DE10353694A1 - microscopy apparatus - Google Patents
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Abstract
Mikroskopievorrichtung zur Beobachtung einer Probe und Verfahren zur Beobachtung einer Probe in einer Mikroskopievorrichtung mit einem planaren Lichtwellenleiter, in dem ein eingekoppelter Lichtstrahl zumindest im Bereich eines Probenaufnahmeabschnitts geführt wird, der auf dem Lichtwellenleiter ausgebildet ist, wobei eine Objektiveinrichtung vorgesehen ist, die auf den Probenaufnahmeabschnitt gerichtet ist.Microscopy device for observing a sample and method for observing a sample in a microscope device with a planar optical waveguide, in which a coupled light beam is guided at least in the region of a sample receiving portion, which is formed on the optical waveguide, wherein an objective device is provided, which is directed to the sample receiving portion is.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft Mikroskopievorrichtung zur Beobachtung einer Probe und ein Verfahren zur Beobachtung einer Probe in einer Mikroskopievorrichtung.The The present invention relates to microscopy apparatus for observation a sample and a method for observing a sample in one Microscopy apparatus.
Ein Grundproblem der Mikroskopie an dreidimensionalen Objekten besteht in der Überlagerung der Lichtsignale aus verschiedenen Ebenen der Probe. Daraus resultiert ein verschwommener Hintergrund, der dem Bild aus dem Bereich der scharfen Abbildung überlagert ist. Idealerweise möchte man die dreidimensionale Information des Objektes, d.h. die Bilder aus verschiedenen Ebenen in z-Richtung erhalten, ohne eine Beeinflussung des Bildes aus anderen Objektebenen.One Basic problem of microscopy on three-dimensional objects exists in the overlay of the Light signals from different levels of the sample. This results a blurry background that is out of the field of the picture sharp image overlaid is. Ideally the three-dimensional information of the object, i. the pictures obtained from different levels in z-direction, without any influence the image from other object layers.
Heute werden hauptsächlich drei Verfahren zur Trennung der z-Stapel eingesetzt. Bei der konventionellen Mikroskopie kann durch Nachbearbeitung der Bilder aus verschiedenen Schärfe-Ebenen (z-Stapel) eine nachträgliche Verbesserung erreichen. Hierzu existieren sogenannte Dekonvolutionsalgorithmen. Der Nachbearbeitung nicht optimaler Ausgangsdaten sind jedoch generell Verfahren überlegen, die durch geeignete optische Anordnungen die Trennung der Ebenen erreichen.today become mainly used three methods for separating the z-stack. In the conventional Microscopy can be done by reworking the images from different ones Sharpness levels (z-stack) an afterthought Achieve improvement. For this purpose, so-called deconvolution algorithms exist. However, the post-processing of non-optimal output data is general Consider the process which by appropriate optical arrangements, the separation of the planes to reach.
Ein solches Verfahren ist die Laser-Scan Mikroskopie. Dabei wird die Trennung der z-Stapel vorgenommen, indem ein fokussierter Laserstrahl über die Probe scannt. Ein im Abbildungsstrahlengang angebrachtes Pin-hole bewirkt, dass nur Licht aus einer Ebene auf den Detektor gelangt. Durch sukzessives Abscannen verschiedene Ebenen gewinnt man die komplette dreidimensionale Information. Diese Mikroskope sind jedoch sehr aufwändig und teuer. Das Scannen der einzelnen Ebenen bedeutet auch einen relativ hohen Zeitaufwand, so dass bewegte Objekte (z.B. lebende Zellen) nur eingeschränkt erfassbar sind.One such method is laser-scan microscopy. Here is the Separation of the z-stack made by scanning a focused laser beam over the sample. An im Imaging beam path mounted pin-hole causes only light from a plane to the detector. By successive scanning different levels one wins the complete three-dimensional information. However, these microscopes are very complicated and expensive. The scanning the individual levels also means a relatively high amount of time, so that moving objects (e.g., living cells) can be detected only to a limited extent.
Seit
wenigen Jahren wird als ein weiteres Verfahren die Totalreflexionsmikroskopie
(TIRM: Total infernal reflection mnicroscopy) eingesetzt. Hier erfolgt
die Beleuchtung durch das sogenannte evaneszente Feld, das bei Totalreflexion
einer Lichtwelle an einer Glasoberfläche entsteht (
Auf diese Weise wird nur der direkt an der Oberfläche befindliche Teil des Objektes ausgeleuchtet und entsprechend auch nur dieser Teil beobachtet. Die Eindringtiefe ist für einen Glas – Wasser – Übergang ca. 200 – 300 nm. Damit wird – ähnlich der Laserscanmikroskopie ein Schnitt durch die Probe gelegt, der deutlich 'dünner' ist als im Fall des Laser-Scan-Mikroskops. Allerdings ist im Fall der TIRM die Lage des beobachtbaren Bereiches nicht beliebig, sondern auf die Oberfläche des Objektträgers festgelegt.On This way, only the part of the object located directly on the surface will become lit and accordingly observed only this part. The penetration depth is for a glass - water transition about 200 - 300 nm. This is - similar to laser scanning microscopy a section through the sample, which is significantly 'thinner' than in the case of the laser scanning microscope. However, in the case of TIRM, the location of the observable area not arbitrary, but fixed to the surface of the slide.
Die TIRM ist auch in Kombination mit der Fluoreszenzmikroskopie verwendbar. in diesem Fall erfolgt die Anregung der Fluoreszenz durch das Evaneszentfeld. Die Bildaufnahme wird im Spektralbereich der Fluoreszenzemission durchgeführt. Man spricht in diesem Fall von TIRFM (Total internal reflection fluorescence microscopy).The TIRM is also useful in combination with fluorescence microscopy. In this case, the fluorescence is excited by the evanescent field. The image acquisition is in the spectral range of the fluorescence emission carried out. In this case one speaks of TIRFM (Total internal reflection fluorescence microscopy).
Grundsätzlich sind zwei Anordnungen der Beleuchtung bekannt; Sie kann entweder durch das Objektiv erfolgen oder auf der dem Objektiv gegenüber liegenden Seite des Objektes durch ein Prisma. Diese Anordnungen haben folgende Vor- und Nachteile: Die Beleuchtung durch das Objektiv hat den Vorteil, dass das Licht die auf dem Objektträger liegende Probe beleuchtet, ohne dass das Umgebungsmedium durchstrahlt werden muss. Andererseits wird das Objektiv durchstrahlt. Bei empfindlichen fluoreszenzoptischen Detektionsverfahren kann das im Objektiv entstehende Streulicht die Messung erheblich stören, da die Anregungsintensitäten um Größenordnungen über den nachzuweisenden Lichtintensitäten liegen. Damit kann auch bei guten Interferenzfiltern noch so viel Anregungslicht in die Detektioneinheit gelangen, dass ein störender Untergrund vorgefunden wird. Die alternative Methode ist die Anregung auf der dem Objektiv gegenüberliegenden Seite des Objektes. Da die Totalreflexionsbedingung nicht durch Einstrahlung auf eine Seite einer planparallelen Platte erreicht wird, muss hier ein Prisma eingesetzt werden. In diesem Fall sind Anregungs- und Emissionsstrahlengang getrennt. Allerdings muss in diesem Fall der Probenraum über dem zu beobachtenden Bereich an der Objektträgeroberfläche durchstrahlt werden. In der Regel befinden sich biologische Proben z.B. in Puffermedien. Unter Umständen werden diesen Medien während der Beobachtung Reagenzien oder Nährstoffe zugegeben. Damit kann aber der Beobachtungsstrahlengang stark gestört werden, was unter anderem die erreichbare Auflösung vermindert. Auch der Teil der Probe, der sich in einem größeren Abstand von der Prismenoberfläche befindet, kann durch Absorption oder Streuung des Lichtes zur Reduktion der Bildqualität beitragen.Basically two arrangements of lighting known; You can either through the lens made or on the lens opposite Side of the object through a prism. These arrangements have the following Pros and Cons: Lighting through the lens has the advantage the light illuminates the sample on the slide, without the ambient medium must be irradiated. on the other hand the lens is irradiated. For sensitive fluorescent optical Detection method, the resulting scattered light in the lens considerably disturb the measurement, because the excitation intensities um Orders of magnitude over the to be detected light intensities lie. So much can be done even with good interference filters Exciting light in the detection unit get that a disturbing background is found. The alternative method is the stimulation on the opposite the lens Side of the object. Since the total reflection condition is not through Radiation reached on one side of a plane-parallel plate is, must be used here a prism. In this case are Excitation and emission beam path separated. However, in In this case, the sample space above that too be observed radiating area on the slide surface. In usually biological samples are e.g. in buffer media. In certain circumstances be this media during the observation reagents or nutrients added. So that can but the observation beam are severely disturbed, resulting among other things the achievable resolution reduced. Also, the part of the sample that is at a greater distance from the prism surface can, by absorption or scattering of light for reduction contribute to the picture quality.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Mikroskopievorrichtung zur Beobachtung einer Probe und ein Verfahren zur Beobachtung einer Probe in einer Mikroskopievorrichtung zu schaffen wobei eine Beobachtung der Probe mit hoher Bildqualität möglich ist.It the object of the present invention is a microscopy device for observing a sample and a method for observing a sample in a microscopy device to provide an observation the sample with high image quality possible is.
Im Hinblick auf den Vorrichtungsaspekt wird diese Aufgabe erfindungsgemäß gelöst durch Mikroskopievorrichtung zur Beobachtung einer Probe mit: einem planaren Lichtwellenleiter, auf dem ein Probenaufnahmeabschnitt zur Aufnahm der Probe vorgesehen ist, einer Lichteinkoppeleinrichtung zum Einkoppeln von Licht in den planaren Lichtwellenleiter, wobei der planare Lichtwellenleiter zur Führung eines eingekoppelten Lichtstrahls zumindest im Bereich des Probenaufnahmeabschnitts vorgesehen ist, und einer Objektiveinrichtung, die auf den Probenaufnahmeabschnitt gerichtet ist.in the With regard to the device aspect, this object is achieved by Microscopy device for observing a sample with: a planar Optical waveguide on which a sample receiving section for receiving the sample is provided, a light coupling device for coupling of light in the planar optical waveguide, wherein the planar optical waveguide to lead a coupled light beam at least in the region of the sample receiving portion is provided, and a lens device, which on the sample receiving portion is directed.
In bevorzugter Weise ist der Probenaufnahmeabschnitt direkt auf dem planare Lichtwellenleiter angeordnet und erstreckt sich im Wesentlichen parallel zu dem planare Lichtwellenleiter.In Preferably, the sample receiving section is directly on the planar optical waveguides arranged and extends substantially parallel to the planar optical waveguide.
In bevorzugter Weise ist die Objektiveinrichtung durch den planaren Lichtwellenleiter auf den Probenaufnahmeabschnitt gerichtet.In Preferably, the lens device is by the planar Optical fiber directed to the sample receiving section.
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist der planare Lichtwellenleiter auf einem Trägersubstrat angeordnet.According to one preferred embodiment the planar optical waveguide is arranged on a carrier substrate.
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel besteht das Trägersubstrat aus einem transparenten Trägermaterial. In bevorzugter Weise ist die Objektiveinrichtung durch das transparente Trägersubstrat auf den Probenaufnahmeabschnitt gerichtet.According to one preferred embodiment consists of the carrier substrate from a transparent carrier material. Preferably, the lens device is through the transparent carrier substrate directed to the sample receiving section.
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist ein Einkoppelabschnitt zur direkten Einkoppelung des Lichtstrahls auf dem planaren Lichtwellenleiter vorgesehen.According to one preferred embodiment is a Einkoppelabschnitt for direct coupling of the light beam provided on the planar optical waveguide.
Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel ist ein Einkoppelabschnitt zur Einkoppelung des Lichtstrahls in den planaren Lichtwellenleiter an dem transparenten Trägersubstrat vorgesehen.According to one another preferred embodiment is a coupling-in section for coupling the light beam in the planar optical waveguide on the transparent carrier substrate intended.
In bevorzugter Weise ist der Einkoppelabschnitt zur Einkoppelung des Lichtstrahls außerhalb des Probenaufnahmeabschnittes vorgesehen.In Preferably, the coupling-in section for coupling the Light beam outside the Sample receiving section provided.
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel weist der Einkoppelabschnitt ein Koppelgitter auf.According to one preferred embodiment the coupling-in section has a coupling grid.
Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel weist der Einkoppelabschnitt ein Koppelprisma aufweist.According to one another preferred embodiment the coupling-in section has a coupling prism.
In
bevorzugter Weise ist der planare Lichtwellenleiter als eine Beschichtung
auf dem Trägersubstrat
ausgebildet. Gemäß einem
bevorzugten Ausführungsbeispiel
ist die Beschichtung aus einer Tantaloxid-Schicht, insbesondere
einer Tantalpentoxid-Schicht
(Ta2O5), oder einer
Siliziumnitrid-Schicht (Si3N4)
oder einer Siliziumoxinitrid-Schicht
(SixOyNz) oder
einer Titanoxid-Schicht (TiO2) auf dem Trägersubstrat
In bevorzugter Weise ist der Probenaufnahmeabschnitt durch ein Decksubstrat abgedeckt.In Preferably, the sample receiving section is through a cover substrate covered.
Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die Objektiveinrichtung im Wesentlichen senkrecht zu dem geführten Lichtstrahl auf den Probenaufnahmeabschnitt gerichtet.According to one another preferred embodiment the objective device is substantially perpendicular to the guided light beam directed to the sample receiving section.
Im Hinblick auf den Verfahrensaspekt wird diese Aufgabe erfindungsgemäß gelöst durch Verfahren zur Beobachtung einer Probe in einer Mikroskopievorrichtung, wobei die Probe auf einem Probenaufnahmeabschnitt eines planaren Lichtwellenleiter angeordnet wird, und ein eingekoppelter Lichtstrahl in dem planaren Lichtwellenleiter zumindest im Bereich des Probenaufnahmeabschnitts geführt wird, und die Probe durch eine Objektiveinrichtung beobachtet wird.in the With regard to the method aspect, this object is achieved by Method for observing a sample in a microscopy device, wherein the sample is on a sample receiving portion of a planar Optical waveguide is arranged, and a coupled light beam in the planar optical waveguide at least in the region of the sample receiving portion guided is, and the sample is observed by a lens device.
In bevorzugter Weise ist die Beobachtungsrichtung im Wesentlichen senkrecht zu dem geführten Lichtstrahl.In Preferably, the observation direction is substantially perpendicular to the guided Light beam.
In bevorzugter Weise wird die Probe direkt auf dem planare Lichtwellenleiter aufgebracht, und der beobachtete Teil der Probe erstreckt sich im Wesentlichen parallel zu dem geführten Lichtstrahl.In Preferably, the sample is directly on the planar optical waveguide applied, and the observed part of the sample extends in Essentially parallel to the guided Light beam.
In bevorzugter Weise wird die Probe durch den planaren Lichtwellenleiter hindurch beobachtet.In Preferably, the sample through the planar optical waveguide observed through.
In bevorzugter Weise ist der planare Lichtwellenleiter auf einem transparenten Trägersubstrat angeordnet, und die Probe wird durch das transparente Trägersubstrat beobachtet.In Preferably, the planar optical waveguide is on a transparent Carrier substrate arranged, and the sample is observed through the transparent support substrate.
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird der Lichtstrahl direkt in den planaren Lichtwellenleiter eingekoppelt.According to one preferred embodiment The light beam is coupled directly into the planar optical waveguide.
Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel wird der Lichtstrahl über das transparenten Trägersubstrat in den planaren Lichtwellenleiter eingekoppelt.According to one another preferred embodiment the light beam is over the transparent carrier substrate coupled into the planar optical waveguide.
In bevorzugter Weise wird der Lichtstrahl außerhalb des Probenaufnahmeabschnittes eingekoppelt.In a preferred manner, the light beam au coupled outside of the sample receiving section.
Auf vorteilhafte weise wird somit eine Vorrichtung und ein Verfahren geschaffen, wobei einerseits eine Trennung zwischen Anregungs- und Beobachtungsstrahlengang gewährleistet ist, gleichzeitig aber ohne den Durchgang des Lichtes durch den Probenraum auskommt. Außerdem ist eine weitere Reduktion der Eindringtiefe von Vorteil. Zusätzlich wird insbesondere bei Fluoreszenzanalysen eine hohe Anregungsintensität an der Oberfläche gefordert. Der Durchgang durch andere Medien (u.a. des Objektträgers) sollte so wenig wie möglich zu Untergrundlicht beitragen. Dieses störende Licht entsteht sowohl durch Streuung als auch durch Eigenfluoreszenz der verwendeten Medien.On advantageous manner is thus an apparatus and a method created on the one hand a separation between excitation and Observation beam provided is, but at the same time without the passage of light through the sample space gets along. Furthermore is a further reduction of the penetration of advantage. In addition will especially in fluorescence analyzes a high excitation intensity at the surface required. The passage through other media (including the slide) should as little as possible contribute to underground light. This disturbing light arises both by scattering as well as by autofluorescence of the media used.
Nachfolgend wird die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen näher beschrieben und erläuter. In den Zeichnungen zeigen:following The present invention is based on embodiments in conjunction with the attached Drawings closer described and explained. In the drawings show:
In
Die
zu untersuchende Probe oder Substanz wird somit auf die Seitenfläche des
planaren Lichtwellenleiters aufgegeben, so daß diese Kontaktebene die Beobachtungs-
bzw. Analyseebene der Probe bestimmt. In dem gezeigten Ausführungsbeispiel wird
der Probenaufnahmeabschnitt
Bei
dem gezeigten Ausführungsbeispiel
ist auf dem Lichtwellenleiter
Der
eingekoppelte Lichtstrahl
Dieser
eingekoppelte Lichtstrahl
In
dem gezeigten Ausführungsbeispiel
tritt das Evaneszentfeld des eingekoppelten Lichtstrahls
Bei
dem gezeigten Ausführungsbeispiel
ist der planare Lichtwellenleiter
Bei
der in
Der Lichtwellenleiter kann beispielsweise aus einer dünnen Platte aus einem transparenten Material bestehen. Diese dünne Platte besteht beispielsweise aus einem Glas (z.B. Objektträger- oder Deckglas-Format), einem Polymer oder einem transparenten kristallinen Material. Die Dicke dieser dünnen Platte liegt im Bereich 0,1 – 2 mm. Die Länge dieser dünnen Platte ist im Bereich von 1,0 – 5,0 cm, die Breite 0,5 – 5,0 cm. Die Brechzahl dieser dünnen Platte ist für die Ausbildung der Lichtleitung größer als die Brechzahl der Umgebungsmedien. Beispielsweise liegen die Brechzahlen der genannten Materialien in dem Bereich 1,4 – 1,6.The optical waveguide may for example consist of a thin plate of a transparent material. This thin plate consists for example of a glass (eg slide or cover glass format), a polymer or a transparent crystalline material. The thickness of this fertil NEN plate is in the range 0.1 - 2 mm. The length of this thin plate is in the range of 1.0 - 5.0 cm, the width of 0.5 - 5.0 cm. The refractive index of this thin plate is greater than the refractive index of the ambient media for the formation of the light pipe. For example, the refractive indices of said materials are in the range 1.4-1.6.
Der
Lichtwellenleiter
Idealerweise ist die Differenz der Brechzahlen von Träger und Beschichtung möglichst groß zu wählen, da in diesem Fall ist der Evaneszentfeldanteil besonders groß wird. Damit wird die Anordnung empfindlich auf Veränderungen an der Wellenleiteroberfläche. Die genannten Beschichtungsmaterialen sind daher bevorzugt hochbrechende Beschichtungen. Neben der Brechzahl ist für die Auswahl der Beschichtung auch die chemische Resistenz und geringe Lichtstreuung wesentliche Auswahlkriterien. Die Dicke der Wellenleitenden Beschichtung wird in vorteilhafter Weise so gewählt, dass nur der Grundmodus des Wellenleiters ausbreitungsfähig ist. Nur in diesem Fall ist die Intensitätsverteitung im Wellenleiter und das Evaneszentfeld eindeutig vorgegeben. Außerdem hat der Grundmodus bei einer optimierten Wellenleiterdicke das höchste Evaneszentfeld. Typische Dicken sind im Bereich 120 nm – 500 nm. Die Substratbrechzahlen liegen im Bereich 1,4 – 1,6. Die Brechzahlen der Beschichtungen sind typischerweise 1,55 – 2,4. Das Koppelgitter wird entweder in die Oberfläche des Trägers (vor der Beschichtung mit dem Wellenleitermaterial) oder in die Beschichtung geätzt. Die Gitterperioden sind typischerweise im Bereich 300 nm – 1000 nm. Die Ätztiefen sind im Bereich 5 nm – 50 nm.Ideally is the difference of the refractive indices of carrier and coating as possible great to choose, there in this case, the evanescent field component becomes particularly large. This makes the device sensitive to changes in the waveguide surface. The mentioned coating materials are therefore preferably high-index Coatings. In addition to the refractive index is for the selection of the coating also the chemical resistance and low light scattering essential Selection criteria. The thickness of the waveguide coating becomes chosen in an advantageous way, that only the fundamental mode of the waveguide is capable of propagation. Only in this case is the intensity distribution in the waveguide and the evanescent field clearly specified. In addition, the basic mode has an optimized waveguide thickness the highest evanescent field. typical Thicknesses are in the range 120 nm - 500 nm. The substrate refractive indices are in the range 1.4-1.6. The refractive indices the coatings are typically 1.55 - 2.4. The coupling grid is either in the surface of the carrier (before coating with the waveguide material) or in the Etched coating. The grating periods are typically in the range 300 nm - 1000 nm. The etching depths are in the range 5 nm - 50 nm.
Wie
in
Die
Einkopplung erfolgt im Fall des den Lichtwellenleiter bildenden
Glasträgers
im einfachsten Fall durch eine schräg polierte Kante. Im Fall des
aus einer dünnen
Beschichtung bestehenden Lichtwellenleiters wird z.B. ein Koppelgitter
(Einkoppelabschnitt
Ein weiterer Vorteil von sehr dünnen, hochbrechenden Lichtwellenleitern ist, dass die Intensität des Evaneszentfeldes sehr hoch ist und die Ausdehnung in das angrenzende Medium auf ca. 50 nm beschränkt werden kann, so dass eine sehr enge Begrenzung des Beobachtungsvolumens erreicht wird. Signale aus anderen Ebenen in der Probe werden unterdrückt.One another advantage of very thin, High refractive fiber optics is that the intensity of the evanescent field is very high and the expansion into the adjacent medium to approx. 50 nm limited can be, leaving a very narrow limit on the observation volume is reached. Signals from other planes in the sample are suppressed.
Als Beispiel für einen Beschichtungswellenleiter wird eine Tantaloxid-Schicht auf Glas angegeben. Mit den Wellenleiterdaten
- • Filmbrechzahl nf = 2,22 (Ta2O5)
- • Substratbrechzahl ns = 1,515 (Glas)
- • Umgebungsbrechzahl nu = 1,33 (Wasser)
- • Filmdicke d = 156 nm
- • Lichtwellenlänge λo = 633 nm
- • für den Grundmodus (m = 0) in TE-Polarisation: neff = 1,92530
- • Intensität an WL-Oberfläche I(0)/Imax = 0,39
- • Halbwertsbreite des Evaneszentfeldes x1/2 = 25 nm
- • Im Umgebungsmedium geführte Leistung Pu/P = 0,18
- Film count nf = 2.22 (Ta 2 O 5 )
- Substrate refractive index n s = 1.515 (glass)
- • environmental refractive index n u = 1.33 (water)
- • Film thickness d = 156 nm
- • wavelength of light λ o = 633 nm
- • for the fundamental mode (m = 0) in TE polarization: n eff = 1.92530
- • Intensity at WL surface I (0) / I max = 0.39
- • half width of the evanescent field x 1/2 = 25 nm
- • In the ambient medium guided power P u / P = 0.18
I(0)
bezeichnet die Intensität
an der Wellenleiteoberfläche,
Imax die maximale Intensität der Verteilung im Wellenleiter,
Halbwertsbreite
des Evaneszentfeldes bezeichnet den Abstand von der Wellenleiteroberfläche (außerhalb
des Wellenleiters), an dem die Intensität die Hälfte der Intasität an der
Oberfläche
des Wellenleiters annimmt.I (0) denotes the intensity at the waveguide surface,
I max is the maximum intensity of the distribution in the waveguide,
Half width of the evanescent field indicates the distance from the waveguide surface (outside the waveguide) at which the intensity assumes half of the intactivity at the surface of the waveguide.
Leistung im Umgebungsmedium Pu bezeichnet die Lichtleistung, die außerhalb des Wellenleiters an der Oberfläche geführt wird, P ist die Gesamtintensität der Intensitätsverteilung.power in the surrounding medium Pu denotes the light output outside of the waveguide on the surface guided P is the total intensity the intensity distribution.
Die
Intensitätsverteilung
eines derartigen Lichtwellenleiters mit Trägersubstrat ist in
Das
vorangehend beschriebene Ausführungsbeispiel
zeigt eine Mikroskopievorrichtung zur Beobachtung einer Probe mit
einem planaren Lichtwellenleiter
Der
Probenaufnahmeabschnitt
Die
Objektiveinrichtung
Gemäß dem gezeigten
Ausführungsbeispiel ist
der planare Lichtwellenleiter
In
dem gezeigten Ausführungsbeispiel
ist ein Einkoppelabschnitt
In
dem gezeigten Ausführungsbeispiel
ist der planare Lichtwellenleiter
Das
vorangehend beschriebene Ausführungsbeispiel
zeigt weiterhin ein Verfahren zur Beobachtung einer Probe in einer
Mikroskopievorrichtung. Die Probe wird auf einem Probenaufnahmeabschnitt
Die
Beobachtungsrichtung ist im Wesentlichen senkrecht zu dem geführten Lichtstrahl
Die
Probe wird direkt auf dem planare Lichtwellenleiter
In
dem gezeigten Ausführungsbeispiel
ist der Lichtstrahl
In
dem gezeigten Ausführungsbeispiel
wird der Lichtstrahl
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DE102005040833A1 (en) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Carl Zeiss Jena Gmbh | TIRF-type microscope optical arrangement, has illumination light carried in beam paths outside microscope objective |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1685438A1 (en) | 2006-08-02 |
WO2005050280A1 (en) | 2005-06-02 |
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