DE102019116686A1 - POWER CONVERTER SYSTEM, METHOD FOR MANUFACTURING A POWER CONVERTER SYSTEM AND COMBINED SUBSTRATE FOR A POWER CONVERTER SYSTEM - Google Patents

POWER CONVERTER SYSTEM, METHOD FOR MANUFACTURING A POWER CONVERTER SYSTEM AND COMBINED SUBSTRATE FOR A POWER CONVERTER SYSTEM Download PDF

Info

Publication number
DE102019116686A1
DE102019116686A1 DE102019116686.1A DE102019116686A DE102019116686A1 DE 102019116686 A1 DE102019116686 A1 DE 102019116686A1 DE 102019116686 A DE102019116686 A DE 102019116686A DE 102019116686 A1 DE102019116686 A1 DE 102019116686A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
metal foil
converter system
power
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102019116686.1A
Other languages
German (de)
Inventor
Christian SCHWEIKERT
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE102019116686.1A priority Critical patent/DE102019116686A1/en
Publication of DE102019116686A1 publication Critical patent/DE102019116686A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H01L2224/331—Disposition
    • H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/33181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections

Abstract

Stromrichtersystem mit einem Leistungsmodul mit einem ersten Substrat und mindestens einem Leistungshalbleiterchip, einem in einem Abstand vom ersten Substrat angeordneten Kondensator und einer ersten einstückigen Metallfolie, die auf einer ersten Seite des ersten Substrats und auf dem Kondensator angeordnet ist und den Abstand zwischen dem ersten Substrat und dem Kondensator überspannt, wobei ein erster Leistungsanschluss des mindestens einen Leistungshalbleiterchips elektrisch mit der ersten Metallfolie gekoppelt ist.Converter system with a power module with a first substrate and at least one power semiconductor chip, a capacitor arranged at a distance from the first substrate and a first one-piece metal foil which is arranged on a first side of the first substrate and on the capacitor and the distance between the first substrate and spanned over the capacitor, wherein a first power connection of the at least one power semiconductor chip is electrically coupled to the first metal foil.

Description

TECHNISCHER BEREICHTECHNICAL PART

Diese Offenbarung bezieht sich im Allgemeinen auf ein Stromrichtersystem, auf ein Verfahren zur Herstellung eines Stromrichtersystems und auf ein kombiniertes Substrat für ein Stromrichtersystem.This disclosure relates generally to a power converter system, to a method of making a power converter system, and to a combined substrate for a power converter system.

HINTERGRUNDBACKGROUND

Ein Stromrichtersystem kann ein Leistungsmodul und einen Kondensator umfassen, der über ein Verbindungsteil elektrisch mit dem Leistungsmodul gekoppelt ist. Darüber hinaus kann ein solches Leistungsmodul eine Verkapselung umfassen, die so konfiguriert ist, dass z.B. sein(e) Halbleiterchip(s) vor Umwelteinflüssen geschützt sind, wobei das Verbindungsteil an der Verkapselung freiliegt und als externer Anschluss des Leistungsmoduls fungiert. Das Verbindungsteil kann z.B. ein Teil eines Leadframes sein, der auf ein Substrat des Leistungsmoduls sowie auf den Kondensator genietet, gelötet oder geschweißt ist. Jede elektrische Verbindung im Stromrichtersystem, z.B. eine elektrische Verbindung zwischen einem Halbleiterchip und einem Substrat, eine elektrische Verbindung zwischen dem Substrat und dem Verbindungsteil oder eine elektrische Verbindung zwischen dem Verbindungsteil und dem Kondensator, kann parasitäre Kapazitäten im Stromrichtersystem erzeugen. Solche parasitären Kapazitäten können sich negativ auf die elektrische Leistung des Stromrichtersystems auswirken. Verbesserte Stromrichtersysteme und verbesserte kombinierte Substrate für ein Stromrichtersystem können helfen, diese und andere Probleme zu überwinden.A power converter system can comprise a power module and a capacitor that is electrically coupled to the power module via a connection part. In addition, such a power module can comprise an encapsulation configured such that e.g. its semiconductor chip (s) are protected from environmental influences, the connection part being exposed on the encapsulation and functioning as an external connection of the power module. The connecting part can e.g. be part of a leadframe that is riveted, soldered or welded onto a substrate of the power module and onto the capacitor. Any electrical connection in the converter system, e.g. an electrical connection between a semiconductor chip and a substrate, an electrical connection between the substrate and the connection part, or an electrical connection between the connection part and the capacitor, can generate parasitic capacitances in the power converter system. Such parasitic capacitances can have a negative effect on the electrical performance of the converter system. Improved power conversion systems and improved combined substrates for a power conversion system can help overcome these and other problems.

Das Problem, auf dem die Erfindung beruht, wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Weitere vorteilhafte Beispiele werden in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.The problem on which the invention is based is solved by the features of the independent claims. Further advantageous examples are described in the dependent claims.

ZUSAMMENFASSUNGSUMMARY

Verschiedene Aspekte betreffen ein Stromrichtersystem, das ein Leistungsmodul mit einem ersten Substrat und mindestens einem Leistungshalbleiterchip, einen in einem Abstand vom ersten Substrat angeordneten Kondensator und eine erste einstückige Metallfolie umfasst, die auf einer ersten Seite des ersten Substrats und auf dem Kondensator angeordnet ist und den Abstand zwischen dem ersten Substrat und dem Kondensator überspannt, wobei ein erster Leistungsanschluss des mindestens einen Leistungshalbleiterchips elektrisch mit der ersten Metallfolie gekoppelt ist.Various aspects relate to a power converter system which comprises a power module with a first substrate and at least one power semiconductor chip, a capacitor arranged at a distance from the first substrate and a first one-piece metal foil which is arranged on a first side of the first substrate and on the capacitor and the Spans distance between the first substrate and the capacitor, wherein a first power connection of the at least one power semiconductor chip is electrically coupled to the first metal foil.

Verschiedene Aspekte betreffen ein Verfahren zur Herstellung eines Stromrichtersystems, wobei das Verfahren umfasst: Anordnen eines ersten Substrats und eines zweiten Substrats in einem Abstand zueinander, Anordnen mindestens eines Leistungshalbleiterchips auf einer ersten Seite des ersten Substrats, Aufbringen einer ersten einstückigen Metallfolie auf die erste Seite des ersten Substrats und auf eine erste Seite des zweiten Substrats, sodass die erste Metallfolie den Abstand zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat überspannt, und elektrisches Koppeln eines ersten Leistungsanschlusses des mindestens einen Leistungshalbleiterchips mit der ersten Metallfolie.Various aspects relate to a method for producing a power converter system, the method comprising: arranging a first substrate and a second substrate at a distance from one another, arranging at least one power semiconductor chip on a first side of the first substrate, applying a first one-piece metal foil to the first side of the first substrate and on a first side of the second substrate, so that the first metal foil spans the distance between the first and the second substrate, and electrically coupling a first power connection of the at least one power semiconductor chip to the first metal foil.

Verschiedene Aspekte betreffen ein kombiniertes Substrat für ein Stromrichtersystem, wobei das kombinierte Substrat ein erstes Substrat und ein zweites Substrat, die in einem Abstand voneinander angeordnet sind, und eine einstückige Metallfolie umfasst, die auf einer ersten Seite des ersten Substrats und auf einer ersten Seite des zweiten Substrats angeordnet ist und den Abstand zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat überspannt, wobei die Metallfolie so konfiguriert ist, dass sie einen Leistungsanschluss eines Leistungshalbleiterchips auf der ersten Seite des ersten Substrats mit dem zweiten Substrat koppelt und/oder wobei die ersten Seiten des ersten und zweiten Substrats in verschiedenen Ebenen angeordnet sind und die Metallfolie den Höhenunterschied zwischen den Ebenen überbrückt.Various aspects relate to a combined substrate for a power converter system, the combined substrate comprising a first substrate and a second substrate, which are arranged at a distance from one another, and a one-piece metal foil which is on a first side of the first substrate and on a first side of the second substrate is arranged and spans the distance between the first and the second substrate, wherein the metal foil is configured such that it couples a power terminal of a power semiconductor chip on the first side of the first substrate with the second substrate and / or wherein the first sides of the first and the second substrate are arranged in different planes and the metal foil bridges the height difference between the planes.

FigurenlisteFigure list

Die beiliegenden Zeichnungen illustrieren Beispiele und dienen zusammen mit der Beschreibung zur Erläuterung der Grundsätze der Offenbarung. Andere Beispiele und viele der beabsichtigten Vorteile der Offenbarung werden erkannt werden, wenn sie durch die folgende detaillierte Beschreibung besser verstanden werden. Die Elemente der Zeichnungen sind nicht unbedingt maßstabsgerecht zueinander. Gleiche Referenznummern bezeichnen entsprechende ähnliche Teile.

  • 1 zeigt eine Seitenansicht eines ersten Beispiels eines Stromrichtersystems.
  • Die 2A und 2B zeigen eine Seitenansicht und eine Draufsicht auf ein zweites Beispiel eines Stromrichtersystems, bei dem eine erste Metallfolie mehrere parallele Streifen umfasst, die jeweils den Abstand zwischen zwei Substraten überspannen.
  • 3 zeigt eine Seitenansicht eines dritten Beispiels eines Stromrichtersystems, bei dem zwei Substrate in verschiedenen Ebenen angeordnet sind.
  • Die 4A und 4B zeigen eine Seitenansicht und eine perspektivische Ansicht eines vierten Beispiels eines Stromrichtersystems, das zwei einstückige Metallfolien umfasst, die übereinander angeordnet sind.
  • 5 zeigt eine Seitenansicht eines fünften Beispiels eines Stromrichtersystems, wobei das Leistungsmodul für eine doppelseitige Kühlung konfiguriert ist.
  • 6 zeigt ein Flussdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung eines Stromrichtersystems.
  • 7 zeigt ein Flussdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung eines kombinierten Substrats für ein Stromrichtersystem.
The accompanying drawings illustrate examples and, together with the description, serve to explain the principles of the disclosure. Other examples and many of the intended advantages of the disclosure will be realized upon better understanding from the following detailed description. The elements of the drawings are not necessarily to scale with one another. Like reference numbers indicate corresponding like parts.
  • 1 Figure 13 shows a side view of a first example of a power converter system.
  • The 2A and 2 B show a side view and a top view of a second example of a power converter system, in which a first metal foil comprises a plurality of parallel strips, each of which spans the distance between two substrates.
  • 3 FIG. 10 shows a side view of a third example of a power converter system in which two substrates are arranged in different planes.
  • The 4A and 4B show a side view and a perspective view of a fourth example of a power converter system comprising two one-piece metal foils which are arranged one above the other.
  • 5 Figure 13 shows a side view of a fifth example of a power converter system, with the power module configured for double-sided cooling.
  • 6th FIG. 11 shows a flow diagram of a method for manufacturing a power converter system.
  • 7th FIG. 11 shows a flow diagram of a method for producing a combined substrate for a power converter system.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNGDETAILED DESCRIPTION

In der folgenden detaillierten Beschreibung wird auf die begleitenden Zeichnungen verwiesen. Für den Fachmann mag es jedoch offensichtlich sein, dass ein oder mehrere Aspekte der Offenbarung mit einem geringeren Grad an spezifischen Details praktiziert werden können. In anderen Fällen werden bekannte Strukturen und Elemente in schematischer Form dargestellt, um die Beschreibung eines oder mehrerer Aspekte der Offenbarung zu erleichtern. In diesem Zusammenhang wird eine Richtungsterminologie wie „oben“, „unten“, „links“, „rechts“, „obere“, „untere“ usw. verwendet, die sich auf die Ausrichtung der beschriebenen Figur(en) bezieht. Da die Komponenten der Offenbarung in verschiedenen Orientierungen positioniert werden können, wird die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung verwendet und ist in keiner Weise einschränkend. Es ist zu verstehen, dass auch andere Beispiele verwendet und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können.In the following detailed description, reference is made to the accompanying drawings. However, it may be apparent to those skilled in the art that one or more aspects of the disclosure can be practiced with a lesser degree of specific detail. In other instances, known structures and elements are shown in schematic form to facilitate describing one or more aspects of the disclosure. In this context, directional terminology such as “up”, “down”, “left”, “right”, “upper”, “lower” etc. is used to refer to the orientation of the character (s) being described. Because the components of the disclosure can be positioned in various orientations, the directional terminology is used for purposes of illustration and is in no way limiting. It is to be understood that other examples can also be used and structural or logical changes can be made.

Darüber hinaus kann ein bestimmtes Merkmal oder ein bestimmter Aspekt eines Beispiels zwar nur in Bezug auf eine von mehreren Implementierungen offenbart sein, doch kann ein solches Merkmal oder ein solcher Aspekt mit einem oder mehreren anderen Merkmalen oder Aspekten der anderen Implementierungen kombiniert werden, wenn es für irgendeine oder eine bestimmte Anwendung gewünscht und vorteilhaft sein kann, sofern nicht ausdrücklich anders angegeben oder technisch eingeschränkt. Die Begriffe „gekoppelt“ und „verbunden“ sowie deren Ableitungen können verwendet werden. Es sollte verstanden werden, dass diese Begriffe verwendet werden können, um anzuzeigen, dass zwei Elemente zusammenwirken oder interagieren, unabhängig davon, ob sie in direktem physischen oder elektrischen Kontakt oder nicht in direktem Kontakt miteinander stehen; zwischen den „gebundenen“, „angebrachten“ oder „verbundenen“ Elementen können dazwischenliegende Elemente oder Schichten vorgesehen sein. Es ist jedoch auch möglich, dass die „gebundenen“, „angebrachten“ oder „verbundenen“ Elemente in direktem Kontakt miteinander stehen.In addition, while a particular feature or aspect of an example may only be disclosed in relation to one of several implementations, such a feature or aspect may be combined with one or more other features or aspects of the other implementations if applicable for any or a specific application may be desired and advantageous, unless expressly stated otherwise or technically restricted. The terms “coupled” and “connected” as well as their derivatives can be used. It should be understood that these terms can be used to indicate that two elements are cooperating or interacting, whether or not they are in direct physical or electrical contact with each other; intermediate elements or layers may be provided between the “bound”, “attached” or “connected” elements. However, it is also possible that the “bound”, “attached” or “connected” elements are in direct contact with one another.

Im Zusammenhang mit dieser Anmeldung können die Ausdrücke „Stromrichter“ und „Wechselrichter“ austauschbar verwendet werden. Die nachfolgend beschriebenen Stromrichtersysteme können verschiedene Arten von Halbleiterchips oder in die Halbleiterchips eingebaute Schaltungen verwenden, darunter AC/DC- oder DC/DC-Wandlerschaltungen oder DC/AC-Inverterschaltungen, Leistungs-MOSFETs, Leistungs-(Schottky-)Dioden, JFETs (Junction Gate Field Effect Transistors), bipolare Leistungstransistoren, logisch integrierte Schaltungen, integrierte Leistungsschaltungen, Chips mit integrierten Passiven usw. Die Stromrichter-/Wechselrichtersysteme können auch Halbleiterchips mit MOS-Transistorstrukturen oder vertikalen Transistorstrukturen wie z.B. IGBT-Strukturen (Insulated Gate Bipolar Transistor) oder allgemein Transistorstrukturen verwenden, bei denen mindestens ein elektrisches Kontaktpad auf einer ersten Hauptfläche des Halbleiterchips und mindestens ein weiteres elektrisches Kontaktpad auf einer zweiten Hauptfläche des Halbleiterchips gegenüber der ersten Hauptfläche des Halbleiterchips angeordnet ist.In connection with this application, the terms “converter” and “inverter” can be used interchangeably. The power converter systems described below can use various types of semiconductor chips or circuits built into the semiconductor chips, including AC / DC or DC / DC converter circuits or DC / AC inverter circuits, power MOSFETs, power (Schottky) diodes, JFETs (Junction Gate field effect transistors), bipolar power transistors, logically integrated circuits, integrated power circuits, chips with integrated passives, etc. The power converter / inverter systems can also use semiconductor chips with MOS transistor structures or vertical transistor structures such as Use IGBT structures (Insulated Gate Bipolar Transistor) or generally transistor structures in which at least one electrical contact pad is arranged on a first main surface of the semiconductor chip and at least one further electrical contact pad is arranged on a second main surface of the semiconductor chip opposite the first main surface of the semiconductor chip.

Der/die unten erwähnte(n) Halbleiterchip(s) kann/können aus spezifischem Halbleitermaterial hergestellt sein, z.B. aus Si, SiC, SiGe, GaAs, GaN oder aus jedem anderen Halbleitermaterial.The semiconductor chip (s) mentioned below can be made of specific semiconductor material, e.g. made of Si, SiC, SiGe, GaAs, GaN or any other semiconductor material.

1 zeigt eine Seitenansicht eines Stromrichtersystems 100, das ein Leistungsmodul 110 und einen Kondensator 120 umfasst. Das Leistungsmodul 110 umfasst ein erstes Substrat 112 und mindestens einen Leistungshalbleiterchip 114. Der Kondensator 120 kann ein zweites Substrat 122 umfassen, wobei das zweite Substrat 122 in einem Abstand 140 zum ersten Substrat 112 angeordnet ist. Das Stromrichtersystem 100 umfasst ferner eine erste einstückige Metallfolie 130, die auf einer ersten Seite 112_1 des ersten Substrats 112 und auf dem Kondensator 120 angeordnet ist, z.B. auf einer ersten Seite 122_1 des zweiten Substrats 122. Außerdem überspannt die Metallfolie 130 den Abstand 140 zwischen dem ersten Substrat 112 und dem Kondensator 120. Ein erster Leistungsanschluss des mindestens einen Leistungshalbleiterchips 114 ist elektrisch mit der ersten Metallfolie 130 gekoppelt. 1 Figure 3 shows a side view of a power converter system 100 , which is a power module 110 and a capacitor 120 includes. The power module 110 comprises a first substrate 112 and at least one power semiconductor chip 114 . The condenser 120 can be a second substrate 122 comprising, the second substrate 122 at a distance 140 to the first substrate 112 is arranged. The converter system 100 further comprises a first one-piece metal foil 130 that is on a first page 112_1 of the first substrate 112 and on the capacitor 120 is arranged, for example on a first page 122_1 of the second substrate 122 . It also spans the metal foil 130 the distance 140 between the first substrate 112 and the capacitor 120 . A first power connection of the at least one power semiconductor chip 114 is electrical with the first metal foil 130 coupled.

Das Leistungsmodul 110 kann z.B. als AC/DC-Wandler, als DC/AC-Wandler oder als DC/DC-Wandler konfiguriert sein. Das Leistungsmodul 110 kann z.B. eine Vielzahl von Leistungshalbleiterchips umfassen, die so konfiguriert sind, dass sie eine oder mehrere Halbbrückenschaltungen bilden. Die Mehrzahl der Leistungshalbleiterchips kann z.B. auf der ersten Seite 112_1 des ersten Substrats 112 angeordnet und mit der ersten Metallfolie 130 elektrisch gekoppelt sein (insbesondere mit Leiterbahnen, die in der Metallfolie 130 ausgebildet sind).The power module 110 can be configured, for example, as an AC / DC converter, as a DC / AC converter or as a DC / DC converter. The power module 110 may for example include a plurality of power semiconductor chips configured to form one or more half-bridge circuits. The majority of the power semiconductor chips can, for example, on the first side 112_1 of the first substrate 112 arranged and with the first metal foil 130 be electrically coupled (especially with conductor tracks in the metal foil 130 are trained).

Der Kondensator 120 kann externe Leistungsanschlüsse des Leistungsmoduls 110 umfassen (z.B. einen Anschluss für positive Versorgungsspannung und einen Anschluss für negative Versorgungsspannung). Einer oder mehrere der externen Leistungsanschlüsse können in der ersten Metallfolie 130 implementiert sein. Ein oder mehrere Kondensatoren können zwischen einzelnen Leistungsanschlüssen angeordnet sein und eine kapazitive Verbindung zwischen diesen Leistungsanschlüssen herstellen.The condenser 120 can external power connections of the power module 110 include (e.g. a connection for positive supply voltage and a connection for negative supply voltage). One or more of the external power connections can be in the first metal foil 130 be implemented. One or more capacitors can be arranged between individual power connections and produce a capacitive connection between these power connections.

Das erste Substrat 110 kann z.B. ein Substrat vom Typ DCB (direct copper bond), DAB (direct aluminum bond), AMB (active metal brazing), IMS (insulated metal substrate) oder ein Leadframe sein. Die erste Metallfolie 130 kann z.B. der oberen Metallisierungsschicht z.B. eines Substrats vom Typ DCB entsprechen. Mit anderen Worten, die erste Metallfolie 130 kann direkt auf einer Keramikschicht des ersten Substrats 112 angeordnet sein. Das erste Substrat 112 kann beliebige geeignete Abmessungen haben und kann z.B. seitliche Abmessungen (gemessen in der Ebene der ersten Seite 112_1) von mehreren Zentimetern haben, z.B. im Bereich von 1cm bis 20cm. Das erste Substrat kann zum Beispiel eine Dicke (gemessen von der ersten Seite 112_1 zu einer gegenüberliegenden zweiten Seite 112_2) von mehreren Millimetern haben, z.B. im Bereich von 0,1mm bis 2mm.The first substrate 110 can for example be a substrate of the type DCB (direct copper bond), DAB (direct aluminum bond), AMB (active metal brazing), IMS (insulated metal substrate) or a leadframe. The first metal foil 130 can for example correspond to the upper metallization layer, for example of a substrate of the DCB type. In other words, the first metal foil 130 can directly on a ceramic layer of the first substrate 112 be arranged. The first substrate 112 can have any suitable dimensions and can, for example, lateral dimensions (measured in the plane of the first page 112_1 ) of several centimeters, e.g. in the range of 1cm to 20cm. For example, the first substrate can have a thickness (measured from the first side 112_1 to an opposite second side 112_2 ) of several millimeters, for example in the range from 0.1mm to 2mm.

Gemäß einem Beispiel kann das erste Substrat 112 auf einer Grundplatte (nicht in 1 dargestellt) angeordnet sein, z.B. so, dass die zweite Seite 112_2 auf der Grundplatte befestigt ist. Die Grundplatte kann z.B. eine Metallgrundplatte sein und kann z.B. einen Kühlkörper umfassen, der so konfiguriert ist, dass er den mindestens einen Leistungshalbleiterchip 114 kühlt. Der Kühlkörper kann für Flüssigkeitskühlung (z.B. direkte Flüssigkeitskühlung) oder für Gaskühlung, z.B. Luftkühlung, konfiguriert sein. Das erste Substrat 112 kann auf die Grundplatte z.B. genietet, gelötet oder geschweißt oder geklebt sein. Es ist auch möglich, dass zwischen dem ersten Substrat 112 und der Grundplatte eine Schicht aus Wärmeleitpaste (TIM) angeordnet ist.According to one example, the first substrate 112 on a base plate (not in 1 shown) be arranged, for example so that the second side 112_2 is attached to the base plate. The base plate can, for example, be a metal base plate and can, for example, comprise a heat sink which is configured in such a way that it supports the at least one power semiconductor chip 114 cools. The heat sink can be configured for liquid cooling (eg direct liquid cooling) or for gas cooling, eg air cooling. The first substrate 112 can be riveted, soldered or welded or glued to the base plate, for example. It is also possible that between the first substrate 112 and a layer of thermal paste (TIM) is arranged on the base plate.

Das zweite Substrat 122 kann z.B. eine oder mehrere Leiterplatten (PCBs) oder ein oder mehrere isolierte Metallsubstrate (IMSs) oder eine oder mehrere interne Verbindungsplatten anderer Kondensatoren umfassen. Das zweite Substrat 122 kann z.B. einen oder mehrere Folienkondensatoren oder einen oder mehrere gewickelte Kondensatoren umfassen.The second substrate 122 for example, may include one or more printed circuit boards (PCBs) or one or more isolated metal substrates (IMSs) or one or more internal connection plates of other capacitors. The second substrate 122 may, for example, comprise one or more film capacitors or one or more wound capacitors.

Gemäß einem Beispiel können ein oder mehrere Kondensatoren, z.B. ein Array von Kondensatoren, auf den Leiterplatten angeordnet sein. Der eine oder die mehreren Kondensatoren können z.B. Keramikkondensatoren oder jeder andere geeignete Kondensatortyp sein.According to one example, one or more capacitors, e.g. an array of capacitors, arranged on the printed circuit boards. The one or more capacitors can e.g. Ceramic capacitors or any other suitable type of capacitor.

Der Kondensator 120 kann alle geeigneten lateralen und vertikalen Abmessungen haben. Der Kondensator 120 kann beispielsweise seitliche und/oder vertikale Abmessungen haben, die im Bereich der Abmessungen des Leistungsmoduls 110 liegen, die größer als die Abmessungen des Leistungsmoduls 110 sind oder die kleiner als die Abmessungen des Leistungsmoduls 110 sind.The condenser 120 can have any suitable lateral and vertical dimensions. The condenser 120 can for example have lateral and / or vertical dimensions that are in the range of the dimensions of the power module 110 that are larger than the dimensions of the power module 110 or that are smaller than the dimensions of the power module 110 are.

Der Abstand 140 zwischen dem ersten Substrat 112 und dem zweiten Substrat 122 kann ein beliebiger geeigneter Abstand sein und kann z.B. etwa 1mm, etwa 2mm, etwa 5mm, etwa 1cm, etwa 2cm, etwa 5cm oder mehr betragen. Der Raum zwischen dem ersten Substrat 112 und dem zweiten Substrat 122 kann im Wesentlichen leer sein, mit Ausnahme der ersten Metallfolie 130, die den Abstand 140 überspannt. Gemäß einem Beispiel überspannt die erste Metallfolie 130 den Abstand 140, ohne irgendeine Art von Stützstruktur, die die erste Metallfolie 130 stützt. Nach einem anderen Beispiel ist eine Stützstruktur, z.B. eine Polymerstruktur oder eine Metallstruktur, zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat 112, 122 angeordnet und stützt die erste Metallfolie 130.The distance 140 between the first substrate 112 and the second substrate 122 can be any suitable distance and can be, for example, about 1mm, about 2mm, about 5mm, about 1cm, about 2cm, about 5cm, or more. The space between the first substrate 112 and the second substrate 122 can be essentially empty except for the first metal foil 130 that the distance 140 overstretched. According to one example, the first metal foil spans 130 the distance 140 without any kind of support structure that the first metal foil 130 supports. According to another example, a support structure, such as a polymer structure or a metal structure, is between the first and second substrates 112 , 122 arranged and supports the first metal foil 130 .

Gemäß einem Beispiel kann die erste Metallfolie 130 einen ersten Streifen und einen zweiten Streifen umfassen, wobei der erste Streifen mit einer ersten Seite des zweiten Substrats 122 und der zweite Streifen mit einer zweiten Seite des zweiten Substrats 122 verbunden ist.According to one example, the first metal foil 130 a first strip and a second strip, the first strip having a first side of the second substrate 122 and the second strip with a second side of the second substrate 122 connected is.

Die erste Metallfolie 130 ist eine „einstückige“ Metallfolie. Im Kontext dieser Offenbarung bedeutet dies, dass ein kohärentes Metallteil auf dem ersten Substrat 112 und dem zweiten Substrat 122 angeordnet ist und dass dieses kohärente Metallteil den Abstand 140 zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat 112, 122 überspannt. „Einstückig“ steht also im Gegensatz zu einem „mehrteiligen“ Teil, wobei z.B. ein erstes Teil auf dem ersten Substrat 112 und ein zweites Teil auf dem zweiten Substrat 122 angeordnet wäre und z.B. eine genietete, geschweißte oder gelötete Verbindung die beiden Teile verbinden würde. „Einstückig“ kann jedoch bedeuten, dass eine Metallfolie wie die erste Metallfolie 130 mehrere (parallelen) Streifen umfasst, wobei jeder Streifen auf beiden Substraten 112, 122 angeordnet ist und den Abstand 140 überspannt. Zum Beispiel ist ein erster Leistungsanschluss (z.B. ein Source-Anschluss) des mindestens einen Leistungshalbleiterchips 114 elektrisch mit einem ersten Streifen gekoppelt, der sich vom ersten Substrat 112 zum zweiten Substrat 122 erstreckt, und ein zweiter Leistungsanschluss (z.B. ein Drain-Anschluss) des mindestens einen Leistungshalbleiterchips 114 ist elektrisch mit einem zweiten Streifen gekoppelt, der sich ebenfalls vom ersten Substrat 112 zum zweiten Substrat 122 erstreckt.The first metal foil 130 is a "one-piece" metal foil. In the context of this disclosure, this means that a coherent metal part on the first substrate 112 and the second substrate 122 is arranged and that this coherent metal part the distance 140 between the first and second substrates 112 , 122 overstretched. “One-piece” is in contrast to a “multi-part” part, with a first part on the first substrate, for example 112 and a second part on the second substrate 122 would be arranged and, for example, a riveted, welded or soldered connection would connect the two parts. “One-piece” can mean, however, that a metal foil like the first metal foil 130 comprises several (parallel) strips, each strip on both substrates 112 , 122 is arranged and the distance 140 overstretched. For example, a first power connection (for example a source connection) of the at least one power semiconductor chip 114 electrically coupled to a first strip extending from the first substrate 112 to the second substrate 122 extends, and a second power connection (for example a drain connection) of the at least one power semiconductor chip 114 is electric with coupled to a second strip which also extends from the first substrate 112 to the second substrate 122 extends.

Die erste Metallfolie 130 kann jedes geeignete Metall oder jede geeignete Metalllegierung enthalten oder aus ihr bestehen. Die erste Metallfolie 130 kann zum Beispiel Al, Cu oder Fe enthalten oder aus diesen bestehen. Die erste Metallfolie 130 kann jede geeignete Dicke (senkrecht zu den ersten Seiten 112_1, 122_1 gemessen) haben, z.B. eine Dicke von 50µm oder mehr, 100µm oder mehr, 200µm oder mehr, 400µm oder mehr, 600µm oder mehr oder 1mm oder mehr.The first metal foil 130 may include or consist of any suitable metal or metal alloy. The first metal foil 130 may for example contain or consist of Al, Cu or Fe. The first metal foil 130 can be any suitable thickness (perpendicular to the first sides 112_1 , 122_1 measured), for example a thickness of 50 µm or more, 100 µm or more, 200 µm or more, 400 µm or more, 600 µm or more or 1 mm or more.

Die erste Metallfolie 130 kann auf das erste Substrat 112 und/oder das zweite Substrat 122 mit jeder geeigneten Auftragstechnik aufgebracht werden. Zum Beispiel kann die erste Metallfolie 130 auf das erste Substrat 112 und/oder das zweite Substrat 122 laminiert werden. Nach einem Beispiel kann die erste Metallfolie 130 in aufgewickelter Form bereitgestellt werden und kann abgewickelt und geschnitten werden, um sie auf das erste und/oder zweite Substrat 112, 122 zu laminieren. Nach einem anderen Beispiel kann die erste Metallfolie 130 in Form eines flachen Blattes bereitgestellt werden. In jedem Fall kann die erste Metallfolie 130 so angebracht werden, dass sie sich über einen Umriss des ersten Substrats 112 hinaus erstreckt.The first metal foil 130 can on the first substrate 112 and / or the second substrate 122 can be applied with any suitable application technique. For example, the first metal foil 130 on the first substrate 112 and / or the second substrate 122 be laminated. According to one example, the first metal foil 130 may be provided in coiled form and can be unwound and cut to fit onto the first and / or second substrate 112 , 122 to laminate. According to another example, the first metal foil 130 in the form of a flat sheet. In any case, the first metal foil 130 attached so that it extends over an outline of the first substrate 112 extends beyond.

Gemäß einem Beispiel kann die erste Metallfolie 130 gleichzeitig oder fast gleichzeitig auf das erste Substrat 112 und auf das zweite Substrat 122 aufgebracht werden. Gemäß einem anderen Beispiel kann die erste Metallfolie 130 in einem ersten Prozess nur auf das erste Substrat 112 aufgebracht werden. Anschließend kann das Leistungsmodul 110 weiter zusammengesetzt werden, z.B. durch Anbringen des mindestens einen Leistungshalbleiterchips 114 auf der ersten Seite 112_1, durch elektrisches Koppeln des mindestens einen Leistungshalbleiterchips 114 mit der ersten Metallfolie (z.B. mittels Bonddrähten) und/oder durch Einkapseln des mindestens einen Leistungshalbleiterchips 144 und des ersten Substrats 112 in einem Gehäuse. Die erste Metallfolie 130 kann teilweise an dem Gehäuse freigelegt sein. In einem weiteren Folgeprozess kann der freiliegende Teil der ersten Metallfolie 130 mit dem Kondensator 120 gekoppelt werden.According to one example, the first metal foil 130 simultaneously or almost simultaneously on the first substrate 112 and onto the second substrate 122 be applied. According to another example, the first metal foil 130 in a first process only on the first substrate 112 be applied. Then the power module 110 can be further assembled, for example by attaching the at least one power semiconductor chip 114 on the first page 112_1 by electrically coupling the at least one power semiconductor chip 114 with the first metal foil (for example by means of bonding wires) and / or by encapsulating the at least one power semiconductor chip 144 and the first substrate 112 in one housing. The first metal foil 130 may be partially exposed on the housing. In a further subsequent process, the exposed part of the first metal foil 130 with the capacitor 120 be coupled.

Die erste Metallfolie 130 kann die erste Seite 112_1 des ersten Substrats 112 teilweise oder (fast) vollständig bedecken. In ähnlicher Weise kann die erste Metallfolie 130 die erste Seite 122 2 des zweiten Substrats 122 teilweise bedecken (wie in 1 gezeigt) oder sie kann (fast) vollständig die erste Seite 122_1 bedecken.The first metal foil 130 can be the first side 112_1 of the first substrate 112 partially or (almost) completely cover. Similarly, the first metal foil 130 the first page 122 2 of the second substrate 122 partially cover (as in 1 shown) or it can (almost) completely cover the first page 122_1 cover.

Gemäß einem Beispiel kann die erste Metallfolie 130 mit einer oder mehreren Leiterbahnen (z.B. einer strukturierten Metallschicht, die auf einem isolierenden Material angeordnet ist) auf der ersten Seite 122_1 des zweiten Substrats 122 gekoppelt sein. Diese Kopplung kann z.B. durch Sintern, Nieten, Löten oder Schweißen erfolgen. Nach einem anderen Beispiel ist die erste Metallfolie 130 nicht an eine Leiterbahn gekoppelt, sondern die erste Metallfolie 130 selbst ist so strukturiert, dass sie die eine oder mehreren Leiterbahnen auf der ersten Seite 122_1 bereitstellt.According to one example, the first metal foil 130 with one or more conductor tracks (for example a structured metal layer which is arranged on an insulating material) on the first side 122_1 of the second substrate 122 be coupled. This coupling can take place, for example, by sintering, riveting, soldering or welding. According to another example, the first is metal foil 130 not coupled to a conductor track, but the first metal foil 130 itself is structured so that it has the one or more conductor tracks on the first side 122_1 provides.

Der mindestens eine Leistungshalbleiterchip 114 kann eine vertikale Transistorstruktur aufweisen, wobei ein erster Leistungsanschluss auf einer ersten Seite angeordnet ist, die dem ersten Substrat 112 zugewandt ist, und ein zweiter Leistungsanschluss auf einer gegenüberliegenden zweiten Seite angeordnet ist, die vom ersten Substrat 112 abgewandt ist. Die erste Seite des Leistungshalbleiterchips 114 kann auf der ersten Metallfolie 130 angeordnet sein und kann mechanisch und elektrisch mit der ersten Metallfolie 130 z.B. durch eine Lötverbindung gekoppelt sein. Nach einem Beispiel kann der mindestens eine Leistungshalbleiterchip 114 durch Reflow-Löten mit der ersten Metallfolie 130 gekoppelt werden. Der zweite Leistungsanschluss auf der zweiten Seite des mindestens einen Leistungshalbleiterchips 114 kann mit der ersten Metallfolie 130 durch einen leitenden Verbinder, z.B. einen oder mehrere Bonddrähte, Bänder oder Clips, gekoppelt sein.The at least one power semiconductor chip 114 may have a vertical transistor structure, wherein a first power connection is arranged on a first side, the first substrate 112 is facing, and a second power terminal is arranged on an opposite second side, from the first substrate 112 is turned away. The first side of the power semiconductor chip 114 can on the first metal foil 130 be arranged and can mechanically and electrically with the first metal foil 130 be coupled, for example, by a soldered connection. According to one example, the at least one power semiconductor chip 114 by reflow soldering with the first metal foil 130 be coupled. The second power connection on the second side of the at least one power semiconductor chip 114 can with the first metal foil 130 be coupled by a conductive connector such as one or more bond wires, ribbons or clips.

Wie bereits oben erwähnt, kann das Leistungsmodul 110 ein Gehäuse (nicht in 1 dargestellt) umfassen, das den Leistungshalbleiterchip 114 und das erste Substrat 112 umschließt, wobei die erste Metallfolie 130 aus dem Gehäuse herausragen kann.As already mentioned above, the power module 110 a housing (not in 1 shown) include the power semiconductor chip 114 and the first substrate 112 encloses, the first metal foil 130 can protrude from the housing.

Gemäß einem Beispiel umfasst die Verkapselung einen Kunststoffrahmen. Der Kunststoffrahmen kann z.B. das erste Substrat 112 auf allen lateralen Seiten und auf der ersten Seite 112_1 umschließen. Gemäß einem Beispiel ist eine auf der zweiten Seite 112_2 des ersten Substrats 112 angeordnete Grundplatte an dem Kunststoffrahmen freigelegt. Der Kunststoffrahmen kann auf der ersten Seite 112_1 angeordnete Löcher zum Einsetzen von Verbindungsstiften aufweisen. Solche Verbindungsstifte können z.B. für externe Steuer- oder Messanschlüsse einer elektrischen Schaltung des Leistungsmoduls 110 verwendet werden. Es ist aber auch möglich, dass solche Steuer- oder Messanschlüsse durch die erste Metallfolie 130 bereitgestellt werden.According to one example, the encapsulation comprises a plastic frame. The plastic frame can, for example, be the first substrate 112 on all lateral sides and on the first side 112_1 enclose. According to one example, one is on the second page 112_2 of the first substrate 112 arranged base plate exposed on the plastic frame. The plastic frame can be on the first side 112_1 have arranged holes for inserting connecting pins. Such connecting pins can be used, for example, for external control or measurement connections of an electrical circuit of the power module 110 be used. But it is also possible that such control or measuring connections through the first metal foil 130 to be provided.

Gemäß einem anderen Beispiel umfasst das Gehäuse einen Formgusskörper. Die zweite Seite 112_2 des ersten Substrats 112 kann an dem Formgusskörper freiliegen, um mit einer Grundplatte gekoppelt zu werden. Das Leistungsmodul 110 kann externe Steueranschlüsse oder Messanschlüsse aufweisen, die an dem Formgusskörper freiliegen. Solche Steuer- oder Messanschlüsse können z.B. durch einen Leadframe oder durch die erste Metallfolie 130 bereitgestellt werden.According to another example, the housing comprises a molded body. The second side 112_2 of the first substrate 112 can be exposed on the molded body to provide a base plate to be paired. The power module 110 can have external control connections or measurement connections that are exposed on the cast body. Such control or measurement connections can, for example, through a lead frame or through the first metal foil 130 to be provided.

Mit der einstückigen Metallfolie 130, die den Abstand 140 überspannt, ist es möglich, die Anzahl der elektrischen Verbindungen (z.B. Löt-, Schweiß- oder Nietverbindungen) zwischen dem Leistungshalbleiterchip 114 und dem Kondensator 120 zu reduzieren (da es nicht notwendig ist, ein separates Verbindungsteil zur Überbrückung des Abstandes zwischen dem Leistungsmodul 110 und dem Kondensator 120 zu verwenden). Dies kann z.B. die parasitären Kapazitäten im Stromrichtersystem 100 reduzieren, da jede elektrische Verbindung eine potentielle parasitäre Kapazität einführt. Daher kann das Stromrichtersystem 100 verbesserte elektrische Eigenschaften aufweisen.With the one-piece metal foil 130 that the distance 140 spanned, it is possible to determine the number of electrical connections (e.g. solder, weld or rivet connections) between the power semiconductor chip 114 and the capacitor 120 to reduce (since it is not necessary to use a separate connecting part to bridge the distance between the power module 110 and the capacitor 120 to use). This can be, for example, the parasitic capacitances in the converter system 100 as every electrical connection introduces a potential parasitic capacitance. Therefore, the converter system 100 have improved electrical properties.

2A zeigt eine Seitenansicht und 2B eine Draufsicht auf ein Stromrichtersystem 200 (in 2B ist der Einfachheit halber nur ein Teil des Leistungsmoduls 110 dargestellt). Das Stromrichtersystem 200 kann dem Stromrichtersystem 100 ähnlich oder identisch sein, mit Ausnahme der unten beschriebenen Unterschiede. 2A shows a side view and 2 B a top view of a power converter system 200 (in 2 B is only part of the power module for the sake of simplicity 110 shown). The converter system 200 can the converter system 100 be similar or identical except as described below.

Im Stromrichtersystem 200 umfasst die erste Metallfolie 130 eine Vielzahl von Streifen, z.B. einen ersten Streifen 201, einen zweiten Streifen 202 und einen dritten Streifen 203. Jeder der Streifen 201, 202 und 203 ist ein einstückiger Streifen, der auf dem ersten Substrat 112 und auf dem zweiten Substrat 122 angeordnet ist und den Abstand 140 überspannt. Der erste Streifen 201 und der dritte Streifen 203 sind auf der zweiten Seite 122_2 des zweiten Substrats 122 angeordnet und der zweite Streifen 202 ist auf der ersten Seite 122_1 des zweiten Substrats 122 angeordnet. Zu diesem Zweck können sich der erste Streifen 201 und der dritte Streifen 203 in dem Bereich, der den Abstand zwischen den Substraten 112, 122 überspannt, nach unten und der zweite Streifen 202 nach oben biegen. Gemäß einem Beispiel können der erste, zweite und dritte Streifen 201-203 auch als erste Metallfolie, zweite Metallfolie und dritte Metallfolie bezeichnet werden.In the converter system 200 comprises the first metal foil 130 a plurality of strips, e.g. a first strip 201 , a second strip 202 and a third strip 203 . Each of the strips 201 , 202 and 203 is a one-piece strip that rests on the first substrate 112 and on the second substrate 122 is arranged and the distance 140 overstretched. The first strip 201 and the third strip 203 are on the second page 122_2 of the second substrate 122 arranged and the second strip 202 is on the first page 122_1 of the second substrate 122 arranged. For this purpose you can use the first strip 201 and the third strip 203 in the area that defines the distance between the substrates 112 , 122 spanned, down and the second strip 202 bend upwards. According to one example, the first, second and third strips 201 - 203 can also be referred to as first metal foil, second metal foil and third metal foil.

Gemäß einem Beispiel können der erste und der dritte Streifen 201, 203 für die gleiche Spannung und der zweite Streifen 202 für eine andere Spannung konfiguriert sein. Beispielsweise können der erste und der dritte Streifen 201, 203 so konfiguriert sein, dass sie eine negative Versorgungsspannung führen, und der zweite Streifen kann so konfiguriert sein, dass er eine positive Versorgungsspannung für das Leistungsmodul 110 führt.According to one example, the first and third strips 201 , 203 for the same voltage and the second strip 202 configured for a different voltage. For example, the first and third strips 201 , 203 be configured to carry a negative supply voltage, and the second strip can be configured to carry a positive supply voltage for the power module 110 leads.

In dem in 2A gezeigten Beispiel sind die Streifen 201-203 an die Außenseiten des Kondensators 120 gekoppelt. Es ist jedoch auch möglich, dass die Streifen 201-203 auf jede andere geeignete Weise an den Kondensator 120 gekoppelt sind. Außerdem zeigt das Beispiel in 2A, dass das erste Substrat 112 vom DCB- oder DAB-Typ ist, wobei die erste Metallfolie 130 der oberen Cu-Schicht bzw. der oberen Al-Schicht entspricht.In the in 2A Example shown are the strips 201-203 to the outside of the capacitor 120 coupled. However, it is also possible that the strips 201-203 in any other suitable manner to the capacitor 120 are coupled. In addition, the example in 2A that the first substrate 112 is of the DCB or DAB type, the first metal foil 130 corresponds to the upper Cu layer or the upper Al layer.

Im Stromrichtersystem 200 kann das Leistungsmodul 110 ein Gehäuse 207 umfassen, das die Leistungshalbleiterchips 114 und das erste Substrat 112 umschließt. Das Gehäuse 207 kann z.B. ein Formgussmaterial, Gel oder einem (Kunststoff-)Rahmen umfassen. Die ersten, zweiten und dritten Streifen 201, 202, 203 können sich in derselben Ebene aus dem Gehäuse 207 heraus erstrecken (d.h. die Streifen 201-203 können außerhalb des Gehäuses 207 nach oben bzw. nach unten gebogen sein). Gemäß einem anderen Beispiel können die Streifen 201 und 203 einerseits und der Streifen 202 andererseits in verschiedenen Ebenen aus dem Gehäuse 207 herausragen (was bedeutet, dass die Streifen 201-203 innerhalb des Gehäuses 207 nach oben bzw. nach unten gebogen sein können).In the converter system 200 can the power module 110 a housing 207 include that the power semiconductor chips 114 and the first substrate 112 encloses. The case 207 can for example comprise a molding material, gel or a (plastic) frame. The first, second and third strips 201 , 202 , 203 can be in the same plane from the housing 207 extend out (i.e. the strips 201 - 203 can outside of the housing 207 bent upwards or downwards). According to another example, the strips 201 and 203 one hand and the strip 202 on the other hand in different levels from the housing 207 stick out (which means that the strips 201 - 203 inside the case 207 can be bent upwards or downwards).

3 zeigt eine Seitenansicht eines Stromrichtersystems 300. Das Stromrichtersystem 300 kann ähnlich oder identisch mit den Stromrichtersystemen 100 und 200 sein, mit Ausnahme der unten beschriebenen Unterschiede. 3 Figure 3 shows a side view of a power converter system 300 . The converter system 300 can be similar or identical to the converter systems 100 and 200 except for the differences described below.

Beim Stromrichtersystem 300 sind das erste und zweite Substrat 112, 122 in einem vertikalen Höhenunterschied 301 angeordnet und die erste Metallfolie 130 überspannt den horizontalen Abstand 140 und auch den vertikalen Höhenunterschied 301. Die erste Metallfolie 130 kann den vertikalen Höhenunterschied 301 in einer graduellen Neigung überspannen, wie in 3 gezeigt, oder sie kann eng gebogen sein, wie in 2A gezeigt.With the converter system 300 are the first and second substrates 112 , 122 in a vertical height difference 301 arranged and the first metal foil 130 spans the horizontal distance 140 and also the vertical height difference 301 . The first metal foil 130 can change the vertical height difference 301 span in a gradual slope, as in 3 shown, or it can be tightly curved, as in 2A shown.

Es ist auch möglich, dass das erste und zweite Substrat 112, 122 schräg gegeneinander angeordnet sind (d.h. die ersten Seiten 112_1 und 122_1 nicht planparallel sind).It is also possible that the first and second substrate 112 , 122 are arranged obliquely to each other (ie the first pages 112_1 and 122_1 are not plane-parallel).

4A zeigt eine Seitenansicht und 4B eine perspektivische Ansicht eines Stromrichtersystems 400 (der Einfachheit halber sind in 4B nur ein Teil des Kondensators 120 und des Leistungsmoduls 110 dargestellt). Das Stromrichtersystem 400 kann ähnlich oder identisch mit den Stromrichtersystemen 100, 200 und 300 sein, mit Ausnahme der unten beschriebenen Unterschiede. 4A shows a side view and 4B a perspective view of a power converter system 400 (for the sake of simplicity, in 4B only part of the capacitor 120 and the power module 110 shown). The converter system 400 can be similar or identical to the converter systems 100 , 200 and 300 except for the differences described below.

Das Stromrichtersystem 400 umfasst die erste Metallfolie 130 und eine zweite Metallfolie 401. Die zweite Metallfolie 401 kann ähnlich oder identisch mit der ersten Metallfolie 130 sein. Insbesondere ist die zweite Metallfolie 401 eine „einstückige“ Metallfolie, wie weiter oben in Bezug auf die erste Metallfolie 130 erläutert wurde.The converter system 400 comprises the first metal foil 130 and a second metal foil 401 . The second metal foil 401 may be similar or identical to the first metal foil 130 be. In particular, the second metal foil 401 a “one-piece” metal foil, as described above in relation to the first metal foil 130 was explained.

Die erste Metallfolie 130 ist im Wesentlichen in einer ersten Ebene angeordnet und die zweite Metallfolie 401 ist im Wesentlichen in einer anderen, zweiten Ebene angeordnet. Die erste und zweite Metallfolie 130, 401 können insbesondere übereinander angeordnet sein. Dazu kann die erste Metallfolie 130 auf dem ersten Substrat 112 angeordnet sein, ein drittes Substrat 402 auf dem ersten Substrat 112 oder auf der ersten Metallfolie 130 angeordnet sein und die zweite Metallfolie 401 auf dem dritten Substrat 402 angeordnet sein. Der mindestens eine Leistungshalbleiterchip 114 kann auf dem dritten Substrat 402 angeordnet sein und er kann insbesondere auf der zweiten Metallfolie 401 auf dem dritten Substrat 402 angeordnet sein.The first metal foil 130 is arranged essentially in a first plane and the second metal foil 401 is essentially arranged in a different, second plane. The first and second metal foils 130 , 401 can in particular be arranged one above the other. The first metal foil 130 on the first substrate 112 be arranged, a third substrate 402 on the first substrate 112 or on the first metal foil 130 be arranged and the second metal foil 401 on the third substrate 402 be arranged. The at least one power semiconductor chip 114 can on the third substrate 402 be arranged and it can in particular on the second metal foil 401 on the third substrate 402 be arranged.

Die Anordnung der ersten und zweiten Metallfolie 130, 401 übereinander kann dazu beitragen, ein Leistungsmodul 110 mit kleineren seitlichen Abmessungen zu erhalten als z.B. ein Leistungsmodul mit nebeneinander in derselben Ebene angeordneten Metallfolien, wie z.B. in 2B dargestellt.The arrangement of the first and second metal foils 130 , 401 one above the other can help create a power module 110 with smaller lateral dimensions than, for example, a power module with metal foils arranged next to one another in the same plane, such as in 2 B shown.

Gemäß einem Beispiel sind die erste und zweite Metallfolie 130, 401 übereinander angeordnet und überspannen den Abstand 140 ohne eine zwischen den Metallfolien 130, 401 angeordnete Stützstruktur. Nach einem anderen Beispiel kann zwischen den Metallfolien 130, 401 oder über oder unter den Metallfolien 130, 401 eine Trägerstruktur und/oder eine Isolierschicht (nicht dargestellt) angeordnet sein.According to one example, the first and second are metal foils 130 , 401 arranged one above the other and span the distance 140 without one between the metal foils 130 , 401 arranged support structure. According to another example, between the metal foils 130 , 401 or above or below the metal foils 130 , 401 a carrier structure and / or an insulating layer (not shown) can be arranged.

Die Herstellung des Stromrichtermoduls 400 kann das Aufbringen der ersten Metallfolie 130 auf das erste Substrat 112, das Anordnen des dritten Substrats 402 auf dem ersten Substrat 112 und das Aufbringen der zweiten Metallfolie 401 auf das dritte Substrat 402 umfassen. Diese Prozesse können in aufeinanderfolgender Reihenfolge oder gleichzeitig durchgeführt werden. Das Aufbringen der zweiten Metallfolie 401 auf das dritte Substrat 402 kann einen Laminierprozess umfassen.The manufacture of the converter module 400 can apply the first metal foil 130 on the first substrate 112 , arranging the third substrate 402 on the first substrate 112 and applying the second metal foil 401 on the third substrate 402 include. These processes can be performed in sequential order or simultaneously. The application of the second metal foil 401 on the third substrate 402 may include a lamination process.

Das dritte Substrat 402 kann vom gleichen oder einem anderen Substrattyp als das erste Substrat 112 sein. Das dritte Substrat 402 kann z.B. ein DAB, DCB, AMB oder IMS sein. Die zweite Metallfolie 401 kann der oberen Metallisierungsschicht des dritten Substrats 402 entsprechen und kann z.B. auf einer Keramikschicht des dritten Substrats 402 angeordnet sein.The third substrate 402 may be of the same or a different type of substrate than the first substrate 112 be. The third substrate 402 can for example be a DAB, DCB, AMB or IMS. The second metal foil 401 can be the top metallization layer of the third substrate 402 and can correspond, for example, to a ceramic layer of the third substrate 402 be arranged.

5 zeigt eine Seitenansicht eines Stromrichtersystems 500. Das Stromrichtersystem 500 kann ähnlich oder identisch mit den Stromrichtersystemen 100 bis 400 sein. 5 Figure 3 shows a side view of a power converter system 500 . The converter system 500 can be similar or identical to the converter systems 100 to 400 be.

Im Stromrichtersystem 500 umfasst das Leistungsmodul 110 das erste Substrat 112 und ein viertes Substrat 501, wobei die Substrate 112 und 501 auf gegenüberliegenden Seiten eines Gehäuses 207 angeordnet sind und wobei der mindestens eine Leistungshalbleiterchip 114 zwischen dem ersten und vierten Substrat 112, 501 angeordnet ist. Im Stromrichtersystem 500 kann das Leistungsmodul 110 für eine doppelseitige Kühlung konfiguriert sein, wobei die zweite Seite 112_2 des ersten Substrats 112 und eine zweite Seite 501 2 des vierten Substrats 502 auf gegenüberliegenden Seiten des Gehäuses 207 freigelegt sind. Ein erster Kühlkörper kann auf der zweiten Seite 112_2 des ersten Substrats angeordnet werden und/oder ein zweiter Kühlkörper kann auf der zweiten Seite 501_2 des vierten Substrats 501 angeordnet werden.In the converter system 500 includes the power module 110 the first substrate 112 and a fourth substrate 501 , with the substrates 112 and 501 on opposite sides of a housing 207 are arranged and wherein the at least one power semiconductor chip 114 between the first and fourth substrates 112 , 501 is arranged. In the converter system 500 can the power module 110 be configured for double-sided cooling, with the second side 112_2 of the first substrate 112 and a second page 501 2 of the fourth substrate 502 on opposite sides of the case 207 are exposed. A first heat sink can be on the second side 112_2 of the first substrate and / or a second heat sink can be arranged on the second side 501_2 of the fourth substrate 501 to be ordered.

Das vierte Substrat 501 kann vom gleichen Substrattyp oder von einem anderen Substrattyp als das erste Substrat 112 sein und kann z.B. ein DAB, DCB, AMB oder IMS sein. Das Stromrichtersystem 500 umfasst die erste Metallfolie 130 und die zweite Metallfolie 401, die über der ersten Metallfolie 130 angeordnet ist. Die zweite Metallfolie 401 kann einer inneren Metallisierungsschicht des vierten Substrats 501 entsprechen.The fourth substrate 501 may be of the same type of substrate or a different type of substrate than the first substrate 112 and can be, for example, a DAB, DCB, AMB or IMS. The converter system 500 comprises the first metal foil 130 and the second metal foil 401 that is over the first metal foil 130 is arranged. The second metal foil 401 may be an inner metallization layer of the fourth substrate 501 correspond.

Der Leistungshalbleiterchip 114 kann auf der ersten Seite 112_1 des ersten Substrats 112 angeordnet sein und ein erster Leistungsanschluss des Leistungshalbleiterchips 114 kann elektrisch mit der ersten Metallfolie 130 gekoppelt sein. Ein zweiter Leistungsanschluss des Leistungshalbleiterchips 114 kann mit der zweiten Metallfolie 401 gekoppelt sein, z.B. mittels eines leitenden Abstandshalters 502.The power semiconductor chip 114 can be on the first page 112_1 of the first substrate 112 be arranged and a first power connection of the power semiconductor chip 114 can electrically with the first metal foil 130 be coupled. A second power connection of the power semiconductor chip 114 can with the second metal foil 401 be coupled, for example by means of a conductive spacer 502 .

6 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens 600 zur Herstellung eines Stromrichtersystems. Das Verfahren 600 kann z.B. zur Herstellung der Stromrichtersysteme 100 bis 500 verwendet werden. 6th Figure 3 is a flow diagram of a method 600 for the production of a power converter system. The procedure 600 can be used, for example, to manufacture power converter systems 100 to 500 be used.

Das Verfahren 600 umfasst bei 601 das Anordnen eines ersten Substrats und eines zweiten Substrats in einem Abstand zueinander, bei 602 das Anordnen mindestens eines Leistungshalbleiterchips auf einer ersten Seite des ersten Substrats, bei 603 das Aufbringen einer ersten einstückigen Metallfolie auf die erste Seite des ersten Substrats und auf eine erste Seite des zweiten Substrats, sodass die erste Metallfolie den Abstand zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat überspannt, und bei 604 das elektrische Koppeln eines ersten Leistungsanschlusses des mindestens einen Leistungshalbleiterchips mit der ersten Metallfolie.The procedure 600 includes at 601 spacing a first substrate and a second substrate apart 602 arranging at least one power semiconductor chip on a first side of the first substrate 603 applying a first one-piece metal foil to the first side of the first substrate and to a first side of the second substrate such that the first metal foil spans the distance between the first and second substrates, and at 604 the electrical coupling of a first power connection of the at least one power semiconductor chip to the first metal foil.

Gemäß einem Beispiel des Verfahrens 600 umfasst das Aufbringen der ersten Metallfolie auf das erste Substrat ein Laminieren. Gemäß einem Beispiel umfasst das Aufbringen der ersten Metallfolie auf das zweite Substrat ein Sintern, Schweißen, Löten oder Laminieren. Gemäß einem Beispiel umfasst das Verfahren 600 ferner das Strukturieren der ersten Metallfolie, um eine oder mehrere Leiterbahnen für den mindestens einen Leistungshalbleiterchip zu erhalten.According to an example of the method 600 the application of the first metal foil to the first substrate comprises a lamination. According to one example, the application of the first metal foil to the second substrate comprises sintering, welding, soldering or lamination. According to one example, the method includes 600 furthermore structuring the first metal foil in order to obtain one or more conductor tracks for the at least one power semiconductor chip.

7 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens 700 zur Herstellung eines kombinierten Substrats für ein Stromrichtersystem. Das Verfahren 700 kann zum Beispiel zur Herstellung eines kombinierten Substrats verwendet werden, das das erste und zweite Substrat 112, 122 und die erste Metallfolie 130 umfasst (und gemäß einem Beispiel außerdem das dritte Substrat 402 oder das vierte Substrat 501 und die zweite Metallfolie 401). 7th Figure 3 is a flow diagram of a method 700 for the production of a combined substrate for a power converter system. The procedure 700 for example, can be used to make a combined substrate comprising the first and second substrates 112 , 122 and the first metal foil 130 comprises (and according to one example also the third substrate 402 or the fourth substrate 501 and the second metal foil 401 ).

Das Verfahren 700 umfasst bei 701 das Anordnen eines ersten Substrats und eines zweiten Substrats in einem Abstand zueinander und bei 702 das Aufbringen einer ersten einstückigen Metallfolie auf eine erste Seite des ersten Substrats und auf eine erste Seite des zweiten Substrats, sodass die erste Metallfolie den Abstand zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat überspannt.The procedure 700 includes at 701 spacing a first substrate and a second substrate apart and at 702 applying a first one-piece metal foil to a first side of the first substrate and to a first side of the second substrate such that the first metal foil spans the distance between the first and the second substrate.

Gemäß einem Beispiel des Verfahrens 700 umfasst das Aufbringen der ersten Metallfolie auf das erste Substrat das Laminieren der ersten Metallfolie auf das erste Substrat und/oder das Schweißen, Löten oder Laminieren der ersten Metallfolie auf das zweite Substrat. Die erste Metallfolie kann die erste Seite des ersten Substrats und/oder die erste Seite des zweiten Substrats ganz oder nur teilweise bedecken. Gemäß einem Beispiel umfasst das Verfahren 700 ferner das Strukturieren der ersten Metallfolie, um eine oder mehrere Leiterbahnen für mindestens einen Leistungshalbleiterchip zu schaffen, der auf dem ersten Substrat auf der ersten Metallfolie angeordnet werden kann.According to an example of the method 700 the application of the first metal foil to the first substrate comprises the lamination of the first metal foil to the first substrate and / or the welding, soldering or lamination of the first metal foil to the second substrate. The first metal foil can completely or only partially cover the first side of the first substrate and / or the first side of the second substrate. According to one example, the method includes 700 Furthermore, the structuring of the first metal foil in order to create one or more conductor tracks for at least one power semiconductor chip which can be arranged on the first substrate on the first metal foil.

BEISPIELEEXAMPLES

Im Folgenden werden das Stromrichtersystem, das Verfahren zur Herstellung eines Stromrichtersystems, das kombinierte Substrat für ein Stromrichtersystem und das Verfahren zur Herstellung eines kombinierten Substrats für ein Stromrichtersystem anhand konkreter Beispiele näher erläutert.The converter system, the method for producing a converter system, the combined substrate for a converter system and the method for producing a combined substrate for a converter system are explained in more detail below using specific examples.

Beispiel 1 ist ein Stromrichtersystem mit einem Leistungsmodul, das ein erstes Substrat und mindestens einen Leistungshalbleiterchip, einen in einem Abstand vom ersten Substrat angeordneten Kondensator und eine erste einstückige Metallfolie umfasst, die auf einer ersten Seite des ersten Substrats und auf dem Kondensator angeordnet ist und den Abstand zwischen dem ersten Substrat und dem Kondensator überspannt, wobei ein erster Leistungsanschluss des mindestens einen Leistungshalbleiterchips elektrisch mit der ersten Metallfolie gekoppelt ist.Example 1 is a power converter system with a power module, which comprises a first substrate and at least one power semiconductor chip, a capacitor arranged at a distance from the first substrate and a first one-piece metal foil which is arranged on a first side of the first substrate and on the capacitor and the Spans distance between the first substrate and the capacitor, wherein a first power connection of the at least one power semiconductor chip is electrically coupled to the first metal foil.

Beispiel 2 ist das Stromrichtersystem von Beispiel 1, das ferner eine zweite einstückige Metallfolie umfasst, die auf der ersten Seite des ersten Substrats und auf dem Kondensator angeordnet ist und den Abstand zwischen dem ersten Substrat und dem Kondensator überspannt, wobei ein zweiter Leistungsanschluss des mindestens einen Leistungshalbleiterchips elektrisch mit der zweiten Metallfolie gekoppelt ist, insbesondere wobei die erste Metallfolie (130) im Wesentlichen in einer ersten Ebene und die zweite Metallfolie (401) im Wesentlichen in einer anderen, zweiten Ebene über der ersten Metallfolie (130) angeordnet ist, wobei ein drittes Substrat (402) auf der ersten Metallfolie (130) und die zweite Metallfolie (401) auf dem dritten Substrat (402) angeordnet ist, und wobei der mindestens eine Leistungshalbleiterchip (114) auf der zweiten Metallfolie (401) auf dem dritten Substrat (402) angeordnet ist.Example 2 is the power converter system of Example 1, further comprising a second one-piece metal foil disposed on the first side of the first substrate and on the capacitor and spanning the distance between the first substrate and the capacitor, with a second power connection of the at least one Power semiconductor chip is electrically coupled to the second metal foil, in particular where the first metal foil ( 130 ) essentially in a first plane and the second metal foil ( 401 ) essentially in a different, second level above the first metal foil ( 130 ) is arranged, with a third substrate ( 402 ) on the first metal foil ( 130 ) and the second metal foil ( 401 ) on the third substrate ( 402 ) is arranged, and wherein the at least one power semiconductor chip ( 114 ) on the second metal foil ( 401 ) on the third substrate ( 402 ) is arranged.

Beispiel 3 ist das Stromrichtersystem von Beispiel 2, wobei die erste und die zweite Metallfolie auf dem ersten Substrat strukturiert sind, um Leiterbahnen für den mindestens einen Leistungshalbleiterchip bereitzustellen.Example 3 is the power converter system from Example 2, the first and the second metal foils being structured on the first substrate in order to provide conductor tracks for the at least one power semiconductor chip.

Beispiel 4 ist das Stromrichtersystem von Beispiel 2 oder 3, wobei der Kondensator mindestens eine Leiterplatte und mindestens einen auf der mindestens einen Leiterplatte angeordneten und mit dieser elektrisch gekoppelten Kondensator umfasst, wobei die erste Metallfolie und/oder die zweite Metallfolie mit der mindestens einen Leiterplatte gekoppelt sind.Example 4 is the converter system of Example 2 or 3, wherein the capacitor comprises at least one printed circuit board and at least one capacitor arranged on the at least one printed circuit board and electrically coupled to it, the first metal foil and / or the second metal foil being coupled to the at least one printed circuit board are.

Beispiel 5 ist das Stromrichtersystem eines der vorhergehenden Beispiele, das ferner ein Gehäuse umfasst, das das erste Substrat und den mindestens einen Leistungshalbleiterchip mindestens teilweise umschließt, wobei das Gehäuse einen Kunststoffrahmen oder einen Formgusskörper umfasst.Example 5 is the power converter system of one of the preceding examples, which further comprises a housing that at least partially encloses the first substrate and the at least one power semiconductor chip, the housing comprising a plastic frame or a molded body.

Beispiel 6 ist das Stromrichtersystem von Beispiel 5, bei dem die erste Metallfolie an dem Gehäuse freiliegt.Example 6 is the power converter system of Example 5 in which the first metal foil on the housing is exposed.

Beispiel 7 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Stromrichtersystems, wobei das Verfahren umfasst: Anordnen eines ersten Substrats und eines zweiten Substrats in einem Abstand zueinander, Anordnen mindestens eines Leistungshalbleiterchips auf einer ersten Seite des ersten Substrats, Aufbringen einer ersten einstückigen Metallfolie auf die erste Seite des ersten Substrats und auf eine erste Seite des zweiten Substrats, sodass die erste Metallfolie den Abstand zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat überspannt, und elektrisches Koppeln eines ersten Leistungsanschlusses des mindestens einen Leistungshalbleiterchips mit der ersten Metallfolie.Example 7 is a method for manufacturing a power converter system, the method comprising: arranging a first substrate and a second substrate at a distance from one another, arranging at least one power semiconductor chip on a first side of the first substrate, applying a first one-piece metal foil to the first side of the first substrate and on a first side of the second substrate, so that the first metal foil spans the distance between the first and the second substrate, and electrically coupling a first power connection of the at least one power semiconductor chip to the first metal foil.

Beispiel 8 ist das Verfahren von Beispiel 7, wobei das Aufbringen der ersten Metallfolie auf das erste Substrat ein Laminieren umfasst und/oder wobei das Aufbringen der ersten Metallfolie auf das zweite Substrat ein Sintern, Schweißen, Löten oder Laminieren umfasst.Example 8 is the method of Example 7, wherein the application of the first metal foil to the first substrate comprises a lamination and / or wherein the application of the first metal foil to the second substrate comprises a sintering, welding, soldering or lamination.

Beispiel 9 ist das Verfahren von einem der Beispiele 7 oder 8, ferner umfassend: Strukturieren der ersten Metallfolie, um eine oder mehrere Leiterbahnen für den mindestens einen Leistungshalbleiterchip bereitzustellen.Example 9 is the method of one of Examples 7 or 8, further comprising: structuring the first metal foil in order to provide one or more conductor tracks for the at least one power semiconductor chip.

Beispiel 10 ist ein kombiniertes Substrat für ein Stromrichtersystem, wobei das kombinierte Substrat umfasst: ein erstes Substrat und ein zweites Substrat, die in einem Abstand voneinander angeordnet sind, und eine einstückige Metallfolie, die auf einer ersten Seite des ersten Substrats und auf einer ersten Seite des zweiten Substrats angeordnet ist und den Abstand zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat überspannt, wobei die Metallfolie so konfiguriert ist, dass sie einen Leistungsanschluss eines Leistungshalbleiterchips auf der ersten Seite des ersten Substrats mit dem zweiten Substrat koppelt und/oder wobei die ersten Seiten des ersten und zweiten Substrats in verschiedenen Ebenen angeordnet sind und die Metallfolie den Höhenunterschied zwischen den Ebenen überbrückt.Example 10 is a combined substrate for a power converter system, wherein the combined substrate comprises: a first substrate and a second substrate, which are spaced apart, and a one-piece metal foil which is on a first side of the first substrate and on a first side of the second substrate is arranged and spans the distance between the first and the second substrate, wherein the metal foil is configured such that it couples a power connection of a power semiconductor chip on the first side of the first substrate to the second substrate and / or wherein the first sides of the first and second substrates are arranged in different planes and the metal foil bridges the height difference between the planes.

Beispiel 11 ist das kombinierte Substrat von Beispiel 10, wobei die erste Metallfolie Al, Cu oder Fe umfasst oder aus diesen umfasst.Example 11 is the combined substrate of Example 10, wherein the first metal foil comprises or comprises Al, Cu or Fe.

Beispiel 12 ist das kombinierte Substrat von Beispiel 10 oder 11, das ferner eine zweite einstückige Metallfolie umfasst, die von der ersten einstückigen Metallfolie verschieden ist, wobei die zweite Metallfolie auf der ersten Seite des ersten Substrats und auf einer zweiten Seite des zweiten Substrats angeordnet ist und den Abstand zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat überbrückt.Example 12 is the combined substrate of Example 10 or 11, further comprising a second one-piece metal foil different from the first one-piece metal foil, the second metal foil being disposed on the first side of the first substrate and on a second side of the second substrate and bridging the distance between the first and second substrates.

Beispiel 13 ist das kombinierte Substrat von Beispiel 12, wobei die zweite Metallfolie seitlich neben der ersten Metallfolie angeordnet ist.Example 13 is the combined substrate of Example 12, the second metal foil being arranged laterally next to the first metal foil.

Beispiel 14 ist das kombinierte Substrat von Beispiel 12, das ferner ein drittes Substrat umfasst, das auf der ersten Seite des ersten Substrats angeordnet ist, wobei die zweite Metallfolie auf einer ersten Seite des dritten Substrats angeordnet ist, die vom ersten Substrat abgewandt ist, und wobei die zweite Metallfolie über der ersten Metallfolie angeordnet ist.Example 14 is the combined substrate of Example 12, further comprising a third substrate disposed on the first side of the first substrate, the second metal foil disposed on a first side of the third substrate facing away from the first substrate, and wherein the second metal foil is arranged over the first metal foil.

Beispiel 15 ist das kombinierte Substrat eines der Beispiele 10 bis 14, wobei das erste Substrat ein AMB, DAB, DCB oder IMS ist.Example 15 is the combined substrate of any of Examples 10-14, wherein the first substrate is an AMB, DAB, DCB or IMS.

Beispiel 16 ist das kombinierte Substrat aus einem der Beispiele 10 bis 15, wobei die erste Metallfolie auf die erste Seite des ersten Substrats laminiert ist und wobei die erste Metallfolie auf die erste Seite des zweiten Substrats gesintert, geschweißt, gelötet oder laminiert ist.Example 16 is the combined substrate of any of Examples 10-15, wherein the first metal foil is laminated to the first side of the first substrate and wherein the first metal foil is sintered, welded, soldered or laminated to the first side of the second substrate.

Beispiel 17 ist ein Verfahren zur Herstellung eines kombinierten Substrats für ein Stromrichtersystem, wobei das Verfahren umfasst: Anordnen eines ersten Substrats und eines zweiten Substrats in einem Abstand zueinander, und Aufbringen einer ersten einstückigen Metallfolie auf eine erste Seite des ersten Substrats und auf eine erste Seite des zweiten Substrats, sodass die erste Metallfolie den Abstand zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat überspannt.Example 17 is a method of making a composite substrate for a power conversion system, the method comprising: spacing a first substrate and a second substrate and applying a first integral metal foil to a first side of the first substrate and to a first side of the second substrate, so that the first metal foil spans the distance between the first and the second substrate.

Beispiel 18 ist das Verfahren von Beispiel 17, wobei das Aufbringen der ersten Metallfolie auf das erste Substrat das Laminieren der ersten Metallfolie auf das erste Substrat und/oder das Sintern, Schweißen, Löten oder Laminieren der ersten Metallfolie auf das zweite Substrat umfasst.Example 18 is the method of Example 17, wherein applying the first metal foil to the first substrate comprises laminating the first metal foil to the first substrate and / or sintering, welding, soldering or laminating the first metal foil to the second substrate.

Beispiel 19 ist das Verfahren von Beispiel 17 oder 18, ferner umfassend: Strukturieren der ersten Metallfolie, um eine oder mehrere Leiterbahnen für mindestens einen Leistungshalbleiterchip bereitzustellen, der auf dem ersten Substrat auf der ersten Metallfolie angeordnet werden kann.Example 19 is the method of Example 17 or 18, further comprising: structuring the first metal foil in order to provide one or more conductor tracks for at least one power semiconductor chip, which can be arranged on the first substrate on the first metal foil.

Beispiel 20 ist eine Vorrichtung, die Mittel zur Durchführung des Verfahrens eines der Beispiele 7 bis 9 umfasst.Example 20 is an apparatus comprising means for performing the method of any one of Examples 7-9.

Beispiel 21 ist eine Vorrichtung, die Mittel zur Durchführung des Verfahrens eines der Beispiele 17 bis 19 umfasst.Example 21 is an apparatus comprising means for performing the method of any one of Examples 17-19.

Obwohl die Offenbarung in Bezug auf eine oder mehrere Implementierungen illustriert und beschrieben wurde, können an den illustrierten Beispielen Änderungen und/oder Modifikationen vorgenommen werden, ohne vom Geist und Umfang der beigefügten Ansprüche abzuweichen. Insbesondere in Bezug auf die verschiedenen Funktionen, die von den oben beschriebenen Komponenten oder Strukturen (Baugruppen, Vorrichtungen, Schaltkreise, Systeme usw.) erfüllt werden, sollen die zur Beschreibung dieser Komponenten verwendeten Begriffe (einschließlich eines Verweises auf ein „Mittel“), sofern nicht anders angegeben, allen Komponenten oder Strukturen entsprechen, die die spezifizierte Funktion der beschriebenen Komponente erfüllen (z.B. funktional gleichwertig sind), auch wenn sie nicht strukturell gleichwertig zu der offenbarten Struktur sind, die die Funktion in den hier illustrierten beispielhaften Implementierungen der Offenbarung erfüllt.Although the disclosure has been illustrated and described with respect to one or more implementations, changes and / or modifications can be made in the illustrated examples without departing from the spirit and scope of the appended claims. In particular with regard to the various functions performed by the components or structures described above (assemblies, devices, circuits, systems, etc.), the terms used to describe these components (including a reference to a “means”) should, if not otherwise specified, correspond to all components or structures that fulfill the specified function of the component described (e.g. are functionally equivalent), even if they are not structurally equivalent to the disclosed structure that fulfills the function in the exemplary implementations of the disclosure illustrated here.

Claims (10)

Stromrichtersystem (100, 200, 300, 400, 500), umfassend: ein Leistungsmodul (110) mit einem ersten Substrat (112) und mindestens einem Leistungshalbleiterchip (114), einen Kondensator (120), der in einem Abstand (140) von dem ersten Substrat (112) angeordnet ist, und eine erste einstückige Metallfolie (130), die auf einer ersten Seite (112_1) des ersten Substrats (112) und auf dem Kondensator (120) angeordnet ist und den Abstand (140) zwischen dem ersten Substrat (112) und dem Kondensator (120) überspannt, wobei ein erster Leistungsanschluss des mindestens einen Leistungshalbleiterchips (114) elektrisch mit der ersten Metallfolie (130) gekoppelt ist.Power converter system (100, 200, 300, 400, 500) comprising: a power module (110) having a first substrate (112) and at least one power semiconductor chip (114), a capacitor (120) which is arranged at a distance (140) from the first substrate (112), and a first one-piece metal foil (130) which is arranged on a first side (112_1) of the first substrate (112) and on the capacitor (120) and the distance (140) between the first substrate (112) and the capacitor (120) overstretched, wherein a first power connection of the at least one power semiconductor chip (114) is electrically coupled to the first metal foil (130). Stromrichtersystem (200, 400, 500) nach Anspruch 1, ferner umfassend: eine zweite einstückige Metallfolie (201, 203, 401), die auf der ersten Seite (112_1) des ersten Substrats (112) und auf dem Kondensator (120) angeordnet ist und den Abstand (140) zwischen dem ersten Substrat (112) und dem Kondensator (120) überspannt, wobei ein zweiter Leistungsanschluss des mindestens einen Leistungshalbleiterchips (114) elektrisch mit der zweiten Metallfolie (201, 203, 401) gekoppelt ist, vorzugsweise wobei die erste Metallfolie (130) im Wesentlichen in einer ersten Ebene und die zweite Metallfolie (401) im Wesentlichen in einer anderen, zweiten Ebene über der ersten Metallfolie (130) angeordnet ist, wobei ein drittes Substrat (402) auf der ersten Metallfolie (130) angeordnet ist und die zweite Metallfolie (401) auf dem dritten Substrat (402) angeordnet ist, und wobei der mindestens eine Leistungshalbleiterchip (114) auf der zweiten Metallfolie (401) auf dem dritten Substrat (402) angeordnet ist.Converter system (200, 400, 500) according to Claim 1 , further comprising: a second one-piece metal foil (201, 203, 401) which is arranged on the first side (112_1) of the first substrate (112) and on the capacitor (120) and the distance (140) between the first substrate ( 112) and the capacitor (120), with a second power connection of the at least one power semiconductor chip (114) being electrically coupled to the second metal foil (201, 203, 401), preferably with the first metal foil (130) essentially in a first plane and the second metal foil (401) is arranged essentially in a different, second plane above the first metal foil (130), a third substrate (402) being arranged on the first metal foil (130) and the second metal foil (401) being arranged on the third substrate (402) is arranged, and wherein the at least one power semiconductor chip (114) is arranged on the second metal foil (401) on the third substrate (402). Stromrichtersystem (200, 400, 500) nach Anspruch 2, wobei die erste und die zweite Metallfolie (130, 201, 202, 203, 401) auf dem ersten Substrat (112) strukturiert sind, um Leiterbahnen für den mindestens einen Leistungshalbleiterchip (114) bereitzustellen.Converter system (200, 400, 500) according to Claim 2 , wherein the first and the second metal foil (130, 201, 202, 203, 401) are structured on the first substrate (112) in order to provide conductor tracks for the at least one power semiconductor chip (114). Stromrichtersystem (200, 400, 500) nach Anspruch 2 oder 3, wobei der Kondensator (120) mindestens eine gedruckte Leiterplatte und mindestens einen Kondensator umfasst, der auf der mindestens einen gedruckten Leiterplatte angeordnet und mit dieser elektrisch gekoppelt ist, wobei die erste Metallfolie (130, 202) und/oder die zweite Metallfolie (201, 203, 401) mit der mindestens einen gedruckten Leiterplatte gekoppelt sind.Converter system (200, 400, 500) according to Claim 2 or 3 , wherein the capacitor (120) comprises at least one printed circuit board and at least one capacitor which is arranged on the at least one printed circuit board and is electrically coupled to it, wherein the first metal foil (130, 202) and / or the second metal foil (201, 203, 401) are coupled to the at least one printed circuit board. Stromrichtersystem (100, 200, 300, 400, 500) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend: ein Gehäuse (207), das das erste Substrat (112) und den mindestens einen Leistungshalbleiterchip (114) mindestens teilweise umschließt, wobei das Gehäuse (207) einen Kunststoffrahmen oder einen Formgusskörper umfasst.Power converter system (100, 200, 300, 400, 500) according to one of the preceding claims, further comprising: a housing (207) which at least partially encloses the first substrate (112) and the at least one power semiconductor chip (114), wherein the housing (207) comprises a plastic frame or a molded body. Stromrichtersystem (100, 200, 300, 400, 500) nach Anspruch 5, wobei die erste Metallfolie (130) an dem Gehäuse (207) freiliegt.Converter system (100, 200, 300, 400, 500) according to Claim 5 wherein the first metal foil (130) is exposed on the housing (207). Verfahren (600) zur Herstellung eines Stromrichtersystems, wobei das Verfahren umfasst: Anordnen (601) eines ersten Substrats und eines zweiten Substrats in einem Abstand zueinander, Anordnen (602) mindestens eines Leistungshalbleiterchips auf einer ersten Seite des ersten Substrats, Aufbringen (603) einer ersten einstückigen Metallfolie auf die erste Seite des ersten Substrats und auf eine erste Seite des zweiten Substrats, sodass die erste Metallfolie den Abstand zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat überspannt, und elektrisches Koppeln (604) eines ersten Leistungsanschlusses des mindestens einen Leistungshalbleiterchips mit der ersten Metallfolie.A method (600) for manufacturing a power converter system, the method comprising: Arranging (601) a first substrate and a second substrate at a distance from one another, Arranging (602) at least one power semiconductor chip on a first side of the first substrate, Applying (603) a first one-piece metal foil to the first side of the first substrate and to a first side of the second substrate so that the first metal foil spans the distance between the first and the second substrate, and electrically coupling (604) a first power connection of the at least one power semiconductor chip to the first metal foil. Verfahren (600) nach Anspruch 7, wobei das Aufbringen (603) der ersten Metallfolie auf das erste Substrat ein Laminieren umfasst und/oder wobei das Aufbringen (603) der ersten Metallfolie auf das zweite Substrat ein Sintern, Schweißen, Löten oder Laminieren umfasst.Method (600) according to Claim 7 wherein the application (603) of the first metal foil to the first substrate comprises lamination and / or wherein the application (603) of the first metal foil to the second substrate comprises sintering, welding, soldering or lamination. Verfahren (600) nach einem der Ansprüche 7 oder 8, ferner umfassend: Strukturieren der ersten Metallfolie, um eine oder mehrere Leiterbahnen für den mindestens einen Leistungshalbleiterchip bereitzustellen.Method (600) according to one of the Claims 7 or 8th , further comprising: structuring the first metal foil in order to provide one or more conductor tracks for the at least one power semiconductor chip. Kombiniertes Substrat für ein Stromrichtersystem (100, 200, 300, 400, 500), wobei das kombinierte Substrat umfasst: ein erstes Substrat (112) und ein zweites Substrat (122), die in einem Abstand (140) voneinander angeordnet sind, und eine einstückige Metallfolie (130), die auf einer ersten Seite (112_1) des ersten Substrats (112) und auf einer ersten Seite (122_1) des zweiten Substrats (122) angeordnet ist und den Abstand (140) zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat (112, 122) überspannt, wobei die Metallfolie (130) konfiguriert ist, um einen Leistungsanschluss eines Leistungshalbleiterchips auf der ersten Seite (112_1) des ersten Substrats (112) mit dem zweiten Substrat (122) zu koppeln und/oder wobei die ersten Seiten (112_1, 122_1) des ersten und zweiten Substrats (112, 122) in verschiedenen Ebenen angeordnet sind und die Metallfolie (130) den Höhenunterschied zwischen den Ebenen überbrückt.A combined substrate for a power converter system (100, 200, 300, 400, 500), the combined substrate comprising: a first substrate (112) and a second substrate (122) which are arranged at a distance (140) from one another, and a one-piece metal foil (130) which is arranged on a first side (112_1) of the first substrate (112) and on a first side (122_1) of the second substrate (122) and the distance (140) between the first and the second substrate ( 112, 122), wherein the metal foil (130) is configured to couple a power connection of a power semiconductor chip on the first side (112_1) of the first substrate (112) to the second substrate (122) and / or wherein the first sides ( 112_1, 122_1) of the first and second substrates (112, 122) are arranged in different planes and the Metal foil (130) bridges the height difference between the levels.
DE102019116686.1A 2019-06-19 2019-06-19 POWER CONVERTER SYSTEM, METHOD FOR MANUFACTURING A POWER CONVERTER SYSTEM AND COMBINED SUBSTRATE FOR A POWER CONVERTER SYSTEM Withdrawn DE102019116686A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102019116686.1A DE102019116686A1 (en) 2019-06-19 2019-06-19 POWER CONVERTER SYSTEM, METHOD FOR MANUFACTURING A POWER CONVERTER SYSTEM AND COMBINED SUBSTRATE FOR A POWER CONVERTER SYSTEM

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102019116686.1A DE102019116686A1 (en) 2019-06-19 2019-06-19 POWER CONVERTER SYSTEM, METHOD FOR MANUFACTURING A POWER CONVERTER SYSTEM AND COMBINED SUBSTRATE FOR A POWER CONVERTER SYSTEM

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102019116686A1 true DE102019116686A1 (en) 2020-12-24

Family

ID=73654312

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102019116686.1A Withdrawn DE102019116686A1 (en) 2019-06-19 2019-06-19 POWER CONVERTER SYSTEM, METHOD FOR MANUFACTURING A POWER CONVERTER SYSTEM AND COMBINED SUBSTRATE FOR A POWER CONVERTER SYSTEM

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102019116686A1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19924991A1 (en) * 1999-05-31 2000-12-21 Tyco Electronics Logistics Ag Sandwich-structured intelligent power module for building into appliances includes a printed circuit board for a logical unit with a recess fitted with a power substrate on a cooling plate connected by a wire bonding technique.
DE10121970A1 (en) * 2001-05-05 2002-11-28 Semikron Elektronik Gmbh Power semiconductor module in pressure contact
DE102013000077A1 (en) * 2013-01-08 2014-07-10 Carl Freudenberg Kg Arrangement with a flexible printed circuit board
DE102016100617A1 (en) * 2016-01-15 2017-07-20 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Power semiconductor module with a housing and a capacitor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19924991A1 (en) * 1999-05-31 2000-12-21 Tyco Electronics Logistics Ag Sandwich-structured intelligent power module for building into appliances includes a printed circuit board for a logical unit with a recess fitted with a power substrate on a cooling plate connected by a wire bonding technique.
DE10121970A1 (en) * 2001-05-05 2002-11-28 Semikron Elektronik Gmbh Power semiconductor module in pressure contact
DE102013000077A1 (en) * 2013-01-08 2014-07-10 Carl Freudenberg Kg Arrangement with a flexible printed circuit board
DE102016100617A1 (en) * 2016-01-15 2017-07-20 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Power semiconductor module with a housing and a capacitor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102014116383B4 (en) SEMICONDUCTOR PACKAGE COMPRISING A TRANSISTOR CHIP MODULE AND A DRIVER CHIP MODULE, AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF
DE102013207804B4 (en) Method for producing a power module with heat-conducting structures directly connected by means of arc welding
AT514085B1 (en) power module
DE102007049481B4 (en) Process for the production of a power semiconductor component
DE102008036112B4 (en) POWER SEMICONDUCTOR MODULE, POWER SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING A POWER SEMICONDUCTOR MODULE
DE102015118633B4 (en) A power semiconductor module with a direct copper bonded substrate and an integrated passive component and an integrated power module as well as a method for producing the power semiconductor module
DE102009042320B4 (en) Semiconductor arrangement with a power semiconductor chip, half-bridge circuit and method for producing a semiconductor device
DE102014118836B4 (en) SEMICONDUCTOR PACKAGING ARRANGEMENT AND SEMICONDUCTOR PACKAGE
DE102012219791A1 (en) LOW INDUCTIVE POWER MODULE
DE102019108988B3 (en) POWER SEMI-CONDUCTOR MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
DE102008008141A1 (en) Power semiconductor module and method for its production
DE102016000264B4 (en) Semiconductor die package including laterally extending leads and methods of making the same
DE102014116382A1 (en) Semiconductor package having two semiconductor modules and laterally extending connectors
DE112021002383T5 (en) SEMICONDUCTOR MODULE
DE102018103979B4 (en) Assembly comprising a carrier device with a chip and a component mounted through an opening, and method of manufacture and use
DE102017120747A1 (en) SMD housing with topside cooling
DE102016223651A1 (en) SEMICONDUCTOR MODULE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
DE102016115221A1 (en) Method for connecting at least two substrates to form a module
DE102019115857A1 (en) SEMICONDUCTOR ENCLOSURE AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR ENCLOSURE
DE102019104730A1 (en) Power semiconductor arrangement and method for producing a power semiconductor arrangement
DE102021121797A1 (en) POWER SEMICONDUCTOR MODULE WITH SOCKET OR PRESS-FIT PIN AND METHOD OF ITS MANUFACTURE
DE102019116686A1 (en) POWER CONVERTER SYSTEM, METHOD FOR MANUFACTURING A POWER CONVERTER SYSTEM AND COMBINED SUBSTRATE FOR A POWER CONVERTER SYSTEM
DE102014203306A1 (en) Manufacture of an electronic module
DE112021002397T5 (en) SEMICONDUCTOR MODULE
DE112021001391T5 (en) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee