DE10314604B4 - IGBT arrangement with reverse diode function - Google Patents

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Abstract

IGBT-Anordnung mit Reverse-Diodenfunktion, umfassend einen Halbleiterkörper (1) des einen Leitungstyps, in den ein IGBT (2) mit einer Sourcezone (13) des einen Leitungstyps und ein Thyristor (3) mit der Reverse-Diodenfunktion integriert und beide in Lateralstruktur vorgesehen sind, wobei ein Randbereich der IGBT-Anordnung als Anodenzone (4) gestaltet ist, von der ein Teil den Thyristor mit der Reverse-Diodenfunktion bildet und die von einem Feld-Stopp-Ring (5) umgeben ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Anodenzone (4) in den Feld-Stopp-Ring (5) eingebettet ist.IGBT arrangement with reverse diode function, comprising a semiconductor body (1) of a conductivity type into which an IGBT (2) with a source zone (13) of the one conductivity type and a thyristor (3) with the reverse diode function integrated and both are provided in lateral structure, wherein a Edge region of the IGBT arrangement is designed as an anode zone (4), a part of which forms the thyristor with the reverse diode function and that of a Field stop ring (5) is surrounded, characterized in that the Anode zone (4) is embedded in the field stop ring (5).

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine IGBT-Anordnung mit Reverse-Diodenfunktion nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 bzw. 10 bzw. 11 bzw. 14.The The present invention relates to an IGBT device with reverse diode function according to the preamble of claim 1 or 10 or 11 or 14th

Bei zahlreichen Anwendungen von IGBTs wird eine Reverse-Diode benötigt, damit der IGBT in der gewünschten Weise arbeitet. Weil nun ein IGBT an sich selbst keine solche Reverse-Diode hat, wird gewöhnlich zusätzlich zum IGBT eine gesonderte Diode vorgesehen. Als Beispiel hierfür sei auf die US 2002/0 153 586 A1 verwiesen. Dort liegen ein IGBT und eine Reverse-Diode antiparallel zueinander in einem Halbleiterkörper und sind dabei durch eine in einen Graben eingebrachte Isolatorschicht elektrisch voneinander getrennt.at Numerous applications of IGBTs require a reverse diode in order to the IGBT in the desired Way works. Because now an IGBT in itself no such reverse diode usually becomes additionally for IGBT a separate diode provided. As an example, be on US 2002/0153 586 A1. There are an IGBT and a Reverse diode antiparallel to each other in a semiconductor body and are by an insulator layer introduced into a trench electrically isolated from each other.

Weiterhin ist aus IEEE Electron Device Letters, Band 23, Nr. 9, September 2002, Seiten 562 bis 564 ein DMOS-Feldeffekttransistor bekannt, zu dem in einem Halbleiterkörper zur Verbesserung des Schaltverhaltens eine Reverse-Diode antiparallel geschaltet ist.Farther is from IEEE Electron Device Letters, Vol. 23, No. 9, September 2002, pages 562 to 564 discloses a DMOS field effect transistor, to that in a semiconductor body To improve the switching behavior of a reverse diode antiparallel is switched.

Aus der DE 101 25 004 A1 ist eine IGBT-Anordnung mit einer integrierten Reverse-Diodenfunktion bekannt, bei der diese Reverse-Diodenfunktion durch ein Thyristor-Bauelement gebildet ist. Ähnliche IGBT-Anordnungen sind im übrigen auch in WO 02/063695 A1, DE 693 19 549 T2 und DE 100 57 611 C2 beschrieben. Dabei weist die aus der WO 02/063695 A1 bekannte IGBT-Anordnung eine Zener-Diode auf, während die IGBT-Anordnung der DE 693 19 549 T2 eine von einem Feld-Stopp-Ring umgebene Anodenzone zeigt und der DE 100 57 611 C2 die Beeinflussung der Lebensdauer von Ladungsträgern durch eine als Rekombinationszentren wirkende Metallschicht zu entnehmen ist.From the DE 101 25 004 A1 is an IGBT arrangement with an integrated reverse diode function is known in which this reverse diode function is formed by a thyristor device. Incidentally, similar IGBT arrangements are also described in WO 02/063695 A1, DE 693 19 549 T2 and DE 100 57 611 C2 described. In this case, the known from WO 02/063695 A1 IGBT arrangement has a Zener diode, while the IGBT arrangement of DE 693 19 549 T2 shows an anode zone surrounded by a field stop ring and the DE 100 57 611 C2 the influence on the lifetime of charge carriers can be seen by a metal layer acting as a recombination center.

Bestehende IGBTs liegen gewöhnlich in Vertikalstruktur vor. Bei diesen ist dann die Reverse-Diode in diese Vertikalstruktur in den Halbleiterkörper parallel zum IGBT vorgesehen.existing IGBTs are usually in vertical structure. These are then the reverse diode in this vertical structure is provided in the semiconductor body parallel to the IGBT.

Nun sind aber besonders für Ströme, deren Stromstärke unterhalb von 1A liegt, Lateralstrukturen von besonderem Vorteil. Bei diesen braucht nämlich nur eine Seite des Halbleiterkörpers, also in der Regel einer Siliziumscheibe, bearbeitet zu werden. Derartige Lateralstrukturen von IGBTs sind seit längerem üblich.Now but are especially for currents their current strength Below 1A, lateral structures are of particular advantage. For these only needs one side of the semiconductor body, So usually a silicon wafer, to be processed. such Lateral structures of IGBTs have long been common.

Ein Beispiel für eine Lateralstruktur ist ein Lateralthyristor in einer Sensoranordnung zur Temperaturerfassung. 1 zeigt eine solche Lateralstruktur mit einem Halbleiterkörper 1 aus einem beispielsweise n–-leitenden Silizium, in den eine p+-leitende Anodenzone 20 mit einer Anodenelektrode A, eine p-leitende Basiszone 21 und eine n+-leitende Kathodenzone 22 mit einer Kathodenelektrode K eingebettet sind. Zwischen der Kathodenelektrode K und der Basiszone 21 liegt ein Temperatursensorchip 23, der auf Licht bzw. Wärmestrahlung hυ anspricht.An example of a lateral structure is a lateral thyristor in a sensor arrangement for temperature detection. 1 shows such a lateral structure with a semiconductor body 1 from a n - type silicon, for example, into which a p + -type anode zone 20 with an anode electrode A, a p-type base region 21 and an n + -type cathode region 22 are embedded with a cathode electrode K. Between the cathode electrode K and the base zone 21 is a temperature sensor chip 23 , which responds to light or heat radiation hυ.

Der in 1 gezeigte Lateralthyristor kann gegebenenfalls noch durch eine Hochvolt-Randstruktur mit einem Hochvolt-Feldplattenrand aus Feldplatten 9 ergänzt werden, wodurch eine in beiden Richtungen sperrende Anordnung entsteht. Diese Anordnung ist über eine präparierte Rückseite 24 mit einer Isolatorschicht 7 aus beispielsweise Siliziumnitrid versehen. Bei der präparierten Rückseite 24 kann es sich um eine Me tallschicht, einen Schottky-Übergang oder dergleichen handeln.The in 1 If necessary, the lateral thyristor shown can still be replaced by a high-voltage edge structure with a high-voltage field plate edge made of field plates 9 be supplemented, creating a blocking in both directions arrangement arises. This arrangement is via a prepared back 24 with an insulator layer 7 made of, for example, silicon nitride. At the prepared back 24 it may be a metal layer, a Schottky junction or the like.

Die Feldplatten 9 des Randbereiches der Anordnung von 2 sind noch mit p-leitenden Randzonen 25 verbunden.The field plates 9 the edge region of the arrangement of 2 are still with p-type edge zones 25 connected.

In 2 ist wie in 1 das Ersatzschaltbild des Lateralthyristors (hier mit dem Temperatursensorchip 23) in Strichlinien eingetragen.In 2 is like in 1 the equivalent circuit of the lateral thyristor (here with the temperature sensor chip 23 ) in dashed lines.

Es wurde auch bereits daran gedacht, bei einem IGBT mit einer Reverse-Diode in einem n–-leitenden Halbleiterkörper mittels n+-leitenden Zonen für einen Rückseiten-Kurzschluss zu sorgen. Eine solche Anordnung zeigt aber eine wenig vorteilhafte Kennlinie, deren Kurvenschar in Abhängigkeit von der Gate-Source-Spannung UGS eine schnabelartige Einbuchtung des Verlaufes des Stromes ID zwischen Drain D und Source S, aufgetragen über der Spannung U zwischen Drain D und Source S, zeigt (vgl. 11a, auf die weiter unten noch näher eingegangen werden wird). Dieses so genannte "Hahnfet"-Verhalten sollte möglichst vermieden werden.It has also been considered to provide for a backside short circuit in an IGBT with a reverse diode in an n - -type semiconductor body by means of n + -type regions. However, such an arrangement shows a little advantageous characteristic, whose family of curves as a function of the gate-source voltage U GS a beak-like recess of the course of the current I D between the drain D and source S, plotted against the voltage U between the drain D and source S. , shows (cf. 11a which will be discussed in more detail below). This so-called "Hahnfet" behavior should be avoided as much as possible.

Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine IGBT-Anordnung zu schaffen, die bei einfachem Aufbau eine Reverse-Diodenfunktion hat und gegebenenfalls ohne weiteres in Lateralstruktur mit einem Hochvolt-Feldplattenrand gebildet werden kann.It It is therefore an object of the present invention to provide an IGBT arrangement, which has a reverse diode function with a simple structure and optionally readily in lateral structure with a high-voltage field plate edge can be formed.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine IGBT-Anordnung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 bzw. 10 bzw. 11 bzw. 14 gelöst.These The object is achieved by a IGBT arrangement with the features of claim 1 or 10 or 11 or 14 solved.

Dieser Thyristor kann in Lateralstruktur vorgesehen sein oder aber derart gestaltet sein, dass er in verpolter bzw. umge kehrt gepolter Richtung bei kleiner Spannung zündet und als Diode arbeitet. In letzterem Fall liegt also ein entarteter Thyristor vor, der infolge seiner verpolten Richtung "über Kopf" zündet.This thyristor may be provided in lateral structure or else designed such that it ignites in reverse polarity or reversed polarity at low voltage and works as a diode. In the latter case, there is a degenerate thyristor, which due to its reverse polarity "overhead" ignites.

Zunächst soll auf den IGBT mit dem Thyristor in Lateralstruktur näher eingegangen werden. Bei einer solchen IGBT-Anordnung wird deren Rand durch die Anodenzone gebildet. Ein Teil von dieser Anodenzone ist als Reverse-Thyristor ausgebildet. Dieser Reverse-Thyristor weist beispielsweise eine n+-leitende Anodenzone auf, die in einer p-leitenden Zone liegt, welche einen Rand der IGBT-Anordnung bildet und so ringförmig gestaltet ist. Diese ringförmige p-leitende Zone ist im n–-leitenden Halbleiterkörper von einer n-leitenden, ebenfalls ringförmigen Zone umgeben, welche einen Feld-Stopp-Ring im Randbereich der IGBT-Anordnung darstellt. Zwischen diesen beiden ringförmigen Zonen ergibt sich dann eine Zenerdiode, die bei der IGBT-Anordnung den Reverse-Stromeinsatzpunkt festlegt.First, the IGBT with the thyristor in lateral structure will be discussed in more detail. In such an IGBT arrangement, its edge is formed by the anode zone. Part of this anode zone is designed as a reverse thyristor. This reverse thyristor has, for example, an n + -type anode region which lies in a p-conducting zone, which forms an edge of the IGBT arrangement and is thus designed annular. This annular p-type region is surrounded in the n - -type semiconductor body by an n-type, likewise annular zone, which represents a field-stop ring in the edge region of the IGBT arrangement. Between these two annular zones then results in a zener diode, which defines the reverse current application point in the IGBT arrangement.

Die in der oben dargestellten Weise aufgebaute IGBT-Anordnung ist besonders vorteilhaft bei Lampenvorschaltgeräten anwendbar.The The IGBT arrangement constructed in the above-described manner is particularly advantageous applicable to lamp ballasts.

Es sei noch angemerkt, dass in dem eine Basiszone bildenden n–-leitenden Halbleiterkörper die effektive Lebensdauer der Ladungsträger durch die Dicke dieses Halbleiterkörpers, also etwa durch Dünnschleifen der entsprechenden Halbleiterscheibe und/oder durch Präparation der Rückseite, also durch deren Gestaltung mittels einer Metallschicht oder eines Schottky-Überganges usw., beliebig verändert bzw. beeinflusst werden kann. Wird in der ringförmigen Feldstoppzone die Dotierungskonzentration vermindert, so kann die Zenerspannung der durch die beiden ringförmigen Zonen gebildeten Zenerdiode vermindert werden. Schließlich kann durch ein "Punch-Through" (Durchbruch) im Reversebetrieb der IGBT-Anordnung deren Stromeinsatzpunkt praktisch beliebig klein gemacht werden.It should also be noted that in the n - type semiconductor body forming a base zone, the effective lifetime of the charge carriers is determined by the thickness of this semiconductor body, that is to say by thin grinding of the corresponding semiconductor wafer and / or by preparation of the rear side, ie by their design by means of a metal layer or a Schottky junction, etc., can be changed or influenced as desired. If the doping concentration is reduced in the annular field stop zone, the Zener voltage of the Zener diode formed by the two annular zones can be reduced. Finally, by a "punch-through" (reverse) in the reverse operation of the IGBT arrangement whose Stromeinsatzpunkt be made practically arbitrarily small.

Bei der IGBT-Anordnung mit entartetem Thyristor weist der IGBT vorzugsweise eine NPT-Struktur auf (vergleiche hierzu auch 7). Um die "Überkopf-Zündung" des entarteten Thyristors bei der kleinen Spannung von etwa 5 bis 6 V (oder auch weniger) sicherzustellen, wird eine Zenerdiode im Halbleiterkörper vorgesehen bzw. eingebaut. Diese Zenerdiode zieht die Basisspannung des Thyristors auf, um dessen Zündung zu gewährleisten. In einfacher Weise kann für die Zenerdiode beispielsweise in der p-leitenden Basiszone des IGBTs eine p+-leitende Zone vorgesehen werden, welche mit einer n+-leitenden Zone in der n–-Basiszone des IGBTs in Berührung steht. Diese beiden hochdotierten Zonen, nämlich die p+-leitende Zone und die n+-leitende Zone, die beide vorzugsweise durch Ionenimplantation in den Halbleiterkörper eingebracht sind, bilden dann die Zenerdiode.In the case of the degenerate thyristor IGBT arrangement, the IGBT preferably has an NPT structure (cf. 7 ). In order to ensure the "overhead ignition" of the degenerate thyristor at the small voltage of about 5 to 6 V (or less), a zener diode is provided in the semiconductor body. This zener diode draws the base voltage of the thyristor to ensure its ignition. In a simple manner, for the Zener diode, for example, in the p-type base region of the IGBT, a p + -type region may be provided, which is in contact with an n + -type region in the n - -based zone of the IGBT. These two highly doped zones, namely the p.sup. + -Conducting zone and the n.sup. + -Conducting zone, both of which are preferably introduced into the semiconductor body by ion implantation, then form the zener diode.

In einem anderen Ausführungsbeispiel ist es möglich, die Rückseite des Halbleiterkörpers vor dessen Metallisierung zu maskieren und über die Maske in die Rückseite des Halbleiterkörpers übereinander und in Abstand voneinander eine n+-leitende Zone, eine p+-leitende Zone und eine weitere n+-leitende Zone durch Implantation und Ausheilen einzubringen. Ein "Punch-Through" durch die in die Oberfläche des Halbleiterkörpers eingebrachte n+-leitende Zone bewirkt dann eine "Überkopf-Zündung" in Reverserichtung der IGBT-Anordnung. Die Dotierung der p+-leitenden Zone sollte dann allerdings eine Dosis haben, die unterhalb 1012 cm–2 liegt. Ein geeigneter Dotierstoff hierfür ist Bor.In another embodiment, it is possible to mask the rear side of the semiconductor body prior to its metallization and via the mask in the back of the semiconductor body one above the other and at a distance from each other an n + -type zone, a p + -type zone and another n + - introduce conductive zone by implantation and healing. A "punch-through" through the introduced into the surface of the semiconductor body n + -type region then causes an "overhead ignition" in the reverse direction of the IGBT arrangement. However, the doping of the p + -type zone should then have a dose that is below 10 12 cm -2 . A suitable dopant for this is boron.

Ein Herstellungsverfahren für die erfindungsgemäße IGBT-Anordnung sieht für das an vorletzter Stelle genannte Ausführungsbeispiel vor, dass zunächst der NPT-IGBT bis zu dessen Metallisierung in üblicher Weise hergestellt wird. Sodann werden durch maskierte Ionenimplantationen die beiden n+- bzw. p+-leitenden Zonen für die Zenerdiode von der Rückseite des Halbleiterkörpers aus in diesen eingebracht. Es schließt sich eine Ausheilung der Anordnung an. Nach Metallisierung der Vorderseite des Halbleiterkörpers wird der NPT-IGBT in üblicher Weise fertig gestellt.A manufacturing method for the IGBT arrangement according to the invention provides for the embodiment mentioned at the penultimate point that first the NPT-IGBT is produced until its metallization in a conventional manner. Then, the two n + be by masked ion implantation - or p + -type zones for the Zener diode from the back side of the semiconductor body from introduced into this. This is followed by an annealing of the arrangement. After metallization of the front side of the semiconductor body of the NPT-IGBT is completed in the usual way.

Die erfindungsgemäße IGBT-Anordnung kann in beliebiger Chipgröße, also auch für höhere Spannungen und Stromwerte, hergestellt werden. Es ist so möglich, IGBT-Module mit relativ wenigen Halbleiterkörpern bzw. Halbleiterchips aufzubauen.The IGBT arrangement according to the invention can in any chip size, so also for higher voltages and current values are produced. It is so possible to use IGBT modules with relative few semiconductor bodies or build semiconductor chips.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:following The invention will be explained in more detail with reference to the drawings. Show it:

1 eine schematische Schnittdarstellung durch einen herkömmlichen Lateralthyristor mit einem Sensorchip zur Temperaturerfassung, 1 a schematic sectional view through a conventional Lateralthyristor with a sensor chip for temperature detection,

2 eine schematische Schnittdarstellung durch einen herkömmlichen Lateralthyristor mit einer Hochvolt-Randstruktur, 2 a schematic sectional view through a conventional Lateralthyristor with a high-voltage edge structure,

3 eine schematische Schnittdarstellung durch eine IGBT-Anordnung in Lateralstruktur nach einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung, 3 1 is a schematic sectional view through an IGBT arrangement in a lateral structure according to a first exemplary embodiment of the invention,

4 ein Ersatzschaltbild für das Ausführungsbeispiel von 3, 4 an equivalent circuit diagram for the embodiment of 3 .

5 ein Kennlinienfeld für das Ausführungsbeispiel von 3, 5 a characteristic field for the embodiment of 3 .

6 eine schematische Schnittdarstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen IGBT-Anordnung, wobei der Hochvoltrand nicht gezeigt ist, 6 2 is a schematic sectional view of a further embodiment of the IGBT arrangement according to the invention, wherein the high-volume edge is not shown.

7 eine schematische Schnittdarstellung durch eine IGBT-Anordnung mit einem NPT-IGBT nach einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, 7 FIG. 2 is a schematic sectional view of an IGBT device including an NPT-IGBT according to a third embodiment of the present invention; FIG.

8a–8c die Entwicklung eines Ersatzschaltbildes für das dritte Ausführungsbeispiel von 7, 8a - 8c the development of an equivalent circuit diagram for the third embodiment of 7 .

9a den Kennlinienverlauf bei einem herkömmlichen Thyristor, 9a the characteristic curve in a conventional thyristor,

9b den Kennlinienverlauf des Reverse-Thyristors bei der erfindungsgemäßen IGBT-Anordnung, 9b the characteristic curve of the reverse thyristor in the IGBT arrangement according to the invention,

10 eine schematische Schnittdarstellung eines vierten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen IGBT-Anordnung, 10 FIG. 2 a schematic sectional representation of a fourth exemplary embodiment of the IGBT arrangement according to the invention, FIG.

11a den Kennlinienverlauf bei einem Hahnfet-Verhalten, und 11a the characteristic curve in a Hahnfet behavior, and

11b den Kennlinienverlauf bei dem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung nach 7. 11b the characteristic curve in the third embodiment of the invention according to 7 ,

Die 1 und 2 sind bereits eingangs näher erläutert worden. In den Figuren werden für einander entsprechende Bauteile jeweils die gleichen Bezugszeichen verwendet.The 1 and 2 have already been explained in detail at the beginning. In the figures, the same reference numerals are used for corresponding components.

In dem ersten Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen IGBT-Anordnung mit einem IGBT 2 und einem Reverse-Thyristor 3 ist der Rand als p-leitende Anodenzone 4 gestaltet. Diese Anodenzone 4 bildet einen Ring um die IGBT-Anordnung. In einem Teil dieser Anodenzone 4 ist eine n+-leitende Zone 16 eingebracht, die zusammen mit der Anodenzone 4, einem n-leitenden Feldstoppring 5, der die Anodenzone 4 umgibt, der n–-leitenden Basiszone 6 und p-leitenden Basiszonen 17 des IGBTs 2 den Reverse-Thyristor 3 bildet. Das Ersatzschaltbild dieses Reverse-Thyristors 3 ist in der linken Hälfte von 3 in Strichlinien gezeigt.In the first embodiment of the IGBT device according to the invention with an IGBT 2 and a reverse thyristor 3 is the edge as p-type anode region 4 designed. This anode zone 4 forms a ring around the IGBT arrangement. In a part of this anode zone 4 is an n + -type zone 16 introduced, which together with the anode zone 4 , an n-type field stop ring 5 that the anode zone 4 surrounds the n - type base zone 6 and p-type base zones 17 of the IGBT 2 the reverse thyristor 3 forms. The equivalent circuit of this reverse thyristor 3 is in the left half of 3 shown in dashed lines.

In die Basiszonen 17 des IGBTs 2 sind n+-leitende Sourcezonen 13 des IGBTs eingebettet. Oberhalb von den Basiszonen 17 befinden sich noch Gateelektroden G des IGBTs 2. Ein Ersatzschaltbild des IGBTs 2 ist in Strichlinien in dem rechten Teil von 3 eingetragen.In the base zones 17 of the IGBT 2 are n + -type source zones 13 embedded in the IGBT. Above the base zones 17 are still gate electrodes G of the IGBTs 2 , An equivalent circuit diagram of the IGBT 2 is in dashed lines in the right part of 3 entered.

Zwischen den Zonen 4 und 5 ist eine Zenerdiode Z1 gebildet. Diese Zenerdiode Z1 bestimmt den Reverse-Stromeinsatzpunkt der IGBT-Anordnung.Between the zones 4 and 5 is a Zener diode Z1 formed. This zener diode Z1 determines the reverse current application point of the IGBT device.

Es sei bereits an dieser Stelle angemerkt, dass hier und im Folgenden anstelle von Silizium auch ein anderes geeignetes Halbleitermaterial für den Halbleiterkörper 1 gewählt werden kann, wie beispielsweise Siliziumcarbid, Verbindungshalbleiter usw. Auch können die jeweils angegebenen Leitungstypen gegebenenfalls umgekehrt werden.It should already be noted at this point that here and below instead of silicon, another suitable semiconductor material for the semiconductor body 1 can be selected, such as silicon carbide, compound semiconductors, etc. Also, the respective specified line types may optionally be reversed.

Die IGBT-Anordnung von 3 befindet sich in vorteilhafter Weise auf einer Wärmesenke 8, für die beispielsweise ein Metall verwendet werden kann.The IGBT arrangement of 3 is located advantageously on a heat sink 8th for which, for example, a metal can be used.

Die effektive Lebensdauer der Ladungsträger in der n–-leitenden Basiszone 6, also im Halbleiterkörper 1, kann durch die Dicke der diesen Halbleiterkörper bildenden Siliziumscheibe durch Dünnschleifen sowie durch Präparation der Rückseite 24 mittels eines Metalles oder eines Schottky-Überganges beliebig verändert oder eingestellt werden. Ebenso lässt sich die Zenerspannung der Zenerdiode Z1 beispielsweise durch die Dotierungskonzentration im Feldstoppring 5 einstellen. Eine kleinere Dotierungskonzentration im Feldstoppring 5 führt so zu einer niedrigeren Zenerspannung der Zenerdiode Z1.The effective lifetime of the charge carriers in the n - -type base zone 6 , ie in the semiconductor body 1 , Can through the thickness of this semiconductor body forming silicon wafer by thin grinding and by preparation of the back 24 be changed or adjusted as desired by means of a metal or a Schottky junction. Likewise, the zener voltage of the Zener diode Z1 can be determined, for example, by the doping concentration in the field stop ring 5 to adjust. A smaller doping concentration in the field stop ring 5 thus leads to a lower Zener voltage of the Zener diode Z1.

Der Widerstand R1 zwischen der Anodenzone 4 und der n-leitenden Zone 16 bzw. der Anodenelektrode A kann beispielsweise durch einen entsprechend dotierten p-leitenden Streifen im Halbleiterkörper realisiert werden. Dieser Widerstand R1 ist der Zenerdiode Z1 vorgeschaltet.The resistor R1 between the anode zone 4 and the n-type zone 16 or the anode electrode A can be realized for example by a correspondingly doped p-type strip in the semiconductor body. This resistor R1 is connected upstream of the Zener diode Z1.

4 zeigt ein Ersatzschaltbild für die IGBT-Anordnung nach 3. Es ist hier deutlich zu sehen, wie der Reverse-Thyristor 3 mit der Zenerdiode Z1 parallel zu der Drain-Source-Strecke des IGBTs 2 geschaltet ist. 4 shows an equivalent circuit diagram for the IGBT arrangement 3 , It is clearly visible here, as the reverse thyristor 3 with the zener diode Z1 in parallel with the drain-source path of the IGBT 2 is switched.

5 zeigt ein Kennlinienfeld, in welchem der Drainstrom ID in Abhängigkeit von der Spannung U für verschiedene Werte von der Gate-Source-Spannung UGS aufgetragen ist. Der Einfluss der Zenerspannung UZ der Zenerdiode Z1 ist ebenfalls angegeben: bis zum Erreichen der Zenerspannung UZ bleibt der Drainstrom ID mit abnehmender Spannung U auf Null, um dann – nach Erreichen der Zenerspannung UZ auf die Kennlinie zurückzukommen. 5 shows a characteristic field in which the drain current I D is plotted as a function of the voltage U for different values of the gate-source voltage U GS . The influence of the zener voltage U Z of the zener diode Z1 is also indicated: until the zener voltage U Z is reached , the drain current I D remains at zero as the voltage U decreases, in order to return to the characteristic curve after reaching the zener voltage U Z.

6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen IGBT-Anordnung. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist der Hochvoltrand weggelassen. Er kann gegebenenfalls aber auch vorgesehen werden. 6 shows a further embodiment of the IGBT arrangement according to the invention. In this embodiment, the high-volume edge is omitted. However, it may also be provided for.

Das Ausführungsbeispiel von 6 unterscheidet sich vom Ausführungsbeispiel von 3 im Wesentlichen dadurch, dass eine Zenerdiode Z2 im Bereich der Anodenzone 4 vorgesehen ist. Diese Zenerdiode Z2 kann beispielsweise aus einer hochdotierten p+-leitenden Zone 18 und einer ebenfalls hochdotierten n+-leitenden Zone 19 in der Oberfläche des Halbleiterkörpers 1 bzw. der n–-leitenden Basiszone 6 bestehen. Dabei ist die Zone 18 mit der Anodenzone 4 verbunden, während die Zone 19 an die Zone 6 angeschlossen ist.The embodiment of 6 differs from the embodiment of 3 essentially in that a Zener diode Z2 in the region of the anode zone 4 is provided. This Zener diode Z2 can, for example, a highly doped p + -type zone 18 and a likewise heavily doped n + -type zone 19 in the surface of the semiconductor body 1 or the n - -conducting base Zone 6 consist. Here is the zone 18 with the anode zone 4 connected while the zone 19 to the zone 6 connected.

Ein drittes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen IGBT-Anordnung ist in 7 gezeigt. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird der IGBT 2 durch einen NPT-IGBT mit einer n+-leitenden Sourcezone 13, einer p-leitenden Zone 17, einer n-leitenden Zone des Halbleiterkörpers 1, eine p-leitende Zone 26 und eine n+-leitende Drainzone 27 auf der Rückseite des Halbleiterkörpers 1 gebildet. Diese Rückseite ist mit einer Drainelektrode D aus einem geeigneten Metall versehen. Ebenfalls liegt auch hier eine präparierte Oberfläche 24 (vergleiche oben) vor.A third embodiment of the IGBT arrangement according to the invention is shown in FIG 7 shown. In this embodiment, the IGBT 2 through an NPT IGBT with an n + -type source zone 13 , a p-type zone 17 , an n-type region of the semiconductor body 1 , a p-type zone 26 and an n + -type drain zone 27 on the back of the semiconductor body 1 educated. This backside is provided with a drain electrode D made of a suitable metal. Also here is a prepared surface 24 (compare above).

Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel ist ein Reverse-Thyristor 3 im rechten Teil von 7 in verpolter Richtung vorgesehen. Dieser Reverse-Thyristor 3 zündet "über Kopf" bereits bei kleiner Spannung und arbeitet so als Diode. Um die se "Überkopf-Zündung" des Reverse-Thyristors 3 zu gewährleisten, ist eine Zenerdiode Z3 mit einer p+-dotierten Zone 10 und einer n+-dotierten Zone 11 in den Halbleiterkörper 1 eingebaut. Das Ersatzschaltbild dieser Zenerdiode Z3 ist in Strichlinien ebenso wie das Ersatzschaltbild des NPT-IGBTs in 7 angegeben.In the present embodiment, a reverse thyristor 3 in the right part of 7 provided in reverse polarity. This reverse thyristor 3 ignites "overhead" already at low voltage and works as a diode. To the se "overhead ignition" of the reverse thyristor 3 to ensure is a Zener diode Z3 with a p + -doped zone 10 and an n + doped zone 11 in the semiconductor body 1 built-in. The equivalent circuit of this zener diode Z3 is in dashed lines as is the equivalent circuit of the NPT IGBT in FIG 7 specified.

Zwischen der p-leitenden Zone 17 und der n+-leitenden Zone 27 kann noch ein n-dotiertes Gebiet 28 vorgesehen sein, das eine höhere Dotierungskonzentration als der Halbleiterkörper 1 hat.Between the p-type zone 17 and the n + -type zone 27 may still be an n-doped area 28 be provided, which has a higher doping concentration than the semiconductor body 1 Has.

Auch beim Ausführungsbeispiel von 7 kann ein Widerstand R1 zwischen der Drainzone 27 (entsprechend der Zone 16 bei den Ausführungsbeispielen der 3 und 6) und der p-leitenden Zone 26 (entsprechend der Zone 4 bei den Ausführungsbeispielen der 3 und 6) vorhanden sein.Also in the embodiment of 7 can be a resistor R1 between the drain zone 27 (according to the zone 16 in the embodiments of the 3 and 6 ) and the p-type zone 26 (according to the zone 4 in the embodiments of the 3 and 6 ) to be available.

Die Zonen 10, 11 können durch Ionenimplantation in den Halbleiterkörper 1 eingebracht werden. Die Zone 10 steht dabei mit der Zone 26 in Verbindung, während die Zone 11 an das Gebiet 28 angeschlossen ist.The zones 10 . 11 can be by ion implantation in the semiconductor body 1 be introduced. The zone 10 stands with the zone 26 in contact while the zone 11 to the area 28 connected.

Die 8a bis 8c erläutern, wie das Ersatzschaltbild für das Ausführungsbeispiel von 7 entsteht: zunächst zeigt 8a den IGBT mit der Sourceelektrode S, der Drainelektrode D und der Gateelektrode G, während in 8b noch zusätzlich die NPT-Struktur berücksichtigt ist und 8c das komplette Ersatzschaltbild mit der Zenerdiode Z3 und dem Widerstand R1 zeigt.The 8a to 8c explain how the equivalent circuit diagram for the embodiment of 7 arises: first shows 8a the IGBT with the source electrode S, the drain electrode D and the gate electrode G, while in 8b additionally, the NPT structure is taken into account and 8c shows the complete equivalent circuit diagram with Zener diode Z3 and resistor R1.

In 9a ist die Kennlinie für einen gewöhnlichen Thyristor dargestellt. 9b zeigt im Unterschied hierzu die Kennli nie für den Reverse-Thyristor 3 bei der vorliegenden Erfindung. Hier steigt der Strom ID bereits bei der Zenerspannung UZ der Zenerdiode Z3 (und nicht erst bei einer höheren Spannung, wie bei dem gewöhnlichen Thyristor) an, um sodann nach einem Absinken der Spannung wieder in den üblichen Verlauf in Flussrichtung überzugehen.In 9a the characteristic curve for an ordinary thyristor is shown. 9b shows in contrast to the Kennli never for the reverse thyristor 3 in the present invention. Here, the current I D already increases at the zener voltage U Z of the Zener diode Z3 (and not only at a higher voltage, as in the ordinary thyristor), and then, after a decrease in the voltage, returns to the usual course in the flow direction.

Ein viertes bzw. letztes Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in 10 gezeigt. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist in der präparierten Rückseite 24 entsprechend der n+-leitenden Schicht 27 des Ausführungsbeispiels von 7 eine n+-leitende Zone 12 eingebracht. Oberhalb von dieser Zone 12 befinden sich im Halbleiterkörper eine p+-leitende Zone 14 und eine n+-leitende Zone 15 im Abstand voneinander. Die präparierte Rückseite 24 kann beispielsweise eine durch Ionenimplantation dotierte Schicht oder sonstige Metallschicht sein, wobei gegebenenfalls ein Schottkykontakt zum Halbleiterkörper gebildet wird. Für die Drainelektrode D kann eine Lotschicht 29 verwendet werden.A fourth or last embodiment of the invention is in 10 shown. In this embodiment is in the prepared back 24 according to the n + -conducting layer 27 of the embodiment of 7 an n + -type zone 12 brought in. Above this zone 12 are located in the semiconductor body a p + -type zone 14 and an n + -type zone 15 at a distance from each other. The prepared back 24 For example, it may be a layer doped by ion implantation or another metal layer, where appropriate, a Schottky contact is formed to the semiconductor body. For the drain electrode D, a solder layer 29 be used.

Die Einbringung der Zonen 12, 14 und 15 kann durch Ionenimplantation vorgenommen werden, nachdem der NPT-IGBT 2 bis zu seiner Metallisierung fertig gestellt ist. Gleiches gilt für die Zonen 10 und 11 des vorangehenden Ausführungsbeispiels der 7. Für diese Ionenimplantationen kann eine geeignete Maskierung gewählt werden. Sie erfolgen vorzugsweise von der Rückseite des Halbleiterkörpers aus.The introduction of the zones 12 . 14 and 15 can be done by ion implantation after the NPT-IGBT 2 is completed until its metallization. The same applies to the zones 10 and 11 of the preceding embodiment of 7 , For these ion implantations, a suitable masking can be selected. They preferably take place from the rear side of the semiconductor body.

Nach Ausheilung der Ionenimplantationen wird sodann die Vorderseite metallisiert, und der NPT-IGBT wird schließlich in üblicher Weise fertig gestellt.To Healing of ion implantations is then metallized the front, and the NPT IGBT finally becomes in usual Way finished.

Die Funktion der Zenerdiode Z3 des Ausführungsbeispiels von 7 übernimmt beim Ausführungsbeispiel von 10 der "Punch-Through" durch die p+-leitende Zone 14 für eine kleine "Überkopf-Zündung" des Reverse-Thyristors 3 in Reverse-Richtung. Die Dotierung in der Zone 14 sollte dabei so eingestellt sein, dass sie eine Dosis aufweist, welche unterhalb 1012 cm–2 liegt. Ein geeigneter Dotierstoff für die Zone 14 ist Bor.The function of the Zener diode Z3 of the embodiment of 7 takes over in the embodiment of 10 the punch-through through the p + -type zone 14 for a small "overhead ignition" of the reverse thyristor 3 in reverse direction. The doping in the zone 14 should be adjusted to have a dose below 10 12 cm -2 . A suitable dopant for the zone 14 is boron.

Bei den Ausführungsbeispielen der 7 und 10 kann noch eine Feldstoppschicht 29' vor der präparierten Rückseite 24 im Halbleiterkörper 1 vorgesehen werden.In the embodiments of the 7 and 10 can still have a field stop layer 29 ' in front of the prepared back 24 in the semiconductor body 1 be provided.

In 11a ist schließlich die Abhängigkeit des Drainstroms ID in Abhängigkeit von der Spannung U für verschiedene Werte von der Gate-Source-Spannung UGS bei einem herkömmlichen IGBT mit einem Rückseiten-Kurzschluss gezeigt. Die "Hahnfet"-Struktur dieser Kennlinie mit der deutlichen Einkerbung kann vermieden werden, indem die Anomalie (Einkerbung) auf die Diodenseite (-U) übertragen wird. Es liegt so eine wesentlich günstigere Kennlinie mit schwächer ausgeprägter Anomalie vor.In 11a Finally, the dependence of the drain current I D is shown as a function of the voltage U for different values of the gate-source voltage U GS in a conventional IGBT with a backside short circuit. The "Hahnfet" structure of this characteristic with the significant notch can be avoided by the anomaly (notch) on the diode side (-U) via will wear. There is thus a much more favorable characteristic curve with a weaker anomaly.

Claims (16)

IGBT-Anordnung mit Reverse-Diodenfunktion, umfassend einen Halbleiterkörper (1) des einen Leitungstyps, in den ein IGBT (2) mit einer Sourcezone (13) des einen Leitungstyps und ein Thyristor (3) mit der Reverse-Diodenfunktion integriert und beide in Lateralstruktur vorgesehen sind, wobei ein Randbereich der IGBT-Anordnung als Anodenzone (4) gestaltet ist, von der ein Teil den Thyristor mit der Reverse-Diodenfunktion bildet und die von einem Feld-Stopp-Ring (5) umgeben ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Anodenzone (4) in den Feld-Stopp-Ring (5) eingebettet ist.IGBT arrangement with reverse diode function, comprising a semiconductor body ( 1 ) of the one conductivity type into which an IGBT ( 2 ) with a source zone ( 13 ) of the one conductivity type and a thyristor ( 3 ) are integrated with the reverse diode function and both are provided in lateral structure, wherein an edge region of the IGBT arrangement as an anode zone ( 4 ) of which a part forms the thyristor with the reverse diode function and that of a field stop ring ( 5 ), characterized in that the anode zone ( 4 ) in the field stop ring ( 5 ) is embedded. IGBT-Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Feld-Stopp-Ring (5) und die Anodenzone (4) eine Zener-Diode (Z1) bilden.IGBT arrangement according to claim 1, characterized in that the field stop ring ( 5 ) and the anode zone ( 4 ) form a zener diode (Z1). IGBT-Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Zener-Diode (Z1) den Reverse-Stromeinsatzpunkt der IGBT-Anordnung bestimmt.IGBT arrangement according to claim 2, characterized in that the Zener diode (Z1) is the reverse current application point of the IGBT arrangement certainly. IGBT-Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die effektive Lebensdauer der Ladungsträger in einer schwach-dotierten Basiszone des einen Leitungstyps durch Dünnschleifen und/oder Preparation der Rückseite des Halbleiterkörpers (1) veränderbar ist.IGBT arrangement according to one of claims 1 to 3, characterized in that the effective life of the charge carriers in a weakly doped base region of the one conductivity type by thin grinding and / or preparation of the back side of the semiconductor body ( 1 ) is changeable. IGBT-Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Preparation der Rückseite des Halbleiterkörpers (1) durch Auftragen eines Metallfilmes oder eines Schottky-Überganges vorgenommen wird.IGBT arrangement according to claim 4, characterized in that the preparation of the rear side of the semiconductor body ( 1 ) is carried out by applying a metal film or a Schottky junction. IGBT-Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Zenerspannung der Zener-Diode (Z1) durch Verringerung der Dotierungskonzentration im Feld-Stopp-Ring (5) reduzierbar ist.IGBT arrangement according to claim 2, characterized in that the zener voltage of the Zener diode (Z1) by reducing the doping concentration in the field stop ring ( 5 ) is reducible. IGBT-Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Rückseite des Halbleiterkörpers (1) über eine Isolatorschicht (7) auf eine Wärmesenke (8) aufgetragen ist.IGBT arrangement according to one of claims 1 to 6, characterized in that the rear side of the semiconductor body ( 1 ) via an insulator layer ( 7 ) on a heat sink ( 8th ) is applied. IGBT-Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Sourcezone (13) aus einer Vielzahl von Zellen besteht.IGBT arrangement according to one of Claims 1 to 7, characterized in that the source zone ( 13 ) consists of a plurality of cells. IGBT-Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, gekennzeichnet durch Feldplatten (9), die oberhalb der Hauptoberfläche des Halbleiterkörpers (1) vorgesehen sind.IGBT arrangement according to one of Claims 1 to 8, characterized by field plates ( 9 ), which above the main surface of the semiconductor body ( 1 ) are provided. IGBT-Anordnung mit Reverse-Diodenfunktion, umfassend einen Halbleiterkörper (1) des einen Leitungstyps, in den ein IGBT (2) mit einer Sourcezone (13) des einen Leitungstyps und ein Thyristor (3) mit der Reverse-Diodenfunktion integriert und beide in Lateralstruktur vorgesehen sind, wobei ein Randbereich der IGBT-Anordnung als Anodenzone (4) gestaltet ist, von der ein Teil den Thyristor mit der Reverse- Diodenfunktion bildet und die von einem Feld-Stopp-Ring (5) umgeben ist, dadurch gekennzeichnet, dass im Bereich der Anodenzone (4) des Thyristors in die Oberfläche des Halbleiterkörpers (1) zwei hochdotierte Zonen (18, 19) mit zueinander entgegengesetztem Leitungstyp eine Zener-Diode (Z2) bilden, wobei die eine der beiden Zonen (18) mit der Anodenzone (4) verbunden ist.IGBT arrangement with reverse diode function, comprising a semiconductor body ( 1 ) of the one conductivity type into which an IGBT ( 2 ) with a source zone ( 13 ) of the one conductivity type and a thyristor ( 3 ) are integrated with the reverse diode function and both are provided in lateral structure, wherein an edge region of the IGBT arrangement as an anode zone ( 4 ) of which a part forms the thyristor with the reverse diode function and that of a field-stop ring ( 5 ), characterized in that in the region of the anode zone ( 4 ) of the thyristor into the surface of the semiconductor body ( 1 ) two highly doped zones ( 18 . 19 ) form a Zener diode (Z2) with mutually opposite conductivity type, one of the two zones ( 18 ) with the anode zone ( 4 ) connected is. IGBT-Anordnung mit Reverse-Diodenfunktion, umfassend einen Halbleiterkörper (1) des einen Leitungstyps, in den ein IGBT (2) mit einer Sourcezone (13) des einen Leitungstyps, mit einer ersten Zone (17) des anderen, zum einen Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps, mit einer zweiten Zone (24) des anderen Leitungstyps und mit einer Drainzone (27) des einen Leitungstyps, wobei die zweite Zone (24) und die Drainzone (27) sich auf der Rückseite des Halbleiterkörpers (1) befinden, und ein in verpolter Richtung vorgesehener Thyristor (3) mit der Reverse-Diodenfunktion integriert sind, dadurch gekennzeichnet, dass in den Halbleiterkörper (1) angrenzend an den Thyristor (3) eine erste hochdotierte Zone (10) des anderen, zum einen Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps und eine zweite hochdotierte Zone (11) des einen Leitungstyps eingebaut sind, die eine Zener-Diode (Z3) bilden, welche die Basisspannung des Thyristors aufzieht, um dessen Zündung zu gewährleisten.IGBT arrangement with reverse diode function, comprising a semiconductor body ( 1 ) of the one conductivity type into which an IGBT ( 2 ) with a source zone ( 13 ) of the one conductivity type, with a first zone ( 17 ) of the other, of a conductivity type opposite conductivity type, with a second zone ( 24 ) of the other conductivity type and with a drain zone ( 27 ) of the one conductivity type, the second zone ( 24 ) and the drain zone ( 27 ) on the back of the semiconductor body ( 1 ), and a thyristor provided in reverse polarity (US Pat. 3 ) are integrated with the reverse diode function, characterized in that in the semiconductor body ( 1 ) adjacent to the thyristor ( 3 ) a first heavily doped zone ( 10 ) of the other, of a conductivity type opposite conductivity type and a second highly doped zone ( 11 ) of the one conductivity type are built, which form a Zener diode (Z3), which raises the base voltage of the thyristor to ensure its ignition. IGBT-Anordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die erste hochdotierte Zone (10) mit einer Basiszone (26) des anderen Leitungstyps des Thyristors verbunden ist.IGBT arrangement according to claim 11, characterized in that the first heavily doped zone ( 10 ) with a base zone ( 26 ) of the other type of conduction of the thyristor is connected. IGBT-Anordnung nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Drainzone (27) des einen Leitungstyps und der ersten Zone (17) des anderen Leitungstyps ein weiteres Gebiet (28) des einen Leitungstyps vorgesehen ist und die zweite hochdotierte Zone (11) mit dem weiteren Gebiet (28) des einen Leitungstyp verbunden ist.IGBT arrangement according to claim 11 or 12, characterized in that between the drain zone ( 27 ) of the one conductivity type and the first zone ( 17 ) of the other type of line ( 28 ) of the one conductivity type is provided and the second highly doped zone ( 11 ) with the wider area ( 28 ) of the one conductivity type is connected. IGBT-Anordnung mit Reverse-Diodenfunktion, umfassend einen Halbleiterkörper (1) des einen Leitungstyps, in den ein IGBT (2) mit einer Sourcezone (13) des einen Leitungstyps, mit einer ersten Zone (17) des anderen, zum einen Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps, mit einer zweiten Zone (24) des anderen Leitungstyps und mit einer weiteren Zone (12) des einen Leitungstyps, wobei die zweite Zone (24) und die weitere Zone (12) sich auf der Rückseite des Halbleiterkörpers (1) befinden, und ein in verpolter Richtung vorgesehener Thyristor mit der Reverse-Diodenfunktion integriert sind, dadurch gekennzeichnet, dass ausgehend von der Rückseite des Halbleiterkörpers (1) im Abstand voneinander und übereinander die hochdotierte Zone (12) des einen Leitungstyps, eine hochdotierte Zone (14) des anderen Leitungstyp und eine weitere hochdotierte Zone (15) des einen Leitungstyps vorgesehen sind.IGBT arrangement with reverse diode function, comprising a semiconductor body ( 1 ) of the one conductivity type into which an IGBT ( 2 ) with a source zone ( 13 ) of the one conductivity type, with a first zone ( 17 ) of the other, of a conductivity type opposite conductivity type, with a second zone ( 24 ) of the other type of line and with another zone ( 12 ) of the one conductivity type, the second zone ( 24 ) and the further zone ( 12 ) on the back of the semiconductor body ( 1 ), and a in reverse polarity provided thyristor are integrated with the reverse diode function, characterized in that starting from the back of the semiconductor body ( 1 ) at a distance from each other and one above the other the highly doped zone ( 12 ) of one conductivity type, a highly doped zone ( 14 ) of the other conductivity type and another highly doped zone ( 15 ) of the one conductivity type are provided. IGBT-Anordnung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die hochdotierte Zone (14) des anderen Leitungstyps mit Bor dotiert ist.IGBT arrangement according to claim 14, characterized in that the highly doped zone ( 14 ) of the other conductivity type is doped with boron. IGBT-Anordnung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Dotierungskonzentration der hochdotierten Zone (14) des anderen Leitungstyps mit einer Dosis eingebracht ist, die niedriger als 1012 Borionen cm–2 ist.IGBT arrangement according to claim 15, characterized in that the doping concentration of the heavily doped zone ( 14 ) of the other type of conductivity is introduced at a dose lower than 10 12 boron cm -2 .
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Title
Mondal, K., "An Intergrated 500V Power DMOSFET/ Antiperallel Rectifier Device With Improved Diode Reverse Recovery Characterics, IEEE Electronic Device Letters, Bd.23, Nr.9 September 2002, S. 562-564
Mondal, K., "An Intergrated 500V Power DMOSFET/ Antiperallel Rectifier Device With Improved Diode Reverse Recovery Characterics, IEEE Electronic Device Letters, Bd.23, Nr.9 September 2002, S. 562-564 *

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DE10314604A1 (en) 2004-11-04

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