DE102021213828B4 - Method for target operating an EUV radiation source - Google Patents

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Abstract

Beim Ziel-Betreiben einer EUV-Strahlungsquelle werden zunächst Betriebsparameter-Bereiche für zwei Betriebsparameter vorgegeben (21). Ein Betriebsparameter-Paar der beiden Betriebsparameter innerhalb der vorgegebenen Betriebsparameter-Bereiche wird ausgewählt (22). Mit diesem Betriebsparameter-Paar wird die EUV-Strahlungsquelle zunächst betrieben (23). In diesem Betriebszustand wird innerhalb eines vorgegebenen Mess-Zeitraums eine Ist-Nutzlicht-Intensität gemessen (24). Ein Datensatz, in dem diese und das Betriebsparameter-Paar enthalten sind, wird abgespeichert (25). Die Auswahl, das Betreiben, das Messen und das Ablegen werden für weitere Betriebsparameter-Paare, die sich jeweils voneinander unterscheiden, innerhalb der vorgegebenen Betriebsparameter-Bereiche wiederholt. Die entsprechend abgelegten Datensätze werden analysiert (28) und Ziel-Betriebszustand wird ermittelt, bei dem die Ist-Nutzlicht-Intensität innerhalb vorgegebener Toleranzwerte mit einer Soll-Nutzlicht-Intensität übereinstimmt. In dem so gefundenen Ziel-Betriebszustand erfolgt dann ein Ziel-Betreiben der EUV-Lichtquelle (1). Es ergibt sich ein reproduzierbarer und hinsichtlich der Nutzlicht-Intensität sicherer Betrieb der EUV-Strahlungsquelle.In the target operation of an EUV radiation source, operating parameter ranges for two operating parameters are first specified (21). An operating parameter pair of the two operating parameters within the specified operating parameter ranges is selected (22). The EUV radiation source is initially operated with this pair of operating parameters (23). In this operating state, an actual useful light intensity is measured (24) within a predetermined measurement period. A data set containing these and the pair of operating parameters is stored (25). The selection, operation, measurement and storage are repeated for further pairs of operating parameters, each of which differs from one another, within the predetermined operating parameter ranges. The correspondingly stored data sets are analyzed (28) and the target operating state is determined, in which the actual useful light intensity matches a target useful light intensity within predetermined tolerance values. In the target operating state found in this way, target operation of the EUV light source (1) then takes place. The result is reproducible operation of the EUV radiation source that is reliable with regard to the useful light intensity.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben einer EUV-Strahlungsquelle. Ferner betrifft die Erfindung eine mit einem derartigen Verfahren optimierte EUV-Strahlungsquelle, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Strahlungsquelle und ein Metrologiesystem mit einer derartigen Strahlungsquelle.The invention relates to a method for operating an EUV radiation source. Furthermore, the invention relates to an EUV radiation source optimized with such a method, a projection exposure system with such a radiation source and a metrology system with such a radiation source.

Eine entsprechende EUV-Strahlungsquelle ist bekannt aus der US 10 039 177 B2 . Ein entsprechendes Metrologiesystem ist bekannt aus der DE 10 2019 206 651 A1 und der US 2017/0131528 A1 . Eine Projektionsbelichtungsanlage ist bekannt aus der WO 2015/124515 A1 und aus der US 2017/0192361 A1 . Die US 2012/0193547 A1 offenbart eine EUV-Lichtquelle, bei der ein Plasma mittels eines Lasers produziert wird. Die US 8 227 777 B2 offenbart ein Verfahren und ein Gerät zum Betreiben einer elektrischen Entladungseinrichtung.A corresponding EUV radiation source is known from U.S. 10,039,177 B2 . A corresponding metrology system is known from DE 10 2019 206 651 A1 and the U.S. 2017/0131528 A1 . A projection exposure system is known from WO 2015/124515 A1 and from the U.S. 2017/0192361 A1 . The U.S. 2012/0193547 A1 discloses an EUV light source in which a plasma is produced by means of a laser. The U.S. 8,227,777 B2 discloses a method and apparatus for operating an electrical discharge device.

Im Rahmen der Produktion und der Abnahme einer EUV-Strahlungsquelle werden deren Betriebsparameter so eingestellt, dass eine vorgegebene Soll-Performance innerhalb ebenfalls vorgegebener Toleranzen erreicht wird. Die hierzu zu erreichende Ist-Performance hängt von einer Vielzahl von Betriebsparametern oft in nichtlinearer Weise ab, sodass ein systematischer Weg zum Finden eines die Soll-Performance bringenden Betriebsparametersatzes mit zunehmender Komplexität der Strahlungsquelle immer herausfordernder wird. Dies gilt insbesondere dann, wenn im Rahmen des Betriebs der EUV-Strahlungsquelle Komponenten getauscht werden und sich die Performance der Tauschkomponente in nicht einfach vorhersagbarer Weise von derjenigen der zuletzt verwendeten Komponente unterscheidet. As part of the production and acceptance of an EUV radiation source, its operating parameters are set in such a way that a specified target performance is achieved within also specified tolerances. The actual performance to be achieved for this depends on a large number of operating parameters, often in a non-linear manner, so that a systematic way of finding an operating parameter set that brings the target performance becomes more and more challenging as the complexity of the radiation source increases. This applies in particular when components are exchanged as part of the operation of the EUV radiation source and the performance of the exchanged component differs from that of the last used component in a manner that is not easily predictable.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Ziel-Betriebsverfahren für eine EUV-Strahlungsquelle anzugeben, mit dem reproduzierbar ein Ziel-Betriebszustand gefunden werden kann, bei dem sich Ist-Performance allenfalls um eine vorgegebene Toleranz von einer Soll-Performance unterscheidet.It is an object of the present invention to specify a target operating method for an EUV radiation source with which a target operating state can be found reproducibly in which actual performance differs from target performance by at most a predetermined tolerance.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch ein Betriebs- und Analyseverfahren mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.According to the invention, this object is achieved by an operating and analysis method having the features specified in claim 1 .

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass es, um ein unerwünschtes Festsitzen in einem lokalen Optimum einer Betriebsparameterkombination zu vermeiden, sinnvoll ist, einen vorgegebenen Betriebsparameter-Raum, der von den Betriebsparameter-Bereichen der verschiedenen Betriebsparameter aufgespannt ist, abzuprüfen. Erst nach dem Abprüfen dieses Betriebsparameter-Raumes und nachfolgender Analyse der Abhängigkeiten der gemessenen Intensität von den Betriebsparameter-Paaren wird dann über den Ziel-Betriebszustand, der für den weiteren Betrieb verwendet werden soll, entschieden. Dies stellt sicher, dass kein lokales Optimum gefunden wird, sondern innerhalb des aufgespannten Betriebsparameter-Raumes ein globales Optimum. Für die Optimierung, also für die Analyse der abgelegten Datensätze und das Ermitteln des Ziel-Betriebszustandes kann eines der zur Verfügung stehenden, bekannten Optimierungsverfahren zum Einsatz kommen.According to the invention, it was recognized that, in order to avoid getting stuck in a local optimum of an operating parameter combination, it makes sense to check a predetermined operating parameter space that is spanned by the operating parameter ranges of the various operating parameters. Only after checking this operating parameter space and subsequent analysis of the dependencies of the measured intensity on the pairs of operating parameters is a decision then made on the target operating state which is to be used for further operation. This ensures that no local optimum is found, but rather a global optimum within the spanned operating parameter space. One of the available, known optimization methods can be used for the optimization, ie for the analysis of the stored data sets and the determination of the target operating state.

