DE10212380B4 - Radio frequency cross-talk multiplexing device for a dual band mobile phone - Google Patents

Radio frequency cross-talk multiplexing device for a dual band mobile phone Download PDF

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Abstract

Multiplexvorrichtung mit einem ersten und einem zweiten Radiofrequenz-Umschaltkreis (1, 2), die jeweils einen ersten Eingangsport (EM1, EM2) mit einer diesem in Serie geschalteten ersten Diode (D1, D3) und einen zweiten Eingangsport (RE1, RE2) mit einer diesem parallel geschalteten zweiten Diode (D2, D4) und einen Ausgangsport (S1, S2) aufweisen, dadurch, gekennzeichnet, dass
– eine erste Steuerung (SW1) vorgesehen ist, die eine Steuerspannung zum gleichzeitigen Durchschalten der ersten Diode (D1) des ersten Kreises sowie der zweiten Diode (D4) des zweiten Kreises bereitstellt, und
– eine zweite Steuerung (SW4) vorgesehen ist, die eine Steuerspannung zum gleichzeitigen Durchschalten der zweiten Diode (D2) des ersten Kreises sowie der ersten Diode (D3) des zweiten Kreises bereitstellt.Multiplexing device comprising first and second radio-frequency switching circuits (1, 2) each having a first input port (EM1, EM2) with a first diode (D1, D3) connected in series therewith and a second input port (RE1, RE2) with a first input port this parallel-connected second diode (D2, D4) and an output port (S1, S2), characterized in that
- A first control (SW1) is provided, which provides a control voltage for simultaneously turning on the first diode (D1) of the first circle and the second diode (D4) of the second circle, and
- A second control (SW4) is provided which provides a control voltage for simultaneously switching through the second diode (D2) of the first circle and the first diode (D3) of the second circle.

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Figure 00000001

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Radiofrequenz-(RF)-Multiplexvorrichtung mit Kreuzsteuerung für Dualbandmobiltelefone des GSM-DCS-Typs. Diese Vorrichtung wird im Bereich der Radiofrequenz-Elektronik verwendet, die Multiplexvorrichtungen einsetzt, um einen oder mehrere RF-Ports untereinander zu verbinden. Sie findet vor allem im Bereich der mobilen Dualbandtelefonie Anwendung, welche zur Sendung und zum Empfang von Nachrichten in zwei unterschiedlichen Frequenzbändern, wie z.B. den GSM- und DCS-Bändern, Multiplexvorrichtungen einsetzt.The The present invention relates to a radio frequency (RF) multiplexing device with cross control for Dual Band Cell Phones of the GSM DCS Type. This device is used in Area of radio frequency electronics used, the multiplexing devices used to interconnect one or more RF ports. It is mainly used in the field of mobile dual-band telephony, which for sending and receiving messages in two different Frequency bands, such as. the GSM and DCS bands, Multiplex devices used.

In mobiler Dualbandtelefonie ist es notwendig, dass die Telefonantenne in beiden Sendebändern, z.B. GSM und DCS, Nachrichten senden bzw. empfangen kann, ohne dass die Sende- oder Empfangskanäle eines Bandes die Sendung oder den Empfang einer Nachricht in dem anderen Band stören. Mit anderen Worten, zur Sicherung einer guten Sende- und Empfangsqualität ist es wichtig, dass die Multiplexvorrichtung ständig eine starke Isolierung, einerseits zwischen den zwei aktiven Ports, also dem Antennenport und dem aktiven RF-Port, und andererseits zwischen den drei inaktiven RF-Ports, aufweist.In Mobile dual-band telephony, it is necessary that the telephone antenna in both transmission bands, e.g. GSM and DCS, can send or receive messages without the send or receive channels a tape sending or receiving a message in the disturb another band. In other words, to ensure good transmission and reception quality it is important that the multiplexing device is always a strong insulation, on the one hand between the two active ports, ie the antenna port and the active one RF port, and on the other hand between the three inactive RF ports, having.

Zur Lösung dieses Problems gibt es derzeit eine Multiplexvorrichtung, die einen ersten pin-Diodenumschalter für das GSM-Band, einen zweiten pin-Diodenumschalter für das DCS-Band und einen GSM-DCS-Diplexerfilter, der beide Umschalter mit einer gemeinsamen Antenne verbindet, umfasst. In dieser in 1 dargestellten Vorrichtung sind die beiden Umschalter, oder Umschaltkreise, 1 und 2 voneinander unabhängig; sie sind nur über den Diplexerfilter 3 miteinander verbunden.To solve this problem, there is currently a multiplexing device comprising a first GSM band pin diode switch, a second DCS band pin diode switch, and a GSM DCS diplexer filter connecting both switches to a common antenna , In this in 1 The apparatus shown are the two switches, or switching circuits, 1 and 2 independent of each other; they are only over the diplexer filter 3 connected with each other.

Jeder Umschaltkreis umfasst zwei Eingangsports (bzw. Eingangskanäle), und zwar einen Sende- und einen Empfangsport, und einen Ausgangsport (bzw. Ausgangskanal), der mit dem Diplexerfilter 3 verbunden ist, welcher wiederum mit der Antenne 4 des Mobiltelefons verbunden ist. Somit umfasst der Umschaltkreis 1 einen Sendeeingangsport EM1 und einen Empfangseingangsport RE1, die jeweils für die Sendung und den Empfang in dem GSM-Band sorgen. Er umfasst ebenfalls einen an dem Diplexerfilter 3 angeschlossenen Ausgangsport S1.Each switching circuit includes two input ports (or input channels), a transmit and a receive port, and an output port (or output port) connected to the diplexer filter 3 which in turn is connected to the antenna 4 the mobile phone is connected. Thus, the switching circuit includes 1 a transmission input port EM1 and a reception input port RE1, which respectively provide for transmission and reception in the GSM band. It also includes one on the diplexer filter 3 connected output port S1.

Der Umschaltkreis 2 umfasst einen Sendeport EM2 und einen Empfangsport RE2, die jeweils für die Sendung und den Empfang in dem DCS-Band sorgen. Er umfasst ebenfalls einen an dem Diplexerfilter 3 angeschlossenen Ausgangsport S2.The switching circuit 2 comprises a transmit port EM2 and a receive port RE2, which respectively provide for transmission and reception in the DCS band. It also includes one on the diplexer filter 3 connected output port S2.

Dieser Diplexerfilter 3 ist ein Tiefpassfilter für das GSM-Band, d.h. für den Umschaltkreis 1, und ein Hochpassfilter für das DCS-Band, d.h. für den Umschaltkreis 2.This diplexer filter 3 is a low-pass filter for the GSM band, ie for the switching circuit 1 , and a high-pass filter for the DCS band, ie for the switching circuit 2 ,

Der Umschaltkreis 1 umfasst eine erste Versorgungssteuerung SW1, die die Polarisierung einer an dem Sendeport EM1 in Serie geschalteten ersten Diode D1 gewährleistet, und eine mit einer zweiten Diode D2 an dem Empfangsport RE1 parallel angeschlossene zweite Versorgungssteuerung SW2.The switching circuit 1 comprises a first supply control SW1, which ensures the polarization of a first diode D1 connected in series at the transmission port EM1, and a second supply control SW2, which is connected in parallel with a second diode D2 to the reception port RE1.

Die erste Diode D1, auch Seriendiode des Kreises 1 genannt, und die zweite Diode D2, auch parallele Diode des Kreises 1 genannt, werden über ein Viertelwellennetz Q1, das in dem betreffenden Frequenzband abgestimmt ist, nämlich in dem GSM-Band für den Kreis 1, miteinander verbunden. Dieses Viertelwellennetz Q1 verhält sich wie ein an einem seiner Enden offener Kreis, wenn ein Kurzschluss an seinem anderen Ende angebracht wird, und umgekehrt. Zwischen dem Port EM1 und dem Port RE1 verbunden, wird es mittels einer Induktanz L5 ausgeführt, die zwischen zwei geerdeten Kondensatoren C5 und C5' verbundenen ist.The first diode D1, also serial diode of the circle 1 called, and the second diode D2, also parallel diode of the circle 1 are called, via a quarter-wave network Q1, which is tuned in the relevant frequency band, namely in the GSM band for the circle 1 , connected with each other. This quarter-wave network Q1 behaves like a circle open at one of its ends when a short circuit is applied to its other end, and vice versa. Connected between port EM1 and port RE1, it is implemented by means of an inductance L5 connected between two grounded capacitors C5 and C5 '.

Diese Vorrichtung wird durch eine erste Steuerung SW1 gesteuert, welche über einen an einer Stossinduktanz L1 in Serie geschalteten Widerstand R1 mit der Seriendiode D1 des Sendeports EM1 verbunden ist. Eine zweite Steuerung SW2 ist an der parallelen Diode D2 des Empfangsports RE1 in Serie geschaltet.These Device is controlled by a first controller SW1, which via a at a shock inductance L1 in series resistor R1 with the series diode D1 of the transmission port EM1 is connected. A second Control SW2 is connected to the parallel diode D2 of the receiving port RE1 in FIG Series switched.

In ähnlicher Weise ist der Umschaltkreis 2 mit dem Umschaltkreis 1 absolut identisch, abgesehen von den Werten der verschiedenen Bauteile, die jeweils für den Umschaltkreis 1 oder 2 auf das Frequenzband, in welchem das Senden oder Empfangen gewünscht wird, und insbesondere auf das GSM-Band für den Kreis 1 und auf das DCS-Band für den Kreis 2 abgestimmt sind.Similarly, the switching circuit 2 with the switching circuit 1 absolutely identical, apart from the values of the various components, each for the switching circuit 1 or 2 to the frequency band in which transmission or reception is desired, and in particular to the GSM band for the circuit 1 and on the DCS band for the circle 2 are coordinated.

Der Empfangsbetrieb in dem Frequenzband des Kreises 1, zum Beispiel dem GSM-Band, wird durch Polarisierung der Dioden D1 und D2 mit einem von der Steuerung SW1 zu der Steuerung SW2 fließenden Durchlassstrom gewährleistet. Wenn die Steuerung SW1 ein logisches Signal bei 1 sendet, d.h. eine Gleichspannung mit ausreichendem Wert, werden die Dioden D1 und D2 durchlässig. Dementsprechend entsteht ein Kurzschluss an dem Empfangsport RE1 und auch an dem Ende auf der Seite des Empfangsports des Viertelwellennetzes Q1. Die Eigenschaften des Viertelwellennetzes ermöglichen es, am anderen Ende dieses Viertelwellennetzes eine unendliche Impedanz zu erreichen, wodurch die Isolierung des Empfangsports RE1 möglich ist. Empfangsseitig, da die Diode D1 durchlässig ist, geht das RF-Signal durch die Diode D1 hindurch und bis zu dem Diplexerfilter 3 und dann bis zu der Antenne 4.The reception operation in the frequency band of the loop 1, for example the GSM band, is ensured by polarizing the diodes D1 and D2 with a forward current flowing from the controller SW1 to the controller SW2. When the controller SW1 transmits a logic signal at 1, ie a DC voltage of sufficient value, the diodes D1 and D2 become permeable. Accordingly, a short circuit occurs at the reception port RE1 and also at the end on the reception port side of the quarter wave network Q1. The properties of the quarter-wave network make it possible to achieve an infinite impedance at the other end of this quarter-wave network, whereby the isolation of the receiving port RE1 is possible. At the receiving end, since the diode D1 is transparent, the RF signal passes through the diode D1 and up to the diplexer filter 3 and then up to the antenna 4 ,

Umgekehrt wird der Sendebetrieb dieser Vorrichtung gewährleistet, indem die Dioden D1 und D2 durch eine umgekehrte Polarisierung gesperrt werden. In diesem Falle wird der Sendeport EM1 durch die gesperrte Diode D1 isoliert und der Empfangsport RE1 ist durchlässig, da die Diode D2 blockiert ist, und das Viertelwellennetz Q1 bei 50 Ohm an seinen beiden Enden funktioniert.Vice versa the transmission operation of this device is ensured by the diodes D1 and D2 are blocked by reversed polarization. In In this case, the transmission port EM1 is blocked by the diode D1 isolated and the reception port RE1 is permeable, since the diode D2 blocked and quarter-wave network Q1 at 50 ohms at both ends works.

Der Betrieb dieser Vorrichtung ist absolut identisch für das Frequenzband des Kreises 2 und insbesondere für das DCS-Band. In diesem Falle gewährleistet die Steuerung SW4 die Polarisierung der Seriendiode D3 und der parallelen Diode D4, wie SW1 für die Dioden D1 und D2 des Kreises 1.The operation of this device is absolutely identical for the frequency band of the circuit 2 and especially for the DCS band. In this case, the controller SW4 ensures the polarization of the series diode D3 and the parallel diode D4, such as SW1 for the diodes D1 and D2 of the circuit 1 ,

Dementsprechend, zur Gewährleistung der Sendung nur über den Port EM1, muss nicht nur der Empfangsport RE1, wie vorher erwähnt, sondern auch der Sendeport EM2 durch die Steuerung SW4 gesperrt werden. Zur Sperrung des Sendeports EM2 des Kreises 2 muss jedoch die Steuerung SW4 ein logisches Signal bei 0 senden, um die Diode D3 zu sperren. Nun aber ist die Diode D4 ebenfalls gesperrt, wodurch der Empfangsport RE2 durchlässig wird.Accordingly, to ensure the transmission only via the port EM1, not only the reception port RE1, as previously mentioned, but also the transmission port EM2 must be disabled by the controller SW4. To block the transmission port EM2 of the circuit 2 However, the controller SW4 must send a logic signal at 0 to disable the diode D3. But now the diode D4 is also disabled, whereby the reception port RE2 is permeable.

In der Tat, wie vorstehend erläutert, um die Sendung auf einem ersten Kanal zu erreichen, müssen die Dioden des zweiten Kanals (unbenutzten Kanals) durch eine umgekehrte Polarisation gesperrt werden. Da die Dioden an den Empfangsports parallel geschaltet sind, wird die Isolierung des Empfangsports des zweiten Kanals (unbenutzten Kanals) nicht gewährleistet, wenn über den ersten Kanal gesendet wird. Daraus ergibt sich ein erster Nachteil, und zwar das Risiko eines RF-Energieeinlasses über den Empfangsport des Kreises 2, und ein zweiter Nachteil, und zwar die Empfindlichkeit der Leistungen gegenüber der an dem Durchlassport anstehenden Belastung. Die Vorrichtung ist also gegen RF-Energien nicht geschützt, die über den nicht isolierten Empfangsport eindringen und die Antenne ungeschwächt erreichen können, sofern deren Frequenzen innerhalb des Durchlassbandes des zu durchgehenden Diplexerfilters liegen.In fact, as explained above, to achieve transmission on a first channel, the diodes of the second channel (unused channel) must be blocked by reverse polarization. Since the diodes are connected in parallel at the receiving ports, the isolation of the receiving port of the second channel (unused channel) is not ensured when transmitting over the first channel. This results in a first disadvantage, namely the risk of an RF energy intake via the reception port of the circuit 2 , and a second drawback, namely the sensitivity of the powers to the load applied to the port. The device is thus not protected against RF energy, which can penetrate through the non-isolated receiving port and reach the antenna unattenuated, provided that their frequencies are within the pass band of the continuous diplexer.

In der Praxis wurde ein zu hohes Niveau der Harmonischen 2 am Antennenausgang einer solchen Multiplexvorrichtung im Einsatz für ein mobiles GSM/DCS-Dualbandendgerät beim Empfang im GSM-Band festgestellt. Die Analyse des Problems hat ergeben, dass es auf einen Hochfrequenzenergieeinlass über den unbenutzten Empfangsport, nämlich im vorliegenden Fall den DCS-Empfangsport, zurückzuführen war.In The practice was too high a level of harmonics 2 at the antenna output such a multiplexing device in use for a mobile GSM / DCS dual-band terminal when receiving detected in the GSM band. The analysis of the problem has revealed that it is responsive to a high frequency energy input via the unused receiving port, namely in the In this case, the DCS reception port was due.

Außerdem weist diese Vorrichtung den Nachteil auf, dass vier Steuerungen benötigt werden, um die Polarisationen der Dioden umkehren zu können, wobei jede dieser Steuerungen Strom erzeugen oder aufnehmen kann.In addition, points This device has the disadvantage that four controls are needed to to be able to reverse the polarizations of the diodes, with each of these controls Generate or record electricity.

Die WO 00/38 341 A1 beschreibt ein Antennenschaltmodul mit zwei Sender/Empfänger-Schaltungen, die jeweils ihre eigene Frequenz haben. Die beiden Kreise sind an dieselbe Antenne angeschlossen. Bei diesem Modul ist ein Bias-Widerstand zwischen die parallele Diode der ersten Schaltung und der parallelen Diode der zweiten Schaltung geschaltet.The WO 00/38 341 A1 describes an antenna switching module with two transmitter / receiver circuits, each have their own frequency. The two circles are on the same antenna connected. This module has a bias resistor between the parallel diode of the first circuit and the parallel one Switched diode of the second circuit.

Die WO 00/41 326 A1 beschreibt eine Hochfrequenzsteuerung mit einem ersten Verstärkerport, der an eine erste Diode geschaltet ist, einen zweiten Verstärkerport, der an eine zweite Diode geschaltet ist und einen Empfängerport, der an eine dritte Diode geschaltet ist. Somit wird jede Diode durch eine Steuerung geschaltet. Wir haben also eine Vorrichtung mit drei Dioden und drei Schaltern.The WO 00/41 326 A1 describes a high frequency control with a first amplifier port, the is connected to a first diode, a second amplifier port, which is connected to a second diode and a receiver port, which is connected to a third diode. Thus, each diode will go through a controller switched. So we have a device with three Diodes and three switches.

Die DE 26 16 185 A1 betrifft eine Sende/Empfangseinrichtung mit einer umschaltbaren Kupplungsschaltung. Diese Entgegenhaltung zeigt keine Vorrichtung mit zwei Schaltkreisen, die jeweils einen ersten Port aufweisen, der mit einer Seriendiode und einem zweiten Port, der mit einer parallelen Diode verbunden ist. In der hier beschriebenen Vorrichtung weist der erste Schaltkreis lediglich eine Seriendiode auf.The DE 26 16 185 A1 relates to a transmitting / receiving device with a switchable coupling circuit. This reference does not show a device with two circuits each having a first port connected to a series diode and a second port connected to a parallel diode. In the device described here, the first circuit has only one series diode.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Multiplexvorrichtung anzugeben, bei der unbenutzte Ports gesperrt werden, wenn einer der Ports benutzt wird.task The invention is to provide a multiplexing device in which unused ports are blocked when one of the ports is used.

Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Abhängige Patentansprüche sind auf bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung gerichtet.These Task is solved with the features of claim 1. Dependent claims are to preferred embodiments directed the invention.

Die bereits beschriebene 1 stellt eine Radiofrequenz-Multiplexvorrichtung vom Stand der Technik dar;The already described 1 illustrates a prior art radio frequency multiplexing device;

2 stellt eine Multiplexvorrichtung der Erfindung dar; und 2 Fig. 12 illustrates a multiplexing device of the invention; and

3 stellt eine Alternative zu der Multiplexvorrichtung der Erfindung dar. 3 represents an alternative to the multiplexing device of the invention.

Die 2 stellt das Schaltbild der Multiplexvorrichtung der Erfindung dar. In dieser Vorrichtung weisen die Elemente, die mit denjenigen der Vorrichtung aus 1 identisch sind, identische Bezugszeichen auf.The 2 Fig. 3 illustrates the circuit diagram of the multiplexing device of the invention. In this device, the elements that match those of the device 1 are identical, identical Bezugszei get up.

Die Vorrichtung der Erfindung umfasst einen ersten Umschaltkreis 1, der für die Sendung und den Empfang von Signalen in einem ersten Frequenzband sorgt, und insbesondere in dem GSM-Band, und einen zweiten Umschaltkreis 2, der Signale in einem zweiten Frequenzband sendet und empfängt, und insbesondere im DCS-Band. Jeder dieser Kreise umfasst einen Sendeeingangskanal (oder Port) EM, einen Empfangseingangskanal RE sowie einen Ausgangskanal S. Die Umschaltkreise 1 und 2 sind über ihre jeweiligen Ausgänge S1 und S2 mit einem Diplexerfilter 3 und dann mit der Antenne 4 verbunden.The device of the invention comprises a first switching circuit 1 which provides for the transmission and reception of signals in a first frequency band, and in particular in the GSM band, and a second switching circuit 2 which transmits and receives signals in a second frequency band, and in particular in the DCS band. Each of these circuits includes a transmit input channel (or port) EM, a receive input channel RE, and an output channel S. The switch circuits 1 and 2 are via their respective outputs S1 and S2 with a diplexer filter 3 and then with the antenna 4 connected.

Genauer gesagt umfasst der Kreis 1 eine an dem Sendeport EM1 in Serie geschaltete Seriendiode D1 und eine an dem Empfangsport RE1 parallel geschaltete parallele Diode D2. Die beiden Dioden D1 und D2 sind über ein Viertelwellennetz Q1 miteinander verbunden.More precisely, the circle includes 1 a series diode D1 connected in series at the transmission port EM1 and a parallel diode D2 connected in parallel at the reception port RE1. The two diodes D1 and D2 are connected to each other via a quarter-wave network Q1.

Der Kreis 2 umfasst eine an dem Sendeport EM2 in Serie geschaltete Seriendiode D3 und eine an dem Empfangsport RE2 parallel geschaltete parallele Diode D4. Die beiden Dioden D3 und D4 sind über ein Viertelwellennetz Q2 miteinander verbunden.The circle 2 comprises a series diode D3 connected in series at the transmission port EM2 and a parallel diode D4 connected in parallel at the reception port RE2. The two diodes D3 and D4 are connected to each other via a quarter-wave network Q2.

In der Vorrichtung der Erfindung sind nur zwei Steuerungen SW1 und SW4 notwendig, um die Dioden D1 bis D4 zu polarisieren und dementsprechend die Umschaltung der vier Ports der Vorrichtung zu steuern. Hierzu ist die Steuerung SW1 über einen Widerstand R1 und eine Stossinduktanz L1 einerseits an der Seriendiode D1 des Kreises 1 angeschlossen; sie ist, ausgehend von der Verbindungsstelle A, andererseits an der parallelen Diode D4 des Kreises 2 über einen angefügten Widerstand R3 und eine angefügte Stossinduktanz L3 angeschlossen, wobei beide in Serie geschaltet sind. Somit ermöglicht die Steuerung SW1, die Seriendiode D1, die die Diode der GSM-Sendung ist, und die parallele Diode D4, die die Diode des DCS-Empfangs ist, gleichzeitig zu polarisieren. Diese doppelte Polarisierung durch die Steuerung SW1 wird durch das Hinzufügen des Widerstands R3, der die Kalibrierung des Stroms in der Diode D4 erlaubt, und der Stossinduktanz L3, die eine Störung der 50 -Impedanz am Empfangsport RE2 vermeiden kann, durchgeführt.In the apparatus of the invention, only two controls SW1 and SW4 are necessary to polarize the diodes D1 to D4 and, accordingly, control the switching of the four ports of the device. For this purpose, the controller SW1 via a resistor R1 and a shock inductance L1 on the one hand to the series diode D1 of the circle 1 connected; it is, starting from the junction A, on the other hand to the parallel diode D4 of the circle 2 via an attached resistor R3 and an attached surge inductance L3, both connected in series. Thus, the controller SW1 allows the series diode D1, which is the diode of the GSM transmission, and the parallel diode D4, which is the diode of the DCS reception, to be simultaneously polarized. This double polarization by the controller SW1 is performed by adding the resistor R3, which allows the calibration of the current in the diode D4, and the surge inductance L3, which can avoid disturbing the 50 impedance at the receiving port RE2.

Somit, um auf dem GSM-Kanal, d.h. am Port EM1 zu senden, sendet die Steuerung SW1 ein Signal bei 1, worauf die Diode D1 durchlässig wird. Das Signal kann dann vom Sendeport EM1 bis zu dem Diplexerfilter 3 und der Antenne 4 fließen. Außerdem ist D2 durchlässig, was zu einem Kurzschluss in dem Empfangsport RE1 führt. Darüber hinaus wird die Diode D4 durch das Signal bei 1 der Steuerung SW1 durchlässig, was zu einem Kurzschluss in dem Empfangsport RE2 führt. Außerdem wird die Diode D3, die an ihrer Anode die Steuerung SW4, also eine logische "O", und an ihrer Kathode die Steuerung SW1, also eine logische "1", aufnimmt, umgekehrt polarisiert und daher gesperrt. Dadurch kann der Port EM2 isoliert werden.Thus, to transmit on the GSM channel, ie on the port EM1, the controller SW1 sends a signal at 1, whereupon the diode D1 becomes transmissive. The signal may then be from the transmit port EM1 to the diplexer filter 3 and the antenna 4 flow. In addition, D2 is permeable, resulting in a short circuit in the receive port RE1. In addition, the diode D4 becomes permeable to the controller SW1 by the signal at 1, resulting in a short circuit in the receiving port RE2. In addition, the diode D3, which at its anode, the controller SW4, that is a logical "O", and at its cathode, the controller SW1, that is, a logical "1", reversely polarized and therefore blocked. This will isolate the EM2 port.

Auf diese Weise ist der Sendeport EM1 gegenüber dem Empfangsport RE1, dem Empfangsport RE2 und dem Sendeport EM2 gut isoliert. So erlaubt die Steuerung SW1 allein, die Umschaltung am Port EM1, d.h. die Sendung auf dem GSM-Kanal, zusteuern.On this way, the transmission port EM1 is opposite to the reception port RE1, the Receive port RE2 and the send port EM2 well insulated. So allowed the controller SW1 alone, switching at the port EM1, i. the Broadcast on the GSM channel, to head.

Auf symmetrische Weise kann die zweite Steuerung SW4 die Seriendiode D3 des Kreises 2 und die parallele Diode D2 des Kreises 1 polarisieren. Zu diesem Zweck wird die Steuerung SW4 der Vorrichtung der Erfindung einerseits an der Seriendiode D3 des Kreises 2 über einen mit einer Stossinduktanz L2 in Serie geschalteten Widerstand R2 angeschlossen; sie ist anderseits von der Verbindung B ausgehend an der parallelen Diode D2 des Kreises 1 über einen mit einer angefügten Induktanz L4 in Serie angefügten Widerstand R4 angeschlossen.Symmetrically, the second controller SW4 may be the series diode D3 of the circuit 2 and the parallel diode D2 of the circle 1 polarize. For this purpose, the controller SW4 of the device of the invention on the one hand on the series diode D3 of the circuit 2 connected via a resistor R2 connected in series with a surge inductance L2; on the other hand, it is starting from the connection B on the parallel diode D2 of the circuit 1 connected via a connected in series with an attached inductance L4 resistor R4.

Somit, wenn ein logisches Signal bei 1 an die Steuerung SW4 angelegt wird, wird die Diode D2 durchlässig, was einen Kurzschluss im Empfangsport RE1 verursacht. Die an ihrer Anode die Steuerung SW1, bzw. eine logische "O", und an ihrer Kathode die Steuerung SW4, bzw. eine logische "1", aufnehmende Diode D1 wird umgekehrt polarisiert und demnach gesperrt. Der Sendeport EM1 ist also isoliert. Außerdem, da die Steuerung SW4 bei 1 liegt, ist die Seriendiode D3 des Umschaltkreises 2 durchlässig und die am Sendeport EM2 des DCS-Bandes erzeugten Signale können bis zum Diplexerfilter 3 und der Antenne fließen. Darüber hinaus erzeugt die Diode D4, die ebenfalls durchlässig ist, einen Kurzschluss am Empfangsport RE2 des DCS-Bandes.Thus, when a logic signal at 1 is applied to the controller SW4, the diode D2 becomes permeable, causing a short circuit in the reception port RE1. The controller SW1 at its anode, or a logical "O", and at its cathode the controller SW4, or a logical "1", receiving diode D1 is reversely polarized and thus blocked. The send port EM1 is therefore isolated. In addition, since the controller SW4 is 1, the series diode D3 of the switching circuit 2 permeable and the signals generated at the transmission port EM2 of the DCS band can up to the diplexer 3 and the antenna are flowing. In addition, the diode D4, which is also permeable, generates a short circuit at the reception port RE2 of the DCS band.

Wenn die Steuerung SW4 bei 1 liegt, kann die Sendung daher im DCS-Band erfolgen, wobei die Empfangsports RE2 und RE1 der DCS- und GSM-Bänder sowie auch der Sendeport EM1 des GSM-Bandes isoliert werden. Auf diese Weise kann die Steuerung SW4 allein die Sendung auf dem DCS-Kanal steuern.If the controller SW4 is at 1, the broadcast can therefore be in the DCS band take place, wherein the receiving ports RE2 and RE1 of the DCS and GSM bands as well Also the transmission port EM1 of the GSM band can be isolated. To this Way, the controller SW4 alone can broadcast on the DCS channel Taxes.

Aus der Lektüre des Vorstehenden geht hervor, dass die Vorrichtung der Erfindung mit höchstens einer Steuerung auf der logischen Stufe "1", beispielsweise SW1, funktioniert, welche die Diode D1 des Kreises 1 und die Diode D4 des Kreises 2 polarisiert. In diesem Falle ist nur die GSM-Sendung, d.h. die Sendung an EM1, zugelassen.It will be understood from reading the foregoing that the device of the invention operates with at most one logic "1" control, for example, SW1, which is the diode D1 of the circuit 1 and the diode D4 of the circle 2 polarized. In this case, only the GSM transmission, ie the transmission to EM1, is allowed.

Außerdem wird keine Polarisierung an die Dioden angelegt, um Nachrichten in dem GSM-Band oder dem DCS-Band zu empfangen. Der Empfang erfolgt also lediglich dadurch, dass die Steuerungen SW1 und SW4 auf logische Null gesetzt werden.In addition, no polarization is applied to the diodes to receive messages in the GSM band or the DCS band. The reception This is done only by setting the controls SW1 and SW4 to logic zero.

Demzufolge ergibt sich die folgende Tabelle:

  • – Wenn SW1 bei 1 und SW4 bei 0 liegen, ist die GSM-Sendung zugelassen.
  • – Wenn SW1 bei 0 und SW4 bei 1 liegen, ist die DCS-Sendung zugelassen.
  • – Wenn SW1 bei 0 und SW4 bei 1 liegen, ist der GSM- oder DCS-Empfang zugelassen
The result is the following table:
  • - If SW1 is 1 and SW4 is 0, the GSM transmission is allowed.
  • - If SW1 is 0 and SW4 is 1, DCS transmission is allowed.
  • - If SW1 is 0 and SW4 is 1, GSM or DCS reception is allowed

Beispielsweise kann angegeben werden, dass die angefügten Widerstände R3 und R4 einen Wert von 390 und die angefügten Stossinduktanzen L3 und L4 Werte von 39 bis 100 nH aufweisen. Ein derartiger Kreis ermöglicht, einen Gewinn von ca. 15 dB an der Harmonischen 2 der am Ausgangsport der Antenne (4) gemessenen GSM-Sendung zu erzielen.For example, it can be stated that the added resistors R3 and R4 have a value of 390 and the added surge inductances L3 and L4 have values of 39 to 100 nH. Such a circle allows a gain of about 15 dB at the harmonic 2 at the output port of the antenna ( 4 ) to achieve measured GSM transmission.

Es ist zu bedenken, dass der Wert der angefügten Widerstände R3 und R4 so ausgewählt werden muss, dass folgendem Kompromiss Rechnung getragen wird:

  • – Wenn der Wert dieser Widerstände zu hoch ist, wird der die parallele Diode des unbenutzten Empfangsports (zum Beispiel RE2) durchfließende Strom nicht ausreichen und der Port wird nicht vollständig isoliert sein;
  • – Wenn der Wert der Widerstände zu schwach ist, wird der die parallele Diode des Empfangsport RE1 des ausgewählten Bandes (zum Beispiel GSM) durchfließende Strom zu schwach sein (denn es findet Stromteilung zwischen der Diode und dem Widerstand statt, wobei er parallel ankommt, da er durch eine logische Null gesteuert wird) und der Empfangsport RE1 wird nicht vollständig von dem Sendeport EM1 und der äußeren Umgebung isoliert sein.
It should be noted that the value of the attached resistors R3 and R4 must be chosen to accommodate the following trade-off:
  • If the value of these resistors is too high, the current flowing through the parallel diode of the unused receive port (RE2, for example) will be insufficient and the port will not be completely isolated;
  • If the value of the resistors is too weak, the current flowing through the parallel diode of the receiving band RE1 of the selected band (for example GSM) will be too weak (because current sharing takes place between the diode and the resistor, arriving in parallel) it is controlled by a logic zero) and the receive port RE1 will not be completely isolated from the send port EM1 and the outside environment.

Um dieses Risiko zu vermeiden und die Auswahl der Werte der angefügten Widerstände und Induktanz zu erleichtern, schlägt die Erfindung eine Alternative vor, wobei eine Rücklaufdiode DA mit dem angefügten Widerstand in Serie geschaltet ist. Mit anderen Worten, eine Rücklaufdiode DA ist zwischen der Verbindungsstelle B und dem angefügten Widerstand R4 für die Steuerung SW4 und zwischen der Verbindungsstelle A und dem angefügten Widerstand R3 für die Steuerung SW1 angeschlossen. Diese Rücklaufdiode DA ermöglicht die Sperrung des Gesamtstromanteiles, der durch den Widerstand R3 oder R4 Richtung Masse entweichen könnte, wenn diese durch eine logische Null gesteuert wird.Around to avoid this risk and to select the values of the attached resistors and To facilitate inductance beats the invention provides an alternative, wherein a flyback diode DA with the attached resistor connected in series. In other words, a flyback diode DA is between the junction B and the attached resistor R4 for the controller SW4 and between the junction A and the attached resistor R3 for the controller SW1 connected. This flyback diode DA allows the Blocking of the total current share caused by the resistor R3 or R4 could escape towards mass, if it is controlled by a logical zero.

Wenn beispielsweise die Steuerung SW1 durch eine logische 1 und SW4 durch eine logische O (Fall der GSM-Sendung) gesteuert werden, dann durchläuft der aus der Steuerung SW1 entstehende Strom die Seriendiode D1 und wird anschließend zwischen der geerdeten, parallelen Diode D2 und der aus dem Widerstand R4 und der Induktanz L4 bestehenden, mit der Steuerung SW4 verbundenen Einheit, geteilt. Daher könnte der in der parallelen Diode D4 fließende Strom nicht mehr ausreichen, um diese Diode vollkommen durchlässig zu machen. Die mit dem Widerstand R4 und der Induktanz L4 in Serie geschaltete Rücklaufdiode DA erlaubt, einen Streustrom in Richtung auf die Steuerung SW4 durch den Widerstand R4 hindurch zu vermeiden.If For example, the controller SW1 by a logical 1 and SW4 by a logical O (case of GSM broadcast) are controlled, then goes through the From the controller SW1 resulting current the series diode D1 and is then between the grounded, parallel diode D2 and the resistor R4 and the inductor L4 connected to the controller SW4 Unity, shared. Therefore could the current flowing in the parallel diode D4 is no longer sufficient, completely transparent to this diode close. The connected in series with the resistor R4 and the inductance L4 Flyback diode DA allows a stray current towards the SW4 controller through the To avoid resistance R4 therethrough.

Selbstverständlich gilt das Gleiche für die Rolle der mit dem Widerstand R3 und der Induktanz L3 in Serie geschalteten Rücklaufdiode DA.Of course the same for the role of the resistor R3 and the inductance L3 in series switched flyback diode THERE.

Claims (4)

Multiplexvorrichtung mit einem ersten und einem zweiten Radiofrequenz-Umschaltkreis (1, 2), die jeweils einen ersten Eingangsport (EM1, EM2) mit einer diesem in Serie geschalteten ersten Diode (D1, D3) und einen zweiten Eingangsport (RE1, RE2) mit einer diesem parallel geschalteten zweiten Diode (D2, D4) und einen Ausgangsport (S1, S2) aufweisen, dadurch, gekennzeichnet, dass – eine erste Steuerung (SW1) vorgesehen ist, die eine Steuerspannung zum gleichzeitigen Durchschalten der ersten Diode (D1) des ersten Kreises sowie der zweiten Diode (D4) des zweiten Kreises bereitstellt, und – eine zweite Steuerung (SW4) vorgesehen ist, die eine Steuerspannung zum gleichzeitigen Durchschalten der zweiten Diode (D2) des ersten Kreises sowie der ersten Diode (D3) des zweiten Kreises bereitstellt.Multiplexing device comprising a first and a second radio-frequency switching circuit ( 1 . 2 ), each having a first input port (EM1, EM2) with a first diode connected in series (D1, D3) and a second input port (RE1, RE2) with a second diode connected in parallel (D2, D4) and an output port ( S1, S2), characterized in that - a first controller (SW1) is provided, which provides a control voltage for simultaneously switching through the first diode (D1) of the first circuit and the second diode (D4) of the second circuit, and a second controller (SW4) is provided, which provides a control voltage for simultaneously switching through the second diode (D2) of the first circuit and the first diode (D3) of the second circuit. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Steuerung (SW1) an der ersten Diode über einen ersten Widerstand und eine erste Induktanz in Serie, und an der zweiten Diode über einen zweiten Widerstand und eine zweite Induktanz in Serie, angeschlossen ist.Device according to claim 1, characterized in that that the first controller (SW1) at the first diode via a first resistor and a first inductance in series, and at the second diode over a second resistor and a second inductance in series, connected is. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Steuerung (SW1) an der zweiten Diode des zweiten Kreises über eine Rücklaufdiode (DA) angeschlossen ist.Device according to Claim 1 or 2, characterized in that the first controller (SW1) is connected to the second diode of the second Circle over a flyback diode (DA) is connected. Vorrichtung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Steuerung (SW4) an der zweiten Diode des ersten Kreises über eine Rücklaufdiode (DA) angeschlossen ist.Apparatus according to claim 1 to 3, characterized in that the second controller (SW4) is connected to the second diode of the first Circle over a flyback diode (DA) is connected.
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