DE102022110019A1

DE102022110019A1 - Verfahren und Beschichtungsanordnung

Info

Publication number: DE102022110019A1
Application number: DE102022110019.7A
Authority: DE
Inventors: Andreas Müller; Jens Melcher
Original assignee: Von Ardenne Asset GmbH and Co KG
Current assignee: Von Ardenne Asset GmbH and Co KG
Priority date: 2022-04-26
Filing date: 2022-04-26
Publication date: 2023-10-26

Abstract

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen weist ein Verfahren (400) für eine Sputtervorrichtung (110), welche ein Magnetsystem (200) aufweist, das entlang einer ersten Richtung längserstreckt ist, auf: Ermitteln (401) einer Abweichung eines Resultats eines Beschichtungsprozesses (801), bei dem ein Substrat (102) mittels der Sputtervorrichtung (110) beschichtet wird, von einer Vorgabe, wenn das Substrat (102) entlang einer zweiten Richtung transportiert wird, die einen spitzen Winkel (511) mit der ersten Richtung einschließt; Ermitteln (403) einer Lageänderung der Sputtervorrichtung (110), mittels welcher der Winkel verändert wird, basierend auf der Abweichung.

Description

Verschiedene Ausführungsbeispiele betreffen ein Verfahren und eine Beschichtungsanordnung.
Im Allgemeinen können Werkstücke oder Substrate prozessiert, z.B. bearbeitet, beschichtet, erwärmt, geätzt und/oder strukturell verändert werden. Ein Verfahren zum Beschichten eines Substrats ist die Kathodenzerstäubung (das so genannte Sputtern), welches vom Typ der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD) ist. Mittels Sputterns (d.h. mittels eines Sputterprozesses) kann beispielsweise eine Schicht oder können mehrere Schichten auf einem Substrat abgeschieden werden. Dazu kann mittels eines elektrischen Felds, das von einem sogenannten Sputtertarget (die Kathode bildend) ausgeht, ein plasmabildendes Gas ionisiert werden, wobei mittels des dabei gebildeten Plasmas das Material (Targetmaterial) des Sputtertargets zerstäubt werden kann. Das zerstäubte Targetmaterial kann anschließend zu einem Substrat gebracht werden, an dem es sich abscheiden und eine Schicht bilden (auch als Beschichten bezeichnet) kann. Modifikationen der Kathodenzerstäubung sind das Sputtern mittels eines Magnetrons, das so genannte Magnetronsputtern. Dabei kann das Bilden des Plasmas mittels eines Magnetfeldes unterstützt werden. Zum Erzeugen des Magnetfeldes wird an dem Sputtertarget ein mehrpoliges Magnetsystem angeordnet, so dass die räumliche Verteilung des Plasmas eine Torusform annimmt, welche dann auch als Racetrack bezeichnet wird.
Damit einher geht allerdings, dass die räumliche Verteilung der Zerstäubungsrate eine Funktion der räumlichen Verteilung des Plasmas ist und somit von der Geometrie des Magnetsystems abhängt, und dass diese Geometrie auf die Schichteigenschaften abgebildet wird (siehe beispielsweise 11). Dem wird herkömmlich entgegengewirkt, indem das Substrat unter dem Magnetsystem hinweg transportiert wird, so dass zumindest in Transportrichtung eine Homogenisierung der Schichteigenschaften erfolgt. Damit die Schicht auch quer zur Transportrichtung (auch als Querrichtung bezeichnet) möglichst homogene Schichteigenschaften aufweist, wird das Magnetsystem in dieser Richtung möglichst homogen gestaltet, indem die Magnete des Magnetsystems, welche die Magnetpole bilden, entlang dieser Querrichtung hintereinander aufgereiht werden, so dass das Magnetsystem entlang der Querrichtung längserstreckt ist (hierin auch als Querstellung bezeichnet). Daran angepasst wird herkömmlicherweise auch das Sputtertarget quer zur Transportrichtung ausgerichtet.
Bei dieser Querstellung lassen sich allerdings hohe Anforderungen die beschichtete Substratfläche pro Zeit (Beschichtungsrate) nur erfüllen, indem mehrere Magnetrons in Querstellung entlang der Transportrichtung des Substrats in einer Reihe hintereinander angeordnet werden, so dass sich deren Zerstäubungsraten entlang der Transportrichtung addieren.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wurde erkannt, dass diese herkömmliche Querstellung jedoch unnötig hohe Kosten verursacht. Zum einen werden für jedes Magnetron entsprechende Anschlüsse (z.B. Endblöcke) und eine Stromversorgung benötigt, was die Kosten mit der Anzahl der Sputtertargets vergrößert. Ferner geht Beschichtungsmaterial verloren, da das quer zur Transportrichtung ausgerichtete Magnetron über das Substrat konventionell übersteht (auch als Überstand bezeichnet), um möglichst wenig der an den Enden des Sputtertargets abfallende Zerstäubungsrate (auch als Randabfall bezeichnet) auf die Schicht abzubilden. Dies verringert die Materialausnutzung des Sputtertargets unter Umständen sehr stark, wenn ein relevanter Anteil des Beschichtungsmaterials nicht auf dem Substrat abgeschieden wird, was insbesondere bei sehr schmalen Substraten der Fall ist.
In dem Zusammenhang wurde erkannt, dass die Kosteneffizienz eines Beschichtungsprozesses zwar steigt, je größer die Materialmenge und die dem Plasma ausgesetzte Oberfläche des Sputtertargets sind, diesen Parametern allerdings Grenzen gesetzt sind aufgrund technischer Eigenschaften des Magnetsystems. Beispielsweise wird die Materialmenge begrenzt dadurch, dass die Feldstärke an der Oberfläche des Sputtertargets mit zunehmender Dicke des Sputtertargets abnimmt. Bei der herkömmlichen Querstellung des Magnetrons kommt hinzu, dass sich die geometrische Ausdehnung des Sputtertargets und des Magnetsystems zwar entlang seiner Längserstreckung vergrößern lassen, dies aufgrund der häufig vorgegebenen Substratbreite allerdings in nur mehr Überstand resultiert, der nicht wesentlich zur Beschichtungsrate beiträgt.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen werden die oben beschriebenen herkömmlichen Denkmuster, die zu der Querstellung von Magnetrons geführt haben, durchbrochen. Anschaulich wurde erkannt, dass die Homogenisierung der Schichteigenschaften entlang der Transportrichtung nicht nur dann erfolgt, wenn das Magnetsystem quer zur Transportrichtung längserstreckt ist, sondern auch, wenn dieses schräg zu Transportrichtung ausgerichtet ist. Diese Schrägstellung erreicht im Vergleich zur Querstellung, dass die zur Beschichtungsrate beitragende Länge des Magnetrons nicht nur vergrößert wird, sondern auch der Überstand verkleinert wird, so dass die Materialausnutzung steigt. Dabei kann optional ausgenutzt werden, dass die Zerstäubungsrate an den Enden des Racetracks eine Überhöhung aufweist, um den dort auftretenden Randabfall zumindest teilweise zu kompensieren.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen werden ein Verfahren und eine Beschichtungsanordnung bereitgestellt, welche die Kosten eines mittels einer oder mehr als einer Sputtervorrichtung durchgeführten Beschichtungsprozesses verringern. Die hierin bereitgestellten Ausführungsformen erreichen, dass weniger Magnetrons (z.B. Sputtertargets und/oder Magnetsysteme) benötigt werden, um eine vorgegebene Beschichtungsrate zu erreichen.
In einer exemplarischen Implementierung wird ein oder mehr als ein Magnetsystem mit der Richtung seiner Längserstreckung im Wesentlichen entlang der Transportrichtung des Substrates ausgerichtet, und die Längserstreckung davon ausgehend schräg zu der Transportrichtung gestellt, so dass die Transportrichtung und die Längserstreckung des Magnetsystems einen spitzen Winkel einschließen. Die Größe des Winkels kann eine Funktion der angestrebten Homogenität der Schichteigenschaften sein.
Es zeigen

1A bis 1D jeweils eine Beschichtungsanordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen in verschiedenen Ansichten;
2A und 2B jeweils ein Magnetsystem gemäß verschiedenen Ausführungsformen in verschiedenen Ansichten;
3 eine Sputtervorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
4 ein Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einem schematischen Ablaufdiagram;
5 mehrere räumliche Angaben gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einem schematischen Diagramm;
6A bis 6E jeweils eine Beschichtungsanordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Draufsicht;
7A bis 7E jeweils eine Beschichtungsanordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Draufsicht;
8 eine Beschichtungsanordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einem schematischen Schaltungsdiagram;
9 eine Beschichtungsanordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
10A ein Sputtertarget in einer schematischen Seitenansicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen
10B und 11 jeweils ein schematisches Diagramm, in welchem ein Betriebsparameter dargestellt ist, von welchem das Beschichtungsresultat abhängt; und
12 den Beschichtungsprozess in einer schematische Draufsicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen.

