DE102019208132A1 - ARRANGEMENT WITH LIGHTING DEVICE AND MEASURING DEVICE, INCLUDING AN ELECTRICAL MEASURING CIRCUIT AND A SELECTION CIRCUIT - Google Patents

ARRANGEMENT WITH LIGHTING DEVICE AND MEASURING DEVICE, INCLUDING AN ELECTRICAL MEASURING CIRCUIT AND A SELECTION CIRCUIT Download PDF

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung, beinhaltenda) eine Belichtungseinrichtung, beinhaltend eine Vielzahl von Trägerelementen mit jeweils einer Trägeroberfläche,wobei auf jeder Trägeroberfläche jeweils eine Gruppe von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen angeordnet ist, undb) einer Messeinrichtung, beinhaltendi) eine elektrische Messschaltung zum Messen eines Spannungsabfalls an einem lichtemittierenden Halbleiterbauelement, undii) eine elektrisch zwischen der elektrischen Messschaltung und den Gruppen geschaltete Selektionsschaltung;wobei die Selektionsschaltung so mit mindestens einem lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelement jeder Gruppe mindestens eines mindestens zwei Gruppen der Gruppen von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen beinhaltenden Teils elektrisch verschaltet ist, dass mittels der Selektionsschaltung und der elektrischen Messschaltung ein Spannungsabfall an mindestens einem einzelnen der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente pro Gruppe mindestens des Teils der Gruppen gemessen werden kann. Ferner betrifft die Erfindung eine Druckmaschine mit der erfindungsgemäßen Anordnung; ein Herstellungsverfahren; sowie verschiedene Verwendungen der erfindungsgemäßen Anordnung.The present invention relates to an arrangement, includinga) an exposure device, including a plurality of carrier elements, each with a carrier surface, a group of light-emitting semiconductor components being arranged on each carrier surface, andb) a measuring device, including) an electrical measuring circuit for measuring a voltage drop a light-emitting semiconductor component, andii) a selection circuit electrically connected between the electrical measuring circuit and the groups; wherein the selection circuit is electrically connected to at least one light-emitting reference semiconductor component of each group at least one part containing at least two groups of the groups of light-emitting semiconductor components, that by means of the selection circuit and the electrical measuring circuit a voltage drop across at least one of the light-emitting reference semiconductor components per Group of at least part of the groups can be measured. The invention also relates to a printing press with the arrangement according to the invention; a manufacturing process; and various uses of the arrangement according to the invention.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung, beinhaltend

  1. a) eine Belichtungseinrichtung, beinhaltend eine Vielzahl von Trägerelementen mit jeweils einer Trägeroberfläche, wobei auf jeder Trägeroberfläche jeweils eine Gruppe von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen angeordnet ist, und
  2. b) einer Messeinrichtung, beinhaltend
    1. i) eine elektrische Messschaltung zum Messen eines Spannungsabfalls an einem lichtemittierenden Halbleiterbauelement, und
    2. ii) eine elektrisch zwischen der elektrischen Messschaltung und den Gruppen geschaltete Selektionsschaltung;
wobei die Selektionsschaltung so mit mindestens einem lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelement jeder Gruppe mindestens eines mindestens zwei Gruppen der Gruppen von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen beinhaltenden Teils elektrisch verschaltet ist, dass mittels der Selektionsschaltung und der elektrischen Messschaltung ein Spannungsabfall an mindestens einem einzelnen der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente pro Gruppe mindestens des Teils der Gruppen gemessen werden kann. Ferner betrifft die Erfindung eine Druckmaschine mit der erfindungsgemäßen Anordnung; ein Herstellungsverfahren; sowie verschiedene Verwendungen der erfindungsgemäßen Anordnung.The present invention relates to an arrangement including
  1. a) an exposure device containing a plurality of carrier elements each having a carrier surface, a group of light-emitting semiconductor components being arranged on each carrier surface, and
  2. b) a measuring device, including
    1. i) an electrical measuring circuit for measuring a voltage drop across a light-emitting semiconductor component, and
    2. ii) a selection circuit electrically connected between the electrical measuring circuit and the groups;
wherein the selection circuit is electrically connected to at least one light-emitting reference semiconductor component of each group of at least one part containing at least two groups of the groups of light-emitting semiconductor components, that by means of the selection circuit and the electrical measuring circuit, a voltage drop across at least one of the light-emitting reference semiconductor components per group of at least the part Groups can be measured. The invention also relates to a printing press with the arrangement according to the invention; a manufacturing process; and various uses of the arrangement according to the invention.

Im technischen Gebiet der Erfindung - der Druckindustrie - ist die Verwendung von Lichtquellen zum Aushärten von Druckfarben und Lacken seit Langem bekannt. Ferner ist die Verwendung von UV-härtbaren Farben und Lacken - also Farben und Lacken, die durch Bestrahlen mit geeigneter ultravioletter Strahlung gehärtet werden können - bekannt. Herkömmlicherweise werden zum Härten solcher Farben und Lacke Quecksilberdampflampen eingesetzt. Diese Lichtquellen zeigen jedoch beispielsweise hinschlich ihrer Lebensdauer, Wartungsintensität und auch Wärmeentwicklung erhebliche Nachteile. Dies wurde im Stand der Technik bereits erkannt. In der Folge werden immer häufiger lichtemittierende Halbleiterbauelemente, insbesondere Leuchtdioden-Module (LED-Module), an Stelle von Quecksilberdampflampen zum Bestrahlen UV-härtbarer Farben und Lacke eingesetzt. Obgleich die Verwendung von Leuchtdioden bereits viele Vorteile gegenüber den altbekannten Quecksilberdampflampen eröffnet, besteht für die Ausgestaltung von Lichtquellen mit LED, insbesondere aber nicht ausschließlich mit UV-LED, Raum zur Verbesserung. So werden in der Druckindustrie häufig Hochleistungsleuchtdioden eingesetzt, die trotz des für Leuchtdioden gegenüber Dampflampen typischen deutlich höheren Wirkungsgrads Abwärme erzeugen, welche abgeführt werden muss. Gelingt dies nicht in ausreichendem Maße, verringern sich Lebensdauer und Wirkungsgrad der Leuchtdioden erheblich. Zudem kann ein Überhitzen der Leuchtdioden zu deren Zerstörung führen. Bei nicht ausreichender Kühlung von Leuchtdioden werden also wesentliche Vorteile von Leuchtdioden gegenüber Dampflampen eingebüßt. Dies muss nicht nur für einzelne Leuchtdioden, sondern über möglichst alle Leuchtdioden einer Lichtquelle verhindert werden. Hierzu müssen möglichst alle Leuchtdioden einer Lichtquelle, die eine Länge in der Größenordnung von Metern haben und damit zahlreiche Leuchtdioden beinhalten kann, möglichst auf die gleiche Temperatur gekühlt werden. Dies soll auch bei im Betrieb der Lichtquelle auftretenden Störungen gelten. Demnach ist es erstrebenswert, globale wie auch lokale Abweichungen und Störungen der Kühlung in situ im Betrieb der Lichtquelle erkennen und geeignete Gegenmaßnahmen ergreifen zu können. Darüber hinaus ist es erstrebenswert, nicht nur bereits aufgetretene Störungen zu erkennen und zu diagnostiziere, also deren Art und Ursache zu identifizieren, sondern auch zukünftig im weiteren Betrieb zu erwartende Störungen prognostizieren zu können. Um all diesen Bedürfnissen mindestens teilweise gerecht werden zu können, werden im Rahmen der Erfindung verschiedene Maßnahmen vorgeschlagen.In the technical field of the invention - the printing industry - the use of light sources for curing printing inks and varnishes has long been known. Furthermore, the use of UV-curable inks and varnishes - that is, inks and varnishes that can be cured by exposure to suitable ultraviolet radiation - is known. Conventionally, mercury vapor lamps are used to harden such paints and varnishes. However, these light sources show considerable disadvantages with regard to their service life, maintenance intensity and also heat generation. This has already been recognized in the prior art. As a result, light-emitting semiconductor components, in particular light-emitting diode modules (LED modules), are used in place of mercury vapor lamps for irradiating UV-curable inks and varnishes. Although the use of light-emitting diodes already opens up many advantages over the well-known mercury vapor lamps, there is room for improvement in the design of light sources with LEDs, in particular but not exclusively with UV LEDs. In the printing industry, for example, high-performance light-emitting diodes are often used which, despite the significantly higher degree of efficiency typical of light-emitting diodes compared to vapor lamps, generate waste heat which has to be dissipated. If this does not succeed sufficiently, the service life and efficiency of the light-emitting diodes are reduced considerably. In addition, overheating of the light-emitting diodes can lead to their destruction. In the case of insufficient cooling of light-emitting diodes, significant advantages of light-emitting diodes over vapor lamps are lost. This must be prevented not only for individual light-emitting diodes, but also as far as possible over all light-emitting diodes of a light source. For this purpose, as far as possible, all light-emitting diodes of a light source, which have a length of the order of meters and can therefore contain numerous light-emitting diodes, must be cooled to the same temperature as possible. This should also apply in the event of disturbances occurring during operation of the light source. Accordingly, it is desirable to be able to recognize global as well as local deviations and disturbances of the cooling in situ during the operation of the light source and to be able to take suitable countermeasures. In addition, it is desirable not only to recognize and diagnose malfunctions that have already occurred, i.e. to identify their type and cause, but also to be able to predict future malfunctions in further operation. In order to be able to at least partially meet all these needs, various measures are proposed within the scope of the invention.

Allgemein ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Nachteil, der sich aus dem Stand der Technik ergibt, zumindest teilweise zu überwinden.In general, it is an object of the present invention to at least partially overcome a disadvantage arising from the prior art.

Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, einen Aufbau mit einem Strahler für eine Druckmaschine bereitzustellen, der eine Leistungsfähigkeit der Druckmaschine verbessert. Ferner ist es eine Aufgabe der Erfindung, einen Aufbau mit einem Strahler für eine Druckmaschine bereitzustellen, der eine Lebensdauer oder einen Wirkungsgrad oder beides des Strahlers verbessert. Weiter ist es eine Aufgabe der Erfindung, einen Aufbau mit einem Strahler für eine Druckmaschine bereitzustellen, der über eine möglichst lange Betriebsdauer des Strahlers ein gewünschtes Ausgangsspektrum oder eine gewünschte Intensitätsverteilung auf einer Zielfläche aufrecht erhalten kann. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, einen Aufbau mit einem Strahler für eine Druckmaschine bereitzustellen, der eine Verringerung von Abschaltzeiten zu Wartungszwecken ermöglicht. Ferner ist es eine Aufgabe der Erfindung, einen Aufbau mit einem Strahler für eine Druckmaschine bereitzustellen, der eine möglichst weitgehende Automatisierung einer Wartung des Strahlers ermöglicht. Weiterhin ist es eine Aufgabe der Erfindung, einen Aufbau mit einem Strahler für eine Druckmaschine bereitzustellen, der es ermöglicht, eine Fehlererkennung oder eine Fehlerursachendiagnose oder beides und bevorzugt ein Vorschlagen oder Einleiten von Gegenmaßnahmen möglichst weitgehend zu automatisieren. Ferner ist es eine Aufgabe der Erfindung, einen Aufbau mit einem Strahler für eine Druckmaschine bereitzustellen, der eine automatische Fehlervorhersage und bevorzugt ein automatisches Vorschlagen oder Einleiten von Gegenmaßnahmen ermöglicht. Gemäß einer weiteren Aufgabe der Erfindung, wird ein Aufbau mit einem Strahler für eine Druckmaschine bereitgestellt, der eine in situ-Überwachung eines Spannungsabfalls, einer Betriebstemperatur und/oder einer optischen Ausgangsleistung, jeweils einzelner Lichtquellen des Strahlers, erlaubt. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, einen der vorgenannten vorteilhaften Aufbauten bereitzustellen, wobei dieser zudem möglichst einfach und/oder möglichst platzsparend gehalten ist.Another object of the invention is to provide a structure with a radiator for a printing press which improves the efficiency of the printing press. Furthermore, it is an object of the invention to provide a structure with a radiator for a printing press which improves a service life or an efficiency or both of the radiator. Another object of the invention is to provide a structure with a radiator for a printing press which can maintain a desired output spectrum or a desired intensity distribution on a target surface over the longest possible operating time of the radiator. A further object of the invention is to provide a structure with a radiator for a printing press which enables a reduction in shutdown times for maintenance purposes. Furthermore, it is an object of the invention to provide a structure with a radiator for a printing press which enables maintenance of the radiator to be automated as far as possible. Furthermore, it is an object of the invention to provide a structure with a radiator for a printing press that enables a To automate error detection or a diagnosis of the cause of the error or both and preferably a suggestion or initiation of countermeasures as much as possible. Furthermore, it is an object of the invention to provide a structure with a radiator for a printing press that enables automatic error prediction and preferably automatic suggestion or initiation of countermeasures. According to a further object of the invention, a structure with a radiator for a printing press is provided which allows in situ monitoring of a voltage drop, an operating temperature and / or an optical output power, in each case individual light sources of the radiator. A further object of the invention is to provide one of the aforementioned advantageous structures, this also being kept as simple and / or as space-saving as possible.

Analog zu den obigen, auf den Aufbau bezogenen Aufgaben besteht jeweils eine weitere Aufgabe der Erfindung darin, ein Verfahren zum Herstellen eines Druckerzeugnisses bereitzustellen, in dem ein Strahler den jeweiligen Vorteil zeigt.Analogously to the above, structural-related objects, a further object of the invention is to provide a method for producing a printed product in which a radiator shows the respective advantage.

Ein Beitrag zur mindestens teilweisen Erfüllung mindestens einer, vorzugsweise mehrerer, der obigen Aufgaben wird durch die unabhängigen Ansprüche geleistet. Die abhängigen Ansprüche stellen bevorzugte Ausführungsformen bereit, die zur mindestens teilweisen Erfüllung mindestens einer der Aufgaben beitragen.A contribution to the at least partial fulfillment of at least one, preferably several, of the above tasks is made by the independent claims. The dependent claims provide preferred embodiments which contribute to at least partially fulfilling at least one of the objects.

Einen Beitrag zur Erfüllung mindestens einer der erfindungsgemäßen Aufgaben leistet eine Ausführungsform 1 einer Anordnung, beinhaltend

  1. a) eine Belichtungseinrichtung, beinhaltend eine Vielzahl von Trägerelementen mit jeweils einer Trägeroberfläche, wobei auf jeder Trägeroberfläche jeweils eine Gruppe von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen angeordnet ist, und
  2. b) einer Messeinrichtung, beinhaltend
    1. i) eine elektrische Messschaltung zum Messen eines Spannungsabfalls an einem lichtemittierenden Halbleiterbauelement, und
    2. ii) eine elektrisch zwischen der elektrischen Messschaltung und den Gruppen geschaltete Selektionsschaltung;
wobei die Selektionsschaltung so mit mindestens einem lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelement jeder Gruppe mindestens eines mindestens zwei Gruppen der Gruppen von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen beinhaltenden Teils elektrisch verschaltet ist, dass mittels der Selektionsschaltung und der elektrischen Messschaltung, bevorzugt zeitlich nacheinander, ein Spannungsabfall an mindestens einem einzelnen der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente pro Gruppe mindestens des Teils der Gruppen gemessen werden kann.An embodiment 1 of an arrangement makes a contribution to fulfilling at least one of the objects according to the invention
  1. a) an exposure device containing a plurality of carrier elements each having a carrier surface, a group of light-emitting semiconductor components being arranged on each carrier surface, and
  2. b) a measuring device, including
    1. i) an electrical measuring circuit for measuring a voltage drop across a light-emitting semiconductor component, and
    2. ii) a selection circuit electrically connected between the electrical measuring circuit and the groups;
wherein the selection circuit is electrically connected to at least one light-emitting reference semiconductor component of each group of at least one part containing at least two groups of the groups of light-emitting semiconductor components, that by means of the selection circuit and the electrical measuring circuit, preferably one after the other, a voltage drop across at least one of the light-emitting reference semiconductor components per Group of at least part of the groups can be measured.

Bevorzugt beinhaltet der Teil der Gruppen mindestens 50 % der Gruppen, bevorzugter mindestens 60 % der Gruppen, bevorzugter mindestens 70 % der Gruppen, noch bevorzugter mindestens 80 % der Gruppen, am bevorzugtesten mindestens 90 % der Gruppen. Ferner bevorzugt ist die Selektionsschaltung so mit mindestens einem lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelement jeder Gruppe von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen elektrisch verschaltet, dass mittels der Selektionsschaltung und der elektrischen Messschaltung, bevorzugt zeitlich nacheinander, ein Spannungsabfall an mindestens einem einzelnen der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente pro Gruppe gemessen werden kann.Preferably the part of the groups includes at least 50% of the groups, more preferably at least 60% of the groups, more preferably at least 70% of the groups, even more preferably at least 80% of the groups, most preferably at least 90% of the groups. Furthermore, the selection circuit is preferably electrically connected to at least one light-emitting reference semiconductor component of each group of light-emitting semiconductor components in such a way that, by means of the selection circuit and the electrical measuring circuit, preferably in chronological order, a voltage drop across at least one single light-emitting reference semiconductor component per group can be measured.

Die Formulierung „elektrisch verschaltet“ bedeutet hierbei, dass die Anordnung eine elektrische Schaltung beinhaltet, die es erlaubt, die also dazu angeordnet und ausgebildet ist, die genannten lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente, bevorzugt zeitlich nacheinander, mittels der Selektionsschaltung so mit der elektrischen Messschaltung elektrisch zu verbinden, dass die an dem jeweiligen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelement abfallende Spannung (Spannungsabfall) gemessen werden kann.The wording "electrically connected" means that the arrangement contains an electrical circuit that allows, that is to say is arranged and designed to electrically connect the mentioned light-emitting reference semiconductor components, preferably one after the other, to the electrical measuring circuit by means of the selection circuit, that the voltage dropping across the respective light-emitting reference semiconductor component (voltage drop) can be measured.

Bevorzugt ist die Selektionsschaltung so mit mindestens einem lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelement jeder Gruppe von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen elektrisch verschaltet, dass mittels der Selektionsschaltung und der elektrischen Messschaltung das Messen des Spannungsabfalls während eines Betriebs der Belichtungseinrichtung (in situ), insbesondere der Gruppe des jeweiligen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelements, durchgeführt werden kann. Ferner bevorzugt ist die Selektionsschaltung so mit mindestens einem lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelement jeder Gruppe von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen elektrisch verschaltet, dass mittels der Selektionsschaltung und der elektrischen Messschaltung das Messen in einem zeitlichen Verlauf kontinuierlich oder wiederholt durchgeführt werden kann. Bevorzugt ist die Selektionsschaltung so mit mindestens einem lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelement jeder Gruppe von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen elektrisch verschaltet, dass mittels der Selektionsschaltung und der elektrischen Messschaltung das Messen in einer Vielzahl zeitlich aufeinanderfolgender Zyklen wiederholt durchgeführt werden kann. Bevorzugt beinhaltet die Anordnung ferner eine Steuereinrichtung, die dazu angeordnet und ausgebildet ist, die Selektionsschaltung zu einem dem vorgenannten Messen anzusteuern.The selection circuit is preferably electrically connected to at least one light-emitting reference semiconductor component of each group of light-emitting semiconductor components in such a way that the measurement of the voltage drop during operation of the exposure device (in situ), in particular the group of the respective light-emitting reference semiconductor component, is carried out by means of the selection circuit and the electrical measuring circuit can. Furthermore, the selection circuit is preferably electrically connected to at least one light-emitting reference semiconductor component of each group of light-emitting semiconductor components so that the measurement can be carried out continuously or repeatedly over time by means of the selection circuit and the electrical measuring circuit. The selection circuit is preferably electrically connected to at least one light-emitting reference semiconductor component of each group of light-emitting semiconductor components in such a way that the measurement can be carried out repeatedly in a large number of consecutive cycles by means of the selection circuit and the electrical measuring circuit. The arrangement preferably also includes a control device which is arranged for this purpose and is designed to control the selection circuit for one of the aforementioned measuring.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 2 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 1 ausgestaltet, wobei die Anordnung ferner eine Steuereinrichtung beinhaltet, die dazu angeordnet und ausgebildet ist, die Selektionsschaltung so anzusteuern, dass der Spannungsabfall in einer Vielzahl zeitlich aufeinanderfolgender Zyklen pro Zyklus an jeweils mindestens einem einzelnen der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente pro Gruppe mindestens des Teils der Gruppen gemessen wird. Hierbei beinhaltet jeder Zyklus bevorzugt ein Messen des Spannungsabfalls an mindestens einem einzelnen der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente pro Gruppe mindestens des Teils. Dabei kann in verschiedenen Zyklen pro Gruppe der Spanungsabfall an demselben lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelement oder an denselben lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelementen oder an verschiedenen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelementen gemessen werden. Bevorzugt wird in den Zyklen pro Gruppe der Spanungsabfall an demselben lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelement oder an denselben lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelementen gemessen. Ein Zyklus ist hierin ein Zeitintervall definierter Dauer. Die Zyklen der Vielzahl zeitlich aufeinanderfolgender Zyklen folgen bevorzugt unmittelbar aufeinander. Ferner sind diese Zyklen bevorzugt von gleicher Dauer. Vorzugsweise ist die Steuereinrichtung dazu angeordnet und ausgebildet, die Selektionsschaltung so anzusteuern, dass der Spannungsabfall in einer Vielzahl zeitlich aufeinanderfolgender Zyklen pro Zyklus an jeweils mindestens einem einzelnen der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente pro Gruppe gemessen wird. Bevorzugt befindet sich die Belichtungseinrichtung in mindestens einem Teil der Zyklen in Betrieb. Demnach ist die Steuereinrichtung bevorzugt so angeordnet und ausgebildet, dass das oben beschriebene Messen in situ während eines Betriebs der Belichtungseinrichtung erfolgen kann.In an embodiment 2 according to the invention, the arrangement is designed according to its embodiment 1, the arrangement further including a control device which is arranged and designed to control the selection circuit in such a way that the voltage drop occurs in a plurality of successive cycles per cycle on at least one individual of the light-emitting reference semiconductor components per group of at least part of the groups is measured. Each cycle preferably includes a measurement of the voltage drop across at least one of the light-emitting reference semiconductor components per group of at least the part. The voltage drop on the same light-emitting reference semiconductor component or on the same light-emitting reference semiconductor components or on different light-emitting reference semiconductor components can be measured in different cycles per group. The voltage drop is preferably measured in the cycles per group on the same light-emitting reference semiconductor component or on the same light-emitting reference semiconductor components. A cycle is a time interval of a defined duration. The cycles of the plurality of chronologically successive cycles preferably follow one another directly. Furthermore, these cycles are preferably of the same duration. The control device is preferably arranged and designed to control the selection circuit in such a way that the voltage drop is measured in a plurality of successive cycles per cycle on at least one of the light-emitting reference semiconductor components per group. The exposure device is preferably in operation in at least some of the cycles. Accordingly, the control device is preferably arranged and designed such that the above-described measurement can take place in situ during operation of the exposure device.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 3 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 2 ausgestaltet, wobei die Steuereinrichtung ferner dazu angeordnet und ausgebildet ist, für mindestens ein einzelnes der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente pro Gruppe mindestens des Teils der Gruppen aus dem in mindestens zwei der Zyklen gemessenen Spannungsabfall eine Änderung einer Temperatur des jeweiligen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelements zu bestimmen. Das Bestimmen kann hier rechnerisch, insbesondere mittels einer mathematischen Funktion, oder durch Vergleich mit Referenzwerten erfolgen. Bevorzugt ist die Steuereinrichtung so angeordnet und ausgebildet, dass das oben beschriebene Bestimmen in situ während eines Betriebs der Belichtungseinrichtung erfolgen kann.In an embodiment 3 according to the invention, the arrangement is designed according to its embodiment 2, the control device also being arranged and designed to change one of the voltage drop measured in at least two of the cycles for at least one of the light-emitting reference semiconductor components per group of at least that part of the groups To determine the temperature of the respective light-emitting reference semiconductor component. The determination can take place arithmetically, in particular by means of a mathematical function, or by comparison with reference values. The control device is preferably arranged and designed in such a way that the above-described determination can take place in situ during operation of the exposure device.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 4 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 3 ausgestaltet, wobei die Temperatur des jeweiligen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelements dessen Sperrschichttemperatur ist.In an embodiment 4 according to the invention, the arrangement is designed according to its embodiment 3, the temperature of the respective light-emitting reference semiconductor component being its junction temperature.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 5 ist die Anordnung nach einer ihrer Ausführungsformen 2 bis 4 ausgestaltet, wobei die Steuereinrichtung ferner dazu angeordnet und ausgebildet ist, für mindestens ein einzelnes der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente pro Gruppe mindestens des Teils der Gruppen aus dem in mindestens zwei der Zyklen gemessenen Spannungsabfall eine Änderung einer Leistung des jeweiligen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelements zu bestimmen. Das Bestimmen kann hier rechnerisch, insbesondere mittels einer mathematischen Funktion, oder durch Vergleich mit Referenzwerten erfolgen. Bevorzugt ist die Steuereinrichtung so angeordnet und ausgebildet, dass das oben beschriebene Bestimmen in situ während eines Betriebs der Belichtungseinrichtung erfolgen kann.In embodiment 5 according to the invention, the arrangement is designed according to one of its embodiments 2 to 4, the control device also being arranged and designed for at least one of the light-emitting reference semiconductor components per group of at least the part of the groups from the voltage drop measured in at least two of the cycles to determine a change in a power of the respective light-emitting reference semiconductor component. The determination can take place arithmetically, in particular by means of a mathematical function, or by comparison with reference values. The control device is preferably arranged and designed in such a way that the above-described determination can take place in situ during operation of the exposure device.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 6 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 5 ausgestaltet, wobei die Leistung eine optische Ausgangsleistung des jeweiligen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelements ist. Die optische Ausgangsleistung ist hier die Energie, die das jeweilige lichtemittierende Referenzhalbleiterbauelement im Betrieb pro Zeitintervall als elektromagnetische Strahlung emittiert.In an embodiment 6 according to the invention, the arrangement is configured according to its embodiment 5, the power being an optical output power of the respective light-emitting reference semiconductor component. The optical output power here is the energy that the respective light-emitting reference semiconductor component emits as electromagnetic radiation per time interval during operation.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 7 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 5 oder 6 ausgestaltet, wobei die Steuereinrichtung ferner dazu angeordnet und ausgebildet ist,

  1. a. eine an der das jeweilige lichtemittierende Referenzbauelement beinhaltenden Gruppe anliegende Spannung, oder
  2. b. eine Stromstärke eines durch die das jeweilige Referenzbauelement beinhaltenden Gruppe fließenden elektrischen Stroms,
jeweils in Abhängigkeit der bestimmten Leistung anzupassen. Hier ist die vorstehende Alternative b. im Rahmen der Erfindung bevorzugt. In diesem Fall führt das Anpassen der Stromstärke vorzugsweise auch zu einer Änderung der Spannung. Bevorzugt ist die Steuervorrichtung dazu angeordnet und ausgebildet, die anliegende Spannung oder die Stromstärke so anzupassen, dass die Leistung sich einem Sollwert annähert.In an embodiment 7 according to the invention, the arrangement is designed according to its embodiment 5 or 6, the control device also being arranged and designed to
  1. a. a voltage applied to the group containing the respective light-emitting reference component, or
  2. b. a current intensity of an electrical current flowing through the group containing the respective reference component,
to be adjusted depending on the specific performance. Here the above alternative is b. preferred within the scope of the invention. In this case, the adjustment of the current strength preferably also leads to a change in the voltage. The control device is preferably arranged and designed to adapt the applied voltage or the current intensity such that the power approaches a setpoint value.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 8 ist die Anordnung nach einer ihrer Ausführungsformen 3 bis 7 ausgestaltet, wobei die Steuereinrichtung einen Datenspeicher beinhaltet, wobei der Datenspeicher ein Mittel zum Bestimmen der Änderung der Temperatur aus dem in mindestens zwei der Zyklen bestimmten Spannungsabfall eines einzelnen der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente pro Gruppe mindestens des Teils der Gruppen beinhaltet.In an embodiment 8 according to the invention, the arrangement is designed according to one of its embodiments 3 to 7, the control device containing a data memory, the data memory having a means for determining the change in temperature from the voltage drop of an individual one of the light-emitting reference semiconductor components determined in at least two of the cycles Group includes at least part of the groups.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 9 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 8 ausgestaltet, wobei das Mittel

  1. a. einen Datensatz, beinhaltend eine Vielzahl von Spannungswerten mit jeweils einem zugeordneten Temperaturwert, oder
  2. b. eine mathematische Funktion der Änderung der Temperatur von einer Änderung des Spannungsabfalls eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements
beinhaltet.In an embodiment 9 according to the invention, the arrangement is designed according to its embodiment 8, the means
  1. a. a data set containing a multiplicity of voltage values, each with an assigned temperature value, or
  2. b. a mathematical function of the change in temperature from a change in the voltage drop of a light emitting semiconductor device
includes.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 10 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 9 ausgestaltet, wobei die mathematische Funktion der Änderung der Temperatur von der Änderung des Spannungsabfalls des lichtemittierenden Halbleiterbauelements eine lineare Funktion ist.In an embodiment 10 according to the invention, the arrangement is designed according to its embodiment 9, the mathematical function of the change in temperature from the change in the voltage drop of the light-emitting semiconductor component being a linear function.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 11 ist die Anordnung nach einer ihrer Ausführungsformen 5 bis 10 ausgestaltet, wobei die Steuereinrichtung einen Datenspeicher beinhaltet, wobei der Datenspeicher ein Mittel zum Bestimmen der Änderung der Leistung aus dem in mindestens zwei der Zyklen bestimmten Spannungsabfall an einem einzelnen der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente pro Gruppe mindestens des Teils der Gruppen beinhaltet.In an embodiment 11 according to the invention, the arrangement is designed according to one of its embodiments 5 to 10, the control device containing a data memory, the data memory being a means for determining the change in power from the voltage drop determined in at least two of the cycles on a single one of the light-emitting reference semiconductor components per group includes at least part of the group.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 12 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 11 ausgestaltet, wobei das Mittel

  1. a] einen Datensatz, beinhaltend eine Vielzahl von Spannungswerten mit jeweils einem zugeordneten Wert der Leistung, oder
  2. b] eine mathematische Funktion der Änderung der Leistung von einer Änderung einer Temperatur eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements
beinhaltet.In an embodiment 12 according to the invention, the arrangement is designed according to its embodiment 11, the means
  1. a] a data set containing a multiplicity of voltage values, each with an assigned value of the power, or
  2. b] a mathematical function of the change in power from a change in a temperature of a light-emitting semiconductor component
includes.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 13 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 12 ausgestaltet, wobei die mathematische Funktion der Änderung der Leistung von der Änderung der Temperatur des lichtemittierenden Halbleiterbauelements eine lineare Funktion ist.In an embodiment 13 according to the invention, the arrangement is designed according to its embodiment 12, the mathematical function of the change in power from the change in temperature of the light-emitting semiconductor component being a linear function.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 14 ist die Anordnung nach einer ihrer Ausführungsformen 3 bis 13 ausgestaltet, wobei die Steuereinrichtung ferner dazu angeordnet und ausgebildet ist, für mindestens ein einzelnes der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente pro Gruppe mindestens des Teils der Gruppen aus einem absoluten Temperaturwert und einer bestimmten Änderung der Temperatur eine absolute Ist-Temperatur des jeweiligen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelements zu bestimmen. Hier ist die Steuereinrichtung bevorzugt dazu angeordnet und ausgebildet, das vorgenannte Bestimmen der Ist-Temperatur während eines Betriebs der Belichtungseinrichtung, insbesondere der Gruppe des jeweiligen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelements, durchzuführen. Ferner bevorzugt ist die Steuereinrichtung bevorzugt dazu angeordnet und ausgebildet, das vorgenannte Bestimmen in einem zeitlichen Verlauf mehrfach, bevorzugt wiederholt, vorzugsweise in einer Vielzahl zeitlich aufeinanderfolgender Zyklen, oder kontinuierlich durchzuführen. In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Steuereinrichtung ferner dazu angeordnet und ausgebildet, aus den für die oben genannten lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente mindestens des Teils der Gruppen eine Diagnose für die Belichtungseinrichtung, insbesondere eine Fehlerdiagnose, bevorzugt in situ während eines Betriebs der Belichtungseinrichtung, abzuleiten.In an embodiment 14 according to the invention, the arrangement is designed according to one of its embodiments 3 to 13, the control device also being arranged and designed for at least one of the light-emitting reference semiconductor components per group of at least the part of the groups from an absolute temperature value and a specific change in the Temperature to determine an absolute actual temperature of the respective light-emitting reference semiconductor component. Here, the control device is preferably arranged and designed to carry out the aforementioned determination of the actual temperature during operation of the exposure device, in particular of the group of the respective light-emitting reference semiconductor component. Furthermore, the control device is preferably arranged and designed to carry out the aforementioned determination several times, preferably repeatedly, preferably in a plurality of chronologically successive cycles, or continuously, in a temporal course. In a preferred embodiment, the control device is also arranged and designed to derive a diagnosis for the exposure device, in particular a fault diagnosis, preferably in situ during operation of the exposure device, from the above-mentioned light-emitting reference semiconductor components of at least the part of the groups.

Das Bestimmen der Ist-Temperaturen der Gruppen ermöglicht eine in-situ-Überwachung der Kühlung der Gruppen. Wird beispielsweise eine unterschiedliche Ist-Temperatur für verschiedene Gruppen ermittelt, kann die Kühlung einzelner Gruppen gezielt angepasst werden, um alle Gruppen auf eine gleiche Betriebstemperatur zu regeln und so eine für alle Gruppen möglichst gleiche optische Ausgangsleistung zu erzielen. Dies ist besonders dann vorteilhaft, wenn die Gruppen verschiedene Emissionsspektren aufweisen, die sich zu einem Gesamtemissionsspektrum summieren. Weicht in diesem Fall die Ausgangsleistung eines Teils der Gruppen von ihrem Sollwert ab, wird nicht die für die Anwendung gewünschte spektrale Intensitätsverteilung erzielt. Auch wenn die verschiedenen Gruppen gleiche Emissionsspektren aufweisen, kann eine durch Kühlinhomogenitäten auftretende Abweichung der Ausgangsleistungen der Gruppen zu räumlich inhomogenen Intensitätsverteilung auf einer Bestrahlungsfläche führen. Auch dies ist in vielen Anwendungen nachteilig. Beispielsweise kann eine Trocknung in einer Druckmaschine räumlich inhomogen erfolgen, wodurch entweder die Bestrahlungsdauer an eine längste lokale Trockendauer angepasst werden muss, was den Druckprozess verlängert, oder es kann zu lokal unzureichenden Trocknung und damit fehlerhaftem Druck kommen. Ferner kann aus charakteristischen Unterschieden der Ist-Temperatur zwischen den Gruppen auf das Vorliegen bestimmter Störungen geschlossen werden. Beispielsweise können die lichtemittierenden Halbleiterbauelemente beim Einsatz der Anordnung in einer Druckmaschine recht nah an dem Belichtungsobjekt angeordnet sein. Hierdurch kommt es in der Praxis immer wieder dazu, dass Farb- oder Lackspritzer auf optische Fenster oder Optiken gelangen. Solche Farb- oder Lackspritzer führen zu Rückstrahlung an der dahinterliegenden Gruppe und somit zu lokalen Temperaturerhöhungen. Aus dem Muster, welche die bestimmten Ist-Temperaturen der Gruppen ergeben, kann eine solche Störung erkannt werden. Somit können geeignete Gegenmaßnamen ergriffen oder für eine effiziente Behandlung der Störung geplant werden. Diese Gegenmaßnahmen können zumindest zum Teil automatisch durch die Steuereinrichtung ergriffen werden. Somit erlaubt die Erfindung eine Automatisierung einer Wartung der Belichtungseinrichtung.Determining the actual temperatures of the groups enables in-situ monitoring of the cooling of the groups. If, for example, a different actual temperature is determined for different groups, the cooling of individual groups can be specifically adapted in order to regulate all groups to the same operating temperature and thus achieve the same optical output power as possible for all groups. This is particularly advantageous when the groups have different emission spectra which add up to form an overall emission spectrum. In this case, if the output power of a part of the groups deviates from its nominal value, the spectral intensity distribution desired for the application will not be achieved. Even if the different groups have the same emission spectra, a deviation in the output power of the groups caused by cooling inhomogeneities can lead to a spatially inhomogeneous distribution of intensity on an irradiated surface. This is also disadvantageous in many applications. For example, drying in a printing machine can take place spatially inhomogeneous, whereby either the irradiation time must be adapted to a longest local drying time, which is the The printing process is prolonged, or there may be insufficient local drying and thus faulty printing. Furthermore, from characteristic differences in the actual temperature between the groups, conclusions can be drawn about the presence of certain disorders. For example, when the arrangement is used in a printing press, the light-emitting semiconductor components can be arranged very close to the object to be exposed. In practice, this means that paint or varnish splashes get onto optical windows or optics. Such splashes of paint or varnish lead to reflections on the group behind and thus to local temperature increases. Such a disturbance can be recognized from the pattern which the determined actual temperatures of the groups result. In this way, suitable countermeasures can be taken or planned for efficient treatment of the disturbance. These countermeasures can at least partially be taken automatically by the control device. The invention thus allows the maintenance of the exposure device to be automated.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 15 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 14 ausgestaltet, wobei die Steuereinrichtung ferner dazu angeordnet und ausgebildet ist, die lichtemittierenden Halbleiterbauelemente der das lichtemittierende Referenzhalbleiterbauelement, dessen absolute Ist-Temperatur bestimmt wurde, beinhaltenden Gruppe abzuschalten, wenn die bestimmte absolute Ist-Temperatur dieses lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelements einen Maximalwert überschreitet. Hierdurch kann insbesondere ein Überhitzen der lichtemittierenden Halbleiterbauelemente der betroffenen Gruppe durch einen die ganze Gruppe betreffenden Defekt vermieden werden. Ein solcher Defekt kann beispielsweise ein Verstopfen eines Kühlkanals sein. Durch das vorgenannte Vermeiden des Überhitzens kann wiederum eine Zerstörung aller lichtemittierenden Halbleiterbauelemente der Gruppe durch den Defekt vermieden werden. Wird der Maximalwert unterhalb einer Temperatur, die zu einer Zerstörung der lichtemittierenden Halbleiterbauelemente führt, festgelegt, kann damit insbesondere eine Lebensdauer der Gruppe erhöht werden, da die Betriebstemperatur lichtemittierender Halbleiterbauelemente maßgeblich deren Lebensdauer beeinflusst.In an embodiment 15 according to the invention, the arrangement is designed according to its embodiment 14, the control device also being arranged and designed to switch off the light-emitting semiconductor components of the group containing the light-emitting reference semiconductor component whose absolute actual temperature was determined when the determined absolute actual temperature Temperature of this light-emitting reference semiconductor component exceeds a maximum value. In this way, in particular, overheating of the light-emitting semiconductor components of the affected group due to a defect affecting the entire group can be avoided. Such a defect can for example be a clogging of a cooling channel. As a result of the aforementioned avoidance of overheating, destruction of all light-emitting semiconductor components of the group by the defect can in turn be avoided. If the maximum value is set below a temperature which leads to the destruction of the light-emitting semiconductor components, a service life of the group can be increased in particular, since the operating temperature of light-emitting semiconductor components significantly influences their service life.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 16 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 15 ausgestaltet, wobei der Maximalwert in einem Bereich von 100 bis 180 °C, bevorzugt von 110 bis 170 °C, bevorzugter von 120 bis 160 °C, noch bevorzugter von 130 bis 150 °C, am bevorzugtesten von 135 bis 145 °C, liegt.In an embodiment 16 according to the invention, the arrangement is designed according to its embodiment 15, the maximum value being in a range from 100 to 180 ° C, preferably from 110 to 170 ° C, more preferably from 120 to 160 ° C, even more preferably from 130 to 150 ° C, most preferably from 135 to 145 ° C.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 17 ist die Anordnung nach einer ihrer Ausführungsformen 3 bis 16 ausgestaltet, wobei die Steuereinrichtung ferner dazu angeordnet und ausgebildet ist, für mindestens ein einzelnes der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente pro Gruppe mindestens des Teils der Gruppen die Änderung der Temperatur zu extrapolieren und auf Basis der extrapolierten Änderung der Temperatur eine Fehlerdiagnose zu erstellen. Diese Ausführung erlaubt insbesondere die Durchführung einer sogenannten Predictive Maintenance. Hierbei können aus der extrapolierten Änderung der Temperatur vorliegende Defekte oder voraussichtliche eintretende Defekte ermittelt werden. Diese werden dann in der Fehlerdiagnose angegeben. Beispielsweise führt ein verstopfter Kühlkanal oftmals zu einem abrupten Temperaturanstieg. Dieser Temperaturanstieg kann gemessen und die betroffene Gruppe wie oben beschrieben abgeschaltet werden. Steigt die Temperatur jedoch nicht auf diese Weise abrupt, sondern allmählich an, liegt oftmals kein verstopfter Kühlkanal, sondern es löst sich beispielsweise eine Verbindung wie eine Lötstelle. Dies kann durch das Extrapolieren der Änderung der Temperatur frühzeitig erkannt und geeignete Wartungsmaßnahmen ergriffen werden. Hierdurch kann die Wartung effizienter gestaltetet werden, beispielsweise, in dem diese in einer ohnehin geplanten Abschaltphase vorgenommen werden. Ferner kann aus der Fehlerdiagnose eine geeignete Wartungsmaßnahme abgeleitet werden, wodurch Zeit und Aufwand einer manuellen Fehlersuche während einer Abschaltphase eingespart werden können.In an embodiment 17 according to the invention, the arrangement is designed according to one of its embodiments 3 to 16, the control device further being arranged and designed to extrapolate the change in temperature for at least one of the light-emitting reference semiconductor components per group of at least part of the groups and based on to make an error diagnosis of the extrapolated change in temperature. This design allows in particular what is known as predictive maintenance to be carried out. Defects or defects that are likely to occur can be determined from the extrapolated change in temperature. These are then specified in the error diagnosis. For example, a blocked cooling channel often leads to an abrupt increase in temperature. This increase in temperature can be measured and the affected group switched off as described above. However, if the temperature rises gradually rather than abruptly in this way, there is often no clogged cooling channel, but a connection such as a soldered joint loosens. This can be recognized at an early stage by extrapolating the change in temperature and suitable maintenance measures can be taken. As a result, maintenance can be made more efficient, for example by being carried out in an already planned shutdown phase. In addition, a suitable maintenance measure can be derived from the error diagnosis, which saves time and effort in manual troubleshooting during a shutdown phase.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 18 ist die Anordnung nach einer ihrer vorhergehenden Ausführungsformen ausgestaltet, wobei die Anordnung ferner eine Kühleinrichtung, die zu einem aktiven Kühlen der Trägerelemente angeordnet und ausgebildet ist, beinhaltet.In an embodiment 18 according to the invention, the arrangement is designed according to one of its preceding embodiments, the arrangement further including a cooling device which is arranged and designed for active cooling of the carrier elements.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 19 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 18 ausgestaltet, wobei das aktive Kühlen ein Kontaktieren jeweils einer Kühloberfläche der Trägerelemente mit einem Kühlfluid beinhaltet.In an embodiment 19 according to the invention, the arrangement is designed according to its embodiment 18, the active cooling including contacting a cooling surface of the carrier elements with a cooling fluid.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 20 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 19 ausgestaltet, wobei die Trägeroberfläche und die Kühloberfläche eines Trägerelements, bevorzugt jedes Trägerelements der Vielzahl von Trägerelementen, einander gegenüberliegende äußere Oberflächen dieses Trägerelements sind.In an embodiment 20 according to the invention, the arrangement is designed according to its embodiment 19, the carrier surface and the cooling surface of a carrier element, preferably each carrier element of the plurality of carrier elements, being mutually opposite outer surfaces of this carrier element.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 21 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 19 oder 20 ausgestaltet, wobei die Kühloberfläche eines Trägerelements, bevorzugt jedes Trägerelements der Vielzahl von Trägerelementen, eine Kühlstruktur beinhaltet.In an embodiment 21 according to the invention, the arrangement is designed according to its embodiment 19 or 20, the cooling surface of a carrier element, preferably each carrier element of the plurality of carrier elements, including a cooling structure.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 22 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 21 ausgestaltet, wobei die Kühlstruktur eine Vielzahl von Kühlrippen beinhaltet, bevorzugt daraus gebildet ist.In an embodiment 22 according to the invention, the arrangement is configured according to its embodiment 21, the cooling structure containing a plurality of cooling fins, preferably being formed therefrom.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 23 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 22 ausgestaltet, wobei die Vielzahl von Kühlrippen aus 3 bis 30 Kühlrippen, bevorzugt aus 5 bis 25 Kühlrippen, bevorzugter aus 10 bis 20 Kühlrippen besteht.In an embodiment 23 according to the invention, the arrangement is designed according to its embodiment 22, the plurality of cooling fins consisting of 3 to 30 cooling fins, preferably 5 to 25 cooling fins, more preferably 10 to 20 cooling fins.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 24 ist die Anordnung nach einer ihrer vorhergehenden Ausführungsformen ausgestaltet, wobei jedes der lichtemittierenden Halbleiterbauelemente der Gruppen jeweils eine Platine und mindestens einen die Platine auf von der Trägeroberfläche, auf der das jeweilige lichtemittierende Halbleiterbauelement angeordnet ist, abgewandten Seite überlagernden Halbleiterchip beinhaltet. Bevorzugt beinhaltet jedes der lichtemittierenden Halbleiterbauelemente zusätzlich mindestens eine den mindesten einen Halbleiterchip auf einer von der Platine abgewandten Seite überlagernde Optik. Im Fall einer LED als lichtemittierendes Halbleiterbauelement wird der vorstehende Aufbau, beinhaltend die Platine und den Halbleiterchip und, optional, eine oder mehrere Optiken, im technischen Gebiet auch als Package bezeichnet. Package und LED werden oft synonym verwendet. Im Fall der im Rahmen der Erfindung ebenfalls in Frage kommenden Chip-on-Board-Technologie sind mehrere Halbleiterchips auf einer gemeinsamen Platine angeordnet. In diesen Fall beinhaltet das Package also mehrere Halbleiterchips. Allgemein kann ein Package weitere Elemente wie elektrische Kontakte, Schutzschaltungen und Elemente zur Wärmeabfuhr beinalten.In one embodiment 24 according to the invention, the arrangement is designed according to one of its preceding embodiments, each of the light-emitting semiconductor components of the groups each containing a circuit board and at least one semiconductor chip overlaying the circuit board on the side facing away from the carrier surface on which the respective light-emitting semiconductor component is arranged. Preferably, each of the light-emitting semiconductor components additionally contains at least one optical unit superimposed on the at least one semiconductor chip on a side facing away from the circuit board. In the case of an LED as a light-emitting semiconductor component, the above structure, including the circuit board and the semiconductor chip and, optionally, one or more optics, is also referred to as a package in the technical field. Package and LED are often used synonymously. In the case of the chip-on-board technology, which is also possible within the scope of the invention, several semiconductor chips are arranged on a common circuit board. In this case, the package contains several semiconductor chips. In general, a package can contain further elements such as electrical contacts, protective circuits and elements for heat dissipation.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 25 ist die Anordnung nach einer ihrer vorhergehen Ausführungsformen ausgestaltet, wobei die lichtemittierenden Halbleiterbauelemente der Gruppen jeweils mit der Trägeroberfläche, auf der sie angeordnet sind, verbunden sind. Bevorzugt sind die lichtemittierenden Halbleiterbauelemente eines ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus auf die Trägeroberfläche geklebt, auf die Trägeroberfläche gelötet, und mit der Trägeroberfläche versintert, oder eine Kombination aus mindestens zwei davon. Vorzugsweise ist die Platine des lichtemittierenden Halbleiterbauelements mit der Trägeroberfläche verbunden, vorzugsweise auf eine der vorgenannten Arten.In an embodiment 25 according to the invention, the arrangement is designed according to one of its previous embodiments, the light-emitting semiconductor components of the groups being connected to the carrier surface on which they are arranged. The light-emitting semiconductor components are preferably one selected from the group consisting of glued to the carrier surface, soldered to the carrier surface, and sintered to the carrier surface, or a combination of at least two thereof. The circuit board of the light-emitting semiconductor component is preferably connected to the carrier surface, preferably in one of the aforementioned ways.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 26 ist die Anordnung nach einer ihrer vorhergehen Ausführungsformen ausgestaltet, wobei die Vielzahl von Trägerelementen aus 5 bis 150, bevorzugt 10 bis 150, bevorzugter 15 bis 120, bevorzugter von 15 bis 100, am bevorzugtesten 15 bis 75, Trägerelementen besteht. Besonders bevorzugt ist die Anzahl der Trägerelemente der Vielzahl von Trägerelementen ein ganzzahliges Vielfaches von 2. Dies erleichtert insbesondere eine Ansteuerung einer Kühlung der Belichtungseinrichtung.In an embodiment 26 according to the invention, the arrangement is designed according to one of its preceding embodiments, the plurality of carrier elements consisting of 5 to 150, preferably 10 to 150, more preferably 15 to 120, more preferably 15 to 100, most preferably 15 to 75 carrier elements. The number of carrier elements of the plurality of carrier elements is particularly preferably an integral multiple of 2. This in particular facilitates control of a cooling of the exposure device.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 27 ist die Anordnung nach einer ihrer vorhergehen Ausführungsformen ausgestaltet, wobei die Trägerelemente der der Vielzahl von Trägerelementen jeweils eine Breite in einem Bereich von 5 bis 100 mm, bevorzugt von 10 bis 50 mm, bevorzugter von 15 bis 40 mm, noch bevorzugter von 20 bis 35 mm, am bevorzugtesten von 20 bis 30 mm, haben. Oftmals sind die Trägerelemente etwa einen Zoll, also etwa 25,4 mm, breit. Die Breite eines Trägerelements ist mehr als dessen Dicke und weniger als dessen Länge. Vorzugsweise verläuft die Breite eines Trägerelements in einer longitudinalen Richtung der Belichtungseinrichtung, also entlang einer Länge der Belichtungseinrichtung.In an embodiment 27 according to the invention, the arrangement is designed according to one of its preceding embodiments, the carrier elements of the plurality of carrier elements each having a width in a range from 5 to 100 mm, preferably from 10 to 50 mm, more preferably from 15 to 40 mm more preferably from 20 to 35 mm, most preferably from 20 to 30 mm. The carrier elements are often about an inch, that is to say about 25.4 mm, wide. The width of a carrier element is more than its thickness and less than its length. The width of a carrier element preferably runs in a longitudinal direction of the exposure device, that is to say along a length of the exposure device.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 28 ist die Anordnung nach einer ihrer vorhergehen Ausführungsformen ausgestaltet, wobei die Belichtungseinrichtung in einer longitudinalen Richtung längserstreckt ist. Die longitudinale Richtung ist bevorzugt eine Richtung einer Länge der Belichtungseinrichtung.In an embodiment 28 according to the invention, the arrangement is designed according to one of its preceding embodiments, the exposure device being elongated in a longitudinal direction. The longitudinal direction is preferably a direction of a length of the exposure device.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 29 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 28 ausgestaltet, wobei die Belichtungseinrichtung in der longitudinalen Richtung eine Länge in einem Bereich von 100 bis 3000 mm, bevorzugter von 200 bis 3000 mm, bevorzugter von 300 bis 3000 mm, noch bevorzugter von 400 bis 3000 mm, am bevorzugtesten von 400 bis 2000 mm, hat.In an embodiment 29 according to the invention, the arrangement is designed according to its embodiment 28, the exposure device having a length in the longitudinal direction in a range from 100 to 3000 mm, more preferably from 200 to 3000 mm, more preferably from 300 to 3000 mm, even more preferably from 400 to 3000 mm, most preferably from 400 to 2000 mm.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 30 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 28 oder 29 ausgestaltet, wobei die Trägerelemente der Vielzahl von Trägerelementen in der longitudinalen Richtung nacheinander angeordnet sind.In an embodiment 30 according to the invention, the arrangement is designed according to its embodiment 28 or 29, the carrier elements of the plurality of carrier elements being arranged one after the other in the longitudinal direction.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 31 ist die Anordnung nach einer ihrer vorhergehen Ausführungsformen ausgestaltet, wobei die lichtemittierenden Halbleiterbauelemente zu einem Belichten mit Licht in einem UV-Wellenlängenbereich oder einem IR-Wellenlängenbereich oder beides angeordnet und ausgebildet sind. Bevorzugt hat hierzu ein Emissionsspektrum der lichtemittierenden Halbleiterbauelemente ein lokales Maximum oder ein globales Maximum oder beides in dem UV-Wellenlängenbereich oder dem IR-Wellenlängenbereich. Ein bevorzugter UV-Wellenlängeneberich ist ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einem UV-A-Wellenlängenbereich, einem UV-B-Wellenlängenbereich, und einem UV-C-Wellenlängenbereich, oder aus einer Kombination aus mindestens zwei davon.In one embodiment 31 according to the invention, the arrangement is designed according to one of its preceding embodiments, the light-emitting semiconductor components being arranged and designed for exposure to light in a UV wavelength range or an IR wavelength range or both. For this purpose, an emission spectrum of the light-emitting semiconductor components preferably has a local maximum or a global maximum or both in the UV wavelength range or the IR wavelength range. A preferred UV wavelength range is selected from the group consisting of a UV-A wavelength range, a UV-B Wavelength range, and a UV-C wavelength range, or a combination of at least two of them.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 32 ist die Anordnung nach einer ihrer vorhergehen Ausführungsformen ausgestaltet, wobei die Belichtungseinrichtung ein Vorschaltgerät beinhaltet. Ein bevorzugtes Vorschaltgerät ist ein elektronisches Vorschaltgerät. Ein bevorzugtes elektronisches Vorschaltgerät ist ein LED-Treiber.In an embodiment 32 according to the invention, the arrangement is designed according to one of its preceding embodiments, the exposure device containing a ballast. A preferred ballast is an electronic ballast. A preferred electronic ballast is an LED driver.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 33 ist die Anordnung nach einer ihrer vorhergehen Ausführungsformen ausgestaltet, wobei die lichtemittierenden Halbleiterbauelemente der Gruppen Leuchtdioden sind. Eine bevorzugte LED ist eine UV-LED oder eine IR-LED.In an embodiment 33 according to the invention, the arrangement is configured according to one of its preceding embodiments, the light-emitting semiconductor components of the groups being light-emitting diodes. A preferred LED is a UV LED or an IR LED.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 34 ist die Anordnung nach einer ihrer vorhergehen Ausführungsformen ausgestaltet, wobei die Belichtungseinrichtung ein UV-Strahler oder ein IR-Strahler oder beides ist.In an embodiment 34 according to the invention, the arrangement is designed according to one of its preceding embodiments, the exposure device being a UV radiator or an IR radiator or both.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 35 ist die Anordnung nach einer ihrer vorhergehen Ausführungsformen ausgestaltet, wobei die Selektionsschaltung eine elektronische Selektionsschaltung ist.In an embodiment 35 according to the invention, the arrangement is designed according to one of its preceding embodiments, the selection circuit being an electronic selection circuit.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 36 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 35 ausgestaltet, wobei die elektronische Selektionsschaltung einen Multiplexer oder einen Demultiplexer oder beides beinhaltet.In an embodiment 36 according to the invention, the arrangement is designed according to its embodiment 35, the electronic selection circuit containing a multiplexer or a demultiplexer or both.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 37 ist die Anordnung nach einer ihrer vorhergehen Ausführungsformen ausgestaltet, wobei die elektrische Messschaltung einen Messwiderstand beinhaltet, dessen elektrischer Widerstand mindestens 10 mal, bevorzugt mindestens 100 mal, bevorzugter mindestens 1000 mal, so groß ist wie ein größter elektrischer Widerstand der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente.In an embodiment 37 according to the invention, the arrangement is designed according to one of its preceding embodiments, the electrical measuring circuit including a measuring resistor whose electrical resistance is at least 10 times, preferably at least 100 times, more preferably at least 1000 times as large as a largest electrical resistance of the light-emitting Reference semiconductor components.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 38 ist die Anordnung nach einer ihrer vorhergehen Ausführungsformen ausgestaltet, wobei die elektrische Messschaltung einen Messwiderstand mit einem elektrischen Widerstand von mindestens 1 kΩ, bevorzugt mindestens 5 kΩ, bevorzugter mindestens 10 kΩ, bevorzugter mindestens 50 kΩ, bevorzugter mindestens 100 kΩ, noch bevorzugter mindestens 500 kΩ, am bevorzugtesten mindestens 1 MΩ, beinhaltet.In an embodiment 38 according to the invention, the arrangement is designed according to one of its preceding embodiments, the electrical measuring circuit having a measuring resistor with an electrical resistance of at least 1 kΩ, preferably at least 5 kΩ, more preferably at least 10 kΩ, more preferably at least 50 kΩ, more preferably at least 100 kΩ, more preferably at least 500 kΩ, most preferably at least 1 MΩ.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 39 ist die Anordnung nach einer ihrer vorhergehen Ausführungsformen ausgestaltet, wobei die Messeinrichtung zwischen der Selektionsschaltung und der elektrischen Messschaltung einen, bevorzugt genau einen, Analog-Digital-Umsetzer beinhaltet.In one embodiment 39 according to the invention, the arrangement is designed according to one of its previous embodiments, the measuring device between the selection circuit and the electrical measuring circuit including one, preferably exactly one, analog-digital converter.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 40 ist die Anordnung nach einer ihrer vorhergehen Ausführungsformen ausgestaltet, wobei die Anordnung ferner ein Belichtungsobjekt beinhaltet, dass dazu angeordnet und ausgebildet ist, mit von den lichtemittierenden Halbleiterbauelementen emittiertem Licht bestrahlt zu werden.In one embodiment 40 according to the invention, the arrangement is designed according to one of its preceding embodiments, the arrangement further including an exposure object that is arranged and designed to be irradiated with light emitted by the light-emitting semiconductor components.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 41 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 40 ausgestaltet, wobei das Belichtungsobjekt flächenförmig ausgebildet ist. Ein bevorzugtes flächenförmig ausgebildetes Belichtungsobjekt ist bahnförmig ausgebildet.In an embodiment 41 according to the invention, the arrangement is designed according to its embodiment 40, the exposure object being designed in a two-dimensional manner. A preferred areal exposure object is designed in the form of a web.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 42 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 40 oder 41 ausgestaltet, wobei das Belichtungsobjekt ein Substrat und eine das Substrat überlagernde Zusammensetzung beinhaltet. Bevorzugt ist das Substrat flächenförmig, bevorzugter bahnförmig, ausgebildet. Die Zusammensetzung ist bevorzugt flüssig. Ein bevorzugtes Substrat ist ein Druckträger, auch Bedruckstoff genannt.In an embodiment 42 according to the invention, the arrangement is configured according to its embodiment 40 or 41, the exposure object including a substrate and a composition overlying the substrate. The substrate is preferably planar, more preferably web-shaped. The composition is preferably liquid. A preferred substrate is a print carrier, also called a printing material.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 43 ist die Anordnung nach einer ihrer Ausführungsformen 40 bis 42 ausgestaltet, wobei die Anordnung ferner eine Transporteinrichtung beinhaltet, die dazu angeordnet und ausgebildet ist, das Belichtungsobjekt in einer Prozessrichtung relativ zu der Belichtungseinrichtung zu transportieren.In an embodiment 43 according to the invention, the arrangement is designed according to one of its embodiments 40 to 42, the arrangement further including a transport device which is arranged and designed to transport the object to be exposed in a process direction relative to the exposure device.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 44 ist die Anordnung nach ihrer Ausführungsform 43 ausgestaltet, wobei die Anordnung eine in der Prozessrichtung vor der Belichtungseinrichtung angeordnete Überlagerungseinrichtung beinhaltet, wobei die Überlagerungseinrichtung zu einem Überlagern des Substrats mit der Zusammensetzung angeordnet und ausgebildet ist. Eine bevorzugte Überlagerungseinrichtung beinhaltet einen Druckbildspeicher oder einen Druckkopf oder beides.In one embodiment 44 according to the invention, the arrangement is configured according to its embodiment 43, the arrangement including an overlay device arranged in the process direction upstream of the exposure device, the overlay device being arranged and designed to overlay the substrate with the composition. A preferred overlay device includes a print image memory or a print head or both.

Einen Beitrag zur Erfüllung mindestens einer der erfindungsgemäßen Aufgaben leistet eine Ausführungsform 1 einer Druckmaschine, beinhaltend die erfindungsgemäße Anordnung nach einer ihrer Ausführungsformen 1 bis 39.An embodiment 1 of a printing press, including the arrangement according to the invention according to one of its embodiments 1 to 39, makes a contribution to fulfilling at least one of the objects of the invention.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 2 ist die Druckmaschine nach ihrer Ausführungsform 1 ausgestaltet, wobei die Belichtungseinrichtung in der Druckmaschine zu einem Bestrahlen einer auf einen Druckträger gedruckten Zusammensetzung angeordnet und ausgebildet ist.In an embodiment 2 according to the invention, the printing machine is designed according to its embodiment 1, the exposure device being arranged and designed in the printing machine for irradiating a composition printed on a printing medium.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 3 ist die Druckmaschine nach ihrer Ausführungsform 2 ausgestaltet, wobei die Zusammensetzung eine Druckfarbe oder ein Lack oder beides ist.In embodiment 3 according to the invention, the printing machine is designed according to its embodiment 2, the composition being a printing ink or a lacquer or both.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 4 ist die Druckmaschine nach einer ihrer Ausführungsformen 1 bis 3 ausgestaltet, wobei die Druckmaschine eine druckbildspeicherlose Druckmaschine ist. Eine bevorzugte druckbildspeicherlose Druckmaschine ist für ein berührungsloses Drucken (Non Impact Printing - NIP) ausgebildet. Eine bevorzugte druckbildspeicherlose Druckmaschine ist ein Tintenstrahldrucker oder ein Laserdrucker oder beides.In an embodiment 4 according to the invention, the printing machine is designed according to one of its embodiments 1 to 3, the printing machine being a printing machine without print image storage. A preferred printing machine without print image storage is designed for non-impact printing (NIP). A preferred printing machine without print image storage is an ink jet printer or a laser printer or both.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 5 ist die Druckmaschine nach einer ihrer Ausführungsformen 1 bis 3 ausgestaltet, wobei die Druckmaschine einen Druckbildspeicher beinhaltet. Ein bevorzugter Druckbildspeicher ist eine Druckwalze oder eine Druckplatte.In an embodiment 5 according to the invention, the printing press is designed according to one of its embodiments 1 to 3, the printing press containing a print image memory. A preferred print image memory is a printing roller or a printing plate.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 6 ist die Druckmaschine nach ihrer Ausführungsform 5 ausgestaltet, wobei die Druckmaschine für ein indirektes Drucken mittels des Druckbildspeichers angeordnet und ausgebildet ist. Eine bevorzugte Druckmaschine für ein indirektes Drucken ist eine Offset-Druckmaschine. Eine bevorzugte Offset-Druckmaschine ist eine Bogen-Offset-Druckmaschine.In an embodiment 6 according to the invention, the printing press is designed according to its embodiment 5, the printing press being arranged and designed for indirect printing by means of the print image memory. A preferred printing machine for indirect printing is an offset printing machine. A preferred offset printing machine is a sheet-fed offset printing machine.

Einen Beitrag zur Erfüllung mindestens einer der erfindungsgemäßen Aufgaben leistet eine Ausführungsform 1 eines Verfahrens zum Herstellen eines Erzeugnisses, das Verfahren beinhaltend als Verfahrensschritte

  1. a) Bereitstellen
    1. i) einer Belichtungseinrichtung, beinhaltend eine Vielzahl von Trägerelementen mit jeweils einer Trägeroberfläche, wobei auf jeder Trägeroberfläche jeweils eine Gruppe von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen angeordnet ist, und
    2. ii) mindestens eines Belichtungsobjekts; und
  2. b) Bestrahlen des mindestens einen Belichtungsobjekts mit von der Belichtungseinrichtung emittiertem Licht unter Erhalt des Erzeugnisses;
wobei jede Gruppe eines mindestens zwei Gruppen der Gruppen von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen beinhaltenden Teils der Gruppen mindestens ein lichtemittierendes Referenzhalbleiterbauelement beinhaltet; wobei in dem Verfahrensschritt b), bevorzugt zeitlich nacheinander, ein Spannungsabfall an mindestens einem einzelnen der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente pro Gruppe mindestens des Teils der Gruppen gemessen wird. Das vorgenannte Messen erfolgt bevorzugt mindestens teilweise, bevorzugt vollständig, während des Bestrahlens. Hier wird bevorzugt während des Bestrahlens in situ der Spannungsabfall an den lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente bestimmt. Bevorzugt erfolgt das vorgenannte Messen in dem Verfahrensschritt b) für die genannten lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente mehrfach, bevorzugt wiederholt, vorzugsweise in einer Vielzahl zeitlich aufeinanderfolgender Zyklen, oder kontinuierlich.Embodiment 1 of a method for manufacturing a product, including the method as method steps, makes a contribution to fulfilling at least one of the objects according to the invention
  1. a) Provide
    1. i) an exposure device comprising a plurality of carrier elements each having a carrier surface, a group of light-emitting semiconductor components being arranged on each carrier surface, and
    2. ii) at least one exposure object; and
  2. b) irradiating the at least one exposure object with light emitted by the exposure device to obtain the product;
wherein each group of a part of the groups containing at least two groups of the groups of light-emitting semiconductor components contains at least one light-emitting reference semiconductor component; wherein in method step b), preferably successively in time, a voltage drop across at least one of the light-emitting reference semiconductor components per group of at least part of the groups is measured. The aforementioned measurement is preferably carried out at least partially, preferably completely, during the irradiation. Here, the voltage drop across the light-emitting reference semiconductor components is preferably determined in situ during the irradiation. The aforementioned measurement in method step b) preferably takes place several times, preferably repeatedly, preferably in a large number of successive cycles, or continuously, for the said light-emitting reference semiconductor components.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 2 ist das Verfahren nach seiner Ausführungsform 1 ausgestaltet, wobei in dem Verfahrensschritt b) der Spannungsabfall in einer Vielzahl zeitlich aufeinanderfolgender Zyklen pro Zyklus an jeweils mindestens einem einzelnen der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente pro Gruppe mindestens des Teils der Gruppen gemessen wird. Vorzugsweise wird der Spannungsabfall in einer Vielzahl zeitlich aufeinanderfolgender Zyklen pro Zyklus an jeweils mindestens einem einzelnen der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente pro Gruppe gemessen. Bevorzugt erfolgt das Bestrahlen mindestens teilweise ein den Zyklen. Das beschriebene Bestimmen erfolgt bevorzugt während des Bestrahlens.In an embodiment 2 according to the invention, the method is designed according to its embodiment 1, wherein in method step b) the voltage drop is measured in a plurality of successive cycles per cycle on at least one of the light-emitting reference semiconductor components per group of at least part of the groups. The voltage drop is preferably measured in a large number of successive cycles per cycle on at least one of the light-emitting reference semiconductor components per group. The irradiation is preferably carried out at least partially in one of the cycles. The described determination takes place preferably during the irradiation.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 3 ist das Verfahren nach seiner Ausführungsform 2 ausgestaltet, wobei das Verfahren ferner für mindestens ein einzelnes der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente pro Gruppe mindestens des Teils der Gruppen ein Bestimmen einer Änderung einer Temperatur des jeweiligen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelements aus dem in mindestens zwei der Zyklen gemessenen Spannungsabfall beinhaltet. Das Bestimmen kann hier rechnerisch, insbesondere mittels einer mathematischen Funktion, oder durch Vergleich mit Referenzwerten erfolgen. Bevorzugt erfolgt das oben beschriebene Bestimmen in situ während des Bestrahlens.In an embodiment 3 according to the invention, the method is configured according to its embodiment 2, the method further including determining a change in a temperature of the respective light-emitting reference semiconductor component from that measured in at least two of the cycles for at least one of the light-emitting reference semiconductor components per group of at least the part of the groups Includes voltage drop. The determination can take place arithmetically, in particular by means of a mathematical function, or by comparison with reference values. The determination described above preferably takes place in situ during the irradiation.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 4 ist das Verfahren nach seiner Ausführungsform 3 ausgestaltet, wobei die Temperatur des jeweiligen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelements dessen Sperrschichttemperatur ist.In embodiment 4 according to the invention, the method is configured according to its embodiment 3, the temperature of the respective light-emitting reference semiconductor component being its junction temperature.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 5 ist das Verfahren nach einer seiner Ausführungsformen 2 bis 4 ausgestaltet, wobei das Verfahren ferner für mindestens ein einzelnes der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente pro Gruppe mindestens des Teils der Gruppen ein Bestimmen einer Änderung einer Leistung des jeweiligen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelements aus dem in mindestens zwei der Zyklen gemessenen Spannungsabfall beinhaltet. Das Bestimmen kann hier rechnerisch, insbesondere mittels einer mathematischen Funktion, oder durch Vergleich mit Referenzwerten erfolgen. Bevorzugt erfolgt das oben beschriebene Bestimmen in situ während des Bestrahlens.In embodiment 5 according to the invention, the method is designed according to one of its embodiments 2 to 4, the method further including determining a change in a power of the respective light-emitting reference semiconductor component from the at least two for at least one of the light-emitting reference semiconductor components per group of at least the part of the groups the voltage drop measured in cycles. The determination can be made arithmetically, in particular by means of a mathematical function, or by comparison with Reference values. The determination described above preferably takes place in situ during the irradiation.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 6 ist das Verfahren nach seiner Ausführungsform 5 ausgestaltet, wobei die Leistung eine optische Ausgangsleistung des jeweiligen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelements ist.In an embodiment 6 according to the invention, the method is configured according to its embodiment 5, the power being an optical output power of the respective light-emitting reference semiconductor component.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 7 ist das Verfahren nach einer seiner Ausführungsformen 3 bis 6 ausgestaltet, wobei das Bestimmen der Änderung der Temperatur mittels

  1. a. eines Datensatzes, beinhaltend eine Vielzahl von Spannungswerten mit jeweils einem zugeordneten Temperaturwert, oder
  2. b. einer mathematischen Funktion der Änderung der Temperatur von einer Änderung des Spannungsabfalls eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements
erfolgt.In an embodiment 7 according to the invention, the method is designed according to one of its embodiments 3 to 6, the determination of the change in temperature by means of
  1. a. a data set containing a plurality of voltage values, each with an associated temperature value, or
  2. b. a mathematical function of the change in temperature from a change in the voltage drop of a light emitting semiconductor component
he follows.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 8 ist das Verfahren nach seiner Ausführungsform 7 ausgestaltet, wobei die mathematische Funktion der Änderung der Temperatur von der Änderung des Spannungsabfalls des lichtemittierenden Halbleiterbauelements eine lineare Funktion ist.In an embodiment 8 according to the invention, the method is configured according to its embodiment 7, the mathematical function of the change in temperature from the change in the voltage drop of the light-emitting semiconductor component being a linear function.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 9 ist das Verfahren nach einer seiner Ausführungsformen 5 bis 8 ausgestaltet, wobei das Bestimmen der Änderung der Leistung mittels

  1. a] eines Datensatzes, beinhaltend eine Vielzahl von Spannungswerten mit jeweils einem zugeordneten Wert der Leistung, oder
  2. b] einer mathematischen Funktion der Änderung der Leistung von einer Änderung einer Temperatur eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements
erfolgt.In an embodiment 9 according to the invention, the method is designed according to one of its embodiments 5 to 8, wherein the determination of the change in power is by means of
  1. a] of a data set, containing a plurality of voltage values, each with an assigned value of the power, or
  2. b] a mathematical function of the change in the power from a change in a temperature of a light-emitting semiconductor component
he follows.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 10 ist das Verfahren nach seiner Ausführungsform 9 ausgestaltet, wobei die mathematische Funktion der Änderung der Leistung von der Änderung der Temperatur des lichtemittierenden Halbleiterbauelements eine lineare Funktion ist.In an embodiment 10 according to the invention, the method is configured according to its embodiment 9, the mathematical function of the change in power from the change in temperature of the light-emitting semiconductor component being a linear function.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 11 ist das Verfahren nach einer seiner Ausführungsformen 3 bis 10 ausgestaltet, wobei das Verfahren ferner ein Bestimmen einer absolute Ist-Temperatur mindestens eines einzelnen der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente pro Gruppe mindestens des Teils der Gruppen aus einem absoluten Temperaturwert und einer bestimmten Änderung der Temperatur des jeweiligen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelements beinhaltet.In an embodiment 11 according to the invention, the method is designed according to one of its embodiments 3 to 10, the method further including determining an absolute actual temperature of at least one of the light-emitting reference semiconductor components per group of at least the part of the groups from an absolute temperature value and a specific change in the Includes temperature of the respective light-emitting reference semiconductor component.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 12 ist das Verfahren nach seiner Ausführungsform 11 ausgestaltet, wobei das Verfahren ferner ein Vergleichen der bestimmten absoluten Ist-Temperaturen mit einem Maximalwert und ein Abschalten der lichtemittierenden Halbleiterbauelemente der ein lichtemittierendes Referenzhalbleiterbauelement, dessen absolute Ist-Temperatur den Maximalwert überschreitet, beinhaltenden Gruppe beinhaltet. Bevorzugt erfolgt das oben beschriebene Bestimmen in situ während des Bestrahlens. Ferner bevorzugt erfolgt das vorgenannte Bestimmen in einem zeitlichen Verlauf mehrfach, bevorzugt wiederholt, vorzugsweise in einer Vielzahl zeitlich aufeinanderfolgender Zyklen, oder kontinuierlich. In einer bevorzugten Ausführungsform wird aus den für die oben genannten lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente mindestens des Teils der Gruppen eine Diagnose für die Belichtungseinrichtung, insbesondere eine Fehlerdiagnose, bevorzugt in situ während des Bestrahlens abgeeitet.In an embodiment 12 according to the invention, the method is designed according to its embodiment 11, the method further including comparing the determined absolute actual temperatures with a maximum value and switching off the light-emitting semiconductor components of a light-emitting reference semiconductor component whose absolute actual temperature exceeds the maximum value Group includes. The determination described above preferably takes place in situ during the irradiation. Furthermore, the aforementioned determination is preferably carried out several times in a temporal course, preferably repeatedly, preferably in a plurality of successive cycles, or continuously. In a preferred embodiment, a diagnosis for the exposure device, in particular a fault diagnosis, preferably in situ during the irradiation, is derived from the above-mentioned light-emitting reference semiconductor components of at least the part of the groups.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 13 ist das Verfahren nach seiner Ausführungsform 12 ausgestaltet, wobei der Maximalwert in einem Bereich von 100 bis 180 °C, bevorzugt von 110 bis 170 °C, bevorzugter von 120 bis 160 °C, noch bevorzugter von 130 bis 150 °C, am bevorzugtesten von 135 bis 145 °C, liegt.In an inventive embodiment 13, the method is designed according to its embodiment 12, the maximum value being in a range from 100 to 180 ° C, preferably from 110 to 170 ° C, more preferably from 120 to 160 ° C, even more preferably from 130 to 150 ° C, most preferably from 135 to 145 ° C.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 14 ist das Verfahren nach einer seiner Ausführungsform 3 bis 13 ausgestaltet, wobei das Verfahren ferner für mindestens ein einzelnes der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente pro Gruppe mindestens des Teils der Gruppen ein Extrapolieren der Änderung der Temperatur und ein Erstellen einer Fehlerdiagnose auf Basis der extrapolierten Änderung der Temperatur beinhaltet.In an embodiment 14 according to the invention, the method is configured according to one of its embodiments 3 to 13, the method furthermore extrapolating the change in temperature and creating a fault diagnosis based on the extrapolated for at least one of the light-emitting reference semiconductor components per group of at least the part of the groups Includes change in temperature.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 15 ist das Verfahren nach einer seiner Ausführungsformen 1 bis 14 ausgestaltet, wobei das Verfahren in dem Verfahrensschritt b) ferner ein aktives Kühlen der Trägerelemente beinhaltet.In one embodiment 15 according to the invention, the method is designed according to one of its embodiments 1 to 14, the method further including active cooling of the carrier elements in method step b).

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 16 ist das Verfahren nach seiner Ausführungsform 15 ausgestaltet, wobei das aktive Kühlen ein Kontaktieren jeweils einer Kühloberfläche der Trägerelemente mit einem Kühlfluid beinhaltet.In an embodiment 16 according to the invention, the method is designed according to its embodiment 15, the active cooling including contacting a cooling surface of the carrier elements with a cooling fluid.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 17 ist das Verfahren nach einer seiner Ausführungsformen 1 bis 16 ausgestaltet, wobei ein Spektrum des Lichts ein lokales Maximum oder ein globales Maximum oder beides in einem UV-Wellenlängenbereich oder einem IR-Wellenlängenbereich hat.In an inventive embodiment 17, the method is designed according to one of its embodiments 1 to 16, wherein a Spectrum of the light has a local maximum or a global maximum or both in a UV wavelength range or an IR wavelength range.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 18 ist das Verfahren nach einer seiner Ausführungsformen 1 bis 17 ausgestaltet, wobei zu dem Messen des Spannungsabfalls an jedem der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente, das jeweilige lichtemittierende Referenzhalbleiterbauelement mittels einer Selektionsschaltung mit einer elektrischen Messschaltung verbunden wird.In an embodiment 18 according to the invention, the method is designed according to one of its embodiments 1 to 17, the respective light-emitting reference semiconductor component being connected to an electrical measuring circuit by means of a selection circuit to measure the voltage drop at each of the light-emitting reference semiconductor components.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 19 ist das Verfahren nach seiner Ausführungsform 18 ausgestaltet, wobei die Selektionsschaltung eine elektronische Selektionsschaltung ist.In an embodiment 19 according to the invention, the method is designed according to its embodiment 18, the selection circuit being an electronic selection circuit.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 20 ist das Verfahren nach seiner Ausführungsform 19 ausgestaltet, wobei die elektronische Selektionsschaltung einen Multiplexer oder einen Demultiplexer oder beides beinhaltet.In an embodiment 20 according to the invention, the method is designed according to its embodiment 19, the electronic selection circuit containing a multiplexer or a demultiplexer or both.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 21 ist das Verfahren nach einer seiner Ausführungsformen 18 bis 20 ausgestaltet, wobei die elektrische Messschaltung einen Messwiderstand beinhaltet, dessen elektrischer Widerstand mindestens 10 mal, bevorzugt mindestens 100 mal, bevorzugter mindestens 1000 mal, so groß ist wie ein größter elektrischer Widerstand der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente.In an embodiment 21 according to the invention, the method is designed according to one of its embodiments 18 to 20, the electrical measuring circuit including a measuring resistor whose electrical resistance is at least 10 times, preferably at least 100 times, more preferably at least 1000 times as large as a largest electrical resistance of the light-emitting reference semiconductor components.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 22 ist das Verfahren nach einer seiner Ausführungsformen 18 bis 21 ausgestaltet, wobei die elektrische Messschaltung einen Messwiderstand mit einem elektrischen Widerstand von mindestens 1 kΩ, bevorzugt mindestens 5 kΩ, bevorzugter mindestens 10 kΩ, bevorzugter mindestens 50 kΩ, bevorzugter mindestens 100 kΩ, noch bevorzugter mindestens 500 kΩ, am bevorzugtesten mindestens 1 MΩ, beinhaltet.In an embodiment 22 according to the invention, the method is designed according to one of its embodiments 18 to 21, the electrical measuring circuit having a measuring resistor with an electrical resistance of at least 1 kΩ, preferably at least 5 kΩ, more preferably at least 10 kΩ, more preferably at least 50 kΩ, more preferably at least 100 kΩ, more preferably at least 500 kΩ, most preferably at least 1 MΩ.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 23 ist das Verfahren nach einer seiner Ausführungsformen 18 bis 22 ausgestaltet, wobei zu dem Messen des Spannungsabfalls an jedem der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente, ein elektrisches Signal mittels eines, bevorzugt genau eines, Analog-Digital-Umsetzer digitalisiert wird.In an embodiment 23 according to the invention, the method is designed according to one of its embodiments 18 to 22, an electrical signal being digitized by means of one, preferably exactly one, analog-to-digital converter to measure the voltage drop across each of the light-emitting reference semiconductor components.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 24 ist das Verfahren nach einer seiner Ausführungsformen 1 bis 23 ausgestaltet, wobei das Belichtungsobjekt ein Substrat und eine das Substrat überlagernde Zusammensetzung beinhaltet.In an embodiment 24 according to the invention, the method is configured according to one of its embodiments 1 to 23, the exposure object including a substrate and a composition overlying the substrate.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 25 ist das Verfahren nach seiner Ausführungsform 24 ausgestaltet, wobei das Verfahren vor dem Verfahrensschritt b) ein Überlagern des Substrats mit der Zusammensetzung beinhaltet, wobei in dem Verfahrensschritt b) die Zusammensetzung mit dem Licht bestrahlt wird.In one embodiment 25 according to the invention, the method is configured according to its embodiment 24, the method including superimposing the composition on the substrate before method step b), the composition being irradiated with the light in method step b).

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 26 ist das Verfahren nach seiner Ausführungsform 25 ausgestaltet, wobei die Zusammensetzung bei dem Überlagern flüssig ist.In one embodiment 26 according to the invention, the method is configured according to its embodiment 25, the composition being liquid during the superimposition.

In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform 27 ist das Verfahren nach einer seiner Ausführungsformen 1 bis 26 ausgestaltet, wobei der Verfahrensschritt b) in einer Druckmaschine erfolgt.In an embodiment 27 according to the invention, the method is designed according to one of its embodiments 1 to 26, method step b) taking place in a printing press.

Ein bevorzugtes Substrat ist ein Druckträger. Die Zusammensetzung ist bevorzugt bei dem Überlagern flüssig. Das Überlagern erfolgt bevorzugt als Bedrucken. In einer bevorzugten Ausführungsform beinhaltet die Zusammensetzung bei dem Überlagern mindestens ein Farbmittel, bevorzugt zu einem Anteil in einem Bereich von 0,5 bis 20 Gew.-%, bevorzugter von 1 bis 15 Gew.-%, bevorzugter von 2 bis 10 Gew.-%, am bevorzugtesten von 3 bis 8 Gew.-%, jeweils bezogen auf die Zusammensetzung bei dem Überlagern. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform beinhaltet die Zusammensetzung bei dem Überlagern ein Vehikel, bevorzugt zu einem Anteil in einem Bereich von 10 bis 95 Gew.-%, bevorzugter von 20 bis 95 Gew.-%, bevorzugter von 30 bis 95 Gew.-%, am bevorzugtesten von 40 bis 90 Gew.-%, jeweils bezogen auf die Zusammensetzung bei dem Überlagern. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform beinhaltet die Zusammensetzung bei dem Überlagern einen Photoinitiator, bevorzugt zu einem Anteil in einem Bereich von 1 bis 30 Gew.-%, bevorzugter von 2 bis 25 Gew.-%, bevorzugter von 3 bis 20 Gew.-%, am bevorzugtesten von 5 bis 15 Gew.-%, jeweils bezogen auf die Zusammensetzung bei dem Überlagern. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform beinhaltet die Zusammensetzung bei dem Überlagern mindestens ein Monomer, bevorzugt zu einem Anteil in einem Bereich von 10 bis 95 Gew.-%, bevorzugter von 20 bis 95 Gew.-%, bevorzugter von 30 bis 90 Gew.-%, bevorzugter von 40 bis 85 Gew.-%, bevorzugter von 50 bis 85 Gew.-%, am bevorzugtesten von 60 bis 80 Gew.-%, jeweils bezogen auf die Zusammensetzung bei dem Überlagern. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform beinhaltet die Zusammensetzung bei dem Überlagern mindestens ein Monomer, mindestens ein Oligomer, bevorzugt zu einem Anteil in einem Bereich von 1 bis 50 Gew.-%, bevorzugt von 1 bis 40 Gew.-%, bevorzugter von 2 bis 30 Gew.-%, bevorzugter von 3 bis 25 Gew.-%, am bevorzugtesten von 5 bis 20 Gew.-%, jeweils bezogen auf die Zusammensetzung bei dem Überlagern. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform beinhaltet das Erhalten des Erzeugnisses ein Härten der Zusammensetzung. Das Härten beinhaltet bevorzugt ein Verringern eines Anteils eines Vehikels in der Zusammensetzung. Alternativ oder zusätzlich bevorzugt beinhaltet das Härten ein Polymerisieren eines Monomers oder eines Oligomers oder beider in der Zusammensetzung. Eine besonders bevorzugt Zusammensetzung ist eine Druckfarbe oder ein Lack oder beides.A preferred substrate is a print carrier. The composition is preferably liquid when superimposed. The overlaying is preferably carried out as printing. In a preferred embodiment, the composition contains at least one colorant during the superimposition, preferably in a proportion in a range from 0.5 to 20% by weight, more preferably from 1 to 15% by weight, more preferably from 2 to 10% by weight. %, most preferably from 3 to 8% by weight, each based on the composition at the time of overlaying. In a further preferred embodiment, the composition contains a vehicle when superimposed, preferably in a proportion in a range from 10 to 95% by weight, more preferably from 20 to 95% by weight, more preferably from 30 to 95% by weight, most preferably from 40 to 90% by weight, each based on the composition at the time of overlaying. In a further preferred embodiment, the composition contains a photoinitiator during the superimposition, preferably in a proportion in a range from 1 to 30% by weight, more preferably from 2 to 25% by weight, more preferably from 3 to 20% by weight, most preferably from 5 to 15% by weight, each based on the composition at the time of overlaying. In a further preferred embodiment, the composition contains at least one monomer during the superimposition, preferably in a proportion in a range from 10 to 95% by weight, more preferably from 20 to 95% by weight, more preferably from 30 to 90% by weight , more preferably from 40 to 85% by weight, more preferably from 50 to 85% by weight, most preferably from 60 to 80% by weight, in each case based on the composition at the time of overlaying. In a further preferred embodiment, the composition contains at least one monomer, at least one oligomer, preferably in a proportion in a range from 1 to 50% by weight, preferably from 1 to 40% by weight, more preferably from 2 to 30, when superimposed % By weight, more preferably from 3 to 25% by weight, most preferably from 5 to 20% by weight, in each case based on the composition at the time of overlaying. In another preferred Embodiment obtaining the article includes curing the composition. The curing preferably involves reducing an amount of a vehicle in the composition. Alternatively or additionally preferably, the curing includes polymerizing a monomer or an oligomer or both in the composition. A particularly preferred composition is a printing ink or a varnish or both.

In einer bevorzugten Ausführungsform ist das Verfahren ein Verfahren zum Herstellen eines Druckerzeugnisses. Ein bevorzugtes Druckerzeugnis ist eines, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einer Zeitschrift, einem Buch, einem Plakat, einem Werbemittel, und einem Etikett oder eine Kombination aus mindestens zwei davon. In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform des Verfahrens wird in dem Verfahrensschritt a) die erfindungsgemäße Druckmaschine nach einer ihrer Ausführungsformen bereitgestellt.In a preferred embodiment, the method is a method for producing a printed product. A preferred printed product is one selected from the group consisting of a magazine, a book, a poster, an advertising material, and a label or a combination of at least two thereof. In one embodiment of the method according to the invention, the printing press according to the invention is provided according to one of its embodiments in method step a).

Einen Beitrag zur Erfüllung mindestens einer der erfindungsgemäßen Aufgaben leistet eine Ausführungsform 1 einer Verwendung 1 der erfindungsgemäßen Anordnung nach einer ihrer Ausführungsformen zu einem Härten einer Zusammensetzung.An embodiment 1 of a use 1 of the arrangement according to one of its embodiments for curing a composition makes a contribution to fulfilling at least one of the objects of the invention.

Einen Beitrag zur Erfüllung mindestens einer der erfindungsgemäßen Aufgaben leistet eine Ausführungsform 1 einer Verwendung 2 der erfindungsgemäßen Anordnung nach einer ihrer Ausführungsformen 1 bis 39 in einer Druckmaschine. Eine bevorzugte Druckmaschine ist wie die erfindungsgemäße Druckmaschine nach einer ihrer Ausführungsformen ausgestaltet. Ferner wird die Leuchte in der Druckmaschine vorzugsweise zu einem Härten einer Zusammensetzung verwendet. Das Härten erfolgt bevorzugt gemäß einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens.An embodiment 1 of a use 2 of the arrangement according to the invention according to one of its embodiments 1 to 39 in a printing press makes a contribution to fulfilling at least one of the objects of the invention. A preferred printing press is designed like the printing press according to the invention according to one of its embodiments. Furthermore, the luminaire is preferably used in the printing machine for curing a composition. The hardening is preferably carried out according to one embodiment of the method according to the invention.

Einen Beitrag zur Erfüllung mindestens einer der erfindungsgemäßen Aufgaben leistet eine Ausführungsform 1 einer Verwendung 3 der erfindungsgemäßen Anordnung nach einer ihrer Ausführungsformen zu einem Erstellen einer Fehlerdiagnose oder zu einem Prognostizieren einer Fehlfunktion der Belichtungseinrichtung oder beides.An embodiment 1 of a use 3 of the arrangement according to one of its embodiments for creating a fault diagnosis or for predicting a malfunction of the exposure device or both makes a contribution to fulfilling at least one of the tasks according to the invention.

Merkmale, die in einer erfindungsgemäßen Kategorie als bevorzugt beschrieben sind, beispielsweise nach der erfindungsgemäßen Anordnung, sind ebenso oder der jeweiligen Kategorie entsprechend in einer Ausführungsform der weiteren erfindungsgemäßen Kategorien, beispielsweise einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens oder der Verwendung 1 bis 3, bevorzugt. Insbesondere erfolgt das im Zusammenhang mit der Anordnung offenbarte Messen oder Bestimmen in einer bevorzugten Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Verfahrens wie für die Anordnung beschrieben.Features that are described as preferred in a category according to the invention, for example according to the arrangement according to the invention, are also preferred or corresponding to the respective category in an embodiment of the further categories according to the invention, for example an embodiment of the method according to the invention or use 1 to 3. In particular, the measurement or determination disclosed in connection with the arrangement takes place in a preferred embodiment of the method according to the invention as described for the arrangement.

BelichtungseinrichtungExposure device

Eine Belichtungseinrichtung ist eine Vorrichtung zum Bestrahlen eines Belichtungsobjekts mit elektromagnetischer Strahlung, also Licht. Hierbei kann die Belichtungseinrichtung zusätzlich zu Lichtquellen, die im Rahmen der Erfindung mindestens teilweise lichtemittierende Halbleiterbauelemente sind, weitere Elemente zum bestimmungsgemäßen Betrieb der Belichtungseinrichtung oder zur bestimmungsgemäßen Verwendung des von der Belichtungseinrichtung emittierten Lichts notwendige Elemente beinhaltet. Zu diesen Elementen können beispielsweise eine oder mehrere Sekundäroptiken, eine Kühlung, elektronische Elemente und ein Gehäuse gehören. Als Belichtungseinrichtung kommt im Rahmen der Erfindung jede solche Vorrichtung, die dem Fachmann für den erfindungsgemäßen Einsatz, vorzugsweise zum Einsatz in einer Druckmaschine, geeignet erscheint, in Frage. Bevorzugt ist die Belichtungseinrichtung der erfindungsgemäßen Anordnung ein Strahler, bevorzugt zum Einsatz in einem industriellen Prozess, besonders bevorzugt in einem industriellen Druckverfahren. Ein bevorzugter Strahler ist ein Ultraviolett-Strahler (UV-Strahler) oder ein Infrarot-Strahler (IR-Strahler). UV-Strahler und IR-Strahler sowie Module, beinhaltend einen oder mehrere solcher Strahler, werden in zahlreichen industriellen Prozessen eingesetzt. Hierzu gehören beispielsweise das Trocknen und Härten von Beschichtungen, ein Formen, Prägen, Laminieren, Fügen, Schweißen, Anbräunen, Erwärmen, Aufheizen, und Vorwärmen, sowie eine Keimreduzierung. Ein bevorzugter industrieller Prozess ist hierbei ein kontinuierliches Verfahren. Die vorstehenden Ausführungen zu Prozessen bzw. Verfahren gelten jeweils in einer bevorzugten Ausführungsform auch für das erfindungsgemäße Verfahren. Die Belichtungseinrichtung der erfindungsgemäßen Anordnung beinhaltet bevorzugt ein Vorschaltgerät, welches zum Betreiben der Belichtungseinrichtung, insbesondere im Fall von LEDs als lichtemittierende Halbleiterbauelemente, angeordnet und ausgebildet ist. Ein bevorzugtes Vorschaltgerät ist ein elektronisches Vorschaltgerät. Ein bevorzugtes elektronisches Vorschaltgerät ist ein LED-Treiber. Ferner bevorzugt beinhaltet die Belichtungseinrichtung der erfindungsgemäßen Anordnung Mittel zur aktiven Kühlung, insbesondere zur aktiven Wärmeabfuhr von den lichtemittierenden Halbleiterbauelementen erzeugter Wärme. Ein bevorzugtes Mittel zur aktiven Kühlung ist eine Kühlstruktur wie beispielsweise Kühlrippen, und/oder Kühlkanäle zum Zu- und Abführen eines Kühlfluids, insbesondere einer Kühlflüssigkeit.An exposure device is a device for irradiating an exposure object with electromagnetic radiation, that is to say light. In addition to light sources, which are at least partially light-emitting semiconductor components within the scope of the invention, the exposure device can contain further elements necessary for the intended operation of the exposure device or for the intended use of the light emitted by the exposure device. These elements can include, for example, one or more secondary optics, cooling, electronic elements, and a housing. In the context of the invention, a suitable exposure device is any device that appears suitable to the person skilled in the art for use according to the invention, preferably for use in a printing press. The exposure device of the arrangement according to the invention is preferably a radiator, preferably for use in an industrial process, particularly preferably in an industrial printing process. A preferred emitter is an ultraviolet emitter (UV emitter) or an infrared emitter (IR emitter). UV emitters and IR emitters as well as modules containing one or more such emitters are used in numerous industrial processes. This includes, for example, the drying and hardening of coatings, shaping, embossing, lamination, joining, welding, browning, heating, heating and preheating, as well as germ reduction. A preferred industrial process here is a continuous process. In a preferred embodiment, the above statements on processes or methods also apply to the method according to the invention. The exposure device of the arrangement according to the invention preferably contains a ballast which is arranged and designed to operate the exposure device, in particular in the case of LEDs as light-emitting semiconductor components. A preferred ballast is an electronic ballast. A preferred electronic ballast is an LED driver. Furthermore, the exposure device of the arrangement according to the invention preferably contains means for active cooling, in particular for active heat dissipation from the heat generated by the light-emitting semiconductor components. A preferred means for active cooling is a cooling structure such as cooling fins and / or cooling channels for supplying and removing a cooling fluid, in particular a cooling liquid.

Lichtemittierende HalbleiterbauelementeLight-emitting semiconductor components

Als lichtemittierendes Halbleiterbauelement kommt jedes einen Halbleiter als Emissionsmedium beinhaltende Bauteil in Frage, welches dem Fachmann geeignet erscheint. Die lichtemittierenden Halbleiterbauelemente der Belichtungseinrichtung der erfindungsgemäßen Anordnung sind bevorzugt die Elemente der Belichtungseinrichtung, die zum Emittieren elektromagnetischer Strahlung eines definierten Spektrums, bevorzugt des Emissionsspektrums der Belichtungseinrichtung, angeordnet und ausgebildet sind. Hierbei ist das Emissionsmedium, also der Halbleiter des lichtemittierenden Halbleiterbauelements, zum Emittieren dieser elektromagnetischen Strahlung angeordnet und ausgebildet.Any component containing a semiconductor as the emission medium, which appears suitable to the person skilled in the art, comes into consideration as a light-emitting semiconductor component. The light-emitting semiconductor components of the exposure device of the arrangement according to the invention are preferably the elements of the exposure device which are arranged and designed to emit electromagnetic radiation of a defined spectrum, preferably the emission spectrum of the exposure device. Here, the emission medium, that is to say the semiconductor of the light-emitting semiconductor component, is arranged and designed to emit this electromagnetic radiation.

Bevorzugte lichtemittierende Halbleiterbauelemente sind Leuchtdioden (LED), oder Laserdioden (auch Halbleiterlaser genannt), oder Mischungen dieser, wobei Leuchtdioden hier besonders bevorzugt sind.Preferred light-emitting semiconductor components are light-emitting diodes (LED), or laser diodes (also called semiconductor lasers), or mixtures of these, with light-emitting diodes being particularly preferred here.

Eine besonders bevorzugte LED ist eine IR-LED (Infrarot-LED) oder eine UV-LED (Ultraviolett-LED) oder beides. Eine bevorzugte UV-LED ist eine, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus eine UV-A-LED, einer UV-B-LED, und einer UV-C-LED, oder eine Kombination aus mindestens zwei davon. Eine IR-LED eine LED, die zu einem Abstrahlen von Licht mit einem Spektrum, beinhaltend eine Peakwellenlänge in einem IR-Wellenlängenbereich, angeordnet und ausgebildet ist. Eine UV-LED ist eine LED, die zu einem Abstrahlen von Licht mit einem Spektrum, beinhaltend eine Peakwellenlänge in einem UV-Wellenlängenbereich, angeordnet und ausgebildet ist. Ein bevorzugter UV-Wellenlängeneberich ist ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einem UV-A-Wellenlängenbereich, einem UV-B-Wellenlängenbereich, und einem UV-C-Wellenlängenbereich, oder aus einer Kombination aus mindestens zwei davon.A particularly preferred LED is an IR LED (infrared LED) or a UV LED (ultraviolet LED) or both. A preferred UV-LED is one selected from the group consisting of a UV-A-LED, a UV-B-LED, and a UV-C-LED, or a combination of at least two thereof. An IR-LED is an LED that is arranged and configured to emit light having a spectrum including a peak wavelength in an IR wavelength range. A UV LED is an LED that is arranged and designed to emit light with a spectrum including a peak wavelength in a UV wavelength range. A preferred UV wavelength range is selected from the group consisting of a UV-A wavelength range, a UV-B wavelength range, and a UV-C wavelength range, or a combination of at least two thereof.

Ein bevorzugtes lichtemittierendes Halbleiterbauelement beinhaltet neben einem Halbleiterchip als Emissionsmedium bevorzugt zusätzlich mindestens eine den mindesten einen Halbleiterchip in einer Emissionsrichtung überlagernde Optik, oftmals eine Primäroptik. Im Fall einer LED als lichtemittierendes Halbleiterbauelement wird der vorstehende Aufbau, beinhaltend ein den Halbleiterchip tragendes Substrat, den Halbleiterchip selbst und, optional, eine oder mehrere Optiken, im technischen Gebiet auch als Package bezeichnet. Package und LED werden oft synonym verwendet. Im Fall der im Rahmen der Erfindung ebenfalls in Frage kommenden Chip-on-Board-Technologie sind mehrere Halbleiterchips auf einem gemeinsamen Substrat angeordnet. In diesen Fall beinhaltet das Package also mehrere Halbleiterchips. Allgemein kann ein Package weitere Elemente wie elektrische Kontakte, Schutzschaltungen und Elemente zur Wärmeabfuhr beinalten.A preferred light-emitting semiconductor component, in addition to a semiconductor chip as an emission medium, preferably also contains at least one optical system, often a primary optical system, which overlays the at least one semiconductor chip in an emission direction. In the case of an LED as a light-emitting semiconductor component, the above structure, including a substrate carrying the semiconductor chip, the semiconductor chip itself and, optionally, one or more optics, is also referred to as a package in the technical field. Package and LED are often used synonymously. In the case of the chip-on-board technology, which is also possible within the scope of the invention, a plurality of semiconductor chips are arranged on a common substrate. In this case, the package contains several semiconductor chips. In general, a package can contain further elements such as electrical contacts, protective circuits and elements for heat dissipation.

Elektromagnetische StrahlungElectromagnetic radiation

Der Begriff elektromagnetische Strahlung wird hierin synonym zum Begriff Licht verwendet. Beides umfasst neben sichtbarem Licht auch für das menschliche Auge nicht sichtbare Bestandteile des elektromagnetischen Spektrums. Bevorzugte elektromagnetische Strahlung liegt im Wellenlängenbereich von 10 nm bis 1 mm. Ferner bevorzugte elektromagnetische Strahlung ist Infrarotstrahlung (IR-Strahlung) oder ultraviolette Strahlung (UV-Strahlung) oder eine Mischung aus beiden. Gemäß der Norm DIN 5031-7 erstreckt sich der Wellenlängenbereich der UV-Strahlung von 10 bis 380 nm. Hierbei liegt UV-A-Strahlung definitionsgemäß im Bereich von 315 bis 380 nm, UV-B-Strahlung im Bereich von 280 bis 315 nm, UV-C-Strahlung im Bereich von 100 bis 280 nm, und EUV-Strahlung im Bereich von 10 bis 121 nm. Im Rahmen der Erfindung ist UV-Strahlung, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus UV-A-Strahlung, UV-B-Strahlung, und UV-C-Strahlung, oder eine Kombination aus mindestens zwei davon besonderes bevorzugt. Hierbei ist zu berücksichtigen, dass die vorgenannte Norm zwar die Wellenlängenbereiche von UV-Strahlung definiert, im technischen Gebiet der LED jedoch auch LED mit Maxima der abgestrahlten Intensität (im technischen Gebiet auch Peakwellenlänge genannt) bei Wellenlängen, die nicht in den in der Norm angegebenen Wellenlängenbereichen liegen, als UV-LED bezeichnet werden. Beispielsweise werden auch LED mit Maxima der abgestrahlten Intensität bei Wellenlängen von 385 nm, 395 nm und 405 nm als UV-A-LED bezeichnet. Im Rahmen der Erfindung gehören auch solche LED zu den bevorzugten lichtemittierenden Halbleiterbauelementen. Ferner wird hier die Bezeichnungsweise des technischen Gebiets übernommen und auch solche LED als UV-LED bezeichnet.The term electromagnetic radiation is used synonymously with the term light. In addition to visible light, both include components of the electromagnetic spectrum that are invisible to the human eye. Preferred electromagnetic radiation is in the wavelength range from 10 nm to 1 mm. Further preferred electromagnetic radiation is infrared radiation (IR radiation) or ultraviolet radiation (UV radiation) or a mixture of both. According to the DIN 5031-7 standard, the wavelength range of UV radiation extends from 10 to 380 nm. By definition, UV-A radiation is in the range from 315 to 380 nm, UV-B radiation in the range from 280 to 315 nm, UV-C radiation in the range from 100 to 280 nm, and EUV radiation in the range from 10 to 121 nm. In the context of the invention, UV radiation is selected from the group consisting of UV-A radiation and UV-B Radiation, and UV-C radiation, or a combination of at least two of them are particularly preferred. It must be taken into account here that the above-mentioned standard defines the wavelength ranges of UV radiation, but in the technical field of LEDs also LEDs with maxima of the emitted intensity (in the technical field also called peak wavelength) at wavelengths that are not specified in the standard Wavelength ranges are referred to as UV-LED. For example, LEDs with maxima of the emitted intensity at wavelengths of 385 nm, 395 nm and 405 nm are also referred to as UV-A LEDs. In the context of the invention, such LEDs also belong to the preferred light-emitting semiconductor components. Furthermore, the designation of the technical field is adopted here and such LEDs are also referred to as UV LEDs.

MesseinrichtungMeasuring device

Als Messeinrichtung kommt im Rahmen der Erfindung grundsätzliche jede dem Fachmann geeignet erscheinende Messeinrichtung, insbesondere zum Messen eines Spannungsabfalls an den lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelementen, in Frage. Eine bevorzugte Messeinrichtung ist eine elektrische Messeinrichtung. Die elektrische Messschaltung der Messeinrichtung ist bevorzugt eine Spannungsmessschaltung. Wird hierin auf eine Spannung oder einen Spannungsabfall referenziert ist stets eine elektrische Spannung bzw. ein Abfall einer elektrischen Spannung an einem Element gemeint. Ein bevorzugter Spannungsabfall bzw. eine bevorzugte Spannung einer LED als lichtemittierendes Halbleiterbauelement ist eine Vorwärtsspannung der LED.In the context of the invention, any measuring device that appears suitable to a person skilled in the art, in particular for measuring a voltage drop across the light-emitting reference semiconductor components, can be considered as the measuring device. A preferred measuring device is an electrical measuring device. The electrical measuring circuit of the measuring device is preferably a voltage measuring circuit. If reference is made here to a voltage or a voltage drop, an electrical voltage or a drop in an electrical voltage at an element is always meant. A preferred voltage drop or a preferred voltage of an LED as light emitting semiconductor device is a forward voltage of the LED.

SelektionsschaltungSelection circuit

Als Selektionsschaltung kommt im Rahmen der Erfindung grundsätzlich jede dem Fachmann geeignet erscheinende Selektionsschaltung in Frage. Hierbei ist eine Selektionsschaltung eine elektrische Schaltung, mit der aus einer Anzahl von elektrischen Eingangssignalen genau eines ausgewählt und an einen Ausgang durchgeschaltet werden kann. Hierzu kann die Selektionsschaltung einen Multiplexer oder einen Demultiplexer oder beides beinhalten.In principle, any selection circuit that appears suitable to a person skilled in the art can be considered as a selection circuit within the scope of the invention. In this case, a selection circuit is an electrical circuit with which precisely one can be selected from a number of electrical input signals and switched through to an output. For this purpose, the selection circuit can contain a multiplexer or a demultiplexer or both.

SteuereinrichtungControl device

Als Steuereinrichtung kommt im Rahmen der Erfindung grundsätzlich jede dem Fachmann geeignet erscheinende Steuereinrichtung in Frage. Eine bevorzugte Steuereinrichtung ist ein elektronischer Steuerschaltkreis. Dieser beinhaltet bevorzugt eine geeignete logische Schaltung. Bevorzugt beinhaltet die Steuereinrichtung geeignete dem Fachmann bekannte Mittel zur elektronischen Signal- und/oder Datenverarbeitung, beispielsweise einen Mikrocontroller.In principle, any control device that appears suitable to a person skilled in the art can be used as the control device in the context of the invention. A preferred control device is an electronic control circuit. This preferably includes a suitable logic circuit. The control device preferably contains suitable means for electronic signal and / or data processing known to those skilled in the art, for example a microcontroller.

DruckmaschinePrinting press

Als erfindungsgemäße Druckmaschine kommt jede Art Druckmaschine in Betracht, die sich zum Einsatz der erfindungsgemäßen Anordnung eignet. Eine bevorzugte Druckmaschine ist zu einem Durchführen des erfindungsgemäßen Verfahrens nach einer seiner Ausführungsformen ausgebildet. Bevorzugt ist die Belcihtungseinrichtung in der Druckmaschine zu einem Bestrahlen einer auf einen Druckträger gedruckten Zusammensetzung angeordnet und ausgebildet. Die Zusammensetzung ist vorzugsweise eine Druckfarbe oder ein Lack oder beides. Eine bevorzugte Druckmaschine ist eine druckbildspeicherlose Druckmaschine. Eine bevorzugte druckbildspeicherlose Druckmaschine ist für ein berührungsloses Drucken (Non Impact Printing - NIP) ausgebildet. Eine bevorzugte druckbildspeicherlose Druckmaschine ist ein Tintenstrahldrucker oder ein Laserdrucker oder beides. Eine alternativ bevorzugte Druckmaschine beinhaltet einen Druckbildspeicher. Ein bevorzugter Druckbildspeicher ist eine Druckwalze oder eine Druckplatte. Ferner ist eine bevorzugte Druckmaschine für ein indirektes Drucken mittels des Druckbildspeichers angeordnet und ausgebildet. Eine bevorzugte Druckmaschine für ein indirektes Drucken ist eine Offset-Druckmaschine. Eine bevorzugte Offset-Druckmaschine ist eine Bogen-Offset-Druckmaschine.Any type of printing machine that is suitable for use with the arrangement according to the invention can be considered as the printing machine according to the invention. A preferred printing press is designed to carry out the method according to the invention according to one of its embodiments. The exposure device is preferably arranged and designed in the printing machine for irradiating a composition printed on a print carrier. The composition is preferably a printing ink or a varnish or both. A preferred printing machine is a printing machine without print image storage. A preferred printing machine without print image storage is designed for non-impact printing (NIP). A preferred printing machine without print image storage is an ink jet printer or a laser printer or both. An alternatively preferred printing press includes a print image memory. A preferred print image memory is a printing roller or a printing plate. Furthermore, a preferred printing machine is arranged and designed for indirect printing by means of the print image memory. A preferred printing machine for indirect printing is an offset printing machine. A preferred offset printing machine is a sheet-fed offset printing machine.

Belichtungsobj ektExposure obj ect

Als Belichtungsobjekt kommt grundsätzlich jedes Objekt in Betracht, welches mittels Bestrahlen mit Licht der Belichtungseinrichtung unter Erhalt des Erzeugnisses modifiziert werden kann. Hierbei kann das Bestrahlen selbst die Modifizierung auslösen oder diese ermöglichen. Das Modifizieren kann hierbei eines, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einem physikalischen Modifizieren, einem chemischen Modifizieren, und einem biologischen Modifizieren, oder eine Kombination aus mindestens zwei davon sein. Ein bevorzugtes physikalisches Modifizieren beinhaltet eines, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einem Verformen, einem Fügen, einem Einstellen einer Oberflächenspannung, und einem Verdampfen, oder eine Kombination aus mindestens zwei davon. Ein bevorzugtes Verformen ist ein Tiefziehen oder ein Prägen oder beides. Ein bevorzugtes Fügen ist ein Schweißen oder ein Laminieren oder beides. Ein bevorzugtes chemisches Modifizieren beinhaltet eine chemische Reaktion. Eine bevorzugte chemische Reaktion ist eine Polymerisationsreaktion oder eine Vernetzungsreaktion oder beides. Ein bevorzugtes biologisches Modifizieren beinhaltet ein Reduzieren einer Keimzahl mittels Bestrahlen mit der elektromagnetischen Strahlung. Bevorzugt beinhaltet das Belichtungsobjekt ein, vorzugsweise flächenförmiges, Substrat und eine Zusammensetzung. In einer bevorzugten Ausgestaltung beinhaltet das, vorzugsweise flächenförmige, Substrat die Zusammensetzung. In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung überlagert die Zusammensetzung das Substrat mindestens teilweise auf einer der Belichtungseinrichtung zugewandten Seite des Substrats. Die Zusammensetzung beinhaltet bevorzugt eine Flüssigkeit, bevorzugter ist die Zusammensetzung eine Flüssigkeit. Die Flüssigkeit beinhaltet bevorzugt ein Lösungsmittel oder einen Initiator für eine chemische Reaktion oder beides. Bevorzugter ist die Flüssigkeit ein Lösungsmittel oder ein Initiator für eine chemische Reaktion oder beides. Im Fall eines Lösungsmittels ist die Belichtungseinrichtung, besonders bevorzugt hinsichtlich ihrer Ausgangsstrahlungsleistung oder hinsichtlich ihres Emissionsspektrums des Lichts oder beides, bevorzugt dazu ausgebildet, das Lösungsmittel mittels Bestrahlen des Belichtungsobjekts mit dem Licht mindestens teilweise zu verdampfen. Ein bevorzugtes Lösungsmittel ist Wasser oder ein organisches Lösungsmittel oder beides. Im Fall eines Initiators für eine chemische Reaktion ist die Leuchte, besonders bevorzugt hinsichtlich ihrer Ausgangsstrahlungsleistung oder hinsichtlich ihres Emissionsspektrums des Lichts oder beides, bevorzugt dazu ausgebildet, die chemische Reaktion mittels Bestrahlen des Belichtungsobjekts mit dem Licht zu initiieren. Ein bevorzugtes flächenförmiges Substrat ist beinhaltet eine faserhaltiges Material wie beispielsweise Papier, Pappe, Karton, oder Flies wie beispielsweise für Sanitärartikel wie Windeln oder Damenbinden. Besonders bevorzugt besteht das Substrat aus dem faserhaltigen Material. Ein weiteres bevorzugtes flächenförmiges Substrat ist eine Folie, bevorzugt eine Polymerfolie, oder ein Laminat, beinhaltend mehrere Schichten wie beispielsweise Polymerschichten. Eine bevorzugte Zusammensetzung ist ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einer Druckfarbe, einer Tinte, und einem Lack, oder eine Kombination aus mindestens zwei davon. Eine bevorzugte Tinte ist eine Dispersionstinte. In einer erfindungsgemäßen Ausgestaltung ist das Belichtungsobjekt ein mit einer Drucktinte bedruckter Bedruckstoff. In einer weiteren erfindungsgemäßen Ausgestaltung ist das Belichtungsobjekt ein wasserhaltiges Objekt wie beispielsweise ein Flies, welches durch Bestrahlen mit dem Licht getrocknet werden kann. In einer weiteren erfindungsgemäßen Ausgestaltung ist das Belichtungsobjekt ein mit einem Schutzlack überlagertes Substrat, wobei der Schutzlack durch Bestrahlen mit dem Licht gehärtet werden kann. In einer weiteren erfindungsgemäßen Ausgestaltung ist das Belichtungsobjekt ein Rohling, welcher durch Bestrahlen mit dem Licht mindestens teilweise verformbar gemacht werden kann, so dass der Rohling beispielsweise durch Tiefziehen zu einem Formkörper verarbeitet werden kann oder geprägt werden kann.In principle, any object that can be modified by irradiating with light from the exposure device while retaining the product can be considered as the exposure object. In this case, the irradiation itself can trigger the modification or enable it. The modification can be one selected from the group consisting of a physical modification, a chemical modification, and a biological modification, or a combination of at least two thereof. A preferred physical modification includes one selected from the group consisting of deforming, joining, adjusting a surface tension, and evaporation, or a combination of at least two thereof. A preferred deformation is deep drawing or stamping or both. A preferred joining is welding or lamination or both. Preferred chemical modification involves a chemical reaction. A preferred chemical reaction is a polymerization reaction or a crosslinking reaction or both. A preferred biological modification includes reducing a germ count by means of exposure to the electromagnetic radiation. The exposure object preferably contains a, preferably sheet-like, substrate and a composition. In a preferred embodiment, the preferably sheet-like substrate contains the composition. In a further preferred embodiment, the composition overlays the substrate at least partially on a side of the substrate facing the exposure device. The composition preferably includes a liquid, more preferably the composition is a liquid. The liquid preferably contains a solvent or an initiator for a chemical reaction or both. More preferably the liquid is a solvent or an initiator for a chemical reaction, or both. In the case of a solvent, the exposure device, particularly preferably with regard to its output radiation power or with regard to its emission spectrum of the light or both, is preferably designed to at least partially evaporate the solvent by irradiating the exposure object with the light. A preferred solvent is water or an organic solvent or both. In the case of an initiator for a chemical reaction, the luminaire, particularly preferably with regard to its output radiation power or with regard to its emission spectrum of the light or both, is preferably designed to initiate the chemical reaction by irradiating the exposure object with the light. A preferred sheet-like substrate includes a fiber-containing material such as paper, cardboard, cardboard, or fleece such as for example for sanitary articles such as diapers or sanitary towels. The substrate particularly preferably consists of the fiber-containing material. Another preferred sheet-like substrate is a film, preferably a polymer film, or a laminate containing several layers such as polymer layers. A preferred composition is selected from the group consisting of a printing ink, an ink, and a varnish, or a combination of at least two thereof. A preferred ink is a disperse ink. In an embodiment according to the invention, the object to be exposed is a printing material printed with a printing ink. In a further embodiment according to the invention, the object to be exposed is a water-containing object such as, for example, a fleece, which can be dried by being irradiated with the light. In a further embodiment according to the invention, the object to be exposed is a substrate overlaid with a protective lacquer, it being possible for the protective lacquer to be hardened by exposure to light. In a further embodiment according to the invention, the object to be exposed is a blank which can be made at least partially deformable by irradiating with the light, so that the blank can be processed into a shaped body or can be embossed, for example by deep drawing.

ÜberlagernOverlay

Wird hierin definiert, dass ein Element, beispielsweise eine Schicht oder ein Bauteil, ein anderes Element überlagert, so können diese Elemente unmittelbar, das heißt ohne dazwischenliegendes weiteres Element, aufeinanderfolgen oder mittelbar, das heißt mit mindestens einem dazwischenliegenden weiteren Element. Unmittelbar aufeinanderfolgende Elemente grenzen bevorzugt aneinander an, das heißt, dass sie miteinander kontaktiert sind. Ferner sind einander überlagernde Elemente vorzugsweise miteinander verbunden. Einander überlagernde Elemente können mittelbar oder unmittelbar miteinander verbunden sein. Zwei Elemente sind miteinander verbunden, wenn ihre Haftung aneinander über Van-der-Waals-Anziehungskräfte hinausgeht. Miteinander verbundene Elemente sind bevorzugt eines ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus miteinander verlötet, verschweißt, versintert, verschraubt, und miteinander verklebt, oder eine Kombination aus mindestens zwei davon. Eine Formulierung, in der eine Schichtfolge aufgezählte Schichten oder Beschichtungen beinhaltet, bedeutet, dass zumindest die angegebenen Schichten oder Beschichtungen in der angegebenen Reihenfolge vorliegen. Diese Formulierung besagt nicht zwingend, dass diese Schichten oder Beschichtungen unmittelbar aufeinander folgen. Eine Formulierung, in der zwei Schichten aneinander angrenzen, besagt, dass diese beiden Schichten unmittelbar und somit ohne Zwischenschicht aufeinanderfolgen. Überlagert in einer Schichtfolge eine Schicht eine andere Schicht, so überlagert die Schicht die andere Schicht nicht zwingend über die gesamte Fläche der einen oder anderen Schicht, jedoch vorzugsweise über einen flächigen Bereich der beiden Schichten. Die die Schichtfolge bildenden Schichten sind bevorzugt flächig miteinander verbunden.If it is defined herein that an element, for example a layer or a component, is superimposed on another element, these elements can follow one another directly, i.e. without any further element in between, or indirectly, i.e. with at least one further element in between. Immediately successive elements preferably adjoin one another, that is to say that they are in contact with one another. Furthermore, elements overlying one another are preferably connected to one another. Overlapping elements can be directly or indirectly connected to one another. Two elements are connected if their adhesion to one another exceeds van der Waals forces of attraction. Elements connected to one another are preferably one selected from the group consisting of soldered, welded, sintered, screwed and glued to one another, or a combination of at least two thereof. A formulation in which a layer sequence contains enumerated layers or coatings means that at least the specified layers or coatings are present in the specified order. This formulation does not necessarily mean that these layers or coatings follow one another directly. A formulation in which two layers adjoin one another means that these two layers follow one another directly and therefore without an intermediate layer. If a layer overlaps another layer in a layer sequence, the layer does not necessarily overlap the other layer over the entire surface of one or the other layer, but preferably over a flat area of the two layers. The layers forming the layer sequence are preferably connected to one another over a large area.

VielzahlVariety

Der Begriff „Vielzahl“ bedeutet hierin stets, dass die Vielzahl mindestens zwei der genannten Elemente beinhaltet. Bevorzugt beinhaltet die Vielzahl mindestens 3, bevorzugter mindestens 4, bevorzugter mindestens 5, bevorzugter mindestens 10, bevorzugter mindestens 15, bevorzugter mindestens 20, bevorzugter mindestens 30, bevorzugter mindestens 40, noch bevorzugter mindestens 50, der genannten Elemente beinhaltet.The term “plurality” here always means that the plurality contains at least two of the elements mentioned. The plurality preferably includes at least 3, more preferably at least 4, more preferably at least 5, more preferably at least 10, more preferably at least 15, more preferably at least 20, more preferably at least 30, more preferably at least 40, even more preferably at least 50 of the elements mentioned.

Gruppengroups

Wird sich hierin auf einen Teil der Gruppen der lichtemittierenden Halbleiterbauelemente bezogen, so beinhaltet dieser Teil bevorzugt mindestens 50 % der Gruppen, bevorzugter mindestens 60 % der Gruppen, bevorzugter mindestens 70 % der Gruppen, noch bevorzugter mindestens 80 % der Gruppen, am bevorzugtesten mindestens 90 % der Gruppen.If a part of the groups of the light-emitting semiconductor components is referred to herein, this part preferably contains at least 50% of the groups, more preferably at least 60% of the groups, more preferably at least 70% of the groups, even more preferably at least 80% of the groups, most preferably at least 90 % of groups.

HärtenHardening

Das Härten einer Zusammensetzung ist hierin ein Verfestigen der Zusammensetzung, wobei aus der Zusammensetzung eine Schicht erhalten wird, welche bei dem Härten bevorzugt auch mit dem darunterliegenden Substrat verbunden wird. Bei der Schicht kann es sich um eine zusammenhängende Schicht handeln, was im Fall eines Lacks als Zusammensetzung bevorzugt ist, oder um eine nicht zusammenhängende Schicht, beispielsweise in Form von aus einer Druckfarbe gebildeten Buchstaben. Ein bevorzugtes Härten ist ein physikalisches Härten oder ein chemisches Härten oder beides. Ein bevorzugtes physikalisches Härten ist ein Trocknen. Ein Trocknen beinhaltet vorzugsweise ein Verringern eines Anteils eines Vehikels in der Zusammensetzung, vorzugsweise auf 0 Gew.-%, bevorzugt durch Verdampfen des Vehikels. Ein bevorzugtes Vehikel ist ein organisches Vehikel oder ein anorganisches Vehikel. Als anorganisches Vehikel ist Wasser bevorzugt. Ein weiteres bevorzugtes Vehikel ist ein Lösemittel. Ein chemisches Härten beinhaltet eine chemische Reaktion. Eine bevorzugte chemische Reaktion ist eine Polymerisationsreaktion oder eine Vernetzungsreaktion oder beides. Handelt es sich bei der Zusammensetzung um eine pulverförmige Zusammensetzung beinhaltet das Härten ein Verbinden von Partikeln der pulverförmigen Zusammensetzung unter Erhalt eines zusammenhängenden Festkörpers, welcher bevorzugt zudem mit dem darunterliegenden Substrat verbunden ist. Im Fall einer flüssigen Zusammensetzung geht diese bei dem Härten von dem flüssigen Zustand in den festen Zustand über.The curing of a composition is herein a solidification of the composition, a layer being obtained from the composition which, during curing, is preferably also bonded to the underlying substrate. The layer can be a continuous layer, which is preferred as a composition in the case of a lacquer, or a non-continuous layer, for example in the form of letters formed from a printing ink. Preferred hardening is physical hardening or chemical hardening or both. A preferred physical hardening is drying. Drying preferably involves reducing a proportion of a vehicle in the composition, preferably to 0% by weight, preferably by evaporating the vehicle. A preferred vehicle is an organic vehicle or an inorganic vehicle. Water is preferred as the inorganic vehicle. Another preferred vehicle is a solvent. Chemical hardening involves a chemical reaction. A preferred chemical reaction is a polymerization reaction or a crosslinking reaction or both. If the composition is a powdery composition, the curing includes bonding particles of the powdery composition to obtain a coherent solid, which is preferably also connected to the underlying substrate. In the case of a liquid composition, it changes from the liquid state to the solid state on hardening.

DruckträgerPrint carrier

Als Druckträger, auch Bedruckstoff genannt, kommt jedes dem Fachmann im Rahmen der Erfindung geeignet erscheinende Objekt in Frage. Ein bevorzugter Druckträger ist flächenförmig ausgebildet. Dies bedeutet, dass eine Länge und eine Breite des Druckträgers um einen Faktor von mindestens 10, bevorzugter mindestens 100, noch bevorzugter mindestens 1000, größer sind als eine Dicke des Druckträgers. Ein bevorzugter flächenförmiger Druckträger ist bahnförmig ausgebildet. Dies bedeutet, dass eine Länge des Druckträgers um einen Faktor von mindestens 2, bevorzugter mindestens 5, noch bevorzugter mindestens 10, am bevorzugtesten mindestens 100, größer sind als eine Breite des Druckträgers. Ein bevorzugter Druckträger beinhaltet, bevorzugt besteht aus, Papier, ein Folie oder ein Laminat. Ein bevorzugtes Laminat beinhaltet eine oder mehrere Polymerschichten, eine oder mehrere Papierschichten, eine oder mehrere Metallschichten, oder eine Kombination der vorgenannten Schichten in einer Schichtfolge.Any object that appears suitable to the person skilled in the art within the scope of the invention can be used as the print carrier, also called printing material. A preferred print carrier is flat. This means that a length and a width of the print carrier are greater than a thickness of the print carrier by a factor of at least 10, more preferably at least 100, even more preferably at least 1000. A preferred planar print carrier is designed in the form of a web. This means that a length of the print carrier is greater than a width of the print carrier by a factor of at least 2, more preferably at least 5, even more preferably at least 10, most preferably at least 100. A preferred print carrier includes, preferably consists of, paper, a film or a laminate. A preferred laminate contains one or more polymer layers, one or more paper layers, one or more metal layers, or a combination of the aforementioned layers in a layer sequence.

DruckfarbePrinting ink

Druckfarben sind farbmittelhaltige Gemische, die eine geeignete Viskosität zu einem Auftragen als dünne Schicht haben. Hierbei hat die dünne Schicht in ausgehärtetem Zustand bevorzugt eine Dicke (Trockendicke) in einem Bereich von 0,5 bis 50 µm, bevorzugt von 1 bis 30 µm, bevorzugter von 1 bis 20 µm. Eine bevorzugte Druckfarbe beinhaltet eines, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einem oder mehreren Farbmitteln, einem Bindemittel, einer Vehikel, und einem Additiv, oder eine Kombination aus mindestens zwei, bevorzugt alle, der Vorgenannten. Ein bevorzugtes Bindemittel ist hierbei ein Harz oder ein Polymer oder eine Mischung aus beiden. Ein bevorzugtes Vehikel ist ein Lösungsmittel. Ein bevorzugtes Additiv dient zu einem Einstellen einer gewünschten Eigenschaft der Druckfarbe, bevorzugt einer gewünschten Verarbeitungseigenschaft, beispielsweise einer Viskosität der Druckfarbe. Ein bevorzugtes Additiv ist eines, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einem Dispergieradditiv, einem Entschäumer, einem Wachs, einem Gleitmittel, und einem Substratnetzmittel, oder eine Kombination aus mindestens zwei davon. Ferner ist eine bevorzugte Druckfarbe eine, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einem Toner, einer Tinte für einen Tintenstrahldrucker, einer Offset-druckfarbe, einer Illustrationsdruckfarbe, einer Flüssigfarbe, und einer strahlenhärtendes Druckfarbe, oder eine Kombination aus mindestens zwei davon. Eine bevorzugte Offset-Druckfarbe ist eine Rollenoffset-Druckfarbe oder eine Bogenoffset-Druckfarbe oder beides. Eine bevorzugte Rollenoffset-Druckfarbe ist eine Rollenoffset-Coldsetdruckfarbe oder eine Rollenoffset-Heatsetdruckfarbe oder beides. Eine bevorzugte Flüssigfarbe ist eine wasserbasierte Flüssigfarbe oder eine lösemittelbasierte Flüssigfarbe oder beides. Eine besonders bevorzugte Druckfarbe beinhaltet zu 8 bis 15 Gew.-% mindestens ein Farbmittel, bevorzugt mindestens ein Pigmet, und zu insgesamt 25 bis 40 Gew.-% mindestens ein Harz oder mindestens ein Polymer oder eine Mischung der beiden, zu 30 bis 45 Gew.-% mindestens ein hochsiedendes Mineralöl (Siedebereich 250 bis 210 °C), und zu insgesamt 2 bis 8 Gew.-% mindestens ein Additiv, jeweils bezogen auf das Gewicht der Druckfarbe.Printing inks are mixtures containing colorants that have a suitable viscosity for application as a thin layer. In this case, the thin layer in the cured state preferably has a thickness (dry thickness) in a range from 0.5 to 50 μm, preferably from 1 to 30 μm, more preferably from 1 to 20 μm. A preferred printing ink includes one selected from the group consisting of one or more colorants, a binder, a vehicle, and an additive, or a combination of at least two, preferably all of the foregoing. A preferred binder here is a resin or a polymer or a mixture of both. A preferred vehicle is a solvent. A preferred additive is used to set a desired property of the printing ink, preferably a desired processing property, for example a viscosity of the printing ink. A preferred additive is one selected from the group consisting of a dispersing additive, a defoamer, a wax, a lubricant, and a substrate wetting agent, or a combination of at least two thereof. Further, a preferred printing ink is one selected from the group consisting of a toner, an ink for an ink jet printer, an offset printing ink, an illustration printing ink, a liquid color, and a radiation curing printing ink, or a combination of at least two thereof. A preferred offset printing ink is a web offset printing ink or a sheet offset printing ink or both. A preferred web offset printing ink is a web offset coldset printing ink or a web offset heatset printing ink or both. A preferred liquid color is a water-based liquid color or a solvent-based liquid color or both. A particularly preferred printing ink contains 8 to 15% by weight of at least one colorant, preferably at least one pigment, and a total of 25 to 40% by weight of at least one resin or at least one polymer or a mixture of the two, 30 to 45% by weight .-% at least one high-boiling mineral oil (boiling range 250 to 210 ° C), and a total of 2 to 8 wt .-% at least one additive, each based on the weight of the printing ink.

Lackpaint

Ein Lack ist ein flüssiger oder auch pulverförmiger Beschichtungsstoff, der eine geeignete Viskosität zu einem Auftragen als dünne Schicht hat und aus dem durch ein Härten ein fester, vorzugsweise zusammenhängender, Film erhältlich ist. Lacke beinhalten oftmals mindestens eines, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus mindestens einem Bindemittel, mindestens einem Füllstoff, mindestens einem Vehikel, mindestens einem Farbmittel, mindestens einem Harz und/oder mindestens einem Acrylat, und mindestens einem Additiv, oder eine Kombination aus mindestens zwei davon, wobei eine Kombination aller vorgenannten Bestandteile (mit Harz und/oder Acrylat) bevorzugt ist. Ein bevorzugtes Additiv ist hierbei ein Biozid. Ein bevorzugtes Biozid ist ein Topf-Konservierer. Lacke dienen oftmals zum Schutz des damit versehenen Objekts, der Dekoration, eine Funktionalisierung einer Oberfläche des Objekts, beispielsweise einer Veränderung elektrischer Eigenschaften oder einer Beständigkeit gegen Abrieb, oder einer Kombination der vorgenannten Funktionen. Ein im Rahmen der Erfindung bevorzugter Lack ist einer, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einem wasserbasierten Lack, einem lösemittelbasierten Lack, einem UV-basierten, also UV-härtbaren, Lack, und einem Dispersionslack, oder eine Kombination aus mindestens zwei davon. Ein besonders bevorzugter Lack ist zum Schutz einer bedruckten Oberfläche ausgebildet.A lacquer is a liquid or powdery coating material which has a suitable viscosity for application as a thin layer and from which a solid, preferably cohesive, film can be obtained by curing. Paints often contain at least one selected from the group consisting of at least one binder, at least one filler, at least one vehicle, at least one colorant, at least one resin and / or at least one acrylate, and at least one additive, or a combination of at least two thereof, a combination of all of the aforementioned constituents (with resin and / or acrylate) being preferred. A preferred additive here is a biocide. A preferred biocide is a pot preservative. Varnishes are often used to protect the object provided with them, the decoration, a functionalization of a surface of the object, for example a change in electrical properties or resistance to abrasion, or a combination of the aforementioned functions. A lacquer that is preferred in the context of the invention is one selected from the group consisting of a water-based lacquer, a solvent-based lacquer, a UV-based, i.e. UV-curable lacquer, and a dispersion lacquer, or a combination of at least two thereof. A particularly preferred lacquer is designed to protect a printed surface.

FarbmittelColorants

Als Farbmittel kommen dem Fachmann bekannte und für die vorliegende Erfindung geeignete sowohl feste und flüssige in Betracht. Farbmittel ist nach DIN 55943:2001-10 die Sammelbezeichnung für alle farbgebenden Stoffe, insbesondere für Farbstoffe und Pigmente. Ein bevorzugtes Farbmittel ist ein Pigment. Ein bevorzugtes Pigment ist ein organisches Pigment. Im Zusammenhang mit der Erfindung beachtliche Pigmente sind insbesondere die in der DIN 55943:2001-10 und die in „Industrial Organic Pigments, Third Edition.“ ( Willy Herbst, Klaus Hunger Copyright © 2004 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim ISBN: 3-527-30576-9 ) erwähnten Pigmente. Ein Pigment ist ein Farbmittel, das bevorzugt in dem Anwendungsmedium unlöslich ist. Ein Farbstoff ist ein Farbmittel, das bevorzugt in dem Anwendungsmedium löslich ist.Both solid and liquid colorants known to the person skilled in the art and suitable for the present invention come into consideration. Colorant is after DIN 55943: 2001-10 the collective name for all coloring substances, especially for dyes and pigments. A preferred colorant is a pigment. A preferred pigment is an organic pigment. In connection with the Pigments notable for the invention are in particular those in the DIN 55943: 2001-10 and those in "Industrial Organic Pigments, Third Edition." ( Willy Herbst, Klaus Hunger Copyright © 2004 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim ISBN: 3-527-30576-9 ) mentioned pigments. A pigment is a colorant that is preferably insoluble in the application medium. A dye is a colorant that is preferably soluble in the application medium.

VerfahrensschritteProcedural steps

In einem hierin beschriebenen Verfahren erfolgen die Verfahrensschritte einer Schrittfolge in der angegebenen Reihenfolge ihrer Ordnungszeichen. Dabei können die Schritte einer Schrittfolge mittelbar oder unmittelbar aufeinander folgen. Ferner können aufeinanderfolgende Verfahrensschritte zeitlich nacheinander, in zeitlichem Überlapp der auch gleichzeitig erfolgen.In a method described here, the method steps of a sequence of steps take place in the specified order of their order symbols. The steps of a sequence of steps can follow one another directly or indirectly. Furthermore, successive method steps can take place one after the other, with a temporal overlap, and also simultaneously.

TrägerelementSupport element

Als Trägerelement kommt jedes dem Fachmann für den Einsatz in einer Belichtungseinrichtung der erfindungsgemäßen Anordnung geeignet erscheinende Bauteil in Frage. Ein bevorzugtes Trägerelement ist plattenförmig, also als Trägerplatte, ausgebildet. Ein besonders bevorzugtes Trägerelement ist eine Kühlplatte. Als Platte wird hierin ein flächenförmig ausgebildetes Element bezeichnet, dessen Dicke an jeder Stelle um mindestens einen Faktor 2, bevorzugter mindestens 5, geringer ist als jeweils dessen Länge und Breite. Das Trägerelement besteht vorzugsweise zu mindestens 80 Gew.-%, bevorzugter zu mindestens 90 Gew.-%, noch bevorzugter zu mindestens 95 Gew.-%, aus einem Material mit einer Wärmeleitfähigkeit von mindestens 50 W/(m·K), bevorzugter mindestens 100 W/(m·K), noch bevorzugter mindestens 200 W/(m-K) „am bevorzugtesten mindestens 230 W/(m·K). Bevorzugt beinhaltet das Trägerelement zu mindestens 80 Gew.-%, bevorzugter zu mindestens 90 Gew.-%, noch bevorzugter zu mindestens 95 Gew.-%, ein Metall. Ein bevorzugtes Metall ist Kupfer oder Aluminium oder eine Legierung beinhaltend eines oder beide der vorgenannten Metalle. In einer bevorzugten Ausgestaltung bildet das vorgenannte Material einen Grundkörper des Trägerelements, welcher zudem eine oder mehrere Beschichtungen aufweisen kann. Eine bevorzugte Beschichtung besteht aus einem, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Nickel, Palladium, und Gold, oder aus einer Legierung, beinhaltend mindestens eines der vorgenannten Metalle. Beinhaltet das Trägerelement mehrere Beschichtungen, überlagern diese den Grundkörper vom Grundkörper nach außen bevorzugt in der vorgenannten Reihenfolge. Hierbei sind die Schichtfolgen Grundkörper, Nickelbeschichtung, Goldbeschichtung und auch Grundkörper, Nickelbeschichtung, Palladiumbeschichtung, Goldbeschichtung besonders bevorzugt. Das Trägerelement weist die vorgenannten Beschichtungen besonders bevorzugt mindestens auf der Seite seiner Trägeroberfläche auf. Bei den hierin als Trägerelement bezeichneten Elementen handelt es sich bevorzugt nicht um ein Substrat oder eine Platine einer LED oder eines LED-Moduls. Vielmehr ist das Trägerelement vorzugsweise ein Bauteil, auf dessen Trägeroberfläche eine Vielzahl von LED oder ein LED-Modul angeordnet sein können. Die Trägeroberfläche eines Trägerelements ist bevorzugt weitestgehend eben ausgebildet. Ferner sind die Trägerelemente der Vielzahl von Trägerelementen der Belichtungseinrichtung bevorzugt voneinander separate, also nicht einstückig miteinander ausgebildete, Elemente. Vielmehr ist jedes der Trägerelemente bevorzugt mit einem Grundelement der Belichtungseinrichtung, vorzugsweise lösbar, verbunden. Eine lösbare Verbindung besteht zwischen 2 Elementen dann, wenn eines der beiden Elemente mittelbar oder unmittelbar fest, vorzugsweise starr, mit dem anderen der beiden Elemente verbunden ist und diese Verbindung ohne eines der beiden Elemente und im Fall der mittelbaren Verbindung bevorzugt auch ohne ein dazwischenliegendes Element zu beschädigen oder zu zerstören gelöst werden kann. Hier sind die Trägerelemente bevorzugt entlang einer Richtung einer Länge des Grundelements nacheinander angeordnet. Alternativ können die Trägerelemente in Form eines Arrays, also eines zweidimensionalen Rasters, angeordnet sein. Auf jedem der Trägerelemente ist eine Gruppe von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen angeordnet. Hierbei kann jede Gruppe aus gleichen lichtemittierenden Halbleiterbauelementen oder einer Mischung verschiedener lichtemittierender Halbleiterbauelemente, insbesondere hinsichtlich eines Emissionsspektrums der lichtemittierenden Halbleiterbauelemente, bestehen. Ferner können die Gruppen gleich sein oder sich in ihrer Zusammensetzung unterscheiden. In jedem Fall sind die Gruppen dadurch identifiziert, dass die lichtemittierenden Halbleiterbauelemente jeder Gruppe auf einer Trägeroberfläche genau eines Trägerelements angeordnet sind.Any component that appears suitable to the person skilled in the art for use in an exposure device of the arrangement according to the invention can be used as the carrier element. A preferred carrier element is plate-shaped, that is to say as a carrier plate. A particularly preferred carrier element is a cooling plate. A sheet-like element is referred to herein as a plate, the thickness of which at each point is at least a factor of 2, more preferably at least 5, less than its length and width. The carrier element consists preferably of at least 80% by weight, more preferably at least 90% by weight, even more preferably at least 95% by weight, of a material with a thermal conductivity of at least 50 W / (m · K), more preferably at least 100 W / (m · K), more preferably at least 200 W / (mK), most preferably at least 230 W / (m · K). The carrier element preferably contains at least 80% by weight, more preferably at least 90% by weight, even more preferably at least 95% by weight, of a metal. A preferred metal is copper or aluminum or an alloy containing one or both of the aforementioned metals. In a preferred embodiment, the aforementioned material forms a base body of the carrier element, which can also have one or more coatings. A preferred coating consists of one selected from the group consisting of nickel, palladium, and gold, or of an alloy containing at least one of the aforementioned metals. If the carrier element contains several coatings, these overlap the base body from the base body to the outside, preferably in the aforementioned order. Here, the layer sequences base body, nickel coating, gold coating and also base body, nickel coating, palladium coating, gold coating are particularly preferred. The carrier element particularly preferably has the aforementioned coatings at least on the side of its carrier surface. The elements referred to herein as carrier elements are preferably not a substrate or a circuit board of an LED or an LED module. Rather, the carrier element is preferably a component, on the carrier surface of which a multiplicity of LEDs or an LED module can be arranged. The carrier surface of a carrier element is preferably designed largely flat. Furthermore, the carrier elements of the plurality of carrier elements of the exposure device are preferably separate from one another, that is to say not formed integrally with one another. Rather, each of the carrier elements is preferably connected, preferably detachably, to a base element of the exposure device. A releasable connection exists between 2 elements when one of the two elements is directly or indirectly fixed, preferably rigidly, connected to the other of the two elements and this connection without one of the two elements and, in the case of the indirect connection, preferably without an intermediate element to damage or destroy can be solved. Here, the carrier elements are preferably arranged one after the other along a direction of a length of the base element. Alternatively, the carrier elements can be arranged in the form of an array, that is to say a two-dimensional grid. A group of light-emitting semiconductor components is arranged on each of the carrier elements. In this case, each group can consist of the same light-emitting semiconductor components or a mixture of different light-emitting semiconductor components, in particular with regard to an emission spectrum of the light-emitting semiconductor components. Furthermore, the groups can be the same or differ in their composition. In any case, the groups are identified in that the light-emitting semiconductor components of each group are arranged on a carrier surface of precisely one carrier element.

Kühl strukturCooling structure

Als Kühlstruktur kommt hie jede Struktur in Frage, die dem Fachmann zur Erhöhung einer Wärmeabgabe eines Trägerelements von seiner Kühloberfläche an eine Umgebung, insbesondere an ein Kühlfluid, geeignet erscheint. Eine bevorzugte Kühlstruktur beinhaltet eines, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Lamellen, Kühlrippen, Poren, und Kanälen, oder eine Kombination aus mindestens zwei davon. Hierbei sind Kühlrippen besonders bevorzugt. Kühlrippen werden auch als Kühlfinnen bezeichnet. Kühlrippen sind flächenförmige Elemente. Diese flächenförmigen Elemente sind vorzugsweise jeweils an einer Kante mit einem Trägerelement, zu dem die jeweilige Kühlstruktur gehört, verbunden. Die flächenförmigen Elemente sind vorzugsweise planparallel zueinander angeordnet. Ferner weisen die flächenförmigen Elemente vorzugsweise rechteckige Seitenflächen auf.Any structure that appears suitable to a person skilled in the art for increasing the heat dissipation of a carrier element from its cooling surface to an environment, in particular to a cooling fluid, can be used as the cooling structure. A preferred cooling structure includes one selected from the group consisting of fins, cooling fins, pores, and channels, or a combination of at least two thereof. Cooling fins are particularly preferred here. Cooling fins are also known as cooling fins. Cooling fins are flat elements. These sheet-like elements are preferably each on one edge with a carrier element to which the respective cooling structure belongs. The sheet-like elements are preferably arranged plane-parallel to one another. Furthermore, the sheet-like elements preferably have rectangular side surfaces.

KühlfluidCooling fluid

Als Kühlfluid kommt jedes dem Fachmann im Rahmen der Erfindung, insbesondere zum Kühlen der Belichtungseinrichtung der erfindungsgemäßen Anordnung, geeignet erscheinende Fluid in Frage. Ein Fluid ist hierin ein fließfähiges Medium. Hierzu gehören insbesondere Gase und Flüssigkeiten. Als Kühlfluid ist hierin eine Kühlflüssigkeit bevorzugt. Eine bevorzugte Kühlflüssigkeit beinhaltet Wasser oder Glykol oder eine Mischung aus beiden. Bevorzugt besteht die Kühlflüssigkeit aus Wasser oder einem Wasser-Glykol-Gemisch.Any fluid that appears suitable to the person skilled in the art within the scope of the invention, in particular for cooling the exposure device of the arrangement according to the invention, can be considered as the cooling fluid. A fluid is herein a flowable medium. This includes in particular gases and liquids. A cooling liquid is preferred as the cooling fluid herein. A preferred cooling liquid includes water or glycol or a mixture of both. The cooling liquid preferably consists of water or a water-glycol mixture.

MESSMETHODENMEASUREMENT METHODS

Die folgende Messmethode wurde im Rahmen der Erfindung benutzt. Sofern nichts anderes angegeben ist wurden die Messungen bei einer Umgebungstemperatur von 23°C, einem Umgebungsluftdruck von 100 kPa (0,986 atm) und einer relativen Luftfeuchtigkeit von 50 % durchgeführt.The following measurement method was used in the context of the invention. Unless otherwise stated, the measurements were carried out at an ambient temperature of 23 ° C., an ambient air pressure of 100 kPa (0.986 atm) and a relative humidity of 50%.

Nachweis von FarbmittelnDetection of colorants

Ein Nachweis von organischen Farbmitteln kann entsprechend der in „Industrial Organic Pigments, Third Edition.“ ( Willy Herbst, Klaus Hunger Copyright © 2004 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim ISBN: 3-527-30576-9 ) beschriebenen Methoden durchgeführt werden.Evidence of organic colorants can be provided according to the information in "Industrial Organic Pigments, Third Edition." Willy Herbst, Klaus Hunger Copyright © 2004 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim ISBN: 3-527-30576-9 ) are carried out.

Die Erfindung wird im Folgenden durch Beispiele und Zeichnungen genauer dargestellt, wobei die Beispiele und Zeichnungen keine Einschränkung der Erfindung bedeuten. Es zeigen jeweils sofern nicht anders in der Beschreibung oder der jeweiligen Figur angegeben schematisch und nicht maßstabsgetreu:

  • 1 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Anordnung;
  • 2 eine schematische Darstellung einer weiteren erfindungsgemäßen Anordnung;
  • 3 eine schematische Darstellung einer weiteren erfindungsgemäßen Anordnung;
  • 4 eine Perspektivdarstellung einer Belichtungseinrichtung einer erfindungsgemäßen Anordnung;
  • 5 eine perspektivische Teildarstellung der Belichtungseinrichtung der 4;
  • 6 eine weitere perspektivische Teildarstellung der Belichtungseinrichtung der 4;
  • 7 eine schematische Darstellung einer weiteren erfindungsgemäßen Anordnung;
  • 8 ein Ablaufdiagramm eines erfindungsgemäßen Verfahrens;
  • 9 ein Diagramm zur Abhängigkeit der optischen Ausgangsleistung von der Sperrschichttemperatur; und
  • 10 ein Diagramm zur Abhängigkeit der Sperrschichttemperatur von der Vorwärtsspannung.
The invention is illustrated in more detail below by means of examples and drawings, the examples and drawings not signifying any restriction of the invention. Unless otherwise stated in the description or the respective figure, the following are shown schematically and not to scale:
  • 1 a schematic representation of an arrangement according to the invention;
  • 2 a schematic representation of a further arrangement according to the invention;
  • 3 a schematic representation of a further arrangement according to the invention;
  • 4th a perspective view of an exposure device of an arrangement according to the invention;
  • 5 a perspective partial illustration of the exposure device of 4th ;
  • 6th a further perspective partial illustration of the exposure device of 4th ;
  • 7th a schematic representation of a further arrangement according to the invention;
  • 8th a flow chart of a method according to the invention;
  • 9 a diagram of the dependence of the optical output power on the junction temperature; and
  • 10 a diagram showing the dependence of the junction temperature on the forward voltage.

1 zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Anordnung 100. Die Anordnung 100 beinhaltet eine Belichtungseinrichtung 101, bei der es sich um einen UV-Strahler handelt. Details des UV-Strahlers sind in den 4 bis 6 gezeigt. Der UV-Strahler beinhaltet 28 Trägerelemente 102, von denen in der 1 lediglich 3 dargestellt sind. Jedes der Trägerelemente 102 hat eine Trägeroberfläche 103, auf der eine Gruppe 104 von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen 105 angeordnet ist. Bei den lichtemittierenden Halbleiterbauelementen 105 handelt es sich um UV-LEDs. Die UV-LEDs der Gruppen 104 sind alle gleich. Ferner sind die UV-LEDs in den Gruppen 104 gleich angeordnet. Jede der Gruppen 104 beinhaltet genau ein lichtemittierendes Referenzhalbleiterbauelement 109, also eine UV-LED, die als Referenz dient. Diese Referenz befindet sich in jeder Gruppe 104 an der gleichen Stelle. Ferner beinhaltet die Anordnung 100 eine Messeinrichtung 106, die wiederum eine elektrische Messschaltung 108 zum Messen eines Spannungsabfalls an einem lichtemittierenden Halbleiterbauelement 105 und eine elektrisch zwischen der elektrischen Messschaltung 108 und den Gruppen 104 geschaltete Selektionsschaltung 107. Die Selektionsschaltung 107 beinhaltet einen Multiplexer. Die elektrische Messschaltung 108 ist eine Spannungsmessschaltung mit einem hochohmigen Messwiderstand, dessen ohmscher Widerstand rechnerisch näherungsweise als gegenüber dem ohmschen Widerstand jeder der UV-LEDs als unendlich angenommen werden kann. Die Selektionsschaltung 107 ist so mit den lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelementen 109 elektrisch verschaltet, dass mittels der Selektionsschaltung 107 und der elektrischen Messschaltung 108 zeitlich nacheinander eine Vorwärtsspannung jedes einzelnen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelements 109 gemessen werden kann. Ferner beinhaltet die Anordnung eine Steuereinrichtung 110, die dazu angeordnet und ausgebildet ist, den Multiplexer so anzusteuern, dass die vorgenannten Vorwärtsspannungen in einer Vielzahl zeitlich aufeinanderfolgender Zyklen pro Zyklus jeweils einmal gemessen werden. Folglich kann hier der Spannungsabfall an den einzelnen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelementen 109 periodisch gemessen werden. Dies kann insbesondere in situ im Betrieb des UV-Strahlers erfolgen. Die Steuereinrichtung 110 beinhaltet einen Datenspeicher und einen Mikrocontroller. In dem Datenspeicher ist eine lineare Funktion hinterlegt, die eine Abhängigkeit einer Sperrschichttemperatur einer UV-LED von ihrer Vorwärtsspannung beschreibt. 10 zeigt wie diese lineare Funktion ermittelt wurde. Die Steuereinrichtung 110 kann nun mittels der linearen Funktion in situ im Betrieb des UV-Strahlers aus den gemessenen Vorwärtsspannungen der einzelnen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente 109 deren Sperrschichttemperatur bestimmen. Somit kann im Betrieb des UV-Strahlers die Sperrschichttemperatur jeder Gruppe 104 überwacht werden. Ferner ist in dem Datenspeicher der Steuereinrichtung 110 eine weitere lineare Funktion hinterlegt, die eine Abhängigkeit der optischen Ausgangsleistung einer UV-LED von ihrer Sperrschichttemperatur beschreibt. Mittels dieser linearen Funktion kann die Steuereinrichtung 110 in situ im Betrieb des UV-Strahlers aus den bestimmten Sperrschichttemperaturen die optischen Ausgangsleistungen der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente 109 bestimmen. 1 shows a schematic representation of an arrangement according to the invention 100 . The order 100 includes an exposure device 101 which is a UV lamp. Details of the UV radiator are in the 4th to 6th shown. The UV radiator contains 28 support elements 102 , of those in the 1 only 3 are shown. Each of the support elements 102 has a support surface 103 on which a group 104 of light-emitting semiconductor components 105 is arranged. In the case of the light-emitting semiconductor components 105 it is about UV-LEDs. The groups' UV LEDs 104 are all the same. Furthermore, the UV LEDs are in the groups 104 arranged equally. Each of the groups 104 contains exactly one light-emitting reference semiconductor component 109 , i.e. a UV LED that serves as a reference. This reference is in each group 104 in the same place. The arrangement also includes 100 a measuring device 106 which in turn have an electrical measurement circuit 108 for measuring a voltage drop across a light-emitting semiconductor component 105 and one electrical between the electrical measurement circuit 108 and the groups 104 switched selection circuit 107 . The selection circuit 107 includes a multiplexer. The electrical measuring circuit 108 is a voltage measuring circuit with a high-ohm measuring resistor, the ohmic resistance of which can be assumed to be approximately infinite compared to the ohmic resistance of each of the UV LEDs. The selection circuit 107 is so with the light-emitting reference semiconductor components 109 electrically connected that by means of the selection circuit 107 and the electrical measuring circuit 108 a forward voltage of each individual light-emitting reference semiconductor component one after the other 109 can be measured. The arrangement also includes a control device 110 which is arranged and designed to control the multiplexer in such a way that the aforementioned forward voltages are measured once per cycle in a large number of consecutive cycles. As a result, the voltage drop across the individual light-emitting reference semiconductor components 109 be measured periodically. This can take place, in particular, in situ during operation of the UV radiator. The control device 110 contains a data memory and a microcontroller. A linear function is stored in the data memory, which describes the dependency of a junction temperature of a UV LED on its forward voltage. 10 shows how this linear function was determined. The control device 110 can now by means of the linear function in situ during operation of the UV emitter from the measured forward voltages of the individual light-emitting reference semiconductor components 109 determine their junction temperature. This means that the junction temperature of each group can be set when the UV lamp is in operation 104 be monitored. Furthermore, the control device is in the data memory 110 Another linear function is stored, which describes the dependence of the optical output power of a UV-LED on its junction temperature. The control device can use this linear function 110 the optical output powers of the light-emitting reference semiconductor components from the specific junction temperatures in situ during operation of the UV emitter 109 determine.

2 zeigt eine schematische Darstellung einer weiteren erfindungsgemäßen Anordnung 100. Diese ist wie die Anordnung der 1 ausgebildet. Im Unterschied zur 1 befinden sich die lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente 109 hier jedoch nicht in jeder Gruppe 104 an der gleichen Stelle. 2 shows a schematic representation of a further arrangement according to the invention 100 . This is like the arrangement of the 1 educated. In contrast to the 1 are the light-emitting reference semiconductor components 109 but not in every group here 104 in the same place.

3 zeigt eine schematische Darstellung einer weiteren erfindungsgemäßen Anordnung 100. Diese ist wie die Anordnung der 1 ausgebildet. Im Unterschied zur 1 sind beinhaltet jede der Gruppen 104 hier jedoch eine Mischung unterschiedlicher UV-LEDs. So besteht jede Gruppe 104 aus einer Mischung aus UV-A-LEDs und UV-C-LEDs. Ferner beinhaltet jede Gruppe 104 3 lichtemittierende Referenzhalbleiterbauelemente 109. Dies ermöglicht eine detailliertere Überwachung der UV-LEDs, insbesondere eine Überwachung sowohl der UV-A-LEDs als auch der UV-C-LEDs. 3 shows a schematic representation of a further arrangement according to the invention 100 . This is like the arrangement of the 1 educated. In contrast to the 1 are included in each of the groups 104 here, however, a mixture of different UV LEDs. So every group exists 104 from a mixture of UV-A LEDs and UV-C LEDs. Furthermore, each group includes 104 3 light-emitting reference semiconductor components 109 . This enables a more detailed monitoring of the UV LEDs, in particular monitoring of both the UV-A LEDs and the UV-C LEDs.

4 zeigt eine Perspektivdarstellung einer Belichtungseinrichtung 101 einer erfindungsgemäßen Anordnung 100. Die Belichtungseinrichtung 101 ist ein UV-Strahler mit UV-LEDs als lichtemittierenden Halbleiterbauelementen. Jeweils eine Gruppe 104 der UV-LEDs ist auf einer Trägeroberfläche 103 eines von 28 Trägerelementen 102 angeordnet. Die Trägerelemente 102 sind in einer longitudinalen Richtung 405 nacheinander angeordnet und mit einem Grundelement 401, das ein Gehäuse 401 des UV-Strahlers bildet, verbunden. Ferner beinhaltet der UV-Strahler einen Anschluss 402 für einen Kühlfluidzulauf und einen Anschluss 403 für einen Kühlfluidrücklauf eines Kühlkreislaufs auf. Die Anschlüsse 402 und 403 sind mittels eines Verbindungselements 404 mit Kühlkanälen (Kühlfluidzulauf 502 und Kühlfluidrücklauf 503 in 5) in dem Grundelement verbunden. 4th shows a perspective view of an exposure device 101 an arrangement according to the invention 100 . The exposure device 101 is a UV emitter with UV LEDs as light-emitting semiconductor components. One group at a time 104 the UV LEDs is on a support surface 103 one of 28 support elements 102 arranged. The support elements 102 are in a longitudinal direction 405 arranged one after the other and with a basic element 401 that is a housing 401 of the UV radiator forms connected. The UV lamp also includes a connection 402 for a cooling fluid inlet and a connection 403 for a cooling fluid return of a cooling circuit. The connections 402 and 403 are by means of a connecting element 404 with cooling channels (cooling fluid inlet 502 and cooling fluid return 503 in 5 ) connected in the basic element.

5 zeigt eine perspektivische Teildarstellung der Belichtungseinrichtung 101 der 4. Hier sind nur Teile des UV-Strahlers im Anschnitt dargestellt. Zu sehen ist das Grundelement 401 mit einem Kühlfluidzulauf 502 und einem Kühlfluidrücklauf 503. Ferner sind über den Trägerelementen 102 (nicht dargestellt) Sekundäroptiken 501 angeordnet, die jeweils eine Vielzahl von plankonvexen Sammellinsen beinhalten. 5 shows a perspective partial illustration of the exposure device 101 the 4th . Here only parts of the UV lamp are shown in section. You can see the basic element 401 with a cooling fluid inlet 502 and a cooling fluid return 503 . Furthermore are above the support elements 102 (not shown) secondary optics 501 arranged, each including a plurality of plano-convex converging lenses.

6 zeigt eine weitere perspektivische Teildarstellung der Belichtungseinrichtung 101 der 4. Hier sind die Sekundäroptiken 501 nicht dargestellt, was den Blick auf darunterliegende Elemente freigibt. Von den 28 Trägerelementen 102 ist hier nur ein einzelnes gezeigt. Es handelt sich um eine Kühlplatte, die mittels Schrauben mit dem Grundelement 401 verbunden ist. Auf einer ebenen Trägeroberfläche 103 ist eine Gruppe 104 von UV-LEDs angeordnet. Hierbei weist jede UV-LED eine Platine auf, die auf die Trägeroberfläche 103 gelötet ist. Auf seiner Rückseite weist das Trägerelement 102 eine Kühloberfläche mit einer Kühlstruktur aus Kühlfinnen auf. Mittels des Kühlfluidzulaufs 502 und des Kühlfluidrücklaufs 503 (siehe 5) kann die Kühlstruktur mit einer Kühlflüssigkeit angespült und so das Trägerelement 102 gekühlt werden. 6th shows a further perspective partial illustration of the exposure device 101 the 4th . Here are the secondary optics 501 not shown, which reveals the elements below. Of the 28 support elements 102 only a single one is shown here. It is a cooling plate that is attached to the base element by means of screws 401 connected is. On a flat support surface 103 is a group 104 arranged by UV LEDs. Each UV LED has a circuit board that attaches to the carrier surface 103 is soldered. The carrier element has on its rear side 102 a cooling surface with a cooling structure made of cooling fins. By means of the cooling fluid inlet 502 and the cooling fluid return 503 (please refer 5 ) the cooling structure can be washed up with a cooling liquid and so the carrier element 102 be cooled.

7 zeigt eine schematische Darstellung einer weiteren erfindungsgemäßen Anordnung. Diese beinhaltet die Anordnung 100 der 1, die hier Teil einer Druckmaschine 701 ist. Bei der Druckmaschine 701 handelt es sich um eine Bogenoffset-Druckmaschine. Ferner beinhaltet die Anordnung ein Substrat 702, welches mittels eines Rollenförderers (nicht gezeigt) relativ zu der Belichtungseinrichtung in einer Prozessrichtung 703 transportiert werden kann. Das Substrat 702 ist ein Druckträger, der mittels der Druckmaschine 701 mit einer Druckfarbe bedruckt werden kann, die dann durch Bestrahlen mit UV-Licht des UV-Strahlers gehärtet werden kann. Das Substrat 702 und die Druckfarbe bilden zusammen ein Belichtungsobjekt der Anordnung. 7th shows a schematic representation of a further arrangement according to the invention. This includes the arrangement 100 the 1 which here is part of a printing press 701 is. At the printing press 701 it is a sheet-fed offset printing machine. The arrangement also includes a substrate 702 , which by means of a roller conveyor (not shown) relative to the exposure device in a process direction 703 can be transported. The substrate 702 is a print medium that is produced by means of the printing machine 701 can be printed with a printing ink, which can then be cured by exposure to UV light from the UV lamp. The substrate 702 and the printing ink together form an exposure object of the arrangement.

8 zeigt ein Ablaufdiagramm eines erfindungsgemäßen Verfahrens 800 zum Herstellen eines Druckerzeugnisses. Das Verfahren 800 beinhaltet einen Verfahrensschritt a) 801, in dem die in 4 gezeigte Belichtungseinrichtung 101 und ein Druckträger bereitgestellt werden. Ferner wird der Druckträger unter Erhalt eines Belichtungsobjekts mit einer Druckfarbe bedruckt. In einem Verfahrensschritt b) 802 wird die aufgedruckte Druckfarbe mit von der Belichtungseinrichtung 101 emittiertem UV-Licht unter Erhalt des Druckerzeugnisses bestrahlt. Während des Bestrahlens werden die an den einzelnen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelementen 109 der Belichtungseinrichtung 101 abfallenden Vorwärtsspannungen zeitlich nacheinander gemessen. Dieses Messen wird in zeitlich aufeinanderfolgenden Zyklen, also periodisch, wiederholt, so dass eine Änderung der Vorwärtsspannungen in dem Verfahrensschritt b) in situ überwacht wird. Aus jeweils zwei in aufeinanderfolgenden Zyklen gemessenen Vorwärtsspannungen desselben lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelements 109 werden ebenfalls in situ eine Änderung einer Sperrschichttemperatur sowie eine Änderung einer optischen Ausgangsleistung des jeweiligen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelements 109 bestimmt. 8th shows a flow chart of a method according to the invention 800 to produce a printed product. The procedure 800 includes a process step a) 801 in which the in 4th exposure device shown 101 and a printing medium are provided. Furthermore, the printing medium is printed with a printing ink to obtain an exposure object. In a process step b) 802 is the printed ink with from the exposure device 101 emitted UV light irradiated to preserve the printed product. During the irradiation, the reference semiconductor components emitting light on the individual 109 the exposure device 101 falling forward voltages measured one after the other. This measurement is repeated in successive cycles, that is periodically, so that a change in the forward voltages is monitored in situ in method step b). From two forward voltages measured in consecutive cycles of the same light-emitting reference semiconductor component 109 also in situ a change in a junction temperature and a change in an optical output power of the respective light-emitting reference semiconductor component 109 certainly.

9 zeigt ein Diagramm zur Abhängigkeit der optischen Ausgangsleistung 902 von der Sperrschichttemperatur 903. Zu sehen ist die gemessene optische Ausgangsleistung 904 einer UV-LED in % über der Zeit in h 901. Aus diesen Messdaten wurde eine Regressionsgerade 905 ermittelt. Diese Regressionsgerade 905 ist der Graph der linearen Funktion der optischen Ausgangsleistung 902 von der Zeit 901. Ferner ist eine weitere Gerade 906 gezeigt, die die Abhängigkeit der Sperrschichttemperatur 903 von der Zeit 901 beschreibt. Da Sperrschichttemperatur 903 und optische Ausgangsleistung 902 beide durch jeweils eine lineare Funktion von der Zeit 901 beschrieben werden können, kann eine Abhängigkeit der optischen Ausgangsleistung 902 von der Sperrschichttemperatur 903 ebenfalls durch eine lineare Funktion beschrieben werden. Diese lineare Funktion wird wie zu 1 beschrieben für die Bestimmung der Sperrschichttemperaturen der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente 109 verwendet. 9 shows a diagram for the dependence of the optical output power 902 on the junction temperature 903 . You can see the measured optical output power 904 of a UV LED in% over time in h 901 . A regression line was created from these measurement data 905 determined. This regression line 905 is the graph of the linear function of the optical output power 902 from the time 901 . There is also another straight line 906 showing the dependence of the junction temperature 903 from the time 901 describes. Because junction temperature 903 and optical output power 902 both by a linear function of time 901 can be described, a dependency of the optical output power 902 on the junction temperature 903 can also be described by a linear function. This linear function becomes like to 1 described for the determination of the junction temperatures of the light-emitting reference semiconductor components 109 used.

10 zeigt ein Diagramm zur Abhängigkeit der Sperrschichttemperatur 1001 in °C von der Vorwärtsspannung 1002 in V. Dargestellt sind Messpunkte 1003, an welche eine Regressionsgerade 1004 gelegt wurde. Die diese Regressionsgerade 1004 beschreibende lineare Funktion wird in der Anordnung der 1 zum Bestimmen der Sperrschichttemperaturen aus den Vorwärtsspannungen verwendet. 10 shows a diagram of the dependency of the junction temperature 1001 in ° C of the forward voltage 1002 in V. Measurement points are shown 1003 , to which a regression line 1004 was laid. This regression line 1004 descriptive linear function is used in the arrangement of the 1 used to determine junction temperatures from the forward voltages.

BezugszeichenlisteList of reference symbols

100100
erfindungsgemäße Anordnungarrangement according to the invention
101101
BelichtungseinrichtungExposure device
102102
TrägerelementSupport element
103103
TrägeroberflächeSupport surface
104104
Gruppe von lichtemittierenden HalbleiterbauelementenGroup of light emitting semiconductor components
105105
lichtemittierendes Halbleiterbauelementlight-emitting semiconductor component
106106
MesseinrichtungMeasuring device
107107
SelektionsschaltungSelection circuit
108108
elektrische Messschaltungelectrical measuring circuit
109109
lichtemittierendes Referenzhalbleiterbauelementlight-emitting reference semiconductor component
110110
SteuereinrichtungControl device
401401
Grundelement / GehäuseBasic element / housing
402402
Anschluss für KühlfluidzulaufConnection for cooling fluid inlet
403403
Anschluss für KühlfluidrücklaufConnection for cooling fluid return
404404
VerbindungselementConnecting element
405405
longitudinale Richtunglongitudinal direction
501501
SekundäroptikSecondary optics
502502
KühlfluidzulaufCooling fluid inlet
503503
KühlfluidrücklaufCooling fluid return
701701
DruckmaschinePrinting press
702702
SubstratSubstrate
703703
ProzessrichtungProcess direction
800800
erfindungsgemäßes Verfahrenmethod according to the invention
801801
Verfahrensschritt a)Process step a)
802802
Verfahrensschritt b)Process step b)
901901
Zeit in hTime in h
902902
optische Ausgangsleistung in %optical output power in%
903903
Sperrschichttemperatur in °CJunction temperature in ° C
904904
gemessene optische Ausgangsleistung über der Zeitmeasured optical output power over time
905905
Regressionsgerade für die optische AusgangsleistungRegression line for the optical output power
906906
Sperrschichttemperatur über der ZeitJunction temperature over time
10011001
Sperrschichttemperatur in °CJunction temperature in ° C
10021002
Vorwärtsspannung in VForward voltage in V
10031003
MesspunkteMeasuring points
10041004
Regressionsgerade für die Vorwärtsspannung über der SperrschichttemperaturRegression line for the forward voltage versus the junction temperature

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDED IN THE DESCRIPTION

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Zitierte Nicht-PatentliteraturNon-patent literature cited

  • DIN 55943:2001-10 [0112]DIN 55943: 2001-10 [0112]
  • Willy Herbst, Klaus Hunger Copyright © 2004 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim ISBN: 3-527-30576-9 [0112, 0118]Willy Herbst, Klaus Hunger Copyright © 2004 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim ISBN: 3-527-30576-9 [0112, 0118]

Claims (15)

Eine Anordnung (100), beinhaltend a) eine Belichtungseinrichtung (101), beinhaltend eine Vielzahl von Trägerelementen (102) mit jeweils einer Trägeroberfläche (103), wobei auf jeder Trägeroberfläche (103) jeweils eine Gruppe (104) von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen (105) angeordnet ist, und b) einer Messeinrichtung (106), beinhaltend i) eine elektrische Messschaltung (108) zum Messen eines Spannungsabfalls an einem lichtemittierenden Halbleiterbauelement (105), und ii) eine elektrisch zwischen der elektrischen Messschaltung (108) und den Gruppen (104) geschaltete Selektionsschaltung (107); wobei die Selektionsschaltung (107) so mit mindestens einem lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelement (109) jeder Gruppe (104) mindestens eines mindestens zwei Gruppen (104) der Gruppen (104) von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen (105) beinhaltenden Teils elektrisch verschaltet ist, dass mittels der Selektionsschaltung (107) und der elektrischen Messschaltung (108) ein Spannungsabfall an mindestens einem einzelnen der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente (109) pro Gruppe (104) mindestens des Teils der Gruppen (104) gemessen werden kann.An arrangement (100), including a) an exposure device (101) containing a plurality of carrier elements (102) each with a carrier surface (103), a group (104) of light-emitting semiconductor components (105) being arranged on each carrier surface (103), and b) a measuring device (106) including i) an electrical measuring circuit (108) for measuring a voltage drop across a light-emitting semiconductor component (105), and ii) a selection circuit (107) electrically connected between the electrical measuring circuit (108) and the groups (104); wherein the selection circuit (107) is electrically connected to at least one light-emitting reference semiconductor component (109) of each group (104) at least one part containing at least two groups (104) of the groups (104) of light-emitting semiconductor components (105), that by means of the selection circuit ( 107) and the electrical measuring circuit (108) can measure a voltage drop across at least one of the light-emitting reference semiconductor components (109) per group (104) of at least part of the groups (104). Die Anordnung (100) nach Anspruch 1, wobei die Anordnung (100) ferner eine Steuereinrichtung (110) beinhaltet, die dazu angeordnet und ausgebildet ist, die Selektionsschaltung (107) so anzusteuern, dass der Spannungsabfall in einer Vielzahl zeitlich aufeinanderfolgender Zyklen pro Zyklus an jeweils mindestens einem einzelnen der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente (109) pro Gruppe (104) mindestens des Teils der Gruppen (104) gemessen wird.The arrangement (100) according to Claim 1 , wherein the arrangement (100) further includes a control device (110) which is arranged and designed to control the selection circuit (107) in such a way that the voltage drop in a plurality of successive cycles per cycle on at least one of the light-emitting reference semiconductor components ( 109) per group (104) at least that part of the groups (104) is measured. Die Anordnung (100) nach Anspruch 2, wobei die Steuereinrichtung (110) ferner dazu angeordnet und ausgebildet ist, für mindestens ein einzelnes der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente (109) pro Gruppe (104) mindestens des Teils der Gruppen (104) aus dem in mindestens zwei der Zyklen gemessenen Spannungsabfall eine Änderung einer Temperatur des jeweiligen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelements (109), oder eine Änderung einer Leistung des jeweiligen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelements (109), oder beides zu bestimmen.The arrangement (100) according to Claim 2 , wherein the control device (110) is further arranged and designed to change a temperature for at least one of the light-emitting reference semiconductor components (109) per group (104) of at least that part of the groups (104) from the voltage drop measured in at least two of the cycles of the respective light-emitting reference semiconductor component (109), or a change in a power of the respective light-emitting reference semiconductor component (109), or both. Die Anordnung (100) nach Anspruch 3, wobei die Steuereinrichtung (110) ferner dazu angeordnet und ausgebildet ist, für mindestens ein einzelnes der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente (109) pro Gruppe (104) mindestens des Teils der Gruppen (104) aus einem absoluten Temperaturwert und einer bestimmten Änderung der Temperatur eine absolute Ist-Temperatur des jeweiligen lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelements (109) zu bestimmen.The arrangement (100) according to Claim 3 , wherein the control device (110) is further arranged and designed to provide an absolute actual value for at least one of the light-emitting reference semiconductor components (109) per group (104) of at least the part of the groups (104) from an absolute temperature value and a specific change in temperature -Temperature of the respective light-emitting reference semiconductor component (109) to be determined. Die Anordnung (100) nach Anspruch 4, wobei die Steuereinrichtung (110) ferner dazu angeordnet und ausgebildet ist, die lichtemittierenden Halbleiterbauelemente (105) der das lichtemittierende Referenzhalbleiterbauelement (109), dessen absolute Ist-Temperatur bestimmt wurde, beinhaltenden Gruppe (104) abzuschalten, wenn die bestimmte absolute Ist-Temperatur dieses lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelements (109) einen Maximalwert überschreitet.The arrangement (100) according to Claim 4 , wherein the control device (110) is further arranged and designed to switch off the light-emitting semiconductor components (105) of the group (104) containing the light-emitting reference semiconductor component (109), the absolute actual temperature of which has been determined, when the determined absolute actual temperature this light-emitting reference semiconductor component (109) exceeds a maximum value. Die Anordnung (100) nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei die Steuereinrichtung (110) ferner dazu angeordnet und ausgebildet ist, für mindestens ein einzelnes der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente (109) pro Gruppe (104) mindestens des Teils der Gruppen (104) die Änderung der Temperatur zu extrapolieren und auf Basis der extrapolierten Änderung der Temperatur eine Fehlerdiagnose zu erstellen.The arrangement (100) according to one of the Claims 3 to 5 , wherein the control device (110) is further arranged and designed to extrapolate the change in temperature for at least one single one of the light-emitting reference semiconductor components (109) per group (104) of at least the part of the groups (104) and based on the extrapolated change in the Temperature to create a fault diagnosis. Die Anordnung (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Anordnung (100) ferner ein Belichtungsobjekt beinhaltet, dass dazu angeordnet und ausgebildet ist, mit von den lichtemittierenden Halbleiterbauelementen (105) emittiertem Licht bestrahlt zu werden.The arrangement (100) according to any one of the preceding claims, wherein the arrangement (100) further includes an exposure object that is arranged and designed to be irradiated with light emitted by the light-emitting semiconductor components (105). Die Anordnung (100) nach Anspruch 7, wobei das Belichtungsobjekt ein Substrat (702) und eine das Substrat überlagernde Zusammensetzung beinhaltet.The arrangement (100) according to Claim 7 wherein the exposure object includes a substrate (702) and a composition overlying the substrate. Die Anordnung (100) nach Anspruch 7 oder 8, wobei die Anordnung ferner eine Transporteinrichtung beinhaltet, die dazu angeordnet und ausgebildet ist, das Belichtungsobjekt in einer Prozessrichtung (703) relativ zu der Belichtungseinrichtung (101) zu transportieren.The arrangement (100) according to Claim 7 or 8th , wherein the arrangement further includes a transport device which is arranged and designed to transport the exposure object in a process direction (703) relative to the exposure device (101). Die Anordnung (100) nach 9, wobei die Anordnung (100) eine in der Prozessrichtung (703) vor der Belichtungseinrichtung (101) angeordnete Überlagerungseinrichtung beinhaltet, wobei die Überlagerungseinrichtung zu einem Überlagern des Substrats (702) mit der Zusammensetzung angeordnet und ausgebildet ist.The arrangement (100) according to 9, wherein the arrangement (100) includes an overlay device arranged in the process direction (703) in front of the exposure device (101), the overlay device being arranged and designed to overlay the substrate (702) with the composition. Eine Druckmaschine (701), beinhaltend die Anordnung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 6.A printing machine (701) containing the arrangement (100) according to one of the Claims 1 to 6th . Ein Verfahren (800) zum Herstellen eines Erzeugnisses, das Verfahren (800) beinhaltend als Verfahrensschritte a) Bereitstellen i) einer Belichtungseinrichtung (101), beinhaltend eine Vielzahl von Trägerelementen (102) mit jeweils einer Trägeroberfläche (103), wobei auf jeder Trägeroberfläche (103) jeweils eine Gruppe (104) von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen (105) angeordnet ist, und ii) mindestens eines Belichtungsobjekts; und b) Bestrahlen des mindestens einen Belichtungsobjekts mit von der Belichtungseinrichtung (101) emittiertem Licht unter Erhalt des Erzeugnisses; wobei jede Gruppe (104) eines mindestens zwei Gruppen (104) der Gruppen (104) von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen (105) beinhaltenden Teils der Gruppen (104) mindestens ein lichtemittierendes Referenzhalbleiterbauelement (109) beinhaltet; wobei in dem Verfahrensschritt b) (802) ein Spannungsabfall an mindestens einem einzelnen der lichtemittierenden Referenzhalbleiterbauelemente (109) pro Gruppe (104) mindestens des Teils der Gruppen (104) gemessen wird.A method (800) for producing a product, the method (800) comprising as method steps a) providing i) an exposure device (101), comprising a plurality of carrier elements (102) each with a carrier surface (103), a group (104) of light-emitting semiconductor components (105) being arranged on each carrier surface (103), and ii) at least one exposure object; and b) irradiating the at least one exposure object with light emitted by the exposure device (101) to obtain the product; wherein each group (104) of a part of the groups (104) containing at least two groups (104) of the groups (104) of light-emitting semiconductor components (105) contains at least one light-emitting reference semiconductor component (109); wherein in method step b) (802) a voltage drop across at least one of the light-emitting reference semiconductor components (109) per group (104) of at least part of the groups (104) is measured. Eine Verwendung der Anordnung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 10 zu einem Härten einer Zusammensetzung.A use of the arrangement (100) according to one of the Claims 1 to 10 to harden a composition. Eine Verwendung der Anordnung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 6 in einer Druckmaschine (701).A use of the arrangement (100) according to one of the Claims 1 to 6th in a printing machine (701). Eine Verwendung der Anordnung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 10 zu einem Erstellen einer Fehlerdiagnose oder zu einem Prognostizieren einer Fehlfunktion der Belichtungseinrichtung (101) oder beides.A use of the arrangement (100) according to one of the Claims 1 to 10 to generate a fault diagnosis or to predict a malfunction of the exposure device (101) or both.
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