DE10351843A1 - Determining temperature of power semiconductor in inverter determines load current and voltage drop if current is within given region - Google Patents

Determining temperature of power semiconductor in inverter determines load current and voltage drop if current is within given region Download PDF

Info

Publication number
DE10351843A1
DE10351843A1 DE2003151843 DE10351843A DE10351843A1 DE 10351843 A1 DE10351843 A1 DE 10351843A1 DE 2003151843 DE2003151843 DE 2003151843 DE 10351843 A DE10351843 A DE 10351843A DE 10351843 A1 DE10351843 A1 DE 10351843A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
power semiconductor
temperature
voltage
transistor
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2003151843
Other languages
German (de)
Other versions
DE10351843B4 (en
Inventor
Roland Dr.-Ing. Jakob
Christian Dr.-Ing. Keller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
GE Energy Power Conversion GmbH
Original Assignee
Alstom SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Alstom SA filed Critical Alstom SA
Priority to DE10351843A priority Critical patent/DE10351843B4/en
Publication of DE10351843A1 publication Critical patent/DE10351843A1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE10351843B4 publication Critical patent/DE10351843B4/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/32—Means for protecting converters other than automatic disconnection
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K2017/0806—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage against excessive temperature

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Determining the temperature of a power semiconductor in an inverter (10) comprises switching a load current off and on and determining its value. If this lies within a given region the voltage drop at the semiconductor is determined and from this the temperature of the power semiconductor. Independent claims are also included for the following: (A) a circuit for the above; (B) an inverter comprising the above; and (C) determining a blocking layer temperature for a power semiconductor in an inverter.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Ermittlung einer Temperatur eines Leistungshalbleiters in einem Stromrichter. Die Erfindung betrifft ebenfalls elektrische Schaltungen zur Ermittlung einer Temperatur eines Leistungshalbleiters.The The invention relates to a method for determining a temperature a power semiconductor in a power converter. The invention also relates to electrical circuits for determining a Temperature of a power semiconductor.

Es ist bekannt, die in Flussrichtung an einer Diode abfallende Spannung zu ermitteln und daraus auf die Sperrschicht-Temperatur der Diode zu schließen. Bei Leistungshalbleitern werden derartige Verfahren jedoch nur im Laborbetrieb angewendet, nicht jedoch im normalen Betrieb der Leistungshalbleiter in einem elektrischen Stromrichter.It is known, the voltage dropping in the direction of a diode diode to determine and from this to infer the junction temperature of the diode. at Power semiconductors, however, such methods are only in the laboratory applied, but not in normal operation of power semiconductors in an electric power converter.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren sowie elektrische Schaltungen zur Ermittlung einer Temperatur eines Leistungshalbleiters zu schaffen, die auch im normalen Betrieb von Leistungshalbleitern eingesetzt werden können.task The invention is a method and electrical circuits to determine a temperature of a power semiconductor, the also be used in the normal operation of power semiconductors can.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren zur Ermittlung einer Temperatur eines Leistungshalbleiters in einem Stromrichter mit folgenden Schritten gelöst:

  • – mit Hilfe des Leistungshalbleiters wird ein Laststrom ein- und ausgeschaltet,
  • – die Größe des Laststroms wird überwacht,
  • – sofern die Größe des Laststroms einen vorgegebenen Wert aufweist oder in einem vorgegebenen Bereich um diesen Wert liegt, so wird die an dem Leistungshalbleiter abfallende Spannung ermittelt,
  • – aus dieser Spannung wird auf die Temperatur des Leistungshalbleiters geschlossen.
This object is achieved by a method for determining a temperature of a power semiconductor in a power converter with the following steps:
  • A load current is switched on and off with the aid of the power semiconductor,
  • - the size of the load current is monitored,
  • If the magnitude of the load current has a predetermined value or lies within a predetermined range around this value, then the voltage drop across the power semiconductor is determined,
  • - From this voltage is closed to the temperature of the power semiconductor.

Die Ermittlung der an dem Leistungshalbleiter abfallenden Spannung hat keinerlei Einfluss auf den Normalbetrieb des Leistungshalbleiters. Das Verfahren kann damit beispielsweise bei einem elektrischen Wechselrichter während des normalen Betriebs zum Einsatz kommen. Die Erfindung ermöglicht somit eine laufende Überwachung der Temperatur des Leistungshalbleiters und damit eine laufende Fehlererkennung und/oder Fehlerdiagnose desselben.The Determining the voltage dropped across the power semiconductor has no influence on the normal operation of the power semiconductor. The method can thus be used, for example, in an electrical inverter while normal operation. The invention thus enables an ongoing monitoring the temperature of the power semiconductor and thus a current error detection and / or fault diagnosis thereof.

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung, bei der es sich bei dem Leistungshalbleiter um einen Transistor, insbesondere einen sogenannten IGBT (IGBT = insulated gate bipolar transistor) handelt, wird der Transistor leitend geschaltet, so dass der Laststrom über die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors fließt, und es wird die an der Kollektor-Emitter-Strecke abfallende Spannung ermittelt.at an advantageous embodiment of the invention, in which it is in the power semiconductor to a transistor, in particular a IGBT (insulated gate bipolar transistor), the transistor is turned on, so that the load current through the Collector-emitter path of the transistor flows, and it becomes the voltage dropped at the collector-emitter junction determined.

Bei einer anderen vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung, bei der es sich bei dem Leistungshalbleiter um eine Diode, insbesondere eine Freilaufdiode eines IGBT handelt, und bei der der Laststrom in Flussrichtung über die Diode fließt, wird die in Flussrichtung an der Diode abfallende Spannung ermittelt.at another advantageous embodiment of the invention, in which it is in the power semiconductor to a diode, in particular a freewheeling diode of an IGBT, and at which the load current in the flow direction over the diode is flowing, the voltage dropping in the direction of the diode is determined.

Mit diesen Ausgestaltungen ist es möglich, die Transistoren und Dioden insbesondere eines elektrischen Wechselrichters während des Betriebs laufend zu überwachen.With These embodiments, it is possible to Transistors and diodes, in particular of an electrical inverter while continuously monitored.

Besonders vorteilhaft ist es dabei, wenn bei einem Exemplar des Leistungshalbleiters vorab eine Abhängigkeit zwischen der an dem Leistungshalbleiter abfallenden Spannung und der Temperatur des Leistungshalbleiters ermittelt wird, und wenn diese Abhängigkeit bei einem anderen Exemplar des Leistungshalbleiters dazu verwendet wird, aus der ermittelten Spannung auf die Temperatur des Leistungshalbleiters zu schließen.Especially It is advantageous if in a copy of the power semiconductor in advance a dependency between the voltage dropping across the power semiconductor and the temperature of the power semiconductor is determined, and if this dependence used in another copy of the power semiconductor is, from the determined voltage to the temperature of the power semiconductor close.

Mit Hilfe dieser vorab ermittelten Abhängigkeit genügt es im laufenden Betrieb, die an dem Leistungshalbleiter abfallende Spannung zu ermitteln. Aus dieser Spannung kann dann mit Hilfe der vorab ermittelten Abhängigkeit auf die Temperatur des Leistungshalbleiters geschlossen werden.With Help of this predefined dependence is sufficient in the current operation, the voltage dropping across the power semiconductor to investigate. From this tension can then be determined with the help of the pre-determined dependence be closed to the temperature of the power semiconductor.

Die der Erfindung gestellte Aufgabe wird erfindungsgemäß auch gelöst durch eine elektrische Schaltung zur Ermittlung einer Temperatur eines Transistors, insbesondere eines IGBTs, mit einer Ansteuereinrichtung zur Leitendsteuerung des Transistors, mit Mitteln zur Überwachung der Größe eines über den Transistor fließenden Laststroms, und mit einer Messeinrichtung zur Ermittlung der an der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors abfallenden Spannung, wenn die Größe des Laststroms einen vorgegebenen Wert aufweist oder in einem vorgegebenen Bereich um diesen Wert liegt. Weiterhin wird die Aufgabe erfindungsgemäß auch durch eine elektrische Schaltung zur Ermittlung einer Temperatur einer Diode, insbesondere einer Freilaufdiode eines IGBTs gelöst, die mit Mitteln zur Überwachung der Größe eines in Flussrichtung über die Diode fließenden Laststroms und mit einer Messeinrichtung zur Ermittlung der in Flussrichtung an der Diode abfallenden Spannung versehen ist, wenn die Größe des Laststroms einen vorgegebenen Wert aufweist oder in einem vorgegebenen Bereich um diesen Wert liegt.The The object of the invention is also achieved by an electrical circuit for detecting a temperature of a transistor, in particular an IGBT, with a control device for Leitendsteuerung of the transistor, with means to monitor the size of one over the Transistor flowing Laststroms, and with a measuring device for determining the the collector-emitter line of the transistor falling voltage when the size of the load current has a predetermined value or in a predetermined range around this value. Furthermore, the object is also achieved by an electrical circuit for determining a temperature of a Diode, in particular a freewheeling diode of an IGBT solved, the with means for monitoring the size of one in the flow direction over the diode is flowing Load flow and with a measuring device for determining the flow direction is provided at the diode sloping voltage when the size of the load current has a predetermined value or in a predetermined range around this value.

Beide Schaltungen sind einfach und kostengünstig herzustellen und können vorzugsweise in einen Ansteuerverstärker eines IGBTs integriert werden.Both Circuits are simple and inexpensive to manufacture and may preferably in a drive amplifier integrated into an IGBT.

Weitere Merkmale, Anwendungsmöglichkeiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung, die in den Figuren der Zeichnung dargestellt sind. Dabei bilden alle beschriebenen oder dargestellten Merkmale für sich oder in beliebiger Kombination den Gegenstand der Erfindung, unabhängig von ihrer Zusammenfassung in den Patentansprüchen oder deren Rückbeziehung sowie unabhängig von ihrer Formulierung bzw. Darstellung in der Beschreibung bzw. in der Zeichnung.Further Features, applications and advantages of the invention will become apparent from the following description of exemplary embodiments of the invention, which are illustrated in the figures of the drawing. All described or illustrated features form for themselves or in any combination, the subject matter of the invention, regardless of their summary in the claims or their dependency as well as independently from their formulation or presentation in the description or in the drawing.

1 zeigt einen schematischen Schaltplan eines Ausführungsbeispiels eines mittels einer Mehrzahl von Leistungshalbleitern aufgebauten elektrischen Wechselrichters, 1 shows a schematic circuit diagram of an embodiment of an electrical inverter constructed by means of a plurality of power semiconductors,

2a zeigt einen schematischen Schaltplan eines ersten Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen elektrischen Schaltung zur Ermittlung der Temperatur eines der Leistungshalbleiter der 1, 2a shows a schematic circuit diagram of a first embodiment of an electrical circuit according to the invention for determining the temperature of the power semiconductor of 1 .

2b zeigt einen schematischen Schaltplan eines zweiten Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen elektrischen Schaltung zur Ermittlung der Temperatur eines der Leistungshalbleiter der 1, und 2 B shows a schematic circuit diagram of a second embodiment of an electrical circuit according to the invention for determining the temperature of the power semiconductor of 1 , and

3 zeigt einen Teil des Wechselrichters der 1 mit einem Ausführungsbeispiel für eine erfindungsgemäße Abwandlung der Ermittlung der Temperatur gemäß den 2a und/oder 2b. 3 shows a part of the inverter of the 1 with an exemplary embodiment of a modification according to the invention of determining the temperature according to FIGS 2a and or 2 B ,

In der 1 ist ein elektrischer Wechselrichter 10, dargestellt, der aus sechs Transistoren 11 und sechs Dioden 12 aufgebaut ist. Der Wechselrichter 10 ist als Spannungswechselrichter ausgebildet. Bei den Transistoren 11 handelt es sich um sogenannte IGBTs (IGBT = insulated gate bipolar transistor) und bei den Dioden 12 handelt es sich um Freilaufdioden für derartige IGBTs. Die Transistoren 11 und die Dioden 12 stellen Leistungshalbleiter dar.In the 1 is an electrical inverter 10 , represented by six transistors 11 and six diodes 12 is constructed. The inverter 10 is designed as a voltage inverter. At the transistors 11 these are so-called IGBTs (insulated gate bipolar transistors) and diodes 12 These are freewheeling diodes for such IGBTs. The transistors 11 and the diodes 12 represent power semiconductors.

Zu jedem Transistor 11 ist jeweils eine der Dioden 12 in Gegenrichtung parallelgeschaltet. Jeweils zwei derartige Parallelschaltungen sind in Serie geschaltet. Die entstehenden drei Serienschaltungen sind zueinander parallelgeschaltet. Zu diesen drei parallelgeschalteten Serienschaltungen ist ein Kondensator 13, ein sogenannter Zwischenkreiskondensator parallelgeschaltet. An dem Kondensator 13 liegt eine elektrische Gleichspannung Ud an. Jeweils zwischen zwei in Serie geschaltete Transistoren 11 ist ein Ausgang 14 vorgesehen, an dem eine elektrische Last angeschlossen sein kann.To every transistor 11 is each one of the diodes 12 connected in parallel in the opposite direction. Two such parallel circuits are connected in series. The resulting three series circuits are connected in parallel with each other. To these three parallel series circuits is a capacitor 13 , a so-called DC link capacitor connected in parallel. On the condenser 13 is a DC electrical voltage Ud on. In each case between two series-connected transistors 11 is an exit 14 provided, to which an electrical load can be connected.

Jeder der Transistoren 11 weist ein Gate 15 sowie häufig auch einen Hilfskollektor 16 und einen Hilfsemitter 17 zu Zwecken der Ansteuerung und zu Messzwecken auf.Each of the transistors 11 has a gate 15 and often also an auxiliary collector 16 and an auxiliary emitter 17 for purposes of control and for measurement purposes.

In der 2a ist einer der Transistoren 11 mit zugehöriger Diode 12 dargestellt. Weiterhin ist eine elektrische Schaltung 20 dargestellt, die u.a. dazu vorgesehen ist, die Temperatur des Transistors 11 zu ermitteln.In the 2a is one of the transistors 11 with associated diode 12 shown. Furthermore, an electrical circuit 20 illustrated, which is provided, inter alia, the temperature of the transistor 11 to investigate.

Die Schaltung 20 weist eine Ansteuereinrichtung 21 und eine Messeinrichtung 22 auf, die beide mit dem Hilfskollektor 16 und dem Hilfsemitter 17 des Transistors 11 verbunden sind. Weiterhin ist die Ansteuereinrichtung 21 mit dem Gate 15 des Transistors 11 verbunden und die Messeinrichtung 22 ist mit der Ansteuereinrichtung 21 verbunden.The circuit 20 has a drive device 21 and a measuring device 22 on, both with the auxiliary collector 16 and the auxiliary emitter 17 of the transistor 11 are connected. Furthermore, the drive device 21 with the gate 15 of the transistor 11 connected and the measuring device 22 is with the drive device 21 connected.

Eine übergeordnete Steuerung 23 ist vorhanden, die mit der Ansteuereinrichtung 21 gekoppelt ist, und die über die Ansteuereinrichtung 21 das Gate 15 des Transistors 11, mit einem Steuersignal beaufschlagen kann.A higher-level controller 23 is present, with the control device 21 is coupled, and via the drive means 21 the gate 15 of the transistor 11 , can apply a control signal.

Im Normalbetrieb des Transistors 11 und der Diode 12 der 2a wird der Transistor 11 von der übergeordneten Steuerung 23 über die Ansteuereinrichtung 21 leitend oder nicht-leitend geschaltet. Durch eine entsprechende, zeitlich versetzte Ansteuerung der sechs Transistoren 11 des Wechselrichters 10 der 1 wird an dem Ausgang 14 ein die Last beaufschlagender Laststrom erzeugt.In normal operation of the transistor 11 and the diode 12 of the 2a becomes the transistor 11 from the parent controller 23 via the control device 21 switched conductive or non-conductive. By a corresponding, staggered control of the six transistors 11 of the inverter 10 of the 1 will be at the exit 14 generates a load current acting on the load.

In Zeitbereichen, in denen kein Laststrom über die Last fließt, kann ein Messbetrieb durchgeführt werden. Der Messbetrieb kann sich also unmittelbar an eine Phase des Normalbetriebs anschließen, so dass in dem Messbetrieb die durch den Normalbetrieb hervorgerufene Erhitzung der Transistoren 11 und Dioden 12 ermittelt werden kann.In time ranges in which no load current flows over the load, a measuring operation can be carried out. The measuring operation can thus be directly connected to a phase of normal operation, so that in the measuring operation caused by the normal operation heating of the transistors 11 and diodes 12 can be determined.

Der Messbetrieb kann beispielsweise nach dem Abschalten des Wechselrichters 10 und der damit verbundenen Sperrung einer Ansteuerung der Transistoren 11 in Abhängigkeit von einem Abklingen des noch fließenden Laststroms und/oder von einer damit verbundenen Lastspannung und/oder nach Ablauf einer vorgegebenen Zeitdauer begonnen werden. Sollte es – wie noch erläutert werden wird – im Messbetrieb erforderlich sein, dass mehrere der Transistoren 11 angesteuert werden, so wird dies alternierend vorgenommen, um bei noch anliegender Gleichspannung Ud an allen Transistoren 11 Messungen durchführen zu können, ohne einen Kurzschluss zu erzeugen.The measuring operation can, for example, after switching off the inverter 10 and the associated blocking of a drive of the transistors 11 in response to a decay of the still flowing load current and / or an associated load voltage and / or after a predetermined period of time to be started. It should be necessary - as will be explained - in the measuring mode, that several of the transistors 11 be driven, so this is done in alternation to Ud at all remaining DC voltage at all transistors 11 To be able to carry out measurements without generating a short circuit.

Der Messbetrieb wird nachfolgend anhand eines der Transistoren 11 der Schaltung 10 der 1 erläutert. Es versteht sich, dass dieser Messbetrieb auf alle sechs Transistoren 11 entsprechend angewendet werden kann.The measuring operation is described below using one of the transistors 11 the circuit 10 of the 1 explained. It is understood that this measurement operation on all six transistors 11 accordingly can be used.

In dem Messbetrieb wird von der Ansteuereinrichtung 21 der 2a ein vorgegebener Messstrom Im erzeugt. Der Messstrom Im ist zu dem im Normalbetrieb über die Last fließenden Strom sehr klein.In the measuring operation is by the drive device 21 of the 2a a predetermined measuring current Im generated. The measuring current Im is very small compared to the current flowing through the load during normal operation.

Gleichzeitig wird der Transistor 11 über das Gate 15 leitend gesteuert. Damit fließt der Messstrom Im von der Ansteuereinrichtung 21 über den Hilfskollektor 16, die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 11 und den Hilfsemitter 17 zurück zu der Ansteuereinrichtung 21.At the same time the transistor 11 over the gate 15 controlled conductively. Thus, the measuring current Im flows from the control device 21 about the auxiliary collector 16 , the collector-emitter path of the transistor 11 and the auxiliary emitter 17 back to the drive device 21 ,

Ein aufgrund des Messstroms Im entstehender Spannungsabfall Uce an der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 11 wird während des Messbetriebs von der Messeinrichtung 22 gemessen.A due to the measuring current Im resulting voltage drop Uce at the collector-emitter path of the transistor 11 is measured by the measuring device during the measuring operation 22 measured.

Bei Leistungshalbleitern ist es bekannt, dass bei kleinen, über eine Kollektor-Emitter-Strecke fließenden Strömen eine Abhängigkeit zwischen der an der Kollektor-Emitter-Strecke abfallenden Spannung und der Sperrschicht-Temperatur des Leistungshalbleiters vorhanden ist. Es hat sich nunmehr unter anderem durch Versuche herausgestellt, dass diese Abhängigkeit bei ein- und demselben Leistungshalbleitertyp nur sehr geringe Abweichungen bei unterschiedlichen Exemplaren dieses Leistungshalbleitertyps aufweist. Mit anderen Worten bedeutet dies, dass die Abhängigkeit zwischen dem genannten Spannungsabfall und der genannten Temperatur bei allen Exemplaren eines bestimmten Leistungshalbleitertyps weitgehend gleich ist.at Power semiconductors, it is known that in small, over one Collector emitter line flowing Stream a dependency between the voltage dropping across the collector-emitter path and the junction temperature of the power semiconductor is present. It has now been proven, inter alia, by experiments that dependence only very small deviations for the same type of power semiconductor in different copies of this power semiconductor type having. In other words, this means that dependency between said voltage drop and said temperature in all instances of a particular power semiconductor type largely is equal to.

Für einen bestimmten Leistungshalbleitertyp kann diese Abhängigkeit zwischen der an der Kollektor-Emitter-Strecke abfallenden Spannung und der Sperrschicht-Temperatur des Leistungshalbleiters gemessen und in der Form einer Mehrzahl von entsprechenden Wertepaaren in geeigneter Weise abgespeichert werden.For one certain power semiconductor type, this dependence between the at the Collector-emitter path-dropping voltage and junction temperature of the power semiconductor and in the form of a plurality stored by appropriate value pairs in a suitable manner become.

Es wird nunmehr davon ausgegangen, dass die Abhängigkeit zwischen der an der Kollektor-Emitter-Strecke abfallenden Spannung Uce und der Sperrschicht-Temperatur des Transistors 11 für den bestimmten Leistungshalbleitertyp des Transistors 11 und für den vorgegebenen Messstrom Im vorab gemessen wurde und damit bekannt ist. Weiterhin wird davon ausgegangen, dass diese Abhängigkeit für die Messeinrichtung 22 verfügbar ist.It will now be assumed that the dependence between the voltage Uce dropped across the collector-emitter path and the junction temperature of the transistor 11 for the particular power semiconductor type of the transistor 11 and for the given measuring current Im has been measured in advance and is thus known. Furthermore, it is assumed that this dependence for the measuring device 22 is available.

Ist dies der Fall, so kann die Messeinrichtung 22 aus der während des Messbetriebs aktuell gemessenen Spannung Uce mit Hilfe der erläuterten Abhängigkeit auf die aktuell vorhandene Sperrschicht-Temperatur des Transistors 11 schließen.If this is the case, then the measuring device 22 from the currently measured during the measuring operation voltage Uce with the aid of the described dependence on the currently existing junction temperature of the transistor 11 shut down.

Beispielsweise durch einen Vergleich mit vorgegebenen Grenztemperaturen für diesen Leistungshalbleitertyp oder durch einen Vergleich mit Temperaturen anderer typgleicher Leistungshalbleiter oder durch einen Vergleich mit früheren Temperaturen desselben Leistungshalbleiters ist es möglich, die Temperatur des Leistungshalbleiters zu überwachen. Auf diese Weise können Veränderungen, die eine Erhöhung der Temperatur des Leistungshalbleiters bewirken, wie z.B. Veränderungen eines Kühlsystems oder dergleichen, in Echtzeit ermittelt werden.For example by comparison with predetermined limit temperatures for this Power semiconductor type or by comparison with temperatures other type of power semiconductors or by comparison with earlier Temperatures of the same power semiconductor, it is possible, the Monitor the temperature of the power semiconductor. In this way can changes, the one increase cause the temperature of the power semiconductor, such. changes a cooling system or the like, are determined in real time.

Ebenfalls ist es möglich, eine Abkühlkurve für einen Leistungshalbleiter oder für einen Aufbau aus mehreren Leistungshalbleitern zu erstellen. Diese kann dann wiederum mit vorgegebenen Grenzkurven oder mit Kurven anderer typgleicher Leistungshalbleiter bzw. Aufbauten oder mit früheren Kurven desselben Leistungshalbleiters bzw. desselben Aufbaus zum Zwecke der Fehlererkennung und/oder Fehlerdiagnose verglichen werden. Weiterhin ist es möglich, mit Hilfe der vorstehenden Fehlererkennung und/oder Fehlerdiagnose Wartungsintervalle zu bestimmen, deren Dauer beispielsweise von dem Alterungszustand der Leistungshalbleiter abhängig ist.Also Is it possible, a cooling curve for one Power semiconductors or for to create a structure of several power semiconductors. These can then turn with predetermined limit curves or with curves other type of power semiconductors or structures or with earlier Curves of the same power semiconductor or the same structure for Purpose of error detection and / or fault diagnosis are compared. Furthermore, it is possible with the help of the above error detection and / or fault diagnosis To determine maintenance intervals whose duration, for example, from the aging state of the power semiconductor is dependent.

Insbesondere kann die Sperrschichttemperatur eines Leistungshalbleiters mit Hilfe des beschriebenen Verfahrens hinsichtlich eines Grenzwerts überwacht werden. Ebenfalls ist es möglich, auf der Grundlage des beschriebenen Verfahrens einen vorzugsweise variablen Stromgrenzwert für den von einem bestimmten Leistungshalbleiter geschalteten Laststrom zu ermitteln, der beispielsweise von der Umgebungstemperatur und dem Alterungszustand der Leistungshalbleiter abhängig sein kann.Especially can the junction temperature of a power semiconductor using monitored the method described in terms of a limit become. It is also possible on the basis of the described method a preferably variable Current limit for the load current switched by a particular power semiconductor to determine, for example, the ambient temperature and the aging state of the power semiconductors can be dependent.

In der 2b ist einer der Transistoren 11 mit zugehöriger Freilaufdiode 12 dargestellt. Weiterhin ist eine elektrische Schaltung 25 dargestellt, die dazu vorgesehen ist, die Temperatur der Freilaufdiode 12 zu ermitteln.In the 2 B is one of the transistors 11 with associated freewheeling diode 12 shown. Furthermore, an electrical circuit 25 shown, which is intended to the temperature of the freewheeling diode 12 to investigate.

Die Schaltung 25 weist eine Ansteuereinrichtung 30 auf, die beispielhaft zumindest eine eine Serienschaltung bildende Spannungsquelle 26, einen Widerstand 27 und einen elektronischen Schalter 28 umfasst. Weiterhin weist die Schaltung 25 eine Messeinrichtung 29 auf. Die Ansteuereinrichtung 30 und die Messeinrichtung 29 sind beide mit dem Hilfskollektor 16 und dem Hilfsemitter 17 des Transistors 11 verbunden.The circuit 25 has a drive device 30 auf, the example of at least one series connection forming voltage source 26 , a resistance 27 and an electronic switch 28 includes. Furthermore, the circuit 25 a measuring device 29 on. The drive device 30 and the measuring device 29 are both with the auxiliary collector 16 and the auxiliary emitter 17 of the transistor 11 connected.

Im Normalbetrieb ist der Schalter 28 der 2b geöffnet. Die Ansteuereinrichtung 30 ist damit nicht aktiviert.In normal operation is the switch 28 of the 2 B open. The drive device 30 is not activated.

Im Messbetrieb wird der Transistor 11 nicht angesteuert und ist damit nicht-leitend. Weiterhin ist der Schalter 28 im Messbetrieb geschlossen, so dass ein bestimmter Messstrom Im mit Hilfe der Spannungsquelle 26 und des Widerstands 27 erzeugt wird.In measuring mode, the transistor 11 not driven and is therefore non-conductive. Furthermore is the desk 28 closed in measuring mode, so that a certain measuring current Im using the voltage source 26 and the resistance 27 is produced.

Ein aufgrund des Messstroms Im entstehender Spannungsabfall Uak an der Anoden-Kathoden-Strecke und damit in Flussrichtung der Diode 12 wird während des Messbetriebs von der Messeinrichtung 29 gemessen.A due to the measuring current Im resulting voltage drop Uak at the anode-cathode path and thus in the flow direction of the diode 12 is measured by the measuring device during the measuring operation 29 measured.

Die Anoden-Kathoden-Strecke einer Diode ist mit der Kollektor-Emitter-Strecke eines leitend gesteuerten Transistors im wesentlichen vergleichbar. Insoweit gelten die erläuterten Abhängigkeiten zwischen der an der Kollektor-Emitter-Strecke abfallenden Spannung und der Temperatur des zugehörigen Transistors in entsprechender Weise auch für eine Diode.The Anode-cathode path of a diode is one with the collector-emitter path conductively controlled transistor substantially comparable. in this respect apply the explained dependencies between the voltage dropping across the collector-emitter path and the temperature of the associated transistor in a similar way also for a diode.

Es wird nunmehr davon ausgegangen, dass die Abhängigkeit zwischen der an der Anoden-Kathoden-Strecke abfallenden Spannung Uak und der Temperatur der Diode für den bestimmten Leistungshalbleitertyp der Diode 12 vorab vermessen wurde und damit bekannt ist. Weiterhin wird davon ausgegangen, dass diese Abhängigkeit für die Messeinrichtung 29 verfügbar ist.It will now be assumed that the dependence between the voltage Uak dropped across the anode-cathode path and the temperature of the diode for the particular power semiconductor type of the diode 12 was measured in advance and is thus known. Furthermore, it is assumed that this dependence for the measuring device 29 is available.

Ist dies der Fall, so kann die Messeinrichtung 29 aus der während des Messbetriebs aktuell gemessenen Spannung Uak mit Hilfe der erläuterten Abhängigkeit auf die aktuell vorhandene Temperatur der Diode 12 schließen, insbesondere auf deren Sperrschichttemperatur.If this is the case, then the measuring device 29 from the voltage Uak currently measured during the measuring operation with the aid of the explained dependence on the currently existing temperature of the diode 12 close, in particular their junction temperature.

Wie bereits erläutert wurde, kann diese ermittelte Temperatur zur Überwachung der Diode 12, insbesondere zur Fehlererkennung und/oder zur Fehlerdiagnose verwendet werden.As already explained, this determined temperature can be used to monitor the diode 12 be used in particular for fault detection and / or fault diagnosis.

In den 2a und 2b sind die Ansteuereinrichtungen 21, 29 unter anderem dazu vorgesehen, den vorgegebenen Messstrom Im zu erzeugen. Dies kann auch mit Hilfe der in der 3 dargestellten Abwandlung erreicht werden.In the 2a and 2 B are the driving devices 21 . 29 intended inter alia to generate the predetermined measuring current Im. This can also be done with the help of in the 3 shown modification can be achieved.

In der 3 ist ein Teil der elektrischen Schaltung 10 der 1 dargestellt. Der einzige Unterschied zu der Schaltung 10 der 1 besteht darin, dass in der 3 jedem der Transistoren 11', 11'' ein Widerstand 31', 31'' parallel geschaltet ist. Der Widerstand 31', 31'' ist sehr hochohmig, sein Wert ist Rm.In the 3 is part of the electrical circuit 10 of the 1 shown. The only difference to the circuit 10 of the 1 is that in the 3 each of the transistors 11 ' . 11 '' a resistance 31 ' . 31 '' is connected in parallel. The resistance 31 ' . 31 '' is very high impedance, its value is Rm.

Im Normalbetrieb hat der Widerstand 31', 31'' aufgrund seiner Hochohmigkeit im wesentlichen keinen Einfluss auf den am Ausgang 14 zur Last abfließenden Strom. Im Messbetrieb kann der Messstrom Im nunmehr jedoch aus der Spannung Ud erzeugt werden.In normal operation, the resistor has 31 ' . 31 '' due to its high impedance, essentially no effect on the output 14 to the load effluent. In measuring operation, however, the measuring current Im can now be generated from the voltage Ud.

Soll beispielsweise die Temperatur des unteren Transistors 11'' der 3 ermittelt werden, so wird der obere Transistor 11' der 3 nicht-leitend gesteuert, während der untere Transistor 11'' leitend gesteuert wird. Damit fließt ein Messstrom Im über den oberen Widerstand 31' und den unteren Transistor 11'' . Dieser Messstrom hat den Wert Im = Ud / Rm. For example, consider the temperature of the lower transistor 11 '' of the 3 be determined, then the upper transistor 11 ' of the 3 controlled non-conducting, while the lower transistor 11 '' is controlled conductively. Thus a measuring current Im flows over the upper resistance 31 ' and the lower transistor 11 '' , This measuring current has the value Im = Ud / Rm.

Aufgrund des leitenden Transistors 11'' kann nunmehr – wie erläutert wurde – die an der Kollektor-Emitter-Strecke dieses Transistors 11'' abfallende Spannung Uce gemessen und daraus auf die Temperatur des Transistors 11'' geschlossen werden.Due to the conductive transistor 11 '' can now - as was explained - that at the collector-emitter path of this transistor 11 '' decreasing voltage Uce measured and from this to the temperature of the transistor 11 '' getting closed.

Zur Ermittlung der Temperatur des oberen Transistors 11' der 3 werden die beiden Transistoren 11', 11'' umgekehrt zum vorstehend beschriebenen Fall angesteuert.To determine the temperature of the upper transistor 11 ' of the 3 become the two transistors 11 ' . 11 '' reversed to the case described above.

Die anhand der 2a, 2b und 3 erläuterten Bauelemente sind bei einer Verwendung von IGBTs vorzugsweise in einen sogenannten Ansteuerverstärker des jeweiligen IGBTs integriert.The basis of the 2a . 2 B and 3 When components of IGBTs are used, they are preferably integrated into a so-called drive amplifier of the respective IGBT.

Bei den Ausführungsformen, die im Zusammenhang mit den 2a, 2b und 3 erläutert worden sind, findet der Messbetrieb immer außerhalb des Normalbetriebs statt. Alternativ ist es auch möglich, dass der Messbetrieb in den laufenden Normalbetrieb integriert wird. Dies wird nachfolgend erläutert.In the embodiments associated with the 2a . 2 B and 3 have been explained, the measuring operation always takes place outside normal operation. Alternatively, it is also possible that the measuring operation is integrated into the current normal operation. This will be explained below.

Wie erläutert wurde, fließt bei entsprechender Ansteuerung der Transistoren 11 ein Laststrom über die Ausgänge 14 zu der angeschlossenen Last. Es ist nun vorgesehen, diesen Laststrom hinsichtlich seiner Größe und/oder hinsichtlich seiner Anstiegs- bzw. Abfallgeschwindigkeit zu überwachen. Hierzu können entsprechende Mittel vorhanden und insbesondere in den Ansteuerverstärker des jeweiligen IGBTs integriert sein.As has been explained flows with appropriate driving of the transistors 11 a load current through the outputs 14 to the connected load. It is now intended to monitor this load current in terms of its size and / or in terms of its rise or fall speed. For this purpose, appropriate means may be present and in particular integrated into the drive amplifier of the respective IGBT.

Wenn die Größe des Laststroms einen vorgegebenen Wert besitzt oder zumindest in einem vorgegebenen Bereich um diesen Wert liegt, so wird der Laststrom als Messstrom für den zugehörigen Leistungshalbleiter verwendet. Es wird also dann kein separater Messstrom erzeugt, sondern es wird im Normalbetrieb des Wechselrichters die Temperatur des jeweiligen Leistungshalbleiters mit Hilfe des Laststroms ermittelt.If the size of the load current has a predetermined value or at least in a predetermined value Range is around this value, then the load current as a measuring current for the associated Power semiconductors used. So it will not be a separate one Measuring current is generated, but it is in normal operation of the inverter the temperature of the respective power semiconductor with the help of Load current determined.

Liegt also der Laststrom in dem vorgenannten, vorgegebenen Bereich, so wird mit Hilfe einer der Ausführungsformen der 2a, 2b oder 3 die Spannung an demjenigen Leistungshalbleiter gemessen, durch den der genannte Laststrom fließt. Aus dieser Spannung kann dann – wie im Zusammenhang mit den 2a, 2b und 3 erläutert wurde – auf die Temperatur des Leistungshalbleiters geschlossen werden.Thus, if the load current in the aforementioned, predetermined range, so using one of the embodiments of 2a . 2 B or 3 the voltage at that power half measured conductor through which said load current flows. From this tension can then - as in connection with the 2a . 2 B and 3 has been explained - be closed to the temperature of the power semiconductor.

Es versteht sich, dass in diesen Fällen, wenn also der Laststrom als Messstrom herangezogen wird, die in den 2a und 2b dargestellten elektrischen Schaltungen keine Bauelemente mehr zur Erzeugung eines separaten Messstroms mehr aufweisen, sondern im wesentlichen nur noch die Bauelemente zur Messung der jeweils relevanten Spannung.It is understood that in these cases, so if the load current is used as a measuring current, in the 2a and 2 B shown electrical circuits no longer have components for generating a separate measuring current, but essentially only the components for measuring the relevant voltage.

Zweckmäßig ist es, wenn die vorstehende Verwendung des Laststroms als Messstrom nur in solchen Zeitbereichen durchgeführt wird, in denen an keinem der Transistoren 11 ein Schaltvorgang stattfindet. Damit werden Störeinflüsse derartiger Schaltvorgänge auf die Messung der Spannung und damit die Ermittlung der Temperatur des jeweiligen Leistungshalbleiters vermieden.It is expedient if the above use of the load current as a measuring current is carried out only in those time ranges in which none of the transistors 11 a switching operation takes place. In order to avoid interference of such switching operations on the measurement of the voltage and thus the determination of the temperature of the respective power semiconductor.

Ebenfalls ist es zweckmäßig, wenn die Verwendung des Laststroms als Messstrom nur in solchen Zeitbereichen durchgeführt wird, in denen der Betrag der Anstiegs- bzw. Abfallgeschwindigkeit des Laststroms einen vorgegebenen Wert unterschreitet. Damit wird erreicht, dass der Wert des Laststroms zumindest für eine bestimmte Zeitdauer in dem genannten, vorgegebenen Bereich verweilt. Die Ermittlung der Temperatur des jeweiligen Leistungshalbleiters wird damit nicht dadurch verfälscht, dass der als Messstrom verwendete Laststrom sich während der Messung der Spannung des Leistungshalbleiters wesentlich verändert.Also it is useful if the use of the load current as a measuring current only in such time ranges carried out is where the amount of rise or fall speed of the load current falls below a predetermined value. This will be achieved that the value of the load current at least for a certain Duration lingers in said predetermined range. The investigation the temperature of the respective power semiconductor is thus not thereby falsified, that the load current used as the measuring current is during the measurement the voltage of the power semiconductor changed significantly.

Die genannte Anstiegs- bzw. Abfallgeschwindigkeit des Laststroms kann auch als weiterer Parameter bei der Ermittlung der Temperatur eines Leistungshalbleiters herangezogen werden.The called rise or fall rate of the load current can also as a further parameter in the determination of the temperature of a power semiconductor be used.

Claims (26)

Verfahren zur Ermittlung einer Temperatur eines Leistungshalbleiters in einem Stromrichter mit folgenden Schritten: – mit Hilfe des Leistungshalbleiters wird ein Laststrom ein- und ausgeschaltet, – die Größe des Laststroms wird überwacht, – sofern die Größe des Laststroms einen vorgegebenen Wert aufweist oder in einem vorgegebenen Bereich um diesen Wert liegt, so wird die an dem Leistungshalbleiter abfallende Spannung ermittelt, – aus dieser Spannung wird auf die Temperatur des Leistungshalbleiters geschlossen.Method for determining a temperature of a Power semiconductor in a power converter with the following steps: - with help of the power semiconductor, a load current is switched on and off, - the size of the load current is being supervised, - provided the size of the load current has a predetermined value or in a predetermined range is around this value, then the sloping at the power semiconductor Determined voltage, - out this voltage is at the temperature of the power semiconductor closed. Verfahren nach Anspruch 1, mit dem folgenden weiteren Schritt: – die Ermittlung der an dem Leistungshalbleiter abfallenden Spannung wird nur dann durchgeführt, wenn an dem vorliegenden Leistungshalbleiter oder an einem anderen, mit dem vorliegenden Leistungshalbleiter gekoppelten Leistungshalbleiter kein Schaltvorgang stattfindet.The method of claim 1, further comprising the following Step: - the Determining the voltage dropping across the power semiconductor only then performed if at the present power semiconductor or at another, Power semiconductors coupled to the present power semiconductor no switching takes place. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, mit den folgenden weiteren Schritten: – die Anstiegs- bzw. Abfallgeschwindigkeit des Laststroms wird überwacht, – die Ermittlung der an dem Leistungshalbleiter abfallenden Spannung wird nur dann durchgeführt, wenn die Anstiegs- bzw. Abfallgeschwindigkeit, insbesondere der Betrag der Anstiegs- bzw. Abfallgeschwidigkeit, einen vorgegebenen Wert unterschreitet.Method according to one of the preceding claims, with the following further steps: The rate of increase or decrease the load current is monitored, - the investigation the voltage dropping across the power semiconductor will only then carried out, if the rate of increase or decrease, in particular the Amount of rise or Waste rate, below a predetermined value. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei es sich bei dem Leistungshalbleiter um einen Transistor (11), insbesondere einen sogenannten IGBT (IGBT = insulated gate bipolar transistor) handelt, bei dem der Transistor (11) leitend gesteuert wird, so dass der Laststrom über die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors (11) fließt, und bei dem die an der Kollektor-Emitter-Strecke abfallende Spannung (Uce) ermittelt wird.Method according to one of claims 1 to 3, wherein it is in the power semiconductor to a transistor ( 11 ), in particular a so-called IGBT (insulated gate bipolar transistor IGBT), in which the transistor ( 11 ) is conductively controlled so that the load current across the collector-emitter path of the transistor ( 11 ) flows, and in which the voltage dropping on the collector-emitter path (Uce) is determined. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei es sich bei dem Leistungshalbleiter um eine Diode (12), insbesondere eine Freilaufdiode zu einem IGBT handelt, bei dem der Laststrom in Flussrichtung über die Diode (12) fließt, und bei dem die in Flussrichtung an der Diode (12) abfallende Spannung (Uak) ermittelt wird.Method according to one of claims 1 to 3, wherein the power semiconductor is a diode ( 12 ), in particular a freewheeling diode to an IGBT, in which the load current in the flow direction via the diode ( 12 ) flows, and in which the flow direction of the diode ( 12 ) decreasing voltage (Uak) is determined. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem bei einem Exemplar des Leistungshalbleiters vorab eine Abhängigkeit zwischen der an dem Leistungshalbleiter abfallenden Spannung und der Temperatur des Leistungshalbleiters ermittelt wird, und bei dem diese Abhängigkeit bei einem anderen Exemplar des Leistungshalbleiters dazu verwendet wird, aus der ermittelten Spannung auf die Temperatur des Leistungshalbleiters zu schließen.Method according to one of the preceding claims, in in the case of a copy of the power semiconductor in advance a dependency between the voltage dropping across the power semiconductor and the Temperature of the power semiconductor is determined, and in which this dependence used in another copy of the power semiconductor is, from the determined voltage to the temperature of the power semiconductor close. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem bei der Ermittlung der Abhängigkeit zwischen der an dem Leistungshalbleiter abfallenden Spannung und der Temperatur des Leistungshalbleiters derselbe mit einem Strom beaufschlagt wird, der im wesentlichen dem vorgegebenen Wert des Laststroms entspricht.Method according to claim 6, wherein in the determination the dependence between the voltage dropping across the power semiconductor and the temperature of the power semiconductor the same with a stream is applied, the substantially the predetermined value of the Load current corresponds. Verfahren nach Anspruch 7, wobei der Messstrom (Im) nach einem Abklingen des noch fließenden Laststroms und/oder einer damit verbundenen Lastspannung und/oder nach Ablauf einer vorgegebenen Zeitdauer erzeugt wird.Method according to claim 7, wherein the measuring current (Im) after a decay of the still flowing load current and / or an associated load voltage and / or after expiry of a predetermined period of time is generated. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8, bei dem die Erzeugung des Messstroms (Im) mit Hilfe eines Schalters (28) gesteuert wird.Method according to one of claims 7 or 8, wherein the generation of the measuring current (Im) by means of a switch ( 28 ) is controlled. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei der Leistungshalbleiter mit weiteren Leistungshalbleitern gekoppelt ist, und wobei der Messstrom (Im) alternierend für die Leistungshalbleiter erzeugt wird.Method according to one of claims 7 to 9, wherein the power semiconductor is coupled to further power semiconductors, and wherein the measuring current (Im) alternating for the power semiconductor is generated. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, wobei als Leistungshalbleiter zwei Transistoren (11) in Serie geschaltet sind und an einer Spannung (Ud) anliegen, und wobei jedem Transistor (11) ein Widerstand (31) parallelgeschaltet ist, bei dem der Messstrom (Im) aus der Spannung (Ud) erzeugt wird, indem einer der beiden Transistoren (11) leitend geschaltet wird.Method according to one of claims 7 to 10, wherein as power semiconductors two transistors ( 11 ) are connected in series and are applied to a voltage (Ud), and wherein each transistor ( 11 ) a resistor ( 31 ) is connected in parallel, in which the measuring current (Im) is generated from the voltage (Ud) by one of the two transistors ( 11 ) is turned on. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Sperrschichttemperatur des Leistungshalbleiters ermittelt wird.Method according to one of the preceding claims, wherein the junction temperature of the power semiconductor is determined. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die ermittelte Sperrschichttemperatur hinsichtlich eines vorgegebenen Grenzwerts überwacht wird.The method of claim 12, wherein the determined Barrier temperature monitored with respect to a predetermined limit becomes. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 oder 13, wobei die ermittelte Sperrschichttemperatur dazu herangezogen wird, um Aussagen über eine Alterung des Leistungshalbleiters und/oder einen Zustand eines dem Leistungshalbleiter zugeordneten Kühlsystems zu gewinnen.Method according to one of claims 12 or 13, wherein the determined Barrier temperature is used to make statements about a Aging of the power semiconductor and / or a state of the Power semiconductor associated cooling system to win. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei in Abhängigkeit von der ermittelten Temperatur des Leistungshalbleiters vorzugsweise ein variabler Stromgrenzwert für den von dem Leistungshalbleiter geschalteten Laststrom ermittelt wird.Method according to one of the preceding claims, wherein dependent on from the determined temperature of the power semiconductor preferably a variable current limit for determined the switched by the power semiconductor load current becomes. Verfahren nach Anspruch 15, wobei der Stromgrenzwert von dem Alterungszustand des Leistungshalbleiters abhängig ist.The method of claim 15, wherein the current limit is dependent on the aging state of the power semiconductor. Elektrische Schaltung (20) zur Ermittlung einer Temperatur eines Transistors (11), insbesondere eines IGBTs, mit einer Ansteuereinrichtung (21) zur Leitendsteuerung des Transistors (11), mit Mitteln zur Überwachung der Größe eines über den Transistor (11) fließenden Laststroms, und mit einer Messeinrichtung (22) zur Ermittlung der an der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors (11) abfallenden Spannung (Uce), wenn die Größe des Laststroms einen vorgegebenen Wert aufweist oder in einem vorgegebenen Bereich um diesen Wert liegt.Electrical circuit ( 20 ) for determining a temperature of a transistor ( 11 ), in particular an IGBT, with a drive device ( 21 ) for Leitendsteuerung the transistor ( 11 ), with means for monitoring the size of one across the transistor ( 11 ) flowing load current, and with a measuring device ( 22 ) for determining the at the collector-emitter path of the transistor ( 11 ) decreasing voltage (Uce) when the magnitude of the load current has a predetermined value or is within a predetermined range around this value. Elektrische Schaltung (25) zur Ermittlung einer Temperatur einer Diode (12), insbesondere einer Freilaufdiode eines IGBTs, mit Mitteln zur Überwachung der Größe eines in Flussrichtung über die Diode (12) fließenden Laststroms, und mit einer Messeinrichtung (29) zur Ermittlung der in Flussrichtung an der Diode (12) abfallenden Spannung (Uak), wenn die Größe des Laststroms einen vorgegebenen Wert aufweist oder in einem vorgegebenen Bereich um diesen Wert liegt.Electrical circuit ( 25 ) for determining a temperature of a diode ( 12 ), in particular a freewheeling diode of an IGBT, with means for monitoring the size of a flow direction across the diode ( 12 ) flowing load current, and with a measuring device ( 29 ) for determining the direction of flow at the diode ( 12 ) decreasing voltage (Uak) when the magnitude of the load current has a predetermined value or within a predetermined range around this value. Elektrische Schaltung (20) zur Ermittlung einer Temperatur eines Transistors (11), insbesondere eines IGBTs, mit einer Ansteuereinrichtung (21) zur Erzeugung eines Messstroms (Im) und zur Leitendsteuerung des Transistors (11), so dass der Messstrom (Im) über die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors (11) fließt, und mit einer Messeinrichtung (22) zur Ermittlung der an der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors (11) abfallenden Spannung (Uce).Electrical circuit ( 20 ) for determining a temperature of a transistor ( 11 ), in particular an IGBT, with a drive device ( 21 ) for generating a measuring current (Im) and the Leitendsteuerung the transistor ( 11 ), so that the measuring current (Im) via the collector-emitter path of the transistor ( 11 ) flows, and with a measuring device ( 22 ) for determining the at the collector-emitter path of the transistor ( 11 ) decreasing voltage (Uce). Elektrische Schaltung (25) zur Ermittlung einer Temperatur einer Diode (12), insbesondere einer Freilaufdiode eines IGBTs, mit einer Ansteuereinrichtung (30) zur Erzeugung eines Messstroms (Im) in Flussrichtung über die Diode (12), und mit einer Messeinrichtung (29) zur Ermittlung der in Flussrichtung an der Diode (12) abfallenden Spannung (Uak).Electrical circuit ( 25 ) for determining a temperature of a diode ( 12 ), in particular a freewheeling diode of an IGBT, with a drive device ( 30 ) for generating a measuring current (Im) in the flow direction via the diode ( 12 ), and with a measuring device ( 29 ) for determining the direction of flow at the diode ( 12 ) decreasing voltage (Uak). Schaltung nach einem der Ansprüche 17 bis 20, gekennzeichnet durch die Integration der Bauteile der Schaltung in einen Ansteuerverstärker eines IGBT.Circuit according to one of Claims 17 to 20 by integrating the components of the circuit into a drive amplifier of an IGBT. Elektrischer Wechselrichter (10) mit sechs Transistoren (11) und sechs Dioden (12), gekennzeichnet durch die Verwendung der Schaltung nach einem der Ansprüche 18 bis 21.Electric inverter ( 10 ) with six transistors ( 11 ) and six diodes ( 12 ), characterized by the use of the circuit according to one of claims 18 to 21. Wechselrichter (10) nach Anspruch 22, mit jeweils einem zu den Transistoren (11) parallel geschalteten Widerstand (31) (3).Inverter ( 10 ) according to claim 22, with one each to the transistors ( 11 ) parallel resistor ( 31 ) ( 3 ). Wechselrichter (10) nach Anspruch 23, gekennzeichnet durch die Integration des Widerstands (31) in einen Ansteuerverstärker eines IGBT.Inverter ( 10 ) according to claim 23, characterized by the integration of the resistor ( 31 ) in a drive amplifier of an IGBT. Verfahren zur Ermittlung einer Sperrschicht-Temperatur eines Leistungshalbleiters in einem Stromrichter mit folgenden Schritten: – von einer in dem Stromrichter integrierten Stromquelle wird ein Messstrom in dem eingeschalteten Leistungshalbleiter erzeugt, – von einer Messeirichtung wird ein Spannungsabfall über dem eingeschalteten Leistungshalbleiter erfasst, – in Abhängigkeit von einem vorgegebenen Zusammenhang zwischen einem an dem Leistungshalbleiter vorhandenen Spannungsabfall und einer vorhandenen Sperrschicht-Temperatur wird die zu dem erfassten Spannungsabfall zugehörige Sperrschicht-Temperatur ermittelt.Method for determining a junction temperature a power semiconductor in a power converter with the following steps: - from one In the power converter integrated power source becomes a measuring current generated in the switched-on power semiconductor, - from one Messeirichtung is a voltage drop across the switched power semiconductor detected, - in dependence from a given relationship between one on the power semiconductor existing voltage drop and an existing junction temperature becomes the junction temperature associated with the sensed voltage drop determined. Elektrische Schaltung zur Ermittlung einer Sperrschicht-Temperatur eines Leistungshalbleiters in einem Stromrichter mit einer in dem Stromrichter integrierten Stromquelle, von der ein Messstrom in dem eingeschalteten Leistungshalbleiter erzeugbar ist, mit einer Messeirichtung, von der ein Spannungsabfall über dem eingeschalteten Leistungshalbleiter erfassbar ist, und mit Mitteln zur Ermittlung der zu dem erfassten Spannungsabfall zugehörigen Sperrschicht-Temperatur in Abhängigkeit von einem vorgegebenen Zusammenhang zwischen einem an dem Leistungshalbleiter vorhandenen Spannungsabfall und einer vorhandenen Sperrschicht-Temperatur.Electrical circuit for determining a junction temperature of a power semiconductor in a power converter with a current source integrated in the power converter, from which a measuring current can be generated in the switched-on power semiconductor, with a measuring device, from which a voltage drop across the switched-on power semiconductor can be detected, and with means for determining the barrier layer associated with the detected voltage drop Temperature as a function of a predetermined relationship between a present at the power semiconductor voltage drop and an existing junction temperature.
DE10351843A 2003-11-06 2003-11-06 Method and electrical circuits for determining a temperature of a power semiconductor Expired - Fee Related DE10351843B4 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10351843A DE10351843B4 (en) 2003-11-06 2003-11-06 Method and electrical circuits for determining a temperature of a power semiconductor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10351843A DE10351843B4 (en) 2003-11-06 2003-11-06 Method and electrical circuits for determining a temperature of a power semiconductor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10351843A1 true DE10351843A1 (en) 2005-06-09
DE10351843B4 DE10351843B4 (en) 2013-11-21

Family

ID=34559394

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10351843A Expired - Fee Related DE10351843B4 (en) 2003-11-06 2003-11-06 Method and electrical circuits for determining a temperature of a power semiconductor

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10351843B4 (en)

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007007007A1 (en) * 2007-02-08 2008-08-14 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Device for determining and monitoring process factor, has housing and measurement unit is provided, whose electric voltage drop is temperature dependent
DE102010000875A1 (en) * 2010-01-13 2011-07-14 Infineon Technologies AG, 85579 Junction temperature determining method for e.g. insulated-gate bipolar transistor in three-phase power converter arrangement, involves supplying current to be fed so that total current flowing in transistor corresponds to test current
DE102010063274B3 (en) * 2010-12-16 2012-01-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Device for controlling a power semiconductor switch via a common mode choke
EP2385359A3 (en) * 2010-05-03 2013-01-02 Sharp Kabushiki Kaisha Array element for temperature sensor array circuit, temperature sensor array circuit utilizing such array element, and am-ewod device including such a temperature sensor array circuit
EP2568268A1 (en) * 2011-09-07 2013-03-13 kk-electronic a/s Method for estimating the temperature of a semiconductor chip
WO2013075733A1 (en) * 2011-11-21 2013-05-30 Ebm-Papst Mulfingen Gmbh & Co. Kg Electronic control circuit comprising power transistors and method for monitoring the service life of the power transistors
DE102012203165A1 (en) * 2012-02-29 2013-08-29 Beuth Hochschule Für Technik Berlin Arrangement for monitoring electrical objects e.g. thyristors, in wind-power plant, has protective device operated in block direction and blocking current flow through power source, if voltage of source is larger than voltage at terminal
DE102012006009A1 (en) 2012-03-24 2013-09-26 Volkswagen Aktiengesellschaft Method for determining junction temperature of pn-transition in e.g. MOSFET for use in energy converter, involves determining junction temperature based on determined time duration and power path voltage
FR3002646A1 (en) * 2013-02-22 2014-08-29 Technofan ELECTRONIC TEMPERATURE SENSOR FOR MEASURING THE JUNCTION TEMPERATURE OF AN ELECTRONIC POWER SWITCH IN OPERATION AND METHOD OF MEASURING THE TEMPERATURE OF JUNCTION BY THE ELECTRONIC SENSOR
WO2015128360A1 (en) * 2014-02-28 2015-09-03 Siemens Aktiengesellschaft Circuit assembly and method for controlling a junction field-effect transistor
DE102014219237A1 (en) * 2014-09-24 2016-04-07 Siemens Aktiengesellschaft Method and device for determining operating parameters of switching elements of an inverter
EP3054306A1 (en) * 2015-02-03 2016-08-10 Siemens Aktiengesellschaft Method for determining the ageing of power semiconductor modules and device and circuit assembly
CN106301150A (en) * 2015-06-25 2017-01-04 Abb有限公司 Temperature estimate in power semiconductor in power drive system
DE102016206590A1 (en) * 2016-04-19 2017-10-19 Zf Friedrichshafen Ag Method for determining a temperature of a transistor, control device and switching device
DK201770767A1 (en) * 2016-10-10 2018-04-23 Kk Wind Solutions As Semiconductor switch measuring circuit
WO2018086666A1 (en) * 2016-11-08 2018-05-17 Aalborg Universitet Junction temperature measurement in a power semiconductor module
FR3084467A1 (en) * 2018-07-26 2020-01-31 Valeo Systemes Thermiques TEMPERATURE CONTROL METHOD AND CORRESPONDING CONTROL CIRCUIT
DE102019119863B3 (en) 2019-07-23 2020-06-25 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Circuit device with a converter and a capacitor
DE102019100594A1 (en) * 2019-01-11 2020-07-16 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Power semiconductor device with a half-bridge circuit
DE102022201327A1 (en) 2022-02-09 2023-08-10 Zf Friedrichshafen Ag Temperature determination of a half bridge
DE102012006009B4 (en) 2012-03-24 2024-06-13 Volkswagen Aktiengesellschaft Method and device for determining a junction temperature of a semiconductor device

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0217620A2 (en) * 1985-09-25 1987-04-08 Imi Pactrol Limited Temperature sensor
DE4324982A1 (en) * 1993-07-26 1995-02-02 Abb Management Ag Method and circuit arrangement for measuring the junction temperature of a GTO thyristor
DE19652046A1 (en) * 1996-12-13 1998-06-18 Siemens Ag Temperature measuring method of semiconductor chip
WO1999014567A1 (en) * 1997-09-15 1999-03-25 Siemens Aktiengesellschaft Method and device for determining the charging current of an accumulator
US5982221A (en) * 1997-08-13 1999-11-09 Analog Devices, Inc. Switched current temperature sensor circuit with compounded ΔVBE
US6084462A (en) * 1997-08-08 2000-07-04 U.S. Philips Corporation Temperature sensing circuits
US6286996B1 (en) * 1998-09-18 2001-09-11 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Method and arrangement for measuring temperature of a semiconductor component in an inactive state
DE10011179A1 (en) * 2000-03-08 2001-09-20 Infineon Technologies Ag Determining temperature of semiconductor memory chip
WO2001098790A1 (en) * 2000-06-21 2001-12-27 Braun Gmbh Method and circuit for measuring a voltage or a temperature and for generating a voltage with any predeterminable temperature dependence

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0217620A2 (en) * 1985-09-25 1987-04-08 Imi Pactrol Limited Temperature sensor
DE4324982A1 (en) * 1993-07-26 1995-02-02 Abb Management Ag Method and circuit arrangement for measuring the junction temperature of a GTO thyristor
DE19652046A1 (en) * 1996-12-13 1998-06-18 Siemens Ag Temperature measuring method of semiconductor chip
US6084462A (en) * 1997-08-08 2000-07-04 U.S. Philips Corporation Temperature sensing circuits
US5982221A (en) * 1997-08-13 1999-11-09 Analog Devices, Inc. Switched current temperature sensor circuit with compounded ΔVBE
WO1999014567A1 (en) * 1997-09-15 1999-03-25 Siemens Aktiengesellschaft Method and device for determining the charging current of an accumulator
US6286996B1 (en) * 1998-09-18 2001-09-11 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Method and arrangement for measuring temperature of a semiconductor component in an inactive state
DE10011179A1 (en) * 2000-03-08 2001-09-20 Infineon Technologies Ag Determining temperature of semiconductor memory chip
US6612738B2 (en) * 2000-03-08 2003-09-02 Infineon Technologies Method for determining the temperature of a semiconductor chip and semiconductor chip with temperature measuring configuration
WO2001098790A1 (en) * 2000-06-21 2001-12-27 Braun Gmbh Method and circuit for measuring a voltage or a temperature and for generating a voltage with any predeterminable temperature dependence

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007007007A1 (en) * 2007-02-08 2008-08-14 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Device for determining and monitoring process factor, has housing and measurement unit is provided, whose electric voltage drop is temperature dependent
DE102010000875B4 (en) * 2010-01-13 2014-05-22 Infineon Technologies Ag Method for measuring the junction temperature of power semiconductors in a power converter
DE102010000875A1 (en) * 2010-01-13 2011-07-14 Infineon Technologies AG, 85579 Junction temperature determining method for e.g. insulated-gate bipolar transistor in three-phase power converter arrangement, involves supplying current to be fed so that total current flowing in transistor corresponds to test current
EP2385359A3 (en) * 2010-05-03 2013-01-02 Sharp Kabushiki Kaisha Array element for temperature sensor array circuit, temperature sensor array circuit utilizing such array element, and am-ewod device including such a temperature sensor array circuit
US8419273B2 (en) 2010-05-03 2013-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Array element for temperature sensor array circuit, temperature sensor array circuit utilizing such array element, and AM-EWOD device including such a temperature sensor array circuit
EP2466751A1 (en) * 2010-12-16 2012-06-20 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Power semiconductor system
DE102010063274B3 (en) * 2010-12-16 2012-01-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Device for controlling a power semiconductor switch via a common mode choke
EP2568268A1 (en) * 2011-09-07 2013-03-13 kk-electronic a/s Method for estimating the temperature of a semiconductor chip
WO2013034400A1 (en) 2011-09-07 2013-03-14 Kk-Electronic A/S Method and apparatus for estimating the temperature of a semiconductor chip
CN103782143A (en) * 2011-09-07 2014-05-07 科电公司 Method and apparatus for estimating temperature of semiconductor chip
US9689754B2 (en) 2011-09-07 2017-06-27 Paul Bach Thøgersen Method and apparatus for estimating the temperature of a semiconductor chip
CN104053976B (en) * 2011-11-21 2016-01-27 穆尔芬根依必派特股份有限公司 Comprise the method in the electronic control circuit of power transistor and the serviceable life of monitor power transistor
WO2013075733A1 (en) * 2011-11-21 2013-05-30 Ebm-Papst Mulfingen Gmbh & Co. Kg Electronic control circuit comprising power transistors and method for monitoring the service life of the power transistors
US9529038B2 (en) 2011-11-21 2016-12-27 Ebm-Papst Mulfingen Gmbh & Co. Kg Electronic control circuit comprising power transistors and method for monitoring the service life of the power transistors
CN104053976A (en) * 2011-11-21 2014-09-17 穆尔芬根依必派特股份有限公司 Electronic control circuit comprising power transistors and method for monitoring service life of power transistors
DE102012203165A1 (en) * 2012-02-29 2013-08-29 Beuth Hochschule Für Technik Berlin Arrangement for monitoring electrical objects e.g. thyristors, in wind-power plant, has protective device operated in block direction and blocking current flow through power source, if voltage of source is larger than voltage at terminal
DE102012006009A1 (en) 2012-03-24 2013-09-26 Volkswagen Aktiengesellschaft Method for determining junction temperature of pn-transition in e.g. MOSFET for use in energy converter, involves determining junction temperature based on determined time duration and power path voltage
DE102012006009B4 (en) 2012-03-24 2024-06-13 Volkswagen Aktiengesellschaft Method and device for determining a junction temperature of a semiconductor device
WO2014128274A3 (en) * 2013-02-22 2014-10-23 Technofan Electronic temperature sensor for measuring the junction temperature of an electronic power switch during operation, and method for measuring the temperature of the junction by this electronic sensor
FR3002646A1 (en) * 2013-02-22 2014-08-29 Technofan ELECTRONIC TEMPERATURE SENSOR FOR MEASURING THE JUNCTION TEMPERATURE OF AN ELECTRONIC POWER SWITCH IN OPERATION AND METHOD OF MEASURING THE TEMPERATURE OF JUNCTION BY THE ELECTRONIC SENSOR
US9442023B2 (en) 2013-02-22 2016-09-13 Technofan Electronic temperature sensor for measuring the junction temperature of an electronic power switch during operation, and method for measuring the temperature of the junction by this electronic sensor
WO2015128360A1 (en) * 2014-02-28 2015-09-03 Siemens Aktiengesellschaft Circuit assembly and method for controlling a junction field-effect transistor
DE102014219237A1 (en) * 2014-09-24 2016-04-07 Siemens Aktiengesellschaft Method and device for determining operating parameters of switching elements of an inverter
CN107209222B (en) * 2015-02-03 2019-11-22 西门子公司 For determining the method and equipment and circuit device of the aging of power semiconductor modular
WO2016124296A1 (en) * 2015-02-03 2016-08-11 Siemens Aktiengesellschaft Method for determining a deterioration of power semiconductor modules as well as a device and circuit arrangement
CN107209222A (en) * 2015-02-03 2017-09-26 西门子公司 Method and equipment and circuit arrangement for the aging that determines power semiconductor modular
EP3054306A1 (en) * 2015-02-03 2016-08-10 Siemens Aktiengesellschaft Method for determining the ageing of power semiconductor modules and device and circuit assembly
US10168381B2 (en) 2015-02-03 2019-01-01 Siemens Aktiengesellschaft Method for determining a deterioration of power semiconductor modules as well as a device and circuit arrangement
EP3118638A1 (en) * 2015-06-25 2017-01-18 Abb Oy Temperature estimation in power semiconductor device in electric drive system
CN106301150A (en) * 2015-06-25 2017-01-04 Abb有限公司 Temperature estimate in power semiconductor in power drive system
US10495519B2 (en) 2015-06-25 2019-12-03 Abb Schweiz Ag Temperature estimation in power semiconductor device in electric drive system
CN106301150B (en) * 2015-06-25 2019-11-19 Abb瑞士股份有限公司 Temperature estimate in power drive system in power semiconductor
DE102016206590A1 (en) * 2016-04-19 2017-10-19 Zf Friedrichshafen Ag Method for determining a temperature of a transistor, control device and switching device
DK201770767A1 (en) * 2016-10-10 2018-04-23 Kk Wind Solutions As Semiconductor switch measuring circuit
WO2018086666A1 (en) * 2016-11-08 2018-05-17 Aalborg Universitet Junction temperature measurement in a power semiconductor module
FR3084467A1 (en) * 2018-07-26 2020-01-31 Valeo Systemes Thermiques TEMPERATURE CONTROL METHOD AND CORRESPONDING CONTROL CIRCUIT
DE102019100594A1 (en) * 2019-01-11 2020-07-16 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Power semiconductor device with a half-bridge circuit
DE102019119863B3 (en) 2019-07-23 2020-06-25 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Circuit device with a converter and a capacitor
DE102022201327A1 (en) 2022-02-09 2023-08-10 Zf Friedrichshafen Ag Temperature determination of a half bridge

Also Published As

Publication number Publication date
DE10351843B4 (en) 2013-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10351843B4 (en) Method and electrical circuits for determining a temperature of a power semiconductor
DE102010000875B4 (en) Method for measuring the junction temperature of power semiconductors in a power converter
EP3428667B1 (en) Method for obtaining an indication, in particular an initial indication of a possible faulty load condition of a polyphase electric motor
DE10245098A1 (en) Electrical auxiliary source device and load operating device
DE102006004420A1 (en) Apparatus for converting electrical energy
DE102011007491A1 (en) Control device and method for operating an electrical machine controlled by an inverter
DE102016109039A1 (en) Electric device, in particular heater, and device and method for controlling an electrical device
DE102012224336A1 (en) Method for operating an electric power converter and electric power converters
DE102011089316A1 (en) Control device for semiconductor switches of an inverter and method for driving an inverter
DE102014010807A1 (en) Monitoring and controlling the temperature in a semiconductor structure
DE102004062224B4 (en) Semiconductor device and semiconductor device module
WO2020193284A1 (en) Determining phase current by means of the on-resistance and the junction temperature of a field effect transistor
EP3561981A1 (en) Method for reduction of a temperature rise in a controllable switching element
DE102012209276B4 (en) Control device for semiconductor switches of an inverter, drive system and method for controlling an inverter
DE102008051074B4 (en) Method and apparatus for monitoring a load driven by a power semiconductor switch
DE102014202717B3 (en) System for determining the capacitance of a DC link capacitor and method for driving an inverter
DE102012200234B4 (en) Method and control device for controlling the turn-off speed of a semiconductor switch
DE102020208167A1 (en) Power module for operating an electric vehicle drive with improved temperature determination of the power semiconductors
DE102014212572B4 (en) Method for obtaining information, in particular initial information on a possible faulty load condition of a polyphase electric motor
DE102019217836A1 (en) Method for controlling the operation of an electric vehicle drive unit with two controllers
WO2019174931A1 (en) Method and device for setting a dead time of switching elements of a half bridge, and inverter
DE102010024128A1 (en) Alternating voltage regulators
DE102014226165A1 (en) Adaptive driver for a transistor
DE10156037A1 (en) Method for monitoring operation of heater element of motor vehicle interior heater based on comparing actual resistance of heater elements against known resistance temperature characteristic
DE102016220893A1 (en) Method for operating a power converter, converter and electric drive system with a power converter

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: CONVERTEAM GMBH, 12277 BERLIN, DE

8110 Request for examination paragraph 44
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R082 Change of representative

Representative=s name: RUEGER, BARTHELT & ABEL PATENTANWAELTE, DE

Representative=s name: RUEGER ] ABEL PATENT- UND RECHTSANWAELTE, DE

Representative=s name: RUEGER ABEL PATENT- UND RECHTSANWAELTE, DE

R020 Patent grant now final

Effective date: 20140222

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee