DE102017103624A1 - exposure system - Google Patents

exposure system Download PDF

Info

Publication number
DE102017103624A1
DE102017103624A1 DE102017103624.5A DE102017103624A DE102017103624A1 DE 102017103624 A1 DE102017103624 A1 DE 102017103624A1 DE 102017103624 A DE102017103624 A DE 102017103624A DE 102017103624 A1 DE102017103624 A1 DE 102017103624A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
exposure
beams
deflection
spot
sets
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102017103624.5A
Other languages
German (de)
Inventor
Karsten Contag
Thomas Wahl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Manz AG
Original Assignee
Manz AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Manz AG filed Critical Manz AG
Priority to DE102017103624.5A priority Critical patent/DE102017103624A1/en
Priority to PCT/EP2018/053678 priority patent/WO2018153750A1/en
Publication of DE102017103624A1 publication Critical patent/DE102017103624A1/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/10Scanning systems
    • G02B26/12Scanning systems using multifaceted mirrors
    • G02B26/121Mechanical drive devices for polygonal mirrors
    • G02B26/122Control of the scanning speed of the polygonal mirror
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/10Scanning systems
    • G02B26/12Scanning systems using multifaceted mirrors
    • G02B26/123Multibeam scanners, e.g. using multiple light sources or beam splitters
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G03F7/704Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70575Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70791Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

Um eine Belichtungsanlage zum Erzeugen belichteter Strukturen in mindestens einer auf einem Objekt angeordneten fotosensitiven Schicht, umfassend einen das Objekt aufnehmenden Objektträger und eine Belichtungseinrichtung, wobei der Objektträger und die Belichtungseinrichtung in einer Vorschubrichtung relativ zueinander bewegbar sind und wobei mit der Belichtungseinrichtung Belichtungsflecken positionsgesteuert auf der mindestens einen fotosensitiven Schicht zu verbessern, wird vorgeschlagen, dass die mindestens eine Belichtungseinheit mindestens zwei Belichtungsstrahlensätze mit Belichtungsstrahlen erzeugt, dass die Belichtungsstrahlen eines Belichtungsstrahlensatzes sich von den Belichtungsstrahlen eines weiteren Belichtungsstrahlensatzes sich hinsichtlich ihrer Wellenlänge unterscheiden, dass die Belichtungsstrahlen des einen Belichtungsstrahlensatzes relativ zu den Belichtungsstrahlen des weiteren Belichtungsstrahlensatzes räumlich versetzt verlaufen, und dass die Belichtungsstrahlen jedes Belichtungsstrahlensatzes so relativ zueinander geführt sind, dass bei jedem der Belichtungsstrahlensätze der Belichtungsfleck der letzten Belichtungsfleckposition der einen Ablenkungsstrecke und der Belichtungsfleck der ersten Belichtungsfleckposition der nächstfolgenden Ablenkungsstrecke derart bezüglich einer parallel zur Vorschubrichtung verlaufenden Referenzgeraden angeordnet sind, dass die Referenzgerade die in diesen Belichtungsfleckpositionen erzeugten Belichtungsflecken schneidet.An exposure system for producing exposed structures in at least one photosensitive layer disposed on an object, comprising an object-receiving slide and an exposure device, wherein the slide and the exposure device are movable in a feed direction relative to each other and wherein the exposure device exposure controlled on the at least In order to improve a photosensitive layer, it is proposed that the at least one exposure unit produce at least two sets of exposure beams with exposure beams, the exposure beams of one exposure beam set differ in wavelength with respect to the exposure beams of a further exposure beam set, the exposure beams of the one exposure beam set relative to the exposure beams of the further exposure radiation set spatially offset, and that the Exposure St In the case of each of the exposure ray sets, the exposure spot of the last exposure spot position of the one deflection path and the exposure spot of the first exposure spot position of the next following deflection route are arranged with respect to a reference straight parallel to the feed direction such that the reference straight lines produce the images generated in these exposure spot positions Exposure marks intersect.

Description

Die Erfindung betrifft eine Belichtungsanlage zum Erzeugen belichteter Strukturen in mindestens einer auf einem Objekt angeordneten fotosensitiven Schicht, umfassend einen das Objekt aufnehmenden Objektträger und eine Belichtungseinrichtung, wobei der Objektträger und die Belichtungseinrichtung in einer Vorschubrichtung relativ zueinander bewegbar sind und wobei mit der Belichtungseinrichtung quer zur Vorschubrichtung Belichtungsflecken positionsgesteuert auf der mindestens einen fotosensitiven Schicht dadurch erzeugbar sind, dass die Belichtungseinrichtung mindestens eine Belichtungseinheit aufweist, aus der in einer Reihenrichtung aufeinanderfolgend Belichtungsstrahlen austreten, von denen mit jedem ein Belichtungsfleck auf der mindestens einen fotosensitiven Schicht erzeugbar ist und von denen jeder durch eine Ablenkeinheit in einer quer zur Reiheneinrichtung und schräg zur Vorschubrichtung verlaufenden Ablenkrichtung ablenkbar ist, so dass mit jedem der Belichtungsstrahlen durch Bewegung jedes durch einen Belichtungsstrahl erzeugten Belichtungsflecks in der jeweiligen Ablenkrichtung über eine Ablenkungsstrecke in einer Vielzahl von aufeinanderfolgenden Belichtungsfleckpositionen einander überlappende Belichtungsflecken erzeugbar sind.The invention relates to an exposure system for producing exposed structures in at least one photosensitive layer disposed on an object, comprising an object receiving slide and an exposure device, wherein the slide and the exposure device are movable in a feed direction relative to each other and wherein the exposure device transversely to the feed direction Exposure spots position-controlled on the at least one photosensitive layer can be generated in that the exposure device comprises at least one exposure, successively exiting in a row direction exposure beams, each of which an exposure spot on the at least one photosensitive layer is generated and each of which by a deflection is deflectable in a transverse to the row device and obliquely to the feed direction extending deflection, so that with each of the exposure beams through Movement of each exposure spot generated by an exposure beam in the respective deflection over a deflection distance in a plurality of successive exposure spot positions overlapping exposure spots are generated.

Derartige Belichtungsanlagen sind aus dem Stand der Technik, beispielsweise der deutschen Patentanmeldung DE 10 2006 059 818 A oder der deutschen Patentanmeldung DE 10 2009 046 809 A bekannt.Such exposure systems are known from the prior art, for example the German patent application DE 10 2006 059 818 A or the German patent application DE 10 2009 046 809 A known.

Bei diesen Belichtungsanlagen wird üblicherweise mit einer Wellenlänge bei der Belichtung der fotosensitiven Schicht gearbeitet, wobei die Belichtungsergebnisse in der fotosensitiven Schicht nicht optimal sind.In these exposure apparatuses, it is usual to work with a wavelength during the exposure of the photosensitive layer, the exposure results in the photosensitive layer not being optimal.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Belichtungsanlage der gattungsgemäßen Art derart zu verbessern, dass optimale Belichtungsergebnisse in der fotosensitiven Schicht erhältlich sind.The invention is therefore based on the object to improve an exposure system of the generic type such that optimum exposure results in the photosensitive layer are available.

Diese Aufgabe wird bei einer Belichtungsanlage der eingangs beschriebenen Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die mindestens eine Belichtungseinheit mindestens zwei Belichtungsstrahlensätze mit Belichtungsstrahlen erzeugt, dass die Belichtungsstrahlen des einen Belichtungsstrahlensatzes sich von den Belichtungsstrahlen des weiteren Belichtungsstrahlensatzes hinsichtlich ihrer Wellenlänge unterscheiden, dass die Belichtungsstrahlen des einen Belichtungsstrahlensatzes relativ zu den Belichtungsstrahlen des anderen Belichtungsstrahlensatzes räumlich versetzt verlaufen und dass die Belichtungsstrahlen jedes Belichtungsstrahlensatzes so relativ zueinander geführt sind, dass bei jedem der Belichtungsstrahlensätze der Belichtungsfleck der letzten Belichtungsposition der einen Ablenkstrecke und der Belichtungsfleck der ersten Belichtungsfleckposition der nächstfolgenden Ablenkstrecke derart bezüglich einer parallel zur Vorschubrichtung verlaufenden Referenzgeraden angeordnet sind, dass die Referenzgerade die in diesen Belichtungsfleckpositionen erzeugten Belichtungsflecken schneidet.This object is achieved in an exposure system of the type described above according to the invention in that the at least one exposure unit generates at least two exposure ray sets with exposure beams, that the exposure beams of an exposure beam set differ from the exposure beams of the further exposure beam set in terms of their wavelength that the exposure beams of an exposure beam set relative to the exposure beams of the other exposure beam set are spatially offset and that the exposure beams of each exposure beam set are so relative to each other that at each of the exposure beam sets the exposure spot of the last exposure position of the one deflection and the exposure spot of the first exposure spot position of the next deflection so in a direction parallel to the feed direction extending reference straight line sin d that the reference line intersects the exposure spots generated in these exposure spot positions.

Der Vorteil der erfindungsgemäßen Lösung ist darin zu sehen, dass durch die Möglichkeit, mit mindestens zwei verschiedenen Wellenlängen denselben Bereich der fotosensitiven Schicht zu belichten die Belichtungsergebnisse verbessert werden.The advantage of the solution according to the invention can be seen in the fact that the exposure results can be improved by the possibility of exposing the same area of the photosensitive layer with at least two different wavelengths.

Durch das Belichten mit verschiedenen Wellenlängen lassen sich besonders günstige strukturelle Belichtungsergebnisse in der fotosensitiven Schicht erreichen. Insbesondere lassen sich optimal Übergänge zwischen belichteten und unbelichteten Bereichen der fotosensitiven Schicht gestalten, da insbesondere durch die Möglichkeit des Einsatzes mindestens zweier verschiedener Wellenlängen der Strahlung sich unterschiedliche Eindringtiefen der Strahlung in der fotosensitiven Schicht ergeben und/oder unterschiedliche fotoinduzierte chemische Reaktionen in der fotosensitiven Schicht induzieren lassen.By exposing at different wavelengths, it is possible to achieve particularly favorable structural exposure results in the photosensitive layer. In particular, optimal transitions between exposed and unexposed areas of the photosensitive layer can be designed, since in particular the possibility of using at least two different wavelengths of the radiation results in different penetration depths of the radiation in the photosensitive layer and / or induces different photo-induced chemical reactions in the photosensitive layer to let.

Somit lassen sich die Belichtungsergebnisse in der fotosensitiven Schicht in besonders einfacher Weise optimieren.Thus, the exposure results in the photosensitive layer can be optimized in a particularly simple manner.

Darüber hinaus besteht der Vorteil der erfindungsgemäßen Lösung darin, dass durch die räumlich relativ zueinander versetzt verlaufenden Belichtungsstrahlen in einfacher Weise die Belichtungen mit zwei verschiedenen Wellenlängen durchgeführt werden können, wobei sich die Strahlführung der jeweiligen Belichtungsstrahlen problemlos für die jeweilige Wellenlänge optimieren lässt.Moreover, the advantage of the solution according to the invention is that the exposures with two different wavelengths can be carried out in a simple manner by the exposure beams which are offset relative to one another in space, wherein the beam guidance of the respective exposure beams can be optimized without problems for the respective wavelength.

Hinsichtlich des räumlichen Versatzes der Belichtungsstrahlensätze wurden im Zusammenhang mit der bisherigen Erläuterung der erfindungsgemäßen Lösung keine näheren Angaben gemacht.With regard to the spatial offset of the exposure ray sets, no further details were given in connection with the previous explanation of the solution according to the invention.

So wäre es beispielsweise denkbar, dass die Belichtungsstrahlensätze quer zur Reihenrichtung relativ zueinander versetzt sind.For example, it would be conceivable that the exposure ray sets are offset transversely to the row direction relative to each other.

Eine besonders günstige Lösung sieht jedoch vor, dass die Belichtungsstrahlen des einen der Belichtungsstrahlensätze relativ zu den Belichtungsstrahlen des weiteren der Belichtungsstrahlensätze in Richtung der Reihenrichtung versetzt zueinander angeordnet sind.However, a particularly favorable solution provides that the exposure beams of one of the exposure beam sets relative to the exposure beams of the further exposure beam sets in the direction of the row direction are offset from one another.

Diese Lösung ermöglicht in besonders einfacher Weise eine Optimierung des Aufbaus der einzelnen Belichtungseinheiten. This solution makes it possible to optimize the structure of the individual exposure units in a particularly simple manner.

Dabei ist es nicht zwingend erforderlich, dass lediglich ein Versatz in Reihenrichtung vorhanden ist. Es wäre auch denkbar, noch zusätzlich einen Versatz quer zur Reihenrichtung vorzusehen.It is not absolutely necessary that only an offset in the row direction is present. It would also be conceivable to additionally provide an offset transversely to the row direction.

Besonders einfach lässt sich jedoch die Belichtungsanlage aufbauen, wenn die Belichtungsstrahlensätze lediglich in Richtung der Reihenrichtung versetzt zueinander angeordnet angeordnet sind.However, the exposure system can be constructed in a particularly simple manner if the exposure ray sets are arranged offset from one another only in the direction of the row direction.

Grundsätzlich wäre es denkbar, die Belichtungsstrahlensätze in der Reihenrichtung aufeinanderfolgend anzuordnen.In principle, it would be conceivable to arrange the exposure ray sets successively in the row direction.

Ein Versatz der Belichtungsstrahlensätze lässt einen besonders raumsparenden Aufbau der Belichtungseinheiten dann zu, wenn die durch die Belichtungsstrahlen eines der Belichtungsstrahlensätze erzeugten Ablenkstrecken in der Reihenrichtung im Abstand voneinander angeordnet sind, wenn die Ablenkstrecken der Belichtungsstrahlen eines weiteren der Belichtungsstrahlensätze in der Reihenrichtung im Abstand von einander angeordnet sind und wenn mindestens die Hälfte der Ablenkungsstrecken der Belichtungsstrahlen des weiteren der Belichtungsstrahlensätze zwischen jeweils einander benachbarten Ablenkungsstrecken der Belichtungsstrahlen des einen der Belichtungsstrahlensätze liegen.An offset of the exposure ray sets allows a particularly space-saving structure of the exposure units when the deflection lines generated by the exposure beams of one of the exposure beam sets are spaced apart in the row direction when the deflection paths of the exposure beams of another of the exposure beam sets are spaced from each other in the row direction and when at least half of the deflection paths of the exposure beams are further the exposure beam sets between respectively adjacent deflection paths of the exposure beams of the one of the exposure beam sets.

Der Vorteil dieser Lösung ist der, dass sich mit dieser Lösung die Ausdehnung der Belichtungseinheit in der Reihenrichtung reduzieren lässt.The advantage of this solution is that with this solution, the expansion of the exposure unit in the row direction can be reduced.

Noch besser ist es, wenn mindestens zwei Drittel der Ablenkungsstrecken der Belichtungsstrahlen des weiteren der Belichtungsstrahlensätze zwischen jeweils einander benachbarten Ablenkungsstrecken der Belichtungsstrahlen des einen der Belichtungsstrahlensätze liegt.It is even better if at least two-thirds of the deflection paths of the exposure beams are further the exposure beam sets between respectively adjacent deflection paths of the exposure beams of the one of the exposure beam sets.

Noch vorteilhafter ist es, wenn mindestens drei Viertel der Ablenkungsstrecken der Belichtungsstrahlen des weiteren der Belichtungsstrahlensätze zwischen jeweils einander benachbarten Ablenkungsstrecken der Belichtungsstrahlen des einen der Belichtungsstrahlensätze liegen.It is even more advantageous when at least three quarters of the deflection paths of the exposure beams are further the exposure beam sets between respectively adjacent deflection paths of the exposure beams of the one of the exposure beam sets.

Prinzipiell könnten die Abstände zwischen den Ablenkungsstrecken der verschiedenen Belichtungsstrahlensätze unterschiedlich groß sein, so dass gegebenenfalls mehrere Belichtungsstrahlen des weiteren der Belichtungsstrahlensätze zwischen den Ablenkungsstrecken der Belichtungsstrahlen des einen der Belichtungsstrahlensätze liegen können.In principle, the distances between the deflection paths of the different exposure ray sets could be of different sizes, so that optionally several exposure beams of the further exposure ray sets may lie between the deflection paths of the exposure beams of the one of the exposure ray sets.

Besonders günstig ist es, wenn zwischen aufeinander folgenden Ablenkungsstrecken des einen der Belichtungsstrahlensätze jeweils eine Ablenkungsstrecke der Belichtungsstrahlen des weiteren der Belichtungsstrahlensätze liegt.It is particularly favorable if, between successive deflection paths of the one of the exposure ray sets, there is respectively a deflection path of the exposure rays of the further exposure ray sets.

Optimal ist es, wenn zwischen aufeinanderfolgenden Ablenkungsstrecken des einen der Belichtungsstrahlensätze alle Ablenkungsstrecken bis auf eine der Belichtungsstrahlen des weiteren der Belichtungsstrahlensätze liegen.It is optimal if, between successive deflection distances of the one of the exposure ray sets, all the deflection distances are up to one of the exposure rays of the further exposure ray sets.

Hinsichtlich der Ausbildung oder der Ausdehnung der Ablenkungsstrecken der Belichtungsstrahlen einer Belichtungseinheit ist vorzugsweise vorgesehen, dass bei allen Belichtungsstrahlensätzen der mindestens einen Belichtungseinheit der Abstand zwischen aufeinander folgenden Ablenkungsstrecken der Belichtungsstrahlen des jeweiligen Belichtungsstrahlensatzes gleich groß ist, so dass letztlich jeder der Belichtungsstrahlensätze das gleiche Abstandsraster bei seinen Belichtungsstrahlen aufweist.With regard to the formation or the extent of the deflection distances of the exposure beams of an exposure unit, it is preferably provided that for all exposure beam sets of the at least one exposure unit, the distance between successive deflection distances of the exposure beams of the respective exposure beam set is equal, so that each of the exposure beam sets has the same spacing grid at its Has exposure beams.

Ferner ist vorzugsweise vorgesehen, dass bei der mindestens einen Belichtungseinheit die Ablenkungsstrecken der Belichtungsstrahlen beider Belichtungsstrahlensätze parallel zueinander verlaufen, so dass dadurch, die Ablenkungsstrecken der einzelnen Belichtungsstrahlen, die sich quer zur Reihenrichtung erstrecken, in Reihenrichtung möglichst kompakt nebeneinander angeordnet werden können.Furthermore, it is preferably provided that, in the case of the at least one exposure unit, the deflection paths of the exposure beams of the two exposure radiation sets run parallel to one another, so that the deflection paths of the individual exposure beams, which extend transversely to the row direction, can be arranged as compactly as possible side by side in the row direction.

Ferner ist vorzugsweise vorgesehen, dass bei der mindestens einen Belichtungseinheit die Belichtungsstrahlen beider Belichtungsstrahlensätze gleichzeitig und in gleichem Maße durch die Ablenkeinheit abgelenkt werden, so dass auch insbesondere bei der mindestens einen Belichtungseinheit die Belichtungsstrahlen beider Belichtungsstrahlensätze im Wesentlichen parallel zueinander ausgerichtet auf die mindestens eine fotosensitive Schicht auftreffen.Furthermore, it is preferably provided that, in the case of the at least one exposure unit, the exposure beams of both exposure beam sets are deflected simultaneously and to the same extent by the deflection unit, so that the exposure beams of both exposure beam sets are also aligned substantially parallel to one another on the at least one photosensitive layer, in particular in the case of the at least one exposure unit incident.

Ferner ist vorzugsweise vorgesehen, dass bei jedem der Belichtungsstrahlensätze jeweils eine parallel zur Vorschubrichtung verlaufende Referenzgerade durch die letzte Belichtungsfleckposition einer Ablenkungsstrecke den Belichtungsfleck einer ersten Belichtungsfleckposition einer nächstfolgenden Ablenkungsstrecke schneidet.Furthermore, it is preferably provided that in each of the exposure ray sets, a reference straight line running parallel to the advancing direction intersects the exposure spot of a first exposure spot position of a next deflection distance through the last exposure spot position of a deflection line.

Besonders vorteilhaft ist es, wenn die erste Belichtungsfleckposition der nächstfolgenden Ablenkstrecke ein Abstand von der Referenzgeraden aufweist, der maximal einem halben Durchmesser des entsprechenden Belichtungsflecks entspricht.It is particularly advantageous if the first exposure spot position of the next following deflection line has a distance from the reference straight line which corresponds at most to half the diameter of the corresponding exposure spot.

Eine besonders vorteilhafte Lösung sieht vor, dass die jeder Belichtungseinheit zugeordnete Ablenkeinheit für jeden Belichtungsstrahl eines jeden Belichtungsstrahlensatzes mindestens einen Spiegelflächenbereich aufweist.A particularly advantageous solution provides that the deflection unit associated with each exposure unit for each exposure beam of each Exposure jet set has at least one mirror surface area.

Hierbei ist es besonders günstig, wenn die Spiegelflächenbereiche der mindestens einen Belichtungseinheit gemeinsam bewegbar sind.It is particularly advantageous if the mirror surface areas of the at least one exposure unit are movable together.

Im einfachsten Fall ist vorgesehen, dass die Spiegelflächenbereiche Teilbereiche einer gemeinsamen Spiegelfläche sind.In the simplest case, it is provided that the mirror surface areas are subregions of a common mirror surface.

Insbesondere liegen die Spiegelflächenbereiche aller Belichtungsstrahlen aller Belichtungsstrahlensätze einer Belichtungseinheit zum jeweiligen Zeitpunkt der Ablenkung in einer Spiegelfläche, beispielsweise in einer parallel zur Rückenrichtung verlaufenden Reihe.In particular, the mirror surface areas of all the exposure beams of all the exposure beam sets of an exposure unit at the time of the deflection are in a mirror surface, for example in a row running parallel to the back direction.

Vorzugsweise sind die Spiegelflächenbereiche so angeordnet, dass sie in einer gemeinsamen Ebene liegen und insbesondere die Spiegelflächenbereiche auf die die kollimierten Belichtungsstrahlen der mindestens einen Belichtungseinheit auftreffen, in derselben Ebene liegen.Preferably, the mirror surface areas are arranged so that they lie in a common plane and in particular the mirror surface areas on which the collimated exposure beams of the at least one exposure unit impinge lie in the same plane.

Vorzugsweise ist vorgesehen, dass die Ablenkeinheit für jeden Belichtungsstrahl mehrere Spiegelflächenbereiche aufweist, und dass insbesondere die Ablenkeinheit für jeden Belichtungsstrahl mehrere nacheinander eingesetzte Spiegelflächenbereiche aufweist.It is preferably provided that the deflection unit has a plurality of mirror surface areas for each exposure beam, and in particular that the deflection unit has a plurality of successively inserted mirror surface areas for each exposure beam.

Um die Belichtungsstrahlen so abzulenken, dass diese auf der fotosensitiven Schicht wandern, ist vorzugsweise vorgesehen, dass die Spiegelflächenbereich relativ zur Auftreffrichtung der kollimierten Belichtungsstrahlen auf diese verkippbar sind, so dass durch das Verkippen die auf die fotosensitive Schicht fokussierten Belichtungsstrahlen mit ihren Belichtungsflecken wandern.In order to deflect the exposure beams such that they migrate on the photosensitive layer, it is preferably provided that the mirror surface areas can be tilted relative to the direction of impact of the collimated exposure beams so that tilting causes the exposure beams focused on the photosensitive layer to migrate with their exposure spots.

Insbesondere sind dabei die mehreren Spiegelflächenbereiche durch Umfangseiten eines um eine Achse drehbar angeordneten Spiegelkörpers gebildet.In particular, the plurality of mirror surface regions are formed by peripheral sides of a mirror body rotatably arranged about an axis.

Vorzugsweise ist dabei der Spiegelkörper um die Achse rotierend angeordnet.Preferably, the mirror body is arranged to rotate about the axis.

Insbesondere lässt sich der Spiegelkörper vorzugsweise dann vorteilhaft einsetzen, wenn dieser mit konstanter Drehzahl um seine Achse rotierend angetrieben ist.In particular, the mirror body can preferably be used advantageously when it is driven to rotate about its axis at a constant speed.

Ferner sind vorzugsweise die Spiegelflächenbereiche im gleichen Abstand um die Achse angeordnet, so dass der Spiegelkörper eine Querschnittsform eines regelmäßigen Vielecks aufweist.Furthermore, the mirror surface areas are preferably arranged at the same distance around the axis, so that the mirror body has a cross-sectional shape of a regular polygon.

Hinsichtlich der Zahl der Belichtungseinheiten wurden im Zusammenhang mit der bisherigen Lösung keine näheren Angaben gemacht. Es wurde lediglich angegeben, dass mindestens eine Belichtungseinheit vorgesehen ist.With regard to the number of exposure units, no details were given in connection with the previous solution. It was merely stated that at least one exposure unit is provided.

Besonders günstig ist es jedoch, wenn mehrere Belichtungseinheiten vorgesehen sind, wobei die Belichtungseinheiten in der Ablenkrichtung im Abstand voneinander angeordnet sind.However, it is particularly favorable if a plurality of exposure units are provided, wherein the exposure units are arranged in the deflection direction at a distance from each other.

Besonders günstig ist es dabei, wenn die Ablenkrichtungen der mehreren Belichtungseinheiten im Wesentlichen parallel, insbesondere parallel, zueinander verlaufen.It is particularly advantageous if the deflection directions of the multiple exposure units are substantially parallel, in particular parallel, to each other.

Eine besonders günstige Lösung sieht vor, dass die Reihenrichtungen der mehreren Belichtungseinheiten im Wesentlichen parallel, insbesondere parallel zueinander verlaufen.A particularly favorable solution provides that the row directions of the multiple exposure units are substantially parallel, in particular parallel to each other.

Um sicherzustellen, dass sich auch bei den mehreren Belichtungseinheiten die fotosensitive Schicht innerhalb eines vorgesehenen Strukturenbereichs flächendeckend belichten lässt, ist vorzugsweise vorgesehen, dass die mehreren Belichtungseinheiten bezüglich einer parallel zur Vorschubrichtung verlaufenden Referenzgerade so angeordnet sind, dass die Referenzgerade den Belichtungsfleck der letzten Belichtungsfleckposition der letzten Belichtungsfleckposition der letzten Ablenkungsstrecke eines der Belichtungsstrahlensätze einer Belichtungseinheit und den Belichtungsfleck der ersten Belichtungsfleckposition der ersten Ablenkungsstrecke des dem einen Belichtungsstrahlensatz entsprechenden Belichtungsstrahlensatzes der nächstbenachbarten Belichtungseinheit schneidet.In order to ensure that even in the case of the multiple exposure units, the photosensitive layer can be exposed surface-wide within a designated structure area, it is preferably provided that the plurality of exposure units are arranged with respect to a reference straight parallel to the feed direction such that the reference line is the exposure spot of the last exposure spot position of the last Exposure spot position of the last deflection path of one of the exposure ray sets of an exposure unit and the exposure spot of the first exposure spot position of the first deflection path of the exposure ray set corresponding to the one exposure ray set of the next adjacent exposure unit.

Das heißt, dass jede der Belichtungseinheiten dieselbe Anzahl von Belichtungsstrahlensätzen aufweist und dass durch Einsatz derselben Belichtungsstrahlensätze aller Belichtungseinheiten eine flächendeckende Belichtung der fotosensitiven Schicht innerhalb des Strukturenbereichs möglich ist.That is, each of the exposure units has the same number of exposure ray sets, and by using the same exposure ray sets of all the exposure units, blanket exposure of the photosensitive layer within the pattern region is possible.

Besonders günstig ist es dabei, wenn die durch die letzte Belichtungsfleckposition der letzten Ablenkstrecke einer Belichtungseinheit verlaufende Referenzgerade den Belichtungsfleck der ersten Belichtungsfleckposition der ersten Ablenkungsstrecke des entsprechenden Belichtungsstrahlensatzes einer nächstbenachbarten Belichtungseinheit schneidet.It is particularly favorable if the reference straight line passing through the last exposure spot position of the last deflection path of an exposure unit intersects the exposure spot of the first exposure spot position of the first deflection path of the corresponding exposure ray set of a next adjacent exposure unit.

Noch vorteilhafter ist es, wenn die erste Belichtungsfleckposition einen Abstand von der Referenzgeraden aufweist, der maximal dem halben Durchmesser des Belichtungsflecks der ersten Belichtungsfleckposition des jeweils entsprechenden Belichtungsstrahlensatzes entspricht.It is even more advantageous if the first exposure spot position has a distance from the reference straight line which corresponds at most to half the diameter of the exposure spot to the first exposure spot position of the respective corresponding exposure beam set.

Ferner wurden hinsichtlich der Ausbildung der Strahlungswellen für die Erzeugung der Belichtungsstrahlen keine näheren Angaben gemacht. Further, no details have been given as to the formation of the radiation waves for the generation of the exposure beams.

So sieht eine vorteilhafte Lösung vor, dass für jeden Belichtungsstrahl eine eigene Strahlungsquelle vorgesehen ist.Thus, an advantageous solution provides that a separate radiation source is provided for each exposure beam.

Vorzugsweise ist dabei die Strahlungsquelle ein Laser, insbesondere ein Halbleiterlaser.Preferably, the radiation source is a laser, in particular a semiconductor laser.

Zur Führung der Strahlung aus der jeweiligen Strahlungswelle ist vorzugsweise vorgesehen, dass jede der Strahlungsquellen mit einer eigenen Strahlformungsoptik für die austretende Strahlung versehen ist.To guide the radiation from the respective radiation wave, it is preferably provided that each of the radiation sources is provided with its own beam-shaping optical system for the emerging radiation.

Insbesondere ist dabei für jeden Belichtungsstrahl eine eigene Strahlformungsoptik vorgesehen.In particular, a separate beam-shaping optical unit is provided for each exposure beam.

Ferner ist auch hinsichtlich der Strahlformungsoptiken vorgesehen, dass die Strahlformungsoptiken für die Belichtungsstrahlen eines jeden Belichtungsstrahlensatzes identisch sind.Furthermore, with regard to the beam shaping optics, it is also provided that the beam shaping optics for the exposure beams of each exposure beam set are identical.

Vorzugsweise sind bei einer vorteilhaften Ausbildung der Belichtungsanlage Strahlformungsoptiken anamorphotisch ausgebildet.Preferably, in an advantageous embodiment of the exposure system beam-forming optics are formed anamorphic.

Dies eröffnet die Möglichkeit, die Strahlformungsoptiken derart anamorphotisch auszubilden, dass die Belichtungsflecken im Wesentlichen rund, insbesondere rotationssymmetrisch, sind.This opens up the possibility of forming the beam shaping optics anamorphic in such a way that the exposure spots are substantially round, in particular rotationally symmetrical.

Bei einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform der Belichtungsanlage sind die Strahlungsquellen für jeden der Belichtungsstrahlensätze jeweils in einer Reihe angeordnet und die Reihen der Strahlungsquellen sind im Abstand voneinander angeordnet.In a further advantageous embodiment of the exposure apparatus, the radiation sources for each of the exposure ray sets are each arranged in a row and the rows of radiation sources are arranged at a distance from each other.

Diese Anordnung ist besonders raumsparend, wenn die Reihen der Strahlungsquellen parallel zueinander verlaufen.This arrangement is particularly space-saving, if the rows of radiation sources are parallel to each other.

Noch günstiger ist es, wenn die Reihen parallel zu der Reihenrichtung verlaufen.It is even better if the rows run parallel to the row direction.

Zur vorteilhaften Ablenkung der Belichtungsstrahlen ist vorgesehen, dass die Belichtungsstrahlensätze durch mindestens eine Umlenkeinheit in eine gemeinsame Ausbreitungsebene umgelenkt werden.For the advantageous deflection of the exposure beams it is provided that the exposure beam sets are deflected by at least one deflection unit into a common propagation plane.

Um die mindestens eine Umlenkeinheit günstig anzuordnen, ist die mindestens eine Umlenkeinheit durch einen Umlenkkamm für die Belichtungsstrahlen eines der Belichtungsstrahlensätze gebildet.In order to arrange the at least one deflection unit favorably, the at least one deflection unit is formed by a deflection comb for the exposure beams of one of the exposure ray sets.

Ferner ist für jeden Belichtungsstrahl eine eigene Fokussierungsoptik vorgesehen.Furthermore, a separate focusing optics is provided for each exposure beam.

Damit lässt sich die jeweilige Fokussierungsoptik einerseits optimal justieren und andererseits optimal abgestimmt auf die jeweilige Wellenlänge des Belichtungsstrahlensatzes ausbilden.On the one hand, this allows the respective focusing optics to be optimally adjusted and, on the other hand, to be optimally tuned to the respective wavelength of the exposure radiation set.

Insbesondere ist vorgesehen, dass die Fokussierungsoptiken für die Belichtungsstrahlen des jeweiligen Belichtungsstrahlensatzes identisch sind, so dass eine Optimierung der Fokussierungsoptiken insbesondere auch im Hinblick auf die Wellenlänge des jeweiligen Belichtungsstrahlensatzes möglich ist.In particular, it is provided that the focusing optics for the exposure beams of the respective exposure beam set are identical, so that an optimization of the focusing optics is possible, in particular also with regard to the wavelength of the respective exposure beam set.

Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung sind Gegenstand der nachfolgenden Beschreibung sowie der zeichnerischen Darstellung eines Ausführungsbeispiels.Further features and advantages of the invention are the subject of the following description and the drawings of an embodiment.

In der Zeichnung zeigen:

  • 1 eine schematische perspektivische Darstellung eines ersten Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Belichtungsanlage;
  • 2 eine ausschnittsweise vergrößerte Darstellung eines auf einem Objektträger angeordneten Objekts mit einer fotosensitiven Schicht und gegebenenfalls in dieser zu erzeugenden Strukturen;
  • 3 eine ausschnittsweise schematische Darstellung zweier Ablenkeinheiten mit diesen zugeordneten Belichtungseinheiten;
  • 4 einen Schnitt längs Linie 4-4 in 3;
  • 5 eine schematische vergrößerte Darstellung einer Funktion einer der Ablenkungseinheit in 3 mit dem Wandern der Belichtungsstrahlen in Ablenkrichtung;
  • 6 eine schematische ausschnittsweise Darstellung eines Teilbereichs eines Belichtungsbereichs, in welchem Belichtungsflecken erzeugbar sind;
  • 7 eine Schnittdarstellung ähnlich 5 mit Darstellung von zwei Strahlungsquellensätzen längs Linie 7-7 in 4;
  • 8 eine Schnittdarstellung ähnlich Fig. 7 längs Linie 8-8 in 4;
  • 9 eine vergrößerte ausschnittsweise Darstellung von durch die Belichtungsstrahlenstütze einer Belichtungseinheit erzeugbaren Belichtungsfleckpositionen und Belichtungsflecken;
  • 10 eine Darstellung der von einem Belichtungsstrahlensatz erzeugbaren Belichtungsfleckpositionen ähnlich 6 bei mehreren Belichtungseinheiten und
  • 11 eine schematische vergrößerte Darstellung von nebeneinanderliegend angeordneten Belichtungseinheiten der Belichtungseinrichtung mit den zugeordneten Ablenkungseinheiten.
In the drawing show:
  • 1 a schematic perspective view of a first embodiment of an exposure system according to the invention;
  • 2 a fragmentary enlarged view of an object disposed on a slide object with a photosensitive layer and optionally in these structures to be produced;
  • 3 a fragmentary schematic representation of two deflection units with these associated exposure units;
  • 4 a section along line 4-4 in 3 ;
  • 5 a schematic enlarged view of a function of the deflection unit in 3 with the traveling of the exposure beams in deflection direction;
  • 6 a schematic partial view of a portion of an exposure area in which exposure spots can be generated;
  • 7 a sectional view similar 5 with representation of two radiation source sets along line 7-7 in 4 ;
  • 8th a sectional view similar to FIG. 7 along line 8-8 in 4 ;
  • 9 an enlarged fragmentary view of exposure spot positions and exposure spots that can be generated by the exposure beam support of an exposure unit;
  • 10 a representation of the exposure spot positions that can be generated by an exposure beam set is similar 6 at several exposure units and
  • 11 a schematic enlarged view of juxtaposed exposure units of the exposure device with the associated deflection units.

Ein erstes Ausführungsbeispiel einer in 1 dargestellten Belichtungseinrichtung umfasst eine als Ganzes mit 10 bezeichnete Maschinenbasis, welche eine Führung 12 aufweist, längs welcher ein Objektträger 14 in Richtung einer Vorschubrichtung 16 einerseits bewegbar geführt ist und andererseits durch Antriebe, beispielsweise Linearantriebe, vorzugsweise positionsgenau bewegbar ist.A first embodiment of an in 1 Illustrated exposure device comprises a generally designated 10 machine base, which is a guide 12 along which a slide 14 in the direction of a feed direction 16 on the one hand is movably guided and on the other hand by means of drives, such as linear actuators, preferably positionally accurate movable.

Die Führung 12 ist dabei beispielsweise auf einer einer Standfläche 18 abgewandten Seite der Maschinenbasis 10 angeordnet und führt den Objektträger 14 derart, dass auf dessen der Maschinenbasis 10 abgewandter Oberseite 20, wie in 2 dargestellt, ein Objekt 22 auflegbar und fixierbar ist, das auf seiner dem Objektträger 14 wiederum abgewandten Seite mit einer fotosensitiven Schicht 24 versehen ist, in welcher durch eine geeignete Belichtung Strukturen 26 durch optische Umwandlung des Materials der fotosensitiven Schicht 24 erzeugbar sind.The leadership 12 is for example on one of a stand area 18 opposite side of the machine base 10 arranged and guides the slide 14 such that on the machine base 10 facing away from the top 20 , as in 2 represented an object 22 can be placed and fixed on its slide 14 turn away side with a photosensitive layer 24 is provided, in which by a suitable exposure structures 26 by optical conversion of the material of the photosensitive layer 24 can be generated.

Beispielsweise dienen derartige Strukturen 26 dazu, einzelne Bereiche einer Schicht 28, beispielsweise einer Kupferschicht 28 des Objekts 22 selektiv abzudecken, um dann im Rahmen beispielsweise eines Ätzvorgangs die Schicht 28 an den Stellen, an denen sie nicht durch die Strukturen 26 abgedeckt ist, abzutragen, so dass die Schicht 28 lediglich in den Bereichen, in denen sie durch die Strukturen 26 abgedeckt ist, bestehen bleibt.For example, such structures are used 26 to, individual areas of a layer 28 , For example, a copper layer 28 of the object 22 selectively cover, then in the context of, for example, an etching process, the layer 28 in the places where they are not through the structures 26 covered, remove, leaving the layer 28 only in the areas where they pass through the structures 26 is covered, persists.

Das Herstellen der in 2 dargestellten Strukturen 26 durch optische Umwandlung der fotosensitiven Schicht 24 erfolgt durch eine als Ganzes mit 30 bezeichnete Belichtungseinrichtung, die in einer quer zur Vorschubrichtung 16 verlaufenden Stellrichtung 31 bewegbar und positionierbar an einer Brücke 32 angeordnet ist, welche sich beidseits der Führung 12 auf der Maschinenbasis 10 abstützt und sich im Übrigen über die Führung 12 hinwegerstreckt.Making the in 2 represented structures 26 by optical conversion of the photosensitive layer 24 is effected by an exposure device designated as a whole by 30, which in a direction of movement extending transversely to the feed direction 16 31 movable and positionable on a bridge 32 is arranged, which is located on both sides of the guide 12 on the machine base 10 supports and, moreover, about the leadership 12 hinwegerstreckt.

Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist es mit der erfindungsgemäßen Belichtungseinrichtung 30 möglich, bei einer einmaligen Bewegung des Objektträgers 14 mit dem Objekt 22 und der auf diesem angeordneten fotosensitiven Schicht 24 die fotosensitive Schicht im Zuge dieser einmaligen Bewegung der fotosensitiven Schicht 24 in der Vorschubrichtung 16 innerhalb eines Strukturenbereichs 34 alle in diesem Strukturenbereich 34 vorgesehenen Strukturen 26 durch Belichtung herzustellen, wobei die Belichtungseinrichtung 30 in der Lage ist, im Zuge der einmaligen Bewegung der fotosensitiven Schicht 24 in der Vorschubrichtung 16 den Strukturenbereich 34 sowohl in seiner Längsrichtung 36 als auch in seiner Querrichtung 38 in einem Zuge zu belichten, um sämtliche innerhalb des Strukturenbereichs 34 vorgesehenen und geforderten Strukturen 26 herzustellen, ohne dass es weiterer Bewegungen des Objektträgers 14 in der Vorschubrichtung 16 bedarf.In the illustrated embodiment, it is with the exposure device according to the invention 30 possible, with a single movement of the slide 14 with the object 22 and the photosensitive layer disposed thereon 24 the photosensitive layer in the course of this one-time movement of the photosensitive layer 24 in the feed direction 16 within a structural area 34 all in this structural area 34 provided structures 26 by exposure, wherein the exposure means 30 is capable of, in the course of the one-time movement of the photosensitive layer 24 in the feed direction 16 the structure area 34 both in its longitudinal direction 36 as well as in its transverse direction 38 to expose in one go to all within the structural area 34 provided and required structures 26 produce without further movements of the slide 14 in the feed direction 16 requirement.

Um innerhalb dieses Strukturenbereichs 34 alle erforderlichen Strukturen 26 erzeugen zu können, sind innerhalb eines der Belichtungseinrichtung 30 zugeordneten Belichtungsbereichs 40, dargestellt in 1 und teilweise in 4 bis 10, einzelne Belichtungsflecken 42 erzeugbar, welche derart innerhalb des Belichtungsbereichs 40 angeordnet sind, dass die Summe aller in dem Belichtungsbereich 40 vorhandenen Belichtungsflecken 42 all diejenigen Belichtungsflecken 42 umfasst, die erforderlich sind, um in der Querrichtung 38 eine sich über die gesamte Ausdehnung des Strukturenbereichs 34 in der Querrichtung 38 erstreckende linienförmige Struktur zu erzeugen, die in der Querrichtung 38 ununterbrochen durchgängig ist, wozu die Belichtungsflecken 42 so anzuordnen sind, dass diese sich in der Querrichtung 38 aufeinanderfolgende Belichtungsflecken 42 überlappen.To within this structural area 34 all necessary structures 26 to be able to generate are within one of the exposure device 30 associated exposure range 40 represented in 1 and partly in 4 to 10 , single exposure spots 42 which can be generated within the exposure range 40 are arranged that the sum of all in the exposure area 40 existing exposure spots 42 all those exposure spots 42 includes, which are required to move in the transverse direction 38 one over the entire extent of the structure area 34 in the transverse direction 38 to generate extending linear structure in the transverse direction 38 is continuous without interruption, including the exposure spots 42 to be arranged so that they are in the transverse direction 38 successive exposure spots 42 overlap.

Das heißt mit anderen Worten, dass die innerhalb des Belichtungsbereichs 40 erzeugbaren Belichtungsflecken 42 eine derartige Größe haben und derart angeordnet sind, dass mit diesen unter Berücksichtigung der Bewegung des Objekts 22 in der Vorschubrichtung 16 flächendeckend im gesamten Strukturbereich 34 der fotosensitiven Schicht 24 im Rahmen der durch die flächenhafte Ausdehnung der Belichtungsflecken 42 in der Längsrichtung 36 und der Querrichtung 38 bedingten Auflösung sämtliche mögliche Strukturen 26 erzeugbar sind.In other words, that's within the exposure range 40 producible exposure spots 42 have such a size and are arranged such that with these in consideration of the movement of the object 22 in the feed direction 16 nationwide in the entire structural area 34 the photosensitive layer 24 in the context of the areal extent of the exposure spots 42 in the longitudinal direction 36 and the transverse direction 38 conditional resolution all possible structures 26 can be generated.

Es ist aber auch bei einer Abwandlung des ersten Ausführungsbeispiels denkbar, den Objektträger 14 einmal in einer Richtung der Vorschubrichtung 16 zu bewegen und ein andermal entgegengesetzt hierzu, so dass ausgehend von einer in 1 dargestellten Ausgangsstellung eine Hin- und Zurückbewegung des Objektträgers 14 zur gewünschten umfassenden Belichtung im Strukturenbereich 34 führt, so dass es beispielsweise denkbar wäre, im Zuge einer Bewegung in Richtung der Vorschubrichtung 16 in der Querrichtung 38 gesehen in einer ersten Stellung der Belichtungseinrichtung 30 in der Stellrichtung 31 die Hälfte des Strukturenbereichs 34 durch einen kleiner gewählten Belichtungsbereich 40 zu belichten und nach einer Verschiebung der Belichtungseinrichtung 30 mitsamt dem dieser zugeordneten Belichtungsbereich 40 in der Stellrichtung 31 in eine zweite Stellung im Gegenzug dazu die andere Hälfte.But it is also conceivable in a modification of the first embodiment, the slide 14 once in one direction of the feed direction 16 to move and at other times contrary to this, so starting from an in 1 shown starting position a back and forth movement of the slide 14 for the desired comprehensive exposure in the structural area 34 leads, so that it would be conceivable, for example, in the course of a movement in the direction of the feed direction 16 in the transverse direction 38 seen in a first position of the exposure device 30 in the direction of adjustment 31 half of the structure area 34 through a small selected exposure range 40 to expose and after a shift of the exposure device 30 together with the associated exposure range 40 in the direction of adjustment 31 in a second position in return to the other half.

Um innerhalb des Belichtungsbereichs 40 die zur Schaltung der Strukturen 26 erforderlichen Belichtungsflecken 42 mit der erforderlichen Anzahl und Lage erzeugen zu können, sind, wie in 3 dargestellt, in der Belichtungseinrichtung 30 mehrere Belichtungseinheiten 50a, 50b, etc. vorgesehen, von denen jede, wie schematisch in 4 dargestellt, eine Reihe von in einer Reihenrichtung 53 aufeinanderfolgend und im Abstand voneinander angeordneten Strahlungsaustrittsbereichen 54 aufweist, aus denen jeweils divergente Belichtungsstrahlen 56 austreten, die durch Strahlenformungsoptiken 58 in kollimierte Belichtungsstrahlen 60 umgeformt werden, wobei dann die kollimierten Belichtungsstrahlen 60, wie in 4 und 5 dargestellt, durch eine Umlenkeinheit 62 quer zu ihrer Ausbreitungsrichtung umgelenkt werden, wobei die Belichtungsstrahlen 60 auf eine in 3 und 5 dargestellte Ablenkeinheit 70 mit einem Ablenkelement 72 trifft, das, wie in 5 dargestellt, die kollimierten Belichtungsstrahlen 60 in einer Ablenkrichtung 74 quer zu der Reihenrichtung 53 wandernde Belichtungsstrahlen 66 umlenkt.To within the exposure range 40 to the circuit of the structures 26 required exposure spots 42 with the required number and Being able to generate position are, as in 3 shown in the exposure device 30 several exposure units 50a . 50b , etc., each of which, as shown schematically in 4 shown a series of in a row direction 53 successive and spaced apart radiation exit areas 54 has, from each of which divergent exposure beams 56 emerge through the beam shaping optics 58 in collimated exposure beams 60 be transformed, in which case the collimated exposure beams 60 , as in 4 and 5 represented by a deflection unit 62 be deflected transversely to its direction of propagation, the exposure beams 60 on an in 3 and 5 shown deflection unit 70 with a deflector 72 that meets, as in 5 shown, the collimated exposure beams 60 in a deflection direction 74 transverse to the row direction 53 wandering exposure rays 66 deflects.

Die Ablenkeinheit 70 umfasst als Ablenkelement 72 beispielsweise einen Spiegelkörper 80, der rotationssymmetrisch zu einer Achse 82 angeordnete und sich parallel zur Achse 82 erstreckende Spiegelflächen 84 aufweist, die vorzugsweise mantelseitig des Spiegelkörpers 80 angeordnet sind (5).The deflection unit 70 includes as a deflecting element 72 for example, a mirror body 80 , which is rotationally symmetric to an axis 82 arranged and parallel to the axis 82 extending mirror surfaces 84 has, preferably the shell side of the mirror body 80 are arranged ( 5 ).

Vorzugsweise grenzen die Spiegelflächen 84 in Umfangsrichtung 85 im Wesentlichen aneinander an und erstrecken sich in ihrer parallel zur Achse 82 verlaufenden Längsrichtung 86 sowie in ihrer Querrichtung 88 über dieselbe Länge bzw. Breite, so dass alle Spiegelflächen 84 dieselbe Ausdehnung aufweisen (5).Preferably, the mirror surfaces border 84 in the circumferential direction 85 essentially abut each other and extend in their parallel to the axis 82 extending longitudinal direction 86 as well as in their transverse direction 88 over the same length or width, so that all mirror surfaces 84 have the same extent ( 5 ).

Darüber hinaus sind alle Spiegelflächen 84 ebene Flächen, so dass der Spiegelkörper 80 im einfachsten Fall eine Querschnittsfläche aufweist, die der eines regelmäßigen Vielecks entspricht, wobei die Zahl der Spiegelflächen 84 beispielsweise größer als 4 und kleiner als 100 ist.In addition, all mirror surfaces 84 flat surfaces, so that the mirror body 80 in the simplest case has a cross-sectional area corresponding to that of a regular polygon, wherein the number of mirror surfaces 84 for example, greater than 4 and less than 100.

Eine bevorzugte Ausführung sieht vor, dass die Zahl der Spiegelflächen 84 größer als 30 und kleiner als 50 ist.A preferred embodiment provides that the number of mirror surfaces 84 greater than 30 and less than 50.

Jede der Spiegelflächen 84 reflektiert mit jeweils einem Spiegelflächenbereich 89 jeweils einen von der Umlenkeinheit 62 umgelenkten kollimierten Belichtungsstrahl 60 entsprechend der jeweiligen Drehstellung des Spiegelkörpers 80 derart, dass, wie in 5 und 6 dargestellt, in einer ersten Stellung der Spiegelfläche 84 beispielsweise der erste wandernde Belichtungsstrahl 66 einen Belichtungsfleck 42X1 in einer ersten Belichtungsfleckposition 90X1, erzeugt, der dann in Richtung der Ablenkrichtung 74 über eine Ablenkungsstrecke AS weiter wandert bis zu einer letzten N-ten Belichtungsfleckposition 90XN, die der Stellung der jeweiligen Spiegelfläche 84 entspricht, in welcher der kollimierte Belichtungsstrahl 60X noch auf einen aktiv genutzten Bereich der Spiegelfläche 84 auftrifft und somit noch von dieser zur Erzeugung des der letzten Belichtungsfleckposition 90XN zugeordneten Belichtungsflecks 42XN reflektiert wird.Each of the mirror surfaces 84 each reflects one of the deflection unit, each with a mirror surface area 89 62 deflected collimated exposure beam 60 according to the respective rotational position of the mirror body 80 such that, as in 5 and 6 shown in a first position of the mirror surface 84 for example, the first traveling exposure beam 66 an exposure spot 42 X1 in a first exposure spot position 90 X1 , which is then in the direction of the deflection 74 via a deflection distance AS continues to migrate up to a last Nth exposure spot position 90 XN , the position of the respective mirror surface 84 corresponds to, in which the collimated exposure beam 60 X still on an actively used area of the mirror surface 84 is incident and thus still from this for generating the last exposure spot position 90 XN associated exposure spot 42 XN is reflected.

Ein Weiterdrehen des Spiegelkörpers 80 in der Drehrichtung 92 führt dann dazu, dass der Belichtungsstrahl 60X auf den aktiv genutzten Bereich der nächsten Spiegelfläche 84 auftrifft, die dann den Belichtungsstrahl 60X wiederum so in den wandernden Belichtungsstrahl 66X reflektiert, dass dieser wiederum den Belichtungsfleck 42X1 in der ersten Belichtungsfleckposition 90X1 erzeugt.Further rotation of the mirror body 80 in the direction of rotation 92 then causes the exposure beam 60X to the actively used area of the next mirror surface 84 which in turn then reflects the exposure beam 60 X into the traveling exposure beam 66 X , which in turn generates the exposure spot 42 X1 in the first exposure spot position 90 X1 .

Somit führt die ständige Rotation des Spiegelkörpers 80 um die Achse 82 zu einer ständigen Wanderung der von einem Belichtungsstrahl 66x erzeugten Belichtungsflecken 42X1 von der ersten Belichtungsfleckposition 90x1 bis zur letzten N-ten Belichtungsfleckposition 90xN über die Ablenkungsstrecke AS auf der fotosensitiven Schicht 24.Thus, the constant rotation of the mirror body leads 80 around the axis 82 to a constant migration of the exposure spots 42 X1 generated by an exposure beam 66 x from the first exposure spot position 90 x 1 to the last N th exposure spot position 90 x N via the deflection path AS on the photosensitive layer 24 ,

Damit besteht die Möglichkeit, im Bereich der Ablenkungsstrecke AS längs der Ablenkrichtung 74 durch die Belichtungsflecken 42x in definiert wählbaren Belichtungsfleckpositionen 90xy eine Belichtung der fotosensitiven Schicht 24 durchzuführen, und zwar dann, wenn der jeweilige Belichtungsfleck 42xy in der jeweiligen Belichtungsfleckposition 90xy steht, wobei nur in dieser Stellung auf der fotosensitiven Schicht 24 durch Aktivieren des jeweiligen Belichtungsstrahls 66x, das heißt beispielsweise Einschalten der dem Strahlungsaustritt 54x zugeordneten Strahlungsquelle, eine Belichtung mit ausreichender Intensität erfolgt, durch welche eine fotochemische Umwandlung in der fotosensitiven Schicht 24 im Bereich dieses Belichtungsflecks 42xy erreichbar ist.This makes it possible in the region of the deflection distance AS along the deflection direction 74 an exposure of the photosensitive layer through the exposure spots 42 x in defined selectable exposure spot positions 90 xy 24 when the respective exposure spot 42 xy is in the respective exposure spot position 90 xy , only in this position on the photosensitive layer 24 By activating the respective exposure beam 66 x , that is, for example, switching on the radiation source 54 x associated radiation source, an exposure with sufficient intensity takes place, by which a photochemical conversion in the photosensitive layer 24 42 xy can be reached in the area of this exposure spot .

Ist in den übrigen Belichtungsfleckpositionen 90xy innerhalb der Ablenkungsstrecke ASx keine Belichtung der fotosensitiven Schicht 24 vorgesehen, so wird die dem jeweiligen Strahlungsaustritt 54x zugeordnete Strahlungsquelle beim Durchlaufen dieser übrigen Belichtungsfleckpositionen 90xy nicht eingeschaltet oder mit einer Intensität betrieben, die zu keiner fotochemischen Umwandlung der fotosensitiven Schicht 24 im Bereich des jeweiligen Belichtungsflecks 42xy führen kann.Is no exposure of the photosensitive layer in the remaining exposure spot positions 90 xy within the deflection distance AS x 24 provided, the radiation source associated with the respective radiation exit 54 x is not switched on when passing through these remaining exposure spot positions 90 xy or operated at an intensity which does not lead to photochemical conversion of the photosensitive layer 24 42 xy in the area of the respective exposure spot .

Zur Fokussierung der wandernden Belichtungsstrahlen 66 auf die fotosensitive Schicht 24 und somit zur Einstellung der Ausdehnung der von den jeweiligen wandernden Belichtungsstrahlen 66 erzeugten Belichtungsflecken 42 ist zwischen der Ablenkeinheit 70 und der fotosensitiven Schicht 24 noch eine optische Einheit 100 vorgesehen, welche für jeden der Belichtungsstrahlen 66 eine eigene Abbildungsoptik 104, beispielsweise in Form eines Linsensystems, aufweist, durch welche der jeweilige wandernde Belichtungsstrahl 66 fokussiert wird und damit den jeweiligen Belichtungsfleck 42x mit einer definierten Größe des Belichtungsflecks 42x sowie einer definierten Intensitätsverteilung im Belichtungsfleck 42x auf die fotosensitive Schicht 24 bildet.For focusing the traveling exposure beams 66 on the photosensitive layer 24 and thus for adjusting the extension of the respective traveling exposure rays 66 generated exposure spots 42 is between the deflection unit 70 and the photosensitive layer 24 another optical unit 100 provided, which for each of the exposure beams 66 a separate imaging optics 104 , For example in the form of a lens system, through which the respective wandering exposure beam 66 is focused and thus the respective exposure spot 42 x with a defined size of the exposure spot 42 x and a defined intensity distribution in the exposure spot 42 x on the photosensitive layer 24 forms.

Insbesondere sind vorteilhafte Abbildungseigenschaften der Abbildungsoptik 104 dann gegeben, wenn der mittlere Abstand zwischen dem wirksamen Spiegelflächenbereich 89 der Spiegelfläche 74 ungefähr der Brennweite f der Abbildungsoptik 104 entspricht, so dass die Abbildungsverhältnisse für den wandernden Belichtungsstrahl aufgrund der telezentrischen Optik im Wesentlichen identisch sind und somit auch die Belichtungsflecken 42x im Wesentlichen dieselbe Größe und im Wesentlichen dieselbe Intensitätsverteilung aufweisen (5).In particular, advantageous imaging properties of the imaging optics 104 are given when the average distance between the effective mirror surface area 89 the mirror surface 74 approximately the focal length f of the imaging optics 104 so that the imaging ratios for the traveling exposure beam due to the telecentric optics are substantially identical, and thus also the exposure spots 42 x have substantially the same size and substantially the same intensity distribution ( 5 ).

Ferner ist vorzugsweise vorgesehen, dass auch der Abstand zwischen der Abbildungsoptik 104 und der zu belichtenden fotosensitiven Schicht 24 ungefähr der Brennweite f der Abbildungsoptik 104 entspricht (5), um eine optimale Fokussierung des jeweiligen Belichtungsstrahls 66 im Belichtungsfleck 42 auf der fotosensitiven Schicht 24 zu erhalten.Furthermore, it is preferably provided that the distance between the imaging optics 104 and the photosensitive layer to be exposed 24 approximately the focal length f of the imaging optics 104 corresponds to 5 ) for optimal focusing of the respective exposure beam 66 in the exposure spot 42 on the photosensitive layer 24 to obtain.

Erfindungsgemäß sind, wie insbesondere in den 4 sowie 6 und 7 dargestellt, jeder der Belichtungseinheiten 50 zwei Sätze von Strahlungsquellen zugeordnet, die Belichtungsstrahlensätze 63a, in 4 mit durchgezogenen Linien gekennzeichnet, und 63b, in 4 mit gestrichelten Linien gekennzeichnet, mit unterschiedlicher Wellenlänge der Strahlung erzeugen.According to the invention, as in particular in the 4 and 6 and 7, each of the exposure units 50 associated with two sets of radiation sources, the exposure ray sets 63a , in 4 marked with solid lines, and 63b, in 4 characterized by dashed lines, with different wavelengths of radiation.

So umfasst beispielsweise ein erster Belichtungsstrahlensatz 63a in der Reihenrichtung 53 aufeinanderfolgende Belichtungsstrahlen 66a1 bis 66an einer ersten Wellenlänge λa, die beispielsweise bei Werten von 400 nm oder größer, maximal jedoch 450 nm, liegt, und ein zweiter Belichtungsstrahlensatz 63b in der Reihenrichtung 53 aufeinanderfolgende Belichtungsstrahlen 60b1 bis 60bn einer zweiten Wellenlänge λb die beispielsweise bei Werten von kleiner 400 nm, mindestens jedoch 300 nm, liegt.For example, a first set of exposure radiation includes 63a in the row direction 53 successive exposure beams 66a 1 to 66 at a first wavelength λa, which is, for example, at values of 400 nm or greater, but at most 450 nm, and a second exposure beam set 63b in the row direction 53 successive exposure beams 60b1 to 60bn of a second wavelength λb which is, for example, at values of less than 400 nm, but at least 300 nm.

Dabei ist der zweite Belichtungsstrahlensatz 63b relativ zum ersten Belichtungsstrahlensatz 63a in der Reihenrichtung 53 versetzt angeordnet (4), so dass beispielsweise der Versatz V des zweiten Belichtungsstrahlensatzes 63b relativ zum ersten Belichtungsstrahlensatz 63a einem ungeraden ganzzahligen Vielfachen eines halben Werts des Abstandes aufeinanderfolgender kollimierter Belichtungsstrahlen 60a des ersten Belichtungsstrahlensatzes 63a in der Reihenrichtung 53 entspricht, wobei der Abstand der zweiten kollimierten Belichtungsstrahlen 60b des zweiten Belichtungsstrahlensatzes 63b in der Reihenrichtung 53 identisch ist mit dem Abstand der ersten Belichtungsstrahlen 66a des ersten Belichtungsstrahlensatzes 63a in der Reihenrichtung 53.Here is the second exposure beam set 63b relative to the first exposure beam set 63a in the row direction 53 staggered ( 4 ), so that, for example, the offset V of the second exposure beam set 63b relative to the first exposure beam set 63a an odd integer multiple of half the value of the distance of successive collimated exposure beams 60a of the first exposure ray set 63a in the row direction 53 corresponds, wherein the distance of the second collimated exposure beams 60b of the second exposure ray set 63b in the row direction 53 is identical to the distance of the first exposure beams 66a of the first exposure ray set 63a in the row direction 53 ,

Bei der Anordnung der Strahlungsquellen zur Erzeugung des ersten Belichtungsstrahlensatzes 63a und des zweiten Belichtungsstrahlensatzes 63b ist vorzugsweise, wie in 7 dargestellt, vorgesehen, dass erste Strahlungsquellen 110a eines ersten Strahlungsquellensatzes lila für die Erzeugung des ersten Belichtungsstrahlungssatzes 63a in einer parallel zur Reihenrichtung 53 verlaufenden Reihe 112a angeordnet sind und zweite Strahlungsquellen 110b eines zweiten Strahlungsquellensatzes 111b für die Erzeugung des zweiten Belichtungsstrahlungssatzes 63b in einer parallel zur Reihenrichtung 53 und quer zur Reihenrichtung 53 relativ zur Reihe 112a versetzt verlaufenden Reihe 112b angeordnet sind.In the arrangement of the radiation sources for generating the first exposure beam set 63a and the second exposure beam set 63b is preferably as in 7 illustrated, provided that first radiation sources 110a a first radiation source set lilac for the generation of the first exposure radiation set 63a in a direction parallel to the row direction 53 running row 112a are arranged and second radiation sources 110b a second radiation source set 111b for the generation of the second exposure radiation set 63b in a direction parallel to the row direction 53 and across the row direction 53 relative to the series 112a offset row 112b are arranged.

Jede der Strahlungsquellen 110a, 110b umfasst ihrerseits beispielsweise eine Laserdiode 113a, 113b die den jeweiligen Strahlungsaustrittsbereich 54a, 54b bildet, aus welchem die entsprechenden Belichtungsstrahlen 56a, 56b austreten und jeder der Laserdioden 113a, 113b ist die jeweilige Strahlformungsoptik 58a, 58b zugeordnet.Each of the radiation sources 110a . 110b In turn, for example, includes a laser diode 113a . 113b the the respective radiation exit area 54a . 54b forms, from which the corresponding exposure beams 56a . 56b leak out and each of the laser diodes 113a . 113b is the respective beam shaping optics 58a . 58b assigned.

Vorzugsweise ist dabei die jeweilige Strahlformungsoptik 58a, 58b anamorphotisch ausgebildet, um, ausgehend von dem nicht rotationssymmetrischen Strahlungsquerschnitt in den Strahlungsaustrittsbereichen 54a, 54b, eine runde, insbesondere eine optimale rotationssymmetrische Strahlquerschnittsform des jeweiligen Belichtungsflecks 42a, 42b zu erreichen.In this case, the respective beam-shaping optical system is preferred 58a . 58b Anamorphotically formed to, starting from the non-rotationally symmetrical radiation cross section in the radiation exit regions 54a, 54b, a round, in particular an optimal rotationally symmetric beam cross-sectional shape of the respective exposure spot 42a . 42b to reach.

Um die kollimierten Belichtungsstrahlen 60a und 60b im Wesentlichen in derselben Ausbreitungsebene zu führen und somit mit im Wesentlichen derselben Ausbreitungsrichtung auf die gemeinsame Umlenkeinheit 62 auftreffen zu lassen, ist vorzugsweise einem der Strahlungsquellensätze lila, 111b, beispielsweise dem Strahlungsquellensatz 111b, ein Umlenkkamm 114 zugeordnet, der für jeden der kollimierten Belichtungsstrahlen 60b eine parallelversetzende Umlenkeinheit 115 aufweist, die zwischen dem kollimierten Belichtungsstrahlen 60a des ersten Belichtungsstrahlensatzes 63a liegt, wobei die einzelnen Umlenkeinheiten 115 an einem gemeinsamen Träger 116 gehalten sind.Around the collimated exposure beams 60a and 60b essentially in the same propagation plane and thus with essentially the same propagation direction to the common deflection unit 62 is preferably one of the radiation source sets lila, 111b, for example, the radiation source set 111b , a diverting comb 114 associated with each of the collimated exposure beams 60b a parallel displacement diverting unit 115 which is between the collimated exposure beams 60a of the first exposure ray set 63a lies, with the individual deflection units 115 held on a common carrier 116.

Alternativ zum Vorsehen der Umlenkeinheit 115 ist es aber auch denkbar die Umlenkeinheit 62 so zu modifizieren, dass diese für die ersten kollimierten Belichtungsstrahlen 60a und für die zweiten kollimierten Belichtungsstrahlen 60b jeweils ein unterschiedliches Umschwenkverhalten zeigt, um die ersten Belichtungsstrahlen 60a und die zweiten Belichtungsstrahlen 60b so umzulenken, dass diese durch die optische Einheit 100 so abgebildet werden können, dass jeder der wandernden Belichtungsstrahlen 66a, 66b den entsprechenden Belichtungsfleck 42a, b erzeugt.Alternatively to providing the deflection unit 115 But it is also conceivable the deflection unit 62 to modify them for the first collimated exposure beams 60a and for the second collimated exposure beams 60b, respectively, a different swirling behavior is exhibited around the first exposure beams 60a and the second exposure beams 60b to redirect that through the optical unit 100 so that each of the traveling exposure beams can be imaged 66a . 66b the appropriate exposure spot 42a , b generated.

Um nicht nur innerhalb der Ablenkungsstrecke AS die einzelnen Belichtungsflecken 42x, erzeugt durch einen der Belichtungsstrahlensätze 63a oder 63b, in den einzelnen Belichtungsfleckpositionen 90x so positionieren zu können, dass diese - für die Herstellung zusammenhängender, sich mindestens mit einer Komponente in der Querrichtung erstreckender Strukturen 26, einander überlappen, um die zusammenhängende Struktur 26 aus einer Vielzahl der einzelnen Belichtungsflecken 42a, 42b mit derselben Wellenlänge λa und/oder der zweiten Wellenlänge λb erzeugen zu können, sondern um auch die Belichtungsflecken 42, die durch in der Reihenrichtung 53 aufeinanderfolgende Belichtungsstrahlen 66ax, 66bx+1, 66a(x+1), 66b(x+1) des jeweiligen Belichtungsstrahlensatzes 63a oder 63b erzeugbar sind, überlappend anzuordnen, verläuft (wie in 9 dargestellt), die Reihenrichtung 53 relativ zur Vorschubrichtung 16 in einem Winkel α so, dass eine zur Vorschubrichtung 16 parallele Referenzgerade RG durch die letzte Belichtungsfleckposition 90XN des Belichtungsstrahls 66aX oder 66bx des jeweiligen Belichtungsstrahlensatzes 63a, 63b den ersten Belichtungsfleck 42a(x+1)1 in der ersten Belichtungsfleckposition 90(x+1)1 des in der Reihenrichtung 53 nächstfolgenden Belichtungsstrahls 66ax+1 beziehungsweise 66b(x+1)1 desselben Belichtungsstrahlensatzes 63a, 63b tangiert, vorzugsweise schneidet, so dass bei dem jeweiligen Belichtungsstrahlensatz 63a oder 63b durch Bewegung des letzten Belichtungsflecks 42aXN beziehungsweise 42bXN in der Vorschubrichtung 16 bis zur Vorschubposition des ersten Belichtungsflecks 42a(x+1)1 beziehungsweise 42b(x+1)1 des nächstfolgenden Belichtungsstrahls 66a(x+1) beziehungsweise 66b(x+1) die beiden Belichtungsflecke 42aXN und 42a(x+1)1 beziehungsweise 42bXN und 42b(x+1)1 miteinander teilweise überlappend, beispielsweise um nicht mehr als einen halben Belichtungsfleckdurchmesser überlappend, angeordnet werden können und somit können auch die Belichtungsflecke 42a(x+1) beziehungsweise 42b(x+1) des in der Reihenrichtung 53 nächstfolgenden Belichtungsstrahls 66a(X+1) beziehungsweise 66b(x+1) dazu herangezogen werden, zusammen mit den Belichtungsflecken 42ax beziehungsweise 42bx des Belichtungsstrahls 66ax beziehungsweise 66bx die zusammenhängende Struktur 26 innerhalb des Strukturenbereichs 34 zu erzeugen.In order not only within the deflection distance AS, the individual exposure spots 42 x , generated by one of the exposure ray sets 63a or 63b be able to position 90 x in the individual exposure spot positions such that they are - for the production of contiguous, at least one component in the transverse direction extending structures 26 , overlap each other to the coherent structure 26 from a variety of individual exposure spots 42a . 42b with the same wavelength λa and / or the second wavelength λb, but also the exposure spots 42 passing through in the row direction 53 successive exposure beams 66a x , 66b x + 1 , 66a (x + 1) , 66b (x + 1) of the respective exposure beam set 63a or 63b can be generated overlapping, runs (as in 9 shown), the row direction 53 relative to the feed direction 16 at an angle α so that one to the feed direction 16 parallel reference line RG through the last exposure spot position 90 XN of the exposure beam 66 aX or 66b x of the respective exposure beam set 63a, 63b, the first exposure spot 42a (x + 1) 1 in the first exposure spot position 90 (x + 1) 1 in the row direction 53 next exposure beam 66a x + 1 and 66b (x + 1) 1 of the same exposure beam set 63a, 63b touched, preferably intersects, so that in the respective exposure beam set 63a or 63b by moving the last exposure spot 42a XN or 42b XN in the feed direction 16 up to the advancing position of the first exposure spot 42a (x + 1) 1 or 42b (x + 1) 1 of the next exposure beam 66a (x + 1) and 66b (x + 1) the two exposure spots 42a XN and 42a (x + 1) 1, respectively or 42b XN and 42b (x + 1) 1 may be arranged partially overlapping each other, for example, overlapping by not more than half an exposure spot diameter, and thus the exposure spots 42a (x + 1) and 42b (x + 1) of the in the row direction 53 Next exposure beam 66a (X + 1) and 66b (x + 1) are used, together with the exposure spots 42a x and 42b x of the exposure beam 66a x and 66b x the continuous structure 26 within the structure area 34 to create.

Diese relative Anordnung des jeweils letzten Belichtungsflecks 42XN eines Belichtungsstrahls 66x zum jeweils ersten Belichtungsfleck 42x+1 des nächstfolgenden Belichtungsstrahls 66x+1 ist bei allen Belichtungsstrahlen 66X und Belichtungsflecken 42x des jeweiligen Belichtungsstrahlensatzes 63a oder 63b vorgesehen, so dass theoretisch alle Belichtungsflecken 42 des jeweiligen Belichtungsstrahlensatzes 63a oder 63b dazu herangezogen werden können, eine sich mit einer Komponente in der Querrichtung 38 über die gesamte Ausdehnung des Belichtungsstrahlensatzes 63a oder 63b in der Querrichtung 38 erstreckende zusammenhängende Struktur 26 zu erzeugen.This relative arrangement of the respective last exposure spot 42 XN of an exposure beam 66 x to the respective first exposure spot 42 x + 1 of the next exposure beam 66 x + 1 is for all exposure beams 66 X and exposure spots 42 x of the respective exposure beam set 63a or 63b provided, so that theoretically all exposure spots 42 of the respective exposure ray set 63a or 63b can be used to deal with a component in the transverse direction 38 over the entire extent of the exposure beam set 63a or 63b extending in the transverse direction 38 contiguous structure 26 to create.

In gleicher Weise wie im Zusammenhang mit der Anordnung der Belichtungsflecken 42, erzeugt durch die verschiedenen Belichtungsstrahlen 66a, 66b des jeweiligen Belichtungsstrahlensatzes 63a, 63b, beschrieben, sind auch die Belichtungseinheiten 50a, 50b, etc. so relativ zueinander angeordnet, dass, wie beispielsweise in 10 dargestellt, eine zur Vorschubrichtung 16 parallele Referenzgerade RGB durch die letzte Belichtungsposition 90NN des jeweiligen Belichtungsstrahlensatzes 63a, 63b einer ersten Belichtungseinheit 50, beispielsweise der Belichtungseinheit 50a, den Belichtungsfleck 42a11 des jeweiligen Belichtungsstrahlensatzes 63a, 63b der ersten Belichtungsposition 90a11 der in der Querrichtung 38 nächstfolgenden Belichtungseinheit, beispielsweise der Belichtungseinheit 50b, tangiert oder schneidet, so dass auch die von allen in der Querrichtung 38 aufeinanderfolgenden Belichtungseinheiten, beispielsweise den Belichtungseinheiten 50a und 50b, erzeugbaren Belichtungsflecken 42 des jeweiligen Belichtungsstrahlensatzes 63a, 63b zur Erzeugung einer zusammenhängenden Struktur 26 herangezogen werden können, dadurch, dass die Belichtungsflecken 42 einer Belichtungseinheit 50, beispielsweise der Belichtungseinheit 50a, überlappend positioniert werden und der letzte Belichtungsfleck 42NN des letzten Belichtungsstrahls 66N des jeweiligen Belichtungsstrahlensatzes 63a, 63b überlappend mit dem ersten Belichtungsfleck 4211 des ersten Belichtungsstrahls 661 des jeweiligen Belichtungsstrahlensatzes 63a, 63b der in der Querrichtung 38 nächstfolgenden Belichtungseinheit, beispielsweise der Belichtungseinheit 50b, angeordnet werden kann.In the same way as in connection with the arrangement of the exposure spots 42 , generated by the different exposure beams 66a . 66b of the respective exposure ray set 63a . 63b , are also the exposure units 50a . 50b , etc. arranged so relative to each other that, such as in 10 shown, one to the feed direction 16 parallel reference line RGB through the last exposure position 90 NN of the respective exposure ray set 63a . 63b a first exposure unit 50, for example the exposure unit 50a , the exposure spot 42 a11 of the respective exposure ray set 63a . 63b the first exposure position 90 a11 in the transverse direction 38 next exposure unit, for example, the exposure unit 50b , tangents or cuts, so that too of all in the transverse direction 38 successive exposure units, for example the exposure units 50a and 50b , producible exposure spots 42 of the respective exposure ray set 63a . 63b to create a coherent structure 26 can be used, in that the exposure spots 42 an exposure unit 50 For example, the exposure unit 50a , are positioned overlapping and the last exposure spot 42 NN of the last exposure beam 66 N of the respective exposure beam set 63a . 63b overlapping with the first exposure spot 42 11 of the first exposure beam 66 1 of the respective exposure beam set 63a . 63b in the transverse direction 38 next exposure unit, for example, the exposure unit 50b , can be arranged.

Unter der Voraussetzung, dass sich der Belichtungsbereich 40 in der Querrichtung 38 über die gesamte Breite der fotosensitiven Schicht 24 oder zumindest über einen zur Belichtung und zur Erzeugung von Strukturen 26 vorgesehenen Bereich der fotosensitiven Schicht 24, erstreckt, sind in dem gesamten vom Belichtungsbereich 40 überdeckten Bereich der fotosensitiven Schicht 24 zusammenhängende oder dann auch nicht zusammenhängende Strukturen 26 mit den Belichtungsstrahlen 66a des ersten Belichtungsstrahlensatzes 63a und/oder den Belichtungsstrahlen 66b des zweiten Belichtungsstrahlensatzes 63b erzeugbar.Provided that the exposure area 40 in the transverse direction 38 over the entire width of the photosensitive layer 24 or at least one for exposure and for creating structures 26 provided area of the photosensitive layer 24 , extends, are in the whole of the exposure area 40 covered area of the photosensitive layer 24 coherent or unrelated structures 26 with the exposure beams 66a of the first exposure ray set 63a and / or the exposure beams 66b of the second exposure beam set 63b produced.

Da alle Belichtungseinheiten 50a, ... 50X der Belichtungseinrichtung 30 relativ zueinander derart angeordnet sind, besteht somit die Möglichkeit, auf der fotosensitiven Schicht 24 über deren gesamte Querrichtung 38 und über die gesamte Längsrichtung 36 unter Heranziehen der Vorschubbewegung 16 in beliebigen Bereichen beliebig gestaltete zusammenhängende Strukturen 26, 28 mit den Belichtungsstrahlen 66a des ersten Belichtungsstrahlensatzes 63a und/oder den Belichtungsstrahlen 66b des zweiten Belichtungsstrahlensatzes 63b zu erzeugen, die sowohl in der Längsrichtung 36 als auch in der Querrichtung 38 oder in jedem Winkel zu diesen verlaufen können.Since all the exposure units 50 a , ... 50 X of the exposure device 30 Thus, there is the possibility on the photosensitive layer 24 over the entire transversely 38 and over the entire longitudinal direction 36 using the feed movement 16 in any area arbitrarily designed coherent structures 26 , 28 with the exposure beams 66a of the first exposure ray set 63a and / or the exposure beams 66b of the second exposure beam set 63b, both in the longitudinal direction 36 as well as in the transverse direction 38 or can run at any angle to these.

Um die Spiegelkörper 80 raumsparend anordnen zu können, sind diese einseitig von einer Antriebseinheit 130 um die Achse 82 rotierend angetrieben, jedoch beidseitig drehbar gelagert (11).To the mirror body 80 To arrange space-saving, they are one-sided by a drive unit 130 around the axis 82 rotatably driven, but rotatably mounted on both sides ( 11 ).

Ferner ist, wie in 5 dargestellt, jeder der Antriebseinheiten 130 noch mit einem Sensor 132 versehen, welcher in der Lage ist, optische, das heißt beispielsweise über einen von einer Strahlungsquelle 134 erzeugten und an einer Spiegelfläche reflektierten Messstrahl 136, der auf einen Detektor 138 auftrifft, direkt die Drehstellung des Spiegelkörpers 80 und somit insbesondere die Stellung der Spiegelflächen 84 zu erfassen und einer als Ganzes mit 150 bezeichneten Steuereinheit zu übermitteln.Furthermore, as in 5 represented, each of the drive units 130 still with a sensor 132 provided which is capable of optical, that is, for example, via one of a radiation source 134 generated and reflected on a mirror surface measuring beam 136 that is on a detector 138 impinges, directly the rotational position of the mirror body 80 and thus in particular the position of the mirror surfaces 84 and to communicate to a designated as a whole by 150 control unit.

Diese Steuereinheit 150 steuert die Antriebseinheiten 130 so an, dass diese mit sich konstanter Drehzahl drehen und steuert außerdem die Ausleuchtung der Belichtungsflecken 42.This control unit 150 controls the drive units 130 so that they rotate at a constant speed and also controls the illumination of the exposure spots 42 ,

Hierzu erfasst die Steuereinheit 150 sowohl die Position der fotosensitiven Schicht 24 in der Vorschubrichtung 16 durch Detektion der Position des Objektträgers 14 sowie die Positionen der einzelnen erzeugbaren Belichtungsflecken 42 längs der Ablenkungsstrecke AS durch die Drehstellung der Spiegelkörper 80 und ist damit in der Lage, zusätzlich noch durch geeignete Ansteuerung der jeweiligen Strahlungsquelle 110a beziehungsweise 110b zum geeigneten Zeitpunkt an jeder Stelle des vorgesehenen Belichtungsbereichs 40 auf der fotosensitiven Schicht 24 einen Belichtungsfleck 42 zu generieren, wobei dies vorzugsweise durch geeignete Ansteuerung der Strahlungsquellen 110a, 110b im Zuge einer einzigen Bewegung des Objektträgers 14 in der Vorschubrichtung 16 erfolgt.The control unit detects this 150 both the position of the photosensitive layer 24 in the feed direction 16 by detecting the position of the slide 14 and the positions of the individual exposure spots that can be generated 42 along the deflection path AS through the rotational position of the mirror body 80 and is thus able, in addition still by suitable control of the respective radiation source 110a respectively 110b at the appropriate time at any point of the intended exposure range 40 on the photosensitive layer 24 an exposure spot 42 This is preferably achieved by suitable control of the radiation sources 110a, 110b in the course of a single movement of the slide 14 in the feed direction 16 he follows.

Für eine ausreichende Genauigkeit beim Positionieren der Belichtungsflecken 42 zur Erzeugung der Strukturen 26 ist es günstig, wenn die Geschwindigkeit in Vorschubrichtung 16 nur so groß ist, dass die von zwei in der Umfangsrichtung 86 aufeinanderfolgenden Spiegelflächenbereichen 88 durch einen Belichtungsstrahl 66 erzeugten Belichtungsflecken 42 maximal einen halben Durchmesser, noch besser um Werte im Bereich eines Fünftel- bis eines Zehnteldurchmessers der Belichtungsflecken 42 gegeneinander versetzt sind, das heißt in erheblichem Umfang überlappen.For sufficient accuracy in positioning the exposure spots 42 to create the structures 26 It is favorable if the speed in the feed direction 16 just so big is that of two in the circumferential direction 86 successive mirror surface areas 88 through an exposure beam 66 generated exposure spots 42 a maximum of half a diameter, even better around values in the range of one-fifth to one-tenth of the diameter of the exposure spots 42 are offset from each other, that overlap to a considerable extent.

Wie in 9 dargestellt, führt dies bei den zwei Belichtungsstrahlensätzen 63a, 63b dazu, dass, wie in 9 dargestellt, die vom ersten Belichtungsstrahlensatz 63a erzeugten ersten Belichtungsflecken 42a für die Belichtung einer in der Querrichtung zusammenhängenden Struktur 26 mittels Strahlung der ersten Wellenlänge λa und die Belichtung der in der Querrichtung zusammenhängenden entsprechenden oder auch geänderten Struktur 26 mittels Strahlung der zweiten Wellenlänge λb insbesondere im gesamten Strukturenbereich 34 erlauben.As in 9 In the case of the two exposure ray sets 63a, 63b, this results in that, as shown in FIG 9 represented by the first exposure beam set 63a generated first exposure spots 42a for the exposure of a transversely related structure 26 by means of radiation of the first wavelength λa and the exposure of the corresponding in the transverse direction corresponding or changed structure 26 by means of radiation of the second wavelength λb, in particular in the entire structural region 34 allow.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 102006059818 A [0002]DE 102006059818 A
  • DE 102009046809 A [0002]DE 102009046809 A

Claims (42)

Belichtungsanlage zum Erzeugen belichteter Strukturen (26) in mindestens einer auf einem Objekt (22) angeordneten fotosensitiven Schicht (24), umfassend einen das Objekt (22) aufnehmenden Objektträger (14) und eine Belichtungseinrichtung (30), wobei der Objektträger (14) und die Belichtungseinrichtung (30) in einer Vorschubrichtung (16) relativ zueinander bewegbar sind und wobei mit der Belichtungseinrichtung (30) quer zur Vorschubrichtung (16) Belichtungsflecken (42) positionsgesteuert auf der mindestens einen fotosensitiven Schicht (24) dadurch erzeugbar sind, dass die Belichtungseinrichtung (30) mindestens eine Belichtungseinheit (50) aufweist, aus der in einer Reihenrichtung (53) aufeinanderfolgend Belichtungsstrahlen (66) austreten, von denen mit jedem ein Belichtungsfleck (42) auf der mindestens einen fotosensitiven Schicht (24) erzeugbar ist und von denen jeder durch eine Ablenkeinheit (70) in einer quer zur Reihenrichtung (53) und schräg zur Vorschubrichtung (16) verlaufenden Ablenkrichtung (74) ablenkbar ist, so dass mit jedem der Belichtungsstrahlen (66) durch Bewegung jedes durch einen Belichtungsstrahl (66) erzeugten Belichtungsflecks (42) in der jeweiligen Ablenkrichtung (74) über eine Ablenkungsstrecke (AS) in einer Vielzahl von aufeinanderfolgenden Belichtungsfleckpositionen (90) einander überlappende Belichtungsflecken (42) erzeugbar sind, dadurch gekennzeichnet , dass die mindestens eine Belichtungseinheit (50) mindestens zwei Belichtungsstrahlensätze (63a, 63b) mit Belichtungsstrahlen (66a, 66b) erzeugt, dass die Belichtungsstrahlen (66a) eines Belichtungsstrahlensatzes (63a) sich von den Belichtungsstrahlen (66b) eines weiteren Belichtungsstrahlensatzes (63b) sich hinsichtlich ihrer Wellenlänge λa, λb) unterscheiden, dass die Belichtungsstrahlen (66a) des einen Belichtungsstrahlensatzes (63a) relativ zu den Belichtungsstrahlen (66b) des weiteren Belichtungsstrahlensatzes (63b) räumlich versetzt verlaufen, und dass die Belichtungsstrahlen (66a, 66b) jedes Belichtungsstrahlensatzes (63a, 63b) so relativ zueinander geführt sind, dass bei jedem der Belichtungsstrahlensätze (63a, 63b) der Belichtungsfleck der letzten Belichtungsfleckposition (90) der einen Ablenkungsstrecke (AS) und der Belichtungsfleck (42) der ersten Belichtungsfleckposition (90) der nächstfolgenden Ablenkungsstrecke (AS) derart bezüglich einer parallel zur Vorschubrichtung (16) verlaufenden Referenzgeraden (RG) angeordnet sind, dass die Referenzgerade (RG) die in diesen Belichtungsfleckpositionen (90) erzeugten Belichtungsflecken (42) schneidet.An exposure apparatus for producing exposed structures (26) in at least one photosensitive layer (24) arranged on an object (22), comprising a slide (14) receiving the object (22) and an exposure device (30), wherein the slide (14) and the exposure device (30) can be moved relative to one another in a feed direction (16) and wherein with the exposure device (30), exposure spots (42) can be generated position-controlled on the at least one photosensitive layer (24) in a position-controlled manner by the exposure device (30) comprises at least one exposure unit (50), from which in a row direction (53) successively exposure beams (66) emerge, with each of which an exposure spot (42) on the at least one photosensitive layer (24) can be generated and each of which by a deflection unit (70) in a direction transverse to the row direction (53) and obliquely to the feed direction (16) extending deflection means (74) is deflectable such that with each of the exposure beams (66) by movement of each exposure spot (42) produced by an exposure beam (66) in the respective deflection direction (74) over a deflection distance (AS) in a plurality of successive exposure spot positions (90) overlapping exposure patches (42) can be produced, characterized in that the at least one exposure unit (50) generates at least two exposure beam sets (63a, 63b) with exposure beams (66a, 66b) such that the exposure beams (66a) of an exposure beam set (63a ) differ from the exposure beams (66b) of another exposure beam set (63b) in wavelength λa, λb) in that the exposure beams (66a) of the one exposure beam set (63a) are spatially relative to the exposure beams (66b) of the further exposure beam set (63b) offset, and that the exposure beams (66a, 66b) of each exposure beam set (63a, 63b) are guided relative to each other such that in each of the exposure beam sets (63a, 63b) the exposure spot of the last exposure spot position (90) of the one deflection path (AS) and the exposure patch (42) of the first Exposure spot position (90) of the next deflection distance (AS) are arranged with respect to a parallel to the feed direction (16) extending reference line (RG) such that the reference line (RG) intersects the exposure spots (42) generated in these exposure spot positions (90). Belichtungsanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Belichtungsstrahlen (66a) des einen der Belichtungsstrahlensätze (63a) relativ zu den Belichtungsstrahlen (66b) des weiteren Belichtungsstrahlensatzes (63b) in Richtung der Reihenrichtung (53) versetzt zueinander angeordnet sind.Exposure after Claim 1 , characterized in that the exposure beams (66a) of the one of the exposure beam sets (63a) are offset relative to the exposure beams (66b) of the further exposure beam set (63b) in the direction of the row direction (53). Belichtungsanlage nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die durch die Belichtungsstrahlen (66A) eines der Belichtungsstrahlensätze (63A) erzeugten Ablenkungsstrecken (ASa) in der Reihenrichtung (53) im Abstand voneinander angeordnet sind, dass die Ablenkungsstrecken (ASb) der Belichtungsstrahlen (66b) eines weiteren Belichtungsstrahlensatzes (63b) in der Reihenrichtung (53) im Abstand voneinander so angeordnet sind, und dass mindestens die Hälfte der Ablenkungsstrecken (ASb) der Belichtungsstrahlen (66b) des weiteren der Belichtungsstrahlensätze (63b) zwischen jeweils einander benachbarten Ablenkungsstrecken (ASa) der Belichtungsstrahlen (66a) des einen der Belichtungsstrahlensätze (63a) liegen.Exposure after Claim 1 or 2 characterized in that the deflection paths (ASa) produced by the exposure beams (66A) of one of the exposure beam sets (63A) are spaced apart in the row direction (53) such that the deflection paths (ASb) of the exposure beams (66b) of a further exposure beam set ( 63b) are arranged in the row direction (53) at a distance from one another, and that at least half of the deflection paths (ASb) of the exposure beams (66b) further comprise the exposure beam sets (63b) between respectively adjacent deflection paths (ASa) of the exposure beams (66a) of the one of the exposure beam sets (63a) lie. Belichtungsanlage nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei Drittel der Ablenkungsstrecken (ASb) der Belichtungsstrahlen (66b) des weiteren der Belichtungsstrahlensätze (63b) zwischen jeweils einander benachbarten Ablenkungsstrecken (ASa) der Belichtungsstrahlen (66a) des einen der Belichtungsstrahlensätze (63a) liegt.Exposure after Claim 3 , characterized in that at least two-thirds of the deflection paths (ASb) of the exposure beams (66b) of the further exposure beam sets (63b) between each adjacent deflection paths (ASa) of the exposure beams (66a) of the one of the exposure beam sets (63a). Belichtungsanlage nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens drei Viertel der Ablenkungsstrecken (ASb) der Belichtungsstrahlen (66b) des weiteren der Belichtungsstrahlensätze (63b) zwischen jeweils einander benachbarten Ablenkungsstrecken (ASa) der Belichtungsstrahlen (66a) des einen der Belichtungsstrahlensätze (63a) liegen.Exposure after Claim 4 characterized in that at least three quarters of the deflection distances (ASb) of the exposure beams (66b) of the further exposure beam sets (63b) lie between respectively adjacent deflection paths (ASa) of the exposure beams (66a) of the one of the exposure beam sets (63a). Belichtungsanlage nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen aufeinanderfolgenden Ablenkungsstrecken (ASa) des einen der Belichtungsstrahlensätze (63a) jeweils eine Ablenkungsstrecke (ASb) des Belichtungsstrahls (66b) des weiteren der Belichtungsstrahlensätze (63b) liegt.Exposure system according to one of the preceding claims, characterized in that between successive deflection sections (ASa) of the one of the exposure beam sets (63a) there is a respective deflection path (ASb) of the exposure beam (66b) of the further exposure beam sets (63b). Belichtungsanlage nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bei allen Belichtungsstrahlensätzen (63a, 63b) der mindestens einen Belichtungseinheit (50) der Abstand zwischen aufeinanderfolgenden Ablenkungsstrecken (ASa, ASb) der Belichtungsstrahlen (66a, 66b) des jeweiligen Belichtungsstrahlensatzes (63a, 63b) gleich groß ist.Exposure system according to one of the preceding claims, characterized in that, for all the exposure ray sets (63a, 63b) of the at least one exposure unit (50), the distance between successive deflection paths (ASa, ASb) of the exposure beams (66a, 66b) of the respective exposure ray set (63a, 63b ) is the same size. Belichtungsanlage nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bei der mindestens einen Belichtungseinheit (50) die Ablenkungsstrecken (ASa, ASb) der Belichtungsstrahlen (66a, 66b) beider Belichtungsstrahlensätze (63a, 63b) parallel zueinander verlaufen. Exposure plant according to one of the preceding claims, characterized in that in the at least one exposure unit (50) the deflection paths (ASa, ASb) of the exposure beams (66a, 66b) of both exposure ray sets (63a, 63b) are parallel to one another. Belichtungsanlage nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bei der mindestens einen Belichtungseinheit (50) die Belichtungsstrahlen (66a, 66b) beider Belichtungsstrahlensätze (63a, 63b) gleichzeitig und in gleichem Maße durch die Ablenkeinheit (70) abgelenkt werden.Exposure system according to one of the preceding claims, characterized in that in the at least one exposure unit (50) the exposure beams (66a, 66b) of both exposure beam sets (63a, 63b) are deflected simultaneously and to the same extent by the deflection unit (70). Belichtungsanlage nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bei der mindestens einen Belichtungseinheit (50) die Belichtungsstrahlen (66a, 66b) beider Belichtungsstrahlensätze (63a, 63b) im Wesentlichen parallel zueinander ausgerichtet auf die mindestens eine fotosensitive Schicht (24) auftreffen.Exposure system according to one of the preceding claims, characterized in that, in the at least one exposure unit (50), the exposure beams (66a, 66b) of both exposure beam sets (63a, 63b) strike the at least one photosensitive layer (24) substantially parallel to one another. Belichtungsanlage nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bei jedem der Belichtungsstrahlensätze (63a, 63b) jeweils eine parallel zur Vorschubrichtung (16) verlaufende Referenzgerade (RG) durch die letzte Belichtungsfleckposition (90XN) einer Ablenkungsstrecke (AS) den Belichtungsfleck (42(x+1)1) einer ersten Belichtungsfleckposition (90(x+1)1) einer nächstfolgenden Ablenkungsstrecke (AS) schneidet.Exposure system according to one of the preceding claims, characterized in that in each of the exposure beam sets (63a, 63b) a reference straight line (RG) extending parallel to the feed direction (16) through the last exposure spot position (90 XN ) of a deflection path (AS) exposes the exposure spot (42 (x + 1) 1 ) intersects a first exposure spot position (90 (x + 1) 1 ) of a next deflection line (AS). Belichtungsanlage nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Belichtungsfleckposition (90(x+1)1) der nächstfolgenden Ablenkungsstrecke (AS) einen Abstand von der Referenzgeraden (RG) aufweist, der maximal einem halben Durchmesser des entsprechenden Belichtungsflecks (42(x+1)1) entspricht.Exposure system according to one of the preceding claims, characterized in that the first exposure spot position (90 (x + 1) 1 ) of the next following deflection line (AS) is at a distance from the reference straight line (RG) which is at most half the diameter of the corresponding exposure spot (42 ( 42). x + 1) 1 ). Belichtungsanlage nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die jeder Belichtungseinheit (50) zugeordnete Ablenkeinheit (70) für jeden Belichtungsstrahl (66a, 66b) eines jeden Belichtungsstrahlensatzes (63a, 63b) mindestens einen Spiegelflächenbereich (89) aufweist.Exposure system according to one of the preceding claims, characterized in that the deflection unit (70) associated with each exposure unit (50) has at least one mirror surface area (89) for each exposure beam (66a, 66b) of each exposure beam set (63a, 63b). Belichtungsanlage nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegelflächenbereiche (89) der mindestens einen Belichtungseinheit (50) gemeinsam bewegbar sind.Exposure after Claim 13 , characterized in that the mirror surface areas (89) of the at least one exposure unit (50) are movable together. Belichtungsanlage nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegelflächenbereiche (89) Teilbereiche einer gemeinsamen Spiegelfläche (84) sind.Exposure after Claim 13 or 14 , characterized in that the mirror surface regions (89) are subregions of a common mirror surface (84). Belichtungsanlage nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegelflächenbereiche (89) ebene Flächenbereiche sind.Exposure system according to one of the Claims 13 to 15 , characterized in that the mirror surface areas (89) are flat surface areas. Belichtungsanlage nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass alle Spiegelflächenbereiche (89) in einer gemeinsamen Ebene liegen, und dass insbesondere die Spiegelflächenbereiche (89), auf die die kollimierten Belichtungsstrahlen (60) der mindestens einen Belichtungseinheit (50) auftreffen, in derselben Ebene liegen.Exposure system according to one of the Claims 13 to 16 , characterized in that all the mirror surface areas (89) lie in a common plane, and in particular that the mirror surface areas (89) on which the collimated exposure beams (60) of the at least one exposure unit (50) impinge lie in the same plane. Belichtungsanlage nach einem der Ansprüche 13 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegelflächenbereiche (89) relativ zur Auftreffrichtung der kollimierten Belichtungsstrahlen (60) auf diese verkippbar sind.Exposure system according to one of the Claims 13 to 17 , characterized in that the mirror surface areas (89) are tiltable relative to the direction of impact of the collimated exposure beams (60). Belichtungsanlage nach einem der Ansprüche 13 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Ablenkeinheit (70) für jeden Belichtungsstrahl (60) mehrere nacheinander eingesetzte Spiegelflächenbereiche (89) aufweist.Exposure system according to one of the Claims 13 to 18 , characterized in that the deflection unit (70) has for each exposure beam (60) a plurality of successively inserted mirror surface regions (89). Belichtungsanlage nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die mehreren Spiegelflächenbereiche (89) durch Umfangseiten eines um eine Achse (82) drehbar angeordneten Spiegelkörpers (80) gebildet sind.Exposure after Claim 19 , characterized in that the plurality of mirror surface regions (89) by peripheral sides of a about an axis (82) rotatably mounted mirror body (80) are formed. Belichtungsanlage nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass der Spiegelkörper (80) mit konstanter Drehzahl um seine Achse (82) rotierend angetrieben ist.Exposure after Claim 20 , characterized in that the mirror body (80) is driven to rotate at a constant speed about its axis (82). Belichtungsanlage nach Anspruch 20 oder 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegelflächenbereiche (89) im gleichen radialen Abstand um die Achse (82) angeordnet sind.Exposure after Claim 20 or 21 , characterized in that the mirror surface regions (89) are arranged at the same radial distance about the axis (82). Belichtungsanlage nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Belichtungseinheiten (50) vorgesehen sind, wobei die Belichtungseinheiten (50) in der Ablenkrichtung (74) im Abstand voneinander angeordnet sind.Exposure system according to one of the preceding claims, characterized in that a plurality of exposure units (50) are provided, wherein the exposure units (50) in the deflection direction (74) are arranged at a distance from each other. Belichtungsanlage nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Ablenkrichtungen (74) der mehreren Belichtungseinheiten (50) im Wesentlichen parallel zueinander verlaufen.Exposure after Claim 23 , characterized in that the deflection directions (74) of the plurality of exposure units (50) are substantially parallel to each other. Belichtungsanlage nach Anspruch 23 oder 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Reihenrichtungen (53) der mehreren Belichtungseinheiten (50) im Wesentlichen parallel zueinander verlaufen.Exposure after Claim 23 or 24 , characterized in that the row directions (53) of the plurality of exposure units (50) are substantially parallel to each other. Belichtungsanlage nach einem der Ansprüche 23 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass die mehreren Belichtungseinheiten (50) bezüglich einer parallel zur Vorschubrichtung (16) verlaufenden Referenzgerade (RGB) so angeordnet sind, dass die Referenzgerade (RGB) den Belichtungsfleck (42) der letzten Belichtungsfleckposition der letzten Ablenkungsstrecke (AS) eines der Belichtungsstrahlensätze (63a, 63b) einer Belichtungseinheit (50) und den Belichtungsfleck (42) der ersten Belichtungsfleckposition (90) der ersten Ablenkungsstrecke (AS) des dem einen Belichtungsstrahlensatz (63a, 63b) entsprechenden Belichtungsstrahlensatzes (63a, 63b) der nächstbenachbarten Belichtungsstrahleneinheit (50) schneidet.Exposure system according to one of the Claims 23 to 25 , characterized in that the plurality of exposure units (50) are arranged with respect to a parallel to the feed direction (16) extending reference line (RGB) so that the reference line (RGB) the exposure spot (42) of the last exposure spot position of the last deflection distance (AS) one of Exposure beam sets (63a, 63b) of an exposure unit (50) and the exposure spot (42) of the first exposure spot position (90) of the first deflection path (AS) of the one exposure beam set (63a, 63b) corresponding exposure beam set (63a, 63b) of the next adjacent exposure beam unit (50) intersects. Belichtungsanlage nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass die durch die letzte Belichtungsfleckposition (90) der letzten Ablenkungsstrecke (AS) eines der Belichtungsstrahlensätze (63a, 63b) einer Belichtungseinheit (50) verlaufende Referenzgerade (RGB) den Belichtungsfleck (42) der ersten Belichtungsfleckposition (90) der ersten Ablenkungsstrecke (AS) des entsprechenden der Belichtungsstrahlensätze (63a, 63b) einer nächstbenachbarten Belichtungseinheit (50) schneidet.Exposure after Claim 26 , characterized in that the reference straight line (RGB) passing through the last exposure spot position (90) of one of the exposure ray sets (63a, 63b) of an exposure unit (50) exposes the exposure spot (42) of the first exposure spot position (90) of the first Deflection distance (AS) of the corresponding one of the exposure beam sets (63a, 63b) of a next adjacent exposure unit (50) intersects. Belichtungsanlage nach Anspruch 26 oder 27, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Belichtungsfleckposition (90) einen Abstand von der Referenzgeraden (RGB) aufweist, der maximal dem halben Durchmesser des Belichtungsflecks (42) der ersten Belichtungsfleckposition(90) des jeweils entsprechenden Belichtungsstrahlensatzes (63a, 63b) entspricht.Exposure after Claim 26 or 27 , characterized in that the first exposure spot position (90) has a distance from the reference line (RGB) which corresponds at most to half the diameter of the exposure spot (42) to the first exposure spot position (90) of the corresponding exposure beam set (63a, 63b). Belichtungsanlage nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 oder nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass für jeden Belichtungsstrahl (66a, 66b) eine eigene Strahlungsquelle (110) vorgesehen ist.Exposure according to the generic term of Claim 1 or according to one of the preceding claims, characterized in that a separate radiation source (110) is provided for each exposure beam (66a, 66b). Belichtungsanlage nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 oder nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlungsquelle (110) ein Laser (113), insbesondere ein Halbleiterlaser, ist.Exposure according to the generic term of Claim 1 or after Claim 29 , characterized in that the radiation source (110) is a laser (113), in particular a semiconductor laser. Belichtungsanlage nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass jede der Strahlungsquellen (110) mit einer eigenen Strahlformungsoptik (58) für die austretende Strahlung versehen ist.Exposure system according to one of the preceding claims, characterized in that each of the radiation sources (110) is provided with its own beam-shaping optics (58) for the exiting radiation. Belichtungsanlage nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, dass für jeden Belichtungsstrahl (60) eine Strahlformungsoptik (58) vorgesehen ist.Exposure after Claim 31 , characterized in that a beam-shaping optical system (58) is provided for each exposure beam (60). Belichtungsanlage nach Anspruch 31 oder 32, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlformungsoptiken (58) für die Belichtungsstrahlen eines jeden Belichtungsstrahlensatzes (63a, 63b) identisch sind.Exposure after Claim 31 or 32 , characterized in that the beam shaping optics (58) for the exposure beams of each exposure beam set (63a, 63b) are identical. Belichtungsanlage nach einem der Ansprüche 31 bis 33, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlformungsoptiken (58) anamorphotisch ausgebildet sind.Exposure system according to one of the Claims 31 to 33 , characterized in that the beam-shaping optics (58) are anamorphic. Belichtungsanlage nach Anspruch 34, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlformungsoptiken (58) derart anamorphotisch ausgebildet sind, dass die Belichtungsflecken im Wesentlichen rund, insbesondere rotationssymmetrisch, sind.Exposure after Claim 34 , characterized in that the beam-shaping optics (58) are formed anamorphic such that the exposure spots are substantially round, in particular rotationally symmetrical. Belichtungsanlage nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass für jeden Belichtungsstrahl (66λ, 66b) eine eigene Fokussierungsoptik (104) vorgesehen ist.Exposure system according to one of the preceding claims, characterized in that a separate focusing optics (104) is provided for each exposure beam (66λ, 66b). Belichtungsanlage nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, dass die Fokussierungsoptiken (104) für die Belichtungsstrahlen (66λ, b) des jeweiligen Belichtungsstrahlensatzes (63a, 63b) identisch sind.Exposure after Claim 33 , characterized in that the focusing optics (104) for the exposure beams (66λ, b) of the respective exposure beam set (63a, 63b) are identical. Belichtungsanlage nach einem der Ansprüche 29 bis 35, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlungsquellen (110a, 110b) für jeden der Belichtungsstrahlensätze (63a, 63b) jeweils in einer Reihe (112a, 112b) angeordnet sind und dass die Reihen (112a, 112b) der Strahlungsquellen (110a, 110b) im Abstand voneinander angeordnet sind.Exposure system according to one of the Claims 29 to 35 , characterized in that the radiation sources (110a, 110b) for each of the exposure ray sets (63a, 63b) are each arranged in a row (112a, 112b) and in that the rows (112a, 112b) of the radiation sources (110a, 110b) are spaced apart are arranged from each other. Belichtungsanlage nach Anspruch 38, dadurch gekennzeichnet, dass die Reihen (112a, 112b) der Strahlungsquellen (110a, 110b) parallel zueinander verlaufen.Exposure after Claim 38 , characterized in that the rows (112a, 112b) of the radiation sources (110a, 110b) are parallel to each other. Belichtungsanlage nach Anspruch 38 oder 39, dadurch gekennzeichnet, dass die Reihen (112a, 112b) parallel zu der Reihenrichtung (53) verlaufen.Exposure after Claim 38 or 39 , characterized in that the rows (112a, 112b) are parallel to the row direction (53). Belichtungsanlage nach einem der Ansprüche 38 bis 40, dadurch gekennzeichnet, dass die Belichtungsstrahlen (60a, 60b) der Belichtungsstrahlensätze (63a, 63b) durch mindestens eine Umlenkeinheit (62) in eine gemeinsame Ausbreitungsebene umgelenkt werden.Exposure system according to one of the Claims 38 to 40 , characterized in that the exposure beams (60a, 60b) of the exposure beam sets (63a, 63b) are deflected by at least one deflection unit (62) into a common propagation plane. Belichtungsanlage nach Anspruch 41, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Umlenkeinheit (62) durch einen Umlenkkamm (114) für die Belichtungsstrahlen (60a, 60b) eines der Belichtungsstrahlensätze gebildet ist.Exposure after Claim 41 , characterized in that the at least one deflecting unit (62) is formed by a deflection comb (114) for the exposure beams (60a, 60b) of one of the exposure beam sets.
DE102017103624.5A 2017-02-22 2017-02-22 exposure system Ceased DE102017103624A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017103624.5A DE102017103624A1 (en) 2017-02-22 2017-02-22 exposure system
PCT/EP2018/053678 WO2018153750A1 (en) 2017-02-22 2018-02-14 Exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017103624.5A DE102017103624A1 (en) 2017-02-22 2017-02-22 exposure system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102017103624A1 true DE102017103624A1 (en) 2018-08-23

Family

ID=61226587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102017103624.5A Ceased DE102017103624A1 (en) 2017-02-22 2017-02-22 exposure system

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102017103624A1 (en)
WO (1) WO2018153750A1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006059818A1 (en) 2006-12-11 2008-06-19 Kleo Maschinenbau Ag exposure system
DE102007028860A1 (en) 2007-06-22 2008-12-24 Josef Lindthaler Device for contact exposure of a printing stencil
DE102009046809A1 (en) 2009-11-18 2011-05-19 Kleo Ag exposure system

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4410134B2 (en) * 2005-03-24 2010-02-03 日立ビアメカニクス株式会社 Pattern exposure method and apparatus
EP3096186A3 (en) * 2013-11-08 2017-04-12 Limata GmbH Lithography exposure device for lithographic exposure with single or multi-level laser projection units with one or more wavelengths

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006059818A1 (en) 2006-12-11 2008-06-19 Kleo Maschinenbau Ag exposure system
DE102007028860A1 (en) 2007-06-22 2008-12-24 Josef Lindthaler Device for contact exposure of a printing stencil
DE102009046809A1 (en) 2009-11-18 2011-05-19 Kleo Ag exposure system

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018153750A1 (en) 2018-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102006059818B4 (en) exposure system
EP0907906B1 (en) Lithography exposure device
DE102018211972B4 (en) Optical arrangement for the variable generation of a multifocal profile, as well as methods for operating and using such an arrangement
EP2823360B1 (en) Illumination optics for euv projection lithography and optical system having such an illumination optics
EP2596899B1 (en) Method and device for the interference structuring of flat samples
EP2430491B1 (en) Device for beamshaping and corresponding laserdevice
DE102016222068A1 (en) Device and method for generative component production with a plurality of spatially separated beam guides
EP2217961A1 (en) Beam forming device
DE2725959C3 (en) Electron beam processing equipment
EP2699378B1 (en) Optical system for an installation for processing thin-film layers
DE69724331T2 (en) Method for producing a nozzle body and working device
DE102008016011A1 (en) Correction of optical elements by means of flatly irradiated correction light
DE102006032053B4 (en) Surface modification method and apparatus
DE102009046809B4 (en) exposure system
EP1099139B1 (en) Lithography method
DE102016204703B4 (en) Device and method for generating an optical pattern from pixels in an image plane
DE102019204032B4 (en) Device for generating a spatially modulatable power density distribution from laser radiation
EP2622400B1 (en) Arrangement and method for generating a light beam for material processing
DE102017103624A1 (en) exposure system
DE202010009009U1 (en) Device for laser material processing with a polygon mirror
EP1668422B1 (en) Lithography illumination device
EP4163083B1 (en) Method and device for lithography-based generative production of a three-dimensional component
DE102013222913A1 (en) exposure system
DE112022001278T5 (en) Laser processing device and laser processing method
DE102013203751A1 (en) Lighting system for microlithographic projection exposure system, has optical element directing light beam on another optical element such that main beam extends from non-zero angle to optical axis of illumination system

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final