DE1050930B - - Google Patents

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DE1050930B
DE1050930B DENDAT1050930D DE1050930DA DE1050930B DE 1050930 B DE1050930 B DE 1050930B DE NDAT1050930 D DENDAT1050930 D DE NDAT1050930D DE 1050930D A DE1050930D A DE 1050930DA DE 1050930 B DE1050930 B DE 1050930B
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K4/00Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions
    • H03K4/06Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape
    • H03K4/08Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape
    • H03K4/48Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices
    • H03K4/50Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth voltage is produced across a capacitor
    • H03K4/501Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth voltage is produced across a capacitor the starting point of the flyback period being determined by the amplitude of the voltage across the capacitor, e.g. by a comparator

Description

Gegenstand der Erfindung ist eine Einrichtung zur Erzeugung sägezahnförmiger elektrischer Impulse mit einem von* einer Gleiclistromquelle gespeisten Kondensator und einem Halbleiter als Schaltorgan zur Entladung des Kondensators bei Erreichen einer bestimmten Kondensatorspannung. Der Halbleiter tritt dabei an die Stelle einer Glimmlampe bei anderen bekannten Impulserzeugern, die bei Überschreiten einer bestimmten Kondensatorspannung zündet, so daß sich der Kondensator über die Glimmlampe entlädt.The invention relates to a device for generating sawtooth-shaped electrical pulses with a capacitor fed by a direct current source and a semiconductor as a switching element for discharging the capacitor when a certain capacitor voltage is reached. The semiconductor takes the place of a glow lamp in other known pulse generators, which when exceeded a certain capacitor voltage ignites, so that the capacitor over the glow lamp discharges.

Die Einrichtungen mit Halbleitern haben gegenüber solchen mit Glimmlampen den Vorteil größerer Empfindlichkeit gegen Erschütterungen, größerer Lebensdauer und kleinerer Bauweise.Devices with semiconductors have the advantage over those with glow lamps Sensitivity to vibrations, longer service life and smaller construction.

Bei den bekanntgewordenen Einrichtungen dieser Art mit Halbleitern als Schaltorgane sind Doppelbasisdioden mit einer etwa einem Stromtor ähnlichen Wirkungsweise verwendet, die so lange von einem vom Kondensator herrührenden Strom durchflossen werden, wie eine Potentialdifferenz zwischen Kondensatorspannung und Gleichstromquelle vorliegt. Da die Diode dauernd von einem von der Gleichstromquelle eingespeisten Strom durchflossen wird, kann infolge der Eigenerwärmung eine konstante Frequenzfolge nicht gewährleistet werden. Eine gewollte Veränderung der Frequenzfolge ist bei der bekannten Anordnung nicht möglich, da der ohmsche Widerstand im 7?C-Kreis von einem von außen nicht beeinflußbaren Teil der Diode gebildet wird. Ferner sind die Amplitudenspannung und die Talspannung (oberste und unterste Grenze des Spannungsimpulses) miteinander in Abhängigkeit von der Spannung der Gleichstromquelle gekoppelt und somit nur gemeinsam verstellbar.The devices of this type that have become known with semiconductors as switching elements are double base diodes with a mode of operation similar to that of a Stromtor, which has been used for so long by a current coming from the capacitor are traversed, like a potential difference between the capacitor voltage and DC power source is present. Since the diode is continuously powered by one of the direct current source fed-in current flows through, a constant frequency sequence can occur due to the self-heating cannot be guaranteed. A deliberate change in the frequency sequence is in the known Arrangement not possible because the ohmic resistance in the 7? C circuit cannot be influenced from the outside Part of the diode is formed. Further are the amplitude voltage and the valley voltage (top and bottom limit of the voltage pulse) depending on the voltage of the Direct current source coupled and therefore only adjustable together.

Es sind ferner Röhrenschaltungen mit Rückkopplung zur Impulserzeugung bekanntgeworden, die jedoch entweder nur sinusförmige Schwingungen konstanter Amplitude oder sägezahnförmige Schwingungen rasch veränderlicher Amplitude erzeugen können.There are also tube circuits with feedback for pulse generation become known, however either only sinusoidal oscillations of constant amplitude or sawtooth oscillations can generate rapidly changing amplitude.

Es ist zwar auch möglich, mit entsprechend aufgebauten bekannten Röhrenschaltungen sägezahnförmige •Impulse konstanter Größe zu erzeugen; jedoch besteht dabei der Nachteil, daß bei einer Veränderung der Frequenz gleichzeitig zwangläufig eine Veränderung des einzelnen Sägezahnimpulses erfolgt.It is also possible, with appropriately constructed known tube circuits, to use sawtooth-shaped circuits • generate pulses of constant magnitude; however, there is the disadvantage that when changing the Frequency at the same time inevitably a change in the individual sawtooth pulse takes place.

Eine Vermeidung der geschilderten Nachteile bei den bekannten Einrichtungen ist· Aufgabe der Erfindung. Die Lösung besteht darin, daß zur getrennten Einstellung von Frequenz, Amplitudenspannung und Talspannung der Impulse der veränderbare Kondensator einerseits über einen Stellwiderstand an die Gleichstromquelle angeschlossen ist und andererseits Einrichtung zur Erzeugung
sägezahnförmiger elektrischer Impulse
The object of the invention is to avoid the disadvantages described in the known devices. The solution is that for the separate setting of frequency, amplitude voltage and valley voltage of the pulses, the variable capacitor is connected on the one hand via a variable resistor to the direct current source and on the other hand a device for generating it
sawtooth-shaped electrical impulses

Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke
Applicant:
Siemens-Schuckertwerke

Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Corporation,
Berlin and Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50

Dipl.-Phys. Helmut Schwab, Nürnberg,Dipl.-Phys. Helmut Schwab, Nuremberg,

ist als Erfinder genannt wordenhas been named as the inventor

mit einem Entladestromkreis verbunden ist, der einen kollektorgeerdeten Transistor in Reihenschaltung mit einem in seinem Übersetzungsverhältnis veränderbaren Transformator enthält, dessen Sekundärspannung zusammen mit einer veränderbaren Gleichspannung im Steuerkreis des Transformators während des Entladevorganges wirksam ist.is connected to a discharge circuit, which has a collector-earthed transistor in series with contains a transformer whose transformation ratio can be changed, its secondary voltage together with a variable DC voltage in the control circuit of the transformer during the Discharge process is effective.

Durch die getrennte Einstellmöglichkeit der Frequenz, der Aniplitudenspannung und der Talspannung kann mit ein und derselben Impulserzeugereinrichtung eine leichte Anpassung an alle an solche Einrichtungen gestellten Anforderungen erreicht werden, wie sie mit keiner der bekannten Einrichtungen dieser Art möglich ist. Ferner ist die neue Einrichtung hin-Due to the separate setting options for the frequency, the aniplitude voltage and the valley voltage can be easily adapted to all such devices with one and the same pulse generator device set requirements can be achieved, as they are with none of the known facilities of this Kind is possible. Furthermore, the new facility is

4.0 sichtlich der Frequenz der Impulse von der Eigentemperatur unabhängig, da der Halbleiter nur während der Dauer der Kondensatorentladung stromdurchflossen ist und vom 7?C-Kreis getrennt ist.
An Hand der Fig. 1 bis 3 sei die Erfindung näher erläutert. Fig. 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung, in der der Kondensator 1 von der Spannungsquelle 2 über einen Widerstand 3 aufgeladen wird. Im Entladestromkreis des Kondensators 1 liegt ein Transistor 4 in kollektorgeerdeter Schaltung sowie die Primärwicklung 5a eines Transformators 5, dessen Sekundärwicklung 5b in Reihe mit einer Spannungsquelle 6 im steuernden Basiskreis des Transistors angeordnet ist. In dieser Schaltung entspricht die Spannung Uq am Kondensatorl unter
4.0 , the frequency of the impulses is visibly independent of the intrinsic temperature, since the semiconductor only has current flowing through it for the duration of the capacitor discharge and is separated from the 7? C circuit.
The invention will be explained in more detail with reference to FIGS. 1 to 3. 1 shows an exemplary embodiment of the invention in which the capacitor 1 is charged from the voltage source 2 via a resistor 3 . In the discharge circuit of the capacitor 1 there is a transistor 4 in a collector-earthed circuit as well as the primary winding 5a of a transformer 5, the secondary winding 5b of which is arranged in series with a voltage source 6 in the controlling base circuit of the transistor. In this circuit, the voltage Uq across the capacitor corresponds to below

809 750/413809 750/413

Claims (1)

Vernachlässigung des Spannungsabfalls an der Wicklung Sa der Emitter-Kollektor-Spannung Ue des Transistors 4. Solange die Spannung Ue kleiner ist als die Spannung Uv der Spannungsquelle 6, ist der Transistor 4 geschlossen. Wird mit wachsender Kondensatorspannung Uc die Spannung Ue geringfügig größer als die Spannung Uv, so wird die Basis des Transistors 4 negativ gegenüber dem Emitter, d. h., der Transistor beginnt zu öffnen. Der nunmehr durch den Transistor 4 und die Primärwicklung 5a des Transformators 5 fließende Strom induziert in der Sekundärwicklung 5 b eine Spannung, die der Basisvorspannung Uv entgegengesetzt gerichtet ist. Damit sinkt die Basisspannung noch mehr, der Transistor öffnet mehr, durch die Wicklung 5 a fließt ein größerer Strom usw., bis der Transistor 4 voll geöffnet ist, so daß sich der Kondensator 1 über den Transistor 4 entladen kann.Neglecting the voltage drop across the winding Sa of the emitter-collector voltage U e of the transistor 4. As long as the voltage U e is less than the voltage U v of the voltage source 6, the transistor 4 is closed. If the voltage U e becomes slightly greater than the voltage U v as the capacitor voltage U c increases, the base of the transistor 4 becomes negative with respect to the emitter, ie the transistor begins to open. The current flowing through the transistor now 4 and the primary winding 5a of the transformer 5 current induced in the secondary winding 5 b a voltage which is directed opposite to the base bias voltage v U. The base voltage thus drops even more, the transistor opens more, a larger current flows through the winding 5 a, etc., until the transistor 4 is fully open, so that the capacitor 1 can discharge via the transistor 4. In Fig. 2 ist das Emitterstrom-Emitterspannungs-Kennlinienfeld für verschiedene Basisspannungen UB als Parameter aufgetragen. Man erkennt, daß der Transistor zu öffnen beginnt, sobald die Emitter-Kollektor-Spannuiig Ue wenige Zehntel Volt über der an der Spannungsquelle 6 eingestellten Basisvorspannung Uv liegt. Solange der Transistor geschlossen ist, ist UB-Uv. Beginnt jedoch der Emitterstrom zu fließen, so entsteht im Basisstromkreis des Transistors, wie oben beschrieben, noch die Sekundärspannung Uw2, die der Basisvorspannung Uv entgegengeschaltet ist, so daß für die Basisspannung des Transistors 4 giltIn Fig. 2, the emitter current-emitter voltage family of characteristics for different base voltages U B is plotted as a parameter. It can be seen that the transistor begins to open as soon as the emitter-collector voltage U e is a few tenths of a volt above the base bias voltage U v set at the voltage source 6 . As long as the transistor is closed, UB-U v . However, if the emitter current begins to flow, the secondary voltage U w2, which is connected in opposition to the base bias voltage U v , arises in the base circuit of the transistor, as described above, so that the base voltage of the transistor 4 applies Ub= Uv-Uw2.U b = U v -U w2 . Ist der Transistor geöffnet, so liegt nahezu die gesamte Kondensatorspannung Uc an der Wicklung 5 a des Transformators 5^ so daß in diesem Moment die Sekundärspannung Uw2 = m · Uc beträgt, wenn m das Übersetzungsverhältnis des Transformators 5 ist. Da jedoch die Spannung Uc des Kondensators 1 während der Entladung mehr und mehr sinkt, sinkt auch die Sekundärspannung Uw2, so daß die Basisspannung Ub ansteigt. Sobald die Emitterspannung UE gleich der Basisspannung Ub ist, beginnt der Transistor zu schließen, der an der Wicklung 5 a entstehende Spannungsabfall nimmt ab, die Basisspannung wird weiter erhöht usw., bis der Transistor 4 ganz geschlossen ist. Für die Schließspannung U Cj, die sogenannte »Talspannung«, ergibt sich somit die FormelIf the transistor is open, almost the entire capacitor voltage U c is applied to the winding 5 a of the transformer 5 ^ so that at this moment the secondary voltage U w2 = m · U c if m is the transformation ratio of the transformer 5 . However, since the voltage U c of the capacitor 1 falls more and more during the discharge, the secondary voltage U w2 also falls , so that the base voltage U b increases. As soon as the emitter voltage U E is equal to the base voltage U b , the transistor begins to close, the voltage drop occurring at the winding 5 a decreases, the base voltage is increased further, etc., until the transistor 4 is completely closed. The formula thus results for the closing voltage U C j, the so-called "valley voltage" U0T =UrU 0 T = U r - m m · Uct = ·U ct = Für das Übersetzungsverhältnis des Transformators 5 erhält man demnach bei vorgeschriebener Talspannung UCr und vorgegebener Spitzenspannung Uv die FormelThe formula for the transformation ratio of the transformer 5 is accordingly obtained with a prescribed valley voltage U C r and a prescribed peak voltage U v UrUr UciUci 1 .1 . Zusammenfassend ergibt sich, daß für die Impulslänge die Größe des Widerstandes 3 und die Kapazität des Kondensators 1 maßgebend ist, für die Höhe der Impulsspitze die Basisvorspannung Uv und fürIn summary, it follows that the size of the resistor 3 and the capacitance of the capacitor 1 are decisive for the pulse length, the base bias voltage U v for the height of the pulse peak and for ίο das Impulstal das Übersetzungsverhältnis m des Transformators 5. ίο the impulse valley is the transformation ratio m of the transformer 5. Die Einrichtung nach der Erfindung läßt sich schaltungsmäßig auf die verschiedensten Weisen aufbauen. So kann beispielsweise statt des dargestellten p-n-p-Flächentransistors ein anderer Transistortyp verwendet werden. Es ist weiterhin möglich, die Spannungsquelle 6 für die Basisvorspannung Uv und die Spannungsquelle 2 für die Aufladung des Kondensators 1 in einer einzigen Spannungsquelle mit entsprechender Anzapfung zusammenzuschalten, wie beispielsweise in Fig. 3 dargestellt ist. Dabei sind die gleichen Bezeichnungen wie in Fig. 1 beibehalten; die Spannungsquelle 2 dient in ihrer Gesamtheit zum Aufladen des Kondensators 1, während eine abgegriffene Teilspannung 26 die Basisvorspannung Uv des Transistors 4 liefert.The device according to the invention can be constructed in the most varied of ways in terms of circuitry. For example, instead of the pnp junction transistor shown, a different type of transistor can be used. It is also possible to connect the voltage source 6 for the base bias voltage U v and the voltage source 2 for charging the capacitor 1 in a single voltage source with a corresponding tap, as shown in FIG. 3, for example. The same designations as in FIG. 1 have been retained; the voltage source 2 serves in its entirety to charge the capacitor 1, while a tapped partial voltage 26 supplies the base bias voltage U v of the transistor 4. Patentanspruch:
Einrichtung zur Erzeugung sägezahnförmiger elektrischer Impulse mit einem von einer Gleichstromquelle gespeisten Kondensator und einem Halbleiter als Schaltorgan zur Entladung des Kondensators bei Erreichen einer bestimmten Kondensatorspannung, dadurch gekennzeichnet, daß zur getrennten Einstellung von Frequenz, Amplitudenspannung und Talspannung der Impulse der veränderbare Kondensator (1) einerseits über einen Stellwiderstand (3) an die Gleichstromquelle (2 bzw. 2 und 26) angeschlossen ist und andererseits mit einem Entladestromkreis verbunden ist, der einen kollektorgeerdeten Transistor (4) in Reihenschaltung mit einem in seinem Übersetzungsverhältnis veränderbaren Transformator (5) enthält, dessen Sekundärspannung zusammen mit einer veränderbaren Gleichspannung (6, 26) im Steuerkreis des Transformators während des Entladevorganges wirksam ist.
Claim:
Device for generating sawtooth-shaped electrical pulses with a capacitor fed by a direct current source and a semiconductor as a switching element for discharging the capacitor when a certain capacitor voltage is reached, characterized in that for the separate setting of frequency, amplitude voltage and valley voltage of the pulses, the variable capacitor (1) on the one hand is connected via a variable resistor (3) to the direct current source (2 or 2 and 26) and on the other hand is connected to a discharge circuit which contains a collector-earthed transistor (4) connected in series with a transformer (5) whose transformation ratio can be changed, the secondary voltage of which is effective together with a variable DC voltage (6, 26) in the control circuit of the transformer during the discharge process.
In Betracht gezogene Druckschriften:
»Electronics«, August 1953, S. 170 bis 173; März 1955, S. 198 bis 202;
Considered publications:
"Electronics", August 1953, pp. 170 to 173; March 1955, pp. 198 to 202;
Kerkhof und Werner, »Fernsehen«, 1954, Philips' Technische Bibliothek, S. 147.Kerkhof and Werner, "Fernsehen", 1954, Philips' Technical Library, p. 147. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings
DENDAT1050930D Pending DE1050930B (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1293208B (en) * 1965-04-01 1969-04-24 Stromag Maschf Synchronizable frequency-modulated pulse generator
DE1293209B (en) * 1965-03-02 1969-04-24 Philips Nv Circuit arrangement for converting a variable voltage into a voltage modulated in frequency and possibly in pulse duration

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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