DE102017203571A1 - OPTICAL ARRANGEMENT FOR A LITHOGRAPHIC SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING A LITHOGRAPHIC SYSTEM - Google Patents

OPTICAL ARRANGEMENT FOR A LITHOGRAPHIC SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING A LITHOGRAPHIC SYSTEM Download PDF

Info

Publication number
DE102017203571A1
DE102017203571A1 DE102017203571.4A DE102017203571A DE102017203571A1 DE 102017203571 A1 DE102017203571 A1 DE 102017203571A1 DE 102017203571 A DE102017203571 A DE 102017203571A DE 102017203571 A1 DE102017203571 A1 DE 102017203571A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
segment
segments
wavefront
segmented
optical element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102017203571.4A
Other languages
German (de)
Inventor
Auf Teilnichtnennung Antrag
Ferdinand Djuric-Rissner
Sonja Schneider
Robert Weiss
Norbert Wabra
Peter Graf
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE102017203571.4A priority Critical patent/DE102017203571A1/en
Priority to PCT/EP2018/054833 priority patent/WO2018162286A1/en
Publication of DE102017203571A1 publication Critical patent/DE102017203571A1/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70308Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70258Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891Temperature

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Lenses (AREA)

Abstract

Optische Anordnung für eine Lithographieanlage, welche einen Strahlengang zum Abbilden lithographischer Strukturen aufweist, mit einem in dem Strahlengang angeordneten Wellenfrontmanipulator, welcher im Betrieb der Lithographieanlage von einem in dem Strahlengang verlaufenden Strahlenbündel entlang einer Durchstrahlrichtung durchstrahlt wird und welcher dazu eingerichtet ist, eine optische Weglänge für das Strahlenbündel einzustellen, wobei der Wellenfrontmanipulator aufweist:
ein segmentiertes optisches Element mit quer zur Durchstrahlrichtung nebeneinander angeordneten Segmenten, wobei zumindest ein Segment derart beweglich angeordnet ist, dass sich bei einer Positionsänderung des Segments relativ zu dem das Segment durchstrahlende Strahlenbündel die optische Weglänge für das Strahlenbündel ändert.

Figure DE102017203571A1_0000
Optical arrangement for a lithographic system, which has a beam path for imaging lithographic structures, with a wavefront manipulator arranged in the beam path, which is irradiated during operation of the lithography of a beam extending in the beam path along a transmission direction and which is adapted to an optical path length for to adjust the beam, the wavefront manipulator having
a segmented optical element with segments arranged transversely to the transmission direction, wherein at least one segment is arranged such that changes in the position of the segment relative to the radiation beam passing through the segment changes the optical path length for the radiation beam.
Figure DE102017203571A1_0000

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine optische Anordnung für eine Lithographieanlage mit einem Wellenfrontmanipulator sowie ein Verfahren zum Betreiben einer Lithographieanlage.The present invention relates to an optical arrangement for a lithography system with a wavefront manipulator and to a method for operating a lithography system.

Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.Microlithography is used to fabricate microstructured devices such as integrated circuits. The microlithography process is performed with a lithography system having an illumination system and a projection system. The image of a mask (reticle) illuminated by means of the illumination system is projected onto a photosensitive layer (photoresist) coated in the image plane of the projection system substrate, for example a silicon wafer, by the projection system to the mask structure on the photosensitive coating of the substrate transferred to.

Beim Abbilden der lithographischen Mikro- oder Nanostrukturen auf die Waferoberfläche wird meist nicht der gesamte Wafer belichtet, sondern lediglich ein schmaler Bereich. In der Regel wird die Waferoberfläche stück- oder schlitzweise belichtet. Dabei wird sowohl der Wafer wie auch die Maske schrittweise abgescannt und gegeneinander antiparallel bewegt. Die Belichtungsfläche ist dabei häufig ein rechteckiger Bereich.When imaging the lithographic micro- or nanostructures onto the wafer surface, it is usually not the entire wafer that is exposed, but only a narrow area. As a rule, the wafer surface is exposed piece by piece or slitwise. Both the wafer and the mask are scanned step by step and moved against each other antiparallel. The exposure area is often a rectangular area.

Übliche Lichtwellenlängen für DUV-Systeme betragen derzeit 248 nm, 193 nm und gelegentlich 157 nm. Um noch höhere lithographische Auflösungen zu erzielen, wird Strahlung bis hin zu weicher Röntgenstrahlung verwendet. Für Licht der Wellenlänge von 13,5 nm lassen sich zum Beispiel Strahlungsquellen und Optiken für lithographische Zwecke herstellen.Current light wavelengths for DUV systems are currently 248 nm, 193 nm and occasionally 157 nm. In order to achieve even higher lithographic resolutions, radiation up to soft X-radiation is used. For 13.5 nm light, for example, radiation sources and optics can be fabricated for lithographic purposes.

Aktuelle Lithographieanlagen erreichen eine Auflösung im Nanometer-Bereich. Um komplexe Strukturen herstellen zu können, ist es notwendig, einzelne Wafer in mehreren Prozessschritten mehrmals zu belichten. Dabei kommt es auf eine genaue Übereinstimmung der abzubildenden Strukturen einer Maske mit bereits vorhandenen Strukturen an. Obwohl bekannte Projektionsoptiken eine sehr hohe Abbildungsgüte erreichen, kommt es insbesondere im Betrieb einer Lithographieanlage zu zeitlich veränderlichen Betriebsbedingungen, die sich zum Teil in zeitlich veränderlichen Abbildungsfehlern niederschlagen. Beispielsweise führt eine lokale Erwärmung einer Linse zu mechanischen Spannungen in der Linse, die einerseits zu einer Verformung des Linsenkörpers führen und andererseits auch lokal veränderte optische Eigenschaften des Linsenmaterials bedingen können.Current lithography systems achieve a resolution in the nanometer range. In order to be able to produce complex structures, it is necessary to expose individual wafers several times in several process steps. It depends on an exact match of the structures to be imaged of a mask with already existing structures. Although known projection optics achieve a very high imaging quality, temporally variable operating conditions occur, in particular in the operation of a lithography system, which are reflected in part in time-varying aberrations. For example, a local heating of a lens leads to mechanical stresses in the lens, which on the one hand lead to a deformation of the lens body and on the other hand can also cause locally changed optical properties of the lens material.

Abbildungsfehler von optischen Systemen werden auch Aberrationen genannt. Eine Möglichkeit, die Aberrationen eines optischen Systems zu beschreiben, stellen die sogenannten Zernike-Polynome dar. Verschiedene Zernike-Polynome beschreiben dabei unterschiedliche Aberrationen. Der Funktionswert eines Zernike-Polynoms gibt dabei die Abweichung der tatsächlichen Wellenfront von Strahlung von einer idealen Wellenfront an.Aberrations of optical systems are also called aberrations. One way to describe the aberrations of an optical system, the so-called Zernike polynomials dar. Different Zernike polynomials describe different aberrations. The function value of a Zernike polynomial indicates the deviation of the actual wavefront of radiation from an ideal wavefront.

Mit einer gezielten Änderung der Wellenfront der Strahlung ist es daher möglich, eine ideale Wellenfront zu erhalten und somit ein ideales optisches System zu erhalten. Dies kann erreicht werden, indem die optische Weglänge von einzelnen Lichtstrahlen oder Lichtbündeln gezielt angepasst wird. Dadurch kann eine ungewollt entstehende Krümmung der Wellenfront kompensiert werden.With a targeted change of the wavefront of the radiation, it is therefore possible to obtain an ideal wavefront and thus obtain an ideal optical system. This can be achieved by specifically adjusting the optical path length of individual light beams or light bundles. As a result, an undesired curvature of the wavefront can be compensated.

Beispielsweise kann in einem optischen Element der Brechungsindex lokal für einzelne Lichtbündel verändert werden. Eine Möglichkeit, dies zu erreichen, ist durch lokales Heizen einer durchstrahlten Glasplatte gegeben. Derartige Vorrichtungen sind zum Beispiel aus der DE 199 56 353 C1 oder aus der WO 2013 044 936 A1 bekannt.For example, in an optical element, the refractive index can be changed locally for individual light bundles. One way to accomplish this is by locally heating a glass plate through. Such devices are for example from DE 199 56 353 C1 or from the WO 2013 044 936 A1 known.

Allerdings eignen sich derartige Systeme nicht, um eine zeitlich schnelle Anpassung vorzunehmen, da ein Regelvorgang mit solchen Systemen wenigstens mehrere Sekunden beansprucht.However, such systems are not suitable for making a fast adaptation, since a control process with such systems takes at least several seconds.

Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, eine verbesserte optische Anordnung zur Korrektur der Wellenfront von Strahlung in einer Lithographieanlage bereitzustellen.Against this background, an object of the present invention is to provide an improved optical arrangement for correcting the wavefront of radiation in a lithography system.

Demgemäß wird eine optische Anordnung für eine Lithographieanlage vorgeschlagen. Die Lithographieanlage weist einen Strahlengang zum Abbilden lithographischer Strukturen auf, wobei in dem Strahlengang ein Wellenfrontmanipulator angeordnet ist, welcher im Betrieb der Lithographieanlage von einem in dem Strahlengang verlaufenden Strahlenbündel entlang einer Durchstrahlrichtung durchstrahlt wird. Der Wellenfrontmanipulator ist dazu eingerichtet, eine optische Weglänge für das Strahlenbündel einzustellen. Hierzu weist der Wellenfrontmanipulator ein segmentiertes optisches Element mit quer zur Durchstrahlrichtung nebeneinander angeordneten Segmenten auf, wobei zumindest ein Segment derart beweglich angeordnet ist, dass sich bei einer Positionsänderung des Segments relativ zu dem das Segment durchstrahlende Strahlenbündel die optische Weglänge für das Strahlenbündel ändert.Accordingly, an optical arrangement for a lithography system is proposed. The lithographic system has a beam path for imaging lithographic structures, wherein a wavefront manipulator is arranged in the beam path, which is irradiated in the operation of the lithographic system by a beam extending in the beam path along a transmission direction. The wavefront manipulator is configured to set an optical path length for the beam. For this purpose, the wavefront manipulator has a segmented optical element with segments arranged transversely to the transmission direction, wherein at least one segment is arranged such that changes in the position of the segment relative to the radiation beam passing through the segment changes the optical path length for the beam.

Ein zusätzlicher Aspekt dieser Anmeldung betrifft eine optische Anordnung für eine Lithographieanlage, die einen Strahlengang zum Abbilden lithographischer Strukturen aufweist, wobei in dem Strahlengang ein Wellenfrontmanipulator angeordnet ist, welcher im Betrieb der Lithographieanlage von einem in dem Strahlengang verlaufenden Strahlenbündel entlang einer Durchstrahlrichtung durchstrahlt wird. Der Wellenfrontmanipulator ist dazu eingerichtet, eine optische Weglänge für das Strahlenbündel einzustellen. Hierzu weist der Wellenfrontmanipulator ein segmentiertes optisches Element mit quer zur Durchstrahlrichtung nebeneinander angeordneten Segmenten auf, wobei zumindest ein Segment derart mit Hilfe einer entsprechenden Heizvorrichtung beheizbar ist, dass sich bei einer Temperaturänderung des Segments die optische Weglänge für das das Segment durchstrahlende Strahlenbündel ändert.An additional aspect of this application relates to an optical arrangement for a lithography system, which comprises a beam path for imaging has lithographic structures, wherein in the beam path, a wavefront manipulator is arranged, which is irradiated in the operation of the lithographic system by a beam extending in the beam path along a transmission direction. The wavefront manipulator is configured to set an optical path length for the beam. For this purpose, the wavefront manipulator has a segmented optical element with segments arranged transversely to the transmission direction, wherein at least one segment can be heated with the aid of a corresponding heating device such that the optical path length for the beam passing through the segment changes as the segment changes in temperature.

Die für die optische Anordnung für eine Lithographieanlage mit einem Wellenfrontmanipulator mit beweglichem Segment beschriebenen Ausführungsformen und Merkmale gelten für diesen zusätzlichen Aspekt entsprechend.The embodiments and features described for the optical arrangement for a lithography system with a movable segment wavefront manipulator apply correspondingly to this additional aspect.

Eine entsprechende optische Anordnung ermöglicht es, eine Wellenfront, die in unerwünschter Weise verläuft, auszugleichen und eine verbesserte Abbildungsleistung zu erzielen. Insbesondere ist es möglich, eine Wellenfrontkorrektur besonders rasch, beispielsweise innerhalb von Sekundenbruchteilen, zu erreichen. Das jeweilige Strahlenbündel trägt insbesondere eine lithografische Information, umfasst dann also Nutzlicht. Die Lichtstrahlen des Strahlenbündels haben vorzugsweise eine Wellenlänge zwischen 150 und 200 nm.A corresponding optical arrangement makes it possible to compensate for a wave front that runs in an undesired manner and to achieve an improved imaging performance. In particular, it is possible to achieve a wavefront correction particularly quickly, for example within fractions of a second. In particular, the respective beam carries a lithographic information, so then includes useful light. The light beams of the beam preferably have a wavelength between 150 and 200 nm.

Für das Material der Segmente beträgt eine Absorption bei Wellenlängen von 248 nm oder 193 nm vorzugsweise nicht mehr als 5%. Besonders bevorzugt sind Absorptionsgrade bei den genannten Wellenlängen für Projektionslicht von unter 1%. Das Material der Segmente bzw. des optischen Elements hat für das Projektionslicht vorzugsweise bei der Wellenlänge 193 nm eine Transparenz von mindestens 95%. Insbesondere ist die Transparenz mindestens 99%, noch bevorzugter mindestens 99,5%.For the material of the segments, absorption at wavelengths of 248 nm or 193 nm is preferably not more than 5%. Absorption rates at the stated wavelengths for projection light of less than 1% are particularly preferred. The material of the segments or of the optical element has a transparency of at least 95% for the projection light, preferably at the wavelength 193 nm. In particular, the transparency is at least 99%, more preferably at least 99.5%.

Die Segmente sind quer zur Durchstrahlrichtung nebeneinander angeordnet. Quer zur Durchstrahlrichtung bedeutet beispielsweise, dass zwei Segmente in Durchstrahlrichtung nicht so überlappen und/oder keine Überschneidung derart aufweisen, dass ein Lichtstrahl von einer Ausstrahlseite aus einem ersten Segment hervortritt und auf eine Einstrahlseite eines quer neben dem ersten Segment angeordneten zweiten Segments einstrahlt. Jedes Segment weist eine Einstrahlseite und eine Ausstrahlseite auf. Die Einstrahlseite ist beispielsweise die im Wesentlichen der Lichtquelle zugewandte Oberfläche eines Segments. Die Ausstrahlseite ist die der Einstrahlseite gegenüberliegenden und im Wesentlichen der Lichtquelle abgewandte Fläche des Segments. Dabei ist es möglich, dass eine Seitenfläche eines Segments, welche die Einstrahlseite mit der Ausstrahlseite verbindet, abschnittsweise der Lichtquelle zugewandt und/oder abgewandt sein kann. Quer nebeneinander angeordnete Segmente können sich mit ihren Seitenflächen so überlappen, dass es Konfigurationen gibt, in denen ein Lichtstrahl über die Einstrahlseite des ersten Segments in dieses einstrahlt, über die Seitenfläche des ersten Segments aus dem ersten Segment aus- und über die Seitenfläche des zweiten Segments in das zweite Segment einstrahlt und schließlich über die Ausstrahlseite des zweiten Segments aus diesem ausstrahlt. Beispielsweise kann quer nebeneinander auch bedeuten, dass die Segmente in einer Ebene angeordnet sind.The segments are arranged side by side transversely to the transmission direction. Transverse to the transmission direction means, for example, that two segments do not overlap in the transmission direction and / or have no intersection such that a light beam emerges from a Ausstrahlseite from a first segment and irradiated on a Einstrahlseite of a transversely arranged adjacent to the first segment second segment. Each segment has a Einstrahlseite and a Ausstrahlseite. The Einstrahlseite is, for example, the substantially the light source facing surface of a segment. The Ausstrahlseite is the Einstrahlseite opposite and substantially away from the light source surface of the segment. It is possible that a side surface of a segment, which connects the Einstrahlseite with the Ausstrahlseite, sections facing the light source and / or may be remote. Transverse juxtaposed segments may overlap with their side surfaces such that there are configurations in which a beam of light radiates into the first segment via the inflow side thereof beyond the side surface of the first segment out of the first segment and over the side surface of the second segment radiates into the second segment and finally radiates over the Ausstrahlseite the second segment of this. For example, transverse to one another may also mean that the segments are arranged in one plane.

Man kann sagen, dass sich in Ausführungsformen die Projektionen der Segmente eines jeweiligen optischen Elements in der Durchstrahlrichtung nicht überlappen.It can be said that in embodiments the projections of the segments of a respective optical element in the transmission direction do not overlap.

Die Segmente können in einer bestimmten Position zueinander einen zusammenhängenden Körper bilden, der das segmentierte optische Element in einer Grundform bildet. Das segmentierte optische Element wird zum Beispiel durch ein Zerteilen der Grundform, wie einer keilförmigen Glasplatte, erhalten. Man kann dabei von einer segmentierten Alvarez-„Linse“ sprechen.The segments can form a coherent body in a certain position relative to one another, which forms the segmented optical element in a basic form. The segmented optical element is obtained, for example, by dividing the basic shape, such as a wedge-shaped glass plate. One can speak of a segmented Alvarez "lens".

Vorzugsweise sind die Segmente entlang der Durchstrahlrichtung nicht versetzt angeordnet. Beispielsweise sind aneinander angrenzende Segmente zueinander anschmiegend und verschiebbar angeordnet. Das Projektionslicht mit lithographischer Information fällt insbesondere auf mehrere der nebeneinander angeordneten Segmente des segmentierten optischen Elements.Preferably, the segments are not offset along the transmission direction. By way of example, adjoining segments are arranged in a conforming and displaceable manner relative to one another. The projection light with lithographic information is particularly incident on a plurality of juxtaposed segments of the segmented optical element.

Die Anordnung der Segmente im Strahlengang kann bezogen auf das Projektionslicht im Betrieb der Lithographieanlage auch wie folgt beschrieben werden. Jeder Lichtstrahl des Projektionslichts durchläuft entlang der Durchstrahlrichtung nur höchstens die Einstrahlseiten von zwei Segmenten und eine Ausstrahlseite eines Segments eines einzelnen segmentierten optischen Elements oder die Ausstrahlseiten von zwei Segmenten und eine Einstrahlseite eines Segments eines einzelnen segmentierten optischen Elements. Das heißt insbesondere, dass auch vorgesehen sein kann, dass der Wellenfrontmanipulator mehrere in Durchstrahlrichtung hintereinander angeordnete segmentierte optische Elemente umfasst, wobei jeder Lichtstrahl keine zwei Segmente eines jeden segmentierten optischen Elements in vollständiger Dicke, gemessen entlang der Ausbreitungsrichtung des Lichtstrahls, durchstrahlt. Mit anderen Worten durchstrahlt ein Lichtstrahl, der abschnittsweise zwei Segmente eines segmentierten optischen Elements durchstrahlt, mindestens eines dieser Segmente nur teilweise, gemessen an der Dicke des Segments entlang der Durchstrahlrichtung. Dabei ist ein Lichtstrahl zum Beispiel als eine beliebig klein zu wählende Teilmenge des Projektionslichts definiert. Beispielsweise kann man sagen, dass ein Lichtstrahl auf einer senkrecht zu seiner Ausbreitungsrichtung angeordneten Ebene eine zusammenhängende Fläche von 0,01 mm2 bis 0,1 mm2 beleuchtet oder die Fläche eines Kreises mit einem Radius von 1 µm.The arrangement of the segments in the beam path can also be described as follows with respect to the projection light during operation of the lithography system. Each light beam of the projection light traverses along the irradiation direction only at most the irradiation sides of two segments and a radiating side of a segment of a single segmented optical element or the radiating sides of two segments and a radiating side of a segment of a single segmented optical element. This means in particular that it can also be provided that the wavefront manipulator comprises a plurality of segmented optical elements arranged one behind the other in the transmission direction, wherein each light beam does not radiate two segments of each segmented optical element in full thickness, measured along the propagation direction of the light beam. In other words, a ray of light shines through sections through two segments of a segmented optical element, at least one of these segments only partially, measured on the thickness of the segment along the transmission direction. In this case, a light beam is defined, for example, as an arbitrarily small subset of the projection light to be selected. For example, it can be said that a light beam illuminates, in a plane perpendicular to its direction of propagation, a contiguous area of 0.01 mm 2 to 0.1 mm 2 or the area of a circle with a radius of 1 μm.

Eine Lithographieanlage ist insbesondere dazu eingerichtet, lithographische Strukturen beispielsweise auf einen mit einem Photoresist beschichteten Wafer abzubilden. Der Begriff Lithographieanlage umfasst aber auch weitere Vorrichtungen, wie beispielsweise Vorrichtungen zur Vermessung von lithographischen Strukturen (Verifikation) oder Vorrichtungen zur Vermessung und Reparatur von Lithographiemasken. Im Weiteren wird die optische Anordnung mit Bezug auf eine Lithographieanlage, die zum Belichten von Wafern eingesetzt wird, beschrieben, ohne dass dies eine Einschränkung der Verwendungsmöglichkeit darstellt.A lithography system is in particular designed to image lithographic structures, for example, onto a wafer coated with a photoresist. However, the term lithography system also includes other devices, such as devices for measuring lithographic structures (verification) or devices for measuring and repairing lithography masks. In the following, the optical arrangement will be described with reference to a lithography system which is used for exposing wafers, without this being a limitation of the possibility of use.

Die Lithographieanlage umfasst eine Lichtquelle, beispielsweise einen Laser, welcher Projektionslicht abstrahlt, sowie eine abbildende Optik. Die abbildende Optik weist einen Strahlengang auf. Lichtstrahlen, die den Strahlengang durchlaufen, tragen zu der Abbildung bei. Der Verlauf der Lichtstrahlen in der abbildenden Optik wird von verschiedenen optischen Elementen beeinflusst, wie beispielsweise Linsen und/oder Spiegel. Ferner können Blenden vorgesehen sein, die den Strahlengang insbesondere seitlich begrenzen. Die abzubildende lithographische Struktur kann beispielsweise durch eine Lithographiemaske vorgegeben sein, die in dem Strahlengang angeordnet ist und in einer Belichtung von dem Projektionslicht durchstrahlt wird.The lithography system comprises a light source, for example a laser, which emits projection light, as well as an imaging optic. The imaging optics has a beam path. Beams of light passing through the beam path contribute to the image. The course of the light rays in the imaging optics is influenced by various optical elements, such as lenses and / or mirrors. Furthermore, screens may be provided which limit the beam path in particular laterally. The lithographic structure to be imaged may be predetermined, for example, by a lithography mask which is arranged in the beam path and is irradiated in an exposure by the projection light.

Das Projektionslicht umfasst eine Mehrzahl Lichtstrahlen, wobei mehrere Lichtstrahlen auch zu einem Strahlenbündel zusammengefasst werden können. Vorliegend umfasst ein Strahlenbündel insbesondere eine Mehrzahl von Lichtstrahlen, die von einem Feldpunkt ausgehen. Ein Feldpunkt ist ein Punkt in einer Feldebene des Strahlengangs. Eine Feldebene ist dadurch definiert, dass in dieser Ebene das Bild oder ein Zwischenbild der abzubildenden Struktur im Betrieb der Lithographieanlage erzeugt wird. Die Feldebene kann auch als Bildebene bezeichnet werden. Man würde eine Abbildung der Lithographiemaske erhalten, wenn man einen Projektionsschirm in der Feldebene anbringen würde. Die Strahlenbündel propagieren entlang des Strahlengangs und beleuchten auf nachfolgenden optischen Elementen Flächen, die beispielsweise als Subapertur bezeichnet werden können. Anstelle von Beleuchten kann man auch Einstrahlen sagen. Die Subapertur kann für jedes optische Element, das von einem Strahlenbündel durchstrahlt wird, verschieden sein. Sie kann auch auf der Einstrahlfläche und auf der Ausstrahlfläche eines optischen Elements verschieden sein.The projection light comprises a plurality of light beams, wherein a plurality of light beams can also be combined to form a beam. In the present case, a radiation beam comprises in particular a plurality of light beams emanating from a field point. A field point is a point in a field plane of the beam path. A field plane is defined by the fact that in this plane the image or an intermediate image of the structure to be imaged is generated during the operation of the lithography system. The field level can also be referred to as the image plane. One would obtain an image of the lithography mask if one attached a projection screen in the field plane. The beams propagate along the beam path and illuminate surfaces on subsequent optical elements, which can be referred to as a subaperture, for example. Instead of lighting, you can also say that it is irradiated. The subaperture may be different for each optical element irradiated by a beam. It may also be different on the incident surface and on the radiating surface of an optical element.

Die lichtquellenseitig angeordneten Oberflächen der Segmente des segmentierten optischen Elements sind bevorzugt im Bereich einer Feldebene angeordnet. Eine solche Anordnung kann beispielsweise als feldnahe Anordnung des Wellenfrontmanipulators bezeichnet werden. Eine feldnahe Anordnung kann wie folgt definiert werden. Jedes von einem Feldpunkt der Feldebene ausgehende Strahlenbündel beleuchtet an einer Oberfläche eines nachfolgenden optischen Elements eine Subapertur mit einem Subaperturdurchmesser SAD. Alle von der Feldebene ausgehenden Strahlenbündel zusammen beleuchten auf der Oberfläche des nachfolgenden optischen Elements einen optisch genutzten Bereich mit dem maximalen Durchmesser DFP. Über das Verhältnis SAD / DFP lässt sich die Fläche kategorisieren. Ein Verhältnis von 0 beschreibt die Feldebene, ein Verhältnis von 1 die Pupillenebene. Als feldnah kann man beispielsweise eine Fläche mit einem Verhältnis zwischen 0 und 0,5, bevorzugt zwischen 0 und 0,25, bezeichnen. Als feldnaher Bereich entlang der Durchstrahlrichtung kann dann zum Beispiel ein Bereich gelten, in dem das Verhältnis SAD / DFP innerhalb eines vorgegeben Intervalls liegt, zum Beispiel zwischen 0 und 0,5, bevorzugt zwischen 0 und 0,25,The light source side arranged surfaces of the segments of the segmented optical element are preferably arranged in the region of a field plane. Such an arrangement may, for example, be referred to as a near-field arrangement of the wavefront manipulator. A near-field arrangement can be defined as follows. Each bundle of rays emanating from a field point of the field plane illuminates a subaperture with a subaperture diameter SAD on a surface of a subsequent optical element. All beams originating from the field level together illuminate an optically used region with the maximum diameter DFP on the surface of the subsequent optical element. The area can be categorized using the ratio SAD / DFP. A ratio of 0 describes the field plane, a ratio of 1 the pupil plane. For example, an area with a ratio between 0 and 0.5, preferably between 0 and 0.25, can be described as close to the field. For example, a region in which the ratio SAD / DFP lies within a predetermined interval, for example between 0 and 0.5, preferably between 0 and 0.25, can apply as the field-near region along the transmission direction.

Denkbar ist auch eine Anordnung der Segmente in einem pupillennahen Bereich. Dann ist der Bereich mittels eines Intervalls für das Verhältnis SAD/DFP angegeben, z.B. zwischen 0,5 und 1, bevorzugt zwischen 0,75 und 1.It is also conceivable arrangement of the segments in a near-pupil area. Then the range is given by means of an interval for the ratio SAD / DFP, e.g. between 0.5 and 1, preferably between 0.75 and 1.

Vorzugsweise sind alle von dem Projektionslicht durchstrahlten Oberflächen des jeweiligen Segmentes innerhalb eines entsprechenden Bereichs, z.B. feldnah oder pupillennah vorgesehen.Preferably, all surfaces of the respective segment irradiated by the projection light are within a corresponding range, e.g. close to the field or close to the pupil.

Die Lichtstrahlen des Strahlenbündels weisen jeweils eine individuelle Richtung auf, in die sie sich fortbewegen. Insgesamt kann man dem Strahlenbündel eine Richtung zuweisen, die vorliegend als Durchstrahlrichtung bezeichnet wird und alle Richtungen umfasst, in die einzelne Lichtstrahlen des Strahlenbündels propagieren. Die Durchstrahlrichtung kann sich insbesondere bei einem Einstrahlen auf und bei einem Ausstrahlen aus einem optischen Element ändern. Ferner kann sich die Durchstrahlrichtung auch innerhalb eines optischen Elements ändern, beispielsweise wenn das optische Element einen entlang der Durchstrahlrichtung variierenden Brechungsindex aufweist.The light beams of the beam each have an individual direction in which they move. Overall, one can assign the beam to a direction which is referred to herein as Durchstrahlrichtung and includes all directions propagate into the individual light beams of the beam. The transmission direction can change, in particular during an irradiation on and during an emission from an optical element. Furthermore, the transmission direction can also change within an optical element, for example when the optical element has a refractive index varying along the transmission direction.

Licht kann als eine elektromagnetische Welle beschrieben werden. Die Wellennatur des Lichts kann als eine propagierende Schwingung des elektrischen und magnetischen Feldes beschrieben werden. Eine solche Welle kann mathematisch beispielsweise als eine Sinus-Funktion geschrieben werden, wobei das Argument der Funktion als die Phase der Welle bezeichnet wird. Wenn sich eine solche elektromagnetische Welle im Raum ausbreitet, kann eine Wellenfront definiert werden. Die Wellenfront einer elektromagnetischen Welle umfasst all jene Punkte, die die gleiche Phase aufweisen. Die Wellenfront bildet damit eine Fläche im Raum, die sich entlang der Ausbreitungsrichtung verschiebt. Wenn die elektromagnetische Welle mehr als nur eine Periode aufweist, so ergeben sich mehrere, hintereinander herlaufende Wellenfronten. Beispielsweise bildet die Wellenfront einer elektromagnetischen Welle, die von einer Punktquelle isotrop abgestrahlt wird, eine Kugeloberfläche aus, die in radialer Richtung wächst. Bei einer ebenen Welle ist die Wellenfront eine ebene Fläche, die sich in geradliniger Weise senkrecht zu der Fläche im Raum ausbreitet, sofern keine Störungen in den optischen Eigenschaften des durchstrahlten Volumens vorhanden sind. Light can be described as an electromagnetic wave. The wave nature of the light can be described as a propagating vibration of the electric and magnetic fields. Such a wave may be mathematically written, for example, as a sine function, with the argument of the function being referred to as the phase of the wave. When such an electromagnetic wave propagates in space, a wavefront can be defined. The wave front of an electromagnetic wave includes all those points that have the same phase. The wavefront thus forms an area in space that shifts along the propagation direction. If the electromagnetic wave has more than one period, then several consecutive wavefronts result. For example, the wavefront of an electromagnetic wave radiated isotropically from a point source forms a spherical surface that grows in the radial direction. In a plane wave, the wavefront is a flat surface that propagates in a straight line perpendicular to the surface in space, provided there are no disturbances in the optical properties of the irradiated volume.

Die Wellenfront steht lokal immer senkrecht auf der Ausbreitungsrichtung einer elektromagnetischen Welle. Bei einem von einem Feldpunkt ausgehenden Strahlenbündel bildet die Wellenfront einen Ausschnitt aus einer Kugeloberfläche. Durchstrahlt das Strahlenbündel ein optisches Element, so kann sich die Ausbreitungsrichtung ändern. Beispielsweise treffen sich bei einer perfekten Sammellinse alle Lichtstrahlen oder Strahlenbündel im Brennpunkt. Bezogen auf die Wellenfront bedeutet das: die Wellenfronten unterschiedlicher Strahlenbündel konvergieren zu dem Brennpunkt hin, wo sich die Wellenfronten phasengleich überlagern. Wenn die Sammellinse Fehler aufweist, wie beispielsweise lokale Deformationen, kann dies dazu führen, dass jener Anteil der elektromagnetischen Welle des Strahlenbündels, welcher die Deformation durchstrahlt, verzögert wird. Dies führt zu einer Phasenverschiebung des Anteils der elektromagnetischen Welle und damit zu einer lokalen Deformation der Wellenfront in Bezug auf den idealen Verlauf. Eine derartige Deformation kann mit einem Wellenfrontmanipulator ausgeglichen oder korrigiert werden. In dem oben genannten Beispiel könnte beispielsweise so vorgegangen werden, dass die weiteren Anteile der elektromagnetischen Welle des Strahlenbündels, die die Fehlstelle der Sammellinse nicht durchstrahlt haben, entsprechend verzögert werden. Damit wird die Wellenfront des Strahlenbündels insgesamt wieder in die vorgesehen Form gebracht.The wavefront is locally always perpendicular to the propagation direction of an electromagnetic wave. In a beam emanating from a field point, the wavefront forms a section of a spherical surface. If the beam passes through an optical element, the propagation direction can change. For example, in a perfect converging lens, all light rays or bundles of rays meet at the focal point. With reference to the wavefront, this means that the wavefronts of different radiation beams converge towards the focal point, where the wavefronts overlap in phase. If the convergent lens has errors, such as local deformations, this can lead to delays that portion of the electromagnetic wave of the beam, which transmits the deformation. This leads to a phase shift of the portion of the electromagnetic wave and thus to a local deformation of the wavefront with respect to the ideal course. Such a deformation can be compensated or corrected with a wavefront manipulator. In the above example, for example, it would be possible to delay correspondingly the further portions of the electromagnetic wave of the beam that did not transilluminate the defect of the condenser lens. Thus, the wavefront of the beam is brought back into its intended form.

Es sollte beachtet werden, dass die Wellenfront von benachbarten Strahlenbündeln auch absichtlich unterschiedlich sein kann. Dies ist beispielsweise bei Verwendung von phasenändernden Lithographiemasken der Fall. Bei diesem Maskentyp wird bei binären Strukturen die Phase von nebeneinanderliegenden Bereichen beispielsweise um 180° gedreht, so dass sich bei einer Überlagerung der Strahlenbündel destruktive Interferenz ergibt. Auf diese Weise kann ein Kontrast in der Belichtung erhöht werden.It should be noted that the wavefront of adjacent beams may also be intentionally different. This is the case, for example, when using phase-changing lithography masks. In the case of this type of mask, in the case of binary structures, the phase of adjacent areas is rotated by 180 °, for example, so that destructive interference results when the beams are superimposed. In this way, a contrast in the exposure can be increased.

Der Wellenfrontmanipulator ist dazu eingerichtet, die Phase jedes Strahlenbündels einzeln und unabhängig von den weiteren Strahlenbündeln anzupassen. Dies wird erreicht, indem die optische Weglänge des Strahlenbündels bzw. der elektromagnetischen Welle, die das Strahlenbündel beschreibt, beim Durchstrahlen des Wellenfrontmanipulators eingestellt wird. Die optische Weglänge ist für klassische Medien eine Funktion des Brechungsindex n des Mediums und der geometrischen Weglänge, die die elektromagnetische Welle in dem Medium zurücklegt. Zum Beispiel kann die optische Weglänge β für eine Glasplatte mit einem Brechungsindex n1 und einer Dicke d entlang der Durchstrahlrichtung als das Produkt dieser Größen gegeben sein: β = n1 · d. Im Allgemeinen kann die optische Weglänge für eine elektromagnetische Welle, die sich in x-Richtung ausbreitet, entlang des von ihr durchstrahlten Weges als ein Integral gemäß Gleichung (1) dargestellt werden: β = n ( x ) dx

Figure DE102017203571A1_0001
The wavefront manipulator is adapted to adjust the phase of each beam individually and independently of the other beams. This is accomplished by adjusting the optical path length of the beam or electromagnetic wave describing the beam as it passes through the wavefront manipulator. The optical path length for classical media is a function of the refractive index n of the medium and the geometric path length traversing the electromagnetic wave in the medium. For example, the optical path length β for a glass plate having a refractive index n1 and a thickness d along the irradiation direction may be given as the product of these quantities: β = n1 · d. In general, for an electromagnetic wave propagating in the x-direction, the optical path length along the path through which it passes can be represented as an integral according to equation (1): β = n ( x ) dx
Figure DE102017203571A1_0001

Hierbei ist n(x) eine Funktion, die den Wert des Brechungsindex des Medium an der Position x für die elektromagnetische Welle angibt. Für Vakuum ist n(x) ≡ 1, wobei Gleichung (1) in diesem Fall die geometrische Weglänge ergibt.Here, n (x) is a function indicating the value of the refractive index of the medium at the position x for the electromagnetic wave. For vacuum, n (x) ≡ 1, where equation (1) gives the geometric path length in this case.

Der Wellenfrontmanipulator ist vorliegend als ein segmentiertes optisches Element implementiert. Dies kann beispielsweise eine in Segmente aufgeteilte Glasplatte mit planparallelen Einstrahl- und Ausstrahlseiten sein, eine in Segmente aufgeteilte Linse mit auf vorgegebene Art gekrümmter Oberfläche der Einstrahl- und/oder Ausstrahlseite wie beispielsweise konvex oder konkav, oder es kann sich auch um einen in Segmente aufgeteilten Körper handeln, dessen Einstrahl- und/oder Ausstrahlseite von einer Freiformfläche gebildet ist. Eine Freiformfläche weist insbesondere innerhalb der von dem Projektionslicht beleuchteten Fläche keine Symmetrie auf.The wavefront manipulator is presently implemented as a segmented optical element. This may for example be a segmented glass plate with plane-parallel Einstrahl- and Ausstrahlseiten, a segmented lens with a predetermined type curved surface of the Einstrahl- and / or Ausstrahlseite such as convex or concave, or it may also be a segmented into segments Body act whose Einstrahl- and / or Ausstrahlseite is formed by a free-form surface. A free-form surface has no symmetry, in particular within the area illuminated by the projection light.

Das segmentierte optische Element ist bevorzugt aus einem für das Projektionslicht transparenten Material gefertigt. Beispielsweise kann es aus Quarzglas und/oder aus einkristallinem Calciumfluorid hergestellt sein. Das segmentierte optische Element ist in Segmente aufgeteilt. Beispielsweise ist das segmentierte optische Element hierzu in Streifen zerlegt. Das segmentierte optische Element kann beispielsweise durch Zersägen eines zuvor einstückigen optischen Elements erhalten werden.The segmented optical element is preferably made of a transparent material for the projection light. For example, it may be made of quartz glass and / or monocrystalline calcium fluoride. The segmented optical element is divided into segments. For example, the segmented optical element is divided into strips for this purpose. The segmented optical element can be obtained, for example, by sawing a previously integral optical element.

Ein derart in Segmente aufgeteiltes optisches Element ermöglicht es, einzelne Segmente unabhängig von den weiteren Segmenten anzuordnen und zu positionieren. Beispielsweise sind einzelne Segmente des segmentierten optischen Elements an unterschiedlichen Positionen in der optischen Anordnung angeordnet, wobei verschiedene Segmente quer zur Durchstrahlrichtung nebeneinander angeordnet sind. Das segmentierte optische Element kann insbesondere in einer Grundform angeordnet sein. In Bezug auf die einzelnen Segmente des segmentierten optischen Elements wird diese Grundanordnung in dieser Anmeldung auch als Grundposition oder Nullposition bezeichnet.Such a segmented optical element makes it possible to arrange and position individual segments independently of the other segments. For example, individual segments of the segmented optical element are arranged at different positions in the optical arrangement, wherein different segments are arranged side by side transversely to the transmission direction. The segmented optical element may in particular be arranged in a basic form. With respect to the individual segments of the segmented optical element, this basic arrangement is also referred to as the home position or zero position in this application.

Zumindest eines der Segmente ist beweglich angeordnet. Das bedeutet, dass das Segment in eine von der Nullposition unterschiedliche Position gebracht werden kann. Hierfür ist das Segment beispielsweise in einer beweglichen Fassung fixiert. Durch eine Auslenkung der Fassung kann dann das Segment insgesamt ausgelenkt werden. Eine Auslenkung kann hierbei eine Verschiebung entlang einer bestimmten Achse, eine Drehung um eine bestimmte Achse oder auch eine Kombination hiervon umfassen. Die Auslenkung erfolgt entlang einer Auslenkungsrichtung, wobei dies auch Drehungen um eine Achse umfasst.At least one of the segments is arranged to be movable. This means that the segment can be brought into a different position from the zero position. For this purpose, the segment is fixed, for example, in a movable version. By a deflection of the socket then the segment can be deflected as a whole. In this case, a deflection may comprise a displacement along a specific axis, a rotation about a specific axis or even a combination thereof. The deflection takes place along a deflection direction, which also includes rotations about an axis.

Ein Strahlenbündel beleuchtet die durch die Subapertur des Strahlenbündels auf dem segmentierten optischen Element definierte Fläche und durchstrahlt ein bestimmtes Volumen des segmentierten optischen Elements. Dieses Volumen kann als Durchstrahlvolumen bezeichnet werden. Das Durchstrahlvolumen ist ein Teilvolumen des gesamten, von dem segmentierten optischen Element umfassten Volumens. Das Durchstrahlvolumen kann vollständig in einem Segment liegen oder es kann Teilvolumina von mehreren nebeneinander angeordneten Segmenten umfassen.A beam illuminates the area defined by the subaperture of the beam on the segmented optical element and transmits a certain volume of the segmented optical element. This volume can be referred to as Durchstrahlvolumen. The transmission volume is a partial volume of the total volume encompassed by the segmented optical element. The Durchstrahlvolumen may be completely in one segment or it may include partial volumes of several juxtaposed segments.

Vorliegend umfasst das Durchstrahlvolumen zumindest ein Teilvolumen des beweglich angeordneten Segments. Der Anteil des Strahlenbündels, welcher dieses Teilvolumen durchstrahlt, kann auch als Teilstrahlenbündel bezeichnet werden. Durch eine Auslenkung des Segments, welche relativ zu dem Strahlenbündel erfolgt, wird daher erreicht, dass das Teilstrahlenbündel ein anderes Teilvolumen des Segments durchstrahlt. Wenn die optischen Eigenschaften des Segments in verschiedenen Teilvolumina unterschiedlich sind, kann somit eine gezielte Änderung insbesondere der optischen Weglänge für das Teilstrahlenbündel durch eine Auslenkung des beweglichen Segments erreicht werden. Es ist klar, dass das Teilstrahlenbündel auch das gesamte Strahlenbündel umfassen kann.In the present case, the Durchstrahlvolumen comprises at least a partial volume of the movably arranged segment. The portion of the beam that passes through this sub-volume may also be referred to as a sub-beam. Due to a deflection of the segment, which takes place relative to the beam, it is therefore achieved that the partial beam passes through another subvolume of the segment. If the optical properties of the segment are different in different sub-volumes, a targeted change in particular of the optical path length for the sub-beam can be achieved by a deflection of the movable segment. It is clear that the partial beam may also comprise the entire beam.

Die optische Anordnung für eine Lithographieanlage kann neben dem Wellenfrontmanipulator auch weitere optische Elemente umfassen. Beispielsweise können für jedes Strahlenbündel eine oder mehrere Linsen vorgesehen sein, die eine Strahlformung des jeweiligen Strahlenbündels bewirken, es beispielsweise auf einen kleinen Bereich fokussieren oder kollimieren. Dies kann vorteilhafte Implementierungen des Wellenfrontmanipulators ermöglichen.The optical arrangement for a lithography system can also comprise other optical elements in addition to the wavefront manipulator. For example, one or more lenses can be provided for each beam, which effect beam shaping of the respective beam, for example, focus or collimate it to a small area. This may allow advantageous implementations of the wavefront manipulator.

Gemäß einer Ausführungsform der optischen Anordnung für eine Lithographieanlage sind eine geometrische Weglänge, die das Strahlenbündel in dem Segment zurücklegt und/oder ein Brechungsindex entlang des von dem Strahlenbündel durchstrahlten Weges in dem Segment in Abhängigkeit von der Position des Segments relativ zu dem Strahlenbündel einstellbar.According to one embodiment of the optical arrangement for a lithography system, a geometric path length which traverses the beam in the segment and / or a refractive index along the path irradiated by the beam in the segment are adjustable in dependence on the position of the segment relative to the beam.

Damit kann vorteilhaft die optische Weglänge des Strahlenbündels gemäß Gleichung (1) eingestellt werden. Beispielsweise weist das Segment hierzu eine entlang der Auslenkungsrichtung veränderliche Dicke entlang der Durchstrahlrichtung auf. Ferner kann das Segment entlang der Auslenkungsrichtung einen veränderlichen Brechungsindex aufweisen.Thus, advantageously, the optical path length of the beam according to equation (1) can be adjusted. For example, for this purpose, the segment has a thickness which varies along the direction of deflection along the transmission direction. Furthermore, the segment may have a variable refractive index along the direction of deflection.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der optischen Anordnung für eine Lithographieanlage ist das beweglich angeordnete Segment des segmentierten optischen Elements unabhängig von den weiteren Segmenten des segmentierten optischen Elements beweglich.According to a further embodiment of the optical arrangement for a lithography system, the movably arranged segment of the segmented optical element is movable independently of the further segments of the segmented optical element.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der optischen Anordnung für eine Lithographieanlage ist ein Segment des segmentierten optischen Elements entlang einer Verschiebungsrichtung verschiebbar und die Verschiebungsrichtung schließt mit der Durchstrahlrichtung einen Winkel von größer 0°, insbesondere zwischen 45° bis 90°, ein.According to a further embodiment of the optical arrangement for a lithography system, a segment of the segmented optical element is displaceable along a displacement direction and the displacement direction encloses an angle of greater than 0 °, in particular between 45 ° and 90 °, with the transmission direction.

Die Verschiebungsrichtung entspricht der Auslenkungsrichtung, wenn die Auslenkung eine Verschiebung entlang der durch die Verschiebungsrichtung gegebenen Achse ist. Dadurch, dass die Verschiebungsrichtung einen Winkel größer 0° mit der Durchstrahlrichtung einschließt, ist sichergestellt, dass das von dem Strahlenbündel durchstrahlte Volumen des Segments durch eine Verschiebung verändert wird. Eine solche Verschiebung entlang einer Verschiebungsrichtung ist bei bekannter Verschiebungsrichtung eindeutig durch die Angabe der Auslenkung festgelegt. Dies kann beispielsweise eine Länge in cm oder in mm sein. Insbesondere kann dabei die Nullposition als Nullpunkt für die Auslenkung verwendet werden. Das Segment kann dann zum Beispiel eine Auslenkung um +4 cm oder auch eine Auslenkung um -15 mm aufweisen.The displacement direction corresponds to the deflection direction when the displacement is a displacement along the axis given by the displacement direction. Because the displacement direction encloses an angle greater than 0 ° with the transmission direction, it is ensured that the volume of the segment irradiated by the radiation beam is changed by a displacement. Such a displacement along a displacement direction is clearly defined by the specification of the deflection in the case of a known displacement direction. This can be for example a length in cm or in mm. In particular, can while the zero position can be used as the zero point for the deflection. The segment may then have, for example, a deflection of +4 cm or a deflection of -15 mm.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der optischen Anordnung für eine Lithographieanlage ist der Wellenfrontmanipulator zur Korrektur von Verkippung, sphärischer Aberration, Koma, Astigmatismus, Verzeichnung und/oder Bildfeldkrümmung eingerichtet.In accordance with a further embodiment of the optical arrangement for a lithography system, the wavefront manipulator is set up to correct for tilting, spherical aberration, coma, astigmatism, distortion and / or curvature of field.

Abbildungsfehler sind durch nicht perfekte Eigenschaften von optischen Elementen bedingt, die im Betrieb der Lithographieanlage unvermeidbar sind. Jeder Abbildungsfehler kann mit Bezug auf die Wellenfront des Projektionslichts durch Koeffizienten von sogenannten Zernike-Polynomen beschrieben werden. Beispielsweise beschreibt ein Zernike-Polynom erster Ordnung eine Verkippung der Wellenfront. Eine Verkippung der Wellenfront gegen den Soll-Zustand bewirkt einen Versatz des Bildpunkts, der von dem betreffenden Strahlenbündel abgebildet wird. Verzeichnung einer Abbildung im Gesamten kann daher durch Zernike-Polynome erster Ordnung mit für jedes Strahlenbündel individuellen Koeffizienten beschrieben werden.Imaging errors are due to imperfect properties of optical elements that are unavoidable in the operation of the lithography system. Any aberration can be described with reference to the wavefront of the projection light by coefficients of so-called Zernike polynomials. For example, a first order Zernike polynomial describes a tilt of the wavefront. A tilt of the wavefront against the desired state causes an offset of the pixel, which is imaged by the relevant beam. Therefore, distortion of an image as a whole can be described by first-order Zernike polynomials with individual coefficients for each ray bundle.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der optischen Anordnung für eine Lithographieanlage ist eine Fläche zwischen zwei Segmenten des segmentierten optischen Elements des Wellenfrontmanipulators parallel zu dem Strahlenbündel.According to a further embodiment of the optical arrangement for a lithography system, an area between two segments of the segmented optical element of the wavefront manipulator is parallel to the radiation beam.

In dieser Ausführungsform ist vorteilhaft sichergestellt, dass eine ungewollte Brechung und/oder eine andere ungewollte Beeinflussung der Ausbreitung des Strahlenbündels, beispielsweise aufgrund eines Durchstrahlens einer Seitenfläche eines Segments, die nicht die Einstrahlseite oder die Ausstrahlseite des Segments ist, minimiert sind.In this embodiment, it is advantageously ensured that unwanted refraction and / or other undesired influence on the propagation of the beam, for example due to a transmission of a side surface of a segment that is not the irradiation side or the emission side of the segment, are minimized.

Geometrisch ist dies erfüllt, wenn ein Flächensegment der Fläche zwischen zwei Segmenten einen Normalenvektor aufweist, der senkrecht zu der lokalen Durchstrahlrichtung des Projektionslichts bzw. des Strahlenbündels ist.Geometrically, this is fulfilled if a surface segment of the area between two segments has a normal vector which is perpendicular to the local transmission direction of the projection light or of the beam.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der optischen Anordnung für eine Lithographieanlage ist ein Bereich zwischen zwei Segmenten des segmentierten optischen Elements des Wellenfrontmanipulators opak ausgebildet.According to a further embodiment of the optical arrangement for a lithography system, an area between two segments of the segmented optical element of the wavefront manipulator is formed opaque.

Der Bereich kann beispielsweise eine Kante zwischen zwei Segmenten sein, durch die ein Teil des Projektionslichts beim Einstrahlen auf das segmentierte optische Element trifft. Eine Kante kann dazu führen, dass das Licht, das auf sie trifft, gestreut wird, so dass es an einem anderen Ort und unter einem anderen Winkel aus dem segmentierten Element austritt als benachbartes Licht, das nicht auf die Kante trifft. Dies führt zu einer Erhöhung von Streulicht, was für die Abbildung zu Kontrastverlust führen kann. Eine Kante kann auch dazu führen, dass es lokal zu einer Veränderung der optischen Weglänge kommt, was zu einer Kante in der Wellenfront führt und die Abbildungsqualität verschlechtern kann.By way of example, the region can be an edge between two segments, through which part of the projection light strikes the segmented optical element when it is irradiated. An edge may cause the light that strikes it to be scattered so that it exits the segmented element at a different location and at a different angle than adjacent light that does not hit the edge. This leads to an increase in scattered light, which can lead to loss of contrast for the image. An edge can also lead to a local change in the optical path length, which leads to an edge in the wavefront and can degrade the imaging quality.

Mit dem Begriff opak ist gemeint, dass das auf den opaken Bereich einstrahlende Licht wenigstens teilweise absorbiert wird. Beispielsweise ist der Bereich hierzu mit einer absorbierenden Beschichtung behandelt oder es ist ein gesonderter Absorber angebracht. Alternativ kann auch vorgesehen sein, dass das Licht auf eine seitlich des Strahlengangs angeordnete Absorberfläche umgelenkt, zum Beispiel reflektiert wird. Diese alternative Ausführung hat den Vorteil, dass die Absorberfläche leichter gekühlt werden kann.By the term opaque is meant that the light incident on the opaque area is at least partially absorbed. For example, the area for this purpose is treated with an absorbent coating or a separate absorber is attached. Alternatively, it can also be provided that the light is deflected, for example reflected, onto an absorber surface arranged laterally of the beam path. This alternative embodiment has the advantage that the absorber surface can be cooled more easily.

In dieser Ausführungsform wird somit vermieden, dass Strahlanteile, die auf den Bereich zwischen zwei Segmenten einstrahlen oder einstrahlen würden, absorbiert werden und somit nicht zu einer Belichtung beitragen. Damit kann die Auflösung der lithographischen Abbildung verbessert werden.In this embodiment, it is thus avoided that beam portions which would radiate or radiate onto the area between two segments are absorbed and thus do not contribute to an exposure. Thus, the resolution of the lithographic image can be improved.

Diese Ausführungsform kann vorteilhaft sein, da es beispielsweise an der Begrenzung eines Segments zu Krümmungen in der Oberfläche des Segments kommen kann. Ferner können beispielsweise aus der Herstellung des segmentierten optischen Elements lokal veränderte optische Eigenschaften, Gitterfehler und/oder sonstige Schädigungen und Veränderungen der Struktur des Materials auftreten, die überwiegend in dem Material nahe an der Schnittfläche sind.This embodiment may be advantageous because, for example, at the boundary of a segment, curvatures may occur in the surface of the segment. Furthermore, for example, from the production of the segmented optical element locally changed optical properties, lattice defects and / or other damage and changes in the structure of the material may occur, which are predominantly in the material close to the cut surface.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der optischen Anordnung für eine Lithographieanlage geht ein Strahlenbündel von einem Feldpunkt aus, welcher einem Bildpunkt eines Abbildes der lithographischen Struktur entspricht. Das Strahlenbündel beleuchtet eine Subapertur auf dem segmentierten optischen Element und es liegen mindestens zwei Segmente in der von der Subapertur bestimmten Fläche.According to a further embodiment of the optical arrangement for a lithography system, a radiation beam emanates from a field point which corresponds to a pixel of an image of the lithographic structure. The beam illuminates a subaperture on the segmented optical element and there are at least two segments in the area defined by the subaperture.

Diese Ausführungsform ermöglicht es, dass für das Strahlenbündel mindestens eine Verkippung der Wellenfront korrigiert werden kann.This embodiment makes it possible to correct for the beam at least one tilt of the wavefront.

Damit, dass zwei Segmente in der von der Subapertur bestimmten Fläche liegen, ist gemeint, dass zumindest eine Teilfläche der Einstrahlseiten dieser beiden Segmente einem entsprechenden Teil der Subapertur entspricht.In that two segments lie in the area determined by the subaperture, it is meant that at least a partial area of the irradiation sides of these two segments corresponds to a corresponding part of the subaperture.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der optischen Anordnung für eine Lithographieanlage liegen eine Anzahl Segmente in dem von der Subapertur definierten Fläche, wobei die Anzahl der Segmente mindestens so groß wie die Ordnung der Funktion ist, mit der der Verlauf der Wellenfront entlang einer Achse beschrieben werden kann.According to a further embodiment of the optical arrangement for a lithography system There are a number of segments in the area defined by the subaperture, the number of segments being at least as large as the order of the function with which the course of the wavefront along an axis can be described.

In dem vorgenannten Beispiel kann eine Gerade, beispielsweise entlang der x-Achse, beschrieben werden, da hierfür mindestens zwei Parameter benötigt werden. Diese Parameter sind ein y-Achsenabschnitt und eine Steigung. Um eine Wellenfront zu korrigieren, die Aberrationen höherer Ordnung aufweist, liegt bevorzugt eine entsprechend höhere Anzahl von Segmenten in der Subapertur.In the above example, a straight line, for example along the x-axis, can be described, as this requires at least two parameters. These parameters are a y-intercept and a slope. In order to correct a wavefront having higher order aberrations, there is preferably a correspondingly higher number of segments in the subaperture.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der optischen Anordnung für eine Lithographieanlage weist der Wellenfrontmanipulator mehrere segmentierte optische Elemente auf, die entlang des Strahlengangs in Durchstrahlrichtung hintereinander angeordnet sind.According to a further embodiment of the optical arrangement for a lithography system, the wavefront manipulator has a plurality of segmented optical elements which are arranged one after the other along the beam path in the transmission direction.

Entlang des Strahlengangs in Durchstrahlrichtung hintereinander angeordnet bedeutet, dass alle segmentierten optischen Elemente von dem Projektionslicht in sequenzieller Folge durchstrahlt werden, wobei die Segmente jedes einzelnen segmentierten optischen Elements quer zur Durchstrahlrichtung nebeneinander angeordnet sind. Eine solche Anordnung ermöglicht es, die Wellenfront eines Strahlenbündels mehrfach zu korrigieren. Dies schließt jedoch nicht aus, dass auch weitere optische Elemente wie beispielsweise Linsen, Spiegel und/oder Blenden zwischen segmentierten optischen Elementen angeordnet sein können.Along the beam path arranged in the transmission direction one after the other means that all segmented optical elements are irradiated by the projection light in a sequential sequence, wherein the segments of each individual segmented optical element are arranged side by side transversely to the transmission direction. Such an arrangement makes it possible to multiply correct the wavefront of a beam. However, this does not exclude that other optical elements such as lenses, mirrors and / or diaphragms can be arranged between segmented optical elements.

Beispielsweise kann, wenn ein Strahlenbündel eine Verkippung der Wellenfront in x-Richtung und in y-Richtung aufweist, ein segmentiertes optisches Element, dessen Segmente keilförmig und entlang der x-Richtung nebeneinander aufgereiht sind, die Verkippung nur in x-Richtung korrigieren. Wenn daher nach diesem segmentierten optischen Element ein weiteres segmentiertes optisches Element, dessen Segmente entlang der y-Richtung aufgereiht sind, von dem Strahlenbündel durchstrahlt wird, kann von diesem zweiten segmentierten optischen Element auch die Verkippung der Wellenfront in y-Richtung korrigiert werden. Mit Hilfe von beweglichen Segmenten mit gekrümmter Oberfläche können auch weitere Verkippungen korrigiert werden.For example, if a beam has a tilt of the wavefront in the x-direction and in the y-direction, a segmented optical element whose segments are wedge-shaped and lined up next to one another along the x-direction can correct the tilt only in the x-direction. Therefore, if, after this segmented optical element, another segmented optical element, whose segments are aligned along the y-direction, is irradiated by the beam, the tilt of the wavefront in the y-direction can also be corrected by this second segmented optical element. With the aid of movable segments with a curved surface, further tilting can be corrected.

Mit einer Anordnung gemäß dieser Ausführungsform lassen sich somit komplexe zweidimensionale Verteilungen der optischen Weglänge für jedes Strahlenbündel erzeugen. Dies ermöglicht es, auch Aberrationen höherer Ordnung in zwei Dimensionen zu korrigieren.Thus, with an arrangement according to this embodiment, complex two-dimensional optical path length distributions can be generated for each beam. This makes it possible to correct even higher-order aberrations in two dimensions.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der optischen Anordnung für eine Lithographieanlage sind mehrere, in dem Strahlengang hintereinander angeordnete segmentierte optische Elemente vorhanden, deren Segmente entlang einer Verschiebungsrichtung verschiebbar sind. Die Verschiebungsrichtung der Segmente schließt mit der Durchstrahlrichtung einen Winkel größer 0°, bevorzugt von 45° bis 90°, ein.According to a further embodiment of the optical arrangement for a lithography system, a plurality of segmented optical elements arranged one behind the other in the beam path are present, the segments of which are displaceable along a direction of displacement. The displacement direction of the segments includes with the transmission direction an angle greater than 0 °, preferably from 45 ° to 90 °.

Dies ermöglicht es, durch die Verschiebung von verschiedenen Segmenten von unterschiedlichen segmentierten optischen Elementen eine zweidimensionale Verteilung von optischen Weglängen für das Projektionslicht und/oder Strahlenbündel in dem Strahlengang bereitzustellen.This makes it possible to provide a two-dimensional distribution of optical path lengths for the projection light and / or beam in the beam path by the displacement of different segments of different segmented optical elements.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der optischen Anordnung für eine Lithographieanlage ist der Wellenfrontmanipulator in einer feldnahen Position in dem Strahlengang angeordnet.According to a further embodiment of the optical arrangement for a lithography system, the wavefront manipulator is arranged in a field-near position in the beam path.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der optischen Anordnung für eine Lithographieanlage ist eine Heizvorrichtung vorgesehen, die dazu eingerichtet ist, in zugeordneten Segmenten eine lokale Temperaturänderung hervorzurufen.According to a further embodiment of the optical arrangement for a lithography system, a heating device is provided, which is set up to produce a local temperature change in associated segments.

Mit einer solchen Heizvorrichtung ist es möglich, eine lokale Temperaturänderung in einzelnen Segmenten hervorzurufen. Der Brechungsindex von den meisten Materialien ist von der Temperatur abhängig. Daher kann durch eine gezielte Temperaturänderung, eine gezielte Brechungsindexänderung erzielt werden. Ferner weisen die meisten Materialien einen temperaturabhängigen Ausdehnungskoeffizienten ungleich 0 auf. Dann verändert sich durch eine Temperaturänderung auch das beanspruchte Volumen des Materials. Hierüber ist eine geometrische Weglänge eines Lichtstrahls, der den betroffenen Bereich durchstrahlt, anpassbar. Somit ergibt sich mit einer derartigen Heizvorrichtung der Vorteil, dass die optische Weglänge lokal gezielt und ohne eine mechanische Positionsänderung eines Segments einstellbar ist.With such a heater, it is possible to cause a local temperature change in individual segments. The refractive index of most materials is temperature dependent. Therefore, by a targeted temperature change, a targeted refractive index change can be achieved. Furthermore, most materials have a temperature-dependent expansion coefficient not equal to zero. Then, by changing the temperature, the claimed volume of the material also changes. This is a geometric path length of a light beam, which radiates through the affected area, customizable. Thus, the advantage with such a heating device is that the optical path length can be adjusted locally in a targeted manner and without a mechanical change in position of a segment.

Eine solche Heizvorrichtung kann beispielsweise durch eine leitende Beschichtung ausgebildet sein, die sich mittels eines Stromflusses erwärmt. Diese Beschichtung kann auf einer der durchstrahlten Flächen eines Segments aufgebracht sein oder alternativ oder zusätzlich auch auf einer Seitenfläche des Segments. Die Heizvorrichtung kann auch eine optische Heizvorrichtung sein, welche beispielsweise Infrarotstrahlung in ein Segment seitlich einkoppelt. Die eingekoppelte Infrarotstrahlung wird zumindest teilweise von dem Material absorbiert, was zu einer lokalen Temperaturänderung führt.Such a heating device may for example be formed by a conductive coating which heats up by means of a current flow. This coating may be applied to one of the irradiated areas of a segment or, alternatively or additionally, to a side surface of the segment. The heating device may also be an optical heating device which, for example, injects infrared radiation laterally into a segment. The injected infrared radiation is at least partially absorbed by the material, resulting in a local temperature change.

In dem Beispiel mit streifenförmig segmentierten optischen Elementen betrifft beispielsweise eine Verschiebung eines Segments alle Strahlenbündel, in deren Subapertur das Segment liegt. Es kann Situationen geben, bei denen dies unerwünscht ist. Dann bietet die Ausführungsform mit einer solchen Heizvorrichtung die Möglichkeit, die optische Weglänge gezielt für nur ein Strahlenbündel ohne eine Verschiebung des Segments einzustellen. In the example with strip-shaped segmented optical elements, for example, a displacement of a segment relates to all the ray bundles in whose subaperture the segment lies. There may be situations where this is undesirable. Then, the embodiment with such a heater offers the possibility of setting the optical path length specifically for only one beam without a displacement of the segment.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der optischen Anordnung für eine Lithographieanlage weist der Wellenfrontmanipulator zwei segmentierte optische Elemente auf. Die Segmente eines jeweiligen segmentierten optischen Elements sind quer zur Durchstrahlrichtung nebeneinander angeordnet. Die segmentierten optischen Elemente sind in Durchstrahlrichtung hintereinander angeordnet und umschließen bzw. bilden ein kavitätenfreies Volumen. Ferner entspricht einem Segment des einen segmentierten optischen Elements ein korrespondierendes Segment des anderen segmentierten optischen Elements, die miteinander in Durchstrahlrichtung in einem Flächenkontakt stehen. Durch eine Verschiebung der korrespondierenden Segmente in jeweils entgegengesetzte Richtungen ist die optische Weglänge für das die beiden Segmente durchstrahlende Strahlbündel veränderbar.According to a further embodiment of the optical arrangement for a lithography system, the wavefront manipulator has two segmented optical elements. The segments of a respective segmented optical element are arranged side by side transversely to the transmission direction. The segmented optical elements are arranged one behind the other in the transmission direction and enclose or form a cavity-free volume. Furthermore, one segment of the one segmented optical element corresponds to a corresponding segment of the other segmented optical element, which are in surface contact with one another in the transmission direction. By shifting the corresponding segments in opposite directions, the optical path length for the beam passing through the two segments is variable.

Zwei derartig korrespondierende Segmente werden im Betrieb der Lithographieanlage insbesondere von denselben Strahlenbündeln durchstrahlt.Two such corresponding segments are irradiated in particular by the same radiation beams during operation of the lithographic system.

Beispielsweise sind die Segmente der segmentierten optischen Elemente als Keilsegmente ausgebildet, deren Dicke senkrecht zu der Durchstrahlrichtung, das heißt die geometrische Weglänge, von der Position abhängt. Wählt man ein karthesisches Koordinatensystem, dessen z-Achse in Durchstrahlrichtung zeigt, die Segmente in x-Richtung verschiebbar angeordnet sind und jeweils eine von dem Projektionslicht durchstrahlte Fläche in der x-y-Ebene liegt, so weist beispielsweise das eine Keilsegment eine in positiver x-Richtung zunehmende Dicke auf und das andere Keilsegment weist eine in negativer x-Richtung zunehmende Dicke auf. Die beiden Keilsegmente stehen miteinander in Kontakt, wobei die Kontaktfläche durch die der von dem Projektionslicht durchstrahlten und in der x-y-Ebene liegenden Fläche gegenüber liegt und nicht in der x-y-Ebene verläuft, sondern einen Gradienten entlang der x-Richtung aufweist. Wenn die beiden Keilsegmente gegeneinander verschoben werden, zum Beispiel wird das eine Keilsegment in positive x-Richtung und das andere Keilsegment in negative x-Richtung verschoben, so ergibt sich insgesamt eine in Durchstrahlrichtung erhöhte geometrische Weglänge für das oder die Strahlenbündel, die diese beiden Segmente durchstrahlen.For example, the segments of the segmented optical elements are formed as wedge segments whose thickness is perpendicular to the transmission direction, that is, the geometric path length, depends on the position. If one selects a Cartesian coordinate system whose z-axis points in the direction of transmission, the segments are displaceably arranged in the x-direction and one surface irradiated by the projection light lies in the xy-plane, then, for example, one wedge segment has one in the positive x-direction increasing thickness and the other wedge segment has an increasing in the negative direction x thickness. The two wedge segments are in contact with each other, wherein the contact surface is opposed by the surface irradiated by the projection light and lying in the x-y plane and not in the x-y plane, but has a gradient along the x direction. If the two wedge segments are displaced relative to one another, for example one wedge segment is displaced in the positive x-direction and the other wedge segment is displaced in the negative x-direction, the result is an overall increased optical path length in the transmission direction for the beam (s) that comprise these two segments by radiation.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zum Betreiben einer Lithographieanlage mit einer optischen Anordnung, insbesondere gemäß einem der vorgenannten Ausführungsbeispiele vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst die Schritte:

  • Durchstrahlen der optischen Anordnung mit Projektionslicht; und
  • Einstellen einer Position eines beweglichen Segments eines segmentierten optischen Elements eines Wellenfrontmanipulators zur Korrektur einer Aberration einer Wellenfront des Projektionslichts.
According to a further aspect of the invention, a method for operating a lithography system with an optical arrangement, in particular according to one of the aforementioned embodiments is proposed. The method comprises the steps:
  • Radiating the optical assembly with projection light; and
  • Adjusting a position of a movable segment of a segmented optical element of a wavefront manipulator to correct an aberration of a wavefront of the projection light.

Ein Durchstrahlen der optischen Anordnung wird beispielsweise erreicht, indem die optische Anordnung in einem Strahlengang der Lithographieanlage angeordnet wird. Ferner strahlt eine Lichtquelle der Lithographieanlage das Projektionslicht ab. Das Material der optischen Elemente, die Teil der optischen Anordnung sind, ist für das Projektionslicht überwiegend transparent, oder zumindest im Wesentlichen transparent.Throughput of the optical arrangement is achieved, for example, by arranging the optical arrangement in a beam path of the lithography system. Furthermore, a light source of the lithography system emits the projection light. The material of the optical elements which are part of the optical arrangement is predominantly transparent to the projection light, or at least substantially transparent.

Das Einstellen der Position des beweglichen Segments wird beispielsweise mittels Verschiebung des Segments verwirklicht. Hierfür kann das Segment beweglich gelagert sein und von einem dafür eingerichteten Aktuator angesteuert werden.The adjustment of the position of the movable segment is realized, for example, by displacement of the segment. For this purpose, the segment can be movably mounted and controlled by a dedicated actuator.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens weist dieses ferner die Schritte auf:

  • Erfassen der Wellenfront des Projektionslichts mit einem Wellenfrontsensor;
  • Berechnen von Koeffizienten von Zernike-Polynomen derart, dass eine Linearkombination der Zernike-Polynome mit dem berechneten Koeffizienten der erfassten Wellenfront entspricht;
  • Berechnen von einzustellenden Positionen von Segmenten von segmentierten optischen Elementen mit Hilfe der berechneten Koeffizienten derart, dass die erfasste Wellenfront korrigiert wird; und
  • Ansteuern von den Segmenten zugeordneten Aktuatoren zu Einstellung der berechneten Position eines jeden Segments.
According to one embodiment of the method, this further comprises the steps:
  • Detecting the wavefront of the projection light with a wavefront sensor;
  • Calculating coefficients of Zernike polynomials such that a linear combination of the Zernike polynomials with the calculated coefficient corresponds to the detected wavefront;
  • Calculating positions to be set of segments of segmented optical elements using the calculated coefficients such that the detected wavefront is corrected; and
  • Driving actuators associated with the segments to adjust the calculated position of each segment.

Bevorzugt weist die Lithographieanlage eine Einrichtung zum Erfassen der Wellenfront des Projektionslichts auf. Dies könnte beispielsweise ein Hartmann-Shack-Sensor sein. Ferner kann die Lithographieanlage über Vorrichtungen zur elektronischen Datenverarbeitung wie beispielsweise Computer verfügen. Diese Computer können dazu eingerichtet sein, die Berechnungen durchzuführen. Weiterhin wird ein Computerprogrammprodukt vorgeschlagen, welches auf einer programmgesteuerten Einrichtung die Durchführung des wie oben erläuterten Verfahrens veranlasst.The lithography system preferably has a device for detecting the wavefront of the projection light. This could be for example a Hartmann-Shack sensor. Furthermore, the lithography system can have devices for electronic data processing, such as computers. These computers can be set up to perform the calculations. Furthermore, a computer program product is proposed which is based on a program-controlled device causes the implementation of the method as explained above.

Ein Computerprogrammprodukt, wie z.B. ein Computerprogramm-Mittel, kann beispielsweise als Speichermedium, wie z.B. Speicherkarte, USB-Stick, CD-ROM, DVD, oder auch in Form einer herunterladbaren Datei von einem Server in einem Netzwerk bereitgestellt oder geliefert werden. Dies kann zum Beispiel in einem drahtlosen Kommunikationsnetzwerk durch die Übertragung einer entsprechenden Datei mit dem Computerprogrammprodukt oder dem Computerprogramm-Mittel erfolgen.A computer program product, such as a computer program means may, for example, be used as a storage medium, e.g. Memory card, USB stick, CD-ROM, DVD, or even in the form of a downloadable file provided by a server in a network or delivered. This can be done, for example, in a wireless communication network by transmitting a corresponding file with the computer program product or the computer program means.

Die für die vorgeschlagene Vorrichtung beschriebenen Ausführungsformen und Merkmale gelten für das vorgeschlagene Verfahren entsprechend.The embodiments and features described for the proposed device apply accordingly to the proposed method.

Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmale oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.Further possible implementations of the invention also include not explicitly mentioned combinations of features or embodiments described above or below with regard to the exemplary embodiments. The skilled person will also add individual aspects as improvements or additions to the respective basic form of the invention.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.

  • 1 zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer DUV-Lithographieanlage mit einer optischen Anordnung mit einem Wellenfrontmanipulator;
  • 2 zeigt eine erste Ausführungsform eines Wellenfrontmanipulators mit einem segmentierten optischen Element aufweisend ein beweglich angeordnetes Segment;
  • 3a zeigt eine perspektivische Ansicht des Wellenfrontmanipulators, bei dem das beweglich angeordnete Segment verschoben ist;
  • 3b zeigt eine perspektivische Ansicht einer Ausführungsform des beweglich angeordneten Segments in zwei Positionen A und B;
  • 4 zeigt einen Querschnitt einer weiteren Ausführungsform eines beweglich angeordneten Segments, wobei das Segment Teilvolumina mit unterschiedlichen Brechungsindizes aufweist;
  • 5 zeigt ein schematisches Beispiel einer Korrektur einer Wellenfront mittels eines Wellenfrontmanipulators;
  • 6 zeigt eine Ausführungsform einer Projektionsoptik einer Lithographieanlage mit einer optischen Anordnung;
  • 7 zeigt einen Querschnitt einer weiteren Ausführungsform eines segmentierten optischen Elements;
  • 8 zeigt eine schematische Ansicht einer zweiten Ausführungsform eines Wellenfrontmanipulators mit zwei segmentierten optischen Elementen;
  • 9 zeigt einen Querschnitt einer dritten Ausführungsform eines Wellenfrontmanipulators mit zwei segmentierten optischen Elementen;
  • 10 zeigt eine perspektivische Ansicht einer vierten Ausführungsform eines Wellenfrontmanipulators mit einem Infrarotlaser;
  • 11 zeigt ein Ablaufschema einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Betreiben einer Lithographieanlage mit einer optischen Anordnung; und
  • 12 zeigt einen schematischen Querschnitt einer Ausführungsform eines segmentierten optischen Elements.
Further advantageous embodiments and aspects of the invention are the subject of the dependent claims and the embodiments of the invention described below. Furthermore, the invention will be explained in more detail by means of preferred embodiments with reference to the attached figures.
  • 1 shows a schematic view of an embodiment of a DUV lithography system with an optical arrangement with a wavefront manipulator;
  • 2 shows a first embodiment of a wavefront manipulator with a segmented optical element comprising a movably arranged segment;
  • 3a shows a perspective view of the wavefront manipulator, in which the movably arranged segment is shifted;
  • 3b shows a perspective view of an embodiment of the movably arranged segment in two positions A and B;
  • 4 shows a cross-section of another embodiment of a movably arranged segment, wherein the segment has partial volumes with different refractive indices;
  • 5 shows a schematic example of a correction of a wavefront by means of a wavefront manipulator;
  • 6 shows an embodiment of a projection optics of a lithographic system with an optical arrangement;
  • 7 shows a cross section of another embodiment of a segmented optical element;
  • 8th shows a schematic view of a second embodiment of a wavefront manipulator with two segmented optical elements;
  • 9 shows a cross section of a third embodiment of a wavefront manipulator with two segmented optical elements;
  • 10 shows a perspective view of a fourth embodiment of a wavefront manipulator with an infrared laser;
  • 11 shows a flowchart of an embodiment of a method for operating a lithography system with an optical arrangement; and
  • 12 shows a schematic cross section of an embodiment of a segmented optical element.

In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen worden, sofern nichts Anderes angegeben ist.In the figures, identical or functionally identical elements have been given the same reference numerals, unless stated otherwise.

1 zeigt eine schematische Ansicht einer DUV Lithographieanlage 100, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionssystem 104 umfasst. Dabei steht DUV für „tiefes Ultraviolett“ (engl.: deep ultraviolet, DUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts (auch Nutzstrahlung genannt) zwischen 30 und 250 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projektionssystem 104 können in einem Vakuumgehäuse angeordnet und/oder von einem Maschinenraum umgeben sein. In dem Maschinenraum sind beispielsweise Evakuierungseinrichtungen zur Herstellung eines Vakuums und/oder Antriebsvorrichtungen zum mechanischen Verfahren bzw. Einstellen der optischen Elemente vorgesehen. Ferner können auch elektrische Steuerungen und dergleichen in diesem Maschinenraum vorgesehen sein. 1 shows a schematic view of a DUV lithography system 100 which is a beam shaping and illumination system 102 and a projection system 104 includes. DUV stands for "deep ultraviolet" (English: deep ultraviolet, DUV) and refers to a wavelength of the working light (also called useful radiation) between 30 and 250 nm. The beam shaping and illumination system 102 and the projection system 104 can be arranged in a vacuum housing and / or surrounded by a machine room. For example, evacuation devices for producing a vacuum and / or drive devices for mechanically operating or adjusting the optical elements are provided in the machine room. Furthermore, electrical controls and the like may be provided in this engine room.

Die DUV-Lithographieanlage 100 weist eine DUV-Lichtquelle 106 auf. Als DUV-Lichtquelle 106 kann beispielsweise ein ArF-Excimerlaser vorgesehen sein, welcher Strahlung 108 im DUV-Bereich bei beispielsweise 193 nm emittiert.The DUV lithography system 100 has a DUV light source 106 on. As a DUV light source 106 For example, an ArF excimer laser can be provided, which radiation 108 in the DUV range at, for example, 193 nm emitted.

Das in 1 dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 leitet die DUV-Strahlung 108 auf eine Lithographiemaske 120. Die Lithographiemaske 120 ist als transmissives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Die Lithographiemaske 120 weist lithographische Strukturen auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 124 oder dergleichen abgebildet werden. Dabei ist der Wafer 124 in der Bildebene des Projektionssystems 104 angeordnet.This in 1 illustrated beam shaping and illumination system 102 directs the DUV radiation 108 on a lithography mask 120 , The lithography mask 120 is formed as a transmissive optical element and can outside the systems 102 . 104 be arranged. The lithography mask 120 has lithographic structures, which by means of the projection system 104 reduced to a wafer 124 or the like. Here is the wafer 124 in the image plane of the projection system 104 arranged.

Das Projektionssystem 104 weist mehrere Linsen 128 und/oder Spiegel zur Abbildung der Lithographiemaske 120 auf den Wafer 124 auf. Dabei können einzelne Linsen 128 und/oder Spiegel des Projektionssystems 104 symmetrisch zur optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Linsen und Spiegel der DUV-Lithographieanlage 100 nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Linsen und/oder Spiegel vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.The projection system 104 has several lenses 128 and / or mirrors for imaging the lithographic mask 120 on the wafer 124 on. This can be individual lenses 128 and / or mirrors of the projection system 104 symmetrical to the optical axis 126 of the projection system 104 be arranged. It should be noted that the number of lenses and mirrors of the DUV lithography system 100 is not limited to the number shown. There may also be more or fewer lenses and / or mirrors. Furthermore, the mirrors are usually curved at their front for beam shaping.

Die dargestellte Lithographieanlage 100 weist in dem Strahlengang, der von dem Projektionssystem 104 vorgegeben ist, insbesondere eine optische Anordnung 110 mit einem Wellenfrontmanipulator 112 auf. Das Projektionslicht 108 durchstrahlt auf dem Weg zu dem Wafer 124 die optische Anordnung 110 und den Wellenfrontmanipulator 112. Das Projektionslicht 108 kann insbesondere in Strahlenbündel 114 aufgeteilt werden, die sich entlang einer Durchstrahlrichtung 116 in dem Strahlengang fortpflanzen.The illustrated lithography system 100 points in the beam path of the projection system 104 is predetermined, in particular an optical arrangement 110 with a wavefront manipulator 112 on. The projection light 108 radiates on the way to the wafer 124 the optical arrangement 110 and the wavefront manipulator 112 , The projection light 108 In particular, it can be divided into radiation beams 114, which extend along a transmission direction 116 propagate in the beam path.

Ein Luftspalt zwischen der letzten Linse 128 und dem Wafer 124 kann durch ein flüssiges Medium 132 ersetzt sein, welches einen Brechungsindex > 1 aufweist. Das flüssige Medium kann beispielsweise hochreines Wasser sein. Ein solcher Aufbau wird auch als Immersionslithographie bezeichnet und weist eine erhöhte photolithographische Auflösung auf.An air gap between the last lens 128 and the wafer 124 can be through a liquid medium 132 be replaced, which has a refractive index> 1. The liquid medium may be, for example, high purity water. Such a structure is also referred to as immersion lithography and has an increased photolithographic resolution.

2 zeigt eine Ausführungsform eines Wellenfrontmanipulators 112 mit einem segmentierten optischen Element 218, welches ein beweglich angeordnetes Segment 222 aufweist. Der dargestellte Wellenfrontmanipulator 112 kann beispielsweise in einer optischen Anordnung 110 als der Wellenfrontmanipulator 112 verwendet werden (siehe 1). Das segmentierte optische Element 218 ist in dem Beispiel der 2 als eine Glasplatte mit einer Keilform ausgebildet, wobei der Keil in Verschiebungsrichtung 238 zuläuft. Die Keilform ist aus Gründen der Übersicht in der 2 nicht dargestellt. Eine Darstellung eines keilförmigen Segments 222 ist in 3b gegeben. Das segmentierte optische Element 218 weist eine Mehrzahl an Segmenten 220 auf, deren lichtquellenseitige Oberflächen 221 in diesem Beispiel eine Ebene bilden. In der 2 ist aus Gründen der Übersicht nur eine Segmentoberfläche 221 schraffiert dargestellt und bezeichnet. Die Segmente 220 sind quer zur Durchstrahlrichtung 116 nebeneinander angeordnet. Die Segmente 220 des segmentierten optischen Elements 218 befinden sich in dieser Darstellung in der Nullposition. Das beweglich angeordnete Segment 222 ist in der 2 als ein verschiebbares Segment 222 ausgebildet und ist entlang der Verschiebungsrichtung 238 verschiebbar. 2 shows an embodiment of a wavefront manipulator 112 with a segmented optical element 218 which is a movably arranged segment 222 having. The illustrated wavefront manipulator 112 For example, in an optical arrangement 110 as the wavefront manipulator 112 be used (see 1 ). The segmented optical element 218 is in the example of 2 formed as a glass plate with a wedge shape, wherein the wedge in the direction of displacement 238 tapers. The wedge shape is for the sake of clarity in the 2 not shown. An illustration of a wedge-shaped segment 222 is shown in FIG 3b given. The segmented optical element 218 has a plurality of segments 220 on, their light source side surfaces 221 in this example form a layer. In the 2 For reasons of clarity, it is only a segment surface 221 hatched and marked. The segments 220 are transverse to the direction of radiation 116 arranged side by side. The segments 220 of the segmented optical element 218 are in this representation in the zero position. The movably arranged segment 222 is in the 2 as a movable segment 222 is formed and is displaceable along the displacement direction 238.

Ferner ist in der 2 ein Bildfeld 232 mit Feldpunkten 234 dargestellt (in der 2 ist nur ein Feldpunkt bezeichnet). Von dem Feldpunkt 234 geht ein Strahlenbündel 114 aus, welches sich in Durchstrahlrichtung 116 fortpflanzt. Das Strahlenbündel 114 beleuchtet eine Subapertur 236 auf dem segmentierten optischen Element 218. Die Subapertur 236 liegt in der Darstellung der 2 vollständig auf der Einstrahlseite des beweglich angeordneten Segments 222. Außerdem ist in der 2 der von dem Projektionslicht 108 aufgespannte Projektionslichtkegel 108 dargestellt. Der Projektionslichtkegel 108 umfasst alle Strahlenbündel, die von den Feldpunkten des Bildfeldes 232 ausgehen. Der Projektionslichtkegel 108 beleuchtet eine in der 2 kreisförmig dargestellte Fläche 226 auf dem segmentierten optischen Element 218. Nach dem Durchstrahlen des segmentierten optischen Elements 218 pflanzt sich der Projektionslichtkegel 108 weiter fort und beleuchtet eine Fläche 228, die beispielsweise eine Einstrahlseite eines weiteren optischen Elements (nicht dargestellt) sein kann. Das von dem Feldpunkt 234 ausgehende Strahlenbündel 114 beleuchtet eine in der Fläche 228 gelegene weitere Subapertur 230. In der dargestellten Situation divergieren die Lichtstrahlen des Strahlenbündels 114, weshalb die Subapertur 230 eine größere Fläche umfasst als die Subapertur 236.Furthermore, in the 2 a picture frame 232 with field points 234 shown (in the 2 is just a field point). From the field point 234 goes a ray of light 114 out, which is in the direction of radiation 116 propagates. The ray bundle 114 Illuminates a subaperture 236 on the segmented optical element 218. The subaperture 236 lies in the representation of 2 completely on the Einstrahlseite the movably arranged segment 222 , Moreover, in the 2 the one from the projection light 108 spanned projection light cone 108 shown. The projection light cone 108 includes all the rays coming from the field points of the image field 232 out. The projection light cone 108 Illuminates one in the 2 circular area 226 on the segmented optical element 218 , After passing through the segmented optical element 218 the projection light cone is planted 108 continues and illuminates a surface 228, which may be, for example, a Einstrahlseite another optical element (not shown). That from the field point 234 outgoing beams 114 illuminates one in the area 228 located further Subapertur 230 , In the illustrated situation, the light beams of the beam diverge 114 , which is why the subaperture 230 a larger area than the subaperture 236 ,

In dem Beispiel der Fig. 2 lässt sich mittels einer Verschiebung des verschiebbar angeordneten Segments 222 eine optische Weglänge für das Strahlenbündel 114 einstellen. Auf diese Weise ist es möglich, die Wellenfront des Strahlenbündels 114 relativ zu den weiteren Strahlenbündeln des Projektionslichtkegels 108 zu korrigieren.In the example of FIG. 2 can be by means of a shift of the slidably disposed segment 222 an optical path length for the beam 114 to adjust. In this way it is possible to see the wavefront of the beam 114 relative to the other beams of the projection light cone 108 to correct.

In einer bevorzugten Ausführungsform ist das segmentierte optische Element 218 derart in Segmente 220 aufgeteilt, dass die Subapertur 236 des Strahlenbündels 114 wenigstens zwei der Segmente 220 beleuchtet (siehe beispielsweise 8). Ferner ist es bevorzugt, dass auch die weiteren Segmente 220 beweglich angeordnet sind.In a preferred embodiment, the segmented optical element 218 such in segments 220 split that subaperture 236 of the beam 114 at least two of the segments 220 illuminated (see, for example 8th ). Furthermore, it is preferred that the other segments 220 are movably arranged.

Abweichend von der Darstellung der 2 ist es möglich, dass das segmentierte optische Element 218 auf eine andere Art und Weise in Segmente 222 aufgeteilt ist. Außerdem ist das segmentierte optische Element 218 nicht notwendigerweise in einer rechteckigen Grundform gegeben.Deviating from the presentation of 2 is it possible for the segmented optical element 218 in other ways into segments 222 is divided. In addition, the segmented optical element 218 not necessarily given in a rectangular basic form.

3a zeigt das segmentierte optische Element der 2, wobei das beweglich angeordnete Segment 222 in dieser Darstellung aus der Nullposition entlang der Verschiebungsrichtung 238 und relativ zu dem Strahlenbündel 114 verschoben ist. In der 3a sind ferner die von dem Strahlenbündel 114 beleuchtete Subapertur 236 sowie die Fläche 236' eingezeichnet, welche in der Nullposition des Segments 222 von dem Strahlenbündel 114 beleuchtet wäre. 3a shows the segmented optical element of 2 , wherein the movably arranged segment 222 in this representation, from the zero position along the direction of displacement 238 and relative to the beam 114 is moved. In the 3a are also from the beam 114 illuminated subaperture 236 as well as the area 236 ' drawn, which in the zero position of the segment 222 from the beam 114 would be illuminated.

3b zeigt eine perspektivische Ansicht einer Ausführungsform des beweglich angeordneten Segments 222 in zwei Positionen A und B. Das Segment 222 der 3b weist eine Keilform auf, das heißt, dass es in Durchstrahlrichtung 116 eine von der Position abhängige geometrische Dicke aufweist. Das beweglich angeordnete Element 222 ist entlang der Verschiebungsrichtung 238 verschiebbar angeordnet. Das Segment 222 ist in den dargestellten Positionen A und B relativ zu dem Strahlenbündel 114 verschoben. Die von dem Strahlenbündel 114 beleuchtete Subapertur 236 ist in beiden Positionen eingezeichnet. Wenn eine Brechung des Lichts vernachlässigt wird, durchstrahlt das Strahlenbündel 114 in dem Segment 222 ein Volumen 302, 304, welches durch die geometrische Dicke des Segments 222 an der Position der Subapertur 236 entlang der Durchstrahlrichtung 116 und die Subapertur 236 selbst definiert ist. Durch die Verschiebung des in Keilform ausgebildeten Segments 222 von der in A dargestellten Position zu der in B dargestellten Position, wird eine reduzierte geometrische Weglänge für das Strahlenbündel 114 in dem Segment 222 erreicht. Dadurch ist auch die optische Weglänge reduziert und eine Wellenfront kann das Segment 222 schneller durchlaufen. Die optische und geometrische Weglänge im Volumen 302 (3b: A) ist für das Strahlenbündel 114 größer als im Volumen 304 (3b: B). Insofern erfolgt eine Wellenfrontmanipulation beim Verschieben 238 des transparenten Segmentes 222. 3b shows a perspective view of an embodiment of the movably arranged segment 222 in two positions A and B. The segment 222 of the 3b has a wedge shape, that is, it is in the transmission direction 116 having a position-dependent geometric thickness. The movably arranged element 222 is along the direction of displacement 238 slidably arranged. The segment 222 is in the illustrated positions A and B relative to the beam 114 postponed. The of the beam 114 Illuminated subaperture 236 is drawn in both positions. If a refraction of the light is neglected, the beam passes through 114 in the segment 222 a volume 302 . 304 which is determined by the geometric thickness of the segment 222 at the position of the subaperture 236 along the transmission direction 116 and the subaperture 236 itself is defined. By the displacement of the wedge-shaped segment 222 from the position shown in Fig. A to the position shown in Fig. B, a reduced geometric path length for the beam becomes 114 in the segment 222 reached. As a result, the optical path length is reduced and a wavefront can be the segment 222 go through faster. The optical and geometric path length in volume 302 ( 3b : A) is for the ray bundle 114 greater than in volume 304 ( 3b : B). In this respect, a wavefront manipulation occurs when moving 238 of the transparent segment 222 ,

4 zeigt einen Querschnitt durch eine weitere Ausführungsform eines beweglich angeordneten Segments 422, welches ein Segment eines segmentierten optischen Elements 218 (siehe 2, 3a oder 3b) sein kann. In dieser Ausführungsform weist das Segment zwei Teilvolumina 402 und 404 auf, die sich in ihrem Brechungsindex für das Projektionslicht unterscheiden. Vorliegend weist das Teilvolumen 402 einen Brechungsindex n1 auf, der kleiner als ein Brechungsindex n2 des Teilvolumens 404 ist. In Abhängigkeit der Position auf der Einstrahlseite des Segments 422 durchstrahlt ein Lichtstrahl unterschiedliche Bereiche in dem Segment 422. Dies ist in der 4 mittels drei Lichtstrahlen 410, 420, 430 dargestellt. 4 shows a cross section through a further embodiment of a movably arranged segment 422 , which is a segment of a segmented optical element 218 (please refer 2 . 3a or 3b ) can be. In this embodiment, the segment has two partial volumes 402 and 404 which differ in their refractive index for the projection light. In the present case, the partial volume 402 a refractive index n1 which is smaller than a refractive index n2 of the sub-volume 404. Depending on the position on the inflow side of the segment 422 a light beam passes through different areas in the segment 422 , This is in the 4 by means of three beams of light 410 . 420 . 430 shown.

Die Lichtstrahlen durchlaufen unterschiedliche geometrische Strecken 412, 423, 432 in dem Teilvolumen 404 mit Brechungsindex n2 und unterschiedliche geometrische Strecken 414, 424, 434 in dem Teilvolumen 402 mit Brechungsindex n1. Daher ist die optische Weglänge der drei Lichtstrahlen 410, 420, 430 unterschiedlich. Dies ist in der 4 durch unterschiedlich lange Pfeile dargestellt, die die das Segment 422 durchstrahlten Lichtstrahlen 416, 426, 436 repräsentieren. Die optische Weglänge für den Lichtstrahl 410 ist am geringsten, weshalb dieser das Segment 422 schneller durchläuft und daher auch durch den längsten Pfeil 416 repräsentiert wird. Entsprechendes gilt für die beiden weiteren Lichtstrahlen 420 und 430 mit den korrespondierenden Pfeilen 426 und 436. Bei einer vorgegebenen Einstrahlposition, die durch die Subapertur 236 (siehe 2, 3a, 3b) definiert ist, kann durch eine Verschiebung des Segments 422 somit die optische Weglänge für einen Lichtstrahl oder ein Strahlenbündel 114 eingestellt werden. In der Folge wird die jeweilige Wellenfront der eintreffenden Lichtstrahlen 410, 120, 430 verändert.The light rays pass through different geometric distances 412 . 423 , 432 in the subvolume 404 with refractive index n2 and different geometric distances 414 . 424 . 434 in the subvolume 402 with refractive index n1. Therefore, the optical path length of the three light beams 410 . 420 . 430 differently. This is in the 4 represented by arrows of different lengths, which are the segment 422 irradiated light rays 416 . 426 . 436 represent. The optical path length for the light beam 410 is the lowest, which is why this is the segment 422 goes through faster and therefore by the longest arrow 416 is represented. The same applies to the two other light beams 420 and 430 with the corresponding arrows 426 and 436 , At a given Einstrahlposition, by the subaperture 236 (please refer 2 . 3a . 3b ) is defined by a shift of the segment 422 thus the optical path length for a light beam or a beam 114 be set. As a result, the respective wavefront of the incoming light rays 410 . 120 . 430 changed.

Es wird darauf hingewiesen, dass auf eine Darstellung der Brechung der Lichtstrahlen bewusst verzichtet wurde, um den eigentlichen Effekt der Anpassung der optischen Weglänge zu verdeutlichen.It should be noted that a representation of the refraction of the light beams was deliberately omitted in order to clarify the actual effect of adjusting the optical path length.

Außer der dargestellten Aufteilung des Segments 422 in Volumina 402, 404 mit unterschiedlichen Brechungsindizes sind weitere Aufteilungen möglich, beispielsweise ein diskretisierter Aufbau, bei dem die Grenzfläche zwischen den Volumina 402, 404 durch eine Treppenfunktion abgebildet wird. Auch sind mehr als zwei unterschiedliche Volumina 402, 404 denkbar oder auch Gradienten des Brechungsindex innerhalb eines Segments 422.Except the illustrated division of the segment 422 in volumes 402 . 404 with different refractive indices, further divisions are possible, for example a discretized structure in which the interface between the volumes 402 , 404 is represented by a step function. Also, more than two different volumes 402 . 404 conceivable or also gradients of the refractive index within a segment 422 ,

5 zeigt ein schematisches Beispiel einer Korrektur einer Wellenfront des Projektionslichts 108 mittels eines Wellenfrontmanipulators 218, der hier als ein segmentiertes optisches Element 218 ausgebildet ist. In der mittleren Darstellung der 5 blickt man in der möglichen Verschiebungsrichtung auf die nebeneinander angeordneten Segmente 220, wovon nur eines mit dem entsprechenden Bezugszeichen versehen ist. In dieser Darstellung ist gut zu erkennen, dass die lichtquellenseitigen Segmentoberflächen 221 (in der Fig. ist nur eine Oberfläche 221 bezeichnet) nicht in einer Ebene liegen müssen, sondern vielmehr auch über einen Bereich 500 entlang der Durchstrahlrichtung 108 verteilt sein können. Der Bereich 500 ergibt sich aus der Bedingung, dass der Wellenfrontmanipulator 218 in einer feldnahen Position in dem Strahlengang der Lithographieanlage 100 angeordnet sein soll. Dies ist dann erfüllt, wenn die einzelnen Segmentoberflächen 221 der Segmente 220 in einer feldnahen Position angeordnet sind. In der weiter unten beschriebenen 6 sind Feldebenen und entsprechende Positionen näher erläutert. 5 shows a schematic example of a correction of a wavefront of the projection light 108 by means of a wavefront manipulator 218 which is here as a segmented optical element 218 is trained. In the middle illustration of the 5 If you look in the possible direction of displacement on the juxtaposed segments 220 of which only one is provided with the corresponding reference numeral. In this illustration, it can be clearly seen that the light-source-side segment surfaces 221 (in the figure is only one surface 221 referred) do not have to lie in one plane, but rather also over an area 500 along the transmission direction 108 can be distributed. The area 500 results from the condition that the wavefront manipulator 218 in a near-field position in the beam path of the lithography system 100 should be arranged. This is then fulfilled when the individual segment surfaces 221 the segments 220 are arranged in a near-field position. In the below described 6 Field levels and corresponding positions are explained in more detail.

In der 5 sind zwei Diagramme (obere und untere Darstellung) dargestellt, welche eine x-Achse sowie eine Phasenachse aufweisen, die mit Δφ bezeichnet ist. Die x-Achse korrespondiert dabei zu einer Querschnittsposition des auf den Wellenfronmanipulator 218 einfallenden Projektionslichts 108. Die Phasenachse stellt den Koeffizienten der Verkippung der Wellenfront des Projektionslichts 108 bezogen auf die ideale bzw. gewünschte Wellenfront an der Position des Wellenfrontmanipulators 218 im Strahlengang dar. In dem Beispiel kann der Verlauf der Verkippung der Wellenfront 506, 508 durch eine Funktion beschrieben werden, deren Amplitude proportional zu x3 ist. Bei negativen x-Werten ist Δφ kleiner 0, was bedeutet, dass die Wellenfront der Sollposition vorauseilt. Bei positiven x-Werten ist Δφ größer 0, was bedeutet, dass die Wellenfront mit Bezug auf die Sollposition retardiert ist. Ein solcher Verlauf der Wellenfront bewirkt eine Verzeichnung der Abbildung. In the 5 Two diagrams (top and bottom view) are shown, which have an x-axis and a phase axis, which is denoted by Δφ. The x-axis corresponds to a cross-sectional position of the on the Wellenfronmanipulator 218 incident projection light 108 , The phase axis represents the coefficient of tilt of the wavefront of the projection light 108 relative to the ideal or desired wavefront at the position of the wavefront manipulator 218 in the beam path. In the example, the course of the tilt of the wavefront 506 . 508 are described by a function whose amplitude is proportional to x 3 . For negative x-values, Δφ is less than 0, which means that the wavefront leads the target position. For positive x-values, Δφ is greater than 0, which means that the wavefront is retarded with respect to the target position. Such a course of the wavefront causes a distortion of the image.

Ferner ist in der 5 ein Koordinatensystem x,z eingezeichnet, welches die Ausrichtung des Wellenfrontmanipulators 218 relativ zu dem Projektionslicht 108 darstellt. Die x-Position soll dabei mit der x-Position in den Phasendiagrammen übereinstimmen. Durch die gezeigte Anordnung der Segmente des Wellenfrontmanipulators 218 kann eine Abschwächung des Phasenunterschieds 506 gegenüber dem gewünschten Phasenverlauf erreicht werden. Nach dem Durchstrahlen des Wellenfrontmanipulators 218 weist das Projektionslicht 108 einen betragsweise reduzierten Phasenunterschied 508 zu einem idealen Verlauf der Wellenfront auf. Die Segmente 220 des segmentierten optischen Elements 218 sind dabei derart ausgebildet, dass eine geometrische Weglänge des Projektionslichts 108 in Abhängigkeit der x-Position eingestellt werden kann.Furthermore, in the 5 a coordinate system x, z drawn, which shows the orientation of the wavefront manipulator 218 relative to the projection light 108 represents. The x-position should coincide with the x-position in the phase diagrams. Due to the arrangement of the segments of the wavefront manipulator shown 218 can be a weakening of the phase difference 506 can be achieved over the desired phase curve. After passing through the wavefront manipulator 218 has the projection light 108 a reduced amount of phase difference 508 to an ideal course of the wavefront. The segments 220 the segmented optical element 218 are designed such that a geometric path length of the projection light 108 can be adjusted depending on the x-position.

In diesem Beispiel wurde die Korrektur mit insgesamt zwölf Segmenten 220 erreicht. Für eine bessere Korrektur sind mehr Segmente vorteilhaft. Insbesondere ist in diesem Beispiel eine Korrektur nur entlang der x-Achse gezeigt. Es versteht sich, dass diese Korrektur durch eine entsprechende Anordnung des Wellenfrontmanipulators 218 auch entlang einer beliebigen anderen Achse möglich ist. Durch Anordnen von mehreren segmentierten optischen Elementen 218 im Strahlengang hintereinander kann ferner eine höhere Auflösung und/oder eine kombinierte Korrektur entlang mehr als einer Achse erzielt werden (siehe z.B. 8).In this example, the correction was made with a total of twelve segments 220 reached. For a better correction, more segments are advantageous. In particular, in this example, correction is shown only along the x-axis. It is understood that this correction by a corresponding arrangement of the wavefront manipulator 218 is also possible along any other axis. By arranging a plurality of segmented optical elements 218 Furthermore, a higher resolution and / or a combined correction along more than one axis can be achieved in the beam path in succession (see, for example, FIG 8th ).

6 zeigt eine Ausführungsform einer Projektionsoptik 600 einer Lithographieanlage 100 mit einer optischen Anordnung 610. Das optische Design der Projektionsoptik 600 entspricht mit Ausnahme der optischen Anordnung 610 der 34 der US 8,289,619 B2 , auf welche hier vollinhaltlich Bezug genommen wird („incorporation by reference“). Die optische Anordnung 610 kann insbesondere in allen in der US 8,289,619 B2 genannten katadioptrischen Projektionsoptiken eingesetzt werden. In der Ebene 602 befindet sich in diesem Beispiel eine Bildebene 602, welche Feldpunkte 604, 606 aufweist. Von jedem Feldpunkt 604, 606 geht ein Strahlenbündel 614, 616 aus. Die Projektionsoptik 600 ist dazu eingerichtet, die Feldpunkte 604, 606 der Bildebene 602 verkleinert auf einen Wafer 624 abzubilden. Hierfür umfasst die Projektionsoptik 600 eine Vielzahl an nicht näher bezeichneten Linsen und Spiegel. Die Projektionsoptik 600 weist außerdem eine optische Anordnung 610 mit einem Wellenfrontmanipulator 612 auf. Beispielsweise kann vorgesehen sein, den Wellenfrontmanipulator einer der 2, 3a, 4, 5, 8 in der optischen Anordnung 610 zu verwenden. Jedes Strahlenbündel 614, 616 beleuchtet eine Subapertur auf dem Wellenfrontmanipulator 610. In der 6 ist auch eine Pupillenebene 620 eingezeichnet. Diese ist dadurch ausgezeichnet, dass jedes Strahlenbündel 614, 616 die Pupillenebene 620 in dem vollen Durchmesser durchstrahlt. Die Subapertur jedes Strahlenbündels 614, 616 entspricht in der Pupillenebene 620 daher dem Durchmesser des Projektionslichtkegels. 6 shows an embodiment of a projection optics 600 a lithography system 100 with an optical arrangement 610 , The optical design of the projection optics 600 corresponds with the exception of the optical arrangement 610 of the 34 of the US 8,289,619 B2 , which are hereby incorporated by reference ("incorporation by reference"). The optical arrangement 610 especially in all in the US 8,289,619 B2 catadioptric projection optics are used. In the plane 602 is an image plane in this example 602 , which field points 604 . 606 having. From every field point 604 . 606 goes a ray of light 614 . 616 out. The projection optics 600 is set to the field points 604 . 606 the picture plane 602 reduced to a wafer 624 map. For this purpose, the projection optics includes 600 a variety of unspecified lenses and mirrors. The projection optics 600 also has an optical arrangement 610 with a wavefront manipulator 612 on. For example, it may be provided that the wavefront manipulator one of 2 . 3a . 4 . 5 . 8th in the optical arrangement 610 to use. Every ray bundle 614 . 616 Illuminates a subaperture on the wavefront manipulator 610 , In the 6 is also a pupil level 620 located. This is distinguished by the fact that every ray of light 614 . 616 the pupil plane 620 irradiated in the full diameter. The subaperture of each ray bundle 614 . 616 corresponds to the pupil level 620 therefore, the diameter of the projection light cone.

Eine feldnahe Position kann wie folgt definiert werden. Jedes von einem Feldpunkt 604, 606 einer Feldebene 602 ausgehende Strahlenbündel 614, 616 beleuchtet an der Segmentoberfläche 221 eine Subapertur mit einem Subaperturdurchmesser SAD. Alle von der Feldebene 602 ausgehenden Strahlenbündel 614, 616 zusammen beleuchten auf den Segmentoberflächen 221 einen optisch genutzten Bereich mit dem maximalen Durchmesser DFP. Über das Verhältnis SAD / DFP lässt sich die Fläche kategorisieren. Ein Verhältnis von 0 beschreibt die Feldebene 602, ein Verhältnis von 1 die Pupillenebene. Als feldnah kann man beispielsweise eine Fläche mit einem Verhältnis zwischen 0 und 0,5, bevorzugt zwischen 0 und 0,25, bezeichnen.A near-field position can be defined as follows. Each of a field point 604, 606 of a field level 602 outgoing beams 614 . 616 illuminated at the segment surface 221 a subaperture with a subaperture diameter SAD. All from the field level 602 outgoing beams 614 . 616 lighting together on the segment surfaces 221 an optically used area with the maximum diameter DFP. The area can be categorized using the ratio SAD / DFP. A ratio of 0 describes the field level 602 , a ratio of 1 the pupil level. For example, an area with a ratio between 0 and 0.5, preferably between 0 and 0.25, can be described as close to the field.

In der 6 ist insbesondere der Wellenfrontmanipulator 612 in einer feldnahen Position angeordnet. Diese ist dadurch charakterisiert, dass der Durchmesser einer Subapertur SAD eines Strahlenbündels 614, 616 auf dem Wellenfrontmanipulator 612 nur einen Bruchteil, z.B. weniger als 50%, des Durchmessers des optisch genutzten Bereiches DFP ausmacht. Je näher der Wellenfrontmanipulator 612 an dem Bildfeld 602 angeordnet ist, umso besser lässt sich die Wellenfront einzelner Feldpunkte 604, 606 individuell korrigieren. Da damit die Subapertur eines Feldpunkts 604, 606 auf dem Wellenfrontmanipulator 612 kleiner wird, sollte eine laterale Ausdehnung der Segmente schrumpfen, damit dennoch eine größere Anzahl von Segmenten in der Subapertur liegen und somit Aberrationen höherer Ordnung korrigierbar sind. Es versteht sich, dass die Oberflächen der einzelnen optischen Segmente zusammengesetzt nicht unbedingt eine Ebene bilden müssen, sondern, wie beispielsweise in 5 dargestellt, auch in einem gewissen Bereich verteilt sein können, solange sie noch in der feldnahen Position sind. Man kann auch das gesamte Objektiv bzw. die Projektionsoptik 600 als eine optische Anordnung mit einem Wellenfrontmanipulator 612 auffassen. Allerdings ist auch der Einsatz einer dezidierten optischen Anordnung 610, wie es in der 6 angedeutet ist, möglich. Denkbar ist auch, dass eine der Projektionslinsen durch eine Segmentierung als Wellenfrontmanipulator verwendet wird.In the 6 is in particular the wavefront manipulator 612 arranged in a field near position. This is characterized in that the diameter of a subaperture SAD of a beam 614 . 616 on the wavefront manipulator 612 constitutes only a fraction, eg less than 50%, of the diameter of the optically used region DFP. The closer the wavefront manipulator 612 at the frame 602 is arranged, the better the wavefront of individual field points 604 . 606 correct individually. Because then the subaperture of a field point 604 . 606 on the wavefront manipulator 612 becomes smaller, should a lateral extent of the segments shrink, so that nevertheless a larger number of segments lie in the sub-aperture and thus higher-order aberrations can be corrected. It is understood that the surfaces of the individual optical segments not necessarily a level, but, as in 5 can also be distributed in a certain range, as long as they are still in the near-field position. You can also use the entire lens or the projection optics 600 as an optical arrangement with a wavefront manipulator 612 conceive. However, it is also the use of a dedicated optical arrangement 610 as it is in the 6 is indicated, possible. It is also conceivable that one of the projection lenses is used by a segmentation as wavefront manipulator.

Abweichend von der 6 sind auch optische Konfigurationen denkbar, die kein reflektives Element aufweisen oder zumindest einen Faltspiegel und/oder zumindest einen Pupillenspiegel aufweisen.Deviating from the 6 are also optical configurations conceivable that have no reflective element or at least have a folding mirror and / or at least one pupil mirror.

7 zeigt einen Querschnitt einer weiteren Ausführungsform eines segmentierten optischen Elements 718. Das segmentierte optische Element 718 weist in dieser Ausführungsform Segmente 720 auf, deren Kontaktflächen 706, 708 parallel zu den Randstrahlen eines einfallenden Strahlenbündels 114 eingerichtet sind. Dies ist schematisch für das Segment 704 gezeigt. Das Strahlenbündel 114 wird von einem Feldpunkt 234 des Bildfeldes 232 abgestrahlt. Außerdem weist das segmentierte optische Element 718 opak ausgebildete Strukturen 710 auf, die eine Einstrahlung von Projektionslicht auf die von den Kontaktflächen 706, 708 auf der Einstrahlseite des segmentierten optischen Elements 718 gebildeten Kanten verhindert. Mit einer solchen Ausführungsform ist daher ein Einfluss der Kontaktflächen 706, 708 auf das Projektionslicht 108 minimiert. Abweichend von der dargestellten Ausführungsform der opaken Strukturen 710 sind weitere Anordnungen möglich. Die Opazität kann geeignet eingestellt werden und die Wellenlänge des verwendeten Projektionslichts berücksichtigen. Zum Beispiel ist die Seitenfläche 708, 706 jeweils mit einem UV-Licht absorbierenden Material beschichtet. 7 shows a cross section of another embodiment of a segmented optical element 718 , The segmented optical element 718 has segments in this embodiment 720 on, their contact surfaces 706 . 708 parallel to the marginal rays of an incident beam 114 are set up. This is schematic for the segment 704 shown. The ray bundle 114 is from a field point 234 of the image field 232 radiated. In addition, the segmented optical element has 718 opaque structures 710 on, which is an irradiation of projection light on the of the contact surfaces 706 . 708 on the irradiation side of the segmented optical element 718 formed edges prevented. With such an embodiment, therefore, an influence of the contact surfaces 706 . 708 on the projection light 108 minimized. Notwithstanding the illustrated embodiment of the opaque structures 710 are further arrangements possible. The opacity can be suitably adjusted and take into account the wavelength of the projection light used. For example, the side surface 708 . 706 each coated with a UV-absorbing material.

8 zeigt eine schematische Ansicht einer weiteren Ausführungsform des Wellenfrontmanipulators 112 mit zwei segmentierten optischen Elementen 820 und 830, die jeweils Segmente 821 und 831 umfassen. Ferner ist in der 8 ein Strahlenbündel 114 dargestellt, welches sich entlang einer Durchstrahlrichtung 116 fortpflanzt. Die Durchstrahlrichtung 116 ist hier parallel zu der z-Achse eines karthesischen Koordinatensystems dargestellt. Die beiden segmentierten optischen Elemente 820, 830 weisen jeweils in Durchstrahlrichtung 116 rechteckige Segmente 821, 831 auf, wobei die Ausrichtung der Segmente 821, 831 orthogonal zueinander gewählt ist. Die Segmente 821 des segmentierten optischen Elements 820 verlaufen entlang der y-Richtung und die Segmente 831 des segmentierten optischen Elements 830 verlaufen entlang der x-Richtung. Die Segmente 821, 831 sind beispielsweise entsprechend den Segmenten 222 der 2 oder 422 der 4 ausgebildet. Die Segmente 821, 831 eines jeweiligen segmentierten optischen Elements 820, 830 sind jeweils quer zur Durchstrahlrichtung 116 nebeneinander angeordnet. Diese Anordnung hat zur Folge, dass ein Lichtstrahl oder Strahlenbündel 114 entlang der Durchstrahlrichtung 116 nur genau ein Segment 821, 831 eines jeweiligen segmentierten optischen Elements 820, 830 durchstrahlt. In dem Beispiel der 8 sind die Segmente 821, 831 der segmentierten optischen Elemente 820, 830 jeweils in der x-y-Ebene angeordnet. Beispielshaft ist jeweils eine lichtquellenseitige Segmentoberfläche 823, 833 der beiden segmentierten optischen Elemente 820, 830 gekennzeichnet. In der Darstellung der 8 liegen alle Segmentoberflächen 823 des segmentierten optischen Elements 820 in einer Ebene und es liegen alle Segmentoberflächen 833 des segmentierten optischen Elements 830 in einer Ebene. Abweichend von dieser Darstellung ist es möglich, dass die Segmentoberflächen 823, 833 eines jeweiligen segmentierten optischen Elements 820, 830 nicht in einer Ebene liegen, wie es beispielsweise in der 5 dargestellt ist. 8th shows a schematic view of another embodiment of the wavefront manipulator 112 with two segmented optical elements 820 and 830 , each segment 821 and 831 include. Furthermore, in the 8th a ray of light 114 shown, which is along a transmission direction 116 propagates. The transmission direction 116 is shown here parallel to the z-axis of a Cartesian coordinate system. The two segmented optical elements 820 . 830 each point in the direction of radiation 116 rectangular segments 821, 831 on, the orientation of the segments 821 . 831 orthogonal to each other is selected. The segments 821 the segmented optical element 820 run along the y-direction and the segments 831 the segmented optical element 830 run along the x-direction. The segments 821 . 831 are, for example, according to the segments 222 of the 2 or 422 of the 4 educated. The segments 821 . 831 a respective segmented optical element 820 . 830 are each transverse to the direction of radiation 116 arranged side by side. This arrangement has the consequence that a light beam or beam 114 along the transmission direction 116 just one segment 821 . 831 a respective segmented optical element 820 . 830 irradiated. In the example of 8th are the segments 821 . 831 the segmented optical elements 820 . 830 each arranged in the xy plane. Exemplary is each a light source side segment surface 823 . 833 the two segmented optical elements 820 . 830 characterized. In the presentation of the 8th lie all segment surfaces 823 the segmented optical element 820 in one plane and all segment surfaces lie 833 the segmented optical element 830 in a plane. Deviating from this representation, it is possible that the segment surfaces 823, 833 of a respective segmented optical element 820 . 830 do not lie in one plane, as in the example 5 is shown.

Jedes der segmentierten optischen Elemente 820, 830 weist wenigstens ein bewegliches Segment 824, 834 auf. Die beweglichen Segmente 824, 834 sind entlang einer Verschiebungsrichtung 828, 838 verschiebbar angeordnet. Das Strahlenbündel 114 strahlt auf eine Subapertur 826 des ersten segmentierten optischen Elements 820 ein und durchstrahlt dieses. Wie in der Figur erkennbar, überdeckt die Subapertur 826 einen Teil der Einstrahlseite der beiden Segmente 822 und 824. Durch eine Verschiebung des beweglich angeordneten Segments 824 entlang der Verschiebungsrichtung 828 kann daher für einen Teil des Strahlenbündels 114 ein von dem weiteren Teil unterschiedlicher optischer Weg eingestellt werden. Damit kann eine gekrümmte Wellenfront entlang der x-Richtung korrigiert werden (siehe z.B. 5).Each of the segmented optical elements 820 . 830 has at least one movable segment 824 . 834 on. The moving segments 824 . 834 are along a shift direction 828 . 838 slidably arranged. The ray bundle 114 shines on a subaperture 826 of the first segmented optical element 820 and radiates this. As can be seen in the figure, the subaperture 826 covers part of the irradiation side of the two segments 822 and 824 , By a shift of the movably arranged segment 824 along the direction of displacement 828 can therefore be part of the beam 114 be set from the other part different optical path. Thus, a curved wavefront along the x-direction can be corrected (see, eg 5 ).

Nachdem das Strahlenbündel 114 das erste segmentierte optische Element 820 durchstrahlt hat, strahlt es auf eine Subapertur 836 des zweiten segmentierten optischen Elements 830 ein, in welcher sich die beiden Segmente 832 und 834 befinden. Durch eine Verschiebung des beweglich angeordneten Segments 834 entlang der Verschiebungsrichtung 838 kann nun für in y-Richtung unterschiedliche Teilstrahlenbündel des Strahlenbündels 114 eine unterschiedliche optische Weglänge eingestellt werden. Somit lässt sich eine Krümmung der Wellenfront in y-Richtung korrigieren.After the beam 114 the first segmented optical element 820 radiates, it radiates on a Subapertur 836 of the second segmented optical element 830 one in which the two segments 832 and 834 are located. By a shift of the movably arranged segment 834 along the direction of displacement 838 can now for in the y-direction different partial beams of the beam 114 a different optical path length can be set. Thus, a curvature of the wavefront in the y direction can be corrected.

Mit dieser Ausführungsform kann daher erreicht werden, eine Wellenfrontkorrektur entlang mehrere Achsen vorzunehmen. Bevorzugt werden mehr als zwei segmentierte optische Elemente 820, 830 eingesetzt, deren Verschiebungsrichtungen unter weiteren Winkeln zueinander angeordnet sind und sequenziell durchstrahlt werden. Insbesondere können die segmentierten optischen Elemente 820 830 in eine größere Zahl an Segmenten 821, 831 als es hier dargestellt ist, unterteilt sein, wobei bevorzugt jedes einzelne Segment 821, 831 beweglich angeordnet ist. Insgesamt ergibt sich damit die Möglichkeit, auch komplexe zweidimensional gekrümmte Wellenfronten zu manipulieren bzw. zu korrigieren.With this embodiment, it is therefore possible to achieve a wavefront correction along several axes. More than two segmented optical elements are preferred 820 . 830 used, the displacement directions are arranged at further angles to each other and are sequentially irradiated. In particular, the segmented optical elements 820 830 into a larger number of segments 821 . 831 as shown here, preferably each individual segment 821 . 831 is movably arranged. Overall, this results in the possibility of manipulating or correcting even complex two-dimensionally curved wavefronts.

9 zeigt einen Querschnitt einer dritten Ausführungsform eines Wellenfrontmanipulators 900 mit zwei segmentierten optischen Elementen 910, 920. Die 9 zeigt den Wellenfrontmanipulator 900 in drei unterschiedlichen Zuständen A, B, C. Die segmentierten optischen Elemente 910, 920 des Wellenfrontmanipulators 900 dieser Ausführungsform sind jeweils aus Keilsegmenten 910, 920 zusammengesetzt und bilden ein kavitätenfreies Volumen. Die Segmente 910, 920 sind jeweils entlang einer Verschiebungsrichtung 912, 922 verschiebbar angeordnet. Dabei erfolgt eine Verschiebung derart, dass die Segmente 910, 920 sich jeweils flächig auf der einander zugewandten Seite berühren. Die einzelnen Segmente 910, 920 eines jeweiligen segmentierten optischen Elements sind quer zur Durchstrahlrichtung 116 (entspricht der Strahlrichtung des Lichtstrahls 114) nebeneinander angeordnet, was in Seitenansicht der 9 nicht erkennbar ist. In der Darstellung der 9 sind die einzelnen Segmente 910, 920 hintereinander in die Bildebene hinein und/oder aus der Bildebene heraus angeordnet. Wie zuvor hat diese Anordnung die Wirkung, dass der Lichtstrahl 114 nur genau ein Segment 910, 920 eines jeden segmentierten optischen Elements durchstrahlt und nacheinander zuerst das Segment 910 des ersten segmentierten optischen Elements und dann das Segment 920 des zweiten segmentierten optischen Elements durchstrahlt, wie im Folgenden erläutert wird. 9 shows a cross section of a third embodiment of a wavefront manipulator 900 with two segmented optical elements 910 . 920 , The 9 shows the wavefront manipulator 900 in three different states A, B, C. The segmented optical elements 910 . 920 of the wavefront manipulator 900 These embodiments are each made of wedge segments 910 . 920 assembled and form a cavity-free volume. The segments 910 . 920 are each along a direction of displacement 912 . 922 slidably arranged. In this case, a shift takes place such that the segments 910 . 920 each touching each other flat on the side facing each other. The individual segments 910 . 920 of a respective segmented optical element are transverse to the direction of radiation 116 (corresponds to the beam direction of the light beam 114 ) arranged side by side, which is in side view of 9 is not recognizable. In the presentation of the 9 are the individual segments 910 . 920 one after the other into the image plane and / or out of the image plane. As before, this arrangement has the effect that the light beam 114 just one segment 910 . 920 of each segmented optical element radiates through and successively first the segment 910 of the first segmented optical element and then the segment 920 of the second segmented optical element, as will be explained below.

Es ist ferner ein Lichtstrahl 114 dargestellt, der auf das Segment 910 des ersten segmentierten optischen Elements einstrahlt. Der Lichtstrahl 114 durchläuft dann einen Lichtweg 914 in dem Segment 910 und anschließend einen Lichtweg 924 in dem Segment 920. In den drei Darstellungen A, B, C der 9 sind die Segmente 910, 920 in jeweils unterschiedlicher Position dargestellt. Dadurch verändert sich jeweils der Lichtweg 914, 924 des Lichtstrahls 114 in dem jeweiligen Segment 910, 920 und somit die optische Weglänge, die dieser zurücklegen muss. Vorliegend wird durch eine Verschiebung der Segmente 910, 920 relativ zueinander daher die optische Weglänge für den Lichtstrahl 114 eingestellt.It is also a ray of light 114 shown on the segment 910 of the first segmented optical element. The light beam 114 then goes through a light path 914 in the segment 910 and then a light path 924 in the segment 920 , In the three representations A, B, C of 9 the segments 910, 920 are shown in different positions. As a result, the light path changes in each case 914 . 924 of the light beam 114 in the respective segment 910 , 920 and thus the optical path length that this must cover. Present is by a shift of the segments 910 . 920 relative to each other, therefore, the optical path length for the light beam 114 set.

In einer weiteren Ausführungsform sind beispielsweise nur die Segmente 920 beweglich, während die Segmente 910 nicht beweglich sind und/oder das erste optische Element nicht segmentiert ist.In a further embodiment, for example, only the segments 920 movable while the segments 910 are not movable and / or the first optical element is not segmented.

Diese wie auch weitere Ausführungsformen des Wellenfrontmanipulators 900 eignen sich beispielsweise zum Einsatz in einer Projektionsoptik 104 der 1 oder 600 der 6.These as well as other embodiments of the wavefront manipulator 900 For example, they are suitable for use in projection optics 104 of the 1 or 600 of the 6 ,

10 zeigt eine vierte Ausführungsform eines Wellenfrontmanipulators 112. Der Wellenfrontmanipulator 112 weist ein segmentiertes optisches Element 218 mit Segmenten 220 auf sowie einen seitlich angeordneten Infrarotlaser 1020. In der 10 wurde auf eine Darstellung des Projektionslichts 108 und/oder eines Strahlenbündels 114 verzichtet. 10 shows a fourth embodiment of a wavefront manipulator 112 , The wavefront manipulator 112 has a segmented optical element 218 with segments 220 on and a laterally arranged infrared laser 1020 , In the 10 was on a representation of the projection light 108 and / or a beam 114 waived.

Der Infrarotlaser 1020 ist dazu eingerichtet, Infrarotstrahlung 1030 in eine vorgebbare Richtung abzustrahlen. In dem Beispiel der 10 strahlt der Infrarotlaser 1020 eine Infrarotstrahlenbündel 1030 auf eine Apertur 1040, welche eine Teilfläche der Einstrahlseite des Segments 222 ist, ein. Die Infrarotstrahlung 1030 wird von dem Material des Segments 222 im Bereich der Apertur 1040 zumindest teilweise absorbiert, wodurch sich das Material erwärmt. Hierdurch kann eine gezielte Änderung der optischen Eigenschaften des Segments 222 in dem Bereich der Apertur 1040 erreicht werden. Zum Beispiel kann sich der Brechungsindex des Materials ändern, oder aufgrund der Wärmeausdehnung ändert sich die jeweilige geometrische optische Weglänge eines Lichtstrahls beim Durchlaufen der Apertur 1040.The infrared laser 1020 is equipped to infrared radiation 1030 to radiate in a predeterminable direction. In the example of 10 The infrared laser 1020 emits an infrared ray beam 1030 on an aperture 1040 , which is a partial area of the inflow side of the segment 222 is a. The infrared radiation 1030 is made of the material of the segment 222 in the area of the aperture 1040 at least partially absorbed, whereby the material heats up. This allows a targeted change in the optical properties of the segment 222 in the area of the aperture 1040 be achieved. For example, the refractive index of the material may change, or due to thermal expansion, the respective geometric optical path length of a light beam will change as it passes through the aperture 1040.

Der Infrarotlaser 1020 ist ferner dazu eingerichtet, das Infrarotstrahlenbündel auf weitere Bereiche 1050 des Segments 222 zu richten. Dabei ist es abweichend von der Darstellung auch möglich, dass auf mehrere Bereiche 1040, 1050 gleichzeitig eingestrahlt wird. Ferner können weitere Infrarotlaser 1020 vorgesehen sein, die auf weitere Segmente 220 des segmentierten optischen Elements 218 einstrahlen. Außerdem können die Infrarotlaser 1020 auch abweichend von der in der 10 dargestellten Position angeordnet sein. Neben der Änderung der optischen Weglänge an der Apertur 1040 durch die mögliche Verschiebung des Segments kann daher eine weitere Veränderung durch den Wärmeeintrag und die dadurch veränderbare optische Eigenschaft des mit Infrarotlicht bestrahlten Teils des Segments erfolgen.The infrared laser 1020 is further adapted to the infrared beam to further areas 1050 of the segment 222 to judge. It is also possible, deviating from the presentation, to cover several areas 1040 . 1050 is irradiated simultaneously. Furthermore, more infrared lasers 1020 be provided on more segments 220 the segmented optical element 218 radiate. In addition, the infrared lasers 1020 also different from in the 10 be arranged shown position. In addition to the change in the optical path length at the aperture 1040 Due to the possible displacement of the segment, therefore, a further change can be made by the heat input and the thereby variable optical property of the infrared-irradiated part of the segment.

11 zeigt ein schematisches Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Betreiben einer Lithographieanlage 100 mit einer optischen Anordnung 112 mit einem Wellenfrontmanipulator 114, 112, 610, 112, 900 (siehe 1, 2, 6, 8, 9). Das dargestellte Verfahren umfasst die Schritte Durchstrahlen 1110 der optischen Anordnung 112 mit dem Wellenfrontmanipulator 114, 112, 610, 112, 900 mit Projektionslicht 108, sowie das Einstellen 1120 einer Position eines beweglichen Segments 222 eines segmentierten optischen Elements 218 des Wellenfrontmanipulators 114, 112, 610, 112, 900, so dass eine Aberration der Wellenfront des Projektionslichts 108 korrigiert wird. 11 shows a schematic flow diagram of a method for operating a lithography system 100 with an optical arrangement 112 with a wavefront manipulator 114 . 112 . 610 . 112 . 900 (please refer 1 . 2 . 6 . 8th . 9 ). The illustrated method comprises the steps of radiating through 1110 the optical arrangement 112 with the wavefront manipulator 114 . 112 . 610 . 112 . 900 with projection light 108, as well as the setting 1120 a position of a movable segment 222 a segmented optical element 218 of the wavefront manipulator 114 . 112 . 610 , 112, 900, leaving an aberration of the wavefront of the projection light 108 is corrected.

Das Durchstrahlen 1110 umfasst dabei ein Abstrahlen des Projektionslichts 108 durch eine Lichtquelle 106, das Leiten des Projektionslichts 108 in einem Strahlformung- und Beleuchtungssystem 102 sowie einer Projektionsoptik 104. Darüber hinaus umfasst der Verfahrensschritt des Durchstrahlens 1110 insbesondere die Teilverfahrensschritte eines Erfassens 1111 der Wellenfront des Projektionslichts 108 mit einem Wellenfrontsensor, eines Berechnens 1112 von Koeffizienten von Zernike-Polynomen derart, dass eine Linearkombination der Zernike-Polynome mit dem berechneten Koeffizienten der erfassten Wellenfront entspricht, sowie eines Berechnens 1113 von einzustellenden Positionen von Segmenten 220 von segmentierten optischen Elementen 218 derart, dass die erfasste Wellenfront korrigiert wird.The radiating 1110 comprises a blasting of the projection light 108 through a light source 106 , passing the projection light 108 in a beam forming and illumination system 102 and a projection optics 104 , In addition, the process step of the transmission comprises 1110 in particular the sub-process steps of a detection 1111 the wavefront of the projection light 108 with a wavefront sensor, a computation 1112 of coefficients of Zernike polynomials such that a linear combination of the Zernike polynomials with the calculated coefficient of the detected wavefront corresponds, as well as a computation 1113 of positions of segments to be set 220 of segmented optical elements 218 such that the detected wavefront is corrected.

Ein Erfassen 1111 der Wellenfront kann insbesondere mit einer dafür eingerichteten Vorrichtung, beispielsweise einem Wellenfrontsensor wie einem Hartmann-Shack-Sensor erfolgen. Das Berechnen 1112 der Koeffizienten der Zernike Polynome kann mittels eines dafür eingerichteten Computers oder Computerprogramms beispielsweise mit einem Optimierungsalgorithmus durchgeführt werden. Auch das Berechnen 1113 der einzustellenden Position der Segmente 220, um die Wellenfront zu korrigieren, kann von einem dafür eingerichteten Computer durchgeführt werden. Hierfür umfasst der Computer beispielsweise eine Speichereinheit, in welcher die Auswirkung einer Positionsveränderung jedes einzelnen Segments 220 auf die Wellenfront gespeichert ist.A capture 1111 The wavefront can be done in particular with a device designed for this purpose, for example a wavefront sensor such as a Hartmann-Shack sensor. The calculation 1112 The coefficients of the Zernike polynomials can be carried out by means of a computer or computer program designed for this purpose, for example using an optimization algorithm. Also the calculation 1113 the position of the segments to be set 220 to correct the wavefront can be performed by a dedicated computer. For this purpose, the computer comprises, for example, a memory unit in which the effect of a change in position of each individual segment 220 stored on the wavefront.

Der Verfahrensschritt des Einstellens 1120 einer Position eines beweglich angeordneten Segments 222 umfasst beispielsweise ein Ansteuern 1121 des dem Segment 222 zugeordneten Aktors, so dass das Segment 222 in die berechnete Position gebracht wird.The process step of setting 1120 a position of a movably arranged segment 222 includes, for example, a driving 1121 of the actuator assigned to the segment 222, so that the segment 222 is brought into the calculated position.

Das Verfahren kann weitere, hier nicht dargestellte Verfahrensschritte umfassen. Vorteilhafterweise wird dieses Verfahren in einer Art Regelschleife durchgeführt, so dass mehrere hundert oder tausend Regelschritte innerhalb einer Sekunde durchgeführt werden. Eine hohe zeitliche Auflösung ermöglicht es insbesondere, Störungen mit sehr kleinen Zeitkonstanten, wie beispielsweise Erschütterungen der Lithographieanlage, die zu kleinen lokalen Deformationen von optischen Elementen führen, effektiv zu korrigieren.The method may comprise further method steps not shown here. Advantageously, this method is performed in a kind of control loop, so that several hundred or thousand control steps are performed within one second. A high temporal resolution makes it possible, in particular, to effectively correct disturbances with very small time constants, such as, for example, vibrations of the lithography system, which lead to small local deformations of optical elements.

12 zeigt einen schematischen Querschnitt einer Ausführungsform eines segmentierten optischen Elements 1200, welches beispielsweise in einem Wellenfrontmanipulator 112, 612, 900 Verwendung finden kann. Die Besonderheit dieses Ausführungsbeispiels ist, dass die drei dargestellten Segmente 1210, 1220, 1230 jeweils individuell geformt sind, wobei sie sich mit ihren schräg verlaufenden Seitenflächen 1213, 1223, 1233 in diesem Beispiel berühren, und dass die Einstrahlseiten 1211, 1221, 1231 keine ebene Fläche miteinander bilden. Ein jeweiliger Anstellwinkel α1 - α6 der Seitenflächen 1213, 1223, 1233 der Segmente 1210, 1220, 1230 ist bevorzugt so gewählt, dass eine jeweilige Seitenfläche 1213, 1223, 1233 parallel zu einer mittleren, das heißt einer gemittelten, Einstrahlrichtung von einstrahlenden Lichtstrahlen 1214, 1215, 1216 und/oder einem Strahlenbündel ist. Damit wird eine Auswirkung der Seitenflächen 1213, 1223, 1233 auf die Ausbreitung des Projektionslichts effektiv minimiert. 12 shows a schematic cross section of an embodiment of a segmented optical element 1200, which, for example, in a wavefront manipulator 112 . 612 . 900 Can be used. The peculiarity of this embodiment is that the three segments shown 1210 . 1220 . 1230 are each individually shaped, wherein they touch with their inclined side surfaces 1213, 1223, 1233 in this example, and that the Einstrahlseiten 1211 , 1221, 1231 do not form a flat surface with each other. A respective angle of attack α1-α6 of the side surfaces 1213 . 1223 . 1233 the segments 1210 . 1220 . 1230 is preferably chosen so that a respective side surface 1213 . 1223 . 1233 parallel to a middle, that is to say an averaged, direction of incidence of incident light rays 1214 . 1215 . 1216 and / or a radiation beam. This becomes an effect of the side surfaces 1213 . 1223 . 1233 effectively minimized to the propagation of the projection light.

Es sind ferner drei Lichtstrahlen 1214, 1215, 1216 dargestellt, die unterschiedliche Flächen oder Positionen auf dem segmentierten optischen Element 1200 beleuchten und das segmentierte optische Element 1200 entlang unterschiedlicher Wege durchstrahlen. Die Lichtstrahlen 1214, 1215, 1216 haben jeweils eine individuelle Ausbreitungsrichtung. Der Lichtstrahl 1214 verläuft beispielsweise schräg zu einem Lot (gepunktet dargestellt) auf die Einstrahlseiten 1211, 1221, 1231 der Segmente 1210, 1220, 1230.There are also three light beams 1214 . 1215 . 1216 which illuminate different areas or positions on the segmented optical element 1200 and irradiate the segmented optical element 1200 along different paths. The rays of light 1214 . 1215 . 1216 each have an individual propagation direction. The light beam 1214 For example, runs obliquely to a solder (shown dotted) on the Einstrahlseiten 1211 . 1221 . 1231 the segments 1210 . 1220 . 1230 ,

Der erste Lichtstrahl 1214 fällt schräg auf die Einstrahlseite 1211 des ersten Segments 1210, wird beim Einstrahlen in das erste Segment 1210 in Richtung zum Lot hin gebrochen und tritt schräg über die Ausstrahlseite 1212 aus dem ersten Segment 1210 hervaus, wobei er vom Lot weggebrochen wird. Da hier die Einstrahlseite 1211 und die Ausstrahlseite 1212 parallel zueinander sind, hat der Lichtstrahl 1214 nach dem Durchstrahlen des Segments 1210 die gleiche Ausbreitungsrichtung, die er auch vor dem Einstrahlen bereits hatte.The first ray of light 1214 falls diagonally on the Einstrahlseite 1211 of the first segment 1210 , becomes when radiating into the first segment 1210 Broken in the direction of the Lot and occurs obliquely over the Ausstrahlseite 1212 from the first segment 1210 out, where he is broken away from the Lot. Since here the Einstrahlseite 1211 and the broadcast side 1212 are parallel to each other, the light beam 1214 has after passing through the segment 1210 the same direction of propagation that he already had before the radiation.

Der zweite Lichtstrahl 1215 fällt senkrecht auf die Einstrahlseite 1221 des mittleren Segments 1220 und wird daher beim Einstrahlen nicht gebrochen. Aufgrund der nicht rechtwinkligen Anordnung der Seitenfläche 1223 relativ zu der Einstrahlseite 1221 fällt der Lichtstrahl 1215 auf die Seitenfläche 1223 des Segments 1220. Daher tritt der Lichtstrahl 1215 über die Seitenfläche 1223 aus dem Segment 1220 aus und über die Seitenfläche 1233 des äußeren Segments 1230 in dieses ein. Schließlich strahlt der Lichtstrahl 1215 über die Ausstrahlseite 1232 aus dem äußeren Segment 1230 aus. Der Lichtstrahl 1215 durchstrahlt somit zwei Segmente 1220, 1230 des segmentierten optischen Elements 1200 teilweise.The second light beam 1215 falls perpendicular to the Einstrahlseite 1221 of the middle segment 1220 and therefore will not be broken when irradiated. Due to the non-rectangular arrangement of the side surface 1223 relative to the Einstrahlseite 1221 the ray of light falls 1215 on the side surface 1223 of the segment 1220 , Therefore, the light beam occurs 1215 over the side surface 1223 from the segment 1220 out and over the side surface 1233 of the outer segment 1230 into this one. Finally, the beam of light shines 1215 over the broadcast side 1232 from the outer segment 1230 out. The light beam 1215 Thus, two segments 1220, 1230 of the segmented optical element 1200 partially penetrate.

Der dritte Lichtstrahl 1216 strahlt senkrecht auf die Einstrahlseite 1231 des dritten Segments 1230 ein, durchstrahlt dieses und strahlt über die Ausstrahlseite 1232 aus.The third light beam 1216 radiates perpendicular to the inflow side 1231 of the third segment 1230 a, this radiates and radiates on the Ausstrahlseite 1232.

Aus Gründen der Übersicht wurde in diesem Ausführungsbeispiel auf eine Darstellung von beweglich angeordneten Segmenten verzichtet. Es versteht sich jedoch, dass die zu den anderen Ausführungsformen gemachten Ausführungen auch auf dieses Ausführungsbeispiel anwendbar sind.For reasons of clarity, a representation of movably arranged segments was dispensed with in this exemplary embodiment. It is understood, however, that the statements made on the other embodiments are also applicable to this embodiment.

Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar. Zum Beispiel ist eine nichtlineare Bewegung der Segmente denkbar. Es ist auch möglich, Kreisstreifen als Segmente einzusetzen, die um einen gemeinsamen Mittelpunkt relativ zueinander drehbar sind. Die Segmente eines optischen Elements können prinzipiell an verschiedenen Stellen im Strahlengang beweglich angeordnet werden. Man kann dann von einer verteilten Alvarez-Anordnung sprechen. Als transparente Materialien für die Segmente kommen insbesondere Quarzglas oder CaF2 in Frage.Although the present invention has been described with reference to embodiments, it is variously modifiable. For example, a non-linear movement of the segments is conceivable. It is also possible to use circular strips as segments which are rotatable about a common center relative to each other. The segments of an optical element can in principle be arranged movably at different locations in the beam path. One can then speak of a distributed Alvarez arrangement. Particularly suitable as transparent materials for the segments are quartz glass or CaF 2 .

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

100100
Lithographieanlagelithography system
102102
Strahlformung- und BeleuchtungssystemBeam forming and lighting system
104104
Projektionssystemprojection system
106106
Lichtquellelight source
108108
Projektionslichtprojection light
110110
optische Anordnungoptical arrangement
112112
WellenfrontmanipulatorWavefront manipulator
114114
Strahlenbündelray beam
116116
DurchstrahlrichtungBy beam direction
120120
Lithographiemaskelithography mask
124124
Waferwafer
128128
Linselens
132132
hochbrechende Flüssigkeithigh refractive liquid
218218
segmentiertes optisches Elementsegmented optical element
220220
Segmentesegments
221221
lichtquellenseitige Segmentoberflächelight source side segment surface
222222
beweglich angeordnetes Segmentmovably arranged segment
226226
Beleuchtete Fläche auf dem segmentierten optischen ElementIlluminated surface on the segmented optical element
228228
Beleuchtete Fläche auf einem nachfolgenden optischen ElementIlluminated surface on a subsequent optical element
230230
Subapertursubaperture
232232
Bildfeldfield
234234
Feldpunktfield point
236236
Subapertursubaperture
236'236 '
beleuchtete Fläche vor dem Verschiebenilluminated area before moving
238238
Verschiebungsrichtungshift direction
302302
durchstrahltes Volumen mit geometrischer Weglänge 1irradiated volume with geometric path length 1
304304
durchstrahltes Volumen mit geometrischer Weglänge 2irradiated volume with geometric path length 2
402402
Teilvolumen mit Brechungsindex n1Partial volume with refractive index n1
404404
Teilvolumen mit Brechungsindex n2Partial volume with refractive index n2
410410
erster Lichtstrahlfirst light beam
412412
geometrische Weglänge des ersten Lichtstrahls in Brechungsindex n2geometric path length of the first light beam in refractive index n2
414414
geometrische Weglänge des ersten Lichtstrahls in Brechungsindex n1geometric path length of the first light beam in refractive index n1
416416
transmittierter erster Lichtstrahltransmitted first light beam
420420
zweiter Lichtstrahlsecond light beam
422422
Segment mit Teilvolumina mit unterschiedlichen BrechungsindizesSegment with partial volumes with different refractive indices
423423
geometrische Weglänge des zweiten Lichtstrahls in Brechungsindex n2geometric path length of the second light beam in refractive index n2
424424
geometrische Weglänge des zweiten Lichtstrahls in Brechungsindex n1geometric path length of the second light beam in refractive index n1
426426
transmittierter zweiter Lichtstrahltransmitted second light beam
430430
dritter Lichtstrahlthird light beam
432432
geometrische Weglänge des dritten Lichtstrahls in Brechungsindex n2geometric path length of the third light beam in refractive index n2
434434
geometrische Weglänge des dritten Lichtstrahls in Brechungsindex n1geometric path length of the third light beam in refractive index n1
436436
transmittierter dritter Lichtstrahltransmitted third light beam
500500
BereichArea
506506
Phasenunterschied der Wellenfront vor dem WellenfrontmanipulatorPhase difference of the wavefront in front of the wavefront manipulator
508508
Phasenunterschied der Wellenfront nach dem WellenfrontmanipulatorPhase difference of the wavefront after the wavefront manipulator
600600
Projektionsoptikprojection optics
602 602
Bildfeldfield
604604
Feldpunktfield point
606606
Feldpunktfield point
610610
optische Anordnung,optical arrangement,
612612
WellenfrontmanipulatorWavefront manipulator
614614
Strahlenbündelray beam
616616
Strahlenbündelray beam
620620
Pupillepupil
624624
Waferwafer
704704
Segmentsegment
706706
Kontaktflächecontact area
708708
Kontaktflächecontact area
710710
opake Strukturopaque structure
718718
segmentiertes optisches Elementsegmented optical element
720720
Segmentesegments
820820
segmentiertes optisches Elementsegmented optical element
821821
Segmentesegments
822822
verschiebbar angeordnetes Segmentslidably arranged segment
823823
lichtquellenseitige Segmentoberflächelight source side segment surface
824824
verschiebbar angeordnetes Segmentslidably arranged segment
826826
Subapertursubaperture
828828
Verschiebungsrichtungshift direction
830830
segmentiertes optisches Elementsegmented optical element
831831
Segmentesegments
832832
verschiebbar angeordnetes Segmentslidably arranged segment
833833
lichtquellenseitige Segmentoberflächelight source side segment surface
834834
verschiebbar angeordnetes Segmentslidably arranged segment
836836
Subapertursubaperture
838838
Verschiebungsrichtungshift direction
900900
WellenfrontmanipulatorWavefront manipulator
910910
erstes Keilsegmentfirst wedge segment
912912
Verschiebungsrichtung des ersten KeilsegmentsDisplacement direction of the first wedge segment
914914
geometrische Weglänge in dem ersten Keilsegmentgeometric path length in the first wedge segment
920920
zweites Keilsegmentsecond wedge segment
922922
Verschiebungsrichtung des zweiten KeilsegmentsDisplacement direction of the second wedge segment
924924
geometrische Weglänge in dem zweiten Keilsegmentgeometric path length in the second wedge segment
10201020
Infrarotlaserinfrared laser
10301030
InfrarotstrahlenbündelInfrared radiation beam
10401040
Apertur des Infrarotstrahlenbündels auf dem SegmentAperture of infrared beam on the segment
10501050
weitere mögliche Einstrahlflächen für das Infrarotstrahlenbündelfurther possible radiation surfaces for the infrared beam
11101110
Verfahrensschritt (Durchstrahlen)Process step (radiography)
11111111
Verfahrensschritt (Erfassen)Procedural step (capture)
11121112
Verfahrensschritt (Berechnen)Procedural step (calculation)
11131113
Verfahrensschritt (Berechnen)Procedural step (calculation)
11201120
Verfahrensschritt (Einstellen)Procedural step (setting)
11211121
Verfahrensschritt (Ansteuern)Procedural step (driving)
12101210
erstes Segmentfirst segment
12111211
EinstrahlseiteEinstrahlseite
12121212
Ausstrahlseitejetting side
12131213
Seitenflächeside surface
12141214
Lichtstrahlbeam of light
12151215
Lichtstrahlbeam of light
12161216
Lichtstrahlbeam of light
12201220
zweites Segmentsecond segment
12211221
EinstrahlseiteEinstrahlseite
12221222
Ausstrahlseitejetting side
12231223
Seitenflächeside surface
12301230
drittes Segmentthird segment
12311231
EinstrahlseiteEinstrahlseite
12321232
Ausstrahlseitejetting side
12331233
Seitenflächeside surface
α1 - α6α1 - α6
Anstellwinkelangle of attack

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 19956353 C1 [0008]DE 19956353 C1 [0008]
  • WO 2013044936 A1 [0008]WO 2013044936 A1 [0008]
  • US 8289619 B2 [0105]US 8289619 B2 [0105]

Claims (17)

Optische Anordnung (110, 610) für eine Lithographieanlage (100), welche einen Strahlengang zum Abbilden lithographischer Strukturen aufweist, mit einem in dem Strahlengang angeordneten Wellenfrontmanipulator (112, 612, 900), welcher im Betrieb der Lithographieanlage (100) von einem in dem Strahlengang verlaufenden Strahlenbündel (114, 614, 616) entlang einer Durchstrahlrichtung (116) durchstrahlt wird und welcher dazu eingerichtet ist, eine optische Weglänge für das Strahlenbündel (114, 614, 616) einzustellen, wobei der Wellenfrontmanipulator (112, 612, 900) aufweist: ein segmentiertes optisches Element (218, 718, 820, 830) mit quer zur Durchstrahlrichtung (116) nebeneinander angeordneten Segmenten (220, 720, 821, 831), wobei zumindest ein Segment (222, 422, 822, 824, 832, 834, 910, 920) derart beweglich angeordnet ist, dass sich bei einer Positionsänderung des Segments (222, 422, 822, 824, 832, 834, 910, 920) relativ zu dem das Segment (222, 422, 822, 824, 832, 834, 910, 920) durchstrahlende Strahlenbündel (114, 614, 616) die optische Weglänge für das Strahlenbündel (114, 614, 616) ändert.Optical arrangement (110, 610) for a lithography system (100), which has a beam path for imaging lithographic structures, with a wavefront manipulator (112, 612, 900) arranged in the beam path, which in the operation of the lithography system (100) differs from one in the Beam path extending beam (114, 614, 616) is irradiated along a transmission direction (116) and which is adapted to adjust an optical path length for the beam (114, 614, 616), wherein the wavefront manipulator (112, 612, 900) : a segmented optical element (218, 718, 820, 830) with segments (220, 720, 821, 831) arranged transversely to the transmission direction (116), wherein at least one segment (222, 422, 822, 824, 832, 834, 910, 920) is movably arranged such that when the position of the segment (222, 422, 822, 824, 832, 834, 910, 920) relative to which the segment (222, 422, 822, 824, 832, 834 , 910, 920) radiating beams (114, 614, 616) changes the optical path length for the beam (114, 614, 616). Optische Anordnung (110, 610) für eine Lithographieanlage (100) nach Anspruch 1, wobei eine geometrische Weglänge, die das Strahlenbündel (114, 614, 616) in dem Segment (222, 422, 822, 824, 832, 834, 910, 920) zurücklegt und/oder ein Brechungsindex entlang des von dem Strahlenbündel (114, 614, 616) durchstrahlten Weges in dem Segment (222, 422, 822, 824, 832, 834, 910, 920) in Abhängigkeit von der Position des Segments (222, 422, 822, 824, 832, 834, 910, 920) relativ zu dem Strahlenbündel (114, 614, 616) einstellbar sind.Optical arrangement (110, 610) for a lithography system (100) according to Claim 1 wherein a geometric path length traversing the beam (114, 614, 616) in the segment (222, 422, 822, 824, 832, 834, 910, 920) and / or a refractive index along that of the beam (114, 614, 616) in the segment (222, 422, 822, 824, 832, 834, 910, 920) depending on the position of the segment (222, 422, 822, 824, 832, 834, 910, 920) relative to the beam (114, 614, 616) are adjustable. Optische Anordnung (110, 610) für eine Lithographieanlage (100) nach Anspruch 1 oder 2, wobei das beweglich angeordnete Segment (222, 422, 822, 824, 832, 834, 910, 920) des segmentierten optischen Elements (218, 718, 820, 830) unabhängig von den weiteren Segmenten (220, 720, 821, 831) des segmentierten optischen Elements (218, 718, 820, 830) beweglich ist.Optical arrangement (110, 610) for a lithography system (100) according to Claim 1 or 2 wherein the movably arranged segment (222, 422, 822, 824, 832, 834, 910, 920) of the segmented optical element (218, 718, 820, 830) is independent of the further segments (220, 720, 821, 831) the segmented optical element (218, 718, 820, 830) is movable. Optische Anordnung (110, 610) für eine Lithographieanlage (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Segment (222, 422, 822, 824, 832, 834, 910, 920) des segmentierten optischen Elements (218, 718, 820, 830) entlang einer Verschiebungsrichtung (238, 828, 838, 912, 922) verschiebbar ist und die Verschiebungsrichtung (238, 828, 838, 912, 922) mit der Durchstrahlrichtung (116) einen Winkel größer 0° einschließt.An optical arrangement (110, 610) for a lithography apparatus (100) according to any one of the preceding claims, wherein a segment (222, 422, 822, 824, 832, 834, 910, 920) of the segmented optical element (218, 718, 820, 830) along a displacement direction (238, 828, 838, 912, 922) is displaceable and the displacement direction (238, 828, 838, 912, 922) with the transmission direction (116) forms an angle greater than 0 °. Optische Anordnung (110, 610) für eine Lithographieanlage (100) nach Anspruch 4, wobei der Wellenfrontmanipulator (112, 612, 900) zur Korrektur von Verkippung, sphärischer Aberration, Koma, Astigmatismus, Verzeichnung und/oder Bildfeldkrümmung eingerichtet ist.Optical arrangement (110, 610) for a lithography system (100) according to Claim 4 wherein the wavefront manipulator (112, 612, 900) is adapted to correct for tilt, spherical aberration, coma, astigmatism, distortion and / or curvature of the field. Optische Anordnung (110, 610) für eine Lithographieanlage (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Fläche (706, 708) zwischen zwei Segmenten (220, 720, 821, 831) des segmentierten optischen Elements (218, 718, 820, 830) des Wellenfrontmanipulators (112, 612, 900) parallel zu dem Strahlenbündel (114, 614, 616) verläuft.An optical arrangement (110, 610) for a lithography system (100) according to any one of the preceding claims, wherein a surface (706, 708) between two segments (220, 720, 821, 831) of the segmented optical element (218, 718, 820, 830) of the wavefront manipulator (112, 612, 900) is parallel to the beam (114, 614, 616). Optische Anordnung (110, 610) für eine Lithographieanlage (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Kante (710) zwischen zwei Segmenten (220, 720, 821, 831) des segmentierten optischen Elements (218, 718, 820, 830) des Wellenfrontmanipulators (112, 612, 900) opak ausgebildet ist.An optical arrangement (110, 610) for a lithography system (100) according to any one of the preceding claims, wherein an edge (710) between two segments (220, 720, 821, 831) of the segmented optical element (218, 718, 820, 830) of the wavefront manipulator (112, 612, 900) is opaque. Optische Anordnung (110, 610) für eine Lithographieanlage (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Strahlenbündel (114, 614, 616) von einem Feldpunkt (234, 604, 606) ausgeht, welcher einem Bildpunkt eines Abbildes der lithographischen Struktur entspricht, wobei das Strahlenbündel (114, 614, 616) eine Subapertur (236, 826, 836) auf dem segmentierten optischen Element (218, 718, 820, 830) beleuchtet und wobei mindestens zwei Segmente (220, 720, 821, 831) in der von der Subapertur (236, 826, 836) bestimmten Fläche liegen.An optical arrangement (110, 610) for a lithography apparatus (100) according to any one of the preceding claims, wherein a beam (114, 614, 616) emanates from a field point (234, 604, 606) corresponding to a pixel of an image of the lithographic structure wherein the beam (114, 614, 616) illuminates a subaperture (236, 826, 836) on the segmented optical element (218, 718, 820, 830) and wherein at least two segments (220, 720, 821, 831) in the area defined by the subaperture (236, 826, 836). Optische Anordnung (110, 610) für eine Lithographieanlage (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Wellenfrontmanipulator (112, 612, 900) mehrere segmentierte optische Elemente (218, 718, 820, 830) aufweist, die entlang des Strahlengangs hintereinander angeordnet sind.Optical arrangement (110, 610) for a lithography system (100) according to one of the preceding claims, wherein the wavefront manipulator (112, 612, 900) has a plurality of segmented optical elements (218, 718, 820, 830) arranged one behind the other along the beam path are. Optische Anordnung (110, 610) für eine Lithographieanlage (100) nach Anspruch 9, wobei mehrere, in dem Strahlengang entlang der Durchstrahlrichtung (116) hintereinander angeordnete segmentierte optische Elemente (218, 718, 820, 830) vorhanden sind, deren Segmente (220, 720, 821, 831) entlang einer Verschiebungsrichtung (238, 828, 838, 912, 922) verschiebbar sind und die Verschiebungsrichtung (238, 828, 838, 912, 922) mit der Durchstrahlrichtung (116) einen Winkel größer 0° einschließt.Optical arrangement (110, 610) for a lithography system (100) according to Claim 9 , wherein a plurality of segmented optical elements (218, 718, 820, 830) arranged in succession in the beam path along the transmission direction (116) are present, the segments (220, 720, 821, 831) of which are along a displacement direction (238, 828, 838) , 912, 922) are displaceable and the displacement direction (238, 828, 838, 912, 922) with the transmission direction (116) encloses an angle greater than 0 °. Optische Anordnung (110, 610) für eine Lithographieanlage (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Wellenfrontmanipulator (112, 612, 900) in einer feldnahen Position in dem Strahlengang angeordnet ist.An optical arrangement (110, 610) for a lithography system (100) according to one of the preceding claims, wherein the wavefront manipulator (112, 612, 900) is arranged in a field-near position in the beam path. Optische Anordnung (110, 610) für eine Lithographieanlage (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Heizvorrichtung (1020) vorgesehen ist, die dazu eingerichtet ist, in zugeordneten Segmenten (220, 720, 821, 831) eine lokale Temperaturänderung hervorzurufen.An optical arrangement (110, 610) for a lithography system (100) according to any one of the preceding claims, wherein a heating device (1020) is provided, which is adapted to associated segments (220, 720, 821, 831) cause a local temperature change. Optische Anordnung (110, 610) für eine Lithographieanlage (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Wellenfrontmanipulator (112, 612, 900) zwei segmentierte optische Elemente (218, 718, 820, 830) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass: die Segmente (910, 920) eines jeweiligen segmentierten optischen Elements (218, 718, 820, 830) quer zur Durchstrahlrichtung (116) nebeneinander angeordnet sind; die segmentierten optischen Elemente (218, 718, 820, 830) in Durchstrahlrichtung (116) hintereinander angeordnet sind und ein kavitätenfreies Volumen umschließen; einem Segment (910) des einen segmentierten optischen Elements (218, 718, 820, 830) ein korrespondierendes Segment (920) des anderen segmentierten optischen Elements (218, 718, 820, 830) entspricht, die miteinander in Durchstrahlrichtung (116) in einem Flächenkontakt stehen; und durch eine Verschiebung der korrespondierenden Segmente (910, 920) in jeweils entgegengesetzte Richtung (912, 922) die optische Weglänge für das die beiden Segmente (910, 920) durchstrahlende Strahlenbündel (114, 614, 616) veränderbar ist.An optical arrangement (110, 610) for a lithography system (100) according to any one of the preceding claims, wherein the wavefront manipulator (112, 612, 900) comprises two segmented optical elements (218, 718, 820, 830), characterized in that: Segments (910, 920) of a respective segmented optical element (218, 718, 820, 830) are arranged side by side transversely to the direction of radiation (116); the segmented optical elements (218, 718, 820, 830) are arranged one behind the other in the transmission direction (116) and enclose a cavity-free volume; a segment (910) of the one segmented optical element (218, 718, 820, 830) corresponds to a corresponding segment (920) of the other segmented optical element (218, 718, 820, 830), which in the transmission direction (116) in one Surface contact stand; and by a displacement of the corresponding segments (910, 920) in respectively opposite direction (912, 922), the optical path length for the beam (114, 614, 616) which passes through the two segments (910, 920) is variable. Optische Anordnung (110, 610) für eine Lithographieanlage (100), welche einen Strahlengang zum Abbilden lithographischer Strukturen aufweist, mit einem in dem Strahlengang angeordneten Wellenfrontmanipulator (112, 612, 900), welcher im Betrieb der Lithographieanlage (100) von einem in dem Strahlengang verlaufenden Strahlenbündel (114, 614, 616) entlang einer Durchstrahlrichtung (116) durchstrahlt wird und welcher dazu eingerichtet ist, eine optische Weglänge für das Strahlenbündel (114, 614, 616) einzustellen, wobei der Wellenfrontmanipulator (112, 612, 900) aufweist: ein segmentiertes optisches Element (218, 718, 820, 830) mit quer zur Durchstrahlrichtung (116) nebeneinander angeordneten Segmenten (220, 720, 821, 831), wobei eine Heizvorrichtung (1020) vorgesehen ist, die dazu eingerichtet ist, in zugeordneten Segmenten (220, 720, 821, 831) eine lokale Temperaturänderung hervorzurufen, zum Einstellen der optischen Weglänge für das ein jeweiliges Segment durchstrahlende Strahlenbündel (114, 614, 616).Optical arrangement (110, 610) for a lithography system (100), which has a beam path for imaging lithographic structures, with a wavefront manipulator (112, 612, 900) arranged in the beam path, which in the operation of the lithography system (100) differs from one in the Beam path extending beam (114, 614, 616) is irradiated along a transmission direction (116) and which is adapted to adjust an optical path length for the beam (114, 614, 616), wherein the wavefront manipulator (112, 612, 900) : a segmented optical element (218, 718, 820, 830) having segments (220, 720, 821, 831) juxtaposed transversely of the direction of radiation (116), wherein a heater (1020) is provided which is arranged in associated segments (220, 720, 821, 831) cause a local temperature change for adjusting the optical path length for the respective segment radiating beam (114, 614, 616). Optische Anordnung für eine Lithographieanlage nach Anspruch 14, ferner die Merkmale gemäß den Ansprüchen 1- 13 umfassend.Optical arrangement for a lithography system according to Claim 14 , further comprising the features according to claims 1-13. Verfahren zum Betreiben einer Lithographieanlage (100) mit einer optischen Anordnung (110, 610) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 15, mit den Schritten: Durchstrahlen (1110) der optischen Anordnung (110, 610) mit Projektionslicht (108); und Einstellen (1120) einer Position eines beweglichen Segments (222, 422, 822, 824, 832, 834, 910, 920) eines segmentierten optischen Elements (218, 718, 820, 830) eines Wellenfrontmanipulators (112, 610, 900) zur Korrektur einer Aberration einer Wellenfront des Projektionslichts (108).Method for operating a lithography system (100) with an optical arrangement (110, 610) according to one of the Claims 1 to 15 method comprising the steps of: irradiating (1110) the optical assembly (110, 610) with projection light (108); and adjusting (1120) a position of a movable segment (222, 422, 822, 824, 832, 834, 910, 920) of a segmented optical element (218, 718, 820, 830) of a wavefront manipulator (112, 610, 900) Correction of an aberration of a wavefront of the projection light (108). Verfahren zum Betreiben einer Lithographieanlage (100) mit einer optischen Anordnung (110, 610) gemäß Anspruch 16, ferner aufweisend die Schritte: Erfassen (1111) der Wellenfront des Projektionslichts (108) mit einem Wellenfrontsensor; Berechnen (1112) von Koeffizienten von Zernike-Polynomen derart, dass eine Linearkombination der Zernike-Polynome mit dem berechneten Koeffizienten der erfassten Wellenfront entspricht; Berechnen (1113) von einzustellenden Positionen von Segmenten (220, 720, 821, 831) von segmentierten optischen Elementen (218, 718, 820, 830) derart, dass die erfasste Wellenfront korrigiert wird; und Ansteuern (1121) von den Segmenten (220, 720, 821, 831) zugeordneten Aktuatoren zu Einstellung der berechneten Position eines jeden Segments (222, 422, 822, 824, 832, 834, 910, 920).Method for operating a lithography system (100) with an optical arrangement (110, 610) according to Claim 16 further comprising the steps of: detecting (1111) the wavefront of the projection light (108) with a wavefront sensor; Calculating (1112) coefficients of Zernike polynomials such that a linear combination of the Zernike polynomials with the calculated coefficient corresponds to the detected wavefront; Calculating (1113) positions of segments (220, 720, 821, 831) of segmented optical elements (218, 718, 820, 830) to be adjusted such that the detected wavefront is corrected; and driving (1121) actuators associated with the segments (220, 720, 821, 831) to adjust the calculated position of each segment (222, 422, 822, 824, 832, 834, 910, 920).
DE102017203571.4A 2017-03-06 2017-03-06 OPTICAL ARRANGEMENT FOR A LITHOGRAPHIC SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING A LITHOGRAPHIC SYSTEM Ceased DE102017203571A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017203571.4A DE102017203571A1 (en) 2017-03-06 2017-03-06 OPTICAL ARRANGEMENT FOR A LITHOGRAPHIC SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING A LITHOGRAPHIC SYSTEM
PCT/EP2018/054833 WO2018162286A1 (en) 2017-03-06 2018-02-27 Projection system for a lithography apparatus, and method for operating a lithography apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017203571.4A DE102017203571A1 (en) 2017-03-06 2017-03-06 OPTICAL ARRANGEMENT FOR A LITHOGRAPHIC SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING A LITHOGRAPHIC SYSTEM

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102017203571A1 true DE102017203571A1 (en) 2018-09-06

Family

ID=61691919

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102017203571.4A Ceased DE102017203571A1 (en) 2017-03-06 2017-03-06 OPTICAL ARRANGEMENT FOR A LITHOGRAPHIC SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING A LITHOGRAPHIC SYSTEM

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102017203571A1 (en)
WO (1) WO2018162286A1 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2748020A (en) 1950-10-27 1956-05-29 Eastman Kodak Co Glass having interface of reduced lead and diffused silver
US5078773A (en) 1988-08-18 1992-01-07 Itt Corporation Reducing stray light in lensed optical systems
DE4118160A1 (en) 1991-06-03 1992-12-10 Univ Schiller Jena Darkening edge of lens to absorb stray light - by wrapping strip of plastics around edge and then sintering plastics
US20020080338A1 (en) 1994-03-29 2002-06-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US20090135397A1 (en) 2007-11-27 2009-05-28 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19956353C1 (en) 1999-11-24 2001-08-09 Zeiss Carl Optical arrangement
US20080151365A1 (en) 2004-01-14 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
US7525640B2 (en) * 2006-11-07 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102011077784A1 (en) * 2011-06-20 2012-12-20 Carl Zeiss Smt Gmbh projection arrangement
KR101693950B1 (en) 2011-09-29 2017-01-06 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 Projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2748020A (en) 1950-10-27 1956-05-29 Eastman Kodak Co Glass having interface of reduced lead and diffused silver
US5078773A (en) 1988-08-18 1992-01-07 Itt Corporation Reducing stray light in lensed optical systems
DE4118160A1 (en) 1991-06-03 1992-12-10 Univ Schiller Jena Darkening edge of lens to absorb stray light - by wrapping strip of plastics around edge and then sintering plastics
US20020080338A1 (en) 1994-03-29 2002-06-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US20090135397A1 (en) 2007-11-27 2009-05-28 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018162286A1 (en) 2018-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102018210315B4 (en) Method for detecting a structure of a lithography mask and device for carrying out the method
DE102010029651A1 (en) Method for operating a microlithographic projection exposure apparatus with correction of aberrations induced by rigorous effects of the mask
DE102011113521A1 (en) Microlithographic extreme UV (EUV) projection exposure apparatus for imaging reflective mask on photosensitive layer, has drive element that is adapted to reflective switching elements to emit projection and heating light rays
DE102016203591A1 (en) An apparatus for changing a surface shape of an optical element by electron irradiation
DE102013204443A1 (en) Optical assembly for increasing the light conductance
DE102017208340A1 (en) Projection exposure method and projection objective with adjustment of the pupil transmission
DE102014201779A1 (en) Beam propagation camera and method for light beam analysis
DE102012202536A1 (en) Projection exposure method and projection exposure apparatus for microlithography
DE102007051669A1 (en) Imaging optics, projection exposure apparatus for microlithography with such an imaging optical system and method for producing a microstructured component with such a projection exposure apparatus
DE102018204626A1 (en) Illumination mask and method for its production
DE102018124314B4 (en) Device for determining the exposure energy when exposing an element in an optical system, in particular for microlithography
CN107111236B (en) Apparatus and method for conveying direction selective light attenuation
DE102013204572A1 (en) Projection exposure system with highly flexible manipulator
DE102008000968A1 (en) Optical correction element and method for correcting temperature-induced aberrations in optical systems, projection objective and projection exposure apparatus for semiconductor lithography
EP4212962A1 (en) Method and device for determining the heating state of an optical element in an optical system for microlithography
DE102014219649A1 (en) Arrangement of an energy sensor device
DE102017203571A1 (en) OPTICAL ARRANGEMENT FOR A LITHOGRAPHIC SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING A LITHOGRAPHIC SYSTEM
DE102018201457A1 (en) Illumination optics for projection lithography
WO2022171321A1 (en) Method for heating an optical element in a microlithographic projection exposure apparatus and optical system
DE102021213458A1 (en) Projection exposure system for semiconductor lithography
DE102021200790A1 (en) Method for operating an optical system, as well as mirrors and optical system
DE102021202909A1 (en) Measuring device for interferometric measuring of a surface shape
DE102021100995A1 (en) Method and device for determining the heating status of an optical element in an optical system
DE102008043324A1 (en) Optical arrangement for the three-dimensional structuring of a material layer
DE102011076460A1 (en) illumination optics

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R083 Amendment of/additions to inventor(s)
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final