DE102018008439A1 - Series connection and method for series connection between a first and an adjacent second electrical component - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Reihenverschaltung (10) und ein Verfahren zur Herstellung einer Reihenverschaltung (10), wobei die Kontaktierung benachbarten Solarzellen miteinander verschränkend ausgebildet ist. Damit können die Dimensionen der Bauelementen (14a, 14b, 14c) deutlich vergrößert werden, ohne dass dies negative Auswirkungen auf die elektrischen Parameter hat. Insbesondere kann damit zum einen die Breite der Solarzellen (14a, 14b, 14c) wesentlich vergrößert werden, so dass die durch die Solarzellentrennung bedingten Totflächen verringert werden können. Zum anderen werden die Serienwiederstände weiter verringert, da der Stromweg durch die jeweilige Zelle (14a, 14b, 14c) noch weiter herabgesetzt wird.

Figure DE102018008439A1_0000
The present invention relates to a series connection (10) and a method for producing a series connection (10), wherein the contacting of adjacent solar cells is designed to be entangled with one another. Thus, the dimensions of the components (14a, 14b, 14c) can be significantly increased, without this having a negative impact on the electrical parameters. In particular, on the one hand, the width of the solar cells (14a, 14b, 14c) can thus be substantially increased, so that the dead areas caused by the solar cell separation can be reduced. On the other hand, the series resistances are further reduced because the current path through the respective cell (14a, 14b, 14c) is reduced even further.
Figure DE102018008439A1_0000

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Reihenverschaltung nach dem Oberbegriff von Anspruch 1 und ein Verfahren zur Herstellung einer Reihenverschaltung nach dem Oberbegriff von Anspruch 8.The present invention relates to a series connection according to the preamble of claim 1 and a method for producing a series connection according to the preamble of claim 8.

Reihenverschaltungen werden zwischen elektrischen Bauelementen üblicherweise verwendet, um Leitungsverluste gering zu halten und bei Bauelementen zur Stromerzeugung die Spannung aufzusummieren.Series interconnections are commonly used between electrical devices to minimize line losses and to add voltage to power generation devices.

Reihenverschaltungen werden beispielsweise im Zusammenhang mit photovoltaischen Vorrichtungen eingesetzt. Solche photovoltaischen Vorrichtungen bestehen üblicherweise aus einer Vielzahl von Solarzellen jeweils mit zumindest einer optisch aktiven Schicht, die mit einander verschaltet sind. Dabei wird die Kontaktschicht auf der Lichteintrittsseite vorzugsweise als transparente leitende Schicht (TCO) ausgebildet, die allerdings dennoch eine vergleichsweise schlechte Leitfähigkeit besitzt, um eine möglichst hohe Lichttransmission zu ermöglichen. Häufig wird daher eine Reihenverschaltung gewählt, um widerstandsbedingte Leistungsverluste klein zu halten. Dadurch wird der Strom einseitig in die jeweilige Solarzelle eingebracht.Series connections are used, for example, in connection with photovoltaic devices. Such photovoltaic devices usually consist of a plurality of solar cells each having at least one optically active layer, which are interconnected with each other. In this case, the contact layer on the light entry side is preferably formed as a transparent conductive layer (TCO), which, however, still has a comparatively poor conductivity in order to allow the highest possible light transmission. Frequently, therefore, a series connection is chosen to keep resistance-related power losses small. As a result, the current is introduced on one side into the respective solar cell.

Eine solche Reihenverschaltung zwischen Solarzellen kann durch eine Prozessführung mit drei unterschiedlichen Strukturierungschritten P1, P2, P3, beispielsweise in Form von LASER-Strukturierungslinien, erzielt werden. Im Rahmen eines sogenannten Superstrataufbaues der Solarzelle wird dabei beispielsweise in dem ersten Strukturierungsschritt (P1) die TCO-Schicht, die als Frontkontaktschicht wirkt, durchtrennt. In dem zweiten Strukturierungsschritt (P2) wird zwischen Frontkontakt- und Rückkontaktschicht eine Öffnung und anschließende Verbindung hergestellt und in dem dritten Strukturierungsschritt (P3) wird die Rückkontaktschicht durchtrennt, so dass die monolithisch ausgebildeten Schichten eine erste und eine zweite benachbart angeordnete Solarzelle innerhalb einer photovoltaischen Vorrichtung (Solarmodul) bilden, wobei der Frontkontakt der einen Solarzelle mit dem Rückkontakt der benachbarten Solarzelle verbunden sind, der Rückkontakt der einen jedoch elektrisch isoliert von dem Frontkontakt der anderen Solarzelle ausgebildet ist.Such a series connection between solar cells can be achieved by a process control with three different structuring steps P1, P2, P3, for example in the form of LASER structuring lines. In the context of a so-called superstrate construction of the solar cell, the TCO layer, which acts as a front contact layer, is severed, for example, in the first structuring step (P1). In the second patterning step (P2), an opening and subsequent connection is made between the front contact and back contact layers, and in the third structuring step (P3), the back contact layer is severed such that the monolithically formed layers comprise a first and a second adjacent solar cell within a photovoltaic device Form (solar module), wherein the front contact of a solar cell to the back contact of the adjacent solar cell are connected, the back contact of the one, however, is formed electrically isolated from the front contact of the other solar cell.

Mit diesem Konzept sind allerdings Nachteile verbunden. Zum einen hat die unsymmetrische Stromeinbringung einen negativen Einfluss auf die Verlustleitung (P = R × I2). Zum anderen steht die Fläche zwischen den P1- und P3-Strukturierungslinien nicht der Ladungsträgergeneration zur Verfügung. Außerdem führt die Reihenverschaltung der Einzelzellen zu unerwünscht hohen Arbeitsspannungen, die durch komplexe parallele Schaltungen kompensiert werden müssen, wobei diese Verschaltungen aufgrund passiver Kontaktierungszellen weitere Wirkungsgradverluste bewirken.However, there are disadvantages with this concept. On the one hand, the asymmetrical current injection has a negative influence on the leakage line (P = R × I 2 ). On the other hand, the area between the P1 and P3 structuring lines is not available to the charge carrier generation. In addition, the series connection of the individual cells leads to undesirably high operating voltages, which must be compensated by complex parallel circuits, which interconnections cause further efficiency losses due to passive contacting cells.

Zur Verbesserung wurde in der WO 2014/152556 A1 für den Superstrataufbau vorgeschlagen, statt der drei Strukturierungsschritte P1, P2, P3 nur zwei Strukturierungsschritte vorzunehmen, wobei zur Isolierung benachbarter Solarzellen ein Isolierungsschritt vorgenommen wird, mit dem die Rückkontaktschicht, die optisch aktive Schicht und die TCO-Schicht durchtrennt werden. Außerdem wird ein Kontaktierungsschritt vorgenommen, bei dem die Rückkontaktschicht und die optisch aktive Schicht durchtrennt und die TCO-Schicht mit der Rückkontaktschicht einer benachbarten Solarzelle verbunden wird. Dabei werden diese Kontakte in die Mitte der jeweiligen Solarzelle gelegt. Dadurch kann die Totfläche vermindert werden, da nun keine Fläche zwischen P1 und P3 vorliegt. Außerdem werden die negativen Einflüsse einer asymmetrischen Stromeinbringung vermieden, da die Stromeinbringung nun symmetrisch erfolgt, wodurch sich der Serienwiderstand verringert, da der Strom nun nur noch den halben Weg durch jede Solarzelle zurücklegen muss.To improve was in the WO 2014/152556 A1 proposed for the Superstrataufbau, instead of the three structuring steps P1, P2, P3 make only two structuring steps, wherein an insulating step is carried out for the isolation of adjacent solar cells, with which the back contact layer, the optically active layer and the TCO layer are severed. In addition, a contacting step is carried out in which the back contact layer and the optically active layer are severed and the TCO layer is connected to the back contact layer of an adjacent solar cell. These contacts are placed in the middle of the respective solar cell. As a result, the dead area can be reduced because there is no area between P1 and P3. In addition, the negative effects of asymmetric current injection are avoided, since the current injection now takes place symmetrically, which reduces the series resistance, since the current now only has to travel halfway through each solar cell.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, Reihenverschaltungen zwischen beliebigen elektrischen Bauelementen mit sehr guten elektrischen Parametern bereitzustellen, die sich besonders einfach erzeugen lassen. Bevorzugt soll mit einer solchen Reihenverschaltung der Wirkungsgrad photovoltaischer Einrichtungen weiter erhöht werden können. Insbesondere soll dazu die Totfläche verringert werden.Object of the present invention is to provide series interconnections between any electrical components with very good electrical parameters that can be particularly easy to produce. Preferably, the efficiency of photovoltaic devices should be further increased with such a series connection. In particular, the dead area should be reduced.

Diese Aufgabe wird gelöst mit der erfindungsgemäßen Reihenverschaltung nach Anspruch 1 und dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung einer Reihenverschaltung nach Anspruch 8. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den abhängigen Unteransprüchen und der Beschreibung angegeben.This object is achieved with the series connection according to the invention according to claim 1 and the inventive method for producing a series connection according to claim 8. Advantageous further developments are specified in the dependent subclaims and the description.

Die Erfinder haben erkannt, dass die gestellte Aufgabe in überraschender Weise dadurch besonders einfach gelöst werden kann, dass keine linienförmige Kontaktierung zwischen zwei benachbarten Solarzellen an der Grenze zwischen den Solarzellen erfolgt, wie dies bisher, insbesondere auch bei der WO 2014/152556 A1 gelehrt wird, sondern dass die Kontaktierung benachbarten Solarzellen miteinander verschränkend ausgebildet ist. „Verschränkend“ meint in diesem Zusammenhang, dass zumindest zwei benachbarte Kontaktschichten voneinander räumlich zumindest bereichsweise durchdrungen sind.The inventors have recognized that the stated object can be achieved in a surprisingly simple manner by virtue of the fact that there is no linear contact between two adjacent solar cells at the boundary between the solar cells, as hitherto, in particular also in the case of WO 2014/152556 A1 is taught, but that the contact adjacent solar cells is formed entangled with each other. "Verschränkend" means in this context that at least two adjacent contact layers are penetrated spatially at least partially.

Damit können die Dimensionen der Bauelementen deutlich vergrößert werden, ohne dass dies negative Auswirkungen auf die elektrischen Parameter hat. Insbesondere kann damit zum einen die Breite der Solarzellen wesentlich vergrößert werden, so dass die durch die Solarzellentrennung bedingten Totflächen verringert werden können. Während bisher die Solarzellenbreite, also der Abstand zwischen zwei Isolierungen zwischen benachbarten Solarzellen 5 mm bis 15 mm betrug, kann er jetzt beispielsweise 30 mm betragen. Zum anderen werden die Serienwiederstände weiter verringert, da der Stromweg durch die jeweilige Zelle noch weiter herabgesetzt wird.Thus, the dimensions of the components can be significantly increased without this has negative effects on the electrical parameters. In particular, on the one hand the width of the solar cells can thus be substantially increased so that the dead areas caused by the solar cell separation can be reduced. While previously the solar cell width, so the distance between two insulation between adjacent solar cells was 5 mm to 15 mm, it can now be for example 30 mm. On the other hand, the series resistances are further reduced because the current path through the respective cell is further reduced.

Die erfindungsgemäße Reihenverschaltung zwischen einem ersten und einem benachbarten zweiten elektrischen Bauelement, die monolithisch auf einem gemeinsamen Substrat angeordnet sind, wobei die Bauelemente jeweils eine erste und eine zweite Kontaktschicht aufweisen, die als einheitliche Kontaktschichten auf dem Substrat monolithisch gebildet sind, wobei die erste Kontaktschicht des zweiten Bauelements mit der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelements elektrisch leitend verbunden ist und die ersten Kontaktschichten der beiden Bauelemente und die zweiten Kontaktschichten der beiden Bauelemente jeweils voneinander elektrisch isoliert ausgebildet sind, zeichnet sich daher dadurch aus, dass die zweite Kontaktschicht des ersten Bauelements zumindest einen Abschnitt aufweist, der sich in den Bereich der zweiten Kontaktschicht des zweiten Bauelements hinein erstreckt, wobei zwischen diesem Abschnitt der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelements und der ersten Kontaktschicht des zweiten Bauelements zumindest eine elektrisch leitende Verbindung besteht. Dabei muss die elektrisch leitende Verbindung sich nicht über den gesamten Abschnitt erstrecken, sondern sie kann mit diesem Abschnitt bevorzugt nur an einem Teil dieses Abschnitts in Kontakt stehen.The inventive series connection between a first and an adjacent second electrical component, which are arranged monolithically on a common substrate, wherein the components each comprise a first and a second contact layer, which are monolithically formed as uniform contact layers on the substrate, wherein the first contact layer of second component is electrically conductively connected to the second contact layer of the first component and the first contact layers of the two components and the second contact layers of the two components are each electrically insulated from each other, characterized in that the second contact layer of the first component at least a portion which extends into the region of the second contact layer of the second component, wherein between this portion of the second contact layer of the first component and the first contact layer of the second n component at least one electrically conductive connection. In this case, the electrically conductive connection does not have to extend over the entire section, but it can preferably be in contact with this section only at a part of this section.

In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass die elektrisch leitende Verbindung zwischen der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelementsund und der ersten Kontaktschicht des zweiten Bauelements einen kreisförmigen, elliptischen oder eckigen Querschnitt aufweist. Dann lässt sich die elektrisch leitende Verbindung besonders einfach und kostengünstig herstellen, beispielsweise durch Laser-Strukturierungsverfahren. Wenn sich die elektrisch leitende Verbindung parallel zur Substratnormale erstreckt, dann werden die Serienwiederstände weiter verringert, da der Stromweg durch die jeweilige Zelle noch weiter herabgesetzt wird.In an advantageous development it is provided that the electrically conductive connection between the second contact layer of the first component and the first contact layer of the second component has a circular, elliptical or polygonal cross section. Then the electrically conductive connection can be produced in a particularly simple and cost-effective manner, for example by laser structuring methods. If the electrically conductive connection extends parallel to the substrate normal, then the Serienwiederstände be further reduced because the current path through the respective cell is further reduced.

In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass zwischen dem Abschnitt der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelements und der zweiten Kontaktschicht des zweiten Bauelements eine elektrische Isolierung vorliegt, die bevorzugt als dritter Strukturierungsgraben ausgebildet ist, der insbesondere mit einem Isolator verfüllt ist. Dann ist die Reihenverschaltung besonders einfach aufgebaut und unkompliziert herstellbar.In an advantageous development, provision is made for electrical insulation to be present between the section of the second contact layer of the first component and the second contact layer of the second component, which is preferably designed as a third structuring trench, which is in particular filled with an insulator. Then the series connection is particularly simple and easy to manufacture.

In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass die elektrisch leitende Verbindung zwischen der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelements und der ersten Kontaktschicht des zweiten Bauelements in Bezug auf die erste Kontaktschicht des zweiten Bauelements symmetrisch angeordnet ist. Beispielsweise könnte eine mittige Anordnung der elektrisch leitenden Verbindung zwischen den Grenzen benachbarter Bauelemente vorgesehen sein. Wenn mehrere elektrisch leitende Verbindungen vorgesehen sind, dann könnten diese in einem symmetrischen Raster angeordnet sein. „Symmetrisch“ meint jeweils in Bezug auf das zweite Bauelement, also beispielsweise in Bezug auf die Mitte des zweiten Bauelements zwischen zwei benachbart angeordneten Bauelementen.In an advantageous development, it is provided that the electrically conductive connection between the second contact layer of the first component and the first contact layer of the second component is arranged symmetrically with respect to the first contact layer of the second component. For example, a central arrangement of the electrically conductive connection between the boundaries of adjacent components could be provided. If several electrically conductive connections are provided, then these could be arranged in a symmetrical grid. "Symmetrical" means in each case with respect to the second component, that is, for example, with respect to the center of the second component between two adjacently arranged components.

In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass zumindest zwei elektrisch leitende Verbindungen zwischen der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelementsund und der ersten Kontaktschicht des zweiten Bauelements an dem Abschnitt der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelements bestehen, die voneinander beabstandet und bei mehr als zwei elektrisch leitenden Verbindungen bevorzugt gleich beabstandet angeordnet sind. Dadurch wird der Leitungsquerschnitt der gesamten elektrisch leitenden Verbindung zwischen den Bauelementen erhöht ohne den Querschnitt der einzelnen elektrisch leitenden Verbindung erhöhen zu müssen. Außerdem wird eine flächige Kontaktierung bewirkt, die die Serienwiderstände weiter verringert. Wenn man den Abschnitt der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelements beispielsweise schnurförmig ausbildet, dann können die elektrisch leitenden Verbindungen daran als Perlen angeordnet sein.In an advantageous development, it is provided that at least two electrically conductive connections between the second contact layer of the first component and the first contact layer of the second component at the portion of the second contact layer of the first component, which are spaced apart and preferred for more than two electrically conductive connections are arranged equidistantly spaced. As a result, the line cross section of the entire electrically conductive connection between the components is increased without having to increase the cross section of the individual electrically conductive connection. In addition, a surface contact is effected, which further reduces the series resistance. If, for example, the section of the second contact layer of the first component is formed into a line shape, then the electrically conductive connections can be arranged on it as beads.

In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass die zweite Kontaktschicht des ersten Bauelements zumindest zwei Abschnitte aufweist, die sich in den Bereich der zweiten Kontaktschicht des zweiten Bauelements hinein erstrecken und jeweils elektrisch leitende Verbindungen zu der ersten Kontaktschicht des zweiten Bauelements bestehen, wobei die Abschnitte voneinander beabstandet und bei mehr als zwei Abschnitten bevorzugt gleich beabstandet angeordnet sind. Auch dadurch wird eine flächige Kontaktierung bewirkt, die die Serienwiderstände weiter verringert. In an advantageous refinement, it is provided that the second contact layer of the first component has at least two sections which extend into the region of the second contact layer of the second component and each have electrically conductive connections to the first contact layer of the second component, the sections being mutually distinct spaced apart and are preferably equally spaced at more than two sections. This also causes a surface contact, which further reduces the series resistance.

Idealerweise sind eine Vielzahl von Abschnitten vorgesehen, an denen jeweils eine Vielzahl von elektrisch leitenden Verbindung angeordnet und im Rahmen eines zweidimensionalen Rasters ausgerichtet sind.Ideally, a plurality of sections are provided, on each of which a plurality of electrically conductive connection are arranged and aligned in the context of a two-dimensional grid.

In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass zumindest eine der ersten und zweiten Kontaktschichten eine metallisch leitende Oxidschicht ist. Solche Oxidschichten sind für bestimmte Wellenlängen elektromagnetischer Strahlung transparent, wodurch diese elektromagnetische Strahlung dann sehr einfach und ohne größere Totflächen in die Bauelemente ein- bzw. ausgekoppelt werden kann. In an advantageous development, it is provided that at least one of the first and second contact layers is a metallically conductive oxide layer. Such oxide layers are transparent to certain wavelengths of electromagnetic radiation, whereby this electromagnetic radiation can then be coupled into or out of the components very easily and without larger dead areas.

In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass die Bauelemente Solarzellen, bevorzugt Dünnschichtsolarzellen sind. Bei diesen Bauelementen hat die erfindungsgemäße Reihenverschaltung einen besonders positiven Einfluss, allerdings lässt sie sich nicht nur bei Strom erzeugenden Bauelementen vorteilhaft einsetzen, sondern auch bei Strom aufnehmenden, beispielsweise bei Leuchtdioden und dgl.In an advantageous development, it is provided that the components are solar cells, preferably thin-film solar cells. In these components, the series connection according to the invention has a particularly positive influence, but it can be used advantageously not only in power-generating components, but also in current receiving, for example in light-emitting diodes and the like.

Die Dünnschichtsolarzellen sind bevorzugt solche mit einem sogenannten Superstrataufbau, also mit einem Aufbau, bei dem das optisch aktive Material durch ein transparentes Substrat, auf dem es monolithisch angeordnet ist, Licht aufnimmt. „Monolithisch“ heißt in diesem Zusammenhang, dass eine Schicht direkt auf einer darunter befindlichen Schicht oder Substrat physikalisch oder chemisch aufgewachsen, beispielsweise aufgesputtert , wurde, also kein mechanisches Anordnen, beispielsweise Kleben oder dgl., stattgefunden hat.The thin-film solar cells are preferably those with a so-called superstrate structure, that is, with a structure in which the optically active material absorbs light through a transparent substrate on which it is monolithically arranged. "Monolithic" in this context means that a layer was grown directly on an underlying layer or substrate physically or chemically, for example sputtered on, so no mechanical placement, such as gluing or the like., Has taken place.

Das Substrat der Solarzelle ist vorteilhaft ein Floatglas-Substrat, es kommen aber auch Kalknatronglas, Polymere und andere geeignete Materialien in Betracht. Die erste Kontaktschicht ist vorzugsweise eine transparente leitfähige Schicht aus ITO (Indiumzinnoxid), wobei aber grundsätzlich Zinnoxid, Zinkoxid, Kadmiumstannat, deren dotierte Varianten, Kombinationen dieser Materialen und andere geeignete Materialien verwendet werden können. Für die optisch aktive Schicht kommen ein oder mehrere n-typ und/oder ein oder mehrere p-typ Halbleiter in Betracht, die einen p-n-Übergang (oder alternativ einen p-i-n-Übergang) ausbilden. Vorzugsweise wird ein n-typ Kadmiumsulfid mit einem p-typ Kadmiumtellurid aufeinander abgeschieden verwendet. Die zweite Kontaktschicht kann eines der Materialien Aluminium, Chrom, Gold, Kupfer, Molybdän, Nickel, Palladium, Silber, Titan, Wolfram oder Kombinationen davon oder andere geeignete Materialien aufweisen.The substrate of the solar cell is advantageously a float glass substrate, but it is also Kalknatronglas, polymers and other suitable materials into consideration. The first contact layer is preferably a transparent conductive layer of ITO (Indium Tin Oxide), but in principle tin oxide, zinc oxide, cadmium stannate, their doped variants, combinations of these materials, and other suitable materials may be used. For the optically active layer, one or more n-type and / or one or more p-type semiconductors are considered, which form a p-n junction (or alternatively a p-i-n junction). Preferably, an n-type cadmium sulfide having a p-type cadmium telluride is used sequentially. The second contact layer may comprise one of aluminum, chromium, gold, copper, molybdenum, nickel, palladium, silver, titanium, tungsten or combinations thereof or other suitable materials.

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Reihenverschaltung zwischen einem ersten und einem benachbarten zweiten elektrischen Bauelemente, die monolithisch auf einem gemeinsamen Substrat so erzeugt werden, dass die Bauelemente jeweils eine erste und eine zweite Kontaktschicht aufweisen, die als einheitliche Kontaktschichten auf dem Substrat monolithisch gebildet wurden, wobei die erste Kontaktschicht des zweiten Bauelements mit der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelements elektrisch leitend verbunden wurde und die ersten Kontaktschichten der beiden Bauelemente und die zweiten Kontaktschichten der beiden Bauelemente jeweils voneinander elektrisch isoliert ausgebildet wurden, zeichnet sich dadurch aus, dass die zweite Kontaktschicht des ersten Bauelements so ausgebildet wird, dass sie zumindest einen Abschnitt aufweist, der sich in den Bereich der zweiten Kontaktschicht des zweiten Bauelements hinein erstreckt, wobei zwischen diesem Abschnitt der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelements und der ersten Kontaktschicht des zweiten Bauelements zumindest eine elektrisch leitende Verbindung besteht.The inventive method for producing a series connection between a first and an adjacent second electrical components which are monolithically produced on a common substrate so that the components each have a first and a second contact layer, which were monolithically formed as uniform contact layers on the substrate, wherein the first contact layer of the second component has been electrically conductively connected to the second contact layer of the first component and the first contact layers of the two components and the second contact layers of the two components each electrically insulated from each other, characterized in that the second contact layer of the first Component is formed so that it has at least one portion which extends into the region of the second contact layer of the second component, wherein between this portion of the second contact layer of the first component and the first contact layer of the second component at least one electrically conductive connection.

In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass das Verfahren angepasst ist, die erfindungsgemäße Reihenverschaltung zu erzeugen.In an advantageous development it is provided that the method is adapted to produce the series connection according to the invention.

In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass zur Herstellung der elektrischen Isolierung zwischen den ersten Kontaktschichten der Bauelemente ein erster Strukturierungsgraben erzeugt wird, der mit einem elektrischen Isolator verfüllt wird. Dann ist die Reihenverschaltung ebenfalls besonders einfach und kostengünstig erzeugbar. Wenn sich der erste Strukturierungsgraben bis unter die zweite Kontaktschicht des ersten Bauelements erstreckt, dann ist die außerhalb der Kontaktierung vorgesehene elektrische Trennung der beiden Bauelemente untereinander besonders sicher.In an advantageous development, it is provided that, to produce the electrical insulation between the first contact layers of the components, a first structuring trench is produced, which is filled with an electrical insulator. Then the series connection is also very easy and inexpensive to produce. If the first structuring trench extends below the second contact layer of the first component, the electrical separation of the two components outside the contacting is particularly safe.

In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass zur Herstellung der elektrisch leitenden Verbindung zwischen der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelements und der ersten Kontaktschicht des zweiten Bauelements zumindest ein zweiter Strukturierungsgraben erzeugt wird, der sich bis zur ersten Kontaktschicht des zweiten Bauelements oder durch die erste Kontaktschicht des zweiten Bauelements erstreckt und während der Erzeugung der monolithischen zweiten Kontaktschicht mit Material der zweiten Kontaktschicht verfüllt wird. Dadurch lässt sich die Reihenverschaltung besonders einfach und kostengünstig erzeugen.In an advantageous development, it is provided that at least one second patterning trench is produced for producing the electrically conductive connection between the second contact layer of the first component and the first contact layer of the second component, extending to the first contact layer of the second component or through the first contact layer of the second component second component extends and is filled during the production of the monolithic second contact layer with material of the second contact layer. As a result, the series connection can be produced in a particularly simple and cost-effective manner.

Wenn der zweite Strukturierungsgraben punktförmig oder mit einer Längserstreckung in Bezug auf die Substratfläche von 1 µm bis 500 µm, bevorzugt von höchstens 300 µm, insbesondere von höchstens 200 µm, dann ist die Totfläche besonders gering. Bei den punktförmigen Strukturierungsgräben kann es sich um kreisförmige, elliptische, rechteckige, quadratische oder andere Formen handeln, die ebenfalls eine laterale Dimension in Bezug auf die Substratfläche im Bereich von 1 µm bis 500 µm, bevorzugt von höchstens 300 µm, insbesondere von höchstens 200 µm aufweisen. Die Fläche dieser Elemente kann dabei insbesondere in einem Bereich zwischen 100 µm^2 und 500 000 µm^2 pro 60 cm Substratbreite und Zelle sowohl für die Flächen als auch die Anzahl der Kontaktpunkte pro Zelle liegen. Die Anzahl der Kontakte kann insbesondere zwischen 50 und 20.000 gewählt werden.If the second structuring trench is punctiform or with a longitudinal extent with respect to the substrate surface of 1 .mu.m to 500 .mu.m, preferably of at most 300 .mu.m, in particular of at most 200 .mu.m, then the dead surface is particularly low. The punctiform structuring trenches can be circular, elliptical, rectangular, square or other shapes, which also have a lateral dimension with respect to the substrate surface in the range of 1 .mu.m to 500 .mu.m, preferably of at most 300 .mu.m, in particular of at most 200 .mu.m respectively. The area of these elements can be in particular in a range between 100 .mu.m.sup.2 and 500,000 .mu.m.sup.2 per 60 cm Substrate width and cell both for the surfaces and the number of contact points per cell are. The number of contacts can be chosen in particular between 50 and 20,000.

In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass zur Herstellung der elektrischen Isolierung zwischen den zweiten Kontaktschichten der Bauelemente ein dritter Strukturierungsgraben erzeugt wird, der bevorzugt mit einem elektrischen Isolator verfüllt wird. Dadurch ist die Reihenverschaltung besonders einfach und kostengünstig erzeugbar. Insbesondere wird der dritte Strukturierungsgraben so ausgebildet wird, dass sich der Abschnitt in Bezug auf eine Grenze zwischen den Bauelementen senkrecht sich in den Bereich der zweiten Kontaktschicht des zweiten Bauelements hinein erstreckt. Durch den ersten Strukturierungsgraben wird somit eine Grenze zwischen den Bauelementen definiert und der Abschnitt verläuft senkrecht dazu. Damit ist die Länge des Abschnitts in der ersten Kontaktschicht des zweiten Bauelements optimal kurz ausbildbar, wodurch die Länge des dritten Strukturierungsgrabens minimiert ist.In an advantageous development it is provided that, for the production of the electrical insulation between the second contact layers of the components, a third structuring trench is produced, which is preferably filled with an electrical insulator. As a result, the series connection is particularly simple and inexpensive to produce. In particular, the third pattern trench is formed such that the portion extends perpendicular to the region of the second contact layer of the second component with respect to a boundary between the components. Thus, a boundary between the components is defined by the first structuring trench and the portion runs perpendicular thereto. Thus, the length of the portion in the first contact layer of the second component can be formed optimally short, whereby the length of the third structuring trench is minimized.

In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass der Abstand benachbarter elektrischer Verbindungen im Bereich 1 bis 20 mm, bevorzugt im Bereich 3 bis 10 mm und insbesondere im Bereich 4 bis 7 mm beträgt.In an advantageous development, it is provided that the distance between adjacent electrical connections is in the range 1 to 20 mm, preferably in the range 3 to 10 mm and in particular in the range 4 to 7 mm.

„Strukturierungsgräben“ im Sinne der vorliegenden Erfindung sind nicht nur linienförmige Gräben, also zweidimensionale Grabenformen, sondern auch eindimensionale Grabenformen, wie Löcher und dgl."Structuring trenches" in the sense of the present invention are not only linear trenches, ie two-dimensional trench shapes, but also one-dimensional trench shapes, such as holes and the like.

Die Kennzeichen und weitere Vorteile der Erfindung werden im Rahmen der folgenden Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels im Zusammenhang mit den Figuren deutlich werden. Dabei zeigen rein schematisch:

  • 1 die erfindungsgemäße Reihenverschaltung bei einer photovoltaischen Vorrichtung in einer Draufsicht von oben,
  • 2 die erfindungsgemäße Reihenverschaltung nach 1 in einer Draufsicht von unten,
  • 3 erfindungsgemäße Reihenverschaltung nach 1 in einer ersten Schnittansicht,
  • 4 erfindungsgemäße Reihenverschaltung nach 1 in einer zweiten Schnittansicht,
  • 5 erfindungsgemäße Reihenverschaltung nach 1 in einer dritten Schnittansicht und
  • 6 erfindungsgemäße Reihenverschaltung nach 1 in einer vierten Schnittansicht.
The characteristics and further advantages of the invention will become apparent in the context of the following description of a preferred embodiment in conjunction with the figures. Here are purely schematic:
  • 1 the series connection according to the invention in a photovoltaic device in a plan view from above,
  • 2 the series connection according to the invention 1 in a top view from below,
  • 3 inventive series connection according to 1 in a first sectional view,
  • 4 inventive series connection according to 1 in a second sectional view,
  • 5 inventive series connection according to 1 in a third sectional view and
  • 6 inventive series connection according to 1 in a fourth sectional view.

In die 1 bis 6 ist eine bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Reihenverschaltung 10 in verschiedenen Ansichten gezeigt, die im Rahmen einer photovoltaischen Vorrichtung 12 Verwendung findet.In the 1 to 6 is a preferred embodiment of the series connection according to the invention 10 shown in different views, as part of a photovoltaic device 12 Use finds.

Es ist zu erkennen, dass die photovoltaischen Vorrichtung 12 zahlreiche in Reihe mittels der Reihenverschaltung 10 miteinander elektrisch verbundene Bauelemente 14 in Form von Solarzellen 14 aufweist, wobei der Übersichtlichkeit halber in den 1 bis 3 nur drei Solarzellen 14a, 14b, 14c gezeigt sind.It can be seen that the photovoltaic device 12 numerous in series by means of series connection 10 electrically connected components 14 in the form of solar cells 14 has, for the sake of clarity in the 1 to 3 only three solar cells 14a . 14b . 14c are shown.

Die Solarzellen 14a, 14b, 14c sind auf einem gemeinsamen Substrat 16 monolithisch angeordnet, wobei die Solarzellen 14a, 14b, 14c jeweils eine erste Kontaktschicht 18a, 18b, 18c aufweisen, einen darauf angeordneten Absorber 20a, 20b, 20c und eine darauf angeordnete zweite Kontaktschicht 22a, 22b, 22c.The solar cells 14a . 14b . 14c are on a common substrate 16 arranged monolithically, the solar cells 14a . 14b . 14c each a first contact layer 18a . 18b . 18c have, an absorber arranged thereon 20a . 20b . 20c and a second contact layer disposed thereon 22a . 22b . 22c ,

Die jeweilige erste Kontaktschicht 22a, 22b der Solarzellen 14a, 14b ragt mit einem Abschnitt 24a, 24b, der fingerförmig ausgebildet ist, in die rechts benachbarte erste Kontaktschicht 22b, 22c der Solarzellen 14b, 14c hinein, wobei die Abschnitte 24a, 24b in Bezug auf die Grenze 26a, 26b zwischen den Solarzellen 14a, 14b, 14c senkrecht ausgerichtet sind. Außerdem ist eine elektrisch leitende Verbindung 28a, 28b zwischen den Abschnitten 24a, 24b der Solarzellen 14a, 14b und den ersten Kontaktschichten 18b, 18c der Solarzellen 14b, 14c vorgesehen.The respective first contact layer 22a . 22b the solar cells 14a . 14b sticks out with a section 24a . 24b formed finger-shaped, in the right adjacent first contact layer 22b . 22c the solar cells 14b . 14c into it, with the sections 24a . 24b in terms of the border 26a . 26b between the solar cells 14a . 14b . 14c are aligned vertically. There is also an electrically conductive connection 28a . 28b between the sections 24a . 24b the solar cells 14a . 14b and the first contact layers 18b . 18c the solar cells 14b . 14c intended.

Die elektrisch leitenden Verbindungen 28a, 28b verlaufen parallel zur Oberflächennormale N des Glassubstrates 16, und zwar mittig zwischen den Grenzen 26a, 26b, 26c zu den benachbarten Solarzellen 14a, 14b, 14c. Die zweiten Kontaktschichten 22a, 22b, 22c sind somit miteinander verschränkt ausgebildet, wobei die Finger 24a, 24b, 24c jeweils bis zur Mitte in die benachbarte zweite Kontaktschicht 22a, 22c hineinragen. Eine Trennung der Finger 24a, 24b von dem Material der benachbarten zweiten Kontaktschicht 22b, 22c wird durch einen Strukturierungsgraben 30a, 30b erzeugtThe electrically conductive connections 28a . 28b run parallel to the surface normal N of the glass substrate 16 , in the middle between the borders 26a . 26b . 26c to the neighboring solar cells 14a . 14b . 14c , The second contact layers 22a . 22b . 22c are thus formed entangled with each other, with the fingers 24a . 24b . 24c each to the middle in the adjacent second contact layer 22a . 22c protrude. A separation of the fingers 24a . 24b of the material of the adjacent second contact layer 22b . 22c is through a structuring trench 30a . 30b generated

In 3 ist zu erkennen, dass die elektrisch leitenden Verbindungen 28a, 28b jeweils einen kreisrunden Querschnitt aufweisen. Die elektrisch leitenden Verbindungen 28a, 28b sind aus dem Material der zweiten Kontaktschicht 22a, 22b, 22c gebildet.In 3 is to realize that the electrically conductive connections 28a . 28b each have a circular cross-section. The electrically conductive connections 28a . 28b are made of the material of the second contact layer 22a . 22b . 22c educated.

Die Grenzen 26a, 26b, 26c sind durch ein Dielektrikum 32a, 32b, 32c gebildet, dass benachbarte Solarzellen 14a, 14b, 14c elektrisch voneinander isoliert, so dass die einzige elektrische Verbindung zwischen den Solarzellen 14a, 14b, 14c über die elektrisch leitenden Verbindungen 28a, 28b erzeugt wird.The limits 26a . 26b . 26c are through a dielectric 32a . 32b . 32c formed that neighboring solar cells 14a . 14b . 14c electrically insulated from each other, leaving the only electrical connection between the solar cells 14a . 14b . 14c via the electrically conductive connections 28a . 28b is produced.

Die 4, 5, 6 zeigen weitere Schnittansichten, wobei 4 einen Schnitt entsprechend der durchgezogenen Linie A in 1 wiedergibt, 5 einen Schnitt entsprechend der strichlierten Linie B in 1 wiedergibt und 6 einen Schnitt entsprechend der stichpunktierten Linie C in 1 wiedergibt.The 4 . 5 . 6 show further sectional views, wherein 4 a section corresponding to the solid line A in 1 reproduces, 5 a section corresponding to the dashed line B in 1 reproduces and 6 a section corresponding to the dotted line C in 1 reproduces.

Die Herstellung der photovoltaischen Vorrichtung 12 erfolgte mit dem erfindungsgemäßen Verfahren dadurch, dass zuerst die erste Kontaktschicht 18 monolithisch auf dem Substrat 16 abgeschieden wurde. Auf diese erste Kontaktschicht 18 wurde der Absorber 20 monolithisch abgeschieden.The manufacture of the photovoltaic device 12 was carried out with the method according to the invention in that first the first contact layer 18 monolithic on the substrate 16 was separated. On this first contact layer 18 became the absorber 20 deposited monolithically.

Anschließend wurden in einem ersten Strukturierungsschritt, beispielsweise durch einem Laser-Schreibprozess, erste Strukturierungsgräben 34a, 34b, 34c erzeugt und mit dem Dielektrikum 32a, 32b, 32c in bekannter Weise verfüllt. Die ersten Strukturierungsgräben 34a, 34b, 34c sind dabei bewusst etwas in das Glassubstrat 16 hineingeführt (vgl. 5), um eine optimale Isolierung zu erzielen. Durch diese ersten Strukturierungsgräben 34a, 34b, 34c wurden die Grenzen 26a, 26b, 26c zwischen den Solarzellen 14a, 14b, 14c erzeugt, wobei die ersten Kontaktschichten 18a, 18b, 18c und die Absorberschichten 20a, 20b, 20c jeweils elektrisch isoliert voneinander vorliegen.Subsequently, in a first structuring step, for example by a laser writing process, first structuring trenches were formed 34a . 34b . 34c generated and with the dielectric 32a . 32b . 32c filled in a known manner. The first structuring trenches 34a . 34b . 34c are aware of something in the glass substrate 16 led in (cf. 5 ) to achieve optimum insulation. Through these first structuring trenches 34a . 34b . 34c were the limits 26a . 26b . 26c between the solar cells 14a . 14b . 14c generated, wherein the first contact layers 18a . 18b . 18c and the absorber layers 20a . 20b . 20c each electrically isolated from each other.

Dann wurden in einem zweiten Strukturierungsschritt, beispielsweise durch einem Laser-Bestrahlungsprozess, lokale Strukturierungslöcher 36a, 36b als zweite Strukturierungsgräben erzeugt.Then, in a second structuring step, for example by a laser irradiation process, local patterning holes were formed 36a . 36b produced as second structuring trenches.

Anschließend wurde die zweite Kontaktschicht 22 monolithisch auf dem Absorber 20 abgeschieden, wobei zugleich die lokalen Strukturierungslöcher 36a, 36b mit dem Material der zweiten Kontaktschicht 22 verfüllt wurden.Subsequently, the second contact layer 22 monolithic on the absorber 20 deposited, while at the same time the local patterning holes 36a . 36b with the material of the second contact layer 22 were filled.

Schließlich wurden in einem dritten Strukturierungsschritt, beispielsweise durch einen Laser-Schreibprozess, die dritten Strukturierungsgräben 30a, 30b erzeugt, die bewusst etwas in die Absorberschicht 20 hineingeführt sind, so dass eine optimale elektrische Isolierung erzeugt wird. Diese dritten Strukturierungsgräben 30a, 30b trennen die zweiten Kontaktschichten 22a, 22b voneinander und führen zur Ausbildung der Finger 24a, 24b.Finally, in a third structuring step, for example by a laser writing process, the third structuring trenches 30a . 30b deliberately creates something in the absorber layer 20 are inserted, so that an optimal electrical insulation is generated. These third structuring trenches 30a . 30b separate the second contact layers 22a . 22b from each other and lead to the formation of the fingers 24a . 24b ,

Die genaue Ausgestaltung der photovoltaischen Vorrichtung 12 ist die folgende:The exact configuration of the photovoltaic device 12 is the following:

Das Substrat 16 ist ein Floatglas-Substrat 16, es kommen aber auch Kalknatronglas, Polymere und andere geeignete Materialien in Betracht.The substrate 16 is a float glass substrate 16 However, soda-lime glass, polymers and other suitable materials may also be considered.

Die erste Kontaktschicht 18 ist eine transparente leitfähige Schicht aus ITO (Indiumzinnoxid), wobei grundsätzlich Zinnoxid, Zinkoxid, Kadmiumstannat, deren dotierte Varianten, Kombinationen dieser Materialen und andere geeignete Materialien verwendet werden können. Diese ITO-Schicht 18 weist eine Dicke von 0,5 µm auf.The first contact layer 18 is a transparent conductive layer of ITO (Indium Tin Oxide), wherein basically tin oxide, zinc oxide, cadmium stannate, their doped variants, combinations of these materials and other suitable materials can be used. This ITO layer 18 has a thickness of 0.5 μm.

Die Absorberschicht 20 ist eine optisch aktive Schicht, wofür ein oder mehrere n-typ und/oder ein oder mehrere p-typ Halbleiter in Betracht kommen, die einen p-n-Übergang (oder alternativ einen p-i-n-Übergang) ausbilden. Im vorliegenden Fall wird n-typ Kadmiumsulfid und p-typ Kadmiumtellurid aufeinander abgeschieden bevorzugt. Die gesamte Absorberschicht 20 weist eine Dicke von 3,0 µm auf, wobei die Kadmiumsulfidschicht eine Dicke von 0,1 µm besitz und die Kadmiumtelluridschicht eine Dicke von 2,9 µm.The absorber layer 20 is an optically active layer, for which one or more n-type and / or one or more p-type semiconductors come into consideration, which form a pn junction (or alternatively a pin junction). In the present case, n-type cadmium sulfide and p-type cadmium telluride are preferred to be sequentially deposited. The entire absorber layer 20 has a thickness of 3.0 μm, with the cadmium sulfide layer having a thickness of 0.1 μm and the cadmium telluride layer having a thickness of 2.9 μm.

Die Rückkontaktschicht 22 kann eines der Materialien Aluminium, Chrom, Gold, Kupfer, Molybdän, Nickel, Palladium, Silber, Titan, Wolfram oder Kombinationen davon oder andere geeignete Materialien aufweisen. Sie weist eine Dicke von 0,5 µm auf.The back contact layer 22 For example, any of the materials may include aluminum, chromium, gold, copper, molybdenum, nickel, palladium, silver, titanium, tungsten, or combinations thereof, or other suitable materials. It has a thickness of 0.5 μm.

Die Breite der ersten Kontaktschichten 18a, 18b, 18c und damit die Breite der Solarzellen 14a, 14b, 14c beträgt 1-20 mm. Die Breite des ersten Strukturierungsgrabens 34a, 34b, 34c beträgt 1...500 µm und die Breite des dritten Strukturierungsgrabens 30a, 30b beträgt 1...500µm. Die Breite der Finger 24a, 24b, 24c beträgt 1...100 µm. Der Durchmesser D der elektrischen Leitungsverbindung 28a, 28b beträgt 1...100 µm.The width of the first contact layers 18a . 18b . 18c and thus the width of the solar cells 14a . 14b . 14c is 1-20 mm. The width of the first structuring trench 34a . 34b . 34c is 1 ... 500 μm and the width of the third structuring trench 30a . 30b is 1 ... 500μm. The width of the fingers 24a . 24b . 24c is 1 ... 100 μm. The diameter D the electrical line connection 28a . 28b is 1 ... 100 μm.

Die vorgenannten Schichten 18, 20, 22 werden vorzugsweise durch ein Sputterverfahren abgeschieden, aber auch andere geeignete Verfahren sind möglich. Als Dielektrikum 32a, 32b, 32c zur Ausfüllung der ersten Strukturierungsgräben 34a, 34b, 34c kommen aushärtbare Lacke und andere geeignete Materialien in Frage, die beispielsweise mit einem Tintenstrahldruckverfahren, aber auch mittels Sputtern oder einem Rollercoater eingebracht werden können.The aforementioned layers 18 . 20 . 22 are preferably deposited by a sputtering process, but other suitable methods are possible. As a dielectric 32a . 32b . 32c to fill in the first structuring trenches 34a . 34b . 34c curable paints and other suitable materials in question, which can be introduced for example by an ink jet printing process, but also by means of sputtering or a Rollercoater.

Die Laser-Strukturierungsprozesse können in bekannt Art und Weise mittels einer jeweiligen Maske durchgeführt werden. Andererseits können vorteilhaft auch ein oder mehrere Laser verwendet werden, die auf einem Koordinatentisch fliegend in x- und y-Richtung gelagert sind.The laser patterning processes can be performed in a known manner by means of a respective mask. On the other hand, it is also advantageous to use one or more lasers which are mounted on a coordinate table so as to fly in the x and y directions.

Auch wenn vorstehend die Abschnitte 24a, 24b jeweils nur eine elektrisch leitende Verbindung 28a, 28b aufweisen, so können vorteilhaft auch mehrere verwendet werden, wobei diese dann vorzugsweise wie eine Perlenschnur und gleich beabstandet an den Fingern 24a, 24b angeordnet sind.Even if the sections above 24a . 24b only one electrically conductive connection 28a . 28b may also be used advantageously several, and these then preferably like a string of pearls and evenly spaced on the fingers 24a . 24b are arranged.

Zwar wurde die Erfindung der Reihenverschaltung 10 vorstehend anhand einer photovoltaischen Vorrichtung 12 erläutert wurde, kann sie doch für beliebige elektrische Bauelemente eingesetzt werden.Although the invention of series connection 10 above with reference to a photovoltaic device 12 has been explained, but it can be used for any electrical components.

Soweit nichts anderes angegeben ist, können sämtliche Merkmale der vorliegenden Erfindung frei und isoliert von anderen Merkmalen miteinander kombiniert werden. Auch die in der Figurenbeschreibung beschriebenen Merkmale können, soweit nichts anderes angegeben ist, als Merkmale der Erfindung frei und isoliert mit den übrigen Merkmalen, insbesondere den Anspruchsmerkmalen, kombiniert werden. Dabei können gegenständliche Merkmale auch umformuliert als Verfahrensmerkmale Verwendung finden und Verfahrensmerkmale umformuliert als gegenständliche Merkmale.Unless otherwise indicated, all features of the present invention may be combined freely and isolated from other features. The features described in the description of the figures can, unless stated otherwise, be combined as features of the invention freely and in isolation with the other features, in particular the claim features. In this case, representational features can also be reformulated as process features use and reformulated process characteristics as representational characteristics.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

1010
Reihenverschaltungseries connection
1212
photovoltaische Vorrichtungphotovoltaic device
14, 14a, 14b, 14c14, 14a, 14b, 14c
Bauelemente, SolarzellenComponents, solar cells
1616
Substratsubstratum
18, 18a, 18b, 18c18, 18a, 18b, 18c
erste Kontaktschichtfirst contact layer
20, 20a, 20b, 20c20, 20a, 20b, 20c
Absorber, optisch aktive SchichtAbsorber, optically active layer
22, 22a, 22b, 22c22, 22a, 22b, 22c
zweite Kontaktschicht, Rückseitenkontaktsecond contact layer, rear contact
24a, 24b24a, 24b
Finger, Abschnitt der ersten Kontaktschicht 22a, 22b Finger, section of the first contact layer 22a . 22b
26a, 26b, 26c26a, 26b, 26c
Grenzen zwischen Solarzellen 14a, 14b, 14c Boundaries between solar cells 14a . 14b . 14c
28a, 28b28a, 28b
elektrisch leitende Verbindung zwischen den Abschnitten 24a, 24b und den ersten Kontaktschichten 18b, 18c electrically conductive connection between the sections 24a . 24b and the first contact layers 18b . 18c
30a, 30b30a, 30b
dritte Strukturierungsgräbenthird structuring trenches
32a, 32b, 32c32a, 32b, 32c
Dielektrikumdielectric
34a, 34b, 34c34a, 34b, 34c
erste Strukturierungsgräbenfirst structuring trenches
36a, 36b36a, 36b
lokale Strukturierungslöcher, zweite Strukturierungsgräbenlocal structuring holes, second structuring trenches
DD
Durchmesser der elektrisch leitenden Verbindung 28a, 28b Diameter of the electrically conductive connection 28a . 28b
NN
Oberflächennormale des Glassubstrates 16 Surface normal of the glass substrate 16

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • WO 2014/152556 A1 [0006, 0009]WO 2014/152556 A1 [0006, 0009]

Claims (12)

Reihenverschaltung (10) zwischen einem ersten (14a, 14b) und einem benachbarten zweiten elektrischen Bauelement (14b, 14c), die monolithisch auf einem gemeinsamen Substrat (16) angeordnet sind, wobei die Bauelemente (14a, 14b, 14c) jeweils eine erste (18a, 18b, 18c) und eine zweite Kontaktschicht (22a, 22b, 22c) aufweisen, die als einheitliche Kontaktschichten (18, 22) auf dem Substrat (16) monolithisch gebildet sind, wobei die erste Kontaktschicht (18b, 18c) des zweiten Bauelements (14b, 14c) mit der zweiten Kontaktschicht (22a, 22b) des ersten Bauelements (14a, 14b) elektrisch leitend verbunden ist und die ersten Kontaktschichten (18a, 18b, 18c) der beiden Bauelemente (14a, 14b, 14c) und die zweiten Kontaktschichten (22a, 22b, 22c) der beiden Bauelemente (14a, 14b, 14c) jeweils voneinander elektrisch isoliert ausgebildet sind, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Kontaktschicht (22a, 22b) des ersten Bauelements (14a, 14b) zumindest einen Abschnitt (24a, 24b) aufweist, der sich in den Bereich der zweiten Kontaktschicht (22b, 22c) des zweiten Bauelements (14b, 14c) hinein erstreckt, wobei zwischen diesem Abschnitt (24a, 24b) der zweiten Kontaktschicht (22a, 22b) des ersten Bauelements (14a, 14b) und der ersten Kontaktschicht (18b, 18c) des zweiten Bauelements (14b, 14c) zumindest eine elektrisch leitende Verbindung (28a, 28b) besteht.Series connection (10) between a first (14a, 14b) and an adjacent second electrical component (14b, 14c) which are arranged monolithically on a common substrate (16), wherein the components (14a, 14b, 14c) each have a first (14) 18a, 18b, 18c) and a second contact layer (22a, 22b, 22c), which are monolithically formed as uniform contact layers (18, 22) on the substrate (16), wherein the first contact layer (18b, 18c) of the second component (14b, 14c) is electrically conductively connected to the second contact layer (22a, 22b) of the first component (14a, 14b) and the first contact layers (18a, 18b, 18c) of the two components (14a, 14b, 14c) and the second Contact layers (22a, 22b, 22c) of the two components (14a, 14b, 14c) are each formed electrically insulated from each other, characterized in that the second contact layer (22a, 22b) of the first component (14a, 14b) at least a portion (24a , 24b) located in extends the region of the second contact layer (22b, 22c) of the second component (14b, 14c), between this section (24a, 24b) of the second contact layer (22a, 22b) of the first component (14a, 14b) and the first contact layer (18b, 18c) of the second component (14b, 14c) at least one electrically conductive connection (28a, 28b) consists. Reihenverschaltung (10) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitende Verbindung (28a, 28b) zwischen der zweiten Kontaktschicht (22b, 22c) des ersten Bauelements (14a, 14b) und der ersten Kontaktschicht (18b, 1c) des zweiten Bauelements (14b, 14c) einen kreisförmigen, elliptischen oder eckigen Querschnitt aufweist und sich bevorzugt parallel zur Substratnormale erstreckt.Series connection (10) to Claim 1 characterized in that the electrically conductive connection (28a, 28b) between the second contact layer (22b, 22c) of the first device (14a, 14b) and the first contact layer (18b, 1c) of the second device (14b, 14c) is circular , elliptical or polygonal cross-section and preferably extends parallel to the substrate normal. Reihenverschaltung (10) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Abschnitt (24a, 24b) der zweiten Kontaktschicht (22a, 22b) des ersten Bauelements (14a, 14b) und der zweiten Kontaktschicht (22b, 22c) des zweiten Bauelements (14b, 14c) eine elektrische Isolierung vorliegt, die bevorzugt als dritter Strukturierungsgraben (30a, 30b) ausgebildet ist, der insbesondere mit einem Isolator verfüllt ist.Series connection (10) to Claim 1 or 2 , characterized in that electrical insulation is present between the portion (24a, 24b) of the second contact layer (22a, 22b) of the first component (14a, 14b) and the second contact layer (22b, 22c) of the second component (14b, 14c) , which is preferably formed as a third structuring trench (30a, 30b), which is in particular filled with an insulator. Reihenverschaltung (10) nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitende Verbindung (28a, 28b) zwischen der zweiten Kontaktschicht (22a, 22b) des ersten Bauelements (14a, 14b) und der ersten Kontaktschicht (18b, 18c) des zweiten Bauelements (14b, 14c) in Bezug auf die erste Kontaktschicht (18b, 18c) des zweiten Bauelements (14b, 14c) symmetrisch angeordnet ist.Series connection (10) according to one of the preceding claims, characterized in that the electrically conductive connection (28a, 28b) between the second contact layer (22a, 22b) of the first component (14a, 14b) and the first contact layer (18b, 18c) of second component (14b, 14c) with respect to the first contact layer (18b, 18c) of the second component (14b, 14c) is arranged symmetrically. Reihenverschaltung (10) nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest zwei elektrisch leitende Verbindungen zwischen der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelements (14a, 14b) und der ersten Kontaktschicht des zweiten Bauelements (14b, 14c) an dem Abschnitt der zweiten Kontaktschicht des ersten Bauelements (14a, 14b) bestehen, die voneinander beabstandet und bei mehr als zwei elektrisch leitenden Verbindungen bevorzugt gleich beabstandet angeordnet sind.Series connection (10) according to one of the preceding claims, characterized in that at least two electrically conductive connections between the second contact layer of the first component (14a, 14b) and the first contact layer of the second component (14b, 14c) at the portion of the second contact layer of first component (14a, 14b), which are spaced from each other and are preferably equally spaced at more than two electrically conductive connections. Reihenverschaltung (10) nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Kontaktschicht (22a, 22b) des ersten Bauelements (14a, 14b) zumindest zwei Abschnitte (24a, 24a', 24b, 24b') aufweist, die sich in den Bereich der zweiten Kontaktschicht des zweiten Bauelements (14b, 14c) hinein erstrecken und jeweils elektrisch leitende Verbindungen (28a, 28b) zu der ersten Kontaktschicht des zweiten bauelements (14b, 14c) bestehen, wobei die Abschnitte (24a, 24a', 24b, 24b') voneinander beabstandet und bei mehr als zwei Abschnitten (24a, 24a', 24b, 24b') bevorzugt gleich beabstandet angeordnet sind.Series connection (10) according to one of the preceding claims, characterized in that the second contact layer (22a, 22b) of the first component (14a, 14b) has at least two sections (24a, 24a ', 24b, 24b') extending in the Extend in the region of the second contact layer of the second component (14b, 14c) and in each case electrically conductive connections (28a, 28b) to the first contact layer of the second component (14b, 14c), wherein the portions (24a, 24a ', 24b, 24b ') spaced apart and at more than two portions (24a, 24a', 24b, 24b ') are preferably arranged equally spaced. Reihenverschaltung (10) nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Bauelemente Solarzellen (14a, 14b, 14c), bevorzugt Dünnschichtsolarzellen sind und/oder dass zumindest eine der ersten (18a, 18b, 18c) und zweiten Kontaktschichten eine metallisch leitende Oxidschicht ist.Series connection (10) according to one of the preceding claims, characterized in that the components are solar cells (14a, 14b, 14c), preferably thin-film solar cells and / or that at least one of the first (18a, 18b, 18c) and second contact layers, a metallically conductive oxide layer is. Verfahren zur Herstellung einer Reihenverschaltung (10) zwischen einem ersten (14a, 14b)und einem benachbarten zweiten elektrischen Bauelement (14b, 14c), die monolithisch auf einem gemeinsamen Substrat (16) so erzeugt werden, dass die Bauelemente (14a, 14b, 14c) jeweils eine erste (18a, 18b, 18c) und eine zweite Kontaktschicht (22a, 22b, 22c) aufweisen, die als einheitliche Kontaktschichten (18, 22) auf dem Substrat (16) monolithisch gebildet wurden, wobei die erste Kontaktschicht (18b, 18c) des zweiten Bauelements (14b, 14c) mit der zweiten Kontaktschicht (22a, 22b) des ersten Bauelements (14a, 14b) elektrisch leitend verbunden wurde und die ersten Kontaktschichten (18a, 18b, 18c) der beiden Bauelemente (14a, 14b, 14c) und die zweiten Kontaktschichten (22a, 22b, 22c) der beiden Bauelemente (14a, 14b, 14c) jeweils voneinander elektrisch isoliert ausgebildet wurden, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Kontaktschicht (22a, 22b) des ersten Bauelements (14a, 14b) so ausgebildet wird, dass sie zumindest einen Abschnitt (24a, 24b) aufweist, der sich in den Bereich der zweiten Kontaktschicht (22b, 22c) des zweiten Bauelements (14b, 14c) hinein erstreckt, wobei zwischen diesem Abschnitt (24a, 24b) der zweiten Kontaktschicht (22a, 22b) des ersten Bauelements (14a, 14b) und der ersten Kontaktschicht (18b, 18c) des zweiten Bauelements (14b, 14c) zumindest eine elektrisch leitende Verbindung (28a, 28b) besteht.Method for producing a series connection (10) between a first (14a, 14b) and an adjacent second electrical component (14b, 14c) which are monolithically produced on a common substrate (16) such that the components (14a, 14b, 14c ) each have a first (18a, 18b, 18c) and a second contact layer (22a, 22b, 22c) which have been monolithically formed as uniform contact layers (18, 22) on the substrate (16), the first Contact layer (18b, 18c) of the second component (14b, 14c) with the second contact layer (22a, 22b) of the first component (14a, 14b) was electrically conductively connected and the first contact layers (18a, 18b, 18c) of the two components ( 14a, 14b, 14c) and the second contact layers (22a, 22b, 22c) of the two components (14a, 14b, 14c) were each formed electrically insulated from each other, characterized in that the second contact layer (22a, 22b) of the first component ( 14a, 14b) is formed to have at least a portion (24a, 24b) extending into the region of the second contact layer (22b, 22c) of the second device (14b, 14c), between this section (24a , 24b) of the second contact layer (22a, 22b) of the first component (14a, 14b) and the first contact layer (18b, 18c) of the second component (14b, 14c) at least one electrically conductive connection (28a, 28b). Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren angepasst ist, die Reihenverschaltung (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 7 zu erzeugen.Method according to Claim 8 , characterized in that the method is adapted, the series connection (10) according to one of Claims 1 to 7 to create. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung der elektrischen Isolierung (32a, 32b, 32c) zwischen den ersten Kontaktschichten der Bauelemente (14a, 14b, 14c) ein erster Strukturierungsgraben (34a, 34b, 34c) erzeugt wird, der mit einem elektrischen Isolator (32a, 32b, 32c) verfüllt wird, wobei sich der erste Strukturierungsgraben (34a, 34b, 34c) bevorzugt bis unter die zweite Kontaktschicht (22a, 22b) des ersten Bauelements (14a, 14b) erstreckt.Method according to one of Claims 8 or 9 , characterized in that for producing the electrical insulation (32a, 32b, 32c) between the first contact layers of the components (14a, 14b, 14c), a first patterning trench (34a, 34b, 34c) is generated, which is connected to an electrical insulator (32a , 32b, 32c), wherein the first structuring trench (34a, 34b, 34c) preferably extends below the second contact layer (22a, 22b) of the first component (14a, 14b). Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung der elektrisch leitenden Verbindung (28a, 28b) zwischen der zweiten Kontaktschicht (22a, 22b) des ersten Bauelements (14a, 14b) und der ersten Kontaktschicht (18b, 18c) des zweiten Bauelements (14b, 14c) zumindest ein zweiter Strukturierungsgraben (36a, 36b) erzeugt wird, der sich bis zur ersten Kontaktschicht (18b, 18c) des zweiten Bauelements (14b, 14c) oder durch die erste Kontaktschicht (18b, 18c) des zweiten Bauelements (14b, 14c) erstreckt und während der Erzeugung der monolithischen zweiten Kontaktschicht (22) mit Material der zweiten Kontaktschicht (22) verfüllt wird, wobei der zweite Strukturierungsgraben (36a, 36b) bevorzugt punktförmig oder mit einer Längserstreckung in Bezug auf die Substratfläche von 1 µm bis 500 µm, bevorzugt von höchstens 300 µm, insbesondere von höchstens 200 µm ausgebildet wird.Method according to one of Claims 8 to 10 , characterized in that for producing the electrically conductive connection (28a, 28b) between the second contact layer (22a, 22b) of the first component (14a, 14b) and the first contact layer (18b, 18c) of the second component (14b, 14c) at least one second structuring trench (36a, 36b) is produced, which extends as far as the first contact layer (18b, 18c) of the second component (14b, 14c) or through the first contact layer (18b, 18c) of the second component (14b, 14c) and during the production of the monolithic second contact layer (22) is filled with material of the second contact layer (22), wherein the second structuring trench (36a, 36b) preferably point-like or with a longitudinal extent with respect to the substrate surface of 1 .mu.m to 500 .mu.m, preferably of at most 300 .mu.m, in particular of at most 200 .mu.m is formed. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung der elektrischen Isolierung (30a, 30b) zwischen den zweiten Kontaktschichten (22a, 22b, 22c) der Bauelemente (14a, 14b, 14c) ein dritter Strukturierungsgraben (30a, 30b) erzeugt wird, wobei der dritte Strukturierungsgraben (30a, 30b) insbesondere so ausgebildet wird, dass sich der Abschnitt (24a, 24b) in Bezug auf eine Grenze (26a, 26b, 26c) zwischen den Bauelementen (14a, 14b, 14c) senkrecht sich in den Bereich der zweiten Kontaktschicht (22b, 22c) des zweiten Bauelements (14b, 14c) hinein erstreckt.Method according to one of Claims 8 to 11 , characterized in that for the production of the electrical insulation (30a, 30b) between the second contact layers (22a, 22b, 22c) of the components (14a, 14b, 14c), a third structuring trench (30a, 30b) is generated, wherein the third structuring trench (30a, 30b) is in particular formed such that the portion (24a, 24b) with respect to a boundary (26a, 26b, 26c) between the components (14a, 14b, 14c) perpendicularly in the region of the second contact layer ( 22b, 22c) of the second component (14b, 14c).
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