DE10361792B4 - Vorrichtung zur Messung der Schichtdicke und der Krümmung von mindestens teilweise reflektierenden Oberflächen von Schichten und deren Verwendung - Google Patents
Vorrichtung zur Messung der Schichtdicke und der Krümmung von mindestens teilweise reflektierenden Oberflächen von Schichten und deren Verwendung Download PDFInfo
- Publication number
- DE10361792B4 DE10361792B4 DE10361792A DE10361792A DE10361792B4 DE 10361792 B4 DE10361792 B4 DE 10361792B4 DE 10361792 A DE10361792 A DE 10361792A DE 10361792 A DE10361792 A DE 10361792A DE 10361792 B4 DE10361792 B4 DE 10361792B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- light
- layer
- reflected
- curvature
- light rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 241000269627 Amphiuma means Species 0.000 claims abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract 2
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 238000009675 coating thickness measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000012625 in-situ measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
Vorrichtung
zur Messung der Schichtdicke und der Krümmung von mindestens teilweise
reflektierenden Oberflächen
von Schichten in einer Beschichtungsapparatur, insbesondere während der
Schichtherstellung,
gekennzeichnet durch
a. Mittel zum Beleuchten der Schichtoberfläche mit mindestens zwei nahezu parallelen Lichtstrahlen,
b. die nahezu parallele Führung der einfallenden und der an der Schichtoberfläche reflektierten Lichtstrahlen in der Beschichtungsapparatur,
c. einen Strahlteiler zur Trennung der einfallenden und der an der Schichtoberfläche reflektierten Lichtstrahlen voneinander,
d. einen Zeilen- oder Flächendetektor, aus dessen Signalen sowohl der Abstand von mindestens zwei an der Schichtoberfläche reflektierten und auf den Detektor auftreffenden Lichtstrahlen als Maß für die Krümmung als auch die Intensität der an der Schicht reflektierten Lichtstrahlen oder deren Gesamtintensität als Maß für die Schichtdicke abgeleitet wird.
gekennzeichnet durch
a. Mittel zum Beleuchten der Schichtoberfläche mit mindestens zwei nahezu parallelen Lichtstrahlen,
b. die nahezu parallele Führung der einfallenden und der an der Schichtoberfläche reflektierten Lichtstrahlen in der Beschichtungsapparatur,
c. einen Strahlteiler zur Trennung der einfallenden und der an der Schichtoberfläche reflektierten Lichtstrahlen voneinander,
d. einen Zeilen- oder Flächendetektor, aus dessen Signalen sowohl der Abstand von mindestens zwei an der Schichtoberfläche reflektierten und auf den Detektor auftreffenden Lichtstrahlen als Maß für die Krümmung als auch die Intensität der an der Schicht reflektierten Lichtstrahlen oder deren Gesamtintensität als Maß für die Schichtdicke abgeleitet wird.
Description
- Die Messung der Krümmung von Oberflächen kann bei Hetero- oder Mehrschichtsystemen zur Bestimmung der Schichtverspannung genutzt werden. Dies ist z. B. von besonderem Interesse bei der Abscheidung von stark gitter- oder thermisch fehlangepassten Halbleitermaterialien auf Heterosubstraten. Dabei kann z. B. die thermische Fehlanpassung solcher Schichten im Falle einer Zugverspannung zu einem Reißen der aufgebrachten Schicht führen, womit sie unbrauchbar wird. Möglichkeiten zur Rissreduktion beruhen meist auf der Kompensation der Zugverspannung durch das Einfügen kompressiv vorspannender Schichten. Dabei ist schon während des Wachstumsvorgangs die Kenntnis über die Spannungsverhältnisse wichtig, um am Ende möglichst unverspannte Schichten zu erhalten. Ohne eine in-situ Messung sind aufwendige Messreihen notwendig, die bei Änderung des Schichtaufbaus wiederholt werden müssen.
