll, eingeschleift ist. Es ist dies die in Fig. 1 dargestellte Lage des Umschalters B. Danach wird der Schalter A betätigt, wodurch seine Kontakte al, α2 und α3 geschlossen werden. Durch das Schließen des Kontaktes α2 wird die Zeitmeßeinrichtung T unter Strom gesetzt und beginnt mit der Zeitmessung. Durch das Schließen des Kontaktes a 1 werden der Speicherkern P und der Hilfskern H unter Strom gesetzt. Durch das Schließen des Kontaktes α3 wird die Schalteinrichtung 5¹ in Betrieb genommen.It will now be described how the magnetic state of the memory core P is determined and how its initial magnetic state, which it had at the start of the reading operation, is restored. The initial magnetic state of the storage core can be anywhere between its saturation states. First, the changeover switch B is brought into the position in which the switching device 5 "is looped into the circuit of the memory core P ₁ in which a reading is to be made. This is the position of the changeover switch B shown in FIG the switch A is actuated, whereby its contacts al, closed α2 and α3. by closing of the contact α2 the time measuring device T is energized and starts time measurement. by closing of the contact a 1, the memory core P and the auxiliary core H When the contact α3 is closed, the switching device 5 ^{1 is} put into operation.

Die Spannung U ist so groß, daß unter ihrem Einfluß die angeschlossenen Kerne sicher in einen magnetischen Sättigungszustand gebracht werden. Dieser Vorgang findet nun nicht spontan statt, sondern esThe voltage U is so great that, under its influence, the connected cores are safely brought into a magnetic saturation state. This process does not take place spontaneously, but it does

wird, wie sich aus dem Induktionsgesetz U= — ^w"7f7~becomes, as can be seen from the law of induction U = - ^w "7f7 ~

ergibt, dazu die Zeitspanne At= —w——benötigt,results, for this the time period At = - w- - required,

wobei w die Windungszahl, Δ Φ die Änderung des magnetischen Flusses bis zur Erreichung des magnetischen Sättigungszustandes und U die angelegte Spannung ist. Diese Zeitspanne ist unter sonst gleichen Umständen der vorzunehmenden Fluß änderung Δ Φ proportional, und daher ist diese Zeitspanne auch ein Maß für den ursprünglich vorhandenen magnetischen Zustand des Speicherkerns. Wenn der magnetische Sättigungszustand erreicht ist, spricht die Schalteinrichtung 6" an und unterbricht mit Hilfe ihrer Kontakte si, s2 und s3 die Stromkreise für die Magnetkerne P und H und für die Zeitmeßeinrichtung T. An der Zeitmeßeinrichtung T kann nun die benötigte Zeit A t abgelesen werden, welche zugleich das gewünschte Maß für den magnetischen Anfangszustand des Speicherkerns ist.where w is the number of turns, Δ Φ is the change in the magnetic flux until the magnetic saturation state is reached and U is the applied voltage. This time span is proportional to the flux change Δ Φ to be made under otherwise identical circumstances, and this time span is therefore also a measure of the originally existing magnetic state of the storage core. When the magnetic saturation state is reached, the switching device 6 ″ responds and, with the help of its contacts si, s2 and s3, interrupts the circuits for the magnetic cores P and H and for the time measuring device T. The time A t required can now be read on the time measuring device T which is also the desired measure for the initial magnetic state of the memory core.

Zugleich mit dem Speicherkern P lag nun auch der Hilfskern H unter Strom. Bedingung für die richtige Durchführung des erfindungsgemäß en Verfahrens ist nun, daß zu Beginn der Messung sich der Hilfskern H bereits in einem magnetischen Sättigungszustand befindet, und zwar in einem solchen, daß der ihn danach durchfließende Strom eine Ummagnetisierung vornimmt. Dies läßt sich in jedem Falle durch geeignete Polung des ihn durchfließenden Stromes erreichen. Die Ummagnetisierung des Hilfskerns dauert nun genauso lange wie der Magnetisierungsvorgang beim Speicherkern P, da seine Ummagnetisierung durch die Kontakte al und si gesteuert wird. Bis jetzt wurde der erste Teil des Lesevorgangs beschrieben. Nach seinem Ablauf weicht der Magnetisierungszustand des Hilfskerns H von dem einen magnetischen Sättigungszustand um denselben Betrag Δ Φ ab, wie der magnetische Anfangszustand des Speicherkerns P von dem in diesem Kern jetzt vorhandenen magnetischen Sättigungszustand bei Beginn des Lesevorgangs abwich. Aus dem Induktionsgesetz ergibt sich nämlichAt the same time as the storage core P , the auxiliary core H was now also energized. The condition for the correct implementation of the method according to the invention is that, at the beginning of the measurement, the auxiliary core H is already in a magnetic saturation state, namely in such a state that the current flowing through it then reverses its magnetism. This can be achieved in any case by suitable polarization of the current flowing through it. The magnetization reversal of the auxiliary core now takes just as long as the magnetization process in the memory core P, since its magnetization reversal is controlled by the contacts al and si. So far, the first part of the reading process has been described. After its expiry, the magnetization state of the auxiliary core H deviates from the one magnetic saturation state by the same amount Δ Φ as the initial magnetic state of the memory core P deviated from the magnetic saturation state now present in this core at the start of the reading process. Namely, from the law of induction it follows

ΔΦ = At. Die Fluß änderung A Φ ist also proportional der Ummagnetisierungszeitspanne Δ t. Der Informationsinhalt des Speieherkerns, der durch die Abweichung seines vorhandenen magnetischen Zustandes von einem der beiden magnetischen Sättigungszustände dargestellt wird, ist damit aus dem Speicherkern in den Hilfskern umgespeichert worden, da dessen jetziger magnetischer Zustand um denselben Betrag A Φ von dem einen seiner magnetischen Sättigungszustände abweicht. ΔΦ = At. The change in flux A Φ is therefore proportional to the remagnetization period Δ t. The information content of the storage core, which is represented by the deviation of its existing magnetic state from one of the two magnetic saturation states, has thus been transferred from the memory core to the auxiliary core, since its current magnetic state deviates by the same amount A Φ from one of its magnetic saturation states .

Nunmehr hat der zweite Teil des Lesevorgangs abzulaufen. Nach der eben beschriebenen Ablesung der im Speicherkern P vorhandenen Information und ihrerThe second part of the reading process now has to take place. After reading the in the memory core P existing information and their

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gleichzeitigen Umspeicherung in den Hilfskern H lung induziert, welche den Stromanstieg begrenzt. Bei wird der Schalter A wieder in Ruhestellung gebracht. Erreichung des magnetischen Sättigungszustandes Seine Kontakte werden dabei wieder geöffnet. Durch hört die Änderung des Magnetflusses auf, und die indie Öffnung des Kontaktes a3 kommt die Schaltein- duzierte Gegenspannung verschwindet. Der Strom richtung 6" wieder in ihre Ruhelage, und ihre Kon- 5 steigt sehr schnell auf den durch den ohmschen Widertakteil, s2 und s3 schließen sich wieder. Da vorher stand der Wicklung bedingten Endwert an. Dieser bereits die Kontakte al und a2 geöffnet wurden, steile Anstieg wird hier ausgenutzt. Dazu ist der bleiben die Magnetkerne P und H und die Zeitmeß- Übertrager Z mit seiner Primärwicklung zp in den einrichtung T zunächst weiterhin stromlos. Nunmehr jeweiligen Magnetisierungsstromkreis eingeschleift, wird der Umschalter B in seine andere Lage gebracht. io An seiner Sekundärwicklung zs tritt wegen der Diffe-Dadurch wird die Schalteinrichtung JT jetzt in den renziereigensehaft des Übertragers eine besonders Stromkreis für den Hilfskern H eingeschleift. Danach große Sekundärspannung auf, wenn der obenerwähnte wird wieder der Schalter A betätigt, wodurch sich der steile Stromanstieg erfolgt. Die Sekundärwicklung zs Meßvorgang und Umspeichervorgang wiederholt. Es ist derart in Reihe mit der Gittervorspannungsquelle wird jedoch diesmal eine Umspeicherung vom Hilfs- 15 an die Zündelektrode der Gastriode V angeschaltet, kern H in den Speicherkern P vorgenommen. Die bei- daß die auftretende große Sekundärspannung die Gasden Kerne haben also diesmal ihre Rolle vertauscht. triode V zum Zünden bringt. Die Gittervorspan-Zur Beendigung des Vorgangs wird dann wieder der nungsquelle Q ist regelbar, so daß eine geeignete Schalter A in seine Ruhelage gebracht. Der Speicher- Gittervorspannung und damit der geeignete Zeitpunkt kern P hat wieder seinen magnetischen Anfangs- 20 für das Zünden der Gasröhre V eingestellt werden zustand erhalten. Man kann einen erneuten Lesevor- kann. Mit Hilfe der regelbaren Gittervorspannungsgang vornehmen, um zu kontrollieren, daß sich sein quelle Q ist damit auch in gewissen Grenzen der An-Informationsinhalt nicht verändert hat. Wenn keine Sprechzeitpunkt der Schalteinrichtung 6" beeinflußbar, Veränderung eingetreten ist, muß jetzt das Zeitmeß- was zum Abgleichen ausgenutzt werden kann. Da bei gerät T dieselbe Anzeige haben wie beim ersten Lese- 25 Betätigung des Schalters A vorher mit dem Konvorgang, takt α 3 der Hauptstromkreis der Gastriode V vorbe-simultaneous re-storing in the auxiliary core H induces development, which limits the increase in current. At the switch A is brought back to the rest position. Achievement of the magnetic saturation state His contacts are opened again. As a result, the change in the magnetic flux stops, and when the contact a3 opens, the switching-induced counter voltage disappears. The current direction 6 ″ returns to its rest position, and its con-5 rises very quickly to that caused by the ohmic counterclock part, s2 and s 3 close again. Since before the winding was related to the final value. This already opened the contacts a1 and a2 were steep rise is used here. For this purpose, which is to remain the magnetic cores P and H and the time measurement exchanger Z with its primary winding zp in the device T at first continue to electrolessly. now, the respective magnetization circuit looped, the switch B is brought into its other position. Because of the difference, the switching device JT is now looped into the special circuit for the auxiliary core H in its secondary winding zs . Then a large secondary voltage occurs when the above-mentioned switch A is operated again, which causes the steep current rise takes place. The secondary winding repeated zs measuring and re-storing. It is such a in line e with the grid bias source, however, this time a transfer from the auxiliary 15 to the ignition electrode of the gastriode V is connected, core H in the memory core P. The large secondary voltage that occurs in the gas and the nuclei have thus reversed their roles this time. triode V to ignite. The grid preload to terminate the process is then again the voltage source Q can be regulated so that a suitable switch A is brought into its rest position. The storage grid bias and thus the appropriate point in time core P has again received its initial magnetic state for the ignition of the gas tube V to be set. One can read again. With the help of the adjustable grid biasing process to check that its source Q ist has not changed within certain limits of the information content. If no talk time point of the switching device 6 "influenced, change has occurred, must now the time measurement which can be used for matching. Since device T same advert as the first read 25 operation of the switch A before the Konvorgang clock-α 3 the main circuit of the gastriode V

Es ist im Stromkreis für den Speicherkern P ein reitet worden war, kann nunmehr ein Strom über die abgleichbarer Kompensationswiderstand R vorgesehen. Gastriode und das Relais S' fließen. Das Relais S' Bei der Umspeicherung wird die eingespeicherte In- spricht an und betätigt seine Kontakte, welche die formation durch Kupfer- und Hystereseverluste der 30 bereits beschriebenen Kontakteil, s2 und s3 sind. Magnetkerne verfälscht. Um diese Verfälschung aus- Wenn der Schalter A wieder in seine Ruhelage gegleichen zu können, wird die Betriebsspannung U beim bracht wird, so wird mit Hilfe des Kontaktes α 3 der Umspeichern vom Speicherkern P auf den Hilfskern ff Hauptstromkreis unterbrochen, die Gastriode wird dem Hilfskern H in voller Höhe und dem Speicher- gelöscht, das Relais S' wird stromlos, und seine Konkern P nur in verminderter Höhe zugeführt, wobei diese 35 takte kommen wieder in ihre Ruhelage.
Verminderung mit Hilfe des Kompensationswiderstan- Als Zeitmeßgerät T zur Messung der benötigten des R eingeregelt werden kann. Bei mehrfacher Wieder- Zeitspanne für die betreffenden Ummagnetisierungen holung des Lesevorgangs läßt sich durch Einstellung kann mit Vorteil ein ballistisches Galvanometer verdes Kompensationswiderstandes R erreichen, daß nach wendet werden, dessen Zeigerausschlag ein Maß für dem Lesevorgang im Speicherkern genau der gleiche 40 die Zeitspanne ist. Die Arbeitsweise eines derartigen magnetische Zustand vorhanden ist als vorher. Galvanometers ist bekannt. Wenn man dieses GaI-It has been ridden in the circuit for the memory core P , a current can now be provided via the compensating resistor R which can be adjusted. Gastriode and relay S ' flow. The relay S ' During the re-storage, the stored information is activated and its contacts, which are the formation through copper and hysteresis losses of the 30 already described contact parts , s2 and s 3, are. Magnetic cores falsified. In order to be able to compensate for this falsification, the operating voltage U is brought when the switch A is brought back to its rest position, the reloading from the storage core P to the auxiliary core ff main circuit is interrupted with the help of the contact α 3, the gastriode becomes the auxiliary core H in full and the memory erased, the relay S ' is de-energized, and its Konkern P is only supplied at a reduced level, with these 35 clocks coming back into their rest position.
Reduction with the help of the compensation resistor As a timing device T can be adjusted to measure the required R. If the reading process is repeated several times for the relevant magnetic reversals, a ballistic galvanometer can advantageously achieve a compensating resistor R that can be turned over, the pointer deflection of which is a measure of the reading process in the memory core is exactly the same as the period of time. The working of such a magnetic state is present as before. Galvanometers are known. If you have this GaI-

Mit Hilfe der in Fig. 1 dargestellten Schaltungs- vanometer an diejenige Spannungsquelle anschließt, anordnung kann auch ein bestimmter, gewünschter welche den Magnetisierungsstrom liefert, so werden Informationsinhalt in einen Speicherkern eingespei- Schwankungen der von ihr gelieferten Spannung chert werden. Zu diesem Zweck ist der SchalterE vor- 45 selbsttätig bei der Messung kompensiert. Wenn nämgesehen. Über den zugehörigen Kontakt e kann man Hch die von der Spannungsquelle gelieferte Spaneinen dosierten Impuls auf den Hilfskern H geben. nung U etwas gesunken ist, so ist, wie sich aus der Durch einen Umspeichervorgang kann die damit ver- _π · ι λ w , -c μ ι· _ττ
knüpfte Änderung seines Magnetisierungszustandes Beziehung Δ t = _— · Δ Φ ergibt, die- Ummagnetiauf den Speicherkern übertragen werden, und mit 50 sierungszeit unter sonst gleichen Umständen größer. Hilfe des gleichzeitig stattfindenden Lesevorgangs Es ist nun wünschenswert, daß dabei der Zeigerkann zugleich der entsprechende Informationsinhalt ausschlag am ballistischen Galvanometer unverändert festgestellt werden. bleibt. Dies ist auch der Fall, da bei dem ballistischenWith the aid of the circuit vanometer shown in FIG. 1 connected to that voltage source, a certain, desired arrangement can also be used which supplies the magnetizing current, so information content is stored in a memory core, fluctuations in the voltage supplied by it. For this purpose, the switch E is automatically compensated for 45 during the measurement. If you see. The chip supplied by the voltage source can be sent to the auxiliary core H via the associated contact e . voltage U has decreased somewhat, as can be seen from the storage process, the _π · ι λ w, -c μ ι · _ττ
The associated change in its magnetization state gives the relationship Δ t = _— · Δ Φ , which are transferred to the storage core with reversal of magnetism, and greater with 50 ization time under otherwise identical circumstances. Help of the reading process taking place at the same time It is now desirable that the pointer can at the same time the corresponding information content deflection be determined unchanged on the ballistic galvanometer. remain. This is also the case since the ballistic

In Fig. 2 ist eine Schaltung dargestellt, welche ein Galvanometer die Verlängerung der Ummagnetisie-Beispiel für den Aufbau der Schalteinrichtung 6" zeigt. 55 rungszeit im Sinne einer Vergrößerung des Zeiger-Die Schalteinrichtung 6¹ besteht hier aus der Gas- ausschlages und die gleichzeitig vorhandene Vertriode V, dem Übertrager Z und dem Relais >S". Zu kleinerung der Spannung U im Sinne einer Verihrem Betrieb sind die Spannungsquellen F und Q kleinerung des Zeigerausschlages wirkt, beide Effekte vorgesehen. Das Relais 5" liegt im Hauptstromkreis sich also kompensieren. Entsprechend sind die Verder Gastriode V. Der Übertrager Z liegt im Gitter- 60 hältnisse, wenn die Spannung U ansteigt. Bei Verkreis, und zwar ist er zwischen das Gitter und die Wendung eines ballistischen Galvanometers tritt also Gittervorspannungsquelle Q eingeschleift. Die Schalt- automatisch eine Kompensierung von Schwankungen einrichtung ^S¹ wird durch den bei Erreichung des der Spannung U bei der Messung auf.
magnetischen Sättigungszustandes auftretenden, be- Eine Schaltungsanordnung, wie sie prinzipiell in sonders steilen Anstieg des Magnetisierungsstromes 65 der Fig. 1 dargestellt ist, kann mit Hilfe von Steuerfeines Magnetkerns zum Ansprechen gebracht. Wenn relais derart ausgestaltet werden, daß eine selbsttätige nämlich ein Magnetkern, wie es vorher beschrieben Steuerung für den Ablauf der verschiedenen Vorwurde, zur Ummagnetisierung an eine Spannung an- gänge durch diese Steuerrelais vorgenommen wird, geschaltet wird, so wird, solange sich der Magnetfluß Man kann dabei z. B. auch vorsehen, daß eine Über-.ändert, eine Gegenspannung in der verwendeten Wick- 70 lastung des ballistischen Galvanometers mit Sicher-In FIG. 2 shows a circuit showing a galvanometer the extension of the Ummagnetisie-example of the construction of the switching device 6 ". 55 delay time in the sense of an increase of the pointer-The switching device 6 ¹ here consists of gas deflection and at the same time existing Vertriode V, the transformer Z and the relay> S ". To reduce the voltage U in the sense of a Verihrem operation, the voltage sources F and Q reduce the pointer deflection, both effects are provided. The relay 5 "is in the main circuit so compensate. Correspondingly, the Verder Gastriode V. The transformer Z lies in the grid ratio when the voltage U rises. When the voltage U rises, it is between the grid and the turn of a ballistic galvanometer thus occurs grid bias source Q. The switching device automatically compensates for fluctuations ^ S ¹ when the voltage U is reached during the measurement.
A circuit arrangement, as it is shown in principle in the particularly steep rise in the magnetizing current 65 in FIG. 1, can be made to respond with the aid of a fine magnetic core. If relays are designed in such a way that an automatic, namely a magnetic core, as previously described control for the sequence of the various preambles, is made to reverse the magnetization of a voltage by these control relays, then as long as the magnetic flux Man can z. B. also provide that an over-.changes, a counter-voltage in the used winding load of the ballistic galvanometer with safety

heit vermieden wird. Ebenso kann man Einrichtungen vorsehen, die eine bequeme Dosierung des Impulses für die Einspeicherung einer Information in den Hilfskern und in den Speicherkern ermöglichen.is avoided. Likewise, facilities can be provided for convenient metering of the pulse for storing information in the auxiliary core and in the memory core.

Es sei noch darauf hingewiesen, daß auch andere Methoden als die bereits angegebene zur Messung der für die betreffende Ummagnetisierung benötigten Zeitspanne in vorteilhafter Weise angewendet werden können. So kann z. B. eine Registriereinrichtung mit einer ihrer Betriebsspannung proportionalen Vor-Schubgeschwindigkeit verwendet werden, wobei die Betriebsspannung von der den Magnetisierungsstrom hervorrufenden Spannungsquelle zu liefern ist. Diese Registriereinrichtung hat dann während der Ummagnetisierungszeit ein zeitabhängiges Zeichen zu schreiben, dessen Länge die Dauer der Magnetisierungszeit angibt.It should also be pointed out that other methods than those already specified for measuring the for the relevant remagnetization required time period can be used in an advantageous manner can. So z. B. a registration device with a propeller speed proportional to its operating voltage can be used, the operating voltage is to be supplied by the voltage source causing the magnetizing current. These The registration device then has a time-dependent symbol during the magnetization reversal write, the length of which indicates the duration of the magnetization time.

Es kann ferner als Maß für die Ummagnetisierungszeit die in ihren Zeitraum fallende Anzahl von Perioden eines Oszillators verwendet werden, wobei ein Oszillator zu verwenden ist, dessen Frequenz seiner Betriebsspannung proportional ist, und wobei diese Betriebsspannung ebenfalls von der den Magnetisierungsstrom hervorrufenden Spannungsquelle zu liefern ist. ^a5It can also be used as a measure of the magnetization reversal time, the number of periods of an oscillator falling within its period, using an oscillator whose frequency is proportional to its operating voltage, and this operating voltage is also to be supplied by the voltage source causing the magnetizing current. ^a 5

Schließlich kann man mit Hilfe dieser Spannungsquelle einen Kondensator während der Ummagnetisierungszeit aufladen und dessen Spannung als Maß für die Ummagnetisierungszeit verwenden.Finally, with the help of this voltage source, a capacitor can be used during the magnetization reversal time charge and use its voltage as a measure of the magnetization time.

Bei Anwendung dieser Meßmethoden tritt in ahnlicher Weise wie bei der Verwendung eines ballistischen Galvanometers selbständig eine Kompensierung von Schwankungen der Spannung U bei der Zeitmessung ein.When using these measuring methods, in a similar way to the use of a ballistic galvanometer, fluctuations in the voltage U during the time measurement are automatically compensated.

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Claims

Patent claims:

1. A method for non-destructive, quantitative reading of the information content of a magnetic memory core, characterized in that to determine the magnetic state of the memory core (P), which can be anywhere between its saturation states, a constant voltage (U) is applied to it, which so is large that it brings the memory core (P) safely into a magnetic saturation state, the time required to reach this magnetic saturation state is used as a measure of the initial magnetic state of the memory core (P) to be read, and that at the same time during this time period with the same Voltage (17) in a similar auxiliary core (H) a magnetic reversal starting from a saturation state is carried out and that the initial magnetic state is then restored in the same measuring process by interchanging the memory core (P) and auxiliary core (H) in the memory core (P).

2. The method according to claim 1, characterized in that as an indicator for the achievement of the magnetic saturation state, the particularly steep rise occurring at this moment of the magnetizing current is used.

3. Circuit arrangement for the method according to claim 2, characterized in that in each case the magnetizing current of the relevant magnetic core (P; H) is passed through the primary winding (zp) of a transformer (Z) and that the on the secondary winding (zs) when reaching the Magnetic saturation state occurring particularly high voltage to respond to a switching means, in particular to ignite a gas pipe (V) , which directly or indirectly terminates the magnetization reversal process of the other magnetic core (H; P) through a relay (S ').

4. Circuit arrangement according to claim 3, characterized in that the ignition point of the gas tube (V) can be influenced by means of a controllable grid bias voltage source (Q).

5. Circuit arrangement for the method according to claim 1 or 2 or according to claim 3 or 4, characterized in that a ballistic galvanometer (T) is provided for measuring the required period of time for the relevant remagnetization, which during this period of time is connected to the voltage source causing the magnetizing current (U) is connected and its pointer deflection is a measure of this period of time.

6. Circuit arrangement for the method according to claim 1 or 2 or according to claim 3 or 4, characterized in that a recording device with a feed rate proportional to its operating voltage is provided to measure the required period of time for the relevant remagnetization, which during this period of time is used to adjust the magnetizing current causing voltage source (U) is connected and which writes a corresponding time-dependent character during the magnetization reversal time.

7. Circuit arrangement for the method according to claim 1 or 2 or according to claim 3 or 4, characterized in that the number of periods of an oscillator falling in its period is used as a measure of the time required for the relevant remagnetization, the frequency of its operating voltage is proportional and which is connected to the voltage source (U) causing the magnetization current during the magnetization reversal time.

8. Circuit arrangement for the method according to claim 1 or 2 or according to claim 3 or 4, characterized in that the voltage of a capacitor connected to the voltage source (U) causing the magnetization current during the magnetization reversal is used as a measure of the time required for the respective remagnetization .

9. Circuit arrangement for the method according to claim 1 or 2 or according to one of claims 3 to 8, characterized in that an adjustable compensation resistor (R) is provided which is connected in series with the memory core (P).

1 sheet of drawings