DE102022121518A1 - METHOD FOR PRODUCING A MULTIPLE RADIATION-EMITTING COMPONENTS AND RADIATION-EMITTING COMPONENT - Google Patents

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Tobias Gebuhr
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Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Bauelemente mit den folgenden Schritten angegeben:- Bereitstellen eines Trägers (1) mit einer Hauptfläche (2), auf die eine Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips (3) aufgebracht ist, die im Betrieb elektromagnetische Strahlung aussenden,- Aufbringen des Trägers (1) auf eine erste Werkzeughälfte (8) eines Werkzeugs (9),- Aufbringen eines flüssigen Vergussmaterials (16) auf eine zweite Werkzeughälfte (10) des Werkzeugs (9),- Schließen des Werkzeugs (9), wobei die erste Werkzeughälfte (8) und die zweite Werkzeughälfte (10) Kavitäten (17) um die strahlungsemittierenden Halbleiterchips (3) bilden,- Aushärten des flüssigen Vergussmaterials (16) zu festen Vergüssen (20), die die strahlungsemittierenden Halbleiterchips (3) einbetten, wobei Seitenflächen (19) der Kavitäten (17) stufenförmig ausgebildet sind.Außerdem wird ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben.The invention relates to a method for producing a large number of radiation-emitting components with the following steps: - providing a carrier (1) with a main surface (2) onto which a large number of radiation-emitting semiconductor chips (3) are applied, which emit electromagnetic radiation during operation, - Applying the carrier (1) to a first tool half (8) of a tool (9), - applying a liquid potting material (16) to a second tool half (10) of the tool (9), - closing the tool (9), wherein the first tool half (8) and the second tool half (10) form cavities (17) around the radiation-emitting semiconductor chips (3), - curing the liquid potting material (16) to form solid pottings (20) which embed the radiation-emitting semiconductor chips (3), whereby Side surfaces (19) of the cavities (17) are step-shaped. A radiation-emitting component is also specified.

Description

Es werden ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Bauelemente und ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben.A method for producing a large number of radiation-emitting components and a radiation-emitting component are specified.

Es soll ein vereinfachtes Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Bauelemente und ein verbessertes strahlungsemittierendes Bauelement angegeben werden. Das strahlungsemittierende Bauelement soll insbesondere eine erhöhte Effizienz aufweisen.A simplified method for producing a large number of radiation-emitting components and an improved radiation-emitting component are to be specified. The radiation-emitting component should in particular have increased efficiency.

Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren mit den Schritten des Patentanspruchs 1 und durch ein strahlungsemittierendes Bauelement mit den Merkmalen des Patentanspruchs 12 gelöst.These tasks are achieved by a method with the steps of patent claim 1 and by a radiation-emitting component with the features of patent claim 12.

Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Verfahrens und des strahlungsemittierenden Bauelements sind in den jeweils abhängigen Ansprüchen angegeben.Advantageous embodiments and further developments of the method and the radiation-emitting component are specified in the respective dependent claims.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Bauelemente wird ein Träger mit einer Hauptfläche bereitgestellt, auf die eine Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips aufgebracht ist. Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips senden im Betrieb elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs aus, insbesondere von einer Strahlungsaustrittsfläche. Bei dem Träger handelt es sich beispielsweise um eine keramische Platte, eine gedruckte Leiterplatte oder einen Verbund an QFN Gehäusen („QFN“ kurz für Englisch „Quad Flat No Leads“).According to one embodiment of the method for producing a plurality of radiation-emitting components, a carrier is provided with a main surface onto which a plurality of radiation-emitting semiconductor chips are applied. During operation, the radiation-emitting semiconductor chips emit electromagnetic radiation of a first wavelength range, in particular from a radiation exit surface. The carrier is, for example, a ceramic plate, a printed circuit board or a composite of QFN housings (“QFN” short for “Quad Flat No Leads”).

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird ein Werkzeug bereitgestellt, das eine erste Werkzeughälfte und eine zweite Werkzeughälfte aufweist. Insbesondere sind die erste Werkzeughälfte und die zweite Werkzeughälfte beweglich zueinander ausgebildet. Die erste Werkzeughälfte und die zweite Werkzeughälfte können geschlossen werden, so dass ein abgeschlossener Hohlraum im Inneren des Werkzeugs entsteht. Der Hohlraum ist insbesondere durch die erste Werkzeughälfte und die zweite Werkzeughälfte begrenzt. Beispielsweise weisen die erste Werkzeughälfte und die zweite Werkzeughälfte ein Metall auf oder sind aus einem Metall gebildet.According to a further embodiment of the method, a tool is provided which has a first tool half and a second tool half. In particular, the first tool half and the second tool half are designed to be movable relative to one another. The first tool half and the second tool half can be closed so that a closed cavity is created inside the tool. The cavity is limited in particular by the first tool half and the second tool half. For example, the first tool half and the second tool half have a metal or are formed from a metal.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird der Träger auf die erste Werkzeughälfte des Werkzeugs aufgebracht. Insbesondere wird der Träger an der ersten Werkzeughälfte mechanisch stabil befestigt. Beispielsweise ist die erste Werkzeughälfte plan ausgebildet.According to a further embodiment of the method, the carrier is applied to the first tool half of the tool. In particular, the carrier is attached to the first tool half in a mechanically stable manner. For example, the first tool half is flat.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird ein flüssiges Vergussmaterial auf die zweite Werkzeughälfte des Werkzeugs aufgebracht. Das flüssige Vergussmaterial ist beispielsweise transparent für die elektromagnetische Strahlung, die die strahlungsemittierenden Halbleiterchips im Betrieb aussenden. Ist das flüssige Vergussmaterial transparent, so transmittiert es insbesondere mindestens 85 %, bevorzugt mindestens 90 % der elektromagnetischen Strahlung der strahlungsemittierenden Halbleiterchips.According to a further embodiment of the method, a liquid potting material is applied to the second tool half of the tool. The liquid potting material is, for example, transparent to the electromagnetic radiation that the radiation-emitting semiconductor chips emit during operation. If the liquid potting material is transparent, it transmits in particular at least 85%, preferably at least 90%, of the electromagnetic radiation of the radiation-emitting semiconductor chips.

Es ist weiterhin auch möglich, dass in das flüssige Vergussmaterial Füllpartikel eingebracht sind. Beispielsweise handelt es sich bei den Füllstoffpartikeln um Leuchtstoffpartikel, die die elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs, die die strahlungsemittierenden Halbleiterchips aussenden, in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umwandeln, der zumindest teilweise von dem ersten Wellenlängenbereich verschieden ist.It is also possible for filler particles to be introduced into the liquid potting material. For example, the filler particles are phosphor particles that convert the electromagnetic radiation of the first wavelength range, which the radiation-emitting semiconductor chips emit, into electromagnetic radiation of a second wavelength range, which is at least partially different from the first wavelength range.

Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips können gleichartig oder auch verschieden ausgebildet sein. Beispielsweise senden die strahlungsemittierenden Halbleiterchips im Betrieb sichtbares Licht aus. Das sichtbare Licht ist beispielsweise rot, blau, grün oder weiß. Es ist weiterhin auch möglich, dass die strahlungsemittierenden Halbleiterchips elektromagnetische Strahlung aus dem ultravioletten Spektralbereich oder aus dem infraroten Spektralbereich aussenden.The radiation-emitting semiconductor chips can be designed in the same way or differently. For example, the radiation-emitting semiconductor chips emit visible light during operation. Visible light is, for example, red, blue, green or white. It is also possible for the radiation-emitting semiconductor chips to emit electromagnetic radiation from the ultraviolet spectral range or from the infrared spectral range.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird das Werkzeug geschlossen, wobei die erste Werkzeughälfte und die zweite Werkzeughälfte Kavitäten um die strahlungsemittierenden Halbleiterchips bilden. Insbesondere sind die Kavitäten miteinander verbunden. Beispielsweise umfasst jede Kavität genau einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip auf. Es ist jedoch auch möglich, dass in einer Kavität mehrere strahlungsemittierende Halbleiterchips angeordnet sind. Beispielsweise sind in einer Kavität mehrere strahlungsemittierende Halbleiterchips angeordnet, die gleich ausgebildet sind oder auch verschieden. Beispielsweise senden die strahlungsemittierenden Halbleiterchips in einer Kavität elektromagnetische Strahlung des gleichen Wellenlängenbereichs oder auch Licht verschiedener Farben aus. Senden die strahlungsemittierenden Halbleiterchips Licht verschiedener Farben aus, so können sie mit verschiedenen Konversionselementen versehen sein, die das verschiedenfarbige Licht Farbe erzeugen.According to a further embodiment of the method, the tool is closed, with the first tool half and the second tool half forming cavities around the radiation-emitting semiconductor chips. In particular, the cavities are connected to one another. For example, each cavity contains exactly one radiation-emitting semiconductor chip. However, it is also possible for several radiation-emitting semiconductor chips to be arranged in a cavity. For example, several radiation-emitting semiconductor chips are arranged in a cavity, which are designed the same or different. For example, the radiation-emitting semiconductor chips in a cavity emit electromagnetic radiation of the same wavelength range or light of different colors. If the radiation-emitting semiconductor chips emit light of different colors, they can be provided with different conversion elements that generate the different colored light colors.

