DE102017212352A1 - Cleaning module and method for in situ cleaning of a source chamber of an EUV radiation source, radiation source module and illumination system for a projection exposure apparatus and projection exposure apparatus - Google Patents

Cleaning module and method for in situ cleaning of a source chamber of an EUV radiation source, radiation source module and illumination system for a projection exposure apparatus and projection exposure apparatus Download PDF

Info

Publication number
DE102017212352A1
DE102017212352A1 DE102017212352.4A DE102017212352A DE102017212352A1 DE 102017212352 A1 DE102017212352 A1 DE 102017212352A1 DE 102017212352 A DE102017212352 A DE 102017212352A DE 102017212352 A1 DE102017212352 A1 DE 102017212352A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
cleaning
source chamber
source
chamber
projection exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102017212352.4A
Other languages
German (de)
Inventor
Thomas Petasch
Denitsa Nikolova
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE102017212352.4A priority Critical patent/DE102017212352A1/en
Publication of DE102017212352A1 publication Critical patent/DE102017212352A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/08Cleaning containers, e.g. tanks
    • B08B9/087Cleaning containers, e.g. tanks by methods involving the use of tools, e.g. brushes, scrapers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

Ein Reinigungsmodul (236) zur in situ Reinigung einer Quellkammer (216, 217) einer EUV-Strahlungsquelle (215) eines Beleuchtungssystems (101) für eine Projektionsbelichtungsanlage umfasst eine Zuführvorrichtung (238) zur Einbringung mindestens eines Reinigungsmittels (240) in die Quellkammer (216, 217), eine Bewegungsvorrichtung (241) zur Bewegung des Reinigungsmittels (240) relativ zu der Quellkammer (216, 217) und eine Entfernungseinrichtung (241) zur Entfernung des Reinigungsmittels (240) und/oder von durch die Einwirkung des Reinigungsmittels (240) abgelösten Verunreinigungen aus der Quellkammer (216, 217). Die Zuführungsvorrichtung (238) und die Entfernungseinrichtung (241) sind in situ an die Quellkammer (216, 217) ankoppelbar. Dies gewährleistet eine mechanische Reinigung der Quellkammer, ohne dass diese aus dem Beleuchtungssystem (101) ausgebaut und/oder in ihre Komponenten zerlegt werden muss.

Figure DE102017212352A1_0000
A cleaning module (236) for in situ cleaning of a source chamber (216, 217) of an EUV radiation source (215) of a lighting system (101) for a projection exposure apparatus comprises a feed device (238) for introducing at least one cleaning agent (240) into the source chamber (216 , 217), a movement device (241) for moving the cleaning agent (240) relative to the source chamber (216, 217) and a removal device (241) for removing the cleaning agent (240) and / or from the action of the cleaning agent (240). detached impurities from the source chamber (216, 217). The delivery device (238) and the removal device (241) can be coupled in situ to the source chamber (216, 217). This ensures a mechanical cleaning of the source chamber without having to remove it from the lighting system (101) and / or disassemble it into its components.
Figure DE102017212352A1_0000

Description

Die Erfindung betrifft ein Reinigungsmodul und ein Verfahren zur in situ Reinigung einer Quellkammer einer EUV-Strahlungsquelle eines Beleuchtungssystems für eine Projektionsbelichtungsanlage. Das Reinigungsmodul und das Verfahren ermöglichen insbesondere eine mechanische, abrasive Reinigung der Quellkammer. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Strahlungsquellen-Modul und ein Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage sowie eine Projektionsbelichtungsanlage.The invention relates to a cleaning module and a method for in situ cleaning of a source chamber of an EUV radiation source of a lighting system for a projection exposure apparatus. The cleaning module and the method allow, in particular, a mechanical, abrasive cleaning of the source chamber. Furthermore, the invention relates to a radiation source module and a lighting system for a projection exposure apparatus and a projection exposure apparatus.

In einer EUV-Strahlungsquelle kann Nutzstrahlung im EUV-Bereich dadurch erzeugt werden, dass in einer Quellkammer der EUV-Strahlungsquelle ein Quell-Plasma gezündet wird. Die US 2011/0089834 A1 beschreibt eine Ausführung einer EUV-Strahlungsquelle mit einer Elektroden-Plasma-Erzeugungseinrichtung.In an EUV radiation source, useful radiation in the EUV range can be generated by igniting a source plasma in a source chamber of the EUV radiation source. The US 2011/0089834 A1 describes an embodiment of an EUV radiation source with an electrode plasma generating device.

EUV-Strahlungsquellen finden in Beleuchtungssystemen für Projektionsbelichtungsanlagen Verwendung. Die Projektionsbelichtungsanlagen werden in der EUV-Lithographie verwendet. Hierzu wird in dem die EUV-Strahlungsquelle und eine Beleuchtungsoptik umfassenden Beleuchtungssystem eine Nutzstrahlung erzeugt, um damit eine Maske zur Herstellung eines Halbleiterbauteils, insbesondere eines Mikrochips, abzubilden. Eine beispielhafte Projektionsbelichtungsanlage ist aus der WO 2009/100856 A1 bekannt.EUV radiation sources are used in illumination systems for projection exposure systems. The projection exposure equipment is used in EUV lithography. For this purpose, useful radiation is generated in the illumination system comprising the EUV radiation source and an illumination optical system in order to image a mask for producing a semiconductor component, in particular a microchip. An exemplary projection exposure apparatus is from the WO 2009/100856 A1 known.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die praktische Nutzbarkeit und den Durchsatz einer Projektionsbelichtungsanlage zu verbessern.It is an object of the present invention to improve the practical usability and throughput of a projection exposure apparatus.

Diese Aufgabe ist gelöst durch ein Reinigungsmodul zur in situ Reinigung einer Quellkammer einer EUV-Strahlungsquelle eines Beleuchtungssystems für eine Projektionsbelichtungsanlage mit den im Anspruch 1 genannten Merkmalen.This object is achieved by a cleaning module for in situ cleaning a source chamber of an EUV radiation source of a lighting system for a projection exposure apparatus with the features mentioned in claim 1.

Erfmdungsgemäß wurde erkannt, dass die Betriebsdauer und Präzision einer EUV-Strahlungsquelle aufgrund von Verunreinigungen einer Quellkammer der EUV-Strahlungsquelle beschränkt ist. Die Verunreinigung tritt aufgrund einer Debris-Bildung, die insbesondere auf Sputter-Effekte in der Quellkammer zurückzuführen ist, auf. Die Verunreinigung liegt insbesondere in Form einer Kontaminationsschicht an einer die Quellkammer begrenzenden Kammerwand vor. Die Kontaminationsschicht wächst proportional zu der Anzahl der Betriebsstunden der EUV-Strahlungsquelle. Die Verunreinigungen stellen ein erhebliches Funktionsrisiko und Ausfallsrisiko für die EUV-Strahlungsquelle, das Beleuchtungssystem und die gesamte Projektionsbelichtungsanlage dar.According to the invention, it has been recognized that the service life and precision of an EUV radiation source is limited due to contamination of a source chamber of the EUV radiation source. The contamination occurs due to debris formation due in particular to sputtering effects in the source chamber. The contamination is present in particular in the form of a contamination layer on a chamber wall delimiting the source chamber. The contamination layer grows in proportion to the number of operating hours of the EUV radiation source. The contaminants represent a significant functional risk and failure risk for the EUV radiation source, the illumination system and the entire projection exposure apparatus.

Der Kern der Erfindung besteht darin, ein Reinigungsmodul mit einer Zuführvorrichtung zur Einbringung mindestens eines Reinigungsmittels in die Quellkammer und einer Entfernungseinrichtung zur Entfernung des Reinigungsmittels und/oder von durch die Einwirkung des Reinigungsmittels abgelösten Verunreinigungen aus der Quellkammer auszubilden, wobei die Zuführvorrichtung und die Entfernungseinrichtung in situ an die Quellkammer ankoppelbar sind.The gist of the invention is to provide a cleaning module with a feeding device for introducing at least one cleaning agent into the source chamber and a removal device for removing the cleaning agent and / or contaminants detached from the source chamber by the action of the cleaning agent, wherein the feeding device and the removal device in FIG situ can be coupled to the source chamber.

Allgemein schafft das Reinigungsmodul die Möglichkeit einer Reinigung der Quellkammer in situ, wodurch die Ausfallzeit der EUV-Strahlungsquelle vermindert wird. Außerdem wird das Kontaminationsrisiko der Beleuchtungsoptik verringert. Dies erhöht die Zuverlässigkeit der EUV-Strahlungsquelle, des Beleuchtungssystems und der Projektionsbelichtungsanlage.Generally, the cleaning module provides the ability to clean the source chamber in situ, thereby reducing the downtime of the EUV radiation source. In addition, the risk of contamination of the illumination optics is reduced. This increases the reliability of the EUV radiation source, the illumination system and the projection exposure apparatus.

In situ Reinigung bedeutet, dass die EUV-Strahlungsquelle zur Reinigung nicht aus dem Beleuchtungssystem für die Projektionsbelichtungsanlage entnommen und/ oder in Einzelteile zerlegt werden muss. Dies vereinfacht die Reinigung erheblich. Die Reinigung der Quellkammer kann insbesondere in einem evakuierten Beleuchtungssystem erfolgen. Dies hat den Vorteil, dass eine Verunreinigung des Beleuchtungssystems bei der Entnahme der EUV-Strahlungsquelle verhindert wird. Darüber hinaus ist eine Wiederevakuierung des Beleuchtungssystems nach der Reinigung der Quellkammer nicht vonnöten. Der Zeitaufwand für die Reinigung ist verringert, wodurch insbesondere der Durchsatz von mit der Projektionsbelichtungsanlage hergestellten Halbleiterbauteilen, insbesondere von Mikrochips, erhöht ist. Hierdurch ist das von der Projektionsbelichtungsanlage durchgeführte Herstellungsverfahren für die Halbleiterbauteile effizient und kostengünstig durchführbar. Auch die Qualität der hergestellten Halbleiterbauteile ist bei regelmäßiger Reinigung verbessert.In situ cleaning means that the EUV radiation source does not have to be removed from the illumination system for the projection exposure system and / or disassembled into individual parts for cleaning. This simplifies the cleaning considerably. The cleaning of the source chamber can be done in particular in an evacuated lighting system. This has the advantage that contamination of the lighting system is prevented when removing the EUV radiation source. In addition, a re-evacuation of the illumination system after cleaning the source chamber is not necessary. The time required for cleaning is reduced, which in particular increases the throughput of semiconductor components produced by the projection exposure apparatus, in particular of microchips. As a result, the manufacturing process for the semiconductor components carried out by the projection exposure apparatus can be carried out efficiently and inexpensively. The quality of the semiconductor devices produced is also improved with regular cleaning.

Die Zuführvorrichtung und/oder die Entfernungseinrichtung können reversibel an die Quellkammer ankoppelbar sein. Sie können auch fix mit der Quellkammer verbunden sein. Besonders bevorzugt sind die Zuführvorrichtung und/oder die Entfernungseinrichtung vakuumdicht an die Quellkammer ankoppelbar.The delivery device and / or the removal device can be reversibly coupled to the source chamber. They can also be fixed to the source chamber. Particularly preferably, the supply device and / or the removal device can be coupled to the source chamber in a vacuum-tight manner.

Zur in situ Reinigung der Quellkammer ist mindestens ein Reinigungsmittel mittels der Zuführvorrichtung in die Quellkammer der EUV-Strahlungsquelle einbringbar. Zudem umfasst das Reinigungsmodul eine Bewegungsvorrichtung zur Bewegung des Reinigungsmittels relativ zu der Quellkammer. Die Relativbewegung des Reinigungsmittels zur Quellkammer verursacht ein Abtragen von Verunreinigungen in der Quellkammer, insbesondere ein Ablösen der Kontaminationsschicht von der Kammerwand. Die Reinigung erfolgt mechanisch, insbesondere abrasiv. Dies hat den Vorteil, dass auch chemisch inerte Verunreinigungen abgetragen werden können.For in situ cleaning of the source chamber, at least one cleaning agent can be introduced by means of the feed device into the source chamber of the EUV radiation source. In addition, the cleaning module comprises a movement device for moving the cleaning agent relative to the source chamber. The relative movement of the cleaning agent to the source chamber causes a removal of impurities in the source chamber, in particular a Detaching the contamination layer from the chamber wall. The cleaning is done mechanically, especially abrasive. This has the advantage that even chemically inert impurities can be removed.

Das mindestens eine Reinigungsmittel kann fest, flüssig oder gasförmig sein. Es können auch Mischungen aus festen, flüssigen und gasförmigen Reinigungsmitteln vorgesehen sein. Feste Reinigungsmittel können beispielsweise Schleifkörper sein, etwa in Form eines Schleifgranulats, durch deren Relativbewegung zu der Quellkammer Verunreinigungen abgeschliffen werden können. Die Schleifkörper können auch mit einer Trägerflüssigkeit oder einem Trägergas zugeführt werden. Alternativ können feste Reinigungsmittel in Form einer Abtragungsvorrichtung, insbesondere einer einstückigen Abtragungsvorrichtung vorliegen. Derartige Abtragungsvorrichtungen können beispielsweise Bürsten und/oder Schaber sein, mit welchen Verunreinigungen von der Kammerwand der Quellkammer abgetragen werden können.The at least one cleaning agent may be solid, liquid or gaseous. Mixtures of solid, liquid and gaseous cleaning agents may also be provided. Solid cleaning agents may be, for example, abrasive particles, for example in the form of abrasive granules, by means of which relative movement to the source chamber can be abraded. The abrasive bodies can also be supplied with a carrier liquid or a carrier gas. Alternatively, solid cleaning agents in the form of a removal device, in particular a one-piece removal device may be present. Such ablation devices may be, for example, brushes and / or scrapers, with which impurities can be removed from the chamber wall of the source chamber.

Das Reinigungsmittel kann ein Strahlgut umfassen. Das Strahlgut kann beispielsweise Schleifkörper umfassen. Das Strahlgut kann derart gegenüber der Quellkammer bewegt werden, dass dieses mit hohem Impuls auf die Kammerwand der Quellkammer trifft und die daran befindliche Kontaminationsschicht abträgt, insbesondere abstrahlt. Insbesondere flüssige oder gasförmige Reinigungsmittel können chemische Verbindungen umfassen, welche zusätzlich zu der mechanischen, abrasiven Reinigung chemisch auf die Verunreinigung einwirken.The cleaning agent may comprise a blasting material. The blasting material may, for example, comprise abrasive particles. The blasting material can be moved relative to the source chamber in such a way that it impinges with high impulse on the chamber wall of the swelling chamber and ablates, in particular dissipates, the contamination layer located thereon. In particular, liquid or gaseous detergents may comprise chemical compounds which chemically act on the contaminant in addition to mechanical, abrasive cleaning.

Das Reinigungsmittel kann überdies Ionen- und/oder Elektronen, beispielsweise aus einem Reinigungsplasma, umfassen, um die Verunreinigungen abzusputtern. Das Absputtern mittels eines Reinigungsplasmas wird auch als Mikrosandstrahlen bezeichnet. Insbesondere bei der Verwendung eines Edelgases, aus welchem das Reinigungsplasma erzeugt wird, steht hierbei die abrasive Reinigung durch Absputtern im Vordergrund. Alternativ können auch ätzende Gase, wie beispielsweise eine Mischung aus Tetrafluormethan (CF4) und Sauerstoff (O2), verwendet werden, welche zusätzlich ein chemisches Ätzen der Verunreinigung bewirken.The cleaning agent may further comprise ions and / or electrons, for example from a cleaning plasma, to sputter off the contaminants. The sputtering by means of a cleaning plasma is also referred to as micro sandblasting. In particular, when using a noble gas, from which the cleaning plasma is generated, here is the abrasive cleaning by sputtering in the foreground. Alternatively, corrosive gases such as a mixture of tetrafluoromethane (CF 4 ) and oxygen (O 2 ) may also be used, which additionally cause chemical etching of the contaminant.

Bevorzugt ist vorgesehen, dass das Reinigungsmodul einen Behälter umfasst, welcher als Reservoir für das Reinigungsmittel dient. Die Zuführvorrichtung kann beispielsweise eine Zuführleitung umfassen, welche fest mit dem Behälter verbunden ist und an die Quellkammer ankoppelbar, insbesondere vakuumdicht ankoppelbar ist. Dies hat den Vorteil, dass das Reinigungsmittel von dem Behälter nur in die Quellkammer eingebracht wird und nicht in andere Bereiche des Beleuchtungssystems eindringt. Zur besseren Einbringung und Verteilung und/oder Bewegung des Reinigungsmittels in der Quellkammer kann auch vorgesehen sein, dass die Zuführvorrichtung oder Teile der Zuführvorrichtung in die Quellkammer einbringbar sind.It is preferably provided that the cleaning module comprises a container which serves as a reservoir for the cleaning agent. The supply device may comprise, for example, a supply line, which is firmly connected to the container and can be coupled to the source chamber, in particular vacuum-tight manner. This has the advantage that the cleaning agent is introduced from the container only in the source chamber and does not penetrate into other areas of the lighting system. For better introduction and distribution and / or movement of the cleaning agent in the source chamber can also be provided that the feeder or parts of the feeder can be introduced into the source chamber.

Reinigungsmittelkönnen auch über die Zuführvorrichtung von außerhalb der Projektionsbelichtungsanlage zugeführt werden. Die Zuführung kann beispielsweise über einen Wartungsbereich, welcher einen Zugang zu der Quellkammer in dem Beleuchtungssystem ermöglicht, erfolgen. Ein Nachfüllen eines integrierten Reinigungsmittelreservoirs ist in diesem Fall nicht vonnöten. Für den Fall, dass das Reinigungsmittel als Abtragungsvorrichtung ausgeführt ist, kann die Zuführvorrichtung insbesondere ein mechanisches Getriebe, beispielsweise in Form einer Welle und/oder einer Teleskopstange, umfassen.Detergents may also be supplied via the feeder from outside the projection exposure equipment. The supply can take place, for example, via a maintenance area which allows access to the source chamber in the lighting system. Refilling an integrated detergent reservoir is not necessary in this case. In the event that the cleaning agent is designed as a removal device, the supply device may in particular comprise a mechanical transmission, for example in the form of a shaft and / or a telescopic rod.

Die Kammerwand der Quellkammer kann aus Kupfer, insbesondere aus einer Kupferverbindung, insbesondere aus CDA-110, gefertigt sein. Die Kontaminationsschicht kann chemisch inert sein. Die Kontaminationsschicht kann insbesondere Siliciumcarbid (SiC) umfassen. Vorzugsweise erfolgt eine Reinigung derart, dass die chemisch inerte Kontaminationsschicht ohne Beschädigung der Kammerwand abgelöst wird. Zu diesem Zweck kann vorgesehen sein, das Reinigungsmittel an die Art und den Grad der Verunreinigung, insbesondere die Dicke der Kontaminationsschicht, anzupassen.The chamber wall of the source chamber can be made of copper, in particular of a copper compound, in particular of CDA-110. The contamination layer may be chemically inert. The contamination layer may in particular comprise silicon carbide (SiC). Preferably, a cleaning is carried out such that the chemically inert contamination layer is detached without damaging the chamber wall. For this purpose it can be provided to adapt the cleaning agent to the type and degree of contamination, in particular the thickness of the contamination layer.

Die Bewegungsvorrichtung kann einen Motor umfassen. Die Bewegungsvorrichtung kann mittels eines Getriebes mit dem Motor verbunden sein oder magnetisch angetrieben werden. Alternativ kann die Bewegungsvorrichtung auch eine Düse zur Erzeugung eines Fluidstroms, insbesondere eines Hochdruckfluidstroms umfassen. Der Fluidstrom kann beispielsweise ein Trägergas umfassen. Als Trägergas kann insbesondere Stickstoff verwendet werden. Die Bewegungsvorrichtung kann insbesondere an das Reinigungsmittel angepasst sein. Beispielsweise kann ein Schleifkörper umfassendes Strahlgut relativ zu der Quellkammer bewegt werden.The moving device may include a motor. The movement device can be connected to the motor by means of a gear or can be driven magnetically. Alternatively, the movement device may also include a nozzle for generating a fluid flow, in particular a high-pressure fluid flow. The fluid stream may comprise, for example, a carrier gas. Nitrogen can be used in particular as the carrier gas. The movement device can in particular be adapted to the cleaning agent. For example, an abrasive body comprising abrasive can be moved relative to the source chamber.

Es ist insbesondere möglich, dass die Bewegungsvorrichtung auch zum Einbringen des Reinigungsmittels in die Quellkammer genutzt werden kann. In diesem Fall können die Bewegungsvorrichtung und die Zuführvorrichtung die gleichen Komponenten umfassen. Dies vereinfacht die Konstruktion des Reinigungsmoduls. So kann das Reinigungsmittel beispielsweise mittels einer Düse in die Quellkammer eingestrahlt und somit relativ zu der Quellkammer bewegt werden.It is particularly possible that the movement device can also be used for introducing the cleaning agent into the source chamber. In this case, the moving device and the feeding device may comprise the same components. This simplifies the construction of the cleaning module. Thus, the cleaning agent can be irradiated, for example by means of a nozzle in the source chamber and thus moved relative to the source chamber.

Die Bewegungsvorrichtung kann in die Quellkammer integriert sein oder, zumindest in Teilen in die Quellkammer einbringbar sein. Hierdurch ist ein gezieltes Bewegen des Reinigungsmittels relativ zur Quellkammer verbessert.The movement device can be integrated into the source chamber or, at least in part, can be introduced into the source chamber. This is a targeted movement of the detergent relative to the source chamber improved.

Die Entfernungseinrichtung dient zum Entfernen des Reinigungsmittels und/oder von durch die Einwirkung des Reinigungsmittels abgelösten Verunreinigungen aus der Quellkammer. Dies kann beispielsweise über ein Absaugen oder Ausspülen der Quellkammer erfolgen. Um ein Verteilen von aus der Quellkammer entfernten Reinigungsmitteln und/oder Verunreinigungen in dem Beleuchtungssystem zu vermeiden, umfasst die Entfernungseinrichtung vorzugsweise einen Behälter zur Aufnahme des Reinigungsmittels und/oder der abgelösten Verunreinigungen. Dieser Behälter kann beispielsweise in eine Absaugvorrichtung integriert sein. Vorzugsweise ist der Behälter an die mindestens eine Öffnung der Quellkammer ankoppelbar, insbesondere vakuumdicht ankoppelbar. Hierdurch wird eine Kontamination des restlichen Beleuchtungssystems vermieden. Alternativ kann die Entfernungseinrichtung auch eine Abführleitung aus dem Beleuchtungssystem, insbesondere aus der Projektionsbelichtungsanlage aufweisen. Dies kann beispielsweise über einen Wartungsbereich erfolgen.The removal device serves for removing the cleaning agent and / or contaminants released from the source chamber by the action of the cleaning agent. This can be done for example by aspiration or rinsing the source chamber. In order to avoid distributing cleaning agents and / or contaminants removed from the source chamber in the illumination system, the removal device preferably comprises a container for receiving the cleaning agent and / or the detached contaminants. This container may for example be integrated into a suction device. Preferably, the container can be coupled to the at least one opening of the source chamber, in particular vacuum-tight coupled. As a result, contamination of the remaining lighting system is avoided. Alternatively, the removal device can also have a discharge line from the illumination system, in particular from the projection exposure system. This can be done for example via a maintenance area.

Um die in situ Reinigung der Quellkammer durch das Reinigungsmodul zu ermöglichen kann beispielsweise vorgesehen sein, dass an einer Öffnung der Quellkammer zunächst eine Zuführvorrichtung, dann eine Bewegungsvorrichtung und anschließend die Entfernungseinrichtung angekoppelt werden können. Alternativ ist auch möglich, die Reinigung über mehrere Öffnungen der Quellkammer erfolgen zu lassen. Hierfür können beispielsweise die Zuführvorrichtung, die Bewegungsvorrichtung und die Entfernungsvorrichtung an unterschiedliche Öffnungen der Quellkammer angekoppelt, insbesondere vakuumdicht angekoppelt werden. Für eine effektive Reinigung der Quellkammer ist es also vorteilhaft, wenn das Reinigungsmodul an die EUV-Strahlungsquelle, insbesondere an Öffnungen der Quellkammer angepasst ist.In order to enable the in-situ cleaning of the source chamber by the cleaning module can be provided, for example, that at an opening of the source chamber first a feeder, then a moving device and then the removal device can be coupled. Alternatively, it is also possible to have the cleaning done over several openings of the source chamber. For this purpose, for example, the feed device, the movement device and the removal device can be coupled to different openings of the source chamber, in particular coupled vacuum-tight. For effective cleaning of the source chamber, it is thus advantageous if the cleaning module is adapted to the EUV radiation source, in particular at openings of the source chamber.

Es kann vorgesehen sein, dass das Reinigungsmodul und die EUV-Strahlungsquelle als ein System vorliegen, welches in das Beleuchtungssystem integriert werden kann. Eine hierfür geeignete Quellkammer kann mindestens eine Öffnung in der Kammerwand aufweisen. Die mindestens eine Öffnung der Quellkammer kann bevorzugt als Bohrung realisiert sein. Die Bohrung gibt die Größe und die Kontur der Öffnung präzise vor. Hierdurch ist eine Anpassung des Reinigungsmoduls, insbesondere das Ankoppeln der Zuführvorrichtung und der Entfernungsvorrichtung an die Öffnung vereinfacht. Die mindestens eine Öffnung der Quellkammer kann insbesondere in einer Bodenplatte der Quellkammer angeordnet sein. Vorzugsweise umfasst die Bodenplatte eine Mehrzahl von Öffnungen. Bevorzugt sind alle Öffnungen als Bohrungen ausgestaltet. Insbesondere können vier Öffnungen vorgesehen sein. Eine Öffnung kann als zentrale Öffnung in der Bodenplatte zentriert sein. Die verbleibenden drei Öffnungen können exzentrisch um die zentrale Öffnung angeordnet sein. Die Öffnungen können insbesondere verschließbar sein, um eine sichere Reinigung zu gewährleisten.It can be provided that the cleaning module and the EUV radiation source are present as a system that can be integrated into the lighting system. A suitable source chamber may have at least one opening in the chamber wall. The at least one opening of the source chamber may preferably be realized as a bore. The hole precisely defines the size and contour of the opening. As a result, an adaptation of the cleaning module, in particular the coupling of the feed device and the removal device to the opening is simplified. The at least one opening of the source chamber can be arranged in particular in a bottom plate of the source chamber. Preferably, the bottom plate comprises a plurality of openings. Preferably, all openings are designed as bores. In particular, four openings may be provided. An opening may be centered as a central opening in the bottom plate. The remaining three openings may be arranged eccentrically around the central opening. The openings may in particular be closed in order to ensure safe cleaning.

Besonders bevorzugt ist ein Wartungsbereich benachbart zu der Quellkammer angeordnet, über welchen die Quellkammer, insbesondere die Öffnungen in der Kammerwand der Quellkammer zugänglich sind. Hierzu kann der Wartungsbereich eine Wartungsöffnung, insbesondere eine Wartungsklappe aufweisen. Die Wartungsöffnung schafft eine einfache und unkomplizierte Möglichkeit, auf Komponenten einer Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere eines Beleuchtungssystems, insbesondere einer Quellkammer zuzugreifen, ohne dass diese ausgebaut und/oder geöffnet werden müssen.Particularly preferably, a maintenance area is arranged adjacent to the source chamber, via which the source chamber, in particular the openings in the chamber wall of the source chamber are accessible. For this purpose, the maintenance area may have a maintenance opening, in particular a maintenance flap. The maintenance opening provides a simple and uncomplicated way to access components of a projection exposure system, in particular a lighting system, in particular a source chamber, without having to remove and / or open these.

Derartige Wartungsbereiche und Wartungsöffnungen können zum Ein- und Ausbau von Komponenten, wie beispielsweise Inserts in Bohrungen einer Platte der Quellkammer, dienen. Das erfmdungsgemäße Reinigungsmodul eignet sich insbesondere zur Reinigung der Quellkammer über einen derartigen Wartungsbereich. Das Reinigungsmodul kann also eine Ergänzung zu bereits installierten Projektionsbelichtungsanlagen mit einem der Quellkammer zugeordneten Wartungsbereich ausgeführt sein.Such maintenance areas and maintenance openings may be used to install and remove components, such as inserts in holes in a plate of the source chamber. The erfmdungsgemäße cleaning module is particularly suitable for cleaning the source chamber on such a maintenance area. The cleaning module can therefore be designed to supplement already installed projection exposure systems with a maintenance area assigned to the source chamber.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung umfasst das Reinigungsmittel einen Bürstenkopf. Hierdurch wird eine Reinigung der Quellkammer durch Abbürsten der Kammerwand, insbesondere der Bodenplatte ermöglicht. Hierzu wird der Bürstenkopf mittels der Bewegungsvorrichtung in Bewegung, insbesondere in Rotation versetzt. Zudem kann der Bürstenkopf mittels der Bewegungsvorrichtung über die Innenfläche der Kammerwand, insbesondere der Bodenplatte geführt werden und diese abfahren, bevorzugt vollständig abfahren. Die Intensität der Reinigung kann hierbei über die Rotationsgeschwindigkeit des Bürstenkopfs über die Wahl des Materials, aus welchem der Bürstenkopf gefertigt ist, und über die Dauer des Abbürstens gesteuert werden. Dies gewährleistet eine einfache und zuverlässige Reinigung.According to one aspect of the invention, the cleaning agent comprises a brush head. As a result, a cleaning of the source chamber is made possible by brushing the chamber wall, in particular the bottom plate. For this purpose, the brush head by means of the movement device in motion, in particular rotated. In addition, the brush head can be guided by means of the movement device over the inner surface of the chamber wall, in particular the bottom plate and these depart, preferably fully depart. The intensity of the cleaning can be controlled by the rotational speed of the brush head on the choice of the material from which the brush head is made, and the duration of the brushing. This ensures easy and reliable cleaning.

Es können auch verschiedene Bürstenköpfe für verschiedene Reinigungsschritte und/oder verschiedene zu reinigende Innenflächenbereiche der Kammerwand vorgesehen sein. Beispielsweise kann eine Walzenbürste eine effektive Reinigung der Kammerwand im Bereich der Öffnung in der Kammerwand ermöglichen. Alternativ oder zusätzlich hierzu kann eine Leistenbürste zur Reinigung eines Bereichs der Kammerwand, welcher der mindestens einen Öffnung gegenüberliegt, verwendet werden.It is also possible to provide different brush heads for different cleaning steps and / or different inner surface areas of the chamber wall to be cleaned. For example, a roller brush can allow effective cleaning of the chamber wall in the region of the opening in the chamber wall. Alternatively or additionally, a strip brush may be used to clean a portion of the chamber wall opposite to the at least one opening.

Bevorzugt ist der Bürstenkopf aus einer technischen Keramik, insbesondere aus einer Aluminiumoxid-Keramik gefertigt. Ein Bürstenkopf aus einer technischen Keramik zeichnet sich durch eine hohe Abrieb- und Verschleißfestigkeit aus, sodass eine lange Nutzungsdauer des Bürstenkopfs gewährleistet ist. The brush head is preferably made of a technical ceramic, in particular of an aluminum oxide ceramic. A brush head made of a technical ceramic is characterized by a high abrasion and wear resistance, so that a long service life of the brush head is guaranteed.

Die Bewegungsvorrichtung für den Bürstenkopf kann einen Bürstenantrieb umfassen, welcher insbesondere über eine Welle mit dem Bürstenkopf verbindbar ist. Der Bürstenantrieb kann ein Motor, insbesondere einen Elektromotor sein. Alternativ kann der Bürstenkopf in Rotation versetzt werden, indem ein Fluidstrom durch tangentiale Austrittsdüsen an den Bürstenkopf erzeugt wird. Der Fluidstrom kann hierbei vorteilhafterweise selbst ein Reinigungsmittel umfassen, um eine zusätzliche Reinigung mittels des Fluidstroms zu bewirken.The movement device for the brush head may comprise a brush drive, which in particular can be connected to the brush head via a shaft. The brush drive may be a motor, in particular an electric motor. Alternatively, the brush head may be rotated by generating fluid flow through tangential exit nozzles to the brush head. The fluid flow may in this case advantageously itself comprise a cleaning agent in order to effect additional purification by means of the fluid flow.

Während des Betriebs der EUV-Strahlungsquelle ist der Bürstenkopf bevorzugt in einem Vorratsbehälter innerhalb des Reinigungsmoduls gelagert. Für die Reinigung wird der Bürstenkopf in die Quellkammer, insbesondere durch eine Öffnung, in die Quellkammer eingeführt. Hierfür hat der Bürstenkopf vorzugsweise eine optimierte Bürstengeometrie, sodass der Bürstenkopf auf einfache Weise durch die Öffnung in die Quellkammer eingeschoben werden kann. Eine geeignete Bürstengeometrie kann durch einen zylinderförmigen Bürstenkopf erzielt werden. In diesem Fall kann der Bürstenkopf längs seiner Längsachse durch die Öffnung geschoben werden, sodass die Öffnung nur für die Zylindergrundfläche passierbar sein muss. Besonders bevorzugt umfasst die Zuführvorrichtung die gleichen Komponenten wie die Bewegungsvorrichtung, insbesondere den Bürstenantrieb und die den Bürstenantrieb mit dem Bürstenkopf verbindende Welle.During operation of the EUV radiation source, the brush head is preferably mounted in a storage container within the cleaning module. For cleaning, the brush head is introduced into the source chamber, in particular through an opening, into the source chamber. For this purpose, the brush head preferably has an optimized brush geometry, so that the brush head can be easily inserted through the opening into the source chamber. A suitable brush geometry can be achieved by a cylindrical brush head. In this case, the brush head can be pushed along its longitudinal axis through the opening, so that the opening must be passable only for the cylinder base. Particularly preferably, the feed device comprises the same components as the movement device, in particular the brush drive and the shaft connecting the brush drive with the brush head.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst die Zuführvorrichtung eine um ein Gelenk abknickbare Welle. Dies hat sich bei der Zuführung eines Bürstenkopfes als besonders praktikabel herausgestellt. Zur Zuführung des Bürstenkopfs kann das Gelenk nicht abgewinkelt und damit die Welle gestreckt sein. Nach Einbringen des Bürstenkopfs in die Quellkammer kann die Welle abgeknickt werden und somit den Bürstenkopf an die Kammerwand, insbesondere die Bodenplatte der Quellkammer heranführen.According to a further aspect of the invention, the delivery device comprises a shaft which can be bent around a joint. This has proven to be particularly practical in the supply of a brush head. To feed the brush head, the joint can not be angled and thus the shaft can be stretched. After introduction of the brush head in the source chamber, the shaft can be bent and thus bring the brush head to the chamber wall, in particular the bottom plate of the source chamber.

Der Bürstenkopf kann einen, insbesondere durch die abknickbare Welle und/oder seine Längsachse definierten Aktionsradius aufweisen. Insbesondere wenn die abknickbare Welle auch Teil der Bewegungsvorrichtung ist, kann hierdurch ein effektives Führen des Bürstenkopfes über die Kammerwand erzielt werden. Bevorzugt ermöglicht der Aktionsradius des Bürstenkopfs ein Abfahren der gesamten Innenfläche der Kammerwand der Quellkammer mit dem Bürstenkopf. Alternativ können unterschiedliche Bereiche der Kammerwand der Quellkammer durch verschiedene Bürstenköpfe gereinigt werden. Dies ermöglicht eine vollständige und gründliche Reinigung der Quellkammer. Da dies hohe Anforderungen an die Verlagerbarkeit der einzelnen Bürstenköpfe stellt, kann alternativ vorgesehen sein, dass die Reinigung durch unterschiedliche Öffnungen der Quellkammer erfolgt. Dies hat den Vorteil, dass auch bei einem begrenzten Aktionsradius des mindestens einen Bürstenkopfs eine umfassende und gründliche Reinigung der Quellkammer ermöglicht ist. Die Reinigung durch unterschiedliche Öffnungen der Quellkammer kann sequentiell mit einem Bürstenkopf oder gleichzeitig mit mehreren Bürstenköpfen erfolgen.The brush head can have an action radius defined in particular by the deflectable shaft and / or its longitudinal axis. In particular, if the deflectable shaft is also part of the movement device, thereby an effective guiding of the brush head over the chamber wall can be achieved. Preferably, the radius of action of the brush head allows a shutdown of the entire inner surface of the chamber wall of the source chamber with the brush head. Alternatively, different areas of the chamber wall of the source chamber may be cleaned by different brush heads. This allows a complete and thorough cleaning of the source chamber. Since this makes high demands on the displaceability of the individual brush heads, it may alternatively be provided that the cleaning takes place through different openings of the source chamber. This has the advantage that even with a limited range of action of the at least one brush head, a comprehensive and thorough cleaning of the source chamber is made possible. The cleaning through different openings of the source chamber can be carried out sequentially with a brush head or simultaneously with a plurality of brush heads.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst das Reinigungsmittel ein Strahlgut. Das Strahlgut kann ein Fluid und/oder Schleifkörper umfassen. Das Strahlgut kann insbesondere mittels eines Trägerfluids, insbesondere eines Trägergases, insbesondere von Stickstoff, unter Hochdruck auf die Innenfläche der Kammerwand eingestrahlt werden. Ein ein Strahlgut umfassendes Reinigungsmittel ermöglicht insbesondere die Reinigung der Quellkammer mittels eines Strahlreinigungsverfahrens. Dies hat den Vorteil, dass die Reinigung durch Auswahl des Strahlguts beziehungsweise einer Strahlgutmischung aus einem Fluid und Schleifkörpern effektiv an die Verunreinigungen angepasst werden kann.According to a further aspect of the invention, the cleaning agent comprises a blasting material. The blasting material may comprise a fluid and / or abrasive body. The blasting material can be irradiated under high pressure onto the inner surface of the chamber wall, in particular by means of a carrier fluid, in particular a carrier gas, in particular nitrogen. A cleaning agent comprising a blasting material makes it possible, in particular, to clean the source chamber by means of a blast cleaning method. This has the advantage that the cleaning can be effectively adapted to the contaminants by selecting the blasting material or a blasting mixture of a fluid and abrasive bodies.

Bevorzugt umfasst das Strahlgut Partikel mit einer durchschnittlichen Partikelgröße zwischen 1 µm und 500 µm, insbesondere zwischen 50 µm und 200 µm, insbesondere von etwa 100 µm.The blasting material preferably comprises particles having an average particle size of between 1 μm and 500 μm, in particular between 50 μm and 200 μm, in particular of approximately 100 μm.

Das Strahlgut kann auch ein Ionen- oder Elektronenstrahl sein. Dies ermöglicht die Reinigung mittels Mikrosandstrahlen.The blasting material can also be an ion or electron beam. This allows cleaning by means of micro sand blasting.

Vorteilhafterweise umfasst die Bewegungsvorrichtung mindestens eine Düse zur Steuerung eines Fluidstroms. Der Fluidstrom kann hierbei das Reinigungsmittel selbst umfassen oder das Reinigungsmittel in Bewegung versetzen. Dies birgt den Vorteil einer hohen Ausfallsicherheit der Bewegungsvorrichtung, da keine beweglichen Mechaniken für die Bewegung des Reinigungsmittels vorgesehen sein müssen.Advantageously, the movement device comprises at least one nozzle for controlling a fluid flow. The fluid stream may in this case comprise the cleaning agent itself or put the cleaning agent in motion. This has the advantage of a high reliability of the movement device, since no moving mechanisms for the movement of the cleaning agent must be provided.

Die Düse kann, wie oben bereits erläutert, an einem Bürstenkopf zur Rotation des Bürstenkopfs angeordnet sein. Bevorzugt jedoch ist die Düse für das Strahlreinigungsverfahren ausgelegt. Beispielsweise kann die Düse ein Strahlgut mithilfe eines unter Hochdruck stehenden Trägerfluids in die Quellkammer einbringen und dort unter Hochdruck auf die Kammerwand einstrahlen. Die Düse kann daher als Bewegungsvorrichtung und als Zuführvorrichtung für das Strahlgut dienen. Die Düse kann insbesondere in die Quellkammer einbringbar sein. Hierzu kann die Düse an die eine Öffnung der Quellkammer ankoppelbar, insbesondere vakuumdicht ankoppelbar sein. Besonders bevorzugt ermöglicht die Düse das Einstrahlen des Strahlguts in verschiedenen Richtungen. Hierzu kann die Düse unterschiedliche Austrittsöffnungen aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann die Düse die Einstrahlrichtung variieren, um ein Abstrahlen der gesamten Innenfläche der Kammerwand der Quellkammer zu ermöglichen. Dies gewährleistet eine effektive und gründliche Reinigung der Quellkammer.The nozzle may, as already explained above, be arranged on a brush head for rotation of the brush head. Preferably, however, the nozzle is designed for the blast cleaning process. For example, the nozzle can introduce a blasting material by means of a high-pressure carrier fluid in the source chamber and radiate there under high pressure on the chamber wall. The nozzle can therefore be used as a movement device and as a delivery device for serve the blasting material. The nozzle can in particular be introduced into the source chamber. For this purpose, the nozzle can be coupled to the one opening of the source chamber, in particular vacuum-tight manner. Particularly preferably, the nozzle enables the irradiation of the blasting material in different directions. For this purpose, the nozzle may have different outlet openings. Alternatively or additionally, the nozzle may vary the direction of irradiation to allow for radiating the entire inner surface of the chamber wall of the source chamber. This ensures effective and thorough cleaning of the source chamber.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst die Bewegungsvorrichtung eine Evakuierungseinrichtung zur Erzeugung eines Fluidstroms. Die Evakuierungseinrichtung kann hierbei einen Unterdruck in der Quellkammer erzeugen, wodurch ein Fluidstrom generierbar ist. Der erzeugte Fluidstrom kann das Reinigungsmittel, beispielsweise in Form eines Strahlguts umfassen. Ein derartiges Reinigungsmodul eignet sich zur Durchführung einer Reinigung mittels Vakuum-Saugstrahlens. Dies hat, gegenüber anderen Strahlreinigungsverfahren den Vorteil einer erhöhten Prozesssicherheit. Insbesondere ist eine Kontamination der Quellkammer oder weiterer Bestandteile der Projektionsbelichtungsanlage, wie beispielsweise einer Beleuchtungsoptik, durch unter Hochdruck eingestrahlte Reinigungsmittel vermieden. Durch die Evakuierungseinrichtung werden das Strahlgut und eventuell abgelöste Partikel sofort entfernt. Damit ist das Vakuum-Saugstrahlen besonders reinraumtauglich.According to a further aspect of the invention, the movement device comprises an evacuation device for generating a fluid flow. The evacuation device can in this case generate a negative pressure in the source chamber, as a result of which a fluid flow can be generated. The generated fluid stream may comprise the cleaning agent, for example in the form of a blasting material. Such a cleaning module is suitable for carrying out a cleaning by means of vacuum suction blasting. This has, compared to other blast cleaning process the advantage of increased process reliability. In particular, contamination of the source chamber or other components of the projection exposure apparatus, such as, for example, an illumination optics, is avoided by means of high-purity cleaning agents. The evacuation device immediately removes the blasting material and possibly detached particles. Thus, the vacuum suction is particularly cleanroom suitable.

Die Evakuierungseinrichtung kann nicht nur zur Bewegung des Reinigungsmittels, insbesondere des Strahlguts relativ zu der Quellkammer, sondern auch zu der Zuführung des Reinigungsmittels als auch zur Entfernung des Reinigungsmittels genutzt werden. Die Evakuierungseinrichtung kann daher auch Teil der Entfernungseinrichtung und der Zuführeinrichtung sein.The evacuation device can be used not only for moving the cleaning agent, in particular the blasting material relative to the source chamber, but also for the supply of the cleaning agent and for the removal of the cleaning agent. The evacuation device can therefore also be part of the removal device and the feed device.

Bevorzugt ist über die Evakuierungseinrichtung ein Unterdruck von< 500 mbar, insbesondere < 250 mbar, insbesondere < 200 mbar erzeugbar. Hierzu ist die Evakuierungseinrichtung vorzugsweise vakuumdicht an die Quellkammer ankoppelbar. Besonders bevorzugt dient die Quellkammer hierdurch selbst als Vakuumkammer.Preferably, a vacuum of <500 mbar, in particular <250 mbar, in particular <200 mbar, can be generated via the evacuation device. For this purpose, the evacuation device is preferably coupled vacuum-tight to the source chamber. Particularly preferably, the source chamber itself serves as a vacuum chamber.

Neben der Evakuierungseinrichtung kann eine Düse zur Führung des Strahlguts vorgesehen sein. Vorzugseise weist die Düse eine hierfür optimierte Lanzengeometrie auf, sodass die Kammerwand insbesondere vollständig abgestrahlt werden kann. Besonders bevorzugt können mehrere Düsen mit verschiedenen Lanzengeometrien vorgesehen sein. Hierdurch ist eine noch gründlichere Reinigung möglich. Die Düsen können ein Umlenkelement, insbesondere in Form einer Prallfläche, aufweisen. Die Prallfläche dient hierbei zur Umlenkung des in die Quellkammer eingebrachten Strahlguts, sodass dieses gezielt auf die Kammerwand eingestrahlt wird. Eine Flächennormale einer beispielhaften Prallfläche kann senkrecht auf einer Einströmrichtung des Strahlguts stehen. Die Prallfläche kann auch einen zu der Einströmrichtung zunehmenden Winkel aufweisen. Bevorzugt ist die Prallfläche rotationssymmetrisch um die Einströmrichtung.In addition to the evacuation device, a nozzle for guiding the blasting material can be provided. Vorzugseise, the nozzle has a purpose optimized lance geometry, so that the chamber wall in particular can be completely radiated. Particularly preferably, a plurality of nozzles with different lance geometries can be provided. This allows even more thorough cleaning. The nozzles may have a deflecting element, in particular in the form of a baffle surface. The baffle serves to deflect the introduced into the source chamber beam, so that it is selectively irradiated to the chamber wall. A surface normal of an exemplary baffle can be perpendicular to an inflow direction of the blasting material. The baffle may also have an increasing angle to the inflow direction. Preferably, the baffle is rotationally symmetric about the inflow direction.

Das Reinigungsmittel kann Schleifkörper umfassen. Vorzugsweise ist vorgesehen, dass die Schleifkörper trocken, das heißt ohne Zusatz von Flüssigkeiten, in die Quellkammer zugeführt werden können. Als Schleifkörper können insbesondere Trockenschleifgranulate aus Polyurethan oder Edelkorund eingesetzt werden. Die Wahl der Schleifkörper kann hierbei an den Grad und die Art der Verunreinigung angepasst werden. Die Verwendung von Schleifkörpern als Reinigungsmittel hat den Vorteil einer effektiven Abriebswirkung. Hiermit können insbesondere chemisch inerte Kontaminationsschichten abgetragen werden.The cleaning agent may comprise abrasive articles. It is preferably provided that the grinding bodies can be fed dry, that is to say without the addition of liquids, into the source chamber. In particular, dry abrasive granules of polyurethane or fine corundum can be used as the abrasive body. The choice of abrasive particles can be adapted to the degree and type of contamination. The use of abrasives as cleaning agents has the advantage of effective abrasion. This can be removed in particular chemically inert contamination layers.

Vorzugsweise ist die Zuführvorrichtung zur Einbringung der Schleifkörper in die Quellkammer an eine Öffnung der Quellkammer ankoppelbar, insbesondere vakuumdicht ankoppelbar. Es ist auch möglich, dass die Zuführvorrichtung für die Schleifkörper auch als Entfernungseinrichtung dient. Dies hat den Vorteil einer einfachen Konstruktion des Reinigungsmoduls.Preferably, the feed device for introducing the abrasive body in the source chamber to an opening of the source chamber can be coupled, in particular vacuum-tight coupled. It is also possible that the feeding device for the grinding wheels also serves as a removal device. This has the advantage of a simple construction of the cleaning module.

Bevorzugt umfasst die Bewegungsvorrichtung eine Rührvorrichtung. Mit der Rührvorrichtung können insbesondere in die Kammer eingebrachte Schleifkörper in Rotation versetzt werden. Dies ermöglicht die Durchführung eines Gleitschleifverfahrens. Gleitschleifverfahren zeichnen sich durch eine geringe Komplexität und eine kurze Prozessdauer aus. Des Weiteren hat das Gleitschleifverfahren den Vorteil, dass die Reinigung durch die Wahl geeigneter Schleifkörper und/oder der Rotationsgeschwindigkeit der Schleifkörper an den Grad der Verunreinigung angepasst werden kann.Preferably, the movement device comprises a stirring device. With the stirring device, in particular introduced into the chamber grinding wheels can be set in rotation. This allows the performance of a vibratory finishing process. Surface grinding processes are characterized by low complexity and a short process time. Furthermore, the vibratory finishing process has the advantage that the cleaning can be adapted to the degree of contamination by the choice of suitable grinding wheels and / or the rotational speed of the grinding wheels.

Zur Durchführung des Gleitschleifverfahrens kann die Menge der eingebrachten Schleifkörper insbesondere derart bemessen sein, dass die Quellkammer mindestens zu 80 %, insbesondere mindestens zu 90 %, insbesondere im Wesentlichen vollständig mit Schleifkörpern gefüllt ist. Dies hat den Vorteil, dass alle Bereiche der Innenfläche der Quellkammer gleichmäßig mit Schleifkörpern in Kontakt sind. Dies ermöglicht eine effektive und gleichmäßige Reinigung mittels der Schleifkörper.In order to carry out the vibratory finishing process, the amount of grinding bodies introduced can be dimensioned in particular such that the source chamber is filled at least 80%, in particular at least 90%, in particular substantially completely with grinding bodies. This has the advantage that all areas of the inner surface of the source chamber are uniformly in contact with abrasive bodies. This allows for effective and uniform cleaning by means of the grinding wheels.

Prinzipiell ist denkbar, dass die Rührvorrichtung in der Quellkammer integriert ist. Vorzugsweise jedoch ist die Rührvorrichtung in die Quellkammer einbringbar. Dies hat den Vorteil, dass die Rührvorrichtung selbst nicht der Verschmutzung durch die Debris-Bildung ausgesetzt ist. Des Weiteren kann die einbringbare Rührvorrichtung im Falle eines Defekts leichter ersetzt und/oder ausgetauscht werden. Zudem können verschiedene Rührvorrichtungen für verschiedene Typen von Schleifkörpern und/oder verschiedene Rotationsgeschwindigkeiten vorgesehen sein. Zum Einbringen der Rührvorrichtung in die Quellkammer ist diese vorzugsweise an eine Öffnung der Quellkammer ankoppelbar, insbesondere vakuumdicht ankoppelbar. In principle, it is conceivable that the stirring device is integrated in the source chamber. Preferably, however, the stirring device can be introduced into the source chamber. This has the advantage that the stirring device itself is not exposed to contamination by the debris formation. Furthermore, the insertable stirring device can be more easily replaced and / or replaced in the event of a defect. In addition, various stirring devices may be provided for different types of abrasive bodies and / or different rotational speeds. For introducing the stirring device in the source chamber, this is preferably coupled to an opening of the source chamber, in particular vacuum-tight coupled.

Die Rührvorrichtung kann mittels eines Motors, insbesondere mittels eines elektrischen Motors angetrieben werden. In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Rührvorrichtung als Magnetrührer ausgeführt. Ein Magnetrührer hat den Vorteil, dass die Rührvorrichtung nicht mittels eines mechanischen Getriebes mit einem Motor verbundenen werden muss. Dies erhöht die Haltbarkeit der Rührvorrichtung. Alternativ kann die Rührvorrichtung auch über axiale Austrittsdüsen verfügen, sodass die Rührvorrichtung durch einen Fluidstrom in Rotation versetzbar ist. Alternativ können die Schleifkörper auch durch das austretende Fluid selbst in Rotation versetzt werden.The stirring device can be driven by means of a motor, in particular by means of an electric motor. In a preferred embodiment, the stirring device is designed as a magnetic stirrer. A magnetic stirrer has the advantage that the stirring device does not have to be connected to a motor by means of a mechanical transmission. This increases the durability of the stirring device. Alternatively, the stirring device can also have axial outlet nozzles, so that the stirring device can be set in rotation by a fluid flow. Alternatively, the abrasive bodies can also be set in rotation by the exiting fluid itself.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst die Entfernungseinrichtung eine Absaugvorrichtung zum Absaugen der Quellkammer. Dies hat den Vorteil einer einfachen und effektiven Entfernung des Reinigungsmittels und/oder der abgelösten Verunreinigungen aus der Quellkammer. Bevorzugt ist die Absaugvorrichtung mittels einer Absaugleitung an eine Öffnung der Quellkammer ankoppelbar, insbesondere vakuumdicht ankoppelbar. Hierdurch ist ein Absaugen der Quellkammer gewährleistet, ohne dass Teile des Reinigungsmittels und/oder der abgelösten Verunreinigungen in das Beleuchtungssystem eindringen können. Die abgesaugten Reinigungsmittel und/oder Verunreinigungen können in einem Behälter der Absaugvorrichtung gelagert werden. Alternativ werden die aus der Quellkammer entfernten Reinigungsmittel und/oder Verunreinigungen mittels der Absaugvorrichtung aus dem Beleuchtungssystem, insbesondere aus der Projektionsbelichtungsanlage abgeführt. Dies kann insbesondere über einen Wartungsbereich, insbesondere über eine Wartungsöffnung erfolgen.According to a further aspect of the invention, the removal device comprises a suction device for sucking the source chamber. This has the advantage of a simple and effective removal of the cleaning agent and / or the detached impurities from the source chamber. Preferably, the suction device can be coupled by means of a suction line to an opening of the source chamber, in particular vacuum-tight coupled. In this way, a suction of the source chamber is ensured without parts of the cleaning agent and / or the detached contaminants can penetrate into the lighting system. The extracted detergent and / or impurities can be stored in a container of the suction device. Alternatively, the cleaning agent and / or impurities removed from the source chamber are removed by means of the suction device from the illumination system, in particular from the projection exposure apparatus. This can be done in particular via a maintenance area, in particular via a maintenance opening.

Eine Absaugvorrichtung kann insbesondere auch zum Evakuieren der Quellkammer genutzt werden, sodass hierzu keine zusätzlichen Komponenten des Reinigungsmoduls vorgesehen sein müssen.A suction device can be used in particular for evacuating the source chamber, so that this no additional components of the cleaning module must be provided.

Zudem kann das Reinigungsmodul auch eine Ausspüleinrichtung zum Ausspülen der Quellkammer umfassen. Mittels der Ausspüleinrichtung kann die Quellkammer insbesondere mit einem Spülfluid, insbesondere einer Spülflüssigkeit oder einem Spülgas, ausgespült werden. Beispielhafte Spülfluide können Wasser, CDA (clean dry air), XCDA (extreme clean dry air) oder Stickstoff umfassen.In addition, the cleaning module may also include a rinsing device for rinsing the source chamber. By means of the rinsing device, the source chamber can in particular be rinsed with a rinsing fluid, in particular a rinsing fluid or a rinsing gas. Exemplary flushing fluids may include water, clean dry air (CDA), extreme dry air (XCDA), or nitrogen.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst das Reinigungsmodul einen an die Quellkammer ankoppelbaren, insbesondere vakuumdicht ankoppelbaren Drucklufterzeuger. Durch den Drucklufterzeuger kann eine Vor- und/oder Nachreinigung der Quellkammer erfolgen. Insbesondere kann vorgesehen sein, die Kammerwand mit Druckluft abzustrahlen. Dies ermöglicht eine noch gründlichere Reinigung mit dem Reinigungsmodul.In accordance with a further aspect of the invention, the cleaning module comprises a compressed air generator which can be coupled to the source chamber and in particular can be vacuum-tightly connected. By the compressed air generator can be carried out a pre-and / or post-cleaning of the source chamber. In particular, it can be provided to radiate the chamber wall with compressed air. This allows even more thorough cleaning with the cleaning module.

Bevorzugt erfolgt die Vor- und/oder Nachreinigung mit XCDA (extreme clean dry air). Der Drucklufterzeuger kann mindestens eine Druckluftdüse zur Führung des Druckluftstrahls umfassen. Es können auch verschieden Düsengeometrien vorgesehen sein, um verschiedene Bereiche der Kammerwand effektiv abzustrahlen. Beispielhafte Druckluftdüsen können zum Abstrahlen eines die Öffnung in der Quellkammer umgebenden Bereichs der Kammerwand ausgelegt sein. Eine Druckluftdüse kann auch einen fokussierten Druckluftstrahl erzeugen, welcher durch Verschwenken der Druckluftdüse auf verschiedene Bereiche der Kammerwand gelenkt werden kann. Eine weitere Düse kann einen Zerstäuber umfassen, sodass die Druckluft gleichzeitig auf einen möglichst großen Bereich der Kammerwand gelenkt werden kann.Pre-cleaning and / or post-cleaning preferably takes place with XCDA (extreme clean dry air). The compressed air generator may comprise at least one compressed air nozzle for guiding the compressed air jet. Various nozzle geometries may also be provided to effectively radiate different regions of the chamber wall. Exemplary compressed-air nozzles may be designed to emit a region of the chamber wall surrounding the opening in the source chamber. A compressed air nozzle can also produce a focused compressed air jet, which can be directed by pivoting the compressed air nozzle to different areas of the chamber wall. Another nozzle may include a nebulizer, so that the compressed air can be simultaneously directed to the largest possible area of the chamber wall.

Bevorzugt ist vorgesehen, die Druckluftdüsen abhängig von Dicke und Lage der Kontaminationsschicht auszuwählen. Es können auch unterschiedliche Vor- und/oder Nachreinigungsschritte mit verschiedenen Druckluftdüsen erfolgen.It is preferably provided to select the compressed-air nozzles as a function of the thickness and position of the contamination layer. It can also be done different pre and / or Nachreinigungsschritte with different compressed air nozzles.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst das Reinigungsmodul eine Kontrollvorrichtung zur Kontrolle des Zustands der Quellkammer. Die Kontrollvorrichtung kann dazu benutzt werden, den Erfolg der Reinigung zu überprüfen. Insbesondere kann überprüft werden, ob sämtliche Verunreinigungen abgelöst wurden. Des Weiteren ermöglicht eine Kontrollvorrichtung die Überprüfung der Kammerwand nach der Reinigung. Somit können möglicherweise entstandene Beschädigungen der Quellkammern, insbesondere der Kammerwand, detektiert werden. Hierdurch wird ein Kontaminations- und Ausfallrisiko der EUV-Strahlungsquelle weiter verringert.According to a further aspect of the invention, the cleaning module comprises a control device for controlling the state of the source chamber. The control device can be used to verify the success of the cleaning. In particular, it can be checked whether all impurities have been removed. Furthermore, a control device allows the inspection of the chamber wall after cleaning. Thus, possibly resulting damage to the source chambers, in particular the chamber wall, can be detected. This further reduces the risk of contamination and failure of the EUV radiation source.

Mittels der Kontrollvorrichtung kann auch der Zustand der Quellkammer vor der Reinigung ermittelt werden. Beispielsweise kann ein Grad der Verschmutzung bestimmt werden, um auf dieser Basis ein geeignetes Reinigungsmittel und/oder die Dauer eines Reinigungsverfahrens zu wählen. Dies erhöht die Effizienz der Reinigung.By means of the control device, the state of the source chamber can also be determined before cleaning. For example, a degree of Pollution can be determined to select on this basis, a suitable cleaning agent and / or the duration of a cleaning process. This increases the efficiency of cleaning.

Die Kontrollvorrichtung kann beispielsweise ein in die Quellkammer einführbares Radar- oder Ultraschallsystem umfassen, mit welchem die Kammerwände abgetastet werden. Besonders bevorzugt jedoch ist die Kontrollvorrichtung zur optischen Kontrolle der Quellkammer ausgelegt. Hierfür kann die Kontrollvorrichtung ein Endoskop umfassen, welches durch eine Öffnung der Quellkammer in die Quellkammer einführbar ist. Zusätzlich oder alternativ hierzu kann die Kontrollvorrichtung zur Durchführung einer Wirbelstromprüfung ausgelegt sein. Hierzu umfasst die Kontrollvorrichtung insbesondere ein Spulenpaar aus einer Sender- und einer Empfängerspule und einen Signalprozessor.The control device may comprise, for example, a radar or ultrasound system insertable into the source chamber with which the chamber walls are scanned. Particularly preferably, however, the control device is designed for optical control of the source chamber. For this purpose, the control device may comprise an endoscope, which is insertable through an opening of the source chamber into the source chamber. Additionally or alternatively, the control device may be designed to perform an eddy current test. For this purpose, the control device comprises in particular a coil pair of a transmitter and a receiver coil and a signal processor.

Die oben diskutierten Ausführungsformen des Reinigungsmoduls ermöglichen die Durchführung verschiedener Reinigungsverfahren. Die Erfindung beinhaltet insbesondere Reinigungsmodule zur Durchführung eines Bürstenreinigungsverfahrens, eines Strahlreinigungsverfahrens und eines Gleitschleifverfahrens. Die Erfindung beinhaltet jedoch auch Reinigungsverfahren, welche zur Durchführung mehrerer der hier dargestellten Reinigungsverfahren geeignet sein können. Beispielsweise kann ein Reinigungsmodul vorgesehen sein, welches eine Reinigung durch einen Bürstenkopf und durch ein Strahlgut erlaubt. Beispielsweise kann vorgesehen sein, dass der Bürstenkopf Austrittsdüsen für das Strahlgut umfasst. Dies ermöglicht ein gleichzeitiges Abbürsten und Abstrahlen der Kammerwand der Quellkammer. Alternativ kann auch vorgesehen sein, dass das Reinigungsmodul die sequentielle Durchführung verschiedener Reinigungsverfahren ermöglicht. Prinzipiell können alle vorgenannten Eigenschaften der Reinigungsmodule kombiniert werden.The embodiments of the cleaning module discussed above allow various cleaning methods to be performed. In particular, the invention includes cleaning modules for performing a brush cleaning method, a blast cleaning method, and a vibratory finishing method. However, the invention also includes cleaning methods which may be suitable for carrying out a plurality of the cleaning methods shown here. For example, a cleaning module may be provided, which allows cleaning by a brush head and by a blasting material. For example, it can be provided that the brush head comprises outlet nozzles for the blasting material. This allows simultaneous brushing and blasting of the chamber wall of the source chamber. Alternatively, it can also be provided that the cleaning module enables the sequential implementation of various cleaning methods. In principle, all the aforementioned properties of the cleaning modules can be combined.

Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur in situ Reinigung einer Quellkammer einer EUV-Strahlungsquelle bereitzustellen.Another object of the invention is to provide a method for in situ cleaning a source chamber of an EUV radiation source.

Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren mit den in Anspruch 9 angegebenen Schritten.The object is achieved by a method having the steps specified in claim 9.

Zunächst wird ein Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer EUV-Strahlungsquelle bereitgestellt. Die EUV-Strahlungsquelle weist hierbei eine Quellkammer mit mindestens einer Öffnung auf. In einem weiteren Schritt wird durch die Öffnung ein Reinigungsmittel in die Quellkammer eingebracht. In einem weiteren Schritt wird das Reinigungsmittel relativ zur Quellkammer bewegt, wodurch Verunreinigungen der Quellkammer abgelöst, insbesondere abgerieben werden. Hierauf werden das Reinigungsmittel und/oder durch die Einwirkung des Reinigungsmittels abgelöste Verunreinigungen aus der Quellkammer durch die mindestens eine Öffnung entfernt. Ein solches Verfahren eignet sich zur mechanischen, insbesondere abrasiven Reinigung der Quellkammer. Insbesondere kann das erfmdungsgemäße Verfahren ein Bürstenreinigungsverfahren, ein Strahlreinigungsverfahren und/oder ein Gleitschleifverfahren umfassen. Es kann insbesondere vorgesehen sein, verschiedene der oben genannten Reinigungsverfahren zu kombinieren und/oder sequentiell durchzuführen.First, a lighting system for a projection exposure machine with an EUV radiation source is provided. The EUV radiation source in this case has a source chamber with at least one opening. In a further step, a cleaning agent is introduced into the source chamber through the opening. In a further step, the cleaning agent is moved relative to the source chamber, whereby impurities of the source chamber detached, in particular rubbed off. The cleaning agent and / or impurities removed by the action of the cleaning agent are then removed from the source chamber through the at least one opening. Such a method is suitable for mechanical, in particular abrasive, cleaning of the source chamber. In particular, the inventive method may include a brush cleaning method, a jet cleaning method and / or a vibratory finishing process. In particular, it may be provided to combine and / or to carry out various of the abovementioned cleaning methods.

Es ist auch denkbar, die verschiedenen, oben genannten Reinigungsverfahren mit weiteren, insbesondere chemischen, elektromagnetischen oder berührungsfreien Reinigungsverfahren, wie beispielsweise einem Laserreinigungsverfahren, zu kombinieren.It is also conceivable to combine the various cleaning methods mentioned above with further, in particular chemical, electromagnetic or non-contact cleaning methods, such as, for example, a laser cleaning method.

Das Verfahren kann insbesondere durch eine Öffnung einer Bodenplatte der Quellkammer durchgeführt werden. Es ist auch möglich, das Verfahren zunächst durch eine exzentrische Öffnung der Bodenplatte auszuführen und hierauf noch einmal durch eine weitere Öffnung, beispielsweise eine zentrale Öffnung, zu wiederholen.The method can be carried out in particular by opening a bottom plate of the source chamber. It is also possible initially to carry out the method by means of an eccentric opening of the base plate and to repeat this once again through a further opening, for example a central opening.

Prinzipiell kann das Verfahren unabhängig von der oben beschriebenen Reinigungsmodulen durchgeführt werden. Es ist jedoch vorteilhaft, das Verfahren mit Hilfe eines der oben beschriebenen Reinigungsmodule durchzuführen. Hierzu kann das geeignete Reinigungsmodul mit der EUV-Strahlungsquelle oder ein System aus der EUV-Strahlungsquelle und dem Reinigungsmodul bereitgestellt werden. Die Vorteile eines solchen Verfahrens entsprechen den Vorteilen des Reinigungsmoduls.In principle, the method can be carried out independently of the cleaning modules described above. However, it is advantageous to carry out the method using one of the cleaning modules described above. For this, the suitable cleaning module with the EUV radiation source or a system consisting of the EUV radiation source and the cleaning module can be provided. The advantages of such a method correspond to the advantages of the cleaning module.

Besonders bevorzugt können die Reinigungsverfahren durchgeführt werden, indem das Reinigungsmodul über einem Wartungsbereich an die Quellkammer herangeführt und angeflanscht wird. Das Reinigungsmodul kann auch in dem Wartungsbereich gelagert bzw. fest installiert sein.Particularly preferably, the cleaning methods can be carried out by bringing the cleaning module over a maintenance area to the source chamber and flanged. The cleaning module can also be stored or permanently installed in the maintenance area.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst das Reinigungsverfahren eine Vorreinigung und/oder eine Nachreinigung mit Druckluft. Hierdurch wird eine besonders gründliche Reinigung der Quellkammer ermöglicht.According to a further aspect of the invention, the cleaning method comprises a pre-cleaning and / or a subsequent cleaning with compressed air. This allows a particularly thorough cleaning of the source chamber.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst das Reinigungsverfahren einen Kontrollschritt, in dem ein Zustand der Quellkammer überprüft wird. Der Kontrollschritt kann vor und/oder nach der Reinigung durchgeführt werden. Die weiteren Vorteile des Kontrollschritts entsprechen den Vorteilen der oben umrissenen Kontrollvorrichtung.According to another aspect of the invention, the cleaning method comprises a control step in which a state of the source chamber is checked. The control step can be carried out before and / or after the cleaning. The other advantages of the control step correspond to the advantages of the control device outlined above.

Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein verbessertes Strahlungsquellenmodul für ein Beleuchtungssystem einer Projektionsbelichtungsanlage bereitzustellen. Another object of the invention is to provide an improved radiation source module for a lighting system of a projection exposure apparatus.

Die Aufgabe wird gelöst durch ein Strahlungsquellenmodul mit den im Anspruch 12 angegebenen Merkmalen.The object is achieved by a radiation source module having the features specified in claim 12.

Das erfindungsgemäße Strahlungsquellenmodul umfasst eine EUV-Strahlungsquelle mit einer mindestens eine Öffnung aufweisenden Quellkammer sowie ein Reinigungsmodul, wie es oben stehend umrissen wurde. Die EUV-Strahlungsquelle und das Reinigungsmodul können als einzelne Komponenten vorliegen oder als ein System ausgeführt sein. Die Vorteile entsprechen insbesondere denen des oben umrissenen Reinigungsmoduls.The radiation source module according to the invention comprises an EUV radiation source with a source chamber having at least one opening and a cleaning module, as outlined above. The EUV radiation source and the cleaning module may be present as individual components or as a system. The advantages correspond in particular to those of the above-outlined cleaning module.

Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage bereitzustellen, mit welchem eine verbesserte Nutzbarkeit der Projektionsbelichtungsanlage ermöglicht ist.A further object of the invention is to provide an illumination system for a projection exposure apparatus, with which an improved usability of the projection exposure apparatus is made possible.

Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Beleuchtungssystem mit den in Anspruch 13 angegebenen Merkmalen.This object is achieved by a lighting system with the features specified in claim 13.

Das erfindungsgemäße Beleuchtungssystem umfasst ein Strahlungsquellenmodul, wie es oben umrissen wurde. Des Weiteren umfasst das Beleuchtungssystem eine Beleuchtungsoptik. Die Beleuchtungsoptik dient dazu, ein Objektfeld in einer Objektebene zu belichten. Hierzu kann das Beleuchtungssystem zusätzlich einen Kollektor umfassen, mit dem die durch die EUV-Quelle erzeugte Nutzstrahlung gebündelt wird. Zwischen dem Kollektor und der Beleuchtungsoptik kann die Nutzstrahlung eine Zwischenfokusebene durchlaufen. Die Beleuchtungsoptik kann beispielsweise einen Feldfacettenspiegel und eine Folgeoptik umfassen. Die Folgeoptik weist insbesondere einen Pupillenfacettenspiegel und eine Übertragungsoptik aus mehreren Spiegeln auf.The illumination system according to the invention comprises a radiation source module, as outlined above. Furthermore, the illumination system comprises a lighting optical system. The illumination optics serve to expose an object field in an object plane. For this purpose, the lighting system may additionally comprise a collector, with which the useful radiation generated by the EUV source is bundled. Between the collector and the illumination optics, the useful radiation can pass through a Zwischenfokusebene. The illumination optics may include, for example, a field facet mirror and a follower optics. The follow-on optics has, in particular, a pupil facet mirror and a transmission optics comprising a plurality of mirrors.

Die EUV-Strahlungsquelle kann in dem Beleuchtungssystem um einen Winkel α gegenüber der Horizontalen geneigt verbaut sein. Der Winkel α kann beispielsweise zwischen 10° und 20°, insbesondere etwa 15°betragen. Der geneigte Einbau der EUV-Strahlungsquelle in dem Beleuchtungssystem hat den Vorteil, dass Reinigungsmodul von unten über eine Bodenplatte der Quellkammer angekoppelt werden kann.The EUV radiation source can be mounted inclined in the illumination system by an angle α relative to the horizontal. The angle α may for example be between 10 ° and 20 °, in particular about 15 °. The inclined installation of the EUV radiation source in the lighting system has the advantage that cleaning module can be coupled from below via a bottom plate of the source chamber.

Besonders bevorzugt weist das Beleuchtungssystem eine Vakuumpumpe auf, über welche das gesamte Beleuchtungssystem evakuiert werden kann. Mithilfe des Reinigungsmoduls kann somit eine Reinigung der Quellkammer in dem Beleuchtungssystem, insbesondere in dem evakuierten Beleuchtungssystem erfolgen, ohne dass die Quellkammer der EUV-Strahlungsquelle aus dem Beleuchtungssystem entnommen werden muss. Die Vorteile des erfmdungsgemäßen Beleuchtungssystems entsprechen den Vorteilen des oben umrissenen Reinigungsmoduls.Particularly preferably, the lighting system has a vacuum pump, via which the entire lighting system can be evacuated. The cleaning module can thus be used to clean the source chamber in the illumination system, in particular in the evacuated illumination system, without the source chamber of the EUV radiation source having to be removed from the illumination system. The advantages of the illumination system according to the invention correspond to the advantages of the above-outlined cleaning module.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst das Beleuchtungssystem einen Wartungsbereich. Über den Wartungsbereich ist insbesondere ein Zugang zu der Quellkammer, insbesondere zu der mindestens einen Öffnung der Quellkammer ermöglicht sein. Hierdurch kann eine Wartung der Quellkammer, beispielsweise durch Inspektion und/oder Wechsel eines Inserts in einer Bohrung der Quellkammer, ermöglicht sein. Besonders bevorzugt kann das Reinigungsmodul über den Wartungsbereich in situ an die Quellkammer angekoppelt, insbesondere vakuumdicht angekoppelt werden.According to another aspect of the invention, the lighting system comprises a maintenance area. In particular, access to the source chamber, in particular to the at least one opening of the source chamber, is made possible via the maintenance area. In this way, maintenance of the source chamber, for example by inspection and / or change of an insert in a bore of the source chamber, be made possible. Particularly preferably, the cleaning module can be coupled in situ to the source chamber via the maintenance area, in particular coupled in a vacuum-tight manner.

Der Wartungsbereich kann eine Wartungsöffnung, insbesondere Wartungsklappe aufweisen, die einen Zugang zu dem Wartungsbereich von außerhalb des Beleuchtungssystems ermöglicht. Hierüber können beispielsweise Komponenten des Reinigungsmoduls zugeführt werden. Verschmutzungen und der gleichen können über die Wartungsöffnung entfernt werden. Besonders bevorzugt ist über die Wartungsöffnung und den Wartungsbereich ein Zugang zu der Quellkammer ermöglicht, während die Beleuchtungsoptik evakuiert ist. Hierdurch wird eine Kontamination der Beleuchtungsoptik vermindert beziehungsweise vermieden.The maintenance area can have a maintenance opening, in particular maintenance cover, which allows access to the maintenance area from outside the illumination system. By way of example, components of the cleaning module can be supplied. Dirt and the like can be removed through the maintenance opening. Particularly preferably, access to the source chamber is made possible via the maintenance opening and the maintenance area, while the illumination optics is evacuated. As a result, contamination of the illumination optics is reduced or avoided.

Das Reinigungsmodul kann auch in dem Wartungsbereich gelagert sein. Hierdurch kann eine Reinigung ohne Zugang von außen erfolgen.The cleaning module can also be stored in the maintenance area. This allows cleaning without access from the outside.

Es ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer erhöhten Nutzbarkeit bereitzustellen.It is another object of the invention to provide a projection exposure machine with increased usability.

Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Projektionsbelichtungsanlage gemäß Anspruch 15. Die erfindungsgemäße Projektionsbelichtungsanlage umfasst ein Beleuchtungssystem, wie es oben umrissen wurde. Somit ist eine Reinigung der Quellkammer in dem Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere in der Projektionsbelichtungsanlage möglich. Die Reinigung der Quellkammer kann ohne Ausbau der Quellkammer aus dem Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage erfolgen. Die Vorteile der erfindungsgemäßen Projektionsbelichtungsanlage entsprechen den Vorteilen des oben umrissenen Reinigungsmoduls.This object is achieved by a projection exposure apparatus according to claim 15. The projection exposure apparatus according to the invention comprises a lighting system, as outlined above. Thus, a cleaning of the source chamber in the illumination system of the projection exposure system, in particular in the projection exposure system is possible. The cleaning of the source chamber can be done without removing the source chamber from the illumination system of the projection exposure system. The advantages of the projection exposure apparatus according to the invention correspond to the advantages of the above-outlined cleaning module.

Des Weiteren kann die Projektionsbelichtungsanlage eine Objektebene mit einem Objektfeld umfassen, welches durch die Beleuchtungsoptik belichtet wird. Das Objektfeld kann ein Retikel umfassen, das eine mit der Projektionsbelichtungsanlage zu produzierende Struktur trägt. Die Projektionsbelichtungsanlage kann sich insbesondere zur Herstellung von mikro- bzw. nanostrukturierter Halbleiter-Bauelemente eignen. Zur Abbildung des Objektfelds in ein Bildfeld in einer Bildebene kann die Projektionsbelichtungsanlage des Weiteren eine Projektionsoptik umfassen.Furthermore, the projection exposure machine can have an object plane with an object field include, which is illuminated by the illumination optics. The object field may comprise a reticle carrying a structure to be produced with the projection exposure apparatus. The projection exposure apparatus can be particularly suitable for the production of microstructured or nanostructured semiconductor components. For imaging the object field into an image field in an image plane, the projection exposure apparatus may further comprise projection optics.

Weitere Details, Vorteile und Merkmale ergeben sich aus der Beschreibung einiger Ausführungsbeispiele anhand der Figuren. Es zeigen:

  • 1 einen schematischen Schnitt durch eine Quellkammer einer EUV-Strahlungsquelle,
  • 2 eine schematische Aufsicht auf eine Bodenplatte mit vier Öffnungen entlang der Linie II - II der Quellammer in 1,
  • 3 eine schematische Schnittzeichnung durch einer Quellkammer gemäß 1 mit einem eine Rührvorrichtung und eine Zuführvorrichtung umfassenden Reinigungsmodul,
  • 4 einen schematischen Verfahrensablauf eines ersten Verfahrens zur Reinigung einer Quellkammer,
  • 5 eine schematische Darstellung einer Quellkammer mit einem Reinigungsmodul, das eine Zuführleitung für ein Reinigungsgas und eine in die Quellkammer integrierte Plasma-Erzeugungseinrichtung umfasst,
  • 6 einen schematischen Verfahrensablauf eines weiteren Verfahrens zur Reinigung einer Quellkammer,
  • 7 eine schematische Darstellung einer Quell-Kammer mit einem Reinigungsmodul, welches eine Zuführleitung und eine Mikrowellen-Plasma-Erzeugungseinrichtung umfasst,
  • 8 einen schematischen Verfahrensablauf eines weiteren Verfahrens zur Reinigung einer Quellkammer,
  • 9 eine schematische Darstellung einer Quellkammer mit einem Reinigungsmodul, welches eine Laserlicht-Quelle und einen Strahlmanipulator umfasst,
  • 10 einen schematischen Verfahrensablauf eines weiteren Verfahrens zur Reinigung einer Quellkammer,
  • 11 eine schematische Darstellung einer Quellkammer mit einem Reinigungsmodul, welches eine Bürste an einer abknickbaren Welle umfasst,
  • 12 eine schematische Aufsicht auf die Quellkammer gemäß 11 entlang der Linie XII - XII, bei welchem die Reinigung mittels der Bürste durch verschiedene Öffnungen einer Bodenplatte dargestellt ist,
  • 13 einen schematischen Verfahrensablauf eines weiteren Verfahrens zur Reinigung einer Quellkammer,
  • 14 eine schematische Darstellung einer Quellkammer mit einem Reinigungsmodul, welches eine Düse zum Abstrahlen einer Kammerwand umfasst,
  • 15 einen schematischen Verfahrensablauf eines weiteren Verfahrens zur Reinigung einer Quellkammer,
  • 16 schematisch in einem Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einer Beleuchtungsoptik und einer Projektionsoptik,
  • 17 eine schematische Darstellung eines Druckluftreinigungsmoduls mit einer Druckluftdüse,
  • 18 eine schematische Darstellung des Druckluftreinigungsmoduls gemäß 17 mit einer alternativ ausgeführten Druckluftdüse,
  • 19 eine schematische Darstellung des Druckluftreinigungsmoduls gemäß 17 mit einer weiteren alternativen Ausführung der Druckluftdüse,
  • 20 eine schematische Darstellung des Druckluft des Druckluftreinigungsmoduls gemäß 17 mit einer weiteren alternativen Ausführung der Druckluftdüse,
  • 21 eine perspektivische Darstellung eines Bürstenkopfs für ein Reinigungsmodul gemäß 11,
  • 22 eine alternative Ausführung eines Bürstenkopfs für ein Reinigungsmodul gemäß 11,
  • 23 eine schematische Schnittzeichnung einer EUV-Strahlungsquelle in einem Beleuchtungssystem,
  • 24 eine schematische Darstellung einer EUV-Strahlungsquelle gemäß 23 mit einem Reinigungsmodul für eine Plasmareinigung,
  • 25 eine schematische Darstellung einer Quellkammer gemäß 24 mit einem Reinigungsmodul zur Laserreinigung,
  • 26 eine schematische Darstellung einer EUV-Strahlungsquelle mit einem Reinigungsmodul zur Strahlreinigung,
  • 27 eine Detailzeichnung einer Düse des Strahlreinigungsmoduls gemäß 26,
  • 28 eine Detailzeichnung einer alternativen Ausführung einer Düse für das Reinigungsmodul gemäß 26, und
  • 29 eine Detailzeichnung einer alternativen Ausführung einer Düse für das Reinigungsmodul gemäß 26.
Further details, advantages and features will become apparent from the description of some embodiments with reference to FIGS. Show it:
  • 1 a schematic section through a source chamber of an EUV radiation source,
  • 2 a schematic plan view of a bottom plate with four openings along the line II - II of the Quellammer in 1 .
  • 3 a schematic sectional view through a source chamber according to 1 with a cleaning module comprising a stirring device and a feeding device,
  • 4 a schematic process flow of a first method for cleaning a source chamber,
  • 5 a schematic representation of a source chamber with a cleaning module comprising a supply line for a cleaning gas and a plasma generating device integrated in the source chamber,
  • 6 a schematic process sequence of a further method for cleaning a source chamber,
  • 7 a schematic representation of a source chamber with a cleaning module, which comprises a supply line and a microwave plasma generating device,
  • 8th a schematic process sequence of a further method for cleaning a source chamber,
  • 9 a schematic representation of a source chamber with a cleaning module, which comprises a laser light source and a beam manipulator,
  • 10 a schematic process sequence of a further method for cleaning a source chamber,
  • 11 a schematic representation of a source chamber with a cleaning module, which includes a brush on a deflectable shaft,
  • 12 a schematic plan view of the source chamber according to 11 along the line XII - XII, in which the cleaning by means of the brush through different openings of a bottom plate is shown,
  • 13 a schematic process sequence of a further method for cleaning a source chamber,
  • 14 a schematic representation of a source chamber with a cleaning module, which comprises a nozzle for emitting a chamber wall,
  • 15 a schematic process sequence of a further method for cleaning a source chamber,
  • 16 schematically in a meridional section a projection exposure apparatus for microlithography with illumination optics and projection optics,
  • 17 a schematic representation of a compressed air cleaning module with a compressed air nozzle,
  • 18 a schematic representation of the compressed air cleaning module according to 17 with an alternatively executed compressed air nozzle,
  • 19 a schematic representation of the compressed air cleaning module according to 17 with a further alternative embodiment of the compressed-air nozzle,
  • 20 a schematic representation of the compressed air of the compressed air cleaning module according to 17 with a further alternative embodiment of the compressed-air nozzle,
  • 21 a perspective view of a brush head for a cleaning module according to 11 .
  • 22 an alternative embodiment of a brush head for a cleaning module according to 11 .
  • 23 a schematic sectional drawing of an EUV radiation source in a lighting system,
  • 24 a schematic representation of an EUV radiation source according to 23 with a cleaning module for a plasma cleaning,
  • 25 a schematic representation of a source chamber according to 24 with a cleaning module for laser cleaning,
  • 26 a schematic representation of an EUV radiation source with a cleaning module for blasting,
  • 27 a detailed drawing of a nozzle of the jet cleaning module according to 26 .
  • 28 a detailed drawing of an alternative embodiment of a nozzle for the cleaning module according to 26 , and
  • 29 a detailed drawing of an alternative embodiment of a nozzle for the cleaning module according to 26 ,

16 zeigt schematisch in einem Meridionalschnitt eine beispielhafte Projektionsbelichtungsanlage 100 für die Mikrolithografie. Ein Beleuchtungssystem 101 der Projektionsbelichtungsanlage 100 hat neben einer EUV-Strahlungsquelle 1 eine Beleuchtungsoptik 102 zur Belichtung eines Objektfeldes 103 in einer Objektebene 104. Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld 103 angeordnetes und in der 1 nicht dargestelltes Retikel, das eine mit der Projektionsbelichtungsanlage 100 zur Herstellung mikro- bzw. nanostrukturierter Halbleiter-Bauelemente zu projizierende Struktur trägt. Eine Projektionsoptik 105 dient zur Abbildung des Objektfeldes 103 in ein Bildfeld 106 in einer Bildebene 107. Abgebildet wird die Struktur auf dem Retikel auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 106 in der Bildebene 107 angeordneten Wafers, der in der Zeichnung nicht dargestellt ist. 16 schematically shows in a meridional section an exemplary projection exposure system 100 for microlithography. A lighting system 101 the projection exposure apparatus 100 has an EUV radiation source 1 an illumination optics 102 for the exposure of an object field 103 in an object plane 104 , One is exposed in the object field 103 arranged and in the 1 not shown reticle, the one with the projection exposure system 100 contributes to the production of microstructured or nanostructured semiconductor devices to be projected structure. A projection optics 105 serves to represent the object field 103 in a picture field 106 in an image plane 107. The structure on the reticle is imaged onto a photosensitive layer in the area of the image field 106 in the picture plane 107 arranged wafer, which is not shown in the drawing.

Die EUV-Strahlungsquelle 1 ist eine Plasmaquelle, welche im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 100 Nutzstrahlung in Form von EUV-Strahlung 108 emittiert. Die EUV-Strahlung 108 wird von einem Kollektor 109 gebündelt. Ein entsprechender Kollektor ist beispielsweise aus der EP 1 225 481 A bekannt. Nach dem Kollektor 109 propagiert die EUV-Strahlung 108 durch eine Zwischenfokusebene 110, bevor sie auf einen Feldfacettenspiegel 111 trifft. Der Feldfacettenspiegel 111 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 102 angeordnet, die zur Objektebene 104 optisch konjugiert ist. Nach dem Feldfacettenspiegel 111 wird die EUV-Strahlung 108 von einem Pupillenfacettenspiegel 112 reflektiert. Der Pupillenfacettenspiegel 112 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 102 angeordnet, die zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 105 optisch konjugiert ist. Mithilfe des Pupillenfacettenspiegels 112 und einer abbildenden optischen Baugruppe in Form einer Übertragungsoptik 113 mit in der Reihenfolge des Strahlengangs für die EUV-Strahlung 108 bezeichneten Spiegeln 114, 115 und 116 werden Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 111 einander überlagernd in das Objektfeld 103 abgebildet. Die Übertragungsoptik 113 wird zusammen mit dem Pupillenfacettenspiegel 112 auch als Folgeoptik zur Überführung der EUV-Strahlung 108 vom Feldfacettenspiegel 111 hin zum Objektfeld 103 bezeichnet.The EUV radiation source 1 is a plasma source which is in operation of the projection exposure apparatus 100 Useful radiation in the form of EUV radiation 108 emitted. The EUV radiation 108 is from a collector 109 bundled. A corresponding collector is for example from the EP 1 225 481 A known. After the collector 109 propagates the EUV radiation 108 through an intermediate focus level 110 before moving to a field facet mirror 111 meets. The field facet mirror 111 is in a plane of illumination optics 102 arranged to the object level 104 is optically conjugated. After the field facet mirror 111 becomes the EUV radiation 108 from a pupil facet mirror 112 reflected. The pupil facet mirror 112 is in a plane of illumination optics 102 arranged to a pupil plane of the projection optics 105 is optically conjugated. Using the pupil facet mirror 112 and an imaging optical assembly in the form of a transmission optics 113 with in the order of the beam path for the EUV radiation 108 designated mirrors 114 . 115 and 116 become field facets of the field facet mirror 111 overlapping each other in the object field 103 displayed. The transmission optics 113 becomes along with the pupil facet mirror 112 also as a follow-up optics for the transfer of EUV radiation 108 from the field facet mirror 111 towards the object field 103 designated.

Das Beleuchtungssystem 101 ist über eine Vakuumpumpe 117 evakuierbar. The lighting system 101 is via a vacuum pump 117 evacuated.

Die hier beschriebene Ausführung der Projektionsbelichtungsanlage 100 ist rein beispielhaft und nicht einschränkend zu verstehen. Alternativ können auch andere Ausgestaltungen einer Projektionsbelichtungsanlage, eines Beleuchtungssystems und/oder eine Beleuchtungsoptik verwendet werden. Für die hier beschriebene Erfindung ist lediglich wichtig, dass die EUV-Strahlungsquelle 1 in ein Beleuchtungssystem einer Projektionsbelichtungsanalage integriert ist und eine Quellkammer 2 der EUV-Strahlungsquelle 1 im Einbauzustand gereinigt werden kann.The embodiment of the projection exposure apparatus described here 100 is purely illustrative and not limiting. Alternatively, other configurations of a projection exposure apparatus, a lighting system and / or an illumination optics can be used. For the invention described herein, it is only important that the EUV radiation source 1 is integrated into a lighting system of a projection exposure apparatus and a source chamber 2 the EUV radiation source 1 can be cleaned in the installed state.

Im Folgenden wird unter Bezug auf die 1 die EUV-Strahlungsquelle 1 näher beschrieben.The following is with reference to the 1 the EUV radiation source 1 described in more detail.

Die EUV-Strahlungsquelle 1 umfasst die Quellkammer 2. Die Quellkammer 2 ist durch eine Kammerwand 3 begrenzt. Die Kammerwand 3 umfasst einen Deckel 4 und eine Bodenplatte 5. Die Kammerwand 3 ist aus Kupfer, insbesondere aus einer Kupferverbindung, insbesondere aus CDA 110, gefertigt.The EUV radiation source 1 includes the source chamber 2 , The source chamber 2 is through a chamber wall 3 limited. The chamber wall 3 includes a lid 4 and a bottom plate 5 , The chamber wall 3 is made of copper, in particular of a copper compound, in particular of CDA 110 , manufactured.

Die Quellkammer 2 ist im Wesentlichen zylinderförmig, wobei eine Zylinderachse senkrecht zu der Bodenplatte 5 (vgl. 2) verläuft. Die Bodenplatte 5 ist kreisförmig und kann beispielsweise einen Durchmesser von 200 mm aufweisen. Eine Ausdehnung der Quellkammer 2 senkrecht zu der Bodenplatte 5 kann beispielsweise 100 mm betragen.The source chamber 2 is substantially cylindrical, with a cylinder axis perpendicular to the bottom plate 5 (see. 2 ) runs. The bottom plate 5 is circular and may, for example, have a diameter of 200 mm. An extension of the source chamber 2 perpendicular to the bottom plate 5 may for example be 100 mm.

Die EUV-Strahlungsquelle 1 ist Teil der Projektionsbelichtungsanlage 100, insbesondere des Beleuchtungssystems 101. In dem hier gezeigten Ausführungsbeispiel ist die EUV-Strahlungsquelle in der Projektionsbelichtungsanlage 100 integriert. Im Einbauzustand ist die Bodenplatte 5 der EUV-Strahlungsquelle 1 um einen Winkel α gegenüber der Horizontalen geneigt. Der Winkel α beträgt etwa 15°.The EUV radiation source 1 is part of the projection exposure system 100 , in particular the lighting system 101 , In the embodiment shown here, the EUV radiation source is in the projection exposure apparatus 100 integrated. When installed, the bottom plate 5 the EUV radiation source 1 inclined at an angle α with respect to the horizontal. The angle α is about 15 °.

Der Zugang zu der EUV-Strahlungsquelle 1 ist beschränkt. Der unter dem Winkel α geneigte Einbau ermöglicht jedoch einen, wenn auch begrenzten, Zugang zu der EUV-Strahlungsquelle 1 über die Bodenplatte 5. Die Bodenplatte 5 weist hierzu mehrere Öffnungen auf. Die Öffnungen können zu Wartungszwecken, und, wie später erläutert wird, zu Reinigungszwecken verwendet werden.Access to the EUV radiation source 1 is limited. However, the inclined installation at the angle α allows access, albeit limited, to the EUV radiation source 1 over the bottom plate 5 , The bottom plate 5 has several openings for this purpose. The openings may be used for maintenance and, as will be explained later, for cleaning purposes.

In 2 ist eine Aufsicht auf eine beispielhafte Bodenplatte 5 der Quellkammer 2 gemäß 1 gezeigt. Die Bodenplatte 5 weist drei Öffnungen 6 eine zentrale Öffnung 7 auf. Die Öffnungen 6, 7 sind als Bohrungen in der Bodenplatte 5 ausgeführt. Die Öffnungen 6 sind exzentrisch um die zentrale Öffnung 7 angeordnet. Die Öffnungen 6, 7 können im Betrieb der EUV-Strahlungsquelle 1 als Durchflussöffnungen für Quell-Plasma dienen. Zumindest im Betrieb der EUV-Strahlungsquelle 1 kann die zentrale Öffnung 7 zudem ein Mittenteil, beispielsweise in Form einer Leiterröhre, beinhalten. Die zentrale Öffnung 7 ist daher für gewöhnlich belegt. Die Reinigung der Quellkammer 2 kann über die exzentrischen Öffnungen 6 erfolgen. Prinzipiell ist es jedoch auch möglich, die Reinigung über die zentrale Öffnung 7 durchzuführen. Beispielsweise kann die Reinigung nach Entnahme des Inhalts über die zentrale Öffnung erfolgen. Insbesondere kann vorgesehen sein, die Reinigung in einem ersten Reinigungsschritt über die exzentrischen Öffnungen 6 durchzuführen und hierauf das Mittenteil aus der zentralen Öffnung 7 zu entnehmen. In einem zweiten Reinigungsschritt kann die Reinigung durch die zentrale Öffnung 7 wiederholt werden. Die Reinigung über die zentrale Öffnung 7 hat den Vorteil, dass ein Reinigungsmittel, wie beispielsweise ein Quellplasma, besser in der Quellkammer 2 verteilt werden kann. Auch bei der Reinigung mittels eines Laserstrahls gewährleistet die Reinigung über die zentrale Öffnung 7 eine bessere Abdeckung der Kammerwand 3 der Quellkammer 2.In 2 is a plan view of an exemplary floor slab 5 the source chamber 2 according to 1 shown. The bottom plate 5 has three openings 6 a central opening 7 on. The openings 6 . 7 are as holes in the bottom plate 5 executed. The openings 6 are eccentric about the central opening 7 arranged. The openings 6 . 7 can in operation the EUV radiation source 1 serve as flow openings for source plasma. At least during operation of the EUV radiation source 1 can the central opening 7 In addition, a middle part, for example in the form of a conductor tube include. The central opening 7 is therefore usually occupied. The cleaning of the source chamber 2 can over the eccentric openings 6 respectively. In principle, however, it is also possible to clean it via the central opening 7 perform. For example, the cleaning can be done after removal of the contents through the central opening. In particular, it may be provided to carry out the cleaning in a first cleaning step via the eccentric openings 6 and then the central part of the central opening 7 refer to. In a second cleaning step, cleaning may be through the central opening 7 be repeated. The cleaning over the central opening 7 has the advantage that a cleaning agent, such as a source plasma, better in the source chamber 2 can be distributed. Even when cleaning with a laser beam, cleaning is ensured through the central opening 7 better coverage of the chamber wall 3 the source chamber 2 ,

Die in 1 und 2 gezeigte Quellkammer 2 kann insbesondere in einem Induktions-Plasmastromgenerator verwendet werden. Alternative Ausführungen der EUV-Strahlungsquelle 1, beispielsweise mit einer Elektroden-Plasma-Erzeugungseinrichtung, sind möglich. Für die nachfolgend beschriebenen Reinigungsverfahren ist lediglich wichtig, dass die Quellkammer 2 mindestens eine Öffnung aufweist. Die Öffnung kann als Öffnung 6,7 in der Bodenplatte 5 oder in anderen Bereichen der Kammerwand 3 ausgeführt sein.In the 1 and 2 shown source chamber 2 may be used in particular in an induction plasma generator. Alternative versions of the EUV radiation source 1 For example, with an electrode plasma generating device are possible. For the cleaning methods described below, it is only important that the source chamber 2 has at least one opening. The opening can be used as opening 6,7 in the bottom plate 5 or in other areas of the chamber wall 3 be executed.

Im Betrieb der EUV-Strahlungsquelle 1 wird in der Quellkammer 2 das Quell-Plasma erzeugt. Hierfür wird ein Prozessgas durch eine in der 1 nicht dargestellte Plasma-Erzeugungseinrichtung zu dem Quell-Plasma ionisiert und zur Abstrahlung von Nutzstrahlung im EUV-Bereich angeregt. Die Zufuhr des Prozessgases erfolgt über einen Massendurchflussregler und eine Zuleitung zu der Quellkammer 2.In operation of the EUV radiation source 1 will be in the source chamber 2 generates the source plasma. For this purpose, a process gas by a in the 1 Not shown plasma generating device ionized to the source plasma and excited for the emission of useful radiation in the EUV range. The supply of the process gas via a mass flow controller and a supply line to the source chamber 2 ,

Beim Betrieb der EUV-Strahlungsquelle 1 kann es zu Ablagerungen von Debris in der Quellkammer 2 kommen. Die Debris kann sich insbesondere an einer Innenfläche 8 der Kammerwand 3 in Form einer Kontaminationsschicht 9 ablagern. Die Kontaminationsschicht 9 wächst proportional mit der Anzahl der Betriebsstunden der EUV-Strahlungsquelle 1. Die Kontaminationsschicht 9 stellt ein Funktionsrisiko für die EUV-Strahlungsquelle 1 dar. Um einen sicheren und präzisen Betrieb der EUV-Strahlungsquelle 1 zu gewährleisten, muss die Quellkammer 2 von der Kontaminationsschicht 9 gereinigt werden.When operating the EUV radiation source 1 There may be deposits of debris in the source chamber 2 come. The debris can be found in particular on an inner surface 8th the chamber wall 3 in the form of a contamination layer 9 deposit. The contamination layer 9 increases proportionally with the number of operating hours of the EUV radiation source 1 , The contamination layer 9 poses a functional risk for the EUV radiation source 1 To ensure safe and accurate operation of the EUV radiation source 1 to ensure the source chamber 2 from the contamination layer 9 getting cleaned.

Die Kontaminationsschicht 9 kann beispielsweise Siliziumcarbid (SiC) umfassen. Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn eine Plasma-Erzeugungseinrichtung mit Elektroden aus Siliziumcarbid (SiC) verwendet wird. Siliziumcarbid bildet eine chemisch inerte und stark amorphe Kontaminationsschicht 9. In Induktions-Plasmageneratoren werden oftmals Mittenteile zum Einsatz in der zentralen Öffnung 7 aus SiC verwendet. Die Reinigung der Quellkammer 2 von der Kontaminationsschicht 9 soll vorzugsweise derart erfolgen, dass das Siliziumcarbid ohne Beschädigung der darunterliegenden Kammerwand 3 abgetragen wird.The contamination layer 9 For example, it may comprise silicon carbide (SiC). This is particularly the case when a plasma generating device with silicon carbide (SiC) electrodes is used. Silicon carbide forms a chemically inert and highly amorphous contamination layer 9 , In induction plasma generators, central parts are often used in the central opening 7 made of SiC. The cleaning of the source chamber 2 from the contamination layer 9 should preferably be such that the silicon carbide is removed without damaging the underlying chamber wall 3.

Bekannt ist, die Quellkammer 2 zu reinigen, indem die EUV-Strahlungsquelle 1 aus der Projektionsbelichtungsanlage 100 entnommen und in einzelne Teile zerlegt wird. Dies ist jedoch nur unter einem großen Zeitaufwand möglich. Die Produktivität der Projektionsbelichtungsanlage 100 und damit der Durchsatz der herzustellenden Halbleiterbauteile werden hierdurch erheblich reduziert. Es ist daher von Vorteil, wenn die Reinigung der Quellkammer 2 in situ vorgenommen wird, d.h. ohne dass die EUV-Strahlungsquelle 1 aus der Projektionsbelichtungsanlage entnommen und/oder demontiert werden muss.It is known, the source chamber 2 to clean by the EUV radiation source 1 from the projection exposure system 100 removed and disassembled into individual parts. However, this is possible only with a large amount of time. The productivity of the projection exposure machine 100 and thus the throughput of the semiconductor components to be produced are thereby considerably reduced. It is therefore advantageous when cleaning the source chamber 2 in situ, ie without the EUV radiation source 1 has to be removed from the projection exposure system and / or dismantled.

Im Folgenden wird ein System aus der EUV-Strahlungsquelle 1 und einem Reinigungsmodul für die in situ Reinigung der Quellkammer 2 beschrieben. Durch verschiedene der im Folgenden beschriebenen Reinigungsmodule ist insbesondere eine Reinigung der Innenfläche 8 der Kammerwand 3 durch die Öffnungen 6,7 möglich. Die nachfolgend beschriebenen Ausführungsformen des Reinigungsmoduls eignen sich für die Durchführung verschiedener Reinigungsverfahren zur Reinigung der Quellkammer 2. Die verschiedenen Reinigungsverfahren ermöglichen die Reinigung der Quellkammer 2 ohne die Innenfläche 8 der Kammerwand 3 zu beschädigen. Die Reinigungsverfahren ermöglichen eine in situ Reinigung der Quellkammer 2 durch eine Öffnung der Quellkammer 2.The following is a system from the EUV radiation source 1 and a cleaning module for in situ cleaning of the source chamber 2 described. By various of the cleaning modules described below is in particular a cleaning of the inner surface 8th the chamber wall 3 through the openings 6,7 possible. The embodiments of the cleaning module described below are suitable for carrying out various cleaning methods for cleaning the source chamber 2 , The different cleaning methods allow the cleaning of the source chamber 2 without the inner surface 8th the chamber wall 3 to damage. The cleaning procedures allow in situ cleaning of the source chamber 2 through an opening of the source chamber 2 ,

Prinzipiell könnten die Reinigungsverfahren auch ex situ durchgeführt werden. Beispielsweise kann die Quellkammer 2 zur Durchführung der Reinigungsverfahren auch demontiert und/oder geöffnet werden.In principle, the purification processes could also be carried out ex situ. For example, the source chamber 2 also be dismantled and / or opened to carry out the cleaning process.

Im Folgenden werden zunächst die benötigten Verfahrensschritte und hierauf ein zur Durchführung geeignetes Reinigungsmodul beschrieben.In the following, the required process steps and then a cleaning module suitable for carrying out are described first.

Alle nachfolgend beschriebenen Reinigungsverfahren können eine Vorreinigung 10 und/oder eine Nachreinigung 11 umfassen. Die Vorreinigung 10 und/oder die Nachreinigung 11 werden insbesondere mit XCDA durchgeführt. Hierzu ist jeweils ein Abstrahlschritt 12 vorgesehen, in welchem die Innenfläche 8 der Kammerwand 3 mit Druckluft abgestrahlt wird. Vor und/oder nach dem Abstrahlschritt 12 kann sich ein Absaugschritt 13 anschließen, in welchem die Quellkammer 2 abgesaugt wird. In den im Folgenden dargestellten Reinigungsverfahren umfasst die Vorreinigung 10 einen Absaugschritt 13 vor und nach dem Abstrahlschritt 12. Falls eine Nachreinigung 11 vorgesehen ist, wird der Absaugschritt 13 nur nach dem Abstrahlschritt 12 durchgeführt. Natürlich ist es auch möglich, dass die Nachreinigung 11 den Absaugschritt 13 vor und nach dem Abstrahlschritt 12 enthält. Der Absaugschritt 13 eignet sich insbesondere zum Entfernen von mittels der Druckluft im Abstrahlschritt 12 abgestrahlter Partikel aus der Quellkammer 2.All cleaning procedures described below can be precleaned 10 and / or a post-cleaning 11 include. The pre-cleaning 10 and / or the post-cleaning 11 are carried out in particular with XCDA. For this purpose, in each case a radiation step 12 provided in which the inner surface 8th the chamber wall 3 is emitted with compressed air. Before and / or after the radiation step 12 may be followed by a suction 13, in which the source chamber 2 is sucked off. In the im The cleaning process shown below includes the pre-cleaning 10 a suction step 13 before and after the radiation step 12 , If a post-cleaning 11 is provided, the suction step 13 only after the radiation step 12 carried out. Of course it is also possible that the post-cleaning 11 the suction step 13 contains before and after the radiation step 12. The suction step 13 is particularly suitable for removing by means of the compressed air in the emitting step 12 emitted particles from the source chamber 2 ,

Zur Durchführung der Vorreinigung 10 und/oder der Nachreinigung 11 umfassen die nachfolgend beschriebenen Reinigungsmodule einen Drucklufterzeuger und Druckluftdüsen. Der Drucklufterzeuger ist an eine der Öffnungen 6, 7 ankoppelbar, insbesondere vakuumdicht ankoppelbar, sodass die jeweilige Öffnung 6, 7 mit Druckluft beaufschlagbar ist.To carry out the pre-cleaning 10 and / or the post-cleaning 11 For example, the cleaning modules described below include a compressed air generator and compressed air nozzles. The compressed air generator is at one of the openings 6 . 7 coupled, in particular vacuum-tight coupled, so that the respective opening 6 . 7 can be acted upon with compressed air.

In den 17 bis 20 sind beispielhafte Ausführungen eines Druckluftreinigungsmoduls 201 für die Vorreinigung 10 und/oder Nachreinigung 11 gezeigt. Identische Komponenten tragen die gleichen Bezugszeichen wie in den vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 und 2 bereits beschriebenen Ausführungen der Quellkammer, auf die hiermit verwiesen wird.In the 17 to 20 are exemplary embodiments of a compressed air cleaning module 201 for the pre-cleaning 10 and / or after-cleaning 11 shown. Identical components bear the same reference numerals as in the above with reference to the 1 and 2 already described embodiments of the source chamber, to which reference is hereby made.

Die in den 17 bis 20 dargestellten Druckluftreinigungsmodule 201 unterscheiden sich lediglich durch die konkrete Ausgestaltung der jeweiligen Druckluftdüsen. Alle Druckluftreinigungsmodule weisen einen Drucklufterzeuger 202 zur Erzeugung von Druckluft, insbesondere aus XCDA auf. Die erzeugte Druckluft wird hierbei in Richtung eines Pfeils 203 durch die Druckluftleitung 204 geführt. In der Druckluftleitung 204 sind ein Druckluftventil 205 und ein Drucklufthahn 206 angeordnet. Der Drucklufthahn 206 dient zur Steuerung des Auslasses der Druckluft. In den in 17 bis 20 gezeigten Ausführungsbeispielen ist der Drucklufthahn 206 manuell bedienbar. Alternativ kann auch ein automatisch gesteuerter Drucklufthahn vorgesehen sein.The in the 17 to 20 illustrated compressed air cleaning modules 201 differ only by the specific design of the respective compressed air nozzles. All compressed air cleaning modules have a compressed air generator 202 for generating compressed air, in particular from XCDA. The compressed air generated in this case is in the direction of an arrow 203 through the compressed air line 204 guided. In the compressed air line 204 are a compressed air valve 205 and a compressed air tap 206 arranged. The compressed air tap 206 serves to control the outlet of the compressed air. In the in 17 to 20 The exemplary embodiments shown are the compressed air tap 206 manually operated. Alternatively, an automatically controlled compressed air valve can also be provided.

An den Drucklufthahn 206 schließt sich eine Druckluftdüse an. In den 17 bis 20 sind verschiedene Ausführungen der Druckluftdüsen gezeigt. Alle Druckluftdüsen sind über die zentrale Öffnung 7 oder eine exzentrische Öffnung 6 durch die Bodenplatte 5 in die Quellkammer 2 einführbar. Somit können über die Druckluftdüsen die Innenflächen der Kammerwand 3 mit Druckluft abgestrahlt werden. Die Druckluftdüsen sind lösbar mit dem Drucklufthahn 206 verbunden und können gegeneinander ausgetauscht werden. Somit können für den Abstrahlschritt 12 der Vorreinigung 10 und/oder der Nachreinigung 11 verschiedene Druckluftdüsen mit dem Druckluftreinigungsmodul 201 verwendet werden. Die Druckluftdüsen können an den Grad der Verschmutzung, wie die Dicke und Lage der Kontaminationsschicht, angepasst werden.To the compressed air tap 206 joins a compressed air nozzle. In the 17 to 20 Different versions of the compressed air nozzles are shown. All compressed air nozzles are over the central opening 7 or an eccentric opening 6 through the bottom plate 5 into the source chamber 2 insertable. Thus, via the compressed air nozzles, the inner surfaces of the chamber wall 3 be radiated with compressed air. The compressed air nozzles are detachable with the compressed air tap 206 connected and can be exchanged for each other. Thus, for the emitting step 12 the pre-cleaning 10 and / or the post-cleaning 11 different compressed air nozzles with the compressed air cleaning module 201 be used. The compressed air nozzles can be adapted to the degree of contamination, such as the thickness and position of the contamination layer.

Die in 17 gezeigte Druckluftdüse 207 besteht aus einem abgewinkelten Zuführrohr. Hierdurch ist ein fokussierter Druckluftstrahl erzeugbar, welcher gezielt auf einzelne Punkte der Kammerwand 3 gerichtet werden kann. Die Ausrichtung des Druckluftstrahls über die Druckluftdüse 207 erfolgt hierbei manuell.In the 17 shown compressed air nozzle 207 consists of an angled feed pipe. As a result, a focused compressed air jet can be generated, which is targeted to individual points of the chamber wall 3 can be directed. The alignment of the compressed air jet via the compressed air nozzle 207 takes place manually.

Die in 18 gezeigte Druckluftdüse 208 eignet sich zum Abstrahlen der Bodenplatte 5. Hierbei wird der Bereich der Bodenplatte 5, welcher die Öffnung 7 umgibt, über welche die Druckluftdüse 208 in die Quellkammer 2 eingeführt wird, abgestrahlt. In 18 ist die Druckluftdüse 208 durch die zentrale Öffnung 207 in die Quellkammer 2 eingeführt. Alternativ oder zusätzlich kann die Druckluftdüse 208 auch über eine oder mehrerer der exzentrischen Öffnungen 6 in die Quellkammer 2 eingebracht werden. Die Druckluftdüse 208 ist pilzförmig ausgeführt. Die Austrittsöffnungen für die Druckluft sind ringförmig am unteren Rand einer pilzhutförmigen Spitze der Druckluftdüse 208 angeordnet. Hierdurch wird die Druckluft von der Druckluftdüse 208 aus kegelmantelförmig auf die Bodenplatte 5 eingestrahlt.In the 18 shown compressed air nozzle 208 is suitable for blasting the bottom plate 5. Here is the area of the bottom plate 5 which the opening 7 surrounds over which the compressed air nozzle 208 into the source chamber 2 is introduced, radiated. In 18 is the compressed air nozzle 208 through the central opening 207 into the source chamber 2 introduced. Alternatively or additionally, the compressed air nozzle 208 also over one or more of the eccentric openings 6 into the source chamber 2 be introduced. The compressed air nozzle 208 is mushroom-shaped. The outlet openings for the compressed air are annular at the bottom of a mushroom-shaped tip of the compressed air nozzle 208 arranged. As a result, the compressed air from the compressed air nozzle 208 cone-shaped on the base plate 5 irradiated.

Die in 19 dargestellte Druckluftdüse 209 eignet sich zum simultanen Abstrahlen eines großen Bereichs der Kammerwand 3, insbesondere der Bodenplatte 5 sowie eines in der 19 nicht dargestellten Deckels 4 der Quellkammer 2. Die Druckluftdüse 209 wirkt hierbei als ein Zerstäuber für die eingebrachte Druckluft. Die Druckluftdüse 209 ist sphärisch ausgeführt und weist eine Vielzahl von Druckluftöffnungen auf. Die Druckluft wird ausgehend von der Druckluftdüse 209 sternförmig in einen großen Bereich des Raumwinkels abgestrahlt.In the 19 illustrated compressed air nozzle 209 is suitable for simultaneous blasting of a large area of the chamber wall 3 , in particular the bottom plate 5 as well as one in the 19 not shown lids 4 the source chamber 2 , The compressed air nozzle 209 acts as a nebulizer for the introduced compressed air. The compressed air nozzle 209 is spherical and has a plurality of compressed air openings. The compressed air comes from the compressed air nozzle 209 radiated star-shaped into a large area of the solid angle.

Die in 20 gezeigte Druckluftdüse 210 weist eine verdrehbare Druckluftaustrittsöffnung auf. Die Druckluftaustrittsöffnung erzeugt einen fokussierten Druckluftstrahl 211. Der Druckluftstrahl 211 kann durch Verdrehen der Druckluftauslassöffnung mittels der Druckluftdüse 210 gezielt auf einzelne Bereiche der Kammerwand 3, insbesondere der Bodenplatte 5 oder den der Bodenplatte 5 gegenüberliegenden, in der 20 nicht dargestellten Deckel 4 der Quellkammer 2 eingestrahlt werden.In the 20 shown compressed air nozzle 210 has a rotatable compressed air outlet opening. The compressed air outlet creates a focused compressed air jet 211 , The compressed air jet 211 can by turning the Druckluftauslassöffnung by means of the compressed air nozzle 210 targeted to individual areas of the chamber wall 3 , in particular the bottom plate 5 or the bottom plate 5 opposite, in the 20 lid, not shown 4 the source chamber 2 be irradiated.

Des Weiteren umfassen die Reinigungsmodule eine mit einer der Öffnung 6, 7 verbindbaren Entfernungseinrichtung. Die Entfernungseinrichtung umfasst eine Absaugvorrichtung 52. Die Absaugvorrichtung 52 weist eine Absaugleitung 79 zur vakuumdichten Ankopplung an eine der Öffnungen 6, 7 auf. Die Absaugvorrichtung 52 umfasst einen Behälter zur Aufnahme der abgesaugten Reinigungsmittel und/oder Verunreinigungen.Furthermore, the cleaning modules include one with one of the openings 6 . 7 connectable removal device. The removal device comprises a suction device 52 , The suction device 52 has a suction line 79 for vacuum-tight coupling to one of the openings 6 . 7 on. The suction device 52 comprises a container for receiving the extracted detergent and / or impurities.

Alle im Folgenden beschriebenen Reinigungsverfahren umfassen einen Kontrollschritt 14. Der Kontrollschritt 14 stellt insbesondere sicher, dass eine Abtragung der Kontaminationsschicht 9 restlos erfolgt ist. Des Weiteren können im Kontrollschritt 14 eventuelle Schäden an der Quellkammer 2, insbesondere an der Innenfläche 8 der Kammerwand 3 detektiert werden. Der Kontrollschritt 14 wird zudem vor der Reinigung durchgeführt, um den Grad der Verschmutzung, beispielsweise die Dicke und Lage der Kontaminationsschicht 9, zu bestimmen. All purification procedures described below include a control step 14. The control step 14 ensures in particular that a removal of the contamination layer 9 is completely done. Furthermore, in the control step 14 possible damage to the source chamber 2 , in particular on the inner surface 8th the chamber wall 3 be detected. The control step 14 It is also done before cleaning to reduce the level of contamination, such as the thickness and location of the contamination layer 9 to determine.

Zur Durchführung des Kontrollschritts 14 umfasst das Reinigungsmodul eine Kontrollvorrichtung. Die Kontrollvorrichtung umfasst ein nicht dargestelltes Endoskop, mit welchem eine optische Überprüfung der Quell-Kammer 2 erfolgen kann. Des Weiteren weist die Kontrollvorrichtung eine Schichtdickenmesssonde auf. Die Schichtdickenmesssonde ist zur Durchführung einer Wirbelstromprüfung ausgelegt. Die Schichtdickenmesssonde umfasst ein Spulenpaar aus einer Sender- und einer Empfängerspule und einen Signalprozessor.To carry out the control step 14 the cleaning module comprises a control device. The control device comprises an endoscope, not shown, with which an optical inspection of the source chamber 2 can be done. Furthermore, the control device has a layer thickness measuring probe. The layer thickness measuring probe is designed to carry out an eddy current test. The layer thickness measuring probe comprises a coil pair of a transmitter and a receiver coil and a signal processor.

Im Folgenden wird mit Bezug auf 4 ein erstes Reinigungsverfahren in Form eines Gleitschleifverfahrens 15 beschrieben. Zunächst wird in einem Bereitstellungsschritt 48 ein Beleuchtungssystem 101 für eine Projektionsbelichtungsanlage 100 mit einer EUV-Strahlungsquelle 1 bereitgestellt. Die EUV-Strahlungsquelle weist eine Quellkammer 2 mit mindestens einer Öffnung 6, 7 (vgl. 3) auf.The following is with reference to 4 a first cleaning process in the form of a vibratory finishing process 15 described. First, in a deployment step 48 a lighting system 101 for a projection exposure machine 100 with an EUV radiation source 1 provided. The EUV radiation source has a source chamber 2 with at least one opening 6 . 7 (see. 3 ) on.

Nach einer Vorreinigung 10 wird in einem Kontrollschritt 14 der Grad der Verschmutzung der Quellkammer 2 ermittelt. Hierauf wird in einem Reinigungsmitteleinbringungsschritt 16 ein Reinigungsmittel in Form von Schleifkörpern 17 (vgl. 3) durch eine der Öffnungen 6 in die Quellkammer 2 eingebracht. Die Schleifkörper 17 werden trocken, das heißt ohne Flüssigkeiten, in die Quellkammer 2 eingebracht. Bei den Schleifkörpern 17 handelt es sich insbesondere um Trockenschleifgranulate. Es werden so viele Schleifkörper 17 in die Quellkammer 2 eingebracht, dass die Quellkammer 2 zu mindestens 80%, insbesondere mindestens 90%, insbesondere gänzlich, mit Schleifkörpern 17 gefüllt ist. Unter einer gänzlichen Füllung der Quellkammer 2 durch die Schleifkörper 17 sei hierbei verstanden, dass die Schleifkörper 17 in der Quellkammer 2 in einer dichten Packung vorliegen. Das Volumen der Quellkammer 2 ist bis auf in der dichten Packung vorhandenen Zwischenräumen zwischen den Schleifkörpern 17 vollständig durch die Schleifkörper 17 aufgefüllt.After a pre-cleaning 10 is in a control step 14 the degree of contamination of the source chamber 2 determined. This is followed in a detergent application step 16 a cleaning agent in the form of abrasive articles 17 (see. 3 ) through one of the openings 6 into the source chamber 2 brought in. The grinding wheels 17 become dry, ie without liquids, in the source chamber 2 brought in. At the grinding bodies 17 these are in particular dry abrasive granules. There are so many abrasives 17 into the source chamber 2 introduced that the source chamber 2 at least 80%, in particular at least 90%, especially wholly, with abrasive articles 17 is filled. Under a complete filling of the source chamber 2 through the grinding wheels 17 Let it be understood that the grinding wheels 17 in the source chamber 2 in a tight package. The volume of the source chamber 2 is up to in the dense packing existing gaps between the grinding wheels 17 completely through the grinding wheels 17 refilled.

Nach Einbringung der Schleifkörper 17 werden diese relativ zu der Quellkammer 2 bewegt. In dem hier gezeigten Ausführungsbeispiel werden die Schleifkörper 17 hierzu in einem Rührschritt 18 mittels einer Rührvorrichtung 19 in Rotation gebracht. Die rotierenden Schleifkörper 17 schleifen hierbei Verschmutzungen in der Quellkammer 2, insbesondere die Kontaminationsschicht 9, ab. Die Quellkammer 2 wird hierdurch mechanisch gereinigt. Durch das Abschleifen werden Abriebs-Partikel erzeugt. Eine Effektivität des Abschleifens kann hierbei durch die Wahl der Schleifkörper 17, durch die Rotationsgeschwindigkeit der Rührvorrichtung 19 und durch die Dauer des Rührschritts 18 variiert werden. Die Effektivität des Abschleifens kann an eine im Kontrollschritt 14 bestimmte Dicke der Kontaminationsschicht 9 angepasst werden.After incorporation of the grinding wheels 17 These are relative to the source chamber 2 emotional. In the embodiment shown here, the grinding wheels 17 for this purpose in a stirring step 18 by means of a stirring device 19 put into rotation. The rotating grinding wheels 17 grind dirt in the source chamber 2 , in particular the contamination layer 9 , from. The source chamber 2 is thereby mechanically cleaned. Abrasion generates abrasive particles. An effectiveness of grinding can be achieved by the choice of grinding wheels 17 , by the rotational speed of the stirring device 19 and by the duration of the stirring step 18 be varied. The effectiveness of the abrading can be at one in the control step 14 certain thickness of the contamination layer 9 be adjusted.

Im Anschluss an den Rührschritt 18 werden in einem Entfernungsschritt 20 die Schleifkörper 17 und die Abriebs-Partikel aus der Quellkammer 2 entfernt. Hierzu wird die Quellkammer 2 im Entfernungsschritt 20 durch eine der Öffnungen 6 abgesaugt. Der Entfernungsschritt 20 kann dem Absaugschritt 13 der Vorreinigung 10 und/oder der Nachreinigung 11 entsprechen.Following the stirring step 18 be in a removal step 20 the grinding wheels 17 and the abrasive particles from the source chamber 2 away. This is the source chamber 2 in the removal step 20 through one of the openings 6 aspirated. The removal step 20 can the suction step 13 the pre-cleaning 10 and / or the post-cleaning 11 correspond.

An den Entfernungsschritt 20 schließen sich die Nachreinigung 11 und ein erneuter Kontrollschritt 14 zur Überprüfung des Erfolgs der Reinigung an.At the removal step 20 close the post-cleaning 11 and a new control step 14 to verify the success of the cleaning.

Nach einer einmaligen Durchführung des Gleitschleifverfahrens 15 kann dieses widerholt werden. Insbesondere kann vorgesehen sein, den Reinigungsmitteleinbringungsschritt 16, den Rührschritt 18 und den Entfernungsschritt 20 mehrfach durchzuführen.After a single execution of the vibratory finishing process 15 This can be repeated. In particular, provision may be made for the detergent-introducing step 16 , the stirring step 18 and the removal step 20 perform several times.

Ein Reinigungsmodul 24 für die Durchführung eines Gleitschleifverfahrens 15 umfasst, wie für das Ausführungsbeispiel in 3 schematisch gezeigt, eine als Rührvorrichtung 19 ausgeführte Bewegungsvorrichtung, die Absaugvorrichtung 52 und eine Zuführvorrichtung 23 für das als Schleifkörper 17 ausgeführte Reinigungsmittel.A cleaning module 24 for carrying out a vibratory finishing process 15 includes, as for the embodiment in 3 schematically shown, designed as a stirring device 19 moving device, the suction device 52 and a feeder 23 for that as a grinding wheel 17 executed cleaning agents.

Die Zuführvorrichtung 23 ist für den Reinigungsmitteleinbringungsschritt 16 mit einer der mindestens einen Öffnung 6,7 vakuumdicht verbindbar. Im hier gezeigten Ausführungsbeispiel umfasst die Zuführvorrichtung 23 einen Behälter 80, welcher als Schleifkörperreservoir dient. Im Reinigungsmitteleinbringungsschritt 16 werden die Schleifkörper 17 über die Zuführvorrichtung 23 aus dem Behälter 80 durch eine der Öffnungen 6 in die Quellkammer 2 eingebracht. Hierbei kann insbesondere vorgesehen sein, dass möglicherweise weitere Öffnungen 6, 7 verschlossen sind.The feeder 23 is for the detergent-introducing step 16 with one of the at least one opening 6,7 vacuum-tight connectable. In the embodiment shown here, the supply device comprises 23 a container 80 , which serves as Schleifkörperreservoir. In the detergent-introducing step 16 become the grinding wheels 17 via the feeder 23 from the container 80 through one of the openings 6 into the source chamber 2 brought in. In this case, it may in particular be provided that possibly further openings 6 . 7 are closed.

Die Rührvorrichtung 19 kann prinzipiell in die Quellkammer 2 integriert sein. Es ist jedoch vorteilhaft, wenn die Rührvorrichtung 19 durch eine der Öffnung 6,7 in die Quellkammer 2 eingeführt wird. Hierzu wird die Rührvorrichtung 19 dicht an die Öffnung 6,7 angekoppelt. In dem hier gezeigten Ausführungsbeispiel wird die Rührvorrichtung 19 an die zentrale Öffnung 7, also an eine andere Öffnung als die Zuführvorrichtung 23 angekoppelt. Alternativ hierzu kann nach dem Reinigungsmitteleinbringungsschritt 16 die Zuführvorrichtung 23 von der Öffnung 6 abgenommen werden und durch die Rührvorrichtung 19 ersetzt werden.The stirring device 19 can in principle be in the source chamber 2 be integrated. However, it is advantageous if the stirring device 19 through one of the opening 6,7 in the source chamber 2 is introduced. For this purpose, the stirring device 19 tightly coupled to the opening 6,7. In the one shown here Embodiment, the stirring device 19 to the central opening 7 , So to another opening than the feeder 23 coupled. Alternatively, after the detergent-introducing step 16 the feeder 23 from the opening 6 be removed and by the stirring device 19 be replaced.

In 3 ist das System aus EUV-Strahlungsquelle 1 und Reinigungsmodul 24 während des Rührschritts 18 gezeigt. Die Schleifkörper 17 sind über die Zuführvorrichtung 23 durch eine exzentrische Öffnung 6 in die Quellkammer 2 eingebracht worden. An die zentrale Öffnung 7 ist die Rührvorrichtung 19 angeflanscht. Die Rührvorrichtung 19 umfasst einen Antrieb 21, welcher unterhalb der Bodenplatte 5 angeordnet ist und einem Rührer 22, welcher durch die Öffnung 7 in die Quellkammer 2 hineinragt. Durch den Antrieb 21 wird der Rührer 22 in Rotation versetzt und bewirkt seinerseits eine Rotation der Schleifkörper 17. Die Rührvorrichtung 19 wird mechanisch über einen Motor in Rotation versetzt. In einer nicht dargestellten Alternative ist die Rührvorrichtung 19 als Magnetrührer ausgeführt. In einer weitern, nicht dargestellten Alternative kann die Rührvorrichtung auch als Düse ausgestaltet sein, welche die Schleifkörper mittels einem tangentialen Luftaustritt in Rotation versetzt.In 3 is the system of EUV radiation source 1 and cleaning module 24 during the stirring step 18 shown. The grinding wheels 17 are via the feeder 23 through an eccentric opening 6 into the source chamber 2 been introduced. To the central opening 7 is the stirring device 19 flanged. The stirring device 19 includes a drive 21 , which is below the bottom plate 5 is arranged and a stirrer 22 passing through the opening 7 into the source chamber 2 protrudes. By the drive 21 becomes the stirrer 22 set in rotation and in turn causes a rotation of the grinding wheels 17 , The stirring device 19 is mechanically rotated by a motor in rotation. In an alternative, not shown, the stirring device 19 designed as a magnetic stirrer. In a further alternative, not shown, the stirring device can also be designed as a nozzle which sets the grinding bodies in rotation by means of a tangential air outlet.

Zur Durchführung des Entfernungsschritts 20 umfasst das Reinigungsmodul 24 die als Absaugvorrichtung 52 ausgeführte Entfernungseinrichtung. Die Absaugvorrichtung 52 für den Entfernungsschritt 20 entspricht in dem hier gezeigten Ausführungsbeispiel der Absaugvorrichtung 52 des Absaugschritts 13 der Vorreinigung 10 und/oder der Nachreinigung 11. In dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel ist die Absaugvorrichtung 52 noch nicht mittels der Absaugleitung 79 mit einer der Öffnungen 6,7 der Quellkammer 2 verbunden. Die Absaugvorrichtung 52 kann nach dem Rührschritt 18 an einer der Öffnungen 6,7 angekoppelt, insbesondere vakuumdicht angekoppelt werden. Die Absaugvorrichtung 52 kann insbesondere nach Entfernen des Rührers 19 an die vormals durch den Rührer 19 belegte Öffnung 7 angeflanscht werden. Alternativ kann die Absaugvorrichtung 52 auch schon während dem Rührschritt 18 mit einer weiteren Öffnung 6,7 verbunden sein. Anstatt über die getrennte Absaugvorrichtung 52 kann die Absaugung prinzipiell auch über die Zuführvorrichtung 23 erfolgen.To carry out the removal step 20 includes the cleaning module 24 as a suction device 52 executed removal device. The suction device 52 for the removal step 20 corresponds in the embodiment shown here, the suction device 52 the suction step 13 the pre-cleaning 10 and / or the post-cleaning 11 , In the in 3 illustrated embodiment is the suction device 52 not yet by means of the suction line 79 with one of the openings 6,7 of the source chamber 2 connected. The suction device 52 can after the stirring step 18 be coupled to one of the openings 6,7, in particular vacuum-tight coupled. The suction device 52 especially after removal of the stirrer 19 to the former by the stirrer 19 occupied opening 7 be flanged. Alternatively, the suction device 52 even during the stirring step 18 be connected to a further opening 6,7. Instead of the separate suction device 52 the suction can in principle also via the feeder 23 respectively.

Mit dem hier dargestellten Reinigungsmodul 24 erfolgt das Reinigungsverfahren 15 durch eine der exzentrischen Öffnungen 6 und die zentrale Öffnung 7. Alternativ hierzu kann das Gleitschleifverfahren 15 auch nur durch eine der exzentrischen Öffnungen 6 oder nur durch die zentrale Öffnung 7 erfolgen. Beispielsweise kann vorgesehen sein, nach einer erstmaligen Durchführung zumindest des Reinigungsmitteleinbringungsschritts 16, des Rührschritts 18 und des Entfernungsschritts 20 durch eine der exzentrischen Öffnungen 6 das Mittenteil aus der zentralen Öffnung 7 zu entfernen und den Reinigungsmitteleinbringungsschritts 16, des Rührschritts 18 und des Entfernungsschritts 20 durch die zentrale Öffnung 7 zu wiederholen.With the cleaning module shown here 24 the cleaning process takes place 15 through one of the eccentric openings 6 and the central opening 7 , Alternatively, the vibratory finishing process 15 even through one of the eccentric openings 6 or only through the central opening 7 respectively. For example, it may be provided after a first implementation of at least the detergent introduction step 16 , the stirring step 18 and the removal step 20 through one of the eccentric openings 6 the middle part of the central opening 7 to remove and the detergent introduction step 16 , the stirring step 18 and the removal step 20 through the central opening 7 to repeat.

Nachfolgend wird mit Bezug auf 6 ein weiteres Reinigungsverfahren in Form eines ersten Plasmareinigungsverfahrens 25 beschrieben. In 5 ist ein hierfür verwendbares Reinigungsmodul 26 schematisch dargestellt. Identische Verfahrensschritte und Komponenten tragen die gleichen Bezugszeichen wie in den vorstehend unter Bezugnahme auf die 3 und 4 bereits beschriebenen Alternativen, auf die hiermit verwiesen wird.Hereinafter, with reference to 6 another cleaning process in the form of a first plasma cleaning process 25 described. In 5 is a cleaning module that can be used for this purpose 26 shown schematically. Identical method steps and components bear the same reference numerals as in the above with reference to FIGS 3 and 4 already described alternatives to which reference is hereby made.

Im ersten Plasmareinigungsverfahren 25 wird in einem Bereitstellungsschritt 49 ein Beleuchtungssystem 101 für eine Projektionsbelichtungsanlage 100 mit einer EUV-Strahlungsquelle 1 bereitgestellt. Die EUV-Strahlungsquelle weist eine Quellkammer 2 mit mindestens einer Öffnung 6, 7 und eine als in die Quellkammer 2 integrierte Plasma-Erzeugungseinrichtung 29 ausgeführte Energieeinbringungsvorrichtung auf (vgl. 5). Die Plasma-Erzeugungseinrichtung 29 kann zur Erzeugung des Quell-Plasmas während des Betriebs der EUV-Strahlungsquelle 1 dienen. Als Plasma-Erzeugungseinrichtung 29 wird ein Induktions-Plasmastromgenerator verwendet werden. Alternativ kann auch eine andere Plasma-Erzeugungseinrichtung, beispielsweise mit Elektroden, verwendet werden.In the first plasma cleaning process 25 will be in a deployment step 49 a lighting system 101 for a projection exposure machine 100 with an EUV radiation source 1 provided. The EUV radiation source has a source chamber 2 with at least one opening 6 . 7 and one as in the source chamber 2 integrated plasma generating device 29 executed energy input device (see. 5 ). The plasma generator 29 may be used to generate the source plasma during operation of the EUV radiation source 1 serve. As a plasma generating device 29 An induction plasma generator will be used. Alternatively, another plasma generating device, for example with electrodes, may also be used.

Nach der Vorreinigung 10 und dem Kontrollschritt 14 wird zunächst in einem Evakuierungsschritt 118 die Quellkammer evakuiert. Hierauf wird in einem Gaseinbringungsschritt 27 ein Reinigungsgas in die Quellkammer 2 eingebracht. Bei dem Reinigungsgas kann es sich insbesondere um Mischungen aus CF4 und O2 oder Ar und H2 handeln. Weitere Reinigungsgase können CDA oder XCDA zur Erzeugung eines atmosphärischen Plasmas oder auch Formiergas sein.After the pre-cleaning 10 and the control step 14 is first in an evacuation step 118 evacuated the source chamber. This is followed in a gas introduction step 27 a cleaning gas into the source chamber 2 brought in. The cleaning gas may in particular be mixtures of CF 4 and O 2 or Ar and H 2 . Further cleaning gases may be CDA or XCDA for generating an atmospheric plasma or forming gas.

Nach dem Gaseinbringungsschritt 27 wird in einem Plasma-Erzeugungsschritt 28 mittels der Plasma-Erzeugungseinrichtung 29 elektromagnetische Energie in die Quellkammer 2 eingebracht, sodass aus dem Reinigungsgas ein Reinigungsplasma erzeugt wird. Beispielsweise kann das Gasgemisch aus CF4 und O2 als Reinigungsgas und ein Induktions-Plasmastromgenerator, der mit einer Betriebsspannung von 500 V betrieben wird, verwendet werden, wodurch eine Dauer des Plasma-Erzeugungsschrittes 28 von unter zwei Stunden, insbesondere unter 90 min, insbesondere von etwa 60 min, für die Reinigung der Quellkammer 2 ausreichend ist. Für den Fall, dass das Gasgemisch aus Ar und H2 verwendet wird, kann der Induktions-Plasmastromgenerator mit einer Betriebsspannung 250 Volt betrieben werden, wodurch eine Dauer des Plasma-Erzeugungsschritts 28 von unter einer Stunde, insbesondere von etwa 30 min, für die Reinigung der Quellkammer 2 ausreichend ist. Die Betriebsspannung im Plasma-Erzeugungsschritt 28 ist an der Bodenplatte 5 der Quellkammer 2 angelegt.After the gas introduction step 27 is in a plasma generation step 28 by the plasma generator 29 electromagnetic energy in the source chamber 2 introduced so that a cleaning plasma is generated from the cleaning gas. For example, the gas mixture of CF 4 and O 2 as a purge gas and an induction plasma generator operated at an operating voltage of 500 V may be used, thereby providing a duration of the plasma generation step 28 less than two hours, especially less than 90 minutes, especially about 60 minutes, for the purification of the source chamber 2 is sufficient. In the event that the gas mixture of Ar and H 2 is used, the induction plasma generator can be operated with an operating voltage 250 volts, whereby a duration of the plasma generating step 28 less than one hour, especially about 30 minutes, for the purification of the source chamber 2 is sufficient. The operating voltage in the plasma generating step 28 is at the bottom plate 5 the source chamber 2 created.

Nach dem Plasma-Erzeugungsschritt 28 werden in einem Entfernungsschritt 30 das Reinigungsgas und die aufgrund der Einwirkung des Reinigungs-Plasmas abgelöste Verschmutzung aus der Quellkammer 2 durch die Öffnung 6, 7 entfernt. Der Entfernung des Reinigungsgases und der abgelösten Partikel erfolgt durch Absaugen der Quellkammer 2. Der Entfernungsschritt 30 entspricht also dem Absaugschritt 13 der Vorreinigung 10 und/oder der Nachreinigung 11.After the plasma generation step 28 be in a removal step 30 the cleaning gas and the pollution from the source chamber due to the action of the cleaning plasma 2 through the opening 6 . 7 away. The removal of the cleaning gas and the detached particles by suction of the source chamber 2. The removal step 30 corresponds to the suction step 13 the pre-cleaning 10 and / or the post-cleaning 11 ,

Nach dem Entfernungsschritt 30 folgt die Nachreinigung 11 und der Kontrollschritt 14.After the removal step 30 Follow the post-cleaning 11 and the control step 14 ,

Eine Ausführung eines für das Plasmareinigungsverfahren 25 verwendbaren Reinigungsmoduls 26 ist in 5 dargestellt. Es umfasst eine Energieeinbringungsvorrichtung, welche durch die oben diskutierte, in der Quellkammer 2 integrierte Plasma-Erzeugungseinrichtung 29 realisiert ist. Des Weiteren ist eine mit einer der Öffnungen 6, 7 verbindbare Zuleitung 31 für das Reinigungsgas vorgesehen. Das Reinigungsgas wird mit Hilfe eines Pumpensystems 32 durch die Zuleitung 31 in die Quellkammer 2 eingebracht werden. Das Pumpensystem 32 kann eine Vorpumpe umfassen. Es umfasst insbesondere eine Turbomolekularpumpe.An embodiment of one for the plasma cleaning process 25 usable cleaning module 26 is in 5 shown. It comprises an energy introduction device, which, as discussed above, in the source chamber 2 integrated plasma generating device 29 is realized. Furthermore, one with one of the openings 6 , 7 connectable supply line 31 intended for the cleaning gas. The cleaning gas is using a pump system 32 through the supply line 31 into the source chamber 2 be introduced. The pump system 32 may include a forepump. It comprises in particular a turbomolecular pump.

In dem hier gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Zuleitung 31 an die zentrale Öffnung 7 angekoppelt. Weitere Öffnungen 6, die nicht mit der Zuleitung 31 verbunden sind, müssen für das Durchführen des Plasmareinigungsverfahrens 25 verschlossen werden.In the embodiment shown here, the supply line 31 to the central opening 7 coupled. Other openings 6 not with the supply line 31 are required to carry out the plasma cleaning process 25 be closed.

Zur Durchführung des Entfernungsschritts 20 umfasst das Reinigungsmodul 26 eine als Absaugvorrichtung 52 ausgeführte Entfernungseinrichtung. Die Absaugvorrichtung 52 für den Entfernungsschritt 20 entspricht der des Absaugschritts 13 der Vorreinigung 10 und/oder der Nachreinigung 11. In dem in 5 dargestellten Ausführungsbeispiel ist die Absaugvorrichtung 52 noch nicht mittels der Absaugleitung 79 mit einer der Öffnungen 6,7 der Quellkammer 2 verbunden. Die Absaugvorrichtung 52 wird dann Beendigung des Plasmaerzeugungsschritts 28 an einer der Öffnungen 6,7 vakuumdicht angekoppelt. Die Absaugvorrichtung 52 kann insbesondere nach entfernen der Zuleitung 31 an die vormals durch die Zuleitung 31 belegte zentrale Öffnung 7 angekoppelt werden. Alternativ kann die Absaugvorrichtung 52 auch schon während dem Rührschritt 18 mit einer der weiteren Öffnungen 6 verbunden sein.To carry out the removal step 20 includes the cleaning module 26 as a suction device 52 executed removal device. The suction device 52 for the removal step 20 corresponds to that of the suction step 13 the pre-cleaning 10 and / or the post-cleaning 11 , In the in 5 illustrated embodiment is the suction device 52 not yet by means of the suction line 79 with one of the openings 6,7 of the source chamber 2 connected. The suction device 52 will then terminate the plasma generation step 28 coupled vacuum-tight at one of the openings 6, 7. The suction device 52 especially after removing the supply line 31 to the former through the supply line 31 occupied central opening 7 be coupled. Alternatively, the suction device 52 even during the stirring step 18 with one of the other openings 6 be connected.

Das Reinigungsmodul 26 ermöglicht die Durchführung des Plasmareinigungsverfahrens 25 zur in situ Reinigung der Quellkammer 2 durch die zentrale Öffnung 7. Alternativ kann die Reinigung der Quellkammer 2 mittels des Reinigungsmoduls 26 auch durch eine der Öffnungen 6 erfolgen.The cleaning module 26 allows the plasma cleaning process 25 to be carried out for in situ cleaning of the source chamber 2 through the central opening 7 , Alternatively, the cleaning of the source chamber 2 by means of the cleaning module 26 also through one of the openings 6 respectively.

Das Plasmareinigungsverfahren 25 kann auch mehrmals wiederholt werden. Insbesondere kann vorgesehen sein, das Plasmareinigungsverfahren 25, insbesondere die Schritte Gaseinbringungsschritt 27, Plasma-Erzeugungsschritt 28 und Entfernungsschritt 30, zunächst unter Verwendung einer exzentrischen Öffnung 6 durchzuführen. Im Anschluss hieran kann das Mittenteil aus der zentralen Öffnung 7 entnommen werden und das Plasmareinigungsverfahren 25, insbesondere die Schritte Gaseinbringungsschritt 27, Plasma-Erzeugungsschritt 28 und Entfernungsschritt 30, erneut unter Verwendung der zentralen Öffnung 7 durchgeführt werden.The plasma cleaning process 25 can also be repeated several times. In particular, it can be provided, the plasma cleaning process 25 , in particular the steps gas introduction step 27 , Plasma generation step 28 and removal step 30 , initially using an eccentric opening 6 perform. Following this, the middle part of the central opening 7 be removed and the plasma cleaning process 25 , in particular the steps gas introduction step 27 , Plasma generation step 28 and removal step 30 again using the central opening 7 be performed.

Bei der mehrfachen Durchführung des Plasmareinigungsverfahrens 25 können insbesondere verschiedene Reinigungsgase verwendet werden. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird in einem ersten Reinigungsschritt das Gasgemisch CF4 und O2 verwendet und die Plasmareinigung für etwa 60 min durchgeführt .In einem zweiten Reinigungsschritt wird dann das Gasgemisch aus Ar und H2 verwendet und die Plasmareinigung für etwa 15 min durchgeführt. Die Kombination verschiedener Reinigungsgase ermöglicht eine besonders gründliche Reinigung der Quellkammer 2.In the multiple execution of the plasma cleaning process 25 In particular, different cleaning gases can be used. In a preferred embodiment, in a first purification step, the gas mixture CF 4 and O 2 is used and the plasma cleaning is carried out for about 60 minutes. In a second purification step, the gas mixture of Ar and H 2 is used and the plasma cleaning is carried out for about 15 minutes. The combination of different cleaning gases allows a particularly thorough cleaning of the source chamber 2 ,

Im Folgenden wird bezugnehmend auf die 8 ein zweites Plasmareinigungsverfahren 33 beschrieben. In 7 ist ein hierfür verwendbares Reinigungsmodul 34 gezeigt. Identische Verfahrensschritte und Komponenten tragen die gleichen Bezugszeichen wie in den vorstehend unter Bezugnahme auf die 3 bis 6 bereits beschriebenen Alternativen, auf die hiermit verwiesen wird.In the following, referring to the 8th a second plasma cleaning method 33 is described. In 7 is a cleaning module that can be used for this purpose 34 shown. Identical method steps and components bear the same reference numerals as in the above with reference to FIGS 3 to 6 already described alternatives to which reference is hereby made.

Das Plasmareinigungsverfahren 33 unterscheidet sich von dem Plasmareinigungsverfahren 25 dadurch, dass in einem Bereitstellungsschritt 50 anstatt der in der Quellkammer 2 integrierten Plasma-Erzeugungseinrichtung 29 eine separate Energieeinbringungsvorrichtung in Form einer Plasma-Erzeugungseinrichtung, insbesondere eine Mikrowellen-Plasma-Erzeugungseinrichtung 35, bereitgestellt wird. Die Mikrowellen-Plasma-Erzeugungseinrichtung 35 wird hierzu vor dem Gaseibringungsschritt 27 in einem Einbringschritt 36 in die Quellkammer 2 eingebracht. Im Plasma-Erzeugungsschritt 28 wird mittels der Mikrowellen-Plasma-Erzeugungseinrichtung 35 elektromagnetische Energie in die Quellkammer 2 eingebracht, sodass das Reinigungsgas zu einem ReinigungsPlasma dissoziiert. Nach Beendigung des Entfernungsschritts 30 wird die Mikrowellen-Plasma-Erzeugungseinrichtung 35 in einem Herausnahmeschritt 37 wieder aus der Quellkammer 2 entfernt.The plasma cleaning process 33 differs from the plasma cleaning method 25 in that in a deployment step 50 instead of the one in the source chamber 2 integrated plasma generating device 29 a separate energy input device in the form of a plasma generating device, in particular a microwave plasma generating device 35 , provided. The microwave plasma generator 35 This is done before the Gaseibringungsschritt 27 in a loading step 36 into the source chamber 2 brought in. In the plasma generation step 28 is by means of the microwave plasma generator 35 electromagnetic energy in the source chamber 2 introduced so that the cleaning gas dissociates to a cleaning plasma. After completion of the removal step 30 becomes the microwave plasma generator 35 in a take-out step 37 again from the source chamber 2 away.

Die Mikrowellen-Plasma-Erzeugungseinrichtung 35 kann insbesondere mit einer Leistung von 6 Kilowatt mit einer Frequenz von 2450 Megahertz betrieben werden. Die Mikrowellen-Plasma-Erzeugungseinrichtung 35 kann mit den Gasmischungen CF4 und O2, Ar und H2 oder Formiergas als Reinigungsgas betrieben werden. Alternativ kann auch ein atmosphärisches Plasma aus CDA oder XCDA erzeugt werden. Die Prozessdauern entsprechen im Wesentlichen den Prozessdauern des oben beschriebenen Reinigungsverfahrens 25.The microwave plasma generator 35 can be operated in particular with a power of 6 kilowatts with a frequency of 2450 megahertz. The microwave plasma generator 35 can be operated with the gas mixtures CF 4 and O 2 , Ar and H 2 or forming gas as cleaning gas. Alternatively, an atmospheric plasma of CDA or XCDA can be generated. The process times essentially correspond to the process times of the cleaning process described above 25 ,

Das Reinigungsmodul 34 zur Durchführung des Plasmareinigungsverfahrens 33 unterscheidet sich von dem Reinigungsmodul 26 nur dadurch, dass die Energieeinbringungsvorrichtung anstatt durch die Plasma-Erzeugungseinrichtung 29 durch die Mikrowellen-Plasma-Erzeugungseinrichtung 35 realisiert ist. Die Mikrowellen-Plasma-Erzeugungseinrichtung 35 ist über die Öffnung 6 in die Quellkammer 2 einbringbar. Alternativ kann die Mikrowellen-Plasma-Erzeugungseinrichtung 35 auch durch die zentrale Öffnung 7 in die Quellkammer 2 eingebracht werden. In einer weiteren Ausführungsform des Reinigungsmoduls 34 ist die Mikrowellen-Plasma-Erzeugungseinrichtung außerhalb der Quellkammer 2 gelagert und das Reinigungsplasma wird über eine an die Quellkammer 2 ankoppelbare Plasma-Zuleitung in die Quellkammer 2 eingebracht. Ansonsten entspricht das Reinigungsmodul 34 dem Reinigungsmodul 26.The cleaning module 34 to carry out the plasma cleaning process 33 is different from the cleaning module 26 only in that the energy input device instead of by the plasma generating device 29 by the microwave plasma generator 35 is realized. The microwave plasma generator 35 is over the opening 6 into the source chamber 2 recoverable. Alternatively, the microwave plasma generating device 35 also through the central opening 7 into the source chamber 2 be introduced. In a further embodiment of the cleaning module 34 is the microwave plasma generator outside the source chamber 2 stored and the cleaning plasma is via a to the source chamber 2 connectable plasma supply line into the source chamber 2 brought in. Otherwise, the cleaning module corresponds 34 the cleaning module 26 ,

Im Folgenden wird mit Bezug auf die 10 ein weiteres Verfahren zur Reinigung der Quellkammer 2 in Form eines Laserreinigungsverfahrens 38 beschreiben. In 9 ist schematisch ein für das Laserreinigungsverfahren 38 verwendbares Reinigungsmodul 39 gezeigt. Identische Verfahrensschritte und Komponenten tragen die gleichen Bezugszeichen wie in den vorstehend unter Bezugnahme auf die 3 bis 8 bereits beschriebenen Alternativen, auf die hiermit verwiesen wird.The following is with reference to the 10 Another method for cleaning the source chamber 2 in the form of a laser cleaning process 38 describe. In 9 is schematically one for the laser cleaning process 38 usable cleaning module 39 shown. Identical method steps and components bear the same reference numerals as in the above with reference to FIGS 3 to 8th already described alternatives to which reference is hereby made.

Zunächst werden in einem Bereitstellungsschritt 51 ein Beleuchtungssystem 101 für eine Projektionsbelichtungsanlage 100 mit einer EUV-Strahlungsquelle 1 und eine Energieeinbringungsvorrichtung mit einer Laserlicht-Quelle 41 und einem Strahlmanipulator 42 bereitgestellt (vgl. 9). Die EUV-Strahlungsquelle 1 umfasst eine Quellkammer 2 mit mindestens einer Öffnung 6, 7.First, in a deployment step 51 a lighting system 101 for a projection exposure machine 100 with an EUV radiation source 1 and an energy input device with a laser light source 41 and a beam manipulator 42 provided (cf. 9 ). The EUV radiation source 1 includes a source chamber 2 with at least one opening 6 . 7 ,

Nach der Vorreinigung 10 und dem Kontrollschritt 14 wird in einem Abtastschritt 40 elektromagnetische Energie in Form von Laserstrahlungs-Pulsen gezielt auf die Innenfläche 8 der Quellkammer 2, insbesondere einer die Quellkammer 2 begrenzenden Kammerwand 3 eingestrahlt. Hierzu werden die Laserstrahlungs-Pulse durch eine Laserlicht-quelle 41 erzeugt und mittels eines Strahlmanipulators 42 räumlich gezielt auf die Innenfläche 8 eingestrahlt.After the pre-cleaning 10 and the control step 14 is in one scanning step 40 electromagnetic energy in the form of laser radiation pulses targeted to the inner surface 8th the source chamber 2 , especially one the source chamber 2 bounding chamber wall 3 irradiated. For this purpose, the laser radiation pulses are generated by a laser light source 41 and by means of a beam manipulator 42 spatially targeted to the inner surface 8th irradiated.

Mittels des Strahlmanipulators 42 ist eine Einstrahlrichtung der Laserstrahlungs-Pulse einstellbar, sodass während des Abtastschritts 40 die gesamte Innenfläche 8 der Kammerwand 3 durch die Laserstrahlungs-Pulse abgetastet wird. Dies gewährleistet eine gründliche Reinigung.By means of the beam manipulator 42 is an irradiation direction of the laser radiation pulses adjustable so that during the scanning step 40 the entire inner surface 8th the chamber wall 3 is scanned by the laser radiation pulses. This ensures a thorough cleaning.

Des Weiteren ist ein Entfernungsschritt 44 vorgesehen. Im Entfernungsschritt 44 werden aufgrund der Einstrahlung der Laserlicht-Pulse abgelöste Partikel aus der Quellkammer 2 durch die Öffnung 6, 7 entfernt. Der Entfernungsschritt 44 erfolgt durch Absaugen der Quellkammer 2. Für den Fall, dass die durch die Laserstrahlungs-Pulse abgelösten Verunreinigungen sublimiert werden, interferieren die abgelösten Partikel nicht mit darauf folgenden Laserstrahlungs-Pulsen. Der Entfernungsschritt 44 kann daher nach dem Abtastschritt 40 durchgeführt werden. In einer alternativen Ausführungsform wird der Entfernungsschritt 44 zeitgleich mit dem Abtastschritt 40 durchgeführt. Hierdurch ist gewährleistet, dass durch die Einstrahlung der Laserstrahlungs-Pulse abgelöste, nicht sublimierte Partikel nicht darauffolgende Laserstrahlungs-Pulsen streuen oder absorbieren, wodurch das Reinigungsverfahren nachteilig beeinträchtigt wäre.Furthermore, a removal step 44 intended. In the removal step 44 become due to the irradiation of the laser light pulses detached particles from the source chamber 2 through the opening 6 . 7 away. The removal step 44 takes place by suction of the source chamber 2 , In the event that the impurities removed by the laser radiation pulses are sublimated, the detached particles do not interfere with subsequent laser radiation pulses. The removal step 44 can therefore after the scanning step 40 be performed. In an alternative embodiment, the removal step becomes 44 at the same time as the sampling step 40 carried out. This ensures that non-sublimated particles detached by the irradiation of the laser radiation pulses do not scatter or absorb subsequent laser radiation pulses, which adversely affects the cleaning process.

Mithilfe des Abtastschritts 40 kann eine Reinigung in unter 120 min, insbesondere unter 90 min, insbesondere in etwa 60 min erfolgen.Using the sampling step 40 For example, cleaning may be carried out in less than 120 minutes, in particular under 90 minutes, in particular in about 60 minutes.

An den Abtastschritt 40 und den Entfernungsschritt 44 schließen sich die Nachreinigung 11 und hierauf ein erneuter Kontrollschritt 14 an.To the sampling step 40 and the removal step 44 close the post-cleaning 11 and then a new control step 14 at.

In 9 ist ein Ausführungsbeispiel eines Reinigungsmoduls 39 zur Durchführung des Laserreinigungsverfahrens 38 dargestellt. Das Reinigungsmodul 39 umfasst eine als Laserlicht-Quelle 41 samt Strahlmanipulator 42 ausgeführte Energieeinbringungsvorrichtung. Der Strahlmanipulator 42 ist durch eine der Öffnungen 6, 7 in der Bodenplatte 5 in die Quellkammer 2 einbringbar. In dem hier gezeigten Ausführungsbeispiel ist der Strahlmanipulator durch die zentrale Öffnung 7 in die Quellkammer 2 eingeführt worden.In 9 is an embodiment of a cleaning module 39 for performing the laser cleaning process 38 shown. The cleaning module 39 includes one as a laser light source 41 including beam manipulator 42 executed energy introduction device. The beam manipulator 42 is through one of the openings 6 . 7 in the bottom plate 5 into the source chamber 2 recoverable. In the embodiment shown here, the beam manipulator is through the central opening 7 into the source chamber 2 been introduced.

Um ein Absaugen im Entfernungsschritt 44 zu gewährleisten, ist die Absaugvorrichtung mit Absaugleitung 79 vorgesehen. Die Absaugleitung 79 kann nach oder während dem Abtastschritt 40 an die Quellkammer 2 angekoppelt werden. Der Strahlmanipulator 42 ist durch die zentrale Öffnung 7 in die Quellkammer 2 eingebracht. Weitere, nicht benötigte Öffnungen 6 können während des Laserreinigungsverfahrens 38 verschlossen sein.To aspirate in the removal step 44 to ensure the suction device with suction line 79 intended. The suction line 79 can after or during the scanning step 40 to the source chamber 2 be coupled. The beam manipulator 42 is through the central opening 7 into the source chamber 2 brought in. Further, unnecessary openings 6 can during the laser cleaning process 38 to be introverted.

Das Reinigungsmodul 39 eignet sich für die Durchführung des Laserreinigungsverfahrens 38 durch die zentrale Öffnung 7 der Bodenplatte 5. Alternativ kann das Reinigungsverfahren 38 mittels des Reinigungsmoduls 39 auch durch eine der exzentrischen Öffnungen 6 erfolgen.The cleaning module 39 is suitable for carrying out the laser cleaning process 38 through the central opening 7 the bottom plate 5 , Alternatively, the cleaning process 38 by means of the cleaning module 39 also through one of the eccentric openings 6 respectively.

Im Folgenden wird mit Bezug auf die 13 ein weiteres Verfahren zur Reinigung der Quellkammer 2 in Form eines Bürstenreinigungsverfahrens 53 beschrieben. In 11 ist schematisch ein für das Bürstenreinigungsverfahren 53 verwendbares Reinigungsmodul 54 gezeigt. Identische Verfahrensschritte und Komponenten tragen die gleichen Bezugszeichen wie in den vorstehend unter Bezugnahme auf die 3 bis 10 bereits beschriebenen Alternativen, auf die hiermit verwiesen wird.The following is with reference to the 13 Another method for cleaning the source chamber 2 in the form of a brush cleaning method 53 described. In 11 is schematically a for the brush cleaning method 53 usable cleaning module 54 shown. Identical method steps and components bear the same reference numerals as in the above with reference to FIGS 3 to 10 already described alternatives to which reference is hereby made.

Zunächst wird in einem Bereitstellungsschritt 55 ein Beleuchtungssystem 101 für eine Projektionsbelichtungsanlage 100 mit einer EUV-Strahlungsquelle 1 bereitgestellt. Die EUV-Strahlungsquelle weist eine Quellkammer 2 mit mindestens einer Öffnung 6, 7 auf.First, in a deployment step 55 a lighting system 101 for a projection exposure machine 100 with an EUV radiation source 1 provided. The EUV radiation source has a source chamber 2 with at least one opening 6 . 7 on.

Nach der Vorreinigung 10 und dem Kontrollschritt 14 wird in einem Bürsteneinbringungsschritt 59 ein als ein Bürstenkopf 57 ausgeführtes Reinigungsmittel durch eine der Öffnungen 6,7 in die Quellkammer 2 eingeführt. Hierauf wird in einem Abbürstschritt 60 der Bürstenkopf 57 in Rotation versetzt und über eine Innenfläche 8 der Kammerwand 3 geführt. Hierdurch wird die Innenfläche 8 der Kammerwand 3 mechanisch gereinigt. Nach dem Abbürstschritt 60 wird der Bürstenkopf 57 in einem Herausnahmeschritt 61 wieder über die Öffnung 6, 7 aus der Quellkammer 2 entfernt. Die Dauer des Abbürstschnitts 60 wird an die Dicke der Kontaminationsschicht 9 angepasst und kann beispielsweise zwischen 10 min und 60 min betragen.After the pre-cleaning 10 and the control step 14 is in a brush insertion step 59 one as a brush head 57 executed cleaning agent through one of the openings 6,7 in the source chamber 2 introduced. This is in a Abbürstschritt 60 the brush head 57 set in rotation and over an inner surface 8th the chamber wall 3 guided. This will make the inner surface 8th the chamber wall 3 mechanically cleaned. After the brushing step 60 becomes the brush head 57 in a take-out step 61 again over the opening 6 . 7 from the source chamber 2 away. The duration of the cut-off 60 is due to the thickness of the contamination layer 9 adapted and may for example be between 10 min and 60 min.

Des Weiteren ist ein Entfernungsschritt 62 vorgesehen. Im Entfernungsschritt 62 werden aufgrund des Einwirkens des Bürstenkopfs 57 abgelöste Partikel aus der Quellkammer 2 durch die Öffnung 6, 7 entfernt. Der Entfernungsschritt 62 erfolgt durch Absaugen der Quellkammer 2. Bevorzugt kann in dem Entfernungsschritt 62 auch ein Abstrahlen der Innenfläche 8 der Kammerwand 3 mit Druckluft erfolgen. Der Entfernungsschritt 62 kann also der Vorreinigung 10 beziehungsweise der Nachreinigung 11, welche jeweils einen Strahlschritt 12 und einen Absaugschritt 13 umfassen, entsprechen.Furthermore, a removal step 62 intended. In the removal step 62 are due to the action of the brush head 57 detached particles from the source chamber 2 through the opening 6 . 7 away. The removal step 62 takes place by suction of the source chamber 2 , Preferably, in the removal step 62 also a blasting of the inner surface 8th the chamber wall 3 done with compressed air. The removal step 62 So can the pre-cleaning 10 or the post-cleaning 11 , which each have a jet step 12 and a suction step 13 include, correspond.

An den Entfernungsschritt 62 schließen sich die Nachreinigung 11 und hierauf der Kontrollschritt 14 an.At the removal step 62 close the post-cleaning 11 and then the control step 14 at.

Bei dem Abbürstschritt 60 des Bürstenreinigungsverfahrens 53 kann der Bürstenkopf 57 derart verlagert werden, dass die gesamte Innenfläche 8 der Kammerwand 3 abgefahren wird. Hierdurch wird die gesamte Quellkammer 2 durch die Einwirkung des Bürstenkopfs 57 gereinigt. Dies stellt jedoch große Anforderungen an die Verlagerbarkeit des Bürstenkopfes 57 in der Quellkammer 2. In den meisten Fällen wird der Bürstenkopf 57 nur einen begrenzten Aktionsradius 63 innerhalb der Quellkammer 2 haben. Eine derartige Situation ist in 12 gezeigt, welche eine schematische Aufsicht auf die Quellkammer 2 gemäß 11 mit einer Bodenplatte 5 mit drei exzentrischen Öffnungen 6 und einer zentralen Öffnung 7 darstellt. Wie in 12 zu sehen ist, hat der Bürstenkopf 57 nur einen begrenzten Aktionsradius 63, welcher nicht die gesamte Bodenplatte 5 der Quellkammer 2 abdeckt. In einem solchen Fall kann die vollständige Reinigung der Innenfläche 8 der Kammerwand 3 und insbesondere der Bodenplatte 5 dadurch erreicht werden, dass das Bürstenreinigungsverfahren 53 durch alle drei exzentrischen Öffnungen 6 der Bodenplatte 5 durchgeführt wird. Die Vereinigung der durch die den Öffnungen 6 zugeordneten Aktionsradien 63 abgedeckten Fläche deckt die Bodenplatte 5 vorzugsweise vollständig ab. Die in der 12 dargestellte Reinigung über alle drei exzentrischen Öffnungen 6 erfolgt sequentiell durch Wiederholung der Schritte Bürsteneinbringungsschritt 59, Abbürstschritt 60 und Herausnahmeschritt 61 durch jeweils eine andere der Öffnungen 6 erfolgen. Alternativ kann die Reinigung zeitgleich mit drei Bürstenköpfen 57 erfolgen.At the scrub step 60 of the brush cleaning method 53 can the brush head 57 be shifted so that the entire inner surface 8th the chamber wall 3 is traversed. This will make the entire source chamber 2 by the action of the brush head 57 cleaned. However, this places great demands on the displaceability of the brush head 57 in the source chamber 2 , In most cases, the brush head 57 only a limited range of action 63 within the source chamber 2 to have. Such a situation is in 12 shown a schematic plan view of the source chamber 2 according to 11 with a bottom plate 5 with three eccentric openings 6 and a central opening 7 represents. As in 12 can be seen has the brush head 57 only a limited range of action 63 which does not cover the entire floor 5 the source chamber 2 covers. In such a case, the complete cleaning of the inner surface 8th the chamber wall 3 and in particular the bottom plate 5 be achieved by the brush cleaning method 53 through all three eccentric openings 6 of the bottom plate 5 is carried out. The union of those through the openings 6 assigned action radii 63 Covered area covers the bottom plate 5 preferably completely off. The in the 12 shown cleaning over all three eccentric openings 6 is done sequentially by repeating the steps of the brush introduction step 59 , Brushing step 60 and takeout step 61 through each one of the other openings 6 respectively. Alternatively, the cleaning can be done simultaneously with three brush heads 57.

In 11 ist ein Ausführungsbeispiel eines Reinigungsmoduls 54 zur Durchführung des Bürstenreinigungsverfahrens 53 dargestellt. Das Reinigungsmodul 54 umfasst eine Bürsteneinheit 56. Die Bürsteneinheit 56 weist das als Bürstenkopf 57 ausgeführte Reinigungsmittel auf. Des Weiteren umfasst die Bürsteneinheit 56 eine aus den Bürstenantrieb 58 und einer Welle 64 bestehende Bewegungsvorrichtung und Zuführvorrichtung. Die Bewegungs- und Zuführvorrichtung sind also durch die gleichen Komponenten realisiert. In 21 ist eine perspektivische Ansicht des Bürstenkopfs 57 beim Abfahren der Bodenplatte 5 um die zentrale Öffnung 7 gezeigt.In 11 is an embodiment of a cleaning module 54 for performing the brush cleaning method 53 shown. The cleaning module 54 includes a brush unit 56 , The brush unit 56 has that as a brush head 57 executed cleaning agents on. Furthermore, the brush unit comprises 56 one of the brush drive 58 and a shaft 64 existing movement device and delivery device. The movement and feeding device are thus realized by the same components. In 21 is a perspective view of the brush head 57 when driving off the bottom plate 5 around the central opening 7 shown.

Der Bürstenkopf 57 ist aus einer Aluminiumoxid-Keramik gefertigt. Der Bürstenkopf 57 ist als zylinderförmige Walzenbürste ausgeführt. Hierdurch ist seine Geometrie derart angepasst, dass der Bürstenkopf 57 durch eine der Öffnungen 6, 7 in die Quellkammer 2 eingebracht werden kann. Der Bürstenkopf ist mittels des Bürstenantriebs 58 nicht nur in Rotation versetzbar, sondern auch relativ zu der Quellkammer 2 verlagerbar. Der Bürstenkopf 57 ist hierzu über die Welle 64 mit dem Bürstenantrieb 58 verbunden. Die Welle 64 umfasst ein Gelenk 65, an welchem die Welle abgeknickt werden kann. Zur Durchführung des Bürsteneinbringungsschritts 59 ist das Gelenk 65 nicht abgewinkelt, sodass die Welle 64 gestreckt ist. In dieser Stellung kann die Bürsteneinheit 56 an die Quellkammer angekoppelt und der Bürstenkopf 57 und ein Teil der Welle 64 in die Quellkammer 2 durch eine der Öffnungen 6, 7 eingebracht werden. Nach dem Einbringen des Bürstenkopfs 57 wird das Gelenk 65 der Welle 64 abgeknickt, sodass der Bürstenkopf 57 mit der Bodenplatte 5 in Berührung kommt. Zur Durchführung des Abbürstschritts 60 wird der Bürstenkopf 57 mittels des Bürstenantriebs 58 in Rotation versetzt und gegenüber der Quellkammer 2 verlagert. Hierzu fährt der Bürstenkopf 57 eine durch seinen Aktionsradius 63 (vgl. 12) definierte Fläche ab.The brush head 57 is made of an alumina ceramic. The brush head 57 is designed as a cylindrical roller brush. As a result, its geometry is adapted so that the brush head 57 through one of the openings 6 . 7 into the source chamber 2 can be introduced. The brush head is by means of the brush drive 58 not only in rotation, but also relative to the source chamber 2 displaced. The brush head 57 this is about the wave 64 with the brush drive 58 connected. The shaft 64 includes a hinge 65 on which the shaft can be bent. To carry out the brush introduction step 59 is the joint 65 not angled, so the shaft 64 stretched. In this position, the brush unit 56 coupled to the source chamber and the brush head 57 and part of the wave 64 into the source chamber 2 through one of the openings 6 . 7 be introduced. After inserting the brush head 57 becomes the joint 65 the wave 64 bent so that the brush head 57 with the bottom plate 5 comes into contact. To carry out the brushing step 60 becomes the brush head 57 by means of the brush drive 58 rotated and opposite the source chamber 2 relocated. To do this, the brush head moves 57 one by its radius of action 63 (see. 12 ) defined area.

In 22 ist eine weitere Ausführung eines Bürstenkopfs 212 gezeigt. Identische Komponenten tragen die gleichen Bezugszeichen wie in den vorstehend unter Bezugnahme auf die 11, 12 und 21 bereits beschriebenen Alternativen, auf die hiermit verwiesen wird.In 22 is another embodiment of a brush head 212 shown. Identical components bear the same reference numerals as in the above with reference to the 11 . 12 and 21 already described alternatives to which reference is hereby made.

Der Bürstenkopf 212 ist in Form einer Leistenbürste ausgeführt. Der Bürstenkopf 212 ist hierüber über das Gelenk 213 mit der Welle 64 verbunden. Über das Gelenk 213 kann der Bürstenkopf 212 ein- und ausgefaltet werden. In eingefaltetem Zustand kann der Bürstenkopf 212 durch eine Öffnung, wie beispielsweise die zentrale Öffnung 7, in die Quellkammer 2 eingebracht werden. In aufgeklapptem Zustand hat der Bürstenkopf 212 eine Länge, welche dem Durchmesser der Quellkammer 2 entspricht. Durch Rotation des Bürstenkopfs 212 kann somit die Innenfläche 8 der Kammerwand 3, insbesondere im Bereich das der Bodenplatte 5 gegenüber liegenden Deckels 4, abgebürstet werden. Der Bürstenkopf 212 umfasst Borsten 214. Die Borsten 214 sind aus einer Aluminiumoxid-Keramik gefertigt.The brush head 212 is designed in the form of a strip brush. The brush head 212 is about this over the joint 213 with the wave 64 connected. About the joint 213 can the brush head 212 be folded in and out. In the folded state, the brush head 212 through an opening, such as the central opening 7 , in the spring chamber 2 be introduced. When unfolded, the brush head has 212 a length which is the diameter of the source chamber 2 equivalent. By rotation of the brush head 212 can thus the inner surface 8th the chamber wall 3 , in particular in the area of the bottom plate 5 opposite lids 4 to be brushed off. The brush head 212 includes bristles 214 , The bristles 214 are made of an alumina ceramic.

Zur Durchführung des Entfernungsschritts 62 umfasst das Reinigungsmodul 54 eine als Absaugvorrichtung 52 ausgeführte Entfernungseinrichtung. Die Absaugvorrichtung 52 für den Entfernungsschritt 62 entspricht der des Absaugschritts 13 der Vorreinigung 10 und/oder der Nachreinigung 11. In dem in 11 dargestellten Ausführungsbeispiel ist die Absaugvorrichtung 52 noch nicht mittels der Absaugleitung 79 mit einer Öffnung 6, 7 der Quellkammer 2 verbunden. Die Absaugvorrichtung 52 wird dann nach Beendigung des Abbürstschritts 60 und des Herausnahmeschritts 61 an einer Öffnung 6, 7 vakuumdicht angekoppelt. Die Absaugvorrichtung 52 kann insbesondere nach dem Entfernungsschritt 62 an die vormals durch die Bürsteneinheit 56 belegte Öffnung 6, 7 vakuumdicht angekoppelt werden. Alternativ kann die Absaugvorrichtung 52 auch schon während des Abbürstschritts 60 mit einer weiteren Öffnung 6, 7 verbunden sein.To carry out the removal step 62 includes the cleaning module 54 as a suction device 52 executed removal device. The suction device 52 for the removal step 62 corresponds to that of the suction step 13 the pre-cleaning 10 and / or the post-cleaning 11 , In the in 11 illustrated embodiment is the suction device 52 not yet by means of the suction line 79 with an opening 6 . 7 the source chamber 2 connected. The suction device 52 then becomes after completion of the brushing step 60 and the removal step 61 at an opening 6 . 7 coupled vacuum-tight. The suction device 52 especially after the removal step 62 to the former through the brush unit 56 occupied opening 6 . 7 be coupled vacuum-tight. Alternatively, the suction device 52 even during the brushing step 60 with another opening 6 . 7 be connected.

Das Reinigungsmodul 54 eignet sich für die Durchführung des Bürstenreinigungsverfahrens 53 zur in situ Reinigung der Quellkammer 2 durch die exzentrischen Öffnungen 6. Alternativ kann die Reinigung der Quellkammer 2 mittels des Reinigungsmoduls 54 auch durch die zentrale Öffnung 7 erfolgen. Insbesondere kann eine widerholte Reinigung durch verschiedene Öffnungen 6, 7 erfolgen.The cleaning module 54 is suitable for carrying out the brush cleaning process 53 for in situ cleaning of the source chamber 2 through the eccentric openings 6 , Alternatively, the cleaning of the source chamber 2 by means of the cleaning module 54 also through the central opening 7 respectively. In particular, a repeated cleaning can be done through different openings 6 . 7 respectively.

Im Folgenden wird mit Bezug auf die 15 ein weiteres Verfahren zur Reinigung der Quellkammer 2 in Form eines Strahlreinigungsverfahrens 66 beschrieben. In 14 ist schematisch ein für das Strahlreinigungsverfahren 66 verwendbares Reinigungsmodul 67 gezeigt. Identische Verfahrensschritte und Komponenten tragen die gleichen Bezugszeichen wie in den vorstehend unter Bezugnahme auf die 3 bis 13 bereits beschriebenen Alternativen, auf die hiermit verwiesen wird.The following is with reference to the 15 Another method for cleaning the source chamber 2 in the form of a jet cleaning process 66 described. In 14 is schematically one for the blast cleaning process 66 usable cleaning module 67 shown. Identical method steps and components bear the same reference numerals as in the above with reference to FIGS 3 to 13 already described alternatives to which reference is hereby made.

Zunächst werden in einem Bereitstellungsschritt 68 ein Beleuchtungssystem 101 für eine Projektionsbelichtungsanlage 100 mit einer EUV-Strahlungsquelle 1 sowie eine Abstrahlvorrichtung 69 bereitgestellt. Die EUV-Strahlungsquelle 1 weist eine Quellkammer 2 mit mindestens einer Öffnung 6, 7 auf.First, in a deployment step 68 a lighting system 101 for a projection exposure machine 100 with an EUV radiation source 1 and a radiating device 69 provided. The EUV radiation source 1 has a source chamber 2 with at least one opening 6 . 7 on.

Die Abstrahleinrichtung 69 umfasst eine Düse 70 und eine Zuleitung 71 für Strahlgut 82 und/oder ein Trägergas. Das Strahlgut 82 ist trocken und umfasst Partikel mit einer durchschnittlichen Korngröße von 100 µm. In alternativen Ausführungsformen können als Strahlgut 82 verschiedene Schleifkörper, wie zum Beispiel die Schleifkörper 17 des Gleitschleifverfahrens 15 verwendet werden. Alternativ kann das Strahlgut 82 auch als ein Fluid vorliegen.The radiator 69 includes a nozzle 70 and a supply line 71 for blasting material 82 and / or a carrier gas. The blasting material 82 is dry and contains particles with an average particle size of 100 μm. In alternative embodiments, as blasting 82 various grinding wheels, such as the grinding wheels 17 of the vibratory finishing process 15 be used. Alternatively, the blasting material 82 also present as a fluid.

Nach der Vorreinigung 10 und dem Kontrollschritt 14 wird in einem Ankoppelschritt 72 die Abstrahleinrichtung 69 an die mindestens eine Öffnung 6, 7 der Quellkammer 2 angekoppelt und hierbei die Düse 70 über die Öffnung 6, 7 in die Quellkammer 2 eingeführt. Auf den Ankoppelschritt 72 folgt ein Abstrahlschritt 73. In dem Abstrahlschritt 73 wird das Strahlgut 82 über die Zuleitung 71 und die Düse 70 in die Quellkammer 2 eingebracht und dort auf eine Innenfläche 8 der Kammerwand 3 und der Bodenplatte 5 eingestrahlt. Bevorzugt können hierbei verschiedene Strahlrichtungen 74 durch die Düse 70 erzeugt werden, sodass verschiedene Bereiche der Innenwand 8 der Kammerwand 3 gleichzeitig abgestrahlt werden können. Zur Abstrahlung im Abstrahlschritt 73 erzeugt die Düse 70 einen Hochdruckstrahl aus den Strahlkörpern und/oder einem Trägergas. Als Trägergas wird bevorzugt Stickstoff, welches unter Hochdruck zugeführt wird, verwendet. Bevorzugt kann die Düse 70 die Strahlrichtung 74 variieren, sodass die gesamte Innenfläche 8 der Quellkammer 2 abgestrahlt werden kann. Durch das Abstrahlen wird die Quellkammer 2 mechanisch gereinigt.After the pre-cleaning 10 and the control step 14 becomes in a Ankoppelschritt 72 the radiator 69 to the at least one opening 6 . 7 the source chamber 2 coupled and here the nozzle 70 over the opening 6 . 7 into the source chamber 2 introduced. On the coupling step 72 follows a radiation step 73 , In the emitting step 73 becomes the blasting material 82 over the supply line 71 and the nozzle 70 into the source chamber 2 placed and there on an inner surface 8th the chamber wall 3 and the bottom plate 5 irradiated. In this case, different beam directions may be preferred 74 through the nozzle 70 be generated so that different areas of the inner wall 8th the chamber wall 3 can be emitted simultaneously. For radiation in the radiation step 73 creates the nozzle 70 a high-pressure jet from the jet bodies and / or a carrier gas. As the carrier gas is preferably nitrogen, which under high pressure is used. Preferably, the nozzle 70 the beam direction 74 vary, so the entire inner surface 8th the source chamber 2 can be radiated. By blasting, the source chamber becomes 2 mechanically cleaned.

Nach Beendigung des Abstrahlschritts 73 wird die Abstrahleinrichtung 69 in einem Abkoppelschritt 76 von der Öffnung 6, 7 abgekoppelt. Hierbei wird auch die Düse 70 aus der Quellkammer 2 über die Öffnung 6, 7 entnommen.After completion of the radiation step 73 becomes the radiator 69 in a decoupling step 76 from the opening 6 . 7 decoupled. This is also the nozzle 70 from the source chamber 2 over the opening 6 . 7 taken.

Durch das Abstrahlen abgelöste Verunreinigungen sowie das eingebrachte Strahlgut 82 werden in einem Entfernungsschritt 75 aus der Quellkammer 2 entfernt. Der Entfernungsschritt 75 erfolgt durch Absaugen der Quellkammer 2 durch die Öffnung 6, 7. Bevorzugt wird der Entfernungsschritt 75 zeitgleich mit dem Abstrahlschritt 73 durchgeführt. Hierzu kann der Entfernungsschritt 75 beispielsweise durch eine weitere Öffnung 6, 7, an welcher nicht die Abstrahleinrichtung 69 angeflanscht ist, erfolgen. Alternativ kann der Entfernungsschritt 75 auch nach dem Abstrahlschritt 73 und den Abkoppelschritt 78 durch die Öffnung 6, 7, welche durch die Abstrahlvorrichtung belegt war, erfolgen.By blasting removed impurities and the introduced blasting 82 be in a removal step 75 from the source chamber 2 away. The removal step 75 takes place by suction of the source chamber 2 through the opening 6 . 7 , The removal step is preferred 75 at the same time as the radiation step 73 carried out. This can be done by the removal step 75 for example, by a further opening 6, 7, to which not the emission device 69 Flanged is done. Alternatively, the removal step 75 also after the radiation step 73 and the decoupling step 78 through the opening 6 . 7 , which was occupied by the emitting device, take place.

An den Entfernungsschritt 75 und dem Abkoppelschritt 76 schließen sich die Nachreinigung 11 und hierauf der Kontrollschritt 14 an.At the removal step 75 and the decoupling step 76 close the post-cleaning 11 and then the control step 14 at.

In der 14 ist ein Ausführungsbeispiel eines Reinigungsmoduls 67 zur Durchführung des Strahlreinigungsverfahrens 66 dargestellt. Das Reinigungsmodul 67 umfasst eine als Abstrahleinrichtung 69 ausgeführte Bewegungsvorrichtung und Zuführvorrichtung für das Reinigungsmittel und eine als Absaugvorrichtung 52 ausgeführte Entfernungseinrichtung. Die Bewegungsvorrichtung und die Zuführvorrichtung sind also durch die gleichen Komponenten realisiert.In the 14 is an embodiment of a cleaning module 67 to carry out the blast cleaning process 66 shown. The cleaning module 67 includes one as a radiation device 69 running movement device and supply device for the detergent and a suction device 52 executed removal device. The moving device and the feeding device are thus realized by the same components.

Die Abstrahleinrichtung 69 umfasst die Düse 70, welche über die Zuleitung 71 mit einem als Strahlgutreservoir 77 ausgeführten Behälter und einem Trägergasspeicher 78 verbunden ist. Die Düse 70 ist über eine der Öffnungen 6, 7 in die Quellkammer 2 einbringbar und kann dort das Gemisch aus Strahlkörpern und Trägergas in mehreren Strahlrichtungen 74 auf die Innenfläche 8 der Kammerwand 3 einstrahlen. In dem hier gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Abstrahlvorrichtung 69 an die zentrale Öffnung 7 angekoppelt und die Düse 70 in die Quellkammer 2 eingeführt. Zudem kann die Düse 70 die Strahlrichtung 74 verändern, sodass die gesamte Innenfläche 8 der Kammerwand 3 und der Bodenplatte 5 abgestrahlt werden kann.The radiator 69 includes the nozzle 70 , which via the supply line 71 with a as Strahlgutreservoir 77 engineered tank and a carrier gas storage 78 connected is. The nozzle 70 is over one of the openings 6 . 7 into the source chamber 2 einbringbar and there can the mixture of blasting and carrier gas in several beam directions 74 on the inner surface 8th the chamber wall 3 radiate. In the embodiment shown here, the emitting device 69 to the central opening 7 docked and the nozzle 70 into the source chamber 2 introduced. In addition, the nozzle can 70 the beam direction 74 change, so that the entire inner surface 8th the chamber wall 3 and the bottom plate 5 can be radiated.

In dem hier dargestellten Ausführungsbeispiel soll der Entfernungsschritt 75 über die Absaugvorrichtung 52 zeitgleich mit dem Abstrahlschritt 73 erfolgen. Hierzu ist die Absaugvorrichtung 52 über die Absaugleitung 79 vakuumdicht an eine weitere Öffnung 6, welche nicht durch die Abstrahleinrichtung 69 belegt ist, angekoppelt. Die Absaugvorrichtung 52 für den Entfernungsschritt 75 entspricht der Absaugvorrichtung des Absaugschritts 13 der Vorreinigung 10 und/oder der Nachreinigung 11. In einem nicht dargestellten Ausführungsbeispiel kann der Entfernungsschritt 75 nach dem Abstrahlschritt 73 und dem Abkoppelschritt 76 erfolgen. Hierfür kann die Absaugvorrichtung 52 nach Abkoppeln der Abstrahleinrichtung 69 an die vormals durch die Abstrahleinrichtung 69 belegte zentrale Öffnung 7 vakuumdicht angekoppelt werden.In the embodiment shown here is the removal step 75 over the suction device 52 at the same time as the radiation step 73 respectively. For this purpose, the suction device 52 via the suction line 79 vacuum-tight to another opening 6 which is not due to the radiator 69 is occupied, coupled. The suction device 52 for the removal step 75 corresponds to the suction device of the suction 13 the pre-cleaning 10 and / or the post-cleaning 11 , In an embodiment, not shown, the removal step 75 after the radiation step 73 and the decoupling step 76 respectively. For this purpose, the suction device 52 after decoupling the emission device 69 to the former through the radiator 69 occupied central opening 7 be coupled vacuum-tight.

Das Reinigungsmodul 67 eignet sich für die Durchführung des Strahlreinigungsverfahrens 66 zur in situ Reinigung der Quellkammer 2 durch eine der Öffnungen 6, 7 der Quellkammer 2. Bevorzugt wird die Reinigung durch zwei unterschiedliche Öffnungen 6, 7 durchgeführt, indem die Abstrahleinrichtung 69 an die zentrale Öffnung 7 und die Absaugvorrichtung 52 an eine weitere Öffnung 6 angekoppelt ist.The cleaning module 67 is suitable for carrying out the blast cleaning process 66 for in situ cleaning of the source chamber 2 through one of the openings 6 . 7 the source chamber 2 , Preference is given to cleaning by two different openings 6 , 7 performed by the radiator 69 to the central opening 7 and the suction device 52 to another opening 6 is coupled.

In 23 ist eine schematische Schnittzeichnung eines weiteren Ausführungsbeispiels einer Strahlungsquelle 215 gezeigt. Die Strahlungsquelle 215 ist Teil eines nicht explizit dargestellten Beleuchtungssystems. Identische Komponenten tragen die gleichen Bezugszeichen wie in den vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 22 bereits beschriebenen Alternativen, auf die hiermit verwiesen wird.In 23 is a schematic sectional view of another embodiment of a radiation source 215 shown. The radiation source 215 is part of a lighting system not explicitly shown. Identical components bear the same reference numerals as in the above with reference to the 1 to 22 already described alternatives to which reference is hereby made.

Die Strahlungsquelle 215 weist eine zweiteilige Quellkammer mit einem oberen Kammerteil 216 und einem unteren Kammerteil 217 auf. Der oberen Kammerteil 216 wird auch als top chamber bezeichnet. Zwischen dem oberen Kammerteil 216 und dem unteren Kammerteil 217 befindet sich eine Mittenplatte 218. Die Mittenplatte 218 weist exzentrische Öffnungen 219 und eine zentrale Öffnung 220 auf. In der zentralen Öffnung 220 ist ein Mittenteil 221 eingesetzt. Das Mittenteil 221 besteht aus einem leitfähigen Zylinder aus Siliziumkarbid. Im Betrieb der EUV-Strahlungsquelle 215 dienen die exzentrischen Öffnungen 219 sowie die zentrale Öffnung 220 für den Durchfluss eines in den Kammerteilen 216, 217 gezündeten Quellplasmas. Bei der EUV-Strahlungsquelle 215 handelt es sich um einen Induktions-Plasmastromgenerator. Bei dem Betrieb der EUV-Strahlungsquelle 215 werden Teile des Mittenteils 221 abgesputtert und setzen sich als Siliziumkarbid-Kontamination auf einer Kammerwand 222 ab. Hierbei wird die Kammerwand 222 insbesondere im Bereich des oberen Kammerteils 216 verschmutzt. Da sich die Beleuchtungsoptik an den oberen Kammerteil 216 anschließt, ist es für den sicheren Betrieb der EUV-Strahlungsquelle 215 unabdingbar, zumindest den oberen Kammerteil 216 regelmäßig von der Kontamination zu reinigen.The radiation source 215 has a two-part source chamber with an upper chamber part 216 and a lower chamber part 217 on. The upper chamber part 216 is also called top chamber. Between the upper chamber part 216 and the lower chamber part 217 there is a center plate 218 , The center plate 218 has eccentric openings 219 and a central opening 220 on. In the central opening 220 is a middle part 221 used. The middle part 221 consists of a conductive cylinder of silicon carbide. In operation of the EUV radiation source 215 serve the eccentric openings 219 as well as the central opening 220 for the flow of one in the chamber parts 216 . 217 ignited source plasma. The EUV radiation source 215 is an induction plasma generator. When operating the EUV radiation source 215 become parts of the middle part 221 sputtered and settle as silicon carbide contamination on a chamber wall 222 from. This is the chamber wall 222 especially in the area of the upper chamber part 216 dirty. As the illumination optics to the upper chamber part 216 It is essential for the safe operation of the EUV radiation source 215 indispensable, at least the upper chamber part 216 regularly clean from contamination.

Unterhalb der EUV-Strahlungsquelle 215 ist ein Wartungsbereich 223 angeordnet. Zwischen den Wartungsbereich 223 und der EUV-Strahlungsquelle 215, insbesondere dem unteren Kammerteil 217 ist ein Interface mit einer Domeblende 224 vorgesehen. Die Domeblende 224 weist verschließbare Öffnungen auf, über welche ein Zugang von dem Wartungsbereich 223 zu der EUV-Strahlungsquelle 215, insbesondere dem unteren Kammerteil 217, geschaffen ist. Die Domeblende 224 ist somit Teil der Kammerwand 222, welche den unteren Kammerteil 217 begrenzt. Über die Domeblende 224 ist ein Zugang zu der EUV-Strahlungsquelle 215 aus dem Wartungsbereich 223 ermöglicht, während das restliche Beleuchtungssystem 101, insbesondere die Beleuchtungsoptik 102 evakuiert ist. Der Wartungsbereich 223 weist eine Wartungsöffnung in Form einer Wartungsklappe 225 auf. In geschlossenem Zustand der Wartungsklappe 225 ist der Wartungsbereich 223 vakuumdicht gegenüber einem Außenbereich 226 verschlossen. Der Außenbereich 226 ist außerhalb der Projektionsbelichtungsanlage 100. Bei dem Außenbereich 226 kann es sich um einen Reinraum, in welchem die Projektionsbelichtungsanlage 100 aufgebaut ist, handeln. In geöffnetem Zustand der Wartungsklappe 225 ist ein Zugang aus dem Außenbereich 226 zu dem Wartungsbereich 223 und hierüber zu der EUV-Strahlungsquelle 215 möglich. Der Zugang zu der EUV-Strahlungsquelle 215 kann insbesondere für Wartungsarbeiten und Reinigungsarbeiten genutzt werden. Beispielsweise ist es möglich, dass Mittenteil 221 über den Zugang auszubauen und/oder zu wechseln.Below the EUV radiation source 215 is a maintenance area 223 arranged. Between the maintenance area 223 and the EUV radiation source 215 , in particular the lower chamber part 217 is an interface with a dome mask 224 intended. The Domeblende 224 has closable openings through which access from the maintenance area 223 to the EUV radiation source 215 , in particular the lower chamber part 217 , is created. The Domeblende 224 is thus part of the chamber wall 222, which the lower chamber part 217 limited. About the Domeblende 224 is an access to the EUV radiation source 215 from the maintenance area 223 allows while the rest of the lighting system 101 , in particular the illumination optics 102 is evacuated. The maintenance area 223 has a maintenance opening in the form of a maintenance flap 225 on. When the maintenance cover is closed 225 is the maintenance area 223 vacuum-tight against an outdoor area 226 locked. The outdoor area 226 is outside the projection exposure machine 100 , In the outdoor area 226 it can be a clean room in which the projection exposure machine 100 is built, act. In the opened state of the maintenance flap 225 is an access from the outside area 226 to the maintenance area 223 and over to the EUV radiation source 215 possible. Access to the EUV radiation source 215 Can be used especially for maintenance and cleaning. For example, it is possible for the middle part 221 expand and / or change access.

Der obere Kammerteil 216 entspricht im Wesentlichen der in 1 gezeigten Quellkammer 2. Die Reinigung des oberen Kammerteils 216 kann daher durch die vorstehend beschriebenen Reinigungsmodule 24, 26, 34, 39, 54, 67 gereinigt werden. Hierzu können die Reinigungsmodule 24, 26, 34, 39, 54, 67 durch die Domeblende 224 und die Öffnungen 219, 220 der Mittenplatte 218 geführt werden. Sollen die Reinigungsmodule 24, 26, 34, 39, 54, 67 durch die zentrale Öffnung 220 in den oberen Kammerteil 216 eingebracht werden, kann dies insbesondere geschehen, nachdem das Mittenteil 221 aus der zentralen Öffnung 220 entfernt wurde. Natürlich ist auch möglich, den unteren Kammerteil 217 entsprechend zu reinigen.The upper chamber part 216 is essentially the same as in 1 shown source chamber 2 , The cleaning of the upper chamber part 216 can therefore by the cleaning modules described above 24 . 26 . 34 . 39 . 54 . 67 getting cleaned. For this purpose, the cleaning modules 24 . 26 . 34 . 39 . 54 . 67 through the Domeblende 224 and the openings 219 . 220 the center plate 218 be guided. Should the cleaning modules 24 . 26 , 34, 39, 54, 67 through the central opening 220 in the upper chamber part 216 This can be done in particular after the middle part 221 from the central opening 220 was removed. Of course it is also possible, the lower chamber part 217 to clean accordingly.

In dem Wartungsbereich 223 können Reinigungsmodule, wie beispielsweise die Reinigungsmodule 24, 26, 34, 39, 54, 67, zur Reinigung der Kammerteile 216, 217 gelagert sein. Alternativ können die Reinigungsmodule zur Reinigung über die Wartungsklappe 225 in den Wartungsbereich 223 und von dort über die Domeblende 224 in die Kammerteile 217, 216 eingebracht werden.In the maintenance area 223 can cleaning modules, such as the cleaning modules 24 . 26 . 34 . 39 . 54 . 67 , for cleaning the chamber parts 216 . 217 be stored. Alternatively, the cleaning modules can be cleaned via the maintenance flap 225 in the maintenance area 223 and from there over the Domeblende 224 in the chamber parts 217 . 216 be introduced.

In 24 ist eine schematische Schnittzeichnung eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Reinigungsmoduls 227 gezeigt. Identische Komponenten tragen die gleichen Bezugszeichen wie in den vorstehend unter Bezugnahme auf die 7 und 23 bereits beschriebenen Alternativen, auf die hiermit verwiesen wird.In 24 is a schematic sectional view of another embodiment of a cleaning module 227 shown. Identical components bear the same reference numerals as in the above with reference to the 7 and 23 already described alternatives to which reference is hereby made.

Das Plasmareinigungsmodul 227 eignet sich zur Durchführung des zweiten Plasmareinigungsverfahrens 33, welches unter Bezugnahme auf die 8 beschrieben wurde. Das Reinigungsmodul 227 umfasst hierzu die Gaszuleitung 31 und das Pumpensystem 32 zur Zuführung eines Reinigungsgases. Das Pumpensystem 32 ist außerhalb des Beleuchtungssystems 101 in dem Außenbereich 226 gelagert. Die Zuführung 31 erstreckt sich durch die Wartungsklappe 225 in den Wartungsbereich 223. Die zugeführten Reinigungsgase können denen, welche unter Bezugnahme auf die 8 beschrieben wurden, entsprechen.The plasma cleaning module 227 is suitable for carrying out the second plasma cleaning process 33 , which with reference to the 8th has been described. The cleaning module 227 includes for this purpose the gas supply 31 and the pump system 32 for supplying a cleaning gas. The pump system 32 is outside the lighting system 101 in the outdoor area 226 stored. The feeder 31 extends through the service door 225 in the maintenance area 223 , The supplied cleaning gases may those which, with reference to the 8th have been described correspond.

Im Gegensatz zu dem Reinigungsmodul 34 umfasst das Reinigungsmodul 227 eine Plasma-Erzeugungseinrichtung 228, welche außerhalb der Kammerteile 216, 217 der Quellkammer im Wartungsbereich 223 angeordnet ist. Die Plasma-Erzeugungseinrichtung 228 ist als Mikrowellen-Plasma-Erzeugungseinrichtung ausgeführt und eignet sich insbesondere zur Erzeugung eines atmosphärischen Plasmas. Im Gegensatz zu dem Reinigungsmodul 34 ist die Plasma-Erzeugungseinrichtung 228 nicht innerhalb der Quellkammer 216, 217 der Strahlungsquelle 215 angeordnet. Die Plasma-Erzeugungseinrichtung 228 wird über eine Halterung/Zuführungsvorrichtung 229, in welcher sich auch die Gaszufuhr 231 befindet, in den Wartungsbereich 223 eingebracht und dort gehalten werden.In contrast to the cleaning module 34 includes the cleaning module 227 a plasma generator 228 which are outside the chamber parts 216 . 217 the source chamber in the maintenance area 223 is arranged. The plasma generator 228 is designed as a microwave plasma generating device and is particularly suitable for generating an atmospheric plasma. In contrast to the cleaning module 34 is the plasma generator 228 not within the source chamber 216, 217 of the radiation source 215 arranged. The plasma generator 228 is via a holder / feeder 229 in which also the gas supply 231 is located in the maintenance area 223 be introduced and held there.

Das von der Plasma-Erzeugungseinrichtung 228 erzeugte Plasma wird mittels einer Plasmazuführleitung 230 durch eine Öffnung 254 mit der Domeblende 224 und die zentrale Öffnung 220 in den oberen Teil 216 der Quellkammer eingebracht. In dem Einbringungsschritt 36 des Plasmareinigungsverfahrens 33 wird daher nicht die Plasma-Erzeugungseinrichtung 228 in die Teilkammer 216 eingebracht, sondern lediglich die Plasmazuführleitung 230 an die Teilkammer 216 angeflanscht.That from the plasma generator 228 generated plasma is by means of a plasma supply line 230 through an opening 254 with the dome diaphragm 224 and the central opening 220 in the upper part 216 introduced the source chamber. In the introduction step 36 of the plasma cleaning process 33 does not become the plasma generator 228 in the sub-chamber 216 introduced, but only the plasma supply 230 to the sub-chamber 216 flanged.

Die weiteren Bestandteile des Reinigungsmoduls 227 entsprechen denen des Reinigungsmoduls 34 und sind nicht in 24 gezeigt.The other components of the cleaning module 227 correspond to those of the cleaning module 34 and are not in 24 shown.

In 25 ist eine schematische Schnittzeichnung eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Reinigungsmoduls 231 gezeigt. Identische Komponenten tragen die gleichen Bezugszeichen wie in den vorstehend unter Bezugnahme auf die 9 und 10 sowie 23 und 24 beschriebenen Alternativen, auf die hiermit verwiesen wird.In 25 is a schematic sectional view of another embodiment of a cleaning module 231 shown. identical Components carry the same reference numerals as in the above with reference to the 9 and 10 and 23 and 24 described alternatives, to which reference is hereby made.

Das Reinigungsmodul 231 eignet sich zur Durchführung des mit Bezugnahme auf die 10 beschriebenen Laserreinigungsverfahrens 38. Das Reinigungsmodul 231 umfasst eine Laserlicht-Quelle 232 sowie einen Strahlmanipulator 233. Mittels des Strahlmanipulators 233 können Laserstrahlungs-Pulse 234 gezielt auf die Innenfläche 235 der Kammerwand 222 eingestrahlt werden. Die sonstigen Komponenten des Reinigungsmoduls 231 entsprechen den Komponenten des Reinigungsmoduls 39 und sind in 25 nicht gezeigt.The cleaning module 231 is suitable for carrying out the with reference to the 10 described laser cleaning process 38 , The cleaning module 231 includes a laser light source 232 and a beam manipulator 233 , By means of the beam manipulator 233 can laser radiation pulses 234 targeted to the inner surface 235 the chamber wall 222 be irradiated. The other components of the cleaning module 231 correspond to the components of the cleaning module 39 and are in 25 Not shown.

In 26 ist eine schematische Schnittzeichnung eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Reinigungsmoduls 236 gezeigt. Identische Verfahrensschritte und Komponenten tragen die gleichen Bezugszeichen wie in den vorstehend unter Bezugnahme auf die 14 und 15 sowie 23 bis 25 bereits beschriebenen Alternativen, auf die hiermit verwiesen wird.In 26 is a schematic sectional view of another embodiment of a cleaning module 236 shown. Identical method steps and components bear the same reference numerals as in the above with reference to FIGS 14 and 15 and 23 to 25 alternatives already described, to which reference is hereby made.

Das Reinigungsmodul 236 umfasst einen Vorratsbehälter 237 für ein Strahlgut 240, insbesondere ein Strahlgut 240 aus Partikeln mit mittlerer Korngröße von 100 µm. An den Vorratsbehälter 237 schließt sich eine Strahlgutzuführungsleitung 238 an. Die Strahlgutzuleitung 238 verbindet den Vorratsbehälter 237 mit dem oberen Kammerteil 216. Die Strahlgutzuleitung 238 ist hierzu durch die Öffnung 254 der Domeblende 224 und durch die zentrale Öffnung 220 in der Mittenplatte 218 hindurch in den oberen Kammerteil 216 geführt. An ihrem dem Vorratsbehälter 237 gegenüber liegenden Ende weist die Strahlgutzuleitung 238 eine Düse 239 auf. Das mittels der Strahlgutzuleitung 238 in den oberen Kammerteil 216 eingebrachte Strahlgut 240 wird über die Düse 239 gezielt auf Bereiche der Kammerwand 222 eingestrahlt. Hierzu weist die Düse 239 eine optimierte Lanzengeometrie auf.The cleaning module 236 includes a reservoir 237 for a blasting material 240 , in particular a blasting material 240 from particles with a mean particle size of 100 μm. To the reservoir 237 closes a Strahlgutzuführungsleitung 238 at. The beam supply line 238 connects the storage tank 237 with the upper chamber part 216 , The beam supply line 238 this is through the opening 254 the dome diaphragm 224 and through the central opening 220 in the middle plate 218 through into the upper chamber part 216 guided. At her the reservoir 237 opposite end has the Strahlgutzuleitung 238 a nozzle 239 on. The means of Strahlgutzuleitung 238 in the upper chamber part 216 introduced blasting material 240 gets over the nozzle 239 targeted to areas of the chamber wall 222 irradiated. For this purpose, the nozzle 239 an optimized lance geometry.

Des Weiteren weist das Reinigungsmodul 236 eine Evakuierungseinrichtung 241. Die Evakuierungseinrichtung 241 ist vakuumdicht an die Domeblende 224 angeflanscht. Die Evakuierungseinrichtung 241 umfasst eine Vakuumpumpe 242.Furthermore, the cleaning module 236 an evacuation facility 241 , The evacuation facility 241 is vacuum-tight to the dome diaphragm 224 flanged. The evacuation facility 241 includes a vacuum pump 242 ,

Die Vakuumpumpe 242 sowie der Vorratsbehälter 237 sind außerhalb des Beleuchtungssystems 101 im Außenbereich 226 angeordnet. Die Strahlgutzuleitung 238 ist hierüber über die Wartungsklappe 225 in den Wartungsbereich 223 und von dort aus in die EUV-Strahlungsquelle 215 geführt. Die Evakuierungseinrichtung 241 umfasst eine Vakuumleitung 243, welche die Vakuum-Pumpe 242 mit einem Vakuumanschluss 252 der Evakuierungseinrichtung 241 in dem Wartungsbereich 223 verbindet.The vacuum pump 242 and the reservoir 237 are outside the lighting system 101 outside 226 arranged. The beam supply line 238 is via the maintenance flap 225 in the maintenance area 223 and from there into the EUV radiation source 215 guided. The evacuation facility 241 includes a vacuum line 243 which the vacuum pump 242 with a vacuum connection 252 the evacuation facility 241 in the maintenance area 223 combines.

Der Vakuumanschluss 252 ist topfartig ausgeführt und überdeckt das Ganze die Domeblende 224 aufweisende Interface. Somit ist ein vakuumdichtes Ankoppeln der Evakuierungseinrichtung 241 über den Vakuumanschluss 252 gewährleistet. Der Vakuumanschluss 252 weist eine Auslassung 253 auf, durch die die Strahlgutzuleitung 238 vakuumdicht geführt ist.The vacuum connection 252 is pot-shaped and covers the whole dome diaphragm 224 having interface. Thus, a vacuum-tight coupling of the evacuation device 241 via the vacuum connection 252 guaranteed. The vacuum connection 252 indicates an omission 253 on, through which the Strahlgutzuleitung 238 is performed vacuum-tight.

Das Reinigungsmodul 236 eignet sich zur Durchführung des Strahlreinigungsverfahrens 66 mit den mit Bezug auf 15 beschriebenen Schritten. Hierbei ist das Reinigungsmodul 236 zur Durchführung eines Vakuum-Saugstrahlreinigungsverfahrens ausgelegt. In dem Ankoppelschritt 72 wird neben der Strahlgutzuleitung 238 auch die Evakuierungseinrichtung 241 an die Strahlungsquelle 215 angekoppelt. Zur Durchführung des Abstrahlschritts 73 wird mittels der Evakuierungsvorrichtung 241 ein Unterdruck in der EUV-Strahlungsquelle 215, insbesondere in dem oberen Kammerteil 216 und dem unteren Kammerteil 217, erzeugt. Die Evakuierungseinrichtung erzeugt hierbei einen Unterdruck von 200 mbar. Durch den in der EUV-Strahlungsquelle 215 herrschenden Unterdruck wird das Strahlgut 240 aus dem Vorratsbehälter 237 über die Strahlgutzuleitung 238 in den oberen Kammerteil 216 gezogen und über die Düse 239 gezielt auf die Innenflächen 235 der Kammerwand 226 eingestrahlt. Während des Abstrahlschritts 73 wird die Strahlungsquelle 215 durch die Evakuierungseinrichtung 241 durchgehend abgesaugt, sodass der Entfernungsschritt 275 zeitgleich durch die Evakuierungseinrichtung 241 erfolgt. Die Evakuierungseinrichtung 241 ist Teil der Bewegungsvorrichtung und der Entfernungsvorrichtung. Die Vakuumpumpe 242 dient als Absaugvorrichtung.The cleaning module 236 is suitable for carrying out the blast cleaning process 66 with reference to with reference to 15 described steps. Here is the cleaning module 236 designed for performing a vacuum Saugstrahlreinigungsverfahrens. In the coupling step 72 is next to the Strahlgutzuleitung 238 also the evacuation facility 241 to the radiation source 215 coupled. To carry out the radiation step 73 is by means of the evacuation device 241 a negative pressure in the EUV radiation source 215 , in particular in the upper chamber part 216 and the lower chamber part 217 , generated. The evacuation device generates a negative pressure of 200 mbar. By the in the EUV radiation source 215 prevailing negative pressure is the blasting material 240 from the reservoir 237 via the Strahlgutzuleitung 238 in the upper chamber part 216 pulled and over the nozzle 239 targeted to the inner surfaces 235 the chamber wall 226 irradiated. During the radiation step 73 becomes the radiation source 215 through the evacuation facility 241 sucked out continuously, so the removal step 275 at the same time by the evacuation device 241 he follows. The evacuation facility 241 is part of the movement device and the removal device. The vacuum pump 242 serves as a suction device.

Das mit dem Reinigungsmodul 236 durchgeführte Vakuum-Saugstrahlen hat gegenüber anderen Strahlreinigungsverfahren den Vorteil einer erhöhten Prozesssicherheit. Insbesondere ist eine Kontamination der Quellkammer oder weiterer Bestandteile der Projektionsbelichtungsanlage, wie beispielsweise der Beleuchtungsoptik 101, durch unter Hochdruck eingestrahltes Strahlgut 240 vermieden. Durch die Evakuierungseinrichtung 271 werden das Strahlgut 240 und eventuell abgelöste Partikel sofort entfernt. Damit ist das Vakuum-Saugstrahlen besonders reinraumtauglich.The with the cleaning module 236 performed vacuum suction blasting has the advantage of increased process safety compared to other blast cleaning. In particular, a contamination of the source chamber or other components of the projection exposure system, such as the illumination optics 101 , by high-blasting blasting material 240 avoided. By the evacuation device 271 become the blasting material 240 and any detached particles removed immediately. Thus, the vacuum suction is particularly cleanroom suitable.

In 27 ist die Düse 239 des Reinigungsmoduls 236 im Detail gezeigt. Die Düse 239 eignet sich zur Umlenkung des eingebrachten Stahlguts 240, um dieses gezielt auf einzelne Bereiche der Innenfläche 235 der Kammerwand 222 einzustrahlen. Hierzu weist die Düse 239 eine Lanzengeometrie auf, die ein Abstrahlen insbesondere der den oberen Kammerteil 216 zugewandten Innenfläche 235 der Mittenplatte 218 erlaubt. Zur Umlenkung des über die Strahlgutzuleitung 238 eingebrachten Strahlguts 240 weist die Düse 239 ein Umlenkungselement in Form einer Prallfläche 244 auf. Die Prallfläche 244 der Düse 239 ist rotationssymetrisch um die Einströmrichtung 245 des Strahlguts 240 aus der Strahlgutzuleitung 238 ausgeführt. Die Prallfläche 244 ist eben ausgeführt und weist eine Flächennormale auf, welche parallel zu der Einströmrichtung 245 liegt. Somit prallt das in Einströmungsrichtung 245 einströmende Strahlgut 240 an der Prallfläche 244 ab und wird in Richtung der Mittenplatte 218 abgelenkt. Die Prallfläche 244 der Düse 239 ist über einen Trägerstift 246 mit der Strahlgutzuleitung 238 verbunden. Der Trägerstift 246 ist parallel zu der Einströmrichtung 245 ausgerichtete und mittig in einer Auslassöffnung 247 der Strahlgutzuführung 238 positioniert.In 27 is the nozzle 239 of the cleaning module 236 shown in detail. The nozzle 239 is suitable for deflecting the introduced steel stock 240 to target this on individual areas of the inner surface 235 the chamber wall 222 irradiate. For this purpose, the nozzle 239 a Lanzengeometrie on which a blasting in particular of the upper chamber member 216 facing inner surface 235 the center plate 218 allowed. For deflecting the over the Strahlgutzuleitung 238 introduced blasting material 240 the nozzle 239 has a deflection element in the form of a baffle surface 244 on. The baffle 244 the nozzle 239 is rotationally symmetrical about the inflow direction 245 of the blasting material 240 from the Strahlgutzuleitung 238 executed. The baffle 244 is flat and has a surface normal, which is parallel to the inflow direction 245 lies. Thus, this bounces in the inflow direction 245 inflowing blasting material 240 at the baffle 244 off and in the direction of the center plate 218 distracted. The baffle 244 the nozzle 239 is over a carrier pin 246 with the Strahlgutzuleitung 238 connected. The carrier pin 246 is parallel to the inflow direction 245 aligned and centrally in an outlet opening 247 of the Strahlgutzuführung 238 positioned.

In 28 ist eine alternative Ausführungsform einer Düse 248 für das Reinigungsmodul 236 gezeigt. Identische Komponenten tragen die gleichen Bezugszeichen wie in den vorstehend unter Bezugnahme auf die 26 und 27 bereits beschriebenen Alternativen, auf die hiermit verwiesen wird.In 28 is an alternative embodiment of a nozzle 248 for the cleaning module 236 shown. Identical components bear the same reference numerals as in the above with reference to the 26 and 27 already described alternatives to which reference is hereby made.

Die Düse 248 weist eine Prallfläche 249 auf. Die Prallfläche 249 entspricht in Ausrichtung und Funktion der Prallfläche 244 der Düse 239. Die Prallfläche 239 der Düse 248 ist jedoch nicht über den Trägerstift 246, sondern über einen Trägerrahmen 250 mit dem Auslass 247 der Strahlgutzuleitung 238 verbunden.The nozzle 248 has a baffle 249 on. The baffle 249 corresponds in alignment and function of the baffle 244 the nozzle 239 , The baffle 239 the nozzle 248 is not over the carrier pin 246 but via a support frame 250 with the outlet 247 the Strahlgutzuleitung 238 connected.

In 29 ist eine weitere Alternative einer Düse 251 für das Reinigungsmodul 236 gezeigt. Identische Komponenten tragen die gleichen Bezugszeichen wie in den vorstehend unter Bezugnahme auf die 26 bis 28 bereits beschriebenen Alternativen, auf die hiermit verwiesen wird.In 29 Another alternative is a nozzle 251 for the cleaning module 236 shown. Identical components bear the same reference numerals as in the above with reference to the 26 to 28 already described alternatives to which reference is hereby made.

Die Düse 251 weist eine Prallfläche 255 auf. Die Prallfläche 255 ist rotationssymetrisch um die Einströmrichtung 245 ausgeführt. Die Prallfläche 255 ist in Form einer Kegelmantelfläche ausgeführt. Hierbei ist die Kegelspitze auf die Auslassöffnung 247 der Strahlgutzuleitung 238 ausgerichtet. Somit weist die Prallfläche 255 in Einströmrichtung 245 einen zunehmenden Winkel zu der Einströmrichtung 245 auf. Hierdurch wird das in Einströmrichtung 245 einströmende Strahlgut 240 in verschiedenen Winkeln abgelenkt und kann auf verschiedene Bereiche der Innenfläche 235 der Seitenwand 222 eingestrahlt werden.The nozzle 251 has a baffle 255 on. The baffle 255 is rotationally symmetrical about the inflow direction 245 executed. The baffle 255 is designed in the form of a conical surface. Here, the cone tip is on the outlet opening 247 the Strahlgutzuleitung 238 aligned. Thus, the baffle faces 255 in the inflow direction 245 an increasing angle to the inflow direction 245 on. As a result, this is in the inflow direction 245 inflowing blasting material 240 deflected at different angles and can affect different areas of the inner surface 235 the side wall 222 be irradiated.

Die hier diskutierten Reinigungsverfahren Gleitschleifverfahren 15, Plasmareinigungsverfahren 25, 33, Laserreinigungsverfahren 38, Bürstenreinigungsverfahren 53 und Strahlreinigungsverfahren 66 stellen alternative Reinigungsverfahren für eine Quellkammer 2 dar. Ebenso stellen die Reinigungsmodule 24, 26, 34, 39, 54, 67, 227, 231 und 236 alternative Ausgestaltungen eines erfindungsgemäßen Reinigungsmoduls zur in situ Reinigung einer Innenfläche 8 der Kammerwand 3 einer Quellkammer 2 dar. Prinzipiell ist jedoch auch möglich, dass ein Reinigungsmodul Merkmale der oben diskutierten Reinigungsmodule 24, 26, 34, 39, 54, 67, 227, 231, 236 kombiniert. Mit einem derartigen Reinigungsmodul ist das Durchführen mehrerer der hier dargestellten Reinigungsverfahren 15, 25, 33, 38, 53, 66 möglich. Beispielsweise kann vorgesehen sein, die Quellkammer 2 zunächst durch das Gleitschleifverfahren 15 zu reinigen und hierauf das Laserreinigungsverfahren 38 durchzuführen.The cleaning methods discussed here 15 , Plasma cleaning procedure 25 . 33 , Laser cleaning process 38 , Brush cleaning method 53 and blast cleaning process 66 provide alternative purification methods for a source chamber 2 Likewise, the cleaning modules provide 24 . 26 . 34 . 39 . 54 . 67 . 227 . 231 and 236 alternative embodiments of a cleaning module according to the invention for in situ cleaning of an inner surface 8th the chamber wall 3 a source chamber 2 In principle, however, it is also possible for a cleaning module to have features of the cleaning modules discussed above 24 . 26 . 34 . 39 . 54 . 67 . 227 . 231 . 236 combined. With such a cleaning module, it is possible to carry out a plurality of the cleaning processes 15, 25, 33, 38, 53, 66 illustrated here. For example, it may be provided, the source chamber 2 first by the vibratory finishing process 15 to clean and then the laser cleaning process 38 perform.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • US 2011/0089834 A1 [0002]US 2011/0089834 A1 [0002]
  • WO 2009/100856 A1 [0003]WO 2009/100856 A1 [0003]
  • EP 1225481 A [0083]EP 1225481A [0083]

Claims (15)

Reinigungsmodul zur in situ Reinigung einer Quellkammer (2; 216, 217) einer EUV-Strahlungsquelle (1; 215) eines Beleuchtungssystems (101) für eine Projektionsbelichtungsanlage (100), umfassend 1.1. eine Zuführvorrichtung (23; 58, 64; 69; 238) zur Einbringung mindestens eines Reinigungsmittels (17; 57; 212; 82; 240) in eine Quellkammer (2; 216, 217) einer EUV-Strahlungsquelle (1; 215), 1.2. eine Bewegungsvorrichtung (19; 58, 64; 69; 241) zur Bewegung des Reinigungsmittels (17; 57; 212; 82; 240) relativ zu der Quellkammer (2; 216, 217), und 1.3. eine Entfernungseinrichtung (52, 79; 241) zur Entfernung des Reinigungsmittels (17; 57; 212; 82; 240) und/oder von durch die Einwirkung des Reinigungsmittels (17; 57; 212; 82; 240) abgelösten Verunreinigungen aus der Quellkammer (2; 216, 217), 1.4. wobei die Zuführvorrichtung (23; 58, 64; 69; 238) und die Entfernungseinrichtung (52, 79; 241) in situ an die Quellkammer (2; 216, 217) ankoppelbar sind.Cleaning module for in situ cleaning of a source chamber (2; 216, 217) of an EUV radiation source (1; 215) of a lighting system (101) for a projection exposure apparatus (100) 1.1. a supply device (23; 58, 64; 69; 238) for introducing at least one cleaning agent (17; 57; 212; 82; 240) into a source chamber (2; 216, 217) of an EUV radiation source (1; 215), 1.2. a movement device (19; 58,64; 69; 241) for moving the cleaning agent (17; 57; 212; 82; 240) relative to the source chamber (2; 216,217), and 1.3. a removal device (52, 79; 241) for removing the cleaning agent (17; 57; 212; 82; 240) and / or contaminants released from the source chamber (17; 57; 212; 82; 240) by the action of the cleaning agent (17; 2, 216, 217), 1.4. wherein the supply device (23; 58, 64; 69; 238) and the removal device (52, 79; 241) can be coupled in situ to the source chamber (2; 216, 217). Reinigungsmodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Reinigungsmittel (17; 57; 212; 82; 240) mindestens einen Bürstenkopf (57; 212) umfasst.Cleaning module after Claim 1 characterized in that the cleaning means (17; 57; 212; 82; 240) comprises at least one brush head (57; 212). Reinigungsmodul nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Zuführvorrichtung (23; 58, 64; 69; 238) eine um ein Gelenk (65; 213) abknickbare Welle (64).umfasst.Cleaning module after Claim 2 , characterized in that the feed device (23; 58, 64; 69; 238) comprises a shaft (64) which can be bent around a joint (65; 213). Reinigungsmodul nach einem der vorgenannten Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Reinigungsmittel (17; 57; 212; 82; 240) ein Strahlgut (82; 240) umfasst.Cleaning module according to one of the preceding claims, characterized in that the cleaning agent (17; 57; 212; 82; 240) comprises a blasting material (82; 240). Reinigungsmodul nach einem der vorgenannten Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Bewegungsvorrichtung (19; 58,64; 69; 241) eine Evakuierungseinrichtung (241) umfasst.Cleaning module according to one of the preceding claims, characterized in that the movement device (19; 58, 64; 69; 241) comprises an evacuation device (241). Reinigungsmodul nach einem der vorgenannten Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Entfernungseinrichtung (52, 79; 241) eine Absaugvorrichtung (52; 242) zum Absaugen der Quellkammer (2; 216, 217) umfasst.Cleaning module according to one of the preceding claims, characterized in that the removal device (52, 79, 241) comprises a suction device (52, 242) for sucking off the source chamber (2, 216, 217). Reinigungsmodul nach einem der vorgenannten Ansprüche, gekennzeichnet durch einen an die Quellkammer (2; 216, 217) ankoppelbaren Drucklufterzeuger (202).Cleaning module according to one of the preceding claims, characterized by a compressed air generator (202) which can be coupled to the source chamber (2; 216, 217). Reinigungsmodul nach einem der vorgenannten Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Kontrollvorrichtung zur Kontrolle eines Zustands der Quellkammer (2; 216, 217).Cleaning module according to one of the preceding claims, characterized by a control device for checking a state of the source chamber (2; 216, 217). Verfahren zur in situ Reinigung einer Quellkammer (2; 216, 217) einer EUV-Strahlungsquelle (1; 215) eines Beleuchtungssystems (101) für eine Projektionsbelichtungsanlage (100) mit den folgenden Schritten 9.1. Bereitstellen eines Beleuchtungssystems (101) für eine Projektionsbelichtungsanlage (100) mit einer EUV-Strahlungsquelle (1; 215) mit einer mindestens eine Öffnung (6, 7; 219, 220, 254) aufweisenden Quellkammer (2; 216, 217), 9.2. Einbringen mindestens eines Reinigungsmittels (17; 57; 212; 82; 240) in die Quellkammer (2; 216, 217) durch die mindestens eine Öffnung (6, 7; 219, 220, 254), 9.3. Bewegen des Reinigungsmittels (17; 57; 212; 82; 240) relativ zu der Quellkammer (2; 216, 217), und 9.4. Entfernen des Reinigungsmittels (17; 57; 212; 82; 240) und/oder von durch die Einwirkung des Reinigungsmittels (17; 57; 212; 82; 240) abgelösten Verunreinigungen aus der Quellkammer (2; 216, 217) durch die mindestens eine Öffnung (6, 7; 219, 220, 254).Method for in situ cleaning of a source chamber (2; 216, 217) of an EUV radiation source (1; 215) of a lighting system (101) for a projection exposure apparatus (100) with the following steps 9.1. Providing a lighting system (101) for a projection exposure apparatus (100) with an EUV radiation source (1; 215) having a source chamber (2; 216,217) having at least one opening (6,7; 219,220,254), 9.2. Introducing at least one cleaning agent (17; 57; 212; 82; 240) into the source chamber (2; 216, 217) through the at least one opening (6, 7; 219, 220, 254), 9.3. Moving the cleaning agent (17; 57; 212; 82; 240) relative to the source chamber (2; 216,217), and 9.4. Removing the cleaning agent (17; 57; 212; 82; 240) and / or contaminants released from the source chamber (2; 216,217) by the at least one by the action of the cleaning agent (17; 57; 212; 82; Opening (6, 7, 219, 220, 254). Verfahren nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch eine Vorreinigung (10) und/oder Nachreinigung (11) mit Druckluft.Method according to Claim 9 , characterized by a pre-cleaning (10) and / or post-cleaning (11) with compressed air. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 oder 10, gekennzeichnet durch mindestens einen Kontrollschritt (14), in dem ein Zustand der Quellkammer (2; 216, 217) überprüft wird.Method according to one of Claims 9 or 10 characterized by at least one control step (14) in which a state of the source chamber (2; 216, 217) is checked. Strahlungsquellenmodul für ein Beleuchtungssystem (101) einer Projektionsbelichtungsanlage (100), umfassend 12.1. eine EUV-Strahlungsquelle (1; 215) mit einer mindestens eine Öffnung (6, 7; 219, 220, 254) aufweisenden Quellkammer (2; 216, 217), 12.2. ein Reinigungsmodul (24; 54; 67; 236) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8.Radiation source module for an illumination system (101) of a projection exposure apparatus (100), comprising 12.1. an EUV radiation source (1; 215) having a source chamber (2; 216,217) having at least one opening (6,7; 219,220,254), 12.2. a cleaning module (24; 54; 67; 236) according to any one of Claims 1 to 8th , Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage (100), umfassend 13.1. ein Strahlungsquellenmodul nach Anspruch 12 13.2. eine Beleuchtungsoptik (102).Illumination system for a projection exposure apparatus (100), comprising 13.1. a radiation source module after Claim 12 13.2. an illumination optics (102). Beleuchtungssystem nach Anspruch 13, gekennzeichnet durch einen Wartungsbereich (223).Lighting system after Claim 13 characterized by a maintenance area (223). Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem (101) nach einem der Ansprüche 13 oder 14.Projection exposure system with a lighting system (101) according to one of Claims 13 or 14 ,
DE102017212352.4A 2017-07-19 2017-07-19 Cleaning module and method for in situ cleaning of a source chamber of an EUV radiation source, radiation source module and illumination system for a projection exposure apparatus and projection exposure apparatus Withdrawn DE102017212352A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017212352.4A DE102017212352A1 (en) 2017-07-19 2017-07-19 Cleaning module and method for in situ cleaning of a source chamber of an EUV radiation source, radiation source module and illumination system for a projection exposure apparatus and projection exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017212352.4A DE102017212352A1 (en) 2017-07-19 2017-07-19 Cleaning module and method for in situ cleaning of a source chamber of an EUV radiation source, radiation source module and illumination system for a projection exposure apparatus and projection exposure apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102017212352A1 true DE102017212352A1 (en) 2018-07-26

Family

ID=62811256

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102017212352.4A Withdrawn DE102017212352A1 (en) 2017-07-19 2017-07-19 Cleaning module and method for in situ cleaning of a source chamber of an EUV radiation source, radiation source module and illumination system for a projection exposure apparatus and projection exposure apparatus

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102017212352A1 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020201558A1 (en) * 2020-02-07 2021-03-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Device for cleaning a plasma radiation source
WO2021121814A1 (en) * 2019-12-17 2021-06-24 Asml Netherlands B.V. Vessel for a radiation source
DE102020206249A1 (en) 2020-05-18 2021-11-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for maintaining a projection exposure system, service module and arrangement for semiconductor lithography
DE102020206876A1 (en) 2020-06-03 2021-12-09 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV radiation source, insert for an EUV radiation source and insert for an insert for an EUV radiation source
DE102021213828A1 (en) 2021-12-06 2023-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for target operating an EUV radiation source

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1225481A2 (en) 2001-01-23 2002-07-24 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Collector for an illumination system with wavelength of 193 nm
US20040007246A1 (en) 2002-07-15 2004-01-15 Michael Chan In-situ cleaning of light source collector optics
WO2009100856A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
US20110089834A1 (en) 2009-10-20 2011-04-21 Plex Llc Z-pinch plasma generator and plasma target

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1225481A2 (en) 2001-01-23 2002-07-24 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Collector for an illumination system with wavelength of 193 nm
US20040007246A1 (en) 2002-07-15 2004-01-15 Michael Chan In-situ cleaning of light source collector optics
WO2009100856A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
US20110089834A1 (en) 2009-10-20 2011-04-21 Plex Llc Z-pinch plasma generator and plasma target

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021121814A1 (en) * 2019-12-17 2021-06-24 Asml Netherlands B.V. Vessel for a radiation source
US12007699B2 (en) 2019-12-17 2024-06-11 Asml Netherlands B.V. Vessel for a radiation source
DE102020201558A1 (en) * 2020-02-07 2021-03-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Device for cleaning a plasma radiation source
DE102020206249A1 (en) 2020-05-18 2021-11-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for maintaining a projection exposure system, service module and arrangement for semiconductor lithography
DE102020206876A1 (en) 2020-06-03 2021-12-09 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV radiation source, insert for an EUV radiation source and insert for an insert for an EUV radiation source
DE102020206876B4 (en) 2020-06-03 2022-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV radiation source, insert for an EUV radiation source and insert for an insert for an EUV radiation source
US11550225B2 (en) 2020-06-03 2023-01-10 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV radiation source, insert for an EUV radiation source and insert for an insert for an EUV radiation source
DE102021213828A1 (en) 2021-12-06 2023-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for target operating an EUV radiation source
DE102021213828B4 (en) 2021-12-06 2023-07-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for target operating an EUV radiation source

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102017212352A1 (en) Cleaning module and method for in situ cleaning of a source chamber of an EUV radiation source, radiation source module and illumination system for a projection exposure apparatus and projection exposure apparatus
EP2164077A1 (en) Device and method for treating and/or decontaminating surfaces
DE4104543C2 (en) Cleaning device working with fine ice particles
WO2020021109A1 (en) Cleaning device
DE102008000709B3 (en) Cleaning module, EUV lithography apparatus and method for its cleaning
DE102014111372A1 (en) IRIDIUM TIP, FIELD ION SOURCE, FOCUSED ION BEAM SETUP, ELECTRON SOURCE, ELECTRON MICROSCOPE, EQUIPMENT FOR ANALYSIS USING AN ELECTRON BEAM, ION ELECTRON MULTIPLE BEAM INSTALLATION, ABUTATING TAPE MICROSCOPE AND MASK REPAIRING DEVICE
DE102018206278A1 (en) Method and apparatus for removing a particle from a photolithographic mask
DE3937221A1 (en) CLEANING DEVICE FOR SOLID BODY SURFACES
JP2016533517A (en) Optical apparatus, in particular plasma light source or EUV lithography apparatus
US20210153333A1 (en) Euv light concentrating apparatus and lithography apparatus including the same
JP2003524182A (en) Imaging device for cross section of substrate
DE102018210098B4 (en) Device and method for examining and/or processing a sample
DE102017212351A1 (en) Cleaning module for in-situ cleaning of a source chamber of an EUV radiation source, radiation source module and illumination system for a projection exposure apparatus and projection exposure apparatus
WO2008107136A1 (en) Method for measuring degassing and euv-lithography device and measuring assembly
DE102017211957A1 (en) Method and apparatus for inspecting a probe tip of a scanning probe microscope
DE112012002450T5 (en) Sample preparation device, sample preparation method and charged particle beam device with it
JP2010236032A (en) Insulator-interposed plasma processing apparatus
DE102005032320A1 (en) Decontaminating optical element surface, especially in projection illumination plant for microlithography, using cleaning device applying activated reducing gas to the surface under atmospheric pressure
EP1297561A1 (en) Method and device for cleaning and then bonding substrates
DE10195157B4 (en) Cleaning device for cleaning polishing cloths used for polishing semiconductor wafers
CH713471A1 (en) Device for processing coatings, graffiti or other superficial contamination on parts, workpieces or surfaces.
DE202019100333U1 (en) Production line comprising a continuous coating plant and a substrate carrier conditioning device
DE10223533B4 (en) ion implanter
DE112006001555T5 (en) A charged particle beam device and method of generating a charged particle beam image
DE102012107105A1 (en) Method for cleaning optical component of extreme-UV (EUV) projection exposure system, involves operating projection exposure system in presence of gas with work light so that work light ions are produced to clean optical component

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R230 Request for early publication
R016 Response to examination communication
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee