DE102018008439A1 - Series connection and method for series connection between a first and an adjacent second electrical component - Google Patents
Series connection and method for series connection between a first and an adjacent second electrical component Download PDFInfo
- Publication number
- DE102018008439A1 DE102018008439A1 DE102018008439.7A DE102018008439A DE102018008439A1 DE 102018008439 A1 DE102018008439 A1 DE 102018008439A1 DE 102018008439 A DE102018008439 A DE 102018008439A DE 102018008439 A1 DE102018008439 A1 DE 102018008439A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- contact layer
- component
- series connection
- contact
- components
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 12
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 12
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000011049 pearl Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0465—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0463—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Reihenverschaltung (10) und ein Verfahren zur Herstellung einer Reihenverschaltung (10), wobei die Kontaktierung benachbarten Solarzellen miteinander verschränkend ausgebildet ist. Damit können die Dimensionen der Bauelementen (14a, 14b, 14c) deutlich vergrößert werden, ohne dass dies negative Auswirkungen auf die elektrischen Parameter hat. Insbesondere kann damit zum einen die Breite der Solarzellen (14a, 14b, 14c) wesentlich vergrößert werden, so dass die durch die Solarzellentrennung bedingten Totflächen verringert werden können. Zum anderen werden die Serienwiederstände weiter verringert, da der Stromweg durch die jeweilige Zelle (14a, 14b, 14c) noch weiter herabgesetzt wird. The present invention relates to a series connection (10) and a method for producing a series connection (10), wherein the contacting of adjacent solar cells is designed to be entangled with one another. Thus, the dimensions of the components (14a, 14b, 14c) can be significantly increased, without this having a negative impact on the electrical parameters. In particular, on the one hand, the width of the solar cells (14a, 14b, 14c) can thus be substantially increased, so that the dead areas caused by the solar cell separation can be reduced. On the other hand, the series resistances are further reduced because the current path through the respective cell (14a, 14b, 14c) is reduced even further.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Reihenverschaltung nach dem Oberbegriff von Anspruch 1 und ein Verfahren zur Herstellung einer Reihenverschaltung nach dem Oberbegriff von Anspruch 8.The present invention relates to a series connection according to the preamble of
Reihenverschaltungen werden zwischen elektrischen Bauelementen üblicherweise verwendet, um Leitungsverluste gering zu halten und bei Bauelementen zur Stromerzeugung die Spannung aufzusummieren.Series interconnections are commonly used between electrical devices to minimize line losses and to add voltage to power generation devices.
Reihenverschaltungen werden beispielsweise im Zusammenhang mit photovoltaischen Vorrichtungen eingesetzt. Solche photovoltaischen Vorrichtungen bestehen üblicherweise aus einer Vielzahl von Solarzellen jeweils mit zumindest einer optisch aktiven Schicht, die mit einander verschaltet sind. Dabei wird die Kontaktschicht auf der Lichteintrittsseite vorzugsweise als transparente leitende Schicht (TCO) ausgebildet, die allerdings dennoch eine vergleichsweise schlechte Leitfähigkeit besitzt, um eine möglichst hohe Lichttransmission zu ermöglichen. Häufig wird daher eine Reihenverschaltung gewählt, um widerstandsbedingte Leistungsverluste klein zu halten. Dadurch wird der Strom einseitig in die jeweilige Solarzelle eingebracht.Series connections are used, for example, in connection with photovoltaic devices. Such photovoltaic devices usually consist of a plurality of solar cells each having at least one optically active layer, which are interconnected with each other. In this case, the contact layer on the light entry side is preferably formed as a transparent conductive layer (TCO), which, however, still has a comparatively poor conductivity in order to allow the highest possible light transmission. Frequently, therefore, a series connection is chosen to keep resistance-related power losses small. As a result, the current is introduced on one side into the respective solar cell.
Eine solche Reihenverschaltung zwischen Solarzellen kann durch eine Prozessführung mit drei unterschiedlichen Strukturierungschritten P1, P2, P3, beispielsweise in Form von LASER-Strukturierungslinien, erzielt werden. Im Rahmen eines sogenannten Superstrataufbaues der Solarzelle wird dabei beispielsweise in dem ersten Strukturierungsschritt (P1) die TCO-Schicht, die als Frontkontaktschicht wirkt, durchtrennt. In dem zweiten Strukturierungsschritt (P2) wird zwischen Frontkontakt- und Rückkontaktschicht eine Öffnung und anschließende Verbindung hergestellt und in dem dritten Strukturierungsschritt (P3) wird die Rückkontaktschicht durchtrennt, so dass die monolithisch ausgebildeten Schichten eine erste und eine zweite benachbart angeordnete Solarzelle innerhalb einer photovoltaischen Vorrichtung (Solarmodul) bilden, wobei der Frontkontakt der einen Solarzelle mit dem Rückkontakt der benachbarten Solarzelle verbunden sind, der Rückkontakt der einen jedoch elektrisch isoliert von dem Frontkontakt der anderen Solarzelle ausgebildet ist.Such a series connection between solar cells can be achieved by a process control with three different structuring steps P1, P2, P3, for example in the form of LASER structuring lines. In the context of a so-called superstrate construction of the solar cell, the TCO layer, which acts as a front contact layer, is severed, for example, in the first structuring step (P1). In the second patterning step (P2), an opening and subsequent connection is made between the front contact and back contact layers, and in the third structuring step (P3), the back contact layer is severed such that the monolithically formed layers comprise a first and a second adjacent solar cell within a photovoltaic device Form (solar module), wherein the front contact of a solar cell to the back contact of the adjacent solar cell are connected, the back contact of the one, however, is formed electrically isolated from the front contact of the other solar cell.
Mit diesem Konzept sind allerdings Nachteile verbunden. Zum einen hat die unsymmetrische Stromeinbringung einen negativen Einfluss auf die Verlustleitung (P = R × I2). Zum anderen steht die Fläche zwischen den P1- und P3-Strukturierungslinien nicht der Ladungsträgergeneration zur Verfügung. Außerdem führt die Reihenverschaltung der Einzelzellen zu unerwünscht hohen Arbeitsspannungen, die durch komplexe parallele Schaltungen kompensiert werden müssen, wobei diese Verschaltungen aufgrund passiver Kontaktierungszellen weitere Wirkungsgradverluste bewirken.However, there are disadvantages with this concept. On the one hand, the asymmetrical current injection has a negative influence on the leakage line (P = R × I 2 ). On the other hand, the area between the P1 and P3 structuring lines is not available to the charge carrier generation. In addition, the series connection of the individual cells leads to undesirably high operating voltages, which must be compensated by complex parallel circuits, which interconnections cause further efficiency losses due to passive contacting cells.
Zur Verbesserung wurde in der
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, Reihenverschaltungen zwischen beliebigen elektrischen Bauelementen mit sehr guten elektrischen Parametern bereitzustellen, die sich besonders einfach erzeugen lassen. Bevorzugt soll mit einer solchen Reihenverschaltung der Wirkungsgrad photovoltaischer Einrichtungen weiter erhöht werden können. Insbesondere soll dazu die Totfläche verringert werden.Object of the present invention is to provide series interconnections between any electrical components with very good electrical parameters that can be particularly easy to produce. Preferably, the efficiency of photovoltaic devices should be further increased with such a series connection. In particular, the dead area should be reduced.
Diese Aufgabe wird gelöst mit der erfindungsgemäßen Reihenverschaltung nach Anspruch 1 und dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung einer Reihenverschaltung nach Anspruch 8. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den abhängigen Unteransprüchen und der Beschreibung angegeben.This object is achieved with the series connection according to the invention according to
Die Erfinder haben erkannt, dass die gestellte Aufgabe in überraschender Weise dadurch besonders einfach gelöst werden kann, dass keine linienförmige Kontaktierung zwischen zwei benachbarten Solarzellen an der Grenze zwischen den Solarzellen erfolgt, wie dies bisher, insbesondere auch bei der
Damit können die Dimensionen der Bauelementen deutlich vergrößert werden, ohne dass dies negative Auswirkungen auf die elektrischen Parameter hat. Insbesondere kann damit zum einen die Breite der Solarzellen wesentlich vergrößert werden, so dass die durch die Solarzellentrennung bedingten Totflächen verringert werden können. Während bisher die Solarzellenbreite, also der Abstand zwischen zwei Isolierungen zwischen benachbarten Solarzellen 5 mm bis 15 mm betrug, kann er jetzt beispielsweise 30 mm betragen. Zum anderen werden die Serienwiederstände weiter verringert, da der Stromweg durch die jeweilige Zelle noch weiter herabgesetzt wird.Thus, the dimensions of the components can be significantly increased without this has negative effects on the electrical parameters. In particular, on the one hand the width of the solar cells can thus be substantially increased so that the dead areas caused by the solar cell separation can be reduced. While previously the solar cell width, so the distance between two insulation between adjacent solar cells was 5 mm to 15 mm, it can now be for example 30 mm. On the other hand, the series resistances are further reduced because the current path through the respective cell is further reduced.
Die erfindungsgemäße Reihenverschaltung zwischen einem ersten und einem benachbarten zweiten elektrischen Bauelement, die monolithisch auf einem gemeinsamen Substrat angeordnet sind, wobei die Bauelemente jeweils eine erste und eine zweite Kontaktschicht aufweisen, die als einheitliche Kontaktschichten auf dem Substrat monolithisch gebildet sind, wobei die erste Kontaktschicht des zweiten Bauelements mit der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelements elektrisch leitend verbunden ist und die ersten Kontaktschichten der beiden Bauelemente und die zweiten Kontaktschichten der beiden Bauelemente jeweils voneinander elektrisch isoliert ausgebildet sind, zeichnet sich daher dadurch aus, dass die zweite Kontaktschicht des ersten Bauelements zumindest einen Abschnitt aufweist, der sich in den Bereich der zweiten Kontaktschicht des zweiten Bauelements hinein erstreckt, wobei zwischen diesem Abschnitt der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelements und der ersten Kontaktschicht des zweiten Bauelements zumindest eine elektrisch leitende Verbindung besteht. Dabei muss die elektrisch leitende Verbindung sich nicht über den gesamten Abschnitt erstrecken, sondern sie kann mit diesem Abschnitt bevorzugt nur an einem Teil dieses Abschnitts in Kontakt stehen.The inventive series connection between a first and an adjacent second electrical component, which are arranged monolithically on a common substrate, wherein the components each comprise a first and a second contact layer, which are monolithically formed as uniform contact layers on the substrate, wherein the first contact layer of second component is electrically conductively connected to the second contact layer of the first component and the first contact layers of the two components and the second contact layers of the two components are each electrically insulated from each other, characterized in that the second contact layer of the first component at least a portion which extends into the region of the second contact layer of the second component, wherein between this portion of the second contact layer of the first component and the first contact layer of the second n component at least one electrically conductive connection. In this case, the electrically conductive connection does not have to extend over the entire section, but it can preferably be in contact with this section only at a part of this section.
In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass die elektrisch leitende Verbindung zwischen der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelementsund und der ersten Kontaktschicht des zweiten Bauelements einen kreisförmigen, elliptischen oder eckigen Querschnitt aufweist. Dann lässt sich die elektrisch leitende Verbindung besonders einfach und kostengünstig herstellen, beispielsweise durch Laser-Strukturierungsverfahren. Wenn sich die elektrisch leitende Verbindung parallel zur Substratnormale erstreckt, dann werden die Serienwiederstände weiter verringert, da der Stromweg durch die jeweilige Zelle noch weiter herabgesetzt wird.In an advantageous development it is provided that the electrically conductive connection between the second contact layer of the first component and the first contact layer of the second component has a circular, elliptical or polygonal cross section. Then the electrically conductive connection can be produced in a particularly simple and cost-effective manner, for example by laser structuring methods. If the electrically conductive connection extends parallel to the substrate normal, then the Serienwiederstände be further reduced because the current path through the respective cell is further reduced.
In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass zwischen dem Abschnitt der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelements und der zweiten Kontaktschicht des zweiten Bauelements eine elektrische Isolierung vorliegt, die bevorzugt als dritter Strukturierungsgraben ausgebildet ist, der insbesondere mit einem Isolator verfüllt ist. Dann ist die Reihenverschaltung besonders einfach aufgebaut und unkompliziert herstellbar.In an advantageous development, provision is made for electrical insulation to be present between the section of the second contact layer of the first component and the second contact layer of the second component, which is preferably designed as a third structuring trench, which is in particular filled with an insulator. Then the series connection is particularly simple and easy to manufacture.
In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass die elektrisch leitende Verbindung zwischen der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelements und der ersten Kontaktschicht des zweiten Bauelements in Bezug auf die erste Kontaktschicht des zweiten Bauelements symmetrisch angeordnet ist. Beispielsweise könnte eine mittige Anordnung der elektrisch leitenden Verbindung zwischen den Grenzen benachbarter Bauelemente vorgesehen sein. Wenn mehrere elektrisch leitende Verbindungen vorgesehen sind, dann könnten diese in einem symmetrischen Raster angeordnet sein. „Symmetrisch“ meint jeweils in Bezug auf das zweite Bauelement, also beispielsweise in Bezug auf die Mitte des zweiten Bauelements zwischen zwei benachbart angeordneten Bauelementen.In an advantageous development, it is provided that the electrically conductive connection between the second contact layer of the first component and the first contact layer of the second component is arranged symmetrically with respect to the first contact layer of the second component. For example, a central arrangement of the electrically conductive connection between the boundaries of adjacent components could be provided. If several electrically conductive connections are provided, then these could be arranged in a symmetrical grid. "Symmetrical" means in each case with respect to the second component, that is, for example, with respect to the center of the second component between two adjacently arranged components.
In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass zumindest zwei elektrisch leitende Verbindungen zwischen der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelementsund und der ersten Kontaktschicht des zweiten Bauelements an dem Abschnitt der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelements bestehen, die voneinander beabstandet und bei mehr als zwei elektrisch leitenden Verbindungen bevorzugt gleich beabstandet angeordnet sind. Dadurch wird der Leitungsquerschnitt der gesamten elektrisch leitenden Verbindung zwischen den Bauelementen erhöht ohne den Querschnitt der einzelnen elektrisch leitenden Verbindung erhöhen zu müssen. Außerdem wird eine flächige Kontaktierung bewirkt, die die Serienwiderstände weiter verringert. Wenn man den Abschnitt der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelements beispielsweise schnurförmig ausbildet, dann können die elektrisch leitenden Verbindungen daran als Perlen angeordnet sein.In an advantageous development, it is provided that at least two electrically conductive connections between the second contact layer of the first component and the first contact layer of the second component at the portion of the second contact layer of the first component, which are spaced apart and preferred for more than two electrically conductive connections are arranged equidistantly spaced. As a result, the line cross section of the entire electrically conductive connection between the components is increased without having to increase the cross section of the individual electrically conductive connection. In addition, a surface contact is effected, which further reduces the series resistance. If, for example, the section of the second contact layer of the first component is formed into a line shape, then the electrically conductive connections can be arranged on it as beads.
In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass die zweite Kontaktschicht des ersten Bauelements zumindest zwei Abschnitte aufweist, die sich in den Bereich der zweiten Kontaktschicht des zweiten Bauelements hinein erstrecken und jeweils elektrisch leitende Verbindungen zu der ersten Kontaktschicht des zweiten Bauelements bestehen, wobei die Abschnitte voneinander beabstandet und bei mehr als zwei Abschnitten bevorzugt gleich beabstandet angeordnet sind. Auch dadurch wird eine flächige Kontaktierung bewirkt, die die Serienwiderstände weiter verringert. In an advantageous refinement, it is provided that the second contact layer of the first component has at least two sections which extend into the region of the second contact layer of the second component and each have electrically conductive connections to the first contact layer of the second component, the sections being mutually distinct spaced apart and are preferably equally spaced at more than two sections. This also causes a surface contact, which further reduces the series resistance.
Idealerweise sind eine Vielzahl von Abschnitten vorgesehen, an denen jeweils eine Vielzahl von elektrisch leitenden Verbindung angeordnet und im Rahmen eines zweidimensionalen Rasters ausgerichtet sind.Ideally, a plurality of sections are provided, on each of which a plurality of electrically conductive connection are arranged and aligned in the context of a two-dimensional grid.
In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass zumindest eine der ersten und zweiten Kontaktschichten eine metallisch leitende Oxidschicht ist. Solche Oxidschichten sind für bestimmte Wellenlängen elektromagnetischer Strahlung transparent, wodurch diese elektromagnetische Strahlung dann sehr einfach und ohne größere Totflächen in die Bauelemente ein- bzw. ausgekoppelt werden kann. In an advantageous development, it is provided that at least one of the first and second contact layers is a metallically conductive oxide layer. Such oxide layers are transparent to certain wavelengths of electromagnetic radiation, whereby this electromagnetic radiation can then be coupled into or out of the components very easily and without larger dead areas.
In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass die Bauelemente Solarzellen, bevorzugt Dünnschichtsolarzellen sind. Bei diesen Bauelementen hat die erfindungsgemäße Reihenverschaltung einen besonders positiven Einfluss, allerdings lässt sie sich nicht nur bei Strom erzeugenden Bauelementen vorteilhaft einsetzen, sondern auch bei Strom aufnehmenden, beispielsweise bei Leuchtdioden und dgl.In an advantageous development, it is provided that the components are solar cells, preferably thin-film solar cells. In these components, the series connection according to the invention has a particularly positive influence, but it can be used advantageously not only in power-generating components, but also in current receiving, for example in light-emitting diodes and the like.
Die Dünnschichtsolarzellen sind bevorzugt solche mit einem sogenannten Superstrataufbau, also mit einem Aufbau, bei dem das optisch aktive Material durch ein transparentes Substrat, auf dem es monolithisch angeordnet ist, Licht aufnimmt. „Monolithisch“ heißt in diesem Zusammenhang, dass eine Schicht direkt auf einer darunter befindlichen Schicht oder Substrat physikalisch oder chemisch aufgewachsen, beispielsweise aufgesputtert , wurde, also kein mechanisches Anordnen, beispielsweise Kleben oder dgl., stattgefunden hat.The thin-film solar cells are preferably those with a so-called superstrate structure, that is, with a structure in which the optically active material absorbs light through a transparent substrate on which it is monolithically arranged. "Monolithic" in this context means that a layer was grown directly on an underlying layer or substrate physically or chemically, for example sputtered on, so no mechanical placement, such as gluing or the like., Has taken place.
Das Substrat der Solarzelle ist vorteilhaft ein Floatglas-Substrat, es kommen aber auch Kalknatronglas, Polymere und andere geeignete Materialien in Betracht. Die erste Kontaktschicht ist vorzugsweise eine transparente leitfähige Schicht aus ITO (Indiumzinnoxid), wobei aber grundsätzlich Zinnoxid, Zinkoxid, Kadmiumstannat, deren dotierte Varianten, Kombinationen dieser Materialen und andere geeignete Materialien verwendet werden können. Für die optisch aktive Schicht kommen ein oder mehrere n-typ und/oder ein oder mehrere p-typ Halbleiter in Betracht, die einen p-n-Übergang (oder alternativ einen p-i-n-Übergang) ausbilden. Vorzugsweise wird ein n-typ Kadmiumsulfid mit einem p-typ Kadmiumtellurid aufeinander abgeschieden verwendet. Die zweite Kontaktschicht kann eines der Materialien Aluminium, Chrom, Gold, Kupfer, Molybdän, Nickel, Palladium, Silber, Titan, Wolfram oder Kombinationen davon oder andere geeignete Materialien aufweisen.The substrate of the solar cell is advantageously a float glass substrate, but it is also Kalknatronglas, polymers and other suitable materials into consideration. The first contact layer is preferably a transparent conductive layer of ITO (Indium Tin Oxide), but in principle tin oxide, zinc oxide, cadmium stannate, their doped variants, combinations of these materials, and other suitable materials may be used. For the optically active layer, one or more n-type and / or one or more p-type semiconductors are considered, which form a p-n junction (or alternatively a p-i-n junction). Preferably, an n-type cadmium sulfide having a p-type cadmium telluride is used sequentially. The second contact layer may comprise one of aluminum, chromium, gold, copper, molybdenum, nickel, palladium, silver, titanium, tungsten or combinations thereof or other suitable materials.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Reihenverschaltung zwischen einem ersten und einem benachbarten zweiten elektrischen Bauelemente, die monolithisch auf einem gemeinsamen Substrat so erzeugt werden, dass die Bauelemente jeweils eine erste und eine zweite Kontaktschicht aufweisen, die als einheitliche Kontaktschichten auf dem Substrat monolithisch gebildet wurden, wobei die erste Kontaktschicht des zweiten Bauelements mit der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelements elektrisch leitend verbunden wurde und die ersten Kontaktschichten der beiden Bauelemente und die zweiten Kontaktschichten der beiden Bauelemente jeweils voneinander elektrisch isoliert ausgebildet wurden, zeichnet sich dadurch aus, dass die zweite Kontaktschicht des ersten Bauelements so ausgebildet wird, dass sie zumindest einen Abschnitt aufweist, der sich in den Bereich der zweiten Kontaktschicht des zweiten Bauelements hinein erstreckt, wobei zwischen diesem Abschnitt der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelements und der ersten Kontaktschicht des zweiten Bauelements zumindest eine elektrisch leitende Verbindung besteht.The inventive method for producing a series connection between a first and an adjacent second electrical components which are monolithically produced on a common substrate so that the components each have a first and a second contact layer, which were monolithically formed as uniform contact layers on the substrate, wherein the first contact layer of the second component has been electrically conductively connected to the second contact layer of the first component and the first contact layers of the two components and the second contact layers of the two components each electrically insulated from each other, characterized in that the second contact layer of the first Component is formed so that it has at least one portion which extends into the region of the second contact layer of the second component, wherein between this portion of the second contact layer of the first component and the first contact layer of the second component at least one electrically conductive connection.
In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass das Verfahren angepasst ist, die erfindungsgemäße Reihenverschaltung zu erzeugen.In an advantageous development it is provided that the method is adapted to produce the series connection according to the invention.
In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass zur Herstellung der elektrischen Isolierung zwischen den ersten Kontaktschichten der Bauelemente ein erster Strukturierungsgraben erzeugt wird, der mit einem elektrischen Isolator verfüllt wird. Dann ist die Reihenverschaltung ebenfalls besonders einfach und kostengünstig erzeugbar. Wenn sich der erste Strukturierungsgraben bis unter die zweite Kontaktschicht des ersten Bauelements erstreckt, dann ist die außerhalb der Kontaktierung vorgesehene elektrische Trennung der beiden Bauelemente untereinander besonders sicher.In an advantageous development, it is provided that, to produce the electrical insulation between the first contact layers of the components, a first structuring trench is produced, which is filled with an electrical insulator. Then the series connection is also very easy and inexpensive to produce. If the first structuring trench extends below the second contact layer of the first component, the electrical separation of the two components outside the contacting is particularly safe.
In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass zur Herstellung der elektrisch leitenden Verbindung zwischen der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelements und der ersten Kontaktschicht des zweiten Bauelements zumindest ein zweiter Strukturierungsgraben erzeugt wird, der sich bis zur ersten Kontaktschicht des zweiten Bauelements oder durch die erste Kontaktschicht des zweiten Bauelements erstreckt und während der Erzeugung der monolithischen zweiten Kontaktschicht mit Material der zweiten Kontaktschicht verfüllt wird. Dadurch lässt sich die Reihenverschaltung besonders einfach und kostengünstig erzeugen.In an advantageous development, it is provided that at least one second patterning trench is produced for producing the electrically conductive connection between the second contact layer of the first component and the first contact layer of the second component, extending to the first contact layer of the second component or through the first contact layer of the second component second component extends and is filled during the production of the monolithic second contact layer with material of the second contact layer. As a result, the series connection can be produced in a particularly simple and cost-effective manner.
Wenn der zweite Strukturierungsgraben punktförmig oder mit einer Längserstreckung in Bezug auf die Substratfläche von 1 µm bis 500 µm, bevorzugt von höchstens 300 µm, insbesondere von höchstens 200 µm, dann ist die Totfläche besonders gering. Bei den punktförmigen Strukturierungsgräben kann es sich um kreisförmige, elliptische, rechteckige, quadratische oder andere Formen handeln, die ebenfalls eine laterale Dimension in Bezug auf die Substratfläche im Bereich von 1 µm bis 500 µm, bevorzugt von höchstens 300 µm, insbesondere von höchstens 200 µm aufweisen. Die Fläche dieser Elemente kann dabei insbesondere in einem Bereich zwischen 100 µm^2 und 500 000 µm^2 pro 60 cm Substratbreite und Zelle sowohl für die Flächen als auch die Anzahl der Kontaktpunkte pro Zelle liegen. Die Anzahl der Kontakte kann insbesondere zwischen 50 und 20.000 gewählt werden.If the second structuring trench is punctiform or with a longitudinal extent with respect to the substrate surface of 1 .mu.m to 500 .mu.m, preferably of at most 300 .mu.m, in particular of at most 200 .mu.m, then the dead surface is particularly low. The punctiform structuring trenches can be circular, elliptical, rectangular, square or other shapes, which also have a lateral dimension with respect to the substrate surface in the range of 1 .mu.m to 500 .mu.m, preferably of at most 300 .mu.m, in particular of at most 200 .mu.m respectively. The area of these elements can be in particular in a range between 100 .mu.m.sup.2 and 500,000 .mu.m.sup.2 per 60 cm Substrate width and cell both for the surfaces and the number of contact points per cell are. The number of contacts can be chosen in particular between 50 and 20,000.
In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass zur Herstellung der elektrischen Isolierung zwischen den zweiten Kontaktschichten der Bauelemente ein dritter Strukturierungsgraben erzeugt wird, der bevorzugt mit einem elektrischen Isolator verfüllt wird. Dadurch ist die Reihenverschaltung besonders einfach und kostengünstig erzeugbar. Insbesondere wird der dritte Strukturierungsgraben so ausgebildet wird, dass sich der Abschnitt in Bezug auf eine Grenze zwischen den Bauelementen senkrecht sich in den Bereich der zweiten Kontaktschicht des zweiten Bauelements hinein erstreckt. Durch den ersten Strukturierungsgraben wird somit eine Grenze zwischen den Bauelementen definiert und der Abschnitt verläuft senkrecht dazu. Damit ist die Länge des Abschnitts in der ersten Kontaktschicht des zweiten Bauelements optimal kurz ausbildbar, wodurch die Länge des dritten Strukturierungsgrabens minimiert ist.In an advantageous development it is provided that, for the production of the electrical insulation between the second contact layers of the components, a third structuring trench is produced, which is preferably filled with an electrical insulator. As a result, the series connection is particularly simple and inexpensive to produce. In particular, the third pattern trench is formed such that the portion extends perpendicular to the region of the second contact layer of the second component with respect to a boundary between the components. Thus, a boundary between the components is defined by the first structuring trench and the portion runs perpendicular thereto. Thus, the length of the portion in the first contact layer of the second component can be formed optimally short, whereby the length of the third structuring trench is minimized.
In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass der Abstand benachbarter elektrischer Verbindungen im Bereich 1 bis 20 mm, bevorzugt im Bereich 3 bis 10 mm und insbesondere im Bereich 4 bis 7 mm beträgt.In an advantageous development, it is provided that the distance between adjacent electrical connections is in the
„Strukturierungsgräben“ im Sinne der vorliegenden Erfindung sind nicht nur linienförmige Gräben, also zweidimensionale Grabenformen, sondern auch eindimensionale Grabenformen, wie Löcher und dgl."Structuring trenches" in the sense of the present invention are not only linear trenches, ie two-dimensional trench shapes, but also one-dimensional trench shapes, such as holes and the like.
Die Kennzeichen und weitere Vorteile der Erfindung werden im Rahmen der folgenden Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels im Zusammenhang mit den Figuren deutlich werden. Dabei zeigen rein schematisch:
-
1 die erfindungsgemäße Reihenverschaltung bei einer photovoltaischen Vorrichtung in einer Draufsicht von oben, -
2 die erfindungsgemäße Reihenverschaltung nach1 in einer Draufsicht von unten, -
3 erfindungsgemäße Reihenverschaltung nach1 in einer ersten Schnittansicht, -
4 erfindungsgemäße Reihenverschaltung nach1 in einer zweiten Schnittansicht, -
5 erfindungsgemäße Reihenverschaltung nach1 in einer dritten Schnittansicht und -
6 erfindungsgemäße Reihenverschaltung nach1 in einer vierten Schnittansicht.
-
1 the series connection according to the invention in a photovoltaic device in a plan view from above, -
2 the series connection according to theinvention 1 in a top view from below, -
3 inventive series connection according to1 in a first sectional view, -
4 inventive series connection according to1 in a second sectional view, -
5 inventive series connection according to1 in a third sectional view and -
6 inventive series connection according to1 in a fourth sectional view.
In die
Es ist zu erkennen, dass die photovoltaischen Vorrichtung
Die Solarzellen
Die jeweilige erste Kontaktschicht
Die elektrisch leitenden Verbindungen
In
Die Grenzen
Die
Die Herstellung der photovoltaischen Vorrichtung
Anschließend wurden in einem ersten Strukturierungsschritt, beispielsweise durch einem Laser-Schreibprozess, erste Strukturierungsgräben
Dann wurden in einem zweiten Strukturierungsschritt, beispielsweise durch einem Laser-Bestrahlungsprozess, lokale Strukturierungslöcher
Anschließend wurde die zweite Kontaktschicht
Schließlich wurden in einem dritten Strukturierungsschritt, beispielsweise durch einen Laser-Schreibprozess, die dritten Strukturierungsgräben
Die genaue Ausgestaltung der photovoltaischen Vorrichtung
Das Substrat
Die erste Kontaktschicht
Die Absorberschicht
Die Rückkontaktschicht
Die Breite der ersten Kontaktschichten
Die vorgenannten Schichten
Die Laser-Strukturierungsprozesse können in bekannt Art und Weise mittels einer jeweiligen Maske durchgeführt werden. Andererseits können vorteilhaft auch ein oder mehrere Laser verwendet werden, die auf einem Koordinatentisch fliegend in x- und y-Richtung gelagert sind.The laser patterning processes can be performed in a known manner by means of a respective mask. On the other hand, it is also advantageous to use one or more lasers which are mounted on a coordinate table so as to fly in the x and y directions.
Auch wenn vorstehend die Abschnitte
Zwar wurde die Erfindung der Reihenverschaltung
Soweit nichts anderes angegeben ist, können sämtliche Merkmale der vorliegenden Erfindung frei und isoliert von anderen Merkmalen miteinander kombiniert werden. Auch die in der Figurenbeschreibung beschriebenen Merkmale können, soweit nichts anderes angegeben ist, als Merkmale der Erfindung frei und isoliert mit den übrigen Merkmalen, insbesondere den Anspruchsmerkmalen, kombiniert werden. Dabei können gegenständliche Merkmale auch umformuliert als Verfahrensmerkmale Verwendung finden und Verfahrensmerkmale umformuliert als gegenständliche Merkmale.Unless otherwise indicated, all features of the present invention may be combined freely and isolated from other features. The features described in the description of the figures can, unless stated otherwise, be combined as features of the invention freely and in isolation with the other features, in particular the claim features. In this case, representational features can also be reformulated as process features use and reformulated process characteristics as representational characteristics.
BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS
- 1010
- Reihenverschaltungseries connection
- 1212
- photovoltaische Vorrichtungphotovoltaic device
- 14, 14a, 14b, 14c14, 14a, 14b, 14c
- Bauelemente, SolarzellenComponents, solar cells
- 1616
- Substratsubstratum
- 18, 18a, 18b, 18c18, 18a, 18b, 18c
- erste Kontaktschichtfirst contact layer
- 20, 20a, 20b, 20c20, 20a, 20b, 20c
- Absorber, optisch aktive SchichtAbsorber, optically active layer
- 22, 22a, 22b, 22c22, 22a, 22b, 22c
- zweite Kontaktschicht, Rückseitenkontaktsecond contact layer, rear contact
- 24a, 24b24a, 24b
-
Finger, Abschnitt der ersten Kontaktschicht
22a ,22b Finger, section of thefirst contact layer 22a .22b - 26a, 26b, 26c26a, 26b, 26c
-
Grenzen zwischen Solarzellen
14a ,14b ,14c Boundaries betweensolar cells 14a .14b .14c - 28a, 28b28a, 28b
-
elektrisch leitende Verbindung zwischen den Abschnitten
24a ,24b und den ersten Kontaktschichten18b ,18c electrically conductive connection between thesections 24a .24b and the first contact layers18b .18c - 30a, 30b30a, 30b
- dritte Strukturierungsgräbenthird structuring trenches
- 32a, 32b, 32c32a, 32b, 32c
- Dielektrikumdielectric
- 34a, 34b, 34c34a, 34b, 34c
- erste Strukturierungsgräbenfirst structuring trenches
- 36a, 36b36a, 36b
- lokale Strukturierungslöcher, zweite Strukturierungsgräbenlocal structuring holes, second structuring trenches
- DD
-
Durchmesser der elektrisch leitenden Verbindung
28a ,28b Diameter of the electricallyconductive connection 28a .28b - NN
-
Oberflächennormale des Glassubstrates
16 Surface normal of theglass substrate 16
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.
Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- WO 2014/152556 A1 [0006, 0009]WO 2014/152556 A1 [0006, 0009]
Claims (12)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102017010524 | 2017-11-14 | ||
DE102017010524.3 | 2017-11-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102018008439A1 true DE102018008439A1 (en) | 2019-05-16 |
Family
ID=66335306
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102018008439.7A Ceased DE102018008439A1 (en) | 2017-11-14 | 2018-10-22 | Series connection and method for series connection between a first and an adjacent second electrical component |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102018008439A1 (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014152556A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | First Solar, Inc. | Photovoltaic device interconnection and method of manufacturing |
-
2018
- 2018-10-22 DE DE102018008439.7A patent/DE102018008439A1/en not_active Ceased
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014152556A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | First Solar, Inc. | Photovoltaic device interconnection and method of manufacturing |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102008033632B4 (en) | Solar cell and solar cell module | |
DE102007059486A1 (en) | Rear contact solar cell with elongated, interleaved emitter and base regions at the back and manufacturing method thereof | |
DE102008044910A1 (en) | Solar cell and solar cell module with one-sided interconnection | |
DE102009020482A1 (en) | Process for the production and series connection of photovoltaic elements to a solar module and solar module | |
EP2289107B1 (en) | Solar cell and method for the production thereof | |
DE102011000753A1 (en) | Solar cell, solar module and method for producing a solar cell | |
DE112016001478T5 (en) | SOLAR BATTERY CELL AND METHOD FOR PRODUCING THE SOLAR BATTERY CELL | |
EP2120269A2 (en) | Point contact solar cell | |
WO2016150878A1 (en) | Photovoltaic solar cell | |
DE102009047778A1 (en) | MWT semiconductor solar cell with a plurality of the semiconducting material contacting, parallel to each other narrow conductive fingers of predetermined length | |
DE102012105772A1 (en) | Semiconductor light-emitting device package | |
EP2449603A2 (en) | Method for the production and series connection of strip-shaped elements on a substrate | |
DE4201571C2 (en) | Method for producing a solar cell that is partially transparent to light and a corresponding solar module | |
WO2018041301A1 (en) | Photovoltaic module with stacked solar cells connected up in series in integrated fashion, and method for the manufacture thereof | |
DE102015114135A1 (en) | Photovoltaic device and method for producing a photovoltaic device | |
DE102009022018A1 (en) | Metallization method for manufacturing solar cells, involves applying doping material holding medium, particularly phosphoric acid medium on areas of solar cell substrate which is heated substrate in areas that are metalized | |
DE102018008439A1 (en) | Series connection and method for series connection between a first and an adjacent second electrical component | |
WO1998047184A1 (en) | Method for making a system comprised of single sequentially arranged solar cells, and the system | |
EP2352171A1 (en) | Solar cell configuration and thin film solar module and method for producing same | |
DE202010013136U1 (en) | Thin-film photovoltaic module | |
WO2004008553A1 (en) | Optoelectronic component comprising an electroconductive organic material, and method for producing said component | |
DE102018222591A1 (en) | Circuit arrangement for power generation with series-connected solar cells with bypass diodes | |
DE102010018548A1 (en) | Thin-film solar cell module for use on e.g. roof, has coupling structures provided among cell segments, and separation structures for separating cell segments of cell and assigning separated segments to another solar cell | |
DE102010015970A1 (en) | Photovoltaic cell i.e. solar cell, for use in photovoltaic cell module, has contact fingers arranged on light incident side upper surface of cell, such that predetermined information is coded using arrangement of conductive members | |
DE102017122530B4 (en) | Photovoltaic module with interlocking contacts on the back |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R163 | Identified publications notified | ||
R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
R003 | Refusal decision now final |