- Durch die Messung der Probenkrümmung kann bei einer Schichtdicke, die deutlich geringer als das darunterliegende Substrat ist, aus der Stoney Gleichung [G.G. Stoney, Proc. Roy. Soc. London A 82, 172 (1909)] die Gesamtverspannung bestimmt werden, bei bekannter Schichtdicke auch die Verspannungsenergie z.B. pro Mikrometer. Dies gilt auch für Mehrschichtsysteme, wenn während des Abscheidungsvorgangs die Krümmung gemessen wird, woraus iterativ die Verspannung für jede einzelne Schicht bestimmt werden kann. Das Hauptproblem der Messung der Krümmung in Beschichtungsanlagen, wie z. B. der metallorganischen Gasphasenepitaxie, ist häufig die Zugänglichkeit. So kann nur optisch eine Messung ohne Beeinflussung des Wachstumsvorgangs erfolgen. Dabei bietet sich die Messung der Ablenkung eines Lichtstrahls an. Jedoch ist das häufig verwendete Abrastern der Probenoberfläche und das Messen der Ablenkung in der Regel nicht praktikabel, da dies zu lange dauert und die Geometrie solcher Aufbauten ein großes Fenster als optischen Zugang verlangen. In der
US 005912738A wird ein Aufbau beschrieben, mit dem die Krümmung einer Probenoberfläche während der Schichtabscheidung gemessen werden kann. Dort wird mit einer Strahlgeometrie gearbeitet, die zwei Fenster oder ein sehr breites für den Strahlengang benötigt, da die ein- und ausfallenden Strahlen in einem Winkel zur Probenoberfläche stehen. Dies macht dieses System für eine Vielzahl von Beschichtungsanlagen unbrauchbar. - Ähnlich arbeiten auch die in der
US 5 067 817 und derDE 696 22 896 T2 beschriebenen Verfahren zur Krümmungsmessung. Bei diesen wird die Winkeländerung zweier eng benachbarter Lichtstrahlen vor und nach der Reflexion an der Probenoberfläche mit positionsempfindlichen Lichtdetektoren bestimmt und daraus die Krümmung der Probenoberfläche ermittelt. Eine Möglichkeit zur gleichzeitigen Bestimmung der Schichtdicke ist jedoch nicht offenbart. - In der
US 5 232 547 ist eine kombinierte Krümmungs- und Schichtdickenmessung beschrieben, wobei jedoch die Schichtdickenmessung mittels der relativ aufwendigen Ellipsometrie erfolgt. Ähnlich oder noch aufwändiger ist auch das in derUS 5 648 849 beschriebene Verfahren, bei dem Morphologie und Dicke einer dünnen Schicht mittels interferometrischer Verfahren bestimmbar ist, was jedoch die Verwendung einer polychromatischen Lichtquelle und eines Monochromators voraussetzt. - Die vorliegende Erfindung löst nun nach Anspruch 1 das Problem der Zugänglichkeit durch eine nahezu parallele Strahlführung der zur Beleuchtung der Schichtoberfläche verwendeten und der an der Schichtoberfläche reflektierten Lichtstrahlen, wozu zur Trennung der ein- und ausfallenden Strahlen ein Strahlteiler eingesetzt wird.
- Die Schichtdicke der wachsenden Schicht wird aus dem zeitlichen Verhalten der an der Schichtoberfläche reflektierten Intensität der Lichtpunkte oder der Gesamtintensität ermittelt, wobei diese Intensitätsmessung bei einer Wellenlänge bzw. in einem kleinen Wellenlängenintervall erfolgt. Diese Schichtdickenmessung nutzt den Effekt, dass es durch die Reflektion des Strahls an der Schichtober- und Unterseite, bzw. an inneren Grenzflächen der Schichtstruktur, zur teilweisen Auslöschung des reflektierten Lichtes infolge von Interferenz kommt. Daraus kann bei bekannter Wellenlänge und Dispersion die Schichtdicke während des Schichtwachstums bestimmt werden.
