DE102022203881A1 - CIRCUIT BOARD FOR AN OPTICAL SYSTEM, OPTICAL SYSTEM, LITHOGRAPHY EQUIPMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING A CIRCUIT BOARD FOR AN OPTICAL SYSTEM - Google Patents

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Abstract

Ein wird eine Leiterplatte (24) für ein optisches System (4, 10) einer Lithographieanlage (1) vorgeschlagen, mit einer ersten Leiterbahn (100) aufweisend zumindest einen ersten Abschnitt (110) und einer zweiten Leiterbahn (200) aufweisend zumindest einen zweiten Abschnitt (220), wobei die erste Leiterbahn (100) und die zweite Leiterbahn (200) auf unterschiedlichen Ebenen der Leiterplatte (24) angeordnet sind, wobei der erste Abschnitt (110) und der zweite Abschnitt (220) in einer Projektionsebene (P) parallel zur Leiterplattenebene (L) bezüglich einer in der Projektionsebene (P) liegenden Achse (A) auf verschiedenen Seiten der Achse (A) angeordnet sind.A circuit board (24) for an optical system (4, 10) of a lithography system (1) is proposed, with a first conductor track (100) having at least a first section (110) and a second conductor track (200) having at least a second section (220), wherein the first conductor track (100) and the second conductor track (200) are arranged on different levels of the printed circuit board (24), the first section (110) and the second section (220) being parallel in a projection plane (P). are arranged on different sides of the axis (A) relative to the printed circuit board level (L) with respect to an axis (A) lying in the projection plane (P).

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Leiterplatte für ein optisches System einer Lithographieanlage, ein optisches System mit einer solchen Leiterplatte, eine Lithographieanlage mit einem solchen optischen System und ein Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte für ein optisches System einer Lithographieanlage.The present invention relates to a printed circuit board for an optical system of a lithography system, an optical system with such a printed circuit board, a lithography system with such an optical system and a method for producing a printed circuit board for an optical system of a lithography system.

Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.Microlithography is used to produce microstructured components such as integrated circuits. The microlithography process is carried out using a lithography system which has an illumination system and a projection system. The image of a mask (reticle) illuminated by the illumination system is projected by the projection system onto a substrate coated with a light-sensitive layer (photoresist) and arranged in the image plane of the projection system, for example a silicon wafer, in order to place the mask structure on the light-sensitive coating of the substrate transferred to.

Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstellung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV-Lithographieanlagen entwickelt, welche Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, insbesondere 13,5 nm, verwenden. Da die meisten Materialien Licht dieser Wellenlänge absorbieren, müssen bei solchen EUV-Lithographieanlagen reflektierende Optiken, das heißt Spiegel, anstelle von - wie bisher - brechenden Optiken, das heißt Linsen, eingesetzt werden.Driven by the striving for ever smaller structures in the manufacture of integrated circuits, EUV lithography systems are currently being developed which use light with a wavelength in the range from 0.1 nm to 30 nm, in particular 13.5 nm. Since most materials absorb light of this wavelength, reflective optics, ie mirrors, must be used in such EUV lithography systems instead of—as before—refractive optics, ie lenses.

In Lithographieanlagen ist eine Vielzahl von Aktor-/Sensoreinrichtungen, wie Sensoren und Aktuatoren, verbaut. Im Allgemeinen ist eine Aktor-/Sensoreinrichtung dazu geeignet, ein der Aktor-/Sensoreinrichtung zugeordnetes optisches Element, wie beispielsweise einen Spiegel, zu verlagern und/oder einen Parameter des zugeordneten optischen Elements, wie eine Position des zugeordneten optischen Elements oder eine Temperatur des zugeordneten optischen Elements, zu erfassen. Zur Ansteuerung und Auswertung ist eine solche Aktor-/ Sensoreinrichtung mit einer integrierten Schaltung (IC; Integrated Circuit) elektrisch zu verbinden. Integrierte Schaltungen werden auf Leiterplatten (auch Leiterkarten genannt) bestückt, und die bestückten Leiterplatten werden in der Lithographieanlage verbaut.A large number of actuator/sensor devices, such as sensors and actuators, are installed in lithography systems. In general, an actuator/sensor device is suitable for displacing an optical element assigned to the actuator/sensor device, such as a mirror, and/or a parameter of the assigned optical element, such as a position of the assigned optical element or a temperature of the assigned optical element to detect. Such an actuator/sensor device must be electrically connected to an integrated circuit (IC) for activation and evaluation. Integrated circuits are assembled on printed circuit boards (also called printed circuit boards), and the assembled printed circuit boards are installed in the lithography system.

Herkömmliche Leiterplatten umfassen parallel verlaufende Leiterbahnen. Wirkt allerdings ein Magnetfeld auf die parallelen Leiterbahnen der herkömmlichen Leiterplatte, so wird nachteiligerweise eine störende Spannung in den Leiterbahnen induziert. Eine solche störende Spannung kann die Ansteuerung und/ oder Auswertung einer Aktor-/Sensoreinrichtung der Lithographieanlage erheblich stören.Conventional printed circuit boards have parallel conductor tracks. However, if a magnetic field acts on the parallel conductor tracks of the conventional printed circuit board, a disruptive voltage is disadvantageously induced in the conductor tracks. Such a disruptive voltage can significantly disrupt the control and/or evaluation of an actuator/sensor device in the lithography system.

Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, eine verbesserte Leiterplatte für ein optisches System zu schaffen.Against this background, it is an object of the present invention to provide an improved circuit board for an optical system.

Gemäß einem ersten Aspekt wird eine Leiterplatte für ein optisches System einer Lithographieanlage vorgeschlagen, welche eine erste Leiterbahn aufweisend zumindest einen ersten Abschnitt und eine zweite Leiterbahn aufweisend zumindest einen zweiten Abschnitt hat, wobei die erste Leiterbahn und die zweite Leiterbahn auf unterschiedlichen Ebenen der Leiterplatte angeordnet sind, wobei der erste Abschnitt und der zweite Abschnitt in einer Projektionsebene parallel zur Leiterplattenebene bezüglich einer in der Projektionsebene liegenden Achse auf verschiedenen Seiten der Achse angeordnet sind.According to a first aspect, a circuit board for an optical system of a lithography system is proposed, which has a first conductor track having at least a first section and a second conductor track having at least a second section, the first conductor track and the second conductor track being arranged on different levels of the circuit board , wherein the first section and the second section are arranged in a plane of projection parallel to the plane of the circuit board with respect to an axis lying in the plane of projection on different sides of the axis.

Dadurch dass der erste Abschnitt und der zweite Abschnitt in der Projektionsebene parallel zur Leiterplattenebene bezüglich der in der Projektionsebene liegenden Achse auf verschiedenen Seiten der Achse angeordnet sind, ergibt sich, dass sich ein in Folge eines Stromflusses durch die erste Leiterbahn ergebendes erstes magnetisches Feld und ein in Folge eines Stromflusses durch die zweite Leiterbahn ergebendes zweites magnetisches Feld zumindest teilweise aufheben.The fact that the first section and the second section are arranged in the projection plane parallel to the circuit board plane on different sides of the axis with respect to the axis lying in the projection plane results in a first magnetic field resulting from a current flow through the first conductor track and a at least partially cancel the second magnetic field resulting from a current flow through the second conductor track.

Außerdem werden Störungen, die von extern auf die erste Leiterbahn und die zweite Leiterbahn einwirken, minimiert. Eine Störung, welche zum Beispiel durch ein externes (homogenes) elektromagnetisches Feld auf die Leiterbahnen einwirkt, wird durch die vorliegend vorgeschlagene Anordnung der Leiterbahnen zumindest teilweise aufgehoben oder ganz aufgehoben. Insgesamt wird vorliegend eine EMV-robuste Leitungsverlegung der Leiterbahnen auf der Leiterkarte geschaffen.In addition, interference that affects the first conductor track and the second conductor track from outside is minimized. A disturbance which acts on the conductor tracks, for example due to an external (homogeneous) electromagnetic field, is at least partially eliminated or completely eliminated by the presently proposed arrangement of the conductor tracks. Overall, an EMC-robust cable routing of the conductor tracks on the printed circuit board is created in the present case.

Die Leiterplatte kann auch als Leiterkarte bezeichnet werden. Das optische System ist bevorzugt eine Projektionsoptik der Lithographieanlage oder Projektionsbelichtungsanlage. Das optische System kann jedoch auch ein Beleuchtungssystem sein. Die Projektionsbelichtungsanlage kann eine EUV-Lithographieanlage sein. EUV steht für „Extreme Ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 nm und 30 nm. Die Projektionsbelichtungsanlage kann auch eine DUV-Lithographieanlage sein. DUV steht für „Deep Ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 250 nm.The printed circuit board can also be referred to as a printed circuit board. The optical system is preferably projection optics of the lithography system or projection exposure system. However, the optical system can also be an illumination system. The projection exposure system can be an EUV lithography system. EUV stands for "Extreme Ultraviolet" and designates a working light wavelength between 0.1 nm and 30 nm. The projection exposure system can also be a DUV lithography system. DUV stands for "Deep Ultraviolet" and describes a working light wavelength between 30 nm and 250 nm.

Gemäß einer Ausführungsform sind der erste Abschnitt und der zweite Abschnitt in der Projektionsebene symmetrisch zu der in der Projektionsebene liegenden Achse angeordnet.According to one embodiment, the first section and the second section are arranged in the projection plane symmetrically to the axis lying in the projection plane.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst die erste Leiterbahn eine Mehrzahl von ersten Abschnitten und die zweite Leiterbahn umfasst eine Mehrzahl von zweiten Abschnitten. Dabei sind in der Projektionsebene jeweils einer der ersten Abschnitte und einer der zweiten Abschnitte auf verschiedenen Seiten der in der Projektionsebene liegenden Achse angeordnet.According to a further embodiment, the first interconnect comprises a plurality of first sections and the second interconnect comprises a plurality of second sections. In this case, one of the first sections and one of the second sections are arranged in the projection plane on different sides of the axis lying in the projection plane.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind in der Projektionsebene jeweils einer der ersten Abschnitte und einer der zweiten Abschnitte symmetrisch zu der in der Projektionsebene liegenden Achse angeordnet.According to a further embodiment, one of the first sections and one of the second sections are arranged in the projection plane symmetrically to the axis lying in the projection plane.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform schneiden sich in der Projektionsebene jeweils einer der ersten Abschnitte und einer der zweiten Abschnitte in einem Kreuzungspunkt. Der Kreuzungspunkt liegt insbesondere auf der in der Projektionsebene liegenden Achse.According to a further embodiment, one of the first sections and one of the second sections intersect in the projection plane at a crossing point. The crossing point lies in particular on the axis lying in the projection plane.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform bestehen der erste Abschnitt und der zweite Abschnitt jeweils aus einem ersten Teilabschnitt und einem zweiten Teilabschnitt. Dabei sind in der Projektionsebene der erste Teilabschnitt des ersten Abschnittes und der erste Teilabschnitt des zweiten Abschnittes symmetrisch bezüglich der in der Projektionsebene liegenden Achse und der zweite Teilabschnitt des ersten Abschnittes und der zweite Teilabschnitt des zweiten Abschnittes sind ebenfalls symmetrisch bezüglich der in der Projektionsebene liegenden Achse.According to a further embodiment, the first section and the second section each consist of a first section and a second section. In the projection plane, the first section of the first section and the first section of the second section are symmetrical with respect to the axis lying in the projection plane, and the second section of the first section and the second section of the second section are also symmetrical with respect to the axis lying in the projection plane .

Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind der erste Teilabschnitt und der zweite Teilabschnitt des ersten Abschnittes sowie der erste Teilabschnitt und der zweite Teilabschnitt des zweiten Abschnittes jeweils halbkreisförmig ausgebildet.According to a further embodiment, the first section and the second section of the first section and the first section and the second section of the second section are each semicircular.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind der erste Teilabschnitt und der zweite Teilabschnitt des ersten Abschnittes sowie der erste Teilabschnitt und der zweite Teilabschnitt des zweiten Abschnittes jeweils trapezförmig ausgebildet. According to a further embodiment, the first section and the second section of the first section and the first section and the second section of the second section are each trapezoidal.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weisen der erste Abschnitt und der zweite Abschnitt jeweils die Form eines Sinus auf. Hierbei ist der Sinus des ersten Abschnittes vorzugsweise um 180° Grad verschoben zu dem Sinus des zweiten Abschnittes.According to a further embodiment, the first section and the second section each have the shape of a sinus. In this case, the sine of the first section is preferably shifted by 180° to the sine of the second section.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Leiterplatte zumindest einen biegsamen Bereich auf, welcher die erste Leiterbahn und die zweite Leiterbahn zumindest teilweise umfasst.According to a further embodiment, the printed circuit board has at least one flexible area which at least partially encompasses the first conductor track and the second conductor track.

Der biegsame Bereich kann einen Teil der Leiterplatte ausmachen, kann aber auch die gesamte Leiterplatte ausmachen. Durch den Einsatz des biegsamen Bereichs der Leiterplatte wird die Flexibilität beim Einbau in der Lithographieanlage deutlich erhöht. Dies ist von besonderem Vorteil im Lichte der vorherrschenden Bauraumbeschränkungen in den optischen Systemen der Lithographieanlage.The flex area can be part of the circuit board, but it can also be the entire circuit board. The use of the flexible area of the printed circuit board significantly increases flexibility during installation in the lithography system. This is of particular advantage in light of the prevailing space restrictions in the optical systems of the lithography system.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist auf dem biegsamen Bereich zusätzlich ein eine integrierte Schaltung umfassendes biegsames Bauteil angeordnet.According to a further embodiment, a flexible component comprising an integrated circuit is additionally arranged on the flexible area.

Durch die Anordnung des biegsamen Bauteils und damit der integrierten Schaltung (IC; Integrated Circuit) auf dem biegsamen Bereich der Leiterplatte wird die Flexibilität beim Einbau der integrierten Schaltung in der Lithographieanlage deutlich erhöht. Dies ist von besonderem Vorteil im Lichte der vorherrschenden Bauraumbeschränkungen in Lithographieanlagen.By arranging the flexible component and thus the integrated circuit (IC; Integrated Circuit) on the flexible area of the printed circuit board, the flexibility when installing the integrated circuit in the lithography system is significantly increased. This is of particular advantage in light of the prevailing space restrictions in lithography systems.

Folglich können damit integrierte Schaltungen auch im gebogenen Zustand in der Lithographieanlage verbaut werden. Hierdurch können vorteilhafterweise mögliche Störungen auf eine mit der integrierten Schaltung verbundene Aktor-/ Sensoreinrichtung vermindert bzw. verhindert werden. Solche möglichen Störungen umfassen insbesondere Störungen durch von der integrierten Schaltung erzeugten Wärme und elektromagnetische Störungen.Consequently, integrated circuits can also be installed in the lithography system in the bent state. As a result, possible interference in an actuator/sensor device connected to the integrated circuit can advantageously be reduced or prevented. Such possible interference includes, in particular, interference from heat generated by the integrated circuit and electromagnetic interference.

Aufgrund der Flexibilität der biegsamen Leiterplatte und des biegsamen ICs ist es in Applikationen möglich, die Länge notwendiger elektrischer Leitungen zur Verbindung von IC und Aktor-/Sensoreinrichtung zu minimieren. Eine solche Minimierung der Länge der elektrischen Leitungen reduziert auch Signallauflängen und reduziert damit den Einfluss möglicher Störungen bei der Datenübertragung und der Ansteuerung. Die Reduzierung des Wärmeeintrags des ICs auf die zugeordnete Aktor-/Sensoreinrichtung bedingt auch vorteilhafterweise eine geringere Thermalbelastung der Optik.Due to the flexibility of the flexible printed circuit board and the flexible IC, it is possible in applications to minimize the length of the electrical lines required to connect the IC and the actuator/sensor device. Such a minimization of the length of the electrical lines also reduces signal propagation lengths and thus reduces the influence of possible interference in data transmission and control. The reduction in heat input from the IC to the associated actuator/sensor device also advantageously results in a lower thermal load on the optics.

Der biegsame Bereich der Leiterplatte kann auch als flexibler Bereich bezeichnet werden. Das biegsame Bauteil kann auch als flexibles Bauteil bezeichnet werden. Entsprechend kann die biegsame integrierte Schaltung auch als flexible integrierte Schaltung oder als flexibler IC oder als Flex-IC bezeichnet werden.The flexible area of the printed circuit board can also be referred to as the flexible area. The flexible component can also be referred to as a flexible component. Correspondingly, the flexible integrated circuit can also be referred to as a flexible integrated circuit or as a flexible IC or as a flex IC.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das biegsame Bauteil einen Logikbaustein, einen Prozessor, einen Analog-Digital-Wandler und/oder einen Digital-Analog-Wandler.According to a further embodiment, the flexible component includes a logic module, a processor, an analog-to-digital converter and/or a digital-to-analog converter.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das biegsame Bauteil ein biegsames Substrat auf, auf welchem die integrierte Schaltung und die Leiterbahnen angeordnet sind.According to a further embodiment, the flexible component has a flexible substrate on which the integrated circuit and the conductor tracks are arranged.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das biegsame Bauteil ein biegsames Substrat auf, auf welchem die integrierte Schaltung gefertigt ist.According to a further embodiment, the flexible component has a flexible substrate on which the integrated circuit is manufactured.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind der biegsame Bereich der Leiterplatte und das auf dem biegsamen Bereich angeordnete Bauteil in einem gebogenen Zustand in dem optischen System angeordnet, insbesondere verbaut. Ein solcher gebogener Zustand bringt in Applikationen bauraumspezifische Vorteile. Ferner können durch den gebogenen Zustand vorteilhafterweise mögliche Störungen auf eine mit der integrierten Schaltung verbundene Aktor-/Sensoreinrichtung vermindert bzw. verhindert werden.According to a further embodiment, the flexible area of the printed circuit board and the component arranged on the flexible area are arranged, in particular installed, in a bent state in the optical system. Such a bent state brings space-specific advantages in applications. Furthermore, the bent state can advantageously reduce or prevent possible interference in an actuator/sensor device connected to the integrated circuit.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform integriert die Leiterplatte den zumindest einen biegsamen Bereich und das die integrierte Schaltung umfassende, biegsame Bauteil.According to a further embodiment, the printed circuit board integrates the at least one flexible area and the flexible component comprising the integrated circuit.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Leiterplatte den zumindest einen biegsamen Bereich und zumindest einen mit dem biegsamen Bereich verbundenen starren Bereich auf.According to a further embodiment, the printed circuit board has the at least one flexible area and at least one rigid area connected to the flexible area.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Leiterplatte zwei starre Bereiche auf, zwischen welchen der biegsame Bereich angeordnet ist.According to a further embodiment, the circuit board has two rigid areas between which the flexible area is arranged.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind die unterschiedlichen Ebenen der Leiterplatte, auf denen die erste Leiterbahn und die zweite Leiterbahn angeordnet sind, ausgebildet durch:

  • - zwei unterschiedliche Leiterplattenlagen der Leiterplatte,
  • - eine Oberseite der Leiterplatte und eine der Leiterplattenlagen der Leiterplatte,
  • - eine Unterseite der Leiterplatte und eine der Leiterplattenlagen der Leiterplatte, oder
  • - die Oberseite der Leiterplatte und die Unterseite der Leiterplatte.
According to a further embodiment, the different levels of the circuit board on which the first conductor track and the second conductor track are arranged are formed by:
  • - two different circuit board layers of the circuit board,
  • - a top of the circuit board and one of the circuit board layers of the circuit board,
  • - an underside of the printed circuit board and one of the printed circuit board layers of the printed circuit board, or
  • - the top of the circuit board and the bottom of the circuit board.

Gemäß einem zweiten Aspekt wird ein optisches System für eine Lithographieanlage vorgeschlagen, wobei das optische System eine Leiterplatte gemäß dem ersten Aspekt oder gemäß einer der Ausführungsformen des ersten Aspekts aufweist.According to a second aspect, an optical system for a lithography system is proposed, the optical system having a circuit board according to the first aspect or according to one of the embodiments of the first aspect.

Gemäß einer Ausführungsform ist das optische System als eine Beleuchtungsoptik oder als eine Projektionsoptik einer Lithographieanlage ausgebildet.According to one embodiment, the optical system is in the form of illumination optics or projection optics of a lithography system.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das optische System ferner eine Anzahl von Aktor-/Sensor-Einrichtungen, wobei das biegsame Bauteil unter Verwendung zumindest einer Leiterbahn der Leiterplatte mit der Anzahl von Aktor-/Sensor-Einrichtungen verbunden ist. Die jeweilige Aktor-/SensorEinrichtung ist beispielsweise ein Aktuator (oder Aktor) zum Aktuieren eines optischen Elements, ein Sensor zum Sensieren eines optischen Elements oder einer Umgebung in dem optischen System oder eine Aktor- und SensorEinrichtung zum Aktuieren und Sensieren in dem optischen System. Der Sensor ist beispielsweise ein Temperatursensor. Der Aktuator ist beispielsweise ein PMN-Aktuator (PMN; Blei-Magnesium-Niobate) oder ein PZT-Aktuator (PZT; Blei-Zirkonat-Titanate). Der Aktuator ist insbesondere dazu eingerichtet, ein optisches Element des optischen Systems zu aktuieren. Beispiele für ein solches optisches Element umfassen Linsen, Spiegel und adaptive Spiegel.According to a further embodiment, the optical system also comprises a number of actuator/sensor devices, the flexible component being connected to the number of actuator/sensor devices using at least one conductor track of the printed circuit board. The respective actuator/sensor device is, for example, an actuator (or actuator) for actuating an optical element, a sensor for sensing an optical element or an environment in the optical system, or an actuator and sensor device for actuating and sensing in the optical system. The sensor is a temperature sensor, for example. The actuator is, for example, a PMN actuator (PMN; Lead Magnesium Niobate) or a PZT actuator (PZT; Lead Zirconate Titanate). The actuator is set up in particular to actuate an optical element of the optical system. Examples of such an optical element include lenses, mirrors and adaptive mirrors.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das optisches System eine Anzahl von verlagerbaren optischen Elementen zur Führung von Strahlung in dem optischen System, wobei dem jeweiligen optischen Element zumindest eine der Aktor-/Sensor-Einrichtungen zugeordnet ist, wobei die jeweilige Aktor-/SensorEinrichtung zum Verlagern des zugeordneten optischen Elements und/oder zum Erfassen eines Parameters des zugeordneten optischen Elements, insbesondere einer Position des zugeordneten optischen Elements oder einer Temperatur im Bereich des zugeordneten optischen Elements, eingerichtet ist.According to a further embodiment, the optical system comprises a number of displaceable optical elements for guiding radiation in the optical system, with the respective optical element being assigned at least one of the actuator/sensor devices, with the respective actuator/sensor device for displacing the associated optical element and/or for detecting a parameter of the associated optical element, in particular a position of the associated optical element or a temperature in the region of the associated optical element.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das optische System ein Vakuumgehäuse auf, in welchem die Leiterplatte angeordnet ist.According to a further embodiment, the optical system has a vacuum housing in which the printed circuit board is arranged.

Gemäß einem dritten Aspekt wird eine Lithographieanlage vorgeschlagen, welche ein optisches System gemäß dem zweiten Aspekt oder gemäß einer der Ausführungsformen des zweiten Aspekts aufweist.According to a third aspect, a lithography system is proposed which has an optical system according to the second aspect or according to one of the embodiments of the second aspect.

Gemäß einem vierten Aspekt wird ein Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte für ein optisches System einer Lithographieanlage vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst ein Anordnen einer ersten Leiterbahn aufweisend zumindest einen ersten Abschnitt und einer zweiten Leiterbahn aufweisend zumindest einen zweiten Abschnitt auf unterschiedlichen Ebenen der Leiterplatte, wobei der erste Abschnitt und der zweite Abschnitt in einer Projektionsebene parallel zur Leiterplattenebene bezüglich einer in der Projektionsebene liegenden Achse auf verschiedenen Seiten der Achse angeordnet werden.According to a fourth aspect, a method for producing a circuit board for an optical system of a lithography system is proposed. The method includes arranging a first conductor track having at least a first section and a second conductor track aufwei send at least one second section on different planes of the printed circuit board, the first section and the second section being arranged in a plane of projection parallel to the plane of the printed circuit board on different sides of the axis with respect to an axis lying in the plane of projection.

Die für die vorgeschlagene Leiterplatte beschriebenen Ausführungsformen gelten für das vorgeschlagene Verfahren entsprechend und umgekehrt. Weiterhin gelten die Definitionen und Erläuterungen zu dem optischen System und zu der Lithographieanlage auch für das vorgeschlagene Verfahren entsprechend.The embodiments described for the proposed printed circuit board apply correspondingly to the proposed method and vice versa. Furthermore, the definitions and explanations for the optical system and for the lithography system also apply accordingly to the proposed method.

„Ein“ ist vorliegend nicht zwingend als beschränkend auf genau ein Element zu verstehen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu verstehen, dass eine Beschränkung auf genau die genannte Anzahl von Elementen gegeben ist. Vielmehr sind zahlenmäßige Abweichungen nach oben und nach unten möglich, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist."A" is not necessarily to be understood as being limited to exactly one element. Rather, a plurality of elements, such as two, three or more, can also be provided. Any other count word used here should also not be understood to mean that there is a restriction to precisely the stated number of elements. Rather, numerical deviations upwards and downwards are possible, unless otherwise stated.

Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.Further possible implementations of the invention also include combinations of features or embodiments described above or below with regard to the exemplary embodiments that are not explicitly mentioned. The person skilled in the art will also add individual aspects as improvements or additions to the respective basic form of the invention.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.

  • 1 zeigt einen schematischen Meridionalschnitt einer Projektionsbelichtungsanlage für eine EUV-Projektionslithographie;
  • 2 zeigt eine schematische Darstellung einer ersten Ausführungsform einer Leiterplatte für ein optisches System einer Lithographieanlage;
  • 3 zeigt die erste Ausführungsform der Leiterplatte nach 2 mit eingezeichneten magnetischen Feldern;
  • 4 zeigt eine schematische Darstellung einer zweiten Ausführungsform einer Leiterplatte für ein optisches System einer Lithographieanlage;
  • 5 zeigt eine schematische Darstellung einer dritten Ausführungsform einer Leiterplatte für ein optisches System einer Lithographieanlage; und
  • 6 zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen einer Leiterplatte für ein optisches System einer Lithographieanlage.
Further advantageous refinements and aspects of the invention are the subject matter of the dependent claims and of the exemplary embodiments of the invention described below. The invention is explained in more detail below on the basis of preferred embodiments with reference to the enclosed figures.
  • 1 shows a schematic meridional section of a projection exposure apparatus for EUV projection lithography;
  • 2 shows a schematic representation of a first embodiment of a printed circuit board for an optical system of a lithography system;
  • 3 12 shows the first embodiment of the printed circuit board 2 with marked magnetic fields;
  • 4 shows a schematic representation of a second embodiment of a printed circuit board for an optical system of a lithography system;
  • 5 shows a schematic representation of a third embodiment of a printed circuit board for an optical system of a lithography system; and
  • 6 shows a schematic view of an embodiment of a method for producing a printed circuit board for an optical system of a lithography system.

In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen worden, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendigerweise maßstabsgerecht sind.Elements that are the same or have the same function have been provided with the same reference symbols in the figures, unless otherwise stated. Furthermore, it should be noted that the representations in the figures are not necessarily to scale.

1 zeigt eine Ausführungsform einer Projektionsbelichtungsanlage 1 (Lithographieanlage), insbesondere einer EUV-Lithographieanlage. Eine Ausführung eines Beleuchtungssystems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Licht- beziehungsweise Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem 2 separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem 2 die Lichtquelle 3 nicht. 1 shows an embodiment of a projection exposure system 1 (lithography system), in particular an EUV lithography system. One embodiment of an illumination system 2 of the projection exposure system 1 has, in addition to a light or radiation source 3, illumination optics 4 for illuminating an object field 5 in an object plane 6. In an alternative embodiment, the light source 3 can also be provided as a separate module from the rest of the illumination system 2. In this case, the lighting system 2 does not include the light source 3 .

Belichtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 9, insbesondere in einer Scanrichtung, verlagerbar.A reticle 7 arranged in the object field 5 is exposed. The reticle 7 is held by a reticle holder 8 . The reticle holder 8 can be displaced via a reticle displacement drive 9, in particular in a scanning direction.

In der 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches Koordinatensystem mit einer x-Richtung x, einer y-Richtung y und einer z-Richtung z eingezeichnet. Die x-Richtung x verläuft senkrecht in die Zeichenebene hinein. Die y-Richtung y verläuft horizontal und die z-Richtung z verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der 1 längs der y-Richtung y. Die z-Richtung z verläuft senkrecht zur Objektebene 6.In the 1 a Cartesian coordinate system with an x-direction x, a y-direction y and a z-direction z is drawn in for explanation. The x-direction x runs perpendicularly into the plane of the drawing. The y-direction y runs horizontally and the z-direction z runs vertically. The scanning direction is in the 1 along the y-direction y. The z-direction z runs perpendicular to the object plane 6.

Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich.The projection exposure system 1 includes projection optics 10. The projection optics 10 are used to image the object field 5 in an image field 11 in an image plane 12. The image plane 12 runs parallel to the object plane 6. Alternatively, there is also an angle other than 0° between the object plane 6 and the Image plane 12 possible.

Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung y verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.A structure on the reticle 7 is imaged onto a light-sensitive layer of a wafer 13 arranged in the region of the image field 11 in the image plane 12 . The wafer 13 is held by a wafer holder 14 . The wafer holder 14 can be displaced in particular along the y-direction y via a wafer displacement drive 15 . The displacement on the one hand of the reticle 7 via the reticle displacement drive 9 and on the other hand of the wafer 13 via the Wafer displacement drive 15 can be synchronized with each other.

Bei der Lichtquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Lichtquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung 16 hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Engl.: Laser Produced Plasma, mit Hilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Engl.: Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Engl.: Free-Electron-Laser, FEL) handeln.The light source 3 is an EUV radiation source. The light source 3 emits in particular EUV radiation 16, which is also referred to below as useful radiation, illumination radiation or illumination light. The useful radiation 16 has in particular a wavelength in the range between 5 nm and 30 nm. The light source 3 can be a plasma source, for example an LPP source (Engl .: Laser Produced Plasma, plasma generated with the help of a laser) or a DPP (Gas Discharged Produced Plasma) source. It can also be a synchrotron-based radiation source. The light source 3 can be a free-electron laser (FEL).

Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Lichtquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Engl.: Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (Engl.: Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.The illumination radiation 16 emanating from the light source 3 is bundled by a collector 17 . The collector 17 can be a collector with one or more ellipsoidal and/or hyperboloidal reflection surfaces. The at least one reflection surface of the collector 17 can be in grazing incidence (Engl.: Grazing Incidence, GI), i.e. with angles of incidence greater than 45°, or in normal incidence (Engl.: Normal Incidence, NI), i.e. with incidence angles smaller than 45° , are acted upon by the illumination radiation 16 . The collector 17 can be structured and/or coated on the one hand to optimize its reflectivity for the useful radiation and on the other hand to suppress stray light.

Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Lichtquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.After the collector 17, the illumination radiation 16 propagates through an intermediate focus in an intermediate focus plane 18. The intermediate focus plane 18 can represent a separation between a radiation source module, comprising the light source 3 and the collector 17, and the illumination optics 4.

Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche auch als Feldfacetten bezeichnet werden können. Von diesen ersten Facetten 21 sind in der 1 nur beispielhaft einige dargestellt.The illumination optics 4 comprises a deflection mirror 19 and a first facet mirror 20 downstream of this in the beam path. The deflection mirror 19 can be a plane deflection mirror or alternatively a mirror with an effect that influences the bundle beyond the pure deflection effect. Alternatively or additionally, the deflection mirror 19 can be designed as a spectral filter, which separates a useful light wavelength of the illumination radiation 16 from stray light of a different wavelength. If the first facet mirror 20 is arranged in a plane of the illumination optics 4 which is optically conjugate to the object plane 6 as the field plane, it is also referred to as a field facet mirror. The first facet mirror 20 includes a multiplicity of individual first facets 21, which can also be referred to as field facets. Of these first facets 21 are in the 1 only a few shown as examples.

Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.The first facets 21 can be embodied as macroscopic facets, in particular as rectangular facets or as facets with an arcuate or part-circular edge contour. The first facets 21 can be embodied as planar facets or alternatively as convexly or concavely curved facets.

Wie beispielsweise aus der DE 10 2008 009 600 A1 bekannt ist, können die ersten Facetten 21 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 20 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.Like for example from the DE 10 2008 009 600 A1 is known, the first facets 21 themselves can each also be composed of a large number of individual mirrors, in particular a large number of micromirrors. The first facet mirror 20 can be embodied in particular as a microelectromechanical system (MEMS system). For details refer to the DE 10 2008 009 600 A1 referred.

Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung y.The illumination radiation 16 runs horizontally between the collector 17 and the deflection mirror 19, ie along the y-direction y.

Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der US 2006/0132747 A1 , der EP 1 614 008 B1 und der US 6,573,978 .A second facet mirror 22 is arranged downstream of the first facet mirror 20 in the beam path of the illumination optics 4. If the second facet mirror 22 is arranged in a pupil plane of the illumination optics 4, it is also referred to as a pupil facet mirror. The second facet mirror 22 can also be arranged at a distance from a pupil plane of the illumination optics 4 . In this case, the combination of the first facet mirror 20 and the second facet mirror 22 is also referred to as a specular reflector. Specular reflectors are known from US 2006/0132747 A1 , the EP 1 614 008 B1 and the U.S. 6,573,978 .

Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.The second facet mirror 22 includes a plurality of second facets 23. In the case of a pupil facet mirror, the second facets 23 are also referred to as pupil facets.

Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.The second facets 23 can also be macroscopic facets, which can have round, rectangular or hexagonal borders, for example, or alternatively facets composed of micromirrors. In this regard, also on the DE 10 2008 009 600 A1 referred.

Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.The second facets 23 can have plane or alternatively convexly or concavely curved reflection surfaces.

Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Engl.: Fly's Eye Integrator) bezeichnet.The illumination optics 4 thus forms a double-faceted system. This basic principle is also known as a honeycomb condenser (English: Fly's Eye Integrator).

Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der zweite Facettenspiegel 22 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der DE 10 2017 220 586 A1 beschrieben ist.It can be advantageous not to arrange the second facet mirror 22 exactly in a plane which is optically conjugate to a pupil plane of the projection optics 10 . In particular, the second facet mirror 22 can be arranged tilted relative to a pupil plane of the projection optics 10, as is the case, for example, in FIG DE 10 2017 220 586 A1 is described.

Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.The individual first facets 21 are imaged in the object field 5 with the aid of the second facet mirror 22 . The second facet mirror 22 is the last beam-forming mirror or actually the last mirror for the illumination radiation 16 in the beam path in front of the object field 5.

Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (GI-Spiegel, Grazing Incidence Spiegel) umfassen.In another embodiment of the illumination optics 4 that is not shown, transmission optics can be arranged in the beam path between the second facet mirror 22 and the object field 5 , which particularly contributes to the imaging of the first facets 21 in the object field 5 . The transmission optics can have exactly one mirror, but alternatively also have two or more mirrors, which are arranged one behind the other in the beam path of the illumination optics 4 . The transmission optics can in particular comprise one or two mirrors for normal incidence (NI mirror, normal incidence mirror) and/or one or two mirrors for grazing incidence (GI mirror, grazing incidence mirror).

Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 17 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 19, den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.The illumination optics 4 has the version in which 1 shown, exactly three mirrors after the collector 17, namely the deflection mirror 19, the first facet mirror 20 and the second facet mirror 22.

Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.In a further embodiment of the illumination optics 4, the deflection mirror 19 can also be omitted, so that the illumination optics 4 can then have exactly two mirrors after the collector 17, namely the first facet mirror 20 and the second facet mirror 22.

Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.The imaging of the first facets 21 by means of the second facets 23 or with the second facets 23 and transmission optics in the object plane 6 is generally only an approximate imaging.

Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.The projection optics 10 includes a plurality of mirrors Mi, which are numbered consecutively according to their arrangement in the beam path of the projection exposure system 1 .

Bei dem in der 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 10 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Bei der Projektionsoptik 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 16. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.At the in the 1 example shown, the projection optics 10 includes six mirrors M1 to M6. Alternatives with four, eight, ten, twelve or another number of mirrors Mi are also possible. The projection optics 10 are doubly obscured optics. The penultimate mirror M5 and the last mirror M6 each have a passage opening for the illumination radiation 16. The projection optics 10 has an image-side numerical aperture which is greater than 0.5 and which can also be greater than 0.6 and which, for example, is 0.7 or 0.75.

Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hochreflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.Reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as free-form surfaces without an axis of rotational symmetry. Alternatively, the reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as aspherical surfaces with exactly one axis of rotational symmetry of the reflection surface shape. Just like the mirrors of the illumination optics 4, the mirrors Mi can have highly reflective coatings for the illumination radiation 16. These coatings can be designed as multilayer coatings, in particular with alternating layers of molybdenum and silicon.

Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung y zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung y kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12.The projection optics 10 has a large object-image offset in the y-direction y between a y-coordinate of a center of the object field 5 and a y-coordinate of the center of the image field 11. This object-image offset in the y-direction y can be about as large as a z-distance between the object plane 6 and the image plane 12.

Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe βx, βy in x- und y-Richtung x, y auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe βx, βy der Projektionsoptik 10 liegen bevorzugt bei (βx, βy) = (+/- 0,25, /+- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab B bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.The projection optics 10 can in particular be anamorphic. In particular, it has different image scales βx, βy in the x and y directions x, y. The two image scales βx, βy of the projection optics 10 are preferably at (βx, βy)=(+/−0.25, /+−0.125). A positive image scale β means an image without image reversal. A negative sign for the imaging scale B means imaging with image inversion.

Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung x, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.The projection optics 10 thus leads to a reduction in the ratio 4:1 in the x-direction x, ie in the direction perpendicular to the scanning direction.

Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung y, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1.The projection optics 10 lead to a reduction of 8:1 in the y-direction y, ie in the scanning direction.

Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung x, y, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.Other imaging scales are also possible. Image scales with the same sign and absolutely the same in the x and y directions x, y, for example with absolute values of 0.125 or 0.25, are also possible.

Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung x, y im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung x, y sind bekannt aus der US 2018/0074303 A1 . The number of intermediate image planes in the x and y directions x, y in the beam path between the object field 5 and the image field 11 can be the same or, depending on the design of the projection optics 10, can be different. Examples of projection optics with different numbers of such intermediate images in the x and y directions x, y are known from U.S. 2018/0074303 A1 .

Jeweils eine der zweiten Facetten 23 ist genau einer der ersten Facetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der ersten Facetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die ersten Facetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten zweiten Facetten 23.In each case one of the second facets 23 is assigned to precisely one of the first facets 21 in order to form a respective illumination channel for illuminating the object field 5 . In this way, in particular, lighting can result according to Köhler's principle. The far field is broken down into a large number of object fields 5 with the aid of the first facets 21 . The first facets 21 generate a plurality of images of the intermediate focus on the second facets 23 assigned to them.

Die ersten Facetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten zweiten Facette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.The first facets 21 are each imaged onto the reticle 7 by an associated second facet 23 in a superimposed manner in order to illuminate the object field 5 . In particular, the illumination of the object field 5 is as homogeneous as possible. It preferably has a uniformity error of less than 2%. Field uniformity can be achieved by superimposing different illumination channels.

Durch eine Anordnung der zweiten Facetten 23 kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der zweiten Facetten 23, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting oder Beleuchtungspupillenfüllung bezeichnet.The illumination of the entrance pupil of the projection optics 10 can be defined geometrically by arranging the second facets 23 . The intensity distribution in the entrance pupil of the projection optics 10 can be set by selecting the illumination channels, in particular the subset of the second facets 23 that guide light. This intensity distribution is also referred to as illumination setting or illumination pupil filling.

Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.A likewise preferred pupil uniformity in the area of defined illuminated sections of an illumination pupil of the illumination optics 4 can be achieved by redistributing the illumination channels.

Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben.Further aspects and details of the illumination of the object field 5 and in particular the entrance pupil of the projection optics 10 are described below.

Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.The projection optics 10 can in particular have a homocentric entrance pupil. This can be accessible. It can also be inaccessible.

Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des zweiten Facettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.The entrance pupil of the projection optics 10 cannot regularly be illuminated exactly with the second facet mirror 22 . When imaging the projection optics 10, which telecentrically images the center of the second facet mirror 22 onto the wafer 13, the aperture rays often do not intersect at a single point. However, a surface can be found in which the distance between the aperture rays, which is determined in pairs, is minimal. This surface represents the entrance pupil or a surface conjugate to it in position space. In particular, this surface shows a finite curvature.

Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.The projection optics 10 may have different positions of the entrance pupil for the tangential and for the sagittal beam path. In this case, an imaging element, in particular an optical component of the transmission optics, should be provided between the second facet mirror 22 and the reticle 7 . With the help of this optical element, the different positions of the tangential entrance pupil and the sagittal entrance pupil can be taken into account.

Bei der in der 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 ist der zweite Facettenspiegel 22 in einer zur Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 konjugierten Fläche angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zur Objektebene 6 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 19 definiert ist. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 22 definiert ist.At the in the 1 shown arrangement of the components of the illumination optics 4, the second facet mirror 22 is arranged in a conjugate to the entrance pupil of the projection optics 10 surface. The first facet mirror 20 is arranged tilted to the object plane 6 . The first facet mirror 20 is tilted relative to an arrangement plane that is defined by the deflection mirror 19 . The first facet mirror 20 is tilted relative to an arrangement plane that is defined by the second facet mirror 22 .

2 zeigt eine schematische Darstellung einer ersten Ausführungsform einer Leiterplatte 24 für ein optisches System 4, 10 einer Lithographieanlage 1. Das optische System 4, 10 ist beispielsweise die Beleuchtungsoptik 4 oder die Projektionsoptik 10 der Lithographieanlage 1 nach 1. 2 shows a schematic representation of a first embodiment of a printed circuit board 24 for an optical system 4, 10 of a lithography system 1. The optical system 4, 10 is, for example, the illumination optics 4 or the projection optics 10 of the lithography system 1 1 .

In der 2 zeigt der rechte Zeichnungsteil einen Vertikalschnitt V der Leiterplatte 24 senkrecht zur Leiterplattenebene L der Leiterplatte 24. Der linke Zeichnungsteil der 1 hingegen zeigt eine Projektionsebene P, welche parallel zur Leiterplattenebene L ist. Die Leiterplatte 24 der 2 umfasst eine erste Leiterbahn 100 aufweisend N erste Abschnitte 110 und eine zweite Leiterbahn 200 aufweisend N zweite Abschnitte 220, mit N ≥ 1. Ohne Einschränkung der Allgemeinheit ist N in 2 gleich 3 (N = 3). In praktischen Anwendungen kann N auch deutlich größer sein, beispielsweise größer als 100, oder größer als 1000 oder größer als 10000. Aus zeichnerischen Gründen sind im linken Zeichnungsteil der 2 nur der untere erste Abschnitt 110 und der untere zweite Abschnitt 220 mit Bezugszeichen versehen.In the 2 shows the right part of the drawing a vertical section V of the circuit board 24 perpendicular to the circuit board plane L of the circuit board 24. The left part of the drawing 1 however, shows a projection plane P, which is parallel to the circuit board plane L. The circuit board 24 of 2 comprises a first conductive line 100 having N first sections 110 and a second conductive line 200 having N second sections 220, with N ≥ 1. Without loss of generality, N in 2 equals 3 (N=3). In practical applications, N can also be significantly greater, for example greater than 100, or greater than 1000 or greater than 10000. For reasons of drawing, the left-hand part of the drawing 2 only the lower first portion 110 and the lower second portion 220 are referenced.

Wie der rechte Zeichnungsteil der 2 illustriert, sind die erste Leiterbahn 100 und die zweite Leiterbahn 200 auf unterschiedlichen Ebenen der Leiterplatte 24 angeordnet. In dem Ausführungsbeispiel der 2 ist die erste Leiterbahn 100 auf der Oberseite der Leiterplatte 24 angeordnet und die zweite Leiterbahn 200 ist auf der Unterseite der Leiterplatte 24 angeordnet. Weitere Beispiele für die Anordnung der ersten Leiterbahn 100 und der zweiten Leiterbahn 200 auf unterschiedliche Ebenen der Leiterplatte 24 umfassen, dass die zwei Leiterbahnen 100, 200 in unterschiedlichen Leiterplattenlagen der Leiterplatte 24 angeordnet sind, dass eine der beiden Leiterbahnen 100, 200 in eine der Leiterplattenlagen der Leiterplatte 24 angeordnet ist und die andere auf der Oberseite der Leiterplatte 24 angeordnet ist, und dass eine der Leiterbahnen 100, 200 in einer der Leiterplattenlagen und die andere auf der Unterseite der Leiterplatte 24 angeordnet ist.Like the right part of the drawing 2 illustrated, the first conductive line 100 and the second conductive line 200 are arranged on different levels of the printed circuit board 24 . In the embodiment of 2 the first conductor track 100 is arranged on the upper side of the circuit board 24 and the second conductor track 200 is arranged on the underside of the circuit board 24 . Further examples of the arrangement of the first conductor track 100 and the second conductor track 200 on different levels of the circuit board 24 include that the two conductor tracks 100, 200 are arranged in different circuit board layers of the circuit board 24, that one of the two conductor tracks 100, 200 in one of the circuit board layers of the circuit board 24 and the other is arranged on top of the circuit board 24, and that one of the conductor tracks 100, 200 is arranged in one of the circuit board layers and the other on the underside of the circuit board 24 is arranged.

Ferner zeigt der linke Zeichnungsteil der 2, dass der erste Abschnitt 110 und der zweite Abschnitt 220 in der Projektionsebene P parallel zur Leiterplattenebene L bezüglich einer in der Projektionsebene P liegenden Achse A auf verschiedenen Seiten der Achse A angeordnet sind.Furthermore, the left part of the drawing shows 2 that the first section 110 and the second section 220 are arranged in the projection plane P parallel to the printed circuit board plane L with respect to an axis A lying in the projection plane P on different sides of the axis A.

In dem Ausführungsbeispiel nach 2 hat der erste Abschnitt 110 der ersten Leiterbahn 100 einen ersten Teilabschnitt 111 und einen zweiten Teilabschnitt 112. Entsprechend hat der zweite Abschnitt 220 der zweiten Leiterbahn 200 einen ersten Teilabschnitt 221 und einen zweiten Teilabschnitt 222.In the embodiment after 2 the first section 110 of the first conductor track 100 has a first section 111 and a second section 112. Correspondingly, the second section 220 of the second conductor track 200 has a first section 221 and a second section 222.

In dem Ausführungsbeispiel nach 2 sind der erste Teilabschnitt 111 sowie der zweite Teilabschnitt 112 des ersten Abschnittes 110 der ersten Leiterbahn 100 jeweils halbkreisförmig ausgebildet. Entsprechend sind der erste Teilabschnitt 221 und der zweite Teilabschnitt 222 des zweiten Abschnittes 220 der zweiten Leiterbahn 200 ebenfalls jeweils halbkreisförmig ausgebildet.In the embodiment after 2 the first subsection 111 and the second subsection 112 of the first section 110 of the first conductor track 100 are each semicircular. Correspondingly, the first partial section 221 and the second partial section 222 of the second section 220 of the second conductor track 200 are also each formed in the shape of a semicircle.

Wie der linke Zeichnungsteil der 2 weiter zeigt, sind der erste Teilabschnitt 111 des ersten Abschnittes 110 und der erste Teilabschnitt 221 des zweiten Abschnittes 220 symmetrisch bezüglich der in der Projektionsebene P liegenden Achse A angeordnet. Entsprechend sind der zweite Teilabschnitt 112 des ersten Abschnittes 110 und der zweite Teilabschnitt 222 des zweiten Abschnittes 220 ebenfalls symmetrisch bezüglich der in der Projektionsebene P liegenden Achse A angeordnet. Somit sind der erste Abschnitt 110 und der zweite Abschnitt 220 in der Projektionsebene P bezüglich der in der Projektionsebene P liegenden Achse A stets auf verschiedenen Seiten der Achse A angeordnet. Dabei sind der erste Abschnitt 110 und der zweite Abschnitt 220 bezüglich der Achse A auch symmetrisch angeordnet.Like the left part of the drawing 2 further shows, the first section 111 of the first section 110 and the first section 221 of the second section 220 are arranged symmetrically with respect to the axis A lying in the projection plane P. Correspondingly, the second section 112 of the first section 110 and the second section 222 of the second section 220 are also arranged symmetrically with respect to the axis A lying in the projection plane P. Thus, the first section 110 and the second section 220 are always arranged on different sides of the axis A in the projection plane P with respect to the axis A lying in the projection plane P. In this case, the first section 110 and the second section 220 are also arranged symmetrically with respect to the axis A.

Wie oben ausgeführt, hat die erste Leiterbahn 100 im Allgemeinen eine Mehrzahl von N ersten Abschnitten 110 und die zweite Leiterbahn 200 hat eine entsprechende Mehrzahl N von zweiten Abschnitten 220. In der Projektionsebene P sind jeweils einer der ersten Abschnitte 110 und einer der zweiten Abschnitte 220 auf verschiedenen Seiten der in der Projektionsebene P liegenden Achse A angeordnet. Jeweils einer der ersten Abschnitte 110 und einer der zweiten Abschnitte 220 sind symmetrisch zu der in der Projektionsebene P liegenden Achse A angeordnet. In der Ausführungsform der 2. schneiden sich jeweils einer der ersten Abschnitte 110 und einer der zweiten Abschnitte 220 in einem Kreuzungspunkt K.As stated above, the first conductive line 100 generally has a plurality of N first sections 110 and the second conductive line 200 has a corresponding plurality N of second sections 220. In the plane of projection P are each one of the first sections 110 and one of the second sections 220 arranged on different sides of the axis A lying in the projection plane P. In each case one of the first sections 110 and one of the second sections 220 are arranged symmetrically to the axis A lying in the projection plane P. In the embodiment of 2 . one of the first sections 110 and one of the second sections 220 intersect at a crossing point K.

Weiter zeigt die 3 die Ausführungsform der Leiterplatte 24 nach 2 mit eingezeichneten magnetischen Feldern Φ1 und Φ2. Wenn wie in dem Beispiel der 3 Φ1 gleich Φ2 ist (Φ1 = Φ2), so ist die induzierte Spannung Uind gleich 0 (mit Uind = d(Φ1- Φ2)/dt).Next shows the 3 the embodiment of the circuit board 24 after 2 with drawn magnetic fields Φ1 and Φ2. If as in the example of 3 Φ1 is equal to Φ2 (Φ1 = Φ2), the induced voltage U ind is equal to 0 (with U ind = d(Φ1- Φ2)/dt).

Insgesamt ist hier festzuhalten, dass dadurch, dass der erste Abschnitt 110 und der zweite Abschnitt 220 in der Projektionsebene P parallel zur Leiterplatte L bezüglich der in der Projektionsebene P liegende Achse A auf verschiedenen Seiten der Achse A angeordnet sind, ergibt sich, dass sich ein infolge eines Stromflusses durch die erste Leiterbahn 100 ergebendes erstes magnetisches Feld und ein infolge eines Stromflusses durch die zweite Leiterbahn 200 ergebendes zweites magnetisches Feld zumindest teilweise oder ganz aufheben.Overall, it should be noted here that the fact that the first section 110 and the second section 220 are arranged in the projection plane P parallel to the printed circuit board L on different sides of the axis A with respect to the axis A lying in the projection plane P results in a a first magnetic field resulting from a current flow through the first conductor track 100 and a second magnetic field resulting from a current flow through the second conductor track 200 at least partially or completely cancel.

Außerdem werden Störungen, die von extern auf die erste Leiterbahn 100 und auf die zweite Leiterbahn 200 einwirken, minimiert. Eine Störung, welche zum Beispiel durch ein externes elektromagnetisches Feld auf die Leiterbahnen 100, 200 wirkt, wird durch die vorliegend vorgeschlagene Anordnung der Leiterbahnen 100, 200 zumindest teilweise aufgehoben oder ganz aufgehoben.In addition, interference that affects the first interconnect 100 and the second interconnect 200 from the outside is minimized. A disturbance which acts on the conductor tracks 100, 200, for example due to an external electromagnetic field, is at least partially eliminated or completely eliminated by the arrangement of the conductor tracks 100, 200 proposed here.

4 zeigt eine schematische Darstellung einer zweiten Ausführungsform einer Leiterplatte 24 für ein optisches System 4, 10 einer Lithographieanlage 1. Die zweite Ausführungsform nach 4 unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform nach den 2 und 3 in der Form der Teilabschnitte 111, 112, 221, 222. In der zweiten Ausführungsform nach 4 sind diese Teilabschnitte 111, 112, 221, 222 jeweils trapezförmig ausgebildet. 4 shows a schematic representation of a second embodiment of a circuit board 24 for an optical system 4, 10 of a lithography system 1. The second embodiment according to 4 differs from the first embodiment according to the 2 and 3 in the form of sections 111, 112, 221, 222. In the second embodiment according to 4 these sections 111, 112, 221, 222 are each trapezoidal.

5 zeigt eine schematische Darstellung einer dritten Ausführungsform einer Leiterplatte 24 für ein optisches System 4, 10 einer Lithographieanlage 1. 5 shows a schematic representation of a third embodiment of a printed circuit board 24 for an optical system 4, 10 of a lithography system 1.

Die dritte Ausführungsform nach 5 basiert auf der ersten Ausführungsform nach den 2 und 3 und unterscheidet sich in der Form der Abschnitte 110 und 220. In der dritten Ausführungsform nach 5 haben der erste Abschnitt 110 und der zweite Abschnitt 220 jeweils die Form eines Sinus. Dabei ist der Sinus des ersten Abschnittes 110 um 180° verschoben zu dem Sinus des zweiten Abschnittes 220.The third embodiment after 5 is based on the first embodiment according to the 2 and 3 and differs in the shape of sections 110 and 220. In the third embodiment, after 5 the first section 110 and the second section 220 each have the shape of a sinus. The sine of the first section 110 is shifted by 180° to the sine of the second section 220.

Die Leiterplatte 24 einer jeder der Ausführungsformen der 2 bis 5 hat vorzugsweise einen biegsamen Bereich, auf welchem die erste Leiterbahn 100 und die zweite Leiterbahn 200 zumindest teilweise angeordnet sind (nicht gezeigt). Außerdem ist auf dem biegsamen Bereich vorzugsweise zusätzlich ein eine integrierte Schaltung umfassendes biegsames Bauteil angeordnet. Durch die Anordnung des biegsamen Bauteils und damit der integrierten Schaltung (IC; Integrated Circuit) auf dem biegsamen Bereich der Leiterplatte 24 wird die Flexibilität beim Einbau der integrierten Schaltung in der Lithographieanlage 1 deutlich erhöht. Dies ist von besonderem Vorteil im Lichte der vorherrschenden Bauraumbeschränkungen in der Lithographieanlage 1.The circuit board 24 of each of the embodiments of 2 until 5 preferably has a flexible area on which the first conductor track 100 and the second conductor track 200 are at least partially arranged (not shown). In addition, a flexible component comprising an integrated circuit is preferably additionally arranged on the flexible region. By arranging the flexible component and thus the integrated circuit (IC; Integrated Circuit) on the flexible area of the printed circuit board 24, the flexibility when installing the integrated circuit in the lithography system 1 is significantly increased. This is of particular advantage in light of the prevailing space restrictions in the lithography system 1.

6 zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen einer Leiterplatte 24 für ein optisches System 4, 10 einer Lithographieanlage 1. Beispiele für das optische System 4, 10 und für die Lithographieanlage 1 sind in der 1 dargestellt. Die Ausführungsform des Verfahrens nach 6 umfasst die Schritte S1 und S2:

  • In Schritt S1 wird eine Leiterplatte 24 bereitgestellt (siehe hierzu beispielsweise 2 bis 5).
6 shows a schematic view of an embodiment of a method for producing a circuit board 24 for an optical system 4, 10 of a lithography system 1. Examples for the optical system 4, 10 and for the lithography system 1 are in FIG 1 shown. The embodiment of the method according to 6 includes steps S1 and S2:
  • In step S1, a printed circuit board 24 is provided (see, for example, 2 until 5 ).

In Schritt S2 werden eine erste Leiterbahn 100 aufweisend zumindest einen ersten Abschnitt 110 und eine zweite Leiterbahn 200 aufweisend zumindest einen zweiten Abschnitt 220 auf unterschiedlichen Ebenen der bereitgestellten Leiterplatte 24 angeordnet, wobei der erste Abschnitt 110 und der zweite Abschnitt 220 in einer Projektionsebene P parallel zur Leiterplattenebene L bezüglich einer in der Projektionsebene P liegenden Achse A auf verschiedenen Seiten der Asche A angeordnet werden (siehe hierzu beispielweise 2 bis 5).In step S2, a first conductor track 100 having at least a first section 110 and a second conductor track 200 having at least a second section 220 are arranged on different levels of the printed circuit board 24 provided, with the first section 110 and the second section 220 being in a projection plane P parallel to the Printed circuit board level L can be arranged on different sides of the axis A with respect to an axis A lying in the projection plane P (see, for example, 2 until 5 ).

Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar.Although the present invention has been described using exemplary embodiments, it can be modified in many ways.

Bezugszeichenlistereference list

11
Projektionsbelichtungsanlageprojection exposure system
22
Beleuchtungssystemlighting system
33
Lichtquellelight source
44
Beleuchtungsoptiklighting optics
55
Objektfeldobject field
66
Objektebeneobject level
77
Retikelreticle
88th
Retikelhalterreticle holder
99
Retikelverlagerungsantriebreticle displacement drive
1010
Projektionsoptikprojection optics
1111
Bildfeldimage field
1212
Bildebenepicture plane
1313
Waferwafers
1414
Waferhalterwafer holder
1515
WaferverlagerungsantriebWafer displacement drive
1616
Beleuchtungsstrahlungillumination radiation
1717
Kollektorcollector
1818
Zwischenfokusebeneintermediate focal plane
1919
Umlenkspiegeldeflection mirror
2020
erster Facettenspiegelfirst facet mirror
2121
erste Facettefirst facet
2222
zweiter Facettenspiegelsecond facet mirror
2323
zweite Facettesecond facet
2424
Leiterplattecircuit board
100100
erste Leiterbahnfirst track
110110
erster Abschnittfirst section
111111
erster Teilabschnitt des ersten Abschnittesfirst part of the first part
112112
zweiter Teilabschnitt des ersten Abschnittessecond part of the first part
200200
zweite Leiterbahnsecond track
220220
zweiter Abschnittsecond part
221221
erster Teilabschnitt des zweiten Abschnittesfirst part of the second part
222222
zweiter Teilabschnitt des zweiten Abschnittes second part of the second part
AA
Achseaxis
KK
Kreuzungspunktcrossing point
LL
Leiterplattenebeneboard level
M1M1
SpiegelMirror
M2M2
SpiegelMirror
M3M3
SpiegelMirror
M4M4
SpiegelMirror
M5M5
SpiegelMirror
M6M6
SpiegelMirror
PP
Projektionsebeneprojection plane
S1S1
Verfahrensschrittprocess step
S2S2
Verfahrensschrittprocess step
VV
Vertikalschnittvertical section

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDED IN DESCRIPTION

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Claims (15)

Leiterplatte (24) für ein optisches System (4, 10) einer Lithographieanlage (1), mit einer ersten Leiterbahn (100) aufweisend zumindest einen ersten Abschnitt (110) und einer zweiten Leiterbahn (200) aufweisend zumindest einen zweiten Abschnitt (220), wobei die erste Leiterbahn (100) und die zweite Leiterbahn (200) auf unterschiedlichen Ebenen der Leiterplatte (24) angeordnet sind, wobei der erste Abschnitt (110) und der zweite Abschnitt (220) in einer Projektionsebene (P) parallel zur Leiterplattenebene (L) bezüglich einer in der Projektionsebene (P) liegenden Achse (A) auf verschiedenen Seiten der Achse (A) angeordnet sind.Printed circuit board (24) for an optical system (4, 10) of a lithography system (1), with a first conductor track (100) having at least one first section (110) and a second conductor track (200) having at least one second section (220), wherein the first conductor track (100) and the second conductor track (200) are arranged on different levels of the printed circuit board (24), the first section (110) and the second section (220) being in a projection plane (P) parallel to the printed circuit board plane (L ) are arranged on different sides of the axis (A) with respect to an axis (A) lying in the projection plane (P). Leiterplatte nach Anspruch 1, wobei der erste Abschnitt (110) und der zweite Abschnitt (220) in der Projektionsebene (P) symmetrisch zu der in der Projektionsebene (P) liegenden Achse (A) angeordnet sind.circuit board after claim 1 , wherein the first section (110) and the second section (220) are arranged in the projection plane (P) symmetrically to the axis (A) lying in the projection plane (P). Leiterplatte nach Anspruch 1 oder 2, wobei die erste Leiterbahn (100) eine Mehrzahl von ersten Abschnitten (110) aufweist und die zweite Leiterbahn (200) eine Mehrzahl von zweiten Abschnitten (220) aufweist, wobei in der Projektionsebene (P) jeweils einer der ersten Abschnitte (110) und einer der zweiten Abschnitte (220) auf verschiedenen Seiten der in der Projektionsebene (P) liegenden Achse (A) angeordnet sind.circuit board after claim 1 or 2 , wherein the first conductor track (100) has a plurality of first sections (110) and the second conductor track (200) has a plurality of second sections (220), wherein in the projection plane (P) one of the first sections (110) and one of the second sections (220) are arranged on different sides of the axis (A) lying in the projection plane (P). Leiterplatte nach Anspruch 3, wobei in der Projektionsebene (P) jeweils einer der ersten Abschnitte (110) und einer der zweiten Abschnitte (220) symmetrisch zu der in der Projektionsebene (P) liegenden Achse (A) angeordnet sind.circuit board after claim 3 , wherein in the projection plane (P) one of the first sections (110) and one of the second sections (220) are arranged symmetrically to the axis (A) lying in the projection plane (P). Leiterplatte nach Anspruch 4, wobei sich in der Projektionsebene (P) jeweils einer der ersten Abschnitte (110) und einer der zweiten Abschnitte (220) in einem Kreuzungspunkt (K) schneiden.circuit board after claim 4 , wherein in the projection plane (P) one of the first sections (110) and one of the second sections (220) intersect at a crossing point (K). Leiterplatte nach Anspruch 5, wobei der erste Abschnitt (110) und der zweite Abschnitt (220) jeweils aus einem ersten Teilabschnitt (111, 221) und einem zweiten Teilabschnitt (112, 222) bestehen, wobei in der Projektionsebene (P) der erste Teilabschnitt (111) des ersten Abschnittes (110) und der erste Teilabschnitt (221) des zweiten Abschnittes (220) symmetrisch bezüglich der in der Projektionsebene (P) liegenden Achse (A) sind und der zweite Teilabschnitt (112) des ersten Abschnittes (110) und der zweite Teilabschnitt (212) des zweiten Abschnittes (220) symmetrisch bezüglich der in der Projektionsebene (P) liegenden Achse (A) sind.circuit board after claim 5 , wherein the first section (110) and the second section (220) each consist of a first section (111, 221) and a second section (112, 222), wherein in the plane of projection (P) the first section (111) of the first section (110) and the first section (221) of the second section (220) are symmetrical with respect to the axis (A) lying in the projection plane (P) and the second section (112) of the first section (110) and the second section (212) of the second section (220) are symmetrical with respect to the axis (A) lying in the projection plane (P). Leiterplatte nach Anspruch 6, wobei der erste Teilabschnitt (111) und der zweite Teilabschnitt (112) des ersten Abschnittes (110) und der erste Teilabschnitt (221) und der zweite Teilabschnitt (222) des zweiten Abschnittes (220) jeweils kreisförmig ausgebildet sind oder wobei der erste Teilabschnitt (111) und der zweite Teilabschnitt (112) des ersten Abschnittes (110) und der erste Teilabschnitt (221) und der zweite Teilabschnitt (222) des zweiten Abschnittes (220) jeweils trapezförmig ausgebildet sind.circuit board after claim 6 , wherein the first section (111) and the second section (112) of the first section (110) and the first section (221) and the second section (222) of the second section (220) are each circular or wherein the first section (111) and the second section (112) of the first section (110) and the first section (221) and the second section (222) of the second section (220) are each trapezoidal. Leiterplatte nach Anspruch 5, wobei der erste Abschnitt (110) und der zweite Abschnitt (220) jeweils die Form eines Sinus aufweisen, wobei der Sinus des ersten Abschnittes (110) um 180° Grad verschoben zu dem Sinus des zweiten Abschnittes (220) ist.circuit board after claim 5 , wherein the first section (110) and the second section (220) each have the shape of a sine, the sine of the first section (110) being shifted by 180° to the sine of the second section (220). Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Leiterplatte (24) zumindest einen biegsamen Bereich aufweist, welcher die erste Leiterbahn (100) und die zweite Leiterbahn (200) zumindest teilweise umfasst.Circuit board according to one of Claims 1 until 8th , The printed circuit board (24) having at least one flexible region which at least partially comprises the first conductor track (100) and the second conductor track (200). Leiterplatte nach Anspruch 9, wobei auf dem biegsamen Bereich zusätzlich ein eine integrierte Schaltung umfassendes biegsames Bauteil angeordnet ist.circuit board after claim 9 , wherein a flexible component comprising an integrated circuit is additionally arranged on the flexible region. Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die unterschiedlichen Ebenen der Leiterplatte (24), auf denen die erste Leiterbahn (100) und die zweite Leiterbahn (200) angeordnet sind, ausgebildet sind, durch: - zwei unterschiedliche Leiterplattenlagen der Leiterplatte (24), - eine Oberseite der Leiterplatte (24) und eine der Leiterplattenlagen der Leiterplatte (24), - eine Unterseite der Leiterplatte (24) und eine der Leiterplattenlagen der Leiterplatte (24), oder - die Oberseite der Leiterplatte (24) und die Unterseite der Leiterplatte (24).Circuit board according to one of Claims 1 until 10 , wherein the different levels of the printed circuit board (24), on which the first conductor track (100) and the second conductor track (200) are arranged, are formed by: - two different printed circuit board layers of the printed circuit board (24), - an upper side of the printed circuit board ( 24) and one of the printed circuit board layers of the printed circuit board (24), - an underside of the printed circuit board (24) and one of the printed circuit board layers of the printed circuit board (24), or - the upper side of the printed circuit board (24) and the lower side of the printed circuit board (24). Optisches System (4, 10) für eine Lithographieanlage (1), wobei das optische System (4, 10) eine Leiterplatte (24) nach einem der Ansprüche 1 bis 11 umfasst.Optical system (4, 10) for a lithography system (1), wherein the optical system (4, 10) has a printed circuit board (24) according to one of Claims 1 until 11 includes. Optisches System (4, 10) nach Anspruch 12, wobei das optische System (4, 10) als eine Beleuchtungsoptik (4) oder als eine Projektionsoptik (10) einer Lithographieanlage (1) ausgebildet ist.Optical system (4, 10) according to claim 12 , wherein the optical system (4, 10) is designed as an illumination optics (4) or as a projection optics (10) of a lithography system (1). Lithographieanlage (1) mit einem optischen System (4, 10) nach Anspruch 12 oder 13.Lithography system (1) with an optical system (4, 10). claim 12 or 13 . Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte (24) für ein optisches System (4, 10) einer Lithographieanlage (1), mit Anordnen (S2) einer ersten Leiterbahn (100) aufweisend zumindest einen ersten Abschnitt (110) und einer zweiten Leiterbahn (200) aufweisend zumindest einen zweiten Abschnitt (220) auf unterschiedlichen Ebenen der Leiterplatte (24), wobei der erste Abschnitt (110) und der zweite Abschnitt (220) in einer Projektionsebene (P) parallel zur Leiterplattenebene (L) bezüglich einer in der Projektionsebene (P) liegenden Achse (A) auf verschiedenen Seiten der Achse (A) angeordnet werden.Method for producing a circuit board (24) for an optical system (4, 10) of a lithography system (1), with arrangement (S2) of a first conductor track (100) having at least a first section (110) and a second conductor track (200) having at least one second section (220) on different planes of the printed circuit board (24), the first section (110) and the second section (220) being in a projection plane (P) parallel to the printed circuit board plane (L) with respect to a projection plane (P ) lying axis (A) can be arranged on different sides of the axis (A).
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