DE10306314B3 - Production of conducting structure in substrate for producing semiconductor component comprises forming trench with side walls and base in the substrate, forming initial layer on the substrate, and further processing - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 13
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 2
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005246 galvanizing Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
- H01L21/76879—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material by selective deposition of conductive material in the vias, e.g. selective C.V.D. on semiconductor material, plating
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76829—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers
- H01L21/76831—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers in via holes or trenches, e.g. non-conductive sidewall liners
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76829—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers
- H01L21/76834—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers formation of thin insulating films on the sidewalls or on top of conductors
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
- H01L21/28562—Selective deposition
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung einer leitfähigen Struktur in einem Substrat, bei dem von einer Substratoberfläche her ein Graben mit zur Substratoberfläche vertikale und/oder geneigte Abschnitte aufweisenden Seitenwänden und einem einer Grabenöffnung in der Substratoberfläche gegenüberliegenden Grabenboden in das Substrat eingebracht wird, auf dem Substrat eine leitfähigen Initialschicht vorgesehen wird und die leitfähige Struktur durch Füllen des Grabens mittels elektrochemischer Abscheidung eines Füllmaterials auf der leitfähigen Initialschicht erzeugt wird.The The invention relates to a method for producing a conductive structure in a substrate where from a substrate surface a trench with vertical and / or inclined to the substrate surface Sections having side walls and a trench opening opposite in the substrate surface Trench soil is introduced into the substrate, a on the substrate conductive initial layer is provided and the conductive structure by filling the trench by means of electrochemical deposition of a filling material on the conductive Initial layer is generated.
In einem Halbleitersubstrat ausgebildete Halbleiterbauelemente weisen in der Regel mehrere Verdrahtungsebenen zur Verbindung funktionaler Strukturen auf. Die Verdrahtungsebenen sind untereinander und/oder mit leitfähigen Halbleiterstrukturen mittels zu den Verdrahtungsebenen vertikalen Kontaktstrukturen (via, plug) aus einem leitfähigen Material verbunden. In den Verdrahtungsebenen selbst sind Leiterbahnen aus einem elektrisch leitfähigen Material ausgebildet.In have semiconductor components formed on a semiconductor substrate usually several wiring levels for connecting functional structures on. The wiring levels are interconnected and / or with conductive semiconductor structures to the wiring levels vertical contact structures (via, plug) from a conductive Material connected. There are conductor tracks in the wiring levels themselves made of an electrically conductive material educated.
Ein bevorzugtes Material zur Ausbildung von vertikalen Kontaktstrukturen und Leiterbahnen in Halbleiterbauelementen ist für Strukturgrößen kleiner 180 Nanometer Kupfer, das eine um etwa 40 % höhere Leitfähigkeit aufweist als das für größere Strukturgrößen übliche und relativ einfach zu prozessierende Aluminium. Darüber hinaus weist Kupfer eine um den Faktor 10 geringere Neigung zur Elektromigration auf.On preferred material for the formation of vertical contact structures and conductor tracks in semiconductor components is for structure sizes smaller than 180 Nanometer copper, which has about 40% higher conductivity than the usual for larger structure sizes and relatively easy to process aluminum. In addition, copper rejects one 10 times lower tendency to electromigration.
Die Abscheidung von Kupfer mittels chemischer Gasphasenabscheidung (chemical vapour deposition, CVD) erfordert gegenwärtig die Verwendung von teuren, instabilen und relativ aufwändig zu prozessierenden organischen Kupferverbindungen, während mit einer Abscheidung von Kupfer mittels physikalischer Gasphasenabscheidung (physical vapour deposition, PVD) auf reliefartig strukturierten Substraten im Relief ausgebildete Gräben nur unzureichend gefüllt werden können.The Deposition of copper using chemical vapor deposition (chemical vapor deposition (CVD) currently requires the use of expensive, unstable and relatively complex to process organic copper compounds, while with deposition of copper by physical vapor deposition (physical vapor deposition, PVD) on relief-structured substrates trenches formed in relief insufficiently filled can be.
Nach einem bekannten Verfahren zur Herstellung einer leitfähigen vertikalen Kontaktstruktur insbesondere bei Strukturgrößen unter 200 Nanometern wird Kupfer daher auf elektrochemischen Weg bzw. galvanisch abgeschieden (electro plating). Dabei wird zunächst am Ort der in einem Substrat zu prozessierenden vertikalen Kontaktstruktur ein Graben in das Substrat eingebracht, der mindestens eine unter der Oberfläche des Substrats ausgebildete leitfähige Flächenstruktur schneidet oder berührt. Da die elektrochemische Abscheidung eine leitfähige Oberfläche des Substrats voraussetzt, wird anschließend auf der Oberfläche des Substrats zunächst auf herkömmliche Weise eine Initialschicht (seed layer) vorgesehen. Die Beschichtung erfolgt in der Regel unmaskiert. Die Initialschicht bedeckt daher die gesamte Oberfläche des Substrats. Dem Aufbringen der Initialschicht kann das Aufbringen einer Barriereschicht vorausgehen.To a known method for producing a conductive vertical Contact structure, especially with structure sizes below 200 nanometers Copper is therefore electrochemically or galvanically deposited (electro plating). This is done first at the location of a substrate digging into the vertical contact structure to be processed Introduced substrate, the at least one under the surface of the Substrate formed conductive surface structure cuts or touches. Since electrochemical deposition requires a conductive surface of the substrate, is then on the surface of the substrate first on conventional An initial layer (seed layer) is provided. The coating is usually unmasked. The initial layer therefore covers the entire surface of the substrate. The application can be done by applying the initial layer precede a barrier layer.
Anschließend erfolgt die eigentliche elektrochemische Abscheidung (Galvanisierung), für die das Substrat in einem Elektrolyt als Katiode betrieben wird. Das elektrochemisch abgeschiedene Kupfer ordnet sich ganzflächig auf der Oberfläche des Substrats an.Then follows the actual electrochemical deposition (galvanization) for which the Substrate is operated in an electrolyte as a cathode. The electrochemical deposited copper arranges itself over the entire surface on the surface of the Substrate.
Im in das Substrat eingebrachten, zur Ausbildung einer vertikalen Kontaktstruktur vorgesehenen Graben wächst dabei das abgeschiedene Kupfer sowohl vom Grabenboden als auch von den Grabenwänden her auf.in the introduced into the substrate to form a vertical contact structure provided trench grows the deposited copper from the trench floor as well as from the trench walls come on.
Eine lokale Abscheidungsrate des Kupfers hängt z.B. von einer lokalen Feldstärke des zur Galvanisierung erzeugten elektrischen Feldes oder einer lokalen Konzentration von Kupferionen ab. Da die lokale Feldstärke des während der Abscheidung aktivierten elektrischen Feldes im Bereich von Ecken und Kanten eines Reliefs höher ist als etwa in glatten, unstrukturierten Bereichen, kommt es zu einer stärkeren Abscheidung etwa im Bereich einer Grabenöffnung.A local copper deposition rate depends e.g. from a local field strength of the electric field generated for galvanizing or a local one Concentration of copper ions. Since the local field strength of the while the deposition of an activated electric field in the area of corners and Edges of a relief higher is about as in smooth, unstructured areas, it happens a stronger one Deposition in the area of a trench opening.
Abhängig von einem Querschnitt des Grabens nimmt eine Konzentration der abzuscheidenden Kupferionen im Elektrolyt zum Grabenboden hin ab.Depending on a cross section of the trench takes a concentration of those to be deposited Copper ions in the electrolyte to the bottom of the trench.
Aus diesen Gründen entstehen daher in durch elektrochemische Abscheidung mit einem Metall gefüllten Gräben oft vorwiegend in einem unteren Grabenbereich zunächst mit dem Elektrolyt gefüllte Hohlräume (voids), die den elektrischen Widerstand der vertikalen Kontaktstruktur deutlich erhöhen. Dies führt in besonders nachteiliger Weise zu einer Signalverzögerung eines über die Kontaktstruktur geführten elektrischen Signals im fertigen Halbleiterbauelement.Out these reasons therefore arise in by electrochemical deposition with a Metal filled trenches often primarily in a lower trench area voids filled with electrolyte, which clearly shows the electrical resistance of the vertical contact structure increase. this leads to in a particularly disadvantageous manner to a signal delay over the Contact structure led electrical signal in the finished semiconductor device.
In
der
Bei einer gleichmäßigen oder konformen Abscheidung (conformal deposition) des Metalls vom Grabenboden und von den Grabenwänden her bildet sich in der Grabenmitte in nachteiliger Weise eine Nahtfläche (seam) zwischen zwei aufgewachsenen Kupferschichten. Die Nahtfläche bildet eine Störstelle, in deren Bereich Elektrolyt eingeschlossen werden kann. Der elektrische Widerstand der Kontaktstruktur ist in diesem Bereich in nachteiliger Weise erhöht.at an even or conformal deposition of the metal from the trench floor and from the trench walls a disadvantageous seam is formed in the middle of the trench between two grown copper layers. The seam surface forms a defect, in the area of which electrolyte can be enclosed. The electric one Resistance of the contact structure is disadvantageous in this area Way increased.
In
der
Es ist bekannt, dem Elektrolyt daher Zusätze (Additive) beizugeben bzw. das elektrische Feld während der Abscheidung zu variieren, um ein gerichtetes Anwachsen des abgeschiedenen Materials vom Grabenboden her zu steuern (bottom-up fill). Dabei werden Akzeleratoren und Inhibitoren eingesetzt, wobei die Akzeleratoren bevorzugt im Bereich des Grabenbodens adsorbieren und die elektrochemische Abscheidung lokal beschleunigen und Inhibitoren bevorzugt auf der Substratoberfläche und im oberen Grabenbereich adsorbieren und die Abscheidung dort lokal hemmen oder verlangsamen.It it is known to add additives to the electrolyte or the electric field during the deposition to vary in order for the deposited to grow Controlling materials from the bottom of the trench (bottom-up fill). In doing so Accelerators and inhibitors are used, the accelerators preferentially adsorb in the area of the trench bottom and the electrochemical Accelerate deposition locally and preferentially on the inhibitors substrate surface and adsorb in the upper trench area and the deposition there inhibit or slow down locally.
Es ist auch bekannt, das elektrische Feld während der Galvanisierung veränderlich zu halten, um etwa die Abscheidungsra te im Bereich von Ecken und Kanten selektiv zu flachen Abschnitten des Reliefs zu verändern.It is also known to change the electric field during galvanization to keep around the separation rate in the area of corners and Selectively change edges to flat sections of the relief.
Nachteilig an den bekannten Verfahren ist insbesondere, dass die chemische Zusammenstellung des Elektrolyts von der jeweilige Anwendung abhängig ist. Für das Elektrolyt ist abhängig sowohl von den absoluten Abmessungen als auch insbesondere von einem Aspektverhältnis von in das Substrat eingebrachten Gräben jeweils eine neue Zusammenstellung der Zusätze erforderlich.adversely of the known methods is in particular that the chemical The composition of the electrolyte depends on the respective application. For the Electrolyte is dependent both of the absolute dimensions and in particular of one aspect ratio a new combination of trenches made in the substrate of additives required.
Darüber hinaus sind die eingesetzten Zusätze kostenintensiv in der Anschaffung und der Entsorgung. Da sich die Additive verbrauchen, ist oft auch eine relativ komplexe Überwachung und Steuerung der Zusammensetzung des Elektrolyts während der elektrochemischen Abscheidung erforderlich.Furthermore are the additives used costly to purchase and dispose of. Since the Consuming additives is often a relatively complex form of monitoring and controlling the composition of the electrolyte during electrochemical Separation required.
Ferner wächst das abgeschiedene Material auch auf der Substratoberfläche selbst auf, von wo es anschließend in einem aufwändigen Ätz- oder Polierschritt, etwa mittels eines chemisch mechanischen Polierprozesses (chemical mechanical polishing, CMP), wieder zu entfernen ist.Further grows the deposited material also on the substrate surface itself on from where it followed in an elaborate etching or Polishing step, for example by means of a chemical mechanical polishing process (chemical mechanical polishing, CMP), is to be removed again.
In
der
Ist keine unterliegende metallische oder leitfähige Struktur vorgesehen, etwa bei in eine dielektrische Schicht eingebetteten Leiterbahnen, so setzt die elektrochemische Abscheidung das Abscheiden einer Initialschicht bzw. eines Seed-Layers voraus.is no underlying metallic or conductive structure is provided, for example in the case of conductor tracks embedded in a dielectric layer, so electrochemical deposition sets the deposition of an initial layer or a seed layer ahead.
Ein
solches Verfahren ist in der
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Verfahren zur Erzeugung leitfähiger Strukturen mit Submikrometerabmessungen mittels elektrochemischer Abscheidung in einem Substrat zur Verfügung zu stellen, mit dem auf einfache Weise und ohne die Zugabe von Additiven zum Elektrolyt Fehlstellen in den leitfähigen Strukturen vermieden werden können.task The present invention is therefore a method of production conductive Structures with submicron dimensions using electrochemical To provide deposition in a substrate with that on easily and without the addition of additives to the electrolyte defects in the conductive Structures can be avoided.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs genannten Art durch die im Patentanspruch 1 genannten Merkmale gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich aus den Unteransprüchen.This Task is carried out in a method of the type mentioned solved the features mentioned in claim 1. Advantageous further training of the method according to the invention result from the subclaims.
Zur Erzeugung einer leitfähigen Struktur in einem Substrat wird also zunächst in bekannter Art von einer Substratoberfläche her ein Graben in das Substrat eingebracht. Der Graben weist Seitenwände mit zur Substratoberfläche vertikalen und/oder geneigten Abschnitten sowie einen Grabenboden auf, der einer Grabenöffnung in der Substratoberfläche gegenüberliegt. Auf dem Substrat wird die für eine elektrochemische Abscheidung notwendige leitfähige Initialschicht vorgesehen. Die Initialschicht ist Voraussetzung für die Verwendung des Substrats als Kathode während der folgenden galvanischen Abscheidung eines Füllmaterials. Die leitfähige Struktur geht aus dem Füllen des Grabens mit dem Füllmaterial mittels der elektrochemischer Abscheidung hervor, während der das Füllmaterial auf leitfähige Abschnitte des Substrats abgeschieden wird.To produce a conductive structure in a substrate, a trench is therefore first made in a known manner from a substrate surface into the substrate. The trench has side walls with sections vertical and / or inclined to the substrate surface and a trench bottom, which faces a trench opening in the substrate surface. The conductive initial layer necessary for electrochemical deposition is provided on the substrate. The initial layer is a prerequisite for using the substrate as a cathode during the subsequent electrodeposition of a filler material. The conductive structure results from the filling of the trench with the filler material by means of electrochemical deposition, during which the filler material is deposited on conductive sections of the substrate.
Vor der elektrochemischen Abscheidung des Füllmaterials wird mindestens auf Abschnitten der Seitenwände des Grabens eine dielektrische Beschichtung vorgesehen. Ein Füllen des Grabens erfolgt dann im Wesentlichen in einer gerichteten Weise vom Grabenboden her (bottom-up fill).In front the electrochemical deposition of the filler material is at least on sections of the side walls a dielectric coating is provided for the trench. Filling the Digging is then essentially done in a directional manner from the bottom of the trench (bottom-up fill).
Durch das gerichtete Aufwachsen des Füllmaterials vom Grabenboden her wird eine Ausbildung sowohl von Hohlräumen wie auch von Nahtflächen in der leitfähigen Struktur vermieden. Dabei bedarf das Elektrolyt keiner Zusätze, die ein Aufwachsen des Füllmaterials lokal hemmen oder fördern. Eine aufwändige Kontrolle bzw. Nachregelung der Zusammensetzung des Elektrolyts während der Abscheidung erübrigt sich. Die Zusammensetzung des Elektrolyts ist weit gehend unabhängig von den absoluten Abmessungen der leitfähigen Struktur und von einem Aspektverhältnis des Grabens.By the directed growth of the filling material from the bottom of the trench there is a formation of cavities as well also from seam surfaces in the conductive Structure avoided. The electrolyte does not require any additives that a growth of the filling material inhibit or promote locally. An elaborate one Check or readjust the composition of the electrolyte while there is no need for separation yourself. The composition of the electrolyte is largely independent of the absolute dimensions of the conductive structure and an aspect ratio of the Trench.
Bevorzugt wird die dielektrische Beschichtung so vorgesehen, dass sie sich auch über die Substratoberfläche außerhalb des Grabens erstreckt. In diesem Fall wächst das Füllmaterial nur in den Gräben, nicht aber auf der Substratoberfläche auf. Da die Abscheidung des Füllmaterials erst beendet wird, wenn der Graben sicher gefüllt ist, wächst das Füllmaterial etwa bei einer konform gesteuerten elektrochemischen Abscheidung auf der Substratoberfläche mit einer Schichtdicke von mindestens der halben Weite der Öffnung des Grabens auf. Da das Füllmaterial ein Metall oder eine Metalllegierung, in der Regel aber Kupfer ist, erfordert ein Abtrag des auf der Substratoberfläche abgeschiedenen Füllmaterials einen aufwändigen Rückbildungsschritt, etwa einen chemisch-mechanischen Polierprozess (chemical mechanical polishing, CMP). Dieser Rückbildungsschritt entfällt bei dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens. Abhängig vom Anwendungsfall kann auch auf die Entfernung der dielektrischen Beschichtung nach der elektrochemischen Abscheidung in vorteilhafter Weise verzichtet werden, wenn die dielektrische Beschichtung auf Isolatorabschnitten einer Verdrahtungsebene des Substrats ausgebildet ist.Prefers the dielectric coating is provided so that it also about the substrate surface outside of the trench. In this case, the filler material only grows in the trenches, not but on the substrate surface on. Because the deposition of the filler only when the trench is safely filled does the filling material grow at about a conform controlled electrochemical deposition on the substrate surface a layer thickness of at least half the width of the opening of the Digging up. Because the filler is a metal or a metal alloy, but is usually copper, requires removal of the filler material deposited on the substrate surface an elaborate Restoring step, such as a chemical mechanical polishing process (chemical mechanical polishing, CMP). This regression step deleted in this embodiment of the method according to the invention. Dependent from application to removal of the dielectric Coating after electrochemical deposition is advantageous Way to be dispensed with when the dielectric coating is on Insulator sections formed a wiring level of the substrate is.
Bevorzugt wird die dielektrische Beschichtung in Zuge eines gemeinsamen Prozessschritts gleichzeitig auf der Substratoberfläche und den Seitenwänden des Grabens angeordnet.Prefers the dielectric coating becomes simultaneous in the course of a common process step on the substrate surface and the side walls of the trench.
Eine solche gleichzeitige Ausbildung der dielektrischen Beschichtung auf der Substratoberfläche und den Seitenwänden des Grabens ergibt sich etwa bei einer nicht konformen sequentiellen Gasphasenabscheidung (non-conformal atomic layer deposition, non-conformal ALD) der dielektrischen Beschich tung. Gegenüber einer herkömmlichen sequentiellen Gasphasenabscheidung wird eine nicht konforme sequentielle Gasphasenabscheidung in einer Weise gesteuert, dass die jeweils zyklusweise abgeschiedenen Teillagen gerichtet von der Substratoberfläche her in Richtung des Grabenbodens aufwachsen und die Zyklen der sequentiellen Gasphasenabscheidung dabei so gesteuert werden, dass die Abscheidung innerhalb jedes Zyklus jeweils vor dem Beginn einer Bedeckung des Grabenbodens abgebrochen wird.A such simultaneous formation of the dielectric coating on the substrate surface and the side walls the trench results from a non-compliant sequential Gas phase deposition (non-conformal atomic layer deposition, non-conformal ALD) of the dielectric coating. Compared to a conventional one sequential vapor deposition becomes a non-compliant sequential Vapor deposition controlled in such a way that each cyclically deposited partial layers directed from the substrate surface growing up towards the trench bottom and the cycles of sequential Gas phase deposition can be controlled so that the deposition within each cycle before the start of covering the Trench floor is broken off.
Das Erzeugen der dielektrischen Beschichtung mittels einer in dieser Weise gesteuerten nicht konformen sequentiellen Gasphasenabscheidung ist besonders vorteilhaft, weil sowohl die Substratoberfläche als auch die vertikalen Grabenwände in einem Zug auf einfache Weise, unaufwändig und schnell dielektrisch zu beschichten sind und die so erzeugte dielektrische Beschichtung eine gute Uniformität und Geschlossenheit aufweist sowie mit einer sehr geringen Schichtdicke vorgesehen werden kann.The Generate the dielectric coating by means of one in it Controlled non-compliant sequential vapor deposition is particularly advantageous because both the substrate surface and also the vertical trench walls dielectric in one go in a simple, uncomplicated and fast manner are to be coated and the dielectric coating produced in this way a good uniformity and has unity and with a very small layer thickness can be provided.
Bevorzugt wird als Material der dielektrischen Beschichtung Al2O3, ZrO2, HfO2, SiO2 oder Si3N4 vorgesehen.Al 2 O 3 , ZrO 2 , HfO 2 , SiO 2 or Si 3 N 4 is preferably provided as the material of the dielectric coating.
Die dielektrische Beschichtung kann mit Hilfe der nicht konformen sequentiellen Gasphasenabscheidung mit einer Schichtdicke zwischen 2 und 100 Nanometern, besonders bevorzugt mit einer Schichtdicke zwischen 5 und 12 Nanometern, vorgesehen werden.The dielectric coating can be done using the non-compliant sequential Vapor deposition with a layer thickness between 2 and 100 nanometers, particularly preferably with a layer thickness between 5 and 12 nanometers, be provided.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich prinzipiell zur Erzeugung beliebiger leitfähigen Strukturen aus einem auf elektrochemischem Wege abscheidbaren Füllmaterial.The inventive method is basically suitable for the creation of any conductive structures from a filler material that can be deposited by electrochemical means.
Nach einer ersten bevorzugten Ausführungsform wird die leitfähige Struktur als vertikale Kontaktstruktur zwischen einer in einer Arbeitsschicht des Substrats angeordneten leitfähigen Flächenstruktur etwa einer Gateelektrode eines Transistors aus dotiertem Polysilizium, einem Source/Drain-Bereich eines Transistors oder einer Leiterbahn aus einem Metall oder einer Metalllegierung einerseits und einer in einer Verdrahtungsebene des Substrats vorgesehenen Leiterbahn andererseits ausgebildet.To a first preferred embodiment becomes the conductive Structure as a vertical contact structure between one in a working layer of the substrate arranged conductive Surface structure, for example a gate electrode of a transistor made of doped polysilicon, a source / drain region of a transistor or a conductor track made of a metal or a metal alloy on the one hand and one conductor track provided in a wiring plane of the substrate on the other hand trained.
Nach einer zweiten bevorzugten Ausführungsform wird die leitfähige Struktur als Leiterbahn innerhalb einer Verdrahtungsebene des Substrats ausgebildet.According to a second preferred embodiment, the conductive structure is used as a conductor track formed within a wiring plane of the substrate.
Auch eine gleichzeitige Ausbildung von Leiterbahnen und zugeordneten vertikalen Kontaktstrukturen nach einem so genannten Dual-Damascene-Prozessschema ist möglich, wobei die Grabenwände auch horizontale Abschnitte aufweisen.Also simultaneous formation of traces and associated vertical contact structures according to a so-called dual damascene process scheme is possible, taking the trench walls also have horizontal sections.
Sofern die dielektrische Beschichtung nach der elektrochemischen Abscheidung zu entfernen ist, wird die dielektrische Beschichtung nach der elektrochemischen Abscheidung des Füllmaterials bevorzugt nasschemisch entfernt.Provided the dielectric coating after the electrochemical deposition is to be removed, the dielectric coating after the electrochemical Deposition of the filling material preferably removed by wet chemical means.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Figuren näher erläutert, wobei für einander entsprechende Komponenten gleiche Bezugszeichen verwendet werden. Es zeigen:following the invention is explained in more detail with reference to the figures, wherein for each other corresponding components the same reference numerals are used. Show it:
Die
Das
in den
Dabei
ist in einem Substrat
Dazu
wird zunächst
in die Isolatorstruktur
In
der
Danach
wird auf Abschnitten der Initialschicht
In
der
Nachfolgende
erfolgt die elektrochemische Abscheidung eines Metalls als Füllmaterial
In
der
Anschließend werden,
wie in der
Die Erfindung wurde im Vorausgegangenen am Beispiel einer vertikalen Kontaktstruktur erläutert, jedoch ist das erfindungsgemäße Verfahren nicht auf die Herstellung solcher Kontaktstrukturen beschränkt. Insbesondere ermöglicht das erfindungsgemäße Verfahren auch die Ausbildung von Leiterbahnen einer Verdrahtungsebene und die gleichzeitige Ausbildung von Leiterbahnen und vertikalen Kontaktstrukturen gemäß dem bekannten Dual-Damascene-Prozessschema.The Invention was previously described using the example of a vertical Contact structure explained, however is the inventive method not limited to the manufacture of such contact structures. In particular allows the inventive method also the formation of conductor tracks of a wiring level and the simultaneous formation of conductor tracks and vertical contact structures according to the known Dual damascene process scheme.
- 11
- Substratsubstratum
- 1010
- Isolatorstrukturinsulator structure
- 1111
- Arbeitsschichtwork shift
- 110110
- leitfähige Flächenstrukturconductive surface structure
- 1212
- Substratoberflächesubstrate surface
- 22
- Initialschicht (seed layer)initial layer (seed layer)
- 33
- dielektrische Beschichtungdielectric coating
- 44
- Füllmaterialfilling material
- 55
- Grabendig
- 5151
- Grabenbodengrave soil
- 5252
- Grabenwandgrave wall
- 66
- Überfüllung (overfill)Overfill
- 77
- Hohlraum (void)cavity (Void)
- 88th
- Nahtfläche (seam)Seam surface
- 99
- leitfähige Strukturconductive structure
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DE2003106314 DE10306314B3 (en) | 2003-02-14 | 2003-02-14 | Production of conducting structure in substrate for producing semiconductor component comprises forming trench with side walls and base in the substrate, forming initial layer on the substrate, and further processing |
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DE102007004884A1 (en) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | A method of forming a metal layer over a patterned dielectric by electroless deposition using a selectively provided activation layer |
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-
2003
- 2003-02-14 DE DE2003106314 patent/DE10306314B3/en not_active Expired - Fee Related
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