DE102019116276A1 - Device for detecting individual light quanta - Google Patents
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Abstract
Bei einer Vorrichtung zum Erfassen von einzelnen Lichtquanten mittels zumindest eines supraleitenden Einzelphotonendetektors (2) soll eine Lösung geschaffen werden, um die ohmschen Verluste und den Rauschanteil einer Treiberschaltung (3) zur Ansteuerung des supraleitenden Einzelphotonendetektors (2) zu reduzieren um schnelle Schaltzeiten zu ermöglichen. Dies wird dadurch erreicht, dass die Vorrichtung einen supraleitenden Einzelphotonendetektor (2) umfasst, eine Treiberschaltung (3) umfasst, wobei die Treiberschaltung (3) derart eingerichtet ist, einen getriggerten Bias-Strom für den supraleitenden Einzelphotonendetektor (2) bereitzustellen, wobei die Vorrichtung derart eingerichtet ist, den supraleitenden Einzelphotonendetektor (2) und die Treiberschaltung (3) auf eine für die Supraleitung des supraleitenden Einzelphotonendetektors (2) geeignete Temperatur zu kühlen.Die Erfindung betrifft außerdem ein Verfahren zum Erfassen von einzelnen Lichtquanten mittels einer zuvor beschriebenen Vorrichtung. Die Erfindung betrifft weiterhin die Verwendung der Vorrichtung bei der laserinduzierten Fluoreszenzspektroskopie.In the case of a device for detecting individual light quanta by means of at least one superconducting single photon detector (2), a solution is to be created to reduce the ohmic losses and the noise component of a driver circuit (3) for controlling the superconducting single photon detector (2) to enable fast switching times. This is achieved in that the device comprises a superconducting single photon detector (2), comprises a driver circuit (3), the driver circuit (3) being set up to provide a triggered bias current for the superconducting single photon detector (2), the device is set up to cool the superconducting single photon detector (2) and the driver circuit (3) to a temperature suitable for the superconducting of the superconducting single photon detector (2). The invention also relates to a method for detecting individual light quanta by means of a device described above. The invention also relates to the use of the device in laser-induced fluorescence spectroscopy.
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Erfassen von einzelnen Lichtquanten, insbesondere eine Vorrichtung zum Erfassen von einzelnen Lichtquanten mittels zumindest eines supraleitenden Einzelphotonendetektors. Auch betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Erfassen von einzelnen Lichtquanten mittels der erfindungsgemäßen Vorrichtung. Die Erfindung betrifft weiterhin die Verwendung der Vorrichtung bei der laserinduzierten Fluoreszenzspektroskopie.The invention relates to a device for detecting individual light quanta, in particular a device for detecting individual light quanta by means of at least one superconducting single photon detector. The invention also relates to a method for detecting individual light quanta by means of the device according to the invention. The invention also relates to the use of the device in laser-induced fluorescence spectroscopy.
Supraleitende Einzelphotonendetektoren (SSPDs) sind die vielversprechendste Alternative zu herkömmlichen Einzelphotonendetektoren. Ihre hohen Sättigungszahlen, die kleinen Timing-Jitter, der breite Wellenlängen-Erfassungsbereich und niedrige Dunkelzählraten machen sie zu vielversprechenden Kandidaten in einer Vielzahl von Anwendungen. Einzelphotonendetektoren sind die Grundlage der Quantenoptik und Quanteninformationen. Die Telekommunikation, die medizinische Bildgebung und die Biophotonik sind weitere vorgesehene Anwendungsgebiete von supraleitenden Einzelphotonendetektoren.Superconducting single photon detectors (SSPDs) are the most promising alternative to traditional single photon detectors. Their high saturation numbers, small timing jitter, wide wavelength detection range, and low dark count rates make them promising candidates in a wide variety of applications. Single photon detectors are the basis of quantum optics and quantum information. Telecommunications, medical imaging and biophotonics are further intended areas of application for superconducting single photon detectors.
Supraleitende Einzelphotonendetektoren weisen im freilaufenden Betrieb eine hohe Leistung auf, haben aber eine begrenzte maximale Zählrate und eine Totzeit nach jedem Zählereignis. Bei manchen Anwendungen muss jedoch der Vorspannungsstrom des supraleitenden Einzelphotonendetektors begrenzt werden, um die Zählraten von Rauschen oder transienter Übersteuerung zu reduzieren. Die Rauschzählraten können sowohl von anderen Lichtquellen des Experiments z. B. in der Pump-Probe Spektroskopie stammen, wie auch vom Dunkelrauschen. Die Ansteuerung des Detektors erfolgt dabei synchron zur zeitlichen Taktung des Gesamtsystems. Diese Ansteuerung des Detektors kann das Signal-Rausch-Verhältnis erhöhen, indem ein größerer Strom und damit eine höhere Detektionseffizienz in einem kurzen Zeitfenster ermöglicht wird, wenn ein Photon erwartet wird, ohne unter großem Dunkelrauschen zu leiden, wenn kein Photon erwartet wird. Durch die Verwendung eines Gated-Mode Betriebs des Detektors kann die Zählrate des Nutzsignals gesteigert werden während gleichzeitig die Dunkelzählrate reduziert wird.Superconducting single photon detectors have a high performance in free-running operation, but have a limited maximum count rate and a dead time after each counting event. In some applications, however, the bias current of the superconducting single photon detector must be limited in order to reduce the count rates of noise or transient overdrive. The noise count rates can be obtained from other light sources of the experiment e.g. B. originate in the pump-probe spectroscopy, as well as from dark noise. The detector is controlled synchronously with the timing of the overall system. This control of the detector can increase the signal-to-noise ratio by enabling a larger current and thus a higher detection efficiency in a short time window if a photon is expected without suffering from great dark noise if no photon is expected. By using a gated mode operation of the detector, the counting rate of the useful signal can be increased while the dark counting rate is reduced at the same time.
Die Ansteuerung des Detektors erfolgt dabei mittels einer Treiberschaltung, wobei während des Gated-Mode Betriebs die Bestromung des supraleitenden Einzelphotonendetektors anstelle eines konstanten Bias-Stroms durch einen getriggerten Bias-Strom erfolgt.The detector is controlled by means of a driver circuit, with the superconducting single photon detector being energized during gated mode operation by a triggered bias current instead of a constant bias current.
Aus dem Stand der Technik sind verschiedene Treiberschaltungen zur Ansteuerung eines supraleitenden Einzelphotonendetektors bekannt. Nachteilig bei dem aus dem Stand der Technik bekannten Treiberschaltungen ist, dass diese Treiberschaltungen hohe ohmsche Verluste, geringe Schaltzeiten und einen hohen Rauschanteil besitzen.Various driver circuits for controlling a superconducting single photon detector are known from the prior art. The disadvantage of the driver circuits known from the prior art is that these driver circuits have high ohmic losses, short switching times and a high proportion of noise.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Lösung zu schaffen, die es ermöglicht, eine Vorrichtung zum Erfassen von einzelnen Lichtquanten mittels zumindest eines supraleitenden Einzelphotonendetektors bereitzustellen, wobei die ohmschen Verluste der Treiberschaltung und der Rauschanteil reduziert werden, schnelle Schaltzeiten ermöglicht werden und Totzeiten aus transienter Übersteuerung vermieden werden.The invention is therefore based on the object of creating a solution which makes it possible to provide a device for detecting individual light quanta by means of at least one superconducting single photon detector, the ohmic losses of the driver circuit and the noise component being reduced, fast switching times being made possible and dead times transient overload can be avoided.
Bei einer Vorrichtung zum Erfassen von einzelnen Lichtquanten mittels zumindest eines supraleitenden Einzelphotonendetektors der eingangs beschriebenen Art wird die Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Vorrichtung zumindest einen supraleitenden Einzelphotonendetektor umfasst, die Vorrichtung weiter zumindest eine Treiberschaltung umfasst, wobei die Treiberschaltung derart eingerichtet ist, einen getriggerten Bias-Strom für den supraleitenden Einzelphotonendetektor bereitzustellen, wobei die Vorrichtung derart eingerichtet ist, den supraleitenden Einzelphotonendetektor und die Treiberschaltung auf eine für die Supraleitung des supraleitenden Einzelphotonendetektors geeignete Temperatur zu kühlen.In a device for detecting individual light quanta by means of at least one superconducting single photon detector of the type described at the outset, the object is achieved according to the invention in that the device comprises at least one superconducting single photon detector, the device further comprises at least one driver circuit, the driver circuit being set up in such a way, a triggered Provide a bias current for the superconducting single photon detector, the device being set up to cool the superconducting single photon detector and the driver circuit to a temperature suitable for superconducting the superconducting single photon detector.
Eine solche Vorrichtung zum Erfassen von einzelnen Lichtquanten mittels zumindest eines supraleitenden Einzelphotonendetektors ermöglicht es, sehr schnelle Schaltzeiten des supraleitenden Einzelphotonendetektors zu realisieren. Damit wird es möglich, ein Gating auf einer Zeitskala durchzuführen (≈10 ps), die weit unterhalb der Totzeit liegt, die sich systembedingt aus der Erholzeit vom normalleitenden in den supraleitenden Zustand ergibt (≈10 ns).Such a device for detecting individual light quanta by means of at least one superconducting single photon detector makes it possible to realize very fast switching times of the superconducting single photon detector. This makes it possible to perform gating on a time scale (≈10 ps), which is far below the dead time that results from the system-related recovery time from the normally conducting to the superconducting state (≈10 ns).
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung erfolgt eine Ankopplung der Treiberschaltung mit dem supraleitenden Einzelphotonendetektor ohmsch.In a preferred embodiment of the invention, the driver circuit is coupled ohmically to the superconducting single photon detector.
In einer weiter bevorzugten Ausführungsform der Erfindung erfolgt eine Ansteuerung des supraleitenden Einzelphotonendetektors mittels der Treiberschaltung unipolar.In a further preferred embodiment of the invention, the superconducting single photon detector is controlled in a unipolar manner by means of the driver circuit.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung erfolgt eine Ansteuerung des supraleitenden Einzelphotonendetektors mittels der Treiberschaltung bipolar. Die bipolare Ankopplung des Detektors bietet den Vorteil, dass der Detektor ausgehend vom detektierenden Zustand transient über den Aus-Zustand wieder in den detektierenden Zustand geschaltet werden kann, wodurch zeitlich extrem kurze Aus-Zustände des Detektors ermöglicht werden.In a preferred embodiment of the invention, the superconducting single photon detector is driven bipolar by means of the driver circuit. The bipolar coupling of the detector offers the advantage that, starting from the detecting state, the detector can be switched back to the detecting state transiently via the off state, thereby enabling extremely short off states of the detector.
In einer weiter bevorzugten Ausführungsform der Erfindung erfolgt eine Ankopplung der Treiberschaltung mit dem supraleitenden Einzelphotonendetektor kapazitiv. Da bei dieser Ausführungsform der Erfindung keine ohmschen Dämpfungsglieder benötigt werden, kommt es zu einer vernachlässigbaren Dissipation.In a further preferred embodiment of the invention, the driver circuit is coupled to the superconducting single photon detector capacitively. Since no ohmic attenuators are required in this embodiment of the invention, there is negligible dissipation.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung erfolgt die Ankopplung der Treiberschaltung mit dem supraleitenden Einzelphotonendetektor kapazitiv über einen Stromknoten.In a preferred embodiment of the invention, the driver circuit is coupled to the superconducting single photon detector capacitively via a current node.
In einer weiter bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die Treiberschaltung und der zumindest eine supraleitende Einzelphotonendetektor auf einem einzelnen integrierten Schaltungschip implementiert. Komplett integrierte photonische Schaltkreise mit allen Hauptkomponenten auf einem einzigen Chip sind ein wichtiger Schritt auf dem Weg zu neuen Technologien wie beispielsweise Quantenphotonik oder Quantensensorik. Durch die Integration der Treiber- und Steuerelektronik mit photonischen Schaltkreisen und Detektoren auf demselben Chip, werden die Packungskomplexität und die Kosten stark reduziert. Des Weiteren bietet die Integration den Vorteil, dass auf einfache Weise die Treiber- und Steuerelektronik auf die für die Supraleitung geeigneten Temperatur gebracht werden kann.In a further preferred embodiment of the invention, the driver circuit and the at least one superconducting single photon detector are implemented on a single integrated circuit chip. Completely integrated photonic circuits with all main components on a single chip are an important step on the way to new technologies such as quantum photonics or quantum sensors. By integrating the driver and control electronics with photonic circuits and detectors on the same chip, the packaging complexity and costs are greatly reduced. Furthermore, the integration offers the advantage that the driver and control electronics can easily be brought to the temperature suitable for superconductivity.
In einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die Treiberschaltung eine CMOS-Treiberschaltung ist. Vorteil dabei ist, dass neben den photonischen Schaltkreisen auch die Treiber- und Steuerelektronik unter Verwendung etablierter Herstellungstechniken beispielsweise für komplementäre Metalloxid-Halbleiter (CMOS) auf einem Chip integriert werden können. Dadurch wird die Integration CMOS-basierter Mikroelektronik der Treiber- und Steuerelektronik und photonischer Schaltkreise auf demselben Chip erleichtert. Durch die Verwendung CMOS-basierter Herstellungstechniken lassen sich auch mit Supraleiter kompatiblem Silizium Einzelphotonendetektoren auf dem Chip integrieren, was die messungsinduzierte nichtlineare Wechselwirkung zwischen einzelnen Photonen ermöglicht.In a particularly preferred embodiment of the invention, the driver circuit is a CMOS driver circuit. The advantage here is that in addition to the photonic circuits, the driver and control electronics can also be integrated on a chip using established manufacturing techniques, for example for complementary metal oxide semiconductors (CMOS). This facilitates the integration of CMOS-based microelectronics, driver and control electronics, and photonic circuits on the same chip. By using CMOS-based manufacturing techniques, single photon detectors can also be integrated on the chip with silicon that is compatible with superconductors, which enables the measurement-induced non-linear interaction between individual photons.
Erfindungsgemäß ist außerdem ein Verfahren zum Erfassen von einzelnen Lichtquanten mittels einer zuvor beschriebenen Vorrichtung angegeben mit folgenden Schritten:
- - Bereitstellen zumindest eines supraleitenden Einzelphotonendetektors (
2 ), - - Bereitstellen zumindest einer Treiberschaltung (
3 ), - - Kühlung des supraleitenden Einzelphotonendetektors (
2 ) und der Treiberschaltung (3 ) auf eine für die Supraleitung des supraleitenden Einzelphotonendetektors (2 ) geeignete Temperatur, - - Bestromung des supraleitenden Einzelphotonendetektors (
2 ) mittels der Treiberschaltung (3 ), wobei die Bestromung des supraleitenden Einzelphotonendetektors (2 ) getriggert erfolgt.
- - Provision of at least one superconducting single photon detector (
2 ), - - Provision of at least one driver circuit (
3 ), - - Cooling of the superconducting single photon detector (
2 ) and the driver circuit (3 ) on one for the superconductivity of the superconducting single photon detector (2 ) suitable temperature, - - Current supply to the superconducting single photon detector (
2 ) by means of the driver circuit (3 ), whereby the current flow to the superconducting single photon detector (2 ) triggered.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung erfolgt der Schritt der Bestromung des supraleitenden Einzelphotonendetektors zeitlich synchron zur Taktung der Vorrichtung. Die Bestromung des supraleitenden Einzelphotonendetektors kann aber auch reaktionsbedingt auf bestimmte Ereignisse oder Koinzidenzen erfolgen. Beispiele hierfür sind die Reaktion auf das Ergebnis einer vorangegangenen Quantenmessung oder die Reaktion auf einen bevorstehenden Übersteuerungszustand, der durch Austastung der Bestromung verhindert werden soll.In a preferred embodiment of the invention, the step of energizing the superconducting single photon detector takes place synchronously with the timing of the device. The superconducting single photon detector can also be supplied with current as a result of the reaction to certain events or coincidences. Examples of this are the reaction to the result of a previous quantum measurement or the reaction to an impending overdrive state that is to be prevented by blanking the current supply.
In einer weiter bevorzugten Ausführungsform der Erfindung erfolgt der Schritt der Bestromung des supraleitenden Einzelphotonendetektors als Reaktion auf ein externes Ereignis.In a further preferred embodiment of the invention, the step of energizing the superconducting single photon detector takes place in response to an external event.
In einer weiter bevorzugten Ausführungsform der Erfindung erfolgt die Ankopplung zwischen dem supraleitenden Einzelphotonendetektor und der Treiberschaltung kapazitiv, wobei der Schritt der Bestromung des supraleitenden Einzelphotonendetektors mittels der Treiberschaltung eine Bestromung mittels Verschiebeströmen enthält.In a further preferred embodiment of the invention, the coupling between the superconducting single photon detector and the driver circuit is capacitive, the step of energizing the superconducting single photon detector by means of the driver circuit including energization by means of displacement currents.
Erfindungsgemäß ist außerdem die Verwendung der Vorrichtung nach einem der zuvor beschriebenen Ansprüche bei der laserinduzierten Fluoreszenzspektroskopie.The use of the device according to one of the claims described above in laser-induced fluorescence spectroscopy is also in accordance with the invention.
Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile des Gegenstandes der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen sowie aus der nachfolgenden Beschreibung der zugehörigen Zeichnungen.Further details, features and advantages of the subject matter of the invention emerge from the subclaims and from the following description of the associated drawings.
Es zeigen:
-
1 ein Schaltbild einer Vorrichtung zum Erfassen von einzelnen Lichtquanten mittels zumindest eines supraleitenden Einzelphotonendetektors mit einer getriggerten Bias-Strom Erzeugung für den supraleitenden Einzelphotonendetektor mittels Tieftemperatur-Treiberschaltung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung mit unipolarer, ohmscher Ansteuerung, -
2 ein Schaltbild einer Vorrichtung zum Erfassen von einzelnen Lichtquanten mittels zumindest eines supraleitenden Einzelphotonendetektors mit einer getriggerten Bias-Strom Erzeugung für den supraleitenden Einzelphotonendetektor mittels Tieftemperatur-Treiberschaltung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung mit bipolarer, ohmscher Ansteuerung, -
3 ein Diagramm einer Bestromung eines supraleitenden Einzelphotonendetektors, -
4 ein Schaltbild einer Vorrichtung zum Erfassen von einzelnen Lichtquanten mittels zumindest eines supraleitenden Einzelphotonendetektors mit einer getriggerten Bias-Strom Erzeugung für den supraleitenden Einzelphotonendetektor mittels Tieftemperatur-Treiberschaltung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung mit kapazitiv gekoppeltem Gating-Puls, -
5 - a) ein Diagramm des zeitlichen Verlaufs der Ausgangsspannung der Tieftemperatur- Treiberschaltung,
- b) ein Diagramm des zeitlichen Stromverlaufs des Stroms I1,
- c) ein Diagramm des zeitlichen Stromverlaufs des Stroms I2,
-
6 ein Schaltbild einer Vorrichtung zum Erfassen von einzelnen Lichtquanten mittels zumindest eines supraleitenden Einzelphotonendetektors mit einer getriggerten Bias-Strom Erzeugung für den supraleitenden Einzelphotonendetektor mittels Tieftemperatur-Treiberschaltung gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der Erfindung, -
7 - a) ein Diagramm des zeitlichen Verlaufs der Ausgangsspannung der Treiberschaltung,
- b) ein Diagramm des zeitlichen Verlaufs des Verschiebestroms I1,
-
8 ein Schaltbild der Verwendung einer Vorrichtung zum Erfassen von einzelnen Lichtquanten mittels zumindest eines supraleitenden Einzelphotonendetektors bei der Laser-Streulicht Unterdrückung in der Zeitdomäne durch ultraschnelles, getriggertes Bias-Gating erfolgt, -
9 - a) ein Diagramm des zeitlichen Verlaufs eines Laserpulses,
- b) ein Diagramm des zeitlichen eines Bias-Strom Gating eines supraleitenden Einzelphotonendetektors,
- c) ein Diagramm des zeitlichen Verlaufs der Lumineszenz mit Laser-Streulicht,
- d) ein Diagramm des zeitlichen Verlaufs der detektierten Lumineszenz.
-
1 a circuit diagram of a device for detecting individual light quanta by means of at least one superconducting single photon detector with a triggered bias current generation for the superconducting single photon detector by means of a low-temperature driver circuit according to a first embodiment of the invention with unipolar, ohmic control, -
2 a circuit diagram of a device for detecting individual light quanta by means of at least one superconducting single photon detector with a triggered bias current generation for the superconducting single photon detector by means of a low-temperature driver circuit according to a second Embodiment of the invention with bipolar, ohmic control, -
3 a diagram of an energization of a superconducting single photon detector, -
4th a circuit diagram of a device for detecting individual light quanta by means of at least one superconducting single photon detector with a triggered bias current generation for the superconducting single photon detector by means of a low-temperature driver circuit according to a third embodiment of the invention with a capacitively coupled gating pulse, -
5 - a) a diagram of the time course of the output voltage of the low-temperature driver circuit,
- b) a diagram of the current course of the current I 1 over time ,
- c) a diagram of the temporal course of the current I 2 ,
-
6th a circuit diagram of a device for detecting individual light quanta by means of at least one superconducting single photon detector with a triggered bias current generation for the superconducting single photon detector by means of a low-temperature driver circuit according to a fourth embodiment of the invention, -
7th - a) a diagram of the time profile of the output voltage of the driver circuit,
- b) a diagram of the time course of the displacement current I 1 ,
-
8th a circuit diagram of the use of a device for detecting individual light quanta by means of at least one superconducting single photon detector in the case of laser scattered light suppression in the time domain by ultra-fast, triggered bias gating, -
9 - a) a diagram of the time course of a laser pulse,
- b) a diagram of the temporal bias current gating of a superconducting single photon detector,
- c) a diagram of the time course of the luminescence with laser scattered light,
- d) a diagram of the time course of the detected luminescence.
Die
Dadurch können die Treiberschaltung
Die Ankopplung des supraleitenden Einzelphotonendetektors
Die
Ferner verfügt die Vorrichtung über die Ausgänge
Zur Herstellung des bipolaren Betriebsmodus kann die passive Einstellung des Bias-Stroms über Anschluss
In
Der in
Der Fall b) zeigt die bipolare Ansteuerung des supraleitenden Einzelphotonendetektors
Die
Im detektierenden Zustand wird der Bias-Strom
Beim Umschaltvorgang der Treiberschaltung
Die
Die
Die
Die
In
In
Der zweite Teilstrahl wird mittels eines zweiten Strahlteilers
In
Die dieser Patentanmeldung zu Grunde liegende Erfindung entstand durch Forschungsarbeiten welche vom BMBF durch die Projekte „Q.Link.X“ und „Quantum Futur ISOQC“ gefördert wurden.The invention on which this patent application is based arose from research that was funded by the BMBF through the projects "Q.Link.X" and "Quantum Future ISOQC".
BezugszeichenlisteList of reference symbols
- 11
- TieftemperaturbereichLow temperature range
- 22
- supraleitender Einzelphotonendetektorsuperconducting single photon detector
- 33
- TreiberschaltungDriver circuit
- 44th
- TriggerTrigger
- 55
- Versorgungsspannung TreiberschaltungSupply voltage driver circuit
- 66th
- AbschlusswiderstandTerminating resistor
- 77th
- Ausgangexit
- 88th
- Resistives DämpfungsgliedResistive attenuator
- 99
- Widerstandresistance
- 1010
- Ausgangexit
- 1111
- Ausgangexit
- 1212
- Spannungseingang zur Erzeugung des Bias-Stroms Voltage input for generating the bias current
- 3030th
- unipolarer Ansteuerungsbereichunipolar control range
- 3131
- bipolarer Ansteuerungsbereich bipolar control area
- 4040
- KoppelkondensatorCoupling capacitor
- 4141
- Bias-StromBias current
- 4242
- Spannungseingang zur Erzeugung des Bias-StromsVoltage input for generating the bias current
- 4343
- SerienwiderstandSeries resistance
- 4444
- Kondensator zur HF-EntkopplungCondenser for HF decoupling
- 4545
- Niederohmiger WiderstandLow resistance
- 4646
- Bias-Strom zum DetektorBias current to the detector
- 4747
- Transienter VerschiebestromTransient displacement current
- 4848
- StromknotenPower node
- 6060
- Verschiebestrom I1 Displacement current I 1
- 6161
- Abschlusswiderstand Terminating resistor
- 8080
- ps Laserps laser
- 8181
- erster Strahlteilerfirst beam splitter
- 8282
- MSM PhotodetektorMSM photodetector
- 8383
- UmlenkspiegelDeflection mirror
- 8484
- Lumineszenz-ProbeLuminescent sample
- 8585
- Elektrisches TriggersignalElectrical trigger signal
- 8686
- SSPD mit CMOS GatingSSPD with CMOS gating
- 8787
- Time-TaggerTime tagger
- 8888
- LaserpulsLaser pulse
- 8989
- zweiter Strahlteilersecond beam splitter
Claims (13)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102019116276.9A DE102019116276A1 (en) | 2019-06-14 | 2019-06-14 | Device for detecting individual light quanta |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DE102019116276A1 true DE102019116276A1 (en) | 2020-12-17 |
Family
ID=73547407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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Citations (1)
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---|---|---|---|---|
US20130187051A1 (en) * | 2011-10-06 | 2013-07-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Frequency multiplexed superconducting nanowire photon detectors |
-
2019
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130187051A1 (en) * | 2011-10-06 | 2013-07-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Frequency multiplexed superconducting nanowire photon detectors |
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Title |
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