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben“, „unten“, „vorne“, „hinten“, „vorderes“, „hinteres“, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert. Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe „verbunden“, „angeschlossen“ sowie „gekoppelt“ verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung (z.B. ohmsch und/oder elektrisch leitfähig, z.B. einer elektrisch leitfähigen Verbindung), eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Begriff „gekoppelt“ oder „Kopplung“ im Sinne einer (z.B. mechanischen, hydrostatischen, thermischen und/oder elektrischen), z.B. direkten oder indirekten, Verbindung und/oder Wechselwirkung verstanden werden. Mehrere Elemente können beispielsweise entlang einer Wechselwirkungskette miteinander gekoppelt sein, entlang welcher die Wechselwirkung ausgetauscht werden kann, z.B. ein Fluid (dann auch als fluidleitend gekoppelt bezeichnet). Beispielsweise können zwei miteinander gekoppelte Elemente eine Wechselwirkung miteinander austauschen, z.B. eine mechanische, hydrostatische, thermische und/oder elektrische Wechselwirkung. Eine Kopplung mehrerer Vakuumkomponenten (z.B. Ventilen, Pumpen, Kammern, usw.) miteinander kann aufweisen, dass diese fluidleitend miteinander gekoppelt sind. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann „gekuppelt“ im Sinne einer mechanischen (z.B. körperlichen bzw. physikalischen) Kopplung verstanden werden, z.B. mittels eines direkten körperlichen Kontakts. Eine Kupplung kann eingerichtet sein, eine mechanische Wechselwirkung (z.B. Kraft, Drehmoment, etc.) zu übertragen.
Als Ist-Zustand einer Entität (z.B. einer Vorrichtung, eines Systems oder eines Prozesses) kann der tatsächlich vorliegende bzw. sensorisch erfassbare Zustand der Entität verstanden werden. Als Soll-Zustand der Entität kann der angestrebte Zustand, d.h. eine Vorgabe, verstanden werden. Als Steuern kann eine beabsichtigte Beeinflussung des momentanen Zustands (auch als Ist-Zustand bezeichnet) der Entität verstanden werden. Dabei kann der momentane Zustand gemäß der Vorgabe (auch als Soll-Zustand bezeichnet) verändert werden, z.B. indem ein oder mehr als ein Betriebsparameter (dann auch als Stellgröße bezeichnet) der Entität verändert wird, z.B. mittels eines Stellglieds. Regeln kann als Steuern verstanden werden, wobei zusätzlich einer Zustandsänderung durch Störungen entgegengewirkt wird. Dazu wird der Ist-Zustand mit dem Soll-Zustand verglichen und die Entität derart beeinflusst, z.B. mittels eines Stellglieds, dass die Abweichung des Ist-Zustands von dem Soll-Zustand minimiert wird. Die Regelung implementiert somit im Gegensatz zu der reinen vorwärts gerichteten Ablaufsteuerung eine fortlaufende Einflussnahme der Ausgangsgröße auf die Eingangsgröße, welche durch den sogenannten Regelkreis bewirkt wird (auch als Rückführung bezeichnet). Mit anderen Worten kann hierin verstanden werden, dass alternativ oder zusätzlich zu der Steuerung (bzw. dem Ansteuern) eine Regelung verwendet werden kann bzw. alternativ oder zusätzlich zu dem Steuern ein Regeln erfolgen kann.
Der Zustand der Entität lässt sich auch als Punkt (auch als Arbeitspunkt oder Betriebspunkt bezeichnet) in einem Raum (auch als Zustandsraum bezeichnet) angeben, der von den veränderlichen Parametern der Entität (auch als Betriebsparameter bezeichnet) aufgespannt wird. Der Zustand der Vorrichtung bzw. des Vorgangs ist somit eine Funktion des jeweiligen Werts eines oder mehr als eines Betriebsparameters, welcher den Zustand der Entität somit repräsentiert. Der Ist-Zustand kann basierend auf einer Messung (z.B. mittels eines Messglieds) eines oder mehr als eines Betriebsparameters (dann auch als Regelgröße bezeichnet) ermittelt werden.
Der Begriff „Steuervorrichtung“ kann als jede Art einer Logik implementierenden Entität verstanden werden, die beispielsweise eine Verschaltung und/oder einen Prozessor aufweisen kann, welche Software ausführen kann, die in einem (z.B. nichtflüchtigen) Speichermedium, in einer Firmware oder in einer Kombination davon gespeichert ist, und darauf basierend Anweisungen ausgeben kann. Die Steuervorrichtung kann beispielsweise mittels Codesegmenten (z.B. Software) konfiguriert sein, um den Betrieb einer Entität (z.B. ihres Arbeitspunkts), z.B. einer Vorrichtung oder einer Betriebsfunktion, zu steuern. Der Begriff „Prozessor“ kann als jede Art von Entität verstanden werden, die die Verarbeitung von Daten oder Signalen erlaubt. Die Daten oder Signale können beispielsweise gemäß zumindest einer (d.h. einer oder mehr als einer) spezifischen Funktion behandelt werden, die vom Prozessor ausgeführt wird. Auf dem Speichermedium können optional verschiedene Informationen zu dem hierin beschriebenen Verfahren und/oder Vorgängen abgespeichert sein, beispielsweise Angaben der Betriebssequenz, ein oder mehr als ein vorgegebenes Kriterium oder eine andere Vorgabe (z.B. Soll-Wert bzw. Angaben zum Soll-Zustand).
Ein Prozessor kann eine analoge Schaltung, eine digitale Schaltung, eine Mischsignalschaltung, eine Logikschaltung, einen Mikroprozessor, eine zentrale Verarbeitungseinheit (CPU), eine Grafikverarbeitungseinheit (GPU), einen digitalen Signalprozessor (DSP), eine programmierbare Gatter-Anordnung (FPGA), eine integrierte Schaltung oder eine beliebige Kombination davon aufweisen oder daraus gebildet sein. Jede andere Art der Implementierung der jeweiligen Funktionen, die nachstehend ausführlicher beschrieben werden, kann auch als Prozessor oder Logikschaltung verstanden werden. Es versteht sich, dass einer oder mehrere der hierin detailliert beschriebenen Verfahrensschritte von einem Prozessor ausgeführt (z. B. realisiert) werden können, durch eine oder mehrere spezifische Funktionen, die von dem Prozessor ausgeführt werden. In ähnlicher Weise können die Verfahrensschritte mittels Codesegmenten repräsentiert werden, welche eingerichtet sind, wenn von dem Prozessor ausgeführt, die Verfahrensschritte auszuführen.
Das Ansteuern eines Stellglieds kann mittels oder basierend auf Instruktionen erfolgen, gemäß denen ein elektrisches Signal (auch als Steuersignals bezeichnet) einem Steuereingang des Stellglieds zugeführt werden kann. Das Erzeugen des elektrischen Steuersignals kann mittels der Steuervorrichtung (z.B. einem Signalgenerators davon) erfolgen. Das Stellglied kann beispielsweise eingerichtet sein, das Steuersignal in eine Wechselwirkung, welche eine Änderung des Ist-Zustandes bewirkt, zu überführen, z.B. mittels einer mechanischen Kraft, eines Magnetfelds oder dergleichen.
Bezüglich des (z.B. schichtbildenden) Prozesses wird hierin auf das sogenannte Sputtern (auch als Kathodenzerstäubung bezeichnet) Bezug genommen. Der Begriff „Sputtern“ bezeichnet das Zerstäuben eines Materials (auch als Beschichtungsmaterial oder Targetmaterial bezeichnet) mittels eines Plasmas. Die zerstäubten Bestandteile des Beschichtungsmaterials (z.B. einzelne Atome und/oder Ionen) werden voneinander separiert und können beispielsweise zum Bilden einer Schicht woanders angelagert werden. Das Sputtern kann mittels einer sogenannten Sputtervorrichtung erfolgen, welche optional ein oder mehr als ein Magnetsystem aufweisen kann (dann auch als Magnetron bezeichnet). Das Beschichtungsmaterial kann mittels eines sogenannten Sputtertargets (kurz auch als Target bezeichnet) bereitgestellt sein, welches beispielsweise rohrförmig (dann auch als Rohrtarget bezeichnet) oder plattenförmig (dann auch als Plattentarget oder Planartarget bezeichnet) sein kann. Zum Erzeugen des Plasmas kann an das Sputtertarget eine Spannung (auch als Sputterspannung bezeichnet) angelegt werden.
Zum Sputtern kann das Sputtertarget in einer Vakuum-Prozessierkammer (vereinfacht auch als Vakuumkammer bezeichnet) angeordnet sein, so dass das Sputtern in einem Vakuum erfolgen kann. Dazu können die Umgebungsbedingungen (die Prozessparameter) innerhalb der Vakuum-Prozessierkammer (z.B. Prozessdruck, Temperatur, Gaszusammensetzung, usw.) während des Sputterns eingestellt oder geregelt werden. Beispielsweise kann innerhalb der Vakuum-Prozessierkammer ein Arbeitsgas bereitgestellt sein oder werden, welches das plasmabildende Gas oder das plasmabildende Gasgemisch bezeichnet. Die Vakuum-Prozessierkammer kann beispielsweise luftdicht, staubdicht und/oder vakuumdicht eingerichtet sein oder werden, so dass innerhalb der Vakuum-Prozessierkammer eine Gasatmosphäre mit einer vordefinierten Zusammensetzung (auch als Arbeitsatmosphäre oder Prozessatmosphäre bezeichnet) oder einem Soll-Druck (auch als Arbeitsdruck oder Prozessdruck bezeichnet) bereitgestellt werden kann (z.B. gemäß einem Sollwert). Die Vakuumkammer kann derart eingerichtet sein, dass darin ein Vakuum (d.h. ein Druck kleiner als 0,3 bar) bereitgestellt sein oder werden kann, z.B. ein Druck in einem Bereich von ungefähr 1 mbar bis ungefähr 10^-3 mbar (mit anderen Worten Feinvakuum) oder weniger, z.B. ein Druck in einem Bereich von ungefähr 10^-3 mbar bis ungefähr 10^-7 mbar (mit anderen Worten Hochvakuum) oder weniger bereitgestellt werden kann, z.B. ein Druck von kleiner als Hochvakuum, z.B. kleiner als ungefähr 10^-7 mbar (mit anderen Worten Ultrahochvakuum) bereitgestellt sein oder werden kann.
Ausgehend davon kann dem Sputterprozess bzw. dem Plasma ein Prozessgas zugeführt werden, so dass in der Vakuumkammer ein Prozessvakuum (auch als Prozessatmosphäre bezeichnet) erzeugt werden kann als Gleichgewicht an der Vakuumkammer entzogenem (abgepumptem) Gas und der Vakuumkammer zugeführtem Prozessgas. Das Prozessvakuum kann einen Druck (auch als Prozessdruck oder Gesamtdruck bezeichnet) kleiner als 0,3 bar aufweisen oder weniger, z.B. in einem Bereich von ungefähr 1 mbar bis ungefähr 10^-3 mbar.
Das Prozessgas kann das sogenannte Arbeitsgas und/oder ein oder mehr als ein Reaktivgas aufweisen. Arbeitsgas und Reaktivgas(e) können separat voneinander zugeführt werden oder gemeinsam als Gasgemisch, beispielsweise mittels der Gaszuführvorrichtung. Beispielsweise kann ein Prozessgas mit der Gaszusammensetzung des Arbeitsgases zugeführt werden. Beispielsweise kann ein Prozessgas mit der Gaszusammensetzung des Reaktivgases zugeführt werden. Beispielsweise kann ein Prozessgas mit der Gaszusammensetzung eines Gasgemischs aus dem Reaktivgases und dem Arbeitsgas zugeführt werden.
Das Plasma kann dann mittels des Arbeitsgases (auch als plasmabildendes Gas bezeichnet) gebildet werden. Das Arbeitsgas kann beispielsweise ein oder mehr als ein Edelgas oder ein anderes Inertgas aufweisen oder daraus gebildet sein. Beispiele für das Edelgas weisen auf Helium, Neon, Argon (Ar), Krypton, Xenon, Radon.
Um das Target effektiv zu zerstäuben (auch als Sputtern bezeichnet), kann das Target um das Magnetsystem (anschaulich um dieses herum) gedreht werden. Das Magnetsystem kann einen oder mehr als einen Magneten aufweisen. Dazu kann das Target bzw. dessen Targetmaterial rohrförmig eingerichtet sein (auch als Rohrtarget bezeichnet), wobei das Magnetsystem im Inneren des Rohrtargets angeordnet sein kann, so dass das Rohrtarget um das Magnetsystem gedreht werden kann (beispielsweise bei einer RSM- oder RDM-Konfiguration). Das Rohrtarget kann beispielsweise ein Rohr aufweisen, auf dem das Targetmaterial als Schicht auf einer äußeren Mantelfläche des Rohrs befestigt sein kann und die Mantelfläche des Rohrs teilweise bedecken kann. Das Rohrtarget kann aber auch aus dem Targetmaterial gebildet sein.
Das Target kann mittels einer Lagervorrichtung drehbar gelagert sein oder werden, wobei die Lagervorrichtung optional ein Versorgen des Targets (z.B. mit Prozessleistung und Kühlfluid) bereitstellen kann. Beispielsweise kann die Lagervorrichtung zwei so genannte Endblöcke aufweisen, mittels welchen das Target an einander gegenüberliegenden Endabschnitten gelagert ist, wobei die Endblöcke ein Versorgen des Targets (z.B. mit Prozessleistung und Kühlfluid) bereitstellen können. Ferner können die Endblöcke zusätzlich eingerichtet sein, das Magnetsystem im Inneren des Rohrtargets zu halten (dann auch als Magnetron-Endblock bezeichnet).
Weist die Lagervorrichtung zwei Endblöcke auf, kann jeweils einer der Endblöcke (der sogenannte Antriebsendblock) einen Antriebsstrang aufweisen, der mit einer Antriebsvorrichtung (auch als Targetantrieb bezeichnet) zum Drehen des Rohrtargets gekuppelt ist; und/oder der andere der Endblöcke (der sogenannte Medienendblock) kann eine Fluidleitung zum Zuführen und Abführen von Kühlfluid (z.B. ein wasserbasiertes Gemisch) aufweisen, welches durch das Target hindurch geleitet werden kann.
Die Lagervorrichtung kann optional einen Träger aufweisen (auch als Magnetsystemträger bezeichnet), welcher zum Halten des Magnetsystems eingerichtet ist. Der Magnetsystemträger kann beispielsweise hohl sein (z.B. ein Rohr aufweisend) und optional stirnseitig mit einem Endblock, welcher den Magnetträger hält, fluidleitend gekoppelt sein (z.B. mit dessen Fluidleitung), so dass dieser mit dem Endblock das Kühlfluid austauschen kann. Auf der dem Endblock gegenüberliegenden Seite kann das Rohr beispielsweise stirnseitig verschlossen sein und dort eine seitliche Öffnung aufweisen, durch welche das Kühlfluid hindurchtreten kann. Der Magnetsystemträger kann rund sein oder eckig, z.B. ein Rundrohr oder ein Kantrohr aufweisend. Der Magnetträger und/oder das Magnetsystem können eine Länge (Ausdehnung entlang der Drehachse) in einem Bereich von 1 m ungefähr bis ungefähr 6 m aufweisen, z.B. in einem Bereich von 2 m ungefähr bis ungefähr 5 m.
Der Begriff „Lage“ (genauer räumliche Lage) kann verstanden werden als auf eine Position und/oder eine Ausrichtung bezogen. Eine Veränderung der Lage (auch als Lageänderung bezeichnet) kann demnach eine Veränderung der Position (z.B. durch Translation) und/oder der Ausrichtung (z.B. durch Rotation) aufweisen. Die Lage (z.B. Position und/oder Ausrichtung) kann angegeben werden auf Grundlage einer oder mehrerer Koordinaten eines Koordinatensystems (z.B. eines Kugelkoordinatensystems, eines Zylinderkoordinatensystems, oder eines kartesischen Koordinatensystems), wobei verstanden werden kann, dass das hierin Beschriebene nicht auf rechtwinklige kartesische Koordinaten beschränkt ist, da in äquivalenter oder ähnlicher Weise auch jedes andere geeignete Koordinatensystem genutzt werden kann, welches sich beispielsweise aus einer Koordinatentransformation oder auch aus einer Ähnlichkeitstransformation ergibt. Im Folgenden werden im Sinne der besseren Verständlichkeit die geläufigen und anschaulichen kartesischen Koordinaten verwendet.
Hierin wird ferner zum Vereinfachen des Verständnisses auf eine Sputtervorrichtung mit einem Rohrtarget (auch als RSM bezeichnet) oder zwei Rohrtargets (auch als RDM bezeichnet) Bezug genommen. Das hierfür Beschriebene kann in Analogie gelten für eine Sputtervorrichtung mit einem Sputtertarget (auch als SM bezeichnet) oder zwei Sputtertargets (auch als DM bezeichnet) anderer Form, z.B. in Plattenform (dann auch als Plattentarget bezeichnet).
Der Begriff „spitzer Winkel“ kann verstanden werden als ein Winkel von größer als 0° (z.B. größer als ungefähr 1°, z.B. größer als ungefähr 2°) und kleiner als 90°, beispielsweise kleiner als ungefähr 80°, z.B. als ungefähr 80°, z.B. als ungefähr 70°, z.B. als ungefähr 60°, z.B. als ungefähr 50°, z.B. als ungefähr 40°, z.B. als ungefähr 30°, z.B. als ungefähr 20°, z.B. als ungefähr 10°.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Beschichtungsprozess durchgeführt werden zum Beschichten eines länglichen Substrats, beispielsweise eines schmalen flexiblen Substrates (z.B. eines Bands) im Freespan oder andere Substrate.
1A und 1B veranschaulichen jeweils eine Beschichtungsanordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen 100a, 100b, welche sich in der Konfiguration der Transportvorrichtung 108 voneinander unterscheiden, in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht (z.B. mit Blick auf Achse 501), und 1C und 1D veranschaulichen jeweils eine Beschichtungsanordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen 100c, 100d (z.B. gemäß Ausführungsformen 100a oder 100b), welche sich in der Konfiguration der Sputtervorrichtung voneinander unterscheiden, in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht (z.B. mit Blick entlang Achse 501).
Gemäß Ausführungsformen 100a ist die Transportvorrichtung 108 eingerichtet zum Transportieren eines flexiblen und/oder bandförmigen Substrats 102 (auch als Bandsubstrat bezeichnet) entlang eines mehrfach gekrümmten Transportpfads. Gemäß Ausführungsformen 100b ist die Transportvorrichtung 108 eingerichtet zum Transportieren eines starren (z.B. plattenförmigen oder stangenförmigen) Substrats 102 entlang eines linearen Transportpfads. Beispiele für ein stangenförmiges Substrat weisen auf: ein Rohr, ein Balken, eine Stange, ein Bolzen. Beispiele für ein plattenförmiges Substrat weisen auf: eine Glasscheibe, ein Wafer. Optional können mehrere Substrate mittels eines Substratträgers transportiert werden, in dem die mehreren Substrate eingelegt sind. Alternativ oder zusätzlich können mehrere Substrate beispielsweise Gläser oder Wafer) in einer länglichen Anordnung (und/oder einem regelmäßigen Muster relativ zueinander angeordnet) transportiert werden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das oder jedes Substrat eine längliche Form aufweisen (z.B. Beschichtungslänge L größer als Substratbreite B, z.B. L>B.2) .
Gemäß Ausführungsformen 100c ist die Lagervorrichtung 1101 (z.B. zwei Endblöcke aufweisend) der Sputtervorrichtung 110 eingerichtet, genau ein rohrförmiges Sputtertarget 110t zu halten, beispielsweise dieses drehbar zu lagern (auch als RSM-Konfiguration bezeichnet) um eine Drehachse 101a (auch als Targetdrehachse 101a bezeichnet) herum. Gemäß Ausführungsformen 100d ist die Lagervorrichtung 1101 der Sputtervorrichtung 110 eingerichtet mehrere Sputtertargets 110t zu halten, beispielsweise dieses drehbar zu lagern (auch als RDM-Konfiguration bezeichnet) um jeweils eine Targetdrehachse 101a pro Sputtertarget 110t herum.
Gemeinsam ist den Ausführungsformen 100a bis 100d, dass die Sputtervorrichtung 110, z.B. pro Sputtertarget 110t, ein Magnetsystem 200 (siehe 2) aufweist, welches entlang einer ersten Richtung 201 (auch als Längsrichtung 201 bezeichnet, die entlang der sogenannten Magnetron-Längsachse verläuft) längsersteckt ist. Ist das Sputtertarget 110t drehbar gelagert, sind die Drehachse 101a des Sputtertargets 110t und die Längsrichtung 201 parallel zueinander.
Gemeinsam ist den Ausführungsformen 100a bis 100d ferner, dass der Transportpfad an seinem der Sputtervorrichtung 110 unmittelbar am nächsten liegenden Abschnitt 111a entlang einer zweiten Richtung 101 (auch als Transportrichtung 101 bezeichnet) transportiert wird.
In einer exemplarischen Implementierung weist die Transportvorrichtung 108 gemäß den Ausführungsformen 100a bis 100d mehrere Transportrollen 108r auf zum Transportieren des Substrats 102 entlang des Transportpfads. Jede der Transportrollen 108r ist drehbar gelagert um eine Drehachse (auch als Rollenachse bezeichnet) herum, die entlang einer zur Transportrichtung 101 quer verlaufenden dritten Richtung 103 (auch als Querrichtung 103 bezeichnet) ist.
In einer exemplarischen Implementierung der Ausführungsformen 100a bis 100d liegen die Längsrichtung 201 und die Transportrichtung 101 in einer Ebene, die parallel zu der Rollenachse ist. Beispielsweise ist eine Oberfläche des Substrats 102 im Betrieb parallel zur Rollenachse und zur Transportrichtung 101.
Im Betrieb kann die Sputtervorrichtung 110 innerhalb eines Vakuumkammergehäuses angeordnet sein, z.B. an einer Wand 170 des Vakuumkammergehäuses (auch als Kammerwand 170 bezeichnet) befestigt sein. Optional kann die Sputtervorrichtung 110 mittels einer zusätzlichen Lagervorrichtung 902 (siehe 9) gelagert sein, welche die Sputtervorrichtung 110 mit der Kammerwand 170 kuppelt.
Optional kann zwischen der Sputtervorrichtung 110 und dem Transportpfad eine Blendenvorrichtung 180 angeordnet sein, welch eine Blendenöffnung 182 aufweist. Die Blendenvorrichtung 180 kann mehrere Blenden (auch als Sputtershield bezeichnet) aufweisen, welche die Blendenöffnung 182 begrenzen, und welche in ihrer relativen Lage zueinander derart verändert werden können, dass die Form der Blendenöffnung 182 verändert werden kann. Eine exemplarische Implementierung dessen weist auf, dass die Blenden an ihren Enden drehbar miteinander verbunden sind, so dass die Form der Blendenöffnung 182 in die Form eines schrägen Rhomboids (auch als nicht-rechtwinkliges Parallelogramm bezeichnet) gebracht werden kann.
Allgemeiner gesprochen kann die Blendenvorrichtung 180 derart eingerichtet sein, dass ein Winkel (auch als Blendenwinkel bezeichnet) der Blendenöffnung 182, den zwei Kanten der Blendenöffnung 182 miteinander einschließen, verändert werden kann. Beispielsweise kann der Blendenwinkel verschieden sein von 90°, beispielsweise ein stumpfer Winkel sein.
Die Form der Blendenöffnung 182 und/oder der Blendenwinkel können beispielsweise eine Funktion des Stellwinkels sein. Beispielsweise kann der Blendenwinkel die Summe eines Referenzwinkels (z.B. 90°) und des Stellwinkels (oder eines Werts, der linear von dem Stellwinkel abhängt) sein.
2A veranschaulicht das Magnetsystem 200 der Sputtervorrichtung 110 gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Perspektivansicht und 2B das Magnetsystem 200 in einer schematischen Detailansicht (mit Blick entlang Achse 501).
Das Magnetsystem 200 weist mehrere räumlich voneinander separierte Magnetreihen 204a, 204i auf, die mittels eines Trägers 202 des Magnetsystems 200 (auch als Gruppenträger 202 bezeichnet) miteinander gekoppelt, z.B. gekuppelt und/oder magnetisch gekoppelt, sind. Jede Magnetreihe 204a, 204i kann mehrere in Reihe (z.B. in einem Mittelabschnitt 413) entlang der Längsrichtung 201 hintereinander angeordnete Magnete 104 derselben Magnetisierungsrichtung aufweisen. Beispielsweise kann eine mittlere Magnetreihe 204i zwischen zwei Magneten der äußeren Magnetreihe 204a angeordnet sein und in die Längsrichtung 201 längserstreckt sein.
Beispielsweise können die äußeren beiden Magnetreihen 204a von dem Träger 102 weg magnetisiert sein, wobei die mittig angeordnete Magnetreihe 204i zu dem Gruppenträger 202 hin magnetisiert sein kann (oder andersherum).
Das Magnetsystem 200 kann zwei Endabschnitte 411 (auch als Umkehrabschnitte 411 bezeichnet) aufweisen, welche entlang der Längsrichtung 201 einen Abstand voneinander aufweisen und/oder zwischen denen der Mittelabschnitt 413 des Magnetsystems 200 angeordnet ist. In jedem der Umkehrabschnitte 411 kann die die mittlere Magnetreihe 204i enden.
Optional kann jeder Umkehrabschnitt 411 eine Gruppe Magnete 104 (auch als Abschlussgruppe bezeichnet) aufweisen, welche die zwei äußeren Magnetreihen 204a ineinander überführt (z.B. entlang eines gekrümmten Pfads). Alternativ oder zusätzlich kann in jedem der Umkehrabschnitte 411 der Abstand der zwei äußeren Magnetreihen 204a voneinander abnehmen, beispielsweise bis diese (z.B. die äußeren Magnetreihen 204a) aneinandergrenzen, z.B. einander fortsetzend.
3 veranschaulicht die Sputtervorrichtung 110 gemäß verschiedenen Ausführungsformen 300 in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht mit Blick entlang der Längsrichtung 201, in denen die Sputtervorrichtung 110 ein drehbar gelagertes Rohrtarget 110t aufweist. Die Lagervorrichtung 1101 kann ein Tragwerk 160 aufweisen, welches das Magnetsystem 200 hält. Das Tragwerk 160 und/oder das Magnetsystem 200 können innerhalb des Sputtertargets 110t angeordnet sein.
4 veranschaulicht ein Verfahren 400 für die Sputtervorrichtung 110 gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einem schematischen Ablaufdiagram. In einigen Implementierungen kann das Verfahren computerimplementiert sein oder werden, z.B. mittels eines Prozessors, eines Computerprograms oder dergleichen. Exemplarisch wird dazu auf die Steuervorrichtung 152 (siehe 8) Bezug genommen, welche eingerichtet ist, das Verfahren 400 durchzuführen. Das hierfür Beschriebene kann in Analogie gelten für jede andere Art der Computerimplementierung des Verfahrens 400.
Das Verfahren 400 weist auf, in 401, Ermitteln (auch als Abweichungsermitteln bezeichnet) einer Abweichung (auch als Beschichtungsabweichung bezeichnet) eines Resultats eines Beschichtungsprozesses, bei dem das Substrat 102 mittels der Sputtervorrichtung 110 beschichtet wird, von einer Vorgabe (auch als Beschichtungsvorgabe bezeichnet), wenn das Substrat entlang der Transportrichtung 101 transportiert wird, die einen (z.B. spitzen) Winkel (auch als Stellungswinkel bezeichnet) mit der Längsrichtung 201 einschließt, und in 403, Ermitteln einer Lageänderung (auch als Änderungsermitteln 403 bezeichnet) der Sputtervorrichtung 110, mittels welcher der Stellungswinkel verändert (z.B. vergrößert oder verkleinert) wird basierend auf der Abweichung (siehe hierzu auch 5). Das Resultat des Änderungsermittelns 403 (auch als ermittelte Lageänderung bezeichnet) weist beispielsweise eine Soll-Lageänderung, z.B. eine Soll-Drehung, z.B. eine Soll-Winkelangabe.
Das Verfahren 400 weist optional auf: in 405, Ermitteln einer Formveränderung (auch als Formveränderungsermitteln bezeichnet) der Blendenöffnung 182, durch welche hindurch das Substrat mittels der Sputtervorrichtung 110 beschichtet wird, basierend auf der ermittelten Beschichtungsabweichung und/oder der ermittelten Lageänderung.
Das Verfahren 400 weist optional auf: in 407, Instruieren (auch als Instruieren 407 bezeichnet) einer oder mehr als einer Veränderung von folgenden Veränderungen: einer Veränderung der Sputtervorrichtung gemäß einem Resultat des Änderungsermittelns; einer Veränderung der Blendenöffnung gemäß einem Resultat des Formveränderungsermittelns. Die Veränderung kann aufweisen, einen oder mehr als einen Parameter des Beschichtungsprozesses zu verändern. Das Instruieren kann beispielsweise aufweisen, ein oder mehr als ein Stellglied anzusteuern, welches eingerichtet ist, den Beschichtungsprozess zu beeinflussen.
Die Lageänderung wird nachfolgend genauer erläutert.
5 veranschaulicht mehrere räumliche Angaben gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einem schematischen Diagramm 500. Die räumlichen Angaben werden im Sinne der besseren Verständlichkeit im kartesischen Koordinatensystem dargestellt, welches von den Richtungen 101 und 103 und einer dazu senkrechten Richtung (parallel zu Achse 501) aufgespannt wird. Die Transportrichtung 101 dient hierbei als Referenzrichtung, von welcher aus der Stellungswinkel 511 gemessen wird. Der Stellungswinkel kann dabei verstanden werden als Drehwinkel, der die Transportrichtung 101 in die Längsrichtung 201 überführt (im Sinne einer Koordinatentransformation).
Der Schnittpunkt der Transportrichtung 101 und/oder der Längsrichtung 201 kann auf der Achse 501 liegen. Der Ursprung des Koordinatensystems kann beispielsweise auf dem Schnittpunkt und/oder der Achse 501 liegen. Die Achse 501 kann senkrecht zu der Transportrichtung 101 und/oder der Längsrichtung 201 sein. Weist die Sputtervorrichtung 110 genau ein Magnetsystem 200 auf (beispielsweise im Fall der RSM-Konfiguration), kann die Achse 501 durch das Magnetsystem 200 (z.B. dessen mittlere Magnetreihe 204i) hindurch verlaufen, z.B. die Targetdrehachse 101a schneidend (z.B. im rechten Winkel). Weist die Sputtervorrichtung 110 zwei Magnetsysteme 200 auf (beispielsweise im Fall der RDM-Konfiguration), kann die Achse 501 mittig zwischen den zwei Magnetsystemen 200 angeordnet sein, z.B. mittig zwischen den zwei Targetdrehachsen 101a angeordnet sein (z.B. im rechten Winkel zu diesen verlaufend).
Hierin wird auf die Lageänderung in Form einer Drehung der Sputtervorrichtung 110 (beispielsweise der Soll-Drehung) um einer Achse 501 eingegangen. In dem Fall kann das Resultat des Änderungsermittelns 403 eine Soll-Winkelangabe (z.B. als numerischer Winkelwert) aufweisen, beispielsweise als Relativangabe oder Absolutangabe. Die Relativangabe kann angeben, um welchen Stellungswinkel die Sputtervorrichtung 110 gedreht werden soll. Die Absolutangabe kann angeben, auf welchen Stellungswinkel die Sputtervorrichtung 110 gedreht werden soll.
6A bis 6E veranschaulichen jeweils die Beschichtungsanordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen 600a bis 600e in einer schematischen Draufsicht mit Blick entlang einer Achse 501, in denen die Lageänderung eine Drehung der in RSM-Konfiguration eingerichteten Sputtervorrichtung 110 aufweist um die Achse 501. Die Achse 501 ist quer zu der Längsrichtung 201 und/oder Transportrichtung 101.
Die Ausführungsformen 600a bis 600d unterscheiden sich voneinander in dem Wert des Stellungswinkels 511 (auch als Winkelwert oder Schrägstellung bezeichnet), der zwischen der Längsrichtung 201 und der Transportrichtung 101 eingeschlossen wird. In den Ausführungsformen 600a sind die Längsrichtung 201 und Transportrichtung 101 parallel zueinander, so dass der Winkelwert null ist. Der Winkelwert ist 10° in den Ausführungsformen 600b, 2,5° in den Ausführungsformen 600c, 5° in den Ausführungsformen 600d, und 10° in den Ausführungsformen 600e.
Die Ausführungsformen 600a bis 600d unterscheiden sich von den Ausführungsformen 600e in der Geometrie der Blendenöffnung 182. In Ausführungsformen 600e ist die Blendenöffnung 182 in Form eines Rhomboids gebracht, der einen spitzten Innenwinkel aufweist. In Ausführungsformen 600a bis 600d ist die Blendenöffnung 182 in Form eines Rechtecks gebracht.
7A bis 7E veranschaulichen jeweils die Beschichtungsanordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen 700a bis 700e in einer schematischen Draufsicht mit Blick entlang einer Achse 501, in denen die Lageänderung eine Drehung der in RDM-Konfiguration eingerichteten Sputtervorrichtung 110 aufweist um die Achse 501, ähnlich zu den 600a bis 600e.
8 veranschaulicht die Beschichtungsanordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen 800 in einem schematischen Schaltungsdiagram, in denen die Beschichtungsanordnung ferner einen oder mehr als einen Wandler aufweist, der eingerichtet ist, mit dem Beschichtungsprozess 801 zu wechselwirken, wovon einer erster Wandler als Stellglied 802 eingerichtet ist und/oder ein zweiter Wandler als Sensor 804 eingerichtet ist. Das Stellglied 802 kann eingerichtet sein, den Beschichtungsprozess 801 zu beeinflussen, z.B. den Stellungswinkel 511 als Betriebsparameter des Beschichtungsprozesses 801 zu verändern. Der Sensor 804 kann eingerichtet sein, das Resultat des Beschichtungsprozesses (auch als Beschichtungsresultat bezeichnet) zu erfassen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen weisen das Beschichtungsresultat, die Beschichtungsabweichung und/oder die Beschichtungsvorgabe eine räumliche Verteilung auf, mit der das Substrat beschichtet wird. Beispiele für das Beschichtungsresultat weisen eine oder mehr als eine Eigenschaft einer Schicht (auch als Schichteigenschaft bezeichnet) auf, die mittels des Beschichtungsprozesses 801 auf dem Substrat 102 abschieden wurde (auch als Beschichten bezeichnet): eine Dicke (auch als Schichtdicke bezeichnet) und/oder deren räumliche Verteilung (z.B. Querverteilung), eine optische Eigenschaft (z.B. Transmission, Reflexion, Spektrum und dergleichen) und/oder deren räumliche Verteilung, eine elektrische Eigenschaft (z.B. elektrisch Wiederstand, usw.) und/oder deren räumliche Verteilung. Dementsprechend kann der Sensor 804 eingerichtet sein, die eine oder mehr als eine Schichteigenschaft zu erfassen.
Jeder Sensor kann Teil einer Messkette sein, welche eine entsprechende Infrastruktur (z.B. Prozessor, Speichermedium und/oder Bussystem und dergleichen aufweisend) aufweist. Die Messkette kann eingerichtet sein, den entsprechenden Sensor (z.B. Gassensor, Drucksensor und/oder Spannungssensor) anzusteuern, dessen erfasste Messgröße als Eingangsgröße zu verarbeiten und darauf basierend ein elektrisches Signal als Ausgangsgröße bereitzustellen, welches die erfasste Eingangsgröße repräsentiert. Beispielsweise kann die Ausgangsgröße den Messwert angeben. Die Messkette kann beispielsweise mittels der Steuervorrichtung 152 implementiert sein oder werden.
Das Stellglied 802 kann beispielsweise mittels eines elektromechanischen Wandlers bereitgestellt sein oder werden. Das Stellglied 802 kann beispielsweise eingerichtet sein, ein Drehmoment auf die Sputtervorrichtung 110 zu übertragen basierend auf den Instruktionen. Beispielsweise kann das Stellglied 802 einen elektrischen Motor, ein Getriebe, und/oder einen Hubkolben.
9 veranschaulicht die Beschichtungsanordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen 900 in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht, in denen die Sputtervorrichtung 110 mittels der zusätzlichen Lagervorrichtung 902 (auch als Montagevorrichtung bezeichnet) gelagert ist. Die Montagevorrichtung 902 ist eingerichtet, die Wand 170 mit der Sputtervorrichtung 110 zu kuppeln, wenn die Sputtervorrichtung 110 in einer ersten Lage (auch als erste Lagekonfigurationen bezeichnet) ist und wenn die Sputtervorrichtung 110 in einer zweite Lage (auch als zweite Lagekonfigurationen bezeichnet) ist.
Der Begriff „Montagevorrichtung“ kann verstanden werden als Vorrichtung, welche zum Montieren eines Bauteils daran eingerichtet ist. Die Montagevorrichtung kann beispielsweise integraler Bestandteil eines anderen Bauteils sein, an dem das Bauteil montiert werden soll. Die Montagevorrichtung kann eine oder mehr als eine profilierte Montagekomponente (auch als Montageprofil bezeichnet) aufweisen oder daraus bestehen. Die oder jede Montagekomponente kann beispielsweise eine oder mehr als eine Formschlusskontur (z.B. ein Gewinde) aufweisen zum Montieren mittels einer Formschlussverbindung. Beispiele für die Montagekomponente weisen auf: eine Durchgangsöffnung (z.B. Bohrung), eine Öse, ein Bolzen, eine Schiene, ein Haken, ein Zapfen, eine Nut, eine Gewindebohrung, ein Gewindebolzen, eine Schraube, ein Splint, usw. Beispielsweise kann die Montagevorrichtung eingerichtet sein zum Montieren einer Gegen-Montagevorrichtung daran, vorzugsweise mittels eines formschlüssig fügenden Fertigungsprozesses. Eine formschlüssige Verbindung senkt Kosten und vergrößert die Flexibilität. Die Montagevorrichtung 902 kann zumindest teilweise Komponente der Sputtervorrichtung 110 sein und/oder zumindest teilweise Komponente der Wand 170 sein, kann aber auch separat davon bereitgestellt sein oder werden.
In einer ersten exemplarischen Implementierung weist die Montagevorrichtung 902 zumindest eine erste Montagekomponente (z.B. ein erstes Bohrmuster) auf, mittels welcher die Sputtervorrichtung 110 in der ersten Lage montiert werden kann, und zumindest eine zweite Montagekomponente (z.B. ein zweites Bohrmuster) auf, mittels welcher die Sputtervorrichtung 110 in der zweiten Lage montiert werden kann. Die zumindest eine erste Montagekomponente und die zumindest eine zweite Montagekomponente übereinstimmen in ihrer Geometrie und sich voneinander unterscheiden in der Ausrichtung ihrer Geometrie, z.B. um den Stellungswinkel. Dasselbe kann in Analogie für mehr als zwei Lagekonfigurationen gelten, z.B. wenn die Montagevorrichtung 902 mehr als zwei Montagekomponenten aufweist. Die bereitgestellten Lagekonfigurationen, in denen die Sputtervorrichtung 110 montiert werden kann, sind in diesem Fall diskret verteilt. Dies erleichtert es, die Sputtervorrichtung reproduzierbar in derselben Lagekonfiguration mit hoher Genauigkeit zu montieren. Das Änderungsermitteln 403 weist dann auf, eine der verfügbaren (diskreten) Lagekonfiguration auszuwählen.
In einer zweiten exemplarischen Implementierung weist die Montagevorrichtung 902 ein oder mehr als ein Langloch als Montagekomponente auf. Pro Langloch kann die Montagevorrichtung 902 zwei Lagekonfigurationen bereitstellen, zwischen denen die Lage der Sputtervorrichtung 110 stufenlos verändert werden kann (auch als kontinuierlich ineinander übergehend bezeichnet). Dies ermöglicht mehr Lagekonfigurationen und damit, dass die Lage, in welcher die Sputtervorrichtung 110 montiert werden kann, näher an der Soll-Lage ist.
In einer dritten exemplarischen Implementierung weist die Montagevorrichtung 902 ein Drehlager auf, mittels welchem die Steuervorrichtung drehbar um die Achse 501 gelagert ist. Das Drehlager kann ermöglichen, die Lage, in der die Sputtervorrichtung 110 montiert ist, stufenlos zu verändern, z.B. in einem Winkelbereich von mehr als 10° oder mehr als 15°. Dies ermöglicht mehr Lagekonfigurationen und damit, dass die Lage, in welcher die Sputtervorrichtung 110 montiert werden kann, näher an der Soll-Lage ist. In der dritten exemplarischen Implementierung kann das optionale Stellglied 802, insofern vorhanden, eingerichtet sein, eine Kraft zwischen der Sputtervorrichtung 110 und der Wand 170 zu vermitteln, beispielsweise ein Drehmoment.
10A veranschaulicht ein Sputtertarget 110t in einer schematischen Seitenansicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen 1000a (mit Blickrichtung aus der Transportrichtung 101), wobei zwei Lagekonfigurationen 1001, 1003 dargestellt sind, die sich in dem Stellungswinkel 511 voneinander unterscheiden; und 10B ein schematisches Diagramm 1000b, in welchem ein Betriebsparameter 1002, von welchem das Beschichtungsresultat abhängt, dargestellt ist über der Querrichtung.
In der ersten Lagekonfiguration 1001 ist der Stellungswinkel größer als in der zweiten Lagekonfiguration 1001 und/oder als ungefähr 2,5° (oder als ungefähr 5° oder als ungefähr 10°). In der ersten Lagekonfiguration 1001 ist der Stellungswinkel beispielsweise im Wesentlichen null. Kurve 1001a repräsentiert die räumliche Verteilung des Betriebsparameters 1002 entlang der Richtung Querrichtung 103, wenn die Sputtervorrichtung in der ersten Lagekonfiguration 1001 montiert ist. Kurve 1003a repräsentiert die räumliche Verteilung des Betriebsparameters 1002 entlang der Richtung Querrichtung 103, wenn die Sputtervorrichtung in der zweiten Lagekonfiguration 1003a montiert ist. Wie zu erkennen ist, nimmt die Varianz der räumlichen Verteilung des Betriebsparameters 1002 ab, wenn der Stellungswinkel vergrößert wird.
Beispiele für den Betriebsparameter 1002 weisen auf: eine Rate, mit der das Substrat mittels der Sputtervorrichtung beschichtet wird; eine oder mehr als eine Schichteigenschaft, wie oben erläutert ist.
Markierung 10v repräsentiert den Betriebsparameter 1002, der zu der Beschichtungsvorgabe korrespondiert. Pfeil 10a repräsentiert die Abweichung des Betriebsparameters 1002, die zu der Beschichtungsabweichung korrespondiert.
In einer exemplarischen Implementierung wird das Magnetron, z.B. Planarmagnetron (PM), Einzelrohrmagnetron (RSM) oder Doppelrohrmagnetron (RDM), längs (unter einem spitzen Winkel) und nicht wie üblich quer zur Transportrichtung 101 angeordnet. Dadurch erhöht sich die erforderliche Länge der Beschichtungsquelle und bei vergleichbarer Abscheiderate auch der Leistungsbedarf des einzelnen Magnetrons. Bei gleicher abgeschiedener Schichtdicke und Geschwindigkeit (Produktivität) sind jedoch weniger Sputtertargets und Generatoren erforderlich. Außerdem könnte der bei herkömmlicher Querstellung erforderliche Randüberstand minimiert werden und die Materialausnutzung deutlich erhöht werden. Dazu kann die höhere Abscheiderate des Magnetrons an den Umkehrabschnitten des Magnetsystems (bzw. des Racetracks) genutzt werden, um den üblichen Randabfall zu kompensieren, der durch Verschattungen der Sputtershields entsteht.
Die Homogenität der Beschichtung kann insbesondere in den Randbereichen durch die Lageänderung, der Länge und der Stärke des Magnetfeldes optimiert werden. Dazu kann der Stellungswinkel 511 zwischen der Magnetron-Längsachse und der Transportrichtung 101 verändert werden, bis die Querverteilung der abgeschiedenen Schicht am homogensten ist. Alternativ oder zusätzlich kann die Geometrie der Sputtershields angepasst werden, um bestimmte Bereiche auszublenden oder freizugeben. Zusätzlich hierzu kann optional auch ein Trimmen (Variation der räumlichen Verteilung des Gaseinlasses) erfolgen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird die Anzahl der erforderlichen Magnetrons mit Stromversorgungen reduziert, je nach Verhältnis von Targetlänge zu Substratbreite, eine deutlich erhöhte Targetausnutzung erreicht, und wird weniger Material in die Umgebung gesputtert.
11 veranschaulicht ein schematisches Diagramm 1100, in welchem der Betriebsparameter 1002 dargestellt ist überlagert mit der Schnittansicht des Substrats und zwei Sputtertargets 110t, wenn eine in RDM-Konfiguration eingerichtete Sputtervorrichtung 110 in der ersten Lagekonfiguration 1001 ist, gemäß verschiedenen Ausführungsformen, analog zu Diagramm 1000b.
12 veranschaulicht den Beschichtungsprozess 801 in einer schematischen Draufsicht (mit Blick entlang Achse 501) gemäß verschiedenen Ausführungsformen 1200, wenn der Stellwinkel 511 ein spitzer Winkel α ist.
Im Folgenden werden verschiedene Beispiele beschrieben, die sich auf vorangehend Beschriebene und in den Figuren Dargestellte beziehen.
Beispiel 1 ist ein Verfahren für eine Sputtervorrichtung, welche ein Magnetsystem aufweist (dann auch als Magnetron bezeichnet), das entlang einer ersten Richtung längserstreckt ist, das Verfahren aufweisend: Ermitteln einer Abweichung eines Resultats eines Beschichtungsprozesses, bei dem ein Substrat mittels der Sputtervorrichtung beschichtet wird (dann wird der Beschichtungsprozess auch als Beschichten mittels eines Sputterprozesses bezeichnet), von einer Vorgabe, wenn das Substrat entlang einer zweiten Richtung transportiert wird, die einen (z.B. spitzen) Winkel mit der ersten Richtung einschließt; Ermitteln einer Lageänderung (z.B. um einen Winkel) der Sputtervorrichtung, mittels welcher der Winkel verändert (z.B. vergrößert oder verkleinert) wird basierend auf der Abweichung.
Beispiel 2 ist das Verfahren gemäß Beispiel 1, wobei die Lageänderung aufweist, die Sputtervorrichtung zu drehen um eine Achse, die quer ist zu der ersten Richtung und/oder der zweiten Richtung.
Beispiel 3 ist das Verfahren gemäß Beispiel 1 oder 2, Ansteuern eines Stellglieds, das eingerichtet ist den Winkel zu verändern, gemäß der Lageänderung (z mittels der Instruktion).
Beispiel 4 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 3, wobei die Sputtervorrichtung während des Beschichtungsprozesses mittels einer Lagervorrichtung (auch als Montagevorrichtung bezeichnet) gelagert ist, welche mehrere Lagekonfigurationen bereitstellt, in denen die Sputtervorrichtung mittels der Lagervorrichtung gelagert werden kann, wobei sich die mehreren Lagekonfigurationen in dem Winkel voneinander unterscheiden, wobei das Ermitteln der Lageänderung vorzugsweise aufweist, eine Lagekonfiguration aus den mehreren (z.B. diskreten) Lagekonfigurationen auszuwählen.
Beispiel 5 ist das Verfahren gemäß Beispiel 4, wobei die mehreren Lagekonfigurationen diskret voneinander sind oder kontinuierlich ineinander übergehen.
Beispiel 6 ist das Verfahren gemäß Beispiel 4 oder 5, wobei die Lagervorrichtung mehrere Montageprofile aufweist, von denen jedes Montageprofil eine der mehreren Lagekonfigurationen bereitstellt, wobei die mehreren Montageprofile übereinstimmen in einer Geometrie und sich voneinander unterscheiden in einer Ausrichtung der Geometrie.
Beispiel 7 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 4 bis 6, wobei die Lagervorrichtung ein Drehlager aufweist, mittels dessen die Sputtervorrichtung drehbar gelagert ist, um eine Achse herum, die quer ist zu der ersten Richtung und/oder der zweiten Richtung ist, so dass eine Drehung der Sputtervorrichtung um die Achse einen Wechsel zwischen den mehreren Lagekonfigurationen bewirkt.
Beispiel 8 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 7, wobei eine Ausdehnung des Substrats entlang einer dritten Richtung, die quer zu der zweiten Richtung und parallel zu einer von der ersten Richtung und der zweiten Richtung aufgespannten Ebene ist, kleiner ist als eine Ausdehnung des Magnetsystems entlang der ersten Richtung.
Beispiel 9 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 8, wobei die Lageänderung bewirkt, dass eine räumliche Verteilung (, z.B. quer zu der zweiten Richtung), mit der das Substrat mittels der Sputtervorrichtung beschichtet wird.
Beispiel 10 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 9, wobei die Lageänderung bewirkt, dass eine Rate (z.B. deren räumliche Verteilung, z.B. quer zu der zweiten Richtung), mit der das Substrat mittels der Sputtervorrichtung beschichtet wird (auch als Beschichtungsrate bezeichnet).
Beispiel 11 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 10, wobei eine Rate, mit der die Sputtervorrichtung Material zerstäubt (auch als Zerstäubungsrate bezeichnet), z.B. deren räumliche Verteilung entlang der ersten Richtung, invariant ist gegenüber der Lageveränderung.
Beispiel 12 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 11, wobei die Vorgabe abgespeichert ist und/oder eine räumliche Verteilung (, z.B. quer zu der zweiten Richtung), mit der das Substrat mittels der Sputtervorrichtung beschichtet wird, aufweist, z.B. die räumliche Verteilung der Beschichtungsrate.
Beispiel 13 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 12, wobei eine Ausdehnung des Magnetsystems (auch als Länge bezeichnet) entlang der ersten Richtung größer ist als eine dazu quer verlaufende Ausdehnung des Magnetsystems (auch als Breite bezeichnet).
Beispiel 14 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 13, wobei die Lageänderung bewirkt, dass eine Rate, mit der das Substrat mittels der Sputtervorrichtung beschichtet wird, verändert wird.
Beispiel 15 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 14, wobei das Substrat stangenförmig oder bandförmig ist.
Beispiel 16 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 15, wobei eine Ausdehnung des Substrats entlang der zweiten Richtung größer ist als eine Ausdehnung des Magnetsystems entlang der ersten Richtung.
Beispiel 17 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 16, wobei die Sputtervorrichtung ein Target aufweist, welches um eine entlang der ersten Richtung verlaufende Achse drehbar gelagert ist, wobei das Magnetsystem vorzugsweise in dem Target angeordnet ist.
Beispiel 18 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 17, wobei das Resultat des Beschichtungsprozesses eine räumliche Verteilung aufweist, mit der das Substrat beschichtet wird, und/oder wobei die Vorgabe eine vorgegebene räumliche Verteilung aufweist, mit der das Substrat beschichtet wird.
Beispiel 19 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 18, ferner aufweisend: Ermitteln einer Formveränderung einer Blendenöffnung, durch welche hindurch das Substrat mittels der Sputtervorrichtung beschichtet wird, basierend auf der Abweichung und/oder der Lageänderung; und vorzugsweise, Ansteuern eines Stellglieds, das eingerichtet ist, eine Form der Blendenöffnung zu verändern, gemäß der Formveränderung.
Beispiel 20 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 19, wobei das Magnetsystem einen oder mehr als einen Magnetpol aufweist, der entlang der ersten Richtung längserstreckt ist.
Beispiel 21 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 20, wobei das Magnetsystem eine oder mehr als eine Reihe entlang der ersten Richtung hintereinander angeordneter Magnete aufweist.
Beispiel 22 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 21, Ausgeben einer (z.B. vom Menschen wahrnehmbaren oder computerlesbaren) Information (z.B. Instruktion), welche ein Resultat des Ermittelns der Lageänderung (auch als ermittelte Lageänderung bezeichnet) und/oder ein Resultat des Ermittelns einer Formveränderung (auch als Formveränderung Lageänderung bezeichnet) repräsentiert (z.B. darauf basiert).
Beispiel 23 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 22, wobei die Sputtervorrichtung einen Träger aufweist, mittels dessen das Magnetsystem gehalten wird, wobei der Träger entlang der ersten Richtung längserstreckt ist und/oder ein oder mehr als ein Rohr aufweist.
Beispiel 24 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 23, wobei das Magnetsystem zwei Endabschnitte aufweist, die entlang der ersten Richtung einen Abstand voneinander aufweisen, wobei vorzugsweise in jedem der Endabschnitte eine Reihe entlang der ersten Richtung hintereinander angeordneter Magnete des Magnetsystems endet.
Beispiel 25 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 24, wobei das Substrat entlang der zweiten Richtung mittels einer Transportvorrichtung transportiert wird.
Beispiel 26 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 25 oder ein Verfahren zum Durchführen eines Beschichtungsprozesses, der Beschichtungsprozess aufweisend: Zerstäuben eines Targetmaterials zu einem Substrat hin (z.B. mittels eines Plasmas und/oder in einem Vakuum), wobei das Targetmaterial von einem Magnetfeld eines Magnetsystems durchdrungen wird, wobei das Magnetsystems entlang einer ersten Richtung längserstreckt wird und/oder wobei das Targetmaterial um eine entlang der ersten Richtung erstreckten Achse herum gedreht wird, und vorzugsweise Transportieren des Substrats entlang der zweiten Richtung, die einen (z.B. spitzen Winkel) mit der ersten Richtung einschließt; vorzugsweise Bilden einer Schicht mittels des Targetmaterials auf dem Substrat.
Beispiel 27 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 26, ferner aufweisend: Ansteuern des Beschichtungsprozesses gemäß einem Resultat des Ermittelns der Lageänderung und/oder ein Resultat des Ermittelns einer Formveränderung.
Beispiel 28 ist ein Computerprogram, das eingerichtet ist, das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 27 durchzuführen.
Beispiel 29 ist ein computerlesbares Medium, das Instruktionen speichert, die eingerichtet sind, wenn von einem Prozessor ausgeführt, den Prozessor dazu zu bringen, das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 27 durchzuführen.
Beispiel 30 ist eine Steuervorrichtung, welche einen oder mehr als einen Prozessor aufweist, die eingerichtet sind, das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 27 durchzuführen.
Beispiel 31 ist eine Beschichtungsanordnung, aufweisend: eine Sputtervorrichtung, welche ein Magnetsystem aufweist, das entlang einer ersten Richtung längserstreckt ist, eine Transportvorrichtung zum Transportieren eines Substrats entlang einer zweiten Richtung; eine Lagervorrichtung (auch als Montagevorrichtung bezeichnet), welche der Sputtervorrichtung mehrere Lagekonfigurationen bereitstellt, in denen die Sputtervorrichtung mittels der Lagervorrichtung gelagert werden kann, wobei sich die mehrere Lagekonfigurationen voneinander unterscheiden, in einem Winkel, den die erste Richtung und die zweite Richtung einschließen, wobei die Sputtervorrichtung optional ferner eingerichtet ist gemäß einem der Beispiele 1 bis 27.
Beispiel 32 ist die Beschichtungsanordnung gemäß Beispiel 31, wobei die Lagervorrichtung ein Drehlager aufweist, mittels dessen die Sputtervorrichtung drehbar gelagert ist, um eine Achse herum, die quer ist zu der ersten Richtung und/oder der zweiten Richtung ist, so dass eine Drehung der Sputtervorrichtung um die Achse einen Wechsel zwischen den mehreren Lagekonfigurationen bewirkt.
Beispiel 33 ist die Beschichtungsanordnung gemäß Beispiel 31 oder 32, wobei die Lagervorrichtung mehrere Montageprofile aufweist, von denen jedes Montageprofil eine der mehreren Lagekonfigurationen bereitstellt, und welche übereinstimmen einer Geometrie und sich voneinander unterscheiden in einer Ausrichtung der Geometrie.
Beispiel 34 ist die Beschichtungsanordnung gemäß einem der Beispiele 31 bis 33, wobei die mehreren Lagekonfigurationen, übereinstimmen in einer Ebene, in welcher der Winkel aufgespannt wird.
Beispiel 35 ist die Beschichtungsanordnung gemäß einem der Beispiele 31 bis 34, ferner aufweisend: eine Blendenvorrichtung, welche mehrere Blenden aufweist, die eine zwischen der Sputtervorrichtung und der Transportvorrichtung angeordnete Blendenöffnung begrenzen; wobei mehreren Blenden derart miteinander gekuppelt sind, dass eine Form der Blendenöffnung verändert werden kann, z.B. ein Winkel, der zwischen zwei Kanten der Blendenöffnung (an denen diese z.B. mittels einer der Blenden begrenzt wird) eingeschlossen wird.
Beispiel 36 ist eines der Beispiele 1 bis 35, wobei die Transportvorrichtung mehrere Rollen aufweist, mittels denen das Substrat (z.B. an den Rollen anliegend) transportiert wird, wobei jede der mehreren Rollen drehbar gelagert ist um eine Drehachse herum, die quer zu der ersten Richtung und/oder der zweiten Richtung ist und/oder die quer zu der Achse ist.
Beispiel 37 ist eines der Beispiele 1 bis 36, wobei die erste Richtung bei einer Drehung um den Winkel in die zweite Richtung überführt wird.
Beispiel 38 ist eines der Beispiele 1 bis 37, wobei der Winkel in einem Bereich ist von ungefähr 2° bis ungefähr 20°.

Claims

Verfahren (400) für eine Sputtervorrichtung (110), welche ein Magnetsystem (200) aufweist, das entlang einer ersten Richtung (201) längserstreckt ist, das Verfahren (400) aufweisend: • Ermitteln (401) einer Abweichung eines Resultats eines Beschichtungsprozesses (801), bei dem ein Substrat (102) mittels der Sputtervorrichtung (110) beschichtet wird, von einer Vorgabe, wenn das Substrat (102) entlang einer zweiten Richtung (101) transportiert wird, die einen spitzen Winkel (511) mit der ersten Richtung (201) einschließt; • Ermitteln (403) einer Lageänderung der Sputtervorrichtung (110), mittels welcher der Winkel (511) verändert wird, basierend auf der Abweichung.
Verfahren (400) gemäß Anspruch 1, wobei die Lageänderung aufweist, die Sputtervorrichtung (110) zu drehen um eine Achse, die quer ist zu der ersten Richtung und/oder der zweiten Richtung.
Verfahren (400) gemäß Anspruch 1 oder 2, ferner aufweisend: Ansteuern eines Stellglieds, das eingerichtet ist, den Winkel zu verändern, gemäß der ermittelten Lageänderung.
Verfahren (400) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, • wobei die Sputtervorrichtung (110) während des Beschichtungsprozesses (801) mittels einer Lagervorrichtung gelagert ist, welche mehrere Lagekonfigurationen bereitstellt, in denen die Sputtervorrichtung (110) mittels der Lagervorrichtung gelagert werden kann, wobei sich die mehreren Lagekonfigurationen in dem Winkel voneinander unterscheiden, • wobei das Ermitteln der Lageänderung aufweist, eine Lagekonfiguration aus den mehreren Lagekonfigurationen auszuwählen.
Verfahren (400) gemäß Anspruch 4, wobei die Lagervorrichtung mehrere Montageprofile aufweist, von denen jedes Montageprofil eine der mehreren Lagekonfigurationen bereitstellt, wobei die mehreren Montageprofile übereinstimmen in einer Geometrie und sich voneinander unterscheiden in einer Ausrichtung der Geometrie.
Verfahren (400) gemäß Anspruch 4, wobei die Lagervorrichtung ein Drehlager aufweist, mittels dessen die Sputtervorrichtung (110) drehbar gelagert ist, um eine Achse herum, die quer ist zu der ersten Richtung und/oder der zweiten Richtung ist, so dass eine Drehung der Sputtervorrichtung (110) um die Achse einen Wechsel zwischen den mehreren Lagekonfigurationen bewirkt.
Verfahren (400) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Vorgabe eine räumliche Verteilung, mit der das Substrat (102) mittels der Sputtervorrichtung (110) beschichtet wird, aufweist.
Verfahren (400) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das Substrat (102) stangenförmig oder bandförmig ist.
Verfahren (400) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, ferner aufweisend: • Ermitteln einer Formveränderung einer Blendenöffnung, durch welche hindurch das Substrat (102) mittels der Sputtervorrichtung (110) beschichtet wird, basierend auf der Abweichung und/oder der Lageänderung; • und vorzugsweise, Ansteuern eines Stellglieds, das eingerichtet ist, eine Form der Blendenöffnung zu verändern, gemäß der Formveränderung.
Computerprogram, das eingerichtet ist, das Verfahren (400) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9 durchzuführen.
computerlesbares Medium, das Instruktionen speichert, die eingerichtet sind, wenn von einem Prozessor ausgeführt, den Prozessor dazu zu bringen, das Verfahren (400) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9 durchzuführen.
Steuervorrichtung, welche einen oder mehr als einen Prozessor aufweist, die eingerichtet sind, das Verfahren (400) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9 durchzuführen.
Beschichtungsanordnung, aufweisend: • eine Sputtervorrichtung (110), welche ein Magnetsystem (200) aufweist, das entlang einer ersten Richtung längserstreckt ist; • eine Transportvorrichtung (108) zum Transportieren eines Substrats (102) entlang einer zweiten Richtung; • eine Lagervorrichtung, welche der Sputtervorrichtung (110) mehrere Lagekonfigurationen bereitstellt, in denen die Sputtervorrichtung (110) mittels der Lagervorrichtung gelagert werden kann, wobei sich die mehrere Lagekonfigurationen voneinander unterscheiden, in einem Winkel, den die erste Richtung und die zweite Richtung einschließen.