DE10314104A1 - Catadioptric projection lens for semiconductor photolithography, has device for absorbing stray light passing through beam splitter, comprising absorbing medium such as eloxal - Google Patents

Catadioptric projection lens for semiconductor photolithography, has device for absorbing stray light passing through beam splitter, comprising absorbing medium such as eloxal Download PDF

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Abstract

An absorption device (13a) is arranged between a beam splitter and holder, for absorbing the stray light passing through the beam splitter. The absorption device includes a carrier part (15) provided with an absorbing medium (16), such as a layer of eloxal.

Description

Die Erfindung betrifft ein katadioptrisches Objektiv, insbesondere Projektionsobjektiv für die Halbleiter-Lithographie.The The invention relates to a catadioptric lens, in particular a projection lens for semiconductor lithography.

Ein derartiges Objektiv ist in der DE 101 18 048 A1 beschrieben.Such a lens is in the DE 101 18 048 A1 described.

Bei einem Objektiv dieser Art mit einem Polarisationsstrahlteiler soll in der Theorie kein Falschlicht erzeugt werden. Aus der eingangs erwähnten Schrift ist bekannt, einfallendes s-polarisiertes Licht in dem Strahlengang des Objektives auf einen Strahlteiler zu richten. Dabei wird das s-polarisierte Licht zu 100 % reflektiert, anschließend mit einer λ/4-Platte gedreht und dann an einen Spiegel reflektiert. Das an dem Spiegel reflektierte Licht trifft erneut auf den Strahlteiler und geht dann als p-polarisiertes Licht in Transmission durch den Strahlteiler in Richtung auf das zu belichtende Abbild, z.B. einem Wafer, hindurch. In der Praxis ist jedoch das durch den Strahlteiler hindurchtretende Licht nicht perfekt p-polarisiert, da alle optischen Elemente im Objektiv Spannungsdoppelbrechung aufweisen. Darüber hinaus hat ein Strahlteiler in der Praxis im allgemeinen nur ein Reflexionsvermögen von ca. 80 % für das einfallende Licht. Das nicht reflektierte Licht geht somit durch den Strahlteiler hindurch, trifft auf die dahinter liegende Fassung und wird dann im Objektiv hin- und herreflektiert bis es anschließend als störendes Streulicht auf das zu belichtende Objekt, z.B. dem Wafer, trifft. Zur Lösung dieser Problematik wird in der DE 101 18 048 A1 für den Teil des einfallenden Lichtes, der am Strahlteiler nicht reflektiert wird, sondern durch diesen hindurchtritt, eine Absorptionseinrichtung aus Glassubstrat mit einer Antireflexbeschichtung geschaffen, durch die verhindert wird, dass sich Streulicht durch an der Fassung reflektiertes Licht bildet. Allerdings werden Rückreflexionen nicht vollständig vermieden.With a lens of this type with a polarization beam splitter, in theory no false light should be generated. From the document mentioned at the outset it is known to direct incident s-polarized light in the beam path of the objective onto a beam splitter. The s-polarized light is 100% reflected, then rotated with a λ / 4 plate and then reflected on a mirror. The light reflected on the mirror hits the beam splitter again and then passes as p-polarized light in transmission through the beam splitter in the direction of the image to be exposed, for example a wafer. In practice, however, the light passing through the beam splitter is not perfectly p-polarized, since all optical elements in the lens have voltage birefringence. In addition, in practice a beam splitter generally only has a reflectivity of approximately 80% for the incident light. The non-reflected light thus passes through the beam splitter, strikes the frame behind it and is then reflected back and forth in the lens until it then strikes the object to be exposed, for example the wafer, as disturbing stray light. To solve this problem is in the DE 101 18 048 A1 For the part of the incident light that is not reflected on the beam splitter but passes through it, an absorption device made of glass substrate with an anti-reflective coating is created, which prevents stray light from being formed by light reflected on the holder. However, back reflections are not completely avoided.

Es erfolgt lediglich eine zufriedenstellende Wärmeableitung in der Absorptionseinrichtung.It there is only a satisfactory heat dissipation in the absorption device.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde ein Objektiv der eingangs erwähnten Art zu schaffen, das die Nachteile des Standes der Technik löst, insbesondere die Streulichtabsorption und die notwendige Wärmeableitung verbessert.The The present invention has for its object a lens mentioned at the beginning To provide a way that solves the disadvantages of the prior art, in particular the stray light absorption and the necessary heat dissipation improved.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, dass die Absorptionseinrichtung ein Trägerelement aufweist, das mit einem Absorptionsmittel versehen ist.According to the invention Task solved by that the absorption device has a carrier element which with is provided with an absorbent.

Durch diese Maßnahme wird in einfacher und vorteilhafter Weise ein Absorptionsmittel mit einem wärmeableitenden Träger kombiniert.By This measure becomes an absorbent in a simple and advantageous manner with a heat dissipating carrier combined.

In einer konstruktiven Ausgestaltung der Erfindung kann ferner vorgesehen sein, dass das Trägerelement aus Aluminium gebildet ist und als Absorptionsmittel eine Schicht aus Eloxal vorgesehen ist.In A constructive embodiment of the invention can also be provided be that the support member is made of aluminum and a layer as an absorbent made of anodized.

Dadurch kann eine Absorption des Falschlichtes bei gleichzeitig guter Wärmeableitung erreicht werden.Thereby can achieve an absorption of the false light with good heat dissipation become.

Erfindungsgemäß kann ferner vorgesehen sein, dass als Absorptionsmittel eine Schicht aus einem Substrat mit sehr geringer Transmission für die Wellenlänge des Lichtstrahls vorgesehen ist und dass das Substrat ein Glassubstrat ist.According to the invention can also be provided that a layer of a Substrate with very low transmission for the wavelength of the Light beam is provided and that the substrate is a glass substrate is.

Diese Maßnahmen ermöglichen extrem geringe Rückreflexionen.This activities enable extremely low back reflections.

Vorteilhaft ist, wenn das Trägerelement selbst als Absorptionsmittel eine Struktur aufweist, die derart ausgebildet ist, dass eine Restreflexion des Falschlichts wieder auf eine Fläche des Trägerelements trifft.Advantageous is when the carrier element itself has a structure as an absorbent which is formed in this way is that a residual reflection of the false light back onto a surface of the support element meets.

Durch diese Maßnahmen trifft die Restreflexion des Falschlich tes mehrfach wieder auf eine andere Fläche des Trägerelements, womit letztendlich ein sehr großer Teil des Falschlichtes in vorteilhafter Weise absorbiert wird. Als Struktur eignen sich nebeneinander angeordnete Gräben mit schrägen Wänden, Kugeln oder pyramidenförmige Spitzen.By these measures the residual reflection of the false light hits one again several times other area the carrier element, which is ultimately a very big one Part of the false light is absorbed in an advantageous manner. As Trenches arranged next to one another are suitable with structure sloping walls, balls or pyramid-shaped Sharpen.

In einer weiteren konstruktiven Ausgestaltung der Erfindung ist das Trägerelement aus einem lichtdurchlässigen Substrat gebildet, wobei das Substrat wenigstens einen Hohlraum aufweist, der von einer lichtabsorbierenden Flüssigkeit als Absorptionsmittel durchströmt ist. Das Falschlicht wird in den lichtdurchlässigen Glaskörper, der von der lichtabsorbierenden Flüssigkeit durchströmt wird, eingeleitet. Die bei der Absorption entstehende Wärme kann in vorteilhafter Weise sofort mit der Flüssigkeit abgeführt werden. Dabei entsteht eine sehr geringe Restreflexion und eine sehr gute Wärmeableitung.In Another constructive embodiment of the invention support element from a translucent Substrate formed, the substrate at least one cavity has that of a light absorbing liquid as an absorbent flows through is. The false light is in the translucent glass body, the from the light absorbing liquid flows through Is initiated. The heat generated during absorption can advantageously be immediately removed with the liquid. This creates a very low residual reflection and a very good one Heat dissipation.

Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen und aus den nachfolgend anhand der Zeichnung prinzipmäßig beschriebenen Ausführungsbeispielen.advantageous Refinements and developments of the invention result from the subclaims and from those described in principle below with reference to the drawing Embodiments.

Es zeigt:It shows:

1 ein katadioptrisches Projektionsobjektiv mit einer Absorptionseinrichtung; 1 a catadioptric projection lens with an absorption device;

2 eine erste Ausführungsform einer Absorptionseinrichtung; 2 a first embodiment of an absorption device;

3a eine zweite Ausführungsform einer Absorptionseinrichtung; 3a a second embodiment of an absorption device;

3b eine dritte Ausführungsform einer Absorptionseinrichtung; 3b a third embodiment of an absorption device;

4 eine vierte Ausführungsform einer Absorptionseinrich tung; und 4 a fourth embodiment of an Absorptionseinrich device; and

5 eine fünfte Ausführungsform einer Absorptionseinrichtung. 5 a fifth embodiment of an absorption device.

Die Erfindung wird nachfolgend beispielsweise für ein katadioptrisches Projektionsobjektiv für die Halbleiter-Lithographie erläutert. Da ein derartiges Objektiv allgemein bekannt ist (siehe z.B. DE 44 17 489 A1 ), werden nachfolgend nur die für die Erfindung wesentlichen Teile näher beschrieben.The invention is explained below, for example, for a catadioptric projection lens for semiconductor lithography. Since such a lens is generally known (see e.g. DE 44 17 489 A1 ), only the parts essential to the invention are described in more detail below.

In bekannter Weise weist das in 1 nur teilweise dargestellte Projektionsobjektiv mit einer Beleuchtungseinrichtung 100 mit z.B. einer (nicht dargestellten) Laserlichtquelle, mehrere Linsen 1, 2 und 3 auf, von denen nur beispielhaft drei in der Zeichnung dargestellt sind. Durch die Linse 1 einfallendes Licht ist s-polarisiert. Es trifft auf eine in einem als Strahlteilerwürfel 4 ausgebildeten Strahlteiler angeordnete diagonal verlaufende Strahlteilerfläche 5. Die Strahlteilerfläche 5 wird zuerst in Reflexion und dann in Transmission benutzt. Hierzu wird das einfallende s-polarisierte Licht zunächst gemäß Pfeilrichtung 6 reflektiert, durchtritt dabei eine λ/4-Platte 7 und wird anschließend an einem Spiegel 8 reflektiert. Nach einem erneuten Durchgang durch die λ/4-Platte 7 ist das Licht p-polarisiert und tritt gemäß Pfeile 9 in Transmission durch die Strahlteilerfläche 5 hindurch. Nach Durchtritt durch Linsen 2 und 3 trifft dann das p-polarisierte Licht auf einen zu belichtenden Wafer 10.In a known manner, in 1 only partially shown projection lens with an illumination device 100 with, for example, a laser light source (not shown), several lenses 1 . 2 and 3 on, of which only three are shown as examples in the drawing. Through the lens 1 incident light is s-polarized. It hits one in one as a beam splitter cube 4 trained beam splitter arranged diagonally extending beam splitter surface 5 , The beam splitter area 5 is used first in reflection and then in transmission. For this purpose, the incident s-polarized light is initially in the direction of the arrow 6 reflected, a λ / 4 plate passes through 7 and is then at a mirror 8th reflected. After another passage through the λ / 4 plate 7 the light is p-polarized and occurs according to the arrows 9 in transmission through the beam splitter surface 5 therethrough. After passing through lenses 2 and 3 the p-polarized light then strikes a wafer to be exposed 10 ,

Dieser Idealzustand wird jedoch in der Praxis nicht zu 100 erreicht. Vielmehr tritt ein Teil des einfallenden Lichtes durch die Strahlteilerfläche 5 hindurch (siehe gestrichelte Pfeile 11). Bei einem Auftreffen auf die Objektivfassung 12 (nur teilweise dargestellt) oder ein anderes Teil des Objektives würden die Lichtstrahlen zumindest teilweise reflektiert und dann nach mehrfachen Reflexionen als Streulicht auf den Wafer 10 treffen.In practice, however, this ideal state is not reached 100. Rather, part of the incident light passes through the beam splitter surface 5 through (see dashed arrows 11 ). When hitting the lens barrel 12 (only partially shown) or another part of the lens would reflect the light rays at least partially and then after multiple reflections as scattered light on the wafer 10 to meet.

Um dies nun zu verhindern, ist zwischen dem Strahlteilerwürfel 4 auf der dem einfallenden Lichtstrahl gegenüberliegenden Seite und der Objektivfassung 12 eine Absorptionseinrichtung 13a, 13b, 13c, 13d, 13e angeordnet. Die Absorptionseinrichtung 13a, 13b, 13c, 13d, 13e hat dabei eine räumliche Erstreckung, die mindestens in ihrer Größe der Erstreckung des Strahlteilerwürfels 4 auf der dem einfallenden Licht abgewandten Seite entspricht.To prevent this, there is between the beam splitter cube 4 on the side opposite the incident light beam and the lens mount 12 an absorption device 13a . 13b . 13c . 13d . 13e arranged. The absorption device 13a . 13b . 13c . 13d . 13e has a spatial extension that is at least as large as the extension of the beam splitter cube 4 on the side facing away from the incident light.

Damit die bei der Absorption entstehende Wärme abtransportiert werden kann, ist die Absorptionseinrichtung 13a, 13b, 13c, 13d, 13e direkt oder über einen wärmeleitenden Träger in Kontakt mit der Objektivfassung 12. Objektivfassungen in der Halbleiter-Lithographie sind im allgemeinen temperiert bzw. mit einer Kühleinrichtung versehen, so dass sich durch die Absorptionseinrichtung 13a, 13b, 13c, 13d, 13e keine negativen Auswirkungen auf die Abbildungsqualität ergeben.The absorption device is so that the heat generated during absorption can be removed 13a . 13b . 13c . 13d . 13e directly or via a heat-conducting carrier in contact with the lens mount 12 , Objective frames in semiconductor lithography are generally tempered or provided with a cooling device so that they pass through the absorption device 13a . 13b . 13c . 13d . 13e have no negative effects on the image quality.

Damit durch den Strahlteilerwürfel 4 selbst kein Streulicht entsteht, wird man die von dem einfallenden Licht abgewandte Fläche 14 des Strahlteilers 4 ebenfalls mit einer Antireflexbeschichtung versehen bzw. entsprechend entspiegeln.So through the beam splitter cube 4 Even if there is no scattered light, you become the surface facing away from the incident light 14 of the beam splitter 4 also provided with an anti-reflective coating or anti-reflective accordingly.

Ausführungsbeispiele für die Absorptionseinrichtung 13a, 13b, 13c, 13d, 13e sind in den 2 bis 5 dargestellt.Exemplary embodiments for the absorption device 13a . 13b . 13c . 13d . 13e are in the 2 to 5 shown.

Wie aus 2 ersichtlich, weist die Absorptionseinrichtung 13a ein Aluminiumsubstrat 15 als Trägerelement auf, worauf als Absorptionsmittel eine absorbierende Schicht 16 aus Eloxal aufgebracht ist, um das Falschlicht (als Pfeil 11 angedeutet) zu absorbieren.How out 2 can be seen, the absorption device 13a an aluminum substrate 15 as a carrier element, whereupon an absorbent layer as the absorbent 16 anodized is applied to the false light (as an arrow 11 indicated) to absorb.

In 3a ist als Trägerelement ein Glassubstrat 17a, das für die Wellenlänge des Lichtstrahls (in 3 als Pfeil 11 angedeutet) eine sehr geringe Transmission aufweist, mit einer Struktur 18a als Absorptionsmittel der Absorptionseinrichtung 13b versehen. Die Struktur 18a besteht aus nebeneinander ange ordneten pyramiden-/sägezahnartigen Spitzen. In vorteilhafter Weise wird das durch die Strahlteilerfläche 5 durchtretende Licht (Pfeil 11) an der Struktur 18a reflektiert, wobei die Restreflexion mehrmals wieder auf eine andere Fläche der Struktur 18a des absorbierenden Glassubstrats 17a trifft und somit letztendlich fast annähernd vollständig absorbiert wird. Bei der Verwendung eines weniger stark absorbierenden Substrats (wie etwa Aluminiumsubstrat 15) statt des Glassubstrats 17a könnte dieses zusätzlich mit einer absorbierenden Schicht 16 (in 3a gestrichelt angedeutet) versehen werden.In 3a is a glass substrate as a carrier element 17a , which for the wavelength of the light beam (in 3 as an arrow 11 indicated) has a very low transmission, with a structure 18a as an absorbent of the absorption device 13b Mistake. The structure 18a consists of pyramid / sawtooth-like tips arranged side by side. This is advantageously done by the beam splitter surface 5 light passing through (arrow 11 ) on the structure 18a reflected, the residual reflection repeatedly reflected on another surface of the structure 18a of the absorbent glass substrate 17a hits and is ultimately almost completely absorbed. When using a less absorbent substrate (such as aluminum substrate 15 ) instead of the glass substrate 17a could do this additionally with an absorbent layer 16 (in 3a indicated by dashed lines).

In 3b ist als Absorptionsmittel der Absorptionseinrichtung 13c eine Struktur 18b, die durch nebeneinander angeordnete, in ein Glassubstrat 17b eingebrachte kugelförmige Aussparungen gebildet ist, vorgesehen.In 3b is the absorbent of the absorption device 13c a structure 18b by juxtaposed, in a glass substrate 17b introduced spherical recesses is formed, provided.

In einem weiteren Ausführungsbeispiel wäre auch eine erhabene kugelförmige Strukturierung denkbar. Gegebenenfalls könnten als Struktur auch nebeneinander angeordnete Gräben mit schrägen Wänden zum Einsatz kommen.In another embodiment would be a raised spherical structure is also conceivable. If necessary, trenches with sloping walls arranged side by side could also be used as the structure.

Wie aus 4 ersichtlich, weist die Absorptionseinrichtung 13d als Absorptionsmittel ebenfalls Glassubstrat 17c auf, welches mit einer Antireflexschicht 19 versehen ist und an einen Keramikträger 20 angesprengt ist, so dass eine möglichst gute Wärmeableitung bei der Absorption vorhanden ist. Der Keramikträger 20 ist mit der Objektivfassung 12 verbunden (nicht näher dargestellt). Das Licht (in 4 als Pfeil 11 dargestellt) wird durch die Antireflexschicht 19 mit einer möglichst geringen Restreflexion in das Glassubstrat 17c eingeleitet. Das Glassubstrat 17c hat für die Wellenlänge des Lichtstrahls eine sehr geringe Transmission, so dass eine hohe Absorption stattfinden kann.How out 4 can be seen, the absorption device 13d also glass substrate as absorbent 17c on which with an anti-reflective layer 19 is provided and on a ceramic support 20 is blown so that there is the best possible heat dissipation during absorption. The ceramic support 20 is with the lens mount 12 connected (not shown in detail). The light (in 4 as an arrow 11 is shown) by the anti-reflective layer 19 with the least possible residual reflection in the glass substrate 17c initiated. The glass substrate 17c has a very low transmission for the wavelength of the light beam, so that a high absorption can take place.

In einer weiteren Ausführungsform kann selbstverständlich auch ein anderes wärmeleitendes Material (z.B. ein Metall) für den Träger verwendet werden.In a further embodiment can of course another thermally conductive material (e.g. a metal) for the carrier be used.

Das Glassubstrat 17a, 17b, 17c wird man in Abhängigkeit von der Wellenlänge des Lichtes wählen. So hat sich z.B. in der Praxis LLF-Glas (Schwarzglas, Hersteller Firma Schott, Mainz) für eine Wellenlänge von 193 nm und Quarz, insbesondere Homosil-Quarz, für eine Wellenlänge von 157 nm als vorteilhaft herausgestellt.The glass substrate 17a . 17b . 17c one will choose depending on the wavelength of the light. In practice, for example, LLF glass (black glass, manufactured by Schott, Mainz) for a wavelength of 193 nm and quartz, in particular Homosil quartz, for a wavelength of 157 nm have proven to be advantageous.

Wie aus 5 ersichtlich, weist die Absorptionseinrichtung 13e einen lichtdurchlässigen Glaskörper 21 auf. Das Licht wird durch die Antireflexschicht 19 und einer darunter befindlichen Glaskörperwand 22 eingeleitet. Der Glaskörper 21 wird von Wasser durchströmt, wozu er einen Hohlraum 23 aufweist. Vom Wasser wird das Licht absorbiert, gleichzeitig wird die dadurch entstehende Wärme mit dem Wasser abgeführt. Zur Durchströmung (in 5 durch die Pfeile 24 angedeutet) weist der Hohlraum 23 einen Zufluss 25 und einen Abfluss 26 auf.How out 5 can be seen, the absorption device 13e a translucent glass body 21 on. The light is through the anti-reflective layer 19 and a vitreous wall underneath 22 initiated. The vitreous 21 water flows through it, for which it has a cavity 23 having. The light is absorbed by the water, and at the same time the resulting heat is dissipated with the water. For flow (in 5 through the arrows 24 indicated) has the cavity 23 an inflow 25 and a drain 26 on.

Die Antireflexschicht 19 kann als Multilayerschicht aus den Materialien SiO2 und/oder Inconel (CrNi-Legierung) bestehen oder diese Bestandteile in Verbindung mit anderen Materialien aufweisen.The anti-reflective layer 19 may consist of the materials SiO 2 and / or Inconel (CrNi alloy) as a multilayer layer or may have these components in conjunction with other materials.

Claims (19)

Katadioptrisches Objektiv, insbesondere Projektionsobjektiv für die Halbleiter-Lithographie, mit einem von einer Fassung wenigstens teilweise umgebenen Strahlteiler, mit einem Spiegel, mit mehreren Linsen und mit einer zwischen dem Spiegel und dem Strahlteiler angeordneten λ/4-Platte wobei auf der Seite, auf der Falschlicht aus dem Strahlteiler austritt, zwischen dem Strahlteiler und der Fassung eine Absorptionseinrichtung angeordnet ist, die das durch den Strahlteiler durchgehende Falschlicht absorbiert, dadurch gekennzeichnet, dass die Absorptionseinrichtung (13a, 13b, 13c, 13d, 13e) ein Trägerelement (15, 17a, 17b, 20, 21) aufweist, das mit einem Absorptionsmittel versehen (16, 17c, 18a, 18b) ist.Catadioptric lens, in particular a projection lens for semiconductor lithography, with a beam splitter at least partially surrounded by a mount, with a mirror, with a plurality of lenses and with a λ / 4 plate arranged between the mirror and the beam splitter, being on the side on the False light emerges from the beam splitter, an absorption device is arranged between the beam splitter and the holder, which absorbs the false light passing through the beam splitter, characterized in that the absorption device ( 13a . 13b . 13c . 13d . 13e ) a support element ( 15 . 17a . 17b . 20 . 21 ) which is provided with an absorbent ( 16 . 17c . 18a . 18b ) is. Objektiv nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägerelement (15, 20) aus einem Material mit hoher Wärmeableitung gebildet ist.Objective according to claim 1, characterized in that the carrier element ( 15 . 20 ) is made of a material with high heat dissipation. Objektiv nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägerelement (20) aus Keramik gebildet ist.Objective according to claim 1 or 2, characterized in that the carrier element ( 20 ) is made of ceramic. Objektiv nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägerelement (15) aus Metall gebildet ist.Objective according to claim 1 or 2, characterized in that the carrier element ( 15 ) is made of metal. Objektiv nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Metall Aluminium ist.Lens according to claim 4, characterized in that the metal is aluminum. Objektiv nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass als Absorptionsmittel eine Schicht (16) aus Eloxal vorgesehen ist.Objective according to claim 5, characterized in that a layer ( 16 ) made of anodized. Objektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass als Absorptionsmittel (17c) und/oder als Trägerelement (17a, 17b) eine Schicht aus einem Substrat mit sehr geringer Transmission für die Wellenlänge des Lichtstrahls (11) vorgesehen ist.Objective according to one of Claims 1 to 5, characterized in that the absorption means ( 17c ) and / or as a carrier element ( 17a . 17b ) a layer of a substrate with very low transmission for the wavelength of the light beam ( 11 ) is provided. Objektiv nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat ein Glassubstrat (17a, 17b, 17c) ist.Lens according to claim 7, characterized in that the substrate is a glass substrate ( 17a . 17b . 17c ) is. Objektiv nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (17c) durch Ansprengen auf das Trägerelement (20) aufgebracht ist.Lens according to claim 7 or 8, characterized in that the substrate ( 17c ) by wringing on the carrier element ( 20 ) is applied. Objektiv nach einem der Ansprüche 7, 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass auf das Substrat (17c) eine Antireflexschicht (19) aufgebracht ist.Objective according to one of claims 7, 8 or 9, characterized in that on the substrate ( 17c ) an anti-reflective coating ( 19 ) is applied. Objektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 5, 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägerelement (17a, 17b) selbst als Absorptionsmittel eine Struktur (18a, 18b) aufweist, die derart ausgebildet ist, dass eine Restreflexion des Falschlichts (11) wieder auf eine Fläche des Trägerelements (17a, 17b) trifft.Objective according to one of claims 1 to 5, 7 or 8, characterized in that the carrier element ( 17a . 17b ) a structure itself as an absorbent ( 18a . 18b ), which is designed in such a way that a residual reflection of the false light ( 11 ) again on a surface of the carrier element ( 17a . 17b ) meets. Objektiv nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass unterhalb des Trägerelements (17a, 17b) ein wärmeableitendes Element angeordnet ist.Lens according to claim 11, characterized in that below the carrier element ( 17a . 17b ) a heat-dissipating element is arranged. Objektiv nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Struktur (18b) nebeneinander angeordnete kugelartige Elemente aufweist.Lens according to claim 11 or 12, characterized in that the structure ( 18b ) has side-by-side spherical elements. Objektiv nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Struktur (18a) nebeneinander angeordnete pyramidenförmige Spitzen aufweist.Lens according to claim 11 or 12, characterized in that the structure ( 18a ) has pyramid-shaped tips arranged side by side. Objektiv nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die pyramidenförmigen Spitzen schräg sägezahnartig angeordnet sind.Lens according to claim 14, characterized in that the pyramid-shaped Tips oblique sawtooth are arranged. Objektiv nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägerelement aus einem lichtdurchlässigen Substrat (21) gebildet ist, wobei das Substrat (21) wenigstens einen Hohlraum (23) aufweist, der von einer Licht absorbierenden Flüssigkeit als Absorptionsmittel durchströmt ist.Objective according to claim 1, characterized in that the carrier element consists of a transparent substrate ( 21 ) is formed, the substrate ( 21 ) at least one cavity ( 23 ), which is flowed through by a light absorbing liquid as an absorbent. Objektiv nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Hohlraum (23) einen Zufluss (25) und einen Abfluss (26) für die Flüssigkeit (20) aufweist.Lens according to claim 16, characterized in that the cavity ( 23 ) an inflow ( 25 ) and a drain ( 26 ) for the liquid ( 20 ) having. Objektiv nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Flüssigkeit Wasser ist.Lens according to claim 16 or 17, characterized in that that the liquid Is water. Objektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Absorptionseinrichtung (13a, 13b, 13c, 13d, 13e) auf der dem in den Strahlteiler (4) einfallenden Lichtstrahl gegenüberliegenden Seite und der Fassung (12) angeordnet ist.Objective according to one of claims 1 to 18, characterized in that the absorption device ( 13a . 13b . 13c . 13d . 13e ) on the in the beam splitter ( 4 ) incident light beam opposite side and the socket ( 12 ) is arranged.
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WO2013013723A1 (en) * 2011-07-28 2013-01-31 Jenoptik Optical Systems Gmbh Beam trap for attenuating radiation, in particular laser radiation, and method for attenuating radiation, in particular laser radiation
DE202014010404U1 (en) 2014-08-06 2015-06-30 Jenoptik Optical Systems Gmbh Radiation-guiding optical unit with radiation trap

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