DE10329398B4 - A radiation-emitting semiconductor chip and method for producing a radiation-emitting semiconductor chip - Google Patents

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Abstract

Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (3), die mindestens eine eine elektromagnetische Strahlung erzeugende aktive Schicht (2) umfaßt, und mit einer elektrischen Kontaktschicht (7), die einen Anschlußbereich (4) und einen in einem Abstand neben dem Anschlußbereich (4) angeordneten und mit diesem elektrisch verbundenen Strominjektionsbereich (5) umfaßt, wobei zwischen dem Anschlußbereich (4) und dem Strominjektionsbereich (5) und/oder gesehen vom Anschlußbereich (4) außerhalb des Strominjektionsbereiches (5) auf einer vorderseitigen Strahlungsauskoppelfläche (10) der Halbleiterschichtenfolge (3) eine Helligkeitseinstellschicht (12) aufgebracht ist, die gezielt einen Teil der in der Halbleiterschichtenfolge (3) erzeugten Strahlung absorbiert, und unter dem Anschlußbereich (4) ein Stromdurchlaßbereich (61) angeordnet ist, der von einem Stromsperrbereich (62) ringartig umschlossen ist, wobei der Anschlußbereich (4) über den Stromdurchlaßbereich (61) mit der Halbleiterschichtenfolge (3) elektrisch leitend verbunden ist, derart, daß im Betrieb des Halbleiterchips (1) ein Teil der im Chip erzeugten elektromagnetischen Strahlung unter dem Anschlußbereich (4) erzeugt und von diesem absorbiert wird.

Figure DE000010329398B4_0000
A radiation-emitting semiconductor chip (1) having a semiconductor layer sequence (3) which comprises at least one active layer (2) generating an electromagnetic radiation and having an electrical contact layer (7) which has a connection region (4) and a distance adjacent to the connection region (4). 4) and electrically connected to this current injection region (5), wherein between the terminal region (4) and the current injection region (5) and / or seen from the terminal region (4) outside the current injection region (5) on a front radiation coupling surface (10) Semiconductor layer sequence (3) a brightness adjustment layer (12) is applied, which selectively absorbs a portion of the radiation generated in the semiconductor layer sequence (3), and under the terminal region (4) a Stromdurchlaßbereich (61) is arranged, of a current blocking region (62) ring-like is enclosed, wherein the connection area (4) via the current passage region (61) is electrically conductively connected to the semiconductor layer sequence (3) such that, during operation of the semiconductor chip (1), a portion of the electromagnetic radiation generated in the chip is generated under and absorbed by the connection region (4).
Figure DE000010329398B4_0000

Description

Die Erfindung betrifft einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip mit einer Halbleiterschichtenfolge, die mindestens eine eine elektromagnetische Strahlung erzeugende aktive Schicht umfaßt, und mit einer elektrischen Kontaktschicht, die einen Anschlußbereich und einen außerhalb des Anschlußbereichs angeordneten und mit diesem elektrisch verbundenen Strominjektionsbereich umfaßt. Sie betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips.The invention relates to a radiation-emitting semiconductor chip having a semiconductor layer sequence which comprises at least one active layer which generates an electromagnetic radiation and having an electrical contact layer which comprises a connection region and a current injection region arranged outside the connection region and electrically connected thereto. It further relates to a method for producing such a semiconductor chip.

Die Halbleiterschichten von Halbleiterchips, beispielsweise die strahlungserzeugenden Schichtstrukturen von strahlungsemittierenden und von strahlungsempfangenden Halbleiterchips können durch eine Vielzahl von unterschiedlichen Epitaxie-Methoden, wie metallorganische Dampfphasenepitaxie (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE), Molekularstrahlepitaxie (Molecular Beam Epitaxy (MBE), Flüssigphasenepitaxie (Liquid Phase Epitaxy (LPE), etc. definiert werden. Alternativ oder ergänzend können solche Schichtstrukturen zumindest teilweise durch Eindiffundieren von Dotierstoffen definiert werden.The semiconductor layers of semiconductor chips, for example the radiation-generating layer structures of radiation-emitting and radiation-receiving semiconductor chips, can be identified by a variety of different epitaxial methods, such as Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE), Molecular Beam Epitaxy (MBE), Liquid Phase Epitaxy (Liquid Phase epitaxy (LPE), etc. Alternatively or additionally, such layer structures can be defined, at least in part, by diffusion of dopants.

Sowohl Epitaxieprozesse als auch Dotierprozesse unterliegen gewissen Fertigungsschwankungen. Bei lichtemittierenden Halbleiterchips führen Fertigungsschwankungen häufig zu Schwankungen in der Helligkeit von nominal gleichartigen Halbleiterchips im Betrieb. Sowohl die in unterschiedlichen Epitaxie-Prozeßläufen hergestellten Wafer, als auch die gleichzeitig in einem Prozeßlauf hergestellten verschiedenen Wafer unterliegen Fertigungsschwankungen, wobei die Schwankungen innerhalb der in einem Prozeßlauf hergestellten Wafer geringer sind.Both epitaxy processes and doping processes are subject to certain manufacturing variations. In light emitting semiconductor chips, manufacturing variations often result in variations in the brightness of nominally similar semiconductor chips in operation. Both the wafers produced in different epitaxy process runs and the different wafers simultaneously produced in one process run are subject to manufacturing variations, whereby the variations within the wafers produced in one process run are lower.

Die Druckschrift EP 1 278 249 A1 betrifft ein Halbleiterbauteil mit einer transparenten Elektrode.The publication EP 1 278 249 A1 relates to a semiconductor device with a transparent electrode.

In der Druckschrift US 2003 / 0 006 422 A1 wird eine Elektrode, welche Titan und Platin aufweisen kann, beschrieben.The document US 2003/0 006 422 A1 describes an electrode which may comprise titanium and platinum.

Die Druckschrift DE 43 38 187 A1 betrifft ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement mit einer Isolierschicht.The publication DE 43 38 187 A1 relates to a semiconductor light-emitting device with an insulating layer.

In der Druckschrift US 4 864 370 A wird eine Leuchtdiode mit einem elektrischen Kontakt beschrieben.In the publication US 4,864,370 A. a light-emitting diode with an electrical contact is described.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiterchipstruktur anzugeben, deren Strahlungsemission während deren Herstellung auf einen Sollbereich einstellbar ist.The invention has for its object to provide a semiconductor chip structure, the radiation emission during its production is adjustable to a desired range.

Eine Aufgabe ist es weiterhin, ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterchips zur Verfügung zu stellen.A further object is to provide a method for producing such a semiconductor chip.

Diese Aufgaben werden durch einen Halbleiterchip mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 18 gelöst.These objects are achieved by a semiconductor chip having the features of claim 1 and by a method having the features of claim 18.

Eine Halbleiterchip-Struktur gemäß der Erfindung ermöglicht es vorteilhafterweise, mit gleichartig epitaxierten Halbleiterschichtfolgen Halbleiterchips mit beispielsweise anwendungsabhängig gezielt unterschiedlichen Helligkeiten herzustellen. Es ist folglich vorteilhafterweise nicht mehr durchweg erforderlich, für die Herstellung von Halbleiterchips mit unterschiedlichen Helligkeiten unterschiedliche Epitaxieprozesse einzusetzen. Eine Epitaxieanlage kann folglich mit Vorteil in gesteigertem Maße mit gleichbleibendem Prozeßabfolgen betrieben werden, was insgesamt zu einer Stabilisierung von Epitaxieprozessen beiträgt.A semiconductor chip structure according to the invention advantageously makes it possible to produce semiconductor chips with identically epitaxized semiconductor layer sequences with, for example, application-specifically different brightnesses. Consequently, it is advantageously no longer absolutely necessary to use different epitaxial processes for the production of semiconductor chips having different brightnesses. Consequently, an epitaxy system can advantageously be operated to an increased extent with constant process sequences, which contributes overall to a stabilization of epitaxy processes.

Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Halbleiterchips und des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterchips sind in den Unteransprüchen 2 bis 17 bzw. in den Unteransprüchen 19 und 20 angegeben.Advantageous embodiments and further developments of the semiconductor chip and of the method for producing a semiconductor chip are specified in the subclaims 2 to 17 and in the subclaims 19 and 20, respectively.

Ein strahlungsemittierender Halbleiterchip gemäß der Erfindung enthält eine Halbleiterschichtenfolge, die mindestens eine elektromagnetische Strahlung erzeugende aktive Schicht enthält, und eine elektrisch leitfähige Kontaktschicht, die einen Anschlußbereich und, räumlich getrennt davon, einen Strominjektionsbereich umfaßt. Zwischen dem Anschlußbereich und dem Strominjektionsbereich und/oder gesehen vom Anschlußbereich außerhalb des Strominjektionsbereiches ist auf einer vorderseitigen Strahlungsauskoppelfläche der Halbleiterschichtenfolge eine Helligkeitseinstellschicht aufgebracht, die gezielt einen Teil einer in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten Strahlung absorbiert. Außerdem ist unter dem Anschlußbereich ein Stromdurchlaßbereich angeordnet, der von einem Stromsperrbereich ringartig umschlossen ist, wobei der Anschlußbereich über den Stromdurchlaßbereich mit der Halbleiterschichtenfolge elektrisch leitend verbunden ist, derart, daß im Betrieb des Halbleiterchips ein Teil der im Chip erzeugten elektromagnetischen Strahlung unter dem Anschlußbereich erzeugt und von diesem absorbiert wird.A radiation-emitting semiconductor chip according to the invention comprises a semiconductor layer sequence containing at least one active-layer generating electromagnetic radiation, and an electrically conductive contact layer comprising a connection region and, spatially separated therefrom, a current injection region. Between the connection region and the current injection region and / or seen from the connection region outside the current injection region, a brightness adjustment layer is applied on a front radiation coupling surface of the semiconductor layer sequence, which selectively absorbs a portion of a radiation generated in the semiconductor layer sequence. In addition, a current passage region is arranged under the connection region, which is surrounded by a current blocking region in an electrically conductive manner, whereby the connection region is electrically conductively connected to the semiconductor layer sequence such that during operation of the semiconductor chip a portion of the electromagnetic radiation generated in the chip is produced under the connection region and is absorbed by it.

Bei bevorzugten Ausführungsformen weist die Helligkeitseinstellschicht Titan und/oder Platin auf. Mit Titan kann bereits in dünnen Schichten eine gleichmäßig und gut einstellbare Helligkeitsverringerung erzielt wird. Je nachdem, in welchem Wellenlängenbereich die zu absorbierende Strahlung des Halbleiterchips liegt, können auch andere Materialien, insbesondere Metalle oder Legierungen für die Helligkeitseinstellschicht eingesetzt werden. Vorteilhaft sind beispielsweise insbesondere Gold, AuGe, AuBe, AuZn und TiW(N). Die Helligkeitseinstellschicht kann mit in der Halbleitertechnologie etablierten Methoden wie PVD- oder CVD-Verfahren aufgebracht sein, beispielsweise mittels Sputtern oder Bedampfen. In preferred embodiments, the brightness adjusting layer comprises titanium and / or platinum. With Titanium even in thin layers a uniform and easily adjustable brightness reduction can be achieved. Depending on in which wavelength range the radiation of the semiconductor chip to be absorbed lies, other materials, in particular metals or alloys are used for the brightness control layer. For example, gold, AuGe, AuBe, AuZn and TiW (N) are particularly advantageous. The brightness adjustment layer can be applied by methods established in semiconductor technology, such as PVD or CVD methods, for example by sputtering or vapor deposition.

In einer weiterhin bevorzugten Ausführungsform des Halbleiterchips liegt die Dicke der Helligkeitseinstellschicht zwischen 2 und 10 nm. Sie ist derart gewählt, daß Strahlung zu einem solchen Anteil von der Helligkeitseinstellschicht absorbiert wird, daß die Helligkeit des Halbleiterchips innerhalb eines vorgegebenen Soll-Bereichs liegt.In a further preferred embodiment of the semiconductor chip, the thickness of the brightness adjustment layer is between 2 and 10 nm. It is chosen such that radiation is absorbed to such a degree by the brightness adjustment layer that the brightness of the semiconductor chip is within a predetermined target range.

Die Helligkeitseinstellschicht ermöglicht es, auch aus Wafern mit unterschiedlichen Helligkeiten, wie sie beispielsweise aufgrund von Schwankungen im Epitaxie- und/oder Dotierprozeß oder aufgrund von Schwankungen zwischen verschiedenen Prozeßläufen entstehen können, Halbleiterchips herzustellen, deren Helligkeit vergleichsweise sicher innerhalb eines vorgegebenen Soll-Helligkeitsbereiches liegen. Zu diesem Zweck sind Dicke, Fläche und Strahlungsdurchlässigkeit der Helligkeitseinstellschicht derart eingestellt, daß Strahlung, die zu einer zu großen Helligkeit des Chips führen würde, durch die Helligkeitseinstellschicht absorbiert wird.The brightness adjustment layer also makes it possible to produce semiconductor chips from wafers having different brightnesses, such as may arise, for example, due to fluctuations in the epitaxial and / or doping process or due to fluctuations between different process runs, whose brightness is relatively reliably within a predetermined desired brightness range. For this purpose, the thickness, area and radiopacity of the brightness adjusting layer are adjusted so that radiation that would lead to too high brightness of the chip is absorbed by the brightness adjusting layer.

Weiterhin ermöglicht es eine Halbleiterchip-Struktur gemäß der Erfindung vorteilhafterweise, mit gleichartig epitaxierten Halbleiterschichtfolgen Halbleiterchips mit beispielsweise anwendungsabhängig gezielt unterschiedlichen Helligkeiten herzustellen. Es ist folglich vorteilhafterweise nicht mehr durchweg erforderlich, für die Herstellung von Halbleiterchips mit unterschiedlichen Helligkeiten unterschiedliche Epitaxieprozesse einzusetzen.Furthermore, a semiconductor chip structure according to the invention advantageously makes it possible to produce semiconductor chips having identically epitaxially-coated semiconductor layer sequences with, for example, application-specifically different brightnesses. Consequently, it is advantageously no longer absolutely necessary to use different epitaxial processes for the production of semiconductor chips having different brightnesses.

Eine Epitaxieanlage kann folglich mit Vorteil in gesteigertem Maße mit gleichbleibendem Prozeßabfolgen betrieben werden, was insgesamt zu einer Stabilisierung von Epitaxieprozessen beiträgt.Consequently, an epitaxy system can advantageously be operated to an increased extent with constant process sequences, which contributes overall to a stabilization of epitaxy processes.

Unter Anwendung von Chipstrukturen und Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung ist es, um in einem oder mehreren Prozeßläufen einheitliche Chip-Helligkeitschargen zu erzielen besonders zweckmäßig, Halbleiterschichtenfolgen mit im Vergleich zum Soll-Helligkeitsbereich der fertigen Chips größerer Helligkeit zu fertigen, und die Chip-Helligkeit mittels einer Helligkeitseinstellschicht gemäß der Erfindung einzustellen, das heißt zu verdunkeln.Using chip structures and methods according to the present invention, in order to achieve uniform chip brightness batches in one or more process runs, it is particularly expedient to produce semiconductor layer sequences with greater brightness compared to the target brightness range of the finished chips, and the chip brightness by means of a brightness adjustment layer according to the invention to set, that is to darken.

Bei einer zweckmäßigen Ausgestaltung des Halbleiterchips ist zumindest teilweise auf der Helligkeitseinstellschicht eine Passivierungsschicht aufgebracht. Diese schützt die Helligkeitseinstellschicht beispielsweise vor Oxidation und mechanischer Beschädigung.In an expedient embodiment of the semiconductor chip, a passivation layer is applied at least partially on the brightness adjustment layer. This protects the brightness control layer from, for example, oxidation and mechanical damage.

Zwischen Anschlußbereich und aktiver Schicht ist eine weitere Helligkeitseinstellschicht angeordnet, die mindestens einen elektrisch isolierenden Stromsperrbereich und mindestens einen elektrisch leitenden Stromdurchlaßbereich umfaßt. Der Stromdurchlaßbereich verbindet den Anschlußbereich und die Halbleiterschichtenfolge derart elektrisch leitend miteinander, daß im Betrieb des Halbleiterchips Strom unter dem Anschlußbereich in die Halbleiterschichtenfolge injiziert wird. Ein Teil der im Chip erzeugten elektromagnetischen Strahlung wird unter dem Anschlußbereich erzeugt und von diesem absorbiert.Between the connection region and the active layer, a further brightness adjustment layer is arranged which comprises at least one electrically insulating current blocking region and at least one electrically conductive current transmission region. The current passage region connects the connection region and the semiconductor layer sequence to one another in such an electrically conductive manner that, during operation of the semiconductor chip, current is injected below the connection region into the semiconductor layer sequence. A portion of the electromagnetic radiation generated in the chip is generated under the terminal region and absorbed by it.

Vorliegend ist mit der Angabe, daß die Helligkeitseinstellschicht zwischen Anschlußbereich und aktiver Schicht angeordnet ist, durchweg der Fall gemeint, daß gesehen von der aktiven Schicht die Helligkeitseinstellschicht und der Anschlußbereich zumindest teilweise überlappen. Beispielsweise überlappen sie derart, daß der Anschlußbereich die Helligkeitseinstellschicht vollständig überdeckt.In the present case, the indication that the brightness adjusting layer is arranged between the terminal region and the active layer means the case where the brightness adjusting layer and the terminal region overlap at least partially, as viewed from the active layer. For example, they overlap such that the terminal region completely covers the brightness adjusting layer.

Der Anschlußbereich und die Halbleiterschichtenfolge sind über den Stromdurchlaßbereich derart elektrisch leitend miteinander verbunden, daß im Betrieb des Halbleiterchips Strom unter dem Anschlußbereich in die aktive Schicht injiziert wird. Im Gegensatz zu dem Ziel, eine Abschattung von unter dem Anschlußbereich erzeugtem Licht durch die Verhinderung einer Strominjektion mit Hilfe einer Isolationsschicht zwischen Anschlußbereich und aktiver Zone zu vermeiden, wird also gezielt Strom unter dem Anschlußbereich in die aktive Schicht injiziert.The connection region and the semiconductor layer sequence are electrically conductively connected to one another via the current passage region in such a way that current is injected below the connection region into the active layer during operation of the semiconductor chip. In contrast to the aim of avoiding shadowing of light generated under the terminal region by preventing current injection by means of an insulating layer between terminal region and active zone, current is therefore injected specifically under the terminal region into the active layer.

Besonders bevorzugt sind die Größe und die Lage des Stromdurchlaßbereichs derart eingestellt, daß ein Betriebsstrom des Halbleiterchips zu einem derartigen Anteil unter dem Anschlußteil injiziert wird und folglich zu einer entsprechenden Absorption von im Halbleiterchip erzeugter Strahlung im Anschlußbereich führt, daß eine Strahlungsemission des Halbleiterchips innerhalb eines vorgegebenen Soll-Bereichs liegt.Particularly preferably, the size and the position of the Stromdurchlaßbereichs are set such that an operating current of the semiconductor chip is injected to such a portion under the terminal part and thus leads to a corresponding absorption of semiconductor chip generated radiation in the terminal area that a radiation emission of the semiconductor chip within a predetermined Target range is.

Vermittels des Stromdurchlaßbereiches wird gezielt elektromagnetische Strahlung im Halbleiterchip erzeugt, die aus diesem nicht ausgekoppelt, sondern in der Kontaktschicht absorbiert wird. Über diesen Weg kann beispielsweise bei Halbleiterchips, deren Halbleiterschichtenfolge eine Helligkeit aufweist, die oberhalb eines bei einem fest vorgegebenen Betriebsstrom gewünschten Sollbereichs liegt, die Helligkeit des Chips reduziert werden, indem ein Teil des fest vorgegebenen Betriebsstromes unterhalb des Anschlußbereiches injiziert und zumindest ein Teil der dort erzeugten Strahlung vom Anschlußbereich absorbiert wird. Durch Einstellung von Größe und Lage des Stromdurchlaßbereichs kann der Anteil der im Halbleiterchip erzeugten Strahlung, die aus diesem nicht ausgekoppelt wird, eingestellt werden. Bei einer Halbleiterschichtenfolge mit vergleichsweise geringer Helligkeit wird beispielsweise, um bei den Chips die gleiche Helligkeit zu erzielen wie bei Chips mit einer bei gleichem Betriebsstrom „helleren“ Halbleiterschichtenfolge, der Stromdurchlaßbereich gegenüber dem Chip mit „hellerer“ Halbleiterschichtenfolge kleiner gestaltet.By means of the current passage region, electromagnetic radiation is selectively generated in the semiconductor chip, which is not decoupled from this, but is absorbed in the contact layer. By way of example, in the case of semiconductor chips whose semiconductor layer sequence has a brightness which is above a desired nominal range desired at a fixed operating current, the brightness of the chip can be reduced by injecting part of the fixed operating current below the terminal region and at least part of it there generated radiation from Terminal area is absorbed. By adjusting the size and position of the Stromdurchlaßbereichs the proportion of the radiation generated in the semiconductor chip, which is not decoupled from this, can be adjusted. In the case of a semiconductor layer sequence with comparatively low brightness, for example, in order to achieve the same brightness in the chips as in the case of chips having a "brighter" semiconductor layer sequence for the same operating current, the current transmission region is made smaller with respect to the chip with a "brighter" semiconductor layer sequence.

Vorsorglich sei darauf hingewiesen, daß sich „Helligkeit“ vorliegend nicht ausschließlich auf sichtbares Licht emittierende Halbeiterschichtenfolgen sondern auch auf infrarote Strahlung und/oder auf UV-Strahlung emittierende Halbleiterschichtenfolgen bezieht. Folglich ist die Erfindung nicht auf sichtbares Licht emittierende Halbleiterchips eingeschränkt, sondern bezieht sich auch auf IR-emittierende Halbleiterchips sowie auf UV-emittierende Halbleiterchips.For the avoidance of doubt, "brightness" in the present case does not relate exclusively to semiconductor layers which emit visible light but also to infrared radiation and / or semiconductor layer sequences emitting UV radiation. Consequently, the invention is not limited to visible light-emitting semiconductor chips, but also relates to IR-emitting semiconductor chips and to UV-emitting semiconductor chips.

In einer bevorzugten Ausführungsform enthält die Stromsperrschicht Siliziumnitrid. Die Stromsperrschicht kann mit verschiedenen Verfahren, beispielsweise mittels Sputtern, Aufdampfen oder CVD-Verfahren aufgebracht sein.In a preferred embodiment, the current blocking layer contains silicon nitride. The current blocking layer can be applied by various methods, for example by sputtering, vapor deposition or CVD methods.

Der Stromsperrbereich umfaßt zweckmäßig eine auf der Halbleiterschichtenfolge aufgebrachte elektrisch isolierende Schicht mit einer Aussparung und der Anschlußbereich ist in der Aussparung auf der Halbleiterschichtenfolge aufgebracht.The current blocking region expediently comprises an electrically insulating layer with a recess applied to the semiconductor layer sequence, and the connection region is applied in the recess on the semiconductor layer sequence.

Die Aussparung im Stromsperrbereich kann beispielsweise nach dem Aufbringen einer elektrischen Isolationsschicht durch ein herkömmliches Verfahren, wie Ätzen oder Rücksputtern eingebracht sein. Die Aussparung kann auch bereits bei dem Aufbringen der Isolationsschicht mit Hilfe lithographischer Methoden eingebracht sein. Durch beispielsweise herkömmliches Aufbringen der Kontaktschicht füllt die Kontaktschicht auch die Aussparung und ist somit in physikalischem Kontakt mit der Halbleiterschichtenfolge. Befindet sich im Bereich der einzubringenden Aussparung bereits eine Helligkeitseinstellschicht unter der Isolationsschicht, so kann auch diese im Bereich der Aussparung von der Halbleiterschichtenfolge entfernt werden.The recess in the current blocking region can be introduced, for example, after the application of an electrical insulation layer by a conventional method, such as etching or backsputtering. The recess may also be introduced during the application of the insulating layer by means of lithographic methods. By, for example, conventional application of the contact layer, the contact layer also fills the recess and is thus in physical contact with the semiconductor layer sequence. If there is already a brightness adjustment layer under the insulation layer in the region of the recess to be introduced, then it too can be removed from the semiconductor layer sequence in the region of the recess.

Bei einer anderen vorteilhaften Ausführungsform ist der Stromsperrbereich ein zwischen aktiver Schicht und Anschlußbereich angeordnetes elektrisch isolierendes Gebiet der Halbleiterschichtenfolge. Hierbei kann zweckmäßig der Stromsperrbereich ein protonenimplantiertes Gebiet der Halbleiterschichtenfolge und der Stromdurchlaßbereich ein Gebiet der Halbleiterschichtenfolge mit einer demgegenüber geringeren Protonenkonzentration sein.In another advantageous embodiment, the current blocking region is an electrically insulating region of the semiconductor layer sequence arranged between the active layer and the connection region. In this case, the current blocking region can expediently be a proton-implanted region of the semiconductor layer sequence and the current-passing region can be an area of the semiconductor layer sequence with a comparatively lower proton concentration.

Vorzugsweise ist eine Querleitfähigkeit in der Halbleiterschichtenfolge derart gering, daß im Betrieb des Halbleiterchips Strom, der unter dem Anschlußbereich in die Halbleiterschichtenfolge injiziert wird, im wesentlichen auf den Überdeckungsbereich von Anschlußbereich und Halbleiterschichtenfolge begrenzt bleibt.Preferably, a transverse conductivity in the semiconductor layer sequence is so small that, during operation of the semiconductor chip, current which is injected under the connection region into the semiconductor layer sequence remains essentially limited to the coverage area of connection region and semiconductor layer sequence.

Dies trägt wesentlich dazu bei, daß eine Strahlungserzeugung unter dem Anschlußbereich durch Strominjektion über den Anschlußbereich die gewünschte Helligkeitsverringerung der Halbleiterchips zur Folge hat.This contributes significantly to the fact that radiation generation under the connection region by current injection via the connection region has the desired brightness reduction of the semiconductor chips result.

Bevorzugt eignet sich die Chipstruktur gemäß der Erfindung für Halbleiterchips mit einer Halbleiterschichtenfolge auf Basis von InGaAlP.Preferably, the chip structure according to the invention is suitable for semiconductor chips with a semiconductor layer sequence based on InGaAlP.

Unter die Gruppe von strahlungsemittierenden und/oder strahlungsdetektierenden Chips auf der Basis von InGaAlP fallen vorliegend insbesondere solche Chips, bei denen die epitaktisch hergestellte Halbleiterschichtenfolge, die in der Regel eine Schichtenfolge aus unterschiedlichen Einzelschichten aufweist, mindestens eine Einzelschicht enthält, die ein Material aus dem III-V-Verbindungshalbleitermaterial-System InxAlyGa1-x-yP mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x+y ≤ 1 aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge kann beispielsweise einen herkömmlichen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfach-Quantentopfstruktur (SQW-Struktur) oder eine Mehrfach-Quantentopfstruktur (MQW-Strukur) aufweisen. Solche Strukturen sind dem Fachmann bekannt und werden von daher an dieser Stelle nicht näher erläutert. Prinzipiell kann ein Halbleiterchip gemäß der Erfindung auf jedem Halbleitermaterial basieren, das für strahlungsemittierende und/oder - empfangende Chips verwendet werden kann.In the present case, the group of radiation-emitting and / or radiation-detecting chips based on InGaAlP in particular includes chips in which the epitaxially produced semiconductor layer sequence, which as a rule has a layer sequence of different individual layers, contains at least one single layer comprising a material from III -V compound semiconductor material system In x Al y Ga 1-xy P with 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1 and x + y ≦ 1. The semiconductor layer sequence can, for example, have a conventional pn junction, a double heterostructure, a single quantum well structure (SQW structure) or a multiple quantum well structure (MQW structure). Such structures are known to the person skilled in the art and are therefore not explained in detail at this point. In principle, a semiconductor chip according to the invention can be based on any semiconductor material which can be used for radiation-emitting and / or -sensitive chips.

In einer vorteilhaften Ausführungsform des Halbleiterchips ist die Isolationsschicht zumindest teilweise zwischen Strominjektionsbereich und Halbleiterschichtenfolge angeordnet. Mit dieser Variante kann der außerhalb des Anschlußbereichs injizierte Anteil des Betriebsstromes verringert werden.In an advantageous embodiment of the semiconductor chip, the insulation layer is at least partially disposed between the current injection region and the semiconductor layer sequence. With this variant, the portion of the operating current injected outside the connection region can be reduced.

Vorteilhafterweise kann eine einzige Schicht die Funktionen der Passivierungsschicht, des Stromsperrbereichs und der Isolationsschicht teilweise oder ganz besitzen.Advantageously, a single layer may partially or wholly possess the functions of the passivation layer, the current blocking region and the insulating layer.

Gemäß der Erfindung können bei einer Halbleiterschichtenfolge mit einer über oder unter einem Sollwert liegenden Strahlungsleistung die Größe und die Lage des Stromdurchlaßbereichs und des Stromsperrbereiches derart gewählt werden, daß ein Betriebsstrom des Halbleiterchips zu einem derartigen Anteil unter dem Anschlußteil injiziert wird und folglich zu einer entsprechenden Absorption von im Halbleiterchip erzeugter Strahlung im Anschlußbereich führt, daß eine Strahlungsemission des Halbleiterchips innerhalb eines vorgegebenen Soll-Bereichs liegt.According to the invention, in a semiconductor layer sequence with a radiant power above or below a target value, the size and location of the current pass and current blocking regions can be chosen such that an operating current of the semiconductor chip is injected to such a portion below the connector and thus to a corresponding absorption of generated in the semiconductor chip radiation in the connection area leads that a radiation emission of the semiconductor chip is within a predetermined target range.

Die weitere Helligkeitseinstellschicht kann anstatt mit einem Stromsperrbereich und einem Stromdurchlaßbereich alternativ mit Hilfe einer zwischen Anschlußbereich und aktiver Schicht angeordneten durchgehenden elektrisch leitfähigen Schicht realisiert werden, deren elektrischer Widerstand abhängig von der Helligkeit der Halbleiterschichtenfolge eingestellt wird.The further brightness adjustment layer may alternatively be realized by means of a continuous electrically conductive layer arranged between the connection region and the active layer, the electrical resistance of which is set as a function of the brightness of the semiconductor layer sequence, instead of a current blocking region and a current transmission region.

Eine zusätzliche oder alternative Möglichkeit, einen Teil einer im Halbleiterchip überschüssig erzeugten Strahlung zur weitere Helligkeitseinstellung durch Abschattung „auszublenden“, besteht darin, die Breite von Verbindungsstegen zwischen dem Anschlußbereich und dem Strominjektionsbereich zu verbreitern. Dies stellt gegebenenfalls für sich alleine eine Möglichkeit dar, eine hinreichende Helligkeitssteuerung zu erzielen, kann aber auch zusätzlich zu den oben geschilderten technischen Mittel eingesetzt werden.An additional or alternative possibility of "masking" a portion of a radiation generated excessively in the semiconductor chip for further brightness adjustment by shadowing is to widen the width of connecting webs between the terminal region and the current injection region. If necessary, this alone represents a possibility of achieving sufficient brightness control, but can also be used in addition to the technical means described above.

Bei einem Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterchips gemäß der Erfindung wird nach dem Herstellen oder während des Herstellens der Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Schicht auf einem Substrat die Helligkeit der Halbleiterschichtenfolge gemessen. Nachfolgend wird auf der Grundlage des Meßergebnisses eine geeignete Geometrie der Helligkeitseinstellschicht und erforderlichenfalls der weiteren Helligkeitseinstellschicht ermittelt und diese Helligkeitseinstellschicht (en) entsprechend auf dem Halbleiterschichtenfolge ausgebildet. Nachfolgend wird die Kontaktschicht mit Anschlußbereich und gegebenenfalls Strominjektionsbereich ausgebildet.In a method for producing a semiconductor chip according to the invention, the brightness of the semiconductor layer sequence is measured after producing or during the production of the semiconductor layer sequence with an active layer on a substrate. Subsequently, on the basis of the measurement result, a suitable geometry of the brightness adjustment layer and, if necessary, the further brightness adjustment layer is determined, and this brightness adjustment layer (s) is formed on the semiconductor layer sequence accordingly. Subsequently, the contact layer is formed with terminal region and optionally current injection region.

Bei einem zweckmäßigen Verfahren dieser Art wird nach dem Messen der Halbleiterschichtfolge und dem Ausbilden einer elektrisch isolierenden Schicht als Stromsperrbereich mit einer Aussparung für den Stromdurchlaßbereich die Kontaktschicht aufgebracht und dabei die Aussparung zumindest teilweise mit Kontaktschichtmaterial gefüllt.In an expedient method of this type, after measuring the semiconductor layer sequence and forming an electrically insulating layer as the current blocking region with a recess for the current passage region, the contact layer is applied and the recess is at least partially filled with contact layer material.

Bei einer anderen zweckmäßigen Ausgestaltung des Verfahrens wird nach dem Messen der Halbleiterschichtenfolge der Stromdurchlaßbereich und der Stromsperrbereich durch unterschiedliche Dotierungen eines oberflächennahen Bereichs der Halbleiterschichtenfolge erzeugt.In another expedient refinement of the method, after the semiconductor layer sequence has been measured, the current-passing region and the current-blocking region are produced by different doping of a region of the semiconductor layer sequence close to the surface.

Unabhängig davon, an welchen Stellen sich der Stromsperrbereich und der Stromdurchlaßbereich befinden, können Form und Größe der Kontaktschicht stets unverändert bleiben. Die Struktur der Halbleiterchips in Draufsicht kann daher vorteilhafterweise im wesentlichen unverändert bleiben, was sich für die automatische Bilderkennung in Fertigungsautomaten, wie Die-Bonder, und für Meß-Equipment besonders vorteilhaft auswirkt.Regardless of where the current blocking region and the current transmission region are located, the shape and size of the contact layer can always remain unchanged. The structure of the semiconductor chips in plan view can therefore advantageously remain essentially unchanged, which has a particularly advantageous effect on automatic image recognition in production machines, such as die bonders, and for measuring equipment.

Das grundsätzliche Prinzip der vorliegenden Erfindung besteht darin, die Helligkeit von strahlungsemittierenden Halbleiterchips dadurch einzustellen, daß vorteilhafterweise während des Herstellens der Halbleiterchips nach dem Messen von Strahlungsemissionseigenschaften einer strahlungsemittierenden Halbleiterschichtenfolge eines Wafers eine Helligkeitseinstellschicht auf eine Strahlungsauskoppelseite des Wafers aufgebracht wird.The basic principle of the present invention is to adjust the brightness of radiation-emitting semiconductor chips by advantageously applying a brightness-adjusting layer to a radiation outcoupling side of the wafer during the manufacture of the semiconductor chips after measuring radiation emission properties of a radiation-emitting semiconductor layer sequence of a wafer.

Weitere Vorteile, vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen ergeben sich aus den folgenden in Verbindung mit den in 1, 2, 3a - 3d und 4a - 4d erläuterten Ausführungsbeispielen. Es zeigen:

  • 1 eine schematische Darstellung einer Draufsicht auf einen Halbleiterchip gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel,
  • 2 eine schematische Darstellung eines Schnitts durch das erste Ausführungsbeispiel,
  • 3a - 3d schematische Darstellungen von Draufsichten von vier Varianten des ersten Ausführungsbeispieles, und
  • 4a - 4d schematische Darstellungen von Draufsichten von vier weiteren Varianten des ersten Ausführungsbeispieles.
Further advantages, advantageous embodiments and developments will become apparent from the following in connection with in 1 . 2 . 3a - 3d and 4a - 4d explained embodiments. Show it:
  • 1 FIG. 2 a schematic illustration of a top view of a semiconductor chip according to a first exemplary embodiment, FIG.
  • 2 a schematic representation of a section through the first embodiment,
  • 3a - 3d schematic representations of plan views of four variants of the first embodiment, and
  • 4a - 4d schematic representations of plan views of four other variants of the first embodiment.

In den verschiedenen Ausführungsbeispielen sind gleiche oder gleichwirkende Bestandteile jeweils gleich bezeichnet und mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Schichtdicken sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen. Sie sind vielmehr zum besseren Verständnis übertrieben dick und nicht mit den tatsächlichen Dickenverhältnissen zueinander dargestellt.In the various embodiments, the same or equivalent components are each denoted the same and provided with the same reference numerals. The layer thicknesses shown are not to be considered as true to scale. Rather, they are exaggeratedly thick for clarity and not shown in real thickness relationships.

Bei dem Ausführungsbeispiel, wie es in den 1 und 2 dargestellt ist, handelt es sich um einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 mit einer InGaAlP-basierten Halbleiterschichtenfolge 3, die eine elektromagnetische Strahlung erzeugende aktive Schicht 2 aufweist. Diese aktive Schicht 2 kann aus einer einzelnen Halbleiterschicht bestehen oder eine Mehrzahl von Halbleiterschichten aufweisen, die beispielsweise eine Multi-Quantentopfstruktur ausbilden.In the embodiment, as in the 1 and 2 is shown, it is a radiation-emitting semiconductor chip 1 with an InGaAlP-based semiconductor layer sequence 3 , which is an electromagnetic radiation generating active layer 2 having. This active layer 2 may consist of a single semiconductor layer or comprise a plurality of semiconductor layers forming, for example, a multi-quantum well structure.

Auf der Halbleiterschichtenfolge 3 ist eine Kontaktschicht 7 mit einem Anschlußbereich 4 und einem Strominjektionsbereich 5 aufgebracht. Der Anschlußbereich 4 ist ein kreisförmiges Bondpad, das in der Mitte eines quadratischen Rahmens, der den Strominjektionsbereich 5 darstellt, angeordnet ist. Sowohl der Anschlußbereich 4 als auch der Strominjektionsbereich 5 kann je nach Bedarf andere Geometrien aufweisen.On the semiconductor layer sequence 3 is a contact layer 7 with a connection area 4 and a current injection area 5 applied. The connection area 4 is a circular bondpad that is in the middle of a square frame that defines the current injection area 5 represents, is arranged. Both the connection area 4 as well as the current injection area 5 can have different geometries as needed.

Auf der Halbleiterschichtenfolge 3 ist eine Helligkeitseinstellschicht 12 angeordnet, über deren Strahlungsdurchlässigkeit während des Herstellungsprozesses des Halbleiterchips 1 dessen Helligkeit eingestellt wird. Die Helligkeitseinstellschicht 12 ist in diesem Ausführungsbeispiel 6 nm dick und enthält im wesentlichen Titan oder ist eine reine Titanschicht. Im Betrieb des Halbleiterchips wird ein Teil der Strahlung, die in der aktiven Schicht erzeugt wird, in der Titanschicht absorbiert. Dadurch ist die Helligkeit des Halbleiterchips 1, die aufgrund des Epitaxie- und des Dotierprozesses über einer Soll-Helligkeit liegen würde, verringert. Je nachdem, welche Helligkeitsreduzierung angestrebt wird, ist die Schichtdicke der Titanschicht anzupassen.On the semiconductor layer sequence 3 is a brightness adjustment layer 12 arranged over the radiation transmission during the manufacturing process of the semiconductor chip 1 whose brightness is adjusted. The brightness adjustment layer 12 is in this embodiment 6 nm thick and contains essentially titanium or is a pure titanium layer. In operation of the semiconductor chip, a portion of the radiation generated in the active layer is absorbed in the titanium layer. This is the brightness of the semiconductor chip 1 , which would be above a desired brightness due to the epitaxial and the doping process, reduced. Depending on which brightness reduction is desired, the layer thickness of the titanium layer is adjusted.

Anstelle von Ti kann auch Platin, Gold, AuGe, AuZn, AuBe, TiW(N) oder ein geeignetes Metall oder eine geeignete Metallegierung als Material für die Helligkeitseinstellschicht dienen. Je nachdem, in welchem Wellenlängenbereich die zu absorbierende Strahlung des Halbleiterchips liegt, können auch andere Materialien für die Helligkeitseinstellschicht eingesetzt werden. Dies gilt insbesondere auch in den Wellenlängenbereichen, die außerhalb der sichtbaren Strahlung liegen.Instead of Ti, platinum, gold, AuGe, AuZn, AuBe, TiW (N), or a suitable metal or metal alloy may also serve as the brightness adjusting layer material. Depending on the wavelength range in which the radiation of the semiconductor chip to be absorbed lies, other materials for the brightness-adjusting layer can also be used. This is especially true in the wavelength ranges that are outside the visible radiation.

Auf der Helligkeitseinstellschicht und, falls erforderlich auch auf der Strahlungsauskoppelfläche 10 kann zusätzlich eine Passivierungsschicht 13, die beispielsweise Siliziumnitrid enthält, angeordnet sein. Die Passivierungsschicht 13 kann aber auch andere Materialien aufweisen, wie beispielsweise in der Halbleitertechnologie herkömmlicherweise verwendete Passivierungsmaterialien.On the brightness adjustment layer and, if necessary, on the radiation decoupling surface 10 Can additionally a passivation layer 13 containing, for example, silicon nitride may be arranged. The passivation layer 13 but may also comprise other materials, such as passivation materials conventionally used in semiconductor technology.

Bei einem zweckmäßigen Verfahren zum Herstellen derartiger Halbleiterchips wird nach dem epitaktischen Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge auf einem Wafer auf diese eine Helligkeitseinstellschicht, beispielsweise in Form einer semitransparenten Metallschicht aus Titan, aufgebracht. Nachfolgend wird auf diese eine Passivierungsschicht, beispielsweise in Form einer Siliziumnitridabdeckung, aufgebracht, die an den Kontaktstellen für den (die) Strominjektionsbereich(e) inklusive der Helligkeitseinstellschicht bis zur Halbleiterschichtenfolge hin geöffnet wird. Daraufhin erfolgt eine Abscheidung der elektrischen Kontaktschicht (zum Beispiel AuZn, TiW(N), Al) und eine übliche Weiterprozessierung des Wafers.In an expedient method for producing such semiconductor chips, after the epitaxial growth of the semiconductor layer sequence on a wafer, a brightness adjustment layer, for example in the form of a semi-transparent metal layer made of titanium, is applied to the latter. Subsequently, a passivation layer, for example in the form of a silicon nitride cover, is applied to the latter, which is opened at the contact points for the current injection region (s) including the brightness adjustment layer as far as the semiconductor layer sequence. This is followed by deposition of the electrical contact layer (for example AuZn, TiW (N), Al) and conventional further processing of the wafer.

Dadurch, daß die elektrisch isolierende Passivierungsschicht 13 in diesem Ausführungsbeispiel unter dem gesamten Anschlußbereich 4 liegt, wird weiterhin erreicht, daß der Strom hauptsächlich im beispielsweise rahmenförmigen Strominjektionsbereich 3 in die aktive Schicht 2 injiziert wird. Die Passivierungsschicht 13 verhindert, daß unter dem strahlungsundurchlässigen Anschlußbereich 4 im Betrieb große Strahlungsmengen erzeugt werden, die größtenteils vom Anschlußbereich 4 absorbiert werden würden. Die Passivierungsschicht 13 kann jedoch unter dem Anschlußbereich auch in anderen Geometrien angeordnet werden, wie beispielsweise ringförmig, kreisförmig oder in anderen vorteilhaften Geometrien. Sie kann sich über den Anschlußbereich hinaus über den Halbleiterchip erstrecken, vor allem um die Helligkeitseinstellschicht zu schützen und/oder Strominjektion in gewissen Bereichen zu verhindern.Characterized in that the electrically insulating passivation layer 13 in this embodiment, under the entire terminal area 4 is, is further achieved that the current mainly in the example frame-shaped Strominjektionsbereich 3 into the active layer 2 is injected. The passivation layer 13 prevents under the radiopaque connecting area 4 In operation, large amounts of radiation are generated, the majority of the connection area 4 would be absorbed. The passivation layer 13 However, it can be arranged under the connection region in other geometries, such as annular, circular or in other advantageous geometries. It may extend beyond the terminal area beyond the semiconductor chip, especially to protect the brightness adjusting layer and / or to prevent current injection in certain areas.

Zwischen dem Anschlußbereich 4 und der Halbleiterschichtenfolge 3 ist eine weitere Helligkeitseinstellschicht 6 angeordnet, die sich aus einem zentral unter dem Anschlußbereich positionierten Stromdurchlaßbereich 61 und einem den Stromdurchlaßbereich 61 ringartig umschließenden Stromsperrbereich 62 zusammensetzt.Between the connection area 4 and the semiconductor layer sequence 3 is another brightness adjustment layer 6 arranged, consisting of a centrally located below the terminal area current passage area 61 and one the current passage area 61 ring-like surrounding current blocking area 62 composed.

Der Stromsperrbereich 62 kann beispielsweise eine Siliziumnitridschicht sein. Der Stromsperrbereich 62 kann aber auch aus anderen herkömmlich in der Halbleitertechnologie verwendeten elektrisch isolierenden Materialien hergestellt sein. Im Betrieb des Halbleiterchips wird Strom ausschließlich über den Strominjektionsbereich 5 und durch den Stromdurchlaßbereich 61 in die Halbleiterschichtenfolge 3 und folglich in die aktive Schicht 2 injiziert.The current blocking area 62 For example, it may be a silicon nitride layer. The current blocking area 62 but may also be made of other electrically insulating materials conventionally used in semiconductor technology. In the operation of the semiconductor chip, power is supplied exclusively via the current injection region 5 and through the current passage area 61 in the semiconductor layer sequence 3 and thus into the active layer 2 injected.

Die Strominjektion über den Stromdurchlaßbereich 61 der Helligkeitseinstellschicht 6 führt dazu, daß ein Teil eines vorgegebenen Betriebsstromes in der aktiven Schicht 2 Strahlung erzeugt, die zu einem wesentlichen Teil nicht aus dem Halbleiterchip ausgekoppelt, sondern vom Anschlußbereich absorbiert wird. Über die Größe des Stromdurchlaßbereiches 61 kann die Menge an Strahlung, die nicht ausgekoppelt wird, eingestellt werden. In einem entsprechenden Umfang reduziert sich bei konstant gehaltenem Betriebsstrom der über den Strominjektionsbereich 5 injizierte Strom und demzufolge die durch diesen in der aktiven Schicht 2 erzeugte Strahlung, die aus dem Halbleiterchip ausgekoppelt wird.The current injection over the current passage area 61 the brightness adjustment layer 6 causes a portion of a given operating current in the active layer 2 Radiation generated, which is not decoupled from the semiconductor chip to a significant extent, but is absorbed by the terminal area. About the size of the current passage area 61 The amount of radiation that is not decoupled can be adjusted. To a corresponding extent, the current injection current is kept lower than the current injection range 5 injected current and consequently through it in the active layer 2 generated radiation which is decoupled from the semiconductor chip.

Falls für eine hinreichende Helligkeitsreduzierung erforderlich, kann der Stromsperrbereich auch zumindest teilweise zwischen dem Strominjektionsbereich 5 und der aktiven Schicht 2 angeordnet sein. Der Betriebsstrom kann dann beispielsweise zu einem Großteil oder insgesamt über den Anschlußbereich 4 in die aktive Schicht 2 injiziert werden.If necessary for sufficient brightness reduction, the current blocking region may also be at least partially between the current injection region 5 and the active layer 2 be arranged. The operating current can then for example, to a large extent or in total over the terminal area 4 into the active layer 2 be injected.

Unabhängig davon, an welchen Stellen sich der Stromsperrbereich 62 befindet, können Form und Größe der Kontaktschicht 7 unverändert bleiben. Die Halbleiterchips 1 bleiben in ihrer Draufsicht daher im wesentlichen gleich, was, wie weiter oben bereits angeführt vorteilhaft für die automatische Bilderkennung in verschiedenen Fertigungsautomaten, wie Die-Bonder, und für Meßeinrichtungen ist.Regardless of where the current blocking area 62 can, shape and size of the contact layer 7 remain unchanged. The semiconductor chips 1 stay in their top view therefore essentially the same, which, as already mentioned above, is advantageous for automatic image recognition in various production machines, such as die bonders, and for measuring devices.

Die vier Varianten von Halbleiterchips gemäß den 3a) bis 3d) weisen gegenüber dem vorangehend in Verbindung mit den 1 und 2 beschriebenen Ausführungsbeispiel unterschiedlich große Stromdurchlaßöffnungen 61 auf. Die Größe des Stromdurchlaßbereiches 61 nimmt von der Variante gemäß 3a) zur Variante gemäß 3d) jeweils zu. Weisen die Halbleiterschichtenfolgen aller vier Varianten gleiche Strahlungseigenschaften auf und betreibt man alle vier Varianten mit dem gleichen Betriebsstrom, so nimmt die Helligkeit der Halbleiterchips von der Variante gemäß 3a) zur Variante gemäß 3d) jeweils ab, denn von 3a) bis 3d) wird ein immer größerer Anteil des Betriebsstromes unter dem Anschlußbereich 4 injiziert. Aufgrund der Querleitfähigkeit der Halbleiterschichtenfolge 3 kann es zu einer Stromaufweitung unterhalb des Stromdurchlaßbereiches 61 kommen. Deshalb kann auch der unter dem Anschlußbereich 4 injizierte Strom teilweise zur ausgekoppelten Strahlung beitragen. Je weiter die Stelle der Strominjektion über den Stromdurchlaßbereich jedoch vom nicht vom Anschlußbereich 4 bedeckten Bereich der Strahlungsauskoppelfläche 10 entfernt ist, desto weniger kann die unter dem Anschlußbereich 4 erzeugte Strahlung zur Strahlungsemission beitragen. Demnach wird in den in den 3a) bis 3d) gezeigten Stromdurchlaßbereichen 61 in der Reihenfolge von 3a) bis 3d) einerseits wegen deren wachsenden Flächen mehr Strom injiziert, andererseits wird wegen der wachsenden Nähe zur Strahlungsauskoppelfläche 10 ein größerer Anteil der unter dem Anschlußbereich 4 erzeugten Strahlung ausgekoppelt. Welcher dieser zwei gegenläufigen Effekte dominiert, hängt wesentlich von den Stromaufweitungseigenschaften der Halbleiterschichtenfolge 3 ab. Für eine effektive Helligkeitsverringerung mit Hilfe des Stromdurchlaßbereiches 61 ist es sinnvoll, daß auch bei der Variante gemäß 3d) nur wenig des unter dem Anschlußbereich 4 injizierten Stroms Strahlung erzeugen kann, die aus dem Chip ausgekoppelt wird und damit zur Helligkeit des Halbleiterchips 1 beitragen kann. Allerdings kann es andere Gründe geben, die eine bessere Stromaufweitung erfordern, wie beispielsweise die Reduzierung der Stromdichte unter dem Strominjektionsbereich 5. Je nach spezieller Erfordernis muß die Helligkeitseinstellschicht angepaßt werden. Insbesondere kann ein und dieselbe Schicht die Funktionen der Passivierungsschicht 13, des Stromsperrbereichs 62 und der Isolationsschicht 9 ganz oder teilweise besitzen.The four variants of semiconductor chips according to the 3a) to 3d) have in relation to the above in connection with the 1 and 2 described embodiment differently sized Stromdurchlaßöffnungen 61 on. The size of the current passage area 61 takes from the variant according to 3a) to the variant according to 3d) each too. If the semiconductor layer sequences of all four variants have the same radiation properties and if all four variants are operated with the same operating current, then the brightness of the semiconductor chips increases according to the variant 3a) to the variant according to 3d) each from, because of 3a) to 3d) becomes an ever greater proportion of the operating current below the terminal area 4 injected. Due to the transverse conductivity of the semiconductor layer sequence 3 There may be a current widening below the Stromdurchlaßbereiches 61 come. Therefore, also the under the connection area 4 injected electricity partially contribute to the decoupled radiation. The farther the point of current injection over the current passing area but not from the terminal area 4 covered area of the radiation decoupling surface 10 is removed, the less can the under the connection area 4 generated radiation contribute to the radiation emission. Accordingly, in the in the 3a) to 3d) shown Stromdurchlaßbereichen 61 in the order of 3a) to 3d) On the one hand, because of their growing areas more electricity is injected, on the other hand, because of the growing proximity to the radiation decoupling surface 10 a larger proportion of under the connection area 4 generated radiation decoupled. Which of these two opposing effects dominates depends essentially on the current spreading properties of the semiconductor layer sequence 3 from. For an effective brightness reduction with the help of the current passage area 61 it makes sense that also in the variant according to 3d) only a little of that under the connection area 4 injected current can generate radiation that is coupled out of the chip and thus to the brightness of the semiconductor chip 1 can contribute. However, there may be other reasons that require better current spreading, such as reducing the current density below the current injection range 5 , Depending on the particular requirement, the brightness adjusting layer must be adjusted. In particular, one and the same layer can perform the functions of the passivation layer 13 , the current blocking area 62 and the insulation layer 9 own in whole or in part.

Bei den vier Varianten von Halbleiterchips gemäß den 4a) bis d) ist der Stromsperrbereich 62 der Helligkeitseinstellschicht 6 bis unter den Strominjektionsbereich 5 gezogen, sodaß die Strominjektion in die Halbleiterschichtenfolge 3 ausschließlich über den Stromdurchlaßbereich 61 der Helligkeitseinstellschicht 6 unter dem Anschlußbereich 4 der Kontaktschicht 7 erfolgen kann. Die Helligkeit eines Halbleiterchips 1 gemäß 4b) entspricht im Wesentlichen der eines Halbleiterchips 1, der nur ein Bondpad direkt auf der Halbleiterschichtenfolge aufweist. Beim Halbleiterchip gemäß 4a) ist der Stromdurchlaßbereich 61 ringförmig ausgebildet und unterhalb des Anschlußbereichs 4 angeordnet. Ein solcher Halbleiterchip 1 ist bei identischer Halbleiterschichtenfolge heller als ein Halbleiterchip gemäß der Variante von 4b), da mehr Strom am Rand des Anschlußbereichs 4 und folglich nahe der Strahlungsauskoppelfläche 10 des Halbleiterchips injiziert wird. Die Variante gemäß 4c), bei welcher es sich um ein Ausführungsbeispiel handelt, weist unter dem Anschlußbereich 4 einen mittigen ersten Stromdurchlaßbereich 611 und einen ringartig um diesen herum verlaufenden zweiten Stromdurchlaßbereich 612 auf. Die Variante gemäß 4d) weist unter dem Anschlußbereich 4 nur einen relativ kleinen mittigen Stromdurchlaßbereich 61 auf. Die Helligkeiten der Halbleiterchips gemäß den 4c) und 4d) sind, identische Halbleiterschichtenfolgen wie bei den vorhergehenden Varianten vorausgesetzt, geringer als die Helligkeiten der Halbleiterchips gemäß den 4a und 4b, da die Strominjektion in die Halbleiterschichtenfolge und damit die Strahlungserzeugung in der Halbleiterschichtenfolge größtenteils vergleichsweise weit weg von der Strahlungsauskoppelfläche 10 erfolgt.In the four variants of semiconductor chips according to the 4a) to d) is the current blocking area 62 the brightness adjustment layer 6 below the current injection range 5 pulled, so that the current injection into the semiconductor layer sequence 3 exclusively over the current passage area 61 the brightness adjustment layer 6 under the connection area 4 the contact layer 7 can be done. The brightness of a semiconductor chip 1 according to 4b) essentially corresponds to that of a semiconductor chip 1 which has only one bonding pad directly on the semiconductor layer sequence. According to the semiconductor chip 4a) is the current passage area 61 ring-shaped and below the terminal area 4 arranged. Such a semiconductor chip 1 is brighter than a semiconductor chip according to the variant of FIG 4b) because there is more power at the edge of the connection area 4 and thus close to the radiation decoupling surface 10 of the semiconductor chip is injected. The variant according to 4c) , which is an embodiment, has below the terminal area 4 a central first flow passage area 611 and a second current passage region extending annularly around it 612 on. The variant according to 4d) points under the connection area 4 only a relatively small central Stromdurchlaßbereich 61 on. The brightnesses of the semiconductor chips according to the 4c) and 4d) are identical semiconductor layer sequences as provided in the previous variants, less than the brightness of the semiconductor chips according to the 4a and 4b since the current injection into the semiconductor layer sequence and thus the generation of radiation in the semiconductor layer sequence are for the most part comparatively far away from the radiation coupling-out surface 10 he follows.

Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel ist alternativ zu dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel und dessen Varianten der Stromsperrbereich ein zwischen aktiver Schicht und Anschlußbereich angeordnetes elektrisch isolierendes Gebiet der Halbleiterschichtenfolge. Hierbei kann zweckmäßig der Stromsperrbereich ein protonenimplantiertes Gebiet der Halbleiterschichtenfolge und der Stromdurchlaßbereich ein Gebiet der Halbleiterschichtenfolge mit einer demgegenüber geringeren Protonenkonzentration sein. Die prinzipiellen zweidimensionale Geometrie der Helligkeitseinstellschicht in Draufsicht kann entsprechend dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel und dessen Varianten gewählt sein.In a further embodiment, as an alternative to the embodiment described above and its variants, the current blocking region is an electrically insulating region of the semiconductor layer sequence arranged between the active layer and the connection region. In this case, the current blocking region can expediently be a proton-implanted region of the semiconductor layer sequence and the current-passing region can be an area of the semiconductor layer sequence with a comparatively lower proton concentration. The basic two-dimensional geometry of the brightness adjustment layer in plan view can be selected according to the embodiment described above and its variants.

In einem nochmals anderen Beispiel ist die Helligkeitseinstellschicht anstatt mit einem Stromsperrbereich und einem Stromdurchlaßbereich mit Hilfe einer zwischen Anschlußbereich und aktiver Schicht angeordneten durchgehenden elektrisch leitfähigen Schicht realisiert werden, deren elektrischer Widerstand abhängig von der gewünschten Helligkeit der Halbleiterschichtenfolge eingestellt wird.In still another example, instead of having a current blocking region and a current passing region, the brightness adjusting layer may be realized by means of a continuous electrically conductive layer disposed between the pad region and the active layer, the electrical resistance of which is adjusted depending on the desired brightness of the semiconductor layer sequence.

Bei einem nochmals anderen Ausführungsbeispiel sind zusätzlich oder alternativ zu den oben genannten Helligkeitseinstellmitteln zur Helligkeitseinstellung Verbindungsstege zwischen dem Anschlußbereich 4 und dem Strominjektionsbereich 5 verbreitert.In yet another embodiment, in addition to or as an alternative to the above-mentioned brightness adjusting means for adjusting the brightness, there are connecting webs between the terminal area 4 and the current injection area 5 widened.

Bei einem Verfahren gemäß der Erfindung wird nach dem Herstellen oder während des Herstellens der Halbleiterschichtenfolge 3 mit einer aktiven Schicht 2 auf einem Substrat die Helligkeit der Halbleiterschichtenfolge 3 gemessen. Nachfolgend wird auf der Grundlage des Meßergebnisses eine geeignete Dicke und/oder Geometrie der Helligkeitseinstellschicht 12 und der weiteren Helligkeitseinstellschicht 6 ermittelt und die Helligkeitseinstellschicht 12 entsprechend auf der Halbleiterschichtenfolge 3 ausgebildet. Die Helligkeitseinstellschicht 12 ist zwischen dem Anschlußbereich 4 und dem Strominjektionsbereich 5 und/oder gesehen vom Anschlußbereich 4 außerhalb des Strominjektionsbereiches 5 auf einer vorderseitigen Strahlungsauskoppelfläche 10 der Halbleiterschichtenfolge 3 aufgebracht und absorbiert gezielt einen Teil der in der Halbleiterschichtenfolge 3 erzeugten Strahlung. Nachfolgend wird die Kontaktschicht 7 mit Anschlußbereich 4 und Strominjektionsbereich 5, der über leitfähige Stege mit dem Anschlußbereich 4 elektrisch verbunden ist, ausgebildet. Dazu kann nach dem Messen der Halbleiterschichtfolge 3 und dem Ausbilden einer elektrisch isolierenden Schicht als Stromsperrbereich 62 mit einer Aussparung für den Stromdurchlaßbereich 61 die Kontakschicht 7 aufgebracht werden und dabei kann die Aussparung zumindest teilweise mit Kontaktschichtmaterial gefüllt werden. Alternativ kann nach dem Messen der Halbleiterschichtenfolge der Stromdurchlaßbereich 61 und der Stromsperrbereich 62 durch unterschiedliche Dotierungen eines oberflächennahen Bereichs der Halbleiterschichtenfolge 3 erzeugt nachfolgend die Kontaktschicht 7 aufgebracht werden.In a method according to the invention, after the manufacture or during the production of the semiconductor layer sequence 3 with an active layer 2 on a substrate, the brightness of the semiconductor layer sequence 3 measured. Subsequently, on the basis of the measurement result, a suitable thickness and / or geometry of the brightness adjustment layer 12 and the other brightness adjusting layer 6 and the brightness adjustment layer 12 corresponding to the semiconductor layer sequence 3 educated. The brightness adjustment layer 12 is between the connection area 4 and the current injection area 5 and / or seen from the connection area 4 outside the current injection area 5 on a front radiation output surface 10 the semiconductor layer sequence 3 applies and absorbs a part of the targeted in the semiconductor layer sequence 3 generated radiation. The following is the contact layer 7 with connection area 4 and current injection area 5 , which has conductive webs with the connection area 4 is electrically connected, formed. For this purpose, after measuring the semiconductor layer sequence 3 and forming an electrically insulating layer as the current blocking region 62 with a recess for the current passage area 61 the contact layer 7 be applied and the recess can be at least partially filled with contact layer material. Alternatively, after measuring the semiconductor layer sequence, the current passage region 61 and the current blocking area 62 by different doping of a near-surface region of the semiconductor layer sequence 3 subsequently generates the contact layer 7 be applied.

Außerdem können die Halbleiterschichtfolgen 3 aus unterschiedlichen Materialsystemen, wie beispielsweise GaNbasiertem oder GaAs-basiertem Halbleitermaterial aufgebaut sein.In addition, the semiconductor layer sequences can follow 3 be constructed of different material systems, such as GaN-based or GaAs-based semiconductor material.

Claims (20)

Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (3), die mindestens eine eine elektromagnetische Strahlung erzeugende aktive Schicht (2) umfaßt, und mit einer elektrischen Kontaktschicht (7), die einen Anschlußbereich (4) und einen in einem Abstand neben dem Anschlußbereich (4) angeordneten und mit diesem elektrisch verbundenen Strominjektionsbereich (5) umfaßt, wobei zwischen dem Anschlußbereich (4) und dem Strominjektionsbereich (5) und/oder gesehen vom Anschlußbereich (4) außerhalb des Strominjektionsbereiches (5) auf einer vorderseitigen Strahlungsauskoppelfläche (10) der Halbleiterschichtenfolge (3) eine Helligkeitseinstellschicht (12) aufgebracht ist, die gezielt einen Teil der in der Halbleiterschichtenfolge (3) erzeugten Strahlung absorbiert, und unter dem Anschlußbereich (4) ein Stromdurchlaßbereich (61) angeordnet ist, der von einem Stromsperrbereich (62) ringartig umschlossen ist, wobei der Anschlußbereich (4) über den Stromdurchlaßbereich (61) mit der Halbleiterschichtenfolge (3) elektrisch leitend verbunden ist, derart, daß im Betrieb des Halbleiterchips (1) ein Teil der im Chip erzeugten elektromagnetischen Strahlung unter dem Anschlußbereich (4) erzeugt und von diesem absorbiert wird.A radiation-emitting semiconductor chip (1) having a semiconductor layer sequence (3) which comprises at least one active layer (2) generating an electromagnetic radiation and having an electrical contact layer (7) which has a connection region (4) and a distance adjacent to the connection region (4). 4) and electrically connected to this current injection region (5), wherein between the terminal region (4) and the current injection region (5) and / or seen from the terminal region (4) outside the current injection region (5) on a front radiation coupling surface (10) Semiconductor layer sequence (3) a brightness adjustment layer (12) is applied, which selectively absorbs a portion of the radiation generated in the semiconductor layer sequence (3), and under the terminal region (4) a Stromdurchlaßbereich (61) is arranged, of a current blocking region (62) ring-like is enclosed, wherein the connection area (4) via the current passage region (61) is electrically conductively connected to the semiconductor layer sequence (3) such that, during operation of the semiconductor chip (1), a portion of the electromagnetic radiation generated in the chip is generated under and absorbed by the connection region (4). Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach Anspruch 1, wobei die Helligkeitseinstellschicht (12) ein Metall oder eine Legierung aus mindestens zwei Metallen aufweist.Radiation-emitting semiconductor chip (1) according to Claim 1 wherein the brightness adjusting layer (12) comprises a metal or an alloy of at least two metals. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach Anspruch 2, wobei die Helligkeitseinstellschicht (12) Titan aufweist.Radiation-emitting semiconductor chip (1) according to Claim 2 wherein the brightness adjusting layer (12) comprises titanium. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach Anspruch 2 oder 3, wobei die Helligkeitseinstellschicht (12) Platin aufweist.Radiation-emitting semiconductor chip (1) according to Claim 2 or 3 wherein the brightness adjusting layer (12) comprises platinum. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei die Helligkeitseinstellschicht (12) mindestens ein Material aus der Gruppe bestehend aus Au, AuGe, AuZn, AuBe und TiW(N) aufweist.Radiation-emitting semiconductor chip (1) according to one of Claims 2 to 4 wherein the brightness adjusting layer (12) comprises at least one of Au, AuGe, AuZn, AuBe and TiW (N). Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der Ansprüche 3 bis 4, wobei die Dicke der Helligkeitseinstellschicht (12) zwischen 2 und 10 nm ist, und derart ausgewählt ist, daß Strahlung zu einem derartigen Anteil von der Helligkeitseinstellschicht (12) absorbiert wird, daß die Helligkeit des Halbleiterchips innerhalb eines vorgegebenen Soll-Bereichs liegt.Radiation-emitting semiconductor chip (1) according to one of Claims 3 to 4 wherein the thickness of the brightness adjusting layer (12) is between 2 and 10 nm, and is selected such that radiation is absorbed to such a proportion by the brightness adjusting layer (12) that the brightness of the semiconductor chip is within a predetermined target range. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Größe und die Lage des Stromdurchlaßbereichs (61) derart ausgewählt sind, daß ein Betriebsstrom des Halbleiterchips zu einem derartigen Anteil unter dem Anschlußbereich (4) injiziert wird und folglich zu einer entsprechenden Absorption von im Halbleiterchip (1) erzeugter Strahlung im Anschlußbereich (4) führt, daß eine Strahlungsemission des Halbleiterchips (1) innerhalb eines vorgegebenen Soll-Bereichs liegt.Radiation-emitting semiconductor chip (1) according to one of Claims 1 to 6 , wherein the size and the position of the current passage region (61) are selected such that an operating current of the semiconductor chip is injected to such a portion below the terminal region (4) and consequently to a corresponding absorption of radiation generated in the semiconductor chip (1) in the terminal region ( 4) that a radiation emission of the semiconductor chip (1) is within a predetermined target range. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der Stromsperrbereich (62) Siliziumnitrid enthält.Radiation-emitting semiconductor chip (1) according to one of Claims 1 to 7 wherein the current blocking region (62) comprises silicon nitride. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der Stromsperrbereich (62) eine auf der Halbleiterschichtenfolge (3) aufgebrachte elektrisch isolierende Schicht mit einer Aussparung umfaßt und der Anschlußbereich (4) innerhalb der Aussparung auf der Halbleiterschichtenfolge (3) aufgebracht ist.Radiation-emitting semiconductor chip (1) according to one of Claims 1 to 8th , where the Current blocking region (62) comprises an on the semiconductor layer sequence (3) applied electrically insulating layer having a recess and the terminal region (4) within the recess on the semiconductor layer sequence (3) is applied. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der Stromsperrbereich (62) ein zwischen aktiver Schicht (2) und Anschlußbereich (4) angeordnetes elektrisch isolierendes Gebiet der Halbleiterschichtenfolge (3) ist.Radiation-emitting semiconductor chip (1) according to one of Claims 1 to 8th wherein the current blocking region (62) is an electrically insulating region of the semiconductor layer sequence (3) arranged between the active layer (2) and the connection region (4). Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach Anspruch 10, wobei der Stromsperrbereich (62) ein protonenimplantiertes Gebiet der Halbleiterschichtenfolge (3) ist.Radiation-emitting semiconductor chip (1) according to Claim 10 wherein the current blocking region (62) is a proton-implanted region of the semiconductor layer sequence (3). Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach Anspruch 11, wobei der Stromdurchlaßbereich (61) ein Gebiet der Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer geringeren Protonenkonzentration als im Stromsperrbereich (62) ist.Radiation-emitting semiconductor chip (1) according to Claim 11 wherein the current passing region (61) is a region of the semiconductor layer sequence (3) having a lower proton concentration than in the current blocking region (62). Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei eine Querleitfähigkeit in der Halbleiterschichtenfolge (3) derart gering ist, daß im Betrieb des Halbleiterchips (1) Strom, der unter dem Anschlußbereich (4) in die Halbleiterschichtenfolge (3) injiziert wird, auf einen Bereich unter dem Anschlußbereich (4) begrenzt bleibt.Radiation-emitting semiconductor chip (1) according to at least one of Claims 1 to 12 in which a transverse conductivity in the semiconductor layer sequence (3) is so small that during operation of the semiconductor chip (1) current which is injected into the semiconductor layer sequence (3) under the connection region (4) is limited to a region below the connection region (4) remains. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei die Halbleiterschichtenfolge (3) auf InGaAlP basiert.Radiation-emitting semiconductor chip (1) according to at least one of Claims 1 to 13 , wherein the semiconductor layer sequence (3) based on InGaAlP. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei zumindest teilweise zwischen Strominjektionsbereich (5) und Halbleiterschichtenfolge (3) eine elektrisch isolierende Schicht (9) angeordnet ist.Radiation-emitting semiconductor chip (1) according to at least one of Claims 1 to 14 , wherein at least partially between the current injection region (5) and the semiconductor layer sequence (3) an electrically insulating layer (9) is arranged. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei auf der Helligkeitseinstellschicht (12) eine Passivierungsschicht (13) aufgebracht ist.Radiation-emitting semiconductor chip (1) according to at least one of Claims 1 to 15 wherein a passivation layer (13) is applied to the brightness adjusting layer (12). Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach Anspruch 16, wobei die Passivierungsschicht (13) eine Siliziumnitridschicht ist.Radiation-emitting semiconductor chip (1) according to Claim 16 wherein the passivation layer (13) is a silicon nitride layer. Verfahren zum Herstellen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (3), die mindestens eine eine elektromagnetische Strahlung erzeugende aktive Schicht (2) umfaßt, mit einer elektrischen Kontaktschicht (7), die einen Anschlußbereich (4) und einen in einem Abstand neben dem Anschlußbereich (4) angeordneten und mit diesem elektrisch verbundenen Strominjektionsbereich (5) umfaßt, und mit einer zwischen dem Anschlußbereich (4) und dem Strominjektionsbereich (5) und/oder gesehen vom Anschlußbereich (4) außerhalb des Strominjektionsbereiches (5) auf einer vorderseitigen Strahlungsauskoppelfläche (10) der Halbleiterschichtenfolge (3) aufgebrachten Helligkeitseinstellschicht (12), die gezielt einen Teil der in der Halbleiterschichtenfolge (3) erzeugten Strahlung absorbiert, mit den Verfahrensschritten: - Herstellen der Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer aktiven Schicht (2) auf einem Substrat; - Messen von Strahlungsemissionseigenschaften der Halbleiterschichtenfolge (3); - Ermitteln einer geeigneten Geometrie und Dicke der Helligkeitseinstellschicht (12) auf der Grundlage des Messergebnisses; - Ausbilden der Helligkeitseinstellschicht (12) mit der entsprechenden Geometrie und Dicke; - Aufbringen der Kontaktschicht (7) mit Anschlußbereich (4) und Strominjektionsbereich (5).A method of manufacturing a radiation-emitting semiconductor chip (1) comprising a semiconductor layer sequence (3) comprising at least one active-layer electromagnetic radiation generating layer (2) having an electrical contact layer (7) surrounding one terminal region (4) and spaced apart arranged between the connection region (4) and the current injection region (5) and / or seen from the connection region (4) outside of the current injection region (5) on a front side of the connection region (4) and electrically connected to this Strominjektionsbereich (5) Radiation decoupling surface (10) of the semiconductor layer sequence (3) applied brightness adjustment layer (12), which selectively absorbs a portion of the radiation generated in the semiconductor layer sequence (3), comprising the method steps: - Producing the semiconductor layer sequence (3) with an active layer (2) on a substrate; Measuring radiation emission properties of the semiconductor layer sequence (3); Determining an appropriate geometry and thickness of the brightness adjustment layer (12) based on the measurement result; - forming the brightness adjustment layer (12) with the corresponding geometry and thickness; - Applying the contact layer (7) with connection area (4) and current injection area (5). Verfahren nach Anspruch 18, wobei unter dem Anschlußbereich (4) ein Stromdurchlaßbereich (61) angeordnet ist, der von einem Stromsperrbereich (62) ringartig umschlossen ist, wobei der Anschlußbereich (4) über den Stromdurchlaßbereich (61) mit der Halbleiterschichtenfolge (3) elektrisch leitend verbunden ist, derart, daß im Betrieb des Halbleiterchips (1) ein Teil der im Chip erzeugten elektromagnetischen Strahlung unter dem Anschlußbereich (4) erzeugt und von diesem absorbiert wird, daß der Stromsperrbereich (62) eine auf der Halbleiterschichtenfolge (3) aufgebrachte elektrisch isolierende Schicht mit einer Aussparung umfaßt und der Anschlußbereich innerhalb der Aussparung auf der Halbleiterschichtenfolge (3) aufgebracht ist, und daß nach dem Messen der Halbleiterschichtenfolge (3) und dem Ausbilden der elektrisch isolierenden Schicht als Stromsperrbereich (62) mit einer Aussparung für den Stromdurchlaßbereich (61) die Kontaktschicht (7) aufgebracht wird und dabei die Aussparung mit Kontaktschichtmaterial zumindest teilweise gefüllt wird.Method according to Claim 18 in which a current passage region (61) is arranged below the connection region (4) and is surrounded in a ring-like manner by a current blocking region (62), wherein the connection region (4) is electrically conductively connected to the semiconductor layer sequence (3) via the current transmission region (61). in such a way that, during operation of the semiconductor chip (1), a part of the electromagnetic radiation generated in the chip is generated under and absorbed by the connection region (4), that the current blocking region (62) has an electrically insulating layer applied to the semiconductor layer sequence (3) Recess and the terminal region is applied within the recess on the semiconductor layer sequence (3), and that after measuring the semiconductor layer sequence (3) and forming the electrically insulating layer as a current blocking region (62) with a recess for the current passage region (61), the contact layer (7) is applied while the recess with Kontaktschichtm aterial is at least partially filled. Verfahren nach Anspruch 18, wobei unter dem Anschlußbereich (4) ein Stromdurchlaßbereich (61) angeordnet ist, der von einem Stromsperrbereich (62) ringartig umschlossen ist, wobei der Anschlußbereich (4) über den Stromdurchlassbereich (61) mit der Halbleiterschichtenfolge (3) elektrisch leitend verbunden ist, derart, daß im Betrieb des Halbleiterchips (1) ein Teil der im Chip erzeugten elektromagnetischen Strahlung unter dem Anschlußbereich (4) erzeugt und von diesem absorbiert wird, und daß der Stromdurchlaßbereich (61) und der Stromsperrbereich (62) durch unterschiedliche Dotierungen eines oberflächennahen Bereichs der Halbleiterschichtenfolge (3) erzeugt werden.Method according to Claim 18 in which a current passage region (61) is arranged below the connection region (4) and is surrounded by a current blocking region (62), wherein the connection region (4) is electrically conductively connected to the semiconductor layer sequence (3) via the current passage region (61). such that during operation of the semiconductor chip (1) a portion of the electromagnetic radiation generated in the chip is generated under and absorbed by the terminal region (4), and that the current passage region (61) and the current blocking region (62) are formed by different dopants of a near-surface region the semiconductor layer sequence (3) are generated.
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