DE10329141A1

DE10329141A1 - Faltungsgeometrien für EUV-Beleuchtungssysteme

Info

Publication number: DE10329141A1
Application number: DE2003129141
Authority: DE
Inventors: Wolfgang Dr. Singer; Martin Antoni; Johannes Wangler
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2003-06-27
Filing date: 2003-06-27
Publication date: 2005-02-03
Anticipated expiration: 2023-06-28
Also published as: DE10329141B4

Abstract

Die Erfindung betrifft ein EUV-Beleuchtungssystem für die Lithographie mit Wellenlängen 193 nm, umfassend eine Lichtquelle, einen Kollektor zum Sammeln der von der Lichtquelle ausgehenden Strahlung, eine doppelt facettierte optische Komponente, welche ein erstes optisches Element mit ersten Rasterelementen und ein zweites optisches Element mit zweiten Rasterelementen umfasst. Das EUV-Beleuchtungssystem umfasst ferner eine zweite optische Komponente, welche der doppelt facettierten optischen Komponente nachfolgt und wenigstens ein erstes reflektives optisches Element umfasst. Außerdem umfasst das EUV-Beleuchtungssystem einen ersten Strahlengang zwischen der Lichtquelle oder einem Zwischenbild der Lichtquelle und dem ersten optischen Element mit ersten Rasterelementen, einen zweiten Strahlengang zwischen dem ersten optischen Element mit ersten Rasterelementen und dem zweiten optischen Element mit zweiten Rasterelementen sowie ein dritten Strahlengang zwischen dem zweiten optischen Element mit zweiten Rasterelementen un dem ersten reflektiven optischen Element. Das EUV-Beleuchtungssystem zeichnet sich dadurch aus, dass erster und zweiter Strahlengang (14, 15) und/oder zweiter und dritter Strahlengang (15, 16) gegenläufig und im Wesentlichen parallel geführt sind.

Description

Die Erfindung betrifft ein Beleuchtungssystem, insbesondere für die Lithographie mit Wellenlängen ≤ 193 nm, wobei das Beleuchtungssystem wenigstens eine Lichtquelle, einen Kollektor sowie eine doppelfacettierte optische Komponente umfasst und einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage zugeordnet ist.
Um die Strukturbreiten für elektronische Bauteile noch weiter reduzieren zu können, insbesondere in den Submikron-Bereich, ist es erforderlich, die Wellenlänge des für die Mikrolithographie eingesetzten Lichtes zu verringern. Denkbar ist die Verwendung von Licht mit Wellenlängen ≤ 193 nm, beispielsweise die Lithographie mit weichen Röntgenstrahlen, die sogenannte EUV-Lithographie.
Die EUV-Lithographie ist eine der vielversprechendsten zukünftigen Lithographietechniken. Als Wellenlängen für die EUV-Lithographie werden derzeit Wellenlängen im Bereich 11 – 14 nm, insbesondere 13,5 nm, diskutiert bei einer numerischen Apertur von 0,2 – 0,3. Die Bildqualität in der EUV-Lithographie wird bestimmt einerseits durch das Projektionsobjektiv, andererseits durch das Beleuchtungssystem. Das Beleuchtungssystem soll eine möglichst gleichförmige Ausleuchtung der Feldebene, in der die strukturtragende Maske, das sogenannte Retikel, angeordnet ist, zur Verfügung stellen. Das Projektionsobjektiv bildet die Feldebene in eine Bildebene, die so genannte Waferebene, ab, in der ein lichtsensitives Objekt angeordnet ist. Projektionsbelichtungsanlagen für die EUV-Lithographie sind mit reflektiven optischen Elementen ausgeführt. Die Form des Feldes einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage ist typischerweise die eines Ringfeldes mit einem hohen Aspektverhältnis von 2 mm (Breite) × 22 – 26 mm (Bogenlänge). Die Projektionssysteme werden üblicherweise im Scanning Mode betrieben, wobei das Retikel in der Feldebene und das lichtempfindliche Objekt, typischerweise ein Wafer, mit einem geeigneten Photoresist in der Bildebene jeweils synchron zueinander bewegt werden. Betreffend EUV- Projektionsbelichtungsanlagen wird auf die nachfolgenden Veröffentlichungen verwiesen:
W.Ulrich, S.Beiersdörfer, H.J.Mann, "Trends in Optical Design of Projection Lenses for UV- and EUV-Lithography" in Soft-X-Ray and EUV Imaging Systems, W.M.Kaiser, R.H.Stulen (Hrsg), Proceedings of SPIE, Vol.4146 (2000), Seiten 13-24 und
M.Antoni, W.Singer, J.Schultz, J.Wangler, I.Escudero-Sanz, B.Kruizinga, "Illumination Optics Design for EUV-Lithography" in Soft X Ray and EUV Imaging Systems, W.M.Kaiser, R.H.Stulen (Hrsg), Proceedings of SPIE, Vol.4146 (2000), Seiten 25-34
deren Offenbarungsgehalt vollumfänglich in die vorliegende Anmeldung mitaufgenommen wird.
Als Beleuchtungssysteme, die den Anforderungen der EUV-Beleuchtung in besonderer Art und Weise genügen, haben sich Beleuchtungssysteme herausgestellt, welche die oberbegrifflichen Merkmale von Anspruch 1 aufweisen. Nachteilig an dem bekannten System ist jedoch, dass die Komponenten eines gebräuchlichen EUV-Beleuchtungssystems zum Sammeln des Lichts von der Lichtquelle, der spektralen Filterung sowie zur Ausformung eines ausgeleuchteten Felds in der Feldebene sowie für die Ausbildung einer vorteilhaften Füllung der Austrittspupille des Beleuchtungssystems einen großen Bauraum einnehmen.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein EUV-Beleuchtungssystem derart zu gestalten, dass eine spektral reine und vorteilhaft gestaltete Ausleuchtung der Feldebene und der Austrittspupille des Beleuchtungssystems bei gleichzeitiger kompakter Bauweise und vereinfachter Möglichkeit zur Reinigung von verschmutzungsanfälligen optischen Bauteilen erreicht wird.
Die Erfinder haben erkannt, dass eine besonders vorteilhafte Faltungsgeometrie für EUV-Beleuchtungssysteme darin besteht, den Strahlengang im Bereich des doppelfacettierten Elements in sich zu falten.
Das doppelfacettierte Element empfängt Licht über einen ersten Strahlengang, welcher von der Lichtquelle oder einem Bild der Lichtquelle ausgeht und leitet dies in einen zweiten Strahlengang unter Ausbildung einer Vielzahl von sekundären Lichtquellen. In der Nähe dieser sekundären Lichtquellen befindet sich das zweite optische Element mit zweiten Rasterelementen. Der vom zweiten optischen Element mit zweiten Rasterelementen ausgehende dritte Strahlengang wird in Richtung des ersten optischen Elements mit ersten Rasterelementen gelenkt. Dort befindet sich ein erstes reflektives optisches Element, welches erfindungsgemäß im Wesentlichen in der Ebene des ersten optischen Elements mit ersten Rasterelementen und direkt benachbart zu den ersten Rasterelementen positioniert ist. Das erste reflektive optische Element reflektiert die vom zweiten optischen Element kommende Strahlung auf weitere optische Elemente, die, wie das erste reflektive optische Element selbst, Teil der zweiten optischen Komponente sind, welche insbesondere zur Ausformung eines vorteilhaft ausgeleuchteten Feldes in der Feldebene dient. Typischerweise sind dies ein zweites reflektives optisches Element und ein grazing-incidence-Spiegel.
Zur Erzielung einer besonders kompakten Bauweise sind erster und zweiter und/oder zweiter und dritter Strahlengang gegenläufig und verlaufen im Wesentlichen parallel zueinander. Das heißt, dass der gemittelte Schwerstrahl über alle Lichtstrahlen des ersten Strahlengangs und der gemittelte Schwerstrahl über alle Lichtstrahlen des zweiten Strahlengangs entgegengesetzte Richtungen aufweisen und bis auf eine geringe Abweichung zueinander parallel verlaufen. Alternativ oder zusätzlich kann diese Bedingung auch für den zweiten und dritten Strahlengang erfüllt sein. Als geringe Abweichungen zum parallelen Verlauf werden Winkelabweichungen von < 12° angesehen, wobei aber eine Winkelabweichung von ≤ 5° vorzuziehen ist, da dies sowohl für die Bauraumreduktion wie auch für eine vorteilhafte Gestaltung der Rasterelemente von Vorteil ist.
Besonders bevorzugt wird deshalb eine Anordnung des ersten reflektiven optischen Elements im zentralen Bereich des ersten optischen Elements mit ersten Rasterelementen. Dies ist dann besonders vorteilhaft möglich, wenn dieser Bereich vom ersten Strahlengang zwischen der Lichtquelle bzw. einem Zwischenbild der Lichtquelle und dem ersten optischen Element mit ersten Rasterelementen nicht ausgeleuchtet wird. Wie die Erfinder erkannt haben, ist dies gerade dann der Fall, wenn als Kollektor zur Sammlung des Lichts von der Lichtquelle grazing-incidence-Spiegel eingesetzt werden, insbesondere in der Form eines genesteten Kollektors, welche unterhalb einer bestimmten Apertur keinen Lichteintrag für das Beleuchtungssystem liefern. Dies kann ferner durch die Verwendung von zentralen Blenden oder durch die Kombination zentraler Blenden mit genesteten Kollektoren bewirkt werden.
Als Resultat entsteht somit im Bereich des ersten optischen Elements mit ersten Rasterelementen eine im Wesentlichen kreisförmige Ausleuchtung, so dass die ersten Rasterelemente nur in diesem ausgeleuchteten Bereich angebracht werden und in ihrem Zentrum ein Bereich ausgespart ist, in dem erfindungsgemäß das erste reflektive optische Element zur Reflektion des aus dem dritten Strahlengang kommenden Lichts angebracht wird.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung wird zwischen dem Kollektor und dem ersten optischen Element mit ersten Rasterelementen eine Kombination eines Gitterspektralfilters und einer Blendeneinrichtung zur spektralen Filterung im Beleuchtungssystem verwendet. Hierbei wird typischerweise ein Bild der Lichtquelle im Bereich der Blendeneinrichtung ausgebildet, wobei sich die verschiedenen Beugungsordnungen räumlich auffächern. Das Bild der gewählten Beugungsordnung wird dann im nachfolgenden erfindungsgemäßen Strahlengang statt der Lichtquelle selbst verwendet. Auch hier tritt durch die Verwendung eines Kollektors, der nur oberhalb einer bestimmten minimalen Apertur Licht sammelt und vorteilhafterweise mit einer Zentralblende ausgestattet ist, der oben genannte Abschattungseffekt auf dem ersten optischen Element mit ersten Rasterelementen auf. So dass auch hier der besagte Raumgewinn durch das Insichfalten des zweiten und dritten Strahlengangs in der besonders bevorzugten Art und Weise durch die Positionierung des ersten reflektiven optischen Elements im Bereich dieser zentralen Abschattung gelingt.
In einer Weiterentwicklung des Erfindungsgedankens kann ein weiteres Zwischenbild der Lichtquelle im Bereich des zweiten optischen Elements mit zweiten Rasterelementen erzeugt werden. In einer besonders bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung wird der Strahlengang, ausgehend von diesem Bild der Lichtquelle und auf das erste optische Element mit ersten Rasterelementen zulaufend, durch eine im zweiten optischen Element mit zweiten Rasterelementen angebrachten Durchgang oder Blende hindurchgeführt. Vorzugsweise ist dieser Durchgang zentral im zweiten optischen Element mit zweiten Rasterelementen angebracht. Somit liegt mit dieser Ausgestaltung eine weitere Insichfaltung im Strahlengang im Bereich des doppelfacettierten Elementes vor, wobei der erste zum zweiten und der zweite zum dritten Strahlengang gegenläufig und im Wesentlichen parallel geführt sind. Die im Wesentlichen parallel ausgerichteten Strahlengänge ergeben sich wieder aus der Betrachtung der Schwerstrahlen, welche im Wesentlichen parallel verlaufen bzw. nur geringe Winkelabweichungen aufweisen. In einer vorteilhaften Ausgestaltung sind diese Winkelabweichungen weniger als 5°.
Weitere Varianten sind möglich, in denen das erste und zweite Zwischenbild durch die Lichtquelle selbst ersetzt wird oder alternativ nur ein erstes Zwischenbild der Lichtquelle ausgebildet wird und dies im Bereich des Durchgangs im zweiten optischen Element mit zweiten Rasterelementen zu liegen kommt.
Das erfindungsgemäße Insichfalten des Strahlengangs im Bereich des doppelfacettierten Elements erlaubt eine besonders kompakte Bauweise des Beleuchtungssystems. Neben dem Bauraumgewinn ist es aufgrund der dargestellten Faltungsgeometrien möglich, zusätzliche mechanische und elektronische Komponenten und insbesondere Reinigungskammern in vorteilhafter Positionierung im Beleuchtungssystem zu verwenden. Die für diese vorteilhafte Faltungsgeometrie ausgebildeten Bilder der Lichtquelle können zusätzlich durch den Einsatz von Gitterspektralfiltern und Blenden zur spektralen Filterung des Beleuchtungslichts verwendet werden.
Die Erfindung soll nachfolgend anhand der Zeichnungen beispielhaft beschrieben werden.
Es zeigen:
1 EUV-Beleuchtungssystem, wobei das erste reflektive optische Element der zweiten optischen Komponente im Bereich der Zentralabschattung des ersten optischen Elements mit Rasterelementen liegt;
2 erstes optisches Element mit ersten Rasterelementen und Zentralabschattung;
3 ein Beleuchtungssystem mit dem ersten reflektiven optischen Element der zweiten optischen Komponente positioniert in der Zentralabschattung des ersten optischen Elements mit ersten Rasterelementen sowie einem ersten Zwischenbild der Lichtquelle in der Ebene des zweiten optischen Elements mit zweiten Rasterelementen und einem durch dieses Element gehenden Strahlengang;
4 Beleuchtungssystem mit einem analogen Strahlengang wie in 3 und einem zusätzlichen normal incidence-Konkavspiegel nach dem ersten Zwischenbild der Lichtquelle und der Ausbildung eines zweiten Zwischenbilds der Lichtquelle im Bereich des zweiten optischen Elements mit zweiten Rasterelementen.
5 Beleuchtungssystem mit einem analogen Strahlengang wie in 4 und einer Reinigungskammer zwischen dem ersten Zwischenbild und dem zweiten Zwischenbild der Lichtquelle
6 Anordnung des ersten reflektiven optischen Elements in direkter Nachbarschaft zum ersten optischen Element mit ersten Rasterelementen und gegenüberliegend zum Zwischenbild der Lichtquelle.
7 Anordnung des ersten reflektiven optischen Elements in direkter Nachbarschaft zum ersten optischen Element mit ersten Rasterelementen und positioniert auf der Seite des Zwischenbilds der Lichtquelle.
8 EUV-Lithographiesystem für die Mikrolithographie;
In 8 wird der typische Aufbau eines EUV-Lithographiesystems für die Mikrolithographie dargestellt. Ein Retikel bzw. eine Maske 104 wird dabei in der Feldebene 13 eines Projektionsbelichtungssystems positioniert und mittels einer Reduktionsoptik auf dessen Bildebene 130 abgebildet, in der sich typischerweise ein mit einem lichtempfindlichen Material versehener Wafer 106 befindet. 7 zeigt hierzu beispielhaft ein Projektionsobjektiv bestehend aus sechs Einzelspiegeln 128.1 bis 128.6. Gezeigt wird ferner eine im Idealfall telezentrische Beleuchtung der Bildebene 130, d. h. der Hauptstrahl eines Strahlbüschels, welcher von einem Feldpunkt der Feldebene 13 ausgeht, schneidet die Bildebene 130 senkrecht. Des Weiteren weist das Projektionsobjektiv 126 eine Eintrittspupille auf, die im Allgemeinen mit der Austrittspupille des Beleuchtungssystems zusammenfällt.
8 zeigt ferner den typischen Aufbau eines EUV-Beleuchtungssystems, welches eine Lichtquelle 1 für Wellenlängen ≤ 193 nm aufweist. Vorzugsweise werden hierfür ArF-Eximer-Laser mit einer Lichtwellenlänge von λ = 193 nm oder F₂-Laser, welche eine Wellenlänge von λ = 157 nm zur Verfügung stellen, eingesetzt. Besonders bevorzugt werden jedoch Laser-Plasma-Röntgenquellen, welche eine Wellenlänge von λ = 5 bis 20 nm aufweisen. Alternativ hierzu kann auch eine Synchotronquelle mit Wellenlängen λ = 10 bis 15 nm verwendet werden.
Die von der Lichtquelle 1 ausgehende Strahlung wird in einer ersten Kollektoreinheit 9 gesammelt. 8 zeigt in schematisch vereinfachter Art und Weise einen genesteten Kollektor, welcher aus mehreren Kollektorschalen zusammengesetzt ist und als Woltersystem mit zwei Reflektionen ausgeführt wird. Bei einem derartigen Kollektor kommen Spiegelsysteme zum Einsatz, die beispielsweise aus einer Kombination hyperboloidförmiger und ellipsoidförmiger Spiegel bestehen und deren Prinzip in der Literatur erstmalig in den Annalen der Physik 10, 94 – 114, 1952 genannt ist, wobei der Offenbarungsgehalt dieser Schrift vollumfänglich in die vorliegende Anmeldung mit aufgenommen ist.
Diese erste Kollektoreinheit 9 wirkt kollimierend und bildet ein Zwischenbild Z der Lichtquelle aus. In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung wird zwischen diesem Zwischenbild Z und der Lichtquelle 1 ein Gitterelement 200 zur spektralen Filterung des Beleuchtungssystems verwendet. Im Allgemeinen wird eine spektral reine Ausleuchtung der Feldebene 13 erwünscht, wobei es jedoch vielfach nicht möglich ist, hierfür schmalbandige Leuchtquellen oder Lasersysteme zu verwenden, da ansonsten die von der Lichtquelle 1 zu entnehmende Lichtausbeute zu stark abnehmen würde. Stattdessen wird eine gewisse spektrale Streuung zugelassen und zusätzliche Elemente mit Filterwirkung in das Beleuchtungssystem eingesetzt.
Das in 8 schematisch dargestellte Gitterelement 200 basiert auf einer spektralen Trennung durch Beugung des Lichts und durch ein Aussortieren ungewünschter Beugungsordnungen, im vorliegenden Fall wird insbesondere Licht der 0.-Beugungsordnung mit einer Wellenlänge oberhalb von 100 nm ausgesondert. Hierzu wird bevorzugt nach dem Gitterelement 200 im Bereich des sich ausbildenden ersten Zwischenbilds Z der Lichtquelle eine oder mehrere physikalische Blenden in der Blendenebene 202 angeordnet, welche in einer besonders bevorzugten Ausführungsform als gestaffelte und gekühlte Blenden ausgebildet sind.
Eine besonders bevorzugte spektrale Filterung wird dadurch erreicht, dass zusätzlich zum Gitterspektralfilter 200 mindestens ein Spiegel mit einem Vielfachschichtsystem verwendet wird. Ein solcher Spiegel kann beispielsweise Teil des Kollektors sein. Durch die Hinzunahme eines angepassten Spiegels mit einem Vielfachschichtsystem kann die Nutzwellenlänge von 13,5 nm und Wellenlängen oberhalb von 100 nm aus der Ausstrahlung der Lichtquelle entnommen werden. In Kombination mit einem Gitterspektralfilter 200, welches so eingestellt wird, dass gerade der Wellenlängenbereich von 7 bis 13,5 nm selektiert wird, ergibt sich eine spektral besonders reine Ausleuchtung.
Da sich das Gitterelement 200 in der ersten Kollektoreinheit im nachfolgenden konvergenten Strahlengang befindet, ist die optische Wirkung des Gitters zu beachten. Eine Möglichkeit, die daraus resultierenden Schwierigkeiten zu umgehen, ist die Verwendung eines Gitterelementes 200, welches aus mehreren Einzelgittern besteht. Diese Einzelgitter sind auf einer gekrümmten Tragfläche aufgebracht. Beispielsweise können diese Einzelgitter als Blaze-Gitter ausgebildet sein, welche Reflektionsschichten aus Ruthenium oder anderen metallischen Schichten wie Palladium oder Rhodium, mit einer hohen Effizienz η (-1) für die Reflektivität von typischen Wellenlängen von λ = 13,5 nm, aufweisen. Mit einer solchen Gitter-Blenden-Kombination kann insbesondere eine Bestrahlung mit Wellenlängen größer als 100 nm unterdrückt werden, damit wird neben der verbesserten Qualität der Ausleuchtung auch die thermische Belastung aller Komponenten des EUV-Beleuchtungssystems und der anschließenden Projektionsbelichtungsanlage sowie der verwendeten Maske 11 in der Feldebene 13 reduziert.
8 skizziert ferner ein Beleuchtungssystem, welches als doppelfacettiertes Beleuchtungssystem gemäß der US 6 198 793 B1 ausgebildet wird, wobei der Inhalt dieses Dokuments vollumfänglich in die vorliegende Anmeldung mit aufgenommen wird. Ein solches System umfasst ein erstes optisches Element mit ersten Rasterelementen 3, welches auch als Feldfacettenspiegel 3 bezeichnet wird. Im Strahlengang anschließend folgt ein zweites optisches Element mit zweiten Rasterelementen 5, welches üblicherweise Pupillenfacettenspiegel 5 genannt wird.
Feld- und Pupillenfacettenspiegel 3, 5 dienen zur Ausleuchtung eines Felds in der Feldebene 13 sowie der Gestaltung der Ausleuchtung in der Austrittspupille des Beleuchtungssystems. Die Wirkung jeder Feldwabe ist dergestalt, dass sie ein Bild der Lichtquelle 1 ausbildet, wobei durch die unterschiedlichen Neigungswinkel der Feldfacetten eine Vielzahl von so genannten sekundären Lichtquellen gebildet wird. Wie in 8 dargestellt, muss der vom ersten Zwischenbild Z der Lichtquelle 1 ausgehende und sich aufweitende Strahlengang durch die Feldfacetten im Bereich des Pupillenfacettenspiegel 5 auf die sekundären Lichtquellen fokussiert werden. Die hierfür notwendige kollimierende Wirkung der Feldfacetten kann entweder durch konkave Ausformung des Spiegelträgers der Vielzahl von Feldfacetten und durch eine entsprechende Verkippung der Feldfacetten erreicht werden. Von den nachfolgenden optischen Elementen werden diese sekundären Lichtquellen als tertiäre Lichtquellen in die Austrittspupille des Beleuchtungssystems abgebildet.
Ferner wird jede Feldwabe durch die Facetten des Pupillenfacettenspiegel 5 und den nachfolgenden optischen Elementen der zweiten optischen Komponente, die im Beispiel aus 8 aus den drei optischen Elementen erstes reflektives optisches Element 19, zweites reflektives optisches Element 21 und den grazingincidence-Spiegel 23 bestehen, in die Feldebene 13 abgebildet. Die sich dort überlagerten Bilder der Feldfacetten dienen zur Ausleuchtung einer Maske 11 in der Feldebene 13, wobei typischerweise, ausgehend von rechteckförmigen oder bogenförmigen Feldfacetten, eine Ausleuchtung in der Feldebene 13 in der Form eines Ringfeldsegments entsteht. Im Allgemeinen ist das Mikrolithographiesystem als scannendes System ausgebildet, so dass die Maske 11 in der Feldebene 13 und ein Wafer 106 in der Bildebene 130 synchron bewegt werden, um eine Ausleuchtung bzw. eine Belichtung zu bewirken.
In 8 ist ferner der Schwerstrahl 4 als Verbindungslinie der geometrischen Mittelpunkte aller optischen Flächen eingezeichnet. Der Schwerstrahl zwischen Feldfacettenspiegel 3 und Pupillenfacettenspiegel 5 mit der Bezugsziffer 6 und der Schwerstrahl zwischen Pupillenfacettenspiegel 5 und erstem optischen Elemet 19 mit der Bezugsziffer 8 sind dabei zueinander geneigt mit einem Winkel von etwa 10°.
Bei der Verwendung von genesteten Reflektoren 9 der oben genannten Art kann nur Licht oberhalb einer bestimmten numerischen Apertur gesammelt werden. Folglich weist der Feldfacettenspiegel, wie in 2 dargestellt, in seinem zentralen Bereich keine Facetten auf, da diese Region nicht ausgeleuchtet wird. 2 zeigt ferner die Zusammenfassung der Planfacetten zu mehreren Blöcken 500.1 bis 500.10, die sich um diesen abgeschatteten Bereich herum gruppieren.
Ohne den feldformenden, gracing-incidence Spiegel 23 können die Feldfacetten auch trivialerweise eine der Ringfeldform entsprechende Form haben, also bogenförmig sein.
Auch bei normal-incidence-Kollektoren ist die Ausbildung einer Zentralabschattung 502 in der Ausleuchtung der Feldfacetten möglich. Diese ergibt sich beispielsweise durch eine Lichtquelle, die selbst eine Zentralabschattung erzeugt, sodass auch hier im zentralen Bereich des Feldfacettenspiegels keine Facetten angeordnet werden.
Nach 1 wird im Inneren des genesteten Kollektors 9 eine zentrale Blende 204 eingesetzt, welche das Streulicht im zentralen Bereich des Kollektors blockiert und zusätzlich dafür sorgt, dass auf dem Feldfacettenspiegel 3 ein zentraler Bereich abgeschattet wird. Erfindungsgemäß dient diese in 2 gezeigte Zentralabschattung 502 dazu, dass erste reflektive optische Element 19 der zweiten optischen Komponente 7 aufzunehmen, was in 1 in schematischer Weise gezeigt wird. Hierin liegt der Unterschied zum Strahlengang gemäß 8, wie er üblicherweise in einem EUV-Beleuchtungssystem verwendet wird.
Im Einzelnen zeigt 1 nach dem Zwischenbild der Lichtquelle Z einen ersten Strahlengang 14 vom Zwischenbild der Lichtquelle zum Feldfacettenspiegel 3, einen zweiten Strahlengang 15 vom Feldfacettenspiegel 3 zum Pupillenfacettenspiegel 5, der im Wesentlichen gegenläufig ist zum dritten Strahlengang 16 vom Pupillenfacettenspiegel 5 zum ersten reflektiven optischen Element 19, welches sich in der Zentralabschattung des Feldfacettenspiegel 3 befindet. Dabei ist das erste reflektive optische Element 19 der zweiten optischen Komponente zugeordnet. Der nachfolgende Strahlengang ist im Wesentlichen übereinstimmend zu jenem der 8, in dem über das zweite reflektive optische Element 21 und den grazing-incidence-Spiegel 23 der Strahlengang zur Feldebene 13 gelenkt und die Feldausleuchtung ausgeformt wird.
Im gezeigten Beispiel ist der Schwerstrahl 6 zwischen Feldfacettenspiegel 3 und Pupillenfacettenspiegel 5 exakt parallel zum Schwerstrahl 8 zwischen Pupillenfacettenspiegel 5 und erstem optischen Element. Die Schwerstrahlen 6 und 8 sind gegenläufig und müssen nicht exakt parallel sein, sondern können soweit voneinander abweichen, wie es die Positionierung des ersten optischen Elementes 19 innerhalb der Zentralabschattung 502 der Feldfacettenspiegels 3 erlaubt. Besonders vorteilhaft ist, wenn die Schwerstrahlen 6 und 8 zueinander einen Winkel von nicht größer als 5° besitzen.
Die Aufnahme eines ersten reflektiven optischen Elements 19 in die Zentralabschattung 502 des Feldfacettenspiegel 3 erlaubt eine besonders kompakte Bauform. Ferner ist durch die im Wesentlichen parallele Strahlführung zwischen Feldfacettenspiegel und Pupillenfacettenspiegel eine besonders einfache Zuordnung der Feldfacetten zu den Pupillenfacetten möglich, wodurch die Baubarkeit und Beschichtung des doppelfacettierten Elements erleichtert wird. Ein weiterer Vorteil ist, dass durch den damit erzielten geringeren Umlenkwinkel der Pupillenfacetten die Neigungswinkel der Facettenoberflächen und die Einfallswinkel an der Oberfläche geringer werden. Damit erhöht sich die Reflektivität unter gleichzeitiger Verringerung möglicher gegenseitiger Abschattungsverluste. Der reduzierte Bauraum wirkt sich auch positiv auf das Volumen aus, welches geringer wird, was insbesondere für EUV-Belichtungsanlagen von Vorteil ist, wobei ja die Anlage evakuiert werden muß.
Aufgrund der erfindungsgemäß Faltungsgeometrie ist eine besonders kompakte Bauweise der Beleuchtungssystems möglich. An den ausgebildeten Zwischenbildern ist es ferner möglich eine Trennung des Beleuchtungssystems in Kompartimente vorzunehmen und so eine modulare Bauweise des Beleuchtungssystems zu verwirklichen. Eine Abtrennung Lichtquelle mit dem Kollektor und dem Spektralfilter und der Blendenanordnung in ein abgetrenntes Kompartiment 300 ermöglicht es, die von der Lichtquelle ausgehende Verschmutzung räumlich zu begrenzen. Die optischen Elemente des doppelfacettierten Elements und der zweiten optischen Komponente ergeben bei einer solchen Bauweise ein besonders kompaktes und konstruktiv vereinfachtes Modul, welches im Bereich des Zwischenbildes an das Beleuchtungsmodul angrenzt. Dabei können in diesen beiden Modulen unterschiedliche Atmosphären eingestellt werden, wodurch sich die Gefahr der von der Lichtquelle ausgehenden Verschmutzung auf die nachfolgenden optischen Komponenten eingrenzen lässt.
3 zeigt eine Weiterentwicklung der erfindungsgemäßen Idee, in dem das Zwischenbild Z der Lichtquelle in einem Bereich ausgebildet wird, der zur Rückseite des zweiten optischen Elements mit zweiten Rasterelementen in direkter Nachbarschaft steht. Dabei können Komponenten zur Sammlung des Lichtes der Lichtquelle und zur spektralen Filterung verwendet werden, die denjenigen aus 1 entsprechen. Beispielhaft ist hier die Verwendung eines genesteten Reflektors 9 mit einer zentral positionierten Blende 204 sowie ein Spektralgitterfilter 200 mit zugeordneter physikalischer Blende in der Blendenebene 202 dargestellt. Durch die Ausbildung eines Zwischenbilds rückseitig angrenzend an den Pupillenfacettenspiegel 5 und durch einen räumlich begrenzten Durchgang durch den Pupillenfacettenspiegel 5 ist es möglich, den durch das Zwischenbild der Lichtquelle zum Feldfacettenspiegel 3 verlaufenden ersten Schwerstrahl 4 gegenläufig zum zweiten vom Feldfacettenspiegel 3 zurück reflektierten Schwerstrahl 6 auszubilden und damit zusätzlich zur erfindungsgemäßen Faltung zwischen zweitem, zwischen Feldfacettenspiegel 3 und Pupillenfacettenspiegel 5 verlaufenden Strahlengang mit Schwerstrahl 6, und dem dritten, vom Pupillenfacettenspiegel 5 zurück reflektierten Strahlengang mit Schwerstrahl 8 noch eine weitere, dritte Insichfaltung im Bereich des doppelfacettierten Elements zu erreichen. Alternativ kann natürlich auch nur eine Faltung des Scherstrahles 4 und 6 stattfinden, wenn das erste optische Element 19 nicht in der Zentralabschattung des Feldfacettenspiegels 3 angeordnet wird.
Neben einer weiteren Reduktion des Bauraums lässt sich der Durchgang im Pupillenfacettenspiegel 5 für den ersten Strahlengang 4 auch als physikalische Blende zur Ausfilterung unerwünschter Beugungsordnungen verwenden. Somit wird nur der erwünschte und vom Spektralgitter 200 reflektierte Spektralbereich durch den Durchgang im Pupillenfacettenspiegel 5 geleitet. Hierbei ist, wie auch in den voranstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen, der Feldfacettenspiegel 3 und Pupillenfacettenspiegel 5 so zu gestalten, dass die resultierende thermische Belastung gering ist. Beispielsweise kann hierfür eine Kühlung vorgesehen sein.
Besonderer Vorteil des Ausführungsbeispiels aus 3 mit der doppelten Faltung des Strahlenganges ist, dass nun sowohl die Feld-, als auch die Pupillenfacetten geringere Neigungswinkel aufweisen und geringere Einfallswinkel auftreten. Damit sind die Reflektionsverluste geringer und es treten weniger gegenseitige Abschattungen einzelner, benachbarter Facetten mit beispielsweise unterschiedlichen Neigungswinkeln auf. Die Kanalzuordnung zwischen Feld- und Pupillenfacetten unterliegt damit weniger Einschränkungen.
Auch sind in so einem System die Abstände zwischen Feld- und Pupillenfacetten eher so auszulegen, dass sie in etwa gleich lang sind, im Gegensatz zum Beispiel aus 8, wo sie aufgrund des schiefen Strahlenganges unterschiedlich lang sind. In der vorteilhaften Ausführungsform aus 3 ist damit bei gleichen Krümmungsradien der Facettenspiegel auch die Variation der Abbildungsmaßstäbe, mit denen die einzelnen Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 3 in die Feldebene 13 abgebildet werden, geringer. Das System ist damit besser korrigierbar.
4 zeigt eine Weiterentwicklung der in 3 dargestellten erfindungsgemäßen Idee einer weiteren Faltung der Beleuchtungsgeometrie im Bereich des doppelfacettierten Elements. Hierbei wird ein erstes Zwischenbild der Lichtquelle Z1 im Bereich der Blendenebene 202 ausgebildet, so dass mittels einer physikalischen Blende eine spektrale Filterung vorgenommen werden kann. Von dort gelangt das Licht beispielsweise über einen normal incidence-Konkavspiegel mit kollimierender Wirkung 400 in ein zweites Zwischenbild der Lichtquelle Z2, welches rückseitig und in direkter Nachbarschaft zum Pupillenfacettenspiegel 5 liegt. Hierdurch wird vorteilhafterweise ein zweifach in sich gefalteter Strahlengang im Bereich des doppelfacettierten Elements erreicht sowie eine hiervon getrennte spektrale Filterung in Verbindung mit dem ersten Zwischenbild der Lichtquelle. Damit kann zum einen die thermische Belastung auf die Konstruktion des Pupillenfacettenspiegel 5 reduziert werden, zum anderen ist durch die Verwendung des normal incidence-Konkavspiegels 400 eine weiteren Bauraum gewinnende und somit vorteilhafte Faltung des Strahlengangs im Beleuchtungssystem möglich. Der Nachteil einer Reduktion der Beleuchtungsintensität durch die Verwendung eines weiteren Spiegels, insbesondere eines solchen, der als normal incidence-Spiegel ausgebildet ist, wird durch mehrere Vorteile aufgewogen. Ferner kann der zusätzliche normal-incidence-Spiegel 400, der ja als erster, mit einem Multilayer beschichteter Spiegel eine Wellenlängenfilterung durchführt und eine hohe Thermallast und Kontamination erfährt, leichter gekühlt werden und auch in eine Reinigungseinrichtung zur regelmäßigen Reinigung verfahrbar ausgelegt werden.
Dies ist deshalb wichtig, da insbesondere die ersten und letzten optischen Flächen von bspw. refraktiven Systemen besonders gefährdet sind zu kontaminieren, weil diese sich in unmittelbarer Nähe z. B. zu einer Quelle, einer Maske oder einem zu belichtenden Wafer befinden. Über diese können Verunreinigungen in das optische System eingebracht werden. Die hochenergetische Strahlung der Lichtquellen ≤ 193 nm führen dazu, dass zum Beispiel die Restsauerstoffanteile durch die Strahlung in Ozon verwandelt werden, welches wiederum die Oberflächen der optischen Elemente, d. h. deren Beschichtung angreift und zerstören kann.
Ferner können sich durch Restgaskonzentrationen wie z. B. Kohlenwasserstoffe in der umgebenden Atmosphäre der optischen Fläche Kontaminationen auf der optischen Fläche bilden, z. B. durch Kristallbildung oder Schichten z. B. aus Kohlenstoff oder Kohlenstoffverbindungen.
Die Kontamination kann dabei von der Beleuchtungsstärke abhängen. Bei der EUV-Lithographie kann man Quellen einsetzen, die ein breitbandiges Spektrum abstrahlen. Selbst nach einer spektralen Filterung, z. B. mit einem Gitterspektralfilter, liegt ein breites Spektrum an hochenergetischer Strahlung vor. Besonders hoch ist die Belastung in den ersten optischen Komponenten bis zum ersten Multilayer-Spiegel in einem EUV-System, da bis dort außer der Strahlung bei z. B. 13,5 nm die breitbandige Strahlung der Quelle vorliegt und damit die Strahlungsbelastung maximal ist. Der Reflexionsverlust auf dem ersten normal-incidence-Spiegel in einem Beleuchtungssystem einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage ist deswegen am größten, weil dieser Spiegel die größte Leistungsdichte der Lichtquelle empfängt, aber im wesentlichen nur selektiv aufgrund der Vielfachbeschichtung bei 13,5 nm reflektiert. Sämtliche andere Strahlung, die die EUV-Quelle abstrahlt, wird somit in Absorptionsleistung umgewandelt. Kohlenstoff oder Kohlenstoffverbindungen werden durch regelmäßiges Reinigen der Spiegel wieder entfernt, beispielsweise durch das Beimengen von Argon und Sauerstoff unter einem RF-Plasma. Bezüglich der Reinigung von kontaminierten Optiken wird auf nachfolgende Veröffentlichung verwiesen:
F. Eggenstein, F. Senf, T. Zeschke, W. Gudat, „Cleaning of contaminated XUV-optics at Bessy II", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 467 – 468 (2001) p 325 – 328
deren Offenbarungsgehalt vollumfänglich in die vorliegende Anmeldung mitaufgenommen wird.
Eine derartige Reinigung der Spiegel ist allerdings in kurzen Zeitabständen notwendig. Hierdurch werden die Maschinennutzzeiten sehr stark reduziert. So kann es beispielsweise erforderlich sein, den ersten normal-incidence Spiegel in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage bereits nach etwa 20 Betriebsstunde erneut zu reinigen. Diese Reinigung dauert beispielsweise etwa 2 Stunden, dass sind 10% der Nutzungszeit.
