DE102017103055A1 - Apparatus and method for thermal treatment of a substrate with a cooled screen plate - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Behandlung insbesondere Beschichten eines Substrates (4), mit einem in einem Gehäuse (1) angeordneten, mit einer ersten Temperiereinrichtung (8) auf eine Gaseinlasstemperatur temperierbaren Gaseinlassorgan (2), mit einem in einem Abstand zum Gaseinlassorgan (2) im Gehäuse (1) angeordneten, mit einer zweiten Temperiereinrichtung (9) auf eine Depositionstemperatur, die von der Gaseinlasstemperatur verschieden ist, temperierbaren Substrathalter (3) zur Aufnahme des Substrates (4) und mit einer Schirmplatte (6, 6'), die von einer Verwahrstellung an mindestens einem Verwahrort (15, 15'), der nicht zwischen dem Gaseinlassorgan (2) und dem Substrathalter (3) liegt, in eine Abschirmstellung, in der die Schirmplatte (6, 6') zwischen dem Gaseinlassorgan (2) und dem Substrathalter (3) liegt, bringbar ist. Es ist eine dritte Temperiereinrichtung (10) zum Temperieren der Schirmplatte (6) oder zumindest eines ihrer Teile auf eine Schirmtemperatur vorgesehen. Die Schirmplatte (6, 6') kann aus mehreren voneinander trennbaren Teilen bestehen, die in der Verwahrstellung an verschiedenen Verwahrorten (15, 15') voneinander getrennt sind und in der Abschirmstellung zu einer Einheit miteinander verbunden sindThe invention relates to a device and a method for the treatment, in particular, of a substrate (4) with a gas inlet element (2) which is arranged in a housing (1) and can be tempered to a gas inlet temperature with a first tempering device (8) Gas inlet member (2) in the housing (1) arranged with a second tempering device (9) to a deposition temperature, which is different from the gas inlet temperature, temperature-controlled substrate holder (3) for receiving the substrate (4) and with a shield plate (6, 6 ' ), which from a storage position at at least one Verwahrort (15, 15 '), which is not between the gas inlet member (2) and the substrate holder (3), in a shielding position in which the shield plate (6, 6') between the gas inlet member (2) and the substrate holder (3), can be brought. A third tempering device (10) for tempering the screen plate (6) or at least one of its parts to a screen temperature is provided. The shield plate (6, 6 ') may consist of several separable parts, which are separated in the Verwahrstellung at different Verwahrorten (15, 15') from each other and are connected together in the shielding to form a unit
Description
Gebiet der TechnikField of engineering
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Behandlung insbesondere Beschichten eines Substrates, mit einem in einem Gehäuse angeordneten, mit einer ersten Temperiereinrichtung auf eine Gaseinlasstemperatur temperierbaren Gaseinlassorgan, mit einem in einem Abstand zum Gaseinlassorgan im Gehäuse angeordneten, mit einer zweiten Temperiereinrichtung auf eine Depositionstemperatur, die von der Gaseinlasstemperatur verschieden ist, temperierbaren Substrathalter zur Aufnahme des Substrates und mit einer Schirmplatte, die von einer Verwahrstellung an mindestens einem Verwahrort, der nicht zwischen dem Gaseinlassorgan und dem Substrathalter liegt, in eine Abschirmstellung, in der die Schirmplatte zwischen dem Gaseinlassorgan und dem Substrathalter liegt, bringbar ist.The invention relates to a device for treating, in particular, coating a substrate, having a gas inlet element which is arranged in a housing and can be tempered with a first tempering device to a gas inlet temperature, with a gas inlet element arranged in the housing at a distance from the gas inlet element, with a second tempering device having a deposition temperature of the gas inlet temperature is different, temperature-controllable substrate holder for receiving the substrate and having a shield plate, which is a storage position at at least one Verwahrort which is not between the gas inlet member and the substrate holder, in a shielding position in which the shield plate between the gas inlet member and the substrate holder , is bringable.
Die Erfindung betrifft darüber hinaus auch ein Verfahren zur Behandlung, insbesondere Beschichten eines Substrates in einem Gehäuse, wobei ein Gaseinlassorgan mit einer ersten Temperiereinrichtung auf eine Gaseinlasstemperatur temperiert wird und ein in einem Abstand zum Gaseinlassorgan im Gehäuse angeordneter Substrathalter, auf dem das Substrat aufliegt, mit einer zweiten Temperiereinrichtung auf eine Depositionstemperatur gebracht wird, die von der Gaseinlasstemperatur verschieden ist, wobei beim Ent- oder Beladen des Substrathalters mit einem Substrat eine Schirmplatte von mindestens einem Verwahrort, der nicht zwischen dem Gaseinlassorgan und dem Substrathalter liegt, in eine Abschirmstellung gebracht wird, in der die Schirmplatte zwischen dem Gaseinlassorgan und dem Substrathalter liegt.The invention further relates to a method for the treatment, in particular coating of a substrate in a housing, wherein a gas inlet member is tempered with a first tempering to a gas inlet temperature and at a distance to the gas inlet member in the housing arranged substrate holder, on which the substrate rests with a second tempering is brought to a deposition temperature which is different from the gas inlet temperature, wherein when unloading or loading the substrate holder with a substrate, a shield plate of at least one Verwahrort, which is not between the gas inlet member and the substrate holder is brought into a shielding position, in which the shield plate is located between the gas inlet member and the substrate holder.
Stand der TechnikState of the art
Eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Abscheiden von Schichten, insbesondere Schichten bei der Erzeugung von OLEDs auf einem Substrat beschreibt die
Bei einem erfindungsgemäßen Behandlungsverfahren in einer erfindungsgemäßen Behandlungsvorrichtung werden Prozessgase durch ein Gaseinlassorgan in eine Prozesskammer eingebracht. Die Prozesskammer befindet sich in einem Gehäuse, welches gasdicht nach außenhin verschlossen ist. Das Gaseinlassorgan besitzt eine Gasaustrittsfläche mit einer Vielzahl von Gasaustrittsöffnungen, durch die das Prozessgas in die Prozesskammer strömen kann. Die Gasaustrittsfläche wird mit einer ersten Temperiereinrichtung auf eine Gaseinlasstemperatur temperiert. In einem Abstand, insbesondere einem vertikalen Abstand zur Gasaustrittsplatte befindet sich ein Substrathalter, der mit einer zweiten Temperiereinrichtung auf eine Depositionstemperatur temperiert werden kann. Die Gaseinlasstemperatur ist von der Depositionstemperatur verschieden, bspw. kann die Gaseinlasstemperatur einen Wert von 100 bis 450°C besitzen. Die Depositionstemperatur kann einen Wert im Bereich von -20 bis +90° besitzen. Auf dem Substrat befindet sich eine Maske, um eine lateral strukturierte Abscheidung einer Schicht auf dem Substrat zu gewährleisten. Das Schichtwachstum kann Folge einer chemischen Reaktion ein oder mehrerer Ausgangsstoffe sein, die mittels des Gaseinlassorgans in die Prozesskammer gebracht werden. Dabei kann es vorgesehen sein, dass die Depositionstemperatur größer ist, als die Gaseinlasstemperatur. Zum Abscheiden von OLED-Schichten wird der Substrathalter aber bevorzugt gekühlt, so dass die Depositionstemperatur geringer ist als die Gaseinlasstemperatur. Um zu vermeiden, dass sich die Temperatur des Substrates oder der Maske ändert, wenn das Substrat oder die Maske vom Substrathalter entfernt wird, so dass das Substrat oder die Maske nicht mehr von der Temperiereinrichtung des Substrathalters temperiert wird, ist eine Schirmplatte vorgesehen, die während des Behandelns des Substrates an einem Verwahrort verwahrt wird, in eine Abschirmstellung gebracht wird, in der die Schirmplatte zwischen dem Substrat bzw. der Maske und dem Gaseinlassorgan angeordnet ist. Der Verwahrort kann eine mit der Prozesskammer räumlich verbundene Verwahrkammer sein, die während des Behandlungsverfahrens auch durch ein Tor verschließbar ist.In a treatment method according to the invention in a treatment device according to the invention process gases are introduced through a gas inlet member in a process chamber. The process chamber is located in a housing which is closed gas-tight to the outside. The gas inlet member has a gas outlet surface with a plurality of gas outlet openings, through which the process gas can flow into the process chamber. The gas outlet surface is tempered with a first tempering to a gas inlet temperature. At a distance, in particular a vertical distance to the gas outlet plate is a substrate holder, which can be tempered with a second tempering to a deposition temperature. The gas inlet temperature is different from the deposition temperature, for example, the gas inlet temperature may have a value of 100 to 450 ° C. The deposition temperature may have a value in the range of -20 to + 90 °. On the substrate is a mask to ensure a laterally structured deposition of a layer on the substrate. The layer growth may be due to a chemical reaction of one or more starting materials which are brought into the process chamber by means of the gas inlet member. It may be provided that the deposition temperature is greater than the gas inlet temperature. For depositing OLED layers, however, the substrate holder is preferably cooled, so that the deposition temperature is lower than the gas inlet temperature. In order to avoid that the temperature of the substrate or the mask changes when the substrate or the mask is removed from the substrate holder, so that the substrate or the mask is no longer tempered by the tempering device of the substrate holder, a shield plate is provided which during is stored in a Verwahrort the treatment of the substrate, is brought into a shielding position in which the shield plate between the substrate or the mask and the gas inlet member is arranged. The storage location may be a storage chamber spatially connected to the process chamber, which can also be closed by a gate during the treatment process.