Zum im Rahmen des Betriebsverfahrens abgelegten Datensatz kann ein Identifier für den jeweiligen Einsatz gehören.An identifier for the respective application can belong to the data record stored as part of the operating procedure.

Beim Betriebsverfahren können mehr als zwei Betriebsparameter ausgewählt und entsprechende Betriebsparameter-Tupel, enthaltend diese verschiedenen mehr als zwei Betriebsparameter, abgeprüft werden. Ein Mess-Zeitraum innerhalb des Messschritts kann einstellbar vorgebbar sein. Der jeweilige Betriebsparameter-Bereich kann einstellbar vorgebbar sein. Soweit zwei Betriebsparameter den Betriebsparameter-Raum aufspannen, können beispielsweise mehr als zehn Betriebsparameter-Paare abgeprüft werden, zum Beispiel 15 Betriebsparameter-Paare. Ergebnisse der Analyse können einen Input für ein nachfolgendes Machine Learning darstellen. Alternativ oder zusätzlich zu Machine Learning-Verfahren können auch Vorhersagemodelle auf Grundlage der zur Verfügung gestellten Analysedaten zum Einsatz kommen.In the operating method, more than two operating parameters can be selected and corresponding operating parameter tuples containing these different more than two operating parameters can be checked. A measurement time period within the measurement step can be predeterminable in an adjustable manner. The respective operating parameter range can be predeterminable in an adjustable manner. If two operating parameters span the operating parameter space, for example more than ten operating parameter pairs can be checked, for example 15 operating parameter pairs. Results of the analysis can represent an input for subsequent machine learning. As an alternative or in addition to machine learning methods, prediction models based on the analysis data provided can also be used.

Es ergibt sich ein reproduzierbarer und hinsichtlich der Nutzlicht-Intensität sicherer Betrieb der EUV-Strahlungsquelle.The result is reproducible operation of the EUV radiation source that is reliable with regard to the useful light intensity.

Eine Toleranzwertvorgabe zur Analyse einer Übereinstimmung eines Ist-Betriebes der EUV-Strahlungsquelle mit einem Soll-Betrieb kann auf die Überwachung der Einhaltung momentaner Intensitätsgrenzwerte und/oder auf eine Einhaltung einer Betriebsstabilität abzielen. Insbesondere eine Puls-zu-Puls-Stabilität bei einem gepulsten Betrieb der EUV-Lichtquelle kann bei der Toleranzwertvorgabe Berücksichtigung finden. Der vorgegebene Toleranzwert kann als ein nicht zu unterschreitendes Intensitätsminimum der EUV-Lichtquelle gestaltet sein. Es kann auch verlangt werden, dass ein entsprechendes Intensitäts-Minimum bei nicht mehr als einer vorgegebenen Anzahl von aufeinanderfolgender Einzel-Impulsen der EUV-Lichtquelle unterschritten wird. Eine potentielle Fluktuation der EUV-Lichtquelle kann auch durch Vorgabe anderer Toleranzwerte überwacht werden.A tolerance value specification for analyzing whether actual operation of the EUV radiation source corresponds to target operation can be aimed at monitoring compliance with instantaneous intensity limit values and/or maintaining operational stability. In particular, pulse-to-pulse stability during pulsed operation of the EUV light source can be taken into account when specifying the tolerance value. The predefined tolerance value can be designed as an intensity minimum of the EUV light source that must not be undershot. It can also be required that the intensity does not drop below a corresponding minimum for no more than a predetermined number of consecutive individual pulses from the EUV light source. A potential fluctuation of the EUV light source can also be monitored by specifying other tolerance values.

Mithilfe des Betriebsverfahrens kann ein unerwünschter Betrieb mit einer EUV-Strahlungsquelle, die kontaminierte Komponenten aufweist, vermieden werden. Im Rahmen insbesondere eines Maschine Learning kann erreicht werden, dass kritische Betriebszustände der EUV-Strahlungsquelle, bei denen eine unerwünschte Kontamination bei einem weiteren Betrieb einer ggf. vorgeschädigten EUV-Strahlungsquelle zu erwarten wäre, vermieden werden. Komponenten, die oberhalb einer noch unkritischen Kontaminationsschwelle ggf. für eine Kontamination auch benachbarter Komponenten sorgen würden, würden dann rechtzeitig getauscht werden.The operating method can be used to avoid undesired operation with an EUV radiation source that has contaminated components. Within the framework of machine learning in particular, it is possible to avoid critical operating states of the EUV radiation source, in which undesirable contamination would have to be expected if an EUV radiation source that may have been previously damaged, continues to be operated. Components which, above a still uncritical contamination threshold, would possibly also cause contamination of neighboring components, would then be exchanged in good time.

Abhängig von einem Ergebnis des Analyseschritts kann ein Wechsel des Einsatzes initiiert werden. Ein derartiger Einsatzwechsel gewährleistet eine möglichst lange Betriebsdauer des jeweils verwendeten Einsatzes. Ein an sich noch ein gutes Ergebnis liefernder Einsatz wird nicht unerwünscht vorzeitig gewechselt. Ein unerwünscht schnell degradierender Einsatz kann zügig erkannt und gewechselt werden.Depending on a result of the analysis step, a change of use can be initiated. Such an insert change ensures the longest possible service life of the insert used in each case. An insert that still delivers a good result is not undesirably changed prematurely. An undesirably quickly degrading use can be quickly recognized and changed.

Die zusätzliche Berücksichtigung einer Richtungsstabilität nach Anspruch 2 beim Ermitteln des Ziel-Betriebszustandes hat sich in der Praxis bewährt. Die Überprüfung der Richtungsstabilität kann mithilfe eines positionssensitiven Detektors (PSD) geschehen. Es kann beispielsweise ein Quadrantendetektor zum Einsatz kommen. Soweit mehrere Performance-Parameter, also z. B. die Intensität und die Richtungsstabilität optimiert werden, kann dies über Vorgabe einer diese mehreren Parameter enthaltenden Meritfunktion geschehen.The additional consideration of a directional stability according to claim 2 when determining the target operating state has proven itself in practice. Directional stability can be checked using a position sensitive detector (PSD). For example, a quadrant detector can be used. As far as several performance parameters, e.g. For example, the intensity and the directional stability can be optimized by specifying a merit function containing these several parameters.

Auswahlvarianten nach den Ansprüchen 3 und 4 haben sich in der Praxis bewährt. Beim statistischen Abrastern nach Anspruch 3 können längerfristige Drifteffekte vermieden werden. Derartige längerfristige Drifteffekte können beim systematischen Abrastern nach Anspruch 4 gezielt gemessen werden.Selection variants according to claims 3 and 4 have proven themselves in practice. With statistical scanning according to claim 3, long-term drift effects can be avoided. Longer-term drift effects of this type can be measured in a targeted manner during systematic scanning.

Die Vorteile des Betriebsverfahrens kommen bei Verwendung der Betriebsparameter nach den Ansprüchen 5 und 6 besonders gut zum Tragen.The advantages of the operating method come into play particularly well when the operating parameters according to claims 5 and 6 are used.

Eine Nutzung des Betriebsverfahrens nach Anspruch 7 ist praxisgerecht. Der Betriebs-Toleranzwert kann größer sein als der beim Analyseschritt des Betriebsverfahrens verwendete Toleranzwert. Der Betriebs-Toleranzwert, der beim Nutzbetrieb der EUV-Strahlungsquelle zum Einsatz kommt, kann beispielsweise doppelt so groß sein wie der Toleranzwert beim Analyseschritt.Use of the operating method according to claim 7 is practical. The operational tolerance value may be greater than the tolerance value used in the analysis step of the operational method. The operating tolerance value that is used during useful operation of the EUV radiation source can, for example, be twice the tolerance value in the analysis step.

Ein Rückgriff auf bereits abgelegte Datensätze nach Anspruch 9 kann zu einer Beschleunigung des Betriebs/Analyseverfahrens führen. Es kann auf Datensätze zurückgegriffen werden, die mit dem jeweils gleichen Einsatz gemessen wurde. Relativ oder zusätzlich kann auf Datensätze zu früher verwendeten Einsätzen zurückgegriffen werden. Mit einem derart erweiterten Betriebsverfahren ist ein schnelleres Finden des Ziel-Betriebszustandes möglich. Im Rahmen eines Rückgriffes auf bereits abgelegte Datensätze können Verfahren des Machine Learning zum Einsatz kommen, wie dies grundsätzlich oben bereits angesprochen war.Recourse to data sets that have already been filed according to claim 9 can lead to an acceleration of the operation/analysis method. It is possible to fall back on data sets that were measured with the same use in each case. Relatively or additionally, data sets for previously used missions can be accessed. With such an expanded operating method, it is possible to find the target operating state more quickly. When accessing data sets that have already been stored, machine learning methods can be used, as has already been mentioned in principle above.

Ein Verwerfen bzw. Skippen von Betriebsparameter-Paaren nach Anspruch 10 beschleunigt das Betriebs/Analyseverfahren.Discarding or skipping pairs of operating parameters according to claim 10 accelerates the operating/analysis method.

Die Vorteile einer EUV-Strahlungsquelle nach Anspruch 11, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 12 sowie eines Metrologiesystems nach Anspruch 13 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf das Betriebs/Analyseverfahren bereits erläutert wurden. The advantages of an EUV radiation source according to claim 11, a projection exposure system according to claim 12 and a metrology system according to claim 13 correspond to those which have already been explained above with reference to the operating/analysis method.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:

  • 1 einen Axialschnitt durch Hauptkomponenten einer EUV-Strahlungsquelle; und
  • 2 ein Ablaufschema eines Verfahrens zum Betreiben der EUV-Strahlungsquelle.
Exemplary embodiments of the invention are explained in more detail below with reference to the drawing. In this show:
  • 1 an axial section through the main components of an EUV radiation source; and
  • 2 a flowchart of a method for operating the EUV radiation source.

In 1 ist eine schematische Schnittzeichnung eines exemplarischen Ausführungsbeispiels einer EUV-Strahlungsquelle 1 dargestellt. Die EUV-Strahlungsquelle 1 ist Teil eines nicht explizit dargestellten Beleuchtungssystems einer Projektionsbelichtungsanlage. Für grundsätzliche Details wird exemplarisch auf die DE 10 2017 212 352 A1 verwiesen, die hiermit vollständig als Bestandteil der vorliegenden Anmeldung in diese integriert ist.In 1 a schematic sectional drawing of an exemplary embodiment of an EUV radiation source 1 is shown. The EUV radiation source 1 is part of an illumination system of a projection exposure system that is not shown explicitly. For basic details, reference is made to the DE 10 2017 212 352 A1 referred, which is hereby fully integrated as part of the present application in this.

Alternativ kann die EUV-Strahlungsquelle auch Teil eines Metrologiesystems zur Qualifizierung einer Lithografiemaske für eine Projektionsbelichtungsanlage und/oder zur Qualifizierung eines Mask Blanks oder eines Wafer Blanks sein.Alternatively, the EUV radiation source can also be part of a metrology system for qualifying a lithography mask for a projection exposure system and/or for qualifying a mask blank or a wafer blank.

Ein entsprechendes Metrologiesystem ist bekannt aus der DE 10 2019 206 651 A1 und der US 2017/0131528 A1 .A corresponding metrology system is known from DE 10 2019 206 651 A1 and the U.S. 2017/0131528 A1 .

Die EUV-Strahlungsquelle 1 weist eine zweiteilige Quellkammer 2 mit einem oberen Kammerteil 3 und einem unteren Kammerteil 4 auf. Zwischen dem oberen Kammerteil 3 und dem unteren Kammerteil 4 befindet sich eine Mittenplatte 5. Die Mittenplatte 5 bildet eine Kammerwand der Quellkammer 2, insbesondere des oberen Kammerteils 3.The EUV radiation source 1 has a two-part source chamber 2 with an upper chamber part 3 and a lower chamber part 4 . A middle plate 5 is located between the upper chamber part 3 and the lower chamber part 4. The middle plate 5 forms a chamber wall of the source chamber 2, in particular of the upper chamber part 3.

Die Mittenplatte 5 weist exzentrische Öffnungen 6 und eine zentrale Öffnung 7 auf.The center plate 5 has eccentric openings 6 and a central opening 7 .

Die Mittenplatte 5 kann mehrteilig ausgebildet sein. Sie kann insbesondere eine der Quellkammer 2 zugewandte, mit Hochspannung beaufschlagbare Platte und eine hiervon separate äußere Grundplatte aufweisen.The middle plate 5 can be designed in several parts. In particular, it can have a plate that faces the source chamber 2 and can be charged with high voltage, and an outer base plate that is separate therefrom.

In die zentrale Öffnung 7 ist ein erster Einsatz 8 eingesetzt. Der erste Einsatz 8 bildet einen äußeren Einsatz. Der erste Einsatz 8 wird auch als „Carrier“ („Träger“) bezeichnet. Er weist einen sich in einer Längsrichtung erstreckenden ersten Durchtrittskanal 10 auf.A first insert 8 is inserted into the central opening 7 . The first insert 8 forms an outer insert. The first insert 8 is also referred to as a "carrier". It has a first through-channel 10 extending in a longitudinal direction.

Im ersten Durchtrittskanal 10 ist ein zweiter innerer Einsatz 11 angeordnet. Der zweite Einsatz 11 weist einen sich in Längsrichtung 9 erstreckenden zweiten Durchtrittskanal 12 auf. Der Träger mit dem inneren Einsatz 11 wird auch als „Bore“ (Bohrung) bezeichnet. Der innere Einsatz 11 ist wechselbar gestaltet, sodass die EUV-Strahlungsquelle 1 nach dem Ende einer Betriebsdauer eines bestimmten inneren Einsatzes 11 mit einem ausgetauschten inneren Einsatz 11 betrieben werden kann.A second inner insert 11 is arranged in the first through-channel 10 . The second insert 11 has a second through-channel 12 extending in the longitudinal direction 9 . The carrier with the inner insert 11 is also referred to as a "bore". The inner insert 11 is designed to be exchangeable, so that the EUV radiation source 1 can be operated with an exchanged inner insert 11 after the end of the service life of a specific inner insert 11 .

Der erste Durchtrittskanal 10 wird auch als äußerer Durchtrittskanal bezeichnet. Der zweite Durchtrittskanal 12 wird auch als innerer Durchtrittskanal bezeichnet. Die beiden Durchtrittskanäle 10, 12 weisen eine gemeinsame, sich in der Längsrichtung erstreckende Längsachse auf.The first through-channel 10 is also referred to as the outer through-channel. The second through-channel 12 is also referred to as the inner through-channel. The two passage channels 10, 12 have a common longitudinal axis extending in the longitudinal direction.

Im Betrieb der EUV-Strahlungsquelle 1 dienen die exzentrischen Öffnungen 6 sowie die zentrale Öffnung 7, insbesondere die Durchtrittskanäle 10, 12 für den Durchtritt eines in den Kammerteilen 3, 4 gezündeten Quellplasmas. Das Quellplasma emittiert EUV-Nutzstrahlung bzw. EUV-Nutzlicht beispielsweise in der Längsrichtung des Durchtrittskanals.During operation of the EUV radiation source 1, the eccentric openings 6 and the central opening 7, in particular the passage channels 10, 12, serve for the passage of a source plasma ignited in the chamber parts 3, 4. The source plasma emits useful EUV radiation or useful EUV light, for example in the longitudinal direction of the passage channel.

Eine entsprechende Plasmaquelle ist beispielsweise beschrieben in der US 10 039 177 B2 .A corresponding plasma source is described, for example, in U.S. 10,039,177 B2 .

Bei der EUV-Strahlungsquelle 1 handelt es sich um einen Induktions-Plasmastromgenerator.The EUV radiation source 1 is an induction plasma current generator.

An die EUV-Strahlungsquelle 1 schließen sich Bestandteile einer nicht explizit dargestellten Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage, einer Masken-Inspektionsanlage oder eines Metrologiesystems an. Die Beleuchtungsoptik ist insbesondere Bestandteil eines Beleuchtungssystems. Das Beleuchtungssystem kann insbesondere ein oder mehrere Spiegel, insbesondere ein oder mehrere Facettenspiegel, umfassen. Die Beleuchtungsoptik dient insbesondere zur Überführung von von der EUV-Strahlungsquelle 1 erzeugten Beleuchtungsstrahlung zu einer Maske mit abzubildenden Strukturen. Die Maske wird auch als Retikel bezeichnet.The EUV radiation source 1 is followed by components of an illumination optics, not shown explicitly, of a projection exposure system, a mask inspection system or a metrology system. The illumination optics is in particular a component of an illumination system. In particular, the illumination system can comprise one or more mirrors, in particular one or more facet mirrors. The illumination optics serve in particular to transfer illumination radiation generated by the EUV radiation source 1 to a mask with structures to be imaged. The mask is also referred to as a reticle.

Ebenfalls schematisch dargestellt ist in der 1 ein sich an die EUV-Strahlungsquelle 1 anschließender Wartungsbereich 14. Zwischen dem Wartungsbereich 14 und der EUV-Strahlungsquelle 1 ist ein Interface mit einer Domeblende 15 vorgesehen. Für Details sei auf die DE 10 2017 212 352 A1 , insbesondere 23 und zugehörige Beschreibung, verwiesen. Also shown schematically in the 1 a maintenance area 14 adjoining the EUV radiation source 1. An interface with a dome screen 15 is provided between the maintenance area 14 and the EUV radiation source 1. For details see the DE 10 2017 212 352 A1 , in particular 23 and associated description.

Der Wartungsbereich 14 ist mit Hilfe einer Wartungsklappe 16 vakuumdicht gegen einen Außenbereich 17 verschließbar. Die Wartungsklappe 16 kann zu Wartungsarbeiten geöffnet werden. In geöffnetem Zustand der Wartungsklappe 16 ist ein Zugang zum Wartungsbereich 14 und hierüber zu der EUV-Strahlungsquelle 1 möglich. Es ist insbesondere möglich, die beiden Einsätze 8, 11 durch den Wartungsbereich 14 hindurch aus der EUV-Strahlungsquelle 1 zu entnehmen, beispielsweise um sie auszuwechseln.The maintenance area 14 can be closed in a vacuum-tight manner from an outside area 17 with the aid of a maintenance flap 16 . The maintenance flap 16 can be opened for maintenance work. When the maintenance flap 16 is open, access to the maintenance area 14 and via this to the EUV radiation source 1 is possible. In particular, it is possible to remove the two inserts 8, 11 from the EUV radiation source 1 through the maintenance area 14, for example in order to exchange them.

Eine Leistungsfähigkeit bzw. Performance der EUV-Strahlungsquelle hängt von verschiedenen Betriebsparametern ab. Ein derartiger Betriebsparameter ist eine Spannung U, die über eine in der 1 schematisch dargestellte Spannungsquelle 18 der EUV-Strahlungsquelle 1 zum Erzeugen des Plasmas an der Mittelplatte 5 angelegt wird. Ein weiterer derartiger Betriebsparameter ist ein Druck P innerhalb der Quellkammer 2, der über eine in der 1 ebenfalls schematisch dargestellte Druckregeleinrichtung 19 vorgegeben werden kann. Weitere derartige Betriebsparameter können eine Temperatur der Einsätze 8, 11 oder auch eine Richtungsstabilität eines Ausgabestrahls des EUV-Nutzlichts sein.A capability or performance of the EUV radiation source depends on various operating parameters. Such an operating parameter is a voltage U, which has an in the 1 schematically illustrated voltage source 18 of the EUV radiation source 1 for generating the plasma is applied to the center plate 5 . Another such operating parameter is a pressure P within the source chamber 2, which has a in the 1 also shown schematically pressure control device 19 can be specified. Other such operating parameters can be a temperature of the inserts 8, 11 or a directional stability of an output beam of the EUV useful light.

Zur Überwachung sowie zur steuernden Vorgabe der Betriebsparameter dient eine zentrale Steuer/Regeleinrichtung 20 der EUV-Strahlungsquelle 1. Die Spannungsquelle 18 und die Druckregeleinrichtung 19 können, wie in der 1 angedeutet, Bestandteile der Steuer/Regeleinrichtung 20 sein, können alternativ aber auch hiervon separate Module sein.A central control/regulating device 20 of the EUV radiation source 1 is used for monitoring and for controlling the specification of the operating parameters. The voltage source 18 and the pressure regulating device 19 can, as in FIG 1 indicated, be components of the control/regulating device 20, but alternatively they can also be separate modules.

Anhand des Ablaufschemas nach 2 wird nachfolgend ein Verfahren zum Betreiben der EUV-Strahlungsquelle 1 mit entsprechend dem Ergebnis einer Analyse optimiertem Ziel-Betriebszustand beschrieben.Based on the flowchart 2 a method for operating the EUV radiation source 1 with the target operating state optimized according to the result of an analysis is described below.

In einem Vorgabeschritt 21 wird ein erster Betriebsparameter-Bereich für einen ersten Betriebsparameter und ein zweiter Betriebsparameter-Bereich für einen zweiten Betriebsparameter zum Betreiben der EUV-Strahlungsquelle 1 vorgegeben. Wenn es sich bei den beiden Betriebsparametern um die Spannung U zur Plasmaerzeugung und den Druck P innerhalb der Quellkammer 2 handelt, verfolgt beim Vorgabeschritt 21 die Vorgabe von Untergrenzen und Obergrenzen für die Spannung U und den Druck P.In a specification step 21, a first operating parameter range for a first operating parameter and a second operating parameter range for a second operating parameter for operating the EUV radiation source 1 are specified. If the two operating parameters are the voltage U for plasma generation and the pressure P within the source chamber 2, the specification step 21 follows the specification of lower and upper limits for the voltage U and the pressure P.

Eine Bereichsvorgabe für die Spannung kann zwischen einer Untergrenze von 100 Volt und einer Obergrenze von 500 Volt liegen. Eine Bereichsvorgabe für den Druck kann zwischen einer Untergrenze von 1 Pascal und einer Obergrenze von 100 Pascal liegen.A range specification for the voltage can be between a lower limit of 100 volts and an upper limit of 500 volts. A pressure range specification can range from a lower limit of 1 pascal to an upper limit of 100 pascals.

In einem nachfolgenden Auswahlschritt 22 wird ein Betriebsparameter-Paar (U;, P;) aus dem ersten Betriebsparameter U innerhalb des ersten Betriebsparameter-Bereichs und aus dem zweiten Betriebsparameter P innerhalb des zweiten Betriebsparameter-Bereichs ausgewählt.In a subsequent selection step 22, an operating parameter pair (U;, P;) is selected from the first operating parameter U within the first operating parameter range and from the second operating parameter P within the second operating parameter range.

Mit diesem Betriebsparameter-Paar (U;, P;) wird die EUV-Strahlungsquelle 1 dann in einem Betriebsschritt 23 betrieben.The EUV radiation source 1 is then operated in an operating step 23 with this pair of operating parameters (U;, P;).

Im Betrieb wird eine Ist-Nutzlicht-Intensität IIST der EUV-Strahlungsquelle 1 in einem Messschritt 24 gemessen. In diesem Betrieb hat die EUV-Strahlungsquelle einen Betriebszustand mit Betriebsparametern des ausgewählten Betriebsparameter-Paars, also eine Plasma-Erzeugungsspannung Ui und einen Quellkammer-Druck Pi.During operation, an actual useful light intensity I IST of the EUV radiation source 1 is measured in a measuring step 24 . In this operation, the EUV radiation source has an operating state with operating parameters of the selected pair of operating parameters, ie a plasma generation voltage U i and a source chamber pressure P i .

Nach Durchführung des Messschritts 24 wird in einem Ablageschritt 25 ein Datensatz (Iist i, Ui, Pi), in dem die gemessene Ist-Nutzlicht-Intensität IIST i sowie das Betriebsparameter-Paar U;, Pi des aktuellen Betriebszustands enthalten sind, in einem Speicher 26 der Steuer/Regeleinrichtung 20 abgelegt. Teil des im Ablageschritts 25 abgelegten Datensatzes kann ein Identifier IDi für den jeweiligen Einsatz 8, 11 sein.After measuring step 24 has been carried out, a data record (I ist i , U i , P i ), in which the measured actual useful light intensity I IST i and the operating parameter pair U;, P i of the current operating state are contained, is stored in a storage step 25 in a memory 26 of the control/regulating device 20. An identifier ID i for the respective use 8, 11 can be part of the data set stored in the storage step 25.

Der Auswahlschritt 22, der Betriebsschritt 23, der Messschritt 24 und der Ablageschritt 25 werden dann für weitere Betriebsparameter-Paare Ui+1, Pi+1 innerhalb der vorgegebenen Betriebsparameter-Bereiche wiederholt, wobei sich die Betriebsparameter-Paare U;, P;; Ui+1, Pi+1 jeweils voneinander in mindestens einem der Betriebsparameter unterscheiden.The selection step 22, the operating step 23, the measuring step 24 and the storage step 25 are then repeated for further pairs of operating parameters U i+1 , P i+1 within the specified operating parameter ranges, with the pairs of operating parameters U;, P;; U i+1 , P i+1 each differ from one another in at least one of the operating parameters.

Dieses Wiederholen erfolgt nach einem Abfrageschritt 27, bei dem überprüft wird, ob bereits der gesamte mehrdimensionale Betriebsparameter-Raum, der von den Betriebsparametern U, P und ggf. von weiteren Betriebsparametern aufgespannt wird, bei der vorhergehenden Sequenz der Schritte 22 bis 25 abgeprüft wurde. Nur solange dies nicht der Fall (Abfrageergebnis „N“, also „nein“) ist, werden die Schritte 22 bis 25 wiederholt. Wenn die Abfrage „Betriebsparameter-Raum abgeprüft?“ im Abfrageschritt 27 das Ergebnis „J“, also „ja“ ergibt, erfolgt ein nachfolgender Analyseschritt 28. In diesem werden die abgelegten Datensätze (IIST i, Ui, Pi) für alle durchgeführten Schrittfolgen der Schritte 22 bis 25, also für I = 1...M analysiert und es wird ein Ziel-Betriebszustand mit einem Wertepaar UT, PT) ermittelt, bei dem die Ist-Nutzlicht-Intensität IIST innerhalb vorgegebener Toleranzwerte ΔI mit einer Soll-Nutzlicht-Intensität ISOLL überstimmt, bei dem also gilt: |IIST - ISOLL | ≤ ΔI. Bei der Analyse und der Ermittlung wird ein Optimierungsverfahren eingesetzt. Entsprechende Optimierungsverfahren sind grundsätzlich aus dem Stand der Technik bekannt. Im Analyseschritt 28 kann alternativ auch überprüft werden, ob die Ist-Nutzlicht-Intensität IIST größer ist als ein unterer Grenzwert einer Soll-Nutzlicht-Intensität ISOLL Auch Stabilitätskriterien hinsichtlich einer Puls-zu-Puls-Stabilität einer dann gepulst betriebenen EUV-Strahlungsquelle und/oder eine Richtungsstabilität der EUV-Strahlungsquelle können beim Analyseschritt 28 berücksichtigt werden, wie zum Teil nachfolgend noch erläutert wird. Anschließend wird in einem Ziel-Betriebsschritt 29 die EUV-Strahlungsquelle 1 im Ziel-Betriebszustand betrieben.This repetition takes place after a query step 27, in which it is checked whether the entire multi-dimensional operating parameter space, which is spanned by the operating parameters U, P and possibly other operating parameters, has already been checked in the previous sequence of steps 22 to 25. Steps 22 to 25 are repeated only as long as this is not the case (query result “N”, i.e. “no”). If the query “Operating parameter space checked?” in query step 27 yields the result “Y”, i.e. “yes , a subsequent analysis step 28 takes place. In this step, the stored data sets (I IST i , U i , P i ) are analyzed for all step sequences carried out in steps 22 to 25, i.e. for I = 1 sity I IST is overruled within predetermined tolerance values ΔI with a target useful light intensity I SOLL , for which the following therefore applies: | I ACTUAL -I SOLL | ≤ ΔI. An optimization method is used for the analysis and determination. Corresponding optimization methods are basically known from the prior art. Alternatively, in analysis step 28 it can also be checked whether the actual useful light intensity I IST is greater than a lower limit value of a target useful light intensity I SOLL Stability criteria with regard to pulse-to-pulse stability of an EUV radiation source then operated in a pulsed manner and/or directional stability of the EUV radiation source can also be taken into account in analysis step 28, as will be explained in part below. Subsequently, in a target operating step 29, the EUV radiation source 1 is operated in the target operating state.

Dieses Betriebsverfahren kann auch mit mehr als zwei Betriebsparametern durchgeführt werden. Anstelle von Betriebsparameter-Paaren werden dann Betriebsparameter-Tupel ausgewählt, abgelegt und entsprechende diese Betriebsparameter-Tupel enthaltende Datensätze analysiert.This operating method can also be carried out with more than two operating parameters. Instead of operating parameter pairs, operating parameter tuples are then selected and stored, and corresponding data records containing these operating parameter tuples are analyzed.

Ein Mess-Zeitraum, während dem der Messschritt 24 durchgeführt wird, kann über die Steuer/Regeleinrichtung 20 einstellbar vorgegeben werden. Auch die Betriebsparameter-Bereiche im Vorgabeschritt 21 können über die Steuer/Regeleinrichtung 20 einstellbar vorgegeben werden. Soweit zwei Betriebsparameter vorgegeben und ausgewählt werden, können beispielsweise 15 Betriebsparameter-Paare im Rahmen der Schritte 22 bis 25 abgearbeitet werden.A measuring time period during which the measuring step 24 is carried out can be set via the control/regulating device 20 in an adjustable manner. The operating parameter ranges in specification step 21 can also be specified via the control/regulating device 20 in an adjustable manner. If two operating parameters are specified and selected, 15 pairs of operating parameters can be processed within the scope of steps 22 to 25, for example.

Über einen Machine-Learning-Prozess, der entweder in der Steuer/Regeleinrichtung 20 oder in einer separaten Datenverarbeitungseinheit, insbesondere enthaltend ein neuronales Netzwerk, durchgeführt wird, kann ein zur Verfügung stehender Betriebsparameter-Raum anhand bereits erfolgter Messungen zur Beschleunigung des Verfahrens eingeengt werden.Using a machine learning process, which is carried out either in the control/regulating device 20 or in a separate data processing unit, in particular containing a neural network, an available operating parameter space can be narrowed down using measurements that have already taken place in order to accelerate the method.

Innerhalb des Messschritts 24 kann zusätzlich zur Nutzlichtintensität IIST auch eine Ist-Richtungsstabilität RIST des Nutzlicht-Ausgabestrahls erfasst werden, die die EUV-Strahlungsquelle 1 in dem jeweiligen, das ausgewählte Betriebsparameter-Paar (Ui, Pi) aufweisende Betriebszustand aufweist. In diesem Fall wird auch die gemessene Ist-Richtungsstabilität RIST im Datensatz abgelegt und beim Analysieren der Datensätze und dem Ermitteln des Betriebszustandes wird auch eine Übereinstimmung der Ist-Richtungsstabilität RIST innerhalb vorgegebener Toleranzschwelle ΔR mit einer Soll-Richtungsstabilität RSOLL überprüft. Die Ist-Richtungsstabilität RIST kann mithilfe eines positionssensitiven Detektors 30 überprüft werden, der in der 1 schematisch im Wartungsbereich 14 dargestellt ist. Die Berücksichtigung mehrerer Performancegrößen, z. B. „Intensität“ und „Richtungsstabilität“ bei der Optimierung kann durch Vorgabe einer diese Performancegrößen enthaltenden Meritfunktion bei der Optimierung erfolgen.Within the measuring step 24, in addition to the useful light intensity I IST , an actual directional stability R IST of the useful light output beam can also be detected, which the EUV radiation source 1 has in the respective operating state having the selected pair of operating parameters (U i , P i ). points. In this case, the measured actual directional stability R IST is also stored in the data set and when the data sets are analyzed and the operating state is determined, a match between the actual directional stability R ACT within a specified tolerance threshold ΔR and a target directional stability R SOLL is also checked. The actual directional stability R IST can be checked using a position-sensitive detector 30, which is shown in FIG 1 is shown schematically in the maintenance area 14 . The consideration of several performance variables, e.g. B. "Intensity" and "directional stability" in the optimization can be done by specifying a merit function containing these performance variables in the optimization.

Im Rahmen des Auswahlschritts 22 können die Betriebsparameter-Paare statistisch innerhalb der vorgegebenen Betriebsparameter-Bereichs ausgewählt werden. Zufällig gleiche Betriebsparameter-Paare können verworfen werden, damit die Schrittsequenz 22 bis 25 ausschließlich mit unterschiedlichen Betriebsparameter-Paaren durchgeführt wird.As part of the selection step 22, the pairs of operating parameters can be selected statistically within the specified operating parameter range. Pairs of operating parameters that happen to be the same can be discarded so that the step sequence 22 to 25 is carried out exclusively with pairs of different operating parameters.

Bei einem alternativen Betriebsverfahren können die Betriebsparameter-Paare im Auswahlschritt 22 durch systematisches Abrastern der vorgegebenen Betriebsparameter-Bereiche ausgewählt werden, sodass der entsprechende Betriebsparameter-Raum also beispielsweise zeilen- und spaltenweise abgerastert wird. Eine Schrittweite der jeweiligen Rasterung kann einstellbar vorgegeben werden.In an alternative operating method, the pairs of operating parameters can be selected in the selection step 22 by systematically scanning the specified operating parameter ranges, so that the corresponding operating parameter space is scanned in rows and columns, for example. An increment of the respective grid can be specified in an adjustable manner.

Abhängig vom Ergebnis des Analyseschritts 28 kann im Rahmen des Betriebsverfahrens ein Wechsel des Einsatzes 11 und/oder 8 initiiert werden. Dies erfolgt insbesondere dann, wenn sich im Analyseschritt 28 ergibt, dass kein Datensatz vorliegt, bei dem die Ist-Nutzlicht-Intensität IIST innerhalb der vorgegebenen Toleranzwerte ΔI mit der Soll-Nutzlicht-Intensität ISOLL übereinstimmt.Depending on the result of analysis step 28, a change of insert 11 and/or 8 can be initiated as part of the operating method. This occurs in particular when it is found in analysis step 28 that there is no data set in which the actual useful light intensity I IST matches the target useful light intensity I SOLL within the specified tolerance values ΔI.

Das vorstehend erläuterte Betriebsverfahren kann insbesondere dann zum Einsatz kommen, sobald in einem Nutzbetrieb der EUV-Strahlungsquelle die Ist-Nutzlicht-Intensität IIST um mehr als ein Betriebs-Toleranzwert ΔIBETRIEB von der Soll-Nutzlicht-Intensität ISOLL abweicht. Der Betriebs-Toleranzwert kann sich vom Toleranzwert ΔI, der im Rahmen des obigen Betriebs/Analyseverfahrens herangezogen wurde, unterscheiden. Insbesondere kann der Betriebs-Toleranzwert ΔIBETRIEB größer sein als der Toleranzwert ΔI, der im Analyseschritt 28 zum Einsatz kommt. Der Betriebs-Toleranzwert ΔIBETRIEB kann beispielsweise doppelt so groß sein wie der Toleranzwert ΔI, der beim Analyseschritt 28 zum Einsatz kommt.The operating method explained above can be used in particular as soon as the actual useful light intensity I IST deviates from the target useful light intensity I SOLL by more than an operating tolerance value ΔI OPERATION during useful operation of the EUV radiation source. The operating tolerance value may differ from the tolerance value ΔI used in the above operating/analysis procedure. In particular, the operating tolerance value ΔI OPERATION can be greater than the tolerance value ΔI that is used in the analysis step 28 . The operating tolerance value ΔI OPERATION can, for example, be twice the tolerance value ΔI used in the analysis step 28 .

Im Rahmen des Auswahlschritts 22 kann auf bereits abgelegte Datensätze zurückgegriffen werden. Es kann sich dabei um Datensätze handeln, die beim Betreiben des gleichen Einsatzes 8 bzw. 11 gewonnen wurden oder um das Datensätze zu früher verwendeten Einsätzen 8, 11.As part of the selection step 22, data sets that have already been stored can be accessed. These can be data sets that were obtained when operating the same operation 8 or 11 or data sets for previously used operations 8, 11.

Ein Rückgriff auf bereits abgelegte Datensätze beim Auswahlschritt 22 bzw. der Einsatz eines Machine-Learning im Zusammenhang mit dem Analyseschritt 28 kann ein schnelleres Finden eines Ziel-Betriebstandes ermöglichen.Recourse to data sets that have already been stored in the selection step 22 or the use of machine learning in connection with the analysis step 28 can enable a target operating status to be found more quickly.

Zu Beginn des Messschritts 24 können Betriebsparameter-Paare verworfen werden, wenn sich zu Beginn des Messschritts 24 ergibt, dass in diesem Betriebszustand eine Ist-Performance PFIST von einer Soll-Performance PFSOLL um mehr als einen vorgegebenen Skip-Performance-Grenzwert ΔPF unterscheidet. Falls beispielsweise eine Richtungsstabilität RIST intolerabel ist, muss mit einem entsprechenden Betriebsparameter-Paar keine vollständige Messung innerhalb des Messschritts 24 durchgeführt werden, sondern dieses Betriebsparameter-Paar kann schnell verworfen (geskippt) werden.At the beginning of measurement step 24, pairs of operating parameters can be discarded if it is found at the beginning of measurement step 24 that in this operating state an actual performance PF ACTUAL differs from a target performance PF SOLL by more than a predefined skip performance limit value ΔPF. If, for example, a directional stability R IST is intolerable, a complete measurement does not have to be carried out within the measuring step 24 with a corresponding pair of operating parameters, but this pair of operating parameters can be quickly discarded (skipped).

Claims (13)

Verfahren zum Ziel-Betreiben einer EUV-Strahlungsquelle (1), welche aufweist: - eine Quellkammer (2) mit einem Durchtrittskanal (10) in einer Kammeröffnung (7), - einen Einsatz (8, 11), der in dem Durchtrittskanal (10) angeordnet ist, - eine Steuer/Regeleinrichtung (20), mit folgenden Schritten: - Vorgeben (21) eines ersten Betriebsparameter-Bereiches (Umin, Umax) für einen ersten Betriebsparameter (U) und eines zweiten Betriebsparameter-Bereiches (Pmin, Pmax) für einen zweiten Betriebsparameter (P) zum Betreiben der EUV-Strahlungsquelle (1), - Auswählen (22) eines Betriebsparameter-Paares (U;, P;) aus einem ersten Betriebsparameter (Ui) innerhalb des ersten Betriebsparameter-Bereiches (Umin, Umax) und aus einem zweiten Betriebsparameter (Pi) innerhalb des zweiten Betriebsparameter-Bereiches (Pmin, Pmax), - Betreiben (23) der EUV-Strahlungsquelle (1) mit dem ausgewählten Betriebsparameter-Paar (Ui, Pi), - Messen (24) einer Ist-Nutzlicht-Intensität (IIST) der EUV-Strahlungsquelle (1) in diesen, das ausgewählte Betriebsparameter-Paar (Ui, Pi) aufweisenden Betriebszustand der EUV-Strahlungsquelle (1) während eines vorgegebenen Mess-Zeitraums, - Ablegen (25) eines Datensatzes, in dem die gemessene Ist-Nutzlicht-Intensität (IIST i) und das Betriebsparameter-Paar (Ui, Pi) des aktuellen Betriebszustandes enthalten sind, in einem Speicher (26) der Steuer/Regeleinrichtung (20), - Wiederholen der Schritte „Auswählen (22) eines Betriebsparameter-Paares“, „Betreiben (23)“, „Messen (24)“ und „Ablegen (25)“ für weitere Betriebsparameter-Paare (Uj, Pj) innerhalb der vorgegebenen Betriebsparameter-Bereiche (Umin, Umax; Pmin, Pmax), wobei sich die Betriebsparameter-Paare (U;, P;; Uj, Pj) jeweils voneinander unterscheiden, - Analysieren (28) der abgelegten Datensätze und Ermitteln eines Ziel-Betriebszustandes, bei dem die Ist-Nutzlicht-Intensität (IIST) innerhalb vorgegebener Toleranzwerte (ΔI) mit einer Soll-Nutzlicht-Intensität (ISOLL) übereinstimmt, - Ziel-Betreiben der EUV-Lichtquelle (1) im Ziel-Betriebszustand, - wobei abhängig von einem Ergebnis des Analyseschritts (28) ein Wechsel des Einsatzes (8, 11) initiiert wird.Verfahren zum Ziel-Betreiben einer EUV-Strahlungsquelle (1), welche aufweist: - eine Quellkammer (2) mit einem Durchtrittskanal (10) in einer Kammeröffnung (7), - einen Einsatz (8, 11), der in dem Durchtrittskanal (10) angeordnet ist, - eine Steuer/Regeleinrichtung (20), mit folgenden Schritten: - Vorgeben (21) eines ersten Betriebsparameter-Bereiches (U min , U max ) für einen ersten Betriebsparameter (U) und eines zweiten Betriebsparameter-Bereiches (P min , P max ) für einen zweiten Betriebsparameter (P) zum Betreiben der EUV-Strahlungsquelle (1), - Auswählen (22) eines Betriebsparameter-Paares (U;, P;) aus einem ersten Betriebsparameter (U i ) innerhalb des ersten Betriebsparameter-Bereiches (U min , U max ) und aus einem zweiten Betriebsparameter (P i ) innerhalb des zweiten Betriebsparameter-Bereiches (P min , Pmax), - Betreiben (23) der EUV-Strahlungsquelle (1) mit dem ausgewählten Betriebsparameter-Paar (U i , P i ), - Messen (24) einer Ist-Nutzlicht-Intensität (I IST ) der EUV-Strahlungsquelle (1) in diesen, das ausgewählte Betriebsparameter-Paar (U i , P i ) aufweisenden Betriebszustand der EUV-Strahlungsquelle (1) während eines vorgegebenen Mess-Zeitraums, - Ablegen (25) eines Datensatzes, in dem die gemessene Ist-Nutzlicht-Intensität (I IST i ) und das Betriebsparameter-Paar (U i , P i ) des aktuellen Betriebszustandes enthalten sind, in einem Speicher (26) der Steuer/Regeleinrichtung (20), - Wiederholen der Schritte „Auswählen (22) eines Operating parameter pairs”, “operating (23)”, “measuring (24)” and “storing (25)” for further operating parameter pairs (U j , P j ) within the specified operating parameter ranges (U min , U max ; P min , P max ), with the operating parameter pairs (U;, P;; U j , P j ) differing from each other, - analyzing (28) the stored data sets and determining a target operating state , in which the actual useful light intensity (I IST ) matches a target useful light intensity (I SOLL ) within predetermined tolerance values (ΔI), - target operation of the EUV light source (1) in the target operating state, - a change of insert (8, 11) being initiated depending on a result of the analysis step (28). Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass beim Messen (24) zusätzlich zur Ist-Nutzlicht-Intensität (IIST) auch eine Ist-Richtungsstabilität (RIST) eines Nutzlicht-Ausgabestrahls erfasst wird, die die EUV-Strahlungsquelle (1) in diesen, das ausgewählte Betriebsparameter-Paar (Ui, Pi) aufweisenden Betriebszustand der EUV-Strahlungsquelle (1) aufweist, wobei dann auch die gemessene Ist-Richtungsstabilität (RIST) im Datensatz abgelegt wird (25) und wobei beim Analysieren (28) der Datensätze und dem Ermitteln des Betriebszustandes auch eine Übereinstimmung der Ist-Richtungsstabilität (RIST) innerhalb vorgegebener Toleranzwerte (ΔR) mit einer Soll-Richtungsstabilität (RSOLL) überprüft wird.procedure after claim 1 , characterized in that during measurement (24) in addition to the actual useful light intensity (I IST ) an actual directional stability (R IST ) of a useful light output beam is also detected, which the EUV radiation source (1) has in this operating state of the EUV radiation source (1) having the selected pair of operating parameters (U i , P i ), the measured actual directional stability (R IST ) then also being stored in the data set ( 25) and when analyzing (28) the data sets and determining the operating state, a match between the actual directional stability (R IST ) and a target directional stability (R SOLL ) is checked within specified tolerance values ( ΔR ). Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Betriebsparameter-Paare (Ui, Pi) statistisch innerhalb der vorgegebenen Betriebsparameter-Bereiche ausgewählt werden, wobei zufällig gleiche Betriebsparameter-Paare verworfen werden.procedure after claim 1 or 2 , characterized in that the pairs of operating parameters (U i , P i ) are selected statistically within the predetermined operating parameter ranges, randomly identical pairs of operating parameters being discarded. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Betriebsparameter-Paare (Ui, Pi) durch systematisches Abrastern der vorgegebenen Betriebsparameter-Bereiche ausgewählt werden.procedure after claim 1 or 2 , characterized in that the operating parameter pairs (U i , P i ) are selected by systematic scanning of the specified operating parameter ranges. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der EUV-Strahlungsquelle (1) um eine Plasmaquelle handelt, wobei es sich bei einem der Betriebsparameter um eine Spannung (U) handelt, die über eine Spannungsquelle (18) der EUV-Strahlungsquelle (1) zum Erzeugen des Plasmas angelegt wird.Procedure according to one of Claims 1 until 4 , characterized in that the EUV radiation source (1) is a plasma source, one of the operating parameters being a voltage (U) which is applied via a voltage source (18) of the EUV radiation source (1) to generate the plasma. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die EUV-Strahlungsquelle (1) eine Vorgabeeinrichtung (19) für einen Druck (P) innerhalb der Quellkammer (2) aufweist, wobei es sich bei einem der Betriebsparameter um den Druck (P) innerhalb der Quellkammer (2) handelt.Procedure according to one of Claims 1 until 5 , characterized in that the EUV radiation source (1) has a setting device (19) for a pressure (P) inside the source chamber (2), one of the operating parameters being the pressure (P) inside the source chamber (2). Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass es im Nutzbetrieb der EUV-Strahlungsquelle (1) zum Einsatz kommt, sobald die Ist-Nutzlicht-Intensität (IIST) um mehr als einen Betriebs-Toleranzwert (ΔIBETREB) von einer Soll-Nutzlicht-Intensität (ISOLL) abweicht.Procedure according to one of Claims 1 until 6 , characterized in that it is used during useful operation of the EUV radiation source (1) as soon as the actual useful light intensity (I IST ) deviates from a target useful light intensity (I SOLL ) by more than an operating tolerance value (ΔI OPERATION ). Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Betriebs-Toleranzwert (ΔIBETREB) größer ist als ein beim Analysieren (28) der abgelegten Datensätze und Ermitteln des Ziel-Betriebszustandes verwendeter Toleranzwert.procedure after claim 7 , characterized in that the operating tolerance value (ΔI OPERATING ) is greater than a tolerance value used when analyzing (28) the stored data sets and determining the target operating state. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass im Rahmen des Auswahlschritts (22) auf bereits abgelegte Datensätze zurückgegriffen wird.Procedure according to one of Claims 1 until 8th , characterized in that as part of the selection step (22) already stored data sets are accessed. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass Betriebsparameter-Paare (Ui, Pi) zu Beginn des Messschritts (24) verworfen werden, wenn sich zu Beginn des Messens ergibt, dass in diesem Betriebszustand eine Ist-Performance (PF) sich von einer Soll-Performance (PFSOLL) um mehr als einen vorgegebenen Skip-Grenzwert (ΔPF) unterscheidet.Procedure according to one of Claims 1 until 9 , characterized in that pairs of operating parameters (U i , P i ) are discarded at the beginning of the measuring step (24) if it is found at the beginning of the measurement that in this operating state an actual performance (PF) differs from a target performance (PF SOLL ) by more than a predetermined skip limit value (ΔPF). EUV-Strahlungsquelle (1), optimiert über ein Betriebsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10.EUV radiation source (1), optimized using an operating method according to one of Claims 1 until 10 . Projektionsbelichtungsanlage mit einer Strahlungsquelle nach Anspruch 11.Projection exposure system with a radiation source claim 11 . Metrologiesystem mit einer Strahlungsquelle nach Anspruch 11.Metrology system with a radiation source claim 11 .
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8227777B2 (en) 2004-12-04 2012-07-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and apparatus for operating an electrical discharge device
US20120193547A1 (en) 2006-12-22 2012-08-02 Hansson Bjorn A M Laser produced plasma euv light source
WO2015124515A1 (en) 2014-02-21 2015-08-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit for projection lithography
US20170131528A1 (en) 2014-07-22 2017-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit for a metrology system for examining a lithography mask
US20170192361A1 (en) 2009-01-29 2017-07-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system for microlithography
DE102017212352A1 (en) 2017-07-19 2018-07-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Cleaning module and method for in situ cleaning of a source chamber of an EUV radiation source, radiation source module and illumination system for a projection exposure apparatus and projection exposure apparatus
US10039177B2 (en) 2016-07-27 2018-07-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Source hollow body and EUV plasma light source comprising such a source hollow body
DE102019206651A1 (en) 2019-05-08 2020-11-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for three-dimensional determination of an aerial image of a lithography mask

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8227777B2 (en) 2004-12-04 2012-07-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and apparatus for operating an electrical discharge device
US20120193547A1 (en) 2006-12-22 2012-08-02 Hansson Bjorn A M Laser produced plasma euv light source
US20170192361A1 (en) 2009-01-29 2017-07-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system for microlithography
WO2015124515A1 (en) 2014-02-21 2015-08-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit for projection lithography
US20170131528A1 (en) 2014-07-22 2017-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit for a metrology system for examining a lithography mask
US10039177B2 (en) 2016-07-27 2018-07-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Source hollow body and EUV plasma light source comprising such a source hollow body
DE102017212352A1 (en) 2017-07-19 2018-07-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Cleaning module and method for in situ cleaning of a source chamber of an EUV radiation source, radiation source module and illumination system for a projection exposure apparatus and projection exposure apparatus
DE102019206651A1 (en) 2019-05-08 2020-11-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for three-dimensional determination of an aerial image of a lithography mask

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