DE1046194B - Transistor, crystal rectifier or the like. - Google Patents
Transistor, crystal rectifier or the like.Info
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Description
DEUTSCHESGERMAN
Die Erfindung bezieht sich auf einen Transistor, einen Kristallgleichrichter od. dgl., der in ein Gemisch aus einer Isoliermasse und einem gut wärmeleitf ähigen Füllmittel eingebettet ist. Unter einer Isoliermasse, auch Bindemittel genannt, wird hier ein Stoff verstanden, der in flüssiger oder plastischer Form mit dem Füllmittel mischbar ist. Ein Füllmittel kann als gut wärmeleitfähig betrachtet werden, wenn es eine höhere Wärmeleitfähigkeit besitzt als die Masse.The invention relates to a transistor, a crystal rectifier or the like. In a mixture is embedded from an insulating compound and a highly thermally conductive filler. Under an insulating compound, Also called binder, a substance is understood here that is in liquid or plastic form with is miscible with the filler. A filler can be regarded as having good thermal conductivity if it is a has higher thermal conductivity than the mass.
Als Isoliermasse haben sich als sehr gut anwendbar erwiesen polymerisierte Methylsiloxane, die auch unter dem Namen von »Silikonvakuumfett« oder »Silikon« bekannt sind, aber auch andere Isoliermassen und Bindemittel wie Kohlenwasserstoffe, z. B. Paraffin, sind brauchbar.Polymerized methylsiloxanes, which also have proven to be very useful as insulating compounds are known under the name of »silicon vacuum grease« or »silicon«, but also other insulating compounds and binders such as hydrocarbons, e.g. B. paraffin are useful.
Als gut wärmeleitfähige Füllmittel sind bereits Metallpulver, Quarz, Porzellanmehl und Titandioxyd vorgeschlagen.Metal powder, quartz, porcelain powder and titanium dioxide are already good heat-conducting fillers suggested.
Es hat sich nunmehr ergeben, daß es sehr schwierig ist, solche Füllmittel mit einem so hohen Reinheitsgrad herzustellen, daß sie keine schädliche Wirkung auf das halbleitende System ausüben. Einige sind geneigt, Feuchtigkeit aus der Umgebung zu absorbieren, wodurch die Eigenschaften der Systeme auch unstabil werden, während andere einen niedrigen Füllfaktor haben, so daß ihre Wärmeleitfähigkeit nicht vollkommen ausgenützt wird. Unter einem »Füllfaktor« soll hier der höchste Prozentsatz des Füllmittels verstanden werden, der in die Isoliermasse eingeführt werden kann, ohne daß Poren oder Höhlungen entstehen.It has now been found that it is very difficult to obtain such fillers with such a high degree of purity to ensure that they have no harmful effect on the semiconducting system. Some are inclined Absorb moisture from the environment, making the properties of the systems also unstable while others have a low fill factor, so their thermal conductivity does not is fully exploited. A “fill factor” should be the highest percentage of filler here be understood, which can be introduced into the insulating material without pores or cavities develop.
Um diese Nachteile zu beheben, ist gemäß der Erfindung als Füllmittel Siliziumkarbid in kristallinischer Form vorgesehen. Dieses Karbid hat eine sehr hohe Wärmeleitfähigkeit. Unter den bei einem Transistor, Kristallgleichrichter od. dgl. obwaltenden Verhältnissen verhält es sich indifferent.In order to remedy these disadvantages, silicon carbide is crystalline as a filler according to the invention Form provided. This carbide has a very high thermal conductivity. Among those in a transistor Crystal rectifiers or the like prevailing conditions, it behaves indifferently.
Das genannte Elektrodensystem ist vorzugsweise auf an sich bekannte Weise in eine Hülle eingeführt, die auch das erwähnte Gemisch enthält.Said electrode system is preferably introduced into a sheath in a manner known per se, which also contains the mixture mentioned.
Das Gemisch kann jedoch auch auf an sich bekannte Weise in Form einer festen Deckschicht angebracht werden. In diesem Falle muß die Isoliermasse selbstverständlich erhärtbar sein, um als Bindemittel wirken zu können.However, the mixture can also be applied in a manner known per se in the form of a solid cover layer will. In this case, the insulating compound must of course be hardenable in order to act as a binding agent to be able to work.
Die Erfindung wird an Hand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert, das in einer Zeichnung veranschaulicht ist.The invention is explained in more detail using an exemplary embodiment which is illustrated in a drawing is.
Die Zeichnung zeigt einen Längsschnitt eines Transistors in vergrößertem Maßstab.The drawing shows a longitudinal section of a transistor on an enlarged scale.
Dieser Transistor besteht aus dem eigentlichen, halbleitenden Elektrodensystem 1, das nicht weiter beschrieben wird. Es wird von drei Leitern 2 abgestützt, die in den Glasdeckel 3 der Hülle eingeschmol-Transistor, Kristallgleichrichter od. dgl.This transistor consists of the actual, semiconducting electrode system 1, which does not continue is described. It is supported by three conductors 2, which are melted into the glass cover 3 of the shell. Crystal rectifier or the like.
Anmelder:Applicant:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)NV Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Netherlands)
Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7Representative: Dr. rer. nat. P. Roßbach, patent attorney,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7th
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 4. März 1957Claimed priority:
Netherlands 4 March 1957
Günther Carl Maximilian Eduard Wolfrum,Günther Carl Maximilian Eduard Wolfrum,
Nijmegen (Niederlande),
ist als Erfinder genannt wordenNijmegen (Netherlands),
has been named as the inventor
zen sind. Diese Hülle besteht weiter aus einem einseitig verschlossenen Glasrohr 4, das annähernd um die Hälfte mit einem Gemisch 5 ausgefüllt ist, das aus 40 cm3 sogenanntem Silikonöl und 60 g Siliziumkarbid SiC in kristallinischer Form besteht. Dieses Gemisch ist viskos. Nachdem das Rohr 4 ausgefüllt ist, wird das Elektrodensystem 1 eingeführt und das Rohr wird mit dem Deckel verschmolzen. Dabei kann eine um die Drähte 2 geschmolzene Glasperle 6 als Puffer dienen, um die Wärme zu hindern, bis zum System 1 durchzudringen. Schließlich kann die Isoliermasse durch Zentrifugieren verdichtet werden.zen are. This envelope also consists of a glass tube 4 closed on one side, which is almost half filled with a mixture 5 consisting of 40 cm 3 of so-called silicon oil and 60 g of silicon carbide SiC in crystalline form. This mixture is viscous. After the tube 4 has been filled, the electrode system 1 is inserted and the tube is fused to the cover. A glass bead 6 melted around the wires 2 can serve as a buffer to prevent the heat from penetrating to the system 1. Finally, the insulating mass can be compacted by centrifugation.
Die Wärmeleitfähigkeit von Siliziumkarbid beträgt bei 25° C etwa 160-10-3CaI-cm-1-see-1-Grad-1. Für Quarz beträgt dieser Wert nur etwa 3, 1-10—3 calcm—1 ■ see—1 ·Grad—χ. Siliziumkarbid ist kein Isolator; es ist daher in den meisten Fällen erwünscht, das Elektrodensystem 1 und die Zuführungsleiter 2, sofern sie von dem Gemisch umgeben sind, mit einer dünnen isolierenden Lackschicht 7 zu überziehen, wodurch ein elektrischer Schluß zwischen den Elektroden oder den Zuführungsleitern des Systems verhütet wird.The thermal conductivity of silicon carbide at 25 ° C for about 3 160-10- CaI-cm- 1 -see- 1 -Grad-. 1 For quartz this value is only about 3.110— 3 calcm— 1 ■ see— 1 · degree— χ . Silicon carbide is not an insulator; It is therefore desirable in most cases to coat the electrode system 1 and the supply conductors 2, if they are surrounded by the mixture, with a thin insulating lacquer layer 7, which prevents an electrical short between the electrodes or the supply conductors of the system.
Claims (3)
Applications Claiming Priority (1)
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