Beim Schließen des Werkzeugs werden die erste Werkzeughälfte und die zweite Werkzeughälfte teilweise in direktem Kontakt miteinander angeordnet, so dass ein Hohlraum in dem Werkzeug ausgebildet wird. Der Träger mit den strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist nach dem Schließen des Werkzeugs zumindest teilweise in dem Hohlraum angeordnet. Insbesondere befinden sich bevorzugt alle strahlungsemittierenden Halbleiterchips in dem Hohlraum des geschlossenen Werkzeugs.When closing the tool, the first tool half and the second tool half are partially arranged in direct contact with each other, so that a cavity is formed in the tool is formed. The carrier with the radiation-emitting semiconductor chips is at least partially arranged in the cavity after the tool has been closed. In particular, all radiation-emitting semiconductor chips are preferably located in the cavity of the closed tool.

Insbesondere findet das Schließen des Werkzeugs nach dem Aufbringen des flüssigen Vergussmaterials auf die zweite Werkzeughälfte des Werkzeugs statt.In particular, the tool is closed after the liquid potting material has been applied to the second tool half of the tool.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird das flüssige Vergussmaterial zu festen Vergüssen ausgehärtet, die die strahlungsemittierenden Halbleiterchips einbetten. Ein fester Verguss kann hierbei einen oder mehrere strahlungsemittierende Halbleiterchips einbetten. Beispielsweise ist der feste Verguss transparent für die elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs. Ist der feste Verguss transparent für die elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs, so transmittiert er mindestens 85 %, bevorzugt mindestens 90 % der elektromagnetischen Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs.According to a further embodiment of the method, the liquid potting material is hardened into solid pottings which embed the radiation-emitting semiconductor chips. A solid potting can embed one or more radiation-emitting semiconductor chips. For example, the solid casting is transparent to the electromagnetic radiation of the first wavelength range. If the solid casting is transparent to the electromagnetic radiation of the first wavelength range, it transmits at least 85%, preferably at least 90%, of the electromagnetic radiation of the first wavelength range.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens sind Seitenflächen der Kavitäten stufenförmig ausgebildet. Insbesondere ist eine Querschnittsfläche der Kavitäten stufenförmig ausgebildet, das heißt, dass Seitenflächen der Kavitäten zumindest eine Stufe aufweisen. Eine Kante der Stufe ist beispielsweise abgerundet ausgebildet. Die Seitenflächen der Kavität umlaufen den strahlungsemittierenden Halbleiterchip oder die strahlungsemittierenden Halbleiterchips, der oder die in der Kavität angeordnet ist.According to a further embodiment of the method, side surfaces of the cavities are stepped-shaped. In particular, a cross-sectional area of the cavities is designed to be step-shaped, which means that side surfaces of the cavities have at least one step. For example, one edge of the step is rounded. The side surfaces of the cavity surround the radiation-emitting semiconductor chip or chips that are arranged in the cavity.

Gemäß einer Ausführungsform weist das Verfahren die folgenden Schritte auf:

  • - Bereitstellen eines Trägers mit einer Hauptfläche, auf die eine Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips aufgebracht ist, die im Betrieb elektromagnetische Strahlung aussenden,
  • - Aufbringen des Trägers auf eine erste Werkzeughälfte eines Werkzeugs,
  • - Aufbringen eines flüssigen Vergussmaterials auf eine zweite Werkzeughälfte des Werkzeugs,
  • - Schließen des Werkzeugs, wobei die erste Werkzeughälfte und die zweite Werkzeughälfte Kavitäten um die strahlungsemittierenden Halbleiterchips bilden,
  • - Aushärten des flüssigen Vergussmaterials zu festen Vergüssen, die die strahlungsemittierenden Halbleiterchips einbetten,

wobei Seitenflächen der Kavitäten stufenförmig ausgebildet sind.According to one embodiment, the method has the following steps:
  • - Providing a carrier with a main surface on which a large number of radiation-emitting semiconductor chips are applied, which emit electromagnetic radiation during operation,
  • - applying the carrier to a first tool half of a tool,
  • - applying a liquid potting material to a second tool half of the tool,
  • - Closing the tool, with the first tool half and the second tool half forming cavities around the radiation-emitting semiconductor chips,
  • - curing the liquid potting material to form solid pottings that embed the radiation-emitting semiconductor chips,

wherein side surfaces of the cavities are stepped-shaped.

Die angegebenen Schritte werden bevorzugt in der angegeben Reihenfolge ausgeführt.The steps given are preferably carried out in the order given.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens sind die Kavitäten durch Vorsprünge an der Hauptfläche des Trägers begrenzt, die zwischen den strahlungsemittierenden Halbleiterchips angeordnet sind. Insbesondere weisen die Vorsprünge eine stufenförmige Querschnittsfläche auf. Mit anderen Worten sind die stufenförmigen Seitenflächen der Kavitäten durch stufenförmige Seitenflächen der Vorsprünge gebildet. Die Vorsprünge auf der Hauptfläche des Trägers verjüngen sich hierbei von der Hauptfläche des Trägers zu der zweiten Werkzeughälfte. Beispielsweise ist bei dieser Ausführungsform des Verfahrens die zweite Werkzeughälfte plan ausgebildet. Die Vorsprünge an der Hauptfläche des Trägers sind hierbei in Draufsicht auf die Hauptfläche nicht zusammenhängend ausgebildet. Insbesondere bilden die Vorsprünge um die strahlungsemittierenden Halbleiterchips herum keine geschlossene Struktur aus. Vielmehr sind Lücken zwischen den Vorsprüngen vorhanden.According to a further embodiment of the method, the cavities are delimited by projections on the main surface of the carrier, which are arranged between the radiation-emitting semiconductor chips. In particular, the projections have a step-shaped cross-sectional area. In other words, the step-shaped side surfaces of the cavities are formed by step-shaped side surfaces of the projections. The projections on the main surface of the carrier taper from the main surface of the carrier to the second tool half. For example, in this embodiment of the method, the second tool half is flat. The projections on the main surface of the carrier are not formed coherently in a plan view of the main surface. In particular, the projections do not form a closed structure around the radiation-emitting semiconductor chips. Rather, there are gaps between the projections.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens sind die Vorsprünge von vorgeformten („premolded“) Elementen umfasst, die in den Träger eingebracht sind und auch aus einem anderen Material gebildet sein können als der Träger. Beispielsweise weisen die Vorsprünge eine Erhebung auf, die eine geringere Querschnittsfläche hat als das darunterliegende Material. Insbesondere weisen die Vorsprünge bevorzugt Erhebungen auf die gegenüber dem darunterliegenden Material zurückversetzt angeordnet sind um eine Stufe auszubilden. Beispielsweise sind Kanten der Erhebung abgerundet. Die Erhebung weist beispielsweise eine Dicke zwischen einschließlich 20 Mikrometer und einschließlich 200 Mikrometer auf.According to a further embodiment of the method, the projections are comprised of preformed elements which are introduced into the carrier and can also be formed from a different material than the carrier. For example, the projections have an elevation that has a smaller cross-sectional area than the underlying material. In particular, the projections preferably have elevations which are set back from the underlying material in order to form a step. For example, edges of the elevation are rounded. The elevation has, for example, a thickness between 20 micrometers and 200 micrometers inclusive.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens sind die Kavitäten durch Vorsprünge der zweiten Werkzeughälfte begrenzt, die beim Schließen des Werkzeugs zwischen den strahlungsemittierenden Halbleiterchips angeordnet werden. Die Vorsprünge weisen hierbei stufenförmige Querschnittsflächen auf. Mit anderen Worten sind die stufenförmigen Seitenflächen der Kavitäten durch stufenförmige Seitenflächen der Vorsprünge gebildet. Insbesondere ist der Träger bei dieser Ausführungsform des Verfahrens plan ausgebildet. Die Vorsprünge verjüngen sich bevorzugt von der zweiten Werkzeughälfte zu der Hauptfläche des Trägers. Die Vorsprünge an der zweiten Werkzeughälfte sind hierbei in Draufsicht nicht zusammenhängend ausgebildet.According to a further embodiment of the method, the cavities are delimited by projections of the second tool half, which are arranged between the radiation-emitting semiconductor chips when the tool is closed. The projections have step-shaped cross-sectional areas. In other words, the step-shaped side surfaces of the cavities are formed by step-shaped side surfaces of the projections. In particular, the carrier is flat in this embodiment of the method. The projections preferably taper from the second tool half to the main surface of the carrier. The projections on the second tool half are not contiguous in plan view.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens sind die Kavitäten durch Vorsprünge der zweiten Werkzeughälfte und elastische Elemente auf der Hauptfläche des Trägers begrenzt, die zwischen den strahlungsemittierenden Halbleiterchips angeordnet sind. Die elastischen Elemente weisen hierbei eine kleinere Querschnittsfläche auf als die Vorsprünge der zweiten Werkzeughälfte. So bildet sich eine Stufe zwischen den Vorsprüngen der zweiten Werkzeughälfte und den elastischen Elementen aus. Mit anderen Worten werden die Seitenflächen der Kavitäten durch Seitenflächen der elastischen Elemente und der Vorsprünge gebildet. Insbesondere weisen die Vorsprünge der zweiten Werkzeughälfte bei dieser Ausführungsform des Verfahrens ebene Seitenflächen auf, die frei sind von Stufen. Die elastischen Elemente werden auf den Träger beispielsweise durch ein additives Verfahren, wie Dispensen oder Drucken aufgebracht. Mit Hilfe der elastischen Elemente wird insbesondere eine teilweise Abdichtung zwischen dem Träger und der zweiten Werkzeughälfte erzielt. Die elastischen Elemente bilden hierbei in Draufsicht auf den Träger keine zusammenhängenden Strukturen umlaufend um die strahlungsemittierenden Halbleiterchips aus. Vielmehr sind Lücken zwischen den elastischen Elementen vorhanden. Weiterhin sind die elastischen Elemente in Draufsicht bevorzugt mittig auf den Vorsprüngen angeordnet. According to a further embodiment of the method, the cavities are delimited by projections of the second tool half and elastic elements on the main surface of the carrier, which are arranged between the radiation-emitting semiconductor chips. The elastic elements have a smaller cross-sectional area than the projections of the second tool half. This creates a step between the projections of the second tool half and the elastic elements. In other words, the side surfaces of the cavities are formed by side surfaces of the elastic elements and the projections. In particular, the projections of the second tool half in this embodiment of the method have flat side surfaces that are free of steps. The elastic elements are applied to the carrier, for example, by an additive process such as dispensing or printing. With the help of the elastic elements, a partial seal is achieved in particular between the carrier and the second tool half. In a top view of the carrier, the elastic elements do not form any coherent structures surrounding the radiation-emitting semiconductor chips. Rather, there are gaps between the elastic elements. Furthermore, the elastic elements are preferably arranged centrally on the projections in a top view.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens weisen die elastischen Elemente zumindest eines der folgenden Materialien auf oder sind aus einem der folgenden Materialien gebildet: ein organisches Material, ein Elastomer, ein Silikon, einen Lötstopplack.According to a further embodiment of the method, the elastic elements have at least one of the following materials or are formed from one of the following materials: an organic material, an elastomer, a silicone, a solder mask.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens weist die zweite Werkzeughälfte ein Einlegeteil auf. Beispielsweise ist das Einlegeteil unstrukturiert ausgebildet. Weiterhin ist es auch möglich, dass die Vorsprünge der zweiten Werkzeughälfte von dem Einlegeteil umfasst sind.According to a further embodiment of the method, the second tool half has an insert part. For example, the insert is designed to be unstructured. Furthermore, it is also possible for the projections of the second tool half to be enclosed by the insert.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens sind die Kavitäten, die sich beim Schließen des Werkzeugs bilden, nicht vollständig geschlossen. Insbesondere ist es möglich, dass das flüssige Vergussmaterial in dem geschlossenen Werkzeug von Kavität zu Kavität fließt.According to a further embodiment of the method, the cavities that form when the tool is closed are not completely closed. In particular, it is possible for the liquid potting material to flow from cavity to cavity in the closed tool.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens ist auf einer Hauptfläche der zweiten Werkzeughälfte eine Entformungsfolie aufgebracht, bevorzugt vollflächig. Die Entformungsfolie weist beispielsweise Ethylentetrafluorethylen (kurz „ETFE“) auf oder ist aus diesem Material gebildet.According to a further embodiment of the method, a demoulding film is applied to a main surface of the second tool half, preferably over the entire surface. The demolding film has, for example, ethylenetetrafluoroethylene (“ETFE” for short) or is made from this material.

Besonders bevorzugt weisen die Vorsprünge, die Seitenflächen der Kavitäten ausbilden, abgerundete Kanten auf. Die Vorsprünge können hierbei Teil des Trägers oder Teil der zweiten Werkzeughälfte sein. Die abgerundeten Kanten verbessern das Fließverhalten des flüssigen Vergussmaterials und reduzieren die Wahrscheinlichkeit, dass die Entformungsfolie beschädigt wird, beispielsweise einreißt. The projections that form side surfaces of the cavities particularly preferably have rounded edges. The projections can be part of the carrier or part of the second tool half. The rounded edges improve the flow behavior of the liquid potting material and reduce the likelihood of the demolding film being damaged, for example tearing.

Bei dem Verfahren handelt es sich insbesondere um ein Verfahren, bei dem eine Vielzahl strahlungsemittierender Bauelemente durch gleichzeitig stattfindende Prozessschritte parallel hergestellt wird („Batchprozess“).The method is, in particular, a method in which a large number of radiation-emitting components are manufactured in parallel using process steps that take place simultaneously (“batch process”).

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens entsteht ein Verbund umfassend die Vielzahl der strahlungsemittierenden Halbleiterchips, den Träger und die festen Vergüsse. Der Verbund wird entlang Trennlinien zu getrennten strahlungsemittierenden Bauelementen vereinzelt. Das Trennen des Verbundes entlang der Trennlinien erfolgt beispielsweise durch Sägen oder mit Hilfe eines Lasers. Beim Trennen entstehen insbesondere Trennspuren an Seitenflächen der strahlungsemittierenden Bauelemente anhand derer sich der Trennprozess nachweisen lässt. So entstehen beim Sägen typische Sägespuren und beim Lasertrennen auch entsprechende Trennspuren, beispielsweise Aufschmelzungen durch erhöhte Temperaturen beim Trennen. Die Trennlinien verlaufen insbesondere durch die Vorsprünge der zweiten Werkzeughälfte und/oder des Trägers. Insbesondere wird der Träger beim Trennen zu Trägerelementen zerteilt.According to a further embodiment of the method, a composite is created comprising the large number of radiation-emitting semiconductor chips, the carrier and the solid castings. The composite is separated along dividing lines to form separate radiation-emitting components. The composite is separated along the dividing lines, for example by sawing or using a laser. During separation, separation marks are created on the side surfaces of the radiation-emitting components, which can be used to detect the separation process. Typical saw marks are created when sawing and corresponding separation marks arise during laser cutting, for example melting caused by increased temperatures during cutting. The dividing lines run in particular through the projections of the second tool half and/or the carrier. In particular, the carrier is divided into carrier elements when it is separated.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens werden die Vorsprünge beim Trennen teilweise entfernt, so dass der feste Verguss teilweise eine Seitenfläche des strahlungsemittierenden Bauelements ausbildet. Mit anderen Worten liegt der feste Verguss nach dem Trennen des Verbunds teilweise an einer Seitenfläche des strahlungsemittierenden Bauelements frei. Bevorzugt sind die Vorsprünge jedoch zumindest teilweise größer als eine Breite der Trennlinie, so dass die Vorsprünge teilweise in dem fertigen strahlungsemittierenden Bauelement enthalten sind.According to a further embodiment of the method, the projections are partially removed during separation, so that the solid casting partially forms a side surface of the radiation-emitting component. In other words, after the composite has been separated, the solid casting is partially exposed on a side surface of the radiation-emitting component. However, the projections are preferably at least partially larger than a width of the dividing line, so that the projections are partially contained in the finished radiation-emitting component.

Mit dem hier beschriebenen Verfahren wird insbesondere ein strahlungsemittierendes Bauelement erzeugt. Sämtliche Merkmale und Ausführungsformen gelten daher für das strahlungsemittierende Bauelement sowie für das Verfahren und umgekehrt.In particular, the method described here produces a radiation-emitting component. All features and embodiments therefore apply to the radiation-emitting component and to the method and vice versa.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst das strahlungsemittierende Bauelement einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip auf einer Hauptfläche eines Trägerelements. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip sendet im Betrieb elektromagnetische Strahlung aus.According to one embodiment, the radiation-emitting component comprises a radiation-emitting semiconductor chip on a main surface of a carrier element. The radiation-emitting semiconductor chip emits electromagnetic radiation during operation.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das strahlungsemittierende Bauelement einen festen Verguss, der den strahlungsemittierenden Halbleiterchip einbettet und eine Seitenfläche mit zumindest einer Stufe aufweist. Insbesondere ist der strahlungsemittierende Halbleiterchip in direkten Kontakt mit dem festen Verguss. Bevorzugt sind sämtliche Teile der Oberfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips, die nicht in Kontakt mit dem Träger sind, von dem festen Verguss vollständig umschlossen und in direktem Kontakt mit dem festen Verguss. Bevorzugt umläuft die Seitenfläche den strahlungsemittierenden Halbleiterchip vollständig.According to a further embodiment, the radiation-emitting component comprises a solid potting that embeds the radiation-emitting semiconductor chip and has a side surface with at least one step. In particular, the radiation-emitting semiconductor chip is in direct contact with the solid potting. Preferably, all parts of the surface of the radiation-emitting semiconductor chip that are not in contact with the carrier are completely enclosed by the solid casting and are in direct contact with the solid casting. The side surface preferably completely surrounds the radiation-emitting semiconductor chip.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements weist die Stufe eine Basisschicht und eine weitere Schicht auf, die auf der Basisschicht angeordnet ist. Die Basisschicht und die weitere Schicht sind insbesondere einstückig ausgebildet. Insbesondere ist keine Grenzfläche zwischen der Basisschicht und der weiteren Schicht vorhanden.According to a further embodiment of the radiation-emitting component, the stage has a base layer and a further layer which is arranged on the base layer. The base layer and the further layer are in particular formed in one piece. In particular, there is no interface between the base layer and the further layer.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements weist die Basisschicht eine größere Querschnittsfläche auf als die weitere Schicht. Beispielsweise ist die Stufe aus der Basisschicht und der weiteren Schicht gebildet. Beispielsweise ist die weitere Schicht in direktem Kontakt mit der Basisschicht angeordnet, bevorzugt mittig.According to a further embodiment of the radiation-emitting component, the base layer has a larger cross-sectional area than the further layer. For example, the step is formed from the base layer and the further layer. For example, the further layer is arranged in direct contact with the base layer, preferably in the middle.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements bildet die Basisschicht teilweise eine Seitenfläche des strahlungsemittierenden Bauelements aus. Mit anderen Worten liegt die Basisschicht teilweise an der Seitenfläche des strahlungsemittierenden Bauelements frei.According to a further embodiment of the radiation-emitting component, the base layer partially forms a side surface of the radiation-emitting component. In other words, the base layer is partially exposed on the side surface of the radiation-emitting component.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements weist die Basisschicht eine Dicke auf, die nicht größer ist als 200 Mikrometer.According to a further embodiment of the radiation-emitting component, the base layer has a thickness that is not greater than 200 micrometers.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements bildet eine Hauptfläche der Basisschicht eine Strahlungsaustrittsfläche des strahlungsemittierenden Bauelements. Bei dieser Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements verbreitert sich der feste Verguss insbesondere von dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip zur Strahlungsaustrittsfläche. Mit anderen Worten ist die Querschnittsfläche des festen Vergusses in der Nähe des strahlungsemittierenden Halbleiterchips geringer als in der Nähe der Strahlungsaustrittsfläche. Ein solches strahlungsemittierendes Bauelement wird beispielsweise durch ein Verfahren erzeugt, bei dem die Vorsprünge an der Hauptfläche des Trägers angeordnet sind und die zweite Werkzeughälfte plan ausgebildet ist. Insbesondere ist die Basisschicht bei dieser Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements frei von dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip.According to a further embodiment of the radiation-emitting component, a main surface of the base layer forms a radiation exit surface of the radiation-emitting component. In this embodiment of the radiation-emitting component, the solid potting widens, in particular from the radiation-emitting semiconductor chip to the radiation exit surface. In other words, the cross-sectional area of the solid potting in the vicinity of the radiation-emitting semiconductor chip is smaller than in the vicinity of the radiation exit surface. Such a radiation-emitting component is produced, for example, by a method in which the projections are arranged on the main surface of the carrier and the second tool half is flat. In particular, the base layer in this embodiment of the radiation-emitting component is free of the radiation-emitting semiconductor chip.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements weist der feste Verguss zumindest zwei Stufen auf. Weiterhin verjüngt sich eine Querschnittsfläche des festen Vergusses bei dieser Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements ausgehend von strahlungsemittierenden Halbleiterchip zu der Strahlungsaustrittsfläche. Ein solches strahlungsemittierendes Bauelement wird insbesondere mit einem Verfahren erzeugt, bei dem Vorsprünge in der zweiten Hälfte des zweiten Werkzeugs vorgesehen sind, während der Träger plan ausgebildet ist.According to a further embodiment of the radiation-emitting component, the solid potting has at least two stages. Furthermore, in this embodiment of the radiation-emitting component, a cross-sectional area of the solid potting tapers from the radiation-emitting semiconductor chip to the radiation exit surface. Such a radiation-emitting component is produced in particular using a method in which projections are provided in the second half of the second tool, while the carrier is flat.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements weist die Basisschicht ein elastisches Material auf, das an der Seitenfläche des strahlungsemittierenden Bauelements zumindest teilweise freiliegt. Das elastische Material ist insbesondere in die Basisschicht eingebettet. Das elastische Material ist zudem insbesondere absorbierend und/oder reflektierend und/oder transmittierend für die elektromagnetische Strahlung des strahlungsemittierenden Halbleiterchips ausgebildet. Insbesondere ist bei dieser Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements der strahlungsemittierende Halbleiterchip zumindest teilweise in die Basisschicht eingebettet. Ein solches strahlungsemittierendes Bauelement wird insbesondere mit einem Verfahren erzeugt, bei dem Vorsprünge in der zweiten Werkzeughälfte sowie elastische Elemente auf dem Träger vorgesehen sind.According to a further embodiment of the radiation-emitting component, the base layer has an elastic material that is at least partially exposed on the side surface of the radiation-emitting component. The elastic material is embedded in particular in the base layer. The elastic material is also designed to absorb and/or reflect and/or transmit the electromagnetic radiation of the radiation-emitting semiconductor chip. In particular, in this embodiment of the radiation-emitting component, the radiation-emitting semiconductor chip is at least partially embedded in the base layer. Such a radiation-emitting component is produced in particular using a method in which projections are provided in the second tool half and elastic elements on the carrier.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements absorbiert und/oder reflektiert und/oder transmittiert das elastische Material elektromagnetische Strahlung des strahlungsemittierenden Halbleiterchips. Sind das elastische Material und der strahlungsemittierende Halbleiterchip zumindest teilweise in die Basisschicht eingebettet, so reduziert das elastische Material den Austritt von elektromagnetische Strahlung des strahlungsemittierenden Halbleiterchips seitlich aus der Basisschicht. So werden die Effizienz des strahlungsemittierenden Bauelements und/oder dessen Abstrahlcharakteristik deutlich verbessert.According to a further embodiment of the radiation-emitting component, the elastic material absorbs and/or reflects and/or transmits electromagnetic radiation from the radiation-emitting semiconductor chip. If the elastic material and the radiation-emitting semiconductor chip are at least partially embedded in the base layer, the elastic material reduces the escape of electromagnetic radiation from the radiation-emitting semiconductor chip laterally from the base layer. In this way, the efficiency of the radiation-emitting component and/or its radiation characteristics are significantly improved.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements weist die Stufe eine abgerundete Kante auf.According to a further embodiment of the radiation-emitting component, the step has a rounded edge.

Das strahlungsemittierende Bauelement findet beispielsweise im Automobilbereich, für Allgemeinbeleuchtung oder bei Anwendungen für Privatnutzer Anwendung.The radiation-emitting component is used, for example, in the automotive sector, for general lighting or in applications for private users.

Bei dem hier beschriebenen Verfahren wird das flüssige Vergussmaterial in die zweite Werkzeughälfte eingebracht und verteilt sich dort zumindest nach dem Schließen des Werkzeugs möglichst vollständig und/oder gleichmäßig. Damit dies möglich ist, muss eine Verbindung zwischen den Kavitäten in dem Werkzeug vorhanden sein. Hierzu sind insbesondere die Vorsprünge der ersten Werkzeughälfte und/oder der zweiten Werkzeughälfte und/oder die elastischen Elemente getrennt voneinander angeordnet.In the method described here, the liquid potting material is introduced into the second half of the tool and is distributed there as completely and/or evenly as possible, at least after the tool has been closed. For this to be possible, there must be a connection between the cavities in the tool. For this purpose, in particular the projections of the first tool half and/or the second tool half and/or the elastic elements are arranged separately from one another.

Das flüssige Vergussmaterial, das sich zusammenhängend über die Hauptfläche des Trägers verteilt, bildet in den fertigen strahlungsemittierenden Bauelementen die Basisschicht aus. Bei der Vereinzelung der strahlungsemittierenden Bauelemente wird die Basisschicht getrennt und liegt in der Regel an den Seitenflächen des strahlungsemittierenden Bauelements frei. Häufig ist die Trennfläche der Basisschicht hierbei klebrig ausgebildet, so dass sich Fremdpartikel, Verunreinigungen und/oder Agglomerationen absetzen können. Um diese zu entfernen und/oder die Klebrigkeit zu verringern, ist in der Regel ein zusätzlicher Prozessschritt notwendig, beispielsweise eine Behandlung mit einem Plasma. Mit dem hier beschriebenen Verfahren ist es durch die stufenförmigen Seitenflächen der Kavitäten insbesondere möglich, die Dicke der Basisschicht zu verringern. So werden weniger Verunreinigungen an den Seitenflächen der strahlungsemittierenden Bauteile angelagert und die Abstrahlcharakteristik des fertigen strahlungsemittierenden Bauelements verbessert, da die seitliche Auskopplung von elektromagnetischer Strahlung aus der Basisschicht verringert wird.The liquid potting material, which is distributed coherently over the main surface of the carrier, forms the base layer in the finished radiation-emitting components. When the radiation-emitting components are separated, the base layer is separated and is generally exposed on the side surfaces of the radiation-emitting component. The separating surface of the base layer is often sticky, so that foreign particles, contaminants and/or agglomerations can settle. In order to remove these and/or reduce the stickiness, an additional process step is usually necessary, for example treatment with a plasma. With the method described here, it is possible in particular to reduce the thickness of the base layer due to the step-shaped side surfaces of the cavities. This means that fewer contaminants are deposited on the side surfaces of the radiation-emitting components and the radiation characteristics of the finished radiation-emitting component are improved, since the lateral coupling of electromagnetic radiation from the base layer is reduced.

Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Verfahrens und des strahlungsemittierenden Bauelements ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.

  • Die 1 bis 4 zeigen schematisch Stadien eines Verfahrens zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Bauelemente gemäß einem Ausführungsbeispiel.
  • Die 5 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel.
  • Die 6 bis 10 zeigen schematisch Stadien eines Verfahrens zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Bauelemente gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
  • Die 11 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
  • Die 12 bis 16 zeigen schematisch Stadien eines Verfahrens zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Bauelemente gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
  • Die 17 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
Further advantageous embodiments and developments of the method and the radiation-emitting component result from the exemplary embodiments described below in connection with the figures.
  • The 1 to 4 show schematically stages of a method for producing a large number of radiation-emitting components according to an exemplary embodiment.
  • The 5 shows a schematic sectional view of a radiation-emitting component according to an exemplary embodiment.
  • The 6 to 10 show schematically stages of a method for producing a large number of radiation-emitting components according to a further exemplary embodiment.
  • The 11 shows a schematic sectional view of a radiation-emitting component according to a further exemplary embodiment.
  • The 12 to 16 show schematically stages of a method for producing a large number of radiation-emitting components according to a further exemplary embodiment.
  • The 17 shows a schematic sectional view of a radiation-emitting component according to a further exemplary embodiment.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.Identical, similar or identically acting elements are provided with the same reference numerals in the figures. The figures and the size relationships between the elements shown in the figures should not be considered to scale. Rather, individual elements, in particular layer thicknesses, can be shown exaggeratedly large for better representation and/or better understanding.

Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1 bis 4 wird zunächst ein Träger 1 bereitgestellt. Der Träger 1 weist eine Hauptfläche 2 auf, auf der eine Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips 3 aufgebracht ist. Weiterhin weist der Träger 1 eine Vielzahl an Vorsprüngen 4 auf der Hauptfläche 2 auf. Die Vorsprünge 4 sind vorliegend von einer Vielzahl an vorgeformten Elementen 5 umfasst, die den Träger 1 vollständig durchlaufen. Weiterhin weisen die Vorsprünge 4 eine Erhebung 6 auf, die mittig auf einem darunterliegenden Material und zurückversetzt zu diesem angeordnet sind und mit diesem eine Stufe 7 ausbilden. Zwischen zwei Vorsprüngen 4 ist jeweils ein strahlungsemittierender Halbleiterchip 3 angeordnet ( 1) .In the method according to the exemplary embodiment of 1 to 4 a carrier 1 is first provided. The carrier 1 has a main surface 2 on which a large number of radiation-emitting semiconductor chips 3 are applied. Furthermore, the carrier 1 has a plurality of projections 4 on the main surface 2. In the present case, the projections 4 are comprised of a large number of preformed elements 5, which pass completely through the carrier 1. Furthermore, the projections 4 have an elevation 6, which are arranged centrally on an underlying material and set back from it and form a step 7 with it. A radiation-emitting semiconductor chip 3 is arranged between two projections 4 ( 1 ).

In einem nächsten Schritt wird der Träger 1 auf eine erste Werkzeughälfte 8 eines Werkzeugs 9 aufgebracht. Das Werkzeug 9 umfasst weiterhin eine zweite Werkzeughälfte 10 mit einem Einlegeteil 11. Insbesondere weist das Einlegeteil 11 bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel eine plane Oberfläche auf. Das Einlegeteil 11 ist zwischen zwei Klemmen 12, die über das Einlegeteil 11 hinausragen, fixiert. Weiterhin umfasst die zweite Werkzeughälfte 10 einen Dichtrahmen 13, der an Seitenflächen der zweiten Werkzeughälfte angeordnet ist.In a next step, the carrier 1 is applied to a first tool half 8 of a tool 9. The tool 9 further comprises a second tool half 10 with an insert part 11. In particular, the insert part 11 in the present exemplary embodiment has a flat surface. The insert 11 is fixed between two clamps 12 which protrude beyond the insert 11. Furthermore, the second tool half 10 includes a sealing frame 13, which is arranged on side surfaces of the second tool half.

Auf einer Hauptfläche 14 der zweiten Werkzeughälfte 10 ist eine Entformungsfolie 15 vollflächig aufgebracht. Auf der planen Oberfläche des Einlegeteils 11 ist die Entformungsfolie 15 vollflächig in direktem Kontakt aufgebracht.A demolding film 15 is applied over the entire surface of a main surface 14 of the second tool half 10. On the flat surface of the insert 11, the demolding film 15 is applied over the entire surface in direct contact.

In einem weiteren Schritt wird ein flüssiges Vergussmaterial 16, beispielsweise ein Silikon und/oder ein Epoxid, auf die zweite Werkzeughälfte 10 aufgebracht (2). Beispielsweise ist das flüssige Vergussmaterial 16 transparent für die elektromagnetische Strahlung der strahlungsemittierenden Halbleiterchips 3. Weiterhin ist es auch möglich, dass Füllstoffe in das flüssige Vergussmaterial 16 eingebracht sind, beispielsweise Leuchtstoffpartikel.In a further step, a liquid potting material 16, for example a silicone and/or an epoxy, is applied to the second tool half 10 ( 2 ). For example, the liquid potting material 16 is transparent to the electromagnetic radiation of the radiation-emitting Semiconductor chips 3. Furthermore, it is also possible for fillers to be introduced into the liquid potting material 16, for example phosphor particles.

In einem weiteren Schritt wird das Werkzeug 9 geschlossen, so dass die erste Werkzeughälfte 8 auf dem Dichtrahmen 13 der zweiten Werkzeughälfte 10 zu liegen kommt (3). Die Vorsprünge 4 des Trägers 1 kommen beim Schließen des Werkzeugs 9 zwischen den strahlungsemittierenden Halbleiterchips 3 zu liegen. Die erste Werkzeughälfte 8 und die zweite Werkzeughälfte 10 bilden Kavitäten 17 um die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 3 aus (siehe auch den rechteckigen, vergrößerten Ausschnitt der 3). Beispielsweise verhindern die Vorsprünge 4 des Trägers 1, dass der Träger 1 bei geschlossenem Werkzeug 9 in direktem Kontakt mit dem Einlegeteil 11 der zweiten Werkzeughälfte 10 steht. Auch das flüssige Vergussmaterial 16 und ein Schließdruck können den Kontakt zwischen dem Träger 1 und dem Einlegeteil 11 zusätzlich oder alternativ verhindern.In a further step, the tool 9 is closed so that the first tool half 8 comes to rest on the sealing frame 13 of the second tool half 10 ( 3 ). The projections 4 of the carrier 1 come to rest between the radiation-emitting semiconductor chips 3 when the tool 9 is closed. The first tool half 8 and the second tool half 10 form cavities 17 around the radiation-emitting semiconductor chips 3 (see also the rectangular, enlarged section of the 3 ). For example, the projections 4 of the carrier 1 prevent the carrier 1 from being in direct contact with the insert part 11 of the second tool half 10 when the tool 9 is closed. The liquid potting material 16 and a closing pressure can also additionally or alternatively prevent contact between the carrier 1 and the insert 11.

Der Träger 1 steht an seinen Rändern mit den Klemmen 12 der zweiten Werkzeughälfte 10 in direktem Kontakt, so dass ein abgeschlossener Hohlraum 18 entsteht, der durch das Einlegeteil 11 und den Träger 1 begrenzt wird. Der Hohlraum 18 ist vorliegend vollständig mit dem flüssigen Vergussmaterial 16 gefüllt. Insbesondere verteilt sich das flüssige Vergussmaterial 16 in dem gesamten Hohlraum 18 und füllt alle Kavitäten 17. Dies ist möglich, da die Vorsprünge 4 in Draufsicht nicht zusammenhängend ausgebildet sind (vergleiche auch 9 und 13).The carrier 1 is in direct contact at its edges with the clamps 12 of the second tool half 10, so that a closed cavity 18 is created, which is delimited by the insert 11 and the carrier 1. In the present case, the cavity 18 is completely filled with the liquid potting material 16. In particular, the liquid potting material 16 is distributed throughout the entire cavity 18 and fills all cavities 17. This is possible because the projections 4 are not contiguous in plan view (see also 9 and 13 ).

Die Vorsprünge 4 weisen vorliegend eine stufenförmige Querschnittsfläche auf. Daher bilden sich Kavitäten 17 um die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 3 mit einer stufenförmigen Seitenfläche 19 aus. Insbesondere verbreitern sich die Kavitäten 17 ausgehend von dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 3 zu dem Einlegeteil 11.In the present case, the projections 4 have a step-shaped cross-sectional area. Therefore, cavities 17 are formed around the radiation-emitting semiconductor chips 3 with a step-shaped side surface 19. In particular, the cavities 17 widen starting from the radiation-emitting semiconductor chip 3 to the insert part 11.

In einem weiteren Schritt wird das flüssige Vergussmaterial 16 zu einer Vielzahl fester Vergüsse 20 ausgehärtet, die die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 3 einbetten. Es entsteht ein Verbund 21, der den Träger 1, die Vielzahl an strahlungsemittierenden Halbleiterchips 3 und das ausgehärtete Vergussmaterial umfasst.In a further step, the liquid potting material 16 is hardened to form a large number of solid pottings 20, which embed the radiation-emitting semiconductor chips 3. A composite 21 is created, which includes the carrier 1, the large number of radiation-emitting semiconductor chips 3 and the cured potting material.

In einem nächsten Schritt wird der Verbund zu einer Vielzahl strahlungsemittierender Bauelemente entlang von Trennlinien 22 vereinzelt, beispielsweise durch Sägen (4).In a next step, the composite is separated into a large number of radiation-emitting components along dividing lines 22, for example by sawing ( 4 ).

Das strahlungsemittierende Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der 5 ist beispielsweise mit dem Verfahren erzeugt wie es anhand der 1 bis 4 beschrieben ist.The radiation-emitting component according to the exemplary embodiment of 5 is generated, for example, using the method as described in the 1 to 4 is described.

Das strahlungsemittierender Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der 5 umfasst ein Trägerelement 23 mit einer Hauptfläche 24, auf der ein strahlungsemittierender Halbleiterchip 3 angeordnet ist. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 3 ist mit einem Bonddraht 25 elektrisch kontaktiert. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 3 emittiert im Betrieb elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht. Das Trägerelement 23 ist seitlich von einem vorgeformten Material 26 umgeben, das Teil von vorgeformten Elementen 5 war. Das vorgeformte Material 26 bildet eine Kavität 17 um den strahlungsemittierenden Halbleiterchips 3 aus. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 3 ist in der Kavität 17 angeordnet. Das vorgeformte Material 26 bedeckt Seitenflächen des Trägerelements 23 und überragt den strahlungsemittierenden Halbleiterchip 3. Bei dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 3 kann es sich auch um einen Flip-Chip handeln, der mit zwei rückseitigen elektrischen Kontakte elektrisch leitend und mechanisch stabil mit dem Träger 1 verbunden ist.The radiation-emitting component according to the exemplary embodiment of 5 comprises a carrier element 23 with a main surface 24 on which a radiation-emitting semiconductor chip 3 is arranged. The radiation-emitting semiconductor chip 3 is electrically contacted with a bonding wire 25. The radiation-emitting semiconductor chip 3 emits electromagnetic radiation, for example visible light, during operation. The support element 23 is laterally surrounded by a preformed material 26, which was part of preformed elements 5. The preformed material 26 forms a cavity 17 around the radiation-emitting semiconductor chip 3. The radiation-emitting semiconductor chip 3 is arranged in the cavity 17. The preformed material 26 covers side surfaces of the carrier element 23 and projects beyond the radiation-emitting semiconductor chip 3. The radiation-emitting semiconductor chip 3 can also be a flip chip, which is connected to the carrier 1 in an electrically conductive and mechanically stable manner with two rear electrical contacts.

Die Kavität 17 weist eine Querschnittsfläche auf, die sich ausgehend von dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 3 zu einer Strahlungsaustrittsfläche 27 des strahlungsemittierenden Bauelements vergrößert. Insbesondere weist die Kavität 17 stufenförmige Seitenflächen 19 auf, die durch Stufen 7 in dem vorgeformten Material gebildet sind. Kanten 28 der Stufen 7 sind vorliegend gerundet ausgebildet.The cavity 17 has a cross-sectional area that increases from the radiation-emitting semiconductor chip 3 to a radiation exit area 27 of the radiation-emitting component. In particular, the cavity 17 has step-shaped side surfaces 19, which are formed by steps 7 in the preformed material. Edges 28 of the steps 7 are rounded in this case.

Die Kavität 17 ist mit einem festen Verguss 20 gefüllt, der den strahlungsemittierenden Halbleiterchip 3 einbettet. Der feste Verguss 20 weist eine Basisschicht 29 auf, die auf einer weiteren Schicht 30 angeordnet ist. Die weitere Schicht 30 ist hierbei zurückversetzt gegenüber der Basisschicht 29 angeordnet, so dass eine Stufe 7 zwischen der Basisschicht 29 und der weiteren Schicht 30 vorhanden ist. Insbesondere bildet eine Hauptfläche der Basisschicht 29 die Strahlungsaustrittsfläche 27 des strahlungsemittierenden Bauelements aus. Weiterhin weist der feste Verguss 20 eine zusätzliche Schicht 31 auf, die den strahlungsemittierenden Halbleiterchip 3 einbettet und gegenüber der weiteren Schicht 30 zurückversetzt angeordnet ist, so dass der feste Verguss 20 eine weitere Stufe 7 aufweist.The cavity 17 is filled with a solid casting 20, which embeds the radiation-emitting semiconductor chip 3. The solid casting 20 has a base layer 29 which is arranged on a further layer 30. The further layer 30 is arranged set back from the base layer 29, so that a step 7 is present between the base layer 29 and the further layer 30. In particular, a main surface of the base layer 29 forms the radiation exit surface 27 of the radiation-emitting component. Furthermore, the solid potting 20 has an additional layer 31, which embeds the radiation-emitting semiconductor chip 3 and is arranged set back from the further layer 30, so that the solid potting 20 has a further step 7.

Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 6 bis 10 wird im Unterschied zu dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1 bis 4 ein Träger 1 mit einer Hauptfläche 2 verwendet, die plan ausgebildet ist. Auf der Hauptfläche 2 ist wiederum eine Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips 3 angeordnet ( 6) .In the method according to the exemplary embodiment of 6 to 10 In contrast to the method according to the exemplary embodiment 1 to 4 a carrier 1 with a main surface 2 is used, which is flat. A large number of radiation-emitting semiconductor chips 3 are again arranged on the main surface 2 ( 6 ).

Im Unterschied zu dem Verfahren gemäß den 1 bis 4 weist das Einlegeteil 11 der zweiten Werkzeughälfte 10 bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 6 bis 10 Vorsprünge 4 mit einer stufenförmigen Querschnittsfläche auf Die Vorsprünge 4 sind insbesondere in den 8 und 9 zu sehen, wobei 8 einen schematische Schnittdarstellung eines Ausschnitts des Einlegeteils 11 und 9 eine Draufsicht auf den Ausschnitts des Einlegeteils 11 zeigen. Die Vorsprünge 4 weisen Seitenflächen 32 mit einer Stufe 7 auf. Die Stufe 7 wird durch eine Erhebung 6 mit abgerundeten Kanten 28 gebildet, die gegenüber dem darunter liegenden Material zurückversetzt angeordnet ist.In contrast to the procedure according to 1 to 4 has the insert part 11 of the second tool half 10 in the method according to the exemplary embodiment 6 to 10 Projections 4 with a step-shaped cross-sectional area on The projections 4 are particularly in the 8th and 9 to see where 8th a schematic sectional view of a section of the insert 11 and 9 show a top view of the section of the insert 11. The projections 4 have side surfaces 32 with a step 7. The step 7 is formed by an elevation 6 with rounded edges 28, which is set back from the material underneath.

Auf einer Hauptfläche 14 der zweiten Werkzeughälfte 110 ist eine Entformungsfolie 15 aufgebracht.A demolding film 15 is applied to a main surface 14 of the second tool half 110.

Zwischen die erste Werkzeughälfte 8 und die zweite Werkzeughälfte 10 wird ein flüssiges Vergussmaterial 16 eingebracht (7). Dann wird das Werkzeug 9 geschlossen (10).A liquid potting material 16 is introduced between the first tool half 8 and the second tool half 10 ( 7 ). Then the tool 9 is closed ( 10 ).

Wie die 9 zeigt sind die Erhebungen 6 der Vorsprünge 4nicht durchgehend ausgebildet. So kann flüssiges Vergussmaterial 16 zumindest bei geschlossenem Werkzeug 9 über die gesamte Oberfläche des Einlegeteils 11 fließen und alle strahlungsemittierenden Halbleiterchip 3 möglichst gleichmäßig umschließen.As the 9 shows, the elevations 6 of the projections 4 are not continuous. This means that liquid potting material 16 can flow over the entire surface of the insert 11, at least when the tool 9 is closed, and enclose all the radiation-emitting semiconductor chips 3 as evenly as possible.

Beim Schließen des Werkzeugs 9 werden die Vorsprünge 4 zwischen den strahlungsemittierenden Halbleiterchips 3 angeordnet. Die Vorsprünge 4 des Einlegeteils 11 der zweiten Werkzeughälfte 10 bilden stufenförmige Seitenflächen 19 von Kavitäten 17, wobei jeder strahlungsemittierende Halbleiterchip 3 von einer stufenförmigen Seitenfläche 19 umlaufen wird und in einer Kavität 17 angeordnet ist. Die Kavitäten 17 sind möglichst vollständig mit dem flüssigen Vergussmaterial 16 gefüllt. Das flüssige Vergussmaterial 16 wird zu festen Vergüssen 20 ausgehärtet.When closing the tool 9, the projections 4 are arranged between the radiation-emitting semiconductor chips 3. The projections 4 of the insert part 11 of the second tool half 10 form step-shaped side surfaces 19 of cavities 17, each radiation-emitting semiconductor chip 3 being surrounded by a step-shaped side surface 19 and being arranged in a cavity 17. The cavities 17 are filled as completely as possible with the liquid potting material 16. The liquid potting material 16 is hardened into solid pottings 20.

Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 6 bis 10 entsteht ein Verbund 21 aus Träger 1, strahlungsemittierenden Halbleiterchips 3 und ausgehärteten Vergüssen 20, der entlang von Trennlinien 22 zu einzelnen strahlungsemittierenden Bauelementen zertrennt wird (nicht dargestellt).In the method according to the exemplary embodiment of 6 to 10 A composite 21 is created consisting of carrier 1, radiation-emitting semiconductor chips 3 and hardened castings 20, which is separated along dividing lines 22 to form individual radiation-emitting components (not shown).

Das strahlungsemittierende Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der 11 ist beispielsweise mit dem Verfahren erzeugt, wie es anhand der 6 bis 10 beschrieben wurde.The radiation-emitting component according to the exemplary embodiment of 11 is generated, for example, using the method as described in the 6 to 10 was described.

Das strahlungsemittierende Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der 11 umfasst ein Trägerelement 23, auf dem ein strahlungsemittierender Halbleiterchip 3 aufgebracht ist. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 3 ist mit einem Bonddraht 25 elektrisch kontaktiert. Weiterhin ist der strahlungsemittierende Halbleiterchip 3 in einen festen Verguss 20 eingebettet. Der feste Verguss 20 weist stufenförmige Seitenflächen 34 mit einigen gerundeten Kanten 28 auf. Weiterhin verjüngt sich der feste Verguss 20 ausgehend von dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 3 zu einer Strahlungsaustrittsfläche 27 des strahlungsemittierenden Bauelements. Der feste Verguss 20 weist eine Basisschicht 29 auf, in den der strahlungsemittierende Halbleiterchip 3 teilweise eingebettet ist. Weiterhin ist eine Seitenfläche 35 des strahlungsemittierenden Bauelements teilweise durch den festen Verguss 20 gebildet.The radiation-emitting component according to the exemplary embodiment of 11 comprises a carrier element 23, on which a radiation-emitting semiconductor chip 3 is applied. The radiation-emitting semiconductor chip 3 is electrically contacted with a bonding wire 25. Furthermore, the radiation-emitting semiconductor chip 3 is embedded in a solid potting 20. The solid casting 20 has step-shaped side surfaces 34 with some rounded edges 28. Furthermore, the solid potting 20 tapers starting from the radiation-emitting semiconductor chip 3 to a radiation exit surface 27 of the radiation-emitting component. The solid potting 20 has a base layer 29 in which the radiation-emitting semiconductor chip 3 is partially embedded. Furthermore, a side surface 35 of the radiation-emitting component is partially formed by the solid casting 20.

Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 12 bis 16 wird zunächst ein Träger 1 bereitgestellt, bei dem auf einer Hauptfläche 2 eine Vielzahl elastischer Elemente 36 aufgebracht ist. Zwischen den elastischen Elementen 36 ist eine Vielzahl an strahlungsemittierenden Halbleiterchips 3 auf der Hauptfläche 2 des Trägers 1 angeordnet (12).In the method according to the exemplary embodiment of 12 to 16 First, a carrier 1 is provided, in which a large number of elastic elements 36 are applied to a main surface 2. A large number of radiation-emitting semiconductor chips 3 are arranged on the main surface 2 of the carrier 1 between the elastic elements 36 ( 12 ).

13 zeigt schematisch eine Draufsicht auf die Hauptfläche 2 des Trägers 1. Jeder strahlungsemittierende Halbleiterchip 3 ist von mehreren elastischen Elementen 36 umgeben, wobei Lücken zwischen den elastischen Elementen 36 ausgebildet sind. 13 shows schematically a plan view of the main surface 2 of the carrier 1. Each radiation-emitting semiconductor chip 3 is surrounded by a plurality of elastic elements 36, with gaps being formed between the elastic elements 36.

Der Träger 1 wird an einer ersten Werkzeughälfte 8 eines Werkzeugs 9 angeordnet. Weiterhin umfasst das Werkzeug 9 eine zweite Werkzeughälfte 10 mit einem Einlegeteil 11. Das Einlegeteil 11 umfasst eine Vielzahl an Vorsprüngen 4 mit glatten Seitenflächen 32 (14, 15 und 16).The carrier 1 is arranged on a first tool half 8 of a tool 9. Furthermore, the tool 9 includes a second tool half 10 with an insert part 11. The insert part 11 includes a plurality of projections 4 with smooth side surfaces 32 ( 14 , 15 and 16 ).

Zwischen die erste Werkzeughälfte 8 und die zweite Werkzeughälfte 10 wird, wie schematisch in 14 dargestellt, ein flüssiges Vergussmaterial 16 eingebracht. Dann wird das Werkzeug geschlossen (15).Between the first tool half 8 and the second tool half 10, as shown schematically in 14 shown, a liquid potting material 16 is introduced. Then the tool is closed ( 15 ).

16 zeigt schematisch einen Ausschnitt des geschlossenen Werkzeugs 9. Die elastischen Elementen 36 kommen hierbei auf den Vorsprüngen 4 des Einlegeteils 11 der zweiten Werkzeughälfte 10 mittig zu liegen. Die elastischen Elemente 36 weisen eine geringere Querschnittsfläche als die Vorsprünge 4 des Einlegeteils 11 der zweiten Werkzeughälfte 10 auf. Insbesondere sind Seitenflächen 32 der Vorsprünge 4 der zweiten Werkzeughälfte 10 eben ausgebildet und frei von Stufen 7. Stufen 7 werden jedoch zwischen den Vorsprüngen 4 der zweiten Werkzeughälfte 10 und den elastischen Elementen 36 gebildet, da die elastischen Elemente 36 eine geringere Querschnittsfläche als die Vorsprünge 4 des Einlegeteils 11 aufweisen. 16 shows schematically a section of the closed tool 9. The elastic elements 36 come to lie centrally on the projections 4 of the insert 11 of the second tool half 10. The elastic elements 36 have a smaller cross-sectional area than the projections 4 of the insert part 11 of the second tool half 10. In particular, side surfaces 32 of the projections 4 of the second tool half 10 are flat and free of steps 7. However, steps 7 are formed between the projections 4 of the second tool half 10 and the elastic elements 36, since the elastic elements 36 are have a smaller cross-sectional area than the projections 4 of the insert 11.

Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 12 bis 16 entsteht ein Verbund 21 umfassend den Träger 1, die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 3, die ausgehärteten Vergüssen 20 und die elastischen Elementen 36, der entlang von Trennlinien 22 zu einzelnen strahlungsemittierenden Bauelementen zertrennt wird (nicht dargestellt). Bei der Trennung entlang der Trennlinien 22 werden die elastischen Elemente 36 nur teilweise entfernt, so dass ein gewisser Anteil an elastischem Material 37 in dem fertigen strahlungsemittierenden Bauelement verbleibt.In the method according to the exemplary embodiment of 12 to 16 A composite 21 is created comprising the carrier 1, the radiation-emitting semiconductor chips 3, the hardened castings 20 and the elastic elements 36, which is separated along dividing lines 22 to form individual radiation-emitting components (not shown). When separating along the dividing lines 22, the elastic elements 36 are only partially removed, so that a certain proportion of elastic material 37 remains in the finished radiation-emitting component.

Das strahlungsemittierende Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der 17 ist beispielsweise mit dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 12 bis 16 erzeugt.The radiation-emitting component according to the exemplary embodiment of 17 is, for example, with the method according to the exemplary embodiment 12 to 16 generated.

Das strahlungsemittierende Bauelement weist im Unterschied zu dem strahlungsemittierenden Bauelement gemäß der 11 einen festen Verguss 20 mit einer einzigen Stufe 7 in der Seitenfläche 34 auf. Der feste Verguss 20 weist weiterhin eine Basisschicht 29 auf, in die seitlich elastisches Material 37 eingebettet ist. Das elastische Material 37 war beispielsweise Teil der elastischen Elemente 36, die bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 12 bis 16 zwischen den strahlungsemittierenden Halbleiterchips 3 angeordnet sind. Das elastische Material 37 verhindert insbesondere, dass elektromagnetische Strahlung, die von dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 3 im Betrieb erzeugt wird, seitlich aus der Basisschicht 29 ausgekoppelt wird.In contrast to the radiation-emitting component according to the 11 a solid casting 20 with a single step 7 in the side surface 34. The solid casting 20 also has a base layer 29 in which laterally elastic material 37 is embedded. The elastic material 37 was, for example, part of the elastic elements 36, which are used in the method according to the exemplary embodiment 12 to 16 are arranged between the radiation-emitting semiconductor chips 3. The elastic material 37 in particular prevents electromagnetic radiation, which is generated by the radiation-emitting semiconductor chip 3 during operation, from being coupled out laterally from the base layer 29.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. The invention is not limited to these by the description based on the exemplary embodiments. Rather, the invention encompasses every new feature and every combination of features, which in particular includes every combination of features in the patent claims, even if this feature or this combination itself is not explicitly stated in the patent claims or exemplary embodiments.

BezugszeichenlisteReference symbol list

11
Trägercarrier
22
Hauptfläche des TrägersMain surface of the carrier
33
strahlungsemittierender Halbleiterchipradiation-emitting semiconductor chip
44
Vorsprunghead Start
55
vorgeformtes Elementpreformed element
66
Erhebungsurvey
77
StufeLevel
88th
erste Werkzeughälftefirst half of the tool
99
WerkzeugTool
1010
zweite Werkzeughälftesecond half of the tool
1111
EinlegeteilInsert
1212
KlemmeClamp
1313
DichtrahmenSealing frame
1414
Hauptfläche der zweiten WerkzeughälfteMain surface of the second tool half
1515
Entformungsfoliedemolding film
1616
flüssiges Vergussmaterialliquid potting material
1717
Kavitätcavity
1818
Hohlraumcavity
1919
stufenförmigen Seitenfläche der Kavitätstep-shaped side surface of the cavity
2020
fester Vergusssolid casting
2121
VerbundComposite
2222
Trennlinieparting line
2323
TrägerelementSupport element
2424
Hauptfläche des TrägerelementsMain surface of the support element
2525
BonddrahtBonding wire
2626
vorgeformtes Materialpreformed material
2727
Strahlungsaustrittsfläche des strahlungsemittierenden BauelementsRadiation exit surface of the radiation-emitting component
2828
KanteEdge
2929
BasisschichtBase layer
3030
weitere Schichtanother layer
3131
zusätzliche Schichtadditional layer
3232
Seitenfläche der VorsprüngeSide surface of the projections
3434
stufenförmige Seitenfläche des Vergussesstep-shaped side surface of the casting
3535
Seitenfläche des strahlungsemittierenden BauelementsSide surface of the radiation-emitting component
3636
elastisches Elementeelastic elements
3737
elastisches Materialelastic material

Claims (18)

Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Bauelemente mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines Trägers (1) mit einer Hauptfläche (2), auf die eine Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips (3) aufgebracht ist, die im Betrieb elektromagnetische Strahlung aussenden, - Aufbringen des Trägers (1) auf eine erste Werkzeughälfte (8) eines Werkzeugs (9), - Aufbringen eines flüssigen Vergussmaterials (16) auf eine zweite Werkzeughälfte (10) des Werkzeugs (9), - Schließen des Werkzeugs (9), wobei die erste Werkzeughälfte (8) und die zweite Werkzeughälfte (10) Kavitäten (17) um die strahlungsemittierenden Halbleiterchips (3) bilden, - Aushärten des flüssigen Vergussmaterials (16) zu festen Vergüssen (20), die die strahlungsemittierenden Halbleiterchips (3) einbetten, wobei Seitenflächen (19) der Kavitäten (17) stufenförmig ausgebildet sind.Method for producing a large number of radiation-emitting components with the following steps: - providing a carrier (1) with a main surface (2) onto which a large number of radiation-emitting semiconductor chips (3) are applied, which emit electromagnetic radiation during operation, - applying the carrier ( 1) on a first tool half (8) of a tool (9), - applying a liquid potting material (16) to a second tool half (10) of the tool (9), - closing the tool (9), the first tool half (8) and the second tool half (10) forming cavities (17) around the radiation-emitting semiconductor chips (3), - curing the liquid potting material (16) to form solid pottings (20), which embed the radiation-emitting semiconductor chips (3), with side surfaces (19) of the cavities (17) being stepped-shaped. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei - die Kavitäten (17) durch Vorsprünge (4) an der Hauptfläche (2) des Trägers (1) zwischen den strahlungsemittierenden Halbleiterchips (3) begrenzt sind, und - die Vorsprünge (4) eine stufenförmige Querschnittsfläche aufweisen.Method according to the previous claim, wherein - the cavities (17) are delimited by projections (4) on the main surface (2) of the carrier (1) between the radiation-emitting semiconductor chips (3), and - The projections (4) have a step-shaped cross-sectional area. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei die Vorsprünge (4) von vorgeformten Elemente (5) umfasst sind, die in den Träger (1) eingebracht sind.Method according to the preceding claim, wherein the projections (4) are comprised of preformed elements (5) which are introduced into the carrier (1). Verfahren nach Anspruch 1, wobei - die Kavitäten (17) durch Vorsprünge (4) der zweiten Werkzeughälfte (10) begrenzt sind, die beim Schließen des Werkzeugs (9) zwischen den strahlungsemittierenden Halbleiterchips (3) angeordnet werden, und - die Vorsprünge (4) eine stufenförmige Querschnittsfläche aufweisen.Procedure according to Claim 1 , wherein - the cavities (17) are delimited by projections (4) of the second tool half (10), which are arranged between the radiation-emitting semiconductor chips (3) when the tool (9) is closed, and - the projections (4) have a step-shaped cross-sectional area exhibit. Verfahren nach Anspruch 1, wobei - die Kavitäten (17) durch Vorsprünge (4) der zweiten Werkzeughälfte (10) und elastische Elemente (36) auf der Hauptfläche (2) des Trägers (1) zwischen den strahlungsemittierenden Halbleiterchips (3) begrenzt sind, und - die elastischen Elemente (36) eine kleinere Querschnittsfläche aufweisen als die Vorsprünge (4) der zweiten Werkzeughälfte (10).Procedure according to Claim 1 , wherein - the cavities (17) are delimited by projections (4) of the second tool half (10) and elastic elements (36) on the main surface (2) of the carrier (1) between the radiation-emitting semiconductor chips (3), and - the elastic Elements (36) have a smaller cross-sectional area than the projections (4) of the second tool half (10). Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei die elastischen Elemente (36) zumindest eines der folgenden Materialien aufweisen: ein organisches Material, ein Elastomer, ein Silikon, einen Lötstopplack.Method according to the preceding claim, wherein the elastic elements (36) comprise at least one of the following materials: an organic material, an elastomer, a silicone, a solder mask. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, wobei - die zweite Werkzeughälfte (10) ein Einlegeteil (11) aufweist, und - die Vorsprünge (4) von dem Einlegeteil (11) umfasst sind.Procedure according to one of the Claims 4 until 6 , wherein - the second tool half (10) has an insert part (11), and - the projections (4) are enclosed by the insert part (11). Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, wobei die Kavitäten (17) nicht vollständig geschlossen sind, sodass das flüssige Vergussmaterial (16) in dem geschlossenen Werkzeug (9) von Kavität (17) zu Kavität (17) fließt.Method according to one of the above claims, wherein the cavities (17) are not completely closed, so that the liquid potting material (16) flows from cavity (17) to cavity (17) in the closed tool (9). Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem auf eine Hauptfläche (14) der zweiten Werkzeughälfte (10) eine Entformungsfolie (15) aufgebracht istMethod according to one of the above claims, in which a demoulding film (15) is applied to a main surface (14) of the second tool half (10). Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, wobei - ein Verbund (21) umfassend die Vielzahl der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (3), den Träger (1) und die festen Vergüsse (20) entsteht, und - der Verbund (21) entlang Trennlinien (22) zu getrennten strahlungsemittierenden Bauelementen vereinzelt wird, wobei - die Trennlinien (22) durch die Vorsprünge (4) der zweiten Werkzeughälfte (10) und/oder des Trägers (1) verlaufen.Method according to one of the above claims, wherein - a composite (21) comprising the large number of radiation-emitting semiconductor chips (3), the carrier (1) and the solid castings (20) is created, and - the composite (21) is separated along dividing lines (22) to form separate radiation-emitting components, whereby - the dividing lines (22) run through the projections (4) of the second tool half (10) and/or the carrier (1). Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei die Vorsprünge (4) beim Trennen teilweise entfernt werden, so dass der feste Verguss (20) teilweise eine Seitenfläche (35) des strahlungsemittierenden Bauelements ausbildet.Method according to the preceding claim, wherein the projections (4) are partially removed during separation, so that the solid casting (20) partially forms a side surface (35) of the radiation-emitting component. Strahlungsemittierendes Bauelement mit: - einem strahlungsemittierenden Halbleiterchips (3) auf einer Hauptfläche (24) eines Trägerelements (23), der im Betrieb elektromagnetische Strahlung aussendet, - einem festen Verguss (20), der den strahlungsemittierenden Halbleiterchip (3) einbettet und eine Seitenfläche (34) mit zumindest einer Stufe (7) aufweist, wobei - die Stufe (7) eine Basisschicht (29) und eine weitere Schicht (30) aufweist, die auf der Basisschicht (29) angeordnet ist, - die Basisschicht (29) eine größere Querschnittsfläche aufweist als die weitere Schicht (30), - die Basisschicht (29) teilweise eine Seitenfläche (35) des strahlungsemittierenden Bauelements ausbildet, und - die Basisschicht (29) eine Dicke aufweist, die nicht größer ist als 200 Mikrometer.Radiation-emitting component with: - a radiation-emitting semiconductor chip (3) on a main surface (24) of a carrier element (23), which emits electromagnetic radiation during operation, - a solid potting (20) which embeds the radiation-emitting semiconductor chip (3) and has a side surface (34) with at least one step (7), wherein - the stage (7) has a base layer (29) and a further layer (30) which is arranged on the base layer (29), - the base layer (29) has a larger cross-sectional area than the further layer (30), - the base layer (29) partially forms a side surface (35) of the radiation-emitting component, and - The base layer (29) has a thickness that is not greater than 200 micrometers. Strahlungsemittierendes Bauelement nach Anspruch 12, wobei eine Hauptfläche der Basisschicht (29) eine Strahlungsaustrittsfläche (27) des strahlungsemittierenden Bauelements bildet.Radiation-emitting component Claim 12 , wherein a main surface of the base layer (29) forms a radiation exit surface (27) of the radiation-emitting component. Strahlungsemittierendes Bauelement nach Anspruch 12, wobei - der feste Verguss (20) zumindest zwei Stufen (7) aufweist, und - sich eine Querschnittsfläche des festen Vergusses (20) ausgehend vom strahlungsemittierenden Halbleiterchip (3) verjüngt.Radiation-emitting component Claim 12 , wherein - the solid casting (20) has at least two steps (7), and - a cross-sectional area of the solid casting (20) tapers starting from the radiation-emitting semiconductor chip (3). Strahlungsemittierendes Bauelement nach Anspruch 12, wobei die Basisschicht (29) ein elastisches Material (37) aufweist, das an der Seitenfläche (35) des strahlungsemittierenden Bauelements teilweise frei liegt.Radiation-emitting component Claim 12 , wherein the base layer (29) has an elastic material (37) which is partially exposed on the side surface (35) of the radiation-emitting component. Strahlungsemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 14 bis 15, wobei der strahlungsemittierende Halbleiterchip (3) zumindest teilweise in die Basisschicht (29) eingebettet ist.Radiation-emitting component according to one of the Claims 14 until 15 , wherein the radiation-emitting semiconductor chip (3) is at least partially embedded in the base layer (29). Strahlungsemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 15 bis 16, wobei das elastische Material (37) elektromagnetische Strahlung des strahlungsemittierenden Halbleiterchips (3) absorbiert und/oder reflektiert und/oder transmittiert.Radiation-emitting component according to one of the Claims 15 until 16 , wherein the elastic material (37) absorbs and/or reflects and/or transmits electromagnetic radiation from the radiation-emitting semiconductor chip (3). Strahlungsemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 12 bis 17, wobei die Stufe (7) eine abgerundete Kante (28) aufweist.Radiation-emitting component according to one of the Claims 12 until 17 , wherein the step (7) has a rounded edge (28).
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