DE102018106481A1 - Vorrichtung und Verfahren zum Messen einer Oberflächentemperatur von auf einem drehenden Suszeptor angeordneten Substraten - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims abstract description 82
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 18
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 9
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 claims description 8
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004616 Pyrometry Methods 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0022—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiation of moving bodies
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0003—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter
- G01J5/0007—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter of wafers or semiconductor substrates, e.g. using Rapid Thermal Processing
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/80—Calibration
- G01J5/806—Calibration by correcting for reflection of the emitter radiation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0022—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiation of moving bodies
- G01J2005/0033—Wheel
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J2005/0074—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry having separate detection of emissivity
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren oder eine Vorrichtung zum Messen einer Oberflächentemperatur eines radial versetzt zu einer Drehachse (A) auf einem um die Drehachse (A) rotierenden Suszeptor (4) angeordneten Substrates (7), wobei an einer radial von der Drehachse (A) beabstandeten Messstelle (13) zu einem ersten Zeitpunkt (t) ein erster optischer Reflektivitätswert (Ri) der Oberfläche, danach zu einem zweiten Zeitpunkt (t) ein optischer Emissivitätswert (E) und danach zu einem dritten Zeitpunkt (t) ein zweiter optischer Reflektivitätswert (R) der Oberfläche gemessen wird, wobei aus jedem Emissivitätswert (E) und mindestens zwei Reflektivitätswerten (R, R), die zu verschiedenen Zeiten (t, t) gemessen worden sind, ein Temperatur-Messwert (T) berechnet wird.
Description
- Gebiet der Technik
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Messvorrichtung zum Messen einer Oberflächentemperatur eines insbesondere radial versetzt zu einer Drehachse auf einem um die Drehachse rotierenden Suszeptor angeordneten Substrates, wobei an einer radial von der Drehachse beabstandeten Messstelle zu einem ersten Zeitpunkt ein erster optischer Reflektivitätswert der Oberfläche, danach zu einem zweiten Zeitpunkt ein optischer Emissivitätswert und danach zu einem dritten Zeitpunkt ein zweiter optischer Reflektivitätswert der Oberfläche gemessen wird, wobei aus dem Emissivitätswert ein mit dem Reflektivitätswert korrigierter Temperatur-Messwert berechnet wird.
- Die Erfindung betrifft darüber hinaus einen CVD-Reaktor mit einem von einer Heizeinrichtung beheizbaren, von einer Drehantriebseinrichtung in eine Drehung um eine Drehachse bringbaren, eine Mehrzahl von insbesondere radial zur Drehachse versetzt angeordnete Substrataufnahmen zur Aufnahme von Substraten aufweisender Suszeptor, mit einer ortsfest zum Reaktorgehäuse radial versetzt zur Drehachse auf dem Suszeptor angeordneten Messstelle, mit einer optischen Emissionswert-Messeinrichtung und einer optischen Reflektionswert-Messeinrichtung, die eingerichtet sind, zu voneinander verschiedenen Zeiten an der Messstelle Emissivitätswerte und Reflektivitätswerte auf dem sich drehenden Suszeptor zu messen, und mit einer Auswerteeinrichtung, die aus dem mittels der Reflektivitätswerte korrigierten Emissivitätswerten Temperaturwerte berechnet oder die aus den unkorrigierten Emissivitätswerten Rohtemperaturen berechnet, die mittels der gemessenen Reflektivitätswerte korrigiert werden.
- Stand der Technik
- Bei der Herstellung von dünnen Halbleiterschichten auf Substraten, insbesondere bei der Herstellung von GaN-Halbleitertransistoren wird die Oberflächentemperatur mittels Pyrometern ermittelt. Mit den Oberflächentemperaturen kann eine Heizung geregelt werden, mit der der Suszeptor, der die Substrate trägt, auf eine Prozesstemperatur aufgeheizt wird. Das Ziel besteht darin, eine möglichst gleichförmige Temperaturverteilung auf der Substratoberfläche zu erreichen, selbst wenn sich das Substrat während der thermischen Behandlung leicht verbiegt. Bei der Verbiegung kann ein radial ungleichmäßiger Kontakt des Substrates zur Auflagefläche Temperatur-Inhomogenitäten bewirken. Bei einer Mehrzonenheizung mit in Radialrichtung verschiedenen Umfangs-Heizeinrichtungen können verschiedene Radialbereiche des Suszeptors unterschiedlich beheizt werden. Bei sich drehenden Substraten auf einem sich drehenden Substratträger können so die Randbereiche des Substrates anders beheizt werden, als ein Zentralbereich des Substrates. Ein auf eine Verbiegung des Substrates zurückzuführendes unterschiedliches Wärmetransportverhalten vom Suszeptor zum Substrat kann dadurch ausgeglichen werden. Es ist aber auch möglich, bewusst ein radial nach außen ansteigendes Temperaturprofil zu erzeugen, um beispielsweise Zugspannungen in einem Siliziumwafer in Umfangsrichtung aufgrund der thermischen Ausdehnung des Wafers in der Mitte auszugleichen. Der Durchmesser eines typischen Wafers beträgt 200 mm.
- Ein Ziel des erfindungsgemäßen Verfahrens ist die Herstellung von GaN/ AlGaN-Strukturen auf Silizium. Als Anwendung kommt aber auch die Herstellung aller Arten von opto-elektronischen Bauelementen basierend auf der GaN-Technologie, wie auch GaAs oder InP-Technologie in Frage, beispielsweise die Herstellung von Lasern, Detektoren, Leuchtdioden, Solarzellen oder sonstigen dielektrischen Schichten. Wesentlich ist die Abscheidung von dünnen, relativ gleichförmigen Schichten. Während das Substrat, beispielsweise Siliziumsubstrat, für die Wellenlänge des Pyrometers intransparent ist, sind die zuvor bezeichneten Schichten für die Wellenlänge des Pyrometers in der Regel semitransparent.
- Bei der Temperaturmessung wird die spektrale Strahlungsintensität gemessen, die vom Messobjekt, also der Substratoberfläche oder von der Oberfläche des Suszeptors ausgeht. Gemäß dem Planck'sehen Strahlungsgesetz kann jeder Strahlungsintensität eine Temperatur zugeordnet werden. Eine eindeutige Temperaturzuordnung setzt aber voraus, dass sich die Reflektivität der Schichtoberfläche nicht ändert. Letztere hängt mit der Emissivität nach dem Kirchhoff'schen Gesetz ρ=1-ε zusammen. Wegen der Semitransparenz der Schichten und einer Schichtdicke, die ungefähr in der Größenordnung der Wellenlänge zur Emissionswert-Bestimmung liegt, ändert sich jedoch die Oberflächen-Emissivität beziehungsweise die Oberflächen-Reflektivität während des Schichtwachstums stark. Um diese systematischen Änderungen zu berücksichtigen, wird nicht nur ein Emissivitäts-Messwert, sondern auch ein Reflektivitäts-Messwert bestimmt. Dies erfolgt mittels zweier voneinander verschiedener Messeinrichtungen, beispielsweise mit einem Pyrometer zur Ermittlung des Emissivitätswertes und einer Lichtquelle und einem Lichtdetektor zur Ermittlung des Reflektivitätswertes. Die Lichtquelle kann eine Leuchtdiode oder ein Laser sein. Der Lichtdetektor kann ein Fotosensor oder Fototransistor sein. Die Reflektivitätsmessung erfolgt bei derselben Messwellenlänge von beispielsweise 880 nm bis 950 nm, bei der auch die Emissivitätswert-Ermittlung erfolgt. Aus dem Emissivitätswert kann ein Rohtemperaturwert bestimmt werden, der unter Verwendung des Reflektivitätswertes korrigiert wird. Auf diese Weise kann der Fabry-Perot-Effekt kompensiert werden. Die Emissivitätswert-Bestimmung und die Reflektivitätswert-Bestimmung sollen optimalerweise an derselben Stelle des Messobjektes erfolgen. In der Realität ist dies jedoch nicht möglich, da die Messungen alternierend durchgeführt werden, um eine gegenseitige Beeinflussung zu vermeiden. So ist beispielsweise vorgesehen, in Pulsen von etwa 100Hz den Emissionswert an einer - bezogen auf das Reaktorgehäuse - ortsfesten Messstelle auf dem sich drehenden Suszeptor zu ermitteln. In den Pulspausen erfolgt dann phasenversetzt dazu die Ermittlung der Reflektivität der Oberfläche des Messobjektes. Da sich der Suszeptor während der Messung dreht und die Messstelle beispielsweise 200 mm versetzt zur Drehachse liegt, wandert die Messposition am Messobjekt vom Zeitpunkt der Messung des Emissivitätswertes zum Zeitpunkt der Messung des Reflektivitätswertes etwa um 1 bis 2 mm weiter. Dies hat zur Folge, dass der gemessene Emissionswert örtlich nicht mit dem gemessenen Reflektivitätswert korreliert. Gleichwohl wird beim Stand der Technik dieser Reflektivitätswert verwendet, um die aus dem Emissivitätswert gewonnene Rohtemperatur zu korrigieren. Hinsichtlich der Einzelheiten des beschriebenen Messverfahrens wird auf W. G. Breiland, „Reflectance-Correcting Pyrometry in Thin Film Deposition Applications“ 2003 (approved for public release) verwiesen.
- Das bisher betriebene Messverfahren führt insbesondere an Messpositionen, die am Rand des Substrates liegen, zu fehlerhaften Temperaturwerten.
- Zusammenfassung der Erfindung
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das gattungsgemäße Verfahren hinsichtlich der Temperaturbestimmung zu verbessern und eine diesbezüglich ausgebildete Vorrichtung anzugeben. Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung, wobei die Unteransprüche nicht nur vorteilhafte Weiterbildungen der in den nebengeordneten Ansprüchen angegebenen Erfindung, sondern auch eigenständige Lösungen der Aufgabe darstellen.
- Während beim Stand der Technik zur Korrektur des Emissionswertes jeweils genau ein Reflektivitätswert verwendet wird, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass mehrere, zu verschiedenen Zeiten gemessene Reflektivitätswerte zur Korrektur insbesondere genau eines Emissivitätswertes verwendet werden. So wird insbesondere vorgeschlagen, dass periodisch aufeinanderfolgend Emissivitätswerte und phasenversetzt dazu Reflektivitätswerte gemessen werden. Aus bevorzugt jedem Emissivitätswert wird eine Rohtemperatur berechnet. Diese wird durch die Verwendung von zumindest zwei Reflektivitätswerten, die an zwei verschiedenen Zeitpunkten gemessen werden, korrigiert. Die Korrektur kann dabei durch die Bildung eines Mittelwertes zwischen den beiden Reflektivitäts-Messwerten erfolgen. Bevorzugt wird ein erster Reflektivitäts-Messwert zeitlich vor dem Emissivitätswert und ein zweiter Reflektivitätswert zeitlich nach dem Emissivitätswert ermittelt. Es kann der Mittelwert dieser beiden Reflektivitätswerte gebildet werden, um eine aus dem Emissivitätswert, der zu einem Zeitpunkt zwischen den beiden Zeitpunkten, an denen die Reflektivitätswerte ermittelt werden, gemessen wird, gewonnene Rohtemperatur zu korrigieren. Es kann sich auch um eine gewichtete Mittelwertbildung handeln. Die beiden Zeitpunkte zur Ermittlung der zur Korrektur verwendeten Reflektivitätswerte sind dem Zeitpunkt der Emissivitätswert-Ermittlung bevorzugt unmittelbar zeitlich benachbart. Die Berechnung/Korrekturwertbildung kann durch eine lineare Interpolation oder durch eine Interpolation höherer Ordnung zwischen mehreren zeitlich unmittelbar aufeinanderfolgend aufgenommenen Reflektivitäts-Messwerten erfolgen. Der mit den zuvor beschriebenen Verfahren gewonnene Temperaturwert kann zur Regelung der der Heizung verwendet werden.
- Ein erfindungsgemäßer CVD-Reaktor besitzt einen von einer Heizeinrichtung beheizbaren Suszeptor. Der Suszeptor kann sich um eine Vertikalachse drehen. Hierzu ist eine Drehantriebseinrichtung vorgesehen, die einen Schaft des Suszeptors dreht, um den fest mit dem Schaft verbundenen Suszeptor in eine Drehung um die Antriebsachse zu bringen. Die Heizeinrichtung ist bevorzugt unterhalb des Suszeptors angeordnet. Es kann sich um eine RF-Heizung, eine IR-Heizung oder eine anderweitige Heizung handeln. Auf der von der Heizung wegweisenden Oberseite des Suszeptors sind mehrere Substrataufnahmen vorgesehen. Die Substrataufnahmen können Vertiefungen in der Oberseite des Suszeptors sein, in denen ein Substrat einliegt. Sie können aber auch Vorsprünge zur Lagejustierung sein. Die Substrataufnahmen sind bevorzugt radial versetzt zur Drehachse angeordnet, so dass die sie auf dem Suszeptor fixierenden Substrate außermittig des Substrates angeordnet sind. Oberhalb des Substrates befindet sich eine Prozesskammer, die nach oben durch eine Prozesskammerdecke begrenzt ist. Es ist ein Gaseinlassorgan vorgesehen, mit dem Prozessgase, beispielsweise Hydride der V-Hauptgruppe und metallorganische Verbindungen der III-Hauptgruppe in die Prozesskammer eingespeist werden. Das Einspeisen der Prozessgase erfolgt bevorzugt zusammen mit einem Trägergas, beispielsweise Wasserstoff. Das Gaseinlassorgan kann im Zentrum der Prozesskammer angeordnet sein. Es kann sich aber auch duschkopfartig über die gesamte Decke der Prozesskammer erstrecken. Es sind zwei Messeinrichtungen vorgesehen: Eine erste Messeinrichtung, mit der ein Emissivitätsmesswert und eine zweite Messeinrichtung, mit der ein Reflektivitätswert an einer Messposition der Oberfläche des Substrates beziehungsweise des Suszeptors ermittelt werden kann. Es handelt sich bevorzugt um optische Messeinrichtungen, beispielsweise Pyrometer, Fototransistoren oder Fotodioden. Zur Emissivitätsmessung kann darüber hinaus eine Lichtquelle verwendet werden. Über beispielsweise einen Strahlteiler kann erreicht werden, dass beide optische Messeinrichtungen denselben Strahlengang besitzen, der bevorzugt parallel zur Drehachse gerichtet ist. Die Messung kann durch die Prozesskammerdecke hindurch erfolgen. Letztere besitzt hierzu bevorzugt eine Öffnung. Der „Messstrahl“, der durch den Strahlengang bestimmt ist, trifft bevorzugt senkrecht an einer zum Reaktorgehäuse ortsfesten Messstelle auf den sich während der Messung drehenden Suszeptor, so dass, bezogen auf das sich drehende Bezugssystem des Suszeptors, die Messstelle auf einer Kreisbahn um das Drehzentrum des Suszeptors wandert. Mit den Messeinrichtungen werden somit mehrere, auf einer Kreisbogenlinie um das Drehzentrum des Suszeptors in Umfangsrichtung voneinander beabstandeten Messpositionen Messwerte ermittelt, wobei jeweils eine Emissivitäts-Messwertposition zwischen zwei Reflektivitäts-Messwertpositionen angeordnet sind. Die Messstelle kann um mehr als die Hälfte des Radius des Suszeptors in der Drehachse beabstandet sein. Die Kreisbogenlinie (auf der sich die Messpositionen befinden) kann durch die Zentren der bevorzugt kreisrunden Substrate verlaufen. Die Kreisbogenlinie kann aber auch außerhalb der Zentren der Substrate verlaufen und insbesondere durch die Ränder der Substrate hindurchgehen. Es kann vorgesehen sein, dass mehrere Sensorpaare in unterschiedlichen Radialabständen vorgesehen sind, wobei jedes Sensorpaar einen Sensor zur Emissivitätswertbestimmung und einen Sensor zur Reflektivitätswertbestimmung aufweist. Die erfindungsgemäße Vorrichtung weist eine Auswerteeinrichtung auf, mit der aus den Emissivitätswerten Rohtemperatur-Messwerte ermittelt werden. Zu jedem Emissivitätswert wird eine Rohtemperatur ermittelt. Diese wird unter Verwendung zumindest zweier Reflektivitäts-Messwerte, die an voneinander verschiedenen Messpositionen auf dem sich drehenden Suszeptor ermittelt worden sind, ein Korrekturwert gebildet, mit dem die Rohtemperatur zu einem Temperaturwert korrigiert wird. Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist insbesondere eine Messvorrichtung zur Messung einer Oberflächentemperatur mit einer Auswerteeinrichtung, die zur Ermittlung eines Temperaturwertes einen Emissivitätswert und zumindest zwei Reflektivitätswerte verwendet.
- Figurenliste
- Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
-
1 schematisch in einer Schnittdarstellung ein erstes Ausführungsbeispiel eines CVD-Reaktors zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens, -
2 etwa gemäß der SchnittlinieII-II in1 eine Draufsicht auf den Suszeptor4 darauf angeordneten Substraten7 , -
3 eine Darstellung gemäß1 eines zweiten Ausführungsbeispiels, -
4 eine Darstellung gemäß2 des zweiten Ausführungsbeispiels, -
5 in Form einer Kurve die über die Winkelposition gemessenen ReflektivitätswerteR entlang einer LinieL in den2 und4 , -
6 die zeitliche Abfolge der Messungen der EmissivitätswerteE und der ReflektivitätswerteR und -
7 schematisch die zu verschiedenen Zeitent1 bist7 gemessenen ReflektivitätswerteR , EmissivitätswerteE und daraus berechneten TemperaturenT . - Beschreibung der Ausführungsformen
- Die in den
1 bis4 dargestellten CVD-Reaktoren besitzen jeweils ein Reaktorgehäuse1 , eine darin angeordnete Heizung5 , einem oberhalb der Heizung5 angeordneten Suszeptor4 und ein Gaseinlassorgan2 zum Einleiten von beispielsweise TMGa, TMA1, NH3, AsH3, PH3 und H2. Der Suszeptor4 wird mit Hilfe einer Drehantriebseinrichtung14 um eine vertikale DrehachseA drehangetrieben. Eine Antriebswelle9 ist hierzu einerseits mit der Drehantriebseinrichtung14 und andererseits mit der Unterseite des Suszeptors4 verbunden. - Auf der von der Heizung
5 wegweisenden horizontalen Oberfläche des Suszeptors4 liegen Substrate7 auf. Die Substrate7 liegen radial außerhalb der DrehachseA und werden von Substrataufnahmen in Position gehalten, die von einer Abdeckung8 oder von einem Substrathalter6 gebildet sind. - Es sind zwei Messeinrichtungen vorgesehen, eine Emissions-Messeinrichtung
10 , die von einem Pyrometer gebildet wird, welches den Emissivitätswert misst. Eine zweite Messeinrichtung11 ist ebenfalls eine optische Messeinrichtung. Sie besitzt einen Lichtdetektor und eine Lichtquelle. Die Lichtquelle kann ein Laser sein. Der Lichtdetektor ein Fototransistor. Mit dieser Reflektionswert-Messeinrichtung11 wird der Reflektivitätswert gemessen. Mit den beiden Messeinrichtungen10 ,11 können erfindungsgemäß Emissivitätswerte und Reflektivitätswerte gewonnen werden. Über einen Strahlteiler12 sind die „Messstrahlen“ der beiden Messeinrichtungen10 ,11 zu einem vertikalen Messstrahl zusammengefasst, der an einer - bezogen auf das Reaktorgehäuse1 - ortsfesten Messstelle13 auf die Oberfläche des Substrates7 beziehungsweise des Suszeptors4 trifft. Mit den Messeinrichtungen10 ,11 wird somit ein EmissionswertE und ein ReflektivitätswertR der Substratoberfläche gemessen. - Da sich der Suszeptor
4 während der Messung um die DrehachseA dreht, können mit den Messeinrichtungen10 ,11 an auf einer KreislinieL liegenden Messpositionen Messwerte ermittelt werden. - Die Ermittlung des Emissivitätswertes
E mittels der Emissivitätswert-Messeinrichtung10 erfolgt zu periodisch aufeinander folgenden Zeitpunktent2 ,t4 (siehe6 ). Zu den Zeitpunktent1 ,t3 ,t5 , die zwischen zwei Zeitpunktent2 ,t4 liegen, an denen Emissivitätswerte bestimmt werden, werden ReflektivitätswerteR bestimmt. Als Folge dieser Phasenverschiebung zwischen Emissivitätswert-Bestimmung und Reflektivitätswert-Bestimmung liegen die Messpositionen auf der Suszeptoroberseite und insbesondere der Substratoberfläche auf der LinieL in Umfangsrichtung versetzt zueinander. Beispielsweise symbolisieren die in den2 und4 mit einem X dargestellten Positionen die Messpositionen für die Emissivitätswert-Bestimmung und die mit einem offenen Kreis dargestellten Positionen die Messpositionen der Reflektivitätswert-Bestimmung. - Bei dem in der
1 dargestellten CVD-Reaktor können sich die Substrate7 noch um eine Substrat-Drehachse drehen. Sie liegen hierzu auf einem Substrathalter6 , der sich um diese Achse drehen kann. Die in der2 dargestellte LinieL , auf der die Messpositionen liegen, ist demzufolge in der Realität komplizierter, als in der2 der Einfachheit halber dargestellt ist. Die Linie bildet auf den Substratoberflächen Zykloiden aus. - Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass sich die Reflektivitätswerte
R , wie in der5 dargestellt ist, im Bereich des Randes des Substrates7 in einer Radialrichtung - bezogen auf die Mitte des Substrates - stark ändern. Während die Reflektivitätswerte im Zentralbereich des Substrates7 sich entlang einer durch das Zentrum verlaufenden Linie nur geringfügig ändert, ändern sich die Reflektivitätswerte am Rand des Substrates auf einer geraden Linie durch den Durchmesser des Substrates stärker. Die Differenzen zweier an jeweils gleich beabstandeten Messpositionen ermittelter Messwerte der Reflektivität sind im Randbereich größer als im Zentralbereich. - Die untere Kurve in der
7 zeigt qualitativ gespreizt den Verlauf der Reflektivität der Substratoberfläche in Radialrichtung, also bei einer über das Substrat in Radialrichtung wandernden Messstelle in Abhängigkeit von der Zeit. Mit den offenen Kreisen sind die ReflektivitätswerteR1 ,R2 ,R3 ,R4 bezeichnet, die zu den Zeitent1 ,t3 ,t5 undt7 gemessen worden sind. Zwischen diesen Zeiten sind an den Zeitent2 ,t4 ,t6 ,t8 jeweils EmissivitätswerteE1 ,E2 ,E3 undE4 gemessen worden. Es ist erkennbar, dass ein zur Korrektur beispielsweise des EmissivitätswertesE1 verwendeter ReflektivitätswertR1 zu niedrig und ein zur Korrektur verwendeter Messwert der ReflektivitätR2 zu hoch ist. Erfindungsgemäß wird aus den beiden benachbarten Messwerten der ReflektivitätR1 ,R2 ein MittelwertR1 beziehungsweise interpolierter Wert gebildet, der in der7 als gefülltes Quadrat dargestellt ist. Zur Ermittlung eines für die Korrektur verwendeten Reflektivitätswertes der Zeitt6 zur Korrektur des EmissivitätswertesE3 kann ebenfalls ein interpolierter Wert oder Mittelwert verwendet werden, wobei hierzu der Mittelwert der ReflektivitätswerteR3 undR4 verwendet wird. Auch der KorrekturwertR4' kann durch Mittelwertbildung berechnet werden. - Die Berechnung des Reflektivitäts-Korrekturwertes
R2' der Zeitt4 zur Korrektur des EmissivitätswertesE2 wird durch eine quadratische Interpolation ermittelt. Hierzu werden nicht nur die den Korrekturzeitpunkt t4 unmittelbar benachbart liegenden, zu den Zeitent3 undt5 ermittelten ReflektivitätswerteR2 undR3 verwendet, sondern auch die ReflektivitätswerteR1 undR4 , die zu den Zeitent1 undt7 ermittelt worden sind. - Durch die derart interpolatorisch erfolgte Korrektur des Emissivitätswertes
E1 ,E2 ,E3 ,E4 können TemperaturwerteT1 ,T2 ,T3 undT4 ermittelt werden, die zur Regelung der Heizung5 verwendet werden können. - Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zumindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenständig weiterbilden, wobei zwei, mehrere oder alle dieser Merkmalskombinationen auch kombiniert sein können, nämlich:
- Ein Verfahren oder eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet sind, dass zur Berechnung des Temperaturwertes
Ti ein EmissivitätswertEi und mehrere zu verschiedenen Zeitenti ,ti+1 gemessene ReflektivitätswerteRi ,Ri+1 verwendet werden. - Ein Verfahren zum Messen einer Oberflächentemperatur eines auf einem um eine Drehachse
A rotierenden Suszeptors4 angeordneten Substrates7 , wobei an einer radial von der DrehachseA beabstandeten Messstelle13 periodisch aufeinanderfolgend optische EmissivitätswerteEi an der Oberfläche und phasenversetzt dazu optische ReflektivitätswerteRi der Oberfläche gemessen werden und aus jedem Emissivitätswert (Ei ) ein durch die Verwendung zumindest zweier zu verschiedenen Zeitpunktenti ,ti+1 gemessener ReflektivitätswertenRi ,Ri+1 korrigierter Temperaturwert berechnet wird. - Ein Verfahren oder eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet sind, dass die Verwendung der Reflektivitätswerte
Ri ,Ri+1 eine Mittelwertbildung umfasst. - Ein Verfahren oder eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet sind, dass die Mittelwertbildung eine gewichtete Mittelwertbildung ist.
- Ein Verfahren oder eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet sind, dass die Zeitpunkte, an denen die zur Korrektur verwendeten Reflektivitätswerte
Ri ,Ri+1 gemessen werden, zeitlich unmittelbar den Zeitpunkten benachbart sind, an denen die Messung des EmissivitätswertesEi erfolgt. - Ein Verfahren oder eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet sind, dass ein virtueller Reflektivitätswert berechnet wird, der durch eine lineare Interpolation oder eine Interpolation höherer Ordnung der Reflektivitätswerte
Ri ,Ri+1 , ... berechnet wird. - Ein Verfahren oder eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet sind, dass der Temperatur-Messwert
Ti zur Regelung einer Heizung5 verwendet wird. - Ein Verfahren oder eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet sind, dass die Messeinrichtung (
10 ) zur Messung des EmissivitätswertesEi ein Pyrometer10 ist und die Messeinrichtung (11 ) zur Messung des ReflektivitätswertesRi eine LED und einen Lichtdetektor umfasst. - Ein Verfahren oder eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet sind, dass der Strahlengang der beiden Messeinrichtungen
10 ,11 identisch ist. - Ein CVD-Reaktor, der dadurch gekennzeichnet ist, dass die Auswerteeinrichtung
15 so eingerichtet ist, dass zur Berechnung eines TemperaturwertesTi mindestens zwei ReflektivitätswerteRi ,Ri+1 verwendet werden. - Ein Verfahren, eine Vorrichtung oder ein CVD-Reaktor, die dadurch gekennzeichnet sind, dass aus genau einem Emissivitätswert
E1 unter Verwendung mehrerer ReflektivitätswerteRi ,Ri+1 genau ein Temperaturwert berechnet wird. - Eine Messeinrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Auswerteeinrichtung
15 so eingerichtet ist, dass zur Berechnung eines Temperaturwertes Ti mindestens zwei ReflektivitätswerteRi ,Ri+1 verwendet werden. - Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren, auch ohne die Merkmale eines in Bezug genommenen Anspruchs, mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. Die in jedem Anspruch angegebene Erfindung kann zusätzlich ein oder mehrere der in der vorstehenden Beschreibung, insbesondere mit Bezugsziffern versehene und/oder in der Bezugsziffernliste angegebene Merkmale aufweisen. Die Erfindung betrifft auch Gestaltungsformen, bei denen einzelne der in der vorstehenden Beschreibung genannten Merkmale nicht verwirklicht sind, insbesondere soweit sie erkennbar für den jeweiligen Verwendungszweck entbehrlich sind oder durch andere technisch gleichwirkende Mittel ersetzt werden können.
- Bezugszeichenliste
-
- 1
- Reaktorgehäuse
- 2
- Gaseinlassorgan
- 3
- Gaszuleitung
- 4
- Suszeptor
- 5
- Heizung
- 6
- Substrathalter
- 7
- Substrat
- 8
- Abdeckung
- 9
- Drehachse
- 10
- Emissionswert-Messeinrichtung
- 11
- Reflektionswert-Messeinrichtung
- 12
- Strahlleiter
- 13
- Messstelle
- 14
- Drehantriebseinrichtung
- A
- Drehachse
- E
- Emissivitätswert
- Ei
- Emissivitätswert
- E1
- Emissivitätswert
- E2
- Emissivitätswert
- E3
- Emissivitätswert
- E4
- Emissivitätswert
- L
- Kreislinie
- R
- Reflektivitätswert
- Ri
- Reflektivitätswert
- R1
- Reflektivitätswert
- R2
- Reflektivitätswert
- R3
- Reflektivitätswert
- R4
- Reflektivitätswert
- T
- Temperatur
- Ti
- Temperatur-Messwert
- T1
- Temperatur-Messwert
- T2
- Temperatur-Messwert
- T3
- Temperatur-Messwert
- T4
- Temperatur-Messwert
- t1
- Zeit
- t2
- Zeit
- t3
- Zeit
- t4
- Zeit
- t5
- Zeit
- t6
- Zeit
- t7
- Zeit
- t8
- Zeit
Claims (13)
- Verfahren oder Vorrichtung zum Messen einer Oberflächentemperatur eines auf einem um eine Drehachse (A) rotierenden Suszeptor (4) angeordneten Substrates (7), wobei an einer radial von der Drehachse (A) beabstandeten Messstelle (13) zu einem ersten Zeitpunkt (t1) ein erster optischer Reflektivitätswert (R1) der Oberfläche, danach zu einem zweiten Zeitpunkt (t2) ein optischer Emissivitätswert (E1) und danach zu einem dritten Zeitpunkt (t3) ein zweiter optischer Reflektivitätswert (R2) der Oberfläche gemessen wird, wobei aus jedem Emissivitätswert (Ei) ein mit dem Reflektivitätswert (Ri) korrigierter Temperaturwert (Ti) berechnet wird, dadurch gekennzeichnet, dass zur Berechnung des Temperaturwertes (Ti) ein Emissivitätswert (Ei) und mehrere zu verschiedenen Zeiten (ti, ti+1) gemessene Reflektivitätswerte (Ri, Ri+1) verwendet werden.
- Verfahren oder Vorrichtung zum Messen einer Oberflächentemperatur eines auf einem um eine Drehachse (A) rotierenden Suszeptor (4) angeordneten Substrates (7), wobei an einer radial von der Drehachse (A) beabstandeten Messstelle (13) periodisch aufeinanderfolgend optische Emissivitätswerte (Ei) an der Oberfläche und phasenversetzt dazu optische Reflektivitätswerte (Ri) der Oberfläche gemessen werden und aus jedem Emissivitätswert (Ei) ein durch die Verwendung zumindest zweier zu verschiedenen Zeitpunkten (ti, ti+1) gemessener Reflektivitätswerten (Ri, Ri+1) korrigierter Temperaturwert berechnet wird.
- Verfahren oder Vorrichtung nach
Anspruch 1 oder2 , dadurch gekennzeichnet, dass die Verwendung der Reflektivitätswerte (Ri, Ri+1) eine Mittelwertbildung umfasst. - Verfahren oder Vorrichtung nach
Anspruch 3 , dadurch gekennzeichnet, dass die Mittelwertbildung eine gewichtete Mittelwertbildung ist. - Verfahren oder Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Zeitpunkte, an denen die zur Korrektur verwendeten Reflektivitätswerte (Ri, Ri+1) gemessen werden, zeitlich unmittelbar den Zeitpunkten benachbart sind, an denen die Messung des Emissivitätswertes (Ei) erfolgt.
- Verfahren oder Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein virtueller Reflektivitätswert berechnet wird, der durch eine lineare Interpolation oder eine Interpolation höherer Ordnung der Reflektivitätswerte (Ri, Ri+1, ...) berechnet wird.
- Verfahren oder Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Temperatur-Messwert (Ti) zur Regelung einer Heizung (5) verwendet wird.
- Verfahren oder Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Messeinrichtung (10) zur Messung des Emissivitätswertes (Ei) ein Pyrometer (10) ist und die Messeinrichtung (11) zur Messung des Reflektivitätswertes (Ri) eine LED und einen Lichtdetektor umfasst.
- Verfahren oder Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Strahlengang der beiden Messeinrichtungen (10, 11) identisch ist.
- CVD-Reaktor mit einem von einer Heizeinrichtung (5) beheizbaren, von einer Drehantriebseinrichtung (14) in eine Drehung um eine Drehachse (A) bringbaren, eine Mehrzahl von insbesondere radial zur Drehachse (A) versetzt angeordneten Substrataufnahmen zur Fixierung von Substraten (7) aufweisender Suszeptor (4), mit einer ortsfest zum Reaktorgehäuse (1) radial versetzt zur Drehachse (A) auf dem Suszeptor (4) angeordneten Messstelle (13), mit einer optischen Emissionswert-Messeinrichtung (10) und einer optischen Reflektionswert-Messeinrichtung (11), die eingerichtet sind, zu voneinander verschiedenen Zeiten (ti, ti+1) an der Messstelle (13) Emissivitätswerte (Ei) und Reflektivitätswerte (Ri, Ri+1) auf dem sich drehenden Suszeptor (4) zu messen, und mit einer Auswerteeinrichtung (15), die aus den Reflektivitätswerten (Ri, Ri+1) und den Emissivitätswerten (Ei) Temperaturwerte (Ti) berechnet, dadurch gekennzeichnet, dass die Auswerteeinrichtung (15) so eingerichtet ist, dass zur Berechnung eines Temperaturwertes (Ti) mindestens zwei Reflektivitätswerte (Ri, Ri+1) verwendet werden.
- Verfahren oder Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder CVD-Reaktor nach
Anspruch 10 , dadurch gekennzeichnet, dass aus genau einem Emissivitätswert (E1) unter Verwendung mehrerer Reflektivitätswerte (Ri, Ri+1) genau ein Temperaturwert berechnet wird. - Messeinrichtung zum Messen einer Oberflächentemperatur aufweisend eine Emissionswert-Messeinrichtung (10) zur Messung der Emissivität der Oberfläche an einer Messstelle (13), eine Reflektionswert-Messeinrichtung (11) zur Messung eines Reflektivitätswertes der Oberfläche an der Messstelle (13) und eine Auswerteeinrichtung (15), dadurch gekennzeichnet, dass die Auswerteeinrichtung (15) so eingerichtet ist, dass zur Berechnung eines Temperaturwertes (Ti) mindestens zwei Reflektivitätswerte (Ri, Ri+1) verwendet werden.
- Verfahren, Vorrichtung, CVD-Reaktor oder Messeinrichtung, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102018106481.0A DE102018106481A1 (de) | 2018-03-20 | 2018-03-20 | Vorrichtung und Verfahren zum Messen einer Oberflächentemperatur von auf einem drehenden Suszeptor angeordneten Substraten |
PCT/EP2019/055447 WO2019179762A1 (de) | 2018-03-20 | 2019-03-05 | Vorrichtung und verfahren zum messen einer oberflächentemperatur von auf einem drehenden suszeptor angeordneten substraten |
TW108108258A TW201940850A (zh) | 2018-03-20 | 2019-03-12 | 用於測量佈置在旋轉基板座上之基板的表面溫度之裝置及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102018106481.0A DE102018106481A1 (de) | 2018-03-20 | 2018-03-20 | Vorrichtung und Verfahren zum Messen einer Oberflächentemperatur von auf einem drehenden Suszeptor angeordneten Substraten |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102018106481A1 true DE102018106481A1 (de) | 2019-09-26 |
Family
ID=65717994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102018106481.0A Pending DE102018106481A1 (de) | 2018-03-20 | 2018-03-20 | Vorrichtung und Verfahren zum Messen einer Oberflächentemperatur von auf einem drehenden Suszeptor angeordneten Substraten |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102018106481A1 (de) |
TW (1) | TW201940850A (de) |
WO (1) | WO2019179762A1 (de) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019179762A1 (de) | 2019-09-26 |
TW201940850A (zh) | 2019-10-16 |
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