DE102022202450A1 - Method for operating an optical system, and optical system - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben eines optischen Systems sowie ein optisches System, wobei das optische System wenigstens einen Spiegel (100) mit einem Spiegelsubstrat (110) und einem Reflexionsschichtsystem (120) aufweist, wobei in dem Spiegelsubstrat (110) eine Fluidkanalanordnung mit einer Mehrzahl von Fluidkanälen (131-135) angeordnet ist, welche unabhängig voneinander von einem Fluid mit variabel einstellbarer Fluidtemperatur durchströmbar sind, wobei elektromagnetische Strahlung auf einen optisch genutzten Teilbereich (125) des Reflexionsschichtsystems (120) gelenkt wird, wobei sich wenigstens ein erster Fluidkanal (133) in einem von diesem Teilbereich (125) abgedeckten ersten Spiegelsubstratbereich befindet und wobei sich wenigstens ein zweiter Fluidkanal (132, 134) in einem außerhalb dieses ersten Spiegelsubstratbereichs befindlichen, nicht von dem optischen genutzten Teilbereich (125) abgedeckten zweiten Spiegelsubstratbereich befindet, wobei eine Fluidtemperatur bei Eintritt von Fluid in den wenigstens einen ersten Fluidkanal (133) auf einen ersten Wert (T1) eingestellt wird, und wobei eine Fluidtemperatur bei Eintritt von Fluid in den wenigstens einen zweiten Fluidkanal (132, 134) auf einen zweiten Wert (T2) eingestellt wird, welcher größer ist als der erste Wert (T1) .The invention relates to a method for operating an optical system and an optical system, the optical system having at least one mirror (100) with a mirror substrate (110) and a reflection layer system (120), with a fluid channel arrangement having a A plurality of fluid channels (131-135) is arranged, through which a fluid with a variably adjustable fluid temperature can flow independently of one another, electromagnetic radiation being directed onto an optically used partial area (125) of the reflection layer system (120), with at least one first fluid channel ( 133) is located in a first mirror substrate area covered by this sub-area (125) and wherein at least one second fluid channel (132, 134) is located in a second mirror substrate area located outside of this first mirror substrate area and not covered by the optically used sub-area (125), wherein one fluid temp ature is set to a first value (T1) when fluid enters the at least one first fluid channel (133), and wherein a fluid temperature is set to a second value (T2) when fluid enters the at least one second fluid channel (132, 134). is set, which is greater than the first value (T1).
Description
HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION
Gebiet der Erfindungfield of invention
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben eines optischen Systems, sowie ein optisches System.The invention relates to a method for operating an optical system and an optical system.
Stand der TechnikState of the art
Bei optischen Anwendungen im EUV-Bereich (z.B. Wellenlängen unterhalb von 30 nm) oder im Röntgenbereich (z.B. Wellenlängen unterhalb von 0.1 nm) werden mangels Verfügbarkeit geeigneter lichtdurchlässiger refraktiver Materialien Spiegel als optische Komponenten verwendet. Beispiele sind Synchrotronspiegel sowie Spiegel, welche in der Beleuchtungseinrichtung oder dem Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage eingesetzt werden.For optical applications in the EUV range (e.g. wavelengths below 30 nm) or in the X-ray range (e.g. wavelengths below 0.1 nm), mirrors are used as optical components due to the lack of availability of suitable light-transmitting refractive materials. Examples are synchrotron mirrors and mirrors that are used in the illumination device or the projection objective of a microlithographic projection exposure system.
Ein in der Praxis auftretendes Problem ist, dass solche Spiegel u.a. infolge Absorption der auftreffenden Strahlung eine Erwärmung und eine damit einhergehende thermische Ausdehnung bzw. Deformation erfahren, welche wiederum eine Beeinträchtigung der Abbildungseigenschaften des zugehörigen optischen Systems zur Folge haben kann. Zur Vermeidung von durch Wärmeeinträge verursachten Oberflächendeformationen und damit einhergehenden optischen Aberrationen sind diverse Ansätze bekannt, beispielsweise ein aktives Kühlen unter Einsatz von jeweils von einem (Kühl-) Fluid durchströmbaren Fluidkanälen.A problem that occurs in practice is that such mirrors, among other things, experience heating as a result of absorption of the incident radiation and an associated thermal expansion or deformation, which in turn can result in impairment of the imaging properties of the associated optical system. Various approaches are known for avoiding surface deformations caused by heat input and the associated optical aberrations, for example active cooling using fluid channels through which a (cooling) fluid can flow in each case.
Die hierbei im Spiegelsubstrat bzw. an der optischen Wirkfläche erzielten Temperaturprofile können jedoch - insbesondere bei vergleichsweise stark lokalisierten Wärmeeinträgen der auftreffende elektromagnetische Strahlung - ggf. eine ausgeprägte Inhomogenität über den optisch genutzten Bereich aufweisen mit der Folge, dass die aus den jeweiligen Temperaturprofilen resultierenden thermisch induzierten Deformationsprofile im Betrieb des betreffenden optischen Systems optische Aberrationen bewirken, die nicht oder nur schwierig zu korrigieren sind. Dies kann lediglich beispielhaft bei einem Synchrotronspiegel der Fall sein, bei welchem typischerweise im Betrieb des Synchrotrons die aktuelle Wärmeeinflusszone entsprechend dem aktuell optisch genutzten Bereich relativ zur gesamten Spiegeloberfläche i.d.R. vergleichsweise klein ist und zudem während des Betriebs örtlich variiert. Im Ergebnis können Einschränkungen der Leistungsfähigkeit des den jeweiligen Spiegel aufweisenden optischen Systems die Folge sein.However, the temperature profiles achieved in the mirror substrate or on the optical active surface can - especially in the case of comparatively strongly localized heat inputs from the impinging electromagnetic radiation - possibly have a pronounced inhomogeneity over the optically used area with the result that the thermally induced temperature profiles resulting from the respective temperature profiles Deformation profiles in the operation of the relevant optical system bring about optical aberrations that cannot be corrected, or can only be corrected with difficulty. This can only be the case with a synchrotron mirror, for example, in which typically during operation of the synchrotron the current heat-affected zone corresponding to the area currently optically used is relatively small relative to the entire mirror surface and also varies locally during operation. As a result, limitations in the performance of the optical system having the respective mirror can result.
Zum Stand der Technik wird lediglich beispielhaft auf
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Betreiben eines optischen Systems sowie ein optisches System bereitzustellen, welche eine wirksame Vermeidung thermisch induzierter Deformationen unter Abmilderung der vorstehend beschriebenen Probleme ermöglichen.It is an object of the present invention to provide a method for driving an optical system and an optical system which enable thermally induced deformation to be avoided effectively while alleviating the above-described problems.
Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen der nebengeordneten Patentansprüche gelöst.This object is achieved according to the features of the independent patent claims.
Gemäß einem Aspekt der Erfindung betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Betreiben eines optischen Systems, wobei das optische System wenigstens einen Spiegel mit einem Spiegelsubstrat und einem Reflexionsschichtsystem aufweist, wobei in dem Spiegelsubstrat eine Fluidkanalanordnung mit einer Mehrzahl von Fluidkanälen angeordnet ist, welche unabhängig voneinander von einem Fluid mit variabel einstellbarer Fluidtemperatur durchströmbar sind,
- - wobei elektromagnetische Strahlung auf einen optisch genutzten Teilbereich des Reflexionsschichtsystems gelenkt wird, wobei sich wenigstens ein erster Fluidkanal in einem von diesem Teilbereich abgedeckten ersten Spiegelsubstratbereich befindet und wobei sich wenigstens ein zweiter Fluidkanal in einem außerhalb dieses ersten Spiegelsubstratbereichs befindlichen, nicht von dem optischen genutzten Teilbereich abgedeckten zweiten Spiegelsubstratbereich befindet;
- - wobei eine Fluidtemperatur bei Eintritt von Fluid in den wenigstens einen ersten Fluidkanal auf einen ersten Wert (T1) eingestellt wird; und
- - wobei eine Fluidtemperatur bei Eintritt von Fluid in den wenigstens einen zweiten Fluidkanal auf einen zweiten Wert (T2) eingestellt wird, welcher größer ist als der erste Wert (T1) .
- - wherein electromagnetic radiation is directed onto an optically used sub-area of the reflection layer system, wherein at least one first fluid channel is located in a first mirror substrate area covered by this sub-area and wherein at least one second fluid channel is located in a sub-area outside of this first mirror substrate area, not used by the optical sub-area covered second mirror substrate area;
- - wherein a fluid temperature upon entry of fluid into the at least one first fluid channel is set to a first value (T 1 ); and
- - wherein a fluid temperature when fluid enters the at least one second fluid channel is set to a second value (T 2 ), which is greater than the first value (T 1 ).
Im Sinne der vorliegenden Anmeldung soll von dem Begriff „Reflexionsschichtsystem“ sowohl eine Einzelschicht als auch ein Vielfachschichtsystem umfasst sein.For the purposes of the present application, the term “reflection layer system” is intended to encompass both an individual layer and a multiple layer system.
Der Erfindung liegt insbesondere das Konzept zugrunde, in einem Spiegel mit in dessen Spiegelsubstrat vorhandenen Fluidkanälen eine zumindest teilweise Homogenisierung des sich im Betrieb im optisch genutzten Bereich einstellenden Temperaturfeldes dadurch zu erreichen, dass für unterschiedliche Fluidkanäle der Fluidkanalanordnung die jeweils bei Eintritt in besagte Fluidkanäle eingestellten Fluidtemperaturen unterschiedlich gewählt werden. Hierbei kann dadurch, dass die Fluidtemperatur für einen Fluidkanal, welcher sich in einem nicht vom optisch genutzten Bereich abgedeckten Spiegelsubstratbereich befindet, höher gewählt wird als die Fluidtemperatur für einen in einem vom optisch genutzten Bereich abgedeckten Spiegelsubstratbereich befindlichen Fluidkanal, erreicht werden, dass ein durch die auftreffende elektromagnetische Strahlung auf den (gegebenenfalls stark lokalisierten) optisch genutzten Bereich hervorgerufener Deformationsgradient durch die thermisch induzierte Deformation, welche über das vergleichsweise wärmere Fluid außerhalb des besagten optisch genutzten Bereichs hervorgerufen wird, effektiv kompensiert wird mit der Folge, dass im Ergebnis eine unerwünschte Inhomogenität des Deformationsprofils verringert wird.The invention is based in particular on the concept of achieving at least partial homogenization of the temperature field that occurs during operation in the optically used area in a mirror with fluid channels present in its mirror substrate, in that for different fluid channels of the fluid channel arrangement the fluid temperatures set at the point of entry into said fluid channels be chosen differently. Here, the fact that the Fluidtempe temperature for a fluid channel, which is located in a mirror substrate area that is not covered by the optically used area, is selected to be higher than the fluid temperature for a fluid channel located in a mirror substrate area that is covered by the optically used area, it can be achieved that the impinging electromagnetic radiation on the ( possibly strongly localized) optically used area caused by the thermally induced deformation, which is caused by the comparatively warmer fluid outside said optically used area, is effectively compensated with the result that an undesirable inhomogeneity of the deformation profile is reduced as a result.
Vorzugsweise ist die (senkrecht zur Fluidströmungsrichtung verlaufende) Breite des vom optisch genutzten Teilbereich abgedeckten Fluidkanals größer als die entsprechende Breite des optisch genutzten Teilbereichs.The width (perpendicular to the fluid flow direction) of the fluid channel covered by the optically used subarea is preferably greater than the corresponding width of the optically used subarea.
Dabei geht die Erfindung auch von der Überlegung aus, dass grundsätzlich nicht jegliche Deformation im Hinblick auf im Betrieb des jeweiligen optischen Systems bewirkte optische Aberrationen problematisch ist, wobei insbesondere etwa konstante Offsets (im Sinne einer translatorischen Verschiebung der optischen Wirkfläche) oder auch konstant lineare Deformationsprofile im optischen System verhältnismäßig i.d.R. einfach korrigierbar sind. Bei schwierig oder gar nicht optisch korrigierbaren Deformationsprofilen handelt es sich dagegen typischerweise um asphärische Deformationsprofile mit einer ausgeprägten Welligkeit (etwa einem vergleichsweise hohen Wellenfrontanteil entsprechend einer Zernike-Darstellung für das Zernike-Polynom dritter Ordnung). Infolgedessen ist erfindungsgemäß nicht jedwede Deformation im optisch genutzten Bereich zu vermeiden, sondern es ist im Hinblick auf eine effektive Aberrationskorrektur vielmehr ausreichend, möglichst homogene (d.h. geringe Gradienten und/oder geringe Unterschiede zwischen maximaler und minimaler Deformationsamplitude aufweisende) Deformationsprofile zu verwirklichen, was wiederum im Wege der erfindungsgemäßen Einstellung unterschiedlicher Fluidtemperaturen erreicht werden kann.The invention is also based on the consideration that in principle not every deformation is problematic with regard to optical aberrations caused during operation of the respective optical system, in particular constant offsets (in the sense of a translatory displacement of the optical effective surface) or also constant linear deformation profiles are usually relatively easy to correct in the optical system. In contrast, deformation profiles that are difficult or impossible to optically correct are typically aspherical deformation profiles with pronounced waviness (for example a comparatively high wavefront component corresponding to a Zernike representation for the third-order Zernike polynomial). As a result, according to the invention, it is not necessary to avoid any deformation in the optically used area, but rather, with regard to effective aberration correction, it is sufficient to realize deformation profiles that are as homogeneous as possible (i.e. have small gradients and/or small differences between maximum and minimum deformation amplitude), which in turn Ways of setting different fluid temperatures according to the invention can be achieved.
Gemäß einer Ausführungsform werden einander benachbarte Fluidkanäle der Fluidkanalanordnung in entgegengesetzter Richtung von Fluid durchströmt. Hierdurch kann ein unerwünschter Temperaturgradient in Strömungsrichtung als Folge einer Erwärmung des Fluids während der Durchströmung des betreffenden Fluidkanals reduziert werden.According to one embodiment, fluid flows through adjacent fluid channels of the fluid channel arrangement in opposite directions. As a result, an undesired temperature gradient in the direction of flow as a result of heating of the fluid while it is flowing through the relevant fluid channel can be reduced.
Gemäß einer Ausführungsform werden für die Fluidtemperaturen bei Eintritt von Fluid in die Fluidkanäle der Fluidkanalanordnung insgesamt genau zwei unterschiedliche Werte (T1, T2) eingestellt.According to one embodiment, exactly two different values (T 1 , T 2 ) are set for the fluid temperatures when fluid enters the fluid ducts of the fluid duct arrangement.
Gemäß einer Ausführungsform werden der erste Wert (T1) und der zweite Wert (T2) der jeweiligen Fluidtemperatur derart gewählt, dass ein aus den Wärmelasten der elektromagnetischen Strahlung sowie der Fluidkanalanordnung resultierendes, thermisch induziertes Deformationsprofil im optisch genutzten Teilbereich um maximal 50%, insbesondere maximal 30%, weiter insbesondere maximal 10% im PV-Wert variiert. Dabei bezeichnet der PV-Wert (PV= „Peak-to-Valley“) den Unterschied zwischen dem maximalen und minimalen Wert innerhalb der örtlichen Verteilung der Deformationsprofils, wobei das prozentuale Kriterium hier auf den größten dieser Werte (d.h. den maximalen Wert) bezogen wird.According to one embodiment, the first value (T 1 ) and the second value (T 2 ) of the respective fluid temperature are selected in such a way that a thermally induced deformation profile resulting from the heat loads of the electromagnetic radiation and the fluid channel arrangement in the optically used partial area is reduced by a maximum of 50%, in particular a maximum of 30%, further in particular a maximum of 10% in the PV value varies. The PV value (PV= "Peak-to-Valley") designates the difference between the maximum and minimum value within the local distribution of the deformation profile, with the percentage criterion here being related to the largest of these values (ie the maximum value). .
Gemäß einer Ausführungsform variiert ein aus den Wärmelasten der elektromagnetischen Strahlung sowie der Fluidkanalanordnung resultierendes, thermisch induziertes Deformationsprofil im optisch genutzten Teilbereich im quadratischen Mittelwert (RMS-Wert)um maximal 50%, insbesondere um maximal 30%, weiter insbesondere um maximal 10%.According to one embodiment, a thermally induced deformation profile resulting from the thermal loads of the electromagnetic radiation and the fluid channel arrangement varies by a maximum of 50%, in particular by a maximum of 30%, more particularly by a maximum of 10% in the optically used sub-area in the root mean square (RMS value).
Gemäß einer Ausführungsform werden der erste Wert (T1) und der zweite Wert (T2) der jeweiligen Fluidtemperatur derart gewählt, dass in einem aus den Wärmelasten der elektromagnetischen Strahlung sowie der Fluidkanalanordnung resultierenden, thermisch induzierten Deformationsprofil ein maximaler Wert des lokalen Deformationsgradienten im optisch genutzten Teilbereich weniger als 30%, weiter insbesondere weniger als 10% beträgt.According to one embodiment, the first value (T 1 ) and the second value (T 2 ) of the respective fluid temperature are selected such that in a thermally induced deformation profile resulting from the heat loads of the electromagnetic radiation and the fluid channel arrangement, a maximum value of the local deformation gradient in the optical used portion is less than 30%, more particularly less than 10%.
Gemäß einer Ausführungsform befindet sich genau ein Fluidkanal in dem von dem optisch genutzten Teilbereich abgedeckten ersten Spiegelsubstratbereich.According to one specific embodiment, there is exactly one fluid channel in the first mirror substrate area covered by the optically used subarea.
Gemäß einer Ausführungsform ist der Spiegel für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 30 nm, insbesondere weniger als 15 nm, ausgelegt.According to one embodiment, the mirror is designed for a working wavelength of less than 30 nm, in particular less than 15 nm.
Gemäß einer Ausführungsform ist das optische System eine Beamline (d.h. eine Strahlführungseinheit bzw. ein Strahlrohr) eines Synchrotrons oder eines Freie-Elektronen-Lasers.According to one embodiment, the optical system is a beamline (i.e. a beam guidance unit or beam pipe) of a synchrotron or a free-electron laser.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das optische System ein Projektionsobjektiv oder eine Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage.According to a further embodiment, the optical system is a projection objective or an illumination device of a microlithographic projection exposure system.
Die Erfindung betrifft weiter auch ein optisches System, mit wenigstens einem Spiegel mit einem Spiegelsubstrat und einem Reflexionsschichtsystem, wobei in dem Spiegelsubstrat eine Fluidkanalanordnung mit einer Mehrzahl von Fluidkanälen angeordnet ist, welche unabhängig voneinander von einem Fluid mit variabel einstellbarer Fluidtemperatur durchströmbar sind, und einer Temperiereinrichtung, über welche die Eintrittstemperaturen des Fluids beim Eintritt in die jeweiligen Fluidkanäle unabhängig voneinander einstellbar sind, wobei die Temperiereinrichtung dazu konfiguriert ist, ein Verfahren mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen durchzuführen.The invention also relates to an optical system with at least one mirror with a mirror substrate and a reflection layer system, wherein a fluid channel arrangement with a plurality of fluid channels through which a fluid with a variably adjustable fluid temperature can flow independently of one another is arranged in the mirror substrate, and a temperature control device , via which the inlet temperatures of the fluid when it enters the respective fluid channels can be adjusted independently of one another, the temperature control device being configured to carry out a method having the features described above.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.Further configurations of the invention can be found in the description and in the dependent claims.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.The invention is explained in more detail below with reference to exemplary embodiments illustrated in the attached figures.
Figurenlistecharacter list
Es zeigen:
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1a-1b schematische Darstellungen zur Erläuterung des möglichen Aufbaus eines Spiegels gemäß einer Ausführungsform der Erfindung; -
2 eine schematische Darstellung zur Veranschaulichung der möglichen Wirkungsweise des erfindungsgemäßen Verfahrens; -
3 eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer möglichen Anwendung eines erfindungsgemäßen optischen Elements in einem Synchrotron; und -
4 eine schematische Darstellung des möglichen Aufbaus einer für den Betrieb im EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage.
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1a-1b schematic representations to explain the possible structure of a mirror according to an embodiment of the invention; -
2 a schematic representation to illustrate the possible mode of operation of the method according to the invention; -
3 a schematic representation to explain a possible application of an optical element according to the invention in a synchrotron; and -
4 a schematic representation of the possible structure of a designed for operation in the EUV microlithographic projection exposure system.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMENDETAILED DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS
Der Spiegel 100 weist ein Spiegelsubstrat 110 (welches im Beispiel aus monokristallinem Silizium (Si) hergestellt ist) und ein Reflexionsschichtsystem 120 (im Beispiel eine Einzelschicht aus Gold (Au) und mit einer beispielhaften Dicke im Bereich von 20 nm bis 50 nm) auf.The
In weiteren Ausführungsformen kann die Reflexionsschicht auch aus einem anderen Edelmetall hergestellt sein, beispielsweise Platin (Pt), Rhodium (Rh), Silber (Ag), Ruthenium (Ru), Palladium (Pd), Osmium (Os) oder Iridium (Ir). Ferner kann die Reflexionsschicht auch aus einem organischen Material hergestellt sein, beispielsweise Kohlenstoff (C), Borkarbid (B4C) oder Siliziumkarbid (SiC) .In further embodiments, the reflection layer can also be made of another noble metal, for example platinum (Pt), rhodium (Rh), silver (Ag), ruthenium (Ru), palladium (Pd), osmium (Os) or iridium (Ir). Furthermore, the reflection layer can also be made of an organic material, for example carbon (C), boron carbide (B 4 C) or silicon carbide (SiC).
Je nach Einsatzzweck kann es sich bei dem Spiegel 100 um einen für den Betrieb unter streifendem Einfall (engl.: „grazing incidence“) ausgelegter Spiegel oder auch um einen für den Betrieb unter senkrechtem Einfall, engl.: „normal incidence“) handeln. Im letzteren Fall weist der Spiegel typischerweise als Reflexionsschichtsystem ein Vielfachschichtsystem in Form einer z.B. alternierenden Abfolge von Einzelschichten aus z.B. wenigstens zwei unterschiedlichen Schichtmaterialien aufweisen. Ferner kann in weiteren Ausführungsformen das Spiegelsubstrat 110 auch aus einem anderen, z.B. ebenfalls Silizium aufweisenden Substratmaterial hergestellt sein, beispielsweise Siliziumdioxid (SiO2) oder Zerodur® (der Firma Schott AG). Des Weiteren kann je nach Einsatzzweck als Substratmaterial auch z.B. ein unter der Bezeichnung ULE® von der Firma Corning Inc. vertriebenes Titanium-Silikatglas verwendet werden.Depending on the intended use, the
Der erfindungsgemäße Spiegel kann z.B. als Umlenkspiegel bzw. strahlführende optische Komponente in einem Synchrotron eingesetzt werden, wie dies in
Wie aus
Mit „125“ ist in
Wie nun weiter in
Wie ebenfalls in
Infolge der unterschiedlichen bzw. variablen Einstellungen der Temperaturen T1, T2 werden für die thermale Aktuierung des Spiegels 100 zwei Freiheitsgrade bereitgestellt, nämlich zum einen die resultierende absolute mittlere Temperatur des Spiegels 100 und zum anderen die Temperaturdifferenz zwischen den jeweiligen Fluidtemperaturen bei Eintritt in die Fluidkanäle. Über geeignete Wahl der besagten Temperaturdifferenz kann letztlich ein geeignetes Temperaturfeld erzeugt werden, welches hinsichtlich Form und Ortsfrequenz im Wesentlichen komplementär zu demjenigen Temperaturfeld ist, welches aufgrund der Wärmelast durch Beaufschlagung des Spiegels 100 mit elektromagnetischer Strahlung (bei konstanter Fluidtemperatur) entsteht.As a result of the different or variable settings of the temperatures T 1 , T 2 , two degrees of freedom are provided for the thermal actuation of the
Wie bereits vorstehend erläutert erfolgt die erfindungsgemäße gezielte Einstellung unterschiedlicher Fluidtemperaturen T1, T2 mit dem Ziel, ein hinsichtlich optischer Aberrationen ungünstiges Deformationsprofil im optisch genutzten Bereich 125 zu vermeiden.
Aus den vorstehenden Überlegungen ergibt sich, dass die strichpunktierte Linie „C“ in
Des Weiteren kann einer typischerweise im Betrieb des den Spiegel 100 aufweisenden optischen Systems stattfindenden örtlichen Veränderung des optisch genutzten Bereichs 125 durch zeitlich variable Einstellung der jeweiligen Fluidtemperaturen bei Eintritt in die Fluidkanäle Rechnung getragen werden.Furthermore, a local change in the optically used
Wenngleich im dargestellten Ausführungsbeispiel der optisch genutzte Bereich lediglich einen der Fluidkanäle (nämlich den Fluidkanal 133) bzw. den zugehörigen Spiegelsubstratbereich abdeckt, ist die Erfindung nicht hierauf beschränkt. So kann sich in weiteren Ausführungsformen der optisch genutzte Bereich bzw. „Footprint“ auch über mehrere Kühlkanäle erstrecken. In einem solchen Szenario können gegebenenfalls auch die betreffenden, innerhalb des vom jeweils optisch genutzten Bereich abgedeckten Spiegelsubstratbereich befindlichen Fluidkanäle mit unterschiedlichen Fluidtemperaturen beaufschlagt werden, um je nach Einsatzszenario unerwünschte Temperatur- bzw. Deformationsgradienten zu verringern bzw. zu minimieren.Although in the exemplary embodiment shown the optically used area only covers one of the fluid channels (namely the fluid channel 133) or the associated mirror substrate area, the invention is not restricted to this. In further embodiments, the optically used area or "footprint" can also extend over several Cooling channels extend. In such a scenario, the relevant fluid channels located within the mirror substrate area covered by the optically used area can also be subjected to different fluid temperatures in order to reduce or minimize undesirable temperature or deformation gradients depending on the application scenario.
In quantitativer Hinsicht kann die erfindungsgemäße Homogenisierung des sich im optisch genutzten Bereich ergebenden Deformationsprofils z.B. über den PV-Wert (PV= „Peakto-Valley“) entsprechend dem Unterschied zwischen dem maximalen und dem minimalen Wert innerhalb der örtlichen Verteilung der Deformationsprofils oder auch über die im optisch genutzten Bereich der optischen Wirkfläche resultierenden Deformationsgradienten beschrieben werden. Dabei kann wiederum lediglich beispielhaft ein bestimmtes Punkteraster auf dem optisch genutzten Bereich zugrunde gelegt werden, wobei dann für die betreffenden Punkte jeweils der lokale bzw. tangentiale Deformationsgradient ermittelt werden kann. Dann kann im Sinne der Erfindung von einer Verbesserung des Deformationsprofils ausgegangen werden, wenn der über besagtes Punkteraster auftretende maximale Deformationsgradient reduziert (und nach Möglichkeit minimiert) wird. Des Weiteren kann auch die mittlere quadratische Abweichung (= RMS-Wert) der sich über besagtes Punkteraster deformationsbedingt ergebenden „z-Verschiebung“ bezogen auf das in
Zur Einstellung der geeigneten Fluidtemperaturen erfolgt erfindungsgemäß eine Temperaturmessung am jeweiligen Fluidkanalaustritt (d.h. die Bestimmung der Temperaturen T1+ΔT1 sowie T2+ΔT2). Vorzugsweise erfolgt zusätzlich auch eine Messung der jeweiligen Fluidtemperatur T1 bzw. T2 am Fluidkanaleintritt, so dass eine vollständige Wärmebilanz berechnet werden kann. Anhand der Differenz ΔTK,A der Fluidtemperaturen am Fluidkanalaustritt
In weiteren Ausführungsformen können auch Temperatursensoren an unterschiedlichen Positionen des Spiegels sowie vorzugsweise jeweils in Nähe der optischen Wirkfläche vorgesehen sein, wobei die entsprechenden Temperaturmessungen dann der Einstellung der geeigneten Fluidtemperaturen an dem jeweiligen Fluidkanaleintritt zugrundegelegt werden können.In further embodiments, temperature sensors can also be provided at different positions of the mirror and preferably in the vicinity of the active optical surface, in which case the corresponding temperature measurements can then be used as a basis for setting the appropriate fluid temperatures at the respective fluid channel inlet.
Wie vorstehend beschrieben kann durch geeignete Temperierung des Fluids am jeweiligen Fluidkanaleintritt eine Homogenisierung eines letztlich im Betrieb des zugehörigen optischen Systems resultierenden Temperatur- bzw. Deformationsprofils erreicht werden. In einer weiteren Anwendung kann der erfindungsgemäße Spiegel jedoch auch durch geeignete Einstellung der Fluidtemperaturen in gezielter Weise deformiert werden, um anderenorts im optischen System vorhandene Wellenfrontaberrationen zu kompensieren.As described above, suitable temperature control of the fluid at the respective fluid channel inlet can achieve homogenization of a temperature or deformation profile that ultimately results in the operation of the associated optical system. In a further application, however, the mirror according to the invention can also be deformed in a targeted manner by suitable adjustment of the fluid temperatures, in order to compensate for wavefront aberrations present elsewhere in the optical system.
Wenngleich in den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen auf einen Synchrotronspiegel Bezug genommen wurde, ist die Erfindung ferner auch in anderen optischen Systemen, insbesondere z.B. auch in einer Beleuchtungseinrichtung oder einem Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage realisierbar.Although reference was made to a synchrotron mirror in the embodiments described above, the invention can also be implemented in other optical systems, in particular, for example, in an illumination device or a projection lens of a microlithographic projection exposure system.
Das Projektionsobjektiv 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.The
Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung oder Beleuchtungsstrahlung bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich zum Beispiel um eine Plasmaquelle, eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle oder um einen Freie-Elektronen-Laser („Free-Electron-Laser“, FEL) handeln. Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt und propagiert durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18 in die Beleuchtungsoptik 4. Die Beleuchtungsoptik 4 weist einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20 (mit schematisch angedeuteten Facetten 21) und einen zweiten Facettenspiegel 22 (mit schematisch angedeuteten Facetten 23) auf.The
Das Projektionsobjektiv 10 weist eine Mehrzahl von Spiegeln Mi (i= 1, 2, ...) auf, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind. Bei dem in der
Im Betrieb der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage 1 wird die auf die optische Wirkfläche der Spiegel auftreffende elektromagnetische Strahlung zum Teil absorbiert und führt wie eingangs erläutert zu einer Erwärmung und einer damit einhergehenden thermischen Ausdehnung bzw. Deformation, welche wiederum eine Beeinträchtigung der Abbildungseigenschaften des optischen Systems zur Folge haben kann. Das erfindungsgemäße Konzept kann insbesondere vorteilhaft auf einen beliebigen Spiegel der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage 1 von
Die Erfindung kann auch in einer für den Betrieb im DUV (d.h. bei Wellenlängen kleiner als 250 nm, insbesondere kleiner als 200 nm) ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage oder auch in einem anderen optischen System vorteilhaft realisiert werden.The invention can also be advantageously implemented in a projection exposure system designed for operation in DUV (i.e. at wavelengths less than 250 nm, in particular less than 200 nm) or also in another optical system.
Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.Although the invention has also been described on the basis of specific embodiments, numerous variations and alternative embodiments will become apparent to the person skilled in the art, e.g. by combining and/or exchanging features of individual embodiments. Accordingly, it will be understood by those skilled in the art that such variations and alternative embodiments are intended to be encompassed by the present invention, and the scope of the invention is limited only in terms of the appended claims and their equivalents.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDED IN DESCRIPTION
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Zitierte PatentliteraturPatent Literature Cited
- US 10955595 B2 [0005]US10955595B2 [0005]
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102018202687A1 (en) | 2018-02-22 | 2018-05-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Production method for components of a projection exposure apparatus for semiconductor lithography and projection exposure apparatus |
DE102018208783A1 (en) | 2018-06-05 | 2018-07-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for controlling the temperature of a mirror of a projection exposure apparatus and mirror for a projection exposure apparatus |
US10955595B2 (en) | 2016-03-07 | 2021-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Multilayer reflector, method of manufacturing a multilayer reflector and lithographic apparatus |
DE102020204669A1 (en) | 2020-04-14 | 2021-10-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Assembly of an optical system |
-
2022
- 2022-03-11 DE DE102022202450.8A patent/DE102022202450A1/en not_active Ceased
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10955595B2 (en) | 2016-03-07 | 2021-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Multilayer reflector, method of manufacturing a multilayer reflector and lithographic apparatus |
DE102018202687A1 (en) | 2018-02-22 | 2018-05-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Production method for components of a projection exposure apparatus for semiconductor lithography and projection exposure apparatus |
DE102018208783A1 (en) | 2018-06-05 | 2018-07-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for controlling the temperature of a mirror of a projection exposure apparatus and mirror for a projection exposure apparatus |
DE102020204669A1 (en) | 2020-04-14 | 2021-10-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Assembly of an optical system |
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