- Die Krümmungsmessung erfolgt dabei durch die Messung des Abstands mindestens zweier Lichtpunkte, die z. B. durch die Aufteilung an einem zur Strahlrichtung gekippten Etalon nach Anspruch 2 entstehen können. Es ist aber auch die Verwendung mehrerer Lichtquellen, vorzugsweise Laser, nach Anspruch 3 oder von holographischen Gittern in Verbindung mit einem Laser nach Anspruch 4 denkbar. Wichtig ist dabei zur Bestimmung der Probenkrümmung die genaue Kenntnis der Geometrie des Strahlenverlaufs und der Divergenz der primär erzeugten Strahlen zueinander, die Idealerweise gleich oder nahe Null ist, um in engen Geometrien, also z. B. durch kleine Fenster hindurch die Messung durchführen zu können. Ansprüche 5 und 6 sind speziell bei der Verwendung eines zur Strahlrichtung gekippten Etalons hilfreich, eine hohe Signalintensität für die höheren Lichtpunktordnungen zu erzielen. Da für das Erzeugen einer Lichtpunktreihe oder eines Lichtpunktgitters viele Teilreflektionen notwendig sind, wird ein hochverspiegeltes Etalon verwendet. Dadurch werden aber über 95% des Lichts bei der ersten Reflektion auf der Etalonoberfläche reflektiert und stehen dann nicht mehr zur Verfügung. Um hohe Lichtintensitäten zu erzielen, wird nun dieses Licht mittels eine Spiegels wieder in das Etalon zurückreflektiert, womit entweder eine weitere intensive Lichtpunktreihe oder weitere Lichtpunkte erzeugt werden können. Bei geschickter Justage kann auch direkt die Intensität der sekundären und weiteren Lichtpunkte stark erhöht werden.
- Die zur Bestimmung der Krümmung notwendige Kenntnis der Ablenkung der Lichtpunkte auf der Probenoberfläche wird durch das Messen der Lichtpunkte mit einem Zeilen- oder Flächendetektor vorgenommen. Bei rotierenden Proben ist ein Flächendetektor vorteilhaft, da sich hier die Lichtstrahlen durch Torkeln oder eine sehr starke Probenkrümmung in zwei Dimensionen verschieben können. Besonders geeignet ist hierbei ein CMOS Sensor, der die Aufnahme der Intensität logarithmisch vornehmen kann, wodurch die Hintergrundstrahlung, hervorgerufen von der Wärmestrahlung oder durch Raumlicht, durch die logarithmische Bewertung als schwächeres Signal ausgegeben und somit das Signal zu Rausch Verhältnis verbessert wird.
- Anspruch 7 löst auch das Problem der thermischen Hintergrundstrahlung oder von Hintergrundlicht weitgehend. Um die unerwünschte Strahlung zu reduzieren, wird ein optischer Bandpass wie ein Kantenfilter oder ein dielektrischer Spiegel vor dem Detektor, wie z. B. Bauteil 7 in Zeichnung I, verwendet, der nur die Wellenlänge bzw. Wellenlängenbereiche der zur Messung dienenden Lichtstrahlen durchlässt. Hierbei sind auch Filter eingeschlossen, die als Tiefpass arbeiten, also nur langwellige Anteile abschneiden.
- Durch das Messen der Hintergrundstrahlung nach Anspruch 8 bei Verwendung des Aufbaus mit oder ohne optischen Bandfilter oder, bei Verwendung eines optischen Bandfilters, vor bzw. neben dem Detektor kann die Oberflächentemperatur der Probe ermittelt werden, indem dazu entweder die gesamte Intensität herangezogen wird oder die Intensität bei einer oder mehreren Wellenlängen.
- Die Auswertung erschwerende Einfach- oder Vielfachreflektionen treten häufig am Eintrittsfenster zur Apparatur auf, welches entweder nach Anspruch 9 bei der entsprechenden Wellenlänge entspiegelt sein kann oder nach Anspruch 10 leicht verkippt d.h. im Winkel von wenigen Grad z.B. 3° angebracht wird und so keine Rückreflektion in die Messapparatur mehr ermöglicht.
-
1 zeigt die mögliche Ausführung der erfindungsgemäßen Vorrichtung. Der aus der Lichtquelle1 austretende üblicherweise schwach divergente Laserstrahl wird hier durch eine Linse2 möglichst auf den Detektor8 fokussiert, um scharte Lichtpunkte zu erhalten. Die Strahlaufteilung erfolgt durch ein Etalon3 . Dabei kann durch einen zusätzlichen Spiegel4 nach Anspruch 5 eine Verstärkung der Signalintensität der höheren Strahlordnungen erzielt oder es können nach Anspruch 6 zusätzliche Lichtpunkte auf der Probe erzeugt werden. In der Zeichnung I werden nach dem Etalon nur 2 Strahlen weiterverfolgt, die hinter dem Strahlteiler5 auf die Probe6 treffen. Ist die Probe, wie in der Zeichnung gezeigt, gekrümmt, so wird der nun divergente Strahl vom Strahlteiler Richtung Detektor8 geleitet, wobei in diesem Fall noch durch einen Kantenfilter7 die störende Hintergrundstrahlung ausgefiltert wird. - Durch die Führung der ein- und ausfallenden Strahlen können mit dieser Apparatur auch Krümmungsmessungen bei engen Geometrien durchgeführt werden, da Messöffnungen von 3–5 mm in den meisten Fällen ausreichen, damit auch die nach der Probe divergenten Strahlen auf den Detektor treffen.
- Die vorstehend beschriebene Ausführungsform stellt neben vielen anderen Ausführungsmöglichkeiten nur eine mögliche Ausführung der erfindungsgemäßen Vorrichtung dar.
Claims (10)
- Vorrichtung zur Messung der Schichtdicke und der Krümmung von mindestens teilweise reflektierenden Oberflächen von Schichten in einer Beschichtungsapparatur, insbesondere während der Schichtherstellung, gekennzeichnet durch a. Mittel zum Beleuchten der Schichtoberfläche mit mindestens zwei nahezu parallelen Lichtstrahlen, b. die nahezu parallele Führung der einfallenden und der an der Schichtoberfläche reflektierten Lichtstrahlen in der Beschichtungsapparatur, c. einen Strahlteiler zur Trennung der einfallenden und der an der Schichtoberfläche reflektierten Lichtstrahlen voneinander, d. einen Zeilen- oder Flächendetektor, aus dessen Signalen sowohl der Abstand von mindestens zwei an der Schichtoberfläche reflektierten und auf den Detektor auftreffenden Lichtstrahlen als Maß für die Krümmung als auch die Intensität der an der Schicht reflektierten Lichtstrahlen oder deren Gesamtintensität als Maß für die Schichtdicke abgeleitet wird.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch das Verwenden eines Etalons zur Aufspaltung und damit zur Erzeugung mehrerer Lichtstrahlen.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch das Verwenden von mehreren Lichtquellen zur Erzeugung mehrerer Lichtstrahlen.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch das Verwenden einer Beugungsanordnung oder eines holographischen Gitters, das ein Punkt- oder Linienmuster erzeugt, zur Erzeugung mehrerer Lichtstrahlen.
- Vorrichtung nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Spiegels zur Erhöhung der Lichtintensität durch Rückreflektion des ersten, am Etalon reflektierten, Strahls.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, 2 und/oder 5, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Spiegels zur Erzeugung einer oder mehrerer versetzter Lichtpunktlinien analog zu den primär erzeugten Lichtpunkten.
- Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch die Verwendung eines optischen Bandpasses im reflektierten Strahlengang.
- Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch Mittel zur Bestimmung der Oberflächentemperatur der zu vermessenden Schicht durch Messung der Hintergrundstrahlung.
- Verwendung einer Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche an einer Beschichtungsapparatur über ein entspiegeltes Eintrittsfenster.
- Verwendung einer Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche an einer Beschichtungsapparatur über ein Eintrittsfenster, das um wenige Grad gegenüber der Oberfläche der zu vermessenden Schicht verkippt ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10361792A DE10361792B4 (de) | 2003-05-02 | 2003-12-31 | Vorrichtung zur Messung der Schichtdicke und der Krümmung von mindestens teilweise reflektierenden Oberflächen von Schichten und deren Verwendung |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE20306904U DE20306904U1 (de) | 2003-05-02 | 2003-05-02 | Vorrichtung zur Messung der Schichtdicke und der Krümmung von mindestens teilweise reflektierenden Oberflächen von Schichten |
DE20306904.8 | 2003-05-02 | ||
DE10361792A DE10361792B4 (de) | 2003-05-02 | 2003-12-31 | Vorrichtung zur Messung der Schichtdicke und der Krümmung von mindestens teilweise reflektierenden Oberflächen von Schichten und deren Verwendung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10361792A1 DE10361792A1 (de) | 2004-11-25 |
DE10361792B4 true DE10361792B4 (de) | 2005-11-24 |
Family
ID=27816377
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE20306904U Expired - Lifetime DE20306904U1 (de) | 2003-05-02 | 2003-05-02 | Vorrichtung zur Messung der Schichtdicke und der Krümmung von mindestens teilweise reflektierenden Oberflächen von Schichten |
DE10361792A Expired - Lifetime DE10361792B4 (de) | 2003-05-02 | 2003-12-31 | Vorrichtung zur Messung der Schichtdicke und der Krümmung von mindestens teilweise reflektierenden Oberflächen von Schichten und deren Verwendung |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE20306904U Expired - Lifetime DE20306904U1 (de) | 2003-05-02 | 2003-05-02 | Vorrichtung zur Messung der Schichtdicke und der Krümmung von mindestens teilweise reflektierenden Oberflächen von Schichten |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (2) | DE20306904U1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2546600A1 (de) | 2011-07-11 | 2013-01-16 | LayTec AG | Verfahren und Vorrichtung zur Echtzeit-Bestimmung der sphärischen und nicht sphärischen Krümmung einer Oberfläche |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7505150B2 (en) | 2005-05-13 | 2009-03-17 | Laytec Gmbh | Device and method for the measurement of the curvature of a surface |
DE102005023302B4 (de) * | 2005-05-13 | 2010-09-16 | Laytec Gesellschaft Für In-Situ und Nano-Sensorik mbH | Vorrichtung und Verfahren zur Messung der Krümmung einer Oberfläche |
WO2007015616A1 (en) * | 2005-08-01 | 2007-02-08 | Nanotron Technologies, Inc. | Apparatus and method for measuring curvature using multiple beams |
US20070146685A1 (en) * | 2005-11-30 | 2007-06-28 | Yoo Woo S | Dynamic wafer stress management system |
CN106949843A (zh) * | 2016-01-07 | 2017-07-14 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 微镜镜面翘曲程度检测装置以及检测方法 |
DE102016203298B3 (de) * | 2016-03-01 | 2017-03-23 | Nasp Iii/V Gmbh | Verfahren zur Charakterisierung von Halbleitermaterialien |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5067817A (en) * | 1990-02-08 | 1991-11-26 | Bauer Associates, Inc. | Method and device for noncontacting self-referencing measurement of surface curvature and profile |
US5232547A (en) * | 1992-07-01 | 1993-08-03 | Motorola, Inc. | Simultaneously measuring thickness and composition of a film |
US5648849A (en) * | 1994-04-05 | 1997-07-15 | Sofie | Method of and device for in situ real time quantification of the morphology and thickness of a localized area of a surface layer of a thin layer structure during treatment of the latter |
US5912738A (en) * | 1996-11-25 | 1999-06-15 | Sandia Corporation | Measurement of the curvature of a surface using parallel light beams |
DE69622896T2 (de) * | 1995-02-11 | 2002-12-05 | Roke Manor Research | Verbesserungen an Oberflächenkrümmungsmessungen |
-
2003
- 2003-05-02 DE DE20306904U patent/DE20306904U1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-31 DE DE10361792A patent/DE10361792B4/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5067817A (en) * | 1990-02-08 | 1991-11-26 | Bauer Associates, Inc. | Method and device for noncontacting self-referencing measurement of surface curvature and profile |
US5232547A (en) * | 1992-07-01 | 1993-08-03 | Motorola, Inc. | Simultaneously measuring thickness and composition of a film |
US5648849A (en) * | 1994-04-05 | 1997-07-15 | Sofie | Method of and device for in situ real time quantification of the morphology and thickness of a localized area of a surface layer of a thin layer structure during treatment of the latter |
DE69622896T2 (de) * | 1995-02-11 | 2002-12-05 | Roke Manor Research | Verbesserungen an Oberflächenkrümmungsmessungen |
US5912738A (en) * | 1996-11-25 | 1999-06-15 | Sandia Corporation | Measurement of the curvature of a surface using parallel light beams |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
G.G. Stoney, in: Proc. Roy. Soc. London A 82 (1909) 172 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2546600A1 (de) | 2011-07-11 | 2013-01-16 | LayTec AG | Verfahren und Vorrichtung zur Echtzeit-Bestimmung der sphärischen und nicht sphärischen Krümmung einer Oberfläche |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10361792A1 (de) | 2004-11-25 |
DE20306904U1 (de) | 2003-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69333054T2 (de) | Genaue Wellenlängeneichung eines Spektrometers | |
EP3891465B1 (de) | Optische messeinrichtung | |
CH654914A5 (de) | Optoelektronisches messverfahren und einrichtung zum bestimmen der oberflaechenguete streuend reflektierender oder transparenter oberflaechen. | |
DE2505063A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur feststellung von fotomaskendefekten | |
EP1152236A2 (de) | Optische Messanordnung mit einem Ellipsometer | |
DE3713149A1 (de) | Fernmess-spektrophotometer | |
EP0201861B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur optischen Spannungsmessung | |
EP1507137B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur polarisationsabhängigen und ortsaufgelösten Untersuchung einer Oberfläche oder einer Schicht | |
DE10361792B4 (de) | Vorrichtung zur Messung der Schichtdicke und der Krümmung von mindestens teilweise reflektierenden Oberflächen von Schichten und deren Verwendung | |
DE102005023302B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Messung der Krümmung einer Oberfläche | |
DE102010016462B4 (de) | Schichtmessverfahren und Messvorrichtung | |
DE102008064665B4 (de) | Partikelgrößenmessgerät | |
DE102020109742B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen frequenzabhängiger Brechungsindizes | |
DE102008064760B3 (de) | Partikelgrößenmessgerät | |
DE102013219440A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur optischen Analyse eines Prüflings | |
EP3812697A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zur profilmessung von flachen objekten mit unbekannten materialien | |
DE3814606C2 (de) | ||
EP1434977A1 (de) | Scatterometrische messanordnung und messverfahren | |
DE102008047370B4 (de) | Partikelgrößenmessgerät | |
DE102008064666B4 (de) | Partikelgrößenmessgerät | |
DE102010040643B3 (de) | Messvorrichtung zum optischen Erfassen von Eigenschaften einer Probe | |
DE102016202971A1 (de) | Ellipsometervorrichtung und Ellipsometrieverfahren zur Untersuchung einer Probe | |
AT500501B1 (de) | Vorrichtung zur messung von teilstrecken am auge mittels fourier-domain kurzkohärenz-interferometrie | |
DE4432313C2 (de) | Vorrichtung zur Untersuchung von Oberflächentopographien mittels Streifen-Triangulation | |
DE102023203568A1 (de) | Interferometrische Messvorrichtung zur Vermessung einer Rauheit einer Testoberfläche |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R071 | Expiry of right |