DE10231688A1 - Transition between a waveguide of a microstrip line - Google Patents

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Abstract

Es wird ein Übergang zwischen einem Hohlleiter und einer Microstrip-Leitung vorgeschlagen, wobei die Microstrip-Leitung auf einer Leiterplatte aufgebracht ist, die mit dem Hohlleiter fest verbunden ist, und wobei die Leiterplatte zwischen dem Hohlleiterende und einer ersten Metallisierungsschicht eine Dicke von einem Viertel der mittleren Betriebswellenlänge aufweist.A transition between a waveguide and a microstrip line is proposed, the microstrip line being applied to a printed circuit board which is fixedly connected to the waveguide, and the printed circuit board being between the waveguide end and a first metallization layer having a thickness of one quarter medium operating wavelength.

Description

Übergang zwischen einem Hohlleiter und einer Microstrip-Leitungcrossing between a waveguide and a microstrip line

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Übergang zwischen einem Hohlleiter und einer Microstrip-Leitung, wobei die Microstrip-Leitung auf einer Leiterplatte aufgebracht ist, die mit dem Hohlleiter fest verbunden ist und wobei die Leiterplatte zwischen dem Hohlleiterende und einer ersten Metallisierungsschicht eine Dicke von einem Viertel der mittleren Betriebswellenlänge aufweist.The present invention relates to a transition between a waveguide and a microstrip line, the Microstrip line is applied to a circuit board that with the waveguide is firmly connected and the circuit board between the waveguide end and a first metallization layer Has a thickness of a quarter of the mean operating wavelength.

Stand der TechnikState of the art

Aus der DE 42 41 635 A1 ist ein Übergang von einer Microstrip-Leitung auf einen Hohlleiter bekannt, bei dem die Microstrip-Leitung, deren Substrat masseseitig auf einer Wand eines Gehäuses aufliegt, auf eine unilaterale Suspended-Substrate-Leitung übergeht, wobei sich ein über der dieser Leitung gegenüberliegenden Substratseite befindlicher Raum im Gehäuse auf einen Querschnitt aufweitet, der dem Querschnitt des daran anschließenden Hohlleiters entspricht und dass die Suspended-Substrat-Leitung mit der Hohlleiterwand kontaktiert ist.From the DE 42 41 635 A1 A transition from a microstrip line to a waveguide is known, in which the microstrip line, the substrate of which rests on the ground on a wall of a housing, merges with a unilateral suspended substrate line, with a substrate side located above the line opposite this line Widen space in the housing to a cross section that corresponds to the cross section of the adjoining waveguide and that the suspended substrate line is contacted with the waveguide wall.

Aus der DE 44 41 073 ist ebenfalls ein Übergang von einer Microstrip-Leitung auf einen Hohlleiter bekannt, wobei die Microstrip-Leitung auf eine bilaterale Suspended-Substrate-Leitung, welche mit der Hohlleiterwand kontaktiert ist, übergeht.From the DE 44 41 073 a transition from a microstrip line to a waveguide is also known, the microstrip line going over to a bilateral suspended substrate line which is in contact with the waveguide wall.

Der Kern der vorliegenden Erfindung ist es, einen Übergang zwischen einem Hohlleiter und einer Microstrip-Leitung anzugeben, der in beiden Richtungen betreibbar ist und bei dem der Hohlleiterabschluss auf einfache, präzise und kostengünstige Weise in der Leiterplatte realisierbar ist, auf der die Microstrip-Leitung aufgebracht ist und mit der der Hohlleiter verbunden ist. Erfindungsgemäß wird dieses durch die Merkmale des unabhängigen Anspruchs gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.The essence of the present invention is a transition between a waveguide and a microstrip line, which can be operated in both directions and in which the waveguide termination in simple, precise and inexpensive way can be realized in the circuit board on which the microstrip line is applied and with which the waveguide is connected. According to the invention by the characteristics of the independent Claim solved. Advantageous further developments and refinements result from the subclaims.

Vorteilhafter Weise ist der Hohlleiter so angeordnet, dass dessen Ausbreitungsrichtung senkrecht zur Leiterplatte angeordnet ist. Hierdurch kann man den Hohlleiterabschluss, der üblicherweise ein Viertel der mittleren Betriebswellenlänge aufweist, in der Leiterplatte integrieren, so dass Einfräsungen oder verschiebbare Abgleichelemente am Hohlleiter entfallen können.The waveguide is advantageous arranged so that its direction of propagation is perpendicular to the circuit board is arranged. This allows the waveguide termination, which is usually has a quarter of the mean operating wavelength in the circuit board integrate so that millings or sliding adjustment elements on the waveguide can be omitted.

Weiterhin ist es vorteilhaft, dass die Leiterplatte einen mehrschichtigen Aufbau aufweist. Durch den mehrschichtigen Aufbau ist es möglich, den Hohlleiterabschluss, der üblicherweise ein Viertel der mittleren Betriebswellenlänge beträgt, präzise herzustellen und eine metallisierte Masseschicht so anzuordnen, dass durch den Abschluss eine λ/4-Transformation realisiert wird.It is also advantageous that the circuit board has a multilayer structure. By the multilayer structure it is possible the waveguide termination, which is usually is a quarter of the mean operating wavelength, precise to manufacture and one Arrange metallized ground layer so that by the conclusion implemented a λ / 4 transformation becomes.

Weiterhin ist es vorteilhaft, dass die mehrschichtige Leiterplatte auf der dem Hohlleiter zugewandten Seite, auf der auch die Microstrip-Leitung aufgebracht ist, ein Hochfrequenzsubstrat aufweist.It is also advantageous that the multilayer circuit board on the waveguide facing Side on which the microstrip line is also attached Has high-frequency substrate.

Weiterhin ist es vorteilhaft, dass die mehrschichtige Leiterplatte auf der dem Hohlleiter abgewandten Seite eine metallische Masseschicht aufweist, die mittels Durchkontaktierungen durch die Leiterplatte mit dem Hohlleitergehäuse verbunden ist. Hierdurch erreicht man eine sehr gute Massekontaktierung zwischen der Leiterplatte und dem Hohlleiter.It is also advantageous that the multilayer circuit board on the side facing away from the waveguide Side has a metallic ground layer, which by means of vias is connected to the waveguide housing by the printed circuit board. hereby very good ground contact is achieved between the circuit board and the waveguide.

Weiterhin ist es vorteilhaft, dass die zu übertragende elektrische Leistung vom Hohlleiter in die Microstrip-Leitung eingekoppelt wird. Hierdurch ist es möglich, elektrische Hochfrequenzsignale in einem Hohlleiter, beispielsweise in Verbindung mit einer Gunn-Diode zu erzeugen und diese auf eine Leiterplatte mit Microstrip-Leitungen einzukoppeln, auf der diese Signale weiter verarbeitet werden.It is also advantageous that the one to be transferred electrical power coupled from the waveguide into the microstrip line becomes. This makes it possible high-frequency electrical signals in a waveguide, for example in conjunction with a Gunn diode to generate and this on a circuit board with microstrip lines to couple, on which these signals are further processed.

Weiterhin ist es vorteilhaft, dass die elektrische Leistung von der Microstrip-Leitung in den Hohlleiter eingekoppelt wird. Hierdurch ist es möglich, elektrische Signale, die auf einer Leiterplatte mit Microstrip-Leitung erzeugt und verarbeitet wurden, in einen Hohlleiter einzukoppeln, mittels dem die elektrischen Signale zur Weiterverarbeitung transportiert werden.It is also advantageous that the electrical power from the microstrip line into the waveguide is coupled. This enables electrical signals, which is produced and processed on a printed circuit board with a microstrip line were to couple into a waveguide, by means of which the electrical Signals are transported for further processing.

Weitere Merkmale, Anwendungsmöglichkeiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung, die in den Figuren der Zeichnung dargestellt sind. Dabei bilden alle beschriebenen oder dargestellten Merkmale für sich oder in beliebiger Kombination den Gegenstand der Erfindung, unabhängig von ihrer Zusammenfassung in den Patentansprüchen oder deren Rückbeziehung sowie unabhängig von ihrer Formulierung bzw. Darstellung in der Beschreibung bzw. in den Zeichnungen.Other features, possible applications and advantages of the invention will become apparent from the following description of embodiments of the invention, which are illustrated in the figures of the drawing. All of the features described or shown form for themselves or in any combination the subject of the invention, regardless of their summary in the claims or their relationship as well as independent from their formulation or representation in the description or in the drawings.

Zeichnungendrawings

Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand von Zeichnungen erläutert. Es zeigenExemplary embodiments of the Invention explained with reference to drawings. Show it

1 die Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vorrichtung, 2 eine Schnittansicht eines Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Vorrichtung und 1 the top view of an embodiment of the device according to the invention, 2 a sectional view of an embodiment of the device according to the invention and

3 eine perspektivische Ansicht eines Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Vorrichtung. 3 a perspective view of an embodiment of the device according to the invention.

Beschreibung von Ausführungsbeispielendescription of embodiments

In 1 ist die Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Überganges dargestellt. Zu erkennen ist die Leiterplatte 4, die auf der dem Hohlleiter 1 zugewandten Seite ein HF-Substrat 3 aufweist. Auf dieser Leiterplatte ist weiterhin eine Microstrip-Leitung 2 vorgesehen, die im Bereich des Hohlleiterendes endet und zur rechten Seite der 1 herausgeführt wird. Diese Microstrip-Leitung weist im Bereich des Hohlleiterendes sowohl eine geringere Dicke als auch eine geringere Breite auf, wodurch eine Anpassung seitens der Microstrip-Leitung erreicht wird. Auf dieser Leiterplatte 4 ist ein Hohlleiterendstück 1 befestigt, das vorteilhafter Weise als gefrästes Metallstück ausgeführt sein kann. Dieses Hohlleiterendstück 1 weist im Bereich der Mikrostreifenleitung 2 eine Ausfräsung auf sowie im Endbereich der Microstrip-Leitung eine Hohlleiterausfräsung, deren Wellenausbreitungsrichtung senkrecht auf der Leiterplattenebene steht. Die Leiterplatte 4 weist in dem Bereich, in dem das Hohlleiterendstück auf der Leiterplatte aufsitzt, eine Metallisierungsschicht 5 auf, die im Bereich des Microstrip-Leitungskanal sowie im Hohlleiterendbereich unterbrochen ist. Die Leiterplatte 4 kann hierbei entweder als Einzellagenleiterplatte oder als Mehrfachlagenleiterplatte ausgeführt sein.In 1 the top view of an embodiment of the transition according to the invention is shown. You can see the circuit board 4 that on the the waveguide 1 side facing an RF substrate 3 having. There is still a microstrip line on this circuit board 2 provided that ends in the waveguide end and to the right of 1 is brought out. This microstrip line has both a smaller thickness and a smaller width in the region of the waveguide end, as a result of which the microstrip line is adapted. On this circuit board 4 is a waveguide end piece 1 attached, which can advantageously be designed as a milled piece of metal. This waveguide end piece 1 points in the area of the microstrip line 2 milling on and in the end area of the microstrip line a waveguide milling, the direction of wave propagation of which is perpendicular to the circuit board level. The circuit board 4 has a metallization layer in the area in which the waveguide end piece is seated on the circuit board 5 which is interrupted in the area of the microstrip cable duct and in the waveguide end area. The circuit board 4 can be designed either as a single-layer circuit board or as a multi-layer circuit board.

In 2 ist eine Schnittdarstellung entlang der Linie A-A', die in 1 strichpunktiert eingetragen ist, dargestellt. Zu erkennen ist wiederum das Hohlleiterendstück, das im Bereich der Mikrostreifenleitung 2 einen ausgefrästen Kanal sowie die Ausfräsung für den Hohlleiter selbst aufweist. Weiterhin ist auf der dem Hohlleiter 1 zugewandten Seite der Leiterplatte 4 eine Schicht aus HF-Substrat 3 eingezeichnet, sowie darauf eine Metallisierungsschicht 5. Diese Metallisierungsschicht 5 auf der dem Hohlleiterendstück zugewandten Seite ist jedoch im Bereich des Hohlleiterabschlusses sowie im Bereich der Mikrostreifenleitung 2 unterbrochen. Auf der dem Hohlleiterendstück abgewandten Seite der Leiterplatte 4 ist ebenfalls eine Metallisierungsschicht aufgebracht, die als Masseleitung wirkt. Im Bereich des Hohlleiterabschlusses weist die Leiterplatte 4 sowie das HF-Substrat 3 Durchkontaktierungen 6 auf, die eine Masseverbindung zwischen den Metallisierungsschichten 5 und 8 der dem Hohlleiter abgewandten Metallisierungsschichten sowie der dem Hohlleiter zugewandten Metallisierungsschicht herstellt. Im Randbereich, in dem die Mikrostreifenleitung 2 in das Hohlleiterende hineinragt sind diese Durchkontaktierungen als Sacklöcher 7 ausgeführt, so dass die Mikrostreifenleitung nicht mit der hohlleiterfernen Massefläche 5 verbunden ist, jedoch einen Massekontakt mit der Masseschicht 8 der Mikrostreifenleitermasse aufweist. In dem Fall, dass die Leiterplatte 4 als Einfachlagenleiterplatte ausgeführt ist, ist es von erfindungsgemäßer Bedeutung, dass die Dicke d der HF-Substratschicht sowie der Leiterplatte 4 einem Viertel der mittleren Betriebswellenlänge der im Hohlleiter geführten Hochfrequenzwellenlänge entspricht. Durch diese Dimensionierung erreicht man eine λ/4-Transformation der Metallisierungsschicht auf der dem Hohlleiterendstück abgewandten Seite der Leiterplatte 4, so dass auf weitere Anpassungselemente oder Einfräsungen verzichtet werden kann. Durch diese Maßnahme wird ein einfach herzustellender und präzise arbeitender Abschluss des Hohlleiters erreicht. Bei dieser Ausführung ist es jedoch wichtig, dass die Leiterplatte 4 sowie das HF-Substrat 3 im Bereich des Hohlleiterabschlusses keine weiteren Metallisierungen aufweisen, mit Ausnahme der in den Hohlleiter hineinragenden Microstrip-Leitung 2. In dem Fall, dass die Leiterplatte 4 als Mehrfachlagenleiterplatte ausgeführt ist, ist es ebenfalls von besonderer Bedeutung, dass im Bereich des Hohlleiterabschlusses die Mehrfachlagenleiterplatte 4 sowie das HF-Substrat 3 keine Metallisierungsschichten oder Leiterbahnen aufweisen, da diese die U4-Transformation der Leiterplatte 4 sowie des HF-Substrats 3 beeinflussen würde.In 2 Fig. 3 is a sectional view taken along line A-A 'shown in Fig 1 is shown in dash-dot lines. Again, the waveguide end piece can be seen, which is in the area of the microstrip line 2 has a milled channel and the cutout for the waveguide itself. Furthermore is on the waveguide 1 facing side of the circuit board 4 a layer of HF substrate 3 drawn in, as well as a metallization layer 5 , This metallization layer 5 on the side facing the waveguide end piece, however, is in the area of the waveguide termination and in the area of the microstrip line 2 interrupted. On the side of the circuit board facing away from the waveguide end piece 4 a metallization layer is also applied, which acts as a ground line. The circuit board points in the area of the waveguide termination 4 as well as the RF substrate 3 vias 6 on that is a ground connection between the metallization layers 5 and 8th the metallization layers facing away from the waveguide and the metallization layer facing the waveguide. In the edge area where the microstrip line 2 these vias protrude into the waveguide end as blind holes 7 so that the microstrip line is not connected to the ground surface remote from the waveguide 5 is connected, however, a ground contact with the ground layer 8th has the microstrip mass. In the event that the circuit board 4 is designed as a single-layer printed circuit board, it is of importance according to the invention that the thickness d of the HF substrate layer and of the printed circuit board 4 corresponds to a quarter of the mean operating wavelength of the high-frequency wavelength guided in the waveguide. This dimensioning results in a λ / 4 transformation of the metallization layer on the side of the circuit board facing away from the waveguide end piece 4 , so that there is no need for further adjustment elements or milling. This measure achieves an easy-to-manufacture and precisely working termination of the waveguide. With this version, however, it is important that the circuit board 4 as well as the RF substrate 3 have no further metallizations in the area of the waveguide termination, with the exception of the microstrip line protruding into the waveguide 2 , In the event that the circuit board 4 is designed as a multi-layer circuit board, it is also of particular importance that the multi-layer circuit board in the area of the waveguide termination 4 as well as the RF substrate 3 have no metallization layers or conductor tracks, since these are the U4 transformation of the circuit board 4 and the RF substrate 3 would affect.

In 3 ist eine dreidimensionale Darstellung des erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels dargestellt, das ebenfalls entlang der Linie A-A' gemäß 1 aufgeschnitten wurde. Es ist wiederum das Hohlleiterendstück 1 erkennbar, das vorteilhafter Weise als Metallblock ausgeführt ist, der im Bereich der Microstrip-Leitung 2 und des Hohlleiters Aussparungen aufweist. Weiterhin ist die Leiterplatte 4 zu erkennen, die als Einfachlagenleiterplatte oder als Mehrfachlagenleiterplatte ausgeführt sein kann. Auf dieser Leiterplatte 4 ist eine Schicht 3 aus HF-Substrat aufgebracht, die das elektrische Verhalten der Leiterplatte bezüglich der Hochfrequenzsignale verbessert. Auf diesem HF-Substrat ist weiterhin eine Metallisierungsschicht 5 erkennbar, die im Bereich der Kontaktflächen des Hohlleiterendstücks 1 sowie im Außenbereich aufgebracht ist. Im Bereich des Hohlleiterendes sowie im Bereich der Mikrostreifenleitung 2 ist diese Metallisierungsschicht 5, die auf der dem Hohlleiterendstück zugewandten Seite der Leiterplatte 4 aufgetragen ist, ausgenommen. Auf der dem Hohlleiterendstück 1 abgewandten Seite der Leiterplatte 4 ist eine durchgängige Metallisierungsschicht 5 vorgesehen, die mittels der Durchkontaktierungen 6 im Randbereich des Hohlleiterendes mit der oberen, dem Hohlleiterendstück zugewandten Metallisierungsschicht verbunden ist. In dem Randbereich des Hohlleiterendes, in dem die Microstrip-Leitung 2 in das Hohlleiterende hineinragt, sind die Durchkontaktierungen 6 als Sacklöcher 7 ausgeführt. Hierdurch ist es möglich, eine Zwischenmetallisierungsschicht auf Masse zu legen oder Signalleitungen vorzusehen. Eine Zwischenmetallisierungsschicht oder Signalleitungen dürfen jedoch wie bereits erwähnt nicht im Bereich des Hohlleiterendes in der Leiterplatte 4 oder dem HF-Substrat 3 vorgesehen werden. Weiterhin ist zu erkennen, dass die Leiterplatte 4 sowie das HF-Substrat 3 im Bereich des Hohlleiterendes eine Dicke aufweisen, die einem Viertel der mittleren Betriebswellenlänge der Hohlleiterwellenlänge entspricht. Durch das Vorsehen des Hohlleiterabschlusses als Teil der Leiterplatte 4 bzw. des HF-Substrats 3 erreicht man einen einfach zu fertigenden und präzise arbeitenden Übergang zwischen einem Hohlleiter und einer Microstrip-Leitung, der in beiden Richtungen betreibbar ist.In 3 is a three-dimensional representation of the embodiment according to the invention, which is also along the line AA 'according to 1 was cut open. It is again the waveguide end piece 1 recognizable, which is advantageously designed as a metal block in the area of the microstrip line 2 and the waveguide has recesses. Furthermore, the printed circuit board 4 can be seen, which can be designed as a single-layer printed circuit board or as a multiple-layer printed circuit board. On this circuit board 4 is a layer 3 applied from HF substrate, which improves the electrical behavior of the circuit board with respect to the high-frequency signals. There is also a metallization layer on this HF substrate 5 recognizable in the area of the contact surfaces of the waveguide end piece 1 as well as applied outdoors. In the area of the waveguide end and in the area of the microstrip line 2 is this metallization layer 5 that on the side of the circuit board facing the waveguide end piece 4 is applied, except. On the waveguide end piece 1 opposite side of the circuit board 4 is a continuous metallization layer 5 provided by means of the vias 6 is connected in the edge region of the waveguide end to the upper metallization layer facing the waveguide end piece. In the edge area of the waveguide end, in which the microstrip line 2 The plated-through holes protrude into the waveguide end 6 as blind holes 7 executed. This makes it possible to lay an intermediate metallization layer on ground or to provide signal lines. However, as already mentioned, an intermediate metallization layer or signal lines must not be in the area of the waveguide end in the printed circuit board 4 or the RF substrate 3 be provided. It can also be seen that the circuit board 4 as well as the RF substrate 3 in the area of the waveguide end Have thickness that corresponds to a quarter of the average operating wavelength of the waveguide wavelength. By providing the waveguide termination as part of the circuit board 4 or the RF substrate 3 an easy to manufacture and precisely working transition between a waveguide and a microstrip line can be achieved, which can be operated in both directions.

Es ist weiterhin möglich, die Leiterplatte 4 als Mehrfachlagenleiterplatte auszuführen, so dass die Gesamtdicke der Leiterplatte 4 sowie des HF-Substrats 3 größer ist als ein Viertel der mittleren Betriebswellenlänge. In diesem Fall kann man in einer Zwischenlage der Leiterplatte 4 eine Metallisierungsschicht vorsehen, die mit einem Masseanschluss verbunden ist, so dass der Bereich der Leiterplatte 4, der dem Hohlleiterendstück 1 zugewandt ist sowie der Dicke der HF-Substratschicht 3 wiederum ein Viertel der mittleren Betriebswellenlänge der Hohlleiterfrequenz entspricht. Auf diese Weise ist es auch möglich, dickere Leiterplatten herzustellen, ohne auf den erfindungsgemäßen λ/4-Abschluss verzichten zu müssen, der in die Leiterplatte 4 sowie die HF-Substratschicht 3 integriert ist.It is still possible to use the circuit board 4 run as a multi-layer circuit board, so that the total thickness of the circuit board 4 and the RF substrate 3 is greater than a quarter of the mean operating wavelength. In this case, you can in an intermediate layer of the circuit board 4 provide a metallization layer that is connected to a ground connection, so that the area of the circuit board 4 that the waveguide end 1 facing and the thickness of the RF substrate layer 3 again corresponds to a quarter of the mean operating wavelength of the waveguide frequency. In this way it is also possible to produce thicker circuit boards without having to do without the λ / 4 termination according to the invention, which is in the circuit board 4 as well as the RF substrate layer 3 is integrated.

Claims (7)

Übergang zwischen einem Hohlleiter (1) und einer Microstrip-Leitung (2), wobei die Microstrip-Leitung (2) auf einer Leiterplatte (4) aufgebracht ist, die mit dem Hohlleiter (1) fest verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterplatte (4) zwischen dem Hohlleiterende und einer ersten Metallisierungsschicht (5) im Bereich des Hohlleiterendes eine Dicke (d) im Bereich von einem einem oder mehreren ungeradzahligen Vielfachen von einem Viertel der mittleren Betriebswellenlänge aufweist.Transition between a waveguide ( 1 ) and a microstrip line ( 2 ), the microstrip line ( 2 ) on a circuit board ( 4 ) is applied, which with the waveguide ( 1 ) is firmly connected, characterized in that the circuit board ( 4 ) between the waveguide end and a first metallization layer ( 5 ) in the area of the waveguide end has a thickness (d) in the range of one or more odd multiples of a quarter of the mean operating wavelength. Übergang nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Hohlleiter (1) so angeordnet ist, dass dessen Ausbreitungsrichtung senkrecht zur Leiterplatte (4) ausgerichtet ist.Transition according to claim 1, characterized in that the waveguide ( 1 ) is arranged so that its direction of propagation is perpendicular to the circuit board ( 4 ) is aligned. Übergang nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterplatte (4) einen mehrschichtigen Aufbau aufweist.Transition according to one of the preceding claims, characterized in that the printed circuit board ( 4 ) has a multilayer structure. Übergang nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die mehrschichtige Leiterplatte (4) auf der dem Hohlleiter (1) zugewandten Seite ein Hochfrequenz-Substrat (3) aufweist.Transition according to claim 2 or 3, characterized in that the multilayer printed circuit board ( 4 ) on the waveguide ( 1 ) side facing a high frequency substrate ( 3 ) having. Übergang nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mehrschichtige Leiterplatte (4) auf der dem Hohlleiter (1) abgewandten Seite eine metallische Masseschicht (5) aufweist, die mittels Durchkontaktierungen (6) durch die Leiterplatte (4) mit dem Hohlleiter (1) verbunden ist.Transition according to one of the preceding claims, characterized in that the multilayer printed circuit board ( 4 ) on the waveguide ( 1 ) facing away from a metallic ground layer ( 5 ), which by means of vias ( 6 ) through the circuit board ( 4 ) with the waveguide ( 1 ) connected is. Übergang nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass elektrische Leistung vom Hohlleiter (1) in die Microstrip-Leitung (2) eingekoppelt wird.Transition according to one of the preceding claims, characterized in that electrical power from the waveguide ( 1 ) into the microstrip line ( 2 ) is coupled. Übergang nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass elektrische Leistung von der Microstrip-Leitung (2) in den Hohlleiter (1) eingekoppelt wird.Transition according to one of the preceding claims, characterized in that electrical power from the microstrip line ( 2 ) in the waveguide ( 1 ) is coupled.
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