Die erfindungsgemäße Faltung ermöglicht eine gute Zugänglichkeit des ersten Multilayer-Spiegels sowie die Ausbildung einer kompakten Reinigungskammer 410 wie in 5 gezeigt, wobei die Reinigungskammer 410 von der Kammer, beispielsweise der Vakuumkammer des übrigen optischen Teilsystems atmosphärisch, z. B. vakuumtechnisch getrennt ist. In die vom übrigen optischen Teilsystem separate Reinigungskammer 410 können zu Reinigungszwecken eine gewisse Gaskonzentration, z. B. bevorzugt eine Sauerstoffkonzentration und/oder eine Argonkonzentration, oder ein Gasstrom und andere Mittel zur Reinigung, wie beispielsweise eine UV-Lichtquelle, eine RF-Antenne zum Erzeugen eines Hochfrequenzplasmas, Elektroden zum Anlegen von Feldern oder mechanische Reinigungsmittel eingebracht werden.
Eine Anordnung der zu reinigenden optischen Komponente in einer separaten Vakuumkammer hat den Vorteil, dass der Spiegel durch Beimengung einer gewissen Sauerstoffkonzentration während des Betriebes ständig selbst gereinigt werden kann und eine Komplettreinigung erst nach längeren Standzeiten nötig wird. Durch die Anordnung in einer separaten Vakuumkammer wird das restliche System beispielsweise vor möglichen schädlichen Einflüssen der Reinigung geschützt.
Wie in 4 dargestellt ergibt sich durch die erfindungsgemäß gegenläufigen Strahlengänge eine vorteilhafte Bauraumgestaltung, welche beispielsweise zur Ausbildung einer Reinigungskammer 410 genutzt werden kann. Hierzu skizziert 4 den Strahlverlauf nach dem zweiten Zwischenbild der Lichtquelle Z2. Dieser entspricht demjenigen Ausführungsbeispiel, welches in 3 dargestellt wurde. Insbesondere wird eine erfindungsgemäße Faltung durch die Gegenläufigkeit des zweiten Strahlengangs mit Schwerstrahl 6 vom Feldfacettenspiegel 3 zum Pupillenfacettenspiegel 5 im Verhältnis zum dritten Strahlengang mit Schwerstrahl 8 vom Pupillenfacettenspiegel 5 zum nachfolgenden ersten reflektiven optischen Element 19 durch eine Positionierung dieses ersten besagten reflektiven optischen Elements 19 im Bereich der Zentralabschattung des Feldfacettenspiegel 3 erreicht. In 4 ist angedeutet, dass dieses erste reflektive optische Element auch einen geringen Versatz zum Mittelpunkt des Feldfacettenspiegel 3 aufweisen kann.
In 5 ist eine weitere Ausführungsform der Erfindung gezeigt. Hierbei ist das zweite Zwischenbild Z2 der Lichtquelle 1 zwar benachbart und vorzugsweise in der Ebene des Pupillenfacettenspiegels 5 ausgebildet, der Schwerstrahl 4 wird jedoch nicht durch einen Durchgang im Pupillenfacettenspiegel 5 geführt. Erfindungsgemäß verlaufen die Schwerstrahlen 6 und 8 im Wesentlichen parallel. Vorteilhafterweise verlaufen diese in einem Winkel von nicht größer als 5°.
Natürlich kann auch nur das erste oder zweite Zwischenbild der Lichtquelle Z1 oder Z2 in der Pupillenfacettenplatte 5 zum liegen kommen, und das erste reflektive optische Element 19 sich benachbart oder sogar beabstandet zum Feldfacettenspiegel befinden, sodass nur der erste Strahlengang zwischen Zwischenbild Z1 oder Z2 der Quelle und Feldfacettenplatte 3 und der Pupillenfacettenplatte 5 gegenläufig und nahezu parallel zueinander verlaufen. Im Rahmen der Erfindung ist es ferner vorgesehen, das erste reflektive optische Element 19 auch außerhalb der Zentralabschattung des Feldfacettenspiegel 3 zu positionieren, wobei es aber weiterhin im Wesentlichen in der Ebene des Feldfacettenspiegel 3 und in direkter Nachbarschaft zu den ersten Rasterelementen des Feldfacettenspiegel 3 angeordnet ist. Eine solche Anordnung ist in den 6 und 7 dargestellt. Sie zeigen ferner, dass das Zwischenbild Z der Lichtquelle, welches hier alternativ für die Lichtquelle oder für ein zweites oder weiteres Zwischenbild der Lichtquelle steht, mit einem geringen Versatz zum Zentrum des Pupillenfacettenspiegel 5, jedoch immer noch in seiner direkten Nachbarschaft, positioniert werden kann. Die Beabstandung kann dabei vorteilhaft so gewählt werden, dass die Einfallswinkel des Schwerstrahls über alle Strahlen an den Facettenspiegeln nicht mehr als 6° beträgt, d. h. die Einfallswinkel reduziert werden, womit eine einfachere Baubarkeit und höhere Reflektivität erreicht werden kann. Ist der Abstand zwischen der Ebene der Feldfacettenplatte oder des ersten reflektiven optischen Elementes und der Ebene der Pupillenfacettenplatte oder des Zwischenbildes der Quelle Z in etwa ein Meter, so folgt daraus, das die Mittelpunkte der jeweils benachbart zueinander liegenden optischen Elemente nicht größer als etwa 100mm beträgt, d. h. der Mittelpunkt der Pupillenfacettenplatte 5 ist weniger als etwa 100mm vom Zwischenbild der Quelle Z entfernt, oder der Mittelpunkt des ersten reflektiven optischen Element ist weniger als etwa 100mm vom Mittelpunkt der Feldfacettenplatte entfernt, sodass sich Einfallswinkel von weniger als 6° einstellen.
Neben dem einem EUV-Beleuchtungssystem mit einem erfindungsgemäß gefalteten Strahlengang stellt die Erfindung auch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithographie mit einem solchermaßen gefalteten Strahlengang sowie ein Verfahren zur Herstellung mikroelektronischer Bauteile zur Verfügung.

1: Lichtquelle
3: erstes optisches Element mit ersten Rasterelementen
: (Feldfacettenspiegel)
4, 6, 8: Schwerstrahlen
5: zweites optisches Element mit zweiten
: Rasterelementen
: (Pupillenfacettenspiegel)
7: zweite optische Komponente
9: erste Kollektoreinheit
11: strukturtragende Maske
13: Feldebene
14: erster Strahlengang zum ersten optischen Element mit
: ersten Rasterelementen
15: zweiter Strahlengang vom ersten optischen Element mit
: ersten Rasterelementen zum zweiten optischen
: Element mit zweiten Rasterelementen
16: dritter Strahlengang vom zweiten optischen Element mit
: zweiten Rasterelementen zum erstes reflektiven
: optischen Element
17: sekundäre Lichtquelle
18: Durchgang durch das zweite optische Element mit
: zweiten Rasterelementen
19: erstes reflektives optisches Element
21: zweites reflektives optisches Element
23: grazing-incidence Spiegel
25: Austrittspupille des Beleuchtungssystems
26: Strahlbüschel vom zweiten optischen Element mit
: zweiten Rasterelementen zur zweiten optischen
: Komponente
27: Austrittspupille des Beleuchtungssystems
30: erste Rasterelemente
32: zweite Rasterelemente
102: zweite Kollektoreinheit
104: Maske
106: mit einem lichtempfindlichen Material versehener Wafer
126: Projektionsobjektiv
128.1, 128.2, 128.3: Spiegel des Projektionsobjektives
128.4, 128.5, 128.6
130: Bildebene
200: Gitterelement
202: Blendenebene
204: Blende in der ersten Kollektoreinheit
400: normal incidence-Konkavspiegel
410: Reinigungskammer
500.1, 500.2, 500.3: Blöcke mit ersten Rasterelementen
500.4, 500.5, 500.6
500.7, 500.8, 500,9
500.10
502: Zentralabschattung
Z: Zwischenbild der Lichtquelle
Z1: erstes Zwischenbild der Lichtquelle
Z2: zweites Zwischenbild der Lichtquelle

Claims

EUV-Beleuchtungssystem für die Lithographie mit Wellenlängen ≤ 193 nm mit 1.1 einer Lichtquelle (1); 1.2 einem Kollektor (9) zum Sammeln der von der Lichtquelle (1) ausgehenden Strahlung; 1.3 einer doppelt facettierten optischen Komponente umfassend ein erstes optisches Element mit ersten Rasterelementen (3) und ein zweites optisches Element mit zweiten Rasterelementen (5); 1.4 einer zweiten optischen Komponente, welche der doppelt facettierten optischen Komponente nachfolgt und wenigstens ein erstes reflektives optisches Element (19) umfasst; 1.5 einem ersten Strahlengang (14) zwischen der Lichtquelle (1) oder einem Zwischenbild der Lichtquelle und dem ersten optischen Element mit ersten Rasterelementen (3); 1.6 einem zweiten Strahlengang (15) zwischen dem ersten optischen Element mit ersten Rasterelementen (3) und dem zweiten optischen Element mit zweiten Rasterelementen (5); 1.7 einem dritten Strahlengang (16) zwischen dem zweiten optischen Element mit zweiten Rasterelementen (5) und dem ersten reflektiven optischen Element (19); dadurch gekennzeichnet, dass erster und zweiter Strahlengang (14, 15) und/oder zweiter und dritter Strahlengang (15, 16) gegenläufig und im Wesentlichen parallel geführt sind.
EUV-Beleuchtungssystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Winkelabweichung der gegenläufigen und im Wesentlichen parallel geführten Strahlengänge < 12°, bevorzugt < 6° und besonders bevorzugt ≤ 5° beträgt.
EUV-Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, dass sich das erste reflektive optische Element (19) im Wesentlichen in der Ebene des ersten optischen Elements mit ersten Rasterelementen (3) und im Wesentlichen direkt benachbart zu den ersten Rasterelementen befindet.
EUV-Beleuchtungssystem nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Rasterelemente des ersten optischen Elements mit ersten Rasterelementen (3) um das erste reflektive optische Element (19) herum angeordnet sind.
EUV-Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Kollektor (9) eine Zentralabschattung (502) aufweist.
EUV-Beleuchtungssystem nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Kollektor (9) wenigstens einen grazing-incidence Spiegel aufweist der oberhalb eines bestimmten Schwellwerts der Apertur Strahlung von der Lichtquelle (1) sammelt.
EUV-Beleuchtungssystem nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Kollektor (9) als genesteter Kollektor nach dem Woltersystem aufgebaut ist.
EUV-Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das erste reflektive optische Element (19) im Wesentlichen in der Zentralabschattung des ersten optischen Elements mit ersten Rasterelementen (3) angeordnet ist.
EUV-Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Strahlengang (14) durch einen Durchgang (18) im zweiten optischen Element mit zweiten Rasterelementen (5) geführt wird.
EUV-Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 1 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass in direkter Nachbarschaft zum zweiten optischen Element mit zweiten Rasterelementen (5) ein Zwischenbild der Lichtquelle ausgebildet wird.
EUV-Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass zur spektralen Filterung ein Gitterspektralfilter (200) in Verbindung mit einer physikalischen Blende positioniert im Bereich eines Zwischenbildes der Lichtquelle (1) zur Selektion einer gewünschten Beugungsordnung verwendet wird.
EUV-Beleuchtungssystem nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass als physikalische Blende zur Selektion einer gewünschten Beugungsordnung ein Durchgang im zweiten optischen Element mit zweiten Rasterelementen (5) verwendet wird.
EUV-Beleuchtungssystem nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass durch einen normal-incidence-Konkavspiegel nachfolgend zur physikalischen Blende, welche für die Selektion einer gewünschten Beugungsordnung verwendet wird, ein weiteres Zwischenbild der Lichtquelle (1) ausgebildet wird, dass in direkter Nachbarschaft zum zweiten optischen Element mit zweiten Rasterelementen (5) positioniert ist.
EUV-Beleuchtungssystem nach Anspruch 1 – 13, umfassend einen normal-incidence-Konkavspiegel, der verfahrbar ist.
EUV-Beleuchtungssystem nach Anspruch 1 – 14, umfassend einen normal-incidence-Konkavspiegel, der sich in einer Reinigungskammer befindet.
Projektionsbelichtungsanlage, dadurch gekennzeichnet, dass die Projektionsbelichtungsanlage ein EUV-Beleuchtungssystem gemäß einem der Ansprüche 1 bis 15 umfasst.
Verfahren zum Belichten zur Herstellung mikroelektronischer Bauteile, dadurch gekennzeichnet, dass eine Projektionsbelichtungsanlage, die ein EUV-Beleuchtungssystem gemäß einem der Ansprüche 1 bis 15 umfasst, verwendet wird.