DE102020215812A1 - Leistungsmodul - Google Patents

Leistungsmodul Download PDF

Info

Publication number
DE102020215812A1
DE102020215812A1 DE102020215812.6A DE102020215812A DE102020215812A1 DE 102020215812 A1 DE102020215812 A1 DE 102020215812A1 DE 102020215812 A DE102020215812 A DE 102020215812A DE 102020215812 A1 DE102020215812 A1 DE 102020215812A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
circuit carrier
heat sink
power module
thermally conductive
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102020215812.6A
Other languages
English (en)
Inventor
Joachim BAERMANN
Juergen Kober
Jan Walker
Reiner Holp
Juergen Zipprich
Roland Krieg
Samy Arnaout
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE102020215812.6A priority Critical patent/DE102020215812A1/de
Publication of DE102020215812A1 publication Critical patent/DE102020215812A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/49—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions wire-like arrangements or pins or rods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45014—Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • H01L2224/48476—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
    • H01L2224/48491—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being an additional member attached to the bonding area through an adhesive or solder, e.g. buffer pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/8521—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
    • H01L2224/85214—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation using a laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Leistungsmodul. Das Leistungsmodul weist einen Schaltungsträger und eine Wärmesenke auf. Der Schaltungsträger ist mit der Wärmesenke wärmeleitfähig verbunden. Das Leistungsmodul weist auch einen mit dem Schaltungsträger, oder mit einem mit dem Schaltungsträger stoffschlüssig verbundenen Bauteil mindestens mittelbar verbundenen Bond-Draht auf. Erfindungsgemäß weist die Wärmesenke wenigstens ein an die Wärmesenke angeformtes Stützelement auf. Das Stützelement ist ausgebildet und angeordnet, gegen den Schaltungsträger abzustützen, wobei der Schaltungsträger im Bereich der Bond-Verbindung unterstützungsfrei mit der Wärmesenke wärmeleitfähig verbunden ist.

Description

  • Stand der Technik
  • Die Erfindung betrifft ein Leistungsmodul. Das Leistungsmodul weist einen Schaltungsträger und eine Wärmesenke auf. Der Schaltungsträger ist mit der Wärmesenke wärmeleitfähig verbunden. Das Leistungsmodul weist auch einen mit dem Schaltungsträger, oder mit einem mit dem Schaltungsträger stoffschlüssig verbundenen Bauteil mindestens mittelbar verbundenen Bond-Draht auf.
  • Aus der DE 10 2018 200 105 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung einer stoffschlüssigen Laser-Bond-Verbindung bekannt, wobei bei dem Verfahren das Bond-Element mit einem Kontaktelement unter Einwirkung eines Lasers gefügt und unmittelbar miteinander verbunden wird.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Erfindungsgemäß weist die Wärmesenke der eingangs genannten Art wenigstens ein an die Wärmesenke angeformtes Stützelement auf. Das Stützelement ist ausgebildet und angeordnet, gegen den Schaltungsträger abzustützen, wobei der Schaltungsträger im Bereich der Bond-Verbindung, insbesondere unterstützungsfrei mit der Wärmesenke wärmeleitfähig verbunden ist. Vorteilhaft kann so von der Bond-Verbindung effizient Verlustwärme abgeführt werden. Weiter vorteilhaft kann das Leistungsmodul im Bereich der Bond-Verbindung eine gute elektrische Isolierung zwischen dem Schaltungsträger und der Wärmesenke aufweisen. Vorteilhaft kann die elektrische Isolation durch eine Isolierschicht, insbesondere eine TIM-Schicht, gebildet sein. Weiter vorteilhaft kann so eine Schichtdicke der elektrischen Isolierschicht durch die Stützelemente, welche gegen den Schaltungsträger abstützen, vorbestimmt sein.
  • Das Stützelement ist bevorzugt durch einen Stützdom oder einen Stützsteg gebildet. Weiter bevorzugt ist das Stützelement an die Wärmesenke angeformt. Die Wärmesenke und/oder das Stützelement sind beispielsweise aus Aluminium oder Kupfer gebildet.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform ist der Bond-Draht mit dem Schaltungsträger oder dem Bauteil laserverschweißt. Vorteilhaft kann so eine Bond-Verbindung zwischen dem Bond-Draht und dem Schaltungsträger oder dem Bauteil, insbesondere einer Stromschiene, mit einer nur geringen Auflagekraft erzeugt werden. Der Schaltungsträger braucht so vorteilhaft im Bereich der Bond-Verbindung nicht unterstützt sein.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform ist der Schaltungsträger im Bereich des Stützelements gegen das Stützelement elektrisch isolierend ausgebildet. Bevorzugt stützt das Stützelement gegen eine elektrisch isolierende Schicht, insbesondere faserverstärkte Epoxidharzschicht des Schaltungsträgers ab. Vorteilhaft kann so ein großer elektrischer Isolationswiderstand zwischen der Wärmesenke und dem Schaltungsträger ausgebildet sein.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform weist der Schaltungsträger im Bereich des Stützelements eine elektrisch isolierende Harz-Verbundschicht auf, welche gegen das Stützelement abstützt. Die Harz-Verbundschicht ist beispielsweise durch eine Prepreg-Schicht gebildet. Bevorzugt ist die Harz-Verbundschicht faserverstärkt, insbesondere glasfaserverstärkt. Vorteilhaft kann der Schaltungsträger so in dem Flächenbereich, der gegen das Stützelement stützt, besonders bruchfest ausgebildet sein.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform des Leistungsmoduls ist das Bauteil ein elektrisch leitfähiges Metallelement zur Stromführung, insbesondere eine Stromschiene. Das Metallelement ist bevorzugt durch ein Blechstück, insbesondere Kupferblechstück, gebildet. Vorteilhaft kann der Schaltungsträger, insbesondere eine Leiterplatte, so eine große Stromtragfähigkeit im Bereich des Metallelements aufweisen.
  • Vorteilhaft kann das Metallelement eine Busbar bilden, welche ein Stromversorgungspotential zum Stromversorgen des Leistungsmoduls bildet. Bevorzugt bildet das Leistungsmodul eine Halbleiterschalter-Halbbrücke.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform weist der Schaltungsträger im Bereich des Bauelements wenigstens eine thermisch leitfähige Via-Verbindung auf, welche den Schaltungsträger wenigstens teilweise oder vollständig entlang seiner Dickenerstreckung durchsetzt. Die Via-Verbindung ist ausgebildet, von dem Bauelement erzeugte Wärme, insbesondere Verlustwärme, durch den Schaltungsträger zu der Wärmesenke durchzuleiten. Vorteilhaft kann der Schaltungsträger so im Bereich des Bauelements, und so auch im Bereich der Bond-Verbindung besonders gut thermisch leitfähig ausgebildet sein. Vorteilhaft kann so auch eine beim Laserschweißen erzeugte Verlustwärme über die Via-Verbindung zum Kühlkörper geleitet werden.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform des Leistungsmoduls ist der Schaltungsträger mittels einer elektrisch isolierenden wärmeleitfähigen Schicht, insbesondere wenigstens eines Wärmeleitmittels, mit der Wärmesenke wärmeleitfähig verbunden. Die wärmeleitfähige Schicht erstreckt sich bevorzugt zwischen dem Schaltungsträger und der Wärmesenke. Vorteilhaft kann das Leistungsmodul, insbesondere der Schaltungsträger, so eine große Durchschlagfestigkeit zur Wärmesenke hin aufweisen.
  • Das Wärmeleitmittel ist bevorzugt ein Gel, durch eine insbesondere silikonhaltige Wärmeleitpaste, einen Wärmeleitklebstoff, ein Wärmeleitpad, insbesondere Thermal-Flow-Pad, oder ein Underfillmaterial, insbesondere niedrigviskoses Epoxidharz gebildet. Das Wärmeleitmittel weist bevorzugt wenigstens einen wärmeleitfähigen Füllstoff, beispielsweise Keramikpartikel auf. Die Keramikpartikel sind beispielsweise durch Oxidpartikel, insbesondere Aluminiumoxidpartikel, durch Boridpartikel, oder durch Carbidpartikel gebildet.
  • Die wärmeleitfähige Schicht weist bevorzugt wenigstens eine oder mehrere aufeinanderliegende Einzelschichten auf. Vorteilhaft können so verschiedene Eigenschaften der Einzelschichten in einer kompakten wärmeleitfähigen Schicht enthalten sein.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform ist die wärmeleitfähige Schicht durch - wenigstens eine Lackschicht gebildet. Beispielsweise kann die wärmeleitfähige Schicht durch einen Schichtverbund gebildet sein, welcher aus wenigstens zwei wärmeleitfähigen Schichten gebildet ist. Die Lackschicht ist bevorzugt mit dem Schaltungsträger verbunden, und auf einer von einer Bestückungsseite des Schaltungsträgers abgewandten, und zur Wärmesenke zugewandten Seite des Schaltungsträgers aufgebracht. Vorteilhaft kann so eine Durchschlagfestigkeit des Schaltungsträgers zu der Wärmesenke hin - zusätzlich oder unabhängig von dem bereits erwähnten Wärmeleitmittel - vergrößert sein.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform umfasst die wärmeleitfähige Schicht eine insbesondere partikelgefüllte Wärmeleitpaste. Die Matrix der Wärmeleitpaste ist beispielsweise durch ein Silikongel gebildet. Die Partikel sind beispielsweise durch Keramikpartikel, insbesondere Aluminiumoxidpartikel, gebildet. Vorteilhaft kann der Schaltungsträger so gut wärmeleitfähig an die Wärmesenke angebunden sein. Vorteilhaft kann die gute Anbindung an die Wärmesenke im Bereich der Bond-Schweißverbindung sowohl beim Betrieb des Leistungsmoduls, bei dem im Bereich der Busbar eine große Verlustwärme erzeugt werden kann wirken, als auch beim Laserverschweißen selbst, bei dem die beim Laserschweißen erzeugte Verlustwärme ebenfalls über die wärmeleitfähige Via-Verbindung, und weiter über die wärmeleitfähige Schicht bis hin zur Wärmesenke gelangen kann, um dort abgeführt zu werden. Vorteilhaft kann so ein fertig bestückter Schaltungsträger, welcher beispielsweise mittels oberflächenverlöteten elektronischen Bauelementen verbunden ist, in einem letzten Arbeitsschritt mittels Bond-Bändern nach außen hin elektrisch verbunden werden.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform des Leistungsmoduls weist der Schaltungsträger im Bereich des Stützlagers zur Wärmesenke hin eine kleinere Wärmeleitfähigkeit auf, als im Bereich der Bond-Verbindung. Weiter bevorzugt weist der Schaltungsträger im Bereich des Stützlagers eine größere elektrische Durchschlagfestigkeit auf, als im Bereich der Bond-Verbindung. Vorteilhaft kann so eine gute Wärmeleitfähigkeit von der Bond-Verbindung durch den Schaltungsträger hindurch erzielt werden. Weiter vorteilhaft kann eine hinreichend gute Durchschlagfestigkeit im Bereich der Bond-Verbindung durch die elektrisch isolierende und wärmeleitfähige Schicht gebildet sein.
  • Die Erfindung betrifft auch einen Inverter mit wenigstens einer Halbleiterschalter-Halbbrücke, wobei der Inverter wenigstens ein Leistungsmodul aufweist. Das Leistungsmodul weist wenigstens eine Halbleiterschalter-Halbbrücke auf, deren Halbleiterschalter, insbesondere gebildet durch wenigstens einen High-Side-Halbleiterschalter und wenigstens einen Low-Side-Halbleiterschalter, mit dem Schaltungsträger stoffschlüssig verbunden, insbesondere lötverbunden oder sinterverbunden sind.
  • Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum elektrischen Verbinden eines Bond-Drahtes mit einem Schaltungsträger. Bei dem Verfahren wird der Schaltungsträger auf eine Wärmesenke aufgelegt. Weiter wird bei dem Verfahren der Schaltungsträger auf die Wärmesenke derart aufgelegt, dass wenigstens ein elektrisch isolierter Flächenbereich des Schaltungsträgers auf einem - insbesondere an die Wärmesenke angeformten - Stützlager aufliegt. Weiter wird bei dem Verfahren in einem Bereich des Schaltungsträgers, der sich von der Wärmesenke beabstandet und in der ebenen Erstreckung des Schaltungsträgers zu dem Stützlager benachbart erstreckt, ein Bond-Draht mittels Laserstrahlen auf den Schaltungsträger, oder auf ein mit dem Schaltungsträger verbundenes Bauteil gebondet. Vorteilhaft kann so die beim Bonden erzeugte Verlustwärme über den Bereich des Schaltungsträgers, der sich über der Wärmesenke neben dem Stützlager erstreckt, abgeführt werden.
  • Bevorzugt ist bei dem Verfahren das Stützlager zu dem Schaltungsträger hin elektrisch isoliert. Weiter bevorzugt ist bei dem Verfahren eine Wärmeleitfähigkeit des Schaltungsträgers im Bereich der Bond-Verbindung zu der Wärmesenke hin größer ausgebildet, als im Bereich des Stützlagers.
  • Die Erfindung wird nun im Folgenden anhand von Figuren und weiteren Ausführungsbeispielen beschrieben. Weitere vorteilhafte Ausführungsvarianten ergeben sich aus einer Kombination der in den Figuren und in den abhängigen Ansprüchen beschriebenen Merkmale.
    • 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel für ein Leistungsmodul, bei dem ein Schaltungsträger mit einer Wärmesenke wärmeleitfähig verbunden ist, wobei Stützelemente zum Stützen des Schaltungsträgers auf der Wärmesenke einen Flächenbereich des Schaltungsträgers stützen, auf oder über dem keine Bondverbindung angeordnet ist.
  • 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel für ein Leistungsmodul 1. Das Leistungsmodul 1 weist einen Schaltungsträger 2, in diesem Ausführungsbeispiel eine Leiterplatte, auf. Das Leistungsmodul 1 umfasst auch eine Wärmesenke 3, in diesem Ausführungsbeispiel ein Aluminium-Kühlkörper. Der Schaltungsträger 2 weist in diesem Ausführungsbeispiel wenigstens eine elektrisch isolierende Schicht 4, und zwei elektrisch leitfähige Schichten 5 und 6 auf. Die elektrisch leitfähigen Schichten 5 und 6 sind auf einer Seite des Schaltungsträgers 2 angeordnet, welche zum Bestücken mit Bauelementen ausgebildet ist. Eine zu der zum Bestücken mit Bauelementen entgegengesetzte Seite des Schaltungsträgers ist zum Kontaktieren der Wärmesenke 3 ausgebildet.
  • Mit der elektrisch leitfähigen Schicht 5 ist in diesem Ausführungsbeispiel eine Stromschiene 8 elektrisch leitfähig, insbesondere mittels eines Lotmittels, stoffschlüssig verbunden. Der Schaltungsträger 2 weist im Bereich der Stromschiene 8 wärmeleitfähige Via-Verbindungen auf, welche von der elektrisch leitfähigen Schicht 5 durch den Schaltungsträger 2 entlang seiner Dickenerstreckung 34 hindurchgeführt sind, und dort mit einer wärmeleitfähigen und/oder elektrisch leitfähigen Schicht 12 wärmeleitfähig verbunden. Die wärmeleitfähige Schicht 12 ist in diesem Ausführungsbeispiel eine Wärmespreizschicht und ist ausgebildet, die von den Via-Verbindungen 9 geleitete Verlustwärme zu empfangen, und zur Wärmesenke 3 abzugeben.
  • Der Schaltungsträger 2 ist mit der Wärmesenke 3 mittels eines Wärmeleitmittels 15 wärmeleitfähig verbunden. Das Wärmeleitmittel 15 ist in diesem Ausführungsbeispiel eine Wärmeleitpaste, insbesondere eine partikelgefüllte Wärmeleitpaste. Das Wärmeleitmittel 15 bildet in diesem Ausführungsbeispiel ein TIM-Material. Zusätzlich zu der durch das Wärmeleitmittel 15 gebildeten wärmeleitfähigen Schicht, ist der Schaltungsträger 2 von dem Kühlkörper, gebildet durch die Wärmesenke 3, durchschlagfest elektrisch isoliert. Dazu weist der Schaltungsträger 2 eine die Wärmespreizschicht 12 überdeckende, elektrisch isolierende Lackschicht 14 auf, welche zur Wärmesenke 3 hinweist. Die Lackschicht 14 steht mit dem Wärmeleitmittel 15 berührend in wärmeleitfähigem Kontakt. Von der Stromschiene 8 erzeugte Verlustwärme kann so über die elektrisch leitfähige Schicht 5, insbesondere eine Kupfer-Leiterbahn, und weiter über die Via-Verbindung 9, beispielsweise gebildet durch galvanisch erzeugte Kupferfüllungen in dem Schaltungsträger 2, bis hin zu der Wärmespreizschicht 12 gelangen, und von dort weiter durch die wärmeleitfähige und elektrisch isolierende Lackschicht 12 und über das Wärmeleitmittel 15 an die Wärmesenke 3 geleitet werden.
  • Der Schaltungsträger 2 umfasst in diesem Ausführungsbeispiel auch einen mit der elektrisch leitfähigen Schicht 6 elektrisch und wärmeleitfähig verbundenen Leistungshalbleiter 7, insbesondere Halbleiterschalter, der ein Bauteil bildet, das mit dem Schaltungsträger stoffschlüssig verbunden ist. Der Leistungshalbleiter 7 ist beispielsweise durch einen Feldeffekttransistor gebildet, insbesondere einen gehäuselosen Feldeffekttransistor, auch Bare-Die genannt. Der Leistungshalbleiter 7 ist mit seinem Schaltstreckenanschluss, welcher von dem Schaltungsträger 2 abweist, insbesondere einem Source-Anschluss, mit einem elektrisch leitfähigen Verbindungselement 23 verbunden. Das Verbindungselement 23 ist beispielsweise durch ein Blechstück, insbesondere ein Stanzgitter oder ein Lead-Frame, gebildet. Das Verbindungselement 23 ist ausgebildet, mit einem Bond-Draht, in diesem Ausführungsbeispiel mit dem Bond-Draht 24, beispielsweise ein Bond-Band, bondverbunden zu werden.
  • Die Stromschiene 8 ist ausgebildet, mittels eines Bond-Drahtes 25 mittels Laserschweißen stoffschlüssig bondverbunden zu werden. Dargestellt ist ein Laser 33, insbesondere ein Kohlendioxidlaser oder ein YAG-Laser (YAG = Yttrium-Aluminium-Granat), welcher ausgebildet ist, Laserstrahlen 26 zum Bondverschweißen des Bond-Drahtes 25 mit der Stromschiene 8 zu erzeugen, und diese auf den Bond-Draht 25, insbesondere einen Endabschnitt des Bond-Drahtes 25, auszusenden. Der Bond-Draht 25 ist in diesem Ausführungsbeispiel durch ein Bond-Band gebildet. Mittels der Laserstrahlen 26 ist - wie in 1 gezeigt - eine Bond-Schweiß-Verbindung 27 erzeugt, welche den Endabschnitt des Bond-Drahtes 25 mit der Stromschiene 8 stoffschlüssig verbindet.
  • Der Bond-Draht 25 ist in diesem Ausführungsbeispiel mit einem zur Schweißverbindung 27 entgegengesetzten Endabschnitt mittels einer Laserschweißverbindung 29 mit einer äußerem Stromschiene 31, insbesondere einer Busbar, verbunden. Die äußere Stromschiene 31 ist ausgebildet, dem Leistungsmodul 1 elektrische Energie zuzuführen.
  • Der Leistungshalbleiter 7 ist in diesem Ausführungsbeispiel mittels einer Bond-Schweiß-Verbindung 28, mit der der Bond-Draht 24, insbesondere ein Bond-Band, mit dem Leistungshalbleiter 7 elektrisch verbunden ist, mit einer äußeren Stromschiene 32 bondverbunden. Der Bond-Draht 24 ist dazu mit einem weiteren Endabschnitt mittels einer Laserschweißverbindung 30 mit der äußeren Stromschiene 32 verbunden. Anders als in 1 dargestellt kann der Bonddraht anstelle der äußeren Stromschiene 32 mit einer - in 1 nicht dargestellten - Stromschiene des Schaltungsträgers 2 verbunden sein.
  • Die äußeren Stromschienen 31 und 32 können jeweils Bestandteil des Leistungsmoduls 1 sein.
  • Die Wärmesenke 3 weist in diesem Ausführungsbeispiel vier Stützelemente, nämlich ein Stützelement 16, ein Stützelement 17, ein Stützelement 18 und ein Stützelement 19 auf, welche jeweils an die Wärmesenke 3 angeformt sind. Die Stützelemente 16, 17, 18 und 19 erstrecken sich jeweils zu dem Schaltungsträger 2 hin, und sind ausgebildet, gegen den Schaltungsträger 2 zu stützen. Die Stützelemente durchragen dabei die wärmeleitfähige Schicht, gebildet durch das Wärmeleitmittel 15. Zwischen den Stützelementen 16, 17, 18 und 19 ist somit ein Hohlraum gebildet, welcher durch das Wärmeleitmittel 15 gefüllt ist. Die Stützelemente 16 sind in diesem Ausführungsbeispiel durch einen Dom, oder einen Steg gebildet.
  • Die elektrisch leitfähige Schicht 6 ist in diesem Ausführungsbeispiel mittels wärmeleitfähigen Via-Verbindungen, von denen eine Via-Verbindung 10 beispielhaft bezeichnet ist, mit einer Wärmespreizschicht 11 des Schaltungsträgers 2 wärmeleitfähig verbunden. Die Wärmespreizschicht 11, in diesem Ausführungsbeispiel gebildet durch eine Kupferschicht, weist zur Wärmesenke 3 hin und ist mit dem Schaltungsträger 2, insbesondere der elektrisch isolierenden Schicht 4 und den Via-Verbindungen wärmeleitfähig verbunden. Von dem Leistungshalbleiter 7 erzeugte Verlustwärme kann so über die elektrisch leitfähige Schicht 6, und die Via-Verbindungen, insbesondere die Via-Verbindung 10, an die Wärmespreizschicht 11 geleitet werden, und so rückseitig an die Wärmesenke 3 abgegeben werden. Die Wärmespreizschicht 11 ist in diesem Ausführungsbeispiel mittels einer Lackschicht 13 bedeckt, sodass die Leiterplatte 2, insbesondere die Wärmespreizschicht 11, zu dem Kühlkörper 3 hin durchschlagfest elektrisch isoliert ist.
  • Die Stützelemente 16 und 17 umgreifen in diesem Ausführungsbeispiel die Wärmespreizschicht 11, und stützen gegen die elektrisch isolierende Schicht 4 des Schaltungsträgers 2. Der Schaltungsträger 2 ist somit in einem Bereich 22 der Via-Verbindungen 10 mit der Wärmesenke 3, insbesondere mittels des Wärmeleitmittels 15 - unterstützungsfrei wärmeleitfähig verbunden. Die Stützwirkung der Stützelemente 16 und 17, welche den Bereich, insbesondere Flächenbereich des Schaltungsträgers 22 umgreifen, reicht aus, um einen geringfügigen Andruck beim Laserbondverbinden des Bond-Drahtes 24 mit dem Leistungshalbleiter 7 zu stützen, ohne dass der Schaltungsträger 2 dabei Schaden nehmen kann, insbesondere zerbrechen kann.
  • Das Stützelement 16 stützt in einem - insbesondere elektrisch isolierend ausgebildeten - Flächenbereich 21 gegen den Schaltungsträger 2, und das Stützelement 17 stützt in einem - insbesondere elektrisch isolierend ausgebildeten - Flächenbereich 20 gegen den Schaltungsträger 2. Die Flächenbereiche 20 und 21 schließen dabei - in einer ebenen Erstreckung 35 des Schaltungsträgers 2 - den Flächenbereich 22, in dem die Via-Verbindungen 10 angeordnet sind, zwischeneinander ein.
  • Die Stützelemente 18 und 19 unterstützen den Schaltungsträger 2 derart, dass die Via-Verbindungen 9, und die Wärmespreizschicht 12, und in diesem Ausführungsbeispiel auch die Lackschicht 12 - zwischen den Stützelementen 18 und 19 eingeschlossen und von diesen umspannt ist.
  • Der Schaltungsträger 2 ist somit auf einem Flächenbereich, der sich zwischen den Stützelementen erstreckt, mit der Wärmesenke 3 unterstützungsfrei wärmeleitfähig verbunden. Vorteilhaft kann so ein kompakt ausgebildetes, und mit einer guten Wärmeleitfähigkeit ausgebildetes Leistungsmodul 1 gebildet sein.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102018200105 A1 [0002]

Claims (11)

  1. Leistungsmodul (1) mit einem Schaltungsträger (2) und einer Wärmesenke (3), wobei der Schaltungsträger (2) mit der Wärmesenke (3) wärmeleitfähig verbunden ist und mit dem Schaltungsträger (2) oder mit einem mit dem Schaltungsträger (2) stoffschlüssig verbundenen Bauteil (7, 8) wenigstens ein Bonddraht (24, 25) mindestens mittelbar verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmesenke (3) wenigstens ein an die Wärmesenke (3) angeformtes Stützelement (16, 17, 18, 19) aufweist, welches ausgebildet und angeordnet ist, gegen den Schaltungsträger (2) abzustützen und der Schaltungsträger (2) im Bereich der Bondverbindung (27, 28) unterstützungsfrei mit der Wärmesenke (3) wärmeleitfähig verbunden ist.
  2. Leistungsmodul (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Bonddraht (24, 25) mit dem Schaltungsträger (2) oder dem Bauteil (7, 8) laserverschweißt ist.
  3. Leistungsmodul nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltungsträger (2) im Bereich des Stützelements (16, 17, 18, 19) gegen das Stützelement (16, 17, 18, 19) elektrisch isolierend ausgebildet ist.
  4. Leistungsmodul (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltungsträger (2) im Bereich des Stützelements (16, 17, 18, 19) eine elektrisch isolierende Harzverbundschicht (4) aufweist, welche gegen das Stützelement (16, 17, 18, 19) abstützt.
  5. Leistungsmodul (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauteil (8) ein elektrisch leitfähiges Metallelement (8) zur Stromführung, insbesondere eine Stromschiene ist.
  6. Leistungsmodul (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltungsträger (2) im Bereich des Bauelements (7, 8) wenigstens eine thermisch leitfähige Via-Verbindung (9, 10) aufweist, welche den Schaltungsträger (2) wenigstens teilweise entlang seiner Dickenerstreckung (34) durchsetzt und ausgebildet ist, von dem Bauelement (7, 8) erzeugte Wärme, insbesondere Verlustwärme, durch den Schaltungsträger (2) zu der Wärmesenke (3) durchzuleiten.
  7. Leistungsmodul (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltungsträger (2) mittels wenigstens einer elektrisch isolierenden wärmeleitfähigen Schicht (13, 14, 15) mit der Wärmesenke (3) wärmeleitfähig verbunden ist, welche sich zwischen dem Schaltungsträger (2) und der Wärmesenke (3) erstreckt.
  8. Leistungsmodul nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine wärmeleitfähige Schicht durch eine Lackschicht (13, 14) gebildet ist.
  9. Leistungsmodul (1) nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass die wärmeleitfähige Schicht (15) eine partikelgefüllte Wärmeleitpaste aufweist.
  10. Leistungsmodul (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltungsträger (2) im Bereich des Stützlagers zur Wärmesenke (3) hin eine kleinere Wärmeleitfähigkeit aufweist als im Bereich der Bondverbindung (27, 28).
  11. Verfahren zum elektrischen Verbinden eines Bonddrahtes (24, 25) mit einem Schaltungsträger (2), wobei der Schaltungsträger (2) auf eine Wärmesenke (3) aufgelegt wird, und dabei wenigstens ein elektrisch isolierter Flächenbereich (20, 21) des Schaltungsträgers (2) auf einem - insbesondere an die Wärmesenke angeformten - Stützlager (16, 17, 18, 19) aufliegt, und in einem Bereich (22) des Schaltungsträgers (2) der sich von der Wärmesenke (3) beabstandet und in der ebenen Erstreckung (35) des Schaltungsträgers (2) zu dem Stützlager (16, 17, 18, 19) benachbart erstreckt, ein Bonddraht (24, 25) mittels Laserstrahlen (26) auf den Schaltungsträger (2) oder ein mit dem Schaltungsträger (2) verbundenes Bauteil (7, 8) gebondet wird.
DE102020215812.6A 2020-12-14 2020-12-14 Leistungsmodul Pending DE102020215812A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020215812.6A DE102020215812A1 (de) 2020-12-14 2020-12-14 Leistungsmodul

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020215812.6A DE102020215812A1 (de) 2020-12-14 2020-12-14 Leistungsmodul

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102020215812A1 true DE102020215812A1 (de) 2022-06-15

Family

ID=81750309

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102020215812.6A Pending DE102020215812A1 (de) 2020-12-14 2020-12-14 Leistungsmodul

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102020215812A1 (de)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3722749A1 (de) 1986-07-11 1988-01-21 Hitachi Chemical Co Ltd Verfahren zur herstellung einer gedruckten leiterplatte
US5629561A (en) 1994-12-16 1997-05-13 Anam Industrial Co., Ltd. Semiconductor package with integral heat dissipator
US20060199878A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Kuang-Cheng Fan Thermal interface material and filler used therein
EP2129197A1 (de) 2008-05-30 2009-12-02 Delphi Technologies, Inc. Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte
DE102009031388A1 (de) 2008-11-20 2010-06-02 Mitsubishi Electric Corp. Elektronische Trägervorrichtung
DE102018200105A1 (de) 2018-01-05 2019-07-11 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer stoffschlüssigen Laserbondverbindung sowie Laserbondverbindung

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3722749A1 (de) 1986-07-11 1988-01-21 Hitachi Chemical Co Ltd Verfahren zur herstellung einer gedruckten leiterplatte
US5629561A (en) 1994-12-16 1997-05-13 Anam Industrial Co., Ltd. Semiconductor package with integral heat dissipator
US20060199878A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Kuang-Cheng Fan Thermal interface material and filler used therein
EP2129197A1 (de) 2008-05-30 2009-12-02 Delphi Technologies, Inc. Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte
DE102009031388A1 (de) 2008-11-20 2010-06-02 Mitsubishi Electric Corp. Elektronische Trägervorrichtung
DE102018200105A1 (de) 2018-01-05 2019-07-11 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer stoffschlüssigen Laserbondverbindung sowie Laserbondverbindung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102014212376B4 (de) Halbleitervorrichtung
AT514085B1 (de) Leistungsmodul
EP2845453B1 (de) Leiterplatte, insbesondere für ein leistungselektronikmodul, umfassend ein elektrisch leitfähiges substrat
WO2000042654A1 (de) Elektronisches halbleitermodul
DE102013103116B3 (de) Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
DE102015224422A1 (de) Elektronische Schaltungseinheit
DE102019210172A1 (de) Halbleitervorrichtung, Leistungswandler, Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines Leistungswandlers
EP4118681B1 (de) Leistungshalbleitermodul mit zumindest einem leistungshalbleiterelement
DE102008054923A1 (de) Leistungshalbleitermodul mit in Gehäusewand integriertem Kondensator
DE102014207927A1 (de) Transistoranordnung für einen Spannverband und Spannverband mit zumindest einer solchen Transistoranordnung
DE102013200526A1 (de) Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
EP0535414A2 (de) Elektronische Schaltungsanordnung
EP1825511B1 (de) Halbleiterschaltmodul
DE102019212727B4 (de) Halbleitervorrichtung und elektrische Leistungsumwandlungseinrichtung
DE102020215812A1 (de) Leistungsmodul
DE102020206464A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbbrückenmoduls, eines Inverters, Halbbrückenmodul und Inverter
DE3740233A1 (de) Kuehldose zum abfuehren der verlustwaerme von halbleitern
DE102019204889A1 (de) Elektronische Schaltungseinheit
DE102012215656B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
DE102015216047A1 (de) Schaltungsträger, Leistungselektronikanordnung mit einem Schaltungsträger
DE10200372A1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102020212773A1 (de) Leistungsmodul
DE102019115573B4 (de) Leistungselektronische Schalteinrichtung und Verfahren zur Herstellung
DE102020216111A1 (de) Inverter
DE102004002743A1 (de) Kühlkörper für Leistungselektronik

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified