New! View global litigation for patent families

DE10254566B4 - The laser diode with bridging units - Google Patents

The laser diode with bridging units

Info

Publication number
DE10254566B4
DE10254566B4 DE2002154566 DE10254566A DE10254566B4 DE 10254566 B4 DE10254566 B4 DE 10254566B4 DE 2002154566 DE2002154566 DE 2002154566 DE 10254566 A DE10254566 A DE 10254566A DE 10254566 B4 DE10254566 B4 DE 10254566B4
Authority
DE
Grant status
Grant
Patent type
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE2002154566
Other languages
German (de)
Other versions
DE10254566A1 (en )
Inventor
Hubert Adamietz
Volker Krause
Kai-Uwe Löhle
Christoph Dr. Ullmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Laserline Gesellschaft fur Entwicklung und Vertrieb Von Diodenlasern mbH
Original Assignee
Laserline Gesellschaft fur Entwicklung und Vertrieb Von Diodenlasern mbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Grant date

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING STIMULATED EMISSION
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING STIMULATED EMISSION
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING STIMULATED EMISSION
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06825Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING STIMULATED EMISSION
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4018Lasers electrically in series
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING STIMULATED EMISSION
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031Edge-emitting structures

Abstract

Laserdiodenanordnung mit mehreren elektrisch in Reihe geschalteten Laserbarren (3), wobei ein Laserbarren (3) jeweils mehrere Dioden oder Emitter aufweist und jedem Laserbarren (3) eine Überbrückungseinheit (7, 7d) zugeordnet ist, die den ihr zugeordneten Laserbarren (3) dann überbrückt, wenn die an diesem Laserkarren (3) anliegende Spannung einen vorgegebenen Schwellwert (U Ref ) übersteigt, bei der jeder Laserbarren (3) zusammen mit der zugehörigen Überbrückungseinheit (7, 7d) auf einem gemeinsamen als Wärmesenke ausgebildeten Träger (2) vorgesehen ist und bei der die Träger (2) stapelartig aneinander anschließend angeordnet sind, und zwar derart, dass die Überbrückungseinheiten (7, 7d) zwischen den stapelartig aneinander anschließenden Trägern (2) vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Überbrückungseinheiten (7, 7d) als rein elektromechanische Einheiten ausgebildet sind, mittels denen der defekte Laserbarren (3) dauerhaft überbrückt wird. Laser diode array having a plurality of electrically series-connected laser bars (3), wherein a laser bars (3) each having a plurality of diodes or emitters and each laser bar (3), a bridging unit (7, 7d) is assigned to the its associated laser bars (3) then bridges when this laser trolley (3) applied voltage (U ref) exceeds a predetermined threshold, wherein each laser bar (3) together with the associated bridging unit (7, 7d) is provided on a common designed as a heat sink support (2) and wherein the carrier (2) are stacked and then placed against each other, and such that the lock-up units (7, 7d) between the stacked adjoining supports (2) are provided, characterized in that the lock-up units (7, 7d) as pure electromechanical units are formed, by means of which the defective laser bar (3) is bridged permanently.

