DE10212380A1 - Cross-frequency radio frequency multiplexing device for dual band mobile phone - Google Patents
Cross-frequency radio frequency multiplexing device for dual band mobile phoneInfo
- Publication number
- DE10212380A1 DE10212380A1 DE2002112380 DE10212380A DE10212380A1 DE 10212380 A1 DE10212380 A1 DE 10212380A1 DE 2002112380 DE2002112380 DE 2002112380 DE 10212380 A DE10212380 A DE 10212380A DE 10212380 A1 DE10212380 A1 DE 10212380A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- diode
- port
- circuit
- controller
- band
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
- H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/403—Circuits using the same oscillator for generating both the transmitter frequency and the receiver local oscillator frequency
- H04B1/406—Circuits using the same oscillator for generating both the transmitter frequency and the receiver local oscillator frequency with more than one transmission mode, e.g. analog and digital modes
Abstract
Die Erfindung betrifft eine Multiplexvorrichtung mit einem ersten und einem zweiten Radiofrequenz-Umschaltkreis (1, 2), wobei diese Kreise jeweils einen ersten Eingangsport (EM1, EM2), der an einer ersten Seriendiode (D1, D3) angeschlossen ist, einen zweiten Eingangsport (RE1, RE2), der an einer zweiten parallelen Diode (D2, D4) angeschlossen ist, und einen Ausgangsport (S1, S2) aufweisen, dadurch gekennzeichnet, dass sie zur Gewährleistung der Polarisierung der ersten Diode (D1) des ersten Kreises sowie der Polarisierung der zweiten Diode (D4) des zweiten Kreises eine erste Steuerung (SW1) umfasst.The invention relates to a multiplexing device with a first and a second radio frequency switching circuit (1, 2), these circuits each having a first input port (EM1, EM2) which is connected to a first series diode (D1, D3), a second input port ( RE1, RE2), which is connected to a second parallel diode (D2, D4), and have an output port (S1, S2), characterized in that they ensure the polarization of the first diode (D1) of the first circuit and the polarization the second diode (D4) of the second circuit comprises a first controller (SW1).
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Radiofrequenz-(RF)- Multiplexvorrichtung mit Kreuzsteuerung für Dualbandmobiltelefone des GSM-DCS-Typs. Diese Vorrichtung wird im Bereich der Radiofrequenz-Elek tronik verwendet, die Multiplexvorrichtungen einsetzt, um einen oder mehrere RF-Ports untereinander zu verbinden. Sie findet vor allem im Bereich der mobilen Dualbandtelefonie Anwendung, welche zur Sendung und zum Empfang von Nachrichten in zwei unterschiedlichen Frequenzbändern, wie z. B. den GSM- und DCS-Bändern, Multiplexvorrichtungen einsetzt.The present invention relates to radio frequency (RF) Multiplexing device with cross control for dual band mobile phones of the GSM-DCS type. This device is used in the field of radio frequency elec tronics uses multiplexing devices to one or more Connect RF ports to each other. It mainly takes place in the field of mobile dual-band telephony application, which is used for broadcasting and Receive messages in two different frequency bands, such as z. B. uses the GSM and DCS bands, multiplexing devices.
In mobiler Dualbandtelefonie ist es notwendig, dass die Telefonantenne in beiden Sendebändern, z. B. GSM und DCS, Nachrichten senden bzw. empfangen kann, ohne dass die Sende- oder Empfangskanäle eines Bandes die Sendung oder den Empfang einer Nachricht in dem anderen Band stören. Mit anderen Worten, zur Sicherung einer guten Sende- und Empfangsqualität ist es wichtig, dass die Multiplexvorrichtung ständig eine starke Isolierung, einerseits zwischen den zwei aktiven Ports, also dem Antennenport und dem aktiven RF-Port, und andererseits zwischen den drei inaktiven RF-Ports, aufweist.In mobile dual-band telephony, it is necessary that the Telephone antenna in both transmission bands, e.g. B. GSM and DCS, messages can send or receive without the sending or receiving channels the sending or receipt of a message in a band disturb another band. In other words, to ensure a good broadcast and reception quality it is important that the multiplexing device is constantly strong insulation, on the one hand between the two active ports, i.e. the Antenna port and the active RF port, and on the other hand between the three inactive RF ports.
Zur Lösung dieses Problems gibt es derzeit eine Multiplexvorrichtung, die einen ersten pin-Diodenumschalter für das GSM-Band, einen zweiten pin-Diodenumschalter für das DCS-Band und einen GSM-DCS-Diplexerfilter, der beide Umschalter mit einer gemeinsamen Antenne verbindet, umfasst. In dieser in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung sind die beiden Umschalter, oder Umschaltkreise, 1 und 2 voneinander unabhängig; sie sind nur über den Diplexerfilter 3 miteinander verbunden.To solve this problem, there is currently a multiplexing device which comprises a first pin-diode switch for the GSM band, a second pin-diode switch for the DCS band and a GSM-DCS diplexer filter which connects both switches with a common antenna , In the device shown in FIG. 1, the two changeover switches, or changeover circuits, 1 and 2 are independent of one another; they are only connected to one another via the diplexer filter 3 .
Jeder Umschaltkreis umfasst zwei Eingangsports (bzw. Ein gangskanäle), und zwar einen Sende- und einen Empfangsport, und einen Ausgangsport (bzw. Ausgangskanal), der mit dem Diplexerfilter 3 verbunden ist, welcher wiederum mit der Antenne 4 des Mobiltelefons verbunden ist. Somit umfasst der Umschaltkreis 1 einen Sendeeingangsport EM1 und einen Empfangseingangsport RE1, die jeweils für die Sendung und den Empfang in dem GSM-Band sorgen. Er umfasst ebenfalls einen an dem Diplexerfilter 3 angeschlossenen Ausgangsport S1.Each switching circuit comprises two input ports (or an input channel), namely a send and a receive port, and an output port (or output channel) which is connected to the diplexer filter 3 , which in turn is connected to the antenna 4 of the mobile phone. The switching circuit 1 thus comprises a transmission input port EM1 and a reception input port RE1, which respectively ensure transmission and reception in the GSM band. It also includes an output port S1 connected to the diplexer filter 3 .
Der Umschaltkreis 2 umfasst einen Sendeport EM2 und einen Empfangsport RE2, die jeweils für die Sendung und den Empfang in dem DCS-Band sorgen. Er umfasst ebenfalls einen an dem Diplexerfilter 3 angeschlossenen Ausgangsport S2.The switching circuit 2 comprises a transmission port EM2 and a reception port RE2, which in each case ensure transmission and reception in the DCS band. It also includes an output port S2 connected to the diplexer filter 3 .
Dieser Diplexerfilter 3 ist ein Tiefpassfilter für das GSM-Band, d. h. für den Umschaltkreis 1, und ein Hochpassfilter für das DCS-Band, d. h. für den Umschaltkreis 2.This diplexer filter 3 is a low-pass filter for the GSM band, ie for the switching circuit 1 , and a high-pass filter for the DCS band, ie for the switching circuit 2 .
Der Umschaltkreis 1 umfasst eine erste Versorgungssteuerung SW1, die die Polarisierung einer an dem Sendeport EM1 in Serie geschalteten ersten Diode D1 gewährleistet, und eine mit einer zweiten Diode D2 an dem Empfangsport RE1 parallel angeschlossene zweite Versorgungssteuerung SW2.The switching circuit 1 comprises a first supply control SW1, which ensures the polarization of a first diode D1 connected in series at the send port EM1, and a second supply control SW2 connected in parallel with a second diode D2 to the receive port RE1.
Die erste Diode D1, auch Seriendiode des Kreises 1 genannt, und die zweite Diode D2, auch parallele Diode des Kreises 1 genannt, werden über ein Viertelwellennetz Q1, das in dem betreffenden Frequenzband abgestimmt ist, nämlich in dem GSM-Band für den Kreis 1, miteinander verbunden. Dieses Viertelwellennetz Q1 verhält sich wie ein an einem seiner Enden offener Kreis, wenn ein Kurzschluss an seinem anderen Ende angebracht wird, und umgekehrt. Zwischen dem Port EM1 und dem Port RE1 verbunden, wird es mittels einer Induktanz L5 ausgeführt, die zwischen zwei geerdeten Kondensatoren C5 und C5' verbundenen ist.The first diode D1, also called the series diode of the circuit 1 , and the second diode D2, also called the parallel diode of the circuit 1 , are via a quarter-wave network Q1, which is tuned in the relevant frequency band, namely in the GSM band for the circuit 1 , connected with each other. This quarter wave network Q1 behaves like a circuit open at one end when a short is made at its other end, and vice versa. Connected between port EM1 and port RE1, it is implemented by means of an inductance L5, which is connected between two grounded capacitors C5 and C5 '.
Diese Vorrichtung wird durch eine erste Steuerung SW1 gesteuert, welche über einen an einer Stossinduktanz L1 in Serie geschalteten Widerstand R1 mit der Seriendiode D1 des Sendeports EM1 verbunden ist. Eine zweite Steuerung SW2 ist an der parallelen Diode D2 des Empfangsports RE1 in Serie geschaltet.This device is controlled by a first controller SW1, which are connected in series via a shock inductance L1 Resistor R1 is connected to the series diode D1 of the send port EM1. A second controller SW2 is on the parallel diode D2 Receiving ports RE1 connected in series.
In ähnlicher Weise ist der Umschaltkreis 2 mit dem Umschaltkreis 1 absolut identisch, abgesehen von den Werten der verschiedenen Bauteile, die jeweils für den Umschaltkreis 1 oder 2 auf das Frequenzband, in welchem das Senden oder Empfangen gewünscht wird, und insbesondere auf das GSM-Band für den Kreis 1 und auf das DCS-Band für den Kreis 2 abgestimmt sind.Similarly, switch circuit 2 is absolutely identical to switch circuit 1 , except for the values of the various components, each for switch circuit 1 or 2, on the frequency band in which transmission or reception is desired, and in particular on the GSM band for circuit 1 and for the DCS band for circuit 2 .
Der Empfangsbetrieb in dem Frequenzband des Kreises 1, zum Beispiel dem GSM-Band, wird durch Polarisierung der Dioden D1 und D2 mit einem von der Steuerung SW1 zu der Steuerung SW2 fließenden Durchlassstrom gewährleistet. Wenn die Steuerung SW1 ein logisches Signal bei 1 sendet, d. h. eine Gleichspannung mit ausreichendem Wert, werden die Dioden D1 und D2 durchlässig. Dementsprechend entsteht ein Kurzschluss an dem Empfangsport RE1 und auch an dem Ende auf der Seite des Empfangsports des Viertelwellennetzes Q1. Die Eigenschaften des Viertelwellennetzes ermöglichen es, am anderen Ende dieses Viertelwellennetzes eine unendliche Impedanz zu erreichen, wodurch die Isolierung des Empfangsports RE1 möglich ist. Empfangsseitig, da die Diode D1 durchlässig ist, geht das RF-Signal durch die Diode D1 hindurch und bis zu dem Diplexerfilter 3 und dann bis zu der Antenne 4.The reception operation in the frequency band of the circuit 1 , for example the GSM band, is ensured by polarizing the diodes D1 and D2 with a forward current flowing from the controller SW1 to the controller SW2. If the controller SW1 sends a logic signal at 1, ie a DC voltage with a sufficient value, the diodes D1 and D2 become transparent. Accordingly, a short circuit arises at the receiving port RE1 and also at the end on the receiving port side of the quarter-wave network Q1. The properties of the quarter-wave network make it possible to achieve an infinite impedance at the other end of this quarter-wave network, as a result of which the reception port RE1 can be isolated. On the receiving side, since the diode D1 is transparent, the RF signal passes through the diode D1 and up to the diplexer filter 3 and then up to the antenna 4 .
Umgekehrt wird der Empfangsbetrieb dieser Vorrichtung gewährleistet, indem die Dioden D1 und D2 durch eine umgekehrte Polarisierung gesperrt werden. In diesem Falle wird der Sendeport EM1 durch die gesperrte Diode D1 isoliert und der Empfangsport RE1 ist durchlässig, da die Diode D2 blockiert ist, und das Viertelwellennetz Q1 bei 50 Ohm an seinen beiden Enden funktioniert.The reception operation of this device is reversed ensured by the diodes D1 and D2 by a reverse Polarization can be blocked. In this case the send port is EM1 isolated by the blocked diode D1 and the receiving port is RE1 transparent, because the diode D2 is blocked, and the quarter-wave network Q1 at 50 ohms at both ends works.
Der Betrieb dieser Vorrichtung ist absolut identisch für das Frequenzband des Kreises 2 und insbesondere für das DCS-Band. In diesem Falle gewährleistet die Steuerung SW4 die Polarisierung der Seriendiode D3 und der parallelen Diode D4, wie SW1 für die Dioden D1 und D2 des Kreises 1.The operation of this device is absolutely identical for the frequency band of circuit 2 and in particular for the DCS band. In this case, the controller SW4 ensures the polarization of the series diode D3 and the parallel diode D4, such as SW1 for the diodes D1 and D2 of the circuit 1 .
Dementsprechend, zur Gewährleistung der Sendung nur über den Port EM1, muss nicht nur der Empfangsport RE1, wie vorher erwähnt, sondern auch der Sendeport EM2 durch die Steuerung SW4 gesperrt werden. Zur Sperrung des Sendeports EM2 des Kreises 2 muss jedoch die Steuerung SW4 ein logisches Signal bei 0 senden, um die Diode D3 zu sperren. Nun aber ist die Diode D4 ebenfalls gesperrt, wodurch der Empfangsport RE2 durchlässig wird.Accordingly, not only the receiving port RE1, as previously mentioned, but also the sending port EM2 must be blocked by the controller SW4 in order to ensure the transmission only via the port EM1. To block the send port EM2 of the circuit 2 , however, the controller SW4 must send a logic signal at 0 to block the diode D3. Now, however, the diode D4 is also blocked, making the receive port RE2 transparent.
In der Tat, wie vorstehend erläutert, um die Sendung auf einem ersten Kanal zu erreichen, müssen die Dioden des zweiten Kanals (unbenutzten Kanals) durch eine umgekehrte Polarisation gesperrt werden. Da die Dioden an den Empfangsports parallel geschaltet sind, wird die Isolierung des Empfangsports des zweiten Kanals (unbenutzten Kanals) nicht gewährleistet, wenn über den ersten Kanal gesendet wird. Daraus ergibt sich ein erster Nachteil, und zwar das Risiko eines RF-Energieeinlasses über den Empfangsport des Kreises 2, und ein zweiter Nachteil, und zwar die Empfind lichkeit der Leistungen gegenüber der an dem Durchlassport anstehenden Belastung. Die Vorrichtung ist also gegen RF-Energien nicht geschützt, die über den nicht isolierten Empfangsport eindringen und die Antenne ungeschwächt erreichen können, sofern deren Frequenzen innerhalb des Durchlassbandes des zu durchgehenden Diplexerfilters liegen.Indeed, as explained above, in order to reach the broadcast on a first channel, the diodes of the second channel (unused channel) must be blocked by reverse polarization. Since the diodes on the receiving ports are connected in parallel, the isolation of the receiving port of the second channel (unused channel) is not guaranteed if transmission takes place via the first channel. This results in a first disadvantage, namely the risk of RF energy intake via the receiving port of the circuit 2 , and a second disadvantage, namely the sensitivity of the power to the load on the transmission port. The device is therefore not protected against RF energies that penetrate through the non-isolated receiving port and can reach the antenna unimpeded, provided that their frequencies are within the pass band of the diplexer filter to be passed.
In der Praxis wurde ein zu hohes Niveau der Harmonischen 2 am Antennenausgang einer solchen Multiplexvorrichtung im Einsatz für ein mobiles GSM/DCS-Dualbandendgerät beim Empfang im GSM-Band festgestellt. Die Analyse des Problems hat ergeben, dass es auf einen Hochfrequenzenergieeinlass über den unbenutzten Empfangsport, nämlich im vorliegenden Fall den DCS-Empfangsport, zurückzuführen war.In practice, an excessive level of harmonics 2 at the antenna output of such a multiplex device in use for a mobile GSM / DCS dual-band terminal was found when receiving in the GSM band. Analysis of the problem has shown that it was due to high frequency energy input through the unused receive port, namely the DCS receive port in the present case.
Außerdem weist diese Vorrichtung den Nachteil auf, dass vier Steuerungen benötigt werden, um die Polarisationen der Dioden umkehren zu können, wobei jede dieser Steuerungen Strom erzeugen oder aufnehmen kann.In addition, this device has the disadvantage that four Controls are needed to reverse the polarizations of the diodes to be able, each of these controls generate or consume electricity can.
Aufgabe der Erfindung ist daher, die Probleme der vorstehend geschilderten Technik zu lösen. Hierzu schlägt die Erfindung eine Radiofrequenz-Multiplexvorrichtung vor, bei der alle unbenutzten Umschaltports gesperrt werden, wenn einer der Ports benutzt wird. Mit anderen Worten, die Erfindung schlägt eine Multiplexvorrichtung vor, bei der eine einzige Steuerung an der logischen Stufe "1" alle Dioden der Vorrichtung polarisiert, wodurch die Isolierung aller unbenutzten Ports ermöglicht wird.The object of the invention is therefore the problems of the above to solve the technique described. To this end, the invention proposes a Radio frequency multiplexing device in which all unused Switching ports are blocked when one of the ports is used. With in other words, the invention proposes a multiplexing device in which a single controller at logic level "1" all the diodes Device polarizes, isolating all unused ports is made possible.
Genauer gesagt, betrifft die Erfindung eine Radiofrequenz- Multiplexvorrichtung, die einen ersten und einen zweiten RF-Umschaltkreis umfasst, wobei diese Kreise jeweils einen an einer Seriendiode angeschlossenen ersten Eingangsport, einen an einer zweiten parallelen Dioden angeschlossenen zweiten Eingangsport und einen Ausgangsport umfassen, dadurch gekennzeichnet, dass sie eine erste Steuerung zur Gewährleistung der Polarisierung der ersten Diode des ersten Kreises sowie der Polarisierung der zweiten Diode des zweiten Kreises umfasst.More specifically, the invention relates to a radio frequency Multiplexing device having a first and a second RF switching circuit comprises, each of these circles on a series diode connected first input port, one on a second parallel one Diodes connected to a second input port and an output port comprise, characterized in that they have a first control for Ensure the polarization of the first diode of the first circuit as well the polarization of the second diode of the second circuit.
Vorteilhaft umfasst die Vorrichtung eine zweite Steuerung zur Gewährleistung der Polarisierung der zweiten Diode des ersten Kreises sowie der Polarisierung der ersten Diode des zweiten Kreises.The device advantageously includes a second controller Ensure the polarization of the second diode of the first circuit and the polarization of the first diode of the second circuit.
Die bereits beschriebene Fig. 1 stellt eine Radiofrequenz- Multiplexvorrichtung vom Stand der Technik dar; Figs. 1, already described represents a radio frequency division multiplexing apparatus of the prior art;
Fig. 2 stellt eine Multiplexvorrichtung der Erfindung dar; und Figure 2 illustrates a multiplexing device of the invention; and
Fig. 3 stellt eine Alternative zu der Multiplexvorrichtung der Erfindung dar. Figure 3 illustrates an alternative to the multiplexing device of the invention.
Die Fig. 2 stellt das Schaltbild der Multiplexvorrichtung der Erfindung dar. In dieser Vorrichtung weisen die Elemente, die mit denjenigen der Vorrichtung aus Fig. 1 identisch sind, identische Bezugszeichen auf. FIG. 2 shows the circuit diagram of the multiplexing device of the invention. In this device, the elements that are identical to those of the device from FIG. 1 have identical reference numerals.
Die Vorrichtung der Erfindung umfasst einen ersten Umschaltkreis 1, der für die Sendung und den Empfang von Signalen in einem ersten Frequenzband sorgt, und insbesondere in dem GSM-Band, und einen zweiten Umschaltkreis 2, der Signale in einem zweiten Frequenzband sendet und empfängt, und insbesondere im DCS-Band. Jeder dieser Kreise umfasst einen Sendeeingangskanal (oder Port) EM, einen Empfangseingangskanal RE sowie einen Ausgangskanal S. Die Umschaltkreise 1 und 2 sind über ihre jeweiligen Ausgänge S1 und S2 mit einem Diplexerfilter 3 und dann mit der Antenne 4 verbunden.The device of the invention comprises a first switching circuit 1 , which provides for the transmission and reception of signals in a first frequency band, and in particular in the GSM band, and a second switching circuit 2 , which transmits and receives signals in a second frequency band, and especially in the DCS band. Each of these circuits comprises a transmission input channel (or port) EM, a reception input channel RE and an output channel S. The switching circuits 1 and 2 are connected via their respective outputs S1 and S2 to a diplexer filter 3 and then to the antenna 4 .
Genauer gesagt umfasst der Kreis 1 eine an dem Sendeport EM1 in Serie geschaltete Seriendiode D1 und eine an dem Empfangsport RE1 parallel geschaltete parallele Diode D2. Die beiden Dioden D1 und D2 sind über ein Viertelwellennetz Q1 miteinander verbunden.More precisely, the circuit 1 comprises a series diode D1 connected in series at the transmission port EM1 and a parallel diode D2 connected in parallel at the reception port RE1. The two diodes D1 and D2 are connected to one another via a quarter-wave network Q1.
Der Kreis 2 umfasst eine an dem Sendeport EM2 in Serie geschaltete Seriendiode D3 und eine an dem Empfangsport RE2 parallel geschaltete parallele Diode D4. Die beiden Dioden D3 und D4 sind über ein Viertelwellennetz Q2 miteinander verbunden.The circuit 2 comprises a series diode D3 connected in series on the transmission port EM2 and a parallel diode D4 connected in parallel on the reception port RE2. The two diodes D3 and D4 are connected to one another via a quarter-wave network Q2.
In der Vorrichtung der Erfindung sind nur zwei Steuerungen SW1 und SW4 notwendig, um die Dioden D1 bis D4 zu polarisieren und dementsprechend die Umschaltung der vier Ports der Vorrichtung zu steuern. Hierzu ist die Steuerung SW1 über einen Widerstand R1 und eine Stossinduktanz L1 einerseits an der Seriendiode D1 des Kreises 1 angeschlossen; sie ist, ausgehend von der Verbindungsstelle A, andererseits an der parallelen Diode D4 des Kreises 2 über einen angefügten Widerstand R3 und eine angefügte Stossinduktanz L3 angeschlossen, wobei beide in Serie geschaltet sind. Somit ermöglicht die Steuerung SW1, die Seriendiode D1, die die Diode der GSM-Sendung ist, und die parallele Diode D4, die die Diode des DCS-Empfangs ist, gleichzeitig zu polarisieren. Diese doppelte Polarisierung durch die Steuerung SW1 wird durch das Hinzufügen des Widerstands R3, der die Kalibrierung des Stroms in der Diode D4 erlaubt, und der Stossinduktanz L3, die eine Störung der 50-Impedanz am Empfangsport RE2 vermeiden kann, durchgeführt.In the device of the invention, only two controllers SW1 and SW4 are necessary to polarize the diodes D1 to D4 and accordingly to control the switching of the four ports of the device. For this purpose, the controller SW1 is connected on the one hand to the series diode D1 of the circuit 1 via a resistor R1 and a shock inductance L1; starting from the connection point A, it is connected on the other hand to the parallel diode D4 of the circuit 2 via an added resistor R3 and an added inductance L3, both of which are connected in series. The controller SW1 thus enables the series diode D1, which is the diode of the GSM transmission, and the parallel diode D4, which is the diode of the DCS reception, to be polarized simultaneously. This double polarization by controller SW1 is accomplished by adding resistor R3, which allows the current in diode D4 to be calibrated, and surge inductor L3, which can avoid disturbing the 50 impedance at receive port RE2.
Somit, um auf dem GSM-Kanal, d. h. am Port EM1 zu senden, sendet die Steuerung SW1 ein Signal bei 1, worauf die Diode D1 durchlässig wird. Das Signal kann dann vom Sendeport EM1 bis zu dem Diplexerfilter 3 und der Antenne 4 fließen. Außerdem ist D2 durchlässig, was zu einem Kurzschluss in dem Empfangsport RE1 führt. Darüber hinaus wird die Diode D4 durch das Signal bei 1 der Steuerung SW1 durchlässig, was zu einem Kurzschluss in dem Empfangsport RE2 führt. Außerdem wird die Diode D3, die an ihrer Anode die Steuerung SW4, also eine logische "O", und an ihrer Kathode die Steuerung SW1, also eine logische "1", aufnimmt, umgekehrt polarisiert und daher gesperrt. Dadurch kann der Port EM2 isoliert werden.Thus, in order to transmit on the GSM channel, ie on the port EM1, the controller SW1 sends a signal at 1, whereupon the diode D1 becomes transparent. The signal can then flow from the send port EM1 to the diplexer filter 3 and the antenna 4 . In addition, D2 is permeable, which leads to a short circuit in the receiving port RE1. In addition, the diode D4 becomes transparent through the signal at 1 of the controller SW1, which leads to a short circuit in the receiving port RE2. In addition, the diode D3, which receives the control SW4, ie a logic "0" at its anode, and the control SW1, ie a logic "1" at its cathode, is reversely polarized and therefore blocked. This allows the port EM2 to be isolated.
Auf diese Weise ist der Sendeport EM1 gegenüber dem Empfangsport RE1, dem Empfangsport RE2 und dem Sendeport EM2 gut isoliert. So erlaubt die Steuerung SW1 allein, die Umschaltung am Port EM1, d. h. die Sendung auf dem GSM-Kanal, zu steuern.In this way, the send port EM1 is opposite the receive port RE1, the receiving port RE2 and the sending port EM2 well isolated. So allows the control SW1 alone, the switch at port EM1, d. H. the Control broadcast on the GSM channel.
Auf symmetrische Weise kann die zweite Steuerung SW4 die Seriendiode D3 des Kreises 2 und die parallele Diode D2 des Kreises 1 polarisieren. Zu diesem Zweck wird die Steuerung SW4 der Vorrichtung der Erfindung einerseits an der Seriendiode D3 des Kreises 2 über einen mit einer Stossinduktanz L2 in Serie geschalteten Widerstand R2 angeschlossen; sie ist anderseits von der Verbindung B ausgehend an der parallelen Diode D2 des Kreises 1 über einen mit einer angefügten Induktanz L4 in Serie angefügten Widerstand R4 angeschlossen.The second controller SW4 can polarize the series diode D3 of the circuit 2 and the parallel diode D2 of the circuit 1 in a symmetrical manner. For this purpose, the controller SW4 of the device of the invention is connected on the one hand to the series diode D3 of the circuit 2 via a resistor R2 connected in series with a surge inductance L2; on the other hand, it is connected from the connection B to the parallel diode D2 of the circuit 1 via a resistor R4 connected in series with an added inductance L4.
Somit, wenn ein logisches Signal bei 1 an die Steuerung SW4 angelegt wird, wird die Diode D2 durchlässig, was einen Kurzschluss im Empfangsport RE1 verursacht. Die an ihrer Anode die Steuerung SW1, bzw. eine logische "O", und an ihrer Kathode die Steuerung SW4, bzw. eine logische "1", aufnehmende Diode D1 wird umgekehrt polarisiert und demnach gesperrt. Der Sendeport EM1 ist also isoliert. Außerdem, da die Steuerung SW4 bei 1 liegt, ist die Seriendiode D3 des Umschaltkreises 2 durchlässig und die am Sendeport EM2 des DCS-Bandes erzeugten Signale können bis zum Diplexerfilter 3 und der Antenne fließen. Darüber hinaus erzeugt die Diode D4, die ebenfalls durchlässig ist, einen Kurzschluss am Empfangsport RE2 des DCS-Bandes.Thus, when a logic signal at 1 is applied to the controller SW4, the diode D2 becomes transparent, which causes a short circuit in the receive port RE1. The diode D1 receiving the control SW1, or a logic "0" at its anode, and the control SW4, or a logic "1", receiving at its cathode, is reversely polarized and accordingly blocked. The send port EM1 is therefore isolated. In addition, since the control SW4 is 1, the series diode D3 of the switching circuit 2 is transparent and the signals generated at the send port EM2 of the DCS band can flow as far as the diplexer filter 3 and the antenna. In addition, the diode D4, which is also transparent, creates a short circuit at the receiving port RE2 of the DCS band.
Wenn die Steuerung SW4 bei 1 liegt, kann die Sendung daher im DCS-Band erfolgen, wobei die Empfangsports RE2 und RE1 der DCS- und GSM-Bänder sowie auch der Sendeport EM1 des GSM-Bandes isoliert werden. Auf diese Weise kann die Steuerung SW4 allein die Sendung auf dem DCS-Kanal steuern.If the control SW4 is 1, the shipment can therefore be in DCS band take place, the receiving ports RE2 and RE1 of the DCS and GSM bands and also the EM1 transmission port of the GSM band are isolated become. In this way, the controller SW4 alone can open the program control the DCS channel.
Aus der Lektüre des Vorstehenden geht hervor, dass die Vorrichtung der Erfindung mit höchstens einer Steuerung auf der logischen Stufe "1" beispielsweise SW1, funktioniert, welche die Diode D1 des Kreises 1 und die Diode D4 des Kreises 2 polarisiert. In diesem Falle ist nur die GSM-Sendung, d. h. die Sendung an EM1, zugelassen.From reading the above it is apparent that the device of the invention works with at most one control at logic level "1", for example SW1, which polarizes the diode D1 of the circuit 1 and the diode D4 of the circuit 2 . In this case, only the GSM transmission, ie the transmission to EM1, is permitted.
Außerdem wird keine Polarisierung an die Dioden angelegt, um Nachrichten in dem GSM-Band oder dem DCS-Band zu empfangen. Der Empfang erfolgt also lediglich dadurch, dass die Steuerungen SW1 und SW4 auf logische Null gesetzt werden.In addition, no polarization is applied to the diodes in order to Receive messages in the GSM band or the DCS band. The Reception therefore only takes place in that the controls SW1 and SW4 be set to logical zero.
Demzufolge ergibt sich die folgende Tabelle:
* Wenn SW1 bei 1 und SW4 bei 0 liegen, ist die GSM-Sendung
zugelassen.
* Wenn SW1 bei 0 und SW4 bei 1 liegen, ist die DCS-Sendung
zugelassen.
* Wenn SW1 bei 0 und SW4 bei 1 liegen, ist der GSM- oder DCS-
Empfang zugelassenThis results in the following table:
* If SW1 is 1 and SW4 is 0, the GSM transmission is permitted.
* If SW1 is 0 and SW4 is 1, DCS transmission is permitted.
* If SW1 is 0 and SW4 is 1, GSM or DCS reception is permitted
Beispielsweise kann angegeben werden, dass die angefügten Widerstände R3 und R4 einen Wert von 390 und die angefügten Stossinduktanzen L3 und L4 Werte von 39 bis 100 nH aufweisen. Ein derartiger Kreis ermöglicht, einen Gewinn von ca. 15 dB an der Harmonischen 2 der am Ausgangsport der Antenne (4) gemessenen GSM- Sendung zu erzielen.For example, it can be stated that the added resistors R3 and R4 have a value of 390 and the added shock inductances L3 and L4 have values of 39 to 100 nH. Such a circuit enables a gain of approx. 15 dB to be achieved on the harmonic 2 of the GSM broadcast measured at the output port of the antenna ( 4 ).
Es ist zu bedenken, dass der Wert der angefügten Widerstände R3
und R4 so ausgewählt werden muss, dass folgendem Kompromiss
Rechnung getragen wird:
It should be borne in mind that the value of the added resistors R3 and R4 must be selected so that the following compromise is taken into account:
- - Wenn der Wert dieser Widerstände zu hoch ist, wird der die parallele Diode des unbenutzten Empfangsports (zum Beispiel RE2) durchfließende Strom nicht ausreichen und der Port wird nicht vollständig isoliert sein;- If the value of these resistors is too high, it becomes the parallel one Diode of the unused receiving port (e.g. RE2) flowing through Insufficient current and the port will not be fully isolated;
- - Wenn der Wert der Widerstände zu schwach ist, wird der die parallele Diode des Empfangsport RE1 des ausgewählten Bandes (zum Beispiel GSM) durchfließende Strom zu schwach sein (denn es findet Stromteilung zwischen der Diode und dem Widerstand statt, wobei er parallel ankommt, da er durch eine logische Null gesteuert wird) und der Empfangsport RE1 wird nicht vollständig von dem Sendeport EM1 und der äußeren Umgebung isoliert sein.- If the value of the resistors is too weak, it becomes the parallel diode of the receiving port RE1 of the selected band (for Example GSM) flowing current may be too weak (because it finds Current sharing takes place between the diode and the resistor, being parallel arrives because it is controlled by a logical zero) and the Reception port RE1 is not completely from the send port EM1 and outside environment.
Um dieses Risiko zu vermeiden und die Auswahl der Werte der angefügten Widerstände und Induktanz zu erleichtern, schlägt die Erfindung eine Alternative vor, wobei eine Rücklaufdiode DA mit dem angefügten Widerstand in Serie geschaltet ist. Mit anderen Worten, eine Rücklaufdiode DA ist zwischen der Verbindungsstelle B und dem angefügten Widerstand R4 für die Steuerung SW4 und zwischen der Verbindungsstelle A und dem angefügten Widerstand R3 für die Steuerung SW1 angeschlossen. Diese Rücklaufdiode DA ermöglicht die Sperrung des Gesamtstromanteiles, der durch den Widerstand R3 oder R4 Richtung Masse entweichen könnte, wenn diese durch eine logische Null gesteuert wird.To avoid this risk and choosing the values of the To facilitate attached resistors and inductance, the invention suggests an alternative before, where a return diode DA with the attached Resistor is connected in series. In other words, a flyback diode DA is between junction B and the attached resistor R4 for the controller SW4 and between the connection point A and the attached resistor R3 for the control SW1 connected. This Return diode DA enables the blocking of the total current component could escape towards ground through resistor R3 or R4 if this is controlled by a logical zero.
Wenn beispielsweise die Steuerung SW1 durch eine logische 1 und SW4 durch eine logische O (Fall der GSM-Sendung) gesteuert werden, dann durchläuft der aus der Steuerung SW1 entstehende Strom die Seriendiode D1 und wird anschließend zwischen der geerdeten, parallelen Diode D2 und der aus dem Widerstand R4 und der Induktanz L4 bestehenden, mit der Steuerung SW4 verbundenen Einheit, geteilt. Daher könnte der in der parallelen Diode D4 fließende Strom nicht mehr ausreichen, um diese Diode vollkommen durchlässig zu machen. Die mit dem Widerstand R4 und der lnduktanz L4 in Serie geschaltete Rücklaufdiode DA erlaubt, einen Streustrom in Richtung auf die Steuerung SW4 durch den Widerstand R4 hindurch zu vermeiden.For example, if the controller SW1 by a logical 1 and SW4 can then be controlled by a logical O (case of GSM broadcast) the current resulting from the control SW1 passes through the series diode D1 and is then between the grounded, parallel diode D2 and the one consisting of the resistor R4 and the inductance L4 with which Control unit connected to SW4, divided. Therefore, the one in the parallel diode D4 current flowing is no longer sufficient to this diode to make it completely permeable. The one with the resistor R4 and the Inductance L4 series-connected return diode DA allows one Stray current towards the controller SW4 through the resistor R4 to avoid through.
Selbstverständlich gilt das Gleiche für die Rolle der mit dem Widerstand R3 und der Induktanz L3 in Serie geschalteten Rücklaufdiode DA.Of course, the same applies to the role of with Resistor R3 and the inductance L3 series-connected return diode THERE.
Claims (5)
dadurch gekennzeichnet, dass sie zur Gewährleistung der Polarisierung der ersten Diode (D1) des ersten Kreises sowie der Polarisierung der zweiten Diode (D4) des zweiten Kreises eine erste Steuerung (SW1)umfasst.1. Multiplexing device with a first and a second radio frequency switching circuit ( 1 , 2 ), each having a first input port (EM1, EM2), which is connected to a first series diode (D1, D3), a second input port (RE1, RE2) connected to a second parallel diode (D2, D4) and comprising an output port (S1, S2),
characterized in that it comprises a first controller (SW1) to ensure the polarization of the first diode (D1) of the first circuit and the polarization of the second diode (D4) of the second circuit.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0103779A FR2822612B1 (en) | 2001-03-20 | 2001-03-20 | RADIO FREQUENCY MULTIPLEXING DEVICE WITH CROSS CONTROL FOR TWO-BAND MOBILE TELEPHONE |
FR0103779 | 2001-03-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10212380A1 true DE10212380A1 (en) | 2002-10-02 |
DE10212380B4 DE10212380B4 (en) | 2006-06-01 |
Family
ID=8861351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2002112380 Expired - Lifetime DE10212380B4 (en) | 2001-03-20 | 2002-03-20 | Radio frequency cross-talk multiplexing device for a dual band mobile phone |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10212380B4 (en) |
FR (1) | FR2822612B1 (en) |
GB (1) | GB2375905B (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE0301200D0 (en) | 2003-04-24 | 2003-04-24 | Amc Centurion Ab | Antenna device and portable radio communication device including such an antenna device |
US7197284B2 (en) | 2003-04-25 | 2007-03-27 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Antenna switches including field effect transistors |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2616185C3 (en) * | 1976-04-13 | 1978-10-26 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Transceiver with a switchable coupling circuit |
US4220874A (en) * | 1977-02-15 | 1980-09-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | High frequency semiconductor devices |
DE3321354A1 (en) * | 1983-06-14 | 1984-12-20 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | CIRCUIT ARRANGEMENT FROM AN AMPLIFIER AND AN ELECTRONIC SWITCHER |
SE518416C2 (en) * | 1998-12-22 | 2002-10-08 | Ericsson Telefon Ab L M | Antenna Switch Module |
AU2380300A (en) * | 1999-01-07 | 2000-07-24 | Motorola, Inc. | A radio frequency (rf) switch using a single quarter wave isolating section and method of forming same |
JP2002064301A (en) * | 1999-03-18 | 2002-02-28 | Hitachi Metals Ltd | High frequency switch module for triple band |
EP1303055A4 (en) * | 2000-06-26 | 2009-11-04 | Panasonic Corp | Three-frequency branching circuit, branching circuit, and radio communication device |
DE10030982A1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Nokia Mobile Phones Ltd | Antenna switch for transceiver units in a mobile station |
-
2001
- 2001-03-20 FR FR0103779A patent/FR2822612B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-03-19 GB GB0206446A patent/GB2375905B/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-20 DE DE2002112380 patent/DE10212380B4/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10212380B4 (en) | 2006-06-01 |
GB2375905B (en) | 2004-12-01 |
FR2822612B1 (en) | 2003-07-11 |
GB0206446D0 (en) | 2002-05-01 |
FR2822612A1 (en) | 2002-09-27 |
GB2375905A (en) | 2002-11-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102012223187B4 (en) | System and method for a high frequency switch | |
DE102013202124B4 (en) | Adjustable impedance matching network | |
DE3638748C2 (en) | ||
DE60028937T2 (en) | HIGH FREQUENCY ASSEMBLED SWITCHGEAR ELEMENT | |
DE69914198T2 (en) | MIXER WITH MIRROR FREQUENCY SUPPRESSION | |
DE102015122185B4 (en) | Multiplexer device having first and second filter devices connected to a common terminal | |
EP1114523B1 (en) | Multiband antenna switcher | |
DE69929968T2 (en) | ANTENNA SWITCH | |
DE102011012927B4 (en) | amplifier module | |
EP0862279B1 (en) | Transmit-receive switch | |
DE10150159A1 (en) | Impedance matching circuit for multiband power amplifier used in wireless communication, has paths with impedance matching network to match impedance of input and output ports for frequency band signals, in desired band | |
DE102010034067A1 (en) | High frequency power amplifier with Doherty extension | |
DE112012002264B4 (en) | RF switch | |
DE60009651T2 (en) | HIGH FREQUENCY SWITCH | |
EP1168500A2 (en) | Antenna switch for a mobile transceiver | |
DE10212380B4 (en) | Radio frequency cross-talk multiplexing device for a dual band mobile phone | |
DE60037147T2 (en) | Transmit-receive switch | |
DE3409555A1 (en) | Balanced mixer with a hybrid transformer | |
DE102019101888B4 (en) | Configurable micro-acoustic RF filter | |
DE2937913A1 (en) | ELECTRONIC SWITCHING ARRANGEMENT | |
EP1147616A1 (en) | Transceiver unit for a first and second transmitting/receiving frequency | |
EP1150376B1 (en) | Device for reduction of the number of antennas on a combat vehicle | |
DE4227833C2 (en) | Intermediate frequency filter for a radio receiver | |
DE60038587T2 (en) | METHOD AND DEVICE FOR RECEIVING RF SIGNALS IN A TWIN-BAND MOBILE PHONE | |
DE1289897B (en) | Arrangement for combining two RF signals from different frequency bands applied to two input terminals |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: SAGEM MOBILES, PARIS, FR |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: PATENT- UND RECHTSANWAELTE BARDEHLE PAGENBERG, DE Representative=s name: PATENT- UND RECHTSANWAELTE BARDEHLE PAGENBERG, 816 |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: APPLE INC., CUPERTINO, US Free format text: FORMER OWNER: SAGEM MOBILES, PARIS, FR Effective date: 20111026 Owner name: APPLE INC., US Free format text: FORMER OWNER: SAGEM MOBILES, PARIS, FR Effective date: 20111026 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: BARDEHLE PAGENBERG PARTNERSCHAFT MBB PATENTANW, DE Effective date: 20111026 Representative=s name: BARDEHLE PAGENBERG PARTNERSCHAFT PATENTANWAELT, DE Effective date: 20111026 |
|
R071 | Expiry of right |