Zusammenfassung der ErfindungSummary of the invention
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das gattungsgemäße Verfahren bzw. die gattungsgemäße Vorrichtung gebrauchsvorteilhaft weiterzubilden.The invention has for its object to further develop the generic method or the generic device nutzsvorteilhaft.
Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung, wobei die Unteransprüche nicht nur vorteilhafte Weiterbildungen der nebengeordneten Ansprüche, sondern auch eigenständige Lösungen der Aufgabe darstellen.The object is achieved by the invention specified in the claims, wherein the dependent claims represent not only advantageous developments of the independent claims, but also independent solutions to the problem.
Zunächst und im Wesentlichen wird vorgeschlagen, dass eine ein- oder mehrteilige Schirmplatte innerhalb der Beschichtungsanlage aktiv temperiert wird. Hierzu wird insbesondere eine dritte Temperiereinrichtung vorgeschlagen, mit der die Schirmplatte unabhängig von der ersten oder der zweiten Temperiereinrichtung auf eine Schirmtemperatur temperierbar ist, wobei die Schirmtemperatur der Depositionstemperatur entsprechen kann. Die Schirmplatte kann einteilig sein. Sie kann aber auch aus mehreren voneinander trennbaren Teilen bestehen. Die dritte Temperiereinrichtung kann dabei am Verwahrort angeordnet sein, so dass die Schirmplatte oder zumindest eines ihrer Teile, bevorzugt alle Teile jeweils an ihrem Verwahrort temperiert werden. Es ist dabei auch möglich, die Schirmplatte auf eine Temperatur zu temperieren, die, falls die Gaseinlasstemperatur höher ist, als die Depositionstemperatur, niedriger ist, als die Depositionstemperatur oder, falls die Gaseinlasstemperatur niedriger ist, als die Depositionstemperatur, höher ist, als die Depositionstemperatur. Die Schirmplatte hat u.a. die Aufgabe, zu vermeiden, dass sich die Temperatur des Substrates oder der Maske ändert, wenn ihr wärmeübertragender Kontakt zum Substrathalter unterbrochen wird, was beim Entfernen der Maske oder des Substrates aus der Prozesskammer der Fall ist. Eine Änderung der Temperatur der Maske, indem sie sich abkühlt oder aufheizt, hätte zur Folge, dass sich die Maske ausdehnt oder schrumpft. Die Schirmplatte wird in einer ersten Variante der Erfindung aktiv gekühlt. In einer Variante der Erfindung wird die Schirmplatte aktiv beheizt. Mit den zuvor beschriebenen Maßnahmen wird erreicht, dass die zum Substrathalter hin weisende Fläche der Schirmplatte im Wesentlichen dieselbe Temperatur aufweist, die auch der Substrathalter aufweist. Da sich als Folge einer Wärmeübertragung die zum Gaseinlassorgan hin weisende Seite der Schirmplatte bei einem heißeren Gaseinlassorgan aufheizt oder bei einem gekühlten Gaseinlassorgan abkühlt, ist grundsätzlich nicht zu vermeiden, dass auch die zum Substrathalter hin weisende Seite der Schirmplatte ihre Temperatur ändert. Es kann deshalb vorteilhaft sein, wenn die Schirmplatte auf eine Temperatur temperiert wird, die von der Depositionstemperatur abweicht, so dass sich aufgrund des Wärmeflusses zwischen Schirmplatte und Gaseinlassorgan in einer ersten Phase die Temperatur der Schirmplatte der Depositionstemperatur annähert, so dass während des Substratwechsels oder des Maskenwechsels die Temperatur der Schirmplatte im Wesentlichen der Depositionstemperatur entspricht, also in einem Bereich liegt, der um beispielsweise 5°C unterhalb und 5°C oberhalb der Depositionstemperatur liegt. In einem anderen Aspekt der Erfindung ist vorgesehen, dass die dritte Temperiereinrichtung fest mit der mindestens einen Schirmplatte verbunden ist und insbesondere Bestandteil der Schirmplatte ist, so dass die dritte Temperiereinrichtung zusammen mit der Schirmplatte vom Verwahrort in die Abschirmstellung verlagert wird bzw. verlagerbar ist. Besteht die Schirmplatte aus mehreren Teilen, kann jedes ihrer Teile eine Temperiereinrichtung aufweisen. Die mindestens eine Schirmplatte kann aus mehreren miteinander verbundenen Platten bestehen, wobei die Platten parallel zueinander und voneinander beabstandet angeordnet sind. Eine Platte bildet die zum Gaseinlassorgan weisende Breitseitenfläche der Schirmplatte. Eine andere Platte bildet die zum Substrathalter weisende Breitseitenfläche der Schirmplatte. Hierdurch entsteht zwischen den Platten eine Höhlung. Es ist auch vorgesehen, dass eine Höhlung der Schirmplatte als Tasche ausgebildet ist. Als Folge der Höhlung vergrößert sich die wärmetransportisolierende Wirkung der Schirmplatte. Die Schirmplatte besitzt eine ausreichend große thermische Masse, so dass sie, wenn sie in der Abschirmstellung nicht temperiert, insbesondere gekühlt wird, ihre Temperatur nur unwesentlich ändert. Die thermische Masse ist aber ausreichend gering, so dass die Schirmplatte während des Behandelns des Substrates am Verwahrort auf die Schirmtemperatur temperiert, insbesondere gekühlt werden kann. Am Verwahrort ist vorzugsweise ein Kühlkörper vorgesehen, der die dritte Temperiereinrichtung aufweist, welche Temperierkanäle besitzen kann, durch die ein Kühlmedium fließt, welches durch eine Zuleitung in den Kühlkörper einströmt und aus einer Ableitung aus dem Kühlkörper wieder herausströmt. Durch die Temperierkanäle kann aber auch eine Heizflüssigkeit hindurchströmen, um die Schirmplatte aufzuheizen. Der Kühlkörper hat dann die Funktion eines Heizkörpers. Sofern die Schirmplatte einen Heizkörper aufweist, kann dieser auch durch ein Widerstandsnetzwerk beheizt werden. Es kann eine Verlagerungseinrichtung, insbesondere eine Hubvorrichtung vorgesehen sein, mit der die Schirmplatte in Richtung auf den Kühlkörper oder der Kühlkörper in Richtung auf die Schirmplatte verlagert werden kann, so dass sich zum Temperieren der Schirmplatte eine Oberfläche des Kühlkörpers berührend an eine Oberfläche der Schirmplatte anliegt. Die Schirmplatte kann entlang horizontal verlaufender Schienen von der Verwahrstellung in die Abschirmstellung gebracht werden. Es kann ein Antriebsaggregat vorgesehen sein, um die Schirmplatte horizontal zu verlagern, wobei das Antriebsaggregat einen Arm aufweisen kann, der von einem Antriebsmotor schwenkbar ist und dessen freies Ende an der Schirmplatte angreift. Das freie Ende kann einen Stift aufweisen, der in einen parallel zur Verlagerungsrichtung verlaufenden Längsschlitz der Schirmplatte eingreift, so dass eine Verschwenkung des Armes eine Linearverlagerung der Schirmplatte zur Folge hat. Die Schirmplatte kann aus mehreren einzelnen Teilen bestehen, die in der Verwahrstellung voneinander getrennt sind und die in der Abschirmstellung sich einander berühren und dadurch miteinander verbunden sind. Es ist vorgesehen, dass der Abstand zwischen dem Substrathalter bzw. dem Substrat und dem Gaseinlassorgan kleiner als 50 mm ist. Die Kantenlänge des Substrates liegt im Bereich zwischen 500 und 1.000 mm, kann aber auch größer sein. Bei einer mehrteiligen Schirmplattenanordnung ist es vorgesehen, dass die einzelnen Teile der Schirmplatte in voneinander getrennten Verwahrkammern angeordnet sind. In der Abschirmstellung können die ein oder mehreren Teile der Schirmplatte horizontal nebeneinander oder vertikal übereinander angeordnet sein. In einer Ausgestaltung der Erfindung besteht die Schirmplatte aus zwei Teilen, wobei jedes Teil eine Platte ausbildet, die einen rechteckigen Grundriss aufweist. Beide Teile liegen in sich gegenüberliegenden Verwahrkammern und können zum Erreichen der Abschirmfunktion aufeinander zu verlagert werden, bis sie etwa in der Mitte der Prozesskammer aneinanderstoßen und dadurch eine einheitliche Schirmplatte ausbilden. Eine ähnliche Konstellation kann auch mit vier oder mehr Platten erreicht werden, wobei jede Platte einen Teil einer Schirmplatte ausbildet und in einer Verwahrstellung in jeweils einer Verwahrkammer einliegt. Die Platten werden in individuellen, insbesondere voneinander abweichenden Richtungen von der Verwahrstellung in Richtung der Abschirmstellung verlagert, wobei sie in der Abschirmstellung berührend an Randkanten anderer Platten anliegen, so dass sich eine einheitliche Schirmplatte ausbildet. In einer anderen Variante der Erfindung besteht die Schirmplatte aus mehreren parallel zueinander angeordneten Platten, wobei eine oder mehrere obere Platten dem Gaseinlassorgan benachbart sind und eine oder mehrere untere Platten dem Substrathalter benachbart sind. Zwischen den oberen Platten und den unteren Platten erstreckt sich eine Höhlung. Es sind Distanzelemente vorgesehen, mit denen die eine oder mehreren unteren bzw. eine oder mehreren oberen Platten jeweils miteinander verbunden sind, wobei die Distanzelemente bevorzugt sowohl benachbart liegende untere Platten miteinander verbinden als auch sich gegenüberliegende obere und untere Platten miteinander verbinden. Darüber hinaus sind Rahmenelemente vorgesehen, die ebenfalls die Aufgabe haben, untere und obere Platten mit einem definierten Abstand miteinander zu verbinden, so dass sich zwischen den oberen Platten und den unteren Platten eine Höhlung ausbildet.First and foremost, it is proposed that a one-part or multi-part shielding plate is actively tempered within the coating system. For this purpose, in particular a third tempering device is proposed with which the screen plate can be tempered independently of the first or the second tempering device to a screen temperature, wherein the screen temperature can correspond to the deposition temperature. The shield plate can be one-piece. But it can also consist of several separable parts. The third tempering can on Be disposed Verwahrort so that the screen plate or at least one of its parts, preferably all parts are tempered at their respective Verwahrort. It is also possible to temper the face plate to a temperature which, if the gas inlet temperature is higher than the deposition temperature, is lower than the deposition temperature or, if the gas inlet temperature is lower than the deposition temperature, higher than the deposition temperature , The shield plate has, inter alia, the task of avoiding that the temperature of the substrate or the mask changes when their heat-transferring contact with the substrate holder is interrupted, which is the case when removing the mask or the substrate from the process chamber. Changing the temperature of the mask as it cools or heats up will cause the mask to expand or shrink. The shield plate is actively cooled in a first variant of the invention. In a variant of the invention, the shield plate is actively heated. With the measures described above, it is achieved that the surface of the shield plate facing the substrate holder has essentially the same temperature as that of the substrate holder. Since, as a result of a heat transfer, the gas inlet member side facing the shield plate heats up in a hot gas inlet member or cools in a cooled gas inlet member is basically unavoidable that also the side facing the substrate holder side of the shield plate changes its temperature. It may therefore be advantageous if the shield plate is heated to a temperature which differs from the deposition temperature, so that due to the heat flow between the shield plate and gas inlet member in a first phase, the temperature of the shield plate approaches the deposition temperature, so that during the substrate change or the Mask change the temperature of the shield plate substantially corresponds to the deposition temperature, that is in a range which is, for example, 5 ° C below and 5 ° C above the deposition temperature. In another aspect of the invention, it is provided that the third tempering device is firmly connected to the at least one shield plate and in particular part of the shield plate, so that the third tempering is displaced together with the shield plate from the Verwahrort in the shielding or displaced. If the screen plate consists of several parts, each of its parts can have a tempering device. The at least one shield plate may consist of a plurality of interconnected plates, wherein the plates are arranged parallel to each other and spaced from each other. A plate forms the gas inlet member facing broad side surface of the shield plate. Another plate forms the substrate side facing broadside surface of the shield plate. This creates a cavity between the plates. It is also envisaged that a cavity of the shield plate is formed as a pocket. As a result of the cavity, the heat transfer insulating effect of the shield plate increases. The shield plate has a sufficiently large thermal mass, so that it, if it is not tempered in the shielding, in particular cooled, its temperature changes only slightly. However, the thermal mass is sufficiently low, so that the screen plate during the treatment of the substrate at the Verwahrort tempered to the screen temperature, in particular can be cooled. At the Verwahrort a heat sink is preferably provided, which has the third temperature control, which may have tempering, through which a cooling medium flows, which flows through a feed line into the heat sink and flows out of a derivative of the heat sink again. However, a heating fluid can also flow through the temperature control channels in order to heat the shield plate. The heat sink then has the function of a radiator. If the shield plate has a radiator, this can also be heated by a resistor network. It can be provided a displacement device, in particular a lifting device, with which the shield plate can be displaced in the direction of the heat sink or the heat sink in the direction of the shield plate, so that for tempering the shield plate, a surface of the heat sink touching a surface of the shield plate , The shield plate can be brought along horizontally extending rails of the Verwahrstellung in the shielding position. It may be provided a drive unit to displace the shield plate horizontally, wherein the drive unit may comprise an arm which is pivotable by a drive motor and engages the free end of the shield plate. The free end may have a pin which engages in a direction parallel to the displacement direction of the longitudinal slot of the shield plate, so that a pivoting of the arm has a linear displacement of the shield plate result. The shield plate may consist of several individual parts, which are separated from each other in the storage position and which touch each other in the shielding position and are thereby interconnected. It is provided that the distance between the substrate holder or the substrate and the gas inlet member is smaller than 50 mm. The edge length of the substrate is in the range between 500 and 1,000 mm, but may be larger. In a multi-part shield plate assembly, it is provided that the individual parts of the shield plate are arranged in separate storage compartments. In the shielding position, the one or more parts of the shield plate can be arranged horizontally next to one another or vertically above one another. In one embodiment of the invention, the shield plate consists of two parts, each part forming a plate having a rectangular plan. Both parts lie in opposite storage compartments and can be shifted towards each other to achieve the shielding function until they abut one another approximately in the middle of the process chamber and thereby form a uniform shield plate. A similar constellation can also be achieved with four or more plates, each plate forms a part of a shield plate and rests in a storage position in each of a storage chamber. The plates are displaced in individual, in particular divergent directions of the Verwahrstellung in the direction of the shielding position, wherein they rest in the shielding touching the edge edges of other plates, so that forms a uniform shield plate. In another variant of the invention, the shield plate consists of a plurality of plates arranged parallel to one another, wherein one or more upper plates are adjacent to the gas inlet member and one or more lower plates are adjacent to the substrate holder. Between the upper plates and the lower plates extends a cavity. There are provided spacer elements, with which the one or more lower or one or more upper plates are each connected to each other, wherein the spacer elements preferably connect both adjacent lower plates together and connect opposite upper and lower plates together. In addition, frame members are provided, which also have the task of connecting lower and upper plates with a defined distance with each other, so that forms a cavity between the upper plates and the lower plates.
Figurenlistelist of figures
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
-
1 schematisch als Vertikalschnitt ein erstes Ausführungsbeispiel, -
2 schematisch als Vertikalschnitt ein zweites Ausführungsbeispiel, -
3 schematisch als Vertikalschnitt ein drittes Ausführungsbeispiel, -
4 schematisch als Horizontalschnitt ein viertes Ausführungsbeispiel, -
5 schematisch als Vertikalschnitt ein fünftes Ausführungsbeispiel, -
6 perspektivisch einen Kühlkörper 11, -
7 den Kühlkörper 11gemäß 6 in Blickrichtung gemäß Pfeil VII in6 , -
8 aufgebrochen und perspektivisch eine Schirmplatte und -
9 schematisch in einem Vertikalschnitt ein sechstes Ausführungsbeispiel.
-
1 schematically as a vertical section a first embodiment, -
2 schematically a vertical section of a second embodiment, -
3 schematically a vertical section of a third embodiment, -
4 schematically as a horizontal section, a fourth embodiment, -
5 schematically as a vertical section of a fifth embodiment, -
6 in perspective, aheat sink 11, -
7 theheat sink 11 according to6 in the direction indicated by arrow VII in6 . -
8th broken and in perspective a shield plate and -
9 schematically in a vertical section, a sixth embodiment.
Beschreibung der AusführungsformenDescription of the embodiments
Die in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispiele betreffen einen Reaktor einer Beschichtungsanlage zum Abscheiden organischer Moleküle auf einem Substrat
Innerhalb eines Gehäuses
In direkter Gegenüberlage zu der die Gasaustrittsöffnungen
Das Substrat
Es ist eine Schirmplatte
Mittels einer nicht dargestellten Schienenanordnung kann die Schirmplatte
Die Schirmplatte
Bei dem in der
Es ist eine Verlagerungsvorrichtung, in Form einer Hebevorrichtung
Alternativ dazu kann die in der
Bei dem in der
Auch dieses Ausführungsbeispiel kann für einen anderen Abscheideprozess verwendet werden, bei dem das Gaseinlassorgan
Das in der
In der Abschirmstellung sind die beiden Teile der Schirmplatte
Auch bei diesem Ausführungsbeispiel kann vorgesehen sein, dass das Gaseinlassorgan
Bei dem in der
Bei dem in der
Anders, als bei den in den
Auch bei diesem Ausführungsbeispiel wird die Schirmplatte
Die
Die
Es sind Distanzelement
Die
Mit nicht dargestellten Verlagerungsmitteln kann die Schirmplatte
Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zumindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenständig weiterbilden, nämlich:The above explanations serve to explain the inventions as a whole, which further develop the state of the art independently, at least by the following feature combinations, namely:
Eine Vorrichtung, die gekennzeichnet ist durch eine dritte Temperiereinrichtung
Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schirmplatte
Eine Vorrichtung oder ein Verfahren, die dadurch gekennzeichnet sind, dass die dritte Temperiereinrichtung
Eine Vorrichtung oder ein Verfahren, die dadurch gekennzeichnet sind, dass der mindestens eine Verwahrort
Eine Vorrichtung oder ein Verfahren, die gekennzeichnet sind durch eine Verlagerungseinrichtung
Eine Vorrichtung oder ein Verfahren, die dadurch gekennzeichnet sind, dass die dritte Temperiereinrichtung
Eine Vorrichtung oder ein Verfahren, die dadurch gekennzeichnet sind, dass die dritte Temperiereinrichtung
Eine Vorrichtung oder ein Verfahren, die dadurch gekennzeichnet sind, dass die Schirmplatte
Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Gaseinlasstemperatur zwischen 100°C und 450°C liegt, die Depositionstemperatur im Bereich zwischen -20 und +90°C liegt und die Schirmtemperatur der Depositionstemperatur entspricht oder einen geringeren Wert als die Depositionstemperpatur besitzt, wobei die Schirmplatte
Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schirmplatte
Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schirmplatte
Eine Vorrichtung oder ein Verfahren, die gekennzeichnet sind durch eine bei der Behandlung des Substrates
Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen.All disclosed features are essential to the invention (individually, but also in combination with one another). The disclosure of the associated / attached priority documents (copy of the prior application) is hereby also incorporated in full in the disclosure of the application, also for the purpose of including features of these documents in claims of the present application. The Subclaims characterize with their features independent inventive developments of the prior art, in particular in order to make divisional applications based on these claims.
BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS
- 11
- Gehäusecasing
- 22
- GaseinlassorganGas inlet element
- 33
- Substrathaltersubstrate holder
- 44
- Substratsubstratum
- 55
- Maskemask
- 66
- Schirmplattefaceplate
- 6'6 '
- Schirmplattefaceplate
- 6"6 "
- Schirmplattefaceplate
- 6"'6 " '
- Schirmplattefaceplate
- 77
- GasaustrittsöffnungGas outlet
- 88th
- erste Temperiereinrichtungfirst tempering device
- 99
- zweite Temperiereinrichtungsecond tempering device
- 1010
- dritte Temperiereinrichtungthird tempering device
- 1111
- Kühlkörperheatsink
- 11'11 '
- Kühlkörperheatsink
- 1212
- Oberflächesurface
- 1313
- Zuleitungsupply
- 1414
- Ableitungderivation
- 1515
- VerwahrkammerVerwahrkammer
- 15'15 '
- VerwahrkammerVerwahrkammer
- 1616
- Höhlungcavity
- 1717
- Distanzelementspacer
- 1818
- obere Platteupper plate
- 1919
- untere Plattelower plate
- 2020
- Rahmenelementframe element
- 2121
- Prozesskammer process chamber
- 2222
- Hebevorrichtung, VerlagerungseinrichtungLifting device, relocating device
- 2323
- Tor gate
- P1P1
- Bewegungsrichtung der SchirmplatteDirection of movement of the screen plate
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- EP 2536865 B1 [0003]EP 2536865 B1 [0003]
- US 8658545 B2 [0003]US 8658545 B2 [0003]
- US 2008/0006523 A1 [0003]US 2008/0006523 A1 [0003]
Claims (13)
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102017103055.7A DE102017103055A1 (en) | 2017-02-15 | 2017-02-15 | Apparatus and method for thermal treatment of a substrate with a cooled screen plate |
PCT/EP2018/053605 WO2018149840A2 (en) | 2017-02-15 | 2018-02-14 | Device and method for thermally treating a substrate using a cooled shielding plate |
TW107105582A TW201842220A (en) | 2017-02-15 | 2018-02-14 | Device and method for thermally treating a substrate using a cooled shielding plate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102017103055.7A DE102017103055A1 (en) | 2017-02-15 | 2017-02-15 | Apparatus and method for thermal treatment of a substrate with a cooled screen plate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102017103055A1 true DE102017103055A1 (en) | 2018-08-16 |
Family
ID=61244582
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102017103055.7A Withdrawn DE102017103055A1 (en) | 2017-02-15 | 2017-02-15 | Apparatus and method for thermal treatment of a substrate with a cooled screen plate |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102017103055A1 (en) |
TW (1) | TW201842220A (en) |
WO (1) | WO2018149840A2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024002961A2 (en) | 2022-06-29 | 2024-01-04 | Aixtron Se | Device and method for treating a substrate |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3681227A (en) | 1970-06-29 | 1972-08-01 | Corning Glass Works | Microcircuit mask and method |
DE4309316A1 (en) | 1992-03-23 | 1993-09-30 | Nissan Motor | Multiplex data communication system in automobiles including a failover function for a LAN communication network |
DE69806650T2 (en) | 1997-01-08 | 2003-04-03 | Ebara Corp | Device for depositing a film from the gas phase and gas injection nozzle |
US20080128871A1 (en) | 2004-03-12 | 2008-06-05 | Schropp Rudolf Emmanuel Isidor | Apparatus and Process for Producing Thin Films and Devices |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080006523A1 (en) | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Akihiro Hosokawa | Cooled pvd shield |
DE102010000447A1 (en) * | 2010-02-17 | 2011-08-18 | Aixtron Ag, 52134 | Coating device and method for operating a coating device with a screen plate |
WO2012090717A1 (en) | 2010-12-27 | 2012-07-05 | シャープ株式会社 | Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and organic electroluminescence display apparatus |
KR102003199B1 (en) * | 2012-12-18 | 2019-07-24 | 주식회사 원익아이피에스 | Substrate Processing Apparatus |
-
2017
- 2017-02-15 DE DE102017103055.7A patent/DE102017103055A1/en not_active Withdrawn
-
2018
- 2018-02-14 TW TW107105582A patent/TW201842220A/en unknown
- 2018-02-14 WO PCT/EP2018/053605 patent/WO2018149840A2/en active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3681227A (en) | 1970-06-29 | 1972-08-01 | Corning Glass Works | Microcircuit mask and method |
DE4309316A1 (en) | 1992-03-23 | 1993-09-30 | Nissan Motor | Multiplex data communication system in automobiles including a failover function for a LAN communication network |
DE69806650T2 (en) | 1997-01-08 | 2003-04-03 | Ebara Corp | Device for depositing a film from the gas phase and gas injection nozzle |
US20080128871A1 (en) | 2004-03-12 | 2008-06-05 | Schropp Rudolf Emmanuel Isidor | Apparatus and Process for Producing Thin Films and Devices |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024002961A2 (en) | 2022-06-29 | 2024-01-04 | Aixtron Se | Device and method for treating a substrate |
DE102022002350A1 (en) | 2022-06-29 | 2024-01-04 | Aixtron Se | Device and method for treating a substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201842220A (en) | 2018-12-01 |
WO2018149840A3 (en) | 2018-10-11 |
WO2018149840A2 (en) | 2018-08-23 |
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