DE10306052A1

DE10306052A1 - High frequency amplifier with working point adjustment circuit has low pass filter connected between control connections of main transistor and of auxiliary transistor for working point adjustment

Info

Publication number: DE10306052A1
Application number: DE2003106052
Authority: DE
Inventors: Robert Dr.Rer.Nat. Thalhammer; Walter Zimmermann
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2003-02-13
Filing date: 2003-02-13
Publication date: 2004-09-23

Abstract

The device has a main transistor (T1) for amplifying an HF signal coupled into a control connection (26) of the main transistor, an auxiliary transistor (T2) for working point adjustment for the main transistor and a low pass filter (30) connected between the control connection of the main transistor and a control connection of the auxiliary transistor.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Hochfrequenzverstärker und insbesondere auf einen Hochfrequenzverstärker mit einem Hauptverstärker zum Verstärken eines HF-Signals und einem Hilfstransistor zur semiautomatischen Arbeitspunkteinstellung des Haupttransistors.The present invention relates relying on a high frequency amplifier and in particular to a high frequency amplifier with a main amplifier for strengthen of an RF signal and an auxiliary transistor for semi-automatic operating point setting of the main transistor.

Ein Beispiel für einen bekannten Hochfrequenzverstärker (HF-Verstärker) mit semiautomatischer Arbeitspunkteinstellung ist in 3 gezeigt. Der Hochfrequenzverstärker weist dabei einen Haupttransistor T1 und einen Hilfstransistor T2 auf. Der Haupttransistor T1 und der Hilfstransistor T2 können beispielsweise auf einem Schaltungschip 10 integriert sein. Um eine Arbeitspunkteinstellung für den Haupttransistor T1 zu liefern, ist neben dem Hilfstransistor T2 ferner ein externer Vorwiderstand Rb vorgesehen, der zum einen mit dem Gateanschluss des Haupttransistors T1 und zum anderen mit einer Versorgungsspannung Vdd verbunden ist. Ferner ist über einen Einkoppelkondensator Ce ein HF-Eingangssignal HFin an den Gateanschluss des Haupttransistors T1 anlegbar.An example of a known high-frequency amplifier (RF amplifier) with semi-automatic operating point setting is in 3 shown. The high-frequency amplifier has a main transistor T1 and an auxiliary transistor T2. The main transistor T1 and the auxiliary transistor T2 can, for example, on a circuit chip 10 be integrated. In order to provide an operating point setting for the main transistor T1, an external series resistor Rb is also provided in addition to the auxiliary transistor T2, which is connected on the one hand to the gate connection of the main transistor T1 and on the other hand to a supply voltage Vdd. Furthermore, an RF input signal HFin can be applied to the gate connection of the main transistor T1 via a coupling capacitor Ce.

Wie in 3 gezeigt ist, sind sowohl der Haupttransistor T1 als auch der Hilfstransistor T2 als Feldeffekttransistoren (FETs) ausgebildet. Der Gateanschluss des Haupttransistors T1 ist mit dem Gateanschluss des Hilfstransistors T2 gleichsignalmäßig gekoppelt, indem dieselben verbunden sind. Der Gateanschluss des Hilfstransistors T2 ist ferner mit dem Drainanschluss 12 des Hilfstransistors T2 verbunden. Der Sourceanschluss 14 des Hilfstransistors T2 ist mit dem Sourceanschluss 24 des Haupttransistors T1 verbunden. Der Arbeitsstrom (Drainstrom) des Haupttransistors T1 hängt von der DC-Spannung ab, die sich am Drainanschluss 12 des Hilfstransistors T2 einstellt. Das HF-Signal HFin am HF-Eingang steuert das Gate des Haupttransistors T1 sowie auch – unerwünsch terweise – das Gate des Hilfstransistors T2. Das Ausgangssignal des Verstärkers wird am Drainanschluss 22 des Haupttransistors T1 abgegriffen.As in 3 is shown, both the main transistor T1 and the auxiliary transistor T2 are designed as field effect transistors (FETs). The gate connection of the main transistor T1 is coupled in the same signal to the gate connection of the auxiliary transistor T2 in that they are connected. The gate terminal of the auxiliary transistor T2 is also connected to the drain terminal 12 of the auxiliary transistor T2 connected. The source connection 14 of the auxiliary transistor T2 is with the source connection 24 of the main transistor T1 connected. The working current (drain current) of the main transistor T1 depends on the DC voltage that is at the drain connection 12 of the auxiliary transistor T2. The RF signal HFin at the RF input controls the gate of the main transistor T1 and - undesirably - the gate of the auxiliary transistor T2. The output signal of the amplifier is at the drain connection 22 of the main transistor T1 tapped.