Description

  • [0001]
    Die Erfindung bezieht sich auf eine Laserdiodenanordnung gemäß Oberbegriff Patentanspruch 1. The invention relates to a laser diode assembly according to the preamble of claim. 1
  • [0002]
    Laserdiodenanordnung dieser Art sind bekannt und bestehen in der Regel aus mehreren, jeweils an einer Wärmesenke vorgesehenen Laserbarren, die ihrerseits eine Vielzahl von Laserbauelementen oder -dioden aufweisen, beispielsweise bis zu 200 derartige Bauelemente. The laser diode assembly of this kind are known and consist usually of several, respectively provided to a heat sink laser bar, which in turn comprise a plurality of laser devices or diodes, for example up to 200 such components. Die mit dem Laserbarren versehenen Wärmesenken sind zu einem Stapel (Stack oder Laserdioden-Stack) miteinander verbunden, wobei ein derartiger Stapel beispielsweise vier oder mehr als vier derartige Wärmesenken mit Laserbarren aufweist. The heat sinks provided with the laser bars are connected together to form a stack (stack or laser diode stack), wherein such a stack having, for example four or more than four such heat sinks with the laser bar.
  • [0003]
    Die Anordnung ist dabei so getroffen, dass die Laserbarren mit den Ebenen ihrer aktiven Schichten parallel zueinander angeordnet sind. The arrangement is such that the laser bars with the planes of their active layers are arranged in parallel. Durch eine entsprechende Optik werden die Einzelstrahlen der Laserdioden zu einem Gesamtstrahl zusammengefasst. By an appropriate appearance, the individual beams of laser diodes are combined to form a total beam.
  • [0004]
    Die einzelnen Laserbauelemente oder -dioden sind in jedem Laserbarren parallel zueinander zwischen zwei äußeren Anschlüssen vorgesehen, mit denen der Laserbarren einerseits an einer elektrisch leitenden Fläche einer Seite der Wärmesenke beispielsweise durch Auflöten kontaktiert und andererseits mit einem gegenüber der Wärmesenke isolierten Kontaktelement verbunden ist. The individual laser devices or diodes are provided in each laser bar parallel to each other between two external terminals to which the laser bar is the one contacted to an electrically conductive surface of one side of the heat sink, for example by soldering, and the other hand connected to an opposite of the heat sink insulated contact element. Die Betriebsspannung von derartigen Laserbarren (nachstehend auch allgemeiner als Laserdioden-Gruppe bezeichnet) liegt in der Größenordnung von etwa 1,6 bis 1,8 Volt, kann aber bei Alterung des Laserbarrens auch etwas ansteigen. The operating voltage of such laser bar (hereinafter also generally referred to as laser diode group) is in the order of about 1.6 to 1.8 volts, but can also rise slightly upon aging of the laser bar.
  • [0005]
    Aus Gründen einer Vereinfachung der Strom- und Spannungsversorgung sind die Laserbarren in der jeweiligen Laserdiodenanordnung elektrisch in Reihe geschaltet vorgesehen, und zwar zwischen den äußeren elektrischen Anschlüssen dieser Anordnung. For reasons of simplification of the current and voltage supply, the laser bars are connected in the respective laser diode assembly electrically connected in series are provided, between the external electrical connections of this arrangement.
  • [0006]
    Insbesondere bei direkten Diodenlasern mit hoher Leistung, beispielsweise mit einer Leistung von einigen kW, sind mehrere derartige Laserdiodenanordnungen oder Stacks vorhanden, wobei die Laserstrahlen dieser Anordnungen dann durch eine entsprechende Optik zu einem Gesamtlaserstrahl zusammengefasst werden. In particular with direct diode lasers with high power, for example with a power of several kW, a plurality of such laser diode arrays or stacks are provided, wherein the laser beams of these arrangements are then combined by an appropriate optics to form an overall laser beam.
  • [0007]
    Ein Nachteil dieser Technik besteht darin, dass es durch Alterung oder auch Überlastung zu Ausfällen zunächst einzelner Laserdioden eines Laserbarrens und dann schließlich auch zum Ausfall des gesamten Laserbarren einer Laserdiodenanordnung kommen kann. A disadvantage of this technique is that due to aging or overload failures first individual laser diodes of a laser bar and then finally can also lead to the failure of the entire laser bars of a laser diode array. Dies bedeutet bei der Reihenschaltung der Laserbarren in der betreffenden Laserdiodenanordnung, dass letztere komplett ausfällt. This means in the series connection of the laser bars in the respective laser diode assembly that the latter fails completely.
  • [0008]
    Nachteilig ist auch, dass beispielsweise bei einem alterungsbedingten Anstieg der Betriebsspannung eines Laserbarrens die Versorgungsspannung für die betreffende Diodenlaseranordnung u. Another disadvantage is that, for example in an age-related increase in the operating voltage of a laser bar, the supply voltage for the particular diode laser array u. U. erhöht werden muss, um eine Änderung der Leistung und/oder des Spektrums des Laserlichtes bei den übrigen Laserbarren der Laserdiodenanordnung zu vermeiden. U. must be increased in order to avoid changing the performance and / or the spectrum of the laser light with the other laser bar laser diode array. Auch eine derartige Spannungsregelung kann aufwendig sein, insbesondere dann, wenn ein Diodenlaser mehrere Laserdiodenanordnungen oder Staks aufweist. Also, such a voltage control can be cumbersome, especially when a diode laser having a plurality of laser diode arrays or Staks.
  • [0009]
    Ausfälle von Laserdioden eines Laserbarrens oder des ganzen Laserbarrens können sehr plötzlich auftreten und sind nicht oder nur selten vorhersehbar. Failures of laser diodes of a laser bar or the entire laser bar can be very sudden, and are not or rarely predictable. Sie sind ua bedingt durch schwere lokale Schädigungen im jeweiligen Laserbarren oder aber durch mechanische „Ablösung" von Verbindungen z. B. auf der p- oder n-Seite der aktiven Schicht. Speziell auch ein derartiger Ablösevorgang kann sich lawinenartig verstärken und schließlich zu einem kompletten Ausfall des gesamten Laserbarrens führen, weil sich der effektive Querschnitt für den Strom mit zunehmendem „Abschälen" reduziert und dadurch die durch den Stromfluss bedingte Verlustleistung zunehmend konzentriert wird. They are, inter alia, due to severe local damage in the respective laser bars or by mechanical "detachment" z of compounds. B. on the p or n side of the active layer. Specifically also such a release operation may be reinforced like an avalanche and finally complete a cause failure of the entire laser bar, because the effective cross section for the current with increasing "peel" is reduced and thereby caused by the flow of current, power dissipation is increasingly concentrated. Die Praxis hat gezeigt, dass beispielsweise ein lokaler Ausfall von Emittern in einem Laserbarren innerhalb eines Zeitraumes von 10 bis 100 Stunden zu einer so schweren Schädigung des Laserbarrens führt, dass schließlich durch die auftretenden lokalen Überströme ein Abbrand des Laserbarrens oder des Laserchips und damit der kompletter Ausfall dieses Laserchips erfolgen. Practice has shown that, for example, a local failure of emitters in a laser bar leads within a period of 10 to 100 hours to a so serious damage to the laser bar that finally by the occurring local overcurrents a burn-off of the laser bar or the laser chip and thus of the complete carried failure of this laser chip.
  • [0010]
    Es besteht zwar die Möglichkeit, bei einem defekten Laserbarren die gesamte, diesen Laserbarren aufweisende Laserdiodenanordnung (Stack) abzuschalten. Although there is the possibility of shutting down the whole, these laser bars having laser diode array in a defective laser bars (stack). Dies führt aber dann zu einem erheblichen Leistungsverlust eines Diodenlasers. but then this leads to a significant loss of performance of a diode laser. Weist nämlich dieser Diodenlaser beispielsweise 80 Laserbauelemente oder -dioden in acht Laserdiodenanordnungen auf, so werden bei einem Defekt eines Laserbarrens in einer Laserdiodenanordnung insgesamt zehn Bauteile abgeschaltet, dh es kommt zu einer Leistungsreduzierung von 12,5%. has a total of ten components namely the diode laser 80, for example, laser devices or diodes in eight laser diode arrays on, they will be switched off when a defect of a laser bar in a laser diode array, that is, there is a power reduction of 12.5%.
  • [0011]
    Bekannt ist eine Laserdiodenanordnung ( is known (a laser diode assembly GB 2 278 717 A GB 2278717 A ), bei der eine Vielzahl von Laserdioden in Reihe mit einer gemeinsamen Stromquelle betrieben werden. ), In which a plurality of laser diodes in series with a common current source to be operated. Parallel zu jeder Laserdiode ist eine Abschalt- oder Überbrückungseinheit vorgesehen, die die betreffende Laserdiode bei einem Defekt kurzschließt bzw. überbrückt, so dass die Laserdiodenanordnung weiterhin betrieben werden kann. Parallel to each laser diode a power down or lock-up unit is provided, which short-circuits the laser diode concerned with a defect or bridged, so that the laser diode array may continue to be operated. Als Schaltkriterium dient dabei das von der jeweiligen Laserdiode ausgesandte Licht, dh bei einem Fehlen dieses Laserlichtes erfolgt das Kurzschließen der betreffenden Laserdiode. As switching criterion is used while the light emitted from the respective laser diode light, ie in the absence of this laser light, the short-circuiting of the respective laser diode is performed. Nachteilig ist hierbei nicht nur ein relativ großer Schaltungsaufwand für die jeweilige Abschalt- und Überbrückungseinheit, sondern insbesondere auch, dass die jeweilige Einheit mit einem Lichtdetektor im Lichtweg der zugehörigen Laserdiode angeordnet werden muss, wodurch insbesondere auch die Gestaltungsfreiheit einer Laserdiodenanordnung stark eingeschränkt wird. The disadvantage here is not only a relatively large amount of circuitry for the respective shut-off and bridging unit, but in particular also in that the respective unit must be arranged with a light detector in the light path of the associated laser diode, whereby in particular, the design freedom of a laser diode assembly is severely restricted.
  • [0012]
    Bekannt ist weiterhin eine Serienanordnung von lichtemittierenden Dioden ( Also known is a series arrangement (of light emitting diodes JP 59103565 A JP 59103565 A , Abstract) bei der die einzelnen Dioden jeweils über Lichtleiter einen Fotothyristor steuern. Abstract) in which the individual diodes to control, in each case via a light guide photothyristor.
  • [0013]
    Jeder lichtemittierenden Diode ist eine weitere Diode parallel geschaltet, über die bei einem Defekt einer lichtemittierenden Diode der Stromfluss durch die Serienschaltung aufrechterhalten wird. Each light emitting diode is connected in parallel with a further diode, via which the current flow is maintained through the series circuit at a defect of a light emitting diode.
  • [0014]
    Bekannt ist weiterhin eine Laserdiodenanordnung die aus mehreren, aufeinander folgenden Wärmesenken sowie jeweils einem Laserbarren an jeder Wärmesenke besteht ( Also known is a laser diode array consisting of several successive heat sinks, and a respective laser bars on each heat sink ( WO 00/59086 A1 WO 00/59086 A1 ). ).
  • [0015]
    Bekannt ist weiterhin ( is known (still US 2002/0150139 A1 US 2002/0150139 A1 in Serie angeordnete und mit einer Konstantstromquelle betriebe Laserdioden durch Messung der an diesen Dioden anliegenden Spannung auf ein mögliches Fehlverhalten hin zu überwachen. to monitor arranged in series and plants with a constant current source laser diode by measuring the voltage applied to this diode voltage to a possible malfunction out.
  • [0016]
    Aus der From the DE 102 09 374 A1 DE 102 09 374 A1 ist eine Diodenlaseranordnung mit einer Mehrzahl von elektrisch in Reihe geschalteten Diodenlasern bekannt, die jeweils einen auf einem Kühl- und Kontaktelement angeordneten Diodenlaserbarren enthalten, und denen jeweils eine Bypassanordnung elektrisch parallel geschaltet ist. discloses a diode laser array having a plurality of electrically series-connected diode lasers, each containing a arranged on a cooling and contact element diode laser bars, and where a bypass arrangement is connected electrically in parallel, respectively. Die Bypassanordnung ist im Normalbetrieb hochohmig und überbrückt den ihr parallel geschalteten Diodenlaser im Falle eines hochohmigen Defektes des Diodenlasers niederohmig. The bypass assembly has a high resistance in normal operation and it bridges the diode connected in parallel in the case of a high-impedance defect of the diode laser a low resistance. Hierzu ist die Bypassanordnung auf dem Kühl- und Kontaktelement des ihr parallel geschalteten Diodenlasers angeordnet. For this purpose, the bypass arrangement is arranged on the cooling and contact element of the diode laser connected in parallel with it. Die Bypassanordnung schaltet insbesondere dann, wenn die Spannung über den Diodenlaser einen Schwellwert überschreitet. The bypass arrangement switches in particular when the voltage across the diode exceeds a threshold value.
  • [0017]
    Aufgabe der Erfindung ist es, eine Laserdiodenanordnung aufzuzeigen, die diese Nachteile vermeidet und insbesondere auch bei alterungsbedingten Ausfällen einzelner Laserbarren einen Weiterbetrieb eines Diodenlasers mit nur unmerklich reduzierter Leistung ermöglicht. The object of the invention is to show a laser diode assembly which avoids these disadvantages and in particular also with age-related failures of individual laser bars allows continued operation of a diode laser with only insignificantly reduced power.
  • [0018]
    Zur Lösung dieser Aufgabe ist eine Laserdiodenanordnung entsprechend dem Patentanspruch 1 ausgebildet. To achieve this object a laser diode assembly formed in accordance with the patent claim. 1 Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren an verschiedenen Ausführungsbeispielen näher erläutert. The invention is described below with reference to figures in various embodiments. Es zeigen: Show it:
  • [0019]
    1 1 in vereinfachter Darstellung und in Seitenansicht sowie teilweise geschnitten eine Laserdiodenanordnung (Laser-Stack), die aus mehreren, stapelartig übereinander angeordneten und aneinander anschließenden Wärmesenken mit jeweils wenigstens einem Laserbarren und einer Laserbarrenabschalt- oder überbrückungseinheit mit einem von einem elektro-mechanischen Kontakt gebildeten Überbrückungselement; in a simplified representation in side view and partly in section, a laser diode assembly (laser stack), which comprises a plurality of stacked superposed and contiguous heat sinks each having at least one laser bar and a Laserbarrenabschalt- or bridging unit having a space formed by an electro-mechanical contact bridging element;
  • [0020]
    2 2 eine Darstellung wie a representation as 1 1 bei einer abgewandelten Ausführungsform; in a modified embodiment;
  • [0021]
    3 3 eine Darstellung wie a representation as 2 2 , jedoch bei einer weiteren, möglichen Ausführungsform mit einer Laserbarrenabschalt- oder überbrückungseinheit mit einem ungesteuerten Halbleiterbauelement oder Schaltkreis als Überbrückungselement; , But in another possible embodiment with a Laserbarrenabschalt- or bridging unit with an uncontrolled semiconductor device or circuit as a bridging element;
  • [0022]
    4 4 die Spannungs-Strom-Kennlinie des jeweiligen Überbrückungselementes der Laserbarrenabschalt- oder überbrückungseinheit der the voltage-current characteristic of each bridging element of Laserbarrenabschalt- or the bridging unit 3 3 ; ;
  • [0023]
    5 5 in verschiedenen Positionen a–c mögliche Ausführungen für das Überbrückungselement bei der Ausführung der in different positions a-c possible designs for the bridging element in the execution of 3 3 ; ;
  • [0024]
    6 6 in einer Darstellung ähnlich similarly, in a representation 1 1 eine weitere, mögliche Ausführungsform mit Laserbarrenabschalt- oder überbrückungseinheiten mit jeweils einem von einer Steuerelektronik angesteuerten Schaltelement; Another possible embodiment with Laserbarrenabschalt- or bridging units with one driven by an electronic control switching element;
  • [0025]
    7 7 eine Schaltung für die Steuerelektronik und das Schaltelement der a circuit for the control electronics and the switching element of the 6 6 ; ;
  • [0026]
    8 8th in einer Darstellung ähnlich similarly, in a representation 1 1 eine weitere mögliche Ausführungsform mit jeweils auf einem zusätzlichen Substrat vorgesehenen Laserbarrenabschalt- oder überbrückungseinheiten; bridging units a further possible embodiment, each provided on an additional substrate or Laserbarrenabschalt-;
  • [0027]
    9 9 in Seitenansicht und in demontiertem Zustand das Substrat mit der Laserbarrenabschalt- und überbrückungseinheit zusammen mit dem zugehörigen Träger. in side view and in dismantled state, the substrate with the Laserbarrenabschalt- and bridging unit together with the associated carrier.
  • [0028]
    In der In the 1 1 ist mit is with 1 1 allgemein eine Laserdiodenanordnung bezeichnet, die ua aus mehreren, stapelartig übereinander angeordneten, von einem Kühlmedium, beispielsweise Wasser durchströmten und als rechteckförmige Platten oder Quader ausgebildete Wärmesenken generally denotes a laser diode assembly which, inter alia, a stack of a plurality of superimposed, through which a cooling medium such as water and formed as a rectangular or square plate heat sinks 2 2 besteht. consists. An der Oberseite At the top 2.1 2.1 und entlang einer Umfangsseite and along a peripheral side 2.2 2.2 , beispielsweise einer schmäleren Umfangsseite ist an jeder Wärmesenke , For example a narrower peripheral side is attached to each heat sink 2 2 beispielsweise durch Auflöten wenigstens ein Laserbarren for example, by soldering at least one laser bar 3 3 aus Halbleitermaterial (z. B. Halbleiterchip) vorgesehen, der mit seiner Längserstreckung senkrecht zur Zeichenebene der of semiconductor material (eg. as semiconductor chip) is provided which with its longitudinal extension perpendicular to the plane of the 1 1 liegt und an dem in Richtung dieser Längserstreckung aufeinander folgend und voneinander beabstandet mehrere Laserbauelemente oder -dioden gebildet sind, beispielsweise bis zu 200 Laserbauelemente oder Dioden. and is formed successively in the direction of said longitudinal extension and spaced from each other a plurality of laser devices or diodes on which, for example, up to 200 devices or laser diodes. Sämtliche Laserdioden des Laserbarrens sind elektrisch parallel zueinander vorgesehen, und zwar zwischen zwei Kontakten oder Anschlüssen des Laserbarrens All the laser diodes of the laser bar are electrically parallel to each other, between two contacts or terminals of the laser bar 3 3 , mit dem dieser einerseits mit der Oberseite seiner Wärmesenke With which this on the one hand with the upper surface of its heat sink 2 2 verbunden ist und andererseits bei der für die is connected and on the other hand, when for the 1 1 gewählten Darstellung oben mit einem zungenartigen Kontaktelement selected display up with a tongue-like contact element 4 4 . , Dieses ist mittels eines Isolators This is by means of an insulator 5 5 gegenüber der aus dem elektrisch leitenden Material, beispielsweise aus Kupfer bestehenden Wärmesenke over the group consisting of the electrically conductive material, such as copper heat sink 2 2 isoliert und erstreckt sich ausgehend von dem Laserbarren isolated and extends from the laser bar 3 3 in Richtung zu der diesem Laserbarren gegenüberliegenden Umfangsseite toward the opposite peripheral side this laser bar 2.3 2.3 der Wärmesenke the heat sink 2 2 . ,
  • [0029]
    Innerhalb des Stapels liegt die Kontaktzunge Within the stack is the contact tongue 4 4 , insbesondere dort, wo sie von dem Isolator , Especially where they from the insulator 5 5 unterstützt ist, mit ihrer Oberseite gegen die Unterseite is supported with its upper side against the underside 2.4 2.4 der darüberliegenden Wärmesenke the overlying heat sink 2 2 an. at. Die in dem Stapel oberste Kontaktzunge The uppermost in the stack contact tongue 4 4 sowie die Unterseite der in dem Stapel untersten Wärmesenke as well as the underside of the lowermost in the stack heat sink 2 2 sind jeweils über äußere Kontaktelemente are respectively connected through external contact elements 6 6 und zugehörige Anschlußleitungen and associated connecting lines 6.1 6.1 mit einer Gleichspannungs- oder -stromquelle für die Versorgungsspannung U1 verbunden, so daß die Laserbarren connected to a DC or -stromquelle for the supply voltage U1, so that the laser bar 3 3 in Bezug auf diese Versorgungsspannung bzw. den entsprechenden Versorgungsstrom in Reihe zwischen den äußeren Anschlüssen with respect to this supply voltage or to the corresponding supply current in series between the external terminals 6 6 vorgesehen sind. are provided.
  • [0030]
    Bei der in der When the 1 1 dargestellten Ausführung sind insgesamt vier Laserbarren Illustrated embodiment, a total of four laser bars 3 3 vorgesehen. intended. Auch hiervon abweichende Ausführungen mit mehr als vier, z. Also deviating versions with more than four, for example. B. zehn Laserbarren B. ten laser bars 3 3 oder mit weniger als vier Laserbarren or with less than four laser bars 3 3 sind denkbar. are conceivable. Weiterhin umfaßt ein direkter Dioden-Laser und dabei insbesondere ein Laser mit hoher Leistung, bei dem das von den Laserdioden der Laserbarren Further comprising a direct diode laser and in particular a high power laser, wherein the laser diodes of the laser bar 3 3 erzeugte Laserlicht direkt verwendet wird, mehrere derartige Laserdiodenanordnungen Laser generated light is directly used, a plurality of such laser diode arrays 1 1 oder Stapel, deren Laserstrahlen dann in einer geeigneten Optik zu einem gemeinsamen Ausgangsstrahl zusammengeführt werden. or staple, which laser beams are then combined in a suitable optical system to a common output beam.
  • [0031]
    Insbesondere durch Alterung oder aber auch durch Überlastung können einzelnen Laserdioden oder -bauelemente eines Laserbarrens In particular, due to aging or also due to overloading can individual laser diodes or modules area of ​​a laser bar 3 3 ausfallen, so daß sich der weiterhin über diesen Laserbarren fail, so that the further on this laser bar 3 3 fließende Strom auf eine reduzierte Anzahl von Laserdioden konzentriert, die dann möglicherweise durch Überlastung ebenfalls ausfallen, und es so zu einer lawinenartigen Zerstörung sämtlicher Laserdioden an einem Laserbarren concentrated current flowing to a reduced number of laser diodes, which then may also fail due to overload, and so on a avalanche-like destruction of all laser diodes in a laser bar 3 3 kommt, dieser komplett ausfällt und dadurch den Stromfluß durch die restlichen, an sich noch intakten Laserbarren comes, this fails completely and thereby the current flow through the remaining not in itself intact laser bar 3 3 unterbrochen wird. is interrupted. Dies führt bei einem Diodenlaser hoher Leistung zu einem Ausfall eines gesamten Stapels bzw. der gesamten Laserdiodenanordnung und bei mehreren derartigen Stapeln zu einem entsprechenden Leistungsverlust. This results in a high power diode laser to a failure of an entire stack or the entire laser diode assembly and in several such stacks to a corresponding loss of performance.
  • [0032]
    Um dies zu vermeiden bzw. um bei einem Ausfall eines Laserbarrens To avoid this and to in case of failure of a laser bar 3 3 den Stromfluß durch die restlichen, nicht geschädigten Laserbarren the current flow through the remaining, undamaged laser bars 3 3 voll aufrecht zu erhalten, ist bei der in der to get fully erect, is in the 1 1 dargestellten Laserdiodenanordnung für jeden Laserbarren The laser diode shown for each laser bar 3 3 eine gesonderte allgemein mit a separate generally 7 7 bezeichnete Laserbarrenüberbrückungseinheit vorgesehen, die auf der Oberseite Marked laser bars bridging unit is provided which on the top side 2.1 2.1 der Wärmesenke the heat sink 2 2 des Laserbarrens the laser bar 3 3 vorgesehen und bei dieser Ausführungsform als rein elektromechanische Einheit ausgebildet ist. is provided and designed as a purely electromechanical unit in this embodiment.
  • [0033]
    Die Arbeitsweise der Überbrückungseinheit The operation of the bridging unit 7 7 beruht darauf, daß bei einem Ausfall eines Laserbarrens based on the fact that in case of failure of a laser bar 3 3 die an diesem Barren dann anliegende Spannung der Spannung U1 entspricht, also wesentlich höher ist als die normale Betriebsspannung von 1,6 bis 1,8 Volt eines ordnungsgemäß arbeitenden Laserbarrens which is then applied to this ingot voltage of the voltage U1 corresponds to, is thus substantially higher than the normal operating voltage of 1.6 to 1.8 volts of a properly operating laser bar 3 3 . , Durch diesen bei einem Ausfall des Laserbarrens Through this event of a failure of the laser bar 3 3 feststellbaren Spannungsanstieg an den Anschlüssen des Laserbarrens detectable voltage rise at the terminals of the laser bar 3 3 bzw. zwischen der Wärmesenke or between the heat sink 2 2 und der zugehörigen Kontaktzunge and the associated contact tongue 4 4 wird die Laserbarrenüberbrückungseinheit is the laser bars bridging unit 7 7 für ein Überbrücken bzw. Kurzschließen des defekten Laserbarrens for a bridging or short-circuiting of the defective laser bar 3 3 aktiviert und ausgelöst. enabled and triggered.
  • [0034]
    Hierfür weist die Laserbarrenüberbrückungseinheit For this purpose, the laser bars bridging unit 7 7 ein Heizelement a heating element 8 8th auf, welches elektrisch parallel zum zugehörigen Laserbarren on which electrically parallel to the respective laser bars 3 3 liegt und hierfür über einen Anschluß lies and developing a connection 9 9 direkt mit der zugehörigen Wärmesenke directly with the associated heat sink 2 2 und außerdem mit dem einen federnden Kontakt bildenden Ende and also with a resilient contact-forming end 4.1 4.1 der Kontaktzunge the contact tongue 4 4 verbunden ist, und zwar über einen Schmelzkörper in Form eines Plättchens is connected, via a melting body in the form of a lamina 10 10 aus einem elektrisch leitenden, aber bei Hitzeeinwirkung schmelzenden Material, beispielsweise aus einem Lot. of an electrically conductive but heat fusible material action, for example, of a solder.
  • [0035]
    Durch die Abstützung am Plättchen By supporting the plates 10 10 ist die Kontaktfeder the contact spring 4.1 4.1 bzw. ein an dieser Kontaktfeder durch Biegen erzeugter Kontaktbereich or a current generated at this contact spring by bending the contact area 4.2 4.2 von der elektrisch leitenden Oberfläche der zugehörigen Wärmesenke of the electrically conductive surface of the associated heat sink 2 2 beabstandet. spaced. Das Heizelement the heating element 8 8th und das Material für das Plättchen and the material for the platelet 10 10 sind so ausgewählt, daß die normale Betriebsspannung eines Laserbarrens are selected so that the normal operating voltage of a laser bar 3 3 nicht für eine Erwärmung oder nennenswerte Erwärmung des Plättchens not for heating or appreciable warming of the plate 10 10 ausreicht. sufficient. Sobald aber ein Laserbarren But as soon as a laser bar 3 3 ausfällt und dadurch an dem Heizelement precipitates and thereby to the heating element 8 8th des zugehörigen Überbrückungselementes the associated bridging element 7 7 die höhere Spannung U1 anliegt, erfolgt ein Erhitzen des Plättchens the higher voltage U1 is present, then a heating of the plate 10 10 durch das Heizelement by the heating element 8 8th in der Weise, daß dieses Plättchen schmilzt und die Kontaktfeder in a manner such that this tile will melt and the contact spring 4.1 4.1 mit ihrem Kontaktbereich with its contact area 4.2 4.2 gegen die leitende Oberfläche der Wärmesenke against the conductive surface of the heat sink 2 2 zur Anlage kommt, womit der defekte Laserbarren comes to rest, thus the defective laser bar 3 3 dauerhaft durch die Kontaktfeder permanently by the contact spring 4.1 4.1 überbrückt ist. is bridged.
  • [0036]
    Die The 2 2 zeigt als Abwandlung der shows a modification of the 1 1 eine Laserdiodenanordnung a laser diode assembly 1a 1a , die sich von der Laserdiodenanordnung Extending from the laser diode assembly 1 1 und deren Funktion im wesentlichen nur dadurch unterscheidet, daß jedes Laserbarrenüberbrückungselement and the function of which substantially only differs in that every laser bar bridging element 7a 7a , welches wiederum für jeden Laserbarren Which in turn for each laser bar 3 3 gesondert vorgesehen ist, eine das Heizelement is separately provided, a heating element 8 8th ansteuernde Steuerelektronik -addressing control electronics 11 11 aufweist. having. Diese Steuerelektronik These control electronics 11 11 mißt während des Betriebes der Laserdiodenanordnung measuring during operation of the laser diode assembly 1a 1a die an dem zugehörigen Laserbarren the laser bar to the associated 3 3 anliegende Spannung. voltage applied. Übersteigt die gemessene Spannung eine über der üblichen Betriebsspannung liegende Grenzspannung, beispielsweise eine Grenzspannung von 2 bis 3 Volt, so wird über die Steuerelektronik When the measured voltage a temperature above the usual operating voltage limit voltage, for example, a limit voltage of 2 to 3 volts, as will the control electronics 11 11 das Heizelement the heating element 8 8th zum Erhitzen und Aufschmelzen des jeweiligen Schmelzkörpers oder Plättchens for heating and melting of the respective fusible body or plate 10 10 aktiviert, womit wiederum über die Kontaktfeder activated, which in turn via the contact spring 4.1 4.1 und den Kontakt and contact 4.2 4.2 auf elektromechanischem Wege der jeweilige Laserbarren electromechanical means of the respective laser bars 3 3 kurzgeschlossen bzw. überbrückt wird. is short-circuited or bypassed. Die Laserbarrenüberbrückungseinheit The laser bars bridging unit 7a 7a ermöglicht es, auch alterungsbedingte Spannungserhöhungen an einem Laserbarren Also makes it possible aging-related voltage increases to a laser bar 3 3 zu erfassen und als Abschaltkriterium zu nutzen, dh den entsprechenden Laserbarren to capture and use it as a switch-off, ie the corresponding laser bars 3 3 bereits bei einer alterungsbedingten Erhöhung seiner Betriebsspannung abzuschalten, bevor ein endgültiger Ausfall sämtlicher Bauelemente bzw. Laserdioden dieses Laserbarrens eintritt. off already at an age-related increase its operating voltage before a final failure of all devices or laser diodes enters this laser bar. Hierdurch wird insbesondere auch vermieden, daß durch eine alterungsbedingte Spannungserhöhung an einem Laserbarren die verbleibende Spannung an den übrigen Laserbarren abfällt und diese daher nicht mehr die gewünschte Leistung und/oder nicht mehr das gewünschte Laserlichtspektrum liefern. This will in particular avoided that by an aging-related increase in voltage to a laser bar, the remaining voltage drops across the other laser bars, and therefore provide this no longer the desired performance and / or no longer the desired laser light spectrum.
  • [0037]
    Ein wesentlicher Vorteil der Laserbarrenüberbrückungseinheit An important advantage of laser bars bridging unit 7 7 und and 7a 7a besteht darin, daß nach dem Aktivieren der jeweiligen Überbrückungseinheit der betreffende Laserbarren is that after the activation of the respective bridging unit of the laser bar in question 3 3 dauerhaft überbrückt ist, und zwar ohne daß nach dem Überbrücken in der Laserbarrenüberbrückungseinheit is permanently bridged, without that after the bridge in the laser bar bridging unit 7 7 bzw. or. 7a 7a eine Verlustleistung entsteht. a power loss occurs.
  • [0038]
    Die The 3 3 zeigt als weitere mögliche Ausführungsform eine Laserdiodenanordnung shows as a further possible embodiment of a laser diode assembly 1b 1b , bei der die für jeden Laserbarren At which each laser bar 3 3 gesondert vorgesehenen Laserbarrenüberbrückungseinheiten separately provided laser bars bridging units 7b 7b von einem nicht gesteuerten elektronischen Bauteil oder aber von einer Kombination solcher Bauteile gebildet ist. but is formed from a non-controlled electronic component or a combination of such components.
  • [0039]
    Die Funktionsweise der Laserdiodenanordnung The operation of the laser diode assembly 1b 1b bzw. deren Überbrückungseinheiten or their bridging units 7b 7b besteht darin, daß bei einem Ausfall eines Laserbarrens is that in case of failure of a laser bar 3 3 bzw. bei einem Anstieg der Spannung an einem Laserbarren or with an increase in voltage across a laser bar 3 3 über eine vorgegebene Schwell- oder Grenzspannung, beispielsweise über eine Spannung größer als 2 bis 3 Volt, der Stromfluß über die dem betreffenden Laserbarren over a predetermined threshold or limit voltage, for example, via a voltage greater than 2 to 3 volts, the current flow through the laser bar to the respective 3 3 zugeordnete Laserbarrenüberbrückungseinheit associated laser bars bridging unit 7b 7b erfolgt. he follows. Hierfür weist diese Laserbarrenüberbrückungseinheit bzw. dessen Überbrückungselement eine in der For this purpose, these laser bars bridging unit or its bridging element in a 4 4 dargestellte Spannungs-Strom-Kennlinie auf, bei der der durch das Laserbarrenüberbrückungselement fließende Strom I bis zu dem Spannungsgrenzwert U K praktisch vernachläßigbar ist und erst ab der Spannung U K ein Stromfluß in erheblichem Maße möglich ist. illustrated voltage-current characteristic curve in which the current flowing through the laser bars bridging element current I to the threshold voltage U K is practically negligible and only from the voltage U K is a current flow to a considerable extent is possible.
  • [0040]
    In der In the 5 5 sind in den Positionen a–c verschiedene Möglichkeiten für die Ausbildung des Laserbarrenüberbrückungselementes wiedergegeben. different options for the design of the laser bars bridging element are shown in the positions a-c. Entsprechend der Position a ist das Laserbarrenüberbrückungselement beispielsweise von einem Mosfet Corresponding to the position a, the laser bars bridging member is, for example, by a Mosfet 12 12 mit Brücke zwischen Drain und Gate gebildet, wobei sich für die Schwellspannung U K ein Spannungswert zwischen etwa 3 und 5 Volt ergibt. formed with bridge between drain and gate, wherein a voltage value between about 3 and 5 volts is obtained for the threshold voltage U K. Entsprechend der Position b besteht das Überbrückungselement der Laserbarrenüberbrückungseinheit Corresponding to the position b is the bridging element, the laser bar bridging unit 7b 7b aus einer Zener-Diode of a Zener diode 13 13 , wobei die Zenerspannung und damit die Schwellspannung U K bei dieser Ausführung durch entsprechende Dotierung des Halbleitermaterials auf einen Wert eingestellt werden kann, der sehr knapp über der üblichen Betriebsspannung des Laserbarrens Wherein the zener voltage and the threshold voltage U K can be adjusted in this embodiment by appropriate doping of the semiconductor material to a value very close to the usual operating voltage of the laser bar 3 3 liegt. lies.
  • [0041]
    Die Position The position 3c 3c zeigt die Kombination shows the combination 14 14 zweier Silizium-Dioden, die parallel zu dem betreffenden Laserbarren two silicon diodes parallel to the respective laser bars 3 3 liegten wobei sich dann eine Grenzspannung U K ergibt, die der doppelten Schwellspannung bei Siliziumdioden entspricht, beispielsweise im Bereich zwischen 1,6 bis 2,2 Volt liegt. kind and attentive service which case a threshold voltage results in U K, which corresponds to twice the threshold voltage for silicon diodes, for example, is in the range between 1.6 to 2.2 volts. Ist eine niedrigere Grenzspannung erwünscht, so ist auch eine Reihenschaltung aus einer Silizium-Schottky-Diode mit einer Silizium-Diode mit PN-Übergang oder aber die Reihenschaltung einer Siliziumdiode und einer Germaniumdiode denkbar. Is a lower limit voltage is desired, a series connection of a silicon Schottky diode with a silicon diode having a PN junction, or the series connection of a silicon diode and a germanium diode is conceivable.
  • [0042]
    Die Laserbarrenüberbrückungseinheit The laser bars bridging unit 7b 7b hat den Vorteil einer einfachen und robusten Ausführung, allerdings auch den Nachteil, daß nach dem Abschalten eines Laserbarrens has the advantage of simple and robust design, but also the disadvantage that after turning off a laser bar 3 3 eine erhebliche Spannung dann an dem Laserbarrenüberbrückungselement then a substantial voltage to the laser bar bridging element 7b 7b anliegt, die unter Berücksichtigung des durch die Laserdiodenanordnung applied, taking into account of by the laser diode assembly 1b 1b fließenden Stromes eine nicht unerhebliche Verlustleistung bedeutet, welche über die betreffende Wärmesenke current flowing means a considerable power dissipation, which via the respective heat sink 2 2 abgeführt werden muß. must be dissipated.
  • [0043]
    Die The 6 6 zeigt in einer Darstellung wie shows in a representation as 1 1 als weitere Ausführung eine Laserdiodenanordnung as a further embodiment a laser diode assembly 1c 1c mit Laserbarrenüberbrückungseinheiten with laser bars bridging units 7c 7c , von denen wiederum jede einem Laserbarren Of which, in turn, each a laser bars 3 3 zugeordnet und an der Oberseite associated with and at the top 2.1 2.1 der Wärmesenke the heat sink 2 2 dieses Laserbarrens vorgesehen ist. This laser bar is provided.
  • [0044]
    Jede Laserbarrenüberbrückungseinheit Each laser bar bridging unit 7c 7c besteht aus einer Steuerelektronik consists of an electronic control system 16 16 und aus einem von dieser Steuerelektronik angesteuerten Schaltelement and a driven by the electronic control switching element 17 17 , welches im geschalteten oder aktiviertem Zustand die Überbrückung des zugeordneten Laserbarrens Which in the switched or activated state, the lock-up of the associated laser bar 3 3 bewirkt. causes. Das Schaltelement The switching element 17 17 liegt hierfür mit seiner Schaltstrecke zwischen der der Kontaktzunge this lies with its switching path between the contact tongue 4 4 entsprechenden Kontaktzunge corresponding contact tongue 4c 4c und der leitenden Oberfläche der betreffenden Wärmesenke and the conductive surface of the respective heat sink 2 2 . , Für die einzelnen Laserbarrenüberbrückungseinheiten For each laser bar bridging units 7c 7c ist bei der in der is in the 6 6 dargestellten Ausführungsform eine gesonderte Spannungsversorgungsquelle vorgesehen, die die Versorgungsgleichspannung U2 liefert. Embodiment shown, a separate power supply source is provided which supplies the supply voltage U2. Diese Versorgungsspannung U2 ist etwas größer als die Versorgungsspannung U1 für die Reihenschaltung der Laserbarren This supply voltage U2 is slightly larger than the supply voltage U1 for the series connection of the laser bars 3 3 , und zwar , in fact U2 = U1 + U X , U2 = U1 + U X, wobei U X diejenige Spannung ist, die die jeweilige Laserbarrenüberbrückungseinheit wherein X U is the voltage which the respective laser bars bridging unit 7c 7c bzw. deren Steuerelektronik or its control electronics 16 16 und Schaltelement and switching element 17 17 für die Arbeitsweise benötigen. need for the operation. Die Spannung U X liegt beispielsweise im Bereich zwischen 10 und 15 Volt. The voltage U X is for example in the range 10 to 15 volts.
  • [0045]
    Die generelle Arbeitsweise jeder Steuerelektronik The general operation of each control electronics 16 16 entspricht der Arbeitsweise der Steuerelektronik corresponds to the operation of the control electronics 11 11 , dh die Steuerelektronik , That the control electronics 16 16 vergleicht die an dem zugehörigen Laserbarren compares the corresponding to the laser bar 3 3 bzw. die zwischen der Kontaktzunge or between the contact tongue 4c 4c und der Wärmesenke and the heat sink 2 2 anliegende Spannung mit einem Schwellwert oder einer Referenzspannung U Ref . voltage applied to a threshold or a reference voltage U ref. Übersteigt die an dem Laserbarren Exceeds the on the laser bar 3 3 anliegende Spannung den Schwellwert, so wird das Schaltelement voltage applied to the threshold value, the switching element is 17 17 derart angesteuert, daß es den betreffenden Laserbarren driven such that the respective laser bars 3 3 überbrückt. bridged.
  • [0046]
    Die The 7 7 zeigt die Schaltung einer möglichen Ausführung der Laserbarrenüberbrückungseinheit shows the circuit of a possible embodiment of the laser bars bridging unit 7c 7c . , Das Schaltelement The switching element 17 17 ist bei dieser Ausführung von einem Leistungstransistor T2 (Mosfet) gebildet, der im normalen Betriebszustand gesperrt ist und mit seiner Drain-Source-Strecke parallel zu dem betreffenden Laserbarren is in this embodiment of a power transistor T2 (MOSFET) is formed, which is locked in the normal operating condition and with its drain-source path in parallel with the respective laser bars 3 3 bzw. parallel zu den Anschlüssen LD (+) und LD (–) des Laerbarrens liegt. or parallel to the terminals LD (+) and LD (-) of the Laerbarrens located.
  • [0047]
    Die Steuerelektronik The control electronics 16 16 umfaßt ua eine von dem Transistor T1, dem Widerstand R1, der Zenerdiode D1 und dem Kondensator C1 gebildete Spannungsregelung. inter alia comprises a voltage regulator formed by transistor T1, the resistor R1, the Zener diode D1 and the capacitor C1. Weiterhin umfaßt die Steuerelektronik einen Komparator CP, dem die zwischen den Anschlüssen LD (+) und LD (–) anliegende Spannung sowie die mit dem Spannungsteiler bestehend aus dem Widerstand R2 und der Zenerdiode D2 gebildete Referenzspannung U Ref zugeführt wird. Furthermore, the control electronics includes a comparator CP, to which the LD between the terminals (+) and LD (-) applied voltage and the reference voltage consisting formed with the voltage divider consisting of the resistor R2 and the Zener diode D2 is supplied to U ref. Der Ausgangs des Komparators CP steuert ein Speicherelement FF, dessen Ausgang über eine von den beiden Transistoren T3 und T4 gebildeten Spannungs- oder Emitterfolger das Gate des Transistors T2 ansteuert. The output of the comparator CP controls a memory element FF, whose output drives the gate of transistor T2 via a formed by the two transistors T3 and T4 voltage or emitter follower.
  • [0048]
    Für die Steuerelektronik For the control electronics 16 16 sind stromsparende Bauelemente verwendet, so daß der Stromverbrauch im μA-Bereich liegt und auch die Verlustleistung am Spannungsregler- Transistor T1 gering ist. are low-power devices used so that the power consumption is in the uA range and also the power loss at the voltage regulator transistor T1 is low. Ströme bzw. Energie, die für schnelle Schaltvorgänge benötigt werden, können dem Kondensator C1 entnommen werden. Currents or energy needed for fast switching operations can be taken from the capacitor C1.
  • [0049]
    Parallel zu Gate und Drain des Transistors T2 ist eine Diode D3 angeordnet, die das Umschalten des Transistors T2 in den leitenden Zustand beschleunigt, und zwar dann, wenn die Spannung zwischen den Anschlüssen LD (+) und LD (–) den Schwellwert übersteigt. Parallel to the gate and drain of the transistor T2, a diode D3 is arranged, which accelerates the switching of the transistor T2 into the conducting state, namely, when the voltage between the terminals LD (+) and LD (-) exceeds the threshold value.
  • [0050]
    Die Arbeitsweise der in der The operation of the in 7 7 gezeigten Ausführung der Laserbarrenüberbrückungseinheit Embodiment of the laser bars bridging unit shown 7c 7c ergibt sich aus dieser Darstellung, dh im Normalzustand liegt am Ausgang des Komparators CP und damit auch am Ausgang des Speichers FF der Spannungswert Null an, so daß der Transistor T2 gesperrt ist. results from this diagram, that in the normal state is located at the output of the comparator CP, and thus also at the output of the memory FF, the voltage value zero, so that the transistor T2 is blocked. Steigt bei einem Ausfall des Laserbarrens Increases in case of failure of the laser bar 3 3 die Spannung über den Schwellwert U Ref , dann gehen die Ausgänge des Komparators sowie des Speichers FF in den High-Zustand über und der Transistor T2 in den leitenden Zustand, womit der entsprechende Laserbarren the voltage above the threshold value U Ref, then go to the outputs of the comparator and the memory FF in the high state and the transistor T2 into the conducting state, whereby the respective laser bars 3 3 überbrückt bzw. kurzgeschlossen ist. is bypassed or short-circuited. Um diesen Zustand aufrecht zu erhalten, ist das Speicherelement FF beispielsweise ein nicht flüchtiger Speicher, beispielsweise ein EE-PROM oder aber ein Mikroprozessor mit einem EE-PROM. In order to maintain this state, the memory element FF, for example, a nonvolatile memory, such as an EEPROM or a microprocessor with an EE-PROM.
  • [0051]
    Grundsätzlich besteht bei der beschriebenen Ausbildung des Laserbarrenüberbrückungselementes Basically, in the described embodiment of the laser bars bridging element 7c 7c auch die Möglichkeit, die Versorgungsspannung für die Steuerelektronik also the possibility of the supply voltage for the control electronics 16 16 und das Schaltelement and the switching element 17 17 jeweils durch DC/DC-Wandlung aus der am Laserdiodenbarren respectively by DC / DC conversion from the laser diode bars 3 3 anliegenden Spannung zu generieren. applied voltage to generate. Der Vorteil dieser Lösung wäre, daß auf die externe zusätzliche Versorgungsspannung U2 verzichtet werden kann. The advantage of this solution would be that it is possible to dispense with the external additional supply voltage U2. Ein Problem besteht allerdings darin, daß bei durch den Transistor T2 (Mosfet) überbrücktem Laserbarren One problem is that when bridged by the transistor T2 (MOSFET) laser bar 3 3 die dann anliegende Spannung sehr klein und auch vom Strom abhängig ist (beispielsweise in der Größenordnung von 0,5 Volt). then the applied voltage is very small and also depends on the current (for example of the order of 0.5 volts). In diesem Fall ist es dann zweckmäßig, vor der eigentlichen Inbetriebnahme der Laserdiodenanordnung In this case it is expedient before the actual commissioning of the laser diode assembly 1c 1c diese mit einem kleinen Strom zu beaufschlagen. this to apply with a small current.
  • [0052]
    Vorteilhaft wäre bei dieser Ausführung auch, als Schaltelement ein im Normalzustand leitendes Mosfet (Verarmungs-Mosfet) zu verwenden, da sich dieses bereits bei einer Gate-Spannung Null im leitenden Zustand befindet und hierdurch die Problematik der fehlenden oder der zu niedrigen Versorgungsspannung bei überbrücktem Laserdiodenbarren , Would be advantageous in this embodiment to use as a switching element a in the normal state conducting MOSFET (depletion MOSFET) Also, since this is already at a gate voltage is zero in the conductive state, and thereby the problem of the lack of or too low a supply voltage at bridged laser diode bar 3 3 entschärft ist. is disarmed.
  • [0053]
    Die The 8 8th und and 9 9 zeigen als weitere mögliche Ausführungsform eine Laserdiodenanordnung show as a further possible embodiment of a laser diode assembly 1d 1d , die sich von der Laserdiodenanordnung Extending from the laser diode assembly 1c 1c im wesentlichen dadurch unterscheidet, daß die Laserbarrenüberbrückungseinheit substantially differs in that the laser bars bridging unit 7d 7d bzw. die diesen Überbrückungseinheit bildenden Elemente, nämlich die Steuerelektronik or the bridging unit forming these elements, namely the control electronics 16 16 und das Schaltelement and the switching element 17 17 an der Unterseite eines zusätzlichen flachen, plattenförmigen Trägers oder Substrates at the bottom of an additional flat plate-shaped support or substrate 18 18 (Kontaktträger) angeordnet sind. (Contact carrier) are arranged. Das Schaltelement The switching element 17 17 ist mit einer Kontaktfeder is provided with a contact spring 19 19 versehen. Provided. Im montierten Zustand ist (mit Ausnahme des obersten Substrats In the assembled state (except for the uppermost substrate 18 18 ) das jeweilige Substrat ) The respective substrate 18 18 in dem von den Wärmesenken where from the heat sinks 2 2 gebildeten Stapel mit einem Teilbereich zwischen der Oberseite einer der Kontaktzunge Stack formed with a partial area between the top of one of the contact tongue 4c 4c entsprechenden Kontaktzunge corresponding contact tongue 4d 4d und der Unterseite and the bottom 2.4 2.4 einer benachbarten Wärmesenke an adjacent heat sink 2 2 angeordnet und durch Einspannen oder auf andere geeignete Weise gehalten. arranged and held by clamping or in any other suitable manner. Das oberste Substrat The top substrate 18 18 ist zwischen dem in der is provided between the in the 8 8th nicht dargestellten äußeren Anschlußkontakt outer connecting contact is not shown 6 6 und der benachbarten Kontaktzunge and the adjacent contact blade 4d 4d gehalten. held. Die Kontaktfeder The contact spring 19 19 liegt dabei federnd gegen die Oberseite lies resiliently against the upper surface 1.2 1.2 der elektrisch leitenden Wärmesenke the electrically conductive heat sink 2 2 an und stellt hierdurch ohne Löten oder Bonden einen Kontakt zwischen dem Schaltelement and provides thereby without soldering or bonding a contact between the switching element 17 17 und der Wärmesenke bzw. dem mit dieser Wärmesenke verbundenen Anschluß des Laserbarrens and the heat sink or the heat sink associated with that terminal of the laser bar 3 3 her. ago.
  • [0054]
    Das Substrat the substrate 18 18 besteht beispielsweise aus einer Schicht aus einem isolierenden Material, die beidseitig mit einer Metallschicht versehen ist. example, consists of a layer of an insulating material which is provided on both sides with a metal layer. Durch eine entsprechende Strukturierung sowie Durchkontaktierung ist erreicht, daß über das Substrat By an appropriate patterning and via is achieved that on the substrate 18 18 einerseits eine elektrische Verbindung zwischen dem Schaltelement on the one hand an electrical connection between the switching element 17 17 und der zugehörigen Kontaktzunge and the associated contact tongue 4d 4d besteht, andererseits über das Substrat is, on the other hand over the substrate 18 18 auch eine elektrische Verbindung zwischen jeder Kontaktzunge and an electrical connection between each contact blade 4d 4d und der benachbarten Wärmesenke and the adjacent heat sink 2 2 bzw. dem benachbarten äußeren Anschlußkontakt or the adjacent outer terminal contact 6 6 hergestellt ist. is made.
  • [0055]
    Wie dargestellt, steht das Substrat As shown, the substrate is 18 18 mit einem Teilbereich a sub-region 18.1 18.1 über die dem Laserbarren on the laser bar 3 3 abgewandte Seite Rear facing 2.3 2.3 der betreffenden Wärmesenke the heat sink in question 2 2 weg. path. An diesem Teilbereich At this subregion 18.1 18.1 sind die Steuerelektronik are the control electronics 16 16 und das Schaltelement and the switching element 17 17 vorgesehen, so daß die Höhe der Wärmesenke provided so that the height of the heat sink 2 2 als Raum für die Unterbringung dieser Elemente genutzt werden kann. can be used as space for accommodating these elements. Die Steuerelektroniken The control electronics 16 16 der Laserbarrenüberbrückungseinheiten the laser bar bridging units 7d 7d werden beispielsweise wiederum in der im Zusammenhang mit der for example, again in the context of the 6 6 beschriebenen Weise mit der Versorgungsgleichspannung U2 versorgt. Manner described with the DC supply voltage U2 supplied. Auch eine andere, im Zusammenhang mit der Also another, in connection with the 6 6 beschriebenen Versorgung der jeweiligen Steuerelektronik Supply of the respective control electronics described 16 16 z. z. B. durch DC/DC-Wandlung aus der am Laserdiodenbarren As by DC / DC conversion from the laser diode bars 3 3 anliegenden Spannung usw. ist möglich. applied voltage, etc. is possible.
  • [0056]
    Weiterhin ist es möglich, bei der Ausführung der Furthermore, it is possible in the practice of 8 8th anstelle der Steuerelektronik instead of the control electronics 16 16 und des steuerbaren Schaltelementes, welches z. and the controllable switching element which, for. B. ein Transistor, Mosfet, Thyristor usw. ist, ein elektromechanisches Schalt- oder überbrückungselement vorgesehen, beispielsweise einen der Kontaktfeder is for example a transistor, MOSFET, thyristor, etc., an electro-mechanical switching or bridging element provided, for example one of the contact spring 4.1 4.1 entsprechenden federnden Kontakt zusammen mit einem Heizelement corresponding resilient contact with a heating element 8 8th und einem schmelzbaren Abstandhalter and a fusible spacer 10 10 . ,
  • [0057]
    Die Erfindung wurde voranstehend an verschiedenen Ausführungsbeispielen beschrieben. The invention has been described above based on various embodiments. Es versteht sich, daß zahlreiche weitere Abwandlungen und Modifikationen möglich sind, ohne daß dadurch der der Erfindung zugrundeliegende Erfindungsgedanke verlassen wird. It is understood that numerous other variations and modifications are possible without departing from the concept underlying the invention of the invention is exited. So ist es beispielsweise möglich, eine Laserbarrenüberbrückungseinheit oder dessen Überbrückungselement in den Laserbarren zu integrieren, und zwar insbesondere auch dann, wenn diese Überbrückungseinheit oder dessen Überbrückungselement von einem oder mehreren Halbleiterbauelementen gebildet ist und/oder von Strukturen, die in Halbleitertechnologie hergestellt werden können. Thus, it is for example possible to incorporate a laser bar bridging unit or its bridging element in the laser bar, in particular, even if this bridging unit or its bridging element is formed of one or more semiconductor components and / or structures which may be manufactured in semiconductor technology.
  • [0058]
    Weiterhin besteht auch die Möglichkeit, die einzelnen Laserbarrenüberbrückungseinheiten Furthermore, there is also the possibility of the individual laser bars bridging units 7 7 - 7c 7c beispielsweise mit einem Daten- oder Steuer-Bus zu verbinden, über den dann der Zustand der einzelnen Laserbarren oder Laserdiodenanordnungen (Stacks) eines Laser angezeigt und/oder ausgelesen werden kann. can be, for example, to connect to a data or control bus through which then the state of the individual laser bars or diode arrays (stacks) displayed a laser and / or read. Weiterhin könnte ein derartiger Daten- oder Steuer-Bus auch dazu verwendet werden, eine gezielte Abschaltung einzelner Laserbarren Furthermore, such data or control bus could also be used to perform a targeted shutdown of individual laser bars 3 3 von außen vorzunehmen bzw. einzuleiten. carry out from the outside or to start.
  • [0059]
    Bei der beschriebenen Ausführungen insbesondere der In the described embodiments, particularly the 1 1 , . 2 2 und and 6 6 besteht weiterhin auch die Möglichkeit, über die an der Reihenschaltung der Laserbarren anliegende Spannung die Anzahl der defekten und abgeschalteten Laserbarren further there is also the possibility, via the voltage applied to the series circuit of the laser bar voltage, the number of defective and shut down the laser bar 3 3 zu ermitteln. to determine.
  • 1, 1a, 1b, 1c, 1d 1, 1a, 1b, 1c, 1d
    Laserdiodenanordnung The laser diode
    2 2
    Wärmesenke heat sink
    2.1 2.1
    Oberseite top
    2.2, 2.3 2.2, 2.3
    Umfangsseite peripheral side
    2.4 2.4
    Unterseite bottom
    3 3
    Laserbarren laser bars
    4, 4b, 4c 4, 4b, 4c
    Kontaktzunge contact tongue
    4.1 4.1
    Kontaktfeder contact spring
    4.2 4.2
    Kontaktbereich contact area
    5 5
    Isolator insulator
    6 6
    Anschlußkontakt connection contact
    6.1 6.1
    Anschlußleitung lead
    7, 7a, 7b, 7c, 7d 7, 7a, 7b, 7c, 7d
    Laserbarren überbrückungseinheit Laser bars bridging unit
    8 8th
    Heizelement heating element
    9 9
    Anschluß Connection
    10 10
    Abstandhalter aus elektrisch leitenden aber schmelzfähigen Material Spacers made of electrically conductive material but meltable
    11 11
    Steuerelektronik control electronics
    12 12
    Mosfet Mosfet
    13 13
    Zenerdiode Zener diode
    14 14
    Diodenanordnung diode array
    16 16
    Steuerelektronik control electronics
    17 17
    Schaltelement switching element
    18 18
    Substrat substratum
    18.1 18.1
    Abschnitt section
    19 19
    Kontaktfeder contact spring

Claims (14)

  1. Laserdiodenanordnung mit mehreren elektrisch in Reihe geschalteten Laserbarren ( The laser diode assembly (with a plurality of electrically series-connected laser bar 3 3 ), wobei ein Laserbarren ( ), Wherein a laser bars ( 3 3 ) jeweils mehrere Dioden oder Emitter aufweist und jedem Laserbarren ( ) Each and a plurality of diodes or emitters each laser bar ( 3 3 ) eine Überbrückungseinheit ( ) Is a bridging unit ( 7 7 , . 7d 7d ) zugeordnet ist, die den ihr zugeordneten Laserbarren ( is assigned to), the (its associated laser bar 3 3 ) dann überbrückt, wenn die an diesem Laserkarren ( ) Then bridged, if the (in this laser carts 3 3 ) anliegende Spannung einen vorgegebenen Schwellwert (U Ref ) übersteigt, bei der jeder Laserbarren ( ) Applied voltage Ref) exceeds a predetermined threshold value (U, wherein the (each laser bar 3 3 ) zusammen mit der zugehörigen Überbrückungseinheit ( ) (Together with the associated bridging unit 7 7 , . 7d 7d ) auf einem gemeinsamen als Wärmesenke ausgebildeten Träger ( ) (On a common heat sink designed as a carrier 2 2 ) vorgesehen ist und bei der die Träger ( ) Is provided and in which (the carrier 2 2 ) stapelartig aneinander anschließend angeordnet sind, und zwar derart, dass die Überbrückungseinheiten ( ) Are stacked, then placed against each other, and such that the lock-up units ( 7 7 , . 7d 7d ) zwischen den stapelartig aneinander anschließenden Trägern ( ) (Between stacked adjoining carriers 2 2 ) vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet , dass die Überbrückungseinheiten ( ) Are provided, characterized in that the lock-up units ( 7 7 , . 7d 7d ) als rein elektromechanische Einheiten ausgebildet sind, mittels denen der defekte Laserbarren ( ) Are designed as purely electromechanical units, by means of which the defective laser bars ( 3 3 ) dauerhaft überbrückt wird. ) Is bridged permanently.
  2. Laserdiodenanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Träger ( The laser diode assembly according to claim 1, characterized in that the support ( 2 2 ) jeweils zumindest teilweise aus einem elektrisch leitenden Material, beispielsweise aus Metall bestehen und dadurch durch jeden Träger ( ) Each at least partially made of an electrically conductive material, for example of metal and characterized (by each carrier 2 2 ) hindurch eine elektrische Verbindung zwischen einem elektrisch leitenden Bereich an einer ersten Trägerseite ( ) Through an electrical connection between an electrically conductive region on a first substrate side ( 2.1 2.1 ), der mit einem ersten Anschluss seines Laserbarrens ( ), Which (to a first terminal of its laser bar 3 3 ) verbunden ist, und einem elektrisch leitenden Bereich einer zweiten, gegenüberliegenden Trägerseite ( ) Is connected, and (an electrically conductive region of a second, opposite side of the support 2.4 2.4 ) besteht, dass an der ersten Trägerseite ( ), Is that (at the first side of the support 2.1 2.1 ) elektrisch isoliert ein Kontaktelement ( ) Electrically insulated from a contact element ( 4 4 ) zum Kontaktieren eines zweiten Anschlusses des Laserbarrens ( ) (For contacting a second terminal of the laser bar 3 3 ) vorgesehen ist, und dass die Träger ( ) Is provided, and that the carrier ( 2 2 ) in dem die Laserdiodenanordnung bildenden Stapel derart angeordnet sind, dass mit Ausnahme des untersten Trägers ( ) Are in said laser diode array forming stacks arranged such that (with the exception of the lowermost carrier 2 2 ) jeder Träger für eine elektrische Verbindung mit dem elektrisch leitenden Bereich seiner zweiten Trägerseite ( ) Of each carrier (for electrical connection to the electrically conductive region of its second support side 2.4 2.4 ) gegen das Kontaktelement ( ) (Against the contact element 4 4 , . 4d 4d ) eines benachbarten Trägers ( () Of an adjacent carrier 2 2 ) anliegt. ) Is present.
  3. Laserdiodenanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktelemente Kontaktzungen ( The laser diode assembly according to claim 2, characterized in that the contact elements contact lugs ( 4 4 ) sind, ) are,
  4. Laserdiodenanordnung nach einem der vorhergehenden Anspreche, dadurch gekennzeichnet, dass die Überbrückungseinheit ( The laser diode assembly according to any preceding Anspreche, characterized in that the bridging unit ( 7 7 , . 7d 7d ) ein Überbrückungselement ( ) A bridging member ( 4.1 4.1 , . 17 17 ) aufweist, welches parallel zu dem zugehörigen Laserbarren ( ) Which (parallel to the associated laser bar 3 3 ) liegt. ) lies.
  5. Laserdiodenanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die jeweilige Überbrückungseinheit ( The laser diode assembly according to any one of the preceding claims, characterized in that the respective bridging unit ( 7d 7d ) auf einem mit dem Träger ( ) On one (with the carrier 2 2 ) zumindest mechanisch verbundenen Substrat ( ) At least mechanically bonded substrate ( 18 18 ) vorgesehen ist. ) is provided.
  6. Laserdiodenanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat ( The laser diode assembly according to claim 5, characterized in that the substrate ( 18 18 ) an derjenigen Seite ( ) (On the side 2.1 2.1 ) des Trägers befestigt ist, an der auch der wenigstens eine Laserbarren ( ) Of the support is fixed, in which also the at least one laser bar ( 3 3 ) vorgesehen ist. ) is provided.
  7. Laserdiodenanordnung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat ( The laser diode assembly according to claim 5 or 6, characterized in that the substrate ( 18 18 ) zumindest teilweise über die dem wenigstens einen Laserbarren ( ) At least partially over the (the at least one laser bar 3 3 ) entfernt liegende Seite ( () Distant side 2.3 2.3 ) des Trägers übersteht. ) Of the carrier protrudes.
  8. Laserdiodenanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Steuerelektronik ( The laser diode assembly according to any one of the preceding claims, characterized by control electronics ( 11 11 , . 16 16 ), die die Betriebsspannung an dem jeweiligen Laserbarren ( ), Which (the operating voltage at the respective laser bars 3 3 ) überwacht und mit dem Schwellwert (U Ref ) vergleicht und bei Überschreiten des Schwellwertes (U Ref ) ein Signal zum Aktivieren der Überbrückungseinheit ( ) And monitored with the threshold value (U ref) and on exceeding the threshold value U Ref) (a signal for activating the lock unit ( 7 7 , . 7d 7d ) oder des Überbrückungselementes ( ) Or of the bridging element ( 4.1 4.1 , . 17 17 ) liefert. ) Returns.
  9. Laserdiodenanordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Überbrückungselement ein mechanischer Kontakt ( The laser diode assembly according to one of claims 4 to 8, characterized in that the bridging element is a mechanical contact ( 4.1 4.1 ) ist, und dass Steuermittel ( ), And that control means ( 8 8th , . 10 10 ) vorgesehen sind, um den mechanischen Kontakt ( ) are provided to the mechanical contact ( 4.1 4.1 ) bei Überschreiten des Schwellwertes (U Ref ) aus einem normalerweise geöffneten Zustand in einen zugehörigen Laserbarren ( ) Upon exceeding the threshold value (U Ref) from a normally open state (in an associated laser bar 3 3 ) überbrückenden Zustand zu bringen. ) Bridging state to bring.
  10. Laserdiodenanordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der mechanische Kontakt ( The laser diode assembly of claim 9, characterized in that the mechanical contact ( 4.1 4.1 ) federnd in die Schließstellung vorgespannt ist und dass die Mittel zum Auslösen oder Steuern des Kontaktes von einem Schmelzkörper ( ) Is resiliently biased into the closed position and that the means for triggering or controlling the contact (from a melt body 10 10 ) sowie von einem diesen Schmelzkörper erhitzenden Heizelement ( ) And heated by a heating element this melting body ( 8 8th ) gebildet sind. ) Are formed.
  11. Laserdiodenanordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Schmelzkörper ( The laser diode assembly according to claim 10, characterized in that the melting body ( 10 10 ) ein den mechanischen Kontakt ( ) Is a mechanical contact ( 4.1 4.1 ) in der geöffneten Stellung haltender Abstandhalter ist. ) Retaining in the open position, spacer.
  12. Laserdiodenanordnung nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass der geöffnete Kontakt ( The laser diode assembly according to claim 10 or 11, characterized in that the open contact ( 4.1 4.1 ) und das Heizelement ( ) And the heating element ( 8 8th ) eine parallel zum zugehörigen Laserbarren ( ) One (parallel to the respective laser bars 3 3 ) liegende Serienschaltung bilden. form) series circuit lying.
  13. Laserdiodenanordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Heizelement ( The laser diode assembly according to any one of claims 10 to 12, characterized in that the heating element ( 8 8th ) durch die Steuerelektronik ( ) (By the control electronics 11 11 ) angesteuert ist. ) Is driven.
  14. Laserdiodenanordnung nach einem der Ansprüche 9 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass der mechanische Kontakt ( The laser diode assembly according to any one of claims 9 to 13, characterized in that the mechanical contact ( 4.1 4.1 ) des Überbrückungselementes von einer Teillänge einer Kontaktzunge ( ) Of the bridging element by a partial length of a contact tongue ( 4 4 ) gebildet ist, die auch das Kontaktelement zum Kontaktieren der betreffenden Laserbarren ( is formed), which (also the contact element for contacting the respective laser bars 3 3 ) bildet. ) Forms.
DE2002154566 2002-11-21 2002-11-21 The laser diode with bridging units Expired - Fee Related DE10254566B4 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2002154566 DE10254566B4 (en) 2002-11-21 2002-11-21 The laser diode with bridging units

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2002154566 DE10254566B4 (en) 2002-11-21 2002-11-21 The laser diode with bridging units

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10254566A1 true DE10254566A1 (en) 2004-06-17
DE10254566B4 true DE10254566B4 (en) 2009-01-29

Family

ID=32318624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2002154566 Expired - Fee Related DE10254566B4 (en) 2002-11-21 2002-11-21 The laser diode with bridging units

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10254566B4 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104733409A (en) * 2013-12-20 2015-06-24 F.+S.资产管理有限公司 carrier module with bridging element for a semiconductor element

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004056621A1 (en) * 2004-08-21 2006-02-23 Dilas Diodenlaser Gmbh Diode laser with a protection element which works to limit the diode radiation intensity based on the radiation emitted from the rear side of the diode and detected by a photo-sensitive area of the protection element
DE102008031029B4 (en) * 2008-06-30 2012-10-31 Texas Instruments Deutschland Gmbh An electronic device having a protection circuit for a light emitting device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59103565A (en) * 1982-12-03 1984-06-15 Hitachi Ltd Series connection circuit for light emitting diode
GB2278717A (en) * 1993-05-31 1994-12-07 Fujitsu Ltd Driver circuit for light emitting elements
DE19840511A1 (en) * 1997-09-09 1999-06-10 Mitsubishi Electric Corp Power-supply control apparatus of a laser diode
WO2000059086A1 (en) * 1999-03-29 2000-10-05 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode packaging
US20020150139A1 (en) * 2000-12-27 2002-10-17 Toshiki Koshimae Solid-state laser device
DE10209374A1 (en) * 2002-03-02 2003-07-31 Rofin Sinar Laser Gmbh Diode laser arrangement, e.g. for pumping solid state lasers, has series diode lasers with normally high impedance bypass elements for bridging diode lasers with high impedance defects

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59103565A (en) * 1982-12-03 1984-06-15 Hitachi Ltd Series connection circuit for light emitting diode
GB2278717A (en) * 1993-05-31 1994-12-07 Fujitsu Ltd Driver circuit for light emitting elements
DE19840511A1 (en) * 1997-09-09 1999-06-10 Mitsubishi Electric Corp Power-supply control apparatus of a laser diode
WO2000059086A1 (en) * 1999-03-29 2000-10-05 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode packaging
US20020150139A1 (en) * 2000-12-27 2002-10-17 Toshiki Koshimae Solid-state laser device
DE10209374A1 (en) * 2002-03-02 2003-07-31 Rofin Sinar Laser Gmbh Diode laser arrangement, e.g. for pumping solid state lasers, has series diode lasers with normally high impedance bypass elements for bridging diode lasers with high impedance defects

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Patent Abstract of Japan & JP 59103565 A; *
Patent Abstract of Japan: JP 59-103 565 A

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104733409A (en) * 2013-12-20 2015-06-24 F.+S.资产管理有限公司 carrier module with bridging element for a semiconductor element
CN104733409B (en) * 2013-12-20 2018-03-02 F.+S.资产管理有限公司 Bridging element has a carrier element for a semiconductor module

Also Published As

Publication number Publication date Type
DE10254566A1 (en) 2004-06-17 application

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0844678A1 (en) Outer electrode for a monolitic multilayer actuator
DE4031051A1 (en) Nodule with semiconductor switch(es) and energising circuit - has metal support body with two assembly surfaces, potentially mutually separated
EP1703560A2 (en) ESD protection circuit with a settable withstand voltage and current
DE19732828A1 (en) PWM address circuit for light-emitting diode array
DE10301091A1 (en) Method for connection of semiconductor devices on common substrate e.g. for automobile applications, requires conductive flat contact stirrup between first and second semiconductor devices
EP0166968A1 (en) Semiconductor module for a fast switching arrangement
DE4410978A1 (en) Method and circuit for improving the short-circuit stability of a bipolar IGBT
DE202009007318U1 (en) Junction box and solar panel
DE102005043649A1 (en) Light emitting device with circuit protection circuit
DE19600807A1 (en) Intelligent, separated, half-bridge power module, e.g. inverter
EP0401410A1 (en) Circuit arrangement for protecting electronic circuits against overvoltages
EP0989611B1 (en) Short-circuit resistant IGBT module
DE10329367A1 (en) LED chain for signaling arrangement, has converter circuit which forces predetermined current through LED chain independent of external influences
EP0669653A1 (en) Power semiconductor module and circuit arrangement with at least two semiconductor modules
DE102005055608B3 (en) Power semiconductor module with capacitors connected in parallel to each other
EP1083599A2 (en) Power semiconductor module
EP2256819A1 (en) Connection socket for a solar module and a solar panel
DE10221504A1 (en) Multi-chip light emitting diode assembly for color display, lighting system, has several LEDs positioned on shared submount and connected to metal traces provided on submount
DE19926109A1 (en) Power switch has auxiliary transistor with gate connected between power transistor and voltage limiting transistor
DE4208695A1 (en) Line modulation mosfet
DE4143095C1 (en) Electrical building block, for simplicity and reliability - comprises resistor in series with melt fuse and connection element forming protective wall section, fixed on substrate with silicone adhesive
DE19916742C1 (en) Solar cell current generation circuit has bypass diodes across each solar cell chain connected in series and bridged in groups by further diodes
DE102004006753A1 (en) Power semiconductor device
EP1209742A1 (en) Power Semiconductor Module and application of such a Power Semiconductor Module
DE102005063106A1 (en) Opto-electronic semiconductor chip e.g. laser diode chip, has semiconductor body including radiation penetration surface that is covered by passivation layer, where passivation layer contains material e.g. aluminum nitride

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee