DE102018105581B4 - Automatic transport and drying system for the process chamber and method for processing multiple IC dies - Google Patents

Automatic transport and drying system for the process chamber and method for processing multiple IC dies Download PDF

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Abstract

Bearbeitungsanlage (100, 400) zum Bearbeiten eines vereinzelten Halbleiter-Dies (110), mit:einer Bewertungseinheit (102, 408), die so konfiguriert ist, dass sie den vereinzelten Halbleiter-Die (110) mit einer Flüssigkeit (114) behandelt, um Fehler in dem vereinzelten Halbleiter-Die (110) zu erkennen, wobei sich die Flüssigkeit (114) auf einer Vorder- und einer Rückseite des Halbleiter-Dies (110) befindet, nachdem der vereinzelte Halbleiter-Die (110) bewertet worden ist;einer Trocknungseinheit (104,432, 900), die so konfiguriert ist, dass sie die Flüssigkeit (114) von der Vorderseite des vereinzelten Halbleiter-Dies (110) trocknet; undeiner Die-Wischstation (106, 430) mit einem saugfähigen Trocknungsgebilde (308), das so konfiguriert ist, dass es die Flüssigkeit (114) von der Rückseite des vereinzelten Halbleiter-Dies (110) absorbiert, nachdem die Trocknungseinheit (104, 432, 900) die Flüssigkeit (114) von der Vorderseite des vereinzelten Halbleiter-Dies (110) getrocknet hat.Processing equipment (100, 400) for processing a singulated semiconductor die (110), comprising: an evaluation unit (102, 408) configured to treat the singulated semiconductor die (110) with a liquid (114), to detect defects in the singulated semiconductor die (110), the liquid (114) being on a front and a back side of the semiconductor die (110) after the singulated semiconductor die (110) has been evaluated; a drying unit (104,432,900) configured to dry the liquid (114) from the front side of the singulated semiconductor die (110); anda die wiping station (106, 430) having an absorbent drying structure (308) configured to absorb the liquid (114) from the backside of the singulated semiconductor die (110) after the drying unit (104, 432, 900) has dried the liquid (114) from the front side of the singulated semiconductor die (110).

Description

Hintergrund der ErfindungBackground of the Invention

Integrierte Chips (ICs) werden durch Bearbeiten eines Halbleiterwafers (z. B. eines Siliziumwafers) mit mehreren Bearbeitungsschritten (z. B. Ätzschritten, lithografischen Schritten, Abscheidungsschritten usw.) hergestellt. Mit den Bearbeitungsschritten werden mehrere Strukturelemente in dem Halbleiterwafer und/oder Stapelschichten über dem Halbleiterwafer hergestellt. Diese Strukturelemente und/oder Stapelschichten werden strukturiert, um Halbleiter-Bauelemente, wie etwa Transistoren und Verbindungsschichten, die die Transistoren miteinander verbinden, entsprechend einem integrierten Schaltkreisentwurf zu implementieren. Die integrierten Chips können eine festgelegte Funktionalität realisieren, die unter anderem in Smartphones, Kraftfahrzeugschaltungen, Unterhaltungselektronik und/oder Industriesteuerungen verwendet wird.Integrated chips (ICs) are made by processing a semiconductor wafer (e.g., a silicon wafer) with multiple processing steps (e.g., etching steps, lithographic steps, deposition steps, etc.). The processing steps produce a plurality of features in the semiconductor wafer and/or stack layers over the semiconductor wafer. These features and/or stack layers are patterned to implement semiconductor devices, such as transistors and interconnect layers that interconnect the transistors, according to an integrated circuit design. The integrated chips can implement a defined functionality that is used in, among other things, smartphones, motor vehicle circuits, consumer electronics and/or industrial controls.

JP 2011 - 227 018 A offenbart ein Verfahren, bei dem ein Einkristall-Prüfobjekt in eine Prüfflüssigkeit eingetaucht ist, eine Ultraschallwelle mit einer Wellenlänge von nicht mehr als 60 µm oder einer Frequenz von nicht weniger als 78 MHz auf das Prüfobjekt auftrifft, um das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein eines Kristalldefekts in dem Prüfobjekt auf der Grundlage der in dem Prüfobjekt reflektierten Ultraschallwelle zu prüfen. JP 2011 - 227 018 A discloses a method in which a single crystal test object is immersed in a test liquid, an ultrasonic wave having a wavelength of not more than 60 µm or a frequency of not less than 78 MHz is impinged on the test object to detect the presence or absence of a crystal defect in the to inspect the inspection object based on the ultrasonic wave reflected in the inspection object.

Figurenlistecharacter list

Aspekte der vorliegenden Erfindung lassen sich am besten anhand der nachstehenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen verstehen. Es ist zu beachten, dass entsprechend der üblichen Praxis in der Branche verschiedene Elemente nicht maßstabsgetreu gezeichnet sind. Vielmehr können der Übersichtlichkeit der Erörterung halber die Abmessungen der verschiedenen Elemente beliebig vergrößert oder verkleinert sein.

  • 1 zeigt einige Ausführungsformen einer Bearbeitungsanlage, die eine Trocknungseinheit und eine Die-Wischstation aufweist.
  • 2A zeigt eine perspektivische Darstellung einer Trocknungseinheit gemäß einigen Ausführungsformen.
  • 2B zeigt eine Teilschnittansicht einer Trocknungseinheit gemäß einigen Ausführungsformen.
  • 3A zeigt eine perspektivische Darstellung einer Die-Wischstation, die eine Platte und eine Die-Magazinaufbewahrungsstation umfasst, gemäß einigen Ausführungsformen.
  • 3B zeigt eine Teilschnittansicht der Platte der Die-Wischstation von 3A gemäß einigen Ausführungsformen.
  • 4 zeigt in einer perspektivischen Darstellung eine Ausführungsform einer Integrierter-Chip-Bearbeitungsanlage, die eine automatische Transport- und Trocknungsanlage aufweist.
  • 5 zeigt einige Ausführungsformen eines Blockdiagramms einer Bearbeitungsanlage, die ein erstes und ein zweites akustisches Rastermikroskopgerät und eine automatische Transport- und Trocknungsanlage aufweist.
  • 6 zeigt einige Ausführungsformen von Die-Magazinen.
  • Die 7 bis 11 zeigen einige Ausführungsformen von Komponenten, die eine automatische Transport- und Trocknungsanlage gemäß 5 bilden.
  • 12 zeigt ein Verfahren zur Fehlerbehebung bei einem vereinzelten Halbleiter-Die gemäß einigen Ausführungsformen.
Aspects of the present invention are best understood by considering the following detailed description when taken in conjunction with the accompanying drawings. It should be noted that, in accordance with standard industry practice, various elements are not drawn to scale. Rather, the dimensions of the various elements may be arbitrarily increased or decreased for clarity of discussion.
  • 1 FIG. 12 shows some embodiments of a processing system that has a drying unit and a die wiping station.
  • 2A 12 shows a perspective view of a drying unit according to some embodiments.
  • 2 B 12 shows a partial sectional view of a drying unit according to some embodiments.
  • 3A 12 shows a perspective view of a die wiping station including a platen and a die magazine storage station, according to some embodiments.
  • 3B FIG. 12 is a partial sectional view of the platen of the die wiping station of FIG 3A according to some embodiments.
  • 4 shows a perspective view of an embodiment of an integrated chip processing system that has an automatic transport and drying system.
  • 5 FIG. 12 shows some embodiments of a block diagram of a processing system that includes first and second scanning acoustic microscope devices and an automatic transport and drying system.
  • 6 Figure 12 shows some embodiments of die magazines.
  • The 7 until 11 show some embodiments of components according to an automatic transport and drying system 5 form.
  • 12 12 shows a method for debugging a singulated semiconductor die, according to some embodiments.

Detaillierte BeschreibungDetailed description

Die nachstehende Beschreibung liefert viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele zum Implementieren verschiedener Merkmale des bereitgestellten Gegenstands. Nachstehend werden spezielle Beispiele für Komponenten und Anordnungen beschrieben, um die vorliegende Erfindung zu vereinfachen. Zum Beispiel kann die Herstellung eines ersten Elements über oder auf einem zweiten Element in der nachstehenden Beschreibung Ausführungsformen umfassen, bei denen das erste und das zweite Element in direktem Kontakt hergestellt werden, und sie kann auch Ausführungsformen umfassen, bei denen zusätzliche Elemente zwischen dem ersten und dem zweiten Element so hergestellt werden können, dass das erste und das zweite Element nicht in direktem Kontakt sind. Darüber hinaus können in der vorliegenden Erfindung Bezugszahlen und/oder -buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholt werden. Diese Wiederholung dient der Einfachheit und Übersichtlichkeit und schreibt an sich keine Beziehung zwischen den verschiedenen erörterten Ausführungsformen und/oder Konfigurationen vor.The description below provides many different embodiments or examples for implementing various features of the provided subject matter. Specific examples of components and arrangements are described below to simplify the present invention. For example, the fabrication of a first member over or on a second member in the description below may include embodiments where the first and second members are fabricated in direct contact, and may also include embodiments where additional members are formed between the first and the second element can be made such that the first and second elements are not in direct contact. Furthermore, in the present invention, reference numbers and/or letters may be repeated in the various examples. This repetition is for the purpose of simplicity and clarity and does not in itself dictate a relationship between the various embodiments and/or configurations discussed.

Darüber hinaus können hier räumlich relative Begriffe, wie etwa „darunter befindlich“, „unter“, „untere(r)“/„unteres“, „darüber befindlich“, „obere(r)“/„oberes“ und dergleichen, zur einfachen Beschreibung der Beziehung eines Elements oder einer Struktur zu einem oder mehreren anderen Elementen oder Strukturen verwendet werden, die in den Figuren dargestellt sind. Die räumlich relativen Begriffe sollen zusätzlich zu der in den Figuren dargestellten Orientierung andere Orientierungen des in Gebrauch oder in Betrieb befindlichen Bauelements umfassen. Das Bauelement kann anders ausgerichtet werden (um 90 Grad gedreht oder in einer anderen Orientierung), und die räumlich relativen Deskriptoren, die hier verwendet werden, können ebenso entsprechend interpretiert werden.In addition, spatially relative terms such as "beneath", "below", "lower", "above", "upper" and the like may be used herein for ease of reference describing the relationship of an element or structure to one or more other elements or structures depicted in the figures. The spatially relative terms are intended to be in addition to those in the figures orientation provided include other orientations of the device in use or in service. The device may be oriented differently (rotated 90 degrees or in a different orientation) and the spatially relative descriptors used herein interpreted accordingly as well.

Wenn die Herstellungsprozesse, die zum Herstellen von integrierten Chips auf einem Halbleiterwafer beendet worden sind, wird der Halbleiterwafer zertrennt, um ihn in mehrere einzelne IC-Dies zu unterteilen. Ein einzelner Halbleiterwafer kann zum Beispiel in Zig, Hunderte oder sogar Tausende von einzelnen IC-Dies zertrennt werden, die typischerweise jeweils eine quadratische oder rechteckige Form haben. Nach dem Zertrennen werden die IC-Dies oft unter Verwendung von Magazinen zu nachfolgenden Prozess-Anlagen transportiert. Die Magazine sind Kunststoff-Magazine mit mehreren Vertiefungen, die jeweils so konfiguriert sind, dass sie die einzelnen IC-Dies Halten. Die Vertiefungen haben eine Größe, die der Größe der IC-Dies entspricht, und sie sind durch Seitenwände getrennt, die verhindern, dass die IC-Dies zwischen benachbarten Vertiefungen wandern.When the manufacturing processes used to form integrated chips on a semiconductor wafer have been completed, the semiconductor wafer is diced to divide it into multiple individual IC dies. For example, a single semiconductor wafer may be diced into tens, hundreds, or even thousands of individual IC dies, each typically square or rectangular in shape. After dicing, the IC dies are often transported to downstream process equipment using magazines. The magazines are multi-well plastic magazines, each configured to hold the individual IC dies. The wells are sized to match the size of the IC dies and are separated by sidewalls that prevent the IC dies from migrating between adjacent wells.

Nach dem Zertrennen können die IC-Dies mittels akustischer Rastermikroskopie oder anderen Verfahren auf Defekte bewertet werden. Bisher hat nach der Bewertung der Dies ein menschlicher Bediener die Dies manuell getrocknet, was zu zahlreichen Problemen geführt hat. Zum Beispiel ist diese manuelle Trocknung ziemlich zeitaufwändig, und sie setzt die Dies der Gefahr des Zerbrechens oder der Verunreinigung aus. Außerdem gibt es kein konkretes Standard-Trockenverfahren, das übergreifend von allen menschlichen Bedienern verwendet wird, sodass potentiell einige Dies weniger trocken als andere zurückbleiben.After dicing, the IC dies can be evaluated for defects using scanning acoustic microscopy or other methods. Previously, after the dies were evaluated, a human operator would manually dry the dies, which caused numerous problems. For example, this manual drying is quite time consuming and it exposes the die to the risk of breakage or contamination. Also, there is no concrete standard drying procedure that is universally used by all human operators, potentially leaving some dies less dry than others.

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Bearbeitungsanlage für integrierte Chips, die eine automatische Wafertransport- und -trocknungsanlage aufweist, und ein zugehöriges Verfahren. Durch Betreiben der automatischen Wafertransport- und -trocknungsanlage zum Trocknen von Dies kann gegenüber einem manuellen Transport von IC-Dies die Bearbeitungszeit verkürzt werden und die Gefahr der Beschädigung und/oder Verunreinigung kann gemindert werden.The present invention relates to an integrated chip processing system, which has an automatic wafer transport and drying system, and an associated method. By operating the automatic wafer transport and drying system to dry dies, the processing time can be shortened and the risk of damage and/or contamination can be reduced compared to manually transporting IC dies.

1 zeigt einige Ausführungsformen eines Blockdiagramms für eine Integrierter-Chip-Bearbeitungsanlage 100 zur Bearbeitung eines oder mehrerer vereinzelter Halbleiter-Dies 110. Die Integrierter-Chip-Bearbeitungsanlage 100 weist eine Bewertungseinheit 102, eine Trocknungseinheit 104 und eine Die-Wischstation 106 aufweist. Eine Pick-und-Place-Robotergruppe 108 befördert die vereinzelten Halbleiter-Dies 110 in die und aus der Bearbeitungsanlage 100 und zu und von der Bewertungseinheit 102, der Trocknungseinheit 104 und der Die-Wischstation 106. 1 10 shows some embodiments of a block diagram for an integrated chip processing tool 100 for processing one or more singulated semiconductor dies 110. The integrated chip processing tool 100 has an evaluation unit 102, a drying unit 104 and a die wiping station 106. A robotic pick-and-place assembly 108 conveys the singulated semiconductor dies 110 in and out of the processing tool 100 and to and from the evaluation unit 102, the drying unit 104, and the die wiping station 106.

Die Bewertungseinheit 102 ist so konfiguriert, dass sie den vereinzelten Halbleiter-Die 110 mit einer Flüssigkeit 114 behandelt, um gegebenenfalls Fehler in dem vereinzelten Halbleiter-Die 110 zu erkennen. In einigen Fällen wird die akustische Rastermikroskopie (SAM), die ein zerstörungsfreies Verfahren ist, verwendet, um den vereinzelten Halbleiter-Die zu bewerten und Fehler zu erkennen. Bei der SAM kann der vereinzelte Halbleiter-Die 110 vollständig in die Flüssigkeit 114 eingetaucht werden oder mit einem schmalen Flüssigkeitsstrahl abgetastet werden. Die Flüssigkeit 114 ist typischerweise Wasser, aber es können auch Alkohole und andere Flüssigkeiten verwendet werden, um die Verunreinigung des Prüfkörpers zu begrenzen. Bei einigen Ausführungsformen weist die Bewertungseinheit 102 einen Behälter 112 auf, der zum Aufnehmen der Flüssigkeit 114 konfiguriert ist, sodass der vereinzelte Halbleiter-Die 110 in dem Behälter 112 aufgenommen und in die Flüssigkeit 114 eingetaucht werden können. Auf einer Seitenwand oder einer Unterseite des Behälters 112 ist ein Schall- oder Ultraschallenergie-Generator 116, wie etwa ein Wandler, angeordnet, der so konfiguriert ist, dass er eine Druckwelle durch die Flüssigkeit 114 erzeugt, die auf den vereinzelten Halbleiter-Die 110 auftrifft. Während der vereinzelte Halbleiter-Die 110 in die Flüssigkeit 114 getaucht ist (oder in anderer Weise mit dieser in Kontakt ist), führt der Wandler eine Rasterabtastung der Oberseite des vereinzelten Halbleiter-Dies 110 durch. Bei dieser Abtastung gelangen mehrere Tausend Ultraschallimpulse pro Sekunde in den Halbleiter-Die 110. Jeder Ultraschallimpuls kann gestreut oder absorbiert werden, wenn er durch homogene Teile des einen oder der mehreren vereinzelten Halbleiter-Dies hindurchgeht. An einer Material-Grenzfläche, an der es eine Diskontinuität gibt, bei der zwei unterschiedliche Materialien aneinander grenzen, wird ein Teil des Impulses zu dem Wandler reflektiert. Daher weist eine Bewertungslogik 118 einen Empfänger auf, der so konfiguriert ist, dass er diesen reflektierten Impuls empfängt, der Informationen über die Wechselwirkung der erzeugten Druckwelle mit dem vereinzelten Halbleiter-Die 110 enthält. Der Empfänger in der Bewertungslogik 118 empfängt den reflektierten Impuls und zeichnet dessen Amplitude auf. Der reflektierte Teil des Impulses kann bewertet werden und kann schließlich zum Erkennen von Fehlern in internen Strukturelementen des einen oder der mehreren Halbleiter-Dies 110, wie etwa von Diskontinuitäten im Silizium, Rissen, Ablösungen und Hohlräumen, verwendet werden.The evaluation unit 102 is configured to treat the singulated semiconductor die 110 with a liquid 114 to detect defects in the singulated semiconductor die 110, if any. In some cases, scanning acoustic microscopy (SAM), which is a non-destructive method, is used to evaluate the singulated semiconductor die and detect defects. In SAM, the singulated semiconductor die 110 can be completely immersed in the liquid 114 or scanned with a narrow jet of liquid. The liquid 114 is typically water, but alcohols and other liquids can also be used to limit contamination of the specimen. In some embodiments, the evaluation unit 102 includes a tank 112 configured to receive the liquid 114 such that the singulated semiconductor die 110 can be received in the tank 112 and immersed in the liquid 114 . Disposed on a side wall or bottom of the container 112 is a sonic or ultrasonic energy generator 116 , such as a transducer, configured to generate a pressure wave through the liquid 114 impinging the singulated semiconductor die 110 . While the singulated semiconductor die 110 is immersed in (or otherwise in contact with) the liquid 114 , the transducer performs a raster scan of the top surface of the singulated semiconductor die 110 . During this scanning, several thousand ultrasonic pulses per second enter the semiconductor die 110. Each ultrasonic pulse can be scattered or absorbed as it passes through homogeneous parts of the one or more singulated semiconductor dies. At a material interface where there is a discontinuity where two different materials meet, part of the pulse is reflected to the transducer. Therefore, evaluation logic 118 includes a receiver configured to receive this reflected pulse that contains information about the interaction of the generated pressure wave with the singulated semiconductor die 110 . The receiver in the evaluation logic 118 receives the reflected pulse and records its amplitude. The reflected portion of the pulse may be evaluated and ultimately used to detect defects in internal features of the one or more semiconductor dies 110, such as silicon discontinuities, cracks, delaminations, and voids.

Nachdem der vereinzelte Halbleiter-Die 110 bewertet worden ist, befinden sich Restmengen der Flüssigkeit 114 auf einer Vorderseite und einer Rückseite des vereinzelten Halbleiter-Dies 110. Die Pick-und-Place-Robotergruppe 108 ist so konfiguriert, dass sie den vereinzelten Halbleiter-Die 110 nach dessen Bewertung mit der Bewertungseinheit 102 aufnimmt und ihn zu der Trocknungseinheit 104 befördert. Die Trocknungseinheit 104 ist so konfiguriert, dass sie die Flüssigkeit von der Vorderseite des vereinzelten Halbleiter-Dies 110 trocknet, wobei in einigen Fällen ein Blasmesser verwendet wird. Auch nach der Trocknung der Vorderseite kann sich auf der Rückseite des vereinzelten Halbleiter-Dies 110 noch Restflüssigkeit befinden.After the singulated semiconductor die 110 has been evaluated, there are residual amounts of the Liquid 114 on a front side and a back side of the singulated semiconductor die 110. The pick-and-place robot group 108 is configured to pick up the singulated semiconductor die 110 after evaluating it with the evaluating unit 102 and transport it to the drying unit 104 promoted. The drying unit 104 is configured to dry the liquid from the front side of the singulated semiconductor die 110, using a blow knife in some cases. Even after the front side has dried, there may still be residual liquid on the back side of the singulated semiconductor die 110 .

Nachdem der vereinzelte Halbleiter-Die 110 von der Trocknungseinheit 104 behandelt worden ist, nimmt die Pick-und-Place-Robotergruppe 108 den vereinzelten Halbleiter-Die 110 auf und befördert ihn zu der Die-Wischstation 106. Die Die-Wischstation 106 ist so konfiguriert, dass sie die Flüssigkeit von der Rückseite des vereinzelten Halbleiter-Dies 110 absorbiert, nachdem die Trocknungseinheit 104 die Flüssigkeit 114 von der Vorderseite des vereinzelten Halbleiter-Dies 110 getrocknet hat.After the singulated semiconductor die 110 has been treated by the drying unit 104, the pick-and-place robotic group 108 picks up the singulated semiconductor die 110 and conveys it to the die wiping station 106. The die wiping station 106 is so configured to absorb the liquid from the back side of the diced semiconductor die 110 after the drying unit 104 has dried the liquid 114 from the front side of the diced semiconductor die 110 .

In 2A ist ein Beispiel für eine Trocknungseinheit 104 gemäß einigen Ausführungsformen zu sehen. Die Trocknungseinheit 104 weist ein Die-Magazin 202 auf, das mehrere Vertiefungen 204 hat, die jeweils zum Halten eines einzelnen vereinzelten Halbleiter-Dies 110 geeignet sind. Die Vertiefungen 204 sind oftmals in einer Reihe von N Zeilen x M Spalten angeordnet (z. B. 2 Zeilen x 4 Spalten in 2, obwohl N und M jeweils jede Anzahl sein können und gleichgroß oder verschieden sein können). Zur Erläuterung sind vereinzelte Halbleiter-Dies (110a bis 110d) nur in einigen der Vertiefungen 204 gezeigt, aber bei anderen Ausführungsformen enthalten alle Vertiefungen einen entsprechenden Die.In 2A 1 shows an example of a drying unit 104 according to some embodiments. The drying unit 104 includes a die magazine 202 having a plurality of cavities 204 each suitable for holding a single singulated semiconductor die 110 . The wells 204 are often arranged in a series of N rows x M columns (e.g. 2 rows x 4 columns in 2 , although N and M each can be any number and can be the same or different). For purposes of explanation, isolated semiconductor dies (110a-110d) are shown in only some of the recesses 204, but in other embodiments all recesses contain a corresponding die.

Eine Transportschiene 206 in der Form einer Leiste, die von Seitenwänden 207 der Trocknungseinheit 104 nach außen abgeht, ist so konfiguriert, dass sie das Die-Magazin 202 von einer Ladeposition 208 auf der Transportschiene zu einer Trocknungsposition 210 auf der Transportschiene gleitend befördert (siehe Richtungspfeil 209). Ein Motor 212 ist funktionsfähig mit Zahnrädern (z. B. 214) und einem Antriebsriemen 216 verbunden, der sich um Naben der Zahnräder legt und von dem Motor 212 angetrieben wird. Wenn sich der Motor 212 dreht, versetzt der Motor 212 wiederum die Zahnräder 214 über eine Antriebswelle 218 in Drehung, und die Zahnräder 214 bewegen den Antriebsriemen 216, der an dem Die-Magazin 202 befestigt ist. Auf diese Weise kann das Die-Magazin 202 von der Ladeposition 208 zu der Trocknungsposition 210 bewegt werden. Es können auch andere Mechanismen als ein Motor und ein Antriebsriemen verwendet werden, und bei anderen Ausführungsformen können zum Beispiel Aktuatoren, hydraulischer Druck, magnetische Felder oder elektrische Felder verwendet werden.A transport rail 206 in the form of a ledge extending outwardly from side walls 207 of the drying unit 104 is configured to slide the die magazine 202 from a loading position 208 on the transport rail to a drying position 210 on the transport rail (see directional arrow 209). A motor 212 is operatively connected to gears (e.g., 214) and a drive belt 216 that wraps around hubs of the gears and is driven by the motor 212. As the motor 212 rotates, the motor 212 in turn rotates the gears 214 via a drive shaft 218 and the gears 214 move the drive belt 216 attached to the die magazine 202 . In this way, the die magazine 202 can be moved from the loading position 208 to the drying position 210 . Mechanisms other than a motor and drive belt may be used, and other embodiments may use actuators, hydraulic pressure, magnetic fields, or electric fields, for example.

Die Trocknungseinheit 104 von 2A weist außerdem ein Blasmesser 220 auf, das über der Transportschiene 206 an der Trocknungsposition 210 angeordnet ist. Das Blasmesser 220 ist so konfiguriert, dass es Flüssigkeit von Oberseiten der vereinzelten Halbleiter-Dies bläst, wenn die vereinzelten Halbleiter-Dies in dem Die-Magazin 202 festgehalten werden und das Die-Magazin 202 die vereinzelten Halbleiter-Dies gleitend von der Ladeposition 208 zu der Trocknungsposition 210 befördert. Wie in 2B gezeigt ist, weist das Blasmesser 220 einen starren Körper 222 mit einem schmalen Schlitz 224 auf, durch den ein Gas 226, wie etwa Luft oder reiner Stickstoff, mit einer hohen Geschwindigkeit geblasen wird. Das Hochgeschwindigkeitsgas 226 wird auf die Oberseiten der vereinzelten Halbleiter-Dies 110 gerichtet, um Restflüssigkeit gewaltsam von den Oberseiten der vereinzelten Halbleiter-Dies 110 zu blasen. Bei einigen Ausführungsformen wird das Hochgeschwindigkeitsgas 226 auf die Oberseite des Halbleiter-Dies 110 in einem Winkel von 90 Grad zu der Oberseite gerichtet, während bei anderen Ausführungsformen das Hochgeschwindigkeitsgas 226 mit einem Winkel von kleiner als 90 Grad auf die Oberseite des Dies auftrifft.The drying unit 104 of FIG 2A also includes a blow knife 220 positioned above the transport rail 206 at the drying position 210. The blow knife 220 is configured to blow liquid from tops of the singulated semiconductor dies when the singulated semiconductor dies are held in the die magazine 202 and the die magazine 202 slides the singulated semiconductor dies from the loading position 208 the drying position 210 conveyed. As in 2 B As shown, the blow knife 220 has a rigid body 222 with a narrow slit 224 through which a gas 226, such as air or pure nitrogen, is blown at a high velocity. The high-velocity gas 226 is directed at the tops of the diced semiconductor dies 110 to forcibly blow residual liquid from the tops of the diced semiconductor dies 110 . In some embodiments, the high-velocity gas 226 is directed at the top of the semiconductor die 110 at an angle of 90 degrees to the top, while in other embodiments, the high-velocity gas 226 impinges on the top of the die at an angle less than 90 degrees.

In 3A ist ein Beispiel für eine Die-Wischstation 106 gemäß einigen Ausführungsformen zu sehen. Die Die-Wischstation 106 weist eine Tragstruktur auf, die eine im Wesentlichen planare Platte 302, die so konfiguriert ist, dass sie ein Die-Magazin 202 aufnimmt, und mehrere Füße 304 hat, die die im Wesentlichen planare Platte 302 abstützen. Ein Platten- oder Tellermodul 306, das ein saugfähiges Trocknungsgebilde 308 festhält, hat eine Außenkante, die mit einer Außenkante der im Wesentlichen planaren Platte 302 an einer Verbindungsstelle 310 zusammentrifft.In 3A 1 shows an example of a die wipe station 106 in accordance with some embodiments. The die wiping station 106 includes a support structure that includes a generally planar platen 302 configured to receive a die magazine 202 and a plurality of feet 304 that support the generally planar platen 302 . A panel or plate module 306 holding an absorbent drying structure 308 in place has an outer edge that meets an outer edge of the substantially planar panel 302 at a joint 310 .

Wie in 3B gezeigt ist, hat das Platten- oder Tellermodul 306 einen mittleren Bereich 312 und einen peripheren Bereich 314, wobei sich äußere Seitenwände 316 von dem peripheren Bereich 314 nach oben erstrecken, sodass eine Oberseite des mittleren Bereichs 312 gegenüber oberen Bereichen der äußeren Seitenwände 316 vertieft ist. Ein Lappen oder Schwamm, der dem saugfähigen Trocknungsgebilde 308 entspricht, ist auf dem mittleren Bereich 312 angeordnet und wird seitlich von den äußeren Seitenwänden 316 begrenzt. Die Pick-und-Place-Robotergruppe 108 nimmt einen Die 110 aus dem Die-Magazin 202 und platziert ihn auf einer Oberseite des saugfähigen Trocknungsgebildes 308 (siehe 3B), sodass die Rückseite des Dies 110 dadurch getrocknet wird, dass sie in direkten Kontakt mit einer Oberseite des saugfähigen Trocknungsgebildes 308 kommt. In einigen Fällen ist das saugfähige Trocknungsgebilde 308 ortsfest, wenn der Die 110 darauf platziert wird, während bei anderen Ausführungsformen das saugfähige Trocknungsgebilde 308 sich um einen Mittelpunkt auf seiner Vorderseite drehen kann oder wie ein Antriebsriemen um Rollen oder Zahnräder laufen kann, um eine Trocknung zu ermöglichen.As in 3B As shown, the plate or plate module 306 has a central portion 312 and a peripheral portion 314, with outer sidewalls 316 extending upwardly from the peripheral portion 314 such that a top of the central portion 312 is recessed from upper portions of the outer sidewalls 316 . A rag or sponge corresponding to the absorbent drying structure 308 is placed on the central portion 312 and is bounded laterally by the outer sidewalls 316 . The robotic pick-and-place assembly 108 picks a die 110 from the die magazine 202 and places it on a top surface of the absorbent drying structure 308 (see FIG 3B) , so that the back side of the die 110 is dried by being in direct contact with a top side of the absorbent drying structure 308 comes. In some cases, the absorbent drying structure 308 is stationary when the die 110 is placed thereon, while in other embodiments the absorbent drying structure 308 can rotate about a center point on its front side or can run around rollers or gears like a drive belt to achieve drying make possible.

Da die Integrierter-Chip-Bearbeitungsanlage 100 von 1 zusammen mit den Einheiten, die in den 2A und 2B sowie 3A und 3B gezeigt sind, den menschlichen Kontakt mit dem Die begrenzt und eine zuverlässige Trocknung der Dies bewirkt, verringert diese Bearbeitungsanlage 100 die Bearbeitungszeit und die Gefahr der Beschädigung und/oder Verunreinigung der Dies gegenüber früheren Ansätzen.Since the integrated chip processing facility 100 of 1 along with the units in the 2A and 2 B 3A and 3B, by limiting human contact with the die and providing reliable die drying, this processing system 100 reduces processing time and the risk of die damage and/or contamination over previous approaches.

4 zeigt in einer perspektivischen Darstellung weitere Ausführungsformen einer Integrierter-Chip-Bearbeitungsanlage 400, die eine erste Bearbeitungsanlage 402, eine zweite Bearbeitungsanlage 404 und eine automatische Transport- und Trocknungsanlage 406 umfasst, die zwischen der ersten Bearbeitungsanlage 402 und der zweiten Bearbeitungsanlage 404 angeordnet ist. Bei einigen Ausführungsformen können die erste und die zweite Bearbeitungsanlage 402 und 404 identische Einheiten sein, die jeweils ein oder mehrere akustische Rastermikroskope 408 aufweisen, die so konfiguriert sind, dass sie Defekte an vereinzelten Halbleiter-Dies erkennen, die in die Integrierter-Chip-Bearbeitungsanlage 400 eingeführt werden. Bei einigen Ausführungsformen weisen die erste und die zweite Bearbeitungsanlage 402 und 404 ein erstes bzw. ein zweites Gehäuse 410a und 410b auf, und die automatische Transport- und Trocknungsanlage 406 weist ein drittes Gehäuse 410c auf. Die Gehäuse 410a, 410b und 4100 bestehen typischerweise aus Blech und umgeben eine erste, eine zweite und eine dritte Innenkammer 412a, 412b und 4120 der jeweiligen Anlagen. In dem Gehäuse jeder Anlage sind Fenster 413 angeordnet, die zum Beispiel aus Glas, Acrylharz oder einem durchsichtigen Kunststoff bestehen und das Betrachten des Inneren der j eweiligen Innenkammern der Anlagen ermöglichen. Jede Anlage kann außerdem einen Lade-/Entladekanal 414a, 414b bzw. 414c, durch den ein oder mehrere Die-Magazine in die Anlagen eingeführt werden können, und eine Bedientafel 416a, 416b bzw. 416c aufweisen, mit der ein menschlicher Bediener Befehle an die jeweilige Anlage geben kann und/oder Statusmeldungen von der jeweiligen Anlage empfangen kann. 4 shows a perspective view of further embodiments of an integrated chip processing system 400, which comprises a first processing system 402, a second processing system 404 and an automatic transport and drying system 406, which is arranged between the first processing system 402 and the second processing system 404. In some embodiments, the first and second processing tools 402 and 404 may be identical entities that each include one or more scanning acoustic microscopes 408 configured to detect defects on singulated semiconductor dies fed into the integrated chip processing tool 400 to be introduced. In some embodiments, the first and second processing tools 402 and 404 include first and second housings 410a and 410b, respectively, and the automated transport and drying tool 406 includes a third housing 410c. The housings 410a, 410b and 4100 are typically made of sheet metal and enclose first, second and third interior chambers 412a, 412b and 4120 of the respective systems. Windows 413, made of glass, acrylic resin or a clear plastic, for example, are arranged in the housing of each unit and allow viewing of the interior of the respective internal chambers of the units. Each facility may also include a load/unload channel 414a, 414b, or 414c through which one or more die magazines may be inserted into the facility, and an operator panel 416a, 416b, or 416c for a human operator to issue commands to the respective system can give and/or can receive status messages from the respective system.

In jeder Innenkammer 412a, 412b und 4120 erhalten Roboter-Bearbeitungseinheiten ein Die-Magazin über einen Lade-/Entladekanal und sie heben dann einen oder mehrere vereinzelte Halbleiter-Dies aus dem Die-Magazin und bearbeiten den einen oder die mehreren vereinzelten Halbleiter-Dies. Zum Beispiel können der eine oder die mehreren vereinzelten Halbleiter-Dies in die erste und/oder die zweite Bearbeitungsanlage 402 und 404 geladen werden, und mit einem akustischen Rastermikroskop 408 können der eine oder die mehreren Halbleiter-Dies auf Defekte oder Fehler bewertet werden. Bei der akustischen Rastermikroskopie können der eine oder die mehreren vereinzelten Halbleiter-Dies vollständig in Wasser oder andere Flüssigkeiten eingetaucht werden oder mit einem schmalen Strahl aus Wasser oder anderen Flüssigkeiten abgetastet werden, um die Dies auf Fehler zu bewerten. Nachdem der eine oder die mehreren vereinzelten Halbleiter-Dies bewertet worden sind, werden sie mit der automatischen Trocknungsanlage 406 behandelt. Die automatische Trocknungsanlage 406 umfasst Robotereinheiten, die verschiedene Operationen ausführen, um den einen oder die mehreren vereinzelten Halbleiter-Dies zu trocknen, ohne dass ein menschlicher Bediener eingreifen muss. Durch Betreiben der automatischen Transport- und Trocknungsanlage 406 zum automatischen Trocknen des einen oder der mehreren vereinzelten Halbleiter-Dies kann gegenüber einem manuellen Transport der IC-Dies die Bearbeitungszeit verkürzt werden und die Gefahr der Beschädigung und/oder Verunreinigung kann gemindert werden. Nachdem der eine oder die mehreren vereinzelten Halbleiter-Dies getrocknet worden sind, können sie automatisch in das Die-Magazin zurück geladen werden und durch den Lade-/Entladekanal 414c zurück nach außen gebracht werden. Das Die-Magazin kann dann zum Beispiel von einem menschlichen Bediener oder mit einem Förderband oder einer anderen automatischen Vorrichtung zu der nächsten gewünschten Herstellungs-, Prüf- und/oder Verkappungsstufe transportiert werden.In each interior chamber 412a, 412b and 4120, robotic processing units receive a die magazine via a load/unload channel and then lift one or more singulated semiconductor dies from the die magazine and process the one or more singulated semiconductor dies. For example, the singulated one or more semiconductor dies may be loaded into the first and/or second processing tools 402 and 404 and a scanning acoustic microscope 408 may be used to evaluate the one or more semiconductor dies for defects or errors. In scanning acoustic microscopy, the one or more singulated semiconductor dies can be completely immersed in water or other liquid or scanned with a narrow beam of water or other liquid to evaluate the die for defects. After the one or more singulated semiconductor dies have been evaluated, they are treated with the automatic drying system 406 . The automated drying facility 406 includes robotic units that perform various operations to dry the singulated semiconductor die(s) without human operator intervention. By operating the automatic transport and drying system 406 to automatically dry the one or more singulated semiconductor dies, the processing time can be reduced compared to manually transporting the IC dies and the risk of damage and/or contamination can be reduced. After the one or more singulated semiconductor dies have been dried, they can be automatically loaded back into the die magazine and brought back out through the load/unload channel 414c. The die magazine may then be transported, for example, by a human operator or by conveyor or other automated device to the next desired stage of manufacture, inspection, and/or packaging.

5A zeigt ein Blockdiagramm der Bearbeitungsanlage 400 mit der ersten Bearbeitungsanlage 402, der zweiten Bearbeitungsanlage 404 und der automatischen Transport- und Trocknungsanlage 406. Die erste und die zweite Bearbeitungsanlage 402 und 404 weisen jeweils eine Innenkammer 412a und 412b auf, in denen ein akustisches Rastermikroskop 408 und ein Blasenentfernungsmechanismus 420 untergebracht sind. Die automatische Transport- und Trocknungsanlage 406 weist eine Innenkammer 4120 auf, in der ein mehrachsiger Roboter 422, eine erste und eine zweite Lade-/Entladestation 424a und 424b, eine erste und eine zweite Die-Magazinaufbewahrungsstation 426a und 426b, ein Förderer 428, eine Trockenwischstation 430, eine erste und eine zweite Trocknungsstation 432a und 432b und eine Pick-und-Place-Robotergruppe 434 untergebracht sind. 5A shows a block diagram of the processing system 400 with the first processing system 402, the second processing system 404 and the automatic transport and drying system 406. The first and the second processing system 402 and 404 each have an inner chamber 412a and 412b, in which an acoustic scanning microscope 408 and a bubble removing mechanism 420 are accommodated. The automatic transport and drying system 406 has an inner chamber 4120 in which a multi-axis robot 422, first and second loading/unloading stations 424a and 424b, first and second die magazine storage stations 426a and 426b, a conveyor 428, a Dry wiping station 430, first and second drying stations 432a and 432b and a pick-and-place robot group 434 are housed.

Bei einigen Ausführungsformen funktioniert die Bearbeitungsanlagengruppe wie folgt. Zunächst wird ein erstes Die-Magazin, das mit vereinzelten Halbleiter-Dies gefüllt ist, durch den Kanal 414c an der Lade-/Entladestation 424a platziert, und ein zweites Die-Magazin, das leer ist, wird durch den Kanal 414c an der zweiten Lade-/Entladestation 424b platziert. In 6 ist ein Beispiel für Die-Magazine 600 zu sehen. Die Die-Magazine 600 können aus Kunststoff, Acrylharz, Metall oder einem anderen geeigneten Material bestehen und haben jeweils die Form eines Magazins mit mehreren Vertiefungen 602, die jeweils so konfiguriert sind, dass sie den einzelnen vereinzelten Halbleiter-Die Halten. Die Vertiefungen 602 haben eine Größe, die der Größe des vereinzelten Halbleiter-Dies entspricht, und sind durch Seitenwände 604 getrennt, die entlang der Länge und der Breite der Die-Magazine zueinander parallel verlaufen. Die Seitenwände 604 halten die vereinzelten Halbleiter-Dies in ihren jeweiligen Vertiefungen und verhindern, dass die vereinzelten Halbleiter-Dies zwischen benachbarten Vertiefungen wandern. In einigen Fällen ist das erste Die-Magazin 600a ein Die-Magazin, das zum Befördern von vereinzelten Halbleiter-Dies durch die Herstellungsanlage verwendet wird, und das zweite Die-Magazin 600b ist ein Die-Magazin, das speziell so dimensioniert ist, dass es von der ersten und/oder der zweiten Bearbeitungsanlage bearbeitet werden kann. Das erste Die-Magazin 600a und das zweite Die-Magazin 600b können in einigen Fällen zum Beispiel aus unterschiedlichen Materialien bestehen, können unterschiedliche Größen haben und/oder können voneinander verschiedene Anzahlen von Dies aufnehmen. Zum Beispiel kann das erste Die-Magazin 600a oft größer als das zweite Die-Magazin 600b sein, es kann rechteckig sein und kann einen ersten Außenumfang haben, der 2 in. bis 30 in. an seiner kurzen Seite (erste Breite w1) und 3 in. bis 36 in. an seiner langen Seite (erste Länge l1) misst, während das zweite Die-Magazin 600b ebenfalls rechteckig sein kann und einen zweiten Außenumfang haben kann, der 2 in. bis 28 in. an seiner kurzen Seite (zweite Breite w2) und 3 in. bis 30 in. an seiner langen Seite (zweite Länge l2) misst. Außerdem kann in einigen Fällen das erste Die-Magazin 600a zuerst in die erste Lade-/Entladestation 424a eingeführt werden, wenn es mit vereinzelten Halbleiter-Dies gefüllt ist, während das zweite Die-Magazin 600b zuerst in die zweite Lade-/Entladestation 424b eingeführt werden kann, wenn es leer ist.In some embodiments, the processing tool cluster functions as follows. First a first die magazine filled with singulated semiconductor dies is placed through channel 414c at load/unload station 424a, and a second die magazine, empty, is placed through channel 414c at the second load station. / unloading station 424b placed. In 6 an example of Die-Magazine 600 can be seen. Die magazines 600 may be made of plastic, acrylic resin, metal, or other suitable material, and each takes the form of a magazine having a plurality of cavities 602, each configured to hold each singulated semiconductor die. The cavities 602 are sized to match the size of the singulated semiconductor die and are separated by sidewalls 604 that run parallel to one another along the length and width of the die magazines. The sidewalls 604 retain the singulated semiconductor dies in their respective cavities and prevent the singulated semiconductor dies from migrating between adjacent cavities. In some cases, the first die magazine 600a is a die magazine used to convey singulated semiconductor dies through the fabrication facility, and the second die magazine 600b is a die magazine specifically sized to carry singulated semiconductor dies can be processed by the first and/or the second processing system. For example, the first die magazine 600a and the second die magazine 600b can be made of different materials, can have different sizes, and/or can accommodate different numbers of dies from each other in some cases. For example, the first die magazine 600a can often be larger than the second die magazine 600b, can be rectangular, and can have a first outer perimeter that is 2 in. to 30 in. on its short side (first width w 1 ) and 3 in. to 36 in. on its long side (first length l 1 ), while the second die magazine 600b can also be rectangular and have a second outer perimeter measuring 2 in. to 28 in. on its short side ( second width w 2 ) and 3 in. to 30 in. on its long side (second length l 2 ). Also, in some cases, the first die magazine 600a may be first inserted into the first load/unload station 424a when filled with singulated semiconductor dice, while the second die magazine 600b may be first inserted into the second load/unload station 424b can become when it is empty.

Kommen wir zu 5A zurück. Nachdem das erste und das zweite Die-Magazin in die Lade-/Entladestationen 424a und 424b eingeführt worden sind, schiebt eine erste Schubstange 425a das erste Die-Magazin von der ersten Lade-/Entladestation 424a zu der ersten Die-Magazinaufbewahrungsstation 425a, und eine zweite Schubstange 425b schiebt das zweite Die-Magazin von der zweiten Lade-/Entladestation 424b zu der zweiten Magazinaufbewahrungsstation 425b. Zum Beispiel schiebt bei verschiedenen Ausführungsformen die erste Schubstange 425a das erste Die-Magazin von der ersten Lade-/Entladestation 424a auf ein erstes Förderband 427a, und das erste Förderband 427a befördert dann das erste Die-Magazin zu der ersten Die-Magazinaufbewahrungsstation 426a. Die zweite Schubstange 425b schiebt in ähnlicher Weise das zweite Die-Magazin von der zweiten Lade-/Entladestation 424b auf ein zweites Förderband 427b, und das zweite Förderband 427b befördert dann das zweite Die-Magazin zu der zweiten Die-Magazinaufbewahrungsstation 426b.We come to 5A return. After the first and second die magazines are inserted into the load/unload stations 424a and 424b, a first push rod 425a pushes the first die magazine from the first load/unload station 424a to the first die magazine storage station 425a, and a second push rod 425b pushes the second die magazine from the second loading/unloading station 424b to the second magazine storage station 425b. For example, in various embodiments, the first push rod 425a pushes the first die magazine from the first load/unload station 424a onto a first conveyor 427a, and the first conveyor 427a then conveys the first die magazine to the first die magazine storage station 426a. The second push rod 425b similarly pushes the second die magazine from the second loading/unloading station 424b onto a second conveyor belt 427b, and the second conveyor belt 427b then conveys the second die magazine to the second die magazine storage station 426b.

Die Pick-und-Place-Robotergruppe 434 nimmt einen oder mehrere Dies aus dem ersten Die-Magazin an der Station 426a auf, das zuerst mit vereinzelten Halbleiter-Dies gefüllt war, und platziert sie in das zweite Die-Magazin an der Station 426b, das zunächst leer war.The pick and place robot group 434 picks one or more dies from the first die magazine at station 426a, which was first filled with singulated semiconductor dies, and places them in the second die magazine at station 426b, which was initially empty.

Der mehrachsige Roboter 422 befördert dann das gesamte zweite Die-Magazin von 426b, das nun Dies enthält, die zuvor in dem ersten Die-Magazin waren, in die Innenkammer 412a der erste Bearbeitungsanlage 402. Die erste Bearbeitungsanlage 402 führt dann eine Behandlung (z. B. mit dem akustischen Rastermikroskop 408 und dem Blasenentfernungsmechanismus 420) an den vereinzelten Halbleiter-Dies durch und führt nach der Behandlung die Dies zu dem zweiten Die-Magazin in der Innenkammer 412a zurück.The multi-axis robot 422 then transfers the entire second die magazine from 426b, now containing dies previously in the first die magazine, into the interior chamber 412a of the first processing tool 402. The first processing tool 402 then performs a treatment (e.g., B. with the scanning acoustic microscope 408 and the bubble removal mechanism 420) through on the singulated semiconductor dies and after the treatment returns the dies to the second die magazine in the inner chamber 412a.

Der mehrachsige Roboter 422 befördert dann das gesamte zweite Die-Magazin, das nun die vereinzelten Halbleiter-Dies enthält, die von der ersten Bearbeitungsanlage 402 bearbeitet worden sind, zu der zweiten Die-Magazinaufbewahrungsstation 426b zurück. An dieser Stelle nimmt die Pick-und-Place-Robotergruppe 434 einzelne vereinzelte Halbleiter-Dies aus dem zweiten Die-Magazin an der Station 426b auf und befördert sie zu der Trocknungsstation 432b, und die Trocknungsstation 432b trocknet die Vorderseiten der vereinzelten Halbleiter-Dies zum Beispiel durch Durchleiten der Dies durch ein Blasmesser, das einen langen und schmalen Hochgeschwindigkeitsluftstrahl erzeugt, der die Flüssigkeit von den Vorderseiten der vereinzelten Halbleiter-Dies bläst. Nachdem die Vorderseiten der vereinzelten Halbleiter-Dies auf diese Weise getrocknet worden sind, befördert die Pick-und-Place-Robotergruppe 434 die einzelnen vereinzelten Halbleiter-Dies zu dem Die-Magazin an der zweiten Die-Magazinaufbewahrungsstation 426b zurück. Die Pick-und-Place-Robotergruppe 434 befördert dann die vereinzelten Halbleiter-Dies zu der Die-Wischstation 430, wo die Rückseite der vereinzelten Halbleiter-Dies getrocknet werden kann. Die Rückseite der vereinzelten Halbleiter-Dies kann zum Beispiel mit einem trockenen staubfreien Tuch an der Die-Wischstation 430 abgewischt werden, um die Rückseite der vereinzelten Halbleiter-Dies zu trocknen.The multi-axis robot 422 then returns the entire second die magazine, now containing the singulated semiconductor dies processed by the first processing tool 402, to the second die magazine storage station 426b. At this point, the pick-and-place robotic group 434 picks up individual singulated semiconductor dies from the second die magazine at station 426b and conveys them to the drying station 432b, and the drying station 432b dries the front sides of the singulated semiconductor dies Example by passing the dies through a blow knife that creates a long and narrow jet of high velocity air that blows the liquid off the faces of the singulated semiconductor dies. After the front sides of the singulated semiconductor dies have been dried in this way, the pick-and-place robot group 434 returns each singulated semiconductor die to the die magazine at the second die magazine storage station 426b. The pick and place robotic group 434 then conveys the singulated semiconductor dies to the die wiping station 430 where the back side of the singulated semiconductor dies can be dried. The back of the isolated semiconductor dies can be wiped with a dry, dust-free cloth on the die, for example station 430 to dry the backside of the singulated semiconductor dies.

Nachdem die Rückseite der vereinzelten Halbleiter-Dies getrocknet worden ist, kann die Pick-und-Place-Robotergruppe 434 die getrockneten Halbleiter-Dies zu dem ersten Die-Magazin (das zu diesem Zeitpunkt leer ist) an der ersten Die-Magazinaufbewahrungsstation 426a zurück befördern. Das erste Die-Magazin, das nun vereinzelte Halbleiter-Dies enthält, die mittels akustischer Rastermikroskopie bewertet worden und getrocknet worden sind, können dann zu der ersten Lade-/Entladestation 424a zurück befördert werden und durch den Lade-/Entladekanal 414c nach außen befördert werden. Das erste Die-Magazin kann dann zum Beispiel von einem menschlichen Bediener oder mit einem Förderband oder einer anderen automatischen Vorrichtung zu der nächsten gewünschten Herstellungs-, Prüf- und/oder Verkappungsstufe transportiert werden.After the backside of the singulated semiconductor dies has been dried, the robotic pick and place group 434 may return the dried semiconductor dies to the first die magazine (which is empty at this time) at the first die magazine storage station 426a . The first die magazine, now containing singulated semiconductor dice that have been evaluated by scanning acoustic microscopy and dried, may then be returned to the first load/unload station 424a and conveyed out through load/unload channel 414c . The first die magazine may then be transported, for example, by a human operator or with a conveyor or other automated device to the next desired stage of manufacture, testing, and/or packaging.

Es ist zwar dargestellt, dass die Die-Magazinaufbewahrungsstationen 426a und 426b und der Förderer 428 nur ein Die-Magazin befördern, aber es dürfte klar sein, dass bei einigen Ausführungsformen die Die-Magazinaufbewahrungsstationen 426a und 426b und der Förderer 428 mehrere Die-Magazine gleichzeitig aufbewahren und/oder transportieren können, sodass die Integrierter-Chip-Bearbeitungsanlage 400 mehrere Die-Magazine gleichzeitig bearbeiten kann. Außerdem können bei verschiedenen Ausführungsformen die Die-Magazinaufbewahrungsstationen 426a und 426b und/oder der Förderer 428 gleichzeitig so betrieben werden, dass sie gleichzeitig Die-Magazine zwischen den verschiedenen Anlagen, Modulen und/oder Komponenten in der Integrierter-Chip-Bearbeitungsanlage befördern können.While die magazine storage stations 426a and 426b and conveyor 428 are shown as transporting only one die magazine, it should be appreciated that in some embodiments die magazine storage stations 426a and 426b and conveyor 428 may transport multiple die magazines at a time can store and/or transport, so that the integrated chip processing system 400 can process multiple die magazines at the same time. Additionally, in various embodiments, the die magazine storage stations 426a and 426b and/or the conveyor 428 can be operated simultaneously to simultaneously move die magazines between the various tools, modules, and/or components in the integrated chip processing tool.

Die 7 und 9 bis 11 zeigen dreidimensionale (3D) Darstellungen einiger Ausführungsformen von Komponenten, die das automatische Transport- und Trocknungsmodul 406 von 5 bilden. Diese Komponenten werden nun jeweils näher beschrieben, aber es dürfte klar sein, dass diese Figuren und die nachstehende Beschreibung lediglich nicht-beschränkende Beispiele dafür sind, wie diese Komponenten implementiert werden können.The 7 and 9 until 11 12 show three-dimensional (3D) representations of some embodiments of components that make up the automated transport and drying module 406 of FIG 5 form. Each of these components will now be described in more detail, but it should be understood that these figures and the description below are merely non-limiting examples of how these components can be implemented.

7 zeigt eine Die-Magazin-Lade-/Entladestation 700, die einigen Beispielen der Lade-/Entladestationen 424a und 424b in 5 entspricht. Die Die-Magazin-Lade-/Entladestation 700 weist ein Die-Magazingestell 702 und einen oder mehrere Füße 704 auf, mit denen das Die-Magazingestell 702 in dem Gehäuse der Bearbeitungsanlage befestigt wird. Der Fuß oder die Füße 704 können mehrere konzentrische Rohre umfassen, deren Höhe sich teleskopisch ändert, um das Die-Magazingestell 702 aufwärts und/oder abwärts zu bewegen. Eine Klemmvorrichtung 706 verbindet das Die-Magazingestell 702 mit dem einen oder den mehreren Füßen 704. Statt die Füße 704 teleskopisch zu bewegen, um die Höhe des Die-Magazingestells 702 zu ändern, kann die Klemmvorrichtung 706 alternativ den einen oder die mehreren Füße 704 zum Beispiel mit einer Reihe von Rillen und/oder Zahnrädern einrasten, um das Die-Magazingestell 702 vertikal zu bewegen. Die Klemmvorrichtung 706 weist ein Paar Finger-ähnliche Vorsprünge 708 auf jeder Seite des Die-Magazingestells 702 auf, die das Die-Magazingestell 702 reibschlüssig blockieren. Das Die-Magazingestell 702 nimmt die Form eines kastenartigen Gehäuses an, das eine Unterseite 710, eine Oberseite 712, Seitenwandflächen 714 und Stirnseiten 716 hat. Die Stirnseiten 716 sind offen, sodass eine oder mehrere Die-Magazine 600 (siehe z. B. 6) gleitend in das Die-Magazingestell 702 gestapelt werden können. 7 12 shows a die magazine load/unload station 700, which is similar to some examples of load/unload stations 424a and 424b in FIG 5 is equivalent to. The die hopper load/unload station 700 includes a die hopper rack 702 and one or more feet 704 for mounting the die hopper rack 702 within the processing equipment housing. The foot or feet 704 may comprise a plurality of concentric tubes that telescopically change in height to move the die magazine rack 702 up and/or down. A clamp 706 connects the die tray rack 702 to the one or more feet 704. Instead of telescoping the feet 704 to change the height of the die tray rack 702, the clamp 706 may alternatively move the one or more feet 704 to example, with a series of grooves and/or gears to move the die magazine rack 702 vertically. The clamp 706 includes a pair of finger-like projections 708 on each side of the die magazine rack 702 that frictionally lock the die magazine rack 702 in place. The die magazine rack 702 takes the form of a box-like housing having a bottom 710, a top 712, side panels 714, and end faces 716. FIG. The end faces 716 are open so that one or more die magazines 600 (see e.g. 6 ) can be slidably stacked into the die magazine rack 702.

Wie in 8, die eine Schnittansicht der Die-Magazin-Lade-/Entladestation 700 zeigt, zu sehen ist, weisen die Seitenwände 714 eine Reihe von Rillen oder Vorsprüngen 717 auf, die so angepasst sind, dass sie eine Anzahl von Die-Magazinen 600 daran Halten. Eine erste Rille 717a an einer der Seitenwände ist vertikal zu einer zweiten Rille 717b an der gegenüberliegenden Seitenwand ausgerichtet, sodass die erste und die zweite Rille 717a und 717b so etwas Ähnliches wie eine Ablage zum Aufnehmen eines Die-Magazins 600 bilden. Die Die-Magazine 600 können auf den Rillen aufliegen, sodass die Die-Magazine zum Beispiel mit einer Schubstange (z. B. 425a oder 425b in 5) und/oder einem mehrachsigen Roboter (z. B. 422 in 5) in das und aus dem Die-Magazingestell 702 an dessen Stirnseiten 716 des geschoben werden können. Die Die-Magazine 600 werden so eingeführt, dass ihre Vertiefungen 602 nach oben zeigen, um ihre jeweiligen vereinzelten Halbleiter-Dies darin zu festzuhalten.As in 8th 12, which shows a sectional view of the die magazine loading/unloading station 700, the side walls 714 have a series of grooves or protrusions 717 adapted to hold a number of die magazines 600 thereon. A first groove 717a on one of the sidewalls is vertically aligned with a second groove 717b on the opposite sidewall such that the first and second grooves 717a and 717b form something similar to a tray for receiving a die magazine 600 . The die magazines 600 can rest on the grooves, so that the die magazines can be pushed, for example, with a push rod (e.g. 425a or 425b in 5 ) and/or a multi-axis robot (e.g. 422 in 5 ) can be slid into and out of the die magazine rack 702 at its end faces 716 of the. The die magazines 600 are inserted with their indentations 602 facing up to retain their respective singulated semiconductor dies therein.

9 zeigt einen Förderer 900, der dem Förderer 428 von 5 und/oder dem ersten und/oder dem zweiten Förderband 427a und 427b von 5 ähnlich ist. Der Förderer 900 weist eine Transportschiene 906 in der Form von Leisten auf, die sich von Seitenwänden 907 des Förderers nach außen erstrecken. Die Transportschiene 906 ist so konfiguriert, dass sie ein Die-Magazin 600 von einem ersten Förderer-Ende 908 zu einem zweiten Förderer-Ende 910 gegenüber dem ersten Förderer-Ende 908 gleitend befördert (siehe Richtungspfeil 909). Ein Motor ist funktionsfähig mit Zahnrädern (z. B. 914) und einem Antriebsriemen 916 verbunden, der sich um Naben der Zahnräder legt und von dem Motor angetrieben wird. Bei einigen Ausführungsformen wird der Motor von dem Förderer und anderen Komponenten, wie etwa einer Trocknungseinheit (siehe 104 in 2A), gemeinsam verwendet, um Kosten zu senken. Aus diesem Grund zeigt 9 einen Motor nicht explizit, aber es dürfte klar sein, dass ein Motor oder ein anderer Antriebsmechanismus verwendet wird, um das Die-Magazin 600 auf dem Förderer 900 zu befördern. Es können auch andere Mechanismen als ein Motor und ein Antriebsriemen verwendet werden, und bei anderen Ausführungsformen können zum Beispiel Aktuatoren, hydraulischer Druck, magnetische Felder oder elektrische Felder verwendet werden. 9 FIG. 12 shows a conveyor 900 that is similar to conveyor 428 of FIG 5 and/or the first and/or the second conveyor belt 427a and 427b of FIG 5 is similar. The conveyor 900 has a transport rail 906 in the form of slats extending outwardly from side walls 907 of the conveyor. The transport rail 906 is configured to slidably convey a die magazine 600 from a conveyor first end 908 to a conveyor second end 910 opposite the conveyor first end 908 (see directional arrow 909). A motor is operatively connected to gears (e.g., 914) and a drive belt 916 that wraps around hubs of the gears and is driven by the motor. In some embodiments, the motor is powered by the conveyor and other components such as a drying unit (see 104 in 2A) , used together to reduce costs. For this reason shows 9 does not explicitly mention a motor, but it should be understood that a motor or other drive mechanism is used to advance the die magazine 600 on the conveyor 900. Mechanisms other than a motor and drive belt may be used, and other embodiments may use actuators, hydraulic pressure, magnetic fields, or electric fields, for example.

10 zeigt eine Pick-und-Place-Robotergruppe 1000, die der Pick-und-Place-Robotergruppe 108 von 1 und/oder der Pick-und-Place-Robotergruppe 434 von 5 ähnlich ist. Die Pick-und-Place-Robotergruppe 1000 ist so konfiguriert, dass sie einen oder mehrere vereinzelte Halbleiter-Dies aus einem Die-Magazin und/oder einer anderen Komponente unter Verwendung eines Vakuumkopfes 1002 aufnimmt und sie dann entlang von drei orthogonalen Achsen (z. B. x-Achse, y-Achse und z-Achse) zu einer gewünschten Entladestelle befördert. Die Pick-und-Place-Robotergruppe 1000 weist einen ersten Roboterarm 1004, der in einer ersten Richtung (z. B. entlang der x-Achse) verläuft; einen zweiten Roboterarm 1006, der in einer zweiten Richtung (z. B. entlang der y-Achse) verläuft; und einen dritten Roboterarm 1008 auf, der in einer dritten Richtung (z. B. entlang der z-Achse) verläuft. 10 10 shows a pick-and-place robotic group 1000 corresponding to pick-and-place robotic group 108 of FIG 1 and/or the pick and place robot group 434 of 5 is similar. The robotic pick and place assembly 1000 is configured to pick one or more singulated semiconductor dies from a die magazine and/or other component using a vacuum head 1002 and then move them along three orthogonal axes (e.g., B. x-axis, y-axis and z-axis) to a desired unloading point. The pick-and-place robotic assembly 1000 includes a first robotic arm 1004 extending in a first direction (e.g., along the x-axis); a second robotic arm 1006 extending in a second direction (e.g., along the y-axis); and a third robotic arm 1008 extending in a third direction (e.g., along the z-axis).

Der Vakuumkopf 1002 kann über einem oder mehreren Dies von Interesse, zum Beispiel in einem Die-Magazin, positioniert werden, indem der erste Roboterarm 1004, der zweite Roboterarm 1006 und der dritte Roboterarm 1008 in Bezug zu einander bewegt werden. Zum Beispiel kann der dritte Roboterarm 1008 entlang dem ersten Roboterarm 1004 gleiten, um den Vakuumkopf 1002 in der x-Richtung zu bewegen, und dann kann der Vakuumkopf 1002 entlang dem zweiten Roboterarm 1006 gleiten, um den Vakuumkopf 1002 in der y-Richtung zu bewegen, sodass der Vakuumkopf direkt über dem Die von Interesse platziert wird. Dann kann der Vakuumkopf dadurch abgesenkt werden, dass der zweite Roboterarm 1006 entlang dem dritten Roboterarm 1008 gleiten gelassen wird, sodass eine Vorderseite 1012 des Vakuumkopfes 1002 dem Die von Interesse nahekommt oder mit diesem in direkten Kontakt kommt. In diesem Moment wird Vakuum aufgebracht, sodass eine Saugwirkung (z. B. niedriger Druck) in Öffnungen (siehe 1010 in 11) in der Vorderseite 1012 des Vakuumkopfes 1002 entsteht, durch die der Die von Interesse an der Vorderseite 1012 des Vakuumkopfes 1002 „haftet“. Bei einigen Ausführungsformen hat der Vakuumkopf 1002 eine ausreichende Anzahl von Öffnungen 1010, sodass mehrere Dies gleichzeitig aufgenommen und platziert werden können, während bei anderen Ausführungsformen der Vakuumkopf 1002 nur eine Öffnung 1010 zum Aufnehmen und Platzieren nur eines Dies hat.The vacuum head 1002 can be positioned over one or more dies of interest, for example in a die magazine, by moving the first robotic arm 1004, the second robotic arm 1006, and the third robotic arm 1008 relative to each other. For example, the third robotic arm 1008 can slide along the first robotic arm 1004 to move the vacuum head 1002 in the x-direction, and then the vacuum head 1002 can slide along the second robotic arm 1006 to move the vacuum head 1002 in the y-direction , so that the vacuum head is placed directly over the die of interest. Then the vacuum head can be lowered by sliding the second robotic arm 1006 along the third robotic arm 1008 so that a front face 1012 of the vacuum head 1002 comes close to or in direct contact with the die of interest. At that moment, vacuum is applied so that suction (e.g. low pressure) is created in openings (see 1010 in 11 ) is created in the front face 1012 of the vacuum head 1002, which "sticks" the die of interest to the front face 1012 of the vacuum head 1002. In some embodiments, the vacuum head 1002 has a sufficient number of openings 1010 so that multiple dies can be picked and placed at one time, while in other embodiments the vacuum head 1002 has only one opening 1010 for picking and placing only one die.

Somit kann die Pick-und-Place-Robotergruppe 1000 Dies zu oder von verschiedenen Komponenten in der Integrierter-Chip-Bearbeitungsanlage befördern, sodass die Dies auf Defekte bewertet werden können und die Vorder- und Rückseite der Dies mit einer begrenzten Einwirkung von Verunreinigungen und einer begrenzten Bruchgefahr getrocknet werden können.Thus, the robotic pick-and-place assembly 1000 can convey dies to or from various components in the integrated chip processing facility so that the dies can be evaluated for defects and the front and back of the dies with limited exposure to contaminants and a limited risk of breakage can be dried.

Somit betreffen einige Ausführungsformen eine Bearbeitungsanlage zur Bearbeitung eines vereinzelten Halbleiter-Dies. Die Anlage weist eine Bewertungseinheit, eine Trocknungseinheit und eine Die-Wischstation auf. Die Bewertungseinheit ist so konfiguriert, dass sie den vereinzelten Halbleiter-Die mit einer Flüssigkeit behandelt, um Fehler in dem vereinzelten Halbleiter-Die zu erkennen. Die Trocknungseinheit ist so konfiguriert, dass sie die Flüssigkeit von einer Vorderseite des vereinzelten Halbleiter-Dies trocknet. Die Die-Wischstation weist ein saugfähiges Trocknungsgebilde auf, das so konfiguriert ist, dass es die Flüssigkeit von einer Rückseite des vereinzelten Halbleiter-Dies absorbiert, nachdem die Trocknungseinheit die Flüssigkeit von der Vorderseite des vereinzelten Halbleiter-Dies getrocknet hat.Thus, some embodiments relate to a processing tool for processing a singulated semiconductor die. The system has an evaluation unit, a drying unit and a die wiping station. The evaluation unit is configured to treat the singulated semiconductor die with a liquid to detect defects in the singulated semiconductor die. The drying unit is configured to dry the liquid from a front side of the diced semiconductor die. The die wiping station includes an absorbent drying structure configured to absorb the liquid from a back side of the singulated semiconductor die after the drying unit has dried the liquid from the front side of the singulated semiconductor die.

12 zeigt ein Verfahren 1200 zur Fehlerbehebung bei einem vereinzelten Halbleiter-Die, gemäß einigen Ausführungsformen. 12 12 shows a method 1200 for troubleshooting a singulated semiconductor die, according to some embodiments.

Das Verfahren 1200 beginnt mit dem Schritt 1202, in dem ein vereinzelter Halbleiter-Die durch ein Gehäuse einer automatischen Transport- und Trocknungsanlage in eine Innenkammer der automatischen Transport- und Trocknungsanlage geleitet wird.The method 1200 begins at step 1202, where a singulated semiconductor die is passed through a housing of an automated handling and drying system into an interior chamber of the automated handling and drying system.

Im Schritt 1204 wird der vereinzelte Halbleiter-Die mit einer Flüssigkeit behandelt, während eine akustische Rastermikroskopie an dem vereinzelten Halbleiter-Die durchgeführt wird. Auf diese Weise wird der vereinzelte Halbleiter-Die auf Defekte bewertet.In step 1204, the diced semiconductor die is treated with a liquid while performing a scanning acoustic microscopy on the diced semiconductor die. In this way, the singulated semiconductor die is evaluated for defects.

Im Schritt 1206 wird der vereinzelte Halbleiter-Die zu einem automatischen Trocknungsmodul befördert, das nur die Vorderseite des vereinzelten Halbleiter-Dies trocknet. Die Trocknung der Vorderseite kann bei einigen Ausführungsformen mit einem Blasmesser in dem automatischen Trocknungsmodul erfolgen.In step 1206, the singulated semiconductor die is conveyed to an automated drying module that dries only the front side of the singulated semiconductor die. Drying of the front side can be done with a blow knife in the automatic drying module in some embodiments.

Im Schritt 1208 wird der vereinzelte Halbleiter-Die von dem automatischen Trocknungsmodul zu einer Die-Wischstation befördert, in der nur die Rückseite des ersten Dies getrocknet wird. Die Trocknung der Rückseite des Dies kann bei einigen Ausführungsformen unter Verwendung eines saugfähigen Trocknungsgebildes, wie etwa eines staubfreien Tuchs oder eines Schwamms, in der Die-Wischstation erfolgen.In step 1208, the singulated semiconductor die is conveyed from the automated drying module to a die wiping station where only the back side of the first die is dried. Drying of the back side of the die may be accomplished using an absorbent drying structure such as a lint free cloth or sponge at the die wiping station in some embodiments.

Einige Ausführungsformen betreffen eine Bearbeitungsanlage zur Bearbeitung eines vereinzelten Halbleiter-Dies. Die Bearbeitungsanlage weist eine Bewertungseinheit auf, die so konfiguriert ist, dass sie den vereinzelten Halbleiter-Die mit einer Flüssigkeit behandelt, um Fehler in dem vereinzelten Halbleiter-Die zu erkennen. Nachdem der vereinzelte Halbleiter-Die bewertet worden ist, befindet sich die Flüssigkeit auf einer Vorder- und einer Rückseite des Halbleiter-Dies. Eine Trocknungseinheit ist so konfiguriert, dass sie die Flüssigkeit von der Vorderseite des vereinzelten Halbleiter-Dies trocknet. Eine Die-Wischstation, die ein saugfähiges Trocknungsgebilde aufweist, ist so konfiguriert, dass sie die Flüssigkeit von der Rückseite des vereinzelten Halbleiter-Dies absorbiert, nachdem die Trocknungseinheit die Flüssigkeit von der Vorderseite des vereinzelten Halbleiter-Dies getrocknet hat.Some embodiments relate to a processing tool for processing a singulated semiconductor die. The processing tool includes an evaluation unit configured to treat the singulated semiconductor die with a liquid to detect defects in the singulated semiconductor die. After the singulated semiconductor die is evaluated, the liquid is on a front and a back side of the semiconductor die. A drying unit is configured to dry the liquid from the front side of the singulated semiconductor die. A die wiping station having an absorbent drying structure is configured to absorb the liquid from the back side of the singulated semiconductor die after the drying unit has dried the liquid from the front side of the singulated semiconductor die.

Andere Ausführungsformen betreffen eine Integrierter-Chip-Bearbeitungsanlage zum Bearbeiten eines vereinzelten Halbleiter-Dies. Die Bearbeitungsanlage weist ein erstes Gehäuse auf, das eine erste Kammer umgibt. In der ersten Kammer ist eine Bewertungseinheit angeordnet, die so konfiguriert ist, dass sie den vereinzelten Halbleiter-Die mit einer Flüssigkeit behandelt, um Fehler in dem vereinzelten Halbleiter-Die zu erkennen. Eine automatische Transport- und Trocknungsanlage weist ein zweites Gehäuse auf, das eine zweite Kammer umgibt. Eine Lade-/Entladestation ist so konfiguriert, dass sie ein Die-Magazin durch das zweite Gehäuse empfängt, wobei das Die-Magazin mehrere vereinzelte Halbleiter-Dies festhält, die den vereinzelten Halbleiter-Die umfassen. Ein Kanal verläuft durch das erste Gehäuse und das zweite Gehäuse und verbindet selektiv die erste Kammer mit der zweiten Kammer. Ein mehrachsiger Roboter ist so konfiguriert, dass er eine Teilmenge der mehreren vereinzelten Halbleiter-Dies aufnimmt und die Teilmenge der mehreren vereinzelten Halbleiter-Dies von der zweiten Kammer durch den Kanal zu der ersten Kammer befördert, um die Teilmenge der mehreren vereinzelten Halbleiter-Dies mit der Bewertungseinheit zu bewerten. Der mehrachsige Roboter ist weiterhin so konfiguriert, dass er die Teilmenge der mehreren vereinzelten Halbleiter-Dies zu einer Trocknungseinheit befördert, die eine Vorderseite der vereinzelten Halbleiter-Dies trocknet, nachdem die Teilmenge der mehreren Halbleiter-Dies von der Bewertungseinheit bewertet worden ist.Other embodiments relate to an integrated chip processing tool for processing a singulated semiconductor die. The processing tool includes a first housing that encloses a first chamber. An evaluation unit is disposed in the first chamber and is configured to treat the singulated semiconductor die with a liquid to detect defects in the singulated semiconductor die. An automatic transport and drying system has a second housing that encloses a second chamber. A load/unload station is configured to receive a die magazine through the second housing, the die magazine holding a plurality of singulated semiconductor dies including the singulated semiconductor die. A passage extends through the first housing and the second housing and selectively connects the first chamber with the second chamber. A multi-axis robot is configured to pick up a subset of the plurality of singulated semiconductor dies and transport the subset of the plurality of singulated semiconductor dies from the second chamber through the channel to the first chamber to carry the subset of the plurality of singulated semiconductor dies to evaluate the evaluation unit. The multi-axis robot is further configured to convey the subset of the plurality of singulated semiconductor dice to a drying unit, which dries a front side of the singulated semiconductor dice after the subset of the plurality of semiconductor dice is evaluated by the evaluation unit.

Noch weitere Ausführungsformen betreffen ein Verfahren zum Bearbeiten mehrerer IC-Dies. Bei diesem Verfahren wird ein vereinzelter Halbleiter-Die durch ein Gehäuse einer automatischen Transport- und Trocknungsanlage in eine Innenkammer der automatischen Transport- und Trocknungsanlage geleitet. Der vereinzelte Halbleiter-Die wird mit einer Flüssigkeit behandelt, während eine akustische Rastermikroskopie an dem vereinzelten Halbleiter-Die durchgeführt wird, um ihn auf Fehler zu bewerten. Die Flüssigkeit verbleibt nach der Bewertung auf einer Oberseite und einer Unterseite des vereinzelten Halbleiter-Dies. Der vereinzelte Halbleiter-Die wird zu einem automatischen Trocknungsmodul befördert, das nur die Vorderseite des vereinzelten Halbleiter-Dies trocknet. Der vereinzelte Halbleiter-Die wird von dem automatischen Trocknungsmodul zu einer Die-Wischstation befördert, die nur die Rückseite des ersten Dies trocknet.Still other embodiments relate to a method for processing multiple IC dies. In this method, a singulated semiconductor die is guided through a housing of an automatic transport and drying system into an inner chamber of the automatic transport and drying system. The singulated semiconductor die is treated with a liquid while scanning acoustic microscopy is performed on the singulated semiconductor die to evaluate for defects. After the evaluation, the liquid remains on an upper side and a lower side of the singulated semiconductor die. The singulated semiconductor die is conveyed to an automated drying module that only dries the front side of the singulated semiconductor die. The singulated semiconductor die is conveyed from the automated drying module to a die wiping station which only dries the backside of the first die.

Claims (20)

Bearbeitungsanlage (100, 400) zum Bearbeiten eines vereinzelten Halbleiter-Dies (110), mit: einer Bewertungseinheit (102, 408), die so konfiguriert ist, dass sie den vereinzelten Halbleiter-Die (110) mit einer Flüssigkeit (114) behandelt, um Fehler in dem vereinzelten Halbleiter-Die (110) zu erkennen, wobei sich die Flüssigkeit (114) auf einer Vorder- und einer Rückseite des Halbleiter-Dies (110) befindet, nachdem der vereinzelte Halbleiter-Die (110) bewertet worden ist; einer Trocknungseinheit (104,432, 900), die so konfiguriert ist, dass sie die Flüssigkeit (114) von der Vorderseite des vereinzelten Halbleiter-Dies (110) trocknet; und einer Die-Wischstation (106, 430) mit einem saugfähigen Trocknungsgebilde (308), das so konfiguriert ist, dass es die Flüssigkeit (114) von der Rückseite des vereinzelten Halbleiter-Dies (110) absorbiert, nachdem die Trocknungseinheit (104, 432, 900) die Flüssigkeit (114) von der Vorderseite des vereinzelten Halbleiter-Dies (110) getrocknet hat.Processing system (100, 400) for processing an isolated semiconductor die (110), with: an evaluation unit (102, 408) configured to treat the singulated semiconductor die (110) with a liquid (114) to detect defects in the singulated semiconductor die (110), the liquid ( 114) located on a front and a back side of the semiconductor die (110) after the singulated semiconductor die (110) has been evaluated; a drying unit (104,432,900) configured to dry the liquid (114) from the front side of the singulated semiconductor die (110); and a die wiping station (106, 430) having an absorbent drying structure (308) configured to absorb the liquid (114) from the backside of the singulated semiconductor die (110) after the drying unit (104, 432, 900) has dried the liquid (114) from the front side of the singulated semiconductor die (110). Bearbeitungsanlage (100, 400) nach Anspruch 1, wobei die Die-Wischstation (106, 430) Folgendes aufweist: ein Plattenmodul (306) mit einem mittleren Plattenbereich (312) und einem peripheren Plattenbereich (314), wobei sich äußere Seitenwände (316) von dem peripheren Plattenbereich (314) nach oben erstrecken, sodass eine Oberseite des mittleren Plattenbereichs (312) gegenüber oberen Bereichen der äußeren Seitenwände (316) vertieft ist; und ein Tuch oder einen Schwamm, das/der dem saugfähigen Trocknungsgebilde (308) entspricht und auf dem mittleren Plattenbereich (312) angeordnet ist und seitlich von den äußeren Seitenwänden (316) begrenzt wird.Processing plant (100, 400) according to claim 1 wherein the die wiping station (106, 430) comprises: a panel module (306) having a central panel area (312) and a peripheral panel area (314), outer side walls (316) extending upwardly from the peripheral panel area (314). extend such that a top of the center panel portion (312) is recessed from upper portions of the outer sidewalls (316); and a towel or sponge corresponding to the absorbent drying structure (308) disposed on the central panel portion (312) and bounded laterally by the outer side walls (316). Bearbeitungsanlage (100, 400) nach Anspruch 2, wobei die Die-Wischstation (106, 430) Folgendes aufweist: eine Tragstruktur, die eine im Wesentlichen planare Platte (302), die so konfiguriert ist, dass sie ein Die-Magazin (202, 600) aufnimmt, und mehrere Füße (304) hat, die die im Wesentlichen planare Platte (302) abstützen, wobei ein äußerer Rand des peripheren Plattenbereichs (314) mit einer Außenkante der im Wesentlichen planaren Platte (302) zusammentrifft.Processing plant (100, 400) according to claim 2 , the die wiping station (106, 430) comprising: a support structure including a substantially planar platen (302) configured to receive a die magazine (202, 600), and a plurality of feet (304 ) supporting the substantially planar panel (302), with an outer edge of the peripheral panel region (314) meeting an outer edge of the substantially planar panel (302). Bearbeitungsanlage (100, 400) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Bewertungseinheit (102, 408) Folgendes aufweist: einen Behälter (112), der so konfiguriert ist, dass er die Flüssigkeit (114) enthält, sodass der vereinzelte Halbleiter-Die (110) in dem Behälter (112) aufgenommen und in die Flüssigkeit (114) eingetaucht werden kann; einen Schall- oder Ultraschallenergie-Generator (116), der so konfiguriert ist, dass er eine Druckwelle durch die Flüssigkeit (114) so erzeugt, dass sie auf den vereinzelten Halbleiter-Die (110) auftrifft; und eine Bewertungslogik (118), die so konfiguriert ist, dass sie eine reflektierte Druckwelle, die auf einer Wechselwirkung der Druckwelle mit dem vereinzelten Halbleiter-Die (110) beruht, empfängt, und die weiterhin so konfiguriert ist, dass sie Fehler in dem vereinzelten Halbleiter-Die (110) auf Grund der reflektierten Druckwelle erkennt.Processing system (100, 400) according to any one of the preceding claims, wherein the evaluation unit (102, 408) comprises: a container (112) configured to contain the liquid (114) such that the singulated semiconductor die (110) can be received in the container (112) and immersed in the liquid (114); a sonic or ultrasonic energy generator (116) configured to generate a pressure wave through the liquid (114) to impinge on the singulated semiconductor die (110); and evaluation logic (118) configured to receive a reflected pressure wave resulting from interaction of the pressure wave with the singulated semiconductor die (110) and further configured to detect defects in the singulated semiconductor -The (110) detects due to the reflected pressure wave. Bearbeitungsanlage (100, 400) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die weiterhin Folgendes aufweist: einen mehrachsigen Roboter (422), der so konfiguriert ist, dass er den vereinzelten Halbleiter-Die (110) aufnimmt, nachdem der vereinzelte Halbleiter-Die (110) mit der Bewertungseinheit (102, 408) bewertet worden ist, und der weiterhin so konfiguriert ist, dass er den vereinzelten Halbleiter-Die (110) zu der Trocknungseinheit (104, 432, 900) befördert und ihn anschließend von der Trocknungseinheit (104, 432, 900) zu der Die-Wischstation (106, 430) befördert.Processing equipment (100, 400) according to any one of the preceding claims, further comprising: a multi-axis robot (422) configured to pick up the singulated semiconductor die (110) after the singulated semiconductor die (110) has been evaluated with the evaluation unit (102, 408) and further configured to do so is that it conveys the singulated semiconductor die (110) to the drying unit (104, 432, 900) and then conveys it from the drying unit (104, 432, 900) to the die wiping station (106, 430). Bearbeitungsanlage (100,400) nach Anspruch 5, wobei der mehrachsige Roboter (422) so konfiguriert ist, dass er den vereinzelten Halbleiter-Die (110) zu der Die-Wischstation (106, 430) befördert, um die Rückseite des vereinzelten Halbleiter-Dies (110) mittels des saugfähigen Trocknungsgebildes (308) zu trocknen, nachdem die Flüssigkeit (114) von der Vorderseite des vereinzelten Halbleiter-Dies (110) getrocknet worden ist.Machining Plant (100,400) to claim 5 , wherein the multi-axis robot (422) is configured to convey the singulated semiconductor die (110) to the die wiping station (106, 430) to wipe the backside of the singulated semiconductor die (110) by means of the absorbent drying structure ( 308) after drying the liquid (114) from the front side of the singulated semiconductor die (110). Bearbeitungsanlage (100, 400) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Trocknungseinheit (104, 432, 900) und die Die-Wischstation (106, 430) von einer ersten Kammer (412c) umschlossen sind und die Bewertungseinheit (102, 408) von einer zweiten Kammer (412a, 412b) umschlossen ist, die mit der ersten Kammer (412c) über einen Transportkanal funktionsfähig verbunden ist, der zwischen einer Seitenwand der ersten Kammer (412c) und einer Seitenwand der zweiten Kammer (412a, 412b) verläuft.Processing system (100, 400) according to any one of the preceding claims, wherein the drying unit (104, 432, 900) and the die wiping station (106, 430) are enclosed by a first chamber (412c) and the evaluation unit (102, 408) of a second chamber (412a, 412b) operatively connected to the first chamber (412c) via a transport channel extending between a side wall of the first chamber (412c) and a side wall of the second chamber (412a, 412b). Bearbeitungsanlage (100, 400) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Trocknungseinheit (104, 432, 900) Folgendes aufweist: ein Die-Magazin (202, 600), das mehrere Vertiefungen aufweist, die jeweils zum Halten eines einzelnen vereinzelten Halbleiter-Dies (110) geeignet sind; eine Transportschiene (206, 906), die so konfiguriert ist, dass sie das Die-Magazin (202, 600) von einer Ladeposition (208, 908) auf der Transportschiene (206, 906) zu einer Trocknungsposition (210, 910) auf der Transportschiene (206, 906) gleitend befördert; und ein Blasmesser (220), das über der Transportschiene (206, 906) angeordnet ist und so konfiguriert ist, dass es Flüssigkeit (114) von Oberseiten des einzelnen vereinzelten Halbleiter-Dies (110) bläst, wenn sich das Die-Magazin (202, 600) gleitend von der Ladeposition (208, 908) auf der Transportschiene (206, 906) zu der Trocknungsposition (210, 910) auf der Transportschiene (206, 906) bewegt.Processing plant (100, 400) according to any one of the preceding claims, wherein the drying unit (104, 432, 900) comprises: a die magazine (202, 600) having a plurality of cavities each suitable for holding a single singulated semiconductor die (110); a transport rail (206, 906) configured to move the die magazine (202, 600) from a loading position (208, 908) on the transport rail (206, 906) to a drying position (210, 910) on the transport rail (206, 906) slidably conveyed; and a blow knife (220) positioned above the transport rail (206, 906) and configured to blow liquid (114) from tops of the single singulated semiconductor die (110) as the die magazine (202, 600) is slidably moved from the loading position (208, 908) on the transport rail (206, 906) to the drying position (210, 910) on the transport rail (206, 906). Verfahren (1200) zum Bearbeiten mehrerer IC-Dies (110), mit den folgenden Schritten: Leiten (1202) eines vereinzelten Halbleiter-Dies (110) durch ein Gehäuse (410) einer Integrierter-Schaltkreis-Bearbeitungsanlage (100, 400) und in eine Innenkammer (412) der Integrierter-Schaltkreis-Bearbeitungsanlage (100,400); Behandeln (1204) des vereinzelten Halbleiter-Dies (110) mit einer Flüssigkeit (114), während eine akustische Rastermikroskopie an dem vereinzelten Halbleiter-Die (110) durchgeführt wird, um ihn auf Fehler zu bewerten, wobei die Flüssigkeit (114) nach der Bewertung auf einer Oberseite und einer Unterseite des vereinzelten Halbleiter-Dies (110) verbleibt; Befördern (1206) des vereinzelten Halbleiter-Dies (110) zu einer Trocknungsstation (104,432, 900), die nur die Vorderseite des vereinzelten Halbleiter-Dies (110) trocknet; und Befördern (1208) des vereinzelten Halbleiter-Dies (110) von der Trocknungsstation (104, 432, 900) zu einer Die-Wischstation (106, 430), die nur die Rückseite des vereinzelten Halbleiter-Dies (110) trocknet.A method (1200) for editing multiple IC dies (110), comprising the steps of: routing (1202) a singulated semiconductor die (110) through a housing (410) of an integrated circuit processing tool (100, 400) and into an internal chamber (412) of the integrated circuit processing tool (100, 400); Treating (1204) the singulated semiconductor die (110) with a liquid (114) while performing a scanning acoustic microscopy on the singulated semiconductor die (110) to evaluate it for defects, the liquid (114) after the evaluation remains on a top and a bottom of the singulated semiconductor die (110); conveying (1206) the singulated semiconductor die (110) to a drying station (104,432,900) which dries only the front side of the singulated semiconductor die (110); and conveying (1208) the singulated semiconductor die (110) from the drying station (104, 432, 900) to a die wiping station (106, 430) which dries only the back side of the singulated semiconductor die (110). Verfahren (1200) nach Anspruch 9, wobei der vereinzelte Halbleiter-Die (110) auf einem ersten Die-Magazin (600a) zusammen mit mehreren anderen vereinzelten Halbleiter-Dies (110) angeordnet ist, wenn er durch das Gehäuse (410) geleitet wird.Method (1200) according to claim 9 wherein the singulated semiconductor die (110) is placed on a first die magazine (600a) along with a plurality of other singulated semiconductor dies (110) when passed through the package (410). Verfahren (1200) nach Anspruch 10, das weiterhin Folgendes umfasst: nachdem das erste Die-Magazin (600a) durch das Gehäuse (410) geleitet worden ist, Einführen des ersten Die-Magazins (600a) in eine Lade-/Entladestation (424, 700) in dem Gehäuse (410), wobei die Lade-/Entladestation (424, 700) so konfiguriert ist, dass sie mehrere Die-Magazine (600) aufnimmt, die übereinander gestapelt sind; Befördern des ersten Die-Magazins (600a) von der Lade-/Entladestation (424, 700) zu einer Die-Magazinstation (426) in dem Gehäuse (410) mittels eines Förderers (427); und Verwenden einer Pick-und-Place-Robotergruppe (108, 1000) zum Befördern des vereinzelten Halbleiter-Dies (110) und der mehreren anderen vereinzelten Halbleiter-Dies (110) von der Die-Magazinstation (426) zu einem akustischen Rastermikroskop (102,408), an dem die akustische Rastermikroskopie durchgeführt wird.Method (1200) according to claim 10 , further comprising: after passing the first die magazine (600a) through the housing (410), inserting the first die magazine (600a) into a load/unload station (424, 700) in the housing (410 ), wherein the load/unload station (424, 700) is configured to receive a plurality of die magazines (600) stacked on top of each other; conveying the first die magazine (600a) from the loading/unloading station (424, 700) to a die magazine station (426) in the housing (410) by a conveyor (427); and using a pick and place robotic assembly (108, 1000) to convey the singulated semiconductor die (110) and the plurality of other singulated semiconductor dies (110) from the die hopper station (426) to a scanning acoustic microscope (102,408 ) on which the acoustic scanning microscopy is performed. Verfahren (1200) nach Anspruch 11, wobei die Trocknungsstation (104, 432, 900) und die Die-Wischstation (106, 430) von einer ersten Kammer (412c) umschlossen sind und das akustische Rastermikroskop (102, 408) von einer zweiten Kammer (412a, 412b) umschlossen ist, die mit der ersten Kammer (412c) über einen Transportkanal funktionsfähig verbunden ist, der zwischen einer Seitenwand der ersten Kammer (412c) und einer Seitenwand der zweiten Kammer (412a, 412b) verläuft.Method (1200) according to claim 11 wherein the drying station (104, 432, 900) and the die wiping station (106, 430) are enclosed by a first chamber (412c) and the scanning acoustic microscope (102, 408) is enclosed by a second chamber (412a, 412b). operatively connected to the first chamber (412c) via a transport channel extending between a side wall of the first chamber (412c) and a side wall of the second chamber (412a, 412b). Verfahren (1200) nach einem der Ansprüche 9 bis 12, wobei die Die-Wischstation (106, 430) Folgendes aufweist: ein Plattenmodul (306) mit einem mittleren Plattenbereich (312) und einem peripheren Plattenbereich (314), wobei sich äußere Seitenwände (316) von dem peripheren Plattenbereich (314) nach oben erstrecken, sodass eine Oberseite des mittleren Plattenbereichs (312) gegenüber oberen Bereichen der äußeren Seitenwände (316) vertieft ist; und ein saugfähiges Trocknungsgebilde (308), das auf dem mittleren Plattenbereich (312) angeordnet ist und seitlich von den äußeren Seitenwänden (316) begrenzt wird.Method (1200) according to any one of claims 9 until 12 wherein the die wiping station (106, 430) comprises: a panel module (306) having a central panel area (312) and a peripheral panel area (314), outer side walls (316) extending upwardly from the peripheral panel area (314). extend such that a top of the center panel portion (312) is recessed from upper portions of the outer sidewalls (316); and an absorbent drying structure (308) disposed on the central panel portion (312) and bounded laterally by the outer sidewalls (316). Verfahren (1200) nach Anspruch 13, wobei die Die-Wischstation (106, 430) Folgendes aufweist: eine Tragstruktur, die eine im Wesentlichen planare Platte (302), die so konfiguriert ist, dass sie ein Die-Magazin (202, 600) aufnimmt, und mehrere Füße (304) hat, die die im Wesentlichen planare Platte (302) abstützen, wobei ein äußerer Rand des peripheren Plattenbereichs (314) mit einer Außenkante der im Wesentlichen planaren Platte (302) zusammentrifft.Method (1200) according to Claim 13 , the die wiping station (106, 430) comprising: a support structure including a substantially planar platen (302) configured to receive a die magazine (202, 600), and a plurality of feet (304 ) supporting the substantially planar panel (302), with an outer edge of the peripheral panel region (314) meeting an outer edge of the substantially planar panel (302). Verfahren (1200) nach einem der Ansprüche 9 bis 14, wobei die Trocknungsstation (104,432, 900) Folgendes aufweist: eine Transportschiene (206, 906), die so konfiguriert ist, dass sie ein Die-Magazin (202, 600), das den vereinzelten Halbleiter-Die (110) aufbewahrt, von einer Ladeposition (208, 908) auf der Transportschiene (206, 906) zu einer Trocknungsposition (210, 910) auf der Transportschiene (206, 906) gleitend befördert; und ein Blasmesser (220), das über der Transportschiene (206, 906) angeordnet ist und so konfiguriert ist, dass es Flüssigkeit (114) von einer Oberseite des einzelnen vereinzelten Halbleiter-Dies (110) bläst, wenn der vereinzelte Halbleiter-Die (110) in dem Die-Magazin (202, 600) gehalten wird.Method (1200) according to any one of claims 9 until 14 wherein the drying station (104,432,900) comprises: a transport rail (206,906) configured to receive a die magazine (202,600) storing the singulated semiconductor die (110) from a sliding a loading position (208, 908) on the transport rail (206, 906) to a drying position (210, 910) on the transport rail (206, 906); and a blow knife (220) disposed above the transport bar (206, 906) and configured to blow liquid (114) from a top of the single diced semiconductor die (110) when the diced semiconductor die ( 110) is held in the die magazine (202, 600). Integrierter-Chip-Bearbeitungsanlage (100, 400) zum Bearbeiten eines vereinzelten Halbleiter-Dies (110), die Folgendes aufweist: eine Bearbeitungsanlage (402, 404) mit: einem ersten Gehäuse (410a, 410b), das eine erste Kammer (412a, 412b) umgibt, und einer Bewertungseinheit (102, 408), die in der ersten Kammer (412a, 412b) angeordnet ist und so konfiguriert ist, dass sie den vereinzelten Halbleiter-Die (110) mit einer Flüssigkeit (114) behandelt, um Fehler in dem vereinzelten Halbleiter-Die (110) zu erkennen; und eine automatische Transport- und Trocknungsanlage (406) mit: einem zweiten Gehäuse (410c), das eine zweite Kammer (412c) umgibt, einer Lade-/Entladestation (424, 700), die so konfiguriert ist, dass sie ein Die-Magazin (202, 600) durch das zweite Gehäuse (410c) empfängt, wobei das Die-Magazin (202, 600) mehrere vereinzelte Halbleiter-Dies (110) enthält, die den vereinzelten Halbleiter-Die (110) umfassen, einem Kanal, der durch das erste Gehäuse (410a, 410b) und das zweite Gehäuse (410c) verläuft, wobei der Kanal die erste Kammer (412a, 412b) mit der zweiten Kammer (412c) selektiv verbindet, und einem mehrachsigen Roboter (422), der so konfiguriert ist, dass er eine Teilmenge der mehreren vereinzelten Halbleiter-Dies (110) aufnimmt und die Teilmenge der mehreren vereinzelten Halbleiter-Dies (110) von der zweiten Kammer (412c) durch den Kanal zu der ersten Kammer (412a, 412b) befördert, um die Teilmenge der mehreren vereinzelten Halbleiter-Dies (110) mit der Bewertungseinheit (102,408) zu bewerten, und der weiterhin so konfiguriert ist, dass er die Teilmenge der mehreren vereinzelten Halbleiter-Dies (110) zu einer Trocknungseinheit (104, 432, 900) befördert, die eine Vorderseite der vereinzelten Halbleiter-Dies (110) trocknet, nachdem die Teilmenge der mehreren Halbleiter-Dies (110) von der Bewertungseinheit (102, 408) bewertet worden ist.Integrated chip processing equipment (100, 400) for processing a singulated semiconductor die (110), comprising: a processing plant (402, 404) with: a first housing (410a, 410b) surrounding a first chamber (412a, 412b), and an evaluation unit (102, 408) disposed in the first chamber (412a, 412b) and configured to treat the singulated semiconductor die (110) with a liquid (114) to detect defects in the singulated semiconductor die to recognize the (110); and an automatic transport and drying system (406) with: a second housing (410c) surrounding a second chamber (412c), a load/unload station (424, 700) configured to receive a die magazine (202, 600) through the second housing (410c), the die magazine (202, 600) containing a plurality of singulated semiconductor This (110) contains, which comprise the singulated semiconductor die (110), a channel passing through the first housing (410a, 410b) and the second housing (410c), the channel selectively connecting the first chamber (412a, 412b) to the second chamber (412c), and a multi-axis robot (422) configured to pick up a subset of the plurality of singulated semiconductor dies (110) and to move the subset of the plurality of singulated semiconductor dies (110) from the second chamber (412c) through the channel to the conveyed to the first chamber (412a, 412b) to evaluate the subset of the plurality of singulated semiconductor dies (110) with the evaluation unit (102,408), and further configured to evaluate the subset of the plurality of singulated semiconductor dies (110) conveyed to a drying unit (104, 432, 900) that dries a front side of the singulated semiconductor dice (110) after the subset of the plurality of semiconductor dice (110) has been evaluated by the evaluation unit (102, 408). Integrierter-Chip-Bearbeitungsanlage (100, 400) nach Anspruch 16, wobei der mehrachsige Roboter (422) weiterhin so konfiguriert ist, dass er nach dem Trocknen der Vorderseite des vereinzelten Halbleiter-Dies (110) den vereinzelten Halbleiter-Die (110) zu einer Die-Wischstation (106, 430) in der ersten Kammer (412a, 412b) befördert, in der die Rückseite des vereinzelten Halbleiter-Dies (110) getrocknet wird.Integrated chip processing equipment (100, 400) after Claim 16 wherein the multi-axis robot (422) is further configured to, after drying the front side of the singulated semiconductor die (110), transfer the singulated semiconductor die (110) to a die wiping station (106, 430) in the first chamber (412a, 412b) conveyed, in which the rear side of the isolated semiconductor die (110) is dried. Integrierter-Chip-Bearbeitungsanlage (100, 400) nach Anspruch 17, wobei die Die-Wischstation (106, 430) Folgendes aufweist: eine Tragstruktur, die eine im Wesentlichen planare Platte (302), auf der ein Die-Magazin (202, 600) aufgenommen wird, und mehrere Füße (304) hat, die die im Wesentlichen planare Platte (302) abstützen; und ein Plattenmodul (306) an einem Rand der im Wesentlichen planaren Platte (302), wobei das Plattenmodul (306) eine Vertiefung hat, die seitlich von einer Seitenwand (316) begrenzt wird, wobei die Vertiefung so dimensioniert ist, dass sie einen einzelnen vereinzelten Halbleiter-Die (110) festhält, und eine Unterseite des Plattenmoduls (306) eine Öffnung in einem unteren Teil der Vertiefung aufweist.Integrated chip processing equipment (100, 400) after Claim 17 wherein the die wiping station (106, 430) comprises: a support structure having a substantially planar platen (302) on which a die magazine (202, 600) is received, and a plurality of feet (304) that supporting the substantially planar plate (302); and a panel module (306) at an edge of the substantially planar panel (302), the panel module (306) having a cavity bounded laterally by a sidewall (316), the cavity being sized to accommodate a single singulated semiconductor die (110), and an underside of the disk module (306) has an opening in a lower part of the cavity. Integrierter-Chip-Bearbeitungsanlage (100,400) nach einem der Ansprüche 16 bis 18, wobei die automatische Transport- und Trocknungsanlage (406) Folgendes aufweist: ein Die-Magazin (202, 600), das mehrere Vertiefungen aufweist, die jeweils zum Halten eines einzelnen vereinzelten Halbleiter-Dies (110) geeignet sind; eine Transportschiene (206, 906), die so konfiguriert ist, dass sie das Die-Magazin (202, 600) von einer Ladeposition (208, 908) auf der Transportschiene (206, 906) zu einer Trocknungsposition (210, 910) auf der Transportschiene (206, 906) gleitend befördert; und ein Blasmesser (220), das über der Transportschiene (206, 906) angeordnet ist und so konfiguriert ist, dass es Flüssigkeit (114) von Oberseiten der Halbleiter-Dies (110) bläst, wenn die Halbleiter-Dies (110) in dem Die-Magazin (202, 600) gehalten werden, wenn das Die-Magazin (202, 600) die Halbleiter-Dies (110) von der Ladeposition (208, 908) auf der Transportschiene (206, 906) zu der Trocknungsposition (210, 910) auf der Transportschiene (206, 906) gleitend befördert.Integrated chip processing system (100,400) according to one of Claims 16 until 18 wherein the automatic transport and drying system (406) comprises: a die magazine (202, 600) having a plurality of cavities each suitable for holding a single singulated semiconductor die (110); a transport rail (206, 906) configured to move the die magazine (202, 600) from a loading position (208, 908) on the transport rail (206, 906) to a drying position (210, 910) on the transport rail (206, 906) slidably conveyed; and a blow knife (220) disposed above the transport rail (206, 906) and configured to blow liquid (114) from tops of the semiconductor dies (110) when the semiconductor dies (110) are in the Die magazine (202, 600) are held when the die magazine (202, 600) transports the semiconductor dies (110) from the loading position (208, 908) on the transport rail (206, 906) to the drying position (210, 910) slidably conveyed on the transport rail (206, 906). Integrierter-Chip-Bearbeitungsanlage (100,400) nach einem der Ansprüche 16 bis 19, wobei die Bewertungseinheit (102, 408) Folgendes aufweist: einen Behälter (112), der so konfiguriert ist, dass er die Flüssigkeit (114) enthält, sodass der vereinzelte Halbleiter-Die (110) in dem Behälter (112) aufgenommen und in die Flüssigkeit (114) eingetaucht werden kann; einen Schallenergie-Generator (116), der so konfiguriert ist, dass er eine Druckwelle durch die Flüssigkeit (114) so erzeugt, dass sie auf den vereinzelten Halbleiter-Die (110) auftrifft; und eine Bewertungslogik (118), die so konfiguriert ist, dass sie eine reflektierte Druckwelle, die auf einer Wechselwirkung der Druckwelle mit dem vereinzelten Halbleiter-Die (110) beruht, empfängt, und die weiterhin so konfiguriert ist, dass sie Fehler in dem vereinzelten Halbleiter-Die (110) auf Grund der reflektierten Druckwelle erkennt.Integrated chip processing system (100,400) according to one of Claims 16 until 19 , wherein the evaluation unit (102, 408) comprises: a container (112) configured to contain the liquid (114) such that the singulated semiconductor die (110) is received in the container (112) and placed in the liquid (114) can be immersed; an acoustic energy generator (116) configured to generate a pressure wave through the liquid (114) to impinge on the singulated semiconductor die (110); and evaluation logic (118) configured to receive a reflected pressure wave resulting from an interaction of the pressure wave with the singulated semiconductor die (110) and further configured to detect defects in the singulated Semiconductor Die (110) detects due to the reflected pressure wave.
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