DE102017105351A1 - Power semiconductor module with power semiconductor devices and a capacitor - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleiterbauelementen (T1,T2,D1,D2), die auf mindestens einer elektrisch leitenden Leiterbahn (3) angeordnet sind, mit einer elektrisch nicht leitenden Isolationsschicht (15) auf der die mindestens eine Leiterbahn (3) angeordnet ist und mit einem Folienverbund (5), wobei der Folienverbund (5) eine elektrisch leitende erste Folie (6), eine elektrisch leitende dritte Folie (8), eine zwischen der ersten und dritten Folie (6,8) angeordnete elektrisch nicht leitende zweite Folie (7) und eine elektrisch nicht leitende vierte Folie (12) aufweist, wobei die dritte Folie (8) zwischen der zweiten und vierten Folie (7,12) angeordnet ist, wobei die Leistungshalbleiterbauelemente (T1,T2,D1,D2) mit dem Folienverbund (5) elektrisch leitend verbunden sind, wobei das Leistungshalbleitermodul (1) einen in Form eines aufgewickelten Abschnitts (19) des Folienverbunds (5) ausgebildeten ersten Kondensator (C1) aufweist.

Figure DE102017105351A1_0000
The invention relates to a power semiconductor components (T1, T2, D1, D2) which are arranged on at least one electrically conductive conductor track (3), with an electrically non-conductive insulation layer (15) on which the at least one conductor track (3) is arranged a film composite (5), the film composite (5) comprising an electrically conductive first film (6), an electrically conductive third film (8), an electrically nonconductive second film (7, 8) arranged between the first and third films (6, 8) ) and an electrically non-conductive fourth film (12), wherein the third film (8) between the second and fourth film (7,12) is arranged, wherein the power semiconductor components (T1, T2, D1, D2) with the film composite ( 5) are electrically conductively connected, wherein the power semiconductor module (1) has a in the form of a wound portion (19) of the film composite (5) formed first capacitor (C1).
Figure DE102017105351A1_0000

Description

Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit Leistungshalbleiterbauelementen und einem Kondensator.The invention relates to a power semiconductor module with power semiconductor components and a capacitor.

Aus der DE 10 2012 202 765 B3 ist ein Leistungshalbleitermodul mit einem einen ersten und einen zweiten elektrischen Kondensatoranschluss aufweisenden Kondensator, mit Leistungshalbleiterbauelementen und mit einem Folienverbund, der mit den Leistungshalbleiterbauelementen elektrisch leitend verbunden ist, bekannt. Der Kondensator ist dabei auf einem Substrat, auf dem auch die Leistungshalbleiterbauelemente angeordnet sind, angeordnet. Die elektrischen Verbindungen zwischen den Leistungshalbleiterbauelementen und gegebenenfalls weiteren Elementen weisen parasitäre Induktivitäten auf, die im Betrieb des Leistungshalbleitermoduls zu Überspannungen an den Leistungshalbleiterbauelementen führen können. Um diese Überspannungen zu vermeiden oder zu reduzieren, sind die Leistungshalbleiterbauelemente mit dem Kondensator elektrisch leitend verbunden. Ein zur Vermeidung oder zur Reduktion von Überspannungen dienender Kondensator, wird fachspezifisch auch als Snubberkondensator bezeichnet.From the DE 10 2012 202 765 B3 is a power semiconductor module having a first and a second capacitor electrical connection capacitor having power semiconductor devices and with a film composite, which is electrically connected to the power semiconductor devices, known. The capacitor is arranged on a substrate on which the power semiconductor components are arranged. The electrical connections between the power semiconductor components and optionally further elements have parasitic inductances, which can lead to overvoltages on the power semiconductor components during operation of the power semiconductor module. In order to avoid or reduce these overvoltages, the power semiconductor components are electrically connected to the capacitor. A capacitor used to prevent or reduce overvoltages is also referred to as a snubber capacitor in a specific manner.

Selbstverständlich kann der Kondensator aber auch für andere Zwecke vorhanden sein und z.B. als Zwischenkreiskondensator dienen.Of course, the capacitor may also be present for other purposes and e.g. serve as a DC link capacitor.

Nachteilig dabei ist, dass der Kondensator als diskretes Bauelement realisiert ist und somit bei der Herstellung erst noch mit dem Folienverbund und/oder dem Substrat elektrisch leitend kontaktiert werden muss. Dies macht die Herstellung des Leistungshalbleitermoduls aufwändig und wirkt sich infolge der Verwendung eines weiteren Bauelements negativ auf die Zuverlässigkeit des Leistungshalbleitermoduls aus.The disadvantage here is that the capacitor is realized as a discrete component and thus must first be contacted electrically conductive during manufacture with the film composite and / or the substrate. This makes the production of the power semiconductor module complex and has a negative effect on the reliability of the power semiconductor module as a result of the use of a further component.

Es ist Aufgabe der Erfindung ein einfach herstellbares zuverlässiges Leistungshalbleitermodul zu schaffen.It is an object of the invention to provide a reliable and easy to manufacture semiconductor module.

Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Leistungshalbleitermodul mit Leistungshalbleiterbauelementen, die auf mindestens einer elektrisch leitenden Leiterbahn angeordnet sind, mit einer elektrisch nicht leitenden Isolationsschicht auf der die mindestens eine Leiterbahn angeordnet ist und mit einem Folienverbund, wobei der Folienverbund eine elektrisch leitende erste Folie, eine elektrisch leitende dritte Folie, eine zwischen der ersten und dritten Folie angeordnete elektrisch nicht leitende zweite Folie und eine elektrisch nicht leitende vierte Folie aufweist, wobei die dritte Folie zwischen der zweiten und vierten Folie angeordnet ist, wobei die Leistungshalbleiterbauelemente mit dem Folienverbund elektrisch leitend verbunden sind, wobei das Leistungshalbleitermodul einen in Form eines aufgewickelten Abschnitts des Folienverbunds ausgebildeten ersten Kondensator aufweist.This object is achieved by a power semiconductor module with power semiconductor components, which are arranged on at least one electrically conductive conductor track, with an electrically non-conductive insulating layer on which the at least one conductor track is arranged and with a film composite, wherein the film composite an electrically conductive first film, an electrically conductive third foil, an electrically nonconductive second foil arranged between the first and third foil and an electrically non-conducting fourth foil, the third foil being arranged between the second and fourth foil, wherein the power semiconductor components are electrically conductively connected to the foil composite, wherein the power semiconductor module has a first capacitor formed in the form of a wound-up portion of the film composite.

Vorteilhafte Ausbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.Advantageous embodiments of the invention will become apparent from the dependent claims.

Es erweist sich als vorteilhaft, wenn der aufgewickelte Abschnitt des Folienverbunds in senkrechte Richtung zur Normalenrichtung der Isolationsschicht neben den Leistungshalbleiterbauelementen angeordnet ist. Hierdurch werden die Leistungshalbleiterbauelemente nicht durch das Gewicht des ersten Kondensators belastet.It proves to be advantageous if the wound portion of the film composite is arranged in the direction perpendicular to the normal direction of the insulating layer next to the power semiconductor components. As a result, the power semiconductor components are not burdened by the weight of the first capacitor.

Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn der aufgewickelte Abschnitt des Folienverbunds mit der mindestens einen elektrisch leitenden Leiterbahn und/oder der Isolationsschicht mechanisch verbunden ist, da dann der erste Kondensator mit dem übrigen Leistungshalbleitermodul mechanisch stabil verbunden ist und an die Isolationsschicht thermisch leitend angekoppelt ist, so dass der erste Kondensator über die Isolationsschicht gut gekühlt werden kann.Furthermore, it proves to be advantageous if the wound portion of the film composite with the at least one electrically conductive trace and / or the insulating layer is mechanically connected, since then the first capacitor is mechanically stable connected to the rest of the power semiconductor module and is coupled thermally conductively to the insulating layer so that the first capacitor can be well cooled through the insulating layer.

Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn der aufgewickelte Abschnitt des Folienverbunds um eine parallel zur Isolationsschicht verlaufende virtuelle Achse aufgewickelt angeordnet ist, da der Folienverbunds dann leicht aufgewickelt werden kann.Furthermore, it proves to be advantageous if the wound portion of the film composite is arranged wound around a parallel to the insulating layer extending virtual axis, since the film composite can then be easily wound up.

Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn der aufgewickelte Abschnitt des Folienverbunds um einen Wickelkörper herum aufgewickelt angeordnet ist, da der erste Kondensator dann mechanisch stabil ausgebildet ist.Furthermore, it proves to be advantageous if the wound portion of the film composite is arranged wound around a winding body, since the first capacitor is then formed mechanically stable.

Ferner erweist es sich als vorteilhaft, wenn ein elektrischer zweiter Laststromanschluss eines ersten Leistungshalbleiterbauelements des Leistungshalbleitermoduls mit einem elektrischen ersten Laststromanschluss eines zweiten Leistungshalbleiterbauelements des Leistungshalbleitermoduls elektrisch leitend verbunden ist, wobei der erste Kondensator elektrisch parallel zum ersten und zweiten Leistungshalbleiterbauelement geschaltet ist und mit einem elektrischen ersten Laststromanschluss des ersten Leistungshalbleiterbauelements und mit einem elektrischen zweiten Laststromanschluss des zweiten Leistungshalbleiterbauelements elektrisch leitend verbunden ist, da dann eine in der Leistungselektronik typische Schaltung ausgebildet wird.Furthermore, it proves to be advantageous if an electrical second load current connection of a first power semiconductor component of the power semiconductor module is electrically conductively connected to an electrical first load current connection of a second power semiconductor component of the power semiconductor module, the first capacitor being electrically connected in parallel to the first and second power semiconductor component and having an electrical first Load current connection of the first power semiconductor device and is electrically conductively connected to an electrical second load current connection of the second power semiconductor device, since then a circuit typical in power electronics is formed.

Ferner erweist es sich als vorteilhaft, wenn im Bereich des aufgewickelten Abschnitts des Folienverbunds erste Randkanten der ersten Folie mittels eines elektrisch leitenden ersten Verbindungselements miteinander elektrisch leitend verbunden sind und erste Randkanten der dritten Folie mittels eines elektrisch leitenden zweiten Verbindungselements miteinander elektrisch leitend verbunden sind. Hierdurch wird ein homogenere Stromaufteilung auf die Windungen der ersten und dritten Folie erzielt.Furthermore, it proves to be advantageous if, in the region of the wound-up section of the film composite, first marginal edges of the first film are electrically conductively connected to one another by means of an electrically conductive first connecting element and first marginal edges of the third film are an electrically conductive second connecting element are electrically conductively connected to each other. As a result, a more homogeneous distribution of current is achieved on the turns of the first and third film.

In diesem Zusammenhang erweist es sich als vorteilhaft, wenn zu den ersten Randkanten der ersten Folie gegenüberliegend angeordnete zweite Randkanten der ersten Folie gegenüber den ersten Randkanten der dritten Folie zurückversetzt angeordnet sind und zu den ersten Randkanten der dritten Folie gegenüberliegend angeordnete zweite Randkanten der dritten Folie gegenüber den ersten Randkanten der ersten Folie zurückversetzt angeordnet sind. Hierdurch wird die Gefahr der Ausbildung eines Kurzschlusses zwischen der ersten und dritten Folie durch das erste und zweite Verbindungselement stark reduziert.In this connection, it proves to be advantageous if second edge edges of the first film arranged opposite to the first marginal edges of the first film are set back in relation to the first marginal edges of the third film and opposite to the first marginal edges of the third film are arranged second marginal edges of the third film The first marginal edges of the first film are arranged offset back. As a result, the risk of the formation of a short circuit between the first and third film by the first and second connecting element is greatly reduced.

Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn der erste Kondensator als Snubberkondensator dient, da dann an den Leistungshalbleiterbauelementen auftretende Überspannungen vermieden oder zumindest reduziert werden.Furthermore, it proves to be advantageous if the first capacitor serves as a snubber capacitor, since then surges occurring at the power semiconductor components are avoided or at least reduced.

Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn das Leistungshalbleitermodul einen zum ersten Kondensator elektrisch parallel geschalteten zweiten Kondensator aufweist. Hierdurch kann auf einfache Art und Weise die wirksame elektrische Kapazität erhöht werden.Furthermore, it proves to be advantageous if the power semiconductor module has a second capacitor electrically connected in parallel with the first capacitor. As a result, the effective electrical capacity can be increased in a simple manner.

Ferner erweist es sich als vorteilhaft, wenn ein erster elektrischer Anschluss des zweiten Kondensators mit der ersten Randkanten der ersten Folie elektrisch leitend kontaktiert ist und ein zweiter elektrischer Anschluss des zweiten Kondensators mit der ersten Randkanten der dritten Folie elektrisch leitend kontaktiert ist. Hierdurch kann der zweite Kondensator sehr geschickt an die elektrische Schaltung des Leistungshalbleitermodul angeschlossen werden.Furthermore, it proves to be advantageous if a first electrical terminal of the second capacitor is electrically conductively contacted to the first marginal edges of the first foil and a second electrical terminal of the second capacitor is electrically conductively contacted to the first marginal edges of the third foil. As a result, the second capacitor can be very cleverly connected to the electrical circuit of the power semiconductor module.

Ferner erweist es sich als vorteilhaft, wenn der zweite Kondensator als Zwischenkreiskondensator dient. Hierdurch kann auf einfache Art und Weise ein Zwischenkreiskondensator an die elektrische Schaltung des Leistungshalbleitermoduls angeschlossen werden.Furthermore, it proves to be advantageous if the second capacitor serves as a DC link capacitor. As a result, a DC link capacitor can be connected to the electrical circuit of the power semiconductor module in a simple manner.

Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn das Leistungshalbleitermodul eine Grundplatte aufweist, wobei die Isolationsschicht zwischen der mindestens einen elektrisch leitenden Leiterbahn und der Grundplatte angeordnet ist, da dann das Leistungshalbleitermodul mechanisch besonders stabil ausgebildet ist.Furthermore, it proves to be advantageous if the power semiconductor module has a base plate, wherein the insulating layer between the at least one electrically conductive conductor track and the base plate is arranged, since then the power semiconductor module is formed mechanically very stable.

In diesem Zusammenhang erweist es sich als vorteilhaft, wenn die Grundplatte integraler Bestandteil eines Kühlkörpers ist, wobei der Kühlkörper von der Grundplatte ausgehende Erhebungen aufweist. Hierdurch wird eine gute Kühlung der Leistungshalbeleiterbauelemente erzielt.In this context, it proves to be advantageous if the base plate is an integral part of a heat sink, wherein the heat sink of the base plate has protruding elevations. As a result, a good cooling of the Leistungshalbeleiterbauelemente is achieved.

In diesem Zusammenhang erweist es sich als vorteilhaft, wenn die Erhebungen als Kühlfinnen oder Kühlpins ausgebildet sind, da dann eine effiziente Wärmeabgabe vom Kühlkörper auf ein den Kühlkörper umgebendes flüssiges oder gasförmiges Medium gewährleistet ist.In this context, it proves to be advantageous if the elevations are designed as cooling fins or cooling pins, since then an efficient heat transfer is ensured by the heat sink to a surrounding the heat sink liquid or gaseous medium.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die unten stehenden Figuren erläutert. Dabei zeigt:

  • 1 eine Schnittansicht eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls,
  • 2 eine Schnittansicht durch einen Teil eines aufgewickelten Abschnitts eines Folienverbunds des erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls entlang der in 1 dargestellten Schnittlinie A und
  • 3 ein elektrisches Schaltbild eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls.
Embodiments of the invention will be explained below with reference to the figures below. Showing:
  • 1 a sectional view of a power semiconductor module according to the invention,
  • 2 a sectional view through a portion of a wound portion of a film composite of the power semiconductor module according to the invention along the in 1 illustrated section line A and
  • 3 an electrical circuit diagram of a power semiconductor module according to the invention.

In 1 ist eine Schnittansicht eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls 1 dargestellt. Es handelt sich bei 1 und 2 um schematisierte Darstellungen bei denen insbesondere die Abmessungen der Elemente nicht maßstabsgerecht dargestellt sind. Der Übersichtlichkeit halber sind in 1 eventuell vorhandene Löt- oder Sintermetallschichten nicht dargestellt.In 1 is a sectional view of a power semiconductor module according to the invention 1 shown. It concerns with 1 and 2 to schematic representations in which in particular the dimensions of the elements are not shown to scale. For the sake of clarity, in 1 any existing solder or sintered metal layers not shown.

Das erfindungsgemäße Leistungshalbleitermodul 1 weist mehrere Leistungshalbleiterbauelemente T1, T2, D1 und D2 auf, die auf mindestens einer elektrischen leitenden Leiterbahn 3 des Leistungshalbleitermoduls 1, in 1 z.B. auf zwei Leiterbahnen 3, angeordnet sind. Die Leistungshalbleiterbauelemente T1, T2, D1 und D2 sind dabei mit den Leiterbahnen 3, vorzugsweise über eine zwischen den Leistungshalbleiterbauelementen T1, T2, D1 und D2 und den Leiterbahnen 3 angeordnete Löt- oder Sintermetallschicht, elektrisch leitend verbunden. Die Leiterbahnen 3 werden durch eine elektrisch leitende strukturierte erste Leitungsschicht ausgebildet. Das jeweilige Leistungshalbleiterbauelement liegt vorzugweise in Form eines Leistungshalbleiterschalters T1 bzw. T2 oder einer Diode D1 bzw. D2 vor. Die Leistungshalbleiterschalter liegen dabei vorzugsweise in Form von Transistoren, wie z.B. IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) oder MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) vor.The power semiconductor module according to the invention 1 has a plurality of power semiconductor components T1, T2, D1 and D2, which on at least one electrically conductive trace 3 of the power semiconductor module 1 , in 1 z .B. on two tracks 3 , are arranged. The power semiconductor components T1, T2, D1 and D2 are in this case with the conductor tracks 3 , preferably via one between the power semiconductor components T1, T2, D1 and D2 and the conductor tracks 3 arranged solder or sintered metal layer, electrically conductively connected. The conductor tracks 3 are formed by an electrically conductive structured first conductor layer. The respective power semiconductor component is preferably in the form of a power semiconductor switch T1 or T2 or a diode D1 or D2. The power semiconductor switches are preferably in the form of transistors, such as IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) or MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) before.

Weiterhin weist das Leistungshalbleitermodul 1 eine elektrisch nicht leitende Isolationsschicht 15 und vorzugsweise eine Grundplatte 9 auf, wobei die Isolationsschicht 15 zwischen den Leiterbahnen 3 und der Grundplatte 9 angeordnet ist. Die Leiterbahnen 3 sind mit der Isolationsschicht 15 verbunden. Im Rahmen des Ausführungsbeispiels ist zwischen der Isolationsschicht 15 und der Grundplatte 9 eine elektrisch leitende vorzugweise unstrukturierte zweite Leitungsschicht 14 angeordnet, die mit der Isolationsschicht 15 verbunden ist. Die Isolationsschicht 15 liegt vorzugsweise in Form eines Keramikkörpers vor. Die jeweilige Leiterbahn 3, die zweite Leitungsschicht 14 und die Isolationsschicht 15 werden zusammen vorzugsweise durch ein Direct Copper Bonded Substrat 13 (DCB-Substrat) ausgebildet.Furthermore, the power semiconductor module has 1 an electrically non-conductive insulating layer 15 and preferably a base plate 9 on, wherein the insulating layer 15 between the conductor tracks 3 and the base plate 9 is arranged. The conductor tracks 3 are with the insulation layer 15 connected. In the context of the embodiment is between the insulation layer 15 and the base plate 9 an electrically conductive, preferably unstructured second conductive layer 14 arranged with the insulation layer 15 connected is. The insulation layer 15 is preferably in the form of a ceramic body. The respective track 3 , the second conductive layer 14 and the insulating layer 15 are preferably together by a direct copper bonded substrate 13 (DCB substrate) is formed.

Die Grundplatte 9 kann einstückig oder mehrstückig ausgebildet sein. Die Grundplatte 9 kann aus einem einzelnen oder aus mehreren Metallen bestehen. Die Grundplatte 9 kann z.B. aus übereinander angeordneten Teilgrundplatten bestehen. Die zweite Leitungsschicht 14 kann stoffschlüssig, z.B. über eine zwischen der zweiten Leitungsschicht 14 und der Grundplatte 9 angeordnete Löt- oder Sintermetallschicht, mit der Grundplatte 9 verbunden sein oder gegen die Grundplatte 9 gedrückt angeordnet sein. Wenn die zweite Leitungsschicht 14 gegen die Grundplatte 9 gedrückt angeordnet ist, dann kann zwischen der zweite Leitungsschicht 14 und Grundplatte 9 eine Wärmeleitpaste angeordnet sein.The base plate 9 can be formed in one piece or several pieces. The base plate 9 can consist of a single or several metals. The base plate 9 can for example consist of stacked sub-base plates. The second conductive layer 14 may be cohesively, for example via a between the second conductive layer 14 and the base plate 9 arranged solder or sintered metal layer, with the base plate 9 be connected or against the base plate 9 be pressed down. If the second conductive layer 14 against the base plate 9 is pressed, then can between the second conductive layer 14 and base plate 9 may be arranged a thermal paste.

Die Grundplatte 9 kann, z.B. mittels einer kraftschlüssigen Verbindung, wie z.B. einer Schraubverbindung, oder mittels einer stoffschlüssigen Verbindung mit einem Kühlkörper verbunden sein. Alternativ kann die Grundplatte 9 integraler Bestandteil eines Kühlkörpers 11 sein, wobei der Kühlkörper 11 von der Grundplatte 9 ausgehende, vorzugsweise metallische, Erhebungen 10 aufweist, die z.B. als Kühlfinnen oder Kühlpins ausgebildet sein können. Die Erhebungen 10 sind in 1 gestrichelt gezeichnet dargestellt. Wenn die Grundplatte 9 mittels einer kraftschlüssigen Verbindung mit einem Kühlkörper verbunden ist bzw. allgemeiner ausgedrückt gegen den Kühlkörper gedrückt angeordnet ist, dann kann zwischen der Grundplatte 9 und dem Kühlkörper eine Wärmeleitpaste angeordnet sein.The base plate 9 can, for example by means of a non-positive connection, such as a screw connection, or be connected by means of a material connection with a heat sink. Alternatively, the base plate 9 integral part of a heat sink 11 be, with the heat sink 11 from the base plate 9 outgoing, preferably metallic, surveys 10 has, for example, can be designed as Kühlfinnen or cooling pins. The surveys 10 are in 1 shown in dashed lines. If the base plate 9 is connected by means of a frictional connection with a heat sink or, more generally pressed against the heat sink is arranged, then may be disposed between the base plate 9 and the heat sink, a thermal paste.

Die Leistungshalbleiterbauelemente T1, T2, D1 und D2 sind mit einem Folienverbund 5 elektrisch leitend verbunden. Die Leistungshalbleiterbauelemente T1, T2, D1 und D2 sind mittels des Folienverbunds 5 und den Leiterbahnen 3 zu einer elektrischen Schaltung, insbesondere einer Halbbrückenschaltung; elektrisch verschalten. Der Folienverbund 5 weist eine elektrisch leitende erste Folie 6, eine elektrisch leitende dritte Folie 8, eine zwischen der ersten und dritten Folie 6 und 8 angeordnete elektrisch nicht leitende zweite Folie 7 und eine elektrisch nicht leitende vierte Folie 12 auf, wobei die dritte Folie 8 zwischen der zweiten und vierten Folie 7 und 12 angeordnet ist. Die erste Folie 6 ist vorzugsweise stoffschlüssig mit der zweiten Folie 7 verbunden. Die dritte Folie 8 ist vorzugsweise stoffschlüssig mit der zweiten Folie 7 verbunden. Die vierte Folie 12 ist vorzugsweise stoffschlüssig mit der dritten Folie 8 verbunden.The power semiconductor components T1, T2, D1 and D2 are with a film composite 5 electrically connected. The power semiconductor components T1, T2, D1 and D2 are by means of the film composite 5 and the tracks 3 to an electrical circuit, in particular a half-bridge circuit; electrically interconnect. The film composite 5 has an electrically conductive first film 6 , an electrically conductive third foil 8th , one between the first and third slide 6 and 8th arranged electrically non-conductive second film 7 and an electrically non-conductive fourth foil 12 on, with the third slide 8th between the second and fourth slides 7 and 12 is arranged. The first slide 6 is preferably cohesively with the second film 7 connected. The third slide 8th is preferably cohesively with the second film 7 connected. The fourth slide 12 is preferably cohesively with the third film 8th connected.

Es sei bezüglich des Folienverbunds 5 folgendes angemerkt: Die erste Folie 6 ist vorzugsweise als Metallfolie ausgebildet. Die erste Folie 6 kann unstrukturiert, oder strukturiert ausgebildet sein und infolge ihrer Struktur mehrere voneinander elektrisch isoliert angeordnete Leiterbahnen ausbilden. Die zweite Folie 7 ist vorzugsweise als Kunststofffolie ausgebildet. Die dritte Folie 8 ist vorzugsweise als Metallfolie ausgebildet. Die dritte Folie 8 kann unstrukturiert, oder strukturiert ausgebildet sein und infolge ihrer Struktur mehrere voneinander elektrisch isoliert angeordnete Leiterbahnen ausbilden. Die vierte Folie 12 ist vorzugsweise als Kunststofffolie ausgebildet. Der Folienverbund 5 kann selbstverständlich noch eine oder mehrere weitere strukturierte oder unstrukturierte elektrisch leitende Folien (z.B. Metallfolien) aufweisen, zwischen denen jeweilig eine elektrisch nicht leitende Folie (z.B. Kunststofffolie) angeordnet ist. Die jeweilige Metallfolie kann eine einzelne oder mehrere übereinander liegende Metallschichten aufweisen.It is with respect to the film composite 5 noted the following: The first slide 6 is preferably formed as a metal foil. The first slide 6 may be unstructured, or structured and formed as a result of their structure a plurality of electrically isolated conductor tracks arranged. The second slide 7 is preferably formed as a plastic film. The third slide 8th is preferably formed as a metal foil. The third slide 8th may be unstructured, or structured and formed as a result of their structure a plurality of electrically isolated conductor tracks arranged. The fourth slide 12 is preferably formed as a plastic film. The film composite 5 may of course also have one or more further structured or unstructured electrically conductive films (eg metal foils), between each of which an electrically non-conductive film (eg plastic film) is arranged. The respective metal foil may have a single or more superimposed metal layers.

Der Folienverbund 5, genauer ausgedrückt die erste bzw. dritte Folie 6 bzw. 8, ist schaltungsgerecht mit dem jeweiligen Leistungshalbleiterbauelement und /oder der jeweiligen Leiterbahn 3 stoffschlüssig, z.B. über eine jeweilige Löt- oder Sinterschicht, elektrisch leitend kontaktiert. Ein jeweiliger Kontaktierungsbereich 8' der dritten Folie 8 kann mittels Durchkontaktierungen 20 mit der ersten Folie 6 elektrisch leitend verbunden sein. Im Rahmen des Ausführungsbeispiels sind, wie beispielhaft in 3 dargestellt, die Leistungshalbleiterbauelemente T1 und T2 des Leistungshalbleitermoduls 1 mittels des Folienverbunds 5 und den Leiterbahnen 3 zu einer Halbbrückenschaltung 25 elektrisch verschalten. Die Halbbrückenschaltung 25 weist weiterhin vorzugsweise die erste und zweite Diode D1 und D2 auf, die ebenfalls mittels des Folienverbunds 5 und den Leiterbahnen 3, wie beispielhaft in 3 dargestellt, elektrisch verschalten sind. Im Rahmen des Ausführungsbeispiels weist das Leistungshalbleitermodul 1 Gleichspannungslastanschlusselemente DC+ und DC- und ein Wechselspannungslastanschlusselement AC auf, die, wie beispielhaft in 3 dargestellt, mit der Halbbrückenschaltung 25 elektrisch leitend verbunden sind. Im Betrieb des Leistungshalbleitermodul 1 liegt zwischen den Gleichspannungslastanschlusselementen DC+ und DC- eine Gleichspannung U an.The film composite 5 , more precisely, the first and third slide 6 respectively. 8th , is suitable for the circuit with the respective power semiconductor component and / or the respective conductor track 3 cohesively contacted, for example via a respective solder or sintered layer, electrically conductive. A respective contact area 8th' the third slide 8th can by means of vias 20 with the first slide 6 be electrically connected. In the context of the embodiment, as exemplified in 3 illustrated, the power semiconductor devices T1 and T2 of the power semiconductor module 1 by means of the film composite 5 and the tracks 3 to a half-bridge circuit 25 electrically interconnect. The half-bridge circuit 25 further preferably comprises the first and second diode D1 and D2, which also by means of the film composite 5 and the tracks 3 as exemplified in 3 represented, are electrically interconnected. In the context of the embodiment, the power semiconductor module 1 DC load connection elements DC + and DC- and an AC load connection element AC, which, as exemplified in 3 shown with the half-bridge circuit 25 are electrically connected. During operation of the power semiconductor module 1 is between the DC load terminal elements DC + and DC- a DC voltage U on.

Bei der Erfindung weist das Leistungshalbleitermodul 1 einen in Form eines aufgewickelten Abschnitts 19 des Folienverbunds 5 ausgebildeten ersten Kondensator C1 auf. Die erste und dritte Folie 6 und 8 bilden dabei die Elektroden des ersten Kondensators C1 aus und die zweite Folie 7 bildet das Dielektrikum des Kondensators C1 aus. Der erste Kondensator C1 ist somit bei der Erfindung nicht als diskretes Bauelement realisiert sondern integraler Bestandteil des Folienverbunds 5 und muss somit nicht mehr bei der Herstellung mit dem Folienverbund 5 und/oder mit den Leiterbahnen 3 elektrisch leitend kontaktiert werden. Hierdurch werden der für die Herstellung des Leistungshalbleitermoduls 1 benötigte Aufwand und die Anzahl der elektrischen Bauelemente, die zur Realisierung des Leistungshalbleitermoduls 1 benötigt werden, reduziert, wodurch die Zuverlässigkeit des Leistungshalbleitermoduls 1 deutlich erhöht wird.In the invention, the power semiconductor module 1 one in the form of a wound section 19 of the film composite 5 formed first capacitor C1. The first and third slide 6 and 8th form the electrodes of the first Capacitor C1 off and the second film 7 forms the dielectric of the capacitor C1. The first capacitor C1 is thus not realized in the invention as a discrete component but an integral part of the film composite 5 and therefore no longer has to be used in production with the film composite 5 and / or be contacted with the conductor tracks 3 in an electrically conductive manner. As a result, the for the production of the power semiconductor module 1 required effort and the number of electrical components required to realize the power semiconductor module 1 are needed, reducing the reliability of the power semiconductor module 1 is significantly increased.

Der erste Kondensator C1 dient vorzugsweise als Snubberkondensator. Der erste Kondensator C1 weist vorzugsweise eine Kapazität von 0,5µF bis 5µF, insbesondere von 2,2µF, auf. Der erste Kondensator C1 kann jedoch auch als Zwischenkreiskondensator dienen.The first capacitor C1 preferably serves as a snubber capacitor. The first capacitor C1 preferably has a capacitance of 0.5 μF to 5 μF, in particular of 2.2 μF. However, the first capacitor C1 can also serve as a DC link capacitor.

Der aufgewickelte Abschnitt 19 des Folienverbunds 5 ist vorzugsweise in senkrechte Richtung zur Normalenrichtung N der Isolationsschicht 15 neben den Leistungshalbleiterbauelementen T1, T2, D1 und D2 angeordnet. Der aufgewickelte Abschnitt 19 des Folienverbunds 5 ist vorzugsweise mit mindestens einer elektrisch leitenden Leiterbahn 3 und/oder der Isolationsschicht 15 mechanisch, insbesondere stoffschlüssig z.B. mittels einer Kleberverbindung, verbunden. Der aufgewickelte Abschnitt 19 des Folienverbunds 5 ist vorzugsweise um eine parallel zur Isolationsschicht 15 verlaufende virtuelle Achse Z aufgewickelt angeordnet. Der aufgewickelte Abschnitt 19 des Folienverbunds 5 ist vorzugsweise um einen Wickelkörper 22, der z.B. quaderförmig oder zylinderförmig ausgebildet sein kann, herum aufgewickelt angeordnet.The wound up section 19 of the film composite 5 is preferably in the direction perpendicular to the normal direction N of the insulating layer 15 arranged in addition to the power semiconductor components T1, T2, D1 and D2. The wound portion 19 of the film composite 5 is preferably with at least one electrically conductive trace 3 and / or the insulation layer 15 mechanically, in particular cohesively, for example by means of an adhesive connection, connected. The wound portion 19 of the film composite 5 is preferably arranged wound around a parallel to the insulating layer 15 extending virtual axis Z. The wound up section 19 of the film composite 5 is preferably arranged around a winding body 22, which may be formed, for example, cuboid or cylindrical wound around.

Im Bereich des aufgewickelten Abschnitts 19 des Folienverbunds 5 sind vorzugsweise, wie beispielhaft in 2 dargestellt, erste Randkanten 6' der ersten Folie 6 mittels eines elektrisch leitenden ersten Verbindungselements 16 miteinander elektrisch leitend verbunden und erste Randkanten 8' der dritten Folie 8 mittels eines elektrisch leitenden zweiten Verbindungselements 17 miteinander elektrisch leitend verbunden. Das jeweilige Verbindungselement 16 bzw. 17 kann z.B. in Form einer Metallplatte oder in Form einer aufgebrachten Metallisierung vorliegen. Vorzugsweise sind zu den ersten Randkanten 6' der erste Folie 6 gegenüberliegend angeordnete zweite Randkanten 6" der erste Folie 6 gegenüber den ersten Randkanten 8' der dritten Folie 8 zurückversetzt angeordnet und zu den ersten Randkanten 8' der dritten Folie 8 gegenüberliegend angeordnete zweite Randkanten 8" der dritten Folie 8 gegenüber den ersten Randkanten 6' der ersten Folie 6 zurückversetzt angeordnet.In the area of the wound section 19 of the film composite 5 are preferably as exemplified in 2 shown, first marginal edges 6 ' the first film 6 by means of an electrically conductive first connecting element 16 electrically connected to each other and first marginal edges 8th' the third slide 8th by means of an electrically conductive second connecting element 17 electrically connected to each other. The respective connecting element 16 respectively. 17 may be in the form of a metal plate or in the form of an applied metallization, for example. Preferably, the first marginal edges are 6 ' the first slide 6 opposite arranged second marginal edges 6 " the first slide 6 opposite the first marginal edges 8th' the third slide 8th set back and to the first marginal edges 8th' the second film 8 opposite arranged second marginal edges 8th" the third slide 8th opposite the first marginal edges 6 ' the first slide 6 set back.

Nachfolgend wird das Leistungshalbleiterbauelement T1 als erstes Leistungshalbleiterbauelement T1 und das Leistungshalbleiterbauelement T2 als zweite Leistungshalbleiterbauelements T2 bezeichnet. Wie beispielhaft in 3 dargestellt, ist vorzugsweise ein elektrischer zweiter Laststromanschluss E des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1 mit einem elektrischen ersten Laststromanschluss C des zweiten Leistungshalbleiterbauelements T2 elektrisch leitend verbunden, wobei der erste Kondensator C1 elektrisch parallel zum ersten und zweiten Leistungshalbleiterbauelement T1 und T2 geschaltet ist und mit einem elektrischen ersten Laststromanschluss C des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1 und mit einem elektrischen zweiten Laststromanschluss E des zweiten Leistungshalbleiterbauelements T2 elektrisch leitend verbunden ist.Hereinafter, the power semiconductor device T1 will be referred to as the first power semiconductor device T1 and the power semiconductor device T2 as the second power semiconductor device T2. As exemplified in 3 2, preferably an electrical second load current connection E of the first power semiconductor component T1 is electrically connected to an electrical first load current connection C of the second power semiconductor component T2, the first capacitor C1 being electrically connected in parallel to the first and second power semiconductor components T1 and T2 and having an electrical first load current connection C of the first power semiconductor device T1 and with an electrical second load current terminal E of the second power semiconductor device T2 is electrically connected.

Das Leistungshalbleitermodul 1 kann, wie beispielhaft in 2 und 3 dargestellt, einen zum ersten Kondensator C1 elektrisch parallel geschalteten zweiten Kondensator C2, der vorzugsweise eine höhere Kapazität als der erste Kondensator C1 aufweist, aufweisen. Der zweite Kondensator C2 dient vorzugsweise als Zwischenkreiskondensator. Der zweite Kondensator C2 weist vorzugsweise eine Kapazität von mindestens 100µF auf. Der zweite Kondensator C2 kann jedoch auch als Snubberkondensator dienen. Gegebenenfalls können sowohl der erste Kondensator C1 als auch der zweite Kondensator C2 gemeinsam als Snubberkondensatoren oder als Zwischenkreiskondensatoren dienen.The power semiconductor module 1 can, as exemplified in 2 and 3 illustrated, a second capacitor C2 electrically connected in parallel to the first capacitor C1, which preferably has a higher capacitance than the first capacitor C1, have. The second capacitor C2 preferably serves as a DC link capacitor. The second capacitor C2 preferably has a capacity of at least 100 μF. However, the second capacitor C2 can also serve as a snubber capacitor. Optionally, both the first capacitor C1 and the second capacitor C2 can serve together as Snubberkondensatoren or as DC link capacitors.

Ein erster elektrischer Anschluss C2' des zweiten Kondensators C2 ist vorzugsweise mit der ersten Randkanten 6' der ersten Folie 6 elektrisch leitend kontaktiert und ein zweiter elektrischer Anschluss C2" des zweiten Kondensators C2 ist vorzugsweise mit der ersten Randkanten 8' der dritten Folie 8 elektrisch leitend kontaktiert. Die jeweilige Kontaktierung kann dabei z.B. über eine Lötverbindung erfolgen.A first electrical terminal C2 'of the second capacitor C2 is preferably with the first peripheral edges 6 ' the first slide 6 electrically conductively contacted and a second electrical terminal C2 "of the second capacitor C2 is preferably with the first marginal edges 8th' the third slide 8th electrically conductive contacted. The respective contact can be done for example via a solder joint.

Es sei an dieser Stelle angemerkt, dass selbstverständlich Merkmale von verschiedenen Ausführungsbeispielen der Erfindung, sofern sich die Merkmale nicht gegenseitig ausschließen, beliebig miteinander kombiniert werden können.It should be noted at this point that, of course, features of different embodiments of the invention, as long as the features are not mutually exclusive, can be combined as desired.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 102012202765 B3 [0002]DE 102012202765 B3 [0002]

Claims (15)

Leistungshalbleitermodul mit Leistungshalbleiterbauelementen (T1 ,T2,D1 ,D2), die auf mindestens einer elektrisch leitenden Leiterbahn (3) angeordnet sind, mit einer elektrisch nicht leitenden Isolationsschicht (15) auf der die mindestens eine Leiterbahn (3) angeordnet ist und mit einem Folienverbund (5), wobei der Folienverbund (5) eine elektrisch leitende erste Folie (6), eine elektrisch leitende dritte Folie (8), eine zwischen der ersten und dritten Folie (6,8) angeordnete elektrisch nicht leitende zweite Folie (7) und eine elektrisch nicht leitende vierte Folie (12) aufweist, wobei die dritte Folie (8) zwischen der zweiten und vierten Folie (7,12) angeordnet ist, wobei die Leistungshalbleiterbauelemente (T1,T2,D1,D2) mit dem Folienverbund (5) elektrisch leitend verbunden sind, wobei das Leistungshalbleitermodul (1) einen in Form eines aufgewickelten Abschnitts (19) des Folienverbunds (5) ausgebildeten ersten Kondensator (C1) aufweist.Power semiconductor module with power semiconductor components (T1, T2, D1, D2), which are arranged on at least one electrically conductive track (3), with an electrically non-conductive insulating layer (15) on which the at least one conductor track (3) is arranged and with a film composite (5), wherein the film composite (5) an electrically conductive first film (6), an electrically conductive third film (8), between the first and third film (6,8) arranged electrically non-conductive second film (7) and an electrically nonconductive fourth film (12), the third film (8) being arranged between the second and fourth film (7, 12), the power semiconductor components (T1, T2, D1, D2) being connected to the film composite (5) electrically conductively connected, wherein the power semiconductor module (1) has a in the form of a wound portion (19) of the film composite (5) formed first capacitor (C1). Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der aufgewickelte Abschnitt (19) des Folienverbunds (5) in senkrechte Richtung zur Normalenrichtung (N) der Isolationsschicht (15) neben den Leistungshalbleiterbauelementen (T1,T2,D1,D2) angeordnet ist.Power semiconductor module after Claim 1 , characterized in that the wound portion (19) of the film composite (5) in the direction perpendicular to the normal direction (N) of the insulating layer (15) adjacent to the power semiconductor devices (T1, T2, D1, D2) is arranged. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der aufgewickelte Abschnitt (19) des Folienverbunds (5) mit der mindestens einen elektrisch leitenden Leiterbahn (3) und/oder der Isolationsschicht (15) mechanisch verbunden ist.Power semiconductor module according to one of the preceding claims, characterized in that the wound portion (19) of the film composite (5) with the at least one electrically conductive conductor track (3) and / or the insulating layer (15) is mechanically connected. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der aufgewickelte Abschnitt (19) des Folienverbunds (5) um eine parallel zur Isolationsschicht (15) verlaufende virtuelle Achse (Z) aufgewickelt angeordnet ist.Power semiconductor module according to one of the preceding claims, characterized in that the wound-up section (19) of the film composite (5) is arranged wound around a parallel to the insulating layer (15) extending virtual axis (Z). Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der aufgewickelte Abschnitt (19) des Folienverbunds (5) um einen Wickelkörper (22) herum aufgewickelt angeordnet ist.Power semiconductor module according to one of the preceding claims, characterized in that the wound-up section (19) of the film composite (5) is arranged wound around a winding body (22). Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein elektrischer zweiter Laststromanschluss (E) eines ersten Leistungshalbleiterbauelements (T1) des Leistungshalbleitermoduls (1) mit einem elektrischen ersten Laststromanschluss (C) eines zweiten Leistungshalbleiterbauelements (T2) des Leistungshalbleitermoduls (1) elektrisch leitend verbunden ist, wobei der erste Kondensator (C1) elektrisch parallel zum ersten und zweiten Leistungshalbleiterbauelement (T1,T2) geschaltet ist und mit einem elektrischen ersten Laststromanschluss (C) des ersten Leistungshalbleiterbauelements (T1) und mit einem elektrischen zweiten Laststromanschluss (E) des zweiten Leistungshalbleiterbauelements (T2) elektrisch leitend verbunden ist.Power semiconductor module according to one of the preceding claims, characterized in that an electrical second load current connection (E) of a first power semiconductor component (T1) of the power semiconductor module (1) with an electrical first load current connection (C) of a second power semiconductor device (T2) of the power semiconductor module (1) electrically conductive is connected, wherein the first capacitor (C1) is electrically connected in parallel to the first and second power semiconductor device (T1, T2) and with an electrical first load current terminal (C) of the first power semiconductor device (T1) and with an electrical second load current terminal (E) of the second Power semiconductor device (T2) is electrically connected. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass im Bereich des aufgewickelten Abschnitts (19) des Folienverbunds (5) erste Randkanten (6') der ersten Folie (6) mittels eines elektrisch leitenden ersten Verbindungselements (16) miteinander elektrisch leitend verbunden sind und erste Randkanten (8') der dritten Folie (8) mittels eines elektrisch leitenden zweiten Verbindungselements (17) miteinander elektrisch leitend verbunden sind.Power semiconductor module according to one of the preceding claims, characterized in that in the region of the wound-up portion (19) of the film composite (5) first peripheral edges (6 ') of the first film (6) by means of an electrically conductive first connecting element (16) are electrically conductively connected to each other and first marginal edges (8 ') of the third foil (8) are electrically conductively connected to one another by means of an electrically conductive second connecting element (17). Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass zu den ersten Randkanten (6') der ersten Folie (6) gegenüberliegend angeordnete zweite Randkanten (6") der ersten Folie (6) gegenüber den ersten Randkanten (8') der dritten Folie (8) zurückversetzt angeordnet sind und dass zu den ersten Randkanten (8') der dritten Folie (8) gegenüberliegend angeordnete zweite Randkanten (8") der dritten Folie (8) gegenüber den ersten Randkanten (6') der ersten Folie (6) zurückversetzt angeordnet sind.Power semiconductor module after Claim 7 , characterized in that opposite to the first marginal edges (6 ') of the first film (6) arranged second marginal edges (6 ") of the first film (6) with respect to the first marginal edges (8') of the third film (8) are set back and in that the second edge edges (8 ") of the third film (8) arranged opposite to the first marginal edges (8 ') of the third film (8) are arranged offset from the first marginal edges (6') of the first film (6). Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Kondensator (C1) als Snubberkondensator dient.Power semiconductor module according to one of the preceding claims, characterized in that the first capacitor (C1) serves as a snubber capacitor. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Leistungshalbleitermodul (1) einen zum ersten Kondensator (C1) elektrisch parallel geschalteten zweiten Kondensator (C2) aufweist.Power semiconductor module according to one of the preceding claims, characterized in that the power semiconductor module (1) has a first capacitor (C1) electrically connected in parallel with the second capacitor (C2). Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 10 soweit dieser auf Anspruch 8 oder 9 zurückbezogen ist, wobei ein erster elektrischer Anschluss (C2') des zweiten Kondensators (C2) mit der ersten Randkanten (6') der ersten Folie (6) elektrisch leitend kontaktiert ist und ein zweiter elektrischer Anschluss (C2") des zweiten Kondensators (C2) mit der ersten Randkanten (8') der dritten Folie (8) elektrisch leitend kontaktiert ist.Power semiconductor module after Claim 10 as far as this up Claim 8 or 9 is related back, wherein a first electrical terminal (C2 ') of the second capacitor (C2) with the first edge edges (6') of the first film (6) is electrically conductively contacted and a second electrical connection (C2 ") of the second capacitor (C2 ) is electrically conductively contacted with the first marginal edges (8 ') of the third foil (8). Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Kondensator (C2) als Zwischenkreiskondensator dient.Power semiconductor module according to one of Claims 10 or 11 , characterized in that the second capacitor (C2) serves as a DC link capacitor. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Leistungshalbleitermodul (1) eine Grundplatte (9) aufweist, wobei die Isolationsschicht (15) zwischen der mindestens einen elektrisch leitenden Leiterbahn (3) und der Grundplatte (9) angeordnet ist.Power semiconductor module according to one of the preceding claims, characterized in that the power semiconductor module (1) has a base plate (9), wherein the insulating layer (15) between the at least one electrically conductive trace (3) and the base plate (9) is arranged. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Grundplatte (9) integraler Bestandteil eines Kühlkörpers (11) ist, wobei der Kühlkörper (11) von der Grundplatte (9) ausgehende Erhebungen (10) aufweist.Power semiconductor module after Claim 13 , characterized in that the base plate (9) is an integral part of a cooling body (11), wherein the cooling body (11) of the base plate (9) outgoing elevations (10). Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Erhebungen (10) als Kühlfinnen oder Kühlpins ausgebildet sind.Power semiconductor module after Claim 14 , characterized in that the elevations (10) are designed as Kühlfinnen or cooling pins.
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WO2022073717A1 (en) * 2020-10-05 2022-04-14 Valeo Siemens Eautomotive Germany Gmbh Electrical system with an electrical power module and a dc link capacitor and method for manufacturing such an electrical system

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