DE102018214437A1 - Imaging optics for imaging an object field in an image field and projection exposure apparatus with such an imaging optics - Google Patents

Imaging optics for imaging an object field in an image field and projection exposure apparatus with such an imaging optics Download PDF

Info

Publication number
DE102018214437A1
DE102018214437A1 DE102018214437.0A DE102018214437A DE102018214437A1 DE 102018214437 A1 DE102018214437 A1 DE 102018214437A1 DE 102018214437 A DE102018214437 A DE 102018214437A DE 102018214437 A1 DE102018214437 A1 DE 102018214437A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
imaging
mirror
optics
field
object field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102018214437.0A
Other languages
German (de)
Inventor
Christoph Menke
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE102018214437.0A priority Critical patent/DE102018214437A1/en
Publication of DE102018214437A1 publication Critical patent/DE102018214437A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/702Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/06Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
    • G02B17/0647Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
    • G02B17/0663Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which not all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry, e.g. at least one of the mirrors is warped, tilted or decentered with respect to the other elements

Abstract

Eine abbildende Optik (7) dient zu Abbildung eines Objektfeldes (4), in dem ein abzubildendes Objekt anordenbar ist, in ein Bildfeld (8), in dem ein Substrat anordenbar ist, durch Führung von Abbildungslicht (3) längs eines Abbildungslicht-Strahlengangs. Ein letzter Spiegel (M4) und ein vorletzter Spiegel (M3) im Abbildungslicht-Strahlengang vor dem Bildfeld (8) haben jeweils eine Durchtrittsöffnung (17) zum Durchtritt des Abbildungslichts (3). Die abbildende Optik (7) hat mindestens zwei weitere Spiegel (M1, M2) mit abbildender Wirkung im Abbildungslicht-Strahlengang zwischen dem Objektfeld (4) und dem vorletzten Spiegel (M3). Diese weiteren Spiegel (M1, M2) haben eine öffnungsfrei genutzte Reflexionsfläche. Das Bildfeld (8) ist das erste Feld der abbildenden Optik (7) im Abbildungslicht-Strahlengang nach dem Objektfeld (4). Es resultiert eine abbildende Optik mit im Vergleich zum Stand der Technik hinsichtlich einer Kombination aus guten Abbildungseigenschaften und praktischer Nutzbarkeit innerhalb einer Projektionsbelichtungsanlage optimierten Eigenschaften.An imaging optical system (7) is used to image an object field (4) in which an object to be imaged can be arranged in an image field (8) in which a substrate can be arranged by guiding imaging light (3) along an imaging light beam path. A last mirror (M4) and a penultimate mirror (M3) in the imaging light beam path in front of the image field (8) each have a passage opening (17) for the passage of the imaging light (3). The imaging optics (7) has at least two further mirrors (M1, M2) with imaging effect in the imaging light beam path between the object field (4) and the penultimate mirror (M3). These further mirrors (M1, M2) have a reflection-free used reflection surface. The image field (8) is the first field of the imaging optics (7) in the imaging light beam path after the object field (4). The result is an imaging optics with compared to the prior art in terms of a combination of good imaging properties and practical usability within a projection exposure system optimized properties.

Description

Die Erfindung betrifft eine abbildende Optik beziehungsweise Projektionsoptik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld. Ferner betrifft die Erfindung ein optisches System und ein Beleuchtungssystem mit einer derartigen Projektionsoptik, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- beziehungsweise nanostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes mikrobeziehungsweise nanostrukturiertes Bauelement.The invention relates to an imaging optics or projection optics for imaging an object field in an image field. Furthermore, the invention relates to an optical system and an illumination system with such a projection optics, a projection exposure apparatus with such an illumination system, a method for producing a micro- or nanostructured component with such a projection exposure system and a micro-extraction nanostructured component produced by this method.

Abbildende Optiken der eingangs genannten Art sind bekannt aus der US 8,018,650 B2 , der WO 2018/043 433 A1 und der US 5,291,340 .Imaging optics of the type mentioned are known from the US 8,018,650 B2 , of the WO 2018/043 433 A1 and the US 5,291,340 ,

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine abbildende Optik der eingangs genannten Art im Vergleich zum Stand der Technik hinsichtlich einer Kombination aus guten Abbildungseigenschaften und praktischer Nutzbarkeit innerhalb der Projektionsbelichtungsanlage weiter zu optimieren.It is an object of the present invention to further optimize an imaging optic of the type mentioned in comparison with the prior art with regard to a combination of good imaging properties and practical usability within the projection exposure apparatus.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine abbildende Optik mit den im Anspruch 1 genannten Merkmalen.This object is achieved by an imaging optics with the features mentioned in claim 1.

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass eine Auslegung einer abbildenden Optik mit zwei letzten Spiegeln mit Durchtrittsöffnung und mindestens zwei weiteren Spiegeln ohne Durchtrittsöffnung für das Abbildungslicht die Möglichkeit für kompakte Designs bietet, bei denen insbesondere an den beiden letzten Spiegeln kleine Einfallswinkel des Abbildungslichts realisiert werden können und bei denen die Spiegel ohne Durchtrittsöffnung mit vergleichsweise kleiner Spiegelfläche gefertigt werden können. Derartige abbildende Optiken haben kein Zwischenbild zwischen dem Objektfeld und dem Bildfeld. Derartige abbildende Optiken können Anwendung im Bereich der Metrologie und/oder im Bereich der Projektionslithografie insbesondere in Verbindung mit Abbildungslicht im Bereich von EUV-Wellenlängen finden.According to the invention, it has been recognized that a design of an imaging optics with two last mirrors with passage opening and at least two further mirrors without passage opening for the imaging light offers the possibility for compact designs, in which small angles of incidence of the imaging light can be realized especially at the two last mirrors where the mirror can be made without passage opening with a comparatively small mirror surface. Such imaging optics have no intermediate image between the object field and the image field. Such imaging optics may find application in the field of metrology and / or in the field of projection lithography, in particular in conjunction with imaging light in the range of EUV wavelengths.

Eine abbildende Optik nach Anspruch 2 hat sich in der Praxis bewährt.An imaging optics according to claim 2 has proven itself in practice.

Eine abbildende Optik nach Anspruch 3 ermöglicht eine einfache Positionierung einer Aperturblende und/oder einer Obskurationsblende. Derartige Blenden können beispielsweise als absorbierende und/oder reflektierende Beschichtungen auf den im Bereich der Pupillenebene angeordneten Spiegeln realisiert sein.An imaging optics according to claim 3 enables easy positioning of an aperture diaphragm and / or obscuration diaphragm. Such diaphragms can be realized, for example, as absorbing and / or reflective coatings on the mirrors arranged in the region of the pupil plane.

Eine abbildende Optik nach Anspruch 4 ermöglicht eine gute Korrektur von Abbildungsfehlern bei einer vorgegebenen Spiegelanzahl. Die abbildende Optik kann höchstens vier Spiegel und kann insbesondere genau vier Spiegel aufweisen.An imaging optics according to claim 4 enables a good correction of aberrations for a given number of mirrors. The imaging optics can have at most four mirrors and can in particular have exactly four mirrors.

Abweichungen der Freiformflächen von bestangepassten Flächen nach den Ansprüchen 5 bis 7 vereinfachen eine Herstellung der Freiformflächenspiegel.Deviations of the free-form surfaces from best-adapted surfaces according to claims 5 to 7 simplify production of the free-form surface mirrors.

Eine abbildende Optik nach Anspruch 8 hat Vorteile, die im Stand der Technik zu anamorphotischen abbildenden Optiken diskutiert sind. Eine anamorphotische Projektionsoptik ist bekannt aus der US 2013/0 128 251 A1 , aus der DE 10 2014 208 770 A1 und aus der US 2016/0 327 868 A1 .Imaging optics according to claim 8 have advantages discussed in the prior art for anamorphic imaging optics. An anamorphic projection optics is known from the US 2013/0 128 251 A1 , from the DE 10 2014 208 770 A1 and from the US 2016/0 327 868 A1 ,

Eine Pupillenobskuration nach Anspruch 9 erlaubt eine Abbildung mit gutem Durchsatz und ausreichend hoher Brandbreite an Beleuchtungswinkeln. Ein Obskurationswert dieser Pupillenobskuration wird auch als Radien-Obskuration oder als radiale Obskuration bezeichnet. Eine radiale Pupillenobskuration von weniger als 0,3 bedeutet, dass eine obskurierte Fläche kleiner ist als 9 % einer gesamten Nutzfläche des Spiegels bzw. kleiner ist als 9 % einer gesamten Fläche der Pupille am Ort der Pupillenobskuration.A pupil obscuration according to claim 9 allows imaging with good throughput and a sufficiently high range of illumination angles. An obscuration value of this pupil obscuration is also called radii obscuration or radial obscuration. A radial pupil obscuration of less than 0.3 means that an obscured area is less than 9% of a total effective area of the mirror, or less than 9% of a total area of the pupil at the location of the pupil obscuration.

Die Vorteile eines optischen Systems nach Anspruch 10, einer Beleuchtungssystems nach Anspruch 11, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 12, eines Herstellungsverfahrens für ein mikro- bzw. nanostrukturiertes Bauteil nach Anspruch 13 sowie eines hierdurch hergestellten mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfmdungsgemäße abbildende Optik bereits erläutert wurden. Hergestellt kann mit der Projektionsbelichtungsanlage insbesondere ein Halbleiter-Bauteil, beispielsweise ein Speicherchip.The advantages of an optical system according to claim 10, an illumination system according to claim 11, a projection exposure apparatus according to claim 12, a manufacturing method for a micro- or nanostructured component according to claim 13 and a microstructured or nanostructured component produced thereby correspond to those described above Reference to the erfmdungsgemäße imaging optics have already been explained. In particular, a semiconductor component, for example a memory chip, can be produced using the projection exposure apparatus.

Die abbildende Optik kann auch als Bestandteil eines Metrologiesystems zum Einsatz kommen. Ein derartiges Metrologiesystem kann mit einem optischen System bzw. mit einem Beleuchtungssystem arbeiten, welches vorstehend im Zusammenhang mit den Ansprüchen 10 und 11 angesprochen wurde. The imaging optics can also be used as part of a metrology system. Such a metrology system can work with an optical system or with an illumination system, which was mentioned above in connection with claims 10 and 11.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:

  • 1 schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie;
  • 2 in einem Meridionalschnitt eine Ausführung einer abbildenden Optik, die als Projektionsobjektiv in der Projektionsbelichtungsanlage nach 1 einsetzbar ist, wobei ein Abbildungsstrahlengang für Hauptstrahlen und für einen oberen und einen unteren Komastrahl dreier ausgewählter Feldpunkte dargestellt ist;
  • 3 bis 5 in jeweils zu 2 ähnlichen Darstellungen weitere Ausführungen einer abbildenden Optik, jeweils einsetzbar als Projektionsobjektiv in der Projektionsbelichtungsanlage nach 1.
Embodiments of the invention will be explained in more detail with reference to the drawing. In this show:
  • 1 schematically a projection exposure system for EUV microlithography;
  • 2 in a meridional section, an embodiment of an imaging optic, which follows as a projection objective in the projection exposure apparatus 1 is usable, wherein an imaging beam path for main beams and for an upper and a lower Komastrahl three selected field points is shown;
  • 3 to 5 in each case too 2 Similar representations of further embodiments of an imaging optics, each used as a projection lens in the projection exposure system according to 1 ,

Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie hat eine Lichtquelle 2 für Beleuchtungslicht beziehungsweise Abbildungslicht 3. Bei der Lichtquelle 2 handelt es sich um eine EUV-Lichtquelle, die Licht in einem Wellenlängenbereich beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm, insbesondere zwischen 5 nm und 15 nm, erzeugt. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich um eine plasmabasierte Lichtquelle (lasererzeugtes Plasma (laser-produced plasma, LPP), gasentladungserzeugtes Plasma (gas-discharge produced plasma, GDP) oder auch um eine synchrotronbasierte Lichtquelle, zum Beispiel einen Freie-Elektronen-Laser (FEL) handeln. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich insbesondere um eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 13,5 nm oder um eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 6,9 nm handeln. Auch andere EUV-Wellenlängen sind möglich. Generell sind sogar beliebige Wellenlängen, zum Beispiel sichtbare Wellenlängen oder auch andere Wellenlängen, die in der Mikrolithographie Verwendung finden können (zum Beispiel DUV, tiefes Ultraviolett) und für die geeigneten Laserlichtquellen und/oder LED-Lichtquellen zur Verfügung stehen (beispielsweise 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm, 129 nm, 109 nm), für das in der Projektionsbelichtungsanlage 1 geführte Beleuchtungslicht 3 möglich. Ein Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 ist in der 1 äußerst schematisch dargestellt.A projection exposure machine 1 for microlithography has a light source 2 for illumination light or imaging light 3 , At the light source 2 it is an EUV light source that generates light in a wavelength range, for example between 5 nm and 30 nm, in particular between 5 nm and 15 nm. At the light source 2 it can be a plasma-based light source (laser-produced plasma (LPP), gas-discharge produced plasma (GDP) or even a synchrotron-based light source, for example a free-electron laser (FEL). At the light source 2 it may in particular be a light source with a wavelength of 13.5 nm or a light source with a wavelength of 6.9 nm. Other EUV wavelengths are possible. In general, even arbitrary wavelengths, for example visible wavelengths or also other wavelengths which can be used in microlithography (for example DUV, deep ultraviolet) and for the suitable laser light sources and / or LED light sources are available (for example 365 nm, 248 nm) nm, 193 nm, 157 nm, 129 nm, 109 nm) for the in the projection exposure apparatus 1 led lighting light 3 possible. A beam path of the illumination light 3 is in the 1 shown very schematically.

Zur Führung des Beleuchtungslichts 3 von der Lichtquelle 2 hin zu einem Objektfeld 4 in einer Objektebene 5 dient eine Beleuchtungsoptik 6. Mit einer Projektionsoptik beziehungsweise abbildenden Optik 7 wird das Objektfeld 4 in ein Bildfeld 8 in einer Bildebene 9 mit einem vorgegebenen Verkleinerungsmaßstab abgebildet.For guiding the illumination light 3 from the light source 2 towards an object field 4 in an object plane 5 serves a lighting optics 6 , With a projection optics or imaging optics 7 becomes the object field 4 in a picture field 8th in an image plane 9 mapped with a given reduction scale.

Zur Erleichterung der Beschreibung der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie der verschiedenen Ausführungen der Projektionsoptik 7 ist in der Zeichnung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem angegeben, aus dem sich die jeweilige Lagebeziehung der in den Figuren dargestellten Komponenten ergibt. In der 1 verläuft die x-Richtung senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Richtung verläuft in der 1 nach links und die z-Richtung nach oben.To facilitate the description of the projection exposure apparatus 1 as well as the different versions of the projection optics 7 in the drawing, a Cartesian xyz coordinate system is given, from which the respective positional relationship of the components shown in the figures results. In the 1 the x-direction is perpendicular to the plane of the drawing. The y-direction runs in the 1 to the left and the z-direction to the top.

Beim nachfolgend im Detail anhand der optischen Designdaten beschriebenen Ausführungsbeispiel nach 2 ist das Bildfeld 8 quadratisch und hat eine Erstreckung von 0,2 mm in x-Richtung und von 0,2 mm in y-Richtung.In the embodiment described in detail below with reference to the optical design data 2 is the image field 8th square and has an extension of 0.2 mm in the x direction and 0.2 mm in the y direction.

Die Projektionsoptik 7 kann neben einer Anwendung in der Projektionslithografie auch eine Anwendung in der Metrologie, bzw. zur Vermessung von Retikelstrukturen und/oder zur Identifikation und/oder Vermessung von Defektstrukturen oder Defekten auf einer Lithografiemaske und/oder auf einem belichteten oder unbelichteten Substrat dienen.The projection optics 7 In addition to an application in projection lithography, it can also be used in metrology or for measuring reticle structures and / or for identifying and / or measuring defect structures or defects on a lithographic mask and / or on an exposed or unexposed substrate.

Das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 können alternativ ein xy-Aspektverhältnis haben, das ist größer als 1. Das Objektfeld 4 hat dann also eine längere Objektfelddimension in der x-Richtung und eine kürzere Objektfelddimension in der y-Richtung. Diese Objektfelddimensionen verlaufen längs der Feldkoordinaten x und y.The object field 4 and the picture box 8th may alternatively have an xy aspect ratio that is greater than 1. The object field 4 then has a longer object field dimension in the x direction and a shorter object field dimension in the y direction. These object field dimensions run along the field coordinates x and y.

Das Objektfeld 4 ist dementsprechend aufgespannt von der ersten kartesischen Objektfeldkoordinate x längs der ersten, größeren (längeren) Objektfelddimension und der zweiten kartesischen Objektfeldkoordinate y längs der zweiten, kleineren (kürzeren) Objektfelddimension. Die dritte kartesische Koordinate z, die senkrecht auf diesen beiden Objektfeldkoordinaten x und y steht, wird auch als Objektfeld-Normalkoordinate bezeichnet.The object field 4 is accordingly spanned by the first Cartesian object field coordinate x along the first, larger (longer) object field dimension and the second Cartesian object field coordinate y along the second, smaller (shorter) object field dimension. The third Cartesian coordinate z, which is perpendicular to these two object field coordinates x and y, is also referred to as the object field normal coordinate.

Die Bildebene 9 ist bei der Projektionsoptik 7 in der Ausführung nach 2 parallel zur Objektebene 5 angeordnet. The picture plane 9 is in the projection optics 7 in the execution after 2 parallel to the object plane 5 arranged.

Die erste Objektfeldkoordinate x und die Normalkoordinate z spannen eine erste Abbildungslicht-Ebene xz auf, die auch als Sagittalebene bezeichnet ist. Die zweite Objektfeldkoordinate y und die Normalkoordinate z spannen eine zweite Abbildungslicht-Ebene yz auf, die auch als Meridionalebene bezeichnet ist.The first object field coordinate x and the normal coordinate z span a first imaging light plane xz, which is also referred to as a sagittal plane. The second object field coordinate y and the normal coordinate z span a second imaging light plane yz, which is also referred to as the meridional plane.

Das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 können bei der Projektionsoptik 7 gebogen beziehungsweise gekrümmt und insbesondere teilringförmig ausgeführt sein. Alternativ ist es möglich, das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 quadratisch oder rechteckförmig auszuführen.The object field 4 and the picture box 8th can at the projection optics 7 bent or curved and in particular be designed part-ring. Alternatively it is possible to use the object field 4 and the picture box 8th square or rectangular.

Für die Projektionsoptik 7 kann eines der in den Fig. 2ff. dargestellten Ausführungsbeispiele eingesetzt werden. Die Projektionsoptik 7 nach 2 verkleinert in beiden Abbildungslicht-Ebenen xz, yz um einen Faktor 8. Auch andere Verkleinerungsmaßstäbe in den beiden Abbildungslicht-Ebenen xz, yz sind möglich, zum Beispiel 3x, 4x, 5x, 6x, 7x oder auch Verkleinerungsmaßstäbe, die größer sind als 8x.For the projection optics 7 can one of the in Figs. 2ff. illustrated embodiments are used. The projection optics 7 to 2 reduced in both imaging light levels xz, yz by a factor 8th , Also, other reduction scales in the two imaging light planes xz, yz are possible, for example 3x, 4x, 5x, 6x, 7x, or even reduction scales larger than 8x.

Abgebildet wird mit der Projektionsoptik 7 ein mit dem Objektfeld 4 zusammenfallender Ausschnitt einer Reflexionsmaske 10, die auch als Retikel bezeichnet wird. Das Retikel 10 wird von einem Retikelhalter 10a getragen. Der Retikelhalter 10a wird von einem Retikelverlagerungsantrieb 10b verlagert.Shown is the projection optics 7 one with the object field 4 coincident section of a reflection mask 10 , which is also called reticle. The reticle 10 is from a reticle holder 10a carried. The reticle holder 10a is powered by a reticle displacement drive 10b relocated.

Die Abbildung durch die Projektionsoptik 7 erfolgt auf die Oberfläche eines Substrats 11 in Form eines Wafers, der von einem Substrathalter 12 getragen wird. Der Substrathalter 12 wird von einem Wafer- beziehungsweise Substratverlagerungsantrieb 12a verlagert.The picture through the projection optics 7 takes place on the surface of a substrate 11 in the form of a wafer made by a substrate holder 12 will be carried. The substrate holder 12 is from a wafer or substrate displacement drive 12a relocated.

In der 1 ist schematisch zwischen dem Retikel 10 und der Projektionsoptik 7 ein in diese einlaufendes Strahlenbündel 13 des Beleuchtungslichts 3 und zwischen der Projektionsoptik 7 und dem Substrat 11 ein aus der Projektionsoptik 7 auslaufendes Strahlenbündel 14 des Beleuchtungslichts 3 dargestellt. Eine bildfeldseitige numerische Apertur (NA) der Projektionsoptik 7 ist in der 1 nicht maßstäblich wiedergegeben.In the 1 is schematically between the reticle 10 and the projection optics 7 an incoming into this bundle of rays 13 of the illumination light 3 and between the projection optics 7 and the substrate 11 one from the projection optics 7 leaking radiation beam 14 of the illumination light 3 shown. An image field-side numerical aperture (NA) of the projection optics 7 is in the 1 not reproduced to scale.

Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist vom Scannertyp. Sowohl das Retikel 10 als auch das Substrat 11 werden beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 in der y-Richtung gescannt. Auch ein Steppertyp der Projektionsbelichtungsanlage 1, bei dem zwischen einzelnen Belichtungen des Substrats 11 eine schrittweise Verlagerung des Retikels 10 und des Substrats 11 in der y-Richtung erfolgt, ist möglich. Diese Verlagerungen erfolgen synchronisiert zueinander durch entsprechende Ansteuerung der Verlagerungsantriebe 10b und 12a.The projection exposure machine 1 is the scanner type. Both the reticle 10 as well as the substrate 11 be during operation of the projection exposure system 1 scanned in the y direction. Also a stepper type of the projection exposure system 1 in which between individual exposures of the substrate 11 a stepwise displacement of the reticle 10 and the substrate 11 in the y-direction is possible. These displacements are synchronized with each other by appropriate control of the displacement drives 10b and 12a ,

Die 2 zeigt die Projektionsoptik 7 in einem Meridionalschnitt, also den Strahlengang des Abbildungslichts 3 in der yz-Ebene.The 2 shows the projection optics 7 in a meridional section, ie the beam path of the imaging light 3 in the yz plane.

Dargestellt ist in der 2 der Strahlengang jeweils dreier Einzelstrahlen 15, die von drei in der 2 zueinander in der y-Richtung beabstandeten Objektfeldpunkten ausgehen. Dargestellt sind Hauptstrahlen 16, also Einzelstrahlen 15, die durch das Zentrum einer Pupille in einer Pupillenebene der Projektionsoptik 7 verlaufen, sowie jeweils ein oberer und ein unterer Komastrahl dieser drei Objektfeldpunkte. Ausgehend vom Objektfeld 4 schließen die Hauptstrahlen 16 mit der Normalen auf die Objektebene 5 einen Winkel CRA von 5,5° ein. Aufgrund dieses Hauptstrahlwinkels CRA ist eine Auslegung der Projektionsoptik 7 für das reflektierende Retikel 10 gegeben. Es ist also gewährleistet, dass ein Strahlengang des auf das Retikel 10 einfallenden Beleuchtungslichts 3 sich mit einem Strahlengang des vom Retikel 10 ausfallenden Beleuchtungs- bzw. Abbildungslichts 3 nicht stört.Shown in the 2 the beam path in each case three individual beams 15 , of three in the 2 go out to each other in the y-direction spaced object field points. Shown are main rays 16 , so individual rays 15 passing through the center of a pupil in a pupil plane of the projection optics 7 run, and in each case an upper and a lower coma beam of these three object field points. Starting from the object field 4 close the main beams 16 with the normal to the object plane 5 an angle CRA of 5.5 °. Due to this main beam angle CRA is an interpretation of the projection optics 7 for the reflective reticle 10 given. It is thus ensured that an optical path of the reticle 10 incident illumination light 3 with a beam path of the reticle 10 failing illumination or imaging light 3 does not bother.

Die Projektionsoptik 7 hat eine bildseitige numerische Apertur von 0,65.The projection optics 7 has a picture-side numerical aperture of 0.65.

Die Projektionsoptik 7 nach 2 hat insgesamt vier Spiegel, die in der Reihenfolge des Strahlengangs der Einzelstrahlen 15, ausgehend vom Objektfeld 4, mit M1 bis M4 durchnummeriert sind.The projection optics 7 to 2 has a total of four mirrors, which are in the order of the beam path of the individual beams 15 , starting from the object field 4 , with M1 to M4 numbered.

Dargestellt sind in der 2 bis 4 Abschnitte der berechneten Reflexionsflächen der Spiegel M1 bis M4. Ein tatsächlich genutzter Bereich der Reflexionsflächen ist zuzüglich eines Überstandes bei den realen Spiegeln M1 bis M4 vorhanden. Diese Nutz-Reflexionsflächen werden in bekannter Weise von Spiegelkörpern getragen, die in der 2 zum Teil angedeutet sind.Shown in the 2 to 4 Portions of the calculated reflection surfaces of the mirrors M1 to M4. An actually used area of the reflection surfaces is present plus a projection at the real mirrors M1 to M4. These useful reflection surfaces are supported in a known manner by mirror bodies, which in the 2 are indicated in part.

Bei der Projektionsoptik 7 nach 2 sind alle Spiegel M1 bis M4 als Spiegel für senkrechten bzw. normalen Einfall ausgeführt, also als Spiegel, auf die das Abbildungslicht 3 mit einem Einfallswinkel trifft, der kleiner ist als 45 °. Diese Spiegel für senkrechten Einfall werden auch als NI (Normal Incidence)-Spiegel bezeichnet.In the projection optics 7 to 2 all mirrors M1 to M4 are designed as mirrors for vertical or normal incidence, ie as mirrors onto which the imaging light is incident 3 with an angle of incidence that hits less than 45 °. These vertical incidence mirrors are also referred to as NI (Normal Incidence) levels.

Die Spiegel M1 bis M4 tragen eine die Reflektivität der Spiegel M1 bis M4 für das Abbildungslicht 3 optimierende Beschichtung. Hierbei kann es sich um eine Ruthenium-Beschichtung, um eine Molybdän-Beschichtung oder um eine Molybdän-Beschichtung mit einer obersten Schicht aus Ruthenium handeln. Diese hoch reflektierenden Schichten können als Mehrlagen-Schichten ausgeführt sein, wobei aufeinanderfolgende Schichten aus unterschiedlichen Materialien gefertigt sein können. Auch alternierende Materialschichten können zum Einsatz kommen. Eine typische Mehrlagenschicht kann fünfzig Bilagen aus jeweils einer Schicht Molybdän und einer Schicht Silizium aufweisen.The mirrors M1 to M4 carry the reflectivity of the mirrors M1 to M4 for the imaging light 3 optimizing coating. This may be a ruthenium coating, a molybdenum coating or a molybdenum coating having a topmost layer of ruthenium. These highly reflective layers can be designed as multilayer layers, wherein successive layers can be made of different materials. Alternate layers of material can also be used. A typical multi-layer layer may comprise fifty bilayers each of one layer of molybdenum and one layer of silicon.

Zur Berechnung einer Gesamt-Reflektivität der Projektionsoptik 7 wird eine Systemtransmission wie folgt berechnet: Eine Spiegel-Reflektivität wird in Abhängigkeit vom Einfallswinkel eines Führungsstrahls, also eines Hauptstrahls eines zentralen Objektfeldpunktes, an jeder Spiegelfläche bestimmt und multiplikativ zur Systemtransmission zusammengefasst.To calculate a total reflectivity of the projection optics 7 a system transmission is calculated as follows: A mirror reflectivity is determined as a function of the angle of incidence of a guide beam, ie a main beam of a central object field point, on each mirror surface and combined in a multiplicative manner to the system transmission.

Details zur Reflektivitätsberechnung sind erläutert in der WO 2015/014 753 A1 . Weitere Informationen zur Reflektivität von NI-Spiegeln (Normal Incidence Spiegeln) finden sich in der DE 101 55 711 A .Details on the reflectivity calculation are explained in the WO 2015/014753 A1 , Further information on the reflectivity of NI mirrors (normal incidence mirrors) can be found in the DE 101 55 711 A ,

Die Spiegel M3 und M4, also der im Abbildungsstrahlengang vorletzte und der im Abbildungsstrahlengang letzte Spiegel, haben jeweils eine Durchtrittsöffnung 17. Durch die Durchtrittsöffnung 17 des Spiegels M3 tritt Abbildungslicht 3, das vom letzten Spiegel M4 hin zum Bildfeld 8 geführt wird. Durch die Durchtrittsöffnung 17 des Spiegels M4 tritt Abbildungslicht 3, das vom drittletzten Spiegel M2 hin zum vorletzten Spiegel M3 reflektiert wird. Die Spiegel M3 und M4 werden um ihre Durchtrittsöffnungen 17 herum reflektiv genutzt. Die anderen Spiegel M1 und M2 haben keine Durchtrittsöffnung und werden in einem lückenlos zusammenhängenden Bereich reflektiv genutzt. Die Spiegel M1 und M2 haben also eine öffnungsfrei genutzte Reflexionsfläche.The mirrors M3 and M4, ie the penultimate in the imaging beam path and the last in the imaging beam path mirror, each have a passage opening 17 , Through the passage opening 17 the mirror M3 enters picture light 3 , from the last mirror M4 to the image field 8th to be led. Through the passage opening 17 the mirror M4 enters picture light 3 which is reflected from the third last mirror M2 to the next to last mirror M3. The mirrors M3 and M4 are around their passages 17 around used reflectively. The other mirrors M1 and M2 have no passage opening and are used in a coherently coherent area reflective. The mirrors M1 and M2 thus have a reflection-free used reflection surface.

Bei der Projektionsoptik 7 ist das Bildfeld 8 das erste Feld im Abbildungsstrahlengang nach dem Objektfeld 4. Die Projektionsoptik 7 hat also keine Zwischenbildebene.In the projection optics 7 is the image field 8th the first field in the imaging beam path after the object field 4 , The projection optics 7 So has no intermediate image plane.

22 % eines Radius einer jeweiligen Spiegelfläche der Spiegel M3 und M4 sind aufgrund der jeweiligen Durchtrittsöffnungen 17 obskuriert, stehen also nicht für eine Reflexion des Abbildungslichts 3 zur Verfügung.22% of a radius of a respective mirror surface of the mirrors M3 and M4 are due to the respective passage openings 17 obscured, so do not stand for a reflection of the imaging light 3 to disposal.

Ein Radius einer Obskurationsfläche auf den Spiegeln M3 und/oder M4 kann im Verhältnis zum genutzten Spiegelradius je nach Ausführung der Projektionsoptik 7 kleiner sein als 0,3. Entsprechend kann die obskurierte Reflexionsfläche kleiner sein als 9 % einer gesamten Nutz-Reflexionsfläche auf dem jeweiligen Spiegel M3 und/oder M4.A radius of an obscuration surface on the mirrors M3 and / or M4 may vary in relation to the mirror radius used, depending on the design of the projection optics 7 less than 0.3. Accordingly, the obscured reflection surface may be smaller than 9% of a total useful reflection area on the respective mirror M3 and / or M4.

Ein z-Abstand zwischen dem Objektfeld und dem Bildfeld 8 (Baulänge) beträgt 1390 mm. Ein y-Abstand zwischen einem zentralen Feldpunkt des Objektfeldes 4 und einem zentralen Feldpunkt des Objektfeldes 8 (Objekt-Bild-Versatz) beträgt 190 mm. In der xz-Ebene liegt eine Eintrittspupille der Projektionsoptik 7 2243 mm im Abbildungsstrahlengang nach dem Objektfeld 4. In der yz-Ebene liegt die Eintrittspupille 844 mm im Abbildungsstrahlengang vor dem Objektfeld 4.A z-space between the object field and the image field 8th (Length) is 1390 mm. A y-distance between a central field point of the object field 4 and a central field point of the object field 8th (Object-image offset) is 190 mm. In the xz-plane is an entrance pupil of the projection optics 7 2243 mm in the imaging beam path after the object field 4 , In the yz plane, the entrance pupil lies 844 mm in the imaging beam path in front of the object field 4 ,

Die Projektionsoptik 7 ist bildseitig telezentrisch ausgeführt.The projection optics 7 is telecentric on the image side.

Ein minimaler Abstand zwischen dem Wafer 11 und dem Wafer nächsten Spiegel M3, der auch als Arbeitsabstand bezeichnet wird, beträgt 35,0 mm.A minimal distance between the wafer 11 and the wafer next mirror M3, which is also referred to as the working distance, is 35.0 mm.

Der Spiegel M3 hat einen Durchmesser von 473 mm. Der Spiegel M4 hat einen Durchmesser von 1083 mm. Ein mittlerer Wellenfrontfehler RMS der Projektionsoptik 7 beträgt 8,7 mλ bei einer Nutzwellenlänge des Abbildungslichts 3 von 13,5 nm.The mirror M3 has a diameter of 473 mm. The mirror M4 has a diameter of 1083 mm. A mean wavefront error RMS of the projection optics 7 is 8.7 mλ at a use wavelength of the imaging light 3 of 13.5 nm.

Die Spiegel M1 bis M4 sind als nicht durch eine rotationssymmetrische Funktion beschreibbare Freiformflächen ausgeführt. Es sind auch andere Ausführungen der Projektionsoptik 7 möglich, bei denen mindestens einer der Spiegel M1 bis M4 als rotationssymmetrische Asphäre ausgeführt ist. Auch alle Spiegel M1 bis M4 können als derartige Asphären ausgeführt sein.The mirrors M1 to M4 are designed as freeform surfaces which can not be described by a rotationally symmetrical function. There are also other versions of the projection optics 7 possible in which at least one of the mirrors M1 to M4 is designed as a rotationally symmetric asphere. All mirrors M1 to M4 can also be designed as such aspheres.

Eine Freiformfläche kann durch folgende Freiformflächengleichung (Gleichung 1) beschrieben werden: Z = c x x 2 + c y y 2 1 + 1 ( 1 + k x ) ( c x x ) 2 ( 1 + k y ) ( c y y ) 2 + C 1 x + C 2 y + C 3 x 2 + C 4 xy + C 5 y 2 + C 6 x 3 + + C 9 y 3 + C 10 x 4 + + C 12 x 2 y 2 + C 14 y 4 + C 15 x 5 + + C 20 y 5 + C 21 x 6 + + C 24 x 3 y 3 + + C 27 y 6 +

Figure DE102018214437A1_0001
A free-form surface can be described by the following free-form surface equation (Equation 1): Z = c x x 2 + c y y 2 1 + 1 - ( 1 + k x ) ( c x x ) 2 - ( 1 + k y ) ( c y y ) 2 + C 1 x + C 2 y + C 3 x 2 + C 4 xy + C 5 y 2 + C 6 x 3 + ... + C 9 y 3 + C 10 x 4 + ... + C 12 x 2 y 2 + C 14 y 4 + C 15 x 5 + ... + C 20 y 5 + C 21 x 6 + ... + C 24 x 3 y 3 + ... + C 27 y 6 + ...
Figure DE102018214437A1_0001

Für die Parameter dieser Gleichung (1) gilt:For the parameters of this equation (1):

Z ist die Pfeilhöhe der Freiformfläche am Punkt x, y, wobei x2 + y2 = r2. r ist hierbei der Abstand zur Referenzachse der Freiformflächengleichung ( x = 0 ; y = 0 ) .

Figure DE102018214437A1_0002
Z is the arrow height of the freeform surface at point x, y, where x 2 + y 2 = r 2 . Here r is the distance to the reference axis of the free-form surface equation ( x = 0 ; y = 0 ) ,
Figure DE102018214437A1_0002

In der Freiformflächengleichung (1) bezeichnen C1, C2, C3... die Koeffizienten der Freiformflächen-Reihenentwicklung in den Potenzen von x und y.In the free-form surface equation (1), C 1 , C 2 , C 3 ... designate the coefficients of the free-form surface series expansion in the powers of x and y.

Im Falle einer konischen Grundfläche ist cx, cy eine Konstante, die der Scheitelpunktkrümmung einer entsprechenden Asphäre entspricht. Es gilt also cx = 1/RDX und cy = 1/RDY. kx und ky, die auch als CCX und CCY bezeichnet werden, entsprechen jeweils einer konischen Konstante einer entsprechenden Asphäre. Die Gleichung (1) beschreibt also eine bikonische Freiformfläche.In the case of a conical base, c x , c y is a constant that corresponds to the vertex curvature of a corresponding asphere. So c x = 1 / RDX and c y = 1 / RDY. k x and k y , also referred to as CCX and CCY, each correspond to a conical constant of a corresponding asphere. The equation (1) thus describes a biconical freeform surface.

Eine alternativ mögliche Freiformfläche kann aus einer rotationssymmetrischen Referenzfläche erzeugt werden. Derartige Freiformflächen für Reflexionsflächen der Spiegel von Projektionsoptiken von Projektionsbelichtungsanlagen für die Mikrolithographie sind bekannt aus der US 2007-0058269 A1 .An alternatively possible free-form surface can be generated from a rotationally symmetrical reference surface. Such free-form surfaces for reflecting surfaces of the mirrors of projection optics of projection exposure apparatuses for microlithography are known from US Pat US 2007-0058269 A1 ,

Alternativ können Freiformflächen auch mit Hilfe zweidimensionaler Spline-Oberflächen beschrieben werden. Beispiele hierfür sind Bezier-Kurven oder nicht-uniforme rationale Basis-Splines (non-uniform rational basis splines, NURBS). Zweidimensionale Spline-Oberflächen können beispielsweise durch ein Netz von Punkten in einer xy-Ebene und zugehörige z-Werte oder durch diese Punkte und ihnen zugehörige Steigungen beschrieben werden. Abhängig vom jeweiligen Typ der Spline-Oberfläche wird die vollständige Oberfläche durch Interpolation zwischen den Netzpunkten unter Verwendung zum Beispiel von Polynomen oder Funktionen, die bestimmte Eigenschaften hinsichtlich ihrer Kontinuität und Differenzierbarkeit haben, gewonnen. Beispiele hierfür sind analytische Funktionen.Alternatively, freeform surfaces can also be described using two-dimensional spline surfaces. Examples include Bezier curves or non-uniform rational base splines (NURBS). For example, two-dimensional spline surfaces may be described by a network of points in an xy plane and associated z-values or by these points and their associated slopes. Depending on the particular type of spline surface, the complete surface is obtained by interpolation between the mesh points using, for example, polynomials or functions that have certain continuity and differentiability properties. Examples of this are analytical functions.

Eine pupillendefinierende Aperturblende AS ist bei der Projektionsoptik 7 auf dem Spiegel M4 und/oder auf dem Spiegel M3 und/oder in einer Position im Abbildungsstrahlengang zwischen den Spiegeln M3 und M4, was in der 2 angedeutet ist, angeordnet. Realisierungsmöglichkeiten für eine derartige Aperturblende sind beispielsweise offenbart in der WO 2016/188934 A1 . Anstelle einer einzigen pupillendefinierenden Aperturblende AS kann deren Wirkung auch von mehreren pupillendefinierenden Teil-Blenden übernommen werden, die an verschiedenen Stellen der Projektionsoptik 7 angeordnet sind.A pupil-defining aperture stop AS is in the projection optics 7 on the mirror M4 and / or on the mirror M3 and / or in a position in the imaging beam path between the mirrors M3 and M4, which in the 2 is indicated, arranged. Realization possibilities for such an aperture stop are disclosed, for example, in US Pat WO 2016/188934 A1 , Instead of a single pupil-defining aperture diaphragm AS, its effect can also be taken over by a plurality of pupil-defining partial diaphragms which are at different locations in the projection optics 7 are arranged.

Eine Anordnungsebene der Aperturblende AS fällt mit einer Pupillenebene 17a der Projektionsoptik 7 zusammen.An arrangement plane of the aperture stop AS coincides with a pupil plane 17a the projection optics 7 together.

Die optischen Designdaten der Reflexionsflächen der Spiegel M1 bis M4 der Projektionsoptik 7 können den nachfolgenden Tabellen entnommen werden.The optical design data of the reflection surfaces of the mirrors M1 to M4 of the projection optics 7 can be found in the following tables.

Die Tabelle 1 gibt Koordinaten eines Flächenursprungs einer jeweiligen Spiegelfläche sowie einer Fläche des Objektfeldes 4 bezogen auf ein xyz-Koordinatensystem des Bildfeldes 8 an.Table 1 gives coordinates of a surface origin of a respective mirror surface as well as a surface of the object field 4 based on an xyz coordinate system of the image field 8th at.

Die erste Spalte gibt den Abstand des jeweiligen Spiegels bzw. des Objektfeldes 8 von einem Koordinatenursprung im Zentrum des Bildfeldes 4 in z-Richtung (erste Spalte) und in y-Richtung (Spalte 2) an. The first column gives the distance of the respective mirror or of the object field 8th from a coordinate origin in the center of the image field 4 in z-direction (first column) and in y-direction (column 2 ) at.

Die dritte Spalte der Tabelle 1 gibt noch einen Verkippungswert der jeweiligen Fläche des Spiegels M1 bis M4 bzw. des Objektfeldes 4 in Bezug auf die xy-Ebene des Bildfeldes 8 an. Bei der Ausführung nach 2 sind das Objektfeld 4 einerseits und die Spiegel M3 und M4 andererseits also gegenüber dem Bildfeld 8 nicht verkippt. Diese Aussage bezieht sich in Bezug auf die gekrümmten Spiegel M3 und M4 auf die jeweilige Grundfläche, von der die Pfeilhöhe-Berechnung der gekrümmten Spiegelfläche gemäß der obigen Gleichung (1) jeweils ausgeht.The third column of Table 1 is still a Verkippungswert the respective surface of the mirror M1 to M4 or the object field 4 with respect to the xy plane of the image field 8th at. In the execution after 2 are the object field 4 on the one hand and the mirrors M3 and M4 on the other hand so with respect to the image field 8th not tilted. This statement refers to the respective base area, with respect to the curved mirrors M3 and M4, from which the arrow height calculation of the curved mirror surface according to the above equation (1) in each case proceeds.

Die zweite Tabelle tabelliert getrennt für die Spiegel M4 bis M1 die Parameter RDX, RDY, CCX, CCY sowie, sortiert nach den Potenzen in x und y, die Werte der Koeffizienten C1, C2, C3 ... der Freiformfläche-Reihenentwicklung gemäß der obigen Gleichung (1). Tabelle 1 zu Fig. 2 z-Abstand [mm] y-Abstand [mm] Verkippung um x-Achse [Grad] M4 797.114367 0 0.0000 M3 50.587369 0 0.0000 M2 1187.962431 0 12.1777 M1 878.305658 140.176051 9.4133 Objektfeld 1389.879729 189.695360 0.0000 Tabelle 2 zu Fig. 2 M4 2 RDX -955.292778 RDY -991.490928 CCX 0.195640 CCY 0.163381 x**i y**j Koeffizient 2 1 6.792178E-09 0 3 -5.132081E-09 4 0 -1.285544E-11 2 2 3.454446E-12 0 4 4.586112E-12 4 1 -5.109120E-16 2 3 -1.900705E-15 0 5 -1.436546E-15 6 0 4.875178E-18 4 2 1.013369E-17 2 4 6.543131E-18 0 6 -7.066915E-19 6 1 1.113239E-20 4 3 7.538844E-21 2 5 1.652656E-21 0 7 -3.724025E-22 8 0 -1.088614E-24 6 2 -3.946779E-24 4 4 -1.462326E-23 2 6 -1.928568E-23 0 8 1.493475E-24 8 1 -1.047656E-26 6 3 -1.113349E-26 4 5 -1.026264E-26 2 7 1.117119E-27 0 9 -1.991481E-27 10 0 -6.559550E-30 8 2 -1.634135E-29 6 4 1.380024E-30 4 6 4.821144E-29 2 8 4.542313E-29 0 10 2.988973E-30 10 1 1.673697E-32 8 3 -1.401775E-33 6 5 -1.457554E-32 4 7 -1.552206E-32 2 9 -1.512618E-32 0 11 1.802961E-33 12 0 6.017480E-36 10 2 2.062152E-35 8 4 -9.467724E-36 6 6 -9.457160E-35 4 8 -1.125858E-34 2 10 -3.818160E-35 0 12 -3.090341E-36 12 1 1.264123E-38 10 3 9.363503E-38 8 5 2.283960E-37 6 7 2.857258E-37 4 9 1.452372E-37 2 11 1.907069E-38 0 13 -2.427780E-39 M3 2 RDX -1210.402728 RDY -1994.521816 CCX 0 CCY 0 x**i y**j Koeffizient 2 1 1.240642E-07 0 3 -6.923438E-08 4 0 -2.320957E-09 2 2 -1.958282E-09 0 4 -6.031571E-10 4 1 4.534733E-13 2 3 -2.544845E-13 0 5 7.559356E-15 6 0 -1.081468E-14 4 2 -1.002246E-14 2 4 -5.845165E-15 0 6 -1.495170E-15 6 1 7.030655E-18 4 3 2.324372E-18 2 5 2.214309E-18 0 7 1.428828E-19 8 0 -4.734233E-20 6 2 -7.859519E-20 4 4 -9.096242E-20 2 6 -4.607712E-20 0 8 -1.181867E-21 8 1 3.739715E-23 6 3 1.285892E-23 4 5 -2.299719E-23 2 7 -7.099442 E-24 0 9 2.699608E-24 10 0 -2.326219E-25 8 2 -7.120118E-25 6 4 -8.140634E-25 4 6 -1.248081E-25 2 8 1.788229E-25 0 10 7.062409E-27 10 1 -1.610790E-27 8 3 -3.578991E-27 6 5 -2.436168E-27 4 7 -2.237443E-28 2 9 1.678910E-28 0 11 2.751998E-29 12 0 -4.357683E-30 10 2 -1.528661E-29 8 4 -1.821360E-29 6 6 -1.045673E-29 4 8 -3.263954E-30 2 10 -8.002134E-31 0 12 -5.457799E-32 12 1 3.025944E-32 10 3 6.629237E-32 8 5 1.040985E-31 6 7 7.084093E-32 4 9 1.825933E-32 2 11 8.152662E-34 0 13 -5.548182E-35 M2 2 RDX 2333.674205 RDY 272.442419 CCX 0 CCY 0 x**i y**j Koeffizient 2 1 9.645832E-07 0 3 -2.195674E-06 4 0 -1.540017E-08 2 2 -1.287713E-08 0 4 2.477099E-08 4 1 -7.677414E-11 2 3 -1.302951E-10 0 5 2.185498E-10 6 0 9.654103E-13 4 2 3.392311E-12 2 4 1.763941E-12 0 6 -5.178493E-12 6 1 1.293322E-14 4 3 6.545782E-14 2 5 1.558100E-13 0 7 2.274025E-14 8 0 -8.253074E-17 6 2 -5.417253E-16 4 4 -7.433467E-16 2 6 3.722685E-15 0 8 7.953878E-15 8 1 -1.694577E-18 6 3 -2.082033E-17 4 5 -1.414736E-16 2 7 -1.814747E-16 0 9 7.946060E-17 10 0 7.862646E-21 8 2 8.726735E-20 6 4 2.559805E-19 4 6 -8.250554E-19 2 8 -5.034308E-18 0 10 -2.525788E-18 10 1 8.928626E-23 8 3 2.333398E-21 6 5 3.770507E-20 4 7 1.614375E-19 2 9 1.352834E-19 0 11 -7.000761E-20 12 0 -3.493967E-25 10 2 -5.451599E-24 8 4 -2.110264E-23 6 6 7.436453E-23 4 8 1.092554E-21 2 10 2.994668E-21 0 12 1.027011E-21 12 1 2.408231E-27 10 3 -3.731651E-26 8 5 -2.723392E-24 6 7 -2.174568E-23 4 9 -5.954065E-23 2 11 -3.295184E-23 0 13 2.735053E-23 M1 2 RDX 4234.862804 RDY 711.414133 CCX 0 CCY 0 x**i y**j Koeffizient 2 1 2.609022E-07 0 3 -1.295251E-07 4 0 -1.532045E-08 2 2 -2.222746E-09 0 4 7.974257E-10 4 1 -3.492010E-11 2 3 -2.289228E-11 0 5 6.528042E-12 6 0 1.486219E-12 4 2 1.706300E-12 2 4 4.881876E-14 0 6 -1.410365E-13 6 1 1.278590E-14 4 3 3.153892E-14 2 5 1.568192E-14 0 7 -9.154165E-16 8 0 -5.057845E-16 6 2 -9.532909E-16 4 4 -2.914418E-16 2 6 3.240234E-16 0 8 9.200678E-17 8 1 1.095657E-18 6 3 -2.207538E-17 4 5 -3.606090E-17 2 7 -8.354106E-18 0 9 1.118715E-18 10 0 1.646877E-19 8 2 4.502289E-19 6 4 3.101783E-19 4 6 -1.211680E-19 2 8 -1.796495E-19 0 10 -1.771800E-20 10 1 -3.744372E-21 8 3 3.734896E-21 6 5 2.246366E-20 4 7 1.814256E-20 2 9 2.279273E-21 0 11 -3.758422E-22 12 0 -1.687831E-23 10 2 -7.205247E-23 8 4 -7.596828E-23 6 6 -3.104070E-24 4 8 6.784973E-23 2 10 3.579117E-23 0 12 1.770229E-24 12 1 1.008740E-24 10 3 6.687271E-25 8 5 -3.717455E-24 6 7 -6.137963E-24 4 9 -2.979028E-24 2 11 -1.806528E-25 0 13 5.067024E-26 The second table separately tabulates for the mirrors M4 to M1 the parameters RDX, RDY, CCX, CCY and, sorted according to the powers in x and y, the values of the coefficients C1, C2, C3 ... of the free-form surface series development according to the above Equation (1). Table 1 to Fig. 2 z-distance [mm] y-distance [mm] Tilting about x-axis [Degree] M4 797.114367 0 0.0000 M3 50.587369 0 0.0000 M2 1187.962431 0 12.1777 M1 878.305658 140.176051 9.4133 object field 1389.879729 189.695360 0.0000 Table 2 to Fig. 2 M4 2 RDX -955.292778 RDY -991.490928 CCX 0.195640 CCY 0.163381 x ** i y ** j coefficient 2 1 6.792178E-09 0 3 -5.132081E-09 4 0 -1.285544E-11 2 2 3.454446E-12 0 4 4.586112E-12 4 1 -5.109120E-16 2 3 -1.900705E-15 0 5 -1.436546E-15 6 0 4.875178E-18 4 2 1.013369E-17 2 4 6.543131E-18 0 6 -7.066915E-19 6 1 1.113239E-20 4 3 7.538844E-21 2 5 1.652656E-21 0 7 -3.724025E-22 8th 0 -1.088614E-24 6 2 -3.946779E-24 4 4 -1.462326E-23 2 6 -1.928568E-23 0 8th 1.493475E-24 8th 1 -1.047656E-26 6 3 -1.113349E-26 4 5 -1.026264E-26 2 7 1.117119E-27 0 9 -1.991481E-27 10 0 -6.559550E-30 8th 2 -1.634135E-29 6 4 1.380024E-30 4 6 4.821144E-29 2 8th 4.542313E-29 0 10 2.988973E-30 10 1 1.673697E-32 8th 3 -1.401775E-33 6 5 -1.457554E-32 4 7 -1.552206E-32 2 9 -1.512618E-32 0 11 1.802961E-33 12 0 6.017480E-36 10 2 2.062152E-35 8th 4 -9.467724E-36 6 6 -9.457160E-35 4 8th -1.125858E-34 2 10 -3.818160E-35 0 12 -3.090341E-36 12 1 1.264123E-38 10 3 9.363503E-38 8th 5 2.283960E-37 6 7 2.857258E-37 4 9 1.452372E-37 2 11 1.907069E-38 0 13 -2.427780E-39 M3 2 RDX -1210.402728 RDY -1994.521816 CCX 0 CCY 0 x ** i y ** j coefficient 2 1 1.240642E-07 0 3 -6.923438E-08 4 0 -2.320957E-09 2 2 -1.958282E-09 0 4 -6.031571E-10 4 1 4.534733E-13 2 3 -2.544845E-13 0 5 7.559356E-15 6 0 -1.081468E-14 4 2 -1.002246E-14 2 4 -5.845165E-15 0 6 -1.495170E-15 6 1 7.030655E-18 4 3 2.324372E-18 2 5 2.214309E-18 0 7 1.428828E-19 8th 0 -4.734233E-20 6 2 -7.859519E-20 4 4 -9.096242E-20 2 6 -4.607712E-20 0 8th -1.181867E-21 8th 1 3.739715E-23 6 3 1.285892E-23 4 5 -2.299719E-23 2 7 -7.099442 E-24 0 9 2.699608E-24 10 0 -2.326219E-25 8th 2 -7.120118E-25 6 4 -8.140634E-25 4 6 -1.248081E-25 2 8th 1.788229E-25 0 10 7.062409E-27 10 1 -1.610790E-27 8th 3 -3.578991E-27 6 5 -2.436168E-27 4 7 -2.237443E-28 2 9 1.678910E-28 0 11 2.751998E-29 12 0 -4.357683E-30 10 2 -1.528661E-29 8th 4 -1.821360E-29 6 6 -1.045673E-29 4 8th -3.263954E-30 2 10 -8.002134E-31 0 12 -5.457799E-32 12 1 3.025944E-32 10 3 6.629237E-32 8th 5 1.040985E-31 6 7 7.084093E-32 4 9 1.825933E-32 2 11 8.152662E-34 0 13 -5.548182E-35 M2 2 RDX 2333.674205 RDY 272.442419 CCX 0 CCY 0 x ** i y ** j coefficient 2 1 9.645832E-07 0 3 -2.195674E-06 4 0 -1.540017E-08 2 2 -1.287713E-08 0 4 2.477099E-08 4 1 -7.677414E-11 2 3 -1.302951E-10 0 5 2.185498E-10 6 0 9.654103E-13 4 2 3.392311E-12 2 4 1.763941E-12 0 6 -5.178493E-12 6 1 1.293322E-14 4 3 6.545782E-14 2 5 1.558100E-13 0 7 2.274025E-14 8th 0 -8.253074E-17 6 2 -5.417253E-16 4 4 -7.433467E-16 2 6 3.722685E-15 0 8th 7.953878E-15 8th 1 -1.694577E-18 6 3 -2.082033E-17 4 5 -1.414736E-16 2 7 -1.814747E-16 0 9 7.946060E-17 10 0 7.862646E-21 8th 2 8.726735E-20 6 4 2.559805E-19 4 6 -8.250554E-19 2 8th -5.034308E-18 0 10 -2.525788E-18 10 1 8.928626E-23 8th 3 2.333398E-21 6 5 3.770507E-20 4 7 1.614375E-19 2 9 1.352834E-19 0 11 -7.000761E-20 12 0 -3.493967E-25 10 2 -5.451599E-24 8th 4 -2.110264E-23 6 6 7.436453E-23 4 8th 1.092554E-21 2 10 2.994668E-21 0 12 1.027011E-21 12 1 2.408231E-27 10 3 -3.731651E-26 8th 5 -2.723392E-24 6 7 -2.174568E-23 4 9 -5.954065E-23 2 11 -3.295184E-23 0 13 2.735053E-23 M1 2 RDX 4234.862804 RDY 711.414133 CCX 0 CCY 0 x ** i y ** j coefficient 2 1 2.609022E-07 0 3 -1.295251E-07 4 0 -1.532045E-08 2 2 -2.222746E-09 0 4 7.974257E-10 4 1 -3.492010E-11 2 3 -2.289228E-11 0 5 6.528042E-12 6 0 1.486219E-12 4 2 1.706300E-12 2 4 4.881876E-14 0 6 -1.410365E-13 6 1 1.278590E-14 4 3 3.153892E-14 2 5 1.568192E-14 0 7 -9.154165E-16 8th 0 -5.057845E-16 6 2 -9.532909E-16 4 4 -2.914418E-16 2 6 3.240234E-16 0 8th 9.200678E-17 8th 1 1.095657E-18 6 3 -2.207538E-17 4 5 -3.606090E-17 2 7 -8.354106E-18 0 9 1.118715E-18 10 0 1.646877E-19 8th 2 4.502289E-19 6 4 3.101783E-19 4 6 -1.211680E-19 2 8th -1.796495E-19 0 10 -1.771800E-20 10 1 -3.744372E-21 8th 3 3.734896E-21 6 5 2.246366E-20 4 7 1.814256E-20 2 9 2.279273E-21 0 11 -3.758422E-22 12 0 -1.687831E-23 10 2 -7.205247E-23 8th 4 -7.596828E-23 6 6 -3.104070E-24 4 8th 6.784973E-23 2 10 3.579117E-23 0 12 1.770229E-24 12 1 1.008740E-24 10 3 6.687271E-25 8th 5 -3.717455E-24 6 7 -6.137963E-24 4 9 -2.979028E-24 2 11 -1.806528E-25 0 13 5.067024E-26

Die Summen der Potenzen in x und y, deren Koeffizienten Ci größer sind als 0, ist bei den Freiformflächen der Spiegels M1 bis M4 der Projektionsoptik 7 nicht größer als 13. Die Freiformflächen der Spiegel M1 bis M4 lassen sich also mit xy-Polynomen bis zur 13. Ordnung beschreiben.The sums of the powers in x and y, whose coefficients Ci are greater than 0, are in the free-form surfaces of the mirrors M1 to M4 of the projection optics 7 not larger than 13. The free-form surfaces of the mirrors M1 to M4 can thus be described with xy polynomials up to the 13th order.

Ein optischer Weg zwischen dem Objektfeld 4 und dem Spiegel M3 ist bei der Projektionsoptik 7 größer als ein Abstand zwischen den Spiegeln M3 und M4, so dass das Objektfeld 4, was den optischen Weg angeht, von der Durchtrittsöffnung 17 im Spiegel M4 deutlich beabstandet ist. Bei der Ausführung nach 2 ist der optische Weg, den die Hauptstrahlen vom Objektfeld 4 bis zum Spiegel M3 längs des Abbildungsstrahlengangs nehmen, mehr als doppelt so groß wie der optische Weg zwischen der Durchtrittsöffnung 17 im Spiegel M4 und dem Spiegel M3, der in etwa dem Abstand zwischen diesen Spiegeln M3 und M4 entspricht. Entsprechend diesem Verhältnis der optischen Wege ist ein Durchmesser des gesamten Abbildungslicht-Bündels im Bereich der Durchtrittsöffnung 17 des Spiegels M4, der den Durchmesser dieser Durchtrittsöffnung 17 im Spiegel M4 vorgibt, verhältnismäßig groß im Vergleich zum Durchmesser des Spiegels M3. Der Durchmesser der Durchtrittsöffnung 17 des Spiegels M4 beträgt etwa 50 % des Durchmessers des Spiegels M3.An optical path between the object field 4 and the mirror M3 is in the projection optics 7 greater than a distance between the mirrors M3 and M4, so that the object field 4 , As far as the optical path, from the passage opening 17 is clearly spaced in the mirror M4. In the execution after 2 For example, the optical path taken by the main beams from the object field 4 to the mirror M3 along the imaging beam path is more than twice as large as the optical path between the passage opening 17 in the mirror M4 and the mirror M3, which corresponds approximately to the distance between these mirrors M3 and M4. According to this ratio of the optical paths, a diameter of the entire imaging light beam is in the region of the passage opening 17 of the mirror M4, the diameter of this passage opening 17 in the mirror M4 pretends relatively large compared to the diameter of the mirror M3. The diameter of the passage opening 17 of the mirror M4 is about 50% of the diameter of the mirror M3.

Anhand der 3 wird nachfolgend eine weitere Ausführung einer Projektionsoptik 18 erläutert, die anstelle der Projektionsoptik 7 bei der Projektionsbelichtungsanlage 1 nach 1 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend im Zusammenhang mit den 1 und 2 bereits erläutert wurden, tragen ggf. die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.Based on 3 Below is another embodiment of a projection optics 18 explains that instead of the projection optics 7 at the projection exposure machine 1 to 1 can be used. Components and functions similar to those described above in connection with 1 and 2 have already been explained, if necessary bear the same reference numbers and will not be discussed again in detail.

Bei der Projektionsoptik 18 beträgt der Durchmesser der Durchtrittsöffnung 17 im Spiegel M4 etwa 80 % des Durchmessers des Spiegels M3.In the projection optics 18 is the diameter of the passage opening 17 in the mirror M4 about 80% of the diameter of the mirror M3.

Die Summen der Potenzen in x und y, deren Koeffizienten größer sind als 0, ist bei den Freiformflächen der Spiegels M1 bis M4 der Projektionsoptik 18 nicht größer als 12. Die Freiformflächen der Spiegel M1 bis M4 lassen sich also mit xy-Polynomen bis zur 12. Ordnung beschreiben.The sums of the powers in x and y whose coefficients are greater than 0 are those of the free-form surfaces of the mirrors M1 to M4 of the projection optics 18 not larger than 12. The free-form surfaces of the mirrors M1 to M4 can thus be described with xy polynomials up to the 12th order.

Die Freiformflächen der Spiegel M1 bis M4 der Projektionsoptik 18 haben jeweils nur geringe Abweichungen von einer bestangepassten torischen Fläche und/oder von einer bestangepassten sphärischen Fläche und/oder eine geringe Abweichung von einem bestangepassten Kegelschnitt.The free-form surfaces of the mirrors M1 to M4 of the projection optics 18 have only slight deviations from a best fit toric surface and / or from a best fit spherical surface and / or a small deviation from a best fit conic.

Eine sphärische, eine torische und eine asphärische Fläche ergeben sich aus dem führenden Term der Freiformflächengleichung (1) oben, wenn gesetzt wird:

  • cx = cy, kx = ky = 0 (sphärische Fläche);
  • kx = ky = 0 (torische Fläche);
  • cx = cy, kx = ky (asphärische Fläche, allgemeiner Kegelschnitt).
A spherical, a toric and an aspherical surface result from the leading term of the freeform surface equation (1) above, when it is set:
  • c x = c y , k x = k y = 0 (spherical surface);
  • k x = k y = 0 (toric surface);
  • c x = c y , k x = k y (aspherical surface, general conic section).

Ein Beispiel für eine verallgemeinerte Asphärengleichung mit zusätzlichen Korrekturtermen, angegeben als gerade Potenzen des Radius, findet sich beispielsweise in der DE 10 2010 029 050 A1 .An example of a generalized aspheric equation with additional correction terms, given as even powers of the radius, can be found in the DE 10 2010 029 050 A1 ,

Beim Spiegel M1 ist eine maximale Abweichung peak to valley (PV) zu einer bestangepassten torischen Fläche 4,5 µm und eine maximale Abweichung peak to valley von einer bestangepassten sphärischen Fläche 64,7 µm.In the case of the mirror M1, a maximum deviation peak to valley (PV) to a best-matched toric surface is 4.5 μm and a maximum deviation peak to valley of a best-adapted spherical surface is 64.7 μm.

Beim Spiegel M2 ist eine maximale Abweichung peak to valley zu einer bestangepassten torischen Fläche 14,1 µm und eine maximale Abweichung peak to valley von einer bestangepassten sphärischen Fläche 127 µm.In the case of the mirror M2, a maximum deviation peak to valley to a best-matched toric surface is 14.1 μm, and a maximum deviation peak to valley of a best-adapted spherical surface is 127 μm.

Beim Spiegel M3 ist eine maximale Abweichung peak to valley zu einer bestangepassten torischen Fläche 39,5 µm und eine maximale Abweichung peak to valley von einem bestangepassten Kegelschnitt 47,2 µm.For the mirror M3, a maximum deviation peak to valley to a best-matched toric surface is 39.5 μm and a maximum deviation peak to valley from a best-matched conic 47.2 μm.

Beim Spiegel M4 ist eine maximale Abweichung peak to valley zu einer bestangepassten torischen Fläche 31,5 µm und eine maximale Abweichung peak to valley von einem bestangepassten Kegelschnitt 59,3 µm.For the M4 mirror, a maximum deviation peak to valley to a best-matched toric surface is 31.5 μm and a maximum deviation peak to valley from a best-matched conic 59.3 μm.

Eine Abweichung der Freiformflächen der Spiegel M1 bis M4 von einer bestangepassten sphärischen Fläche kann je nach Ausführung der Projektionsoptik 18 kleiner sein als 150 µm.A deviation of the free-form surfaces of the mirrors M1 to M4 from a best-adapted spherical surface can, depending on the design of the projection optics 18 smaller than 150 μm.

Eine Abweichung dieser Freiformflächen von einer bestangepassten torischen Fläche kann je nach Ausführung der Projektionsoptik 18 kleiner sein als 100 µm und auch kleiner sein als 50 µm.A deviation of these free-form surfaces from a best-matched toric surface may vary depending on the design of the projection optics 18 smaller than 100 μm and smaller than 50 μm.

Eine Abweichung der Freiformflächen von einer bestangepassten Kegelschnittfläche kann je nach Ausführung der Projektionsoptik 18 kleiner sein als 100 µm.A deviation of the free-form surfaces from a best-adapted conic section surface can, depending on the design of the projection optics 18 smaller than 100 μm.

Ein Obskurationsradius der Durchtrittsöffnungen 17 der Spiegel M3 und M4 beträgt jeweils 29 % des Radius der genutzten Spiegelfläche der jeweiligen Spiegel M3 und M4 einer Projektionsoptik 18.An obscuration radius of the openings 17 each of the mirrors M3 and M4 is 29% of the radius of the used mirror surface of the respective mirrors M3 and M4 of a projection optics 18 ,

Das Bildfeld 8 hat bei der Projektionsoptik 18 eine x-Erstreckung von 0,5 mm und eine y-Erstreckung von 0,5 mm, ist also ebenfalls quadratisch.The image field 8th has in the projection optics 18 an x-extension of 0.5 mm and a y-extension of 0.5 mm, so is also square.

Eine Baulänge der Projektionsoptik 18 beträgt 2269 mm. Ein Objekt-Bild-Versatz der Projektionsoptik 18 beträgt 294 mm.An overall length of the projection optics 18 is 2269 mm. An object-image offset of the projection optics 18 is 294 mm.

Die Eintrittspupille liegt bei der Projektionsoptik 18 in der xz-Ebene 2881 mm nach dem Objektfeld 4. In der yz-Ebene liegt die Eintrittspupille 3024 mm nach dem Objektfeld 4.The entrance pupil lies with the projection optics 18 in the xz-plane 2881 mm after the object field 4 , In the yz plane, the entrance pupil is 3024 mm after the object field 4 ,

Ein Arbeitsabstand des Spiegels M3 zum Wafer 11 beträgt 45,0 mm. Der Spiegel M4 hat einen Durchmesser von 1368 mm. Der Spiegel M3 hat einen Durchmesser von 492 mm.A working distance of the mirror M3 to the wafer 11 is 45.0 mm. The mirror M4 has a diameter of 1368 mm. The mirror M3 has a diameter of 492 mm.

Ein mittlerer Wellenfrontfehler RMS beträgt 7,5 mλ, wiederum bei einer Nutzlichtwellenlänge von 13,5 nm.A mean wavefront error RMS is 7.5 mλ, again at a useful light wavelength of 13.5 nm.

Eine bildseitige numerische Apertur beträgt bei der Projektionsoptik 18 0,70.A picture-side numerical aperture is in the projection optics 18 0.70.

Die optischen Designdaten der Projektionsoptik 18 können den nachfolgenden Tabellen entnommen werden, die in ihrem Aufbau den Tabellen zur Projektionsoptik 7 nach 2 entsprechen. Tabelle 1 zu Fig. 3 z-Abstand [mm] y-Abstand [mm] Verkippung um x-Achse [Grad] M4 936.656947 0.000000 0.0000 M3 73.841094 0.000000 0.0000 M2 2038.775766 0.000000 13.6412 M1 1593.904541 229.442516 10.9160 Objektfeld 2268.776774 293.836209 0.0000 Tabelle 2 zu Fig. 3 M4 3 RDX -1113.715105 RDY -1113.720092 CCX 0.155064 CCY 0.155821 x**i y**j Koeffizient 2 1 6.998569E-11 0 3 -1.219334E-10 4 0 1.859915E-12 2 2 3.772005E-12 0 4 1.559240E-12 4 1 -2.168046E-16 2 3 3.537763E-16 0 5 4.865457E-16 6 0 2.299659E-18 4 2 5.953683E-18 2 4 6.490034E-18 0 6 2.850325E-18 6 1 1.300769E-21 4 3 2.209164E-21 2 5 6.757287E-22 0 7 -1.577442E-22 8 0 -3.926427E-24 6 2 -1.287918E-23 4 4 -1.809551E-23 2 6 -1.339401E-23 0 8 -4.178562E-24 8 1 -1.568142E-27 6 3 -5.016540E-27 4 5 -5.539817E-27 2 7 -2.747079E-27 0 9 -6.114262E-28 10 0 2.367795E-30 8 2 9.074760E-30 6 4 1.467334E-29 4 6 1.393012E-29 2 8 7.982691E-30 0 10 1.967840E-30 10 1 6.792414E-34 8 3 3.310359E-33 6 5 6.341796E-33 4 7 6.211731E-33 2 9 3.346835E-33 0 11 8.137856E-34 12 0 3.228692E-37 10 2 2.377899E-36 8 4 8.149450E-36 6 6 1.260486E-35 4 8 1.025362E-35 2 10 4.401668E-36 0 12 8.171926E-37 M3 3 RDX -1184.127063 RDY -1185.001946 CCX 0 CCY 0 x**i y**j Koeffizient 2 1 3.720805E-09 0 3 -5.158645E-10 4 0 -6.775863E-10 2 2 -1.356137E-09 0 4 -6.989644E-10 4 1 -3.445519E-14 2 3 5.918730E-14 0 5 8.014771E-14 6 0 -1.353694E-15 4 2 -4.491591E-15 2 4 -4.292514E-15 0 6 -1.152377E-15 6 1 1.495354E-18 4 3 2.580213E-18 2 5 8.660846E-19 0 7 -1.187272E-19 8 0 -2.037612E-20 6 2 -7.305357E-20 4 4 -1.056287E-19 2 6 -7.392035E-20 0 8 -2.069207E-20 8 1 -1.177396E-23 6 3 -3.924222E-23 4 5 -4.597341E-23 2 7 -2.562596E-23 0 9 -6.772222E-24 10 0 3.044093E-27 8 2 -3.647565E-26 6 4 -1.488559E-25 4 6 -1.805550E-25 2 8 -8.526963E-26 0 10 -1.523218E-26 10 1 2.417428E-29 8 3 1.423920E-28 6 5 3.178845E-28 4 7 3.629090E-28 2 9 2.266107E-28 0 11 6.195984E-29 12 0 -4.144963E-32 10 2 -3.132205E-31 8 4 -5.637557E-31 6 6 -4.935481E-31 4 8 -1.153608E-31 2 10 1.278958E-31 0 12 7.065895E-32 M2 3 RDX -5006.207030 RDY -5518.367079 CCX 0 CCY 0 x**i y**j Koeffizient 2 1 1.636128E-08 0 3 9.797508E-09 4 0 -3.629169E-11 2 2 -6.465349E-11 0 4 -7.683361E-11 4 1 -3.124101E-13 2 3 2.600879E-13 0 5 4.323842E-13 6 0 9.472184E-15 4 2 2.106001E-14 2 4 2.246156E-14 0 6 9.840769E-15 6 1 5.963885E-17 4 3 9.647936E-17 2 5 3.623178E-17 0 7 1.664285E-19 8 0 -9.484923E-19 6 2 -2.938465E-18 4 4 -3.916766E-18 2 6 -2.604710E-18 0 8 -6.837371E-19 8 1 -4.020607E-21 6 3 -1.224397E-20 4 5 -1.409860E-20 2 7 -7.663514E-21 0 9 -1.805973E-21 10 0 2.779717E-23 8 2 1.024733E-22 6 4 1.661695E-22 4 6 1.420685E-22 2 8 6.351628E-23 0 10 1.038026E-23 10 1 9.801167E-26 8 3 4.155075E-25 6 5 7.250834E-25 4 7 6.596978E-25 2 9 3.218803E-25 0 11 6.856205E-26 12 0 -3.959101E-29 10 2 1.928871E-28 8 4 1.184894E-27 6 6 2.306457E-27 4 8 2.272179E-27 2 10 1.208856E-27 0 12 2.842663E-28 M1 3 RDX -5010.080640 RDY -6014.328024 CCX 0 CCY 0 x**i y**j Koeffizient 2 1 3.563448E-08 0 3 2.256595E-08 4 0 -1.076694E-10 2 2 -1.668334E-10 0 4 -1.866549E-10 4 1 -2.112467E-12 2 3 1.728980E-12 0 5 2.678600E-12 6 0 1.164993E-13 4 2 2.432929E-13 2 4 2.313527E-13 0 6 8.225805E-14 6 1 1.467279E-15 4 3 2.134897E-15 2 5 6.409773E-16 0 7 -4.893459E-17 8 0 -4.496777E-17 6 2 -1.348255E-16 4 4 -1.695598E-16 2 6 -9.792036E-17 0 8 -1.941557E-17 8 1 -3.612663E-19 6 3 -1.003931E-18 4 5 -1.064604E-18 2 7 -5.365503E-19 0 9 -1.226164E-19 10 0 5.074646E-21 8 2 1.870056E-20 6 4 3.016123E-20 4 6 2.320352E-20 2 8 7.770202E-21 0 10 3.645985E-22 10 1 3.230002E-23 8 3 1.258082E-22 6 5 2.045058E-22 4 7 1.757773E-22 2 9 8.201832E-23 0 11 1.717709E-23 12 0 -4.395719E-26 10 2 -4.951629E-26 8 4 1.587927E-25 6 6 7.121000E-25 4 8 1.044049E-24 2 10 7.380244E-25 0 12 2.067152E-25 The optical design data of the projection optics 18 can be taken from the following tables, which in their structure the tables for projection optics 7 to 2 correspond. Table 1 to Fig. 3rd z-distance [mm] y-distance [mm] Tilting about x-axis [Degree] M4 936.656947 0.000000 0.0000 M3 73.841094 0.000000 0.0000 M2 2038.775766 0.000000 13.6412 M1 1593.904541 229.442516 10.9160 object field 2268.776774 293.836209 0.0000 Table 2 to FIG. 3 M4 3 RDX -1113.715105 RDY -1113.720092 CCX 0.155064 CCY 0.155821 x ** i y ** j coefficient 2 1 6.998569E-11 0 3 -1.219334E-10 4 0 1.859915E-12 2 2 3.772005E-12 0 4 1.559240E-12 4 1 -2.168046E-16 2 3 3.537763E-16 0 5 4.865457E-16 6 0 2.299659E-18 4 2 5.953683E-18 2 4 6.490034E-18 0 6 2.850325E-18 6 1 1.300769E-21 4 3 2.209164E-21 2 5 6.757287E-22 0 7 -1.577442E-22 8th 0 -3.926427E-24 6 2 -1.287918E-23 4 4 -1.809551E-23 2 6 -1.339401E-23 0 8th -4.178562E-24 8th 1 -1.568142E-27 6 3 -5.016540E-27 4 5 -5.539817E-27 2 7 -2.747079E-27 0 9 -6.114262E-28 10 0 2.367795E-30 8th 2 9.074760E-30 6 4 1.467334E-29 4 6 1.393012E-29 2 8th 7.982691E-30 0 10 1.967840E-30 10 1 6.792414E-34 8th 3 3.310359E-33 6 5 6.341796E-33 4 7 6.211731E-33 2 9 3.346835E-33 0 11 8.137856E-34 12 0 3.228692E-37 10 2 2.377899E-36 8th 4 8.149450E-36 6 6 1.260486E-35 4 8th 1.025362E-35 2 10 4.401668E-36 0 12 8.171926E-37 M3 3 RDX -1184.127063 RDY -1185.001946 CCX 0 CCY 0 x ** i y ** j coefficient 2 1 3.720805E-09 0 3 -5.158645E-10 4 0 -6.775863E-10 2 2 -1.356137E-09 0 4 -6.989644E-10 4 1 -3.445519E-14 2 3 5.918730E-14 0 5 8.014771E-14 6 0 -1.353694E-15 4 2 -4.491591E-15 2 4 -4.292514E-15 0 6 -1.152377E-15 6 1 1.495354E-18 4 3 2.580213E-18 2 5 8.660846E-19 0 7 -1.187272E-19 8th 0 -2.037612E-20 6 2 -7.305357E-20 4 4 -1.056287E-19 2 6 -7.392035E-20 0 8th -2.069207E-20 8th 1 -1.177396E-23 6 3 -3.924222E-23 4 5 -4.597341E-23 2 7 -2.562596E-23 0 9 -6.772222E-24 10 0 3.044093E-27 8th 2 -3.647565E-26 6 4 -1.488559E-25 4 6 -1.805550E-25 2 8th -8.526963E-26 0 10 -1.523218E-26 10 1 2.417428E-29 8th 3 1.423920E-28 6 5 3.178845E-28 4 7 3.629090E-28 2 9 2.266107E-28 0 11 6.195984E-29 12 0 -4.144963E-32 10 2 -3.132205E-31 8th 4 -5.637557E-31 6 6 -4.935481E-31 4 8th -1.153608E-31 2 10 1.278958E-31 0 12 7.065895E-32 M2 3 RDX -5006.207030 RDY -5518.367079 CCX 0 CCY 0 x ** i y ** j coefficient 2 1 1.636128E-08 0 3 9.797508E-09 4 0 -3.629169E-11 2 2 -6.465349E-11 0 4 -7.683361E-11 4 1 -3.124101E-13 2 3 2.600879E-13 0 5 4.323842E-13 6 0 9.472184E-15 4 2 2.106001E-14 2 4 2.246156E-14 0 6 9.840769E-15 6 1 5.963885E-17 4 3 9.647936E-17 2 5 3.623178E-17 0 7 1.664285E-19 8th 0 -9.484923E-19 6 2 -2.938465E-18 4 4 -3.916766E-18 2 6 -2.604710E-18 0 8th -6.837371E-19 8th 1 -4.020607E-21 6 3 -1.224397E-20 4 5 -1.409860E-20 2 7 -7.663514E-21 0 9 -1.805973E-21 10 0 2.779717E-23 8th 2 1.024733E-22 6 4 1.661695E-22 4 6 1.420685E-22 2 8th 6.351628E-23 0 10 1.038026E-23 10 1 9.801167E-26 8th 3 4.155075E-25 6 5 7.250834E-25 4 7 6.596978E-25 2 9 3.218803E-25 0 11 6.856205E-26 12 0 -3.959101E-29 10 2 1.928871E-28 8th 4 1.184894E-27 6 6 2.306457E-27 4 8th 2.272179E-27 2 10 1.208856E-27 0 12 2.842663E-28 M1 3 RDX -5010.080640 RDY -6014.328024 CCX 0 CCY 0 x ** i y ** j coefficient 2 1 3.563448E-08 0 3 2.256595E-08 4 0 -1.076694E-10 2 2 -1.668334E-10 0 4 -1.866549E-10 4 1 -2.112467E-12 2 3 1.728980E-12 0 5 2.678600E-12 6 0 1.164993E-13 4 2 2.432929E-13 2 4 2.313527E-13 0 6 8.225805E-14 6 1 1.467279E-15 4 3 2.134897E-15 2 5 6.409773E-16 0 7 -4.893459E-17 8th 0 -4.496777E-17 6 2 -1.348255E-16 4 4 -1.695598E-16 2 6 -9.792036E-17 0 8th -1.941557E-17 8th 1 -3.612663E-19 6 3 -1.003931E-18 4 5 -1.064604E-18 2 7 -5.365503E-19 0 9 -1.226164E-19 10 0 5.074646E-21 8th 2 1.870056E-20 6 4 3.016123E-20 4 6 2.320352E-20 2 8th 7.770202E-21 0 10 3.645985E-22 10 1 3.230002E-23 8th 3 1.258082E-22 6 5 2.045058E-22 4 7 1.757773E-22 2 9 8.201832E-23 0 11 1.717709E-23 12 0 -4.395719E-26 10 2 -4.951629E-26 8th 4 1.587927E-25 6 6 7.121000E-25 4 8th 1.044049E-24 2 10 7.380244E-25 0 12 2.067152E-25

Anhand der 4 wird nachfolgend eine weitere Ausführung einer Projektionsoptik 19 erläutert, die anstelle der Projektionsoptik 7 bei der Projektionsbelichtungsanlage 1 nach 1 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend im Zusammenhang mit den 1 bis 3 bereits erläutert wurden, tragen ggf. die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.Based on 4 Below is another embodiment of a projection optics 19 explains that instead of the projection optics 7 at the projection exposure machine 1 to 1 can be used. Components and functions similar to those described above in connection with 1 to 3 have already been explained, if necessary bear the same reference numbers and will not be discussed again in detail.

Bei der Projektionsoptik 19 beträgt der Durchmesser der Durchtrittsöffnung 17 im Spiegel M4 etwa 70 % des Durchmessers des Spiegels M3.In the projection optics 19 is the diameter of the passage opening 17 in the mirror M4 about 70% of the diameter of the mirror M3.

Die Projektionsoptik 19 hat eine bildseitige numerische Apertur von 0,60.The projection optics 19 has a picture-side numerical aperture of 0.60.

Die Projektionsoptik 19 ist als anamorphotische abbildende Optik ausgeführt und hat in der xz-Ebene einen verkleinernden Abbildungsmaßstab βx von 5,4 und in der yz-Ebene einen verkleinernden Abbildungsmaßstab βy von 8,0.The projection optics 19 is designed as anamorphic imaging optics and has a decreasing magnification β x of 5.4 in the xz plane and a decreasing magnification β y of 8.0 in the yz plane.

Eine Radien-Obskuration bei den Spiegeln M3 und M4 beträgt bei der Projektionsoptik 19 jeweils 23 %. Das Bildfeld 8 hat eine x-Erstreckung von 0,5 mm und eine y-Erstreckung von ebenfalls 0,5 mm.A radius obscuration at mirrors M3 and M4 is in the projection optics 19 each 23%. The image field 8th has an x-extension of 0.5 mm and a y-extension of likewise 0.5 mm.

Eine Baulänge der Projektionsoptik 19 beträgt 1823 mm. Ein Objekt-Bild-Versatz beträgt 234 mm. Ein Hauptstrahlwinkel CRA am Objektfeld 4 beträgt 5,3°.An overall length of the projection optics 19 is 1823 mm. An object-image offset is 234 mm. A main beam angle CRA at the object field 4 is 5.3 °.

Die Eintrittspupille liegt bei der Projektionsoptik 19 in der xz-Ebene 2427 mm nach dem Objektfeld 4 und in der yz-Ebene 1748 mm nach dem Objektfeld 4. Ein Arbeitsabstand des Spiegels M3 zum Wafer 11 beträgt 40,4 mm. Der Spiegel M4 hat einen Durchmesser von 1283 mm. Der Spiegel M3 hat einen Durchmesser von 475 mm. Ein mittlerer Wellenfrontfehler RMS beträgt 7,0 mλ bei einer Nutzwellenlänge von 13,5 nm.The entrance pupil lies with the projection optics 19 in the xz plane 2427 mm after the object field 4 and in the yz plane 1748 mm after the object field 4 , A working distance of the mirror M3 to the wafer 11 is 40.4 mm. The mirror M4 has a diameter of 1283 mm. The mirror M3 has a diameter of 475 mm. A mean wavefront error RMS is 7.0 mλ at a useful wavelength of 13.5 nm.

Auch die Spiegel M1 bis M4 der Projektionsoptik 19 haben Freiform-Reflexionsflächen. Diese Freiformflächen der Spiegel M1 bis M4 der Projektionsoptik 19 können durch eine Flächengleichung beschrieben werden, die erläutert ist in dem Fachartikel "Characterizing the shape of freeform optics" von G.W. Forbes, Optics Express, Vol. 20, Nr. 3, Seiten 2483 bis 2499 . Freiformflächen in einer derartigen Flächenbeschreibung werden auch als Forbes-Freiformflächen bezeichnet.Also the mirrors M1 to M4 of the projection optics 19 have free-form reflecting surfaces. These free-form surfaces of the mirrors M1 to M4 of the projection optics 19 may be described by a surface equation which is explained in the technical article "Characterizing the shape of freeform optics" by GW Forbes, Optics Express, Vol. 20, No. 3, pages 2483 to 2499 , Free-form surfaces in such a surface description are also referred to as Forbes free-form surfaces.

Die Forbes-Freiformflächengleichung lautet: z ( h , θ ) = ρ h 2 1 + 1 ( 1 + κ ) ρ 2 h 2 + 1 κ ρ 2 h 2 1 ( 1 + κ ) ρ 2 h 2 u 2 ( 1 u 2 ) n = 0 N a n 0 Q n 0 ( u 2 ) + 1 κ ρ 2 h 2 1 ( 1 + κ ) ρ 2 h 2 m = 1 M u m n = 0 N [ a n m cos ( m θ ) + b n m sin ( m θ ) ] Q n m ( u 2 )

Figure DE102018214437A1_0003
The Forbes free-form surface equation is: z ( H . θ ) = ρ H 2 1 + 1 - ( 1 + κ ) ρ 2 H 2 + 1 - κ ρ 2 H 2 1 - ( 1 + κ ) ρ 2 H 2 u 2 ( 1 - u 2 ) Σ n = 0 N a n 0 Q n 0 ( u 2 ) + 1 - κ ρ 2 H 2 1 - ( 1 + κ ) ρ 2 H 2 Σ m = 1 M u m Σ n = 0 N [ a n m cos ( m θ ) + b n m sin ( m θ ) ] Q n m ( u 2 )
Figure DE102018214437A1_0003

Für die Parameter dieser Gleichung (2) gilt:

  • z ist die Pfeilhöhe der Freiformfläche am Punkt h, θ, wobei h die radiale Koordinate und θ die azimutale Koordinate dieses Punktes ist;
  • u = h/NH ist eine normalisierte radiale Koordinate;
  • p ist die Krümmung, ist also die Inverse des Krümmungsradius RD;
  • κ ist die konische Konstante, entspricht also den Werten CC der obigen Tabellen;
  • Qm n sind die orthogonalen Polynome auf dem Einheitskreis, die in dem oben erwähnten Fachartikel von Forbes beschrieben sind.
For the parameters of this equation (2):
  • z is the height of the free-form surface at point h, θ, where h is the radial coordinate and θ is the azimuthal coordinate of that point;
  • u = h / NH is a normalized radial coordinate;
  • p is the curvature, that is, the inverse of the radius of curvature RD;
  • κ is the conic constant, ie it corresponds to the values CC of the tables above;
  • Q m n are the orthogonal polynomials on the unit circle described in the above-mentioned paper by Forbes.

Die optischen Designdaten der Projektionsoptik 19 können den nachfolgenden Tabellen entnommen werden. Die Koeffizienten in der nachfolgenden Tabelle 2 sind die Koeffizienten a n m

Figure DE102018214437A1_0004
der obigen Gleichung (2). Die Koeffzienten b n m
Figure DE102018214437A1_0005
sind Null. Tabelle 1 zu Fig. 4 z-Abstand [mm] y-Abstand [mm] Verkippung um x-Achse [Grad] M4 1034.961878 0.000000 0.0000 M3 60.000000 0.000000 0.0000 M2 1572.379541 0.000000 16.2854 M1 1284.716398 183.762228 13.6536 Objektfeld 1822.823108 234.419336 0.0000 Tabelle 2 zu Fig. 4 M4 4 RD -1221.194121 Beschreibung mit Forbes-Q-Polynomen CC 0.053820 NH 650.000000 u = r/NH m (azimutal) n (radial) Koeffizient 0 0 1.264771E+00 0 1 -9.457430E-02 0 2 7.127344E-03 0 3 -6.479681E-04 0 4 3.901025E-05 0 5 -5.981646E-06 2 0 4.154391E+00 1 1 -2.209327E-01 3 0 3.118048E-02 2 1 -8.075943E-02 1 2 1.160536E-02 4 0 2.239639E-02 3 1 -6.261170E-04 2 2 -1.689044E-03 1 3 -9.116191E-04 5 0 9.155504E-06 4 1 4.029138E-03 3 2 1.417198E-04 2 3 -1.197859E-03 1 4 4.192597E-05 6 0 -6.012364E-04 5 1 2.020561E-04 4 2 8.932884E-05 3 3 5.251141E-06 2 4 1.086587E-04 1 5 6.720980E-07 7 0 -8.830022E-05 6 1 -4.076927E-05 5 2 -5.834243E-06 4 3 4.034868E-06 3 4 -9.170366E-07 2 5 -1.431768E-05 1 6 1.966264E-07 M3 4 RD -1206.371031 Beschreibung mit Forbes-Q-Polynomen CC -0.926109 NH 240.000000 u = r / NH m (azimutal) n (radial) Koeffizient 0 0 2.799899E+00 0 1 -1.306028E-01 0 2 1.014386E-02 0 3 -7.953716E-04 0 4 1.112310E-05 0 5 -2.762207E-06 2 0 4.387050E+00 1 1 -4.075168E-01 3 0 7.089429E-03 2 1 -4.005788E-01 1 2 4.102002E-02 4 0 1.428729E-02 3 1 4.163604E-03 2 2 2.740704E-02 1 3 -4.793377E-03 5 0 -9.066844E-04 4 1 4.771013E-03 3 2 -1.894499E-04 2 3 -3.690278E-03 1 4 3.618638E-04 6 0 1.802031E-04 5 1 4.472662E-04 4 2 -4.550850E-04 3 3 3.199290E-05 2 4 3.318992E-04 1 5 -5.104291E-06 7 0 2.753001E-06 6 1 -7.404236E-05 5 2 -3.194143E-05 4 3 6.474910E-05 3 4 3.595769E-06 2 5 -2.146419E-05 1 6 -3.483509E-06 M2 2 RD -6786.782879 Beschreibung mit Forbes-Q-Polynomen CC 0.000000 NH 110.000000 u=r/NH m (azimutal) n (radial) Koeffizient 0 0 1.386600E-02 0 1 2.262806E-03 0 2 -1.250799E-03 0 3 2.368242E-04 0 4 -4.531302E-05 0 5 -4.524278E-06 2 0 -1.006494E+00 1 1 -1.540809E-01 3 0 -2.524765E-02 2 1 2.358412E-02 1 2 3.545538E-03 4 0 1.945680E-02 3 1 3.178784E-03 2 2 -6.336456E-03 1 3 -7.346120E-04 5 0 1.209436E-03 4 1 -1.960984E-03 3 2 -4.031479E-04 2 3 8.238578E-04 1 4 1.124398E-04 6 0 -3.892968E-04 5 1 2.414961E-05 4 2 2.990597E-04 3 3 3.335064E-05 2 4 -2.298712E-04 1 5 -3.679875E-05 7 0 4.628592E-05 6 1 2.698940E-05 5 2 -6.368547E-06 4 3 -3.858661E-05 3 4 -5.047423E-06 2 5 7.756947E-06 1 6 4.243186E-06 M1 4 RD -4552.923789 Beschreibung mit Forbes-Q-Polynomen CC 0.000000 NH 62.000000 u = r/NH m (azimutal) n (radial) Koeffizient 0 0 5.307863E-03 0 1 4.389738E-04 0 2 -3.606911E-04 0 3 7.192783E-05 0 4 -1.523737E-05 0 5 -2.763495E-06 2 0 -7.600088E-02 1 1 -3.942214E-02 3 0 -4.488311E-03 2 1 6.136153E-03 1 2 5.890356E-04 4 0 4.233995E-03 3 1 3.905039E-04 2 2 -1.668451E-03 1 3 -9.079959E-05 5 0 8.461219E-05 4 1 -2.816198E-04 3 2 -3.201170E-05 2 3 2.137057E-04 1 4 1.375842E-05 6 0 -6.558436E-05 5 1 4.099844E-05 4 2 7.368117E-05 3 3 3.660614E-06 2 4 -7.137888E-05 1 5 -1.130603E-05 7 0 1.725110E-05 6 1 -1.030078E-05 5 2 -5.539323E-06 4 3 -5.415167E-06 3 4 -2.582303E-07 2 5 -3.223469E-06 1 6 1.335091E-06 The optical design data of the projection optics 19 can be found in the following tables. The coefficients in Table 2 below are the coefficients a n m
Figure DE102018214437A1_0004
the above equation (2). The coefficients b n m
Figure DE102018214437A1_0005
are zero. Table 1 to Fig. 4 z-distance [mm] y-distance [mm] Tilting about x-axis [Degree] M4 1034.961878 0.000000 0.0000 M3 60.000000 0.000000 0.0000 M2 1572.379541 0.000000 16.2854 M1 1284.716398 183.762228 13.6536 object field 1822.823108 234.419336 0.0000 Table 2 to Fig. 4 M4 4 RD -1221.194121 Description with Forbes Q polynomials CC 0.053820 NH 650.000000 u = r / NH m (azimuthal) n (radial) coefficient 0 0 1.264771E + 00 0 1 -9.457430E-02 0 2 7.127344E-03 0 3 -6.479681E-04 0 4 3.901025E-05 0 5 -5.981646E-06 2 0 4.154391E + 00 1 1 -2.209327E-01 3 0 3.118048E-02 2 1 -8.075943E-02 1 2 1.160536E-02 4 0 2.239639E-02 3 1 -6.261170E-04 2 2 -1.689044E-03 1 3 -9.116191E-04 5 0 9.155504E-06 4 1 4.029138E-03 3 2 1.417198E-04 2 3 -1.197859E-03 1 4 4.192597E-05 6 0 -6.012364E-04 5 1 2.020561E-04 4 2 8.932884E-05 3 3 5.251141E-06 2 4 1.086587E-04 1 5 6.720980E-07 7 0 -8.830022E-05 6 1 -4.076927E-05 5 2 -5.834243E-06 4 3 4.034868E-06 3 4 -9.170366E-07 2 5 -1.431768E-05 1 6 1.966264E-07 M3 4 RD -1206.371031 Description with Forbes Q polynomials CC -0.926109 NH 240.000000 u = r / NH m (azimuthal) n (radial) coefficient 0 0 2.799899E + 00 0 1 -1.306028E-01 0 2 1.014386E-02 0 3 -7.953716E-04 0 4 1.112310E-05 0 5 -2.762207E-06 2 0 4.387050E + 00 1 1 -4.075168E-01 3 0 7.089429E-03 2 1 -4.005788E-01 1 2 4.102002E-02 4 0 1.428729E-02 3 1 4.163604E-03 2 2 2.740704E-02 1 3 -4.793377E-03 5 0 -9.066844E-04 4 1 4.771013E-03 3 2 -1.894499E-04 2 3 -3.690278E-03 1 4 3.618638E-04 6 0 1.802031E-04 5 1 4.472662E-04 4 2 -4.550850E-04 3 3 3.199290E-05 2 4 3.318992E-04 1 5 -5.104291E-06 7 0 2.753001E-06 6 1 -7.404236E-05 5 2 -3.194143E-05 4 3 6.474910E-05 3 4 3.595769E-06 2 5 -2.146419E-05 1 6 -3.483509E-06 M2 2 RD -6786.782879 Description with Forbes Q polynomials CC 0.000000 NH 110.000000 u = r / NH m (azimuthal) n (radial) coefficient 0 0 1.386600E-02 0 1 2.262806E-03 0 2 -1.250799E-03 0 3 2.368242E-04 0 4 -4.531302E-05 0 5 -4.524278E-06 2 0 -1.006494E + 00 1 1 -1.540809E-01 3 0 -2.524765E-02 2 1 2.358412E-02 1 2 3.545538E-03 4 0 1.945680E-02 3 1 3.178784E-03 2 2 -6.336456E-03 1 3 -7.346120E-04 5 0 1.209436E-03 4 1 -1.960984E-03 3 2 -4.031479E-04 2 3 8.238578E-04 1 4 1.124398E-04 6 0 -3.892968E-04 5 1 2.414961E-05 4 2 2.990597E-04 3 3 3.335064E-05 2 4 -2.298712E-04 1 5 -3.679875E-05 7 0 4.628592E-05 6 1 2.698940E-05 5 2 -6.368547E-06 4 3 -3.858661E-05 3 4 -5.047423E-06 2 5 7.756947E-06 1 6 4.243186E-06 M1 4 RD -4552.923789 Description with Forbes Q polynomials CC 0.000000 NH 62.000000 u = r / NH m (azimuthal) n (radial) coefficient 0 0 5.307863E-03 0 1 4.389738E-04 0 2 -3.606911E-04 0 3 7.192783E-05 0 4 -1.523737E-05 0 5 -2.763495E-06 2 0 -7.600088E-02 1 1 -3.942214E-02 3 0 -4.488311E-03 2 1 6.136153E-03 1 2 5.890356E-04 4 0 4.233995E-03 3 1 3.905039E-04 2 2 -1.668451E-03 1 3 -9.079959E-05 5 0 8.461219E-05 4 1 -2.816198E-04 3 2 -3.201170E-05 2 3 2.137057E-04 1 4 1.375842E-05 6 0 -6.558436E-05 5 1 4.099844E-05 4 2 7.368117E-05 3 3 3.660614E-06 2 4 -7.137888E-05 1 5 -1.130603E-05 7 0 1.725110E-05 6 1 -1.030078E-05 5 2 -5.539323E-06 4 3 -5.415167E-06 3 4 -2.582303E-07 2 5 -3.223469E-06 1 6 1.335091E-06

Anhand der 5 wird nachfolgend eine weitere Ausführung einer Projektionsoptik 20 erläutert, die anstelle der Projektionsoptik 7 bei der Projektionsbelichtungsanlage 1 nach 1 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend im Zusammenhang mit den 1 bis 4 bereits erläutert wurden, tragen ggf. die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.Based on 5 Below is another embodiment of a projection optics 20 explains that instead of the projection optics 7 at the projection exposure machine 1 to 1 can be used. Components and functions similar to those described above in connection with 1 to 4 have already been explained, if necessary bear the same reference numbers and will not be discussed again in detail.

Bei der Projektionsoptik 20 beträgt der Durchmesser der Durchtrittsöffnung 17 im Spiegel M4 etwa 65 % des Durchmessers des Spiegels M3.In the projection optics 20 is the diameter of the passage opening 17 in mirror M4 about 65% of the diameter of the mirror M3.

Die Projektionsoptik 20 hat einen verkleinernden Abbildungsmaßstab von 8x.The projection optics 20 has a decreasing magnification of 8x.

Eine radiale Obskuration trägt an den Spiegel M3 und M4 jeweils 23 %.A radial obscuration contributes to the mirrors M3 and M4 respectively 23%.

Das Bildfeld 8 hat eine x-Erstreckung von 6,5 mm und eine y-Erstreckung von 0,5 mm.The image field 8th has an x-extension of 6.5 mm and a y-extension of 0.5 mm.

Eine Baulänge der Projektionsoptik 20 beträgt 2217 mm. Ein Objekt-Bildversatz beträgt 258 mm. Ein Haupstrahlwinkel CRA am Retikel 10 trägt 5,5°. Die Eintrittspupille liegt bei der Projektionsoptik 20 in der xz-Ebene 2919 mm nach dem Objektfeld 4 und in der yz-Ebene 3759 mm nach dem Objektfeld 4.An overall length of the projection optics 20 is 2217 mm. An object image offset is 258 mm. A main beam angle CRA on the reticle 10 carries 5.5 °. The entrance pupil lies with the projection optics 20 in the xz plane 2919 mm after the object field 4 and in the yz plane 3759 mm after the object field 4 ,

Ein Arbeitsabstand des Spiegels M3 zum Wafer 11 beträgt 48,0 mm.A working distance of the mirror M3 to the wafer 11 is 48.0 mm.

Der Spiegel M4 hat einen Durchmesser von 1028 mm. Der Spiegel hat einen Durchmesser von 358 mm. Die Projektionsoptik 20 hat einen mittleren Wellenfrontfehler RMS von 9,7 mλ bei einer Nutzwellenlänge von 13,5 nm.The mirror M4 has a diameter of 1028 mm. The mirror has a diameter of 358 mm. The projection optics 20 has a mean wavefront error RMS of 9.7 mλ at a useful wavelength of 13.5 nm.

Die Projektionsoptik 20 hat eine bildseitige numerische Apertur von 0,40.The projection optics 20 has a picture-side numerical aperture of 0.40.

Die Reflexionsflächen der Spiegel M1 bis M4 sind wiederum als Freiformflächen ausgeführt, die mithilfe der eingangs erwähnten Freiformflächengleichung (1) beschrieben werden können.The reflection surfaces of the mirrors M1 to M4 are in turn designed as free-form surfaces, which can be described by means of the free-form surface equation (1) mentioned in the introduction.

Die optischen Designdaten der Projektionsoptik 20 können den nachfolgenden Tabellen entnommen werden, die in ihrem Aufbau den Tabellen zur Projektionsoptik 7 nach 2 entsprechen. Tabelle 1 zu Fig. 5 z-Abstand [mm] y-Abstand [mm] Verkippung um x-Achse [Grad] M4 1262.197076 0.000000 0.3529 M3 59.462864 13.669342 0.6626 M2 2016.191803 -8.871532 11.9571 M1 1559.136371 189.365142 8.9767 Objektfeld 2217.312161 257.773789 0.0000 Tabelle 2 zu Fig. 5 M4 5 RDX -1495.874993 RDY -1495.874993 CCX 0.136651 CCY 0.136651 x**i y**j Koeffizient 2 0 -2.200221E-07 2 1 1.698003E-09 0 3 1.396838E-09 4 0 8.396018E-13 2 2 1.678479E-12 0 4 -7.798379E-15 4 1 5.379941E-16 2 3 8.976778E-16 0 5 2.413604E-15 6 0 1.370014E-19 4 2 4.076776E-19 2 4 -2.411110E-20 0 6 4.992923E-18 6 1 3.927142E-22 4 3 6.826147E-22 2 5 3.464347E-21 0 7 -8.258855E-21 8 0 9.841369E-26 6 2 2.718924E-25 4 4 2.398692E-25 2 6 3.099015E-24 0 8 -2.042886E-23 8 1 -1.703719E-27 6 3 -7.861030E-28 4 5 1.373119E-27 2 7 -2.489612E-26 0 9 1.705321E-26 10 0 -4.414479E-31 8 2 -1.607900E-30 6 4 -1.893528E-30 4 6 -1.556297E-31 2 8 -1.076712E-29 0 10 5.262579E-29 10 1 9.885555E-33 8 3 1.118532E-32 6 5 -4.034599E-33 4 7 -8.340768E-33 2 9 1.092466E-31 0 11 1.766957E-33 12 0 1.203252E-36 10 2 5.716802E-36 8 4 1.156202E-35 6 6 2.073578E-36 4 8 -4.820695E-36 2 10 1.217269E-35 0 12 -7.639600E-35 12 1 -2.733644E-38 10 3 -4.664982E-38 8 5 3.325551E-39 6 7 5.184495E-38 4 9 3.369836E-38 2 11 -1.912844E-37 0 13 -3.629431E-38 14 0 -1.318110E-42 12 2 -7.675401E-42 10 4 -2.170443E-41 8 6 -2.192926E-41 6 8 1.432779E-41 4 10 1.316482E-41 2 12 7.380873E-42 0 14 4.873456E-41 14 1 2.996969E-44 12 3 7.660400E-44 10 5 3.095444E-45 8 7 -4.942182E-44 6 9 -1.397868E-43 4 11 -4.811435 E-44 2 13 6.251726E-44 0 15 3.486406E-45 M3 5 RDX -1627.464186 RDY -1627.464186 CCX 0 CCY 0 x**i y**j Koeffizient 2 0 -4.112159E-06 2 1 4.118008E-08 0 3 3.279619E-08 4 0 -3.200185E-10 2 2 -6.466630E-10 0 4 -3.932964E-10 4 1 8.478134E-14 2 3 1.430091E-13 0 5 5.101140E-13 6 0 -5.841240E-16 4 2 -1.773063E-15 2 4 -2.113310E-15 0 6 2.553270E-15 6 1 5.366358E-19 4 3 9.412297E-19 2 5 5.826661E-18 0 7 -1.574216E-17 8 0 -9.560211E-22 6 2 -4.525855E-21 4 4 -8.353011E-21 2 6 1.396992E-20 0 8 -1.080152E-19 8 1 -2.229493E-23 6 3 -8.204730E-24 4 5 6.095019E-24 2 7 -4.140168E-22 0 9 2.578164E-22 10 0 -2.334168E-26 8 2 -9.369744E-26 6 4 -1.107193E-25 4 6 3.718842E-26 2 8 -4.693023E-25 0 10 2.233573E-24 10 1 1.095245E-27 8 3 9.998944E-28 6 5 -6.892011E-28 4 7 -2.786207E-28 2 9 1.597395E-26 0 11 1.133283E-27 12 0 4.486528E-31 10 2 2.292765E-30 8 4 4.035512E-30 6 6 -4.415009E-31 4 8 -6.419522E-30 2 10 -4.715217E-30 0 12 -2.963299E-29 12 1 -2.619982E-32 10 3 -3.816968E-32 8 5 1.482940E-32 6 7 5.731804E-32 4 9 1.534829E-32 2 11 -2.373627E-31 0 13 -5.854095E-32 14 0 -4.307542E-36 12 2 -2.814501E-35 10 4 -6.935405E-35 8 6 -6.485798E-35 6 8 8.019362E-35 4 10 1.241392E-34 2 12 2.268795E-34 0 14 2.093818E-34 14 1 2.479777E-37 12 3 5.734631E-37 10 5 -1.278263E-37 8 7 -5.912491E-37 6 9 -1.341681E-36 4 11 -2.981989E-37 2 13 4.901717E-37 0 15 9.642036E-38 M2 5 RDX 5998.982993 RDY 5998.982993 CCX 0 CCY 0 x**i y**j Koeffizient 2 0 -3.728903E-05 2 1 1.823375E-07 0 3 1.753220E-07 4 0 3.088567E-11 2 2 7.322840E-11 0 4 -8.566605E-10 4 1 8.290626E-14 2 3 -1.402142E-13 0 5 -2.027512E-13 6 0 -3.460657E-16 4 2 -2.714092E-15 2 4 -3.959332E-14 0 6 4.131188E-13 6 1 3.377393E-17 4 3 6.449959E-17 2 5 7.682479E-16 0 7 2.094198E-15 8 0 1.819878E-19 6 2 5.707703E-19 4 4 7.484654E-18 2 6 5.424249E-17 0 8 -1.039928E-16 8 1 -2.097478E-20 6 3 -2.834480E-20 4 5 -1.473078E-19 2 7 -9.188082E-19 0 9 -1.562740E-18 10 0 -5.619819E-23 8 2 -1.353175E-22 6 4 -7.130674E-22 4 6 -8.366702E-21 2 8 -3.349994E-20 0 10 5.612893E-21 10 1 6.990361E-24 8 3 9.497817E-24 6 5 2.892384E-23 4 7 1.603700E-22 2 9 5.329720E-22 0 11 5.966265E-22 12 0 8.775121E-27 10 2 3.049542E-26 8 4 -4.177209E-26 6 6 7.203695E-25 4 8 3.795034E-24 2 10 9.494684E-24 0 12 2.306271E-24 12 1 -1.167608E-27 10 3 -2.336124E-27 8 5 1.528806E-28 6 7 -2.442798E-26 4 9 -6.860664E-26 2 11 -1.452779E-25 0 13 -1.124688E-25 14 0 -5.384985E-31 12 2 -3.443977E-30 10 4 1.433070E-29 8 6 -1.831304E-29 6 8 -1.728803E-28 4 10 -5.832245E-28 2 12 -9.932488E-28 0 14 -3.024419E-28 14 1 7.566846E-32 12 3 2.569465E-31 10 5 -4.256771E-31 8 7 9.616159E-31 6 9 5.004947E-30 4 11 9.999921E-30 2 13 1.483076E-29 0 15 8.075824E-30 M1 5 RDX 8923.929747 RDY 8923.929747 CCX 0 CCY 0 x**i y**j Koeffizient 2 0 -4.758899E-05 2 1 1.859328E-07 0 3 1.669352E-07 4 0 3.457817E-11 2 2 -1.976191E-11 0 4 -1.061383E-09 4 1 -1.006325E-14 2 3 2.218251E-12 0 5 -1.491828E-11 6 0 -6.837221E-16 4 2 -6.601904E-15 2 4 -1.296826E-13 0 6 9.994116E-13 6 1 4.153457E-16 4 3 -2.836871E-16 2 5 -6.996930E-15 0 7 1.975888E-14 8 0 9.446409E-19 6 2 3.958379E-19 4 4 6.124941E-17 2 6 5.620331E-16 0 8 -3.124072E-16 8 1 -4.648572E-19 6 3 -5.828730E-19 4 5 1.819073E-18 2 7 9.615139E-18 0 9 -1.724027E-17 10 0 -7.109459E-22 8 2 -6.127335E-22 6 4 -7.629513E-21 4 6 -2.340513E-19 2 8 -1.074666E-18 0 10 -4.343022E-19 10 1 2.651925E-22 8 3 5.850868E-22 6 5 2.120418E-22 4 7 -7.751214E-22 2 9 -8.768765E-22 0 11 1.486381E-20 12 0 2.505179E-25 10 2 7.770641E-25 8 4 -3.054181E-24 6 6 4.673774E-23 4 8 3.242195E-22 2 10 9.201963E-22 0 12 4.010394E-22 12 1 -7.663200E-26 10 3 -2.324044E-25 8 5 -1.746366E-25 6 7 -8.616006E-25 4 9 -2.768028E-24 2 11 -7.301342E-24 0 13 -8.503607E-24 14 0 -3.309399E-29 12 2 -2.239884E-28 10 4 1.294138E-27 8 6 -3.395097E-27 6 8 -3.536527E-26 4 10 -1.442802E-25 2 12 -2.886844E-25 0 14 -8.370351E-26 14 1 8.881649E-30 12 3 3.479934E-29 10 5 1.022043E-29 8 7 1.554064E-28 6 9 7.411200E-28 4 11 2.119358E-27 2 13 3.829199E-27 0 15 1.655980E-27 The optical design data of the projection optics 20 can be taken from the following tables, which in their structure the tables for projection optics 7 to 2 correspond. Table 1 to Fig. 5 z-distance [mm] y-distance [mm] Tilting about x-axis [degrees] M4 1262.197076 0.000000 0.3529 M3 59.462864 13.669342 0.6626 M2 2016.191803 -8.871532 11.9571 M1 1559.136371 189.365142 8.9767 object field 2217.312161 257.773789 0.0000 Table 2 to Fig. 5 M4 5 RDX -1495.874993 RDY -1495.874993 CCX 0.136651 CCY 0.136651 x ** i y ** j coefficient 2 0 -2.200221E-07 2 1 1.698003E-09 0 3 1.396838E-09 4 0 8.396018E-13 2 2 1.678479E-12 0 4 -7.798379E-15 4 1 5.379941E-16 2 3 8.976778E-16 0 5 2.413604E-15 6 0 1.370014E-19 4 2 4.076776E-19 2 4 -2.411110E-20 0 6 4.992923E-18 6 1 3.927142E-22 4 3 6.826147E-22 2 5 3.464347E-21 0 7 -8.258855E-21 8th 0 9.841369E-26 6 2 2.718924E-25 4 4 2.398692E-25 2 6 3.099015E-24 0 8th -2.042886E-23 8th 1 -1.703719E-27 6 3 -7.861030E-28 4 5 1.373119E-27 2 7 -2.489612E-26 0 9 1.705321E-26 10 0 -4.414479E-31 8th 2 -1.607900E-30 6 4 -1.893528E-30 4 6 -1.556297E-31 2 8th -1.076712E-29 0 10 5.262579E-29 10 1 9.885555E-33 8th 3 1.118532E-32 6 5 -4.034599E-33 4 7 -8.340768E-33 2 9 1.092466E-31 0 11 1.766957E-33 12 0 1.203252E-36 10 2 5.716802E-36 8th 4 1.156202E-35 6 6 2.073578E-36 4 8th -4.820695E-36 2 10 1.217269E-35 0 12 -7.639600E-35 12 1 -2.733644E-38 10 3 -4.664982E-38 8th 5 3.325551E-39 6 7 5.184495E-38 4 9 3.369836E-38 2 11 -1.912844E-37 0 13 -3.629431E-38 14 0 -1.318110E-42 12 2 -7.675401E-42 10 4 -2.170443E-41 8th 6 -2.192926E-41 6 8th 1.432779E-41 4 10 1.316482E-41 2 12 7.380873E-42 0 14 4.873456E-41 14 1 2.996969E-44 12 3 7.660400E-44 10 5 3.095444E-45 8th 7 -4.942182E-44 6 9 -1.397868E-43 4 11 -4.811435 E-44 2 13 6.251726E-44 0 15 3.486406E-45 M3 5 RDX -1627.464186 RDY -1627.464186 CCX 0 CCY 0 x ** i y ** j coefficient 2 0 -4.112159E-06 2 1 4.118008E-08 0 3 3.279619E-08 4 0 -3.200185E-10 2 2 -6.466630E-10 0 4 -3.932964E-10 4 1 8.478134E-14 2 3 1.430091E-13 0 5 5.101140E-13 6 0 -5.841240E-16 4 2 -1.773063E-15 2 4 -2.113310E-15 0 6 2.553270E-15 6 1 5.366358E-19 4 3 9.412297E-19 2 5 5.826661E-18 0 7 -1.574216E-17 8th 0 -9.560211E-22 6 2 -4.525855E-21 4 4 -8.353011E-21 2 6 1.396992E-20 0 8th -1.080152E-19 8th 1 -2.229493E-23 6 3 -8.204730E-24 4 5 6.095019E-24 2 7 -4.140168E-22 0 9 2.578164E-22 10 0 -2.334168E-26 8th 2 -9.369744E-26 6 4 -1.107193E-25 4 6 3.718842E-26 2 8th -4.693023E-25 0 10 2.233573E-24 10 1 1.095245E-27 8th 3 9.998944E-28 6 5 -6.892011E-28 4 7 -2.786207E-28 2 9 1.597395E-26 0 11 1.133283E-27 12 0 4.486528E-31 10 2 2.292765E-30 8th 4 4.035512E-30 6 6 -4.415009E-31 4 8th -6.419522E-30 2 10 -4.715217E-30 0 12 -2.963299E-29 12 1 -2.619982E-32 10 3 -3.816968E-32 8th 5 1.482940E-32 6 7 5.731804E-32 4 9 1.534829E-32 2 11 -2.373627E-31 0 13 -5.854095E-32 14 0 -4.307542E-36 12 2 -2.814501E-35 10 4 -6.935405E-35 8th 6 -6.485798E-35 6 8th 8.019362E-35 4 10 1.241392E-34 2 12 2.268795E-34 0 14 2.093818E-34 14 1 2.479777E-37 12 3 5.734631E-37 10 5 -1.278263E-37 8th 7 -5.912491E-37 6 9 -1.341681E-36 4 11 -2.981989E-37 2 13 4.901717E-37 0 15 9.642036E-38 M2 5 RDX 5998.982993 RDY 5998.982993 CCX 0 CCY 0 x ** i y ** j coefficient 2 0 -3.728903E-05 2 1 1.823375E-07 0 3 1.753220E-07 4 0 3.088567E-11 2 2 7.322840E-11 0 4 -8.566605E-10 4 1 8.290626E-14 2 3 -1.402142E-13 0 5 -2.027512E-13 6 0 -3.460657E-16 4 2 -2.714092E-15 2 4 -3.959332E-14 0 6 4.131188E-13 6 1 3.377393E-17 4 3 6.449959E-17 2 5 7.682479E-16 0 7 2.094198E-15 8th 0 1.819878E-19 6 2 5.707703E-19 4 4 7.484654E-18 2 6 5.424249E-17 0 8th -1.039928E-16 8th 1 -2.097478E-20 6 3 -2.834480E-20 4 5 -1.473078E-19 2 7 -9.188082E-19 0 9 -1.562740E-18 10 0 -5.619819E-23 8th 2 -1.353175E-22 6 4 -7.130674E-22 4 6 -8.366702E-21 2 8th -3.349994E-20 0 10 5.612893E-21 10 1 6.990361E-24 8th 3 9.497817E-24 6 5 2.892384E-23 4 7 1.603700E-22 2 9 5.329720E-22 0 11 5.966265E-22 12 0 8.775121E-27 10 2 3.049542E-26 8th 4 -4.177209E-26 6 6 7.203695E-25 4 8th 3.795034E-24 2 10 9.494684E-24 0 12 2.306271E-24 12 1 -1.167608E-27 10 3 -2.336124E-27 8th 5 1.528806E-28 6 7 -2.442798E-26 4 9 -6.860664E-26 2 11 -1.452779E-25 0 13 -1.124688E-25 14 0 -5.384985E-31 12 2 -3.443977E-30 10 4 1.433070E-29 8th 6 -1.831304E-29 6 8th -1.728803E-28 4 10 -5.832245E-28 2 12 -9.932488E-28 0 14 -3.024419E-28 14 1 7.566846E-32 12 3 2.569465E-31 10 5 -4.256771E-31 8th 7 9.616159E-31 6 9 5.004947E-30 4 11 9.999921E-30 2 13 1.483076E-29 0 15 8.075824E-30 M1 5 RDX 8923.929747 RDY 8923.929747 CCX 0 CCY 0 x ** i y ** j coefficient 2 0 -4.758899E-05 2 1 1.859328E-07 0 3 1.669352E-07 4 0 3.457817E-11 2 2 -1.976191E-11 0 4 -1.061383E-09 4 1 -1.006325E-14 2 3 2.218251E-12 0 5 -1.491828E-11 6 0 -6.837221E-16 4 2 -6.601904E-15 2 4 -1.296826E-13 0 6 9.994116E-13 6 1 4.153457E-16 4 3 -2.836871E-16 2 5 -6.996930E-15 0 7 1.975888E-14 8th 0 9.446409E-19 6 2 3.958379E-19 4 4 6.124941E-17 2 6 5.620331E-16 0 8th -3.124072E-16 8th 1 -4.648572E-19 6 3 -5.828730E-19 4 5 1.819073E-18 2 7 9.615139E-18 0 9 -1.724027E-17 10 0 -7.109459E-22 8th 2 -6.127335E-22 6 4 -7.629513E-21 4 6 -2.340513E-19 2 8th -1.074666E-18 0 10 -4.343022E-19 10 1 2.651925E-22 8th 3 5.850868E-22 6 5 2.120418E-22 4 7 -7.751214E-22 2 9 -8.768765E-22 0 11 1.486381E-20 12 0 2.505179E-25 10 2 7.770641E-25 8th 4 -3.054181E-24 6 6 4.673774E-23 4 8th 3.242195E-22 2 10 9.201963E-22 0 12 4.010394E-22 12 1 -7.663200E-26 10 3 -2.324044E-25 8th 5 -1.746366E-25 6 7 -8.616006E-25 4 9 -2.768028E-24 2 11 -7.301342E-24 0 13 -8.503607E-24 14 0 -3.309399E-29 12 2 -2.239884E-28 10 4 1.294138E-27 8th 6 -3.395097E-27 6 8th -3.536527E-26 4 10 -1.442802E-25 2 12 -2.886844E-25 0 14 -8.370351E-26 14 1 8.881649E-30 12 3 3.479934E-29 10 5 1.022043E-29 8th 7 1.554064E-28 6 9 7.411200E-28 4 11 2.119358E-27 2 13 3.829199E-27 0 15 1.655980E-27

Zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils wird die Projektionsbelichtungsanlage 1 folgendermaßen eingesetzt: Zunächst werden die Reflexionsmaske 10 beziehungsweise das Retikel und das Substrat beziehungsweise der Wafer 11 bereitgestellt. Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel 10 auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers 11 mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikro- oder Nanostruktur auf dem Wafer 11 und somit das mikrostrukturierte Bauteil erzeugt.The projection exposure apparatus is used to produce a microstructured or nanostructured component 1 used as follows: First, the reflection mask 10 or the reticle and the substrate or the wafer 11 provided. Subsequently, a structure on the reticle 10 on a photosensitive layer of the wafer 11 using the projection exposure system 1 projected. By developing the photosensitive layer, a micro or nanostructure is then formed on the wafer 11 and thus produces the microstructured component.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • US 8018650 B2 [0002]US8018650 B2 [0002]
  • WO 2018/043433 A1 [0002]WO 2018/043433 A1 [0002]
  • US 5291340 [0002]US 5291340 [0002]
  • US 2013/0128251 A1 [0010]US 2013/0128251 A1 [0010]
  • DE 102014208770 A1 [0010]DE 102014208770 A1 [0010]
  • US 2016/0327868 A1 [0010]US 2016/0327868 A1 [0010]
  • WO 2015/014753 A1 [0038]WO 2015/014753 A1 [0038]
  • DE 10155711 A [0038]DE 10155711 A [0038]
  • US 20070058269 A1 [0053]US 20070058269 A1 [0053]
  • WO 2016/188934 A1 [0055]WO 2016/188934 A1 [0055]
  • DE 102010029050 A1 [0069]DE 102010029050 A1 [0069]

Zitierte Nicht-PatentliteraturCited non-patent literature

  • "Characterizing the shape of freeform optics" von G.W. Forbes, Optics Express, Vol. 20, Nr. 3, Seiten 2483 bis 2499 [0092]"Characterizing the shape of freeform optics" by GW Forbes, Optics Express, Vol. 20, No. 3, pages 2483 to 2499 [0092]

Claims (14)

Abbildende Optik (7; 18; 19; 20) zur Abbildung eines Objektfeldes (4), in dem ein abzubildendes Objekt (10) anordenbar ist, in ein Bildfeld (8), in dem ein Substrat (11) anordenbar ist, durch Führung von Abbildungslicht (3) längs eines Abbildungslicht-Strahlengangs, - mit einem letzten Spiegel (M4) im Abbildungslicht-Strahlengang vor dem Bildfeld (8), der eine Durchtrittsöffnung (17) zum Durchtritt des Abbildungslichts (3) aufweist, - mit einem vorletzten Spiegel (M3) im Abbildungslicht-Strahlengang vor dem letzten Spiegel (M4), wobei der vorletzte Spiegel (M3) eine Durchtrittsöffnung (17) zum Durchtritt des Abbildungslichts (3) aufweist, - mit mindestens zwei weiteren Spiegeln (M1, M2) mit abbildender Wirkung im Abbildungslicht-Strahlengang zwischen dem Objektfeld (4) und dem vorletzten Spiegel (M3), wobei die weiteren Spiegel (M1, M2) eine öffnungsfrei genutzte Reflexionsfläche aufweisen, - wobei das Bildfeld (8) das erste Feld der abbildenden Optik (7) im Abbildungslicht-Strahlengang nach dem Objektfeld (4) ist.Imaging optics (7; 18; 19; 20) for imaging an object field (4), in which an object (10) to be imaged can be arranged, in an image field (8), in which a substrate (11) can be arranged, by guiding Imaging light (3) along an imaging light beam path, - With a last mirror (M4) in the imaging light beam path in front of the image field (8) having a passage opening (17) for the passage of the imaging light (3), - With a penultimate mirror (M3) in the imaging light beam path in front of the last mirror (M4), wherein the penultimate mirror (M3) has a passage opening (17) for the passage of the imaging light (3), with at least two further mirrors (M1, M2) with imaging effect in the imaging light beam path between the object field (4) and the penultimate mirror (M3), wherein the further mirrors (M1, M2) have a reflection-free used reflection surface, - wherein the image field (8) is the first field of the imaging optical system (7) in the imaging light beam path after the object field (4). Abbildende Optik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die abbildende Optik (7; 18; 19; 20) bildseitig telezentrisch ausgeführt ist.Imaging optics after Claim 1 , characterized in that the imaging optical system (7; 18; 19; 20) is designed telecentrically on the image side. Abbildende Optik nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch eine Pupillenbene (17a) im Bereich des letzten Spiegels (M4) und/oder im Bereich des vorletzten Spiegels (M3).Imaging optics after Claim 1 or 2 , characterized by a pupil plane (17a) in the region of the last mirror (M4) and / or in the region of the penultimate mirror (M3). Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Reflexionsflächen der Spiegel (M1 bis M4) als Freiformfläche ausgeführt ist.Imaging optics after one of the Claims 1 to 4 , characterized in that at least one of the reflection surfaces of the mirrors (M1 to M4) is designed as a free-form surface. Abbildende Optik nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch eine Abweichung der Freiformfläche von einer bestangepassten sphärischen Fläche, die kleiner ist als 150 µm.Imaging optics after Claim 4 , characterized by a deviation of the free-form surface from a best-adapted spherical surface, which is smaller than 150 microns. Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 4 oder 5, gekennzeichnet durch eine Abweichung der Freiformfläche von einer bestangepassten torischen Fläche, die kleiner ist als 100 µm.Imaging optics after one of the Claims 4 or 5 , characterized by a deviation of the free-form surface from a best-matched toric surface, which is smaller than 100 microns. Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 4 bis 6, gekennzeichnet durch eine Abweichung der Freiformfläche von einer bestangepassten Kegelschnitt-Fläche, die kleiner ist als 100 µm.Imaging optics after one of the Claims 4 to 6 , characterized by a deviation of the free-form surface from a best-adapted conic surface, which is smaller than 100 microns. Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch verschiedene Abbildungsmaßstäbe (βx, βy) für zwei aufeinander senkrecht stehende Feldkoordinaten (x, y).Imaging optics after one of the Claims 1 to 7 , characterized by different magnifications (β x , β y ) for two mutually perpendicular field coordinates (x, y). Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 8, gekennzeichnet durch eine Pupillenobskuration des vorletzten Spiegels (M3) und/oder des letzten Spiegels (M4), deren Radius im Verhältnis zum Radius der genutzten Spiegelfläche kleiner ist als 0,3.Imaging optics after one of the Claims 1 to 8th characterized by a pupil obscuration of the penultimate mirror (M3) and / or the last mirror (M4) whose radius is smaller than 0.3 in relation to the radius of the mirror surface used. Optisches System - mit einer abbildenden Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 9, - mit einer Beleuchtungsoptik (6) zur Beleuchtung des Objektfeldes (4) mit Beleuchtungslicht (3) einer Lichtquelle (2).Optical system - with an imaging optic according to one of the Claims 1 to 9 , - with an illumination optical system (6) for illuminating the object field (4) with illumination light (3) of a light source (2). Beleuchtungssystem mit einem optischen System nach Anspruch 10 und mit einer Lichtquelle (2).Lighting system with an optical system after Claim 10 and with a light source (2). Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem nach Anspruch 11.Projection exposure system with a lighting system after Claim 11 , Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils mit folgenden Verfahrensschritten: - Bereitstellen eines Retikels (10) und eines Wafers (11), - Projizieren einer Struktur auf dem Retikel (10) auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers (11) mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 12, - Erzeugen einer Mikro- beziehungsweise Nanostruktur auf dem Wafer (11).A method of fabricating a patterned device comprising the steps of: providing a reticle (10) and a wafer (11), projecting a pattern on the reticle (10) onto a photosensitive layer of the wafer (11) using the projection exposure apparatus Claim 12 , - Generating a micro or nanostructure on the wafer (11). Strukturiertes Bauteil, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 13.Structured component produced by a method according to Claim 13 ,
DE102018214437.0A 2018-08-27 2018-08-27 Imaging optics for imaging an object field in an image field and projection exposure apparatus with such an imaging optics Withdrawn DE102018214437A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102018214437.0A DE102018214437A1 (en) 2018-08-27 2018-08-27 Imaging optics for imaging an object field in an image field and projection exposure apparatus with such an imaging optics

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102018214437.0A DE102018214437A1 (en) 2018-08-27 2018-08-27 Imaging optics for imaging an object field in an image field and projection exposure apparatus with such an imaging optics

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102018214437A1 true DE102018214437A1 (en) 2018-10-18

Family

ID=63678883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102018214437.0A Withdrawn DE102018214437A1 (en) 2018-08-27 2018-08-27 Imaging optics for imaging an object field in an image field and projection exposure apparatus with such an imaging optics

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102018214437A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023247170A1 (en) 2022-06-20 2023-12-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging euv optical unit for imaging an object field into an image field

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5291340A (en) 1989-07-19 1994-03-01 Olympus Optical Co., Ltd. Reflecting objective system
DE10155711A1 (en) 2001-11-09 2003-05-22 Fraunhofer Ges Forschung Mirror for the EUV spectral region used in X-ray techniques comprises a layer arrangement having a number of partial layer systems applied on a substrate
US20070058269A1 (en) 2005-09-13 2007-03-15 Carl Zeiss Smt Ag Catoptric objectives and systems using catoptric objectives
DE102010029050A1 (en) 2010-05-18 2011-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Magnifying imaging lens for use in aerial image metrology system for e.g. simulation of effects of characteristics of lithography masks used for manufacturing semiconductor elements, has image plane representing lens field plane
US8018650B2 (en) 2007-01-17 2011-09-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical system
US20130128251A1 (en) 2010-09-15 2013-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical system
DE102014208770A1 (en) 2013-07-29 2015-01-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection optics for imaging an object field in an image field and projection exposure apparatus with such a projection optics
US20160327868A1 (en) 2014-02-21 2016-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit for projection lithography
WO2016188934A1 (en) 2015-05-28 2016-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit for imaging an object field into an image field as well as projection exposure system having such an imaging optical unit
WO2018043433A1 (en) 2016-09-01 2018-03-08 Kyb株式会社 Vane pump

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5291340A (en) 1989-07-19 1994-03-01 Olympus Optical Co., Ltd. Reflecting objective system
DE10155711A1 (en) 2001-11-09 2003-05-22 Fraunhofer Ges Forschung Mirror for the EUV spectral region used in X-ray techniques comprises a layer arrangement having a number of partial layer systems applied on a substrate
US20070058269A1 (en) 2005-09-13 2007-03-15 Carl Zeiss Smt Ag Catoptric objectives and systems using catoptric objectives
US8018650B2 (en) 2007-01-17 2011-09-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical system
DE102010029050A1 (en) 2010-05-18 2011-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Magnifying imaging lens for use in aerial image metrology system for e.g. simulation of effects of characteristics of lithography masks used for manufacturing semiconductor elements, has image plane representing lens field plane
US20130128251A1 (en) 2010-09-15 2013-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical system
DE102014208770A1 (en) 2013-07-29 2015-01-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection optics for imaging an object field in an image field and projection exposure apparatus with such a projection optics
WO2015014753A1 (en) 2013-07-29 2015-02-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection optical unit for imaging an object field into an image field, and projection exposure apparatus comprising such a projection optical unit
US20160327868A1 (en) 2014-02-21 2016-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit for projection lithography
WO2016188934A1 (en) 2015-05-28 2016-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit for imaging an object field into an image field as well as projection exposure system having such an imaging optical unit
WO2018043433A1 (en) 2016-09-01 2018-03-08 Kyb株式会社 Vane pump

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Characterizing the shape of freeform optics" von G.W. Forbes, Optics Express, Vol. 20, Nr. 3, Seiten 2483 bis 2499

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023247170A1 (en) 2022-06-20 2023-12-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging euv optical unit for imaging an object field into an image field

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102015226531A1 (en) Imaging optics for imaging an object field in an image field and projection exposure apparatus with such an imaging optics
EP1282011B1 (en) Reflective projection lens for EUV photolithography
WO2016188934A1 (en) Imaging optical unit for imaging an object field into an image field as well as projection exposure system having such an imaging optical unit
DE102014208770A1 (en) Projection optics for imaging an object field in an image field and projection exposure apparatus with such a projection optics
DE102010040811A1 (en) Imaging optics
WO2016012425A9 (en) Imaging optical system for a metrology system for analyzing a lithography mask
EP1950594A1 (en) Imaging optical system, projection illumination unit for microlithography with such an optical system, method for manufacturing a microstructured component with such a projection illumination unit, microstructured component produced by the manufacturing method and use of such an optical system
DE102009008644A1 (en) Imaging optics and projection exposure system for microlithography with such an imaging optics
DE10139177A1 (en) Objective with pupil obscuration
DE102008043162A1 (en) Imaging optics and projection exposure system for microlithography with such an imaging optics
DE102010039745A1 (en) Imaging optics
DE102015221984A1 (en) Imaging optics for imaging an object field in an image field and projection exposure apparatus with such an imaging optics
DE102012208793A1 (en) Imaging optics and projection exposure equipment for projection lithography with such an imaging optics
DE102006043251A1 (en) Microlithography tool for fabrication of e.g. semiconductor chip, has projection objective with mirrors arranged to direct radiation reflected from reticle, positioned at object plane, to substrate positioned at image plane
DE102018207277A1 (en) Lithographic mask, optical system for transferring original structural sections of the lithographic mask and projection optics for imaging an object field in which at least one original structural section of a lithographic mask can be arranged
DE102016212578A1 (en) Projection optics for EUV projection lithography
DE102016218996A1 (en) Imaging optics for projection lithography
DE102007051669A1 (en) Imaging optics, projection exposure apparatus for microlithography with such an imaging optical system and method for producing a microstructured component with such a projection exposure apparatus
DE102014219112A1 (en) Illumination optics for projection lithography and hollow waveguide component for this
DE102015221983A1 (en) Imaging optics for imaging an object field in an image field and projection exposure apparatus with such an imaging optics
DE102009034028A1 (en) Imaging optics and projection exposure system for microlithography with such an imaging optics
DE102009047179B4 (en) Projektionsobjetiv
DE102015221985A1 (en) Imaging optics for imaging an object field in an image field and projection exposure apparatus with such an imaging optics
DE102022206112A1 (en) Imaging EUV optics for imaging an object field into an image field
DE102022206110A1 (en) Imaging EUV optics for imaging an object field into an image field

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R230 Request for early publication
R120 Application withdrawn or ip right abandoned