Vorzugsweise sind die Sourceanschlüsse 14 und 24 der Transistoren T1 und T2 jeweils mit dem Substratanschluss des jeweiligen Transistors verbunden.The source connections are preferably 14 and 24 of the transistors T1 and T2 are each connected to the substrate connection of the respective transistor.

Wie oben bereits ausgeführt wurde, können der Haupttransistor T1 und der Hilfstransistor T2 auf einem Schaltungschip 10 gebildet sein, während der Widerstand Rb und der Kondensator Ce externe Komponenten darstellen.As already explained above, the main transistor T1 and the auxiliary transistor T2 can be on a circuit chip 10 be formed, while the resistor Rb and the capacitor Ce are external components.

Bei der in 3 gezeigten Schaltung stellt sich das DC-Potential (DC = direct current = Gleichstrom) am Gate des Haupttransistors T1, und somit der Arbeitspunkt desselben, so ein, dass der DC-Strom durch den Hilfstransistor T2 gerade den in den Gateanschluß eingespeisten DC-Strom kompensiert. Nachdem das HF-Eingangssignal HFin über den Einkoppelkondensator in das Gate des Haupttransistors T1 eingekoppelt wird, hat diese Lösung jedoch den Nachteil, dass der Drainstrom des Hilfstransistors T2 nicht nur den DC-Strom ableitet, sondern auch das HF-Signal am Gate des Haupttransistors T2 abschwächt und damit die effektive Verstärkung des gesamten Systems absenkt, bzw. dessen Signal-Rausch-Verhältnis verschlechtert. Dieser Effekt ist bei Hilfstransistoren mit hoher Steilheit besonders stark ausgeprägt, da das Signal am Gate des Hilfstransistors T2 zu einem hohen AC-Anteil (AC = alternating current = Wechselstrom) im Drainstrom des Hilfstransistors T2 und damit zu einer starken Belastung des HF-Eingangssignals am Gate des Haupttransistors T1 führt.At the in 3 The circuit shown is the DC potential (DC = direct current) at the gate of the main transistor T1, and thus the operating point of the same, such that the DC current through the auxiliary transistor T2 just compensates for the DC current fed into the gate terminal , After the RF input signal HFin is coupled into the gate of the main transistor T1 via the coupling capacitor, this solution has the disadvantage that the drain current of the auxiliary transistor T2 not only derives the DC current but also the RF signal at the gate of the main transistor T2 weakens and thus lowers the effective amplification of the entire system, or worsens its signal-to-noise ratio. This effect is particularly pronounced in the case of auxiliary transistors with high steepness, since the signal at the gate of the auxiliary transistor T2 has a high AC component (AC = alternating current) in the drain current of the auxiliary transistor T2 and thus to a heavy load on the RF input signal on Gate of the main transistor T1 leads.

Die oben Bezug nehmend auf 3 beschriebene Art der Arbeitspunkteinstellung wird insbesondere bei HF-Verstärkern mit zwei Eingängen verwendet, bei denen ein Eingang, der im folgenden als Gate1 bezeichnet wird, zur Arbeitspunkteinstellung und zur Einspeisung des HF-Eingangssignals vorgesehen ist, während am anderen Eingang, der im folgenden als Gate2 bezeichnet wird, ein DC-Signal angelegt wird, mit dem die Verstärkung des HF-Verstärkers eingestellt werden kann. Derartige Verstärker werden häufig auch als Tetroden bezeichnet.The above referring to 3 The type of operating point setting described is used in particular in the case of RF amplifiers with two inputs, in which one input, which is referred to below as Gate1, is provided for operating point setting and for feeding in the RF input signal, while at the other input, which is hereinafter referred to as Gate2 is referred to, a DC signal is applied, with which the gain of the RF amplifier can be adjusted. Such amplifiers are often referred to as tetrodes.

Eine Realisierung einer solchen Tetrode unter Verwendung von Dual-Gate-FETs ist in 4 gezeigt. Im Gegensatz zu dem Bezug nehmend auf 3 beschriebenen Ausführungsbeispiel, bei dem sowohl der Haupttransistor T1 als auch der Hilfstransistor T2 durch einfache Feldeffekttransistoren realisiert waren, sind bei dem in 4 gezeigten HF-Verstärker sowohl ein Haupttransistor T3 als auch ein Hilfstransistor T4 durch einen Dual-Gate-Feldeffekttransistor realisiert.A realization of such a tetrode using dual-gate FETs is shown in 4 shown. Contrary to the reference to 3 Described embodiment, in which both the main transistor T1 and the auxiliary transistor T2 were realized by simple field effect transistors, are in the in 4 RF amplifier shown realized both a main transistor T3 and an auxiliary transistor T4 by a dual gate field effect transistor.

Der Dual-Gate-FET T3 weist ein erstes Gate G31 auf, das mit dem Anschluss Gatel verbunden ist und in das das HF-Eingangssignal HFin eingekoppelt wird. Das Steuergate G31 des Dual-Gate-FET T3 ist ferner mit dem Steuergate G41 des Dual-Gate-Hilfstransistors T4 verbunden. Ein zweites Gate G32 des Haupttransistors T3 und ein zweites Gate G42 des Hilfstransistors T4 sind mit dem Anschluss Gate2 verbunden, so dass über diese zweiten Gates in bekannter Weise die Verstärkung des Systems eingestellt werden kann.The dual gate FET T3 has a first one Gate G31, which is connected to the connection gate and in the the RF input signal HFin is coupled. The control gate G31 of the dual gate FET T3 is also connected to the control gate G41 of the dual-gate auxiliary transistor T4. A second gate G32 of the main transistor T3 and a second gate G42 of the auxiliary transistor T4 are connected to the connection Gate2, so about these second gates set the gain of the system in a known manner can be.

Wiederum können der Haupt-Dual-Gate-FET T3 und der Hilfs-Dual-Gate-FET T4 auf einem Schaltungschip 10' integriert sein.Again, the main dual gate FET T3 and the auxiliary dual gate FET T4 can be on a circuit chip 10 ' be integrated.

Die semiautomatische Arbeitspunkteinstellung erfolgt bei dem in 4 gezeigten Ausführungsbeispiel eines HF-Verstärkers analog zu der oben Bezug nehmend auf 3 beschriebenen Arbeitspunkteinstellung.The semi-automatic operating point setting is carried out by the in 4 shown embodiment of an RF amplifier analogous to that referring to above 3 described working point setting.

Die in 4 gezeigte Schaltung wird insbesondere zur Arbeitspunkteinstellung von Tetroden in Tunern eingesetzt.In the 4 The circuit shown is used in particular for setting the working point of tetrodes Tuners used.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, bei HF-Verstärkern mit semiautomatischer Arbeitspunkteinstellung die effektive Verstärkung und den Signal-Rausch-Abstand zu verbessern.The object of the present invention consists of using with RF amplifiers semi-automatic working point setting the effective gain and improve the signal-to-noise ratio.

Diese Aufgabe wird durch einen Hochfrequenzverstärker gemäß Anspruch 1 gelöst.This object is achieved by a high-frequency amplifier 1 solved.

Die vorliegende Erfindung schafft einen Hochfrequenzverstärker mit folgenden Merkmalen:
einem Haupttransistor zum Verstärken eines in einen Steueranschluss desselben eingekoppelten HF-Signals;
einem Hilfstransistor zur Arbeitspunkteinstellung des Haupttransistors; und
einem zwischen den Steueranschluss des Haupttransistors und einen Steueranschluss des Hilfstransistors geschaltetes Tiefpassfilter.The present invention provides a high frequency amplifier with the following features:
a main transistor for amplifying an RF signal coupled into a control terminal thereof;
an auxiliary transistor for setting the operating point of the main transistor; and
a low-pass filter connected between the control connection of the main transistor and a control connection of the auxiliary transistor.

Erfindungsgemäß bestehen der Haupttransistor und der Hilfstransistor vorzugsweise aus Feldeffekttransistoren mit einem oder mehreren Gates, können jedoch auch durch Bipolartransistoren realisiert sein.According to the invention, the main transistor and the auxiliary transistor preferably made of field effect transistors with one or more gates however, it can also be implemented by bipolar transistors.

Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Idee besteht darin, den HF-Anteil am Eingang, d. h. dem Steuergate, des Hilfstransistors herauszufiltern. Dazu wird erfindungsgemäß zwischen den HF-Eingang des Gesamtsystems, der dem Gateanschluss des Haupttransistors entspricht, und dem Gateanschluss des Hilfstransistors ein Tiefpass gesetzt. Ein Drain/Source-Anschluss des Hilfstransistors, vorzugsweise der Drainanschluss desselben, ist nach wie vor an den Gateanschluss des Haupttransistors angeschlossen. Am Eingang des Hilfstransistors, d. h. am Gateanschluss desselben, liegt damit nur der DC-Pegel des eingespeisten Signals an, wodurch auch der Drainstrom des Hilfstransistors nur einen DC-Anteil besitzt. Somit liegt am Eingang des Haupttransistors der volle Signalpegel der HF-Quelle, d. h. des HF-Eingangs, an, was zu einer höheren effektiven Verstärkung und zu einem verbesserten Signal-Rausch-Verhältnis führt.The basis of the present invention The idea is to control the RF component at the input, i. H. the control gate, of the auxiliary transistor. According to the invention, between the RF input of the overall system, which is the gate connection of the main transistor corresponds, and the gate connection of the auxiliary transistor has a low pass set. A drain / source connection of the auxiliary transistor, preferably the drain connection of the same is still at the gate connection of the main transistor connected. At the input of the auxiliary transistor, d. H. at the gate connection of the same, only the DC level of the fed signal to, which also causes the drain current of the auxiliary transistor only has a DC component. Thus lies at the input of the main transistor the full signal level of the RF source, i.e. H. of the RF input, on, resulting in a higher effective reinforcement and leads to an improved signal-to-noise ratio.

Bei bevorzugten Ausführungsbeispielen ist der Tiefpass zwischen den Gateanschlüssen von Haupt- und Hilfstransistor durch ein RC-Glied in der Form eines seriellen Widerstands und eines parallelen Kondensators realisiert. Alternativ kann statt des seriellen Widerstands eine serielle Induktivität vorgesehen sein, die jedoch in der Regel schwieriger zu implementieren ist, insbesondere wenn der Tiefpass zusammen mit dem Haupttransistor und dem Hilfstransistor in einem Halbleiterchip integriert werden soll.In preferred embodiments is the low pass between the gate connections of the main and auxiliary transistor by an RC element in the form of a serial resistor and one parallel capacitor realized. Alternatively, instead of the serial Resistance can be provided for a serial inductor, however is generally more difficult to implement, especially if the low pass together with the main transistor and the auxiliary transistor to be integrated in a semiconductor chip.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher läutert. Es zeigen:Preferred embodiments of the present Invention are hereinafter referred to with reference to the accompanying Drawings closer purifies. Show it:

1 ein Schaltungsdiagramm eines ersten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Hochfrequenzverstärkers; 1 a circuit diagram of a first embodiment of a high frequency amplifier according to the invention;

2 ein Schaltungsdiagramm eines zweiten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Hochfrequenzverstärkers; 2 a circuit diagram of a second embodiment of a high frequency amplifier according to the invention;

3 ein Schaltungsdiagramm eines ersten bekannten Hochfrequenzverstärkers; und 3 a circuit diagram of a first known radio frequency amplifier; and

4 ein Schaltungsdiagramm eines zweiten bekannten Hochfrequenzverstärkers. 4 a circuit diagram of a second known radio frequency amplifier.

In den 1 und 2 sind solche Elemente, die denen der 3 und 4 entsprechen, mit den dort verwendeten Bezugszeichen bezeichnet. Ferner wird eine genaue Beschreibung dieser Elemente im folgenden weggelassen.In the 1 and 2 are such elements that those of 3 and 4 correspond with the reference numerals used there. Furthermore, a detailed description of these elements is omitted below.

Der in 1 gezeigte HF-Verstärker weist mit Ausnahme eines zwischen die Gateanschlüsse des Haupttransistors T1 und des Nebentransistors T2 geschaltetes Tiefpassfilter 30 den oben bezugnehmend auf 3 beschriebenen Aufbau auf.The in 1 HF amplifier shown has, with the exception of a low-pass filter connected between the gate connections of the main transistor T1 and the sub-transistor T2 30 referring to the above 3 described structure on.

Bei dem in 1 gezeigten Ausführungsbeispiel bestehen der Haupttransistor T1 und der Hilfstransistor T2 jeweils aus einem Feldeffekttransistor mit einem einfachen Gate. Wie in 1 zu sehen ist, ist zwischen den Gateanschluss 26 des Haupttransistors T1 und den Gateanschluss 16 des Hilfstransistors T2 das Tiefpassfilter 30 geschaltet. Das Tiefpassfilter 30 umfasst einen Widerstand R und einen Kondensator C. Der Widerstand R ist seriell zwischen die Gateanschlüsse des Haupttransistors T1 und des Hilfstransistors T2 geschaltet. Der Kondensator C ist parallel zwischen den Gateanschluss 16 und den Sourcenanschluss 14 des Hilfstransistors T2 geschaltet. Der Drainanschluss 12 des Hilfstransistors T2 ist nach wie vor an den Gateanschluss 26 des Haupttransistors T1 angeschlossen und über den Widerstand R an den Gateanschluss 16 des Hilfstransistors T2 angeschlossen. Alternativ könnte der Drainanschluss 12 direkt an den Gateanschluss 16 angeschlossen sein.At the in 1 In the exemplary embodiment shown, the main transistor T1 and the auxiliary transistor T2 each consist of a field effect transistor with a simple gate. As in 1 is seen between the gate connector 26 of the main transistor T1 and the gate terminal 16 of the auxiliary transistor T2 the low pass filter 30 connected. The low pass filter 30 comprises a resistor R and a capacitor C. The resistor R is connected in series between the gate connections of the main transistor T1 and the auxiliary transistor T2. The capacitor C is in parallel between the gate connection 16 and the source connection 14 of the auxiliary transistor T2 switched. The drain connection 12 of auxiliary transistor T2 is still at the gate terminal 26 of the main transistor T1 connected and via the resistor R to the gate terminal 16 of the auxiliary transistor T2 connected. Alternatively, the drain connection could 12 directly to the gate connection 16 be connected.

Am Eingang des Hilfstransistors T2 liegt somit nur der DC-Pegel des eingespeisten Signals, das sich aus dem über Vdd und Rb gelieferten Vorspannungssignal und dem HF-Eingangssignal HFin zusammensetzt, an. Somit schwächt der Hilfstransistor T2 das HF-Eingangssignal HFin selbst bei hoher Steilheit des Hilfstransistors T2 nicht oder nur in vernachlässigbarer Weise ab, so dass der volle Signalpegel des HF-Eingangssignals HFin am Gateanschluss 26 des Haupttransistors T1 anliegt, was zu einer höheren effektiven Verstärkung und somit zu einem verbesserten Signal-Rausch-Verhältnis führt.At the input of the auxiliary transistor T2 there is therefore only the DC level of the fed-in signal, which is composed of the bias signal delivered via Vdd and Rb and the RF input signal HFin. Thus, the auxiliary transistor T2 does not attenuate the RF input signal HFin, or only to a negligible extent, even when the auxiliary transistor T2 is very steep, so that the full signal level of the RF input signal HFin at the gate connection 26 of the main transistor T1, which leads to a higher effective gain and thus to an improved signal-to-noise ratio.

Wie in 1 gezeigt ist, können der Haupttransistor T1, der Hilfstransistor T2 und das Tiefpassfilter 30 vorzugsweise in einem System 40, beispielsweise auf einem Halbleiterchip, integriert sein.As in 1 the main transistor T1, the auxiliary transistor T2 and the low-pass filter 30 preferably in a system 40 , for example on a semiconductor chip.

In 2 ist ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung gezeigt, das einen HF-Verstärker mit zwei Eingängen Gatel und Gate 2 aufweist, also eine sogenannte Tetrode.In 2 is an embodiment of the front Lying invention shown that an RF amplifier with two inputs gate and gate 2 has a so-called tetrode.

Der in 2 gezeigte HF-Verstärker weist mit Ausnahme eines zwischen die Steuergateanschlüsse G31 und G41 des Haupttransistors T3 und des Nebentransistors T4 geschaltetes Tiefpassfilter 30 den oben bezugnehmend auf 4 beschriebenen Aufbau auf.The in 2 HF amplifier shown has, with the exception of a low-pass filter connected between the control gate connections G31 and G41 of the main transistor T3 and the sub-transistor T4 30 referring to the above 4 described structure on.

Gemäß 2 sind daher der Haupttransistor und der Hilfstransitor jeweils durch einen Dual-Gate-Feldeffekttransistor T3 bzw. T4 realisiert. Das Tiefpassfilter 30 zwischen das Steuergate G31 des Haupt-Dual-Gate-Transistors T3 und das Steuergate G41 des Hilfs-Dual-Gate-Transistors T4 geschaltet. Die Funktionsweise des Tiefpassfilters 30, das wiederum aus Serienwiderstand R und Parallelkondensator C besteht, ist identisch zu der oben Bezug nehmend auf 1 beschriebenen, so dass am Steuereingang des Hilfstransistors wiederum nur der DC-Pegel des eingespeisten Signals anliegt und somit auch der Drainstrom des Hilfs-Dual-Gate-Transistors T4 nur einen DC-Anteil besitzt.According to 2 the main transistor and the auxiliary transistor are therefore each implemented by a dual-gate field-effect transistor T3 or T4. The low pass filter 30 connected between the control gate G31 of the main dual gate transistor T3 and the control gate G41 of the auxiliary dual gate transistor T4. How the low pass filter works 30 , which in turn consists of series resistor R and parallel capacitor C, is identical to that referred to above 1 described, so that in turn only the DC level of the fed-in signal is present at the control input of the auxiliary transistor and thus the drain current of the auxiliary dual-gate transistor T4 has only a DC component.

Der Haupttransistor T3, der Hilfstransistor T4 und das Tiefpassfilter 30 können wiederum in einem gemeinsamen System 40', beispielsweise auf einem Schaltungschip, integriert sein.The main transistor T3, the auxiliary transistor T4 and the low pass filter 30 can in turn be in a common system 40 ' , for example on a circuit chip.

Die vorliegende Erfindung eignet sich prinzipiell für alle HF-Transistoren mit semiautomatischer Arbeitspunkteinstellung, beispielsweise Einfach-Gate-FETs, Multi-Gate-FETs oder Bipolartransistoren. Bei Multi-Gate-FETs, die mehr als zwei Gates aufweisen, sind typischerweise mehrere Gates zusammengeschaltet und/oder ein oder mehrere Gates auf ein jeweils konstantes Potential gelegt. Es ist für Fachleute ferner klar, dass bei den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen jeweils Drainanschluss und Sourceanschluss vertauscht sein können, so dass bei dem in 1 gezeigten Beispiel beispielsweise der Drainanschluss des Hilfstransistors mit dem Sourceanschluss des Haupttransistors verbunden ist, während der Sourceanschluss desselben mit dem Gateanschluss des Haupttransistors gleichsignalmäßig gekoppelt ist.The present invention is suitable in principle for all RF transistors with semi-automatic operating point setting, for example single-gate FETs, multi-gate FETs or bipolar transistors. In multi-gate FETs which have more than two gates, a plurality of gates are typically connected together and / or one or more gates are set to a constant potential in each case. It is also clear to those skilled in the art that in the exemplary embodiments described above, drain connection and source connection can be interchanged, so that in the case of the embodiment shown in FIG 1 Example shown, for example, the drain terminal of the auxiliary transistor is connected to the source terminal of the main transistor, while the source terminal thereof is coupled in the same signal to the gate terminal of the main transistor.

Obwohl bei den dargestellten Ausführungsbeispielen das Tiefpassfilter einen Widerstand und einen Kondensator aufweist, könnte bei alternativen Ausführungsbeispielen das Tiefpassfilter einen anderen Aufbau aufweisen, beispielsweise mehrere Serienwiderstände oder Serieninduktivitäten und/oder mehrere Parallelkapazitäten. Ferner könnten mehrstufige Filter verwendet werden.Although in the illustrated embodiments the low-pass filter has a resistor and a capacitor, could in alternative embodiments the low-pass filter has a different structure, for example several series resistors or series inductors and / or several parallel capacities. Furthermore, could multi-stage filters are used.

T1T1: Haupttransistormain transistor
T2T2: Hilfstransistorauxiliary transistor
10, 10'10 10 ': Schaltungschipcircuit chip
RbRb: externer Vorwiderstandexternal dropping resistor
VddVdd: Versorgungsspannungsupply voltage
CeCe: EinkoppelkondensatorEinkoppelkondensator
HFinHFin: HF-EingangssignalRF input signal
1212: Hilfstransistor-DrainanschlußAuxiliary transistor drain
1414: Hilfstransistor-SourceanschlußAuxiliary transistor source terminal
1616: Hilfstransistor-GateanschlußAuxiliary transistor gate
2222: Haupttransistor-DrainanschlußMain transistor drain
2424: Haupttransistor-SourceanschlußMain transistor source terminal
2626: Haupttransistor-GateanschlußMain transistor gate
T3T3: Haupttransistormain transistor
T4T4: Hilfstransistorauxiliary transistor
G31G31: Haupttransistor-SteuergateanschlussMain transistor control gate terminal
G32G32: zweiter Haupttransitorgateanschlusssecond Haupttransitorgateanschluss
G41G41: Hilfstransistor-SteuergateanschlussAuxiliary transistor control gate terminal
G42G42: zweiter Hilfstransistorgateanschlusssecond Auxiliary transistor gate
3030: Tiefpaßfilterlow pass filter
RR: Widerstandresistance
CC: Kondensatorcapacitor
40, 40'40 40 ': Schaltungschipcircuit chip

Claims

High-frequency amplifier with the following features: a main transistor (T1; T3) for amplifying a control connection ( 26 ; G31) the same coupled RF signal (HFin); an auxiliary transistor (T2; T4) for setting the operating point of the main transistor (T1; T3); and one between the control connection ( 26 ; G31) of the main transistor (T1; T3) and a control connection ( 16 ; G41) of the auxiliary transistor (T2; T4) switched low-pass filter ( 30 ).

High-frequency amplifier according to Claim 1, in which the low-pass filter ( 30 ) has a series resistance (R) or a series inductance and a parallel capacitance (C).

High-frequency amplifier according to Claim 1 or 2, in which the main transistor (T1; T3) and the auxiliary transistor (T2; T4) are field-effect transistors and the respective control connections ( 16 . 26 ; G31, G41) are gate connections of the field effect transistors.

High-frequency amplifier according to Claim 3, in which a source / drain connection ( 12 ) of the auxiliary transistor (T2; T4) with the same signal as the gate connection ( 26 ; G31) of the main transistor (T1; T3) is coupled and the other source / drain connection ( 14 ) of the auxiliary transistor (T2; T4) with a source / drain connection ( 24 ) of the main transistor (T1; T3) is coupled in the same signal.

RF amplifier according to claim 3 or 4, in which the field effect transistors multi-gate field effect transistors (T3, T4), the control connections (G31, G41) control gate connections of the Multi-gate field effect transistors are.

High-frequency amplifier according to one of Claims 3 to 5, in which the low-pass filter ( 30 ) has a parallel capacitance (C) which is between the gate connection ( 16 ; G41) of the auxiliary transistor and a source / drain connection of the same.

High-frequency amplifier according to one of Claims 1 to 6, furthermore a device (Rb, Vdd) for applying a DC signal potential to the control connection ( 26 ; G31) of the main transistor (T1; T3).